KR20190092392A - 스택형 다이 캐비티 패키지 - Google Patents

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KR20190092392A
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KR
South Korea
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integrated circuit
circuit die
cavity
substrate
conductive contacts
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KR1020197014749A
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English (en)
Inventor
미툴 모디
로버트 엘. 산크만
데벤드라 말릭
라빈드라나스 브이. 마하잔
암루타발리 피. 알루
이캉 덩
에릭 제이. 리
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인텔 코포레이션
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    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
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    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
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    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
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Abstract

장치가 제공되고, 이는, 기판을 형성하는 복수의 유전체 층들, 기판의 제1 표면 상의 복수의 제1 도전성 콘택트들, 제1 표면에 평행한 제2 표면을 정의하는 기판의 제1 표면에서의 캐비티, 기판의 제2 표면 상의 복수의 제2 도전성 콘택트들, 제2 도전성 콘택트들과 연결되는 하나 이상의 집적 회로 다이(들), 및 하나 이상의 집적 회로 다이(들) 및 제1 도전성 콘택트들을 적어도 부분적으로 덮는 몰드 재료를 포함한다. 다른 실시예들이 또한 개시되고 청구된다.

Description

스택형 다이 캐비티 패키지
스마트폰들과 같은, 컴퓨팅 디바이스들이, 크기가 축소되면서, 성능 및 능력들에서 계속 증가함에 따라, PoP(package-on-package) 아키텍처들의 사용이 확장되었다. PoP 아키텍처들에 대해 설계되는 기판들은 디바이스들을 부착하기 위한 공간 뿐만 아니라, 디바이스들과의 통신을 용이하게 하기 위한 인터커넥트들 및 비아들의 라우팅을 위한 공간을 또한 요구한다.
본 개시 내용의 실시예들은 본 개시 내용의 다양한 실시예들의 아래에 주어지는 상세한 설명으로부터 그리고 첨부 도면들로부터 보다 완전하게 이해될 것이지만, 이들은 본 개시 내용을 구체적인 실시예들에 제한하는 것으로 취해져서는 안 되고, 단지 설명과 이해를 위한 것이다.
도 1은, 일부 실시예들에 따른, 스택형 다이 캐비티 패키지의 단면도를 도시한다.
도 2a 내지 2i는, 일부 실시예들에 따른, 스택형 다이 캐비티 패키지의 제조 단계들의 단면도들을 도시한다.
도 3은, 일부 실시예들에 따른, 스택형 다이 캐비티 패키지를 형성하는 방법의 흐름도를 도시한다.
도 4 는, 일부 실시예들에 따른, 스택형 다이 캐비티 패키지를 포함하는 스마트 디바이스 또는 컴퓨터 시스템 또는 SoC(System-on-Chip)를 도시한다.
스택형 다이 캐비티 패키지들이 일반적으로 제시된다. 이와 관련하여, 본 발명의 실시예들은 전통적인 상부 사이드 볼 부착, 몰드, 및 큰 다이들 및 다이 스택들과의 TMI(through-mold interconnect) 드릴링을 가능하게 한다. 해당 분야에서의 숙련자는 이러한 패키지들이 폼 팩터 성장, PoP 핀 감소, 및, 더블 상부 사이드 솔더 볼들과 같은, 매우 큰 몰드-관통 인터커넥트 조인트들을 회피할 수 있다는 점을 이해할 것이다.
다음 설명에서는, 본 개시 내용의 실시예들의 보다 철저한 설명을 제공하기 위해 다수의 상세 사항들이 논의된다. 그러나, 해당 분야에서의 숙련자에게는, 본 개시 내용의 실시예들이 이러한 구체적인 상세 사항들 없이 실시될 수 있다는 점이 명백할 것이다. 다른 경우들에서, 잘 알려진 구조체들 및 디바이스들은, 본 개시 내용의 실시예들을 불명료하게 하는 것을 회피하기 위해, 상세히 보다는 오히려, 블록도 형태로 도시된다.
실시예들의 대응하는 도면들에서, 신호들은 라인들로 표현된다는 점을 주목한다. 일부 라인들은, 더 많은 성분 신호 경로들을 표시하기 위해, 더 두꺼울 수 있고, 및/또는, 주요 정보 흐름 방향을 표시하기 위해, 하나 이상의 단부에 화살표들을 가질 수 있다. 이러한 표시들은 제한적인 것으로 의도되는 것이 아니다. 오히려, 이러한 라인들은 회로 또는 논리 유닛의 더 쉬운 이해를 용이하게 하기 위해 하나 이상의 예시적인 실시예와 관련하여 사용된다. 임의의 표현된 신호는, 설계 필요들 또는 선호들에 의해 좌우되는 바와 같이, 어느 방향으로든 진행(travel)할 수 있고 임의의 적합한 타입의 신호 스킴(signal scheme)으로 구현될 수 있는, 하나 이상의 신호를 실제로 포함할 수 있다.
명세서 전반적으로, 그리고 청구항들에서, "접속되는(connected)"이라는 용어는, 어떠한 중개 디바이스들 없이, 접속되는 것들 사이의 전기적, 기계적, 또는 자기적 접속과 같은, 직접적인 접속을 의미한다. "연결되는(coupled)"이라는 용어는, 접속되는 것들 사이의 직접적인 전기적, 기계적, 또는 자기적 접속, 또는, 하나 이상의 수동 또는 능동 중개 디바이스를 통한, 간접적인 접속과 같은, 직접적인 또는 간접적인 접속을 의미한다. "회로(circuit)" 또는 "모듈(module)"이라는 용어는 원하는 기능을 제공하기 위해 서로 협업하도록 배열되는 하나 이상의 수동 및/또는 능동 컴포넌트를 지칭할 수 있다. "신호(signal)"라는 용어는 적어도 하나의 전류 신호, 전압 신호, 자기 신호, 또는 데이터/클록 신호를 지칭할 수 있다. "a", "an" 및 "the"의 의미는 복수의 지칭들을 포함한다. "in"의 의미는 "in" 및 "on"을 포함한다.
달리 명시되지 않는 한, 공통 대상을 설명하기 위한 서수 형용사들 "제1(first)", "제2(second)", "제3(third)" 등의 사용은, 유사한 대상들의 상이한 사례들이 지칭되고 있다는 점을 단지 표시하며, 이렇게 설명되는 대상들이, 시간적으로, 공간적으로, 순위적으로 또는 임의의 다른 방식으로, 주어진 시퀀스로 있어야 한다는 점을 암시하려고 의도되는 것은 아니다.
본 개시 내용의 목적들을 위해, "A 및/또는 B(A and/or B)" 및 "A 또는 B(A or B)"라는 문구들은 (A), (B), 또는 (A 및 B)를 의미한다. 본 개시 내용의 목적들을 위해, "A, B, 및/또는 C(A, B, and/or C)"이라는 문구는 (A), (B), (C), (A 및 B), (A 및 C), (B 및 C), 또는 (A, B 및 C)를 의미한다. 설명에서 그리고 청구항들에서 "좌측(left)", "우측(right)", "전면(front)", "배면(back)", "상부(top)", "하부(bottom)", "위(over)", "아래(under)" 등의 용어들은, 존재한다면, 설명적 목적들을 위해 사용되는 것이며, 반드시 영구적인 상대적 위치들을 설명하기 위한 것은 아니다.
도 1은, 일부 실시예들에 따른, 스택형 다이 캐비티 패키지의 단면도를 도시한다. 도시되는 바와 같이, 패키지(100)는 캐비티 기판(102), 다이 스택(104), 몰드 컴파운드(106), 디바이스(108), 몰드-관통 비아들(110), 및 패키지 콘택트들(112)을 포함한다. 패키지(100)는 다양한 실시예들에 관련하여 이하에서 설명되는 방법들을 사용하여 형성될 수 있지만, 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고서 다른 변형들 및 대안들이 해당 분야에서의 숙련자에게 발생할 수 있다.
캐비티 기판(102)은 도전성 재료와 산재되는 유전체 재료의 다수의 층들로 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 캐비티 기판(102)은, 프리프레그라고 보통 지칭되는, 수지 시스템으로 미리 주입된 보강형 패브릭의 다수의 층들을 포함한다. 묘사의 용이함을 위해 도시되지 않지만, 다이 스택(104) 및 디바이스(108)에 및/또는 이들로부터 전력 및/또는 데이터를 제공하기 위해 복수의 도전성 트레이스들 및 비아들이 캐비티 기판(102)에 존재할 가능성이 있다. 하나의 중앙 위치형 캐비티(103)를 포함하는 것으로 도시되지만, 캐비티 기판(102)은 임의의 수의 캐비티들을 임의의 배열로 포함할 수 있다.
다이 스택(104)은 본 발명의 교시로부터 이익을 얻을 수 있는 비교적 큰 다이 또는 다이 스택을 표현할 수 있다. 일부 실시예들에서, 다이 스택(104)은 제자리에 연결되는 2개 이상의 다이들을 표현하지만, 임의의 수의 다이들이 사용될 수 있고 다른 제조 프로세스의 부분으로서 미리 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, 다이 스택(104)은 하나 이상의 프로세서, FPGA(field programmable gate array), 코-프로세서, 제어기, 메모리 및/또는 다른 집적 회로 디바이스를 포함할 수 있다. 다이 스택(104)의 다이들(105, 107 및 109)은, 이에 제한되는 것은 아니지만, 이하에 제시되는 예들을 포함하는, 임의의 상상 가능한 방식으로 물리적으로 및/또는 전기적으로 연결될 수 있다.
몰드 컴파운드(106)는 다이 스택(104)에 대한 안정성 및/또는 절연을 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 몰드 컴파운드(106)는 경화 단계들을 요구하거나 또는 그렇지 않을 수 있는 에폭시 수지를 포함한다. 몰드 컴파운드(106)는, 이에 제한되는 것은 아니지만 유속들, 경화 시간들, 열 팽창, 및 레이저 드릴링의 용이함을 포함하는, 다양한 요인들에 기초하여 만들어질 수 있다.
디바이스(108)는 본 발명의 교시로부터 이익을 얻을 수 있는 임의의 타입의 디바이스 패키지일 수 있다. 일부 실시예들에서, 디바이스(108)는 메모리 디바이스이다. 다이 스택(104) 위의 캐비티 기판(102)에서의 캐비티에 걸쳐 있는 단일 디바이스로서 도시되지만, 디바이스(108)는 다수의 디바이스 패키지들일 수 있다. 일부 실시예들에서, 디바이스(108)는, 캐비티 기판(102)의 표면 상에, 솔더 구들(111) 또는 다른 형태들을 노출시키도록 몰드 컴파운드(106)에 레이저 드릴링된 개구들을 포함할 수 있는, 몰드-관통 비아들(110)에 의해 캐비티 기판(102)과 연결되고, 일부 실시예들에서, 동일 디바이스(108)는 캐비티 기판(102)에서 캐비티의 대향 사이드들 상의 솔더 구들과 연결된다.
패키지 콘택트들(112)은 패키지(100)가, 예를 들어, 집적 시스템의 부분으로서 인쇄 회로 보드와 연결되는 것을 허용하는 범프들 또는 다른 도전성 콘택트들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서는, 핀들, 랜드들, 또는 패드들이 사용될 수 있다.
도 2a 내지 2i는, 일부 실시예들에 따른, 스택형 다이 캐비티 패키지의 제조 단계들의 단면도들을 도시한다. 도 2a에 도시되는 바와 같이, 어셈블리(200)는 유전체 층들(202), 금속 층들(204), 상부 표면(206) 및 하부 표면(208)을 포함한다.
유전체 층들(202)은 반복적으로 형성되는 유전체 재료 절연 금속 트레이스들 및 비아들(도시되지 않음)을 표현할 수 있다. 일부 실시예들에서, 유전체 층들(202)은 프리프레그 재료의 층들이다. 유전체 층들(202)은 두께가 일정하거나 또는 두께가 달라질 수 있다.
금속 층들(204)은 기판을 통해 신호들 및 전력을 라우팅할 수 있다. 일부 실시예들에서, 금속 층들(204)은 구리이지만, 다른 금속들이 사용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 코어로서 작용하기 위한 구조적 안정성을 제공하기 위해 하나 이상의 금속 층(204)이 포함될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상부 표면(206) 및 하부 표면(208)은 산화로부터 구리 트레이스들을 보호하는 그리고 솔더 브리지들이 가까이 이격된 솔더 패드들 사이에서 형성되는 것을 방지하는 솔더 레지스트 또는 솔더 마스크이다. 일부 실시예들에서, 상부 표면(206) 및 하부 표면(208)은 인접 금속 층(204) 상에 스프레이되거나 또는 실크 스크리닝되고 다음으로 경화되는 액체 에폭시의 층을 표현한다.
도 2b는 상부 표면(206), 캐비티 표면(214) 및 캐비티 콘택트들(216)을 통해 형성되는, 캐비티(212)를 포함할 수 있는 어셈블리(210)를 도시한다. 일부 실시예들에서, 캐비티(212)는 유전체 층들(202)의 직육면체 부분을 인접 금속 층(204)까지 아래로 제거하는 것에 의해 형성된다. 일부 실시예들에서, 캐비티(212)는 레이저 릴리즈에 의해 또는 기계적 라우팅에 의해 형성된다. 일부 실시예들에서, 캐비티(212)는 약 100 um 내지 300 um의 깊이를 갖지만, 다른 깊이들이 사용될 수 있다.
캐비티(212)의 형성은 상부 표면(206)에 평행한 캐비티 표면(214)을 생성할 수 있다. 일부 실시예들에서, 캐비티 콘택트들(216)은 캐비티 표면(214) 내에 또는 그 위에 형성된다. 일부 실시예들에서, 캐비티 표면(214)을 제공하도록 설계된 금속 층(204)은 그 상에 이전에 형성된 캐비티 콘택트들(216)을 갖고, 캐비티(212)의 생성은 캐비티 콘택트들(216)을 노출시킨다.
도 2c에 도시되는 바와 같이, 어셈블리(220)는 캐비티 콘택트들(216)과 연결되는 제1 디바이스(222)를 갖는다. 일부 실시예들에서, 제1 디바이스(222)는 캐비티 콘택트들(216)의 일부, 또는 아마도 전부와 연결하기 위한 솔더 볼들(224)을 포함한다. 솔더 볼들 이외의 다른 콘택트 수단이 다른 실시예들에서 사용될 수 있다.
이제 도 2d를 참조하면, 어셈블리(230)는 제1 디바이스(222)와 연결되는 제2 디바이스(232)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 디바이스(232)는, 제1 디바이스(222) 내의 실리콘-관통 비아들(236)과 연결하는, 솔더 볼들(234), 또는 다른 도전성 피팅들을 포함한다. 실리콘-관통 비아들(236)은 제2 디바이스(232)를 캐비티 콘택트들(216)의 일부와 도전성으로 연결할 수 있다.
도 2e는, 제2 디바이스(232)에 부착되는 제3 디바이스(242)를 포함할 수 있는, 어셈블리(240)를 도시한다. 일부 실시예들에서, 제3 디바이스(242)는 접착제(246)에 의해 제2 디바이스(232)와 기계적으로 본딩된다. 일부 실시예들에서, 제3 디바이스(242)와의 전기적 접속들은, 캐비티 콘택트들(216)의 일부와 연결될 수 있는, 와이어본드들(244)에 의해 제공된다.
도 2f에 도시되는 바와 같이, 어셈블리(250)에 대해, 솔더 구들(252)이 상부 표면(206) 상에 형성되었을 수 있다. 일부 실시예들에서, 솔더 구들(252)은 다이 스택의 상부(예를 들어, 제3 디바이스(242))만큼 상부 표면(206)으로부터 멀리 연장되지 않는다. 솔더 구들(252)은 주석 기반 솔더, 납 기반 솔더, 또는 다른 도전성 재료들로 이루어질 수 있다. 일반적인 형상에 기초하여 지칭되지만, 솔더 구들(252)은 완전히 또는 완벽히 구형은 아닐 수 있다. 해당 분야에서의 숙련자는 구(sphere) 라는 용어가 비공식으로 사용된다는 점 및 다른 형상들/형태들이 사용될 수 있다는 점을 이해할 것이다.
이제 도 2g를 참조하면, 어셈블리(260)는 상부 표면(206) 및 채움 캐비티(212) 위에 형성되는 몰드 컴파운드(262)를 포함할 수 있다. 솔더 구들(252)을 완전히 덮는 레벨 상위 표면을 갖는 것으로 도시되지만, 몰드 컴파운드(262)는, 예를 들어, 솔더 구들(252) 및 제3 디바이스(242)의 것들과 같은, 다른 표면들에 따르는 방식으로 불균일하게 퇴적될 수 있다. 다른 실시예들에서, 몰드 컴파운드(262)는, 예를 들어 임시 배리어의 사용을 통해 솔더 구들(252)을 완전히 덮는 것이 방지된다.
도 2h는, 솔더 구들(252)을 노출시키기 위해 몰드 컴파운드(262)에 형성되는 몰드-관통 비아들(272)을 포함할 수 있는, 어셈블리(270)를 도시한다. 몰드-관통 비아들(272)은 몰드 컴파운드(262)의 레이저 어블레이션에 의해 형성될 수 있다. 몰드-관통 비아들(272)은 솔더 구들(252) 각각의 대략 상부 절반을 노출시키는 평행한 또는 각을 이루는 사이드들을 가질 수 있다.
도 2i에 도시되는 바와 같이, 어셈블리(280)는 하부 표면(208)에 부착된 범프들(282)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 범프들(282)은 솔더 볼들을 표현하지만, 예를 들어, 어셈블형 패키지를 소켓, 회로 보드, 또는 다른 패키지에 부착하기 위해, 핀들 또는 랜드들과 같은, 다른 도전성 수단이 사용될 수 있다.
도 3은, 일부 실시예들에 따른, 월-사이드(wall-side) 커패시터들이 있는 패키지를 형성하는 방법의 흐름도를 도시한다. 도 3에 관련한 흐름도에서의 블록들은 특정 순서로 도시되더라도, 액션들의 순서는 수정될 수 있다. 따라서, 도시되는 실시예들은 상이한 순서로 수행될 수 있고, 일부 액션들/블록들은 병렬로 수행될 수 있다. 도 3에 열거되는 블록들 및/또는 동작들 중 일부는 특정 실시예에 따라 선택적이다. 제시되는 블록들의 넘버링은 명백함을 위한 것이고, 다양한 블록들이 발생해야만 하는 동작들의 순서를 규정하려고 의도되는 것은 아니다. 추가적으로, 다양한 흐름들로부터의 동작들이 다양한 조합으로 이용될 수 있다.
방법(300)은, 캐비티 기판(102)과 같은, 기판에 캐비티를 형성하는 단계(302)로 시작한다. 일부 실시예들에서, 캐비티(212)는 프리프레그 재료의 직육면체 부분의 레이저 릴리즈 또는 기계적 라우팅에 의해 형성된다. 일부 실시예들에서, 캐비티가 형성될 때, 유전체 층들(202)과 같은, 프리프레그 재료는 아직 경화되지 않는다. 일부 실시예들에서, 형성된 캐비티는 약 100 um 깊이보다 크고 금속 층 위에 하부 표면을 갖는다.
다음으로, 다이 스택(104)과 같은, 다이 스택이 캐비티 표면에 부착된다(304). 일부 실시예들에서, 다이 스택은 기판 캐비티와 기계적으로, 그리고 가능하게는 전기적으로 제자리에 연결되는 2개 이상의 디바이스들을 포함한다. 다른 실시예들에서, 다이 스택은 캐비티 기판에 단일 유닛으로서 미리 조립되고 부착된다. 일부 실시예들에서, 다이 스택 내의 디바이스들은 실리콘-관통 비아들에 의해 전기적으로 연결된다. 일부 실시예들에서, 다이 스택 내의 디바이스들은 캐비티 기판 표면 상의 콘택트들에 와이어 본딩된다.
다음으로, 솔더 구들(252)과 같은, 솔더 구들이 상위 기판 표면(206) 상에 형성한다(306). 다음으로, 일부 실시예들에서, 캐비티(212) 및 솔더 구들(252)이 몰드 컴파운드(262)로 오버몰딩된다(308).
이러한 방법은, 일부 실시예들에서, 솔더 구들(252)을 노출시키기 위해 몰드-관통 비아들(272)을 형성하는 단계(310)로 계속된다. 일부 실시예들에서, 몰드 컴파운드(262)의 부분들을 제거하기 위해 레이저 드릴링이 사용된다. 다음으로, 일부 실시예들에서, 하부 표면(208) 상에 범프들(282)이 형성된다(312). 마지막으로, 디바이스(108)는 (채워진) 캐비티 및 다이 스택의 대향 사이드들 상의 솔더 구들과 연결될 수 있다(314).
도 4 는, 일부 실시예들에 따른, 스택형 다이 캐비티 패키지를 포함하는 스마트 디바이스 또는 컴퓨터 시스템 또는 SoC(System-on-Chip)(400)를 도시한다. 일부 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스(400)는, 컴퓨팅 태블릿, 모바일 폰 또는 스마트-폰, 무선-인에이블형 이-리더, 또는 다른 무선 모바일 디바이스와 같은, 모바일 컴퓨팅 디바이스를 표현한다. 특정 컴포넌트들이 일반적으로 도시되고, 이러한 디바이스의 컴포넌트들 전부가 컴퓨팅 디바이스(400)에 도시되는 것은 아니라는 점이 이해될 것이다. 일부 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스(400)의 하나 이상의 컴포넌트, 예를 들어 프로세서(410) 및/또는 메모리 서브시스템(460)은 위에 설명된 바와 같이 월-사이드 커패시터들이 있는 패키지에 포함된다.
실시예들의 목적들을 위해, 본 명세서에 설명되는 다양한 회로들 및 로직 블록들에서의 트랜지스터들은 MOS(metal oxide semiconductor) 트랜지스터들 또는 이들의 파생물들이고, MOS 트랜지스터들은 드레인, 소스, 게이트, 및 벌크 단자들을 포함한다. 트랜지스터들 및/또는 MOS 트랜지스터 파생물들은 Tri-Gate 및 FinFET 트랜지스터들, Gate All Around Cylindrical Transistors, TFET(Tunneling FET), Square Wire, 또는 Rectangular Ribbon Transistors, FeFET(ferroelectric FET)들, 또는 탄소 나노튜브들 또는 스핀트로닉 디바이스들과 같이 트랜지스터 기능성을 구현하는 다른 디바이스들을 또한 포함한다. MOSFET 대칭적 소스 및 드레인 단자들은 동일한 단자들이며, 본 명세서에서는 상호 교환 가능하게 사용된다. TFET 디바이스는, 다른 한편으로, 비대칭적 소스 및 드레인 단자들을 갖는다. 해당 분야에서의 숙련자들은 다른 트랜지스터들, 예를 들어, Bi-polar 접합 트랜지스터들-BJT PNP/NPN, BiCMOS, CMOS 등이 본 개시 내용의 범위를 벗어나지 않고 사용될 수 있다는 점을 이해할 것이다.
일부 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스(400)는 제1 프로세서(410)를 포함한다. 본 개시 내용의 다양한 실시예들은, 시스템 실시예가 무선 디바이스, 예를 들어, 셀 폰 또는 개인용 디지털 보조기(personal digital assistant)에 통합될 수 있도록, 무선 인터페이스와 같은 470 내의 네트워크 인터페이스를 또한 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(410)는, 마이크로프로세서들, 애플리케이션 프로세서들, 마이크로제어기들, 프로그램 가능 로직 디바이스들, 또는 다른 처리 수단과 같은, 하나 이상의 물리적 디바이스를 포함할 수 있다. 프로세서(410)에 의해 수행되는 처리 동작들은 애플리케이션들 및/또는 디바이스 기능들이 실행되는 운영 플랫폼 또는 운영 시스템의 실행을 포함한다. 처리 동작들은, 인간 사용자와의 또는 다른 디바이스들과의 I/O(input/output)에 관련된 동작들, 전력 관리에 관련된 동작들, 및/또는 컴퓨팅 디바이스(400)를 다른 디바이스에 접속하는 것에 관련된 동작들을 포함한다. 처리 동작들은 오디오 I/O 및/또는 디스플레이 I/O에 관련된 동작들을 또한 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 컴퓨팅 디바이스(400)는, 오디오 기능들을 컴퓨팅 디바이스에 제공하는 것과 연관된 하드웨어(예를 들어, 오디오 하드웨어 및 오디오 회로들) 및 소프트웨어(예를 들어, 드라이버들, 코덱들) 컴포넌트들을 표현하는, 오디오 서브시스템(420)을 포함한다. 오디오 기능들은 스피커 및/또는 헤드폰 출력, 뿐만 아니라 마이크로폰 입력을 포함할 수 있다. 이러한 기능들을 위한 디바이스들은 컴퓨팅 디바이스(400)에 집적되거나, 또는 컴퓨팅 디바이스(400)에 접속될 수 있다. 일 실시예에서, 사용자는 프로세서(410)에 의해 수신되고 처리되는 오디오 커맨드들을 제공하는 것에 의해 컴퓨팅 디바이스(400)와 상호 작용한다.
디스플레이 서브시스템(430)은 사용자가 컴퓨팅 디바이스(400)와 상호 작용하기 위한 시각적 및/또는 촉각적 디스플레이를 제공하는 하드웨어(예를 들어, 디스플레이 디바이스들) 및 소프트웨어(예를 들어, 드라이버들) 컴포넌트들을 표현한다. 디스플레이 서브시스템(430)은, 사용자에게 디스플레이를 제공하는데 사용되는 특정 스크린 또는 하드웨어 디바이스를 포함하는, 디스플레이 인터페이스(432)를 포함한다. 일 실시예에서, 디스플레이 인터페이스(432)는 디스플레이에 관련된 적어도 일부 처리를 수행하는, 프로세서(410)와는 별개인 로직을 포함한다. 일 실시예에서, 디스플레이 서브시스템(430)은 출력 및 입력 양자 모두를 사용자에게 제공하는 터치 스크린(또는 터치 패드) 디바이스를 포함한다.
I/O 제어기(440)는 사용자와의 상호 작용에 관련된 하드웨어 디바이스들 및 소프트웨어 컴포넌트들을 표현한다. I/O 제어기(440)는 오디오 서브시스템(420) 및/또는 디스플레이 서브시스템(430)의 부분인 하드웨어를 관리하도록 동작 가능하다. 추가적으로, I/O 제어기(440)는, 이를 통해 사용자가 시스템과 상호 작용할 수 있는, 컴퓨팅 디바이스(400)에 접속하는 추가적인 디바이스들에 대한 접속 지점을 도시한다. 예를 들어, 컴퓨팅 디바이스(400)에 부착될 수 있는 디바이스들은 마이크로폰 디바이스들, 스피커 또는 스테레오 시스템들, 비디오 시스템들 또는 다른 디스플레이 디바이스들, 키보드 또는 키패드 디바이스들, 또는 카드 판독기들 또는 다른 디바이스들과 같은 구체적인 애플리케이션들과 함께 사용하기 위한 다른 I/O 디바이스들을 포함할 수 있다.
위에 언급된 바와 같이, I/O 제어기(440)는 오디오 서브시스템(420) 및/또는 디스플레이 서브시스템(430)과 상호 작용할 수 있다. 예를 들어, 마이크로폰 또는 다른 오디오 디바이스를 통한 입력은 컴퓨팅 디바이스(400)의 하나 이상의 애플리케이션 또는 기능에 대한 입력 또는 커맨드들을 제공할 수 있다. 추가적으로, 오디오 출력은 디스플레이 출력 대신에, 또는 이에 추가하여 제공될 수 있다. 다른 예에서, 디스플레이 서브시스템(430)이 터치 스크린을 포함하면, 디스플레이 디바이스는, I/O 제어기(440)에 의해 적어도 부분적으로 관리될 수 있는, 입력 디바이스로서 또한 작용할 수 있다. I/O 제어기(440)에 의해 관리되는 I/O 기능들을 제공하기 위해 컴퓨팅 디바이스(400) 상의 추가적인 버튼들 또는 스위치들이 또한 존재할 수 있다.
일 실시예에서, I/O 제어기(440)는 가속도계들, 카메라들, 광 센서들 또는 다른 환경 센서들과 같은 디바이스들, 또는 컴퓨팅 디바이스(400)에 포함될 수 있는 다른 하드웨어를 관리한다. 시스템에 환경 입력을 제공하여 (잡음에 대해 필터링하는 것, 휘도 검출에 대해 디스플레이들을 조정하는 것, 카메라에 대해 플래시를 적용하는 것, 또는 다른 특징들과 같은) 자신의 동작들에 영향을 줄 뿐만 아니라, 입력은 직접 사용자 상호 작용의 부분일 수 있다.
일 실시예에서, 컴퓨팅 디바이스(400)는 배터리 전력 사용, 배터리의 충전, 및 절전 동작에 관련된 특징들을 관리하는 전력 관리(450)를 포함한다. 메모리 서브시스템(460)은 컴퓨팅 디바이스(400)에 정보를 저장하기 위한 메모리 디바이스들을 포함한다. 메모리는 비-휘발성(메모리 디바이스로의 전력이 중단(interrupt)되면 상태가 변경되지 않음) 및/또는 휘발성(메모리 디바이스로의 전력이 중단되면 상태가 불확정(indeterminate)임) 메모리 디바이스들을 포함할 수 있다. 메모리 서브시스템(460)은, 애플리케이션 데이터, 사용자 데이터, 음악, 사진들, 문서들, 또는 다른 데이터 뿐만 아니라, 컴퓨팅 디바이스(400)의 애플리케이션들 및 기능들의 실행에 관련된 시스템 데이터(장기이든지 임시이든지)를 저장할 수 있다.
실시예들의 엘리먼트들은 컴퓨터 실행 가능 명령어들을 저장하기 위한 머신 판독 가능 매체(예를 들어, 메모리(460))로서 또한 제공된다. 머신 판독 가능 매체(예를 들어, 메모리(460))는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 플래시 메모리, 광 디스크들, CD-ROM들, DVD ROM들, RAM들, EPROM들, EEPROM들, 자기 또는 광 카드들, PCM(phase change memory), 또는 전자적 또는 컴퓨터 실행 가능 명령어들을 저장하기에 적합한 다른 타입들의 머신 판독 가능 매체를 포함한다. 예를 들어, 본 개시 내용의 실시예들은 통신 링크(예를 들어, 모뎀 또는 네트워크 접속)를 통해 데이터 신호들에 의해 원격 컴퓨터(예를 들어, 서버)로부터 요청 컴퓨터(예를 들어, 클라이언트)에 전송될 수 있는 컴퓨터 프로그램(예를 들어, BIOS)으로서 다운로드될 수 있다.
접속성(470)은 컴퓨팅 디바이스(400)가 외부 디바이스들과 통신할 수 있게 하는 하드웨어 디바이스들(예를 들어, 무선 및/또는 유선 커넥터들 및 통신 하드웨어) 및 소프트웨어 컴포넌트들(예를 들어, 드라이버들, 프로토콜 스택들)을 포함한다. 컴퓨팅 디바이스(400)는, 다른 컴퓨팅 디바이스들, 무선 액세스 포인트들 또는 기지국들과 같은 별개의 디바이스들 뿐만 아니라, 헤드셋들, 프린터들, 또는 다른 디바이스들과 같은 주변기기일 수 있다.
접속성(470)은 다수의 상이한 타입들의 접속성을 포함할 수 있다. 일반화하기 위해, 컴퓨팅 디바이스(400)는 셀룰러 접속성(472) 및 무선 접속성(474)과 함께 도시된다. 셀룰러 접속성(472)은, GSM(global system for mobile communications) 또는 변형들 또는 파생물들, CDMA(code division multiple access) 또는 변형들 또는 파생물들, TDM(time division multiplexing) 또는 변형들 또는 파생물들, 또는 다른 셀룰러 서비스 표준들을 통해 제공되는 것과 같이, 무선 캐리어들에 의해 제공되는 셀룰러 네트워크 접속성을 일반적으로 지칭한다. 무선 접속성(또는 무선 인터페이스)(474)은 셀룰러가 아닌 무선 접속성을 지칭하며, (Bluetooth, Near Field 등과 같은) 개인 영역 네트워크들, (Wi-Fi와 같은) 로컬 영역 네트워크들, 및/또는 (WiMax와 같은) 광역 네트워크들, 또는 다른 무선 통신을 포함할 수 있다.
주변기기 접속들(480)은, 주변기기 접속들을 이루기 위한 하드웨어 인터페이스들 및 커넥터들 뿐만 아니라 소프트웨어 컴포넌트들(예를 들어, 드라이버들, 프로토콜 스택들)을 포함한다. 컴퓨팅 디바이스(400)는 다른 컴퓨팅 디바이스들로의("~로(to)"(482)) 주변기기 디바이스일 뿐만 아니라, 이에 접속되는 주변기기 디바이스들("~로부터(from)"(484))을 가질 수 있다는 점이 이해될 것이다. 컴퓨팅 디바이스(400)는 컴퓨팅 디바이스(400) 상에서 콘텐츠를 관리(예를 들어, 다운로딩 및/또는 업로딩, 변경, 동기화)하는 것과 같은 목적들을 위해 다른 컴퓨팅 디바이스에 접속하기 위한 "도킹(docking)" 커넥터를 보통 갖는다. 추가적으로, 도킹 커넥터는 컴퓨팅 디바이스(400)가, 예를 들어, 시청각 또는 다른 시스템들로의 콘텐츠 출력을 제어하는 것을 허용하는 특정 주변기기들에 컴퓨팅 디바이스(400)가 접속하는 것을 허용할 수 있다.
전용 도킹 커넥터(proprietary docking connector) 또는 다른 전용 접속 하드웨어(proprietary connection hardware)에 추가하여, 컴퓨팅 디바이스(400)는 통상의 또는 표준 기반 커넥터들을 통해 주변기기 접속들(480)을 이룰 수 있다. 통상의 타입들은 (다수의 상이한 하드웨어 인터페이스들 중 임의의 것을 포함할 수 있는) USB(Universal Serial Bus) 커넥터, MDP(MiniDisplayPort)를 포함하는 DisplayPort, HDMI(High Definition Multimedia Interface), Firewire, 또는 다른 타입들을 포함할 수 있다.
본 명세서에서 "실시예(an embodiment)", "일 실시예(one embodiment)", "일부 실시예들(some embodiments)", 또는 "다른 실시예들(other embodiments)"에 대한 지칭은, 실시예들과 관련하여 설명되는 특정 특징, 구조, 또는 특성이, 반드시 모든 실시예들에는 아니지만, 적어도 일부 실시예들에 포함된다는 점을 의미한다. "실시예(an embodiment)", "일 실시예(one embodiment)", 또는 "일부 실시예들(some embodiments)"의 다양한 등장들은 반드시 모두가 동일한 실시예들을 지칭하는 것은 아니다. 본 명세서가 컴포넌트, 특징, 구조, 또는 특성이 포함될 수 있다("may", "might", or "could" be included)고 진술하면, 해당 특정 컴포넌트, 특징, 구조, 또는 특성이 포함될 것이 요구되는 것은 아니다. 본 명세서 또는 청구항이 단수 표현("a" 또는 "an") 엘리먼트를 지칭하면, 그것이 이러한 엘리먼트들 중 하나만 존재한다는 것을 의미하는 것은 아니다. 본 명세서 또는 청구항들이 "추가적인(additional)" 엘리먼트를 지칭하면, 그것이 하나보다 많은 추가 엘리먼트가 존재한다는 것을 배제하는 것은 아니다.
더욱이, 특정 특징들, 구조들, 기능들, 또는 특성들은 하나 이상의 실시예에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다. 예를 들어, 제1 실시예는 2개의 실시예들과 연관된 특정 특징들, 구조들, 기능들, 또는 특성들이 상호 배타적이지 않은 어디에서든 제2 실시예와 조합될 수 있다.
본 개시 내용이 구체적인 실시예들과 함께 설명되었지만, 해당 분야에서의 통상의 기술자들에게는 전술한 설명에 비추어 이러한 실시예들의 많은 대안들, 수정들 및 변형들이 명백할 것이다. 본 개시 내용의 실시예들은 이러한 대안들, 수정들, 및 변형들 모두를 첨부된 청구항들의 넓은 범위 내에 있는 것으로서 포함하도록 의도되는 것이다.
또한, IC(integrated circuit) 칩들 및 다른 컴포넌트들로의 잘 알려진 전력/접지 접속들은, 설명 및 논의의 단순화를 위해, 그리고 본 개시 내용을 불명료하게 하지 않기 위해, 제시된 도면들 내에 도시될 수 있거나 또는 그렇지 않을 수 있다. 추가로, 본 개시 내용을 불명료하게 하는 것을 회피하기 위해, 그리고 이러한 블록도 배열들의 구현에 관한 세부 사항들이 본 개시 내용이 구현될 플랫폼에 매우 의존한다는 사실의 관점에서, 배열들이 블록도 형태로 도시될 수 있다(즉, 이러한 세부 사항들은 충분히 해당 분야에서의 숙련자의 이해의 범위 내에 있어야 한다). 구체적인 상세 사항들(예를 들어, 회로들)이 본 개시 내용의 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 제시되는 경우, 본 개시 내용이 이러한 구체적인 상세 사항들 없이, 또는 이들의 변형과 함께 실시될 수 있다는 점이 해당 분야에서의 숙련자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 설명은 제한적인 것 대신 예시적인 것으로서 고려되어야 한다.
다음 예들은 추가의 실시예들에 관련된다. 이러한 예들에서의 세부 사항들은 하나 이상의 실시예에서 어디에서든 사용될 수 있다. 본 명세서에 설명되는 장치의 모든 선택적 특징들은 방법 또는 프로세스에 관하여 또한 구현될 수 있다.
일 예에서, 장치가 제공되고, 이는, 기판을 형성하는 복수의 유전체 층들; 기판의 제1 표면 상의 복수의 제1 도전성 콘택트들; 제1 표면에 평행한 제2 표면을 정의하는 기판의 제1 표면에서의 캐비티; 기판의 제2 표면 상의 복수의 제2 도전성 콘택트들; 제2 도전성 콘택트들과 연결되는 하나 이상의 집적 회로 다이(들); 및 하나 이상의 집적 회로 다이(들) 및 제1 도전성 콘택트들을 적어도 부분적으로 덮는 몰드 재료를 포함한다.
일부 실시예들은 기판 내의 코어 층을 또한 포함한다. 일부 실시예들은 제1 도전성 콘택트들과 연결되는 메모리 디바이스를 또한 포함하고, 이러한 메모리 디바이스는 캐비티에 걸쳐 있다. 일부 실시예들에서, 캐비티는 약 100 um 초과의 깊이를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 도전성 콘택트들은 솔더 형태들을 포함한다.
일부 실시예들에서, 하나 이상의 집적 회로 다이(들)는, 제2 도전성 콘택트들과 연결되는 제1 집적 회로 다이; 및 실리콘 관통 비아들에 의해 제1 집적 회로 다이와 연결되는 제2 집적 회로 다이를 포함한다.
다른 예에서, 집적 회로 패키지가 제공되고, 이는, 기판 - 기판은, 제1 표면; 제1 표면에 평행한 제2 표면을 정의하는 제1 표면에서의 캐비티; 캐비티의 대향 사이드들 상의 제1 표면 상의 솔더 형태들; 및 제2 표면 상의 도전성 콘택트들을 포함함 -; 제2 표면 상의 도전성 콘택트들과 연결되는 하나 이상의 집적 회로 다이(들); 하나 이상의 집적 회로 다이(들)를 덮는 몰드 재료; 및 캐비티의 대향 사이드들 상의 솔더 형태들과 연결되는 집적 회로 디바이스를 포함한다.
일부 실시예들에서, 하나 이상의 집적 회로 디바이스는, 제2 표면 상의 도전성 콘택트들과 연결되는 제1 집적 회로 다이; 및 제1 집적 회로 다이의 상부 표면과 연결되는 제2 집적 회로 다이를 포함한다. 일부 실시예들은 제2 집적 회로 다이가 와이어 본딩을 통해 제2 표면 상의 도전성 콘택트들과 도전성으로 연결되는 것을 또한 포함한다. 일부 실시예들에서, 캐비티는 약 100 um 초과의 깊이를 포함한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 집적 회로 다이(들)는 프로세서를 포함한다. 일부 실시예들에서, 솔더 형태들과 연결되는 집적 회로 디바이스는 메모리 디바이스를 포함한다.
다른 예에서, 시스템이 제공되고, 이는, 디스플레이 서브시스템; 무선 통신 인터페이스; 집적 회로 패키지- 집적 회로 패키지는, 기판 - 기판은, 제1 표면; 제1 표면에 평행한 제2 표면을 정의하는 제1 표면에서의 캐비티; 캐비티의 대향 사이드들 상의 제1 표면 상의 솔더 형태들; 및 제2 표면 상의 도전성 콘택트들을 포함함 -; 제2 표면 상의 도전성 콘택트들과 연결되는 하나 이상의 집적 회로 다이(들); 및 캐비티의 대향 사이드들 상의 솔더 형태들과 연결되는 메모리 디바이스를 포함한다.
일부 실시예들은 하나 이상의 집적 회로 다이(들) 및 솔더 형태들을 덮는 몰드 재료를 또한 포함하고, 메모리 디바이스는 몰드-관통 비아들에 의해 솔더 형태들과 연결된다. 일부 실시예들에서, 캐비티는 약 100 um 초과의 깊이를 포함한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 집적 회로 디바이스는 프로세서를 포함한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 집적 회로 디바이스는, 제2 표면 상의 도전성 콘택트들과 연결되는 제1 집적 회로 다이; 및 제1 집적 회로 다이의 상부 표면과 연결되는 제2 집적 회로 다이를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제2 집적 회로 다이는 실리콘 관통 비아에 의해 제1 집적 회로 다이와 도전성으로 연결된다.
다른 예에서, 방법이 제공되고, 이는, 하위 표면 및 하위 표면에 평행한 상위 표면을 정의하는 캐비티가 있는 기판을 형성하는 단계; 상위 표면 상에 솔더 형태들을 형성하는 단계; 기판의 하위 표면에 하나 이상의 다이(들)를 부착하는 단계; 하나 이상의 다이(들) 및 솔더 형태들을 오버몰딩하는 단계; 솔더 폼들을 노출시키기 위해 몰드 관통 비아들을 형성하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들에서, 캐비티가 있는 기판을 형성하는 단계는, 프리프레그 및 구리의 층들을 조합하는 단계; 기판의 상위 표면으로부터 구리 층까지 연장되는 프리프레그의 직육면체 부분을 제거하는 단계; 프리프레그를 경화하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 프리프레그의 직육면체 부분을 제거하는 단계는 레이저 릴리즈를 포함한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 다이(들)를 부착하는 단계는, 제1 집적 회로 다이를 하위 표면 상의 콘택트들에 연결하는 단계; 및 제2 집적 회로 다이를 제1 집적 회로 다이의 표면에 연결하는 단계를 포함한다.
일부 실시예들은 기판의 상위 표면 상의 솔더 형태들에 디바이스를 부착하는 단계를 또한 포함하고, 디바이스는 캐비티에 걸쳐 있다. 일부 실시예들에서, 이러한 디바이스는 메모리 디바이스를 포함한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 다이(들)를 부착하는 단계는 집적 회로 다이의 콘택트들을 실리콘 관통 비아들과 연결하는 단계를 포함한다.
다른 예에서, 스택형 다이 캐비티 집적 회로 디바이스 패키지가 제공되고, 이는, 기판을 형성하는 수단; 기판의 제1 표면 상의 복수의 제1 도전성 수단; 제1 표면에 평행한 제2 표면을 정의하는 기판의 제1 표면에서의 캐비티; 기판의 제2 표면 상의 복수의 제2 도전성 수단; 제2 도전성 콘택트들과 연결되는 하나 이상의 집적 회로 다이(들); 및 하나 이상의 집적 회로 다이(들) 및 제1 도전성 콘택트들을 적어도 부분적으로 덮는 절연 수단을 포함한다.
일부 실시예들에서, 기판을 형성하기 위한 수단은 기판 코어를 포함한다. 일부 실시예들은 제1 도전성 콘택트들과 연결되는 메모리 디바이스를 또한 포함하고, 이러한 메모리 디바이스는 캐비티에 걸쳐 있다. 일부 실시예들에서, 캐비티는 약 100 um 초과의 깊이를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 도전성 수단은 솔더 형태들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 집적 회로 다이(들)는, 제2 도전성 수단과 연결되는 제1 집적 회로 다이; 및 실리콘 관통 비아들에 의해 제1 집적 회로 다이와 연결되는 제2 집적 회로 다이를 포함한다.
독자가 본 기술적 개시 내용의 속성 및 요점을 확인하는 것을 허용하는 요약서가 제공된다. 이러한 요약서는 청구항들의 범위 또는 의미를 제한하는데 사용되지는 않을 것이라는 이해와 함께 제출된다. 다음 청구항들은 이로써 상세한 설명에 포함되고 각각의 청구항은 별개의 실시예로서 자립한다.

Claims (25)

  1. 장치로서,
    기판을 형성하는 복수의 유전체 층들;
    상기 기판의 제1 표면 상의 복수의 제1 도전성 콘택트들;
    상기 제1 표면에 평행한 제2 표면을 정의하는 상기 기판의 상기 제1 표면에서의 캐비티;
    상기 기판의 상기 제2 표면 상의 복수의 제2 도전성 콘택트들;
    상기 제2 도전성 콘택트들과 연결되는 하나 이상의 집적 회로 다이(들); 및
    상기 하나 이상의 집적 회로 다이(들) 및 상기 제1 도전성 콘택트들을 적어도 부분적으로 덮는 몰드 재료를 포함하는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 내의 코어 층을 추가로 포함하는 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전성 콘택트들과 연결되는 메모리 디바이스를 추가로 포함하고, 상기 메모리 디바이스는 상기 캐비티에 걸쳐 있는 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티는 약 100 um 초과의 깊이를 포함하는 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 콘택트들은 솔더 형태들을 포함하는 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 집적 회로 다이(들)는,
    상기 제2 도전성 콘택트들과 연결되는 제1 집적 회로 다이; 및
    실리콘-관통 비아들에 의해 상기 제1 집적 회로 다이와 연결되는 제2 집적 회로 다이를 포함하는 장치.
  7. 집적 회로 패키지로서,
    기판 - 상기 기판은,
    제1 표면;
    상기 제1 표면에 평행한 제2 표면을 정의하는 상기 제1 표면에서의 캐비티;
    상기 캐비티의 대향 사이드들 상의 상기 제1 표면 상의 솔더 형태들; 및
    상기 제2 표면 상의 도전성 콘택트들을 포함함 -;
    상기 제2 표면 상의 상기 도전성 콘택트들과 연결되는 하나 이상의 집적 회로 다이(들);
    상기 하나 이상의 집적 회로 다이(들)를 덮는 몰드 재료; 및
    상기 캐비티의 대향 사이드들 상의 상기 솔더 형태들과 연결되는 집적 회로 디바이스를 포함하는 집적 회로 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 하나 이상의 집적 회로 디바이스는,
    상기 제2 표면 상의 도전성 콘택트들과 연결되는 제1 집적 회로 다이; 및
    상기 제1 집적 회로 다이의 상부 표면과 연결되는 제2 집적 회로 다이를 포함하는 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 집적 회로 다이가 와이어본딩을 통해 상기 제2 표면 상의 도전성 콘택트들과 도전성으로 연결되는 것을 추가로 포함하는 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 캐비티는 약 100 um 초과의 깊이를 포함하는 장치.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 집적 회로 다이(들)는 프로세서를 포함하는 장치.
  12. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 솔더 형태들과 연결되는 상기 집적 회로 디바이스는 메모리 디바이스를 포함하는 장치.
  13. 시스템으로서,
    디스플레이 서브시스템;
    무선 통신 인터페이스; 및
    집적 회로 패키지
    를 포함하고, 상기 집적 회로 패키지는,
    기판 - 상기 기판은,
    제1 표면;
    상기 제1 표면에 평행한 제2 표면을 정의하는 상기 제1 표면에서의 캐비티;
    상기 캐비티의 대향 사이드들 상의 상기 제1 표면 상의 솔더 형태들; 및
    상기 제2 표면 상의 도전성 콘택트들을 포함함 -;
    상기 제2 표면 상의 상기 도전성 콘택트들과 연결되는 하나 이상의 집적 회로 다이(들); 및
    상기 캐비티의 대향 사이드들 상의 상기 솔더 형태들과 연결되는 메모리 디바이스를 포함하는 시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 하나 이상의 집적 회로 다이(들) 및 상기 솔더 형태들을 덮는 몰드 재료를 추가로 포함하고, 상기 메모리 디바이스는 몰드-관통 비아들에 의해 상기 솔더 형태들과 연결되는 시스템.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 캐비티는 약 100 um 초과의 깊이를 포함하는 시스템.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 하나 이상의 집적 회로 디바이스는 프로세서를 포함하는 시스템.
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 집적 회로 디바이스는,
    상기 제2 표면 상의 도전성 콘택트들과 연결되는 제1 집적 회로 다이; 및
    상기 제1 집적 회로 다이의 상부 표면과 연결되는 제2 집적 회로 다이를 포함하는 시스템.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 집적 회로 다이는 실리콘-관통 비아들에 의해 상기 제1 집적 회로 다이와 도전성으로 연결되는 시스템.
  19. 방법으로서,
    하위 표면 및 상기 하위 표면에 평행한 상위 표면을 정의하는 캐비티가 있는 기판을 형성하는 단계;
    상기 상위 표면 상에 솔더 구들을 형성하는 단계;
    상기 기판의 상기 하위 표면에 하나 이상의 다이(들)를 부착하는 단계;
    상기 하나 이상의 다이(들) 및 상기 솔더 구들을 오버몰딩하는 단계; 및
    상기 솔더 구들을 노출시키기 위해 몰드-관통 비아들을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    캐비티가 있는 기판을 형성하는 단계는,
    프리프레그 및 구리의 층들을 조합하는 단계;
    상기 기판의 상기 상위 표면으로부터 구리 층까지 연장되는 프리프레그의 직육면체 부분을 제거하는 단계; 및
    상기 프리프레그를 경화하는 단계를 포함하는 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    프리프레그의 직육면체 부분을 제거하는 단계는 레이저 릴리즈를 포함하는 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    하나 이상의 다이(들)를 부착하는 단계는,
    제1 집적 회로 다이를 상기 하위 표면 상의 콘택트들에 연결하는 단계; 및
    제2 집적 회로 다이를 상기 제1 집적 회로 다이의 표면에 연결하는 단계를 포함하는 방법.
  23. 제19항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 상위 표면 상의 상기 솔더 구들에 디바이스를 부착하는 단계를 추가로 포함하고, 상기 디바이스는 상기 캐비티에 걸쳐 있는 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 디바이스는 메모리 디바이스를 포함하는 방법.
  25. 제19항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 이상의 다이(들)를 부착하는 단계는 집적 회로 다이의 콘택트들을 실리콘-관통 비아들과 연결하는 단계를 포함하는 방법.
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