KR20190090328A - 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법 및 그 장치 - Google Patents
플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법 및 그 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190090328A KR20190090328A KR1020180082422A KR20180082422A KR20190090328A KR 20190090328 A KR20190090328 A KR 20190090328A KR 1020180082422 A KR1020180082422 A KR 1020180082422A KR 20180082422 A KR20180082422 A KR 20180082422A KR 20190090328 A KR20190090328 A KR 20190090328A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- current
- sensing unit
- circuit
- sensing
- power supply
- Prior art date
Links
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
- G01R19/16566—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H05H2001/4682—
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치 및 방법을 개시한다. 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치는 입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력하는 변환회로; 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지하는 제 1감지부; 변환전류가 입력되면 입력된 변환전류를 증폭시키고, 증폭된 변환전류를 직류전류로 변환하고, 직류전류를 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력하는 증폭회로; 증폭회로에서 출력된 증폭전류를 감지하는 제 2감지부; 제 2감지부와 연결된 제 3감지부; 및 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 판단모듈; 을 포함한다.
Description
플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법에 관한 것으로 구체적으로, 플라즈마 전원장치에 설치된 복수개의 감지부에서 측정된 전류값과 추가 수집 전류값을 이용하여 회로이상 및 감지부 이상을 판단함으로써, 회로의 불필요한 셧 다운을 방지하는 방법에 관한 것이다.
본 명세서에서 달리 표시되지 않는 한, 이 섹션에 설명되는 내용들은 이 출원의 청구항들에 대한 종래 기술이 아니며, 이 섹션에 포함된다고 하여 종래 기술이라고 인정되는 것은 아니다.
플라즈마(plasma)란 초고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체 상태를 말한다. 이때는 전하 분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로 음과 양의 전하 수가 같아서 중성을 띠게 된다. 일반적으로 물질의 상태는 고체·액체·기체 등 세가지로 나눠진다. 플라즈마는 흔히 ‘제4의 물질 상태’라고 부른다. 고체에 에너지를 가하면 액체·기체로 되고, 다시 이 기체 상태에 높은 에너지를 가하면 수만℃에서 기체는 전자와 원자핵으로 분리되어 플라즈마 상태가 되기 때문이다.
플라즈마는 가정에서는 형광등이나 네온사인에서 볼 수 있고, 식각 및 증착, 금속이나 고분자의 표면처리 등에 사용된다. 또한, 플라즈마는 컴퓨터나 마이크로프로세서의 칩을 만드는데 사용되고 인공관절, 제트 터빈날개, 플라스틱, 금속 막을 씌우는데 사용된다. 또한, PDP TV나 철골 건물의 뼈대를 용접하는데 플라즈마 아크가 쓰이기도 한다. 또한 최근에는 플라즈마 전원장치도 보급되어 사용되고 있다.
일반적으로 종래의 전원장치 및 정류기 회로는 도 1과 같이 구성된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 전원장치 및 정류기의 회로는 상용전원, DC정류 다이오드, 캐패시터, 필터, 인버터(스위칭 소자), 트랜스포머(변압기), 정류부(컨버터), 인덕터(L, inductor), 필터 및 CT2(감지부) 를 포함하는 형태로 구성될 수 있다.
종래 회로에는 인버터를 제어하기 위한 메인 제어기가 있으며 이 제어기는 CT(Current Transformer)2를 포함하는 센서를 통하여 수집된 값을 가공 판단하여 인버터를 제어함으로써, 회로를 통해 출력되는 전력을 조정할 수 있다.
종래의 정전류형 전원회로에서는 CT2에 의해 수집된 출력 전류를 메인 제어기로 보내져 현재 출력되는 전류를 감시하고 판단한다. 따라서 CT2의 중요성은 매우 크다.
하지만 CT2가 위치한 부분은 최종 출력부로써 전기적 노이즈(Noise) 이 상당히 많이 발생되는 부분이며 CT2는 직류 전류를 읽는 센서로 그 내부에 전기적 노이즈 (Noise)에 취약한 증폭회로 등을 구비하고 있어 고장이 빈번하다. CT2에 고장이 생기는 경우, 전원장치의 피드백 (Feedback) 신호에 이상이 생기기 때문에, CT2의 잦은 고장은 전원장치 오동작의 원인이 된다.
플라즈마 전원장치에 포함된 회로로 입력하거나 출력하는 전류를 감지하는 복수개의 감지부(센서)를 제공하고, 복수개의 센서 각각에서 감지된 전류값을 비교하여 비교 결과에 따라, 센서 전후로 연결된 플라즈마 전원장치 구성 회로의 이상여부를 판단한다.
직렬로 연결된 제 2감지부 및 제3감지부 이상여부를 독립적으로 판단하기 위해, 추가수집전류값을 측정하여 제2감지부 및 제3감지부에서 측정된 전류와 비교하고 이에 따라 이상 감지부를 판단하고, 정상적인 감지부에서 측정된 전류를 유효전류 값으로 이용할 수 있도록 한다.
실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치는 입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력하는 변환회로; 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지하는 제 1감지부; 변환전류가 입력되면 입력된 변환전류를 증폭시키고, 증폭된 변환전류를 직류전류로 변환하고, 직류전류를 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력하는 증폭회로;증폭회로에서 출력된 증폭전류를 감지하는 제 2감지부; 제 2감지부와 연결된 제 3감지부; 및 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 판단모듈; 을 포함한다.
다른 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법은 (A) 변환회로에서 입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력하는 단계; (B) 제 1감지부에서 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지하는 단계; (C) 증폭회로에서 변환전류가 입력되면 입력된 변환전류를 증폭시키고, 증폭된 변환전류를 직류전류로 변환하고, 직류전류를 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력하는 단계; (D) 제 2감지부에서 증폭회로에서 출력된 증폭전류를 감지하는 단계; 및 (E) 판단모듈에서 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 2감지부와 연결된 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 단계; 를 포함한다.
복수개의 전류 감지부에서 감지된 각각의 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치에 오동작이 발생하는 경우, 오동작의 원인이 되는 회로를 정확하게 파악하도록 하고, 플라즈마 전원장치의 고장을 예방할 수 있도록 한다.
추가수집전류값을 측정하여 감지부 각각의 오동작을 파악하여 정상적으로 동작하는 감지부에서 측정된 전류값을 피드백 할 수 있도록 하여, 회로 구동 시간을 늘리고, 불필요한 셧 다운을 막아, 전력 및 회로 부팅 시 소요되는 시간을 절약할 수 있도록 한다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 종래의 전원장치 및 정류기 회로를 나타낸 도면
도 2는 실시예에 따른 플라즈마 전원장치 구성을 나타낸 블록도
도 3은 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 변환회로 및 증폭회로의 구체적인 회로구성을 나타낸 도면
도 4는 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 제 2감지부와 제 3감지부 각각의 고장유무를 판단하기 위한 회로구성을 나타낸 도면
도 5는 실시예에 따른 판단모듈(300)의 데이터 처리 구성을 나타낸 도면
도 6은 제 1감지부 및 제 2감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치의 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름도
도 7a는 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치의 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름도
도 7b는 실시예에서 제2감지부와 제 3감지부의 이상유무를 판단하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 8은 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름도
도 9는 실시예에 따른 제2감지부 및 제 3감지부 각각의 고장유무를 판단하기 위한 데이터 처리 흐름도
도 2는 실시예에 따른 플라즈마 전원장치 구성을 나타낸 블록도
도 3은 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 변환회로 및 증폭회로의 구체적인 회로구성을 나타낸 도면
도 4는 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 제 2감지부와 제 3감지부 각각의 고장유무를 판단하기 위한 회로구성을 나타낸 도면
도 5는 실시예에 따른 판단모듈(300)의 데이터 처리 구성을 나타낸 도면
도 6은 제 1감지부 및 제 2감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치의 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름도
도 7a는 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치의 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름도
도 7b는 실시예에서 제2감지부와 제 3감지부의 이상유무를 판단하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 8은 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름도
도 9는 실시예에 따른 제2감지부 및 제 3감지부 각각의 고장유무를 판단하기 위한 데이터 처리 흐름도
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 도면부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시 예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 2는 실시예에 따른 플라즈마 전원장치 구성을 나타낸 블록도이다.
도 2를 참조하면, 실시예에 따른 플라즈마 전원장치는 변환회로(100), 제 1감지부(10), 증폭회로(200), 제2감지부(20), 제 3감지부(30) 및 판단모듈(300)을 포함하여 구성될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 '모듈' 이라는 용어는 용어가 사용된 문맥에 따라서, 소프트웨어, 하드웨어 또는 그 조합을 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 예를 들어, 소프트웨어는 기계어, 펌웨어(firmware), 임베디드코드(embedded code), 및 애플리케이션 소프트웨어일 수 있다. 또 다른 예로, 하드웨어는 회로, 프로세서, 컴퓨터, 집적 회로, 집적 회로 코어, 센서, 멤스(MEMS; Micro-Electro-Mechanical System), 수동 디바이스, 또는 그 조합일 수 있다.
변환회로(100)는 입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력한다.
제 1감지부(10)는 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지한다. 실시예에서 제 1 감지부(10)는 전류값에 따라 변환회로(100)의 단락 또는 증폭회로(200)의 과부하를 감지 할 수 있다.
증폭회로(200)는 변환회로(100)의 출력전류를 직류전류로 변환하고, 직류전류를 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력한다.
제2감지부(20)는 증폭회로(200)에서 출력된 증폭전류를 감지한다.
제3감지부(30)는 제 2감지부와 연결되어, 증폭회로(200)에서 출력된 전류값을 감지한다.
판단모듈(300)은 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단할 수 있다. 예컨대, 판단모듈(300)은 제 1감지부(10)의 전류값으로 변환회로(100)의 단락 또는 증폭회로(200)의 과부하를 감지하고, 제 1감지부 및 제2 감지부에서 센싱된 전류값을 기설정된 전류값과 비교하여 증폭회로(200)의 이상여부를 판단할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 판단모듈(300)은 복수개의 감지부에서 센싱된 전류값을 전류값을 수집하고 비교 분석하여 각 감지부의 설치 위치에 따라 플라즈마 전원장치에 포함된 회로 이상 여부를 판단할 수 있다. 예컨대, 실시예에서 기설정된 전류값은 정상 동작하는 변환회로 및 증폭회로에서 출력되는 전류값을 의미한다.
본 명세서에서는 발명의 이해를 돕기 위해, 제1감지부 내지 제3감지부(10,20,30)에서 전류값을 감지하고 이를 기반으로 회로이상을 판단하는 방법을 설명하였으나, 이는 감지부의 개수와 설치 위치를 한정하기 위한 것이 아니다. 즉, 실시예에서 사용하는 감지부는 n개로 늘어날 수 있고, 판단모듈(300)은 감지부 각각에서 감지한 n개의 전류값을 서로 비교하거나 기 설정된 값과 비교 분석할 수 있다. 이후, 판단모듈은 n개의 전류 값에 대한 비교 분석 결과에 따라 이상 전류값을 감지한 감지부 전후로 연결된 회로의 이상유무를 판단할 수 있다.
도 3은 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 변환회로 및 증폭회로의 구체적인 회로구성을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 실시예에 따른 변환회로(100)는 컨버터(110), 필터(120) 및 인버터(130)을 포함하여 구성될 수 있고, 증폭회로(200)는 변압기(210), 컨버터(220) 및 필터(230)를 포함하여 구성될 수 있다.
변환회로(100)의 컨버터(110)는 입력된 교류전류를 직류전류로 변환시키고,
필터(120)는 변환된 직류전류 중 일정 수치 이상인 전류를 필터링 하여 인버터(130)로 입력한다. 인버터(130)는 입력된 직류전류를 다시 교류로 변환시켜 출력하고, 제1감지부(10)는 출력된 전류를 감지한다.
변환회로(100)의 출력전류는 증폭회로(200)의 입력 전류가 되어, 변압기(210)에 의해 증폭된다. 증폭된 전류는 컨버터(220)에서 직류전류로 변환되고, 필터(230)에서 일정 수치 미만의 전류는 필터링 된다. 이후, 필터(230)를 통과한 전류가 제 2 감지부(20) 및 제 3감지부(30)로 입력된다.
도 4는 실시예에 따른 플라즈마 전원장치의 제 2감지부와 제 3감지부 각각의 고장유무를 판단하기 위한 회로구성을 나타낸 도면이다.
판단모듈(300)은 제2감지부에서 출력단(A)에서 제2감지부의 출력전류를 수집하고, 제3감지부의 출력단(B)에서 제3감지부의 출력 전류를 수집한다. 또한 장비의 입력단인 C 지점에서 추가측정전류값을 측정하여, 제2감지부(20)와 제3감지부(30) 각각의 이상판단에 이용한다.
예컨대, 판단모듈(300)은 플라즈마 전원장치와 연결된 장비로 입력되는 추기 전류값을 수집한다. 구체적으로 추가측정전류값은 제2 감지부(20) 또는 제 3감지부(30) 중 어느 하나의 고장유무를 판단할 때 이용되는 추가수집이 될 수 있는 데이터이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제 2감지부와 제 3감지부가 직렬로 연결되고 두 감지부에 이상이 없는 경우, A에서 측정된 전류값, B에서 측정된 전류값 및 C에서 측정된 전류값은 회로의 손실전류를 고려하지 않는 경우, 동일해야 한다. 만일 제 2감지부가 이상이 있는 경우, 각 감지부 내부저항에 의해 발생하는 손실전류에 의해 A에서 측정된 전류값은 C에서 측정된 추가측정 전류데이터와 일정수준 이상 차이가 나게 되고, 제 3감지부에 이상이 있는 경우, B에서 측정된 전류값은 C에서 측정된 전류값과 일정수준 이상 차이가 나게 된다. 실시예에서 일정수준은 회로 손실전류에 의한 전류값 차이의 오차범위를 의미한다.
도 4에 도시된 실시예에서는 제 2감지부(20) 및 제 3감지부(30)에서 센싱한 전류값을 비교하여 고장유무를 판단하는 것이 아니라, 제2 감지부에서 출력된 데이터와 제 3감지부에서 출력된 데이터 및 추가측정전류값을 각각 비교하여 제 2감지부(20)와 제 3감지부(30) 각각의 이상유무까지 판단할 수 있도록 한다. 실시예에는 A 지점에서 제2감지부에서 출력되는 전류값을 측정하고, B 지점에서 제 3감지부에서 출력되는 전류값을 측정한다. 그리고 C지점에서는 제 2감지부 또는 제3감지부 이상여부판단에 필요한 추가측정전류값을 수집한다.
예컨대 판단모듈(300)은 제 2감지부(20)의 전류값으로 증폭회로의 단락을 감지하고, 제 2감지부(20)와 제 3감지부(30)가 직렬관계로 연결되고, 제 2감지부(20) 및 제3감지부(30)에서 획득한 전류값을 비교하여, 제 2감지부(20)와 제 3감지부(30)에서 측정된 전류 값이 일정수준이상 상이한 경우, 전원장치와 연결된 장비의 입력단에서 추가측정전류를 수집하여, 제2감지부와 제3감지부의 이상여부를 파악한다. 제2감지부 또는 제3감지부 중 적어도 하나의 감지부가 정상으로 판단된 경우, 정상 판단된 감지부에서 측정된 전류값을 유효 전류로 설정하고 회로운전을 유지한다. 만약, 추가측정전류에 의해 제 2감지부와 제 3감지부가 모두 고장으로 판단된 경우에만, 회로를 셧다운 한다.
이를 위해, 판단모듈(300)은 제2감지부에서 출력되는 전류와 추가측정전류 데이터를 비교한 제2감지부 고장판단 데이터를 산출하고, 제3감지부에서 출력되는 전류와 추가수집전류 데이터를 비교한 제 3감지부 고장판단 데이터를 산출한다. 판단모듈(300)은 산출된 각각의 고장판단 데이터를 기반으로 제 2감지부(20) 또는 제 3감지부(30)의 고장유무를 판단할 수 있다. 예컨대, 판단모듈(300)은 제 2감지부(20)에서 출력된 전류와 제 3감지부(30)에서 출력된 전류 및 추가수집전류 데이터가 모두 일치하거나 회로손실전류에 해당하는 일정한 오차범위 이내에 존재하는 값인 경우, 제 2감지부와 제3감지부를 정상으로 판단할 수 있다.
또한, 판단모듈(300)은 제2감지부(20)에서 출력되는 전류와 추가측정전류의 차이 및 비율 값으로 제2감지부 고장 판단 데이터를 산출하고, 산출된 제 2감지부(20) 고장판단 데이터가 설정값 미만인 경우, 제 2감지부(20)를 정상이라고 판단할 수 있다. 하지만, 제2감지부 고장 판단 데이터가 노이즈에 의한 차이를 초과하는 일정수준 이상인 경우에는 제 2감지부에 고장 가능성이 있는 것으로 판단한다.
또한, 실시예에서 판단모듈(300)은 제 2감지부에서 출력된 전류와 제 3감지부에서 출력된 전류 및 추가수집전류 데이터가 모두 일치하거나 일정한 오차범위 이내에 존재하는 전류값인 경우, 제 2감지부 또는 제 3감지부에서 출력된 전류 중 상기 추가수집전류에 더 근접한 전류를 출력하는 감지부를 선택하여, 선택된 감지부에서 출력된 전류를 유효전류로 설정하고, 회로운전을 유지할 수 있다.
마찬가지로 판단모듈(300)은 제3감지부(30)에서 출력되는 전류와 추가측정전류의 차이 및 비율 값으로 제3감지부 고장 판단 데이터를 산출하고, 제 3감지부 고장판단 데이터가 설정값 미만인 경우, 제 2감지부를 정상이라고 판단할 수 있다. 판단모듈(300)은 제2감지부 고장 판단 데이터가 회로 노이즈에 의한 차이를 초과하는 일정수준 이상인 경우에는 제 3감지부(30)에 고장 상태로 판단한다.
또한, 실시예에서는 제 1수집모듈에서 수집한 제2감지부의 출력 전류와 제3감지부의 출력 전류 및 추가측정전류 데이터 각각을 디스플레이하여, 플라즈마 전원 공급장치의 사용자가 직접 제 2감지부(20) 또는 제3 감지부(30)의 고장 유무를 판단할 수 있도록 한다.
도 5는 실시예에 따른 판단모듈(300)의 데이터 처리 구성을 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 판단모듈(300)은 수집부(310) 및 판단부(330)를 포함하여 구성될 수 있다.
수집부(310)는 플라즈마 전원장치에 포함된 복수개의 감지부에서 감지된 전류값들을 수집한다.
판단부(330)는 복수개의 감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치를 구성하는 회로 중 이상 동작하는 회로를 판단한다. 예컨대, 판단부(330)는 제 2감지부(20)의 전류값으로 증폭회로의 단락을 감지하고, 제 2감지부(20)와 제 3감지부(30)가 직렬관계로 연결되는 경우, 제 2감지부(20) 및 제3감지부(30)에서 획득한 전류값을 비교하여, 제 2감지부(20)와 제 3감지부(30)에서 측정된 전류 값이 일정수준이상 상이하면, 제 2감지부(20) 또는 제 3감지부(30) 중 어느 하나에서 측정된 전류 값만을 이용하여 회로이상을 판단할 수 있다.
또한 판단부(330)는 제 1감지부, 제 2 감지부 및 제 3감지부에서 센싱된 전류값을 이용하여 감지부들 각각의 위치에 따른 구성회로이상을 판단할 수 있다.
예컨대, 판단부(330)는 제 1감지부(10)에서 감지된 전류값과 제 2감지부(20)에서 감지된 설정된 전류값이 설정된 값보다 일정수준이상 상이하거나, 제 2감지부(20)에서 감지된 전류값과 제 3감지부(30)에서 감지된 전류값이 일정수준이상 상이한 경우, 플라즈마 전원기기의 운전을 중단시키거나, 경고 알림을 출력할 수 있다. 즉, 판단부(330)에서는 제1 감지부 내지 제3감지부에서 감지된 전류값을 모두 수집하여, 각각의 전류값을 기 설정된 값과 비교하거나 서로 비교한 결과를 기반으로 이상 수치를 나타내는 감지부와 연결된 회로의 이상동작 여부를 판단할 수 있다.
이하에서는 플라즈마 전원장치의 오류검출방법에 대해서 차례로 설명한다. 오류검출방법의 작용(기능)은 플라즈마 전원장치상의 기능과 본질적으로 같은 것이므로 도 1 내지 도 5와 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
도 6은 제 1감지부 및 제 2감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치의 오류 및 감지부 이상을 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름이다.
S510 단계에서는 플라즈마 전원장치에 교류전원이 입력된다. S520 단계에서는 입력된 교류전원을 직류로 변환하고, S530 단계에서는 변환된 전류값을 감지한다.
S540 단계에서는 제 1감지부에서 감지된 전류값을 기반으로, 제 1감지부에 입력되는 전류를 출력하는 회로의 단락 또는, 제 1감지부에서 출력하는 전류를 입력받는 회로의 과부하 등 회로 이상을 판단하고, 제 1감지부의 이상 유무를 판단한다.
S550 단계에서는 전류가 증폭되고, S560 단계에서는 인버터에 의해 직류로 변환된다. S570 단계에서는 제 2감지부에서 증폭된 전류값을 감지하고, S580 단계에서는 제 2감지부에서 감지된 전류값을 기반으로 회로 이상 및 감지부 이상을 판단한다. 실시예에서 S580 단계에서는 제2 감지부의 전류값뿐만 아니라, 제 1감지부의 전류값과 제 2전류값을 이용하여 회로이상을 판단할 수 있다. 예컨대, 제 1전류값과 제 2전류값의 차이가 기 설정된 수준 이상인 경우, 제2감지부로 입력되는 전류를 출력한 회로(예컨대, 증폭회로)이상으로 판단할 수 있다. 또한, 장비로의 입력노드(C)에서 추가로 측정된 전류값으로 제2감지부의 이상유무를 파악 할 수 있다.
도 7a은 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치의 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름이다.
S581 단계에서는 제 2감지부의 전류값으로 증폭회로의 이상을 감지한다.
S583 단계에서는 제 2감지부와 제 3감지부에서 수집된 전류값을 비교한다. S585 단계에서는 비교결과를 이용하여 제 2감지부의 전류값과 제 3감지부의 전류값이 일정 수준 이상 상이한지 판단한다.
두 전류값이 일정수준 이상 상이한 경우, S587 단계에서는 제 2감지부 또는 제 3감지부 중 어느하나에서 측정된 전류값을 선택한다.
S589 단계에서는 선택된 전류값으로 회로 이상을 판단한다.
도 7b는 실시예에서 제2감지부와 제3감지부의 이상유무를 판단하는 과정을 나타낸 도면이다.
S51 단계에서는 판단모듈에서 제2감지부의 전류값으로 인버터 출력 제어전류를 감지하고, S52 단계에서는 제2감지부의 전류값과 제 3감지부의 전류값을 비교한다. S53 단계에서 판단모듈은 제2감지부의 전류값과 제3 감지부의 전류값이 일정수준이상 상이한지 파악한다. 일정수준 이상 상이한 경우, S54 단계에서 판단모듈은 회로이상으로 판단하고, 감지부의 이상여부를 판단하기 위해 S55 단계로 진입한다. S55 단계에서는 추가로 수집 전류값과 제2 감지부 및 제3감지부의 출력단에서 측정된 전류값을 비교한다. 예컨대, 추가수집전류값과 제2감지부 출력단에서 측정된 전류값을 비교하고, 추가수집전류값과 제3감지부 출력단에서 측정된 전류값을 비교한다.
S56 단계에서 판단모듈은 비교 결과에 따라 이상 감지부를 선택한다. 예컨대, 제2 감지부 출력단에서 측정된 전류값이 추가수집전류값과 일정 수준이상 차이가 나는 경우, 제2 감지부에 이상이 있는 것으로 판단하고 제3감지부에 측정된 전류값을 유효전류로 회로 내에서 피드백 한다. 만일 제3 감지부 출력단에서 측정된 전류값이 추가수집전류값과 일정 수준이상 차이가 나는 경우 제3감지부에 이상이 있는 것으로 판단하고, 제2 감지부에서 측정된 전류값을 유효전류로 피드백 할 수 있다. 만일, 추가수집전류와 비교결과에 따라 제2감지부와 제3감지부 모두가 이상 동작하는 것으로 파악된 경우에는 회로를 셧다운 한다.
S57 단계에서는 정상 동작하는 감지부에서 측정된 전류를 추출하고 이를 회로 내 유효 전류로 피드백 함으로써, 회로 동작을 유지할 수 있도록 한다.
도 8은 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 이용하여, 플라즈마 전원장치 오류 및 감지부 오류를 검출하는 실시예의 데이터 처리 흐름이다.
S582 단계에서는 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 전류값을 수집한다.
S584 단계에서는 제1 감지부의 전류값과 제 2감지부의 전류값의 차이가 기 설정된 값과 일정수준이상 상이한지 판단한다.
S586 단계에서는 비교결과를 기반으로 플라즈마 전원장치의 회로 이상을 판단한다. 예컨대, 제 1전류값과 제 2전류값의 차이가 기설정된 값과 일정 수준 이상인 경우, 제 1감지부에서 획득된 전류값과 제 2감지부에서 획득된 전류값을 기반으로 감지부 각각과 연결된 변환회로 또는 증폭회로 이상을 감지할 수 있다.
S588 단계에서는 제2감지부의 전류값과 제3감지부의 전류값이 일정수준 이상 상이한지 판단한다.
제 2감지부의 전류값과 제3감지부의 전류값이 일정수준 이상 상이한 경우, S589 단계에서는 두 전류값 중 하나의 전류값을 기 설정값과 비교 후 선택하여 회로 이상을 판단할 수 있다. 또한, 제 2감지부에서 감지된 전류값과 제 3감지부에서 감지된 전류값이 일정수준이상 상이한 경우, 플라즈마 전원기기의 운전을 중단시키거나, 회로 이상 경고 알림을 출력할 수 있다.
즉, S589 단계에서는 제 1감지부, 제2 감지부 및 제3감지부에 의해 감지한 전류값 각각을 서로 비교하고, 각각의 감지부에서 감지한 전류값 차이와 기설정된 값을 비교 함으로써, 플라즈마 전원장치의 이상 회로를 보다 정확하게 판단할 수 있다.
S590 단계에서는 회로 이상 판단 이후, 제 2 감지부 및 제 3감지부의 이상유무 판단을 위해 추가 수집전류와 제2 감지부 및 제3감지부의 출력단에서 측정된 전류값을 비교하고, S591 단계에서는 판단모듈에서 비교 결과에 따라 제2감지부와 제3감지부의 이상여부를 판단한다. 예컨대, 제2 감지부 출력단에서 측정된 전류값이 추가수집전류값과 일정 수준이상 차이가 나는 경우, 제2 감지부에 이상이 있는 것으로 판단하고 정상으로 판단된 제3감지부에 측정된 전류값을 유효전류로 회로 내에서 피드백 한다. 만일 제3 감지부 출력단에서 측정된 전류값이 추가수집전류값과 일정 수준이상 차이가 나는 경우 제3감지부에 이상이 있는 것으로 판단하고, 정상으로 판단된 제2 감지부에서 측정된 전류값을 유효전류로 피드백 할 수 있다.
S592 단계에서는 판단모듈에서 정상 동작하는 감지부에서 측정된 전류를 추출하고 이를 회로 내 유효 전류로 피드백 함으로써, 회로 동작을 유지할 수 있도록 한다.
또한 실시예에서는 제 2감지부에서 출력된 전류와 제 3감지부에서 출력된 전류 및 추가수집전류 데이터가 모두 일치하거나 일정한 오차범위 이내에 존재하는 전류값인 경우, 제 2감지부 또는 제 3감지부에서 출력된 전류 중 상기 추가수집전류에 더 근접한 전류를 출력하는 감지부를 선택하고, 선택된 감지부에서 출력된 전류를 유효전류로 설정하고, 회로운전을 유지할 수 있다.
도 9는 실시예에 따른 제2감지부 및 제 3감지부 각각의 고장유무를 판단하기 위한 데이터 처리 흐름도이다.
S910 단계에서는 제 2감지부 및 제 3감지부에서 출력되는 전류와 추가수집전류를 측정한다. 실시예에서는 제 2감지부의 출력단과 제 3감지부의 출력단에서 전류를 측정하고, 플라즈마 전원장치와 연결된 장비의 입력단에서 추가수집전류를 측정할 수 있다.
S920 단계에서는 제2감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정수준 이상인지 확인한다. 만일 제 2감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정수준 이상인 경우, S960 단계에서는 판단모듈에서 제2감지부 이상을 판단한다. 실시예에서 감지부의 이상유무를 판단하는 일정수준의 전류값은 회로의 배선 및 구성요소에 의한 손실 전류에 해당하는 값이다. 실시예에서는 각 감지부에서 출력된 전류가 예측되는 손실전류를 고려한 값 미만인 경우, 감지부 내부 회로이상에 의해 손실전류가 추가적으로 발생하는 것으로 판단한다.
S970 단계에서는 제 3감지부에서 출력된 전류와 추가수집 전류의 차이가 일정수준 이상인지 판단한다. 일정수준 이상인 경우, S975 단계에서는 제2 감지부와 제3감지부가 모두 이상이 있는 것으로 판단하고, 일정수준 미만인 경우, S980 단계에서 제2감지부는 이상이 있지만 제3감지부는 정상이라고 판단한다.
만일 제2 감지부와 제3감지부가 모두 이상이 있는 것으로 파악된 경우, S976 단계로 진입하여 회로를 셧다운 한다. 제2감지부에 이상이 있고 제3 감지부가 정상이라고 파악된 경우, S952 단계로 진입하여 정상 감지부를 선택 하고 정상으로 작동하는 감지부에서 측정된 전류값을 이용해서 회로를 계속 동작시킨다. 이후 S954 단계에서 판단모듈은 정상 감지부에서 측정된 전류값을 유효전류값으로 피드백 하여 회로구동을 유지시킨다.
S920 단계에서 제2감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정 수준 미만인 경우, S930 단계로 진입하여 제3감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정수준 이상인지 판단한다. 제3감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정수준 미만인 경우, S950 단계에서 판단모듈은 제2감지부 및 제3감지부 모두 정상이라고 판단한다. 제3감지부에서 출력된 전류와 추가수집전류의 차이가 일정수준을 초과하는 경우, S940 단계에서 판단모듈은 제3감지부는 이상상태로 판단하고 제2감지부 정상상태로 판단한다. 즉, 실시예에서는 제 2감지부 및 제3감지부에서 출력되는 각각의 출력 전류와 추가수집전류를 비교하여 제2감지부와 제3감지부에 대한 이상유무를 각각 파악할 수 있다. 실시예에서 제3감지부에 이상이 있고 제2 감지부가 정상이라고 파악된 경우, S952 단계로 진입하여 이상 감지부를 선택 하여 이상감지부에서 측정된 전류값은 필터링 한다. 이후 S954 단계에서 판단모듈은 정상 감지부에서 측정된 전류값을 유효전류값으로 피드백 하여 회로구동을 유지시킨다.
S950 단계에서 제2감지부와 제3감지부가 모두 정상인 것으로 판단된 경우, 이상감지부 선택과정 없이 S954 단계로 바로 진입하여 회로 운전을 유지한다.
본 명세서에서는 발명의 이해를 돕기 위해 3개의 감지부를 통해 실시예를 설명하였지만, 감지부는 구성회로에 따라 n개로 늘어날 수 있고, 회로 구성과 입출력 전류에 따라 비교되는 전류값이 달라질 수 있음을 다시 한번 강조한다.
이상에서와 같은 플라즈마 전원장치 및 플라즈마 전원장치의 오류검출방법은 고장빈도가 많은 전류 감지 센서를 보완할 수 있는 다른 센서(감지부)들을 제공하고, 다른 센서들에서 센싱된 복수의 전류 값과 센서의 위치를 플라즈마 전원장치를 구성하는 회로 이상 판단에 이용함으로써, 전원장치를 구성하는 회로 중 이상동작을 하는 회로를 보다 정확하게 판단할 수 있다. 또한, 플라즈마 전원기기에 포함된 회로에서 출력된 전류 값에 이상이 생길 경우, 이를 다른 회로로 입력되지 않도록 하여 전원기기 고장을 예방할 수 있도록 한다. 또한, 추가수집전류값을 측정하여 감지부 각각의 오동작을 파악하여 정상적으로 동작하는 감지부에서 측정된 전류값을 피드백 할 수 있도록 한다. 이를 통해, 회로 구동 시간을 늘리고 불필요한 셧 다운을 막아, 전력 및 회로 부팅 시 소요되는 시간을 절약할 수 있도록 한다.
개시된 내용은 예시에 불과하며, 특허청구범위에서 청구하는 청구의 요지를 벗어나지 않고 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양하게 변경 실시될 수 있으므로, 개시된 내용의 보호범위는 상술한 특정의 실시예에 한정되지 않는다.
100: 변환회로
200: 증폭회로
300: 판단모듈
10: 제 1감지부
20: 제 2감지부
30: 제3 감지부
200: 증폭회로
300: 판단모듈
10: 제 1감지부
20: 제 2감지부
30: 제3 감지부
Claims (10)
- 플라즈마 전원장치에 있어서,
입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력하는 변환회로;
상기 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지하는 제 1감지부;
상기 변환전류가 입력되면 입력된 변환전류를 증폭시키고, 증폭된 변환전류를 직류전류로 변환하고, 상기 직류전류를 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력하는 증폭회로;
상기 증폭회로에서 출력된 증폭전류를 감지하는 제 2감지부;
상기 제 2감지부와 연결된 제 3감지부; 및
상기 제 1감지부, 제 2감지부 및 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 판단모듈; 을 포함하고 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 판단모듈은
상기 제 1감지부의 전류값으로 변환회로의 단락 및 증폭회로의 과부하를 감지하고, 상기 제 1감지부 및 제2 감지부에서 센싱된 전류값을 정상회로에서 출력된 전류값인 기설정된 전류값과 비교하여 비교결과에 따라 상기 변환회로 또는 상기 증폭회로의 이상여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 판단모듈은
상기 제 2감지부의 전류값으로 상기 증폭회로의 단락을 감지하고,
상기 제 2감지부와 제 3감지부가 직렬관계로 연결되고, 상기 제 2감지부 및 제3감지부에서 획득한 전류값을 비교하여, 상기 제 2감지부와 제 3감지부에서 측정된 전류 값이 일정수준이상 상이한 경우,
상기 전원장치와 연결된 장비의 입력단에서 추가측정전류를 수집하고, 상기 추가측정전류와 감지부에서 출력된 전류값을 비교하여, 제2감지부 또는 제3감지부의 이상여부를 파악하고, 상기 제2감지부 또는 제3감지부 중 적어도 하나의 감지부가 정상으로 판단된 경우, 정상 판단된 감지부에서 측정된 전류값을 유효 전류로 설정하고 회로운전을 유지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 판단모듈은
상기 추가측정전류에 의해 제 2감지부와 제 3감지부가 모두 이상으로 판단된 경우, 회로를 셧다운 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치.
- 제 3항에 있어서, 상기 판단모듈은
제 2감지부에서 출력된 전류와 제 3감지부에서 출력된 전류 및 추가수집전류 데이터가 모두 일치하거나 일정한 오차범위 이내에 존재하는 전류값인 경우, 제 2감지부 또는 제 3감지부에서 출력된 전류 중 상기 추가수집전류에 더 근접한 전류를 출력하는 감지부를 선택하여, 선택된 감지부에서 출력된 전류를 유효전류로 설정하고, 회로운전을 유지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출장치.
- 플라즈마 전원장치의 전류감지 오류검출방법에 있어서,
(A) 변환회로에서 입력된 교류전류를 직류전류로 변환하고, 변환된 직류전류에서 설정조건을 만족하는 직류전류를 필터링하고, 필터링 된 직류 전류를 다시 교류로 변환한 변환전류를 출력하는 단계;
(B) 제 1감지부에서 상기 변환회로에서 출력된 변환전류를 감지하는 단계;
(C) 증폭회로에서 상기 변환전류가 입력되면 입력된 변환전류를 증폭시키고, 증폭된 변환전류를 직류전류로 변환하고, 상기 직류전류를 설정된 조건에 따라 필터링 하여 증폭된 전류를 출력하는 단계;
(D) 제 2감지부에서 상기 증폭회로에서 출력된 증폭전류를 감지하는 단계;
(E) 판단모듈에서 제 1감지부, 제 2감지부 및 상기 제 2감지부와 연결된 제 3감지부에서 감지된 각각의 전류 값들을 획득하고 획득된 전류 값 중 어느 하나 이상을 이용하여 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 단계; 를 포함하고 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 (E) 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 단계; 는
상기 제 1감지부의 전류값으로 변환회로의 단락 및 증폭회로의 과부하를 감지하는 단계; 및
상기 제 1감지부 및 제2 감지부에서 센싱된 전류값을 정상회로에서 출력된 전류값인 기설정된 전류값과 비교하여 비교결과에 따라 상기 변환회로 또는 증폭회로의 이상여부를 판단하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 (E) 플라즈마 전원장치 구성의 동작 이상을 판단하는 단계; 는
상기 판단모듈에서 상기 제 2감지부의 전류값으로 상기 증폭회로의 단락을 감지하는 단계;
상기 판단모듈에서 제 2감지부와 제 3감지부가 직렬관계로 연결되는 경우, 상기 제 2감지부 및 제3감지부에서 획득한 전류값을 비교하여, 상기 제 2감지부와 제 3감지부에서 측정된 전류 값이 일정수준이상 상이하면, 상기 전원장치와 연결된 장비의 입력단에서 추가측정전류를 수집하는 단계;
상기 추가측정전류와 제 2감지부 및 제 3 감지부에서 출력된 전류를 비교하여, 비교결과에 따라 제2감지부와 제3감지부의 이상여부를 파악하는 단계;
상기 제2감지부 또는 제3감지부 중 적어도 하나의 감지부가 정상으로 판단된 경우, 정상 판단된 감지부에서 측정된 전류값을 유효 전류로 설정하고 회로운전을 유지하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 비교결과에 따라 제2감지부와 제3감지부의 이상여부를 파악하는 단계; 는
상기 추가측정전류에 의해 제 2감지부와 제 3감지부가 모두 이상으로 판단된 경우, 회로를 셧다운 하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 비교결과에 따라 제2감지부와 제3감지부의 이상여부를 파악하는 단계; 는
제 2감지부에서 출력된 전류와 제 3감지부에서 출력된 전류 및 추가수집전류 데이터가 모두 일치하거나 일정한 오차범위 이내에 존재하는 전류값인 경우, 제 2감지부 또는 제 3감지부에서 출력된 전류 중 상기 추가수집전류에 더 근접한 전류를 출력하는 감지부를 선택하는 단계;
선택된 감지부에서 출력된 전류를 유효전류로 설정하고, 회로운전을 유지하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180008803 | 2018-01-24 | ||
| KR20180008803 | 2018-01-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190090328A true KR20190090328A (ko) | 2019-08-01 |
| KR102109032B1 KR102109032B1 (ko) | 2020-05-12 |
Family
ID=67615630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180082422A KR102109032B1 (ko) | 2018-01-24 | 2018-07-16 | 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법 및 그 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102109032B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022059085A1 (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 株式会社日立国際電気 | 高周波電源装置、及び故障箇所推定方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005160136A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Toyota Motor Corp | インバータ装置およびそれを備える自動車 |
| JP2006202605A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Kanken Techno Co Ltd | プラズマ除害機用電源装置 |
| JP2007143338A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Nippon Reliance Kk | 交流電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法 |
| KR100791952B1 (ko) | 2006-10-02 | 2008-01-04 | 이엔테크놀로지 주식회사 | 준펄스의 특성을 가진 상압 플라즈마 발생용 전원장치 및그 제어방법 |
| KR101104370B1 (ko) | 2009-07-29 | 2012-01-16 | 이엔테크놀로지 주식회사 | 아크제어수단을 구비한 플라즈마용 펄스전원장치 및 그 장치에서의 아크 제어 방법 |
-
2018
- 2018-07-16 KR KR1020180082422A patent/KR102109032B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005160136A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Toyota Motor Corp | インバータ装置およびそれを備える自動車 |
| JP2006202605A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Kanken Techno Co Ltd | プラズマ除害機用電源装置 |
| JP2007143338A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Nippon Reliance Kk | 交流電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法 |
| KR100791952B1 (ko) | 2006-10-02 | 2008-01-04 | 이엔테크놀로지 주식회사 | 준펄스의 특성을 가진 상압 플라즈마 발생용 전원장치 및그 제어방법 |
| KR101104370B1 (ko) | 2009-07-29 | 2012-01-16 | 이엔테크놀로지 주식회사 | 아크제어수단을 구비한 플라즈마용 펄스전원장치 및 그 장치에서의 아크 제어 방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022059085A1 (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 | 株式会社日立国際電気 | 高周波電源装置、及び故障箇所推定方法 |
| JPWO2022059085A1 (ko) * | 2020-09-16 | 2022-03-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102109032B1 (ko) | 2020-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101491013B1 (ko) | 누설전류 및 화재 징후 감시 기능을 갖는 태양광 접속반을 포함하는 태양광 발전 시스템 | |
| JP4848216B2 (ja) | 昇圧回路、モータ駆動回路及び電動パワーステアリング制御装置 | |
| CN102445615B (zh) | 对功率转换器电容器的健康程度监控 | |
| US10148203B2 (en) | Motor driving apparatus including DC link voltage detection unit | |
| US7117124B2 (en) | Trouble detection method, trouble detection apparatus, and temperature controller | |
| US8310210B2 (en) | Earth leakage detection circuit | |
| CN101071521B (zh) | 用于监控火灾报警装置的信号线干扰的方法和设备 | |
| JP2015211606A (ja) | 直流発電システムおよび直流発電システムの保護方法 | |
| JP2020137145A (ja) | 異常要因特定方法、異常要因特定装置、電力変換装置及び電力変換システム | |
| WO2014046673A1 (en) | Power quality detector | |
| JP2010286306A (ja) | 絶縁抵抗検出装置 | |
| CN110095733B (zh) | 等离子体电源装置的自我诊断模块及自我诊断方法 | |
| EP3772147B1 (en) | Power interruption method and device based on phase measurement and arc detection of power level | |
| KR102109032B1 (ko) | 플라즈마 전원장치의 전류감지를 이용한 회로이상 검출방법 및 그 장치 | |
| JP6958146B2 (ja) | アーク検出装置 | |
| JP5288165B2 (ja) | 交流電動機の制御装置 | |
| JP4905141B2 (ja) | 故障電流検出回路及び故障電流検出方法 | |
| CN111474499B (zh) | 一种直流系统检测装置及方法 | |
| JP3853223B2 (ja) | 節電装置 | |
| KR101120474B1 (ko) | Ｐｗｍ 컨버터의 전원위상 검출장치 | |
| JP4414171B2 (ja) | 高周波電源装置 | |
| CN215866922U (zh) | 一种风扇故障检测电路及装置 | |
| KR100441947B1 (ko) | 계기용변류기 및 3상불평형 이상검출장치 | |
| KR101274667B1 (ko) | 원격 래디컬 발생기의 진단 장치 및 그 방법 | |
| US11885720B2 (en) | Time series data processing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |