KR20190088891A - 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프 - Google Patents

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Abstract

[과제] 전자파 실드 형성 시에 사용되는 마스킹 테이프로, 요철에 대한 추종성이 우수하고, 또한 요철면으로부터 풀을 남김 없이 박리될 수 있는 마스킹 테이프를 제공하는 것이다.
[해결 수단] 본 발명의 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프는, 활성 에너지선 조사에 의해, 탄성률이 활성 에너지선 조사 전의 20배 이상으로 되는 점착제층을 구비하고, 해당 점착제층의 활성 에너지선 조사 후의 탄성률이 500MPa 이하이다.

Description

전자파 실드 형성용 마스킹 테이프 {MASKING TAPE FOR FORMING ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD}
본 발명은, 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프에 관한 것이다.
종래, 전자 부품에는 전자파 실드가 마련되고, 외부로부터의 전자파에 의한 당해 전자 부품의 오작동, 혹은 당해 전자 부품으로부터 발생하는 전자파 누설의 방지가 도모되고 있다. 근년, 전자 부품의 소형화의 관점에서, 스퍼터링, 도금, 스프레이 등의 방법으로, 전자 부품에 직접, 전자파 실드(금속층)를 형성하는 것이 행하여지고 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 이때, 전극 형성면 등의 전자파 실드의 형성을 필요로 하지 않는 면에는, 당해 면을 마스킹하기 위해, 점착 테이프가 접착된다.
상기 전자 부품으로서, 요철면을 갖는 전자 부품(예를 들어, 범프를 구비하는 전자 부품)이 사용되는 경우가 있다. 이러한 전자 부품의 요철면을 마스킹할 때 사용되는 점착 테이프에는, 요철에 양호하게 추종되어 점착 테이프와 접착면의 사이에 불필요한 공극이 발생하지 않는 것, 전자파 실드 형성 후에는 풀을 남김 없이 박리될 수 있는 것이 요구된다.
일본 특허 공개 제2014-183180호 공보
본 발명의 과제는, 전자파 실드 형성 시에 사용되는 마스킹 테이프이며, 요철에 대한 추종성이 우수하고, 또한 요철면으로부터 풀을 남김 없이 박리될 수 있는 마스킹 테이프를 제공하는 데 있다.
본 발명의 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프는, 활성 에너지선 조사에 의해, 탄성률이 활성 에너지선 조사 전의 20배 이상으로 되는 점착제층을 구비하고, 해당 점착제층의 활성 에너지선 조사 후의 탄성률이 500MPa 이하이다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프는, 기재를 더 구비하고, 해당 기재의 적어도 편측에 상기 점착제층이 배치된다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프는, 상기 점착제층의 편측에 배치되는 중간층을 더 구비한다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프는, 상기 점착제층과 상기 기재의 사이에 배치되는 중간층을 더 구비한다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층의 탄성률(활성 에너지선 조사 전)이, 0.07MPa 내지 0.70MPa이다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 중간층의 탄성률이, 0.07MPa 내지 0.30MPa이다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프는, 60℃ 내지 300℃의 가열을 행하는 가열 공정에 제공된다.
일 실시 형태에 있어서는, 상기 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프는, 높이 50㎛ 이상의 범프를 갖는 면의 마스킹에 사용된다.
본 발명에 따르면, 활성 에너지선의 조사에 의해, 탄성률이 변화될 수 있는 점착제층을 형성하고, 당해 탄성률을 특정한 범위로 함으로써, 전자파 실드 형성 시에 사용되는 마스킹 테이프이며, 요철에 대한 추종성이 우수하고, 또한 요철면으로부터 풀을 남김 없이 박리될 수 있는 마스킹 테이프를 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프의 개략 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프의 개략 단면도이다.
A. 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프의 개요
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프의 개략 단면도이다. 이 실시 형태에 따른 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프(100)는, 기재(10)와 기재(10)의 적어도 편측에 배치된 점착제층(20)을 구비한다. 도시하고 있지 않지만, 본 발명의 마스킹 테이프는, 사용으로 제공할 때까지 사이에, 점착면을 보호한다는 목적으로, 점착제층의 외측에 박리 라이너가 마련되어 있어도 된다. 또한, 이하, 본 명세서에 있어서 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프를 간단히 마스킹 테이프라 하는 경우도 있다.
본 발명의 마스킹 테이프가 구비하는 점착제층은, 활성 에너지선의 조사에 의해 탄성률이 변화될 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 점착제층은, 활성 에너지선의 조사에 의해 탄성률이 높아지고, 탄성률이 활성 에너지선 조사 전의 20배 이상으로 된다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어 감마선, 자외선, 가시광선, 적외선(열선), 라디오파, 알파선, 베타선, 전자선, 플라스마류, 전리선, 입자선 등을 들 수 있다. 일 실시 형태에 있어서, 활성 에너지선의 조사는, 적산광량 500mJ/cm2 내지 4000mJ/cm2(바람직하게는, 800mJ/cm2 내지 1500mJ/cm2, 보다 바람직하게는 1000mJ/cm2 내지 1500mJ/cm2)인 자외선(파장: 365nm를 중심으로 하는 고압 수은 램프 사용) 조사이다. 장시간 조사에 의해, 점착제층의 온도가 100℃ 이상으로 되는 경우는, 복수회로 나누어서 조사하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 점착제층을 구비하는 상기 마스킹 테이프는, 접착 시에는 적당한 유연성을 갖고, 요철이 있는 면(예를 들어, 패키지의 범프 형성면)에 추종성 좋게 접착할 수 있고, 접착면과 마스킹 테이프의 사이에 불필요한 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이러한 마스킹 테이프에 의해 패키지의 범프 형성면을 마스킹하면, 당해 패키지에 전자파 실드를 마련할 때, 범프 형성면으로의 불필요한 금속층의 형성이 방지될 수 있다. 한편, 접착 후에는, 활성 에너지선 조사에 의해, 마스킹 테이프(실질적으로는 점착제층)의 탄성률을 높일 수 있다. 예를 들어, 마스킹 테이프를 구비한 패키지가, 가열 공정(예를 들어, 60℃ 내지 270℃, 바람직하게는 60℃ 내지 200℃)에 제공되는 경우에 있어서도, 본 발명의 마스킹 테이프를 사용하면, 점착제층의 탄성률이 높기 때문에, 해당 점착제층이 요철에 기인하여 형성되는 공극(예를 들어, 범프 하부와 범프 형성면의 간극)에 불필요하게 들어가는 것이 방지될 수 있다. 그 결과, 당해 마스킹 테이프를 박리했을 때는, 접착면으로의 점착제층 성분의 잔존(소위, 풀 남김)이 방지될 수 있다. 이와 같이, 전자파 실드 형성 시에 사용되는 마스킹 테이프로서, 각 공정에 적합한 탄성률을 발현할 수 있는 점착제층을 구비하는 마스킹 테이프를 제공할 수 있다는 것이, 본 발명의 성과 중 하나이다.
도 2는, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프의 개략 단면도이다. 이 실시 형태에 따른 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프(200)는, 중간층(30)을 더 구비한다. 중간층(30)은, 점착제층(20)의 편측에 배치된다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프(200)가 기재(10)를 구비하는 경우, 중간층(30)은, 점착제층(20)과 기재(10)의 사이에 배치된다. 일 실시 형태에 있어서는, 중간층은, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층의 탄성률보다도 낮은 탄성률을 갖는다. 중간층을 형성함으로써, 점착제층이 요철에 기인하여 형성되는 공극(예를 들어, 범프 하부와 범프 형성면의 간극)에 불필요하게 들어가는 것을 방지하면서도, 마스킹 테이프 전체로서는 적당한 유연성을 유지하고, 요철면을 양호하게 마스킹할 수 있는 마스킹 테이프를 얻을 수 있다.
본 발명의 마스킹 테이프를 스테인리스판에 접착했을 때의 23℃에서의 초기 점착력은, 바람직하게는 0.4N/20mm 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5N/20mm 이상이다. 이러한 범위라면, 전자 부품용으로서 적합한 마스킹 테이프를 얻을 수 있다. 마스킹 테이프를 스테인리스판에 접착했을 때의 23℃에서의 초기 점착력의 상한은, 예를 들어 35N/20mm이다. 또한, 점착력은, JIS Z 0237:2000에 준하여 측정된다. 구체적으로는, 2kg의 롤러를 1왕복에 의해 마스킹 테이프를 스테인리스판(산술 평균 표면 조도 Ra: 50±25nm)에 접착하고, 23℃ 하에서 30분간 방치한 후, 박리 각도 180°, 박리 속도(인장 속도) 300mm/min의 조건에서, 마스킹 테이프를 떼서 측정된다. 본 명세서에 있어서, 「초기 점착력」이란, 활성 에너지선의 조사 전의 점착력을 의미한다.
본 발명의 마스킹 테이프는, 활성 에너지선 조사에 의해, 점착력이 저하되어도 되지만, 소정의 점착력을 가지고 있는 것이 바람직하다. 마스킹 테이프를 스테인리스판에 접착하고, 자외선(적산광량 500mJ/cm2 내지 4000mJ/cm2(바람직하게는, 800mJ/cm2 내지 1500mJ/cm2, 보다 바람직하게는 1000mJ/cm2 내지 1200mJ/cm2)을 조사한 후 23℃에서의 점착력은, 바람직하게는 0.07N/20mm 내지 0.5N/20mm이고, 보다 바람직하게는 0.08N/20mm 내지 0.3N/20mm이다. 이러한 범위라면, 전자 부품에 전자파 실드를 형성하는 공정(예를 들어, 스퍼터링 공정, 도금 공정 또는 스프레이 공정)에 있어서, 양호하게 당해 전자 부품을 마스킹할 수 있는 마스킹 테이프를 얻을 수 있다.
마스킹 테이프의 두께는, 바람직하게는 70㎛ 내지 600㎛이고, 보다 바람직하게는 80㎛ 내지 500㎛이고, 더욱 바람직하게는 100㎛ 내지 500㎛이다.
B. 점착제층
상기한 바와 같이, 점착제층은, 활성 에너지선 조사에 의해, 탄성률이 활성 에너지선 조사 전의 20배 이상으로 된다. 바람직하게는, 점착제층은, 활성 에너지선 조사에 의해, 탄성률이 활성 에너지선 조사 전의 20배 내지 6000배가 되고, 보다 바람직하게는 50배 내지 5500배가 되고, 더욱 바람직하게는 100배 내지 4000배가 된다. 이러한 범위라면, 본원 발명의 상기 효과는 보다 현저해진다. 또한, 본 명세서에 있어서, 특별히 정함이 없는 경우, 「점착제층」이란 활성 에너지선 조사 전의 점착제층을 의미한다.
상기 점착제층의 탄성률(활성 에너지선 조사 전)은, 바람직하게는 0.07MPa 내지 0.7MPa이고, 보다 바람직하게는 0.075MPa 내지 0.6MPa이고, 더욱 바람직하게는 0.08MPa 내지 0.5MPa이고, 특히 바람직하게는 0.1MPa 이상 0.5MPa 미만이다. 이러한 범위라면, 접착면의 요철에 적절하게 추종될 수 있는 마스킹 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 마스킹 테이프를 권회했을 때, 마스킹 테이프끼리의 달라붙음을 방지할 수 있다. 롤 형상의 단부면 부분에 활성 에너지선을 조사하여, 점착제의 비어져 나옴을 방지하는 것도 가능하다.
상기 점착제층의 활성 에너지선 조사 후의 탄성률은 500MPa 이하이다. 이러한 범위라면, 활성 에너지선 조사 후에 있어서도, 깨지기 어려운 점착제층이 얻어지고, 접착면으로의 풀 남김이 방지될 수 있다. 접착면이 요철면인 경우는, 요철에 들어간 점착제층이 깨져서, 풀 남김이 발생되기 쉬운 경향이 있지만, 본 발명의 마스킹 테이프는, 이와 같이 하여 발생되는 풀 남김을 방지할 수 있다는 점에서 유용하다. 상기 점착제층의 활성 에너지선 조사 후의 탄성률은, 바람직하게는 10MPa 내지 500MPa이고, 보다 바람직하게는 100MPa 내지 470MPa이고, 더욱 바람직하게는 120MPa 내지 400MPa이다. 이러한 범위라면 본원 발명의 상기 효과는 보다 현저해진다. 일 실시 형태에 있어서, 활성 에너지선의 조사는, 상기한 바와 같이, 적산광량 500mJ/cm2 내지 4000mJ/cm2(바람직하게는, 800mJ/cm2 내지 1500mJ/cm2, 보다 바람직하게는 1000mJ/cm2 내지 1200mJ/cm2)인 자외선(파장: 365nm를 중심으로 하는 고압 수은 램프 사용) 조사이다.
본 명세서에 있어서, 탄성률이란, 실온 하(23℃)에서의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률을 의미한다. 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 하기 조건으로 측정될 수 있다.
(측정 장치 및 측정 조건)
장치: Hysitron Inc.제 Tribo Indenter
사용 압자: Berkovich(삼각추형)
측정 방법: 단일 압입 측정
압입 깊이 설정: 2500nm
압입 속도: 2000nm/sec
측정 분위기: 공기 중
시료 사이즈: 1cm×1cm
상기 점착제층의 두께는, 바람직하게는 3㎛ 내지 500㎛이고, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 450㎛이고, 더욱 바람직하게는 10㎛ 내지 400㎛이다. 이러한 범위라면, 접착면의 요철에 적절하게 추종될 수 있는 마스킹 테이프를 얻을 수 있다. 일 실시 형태에 있어서는, 마스킹 테이프가 중간층을 갖지 않는 경우, 점착제층의 두께는, 바람직하게는 70㎛ 내지 500㎛이고, 보다 바람직하게는 80㎛ 내지 450㎛이고, 더욱 바람직하게는 100㎛ 내지 400㎛이다. 다른 실시 형태에 있어서는, 마스킹 테이프가 중간층을 갖는 경우, 점착제층의 두께는, 바람직하게는 3㎛ 내지 100㎛이고, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 80㎛이고, 더욱 바람직하게는 10㎛ 내지 50㎛이다. 마스킹 테이프가 중간층을 갖는 경우, 당해 중간층에 의해 마스킹 테이프의 유연성을 확보할 수 있기 때문에, 점착제층의 두께를 얇게 할 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 점착제층은, 활성 에너지선 경화형 점착제로 구성된다.
일 실시 형태에 있어서는, 활성 에너지선 경화형 점착제로서, 모제가 되는 베이스 폴리머와, 해당 베이스 폴리머와 결합 가능한 활성 에너지선 반응성 화합물(모노머 또는 올리고머)을 포함하는 활성 에너지선 경화형 점착제 (A1)가 사용된다. 다른 실시 형태에 있어서는, 베이스 폴리머로서 활성 에너지선 반응성 폴리머를 포함하는 활성 에너지선 경화형 점착제 (A2)가 사용된다. 바람직하게는, 상기 베이스 폴리머는, 광중합 개시제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는다. 해당 관능기로서는, 예를 들어 히드록실기, 카르복실기 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서, 점착제층의 탄성률은, 예를 들어 베이스 폴리머의 종류, 분자량; 활성 에너지선 반응성 화합물의 종류, 양; 활성 에너지선 반응성 폴리머의 종류, 분자량; 활성 에너지선 경화형 점착제에 포함되는 첨가제(예를 들어, 가교제)의 종류, 양 등에 의해, 적절하게 조정할 수 있다.
상기 점착제 (A1)에 있어서 사용되는 베이스 폴리머로서는, 예를 들어 천연 고무, 폴리이소부틸렌 고무, 스티렌·부타디엔 고무, 스티렌·이소프렌·스티렌 블록 공중합체 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌 고무, 니트릴 고무(NBR) 등의 고무계 폴리머; 실리콘계 폴리머; 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 이들의 폴리머는, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 그 중에서도 바람직하게는, 아크릴계 폴리머이다. 아크릴계 폴리머를 사용하면, 반도체 프로세스에 적합한 특성(예를 들어, 점착력, 탄성률 등)을 갖는 점착제층을 형성할 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머는, 대표적으로는, 알킬(메트)아크릴레이트의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로 해서 형성된 아크릴계 폴리머(호모폴리머 또는 코폴리머)이다. 상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구체예로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, s-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 이소펜틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 트리데실(메트)아크릴레이트, 테트라데실(메트)아크릴레이트, 펜타데실(메트)아크릴레이트, 헥사데실(메트)아크릴레이트, 헵타데실(메트)아크릴레이트, 옥타데실(메트)아크릴레이트, 노나데실(메트)아크릴레이트, 에이코실(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 C1-20 알킬에스테르를 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하고, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산히드록시에틸, (메트)아크릴산히드록시프로필 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 등의 술폰산기 함유 모노머; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, 등의 (N-치환)아미드계 모노머; (메트)아크릴산아미노에틸 등의 (메트)아크릴산아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산메톡시에틸 등의 (메트)아크릴산알콕시알킬계 모노머; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; 숙신이미드계 모노머; 아세트산비닐, 프로피온산비닐, N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈 등의 비닐계 모노머; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; (메트)아크릴산폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르 모노머; (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 불소(메트)아크릴레이트, 실리콘(메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산에스테르계 모노머; 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 모노머; 비닐에테르 등의 비닐에테르계 모노머 등을 들 수 있다. 이들의 단량체 성분은, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 상기한 것 중에서도, 보다 바람직하게는 카르복실기 함유 모노머(특히 바람직하게는 아크릴산 또는 메타크릴산) 또는 히드록실기 함유 모노머(특히 바람직하게는 (메트)아크릴산히드록시에틸)이다. 이러한 모노머 유래의 구성 단위를 도입하면, 광중합 개시제와 아크릴계 폴리머(베이스 폴리머)를 결합시키는 것이 가능해지고, 본 발명의 효과는 보다 현저해진다. 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 아크릴계 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.5중량부 내지 20중량부이고, 보다 바람직하게는 1중량부 내지 10중량부이다. 히드록실기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 아크릴계 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.5중량부 내지 20중량부이고, 보다 바람직하게는 1중량부 내지 15중량부이다.
상기 점착제 (A1)에 사용될 수 있는 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서는, 예를 들어 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 중합성 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 관능기를 갖는 광반응성의 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다. 해당 광반응성의 모노머의 구체예로서는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알코올의 에스테르화물; 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트; 에폭시(메트)아크릴레이트; 올리고에스테르(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 메타크릴로이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(2-이소시아나토에틸메타크릴레이트), m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등의 모노머를 사용해도 된다. 광반응성의 올리고머의 구체예로서는, 상기 모노머의 2 내지 5양체 등을 들 수 있다.
또한, 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 에폭시화 부타디엔, 글리시딜 메타크릴레이트, 아크릴아미드, 비닐실록산 등의 모노머; 또는 해당 모노머로 구성되는 올리고머를 사용해도 된다.
또한, 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 오늄염 등의 유기 염류와, 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물의 혼합물을 사용해도 된다. 해당 혼합물은, 활성 에너지선(예를 들어, 자외선, 전자선)의 조사에 의해 유기 염이 개열되어 이온을 생성하고, 이것이 개시종이 되어서 복소환의 개환 반응을 일으켜서 3차원 그물눈 구조를 형성할 수 있다. 상기 유기 염류로서는, 예를 들어 요오도늄염, 포스포늄염, 안티몬염, 술포늄염, 보레이트염 등을 들 수 있다. 상기 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물에 있어서의 복소환으로서는, 옥시란, 옥세탄, 옥솔란, 티이란, 아지리딘 등을 들 수 있다.
상기 점착제 (A1)에 있어서, 활성 에너지선 반응성 화합물의 함유 비율은, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1중량부 내지 500중량부이고, 보다 바람직하게는 1중량부 내지 300중량부이고, 더욱 바람직하게는 2중량부 내지 200중량부이다.
상기 점착제 (A2)에 포함되는 활성 에너지선 반응성 폴리머(베이스 폴리머)로서는, 예를 들어 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 활성 에너지선 반응성 관능기를 갖는 폴리머의 구체예로서는, 다관능 (메트)아크릴레이트로 구성되는 폴리머; 광 양이온 중합형 폴리머; 폴리비닐신나메이트 등의 신나모일기 함유 폴리머; 디아조화 된 아미노노볼락 수지; 폴리아크릴아미드; 등을 들 수 있다.
상기 점착제 (A2)는, 상기 활성 에너지선 반응성 화합물(모노머 또는 올리고머)을 더 포함하고 있어도 된다.
상기 점착제를 구성하는 베이스 폴리머의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 내지 200만이고, 보다 바람직하게는 50만 내지 150만이다. 중량 평균 분자량은, GPC(용매: THF)에 의해 측정될 수 있다.
상기 점착제를 구성하는 베이스 폴리머의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -50℃ 내지 30℃이고, 보다 바람직하게는 -40℃ 내지 20℃이다. 이러한 범위라면, 내열성이 우수하고, 가열 공정에서 적합하게 사용될 수 있는 점착 시트를 얻을 수 있다.
상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 광중합 개시제를 포함할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 임의의 적절한 광중합 개시제가 사용될 수 있다. 예를 들어, BASF사제의 상품명 「이르가큐어 369」, 「이르가큐어 379ex」, 「이르가큐어 819」, 「이르가큐어 OXE2」, 「이르가큐어 127」; Lamberti사제의 상품명 「에사큐어 one」, 「에사큐어 1001m」; 아사히 덴까 고교사제의 상품명 「아데카 옵토머 N-1414」, 「아데카 옵토머 N-1606」, 「아데카 옵토머 N-1717」 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 함유 비율은, 점착제 내의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 1중량부 내지 20중량부이고, 보다 바람직하게는 2중량부 내지 10중량부이다.
바람직하게는, 상기 점착제층은, 가교제를 포함한다. 가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다.
상기 가교제의 함유 비율은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.5중량부 내지 10중량부이고, 보다 바람직하게는 1중량부 내지 8중량부이다. 이러한 범위라면, 탄성률이 적절하게 조정된 점착제층을 형성할 수 있다. 또한, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머를 포함하는 점착제를 사용하는 경우에, 가교제(바람직하게는, 이소시아네이트계 가교제)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 가열 후의 탄소-탄소 이중 결합의 상기 잔존율을 높일 수 있다. 그 결과, 가열해도 양호하게 경화될 수 있는 점착제층을 얻을 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하게 사용된다. 이소시아네이트계 가교제는, 다종의 관능기와 반응할 수 있다는 점에서 바람직하다. 상기 이소시아네이트계 가교제의 구체예로서는, 부틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류; 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트류; 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 L」), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 HL」), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 HX」) 등의 이소시아네이트 부가물; 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 가교제가 사용된다.
활성 에너지선 경화형 점착제는, 필요에 따라, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 활성 에너지선 중합 촉진제, 라디칼 포착제, 점착 부여제, 가소제(예를 들어, 트리멜리트산에스테르계 가소제, 피로멜리트산에스테르계 가소제 등), 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.
C. 기재
상기 기재는, 임의의 적절한 수지로 구성될 수 있다. 해당 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리에테르케톤, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 불소 수지, 실리콘 수지, 셀룰로오스계 수지, 및 이들의 가교체 등을 들 수 있다.
상기 기재를 구성하는 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 500℃이고, 보다 바람직하게는 100℃ 내지 500℃이다. 이러한 범위라면, 내열성이 우수하고, 가열 공정에서 적합하게 사용될 수 있는 점착 시트를 얻을 수 있다. 또한, 「유리 전이 온도」란, DMA법(인장법)에 있어서, 승온 속도 5℃/min, 샘플 폭 5mm, 척간 거리 20mm, 주파수 10Hz인 조건에 있어서 확인되는 손실 정접(tanδ)의 피크를 나타내는 온도를 의미한다.
상기 기재의 두께는, 바람직하게는 12㎛ 내지 250㎛이고, 보다 바람직하게는 25㎛ 내지 200㎛이고, 더욱 바람직하게는 50㎛ 내지 150㎛이다.
상기 기재의 탄성률은, 바람직하게는 300MPa 내지 6000MPa이고, 보다 바람직하게는 400MPa 내지 5000MPa이다. 이러한 범위라면, 접착면의 요철에 적절하게 추종될 수 있는 마스킹 테이프를 얻을 수 있다.
상기 기재의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성 및 보유 지지성 등을 향상시키기 위하여, 임의의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 상기 표면 처리로서는, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 코팅 처리를 들 수 있다.
D. 중간층
중간층의 탄성률은, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층의 탄성률보다도 낮은 것이 바람직하다. 또한, 중간층은, 그의 탄성률이 활성 에너지선 조사에 의해 변화되는 구성이어도 되지만, 활성 에너지선 조사 후의 중간층의 탄성률은, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층의 탄성률보다도 낮은 것이 바람직하다.
중간층의 탄성률(탄성률이 활성 에너지선 조사에 의해 변화되는 경우, 자외선 조사 전의 탄성률)은, 바람직하게는 0.07MPa 내지 0.7MPa이고, 보다 바람직하게는 0.075MPa 내지 0.6MPa이고, 더욱 바람직하게는 0.08MPa 내지 0.5MPa이다. 이러한 범위라면, 접착면의 요철에 적절하게 추종될 수 있는 마스킹 테이프를 얻을 수 있다.
중간층의 탄성률이 활성 에너지선 조사에 의해 변화되는 경우, 활성 에너지선 조사 후의 중간층의 탄성률은, 바람직하게는 0.05MPa 내지 25MPa이고, 보다 바람직하게는 0.08MPa 내지 20MPa이고, 더욱 바람직하게는 0.1MPa 내지 15MPa이다. 이러한 범위라면, 접착면의 요철에 적절하게 추종될 수 있는 마스킹 테이프를 얻을 수 있다.
중간층의 두께는, 바람직하게는 100㎛ 내지 500㎛이고, 보다 바람직하게는 200㎛ 내지 400㎛이다. 이러한 범위라면, 접착면의 요철에 적절하게 추종될 수 있는 마스킹 테이프를 얻을 수 있다.
상기 마스킹 테이프가 중간층을 구비하는 경우, 중간층의 두께와 점착제층의 두께의 합계 두께는, 바람직하게는 103㎛ 내지 510㎛이고, 보다 바람직하게는 120㎛ 내지 450㎛이고, 더욱 바람직하게는 160㎛ 내지 400㎛이다. 이러한 범위라면, 접착면의 요철에 적절하게 추종될 수 있는 마스킹 테이프를 얻을 수 있다.
상기 중간층을 구성하는 재료로서는, 임의의 적절한 재료가 사용될 수 있다. 일 실시 형태에 있어서는, 중간층을 구성하는 재료로서, 상기 B항에서 설명한 베이스 폴리머(바람직하게는 아크릴계 폴리머)를 포함하는 중간층 형성용 조성물 (B1), 상기 B항에서 설명한 베이스 폴리머(바람직하게는 아크릴계 폴리머)와, 상기 B항에서 설명한 활성 에너지선 반응성 화합물(모노머 또는 올리고머)을 포함하는 중간층 형성용 조성물 (B2) 또는 상기 B항에서 설명한 활성 에너지선 반응성 폴리머를 포함하는 중간층 형성용 조성물 (B3)가 사용된다. 일 실시 형태에 있어서는, 중간층 형성용 조성물로서, 활성 에너지선 조사에 의해 경화될 수 있는 조성물을 사용하는 경우, 본 발명의 마스킹 테이프는, 경화 후의 중간층을 구비하는 마스킹 테이프로서 제공된다. 바꾸어 말하면, 이 실시 형태에 있어서는, 상기 마스킹은, 경화 후의 중간층과, 경화 전의 점착제층을 구비한다.
중간층 형성용 조성물 (B2)에 있어서, 활성 에너지선 반응성 화합물의 함유 비율은, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.01중량부 내지 50중량부이고, 보다 바람직하게는 0.03중량부 내지 40중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.04중량부 내지 30중량부이다.
상기 중간층 형성용 조성물은, 광중합 개시제를 포함할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 임의의 적절한 광중합 개시제가 사용될 수 있다. 예를 들어, BASF사제의 상품명 「이르가큐어 369」, 「이르가큐어 379ex」, 「이르가큐어 819」, 「이르가큐어 OXE2」, 「이르가큐어 127」; Lamberti사제의 상품명 「에사큐어 one」, 「에사큐어 1001m」; 아사히 덴까 고교사제의 상품명 「아데카 옵토머 N-1414」, 「아데카 옵토머 N-1606」, 「아데카 옵토머 N-1717」등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 함유 비율은, 중간층 형성용 조성물 내의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.5중량부 내지 20중량부이고, 보다 바람직하게는 2중량부 내지 10중량부이다.
바람직하게는, 상기 중간층 형성용 조성물은, 가교제를 포함한다. 가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다.
상기 가교제의 함유 비율은, 중간층 형성용 조성물의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1중량부 내지 10중량부이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부 내지 8중량부이다.
일 실시 형태에 있어서는, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하게 사용된다. 상기 이소시아네이트계 가교제의 구체예로서는, 상기 B항에서 설명한 화합물을 들 수 있다.
중간층 형성용 조성물은, 필요에 따라, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 활성 에너지선 중합 촉진제, 라디칼 포착제, 점착 부여제, 가소제(예를 들어, 트리멜리트산에스테르계 가소제, 피로멜리트산에스테르계 가소제 등), 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.
E. 마스킹 테이프의 제조 방법
상기 마스킹 테이프는, 임의의 적절한 방법에 의해 제조될 수 있다. 마스킹 테이프는, 예를 들어 기재 상에, 상기 점착제를 도공하여 얻어질 수 있다. 도공 방법으로서는, 바 코터 도공, 에어 나이프 도공, 그라비아 도공, 그라비아 리버스 도공, 리버스 롤 도공, 립 도공, 다이 도공, 딥 도공, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 다양한 방법을 채용할 수 있다. 또한, 별도로 박리 라이너에 점착제층을 형성한 후, 그것을 기재에 접합시키는 방법 등을 채용해도 된다. 또한, 마스킹 테이프가 중간층을 구비하는 경우, 당해 마스킹 테이프는, 기재 상에 중간층 형성용 조성물을 도공(필요에 따라, 경화)하여 중간층을 형성한 후, 상기 점착제를 중간층 상에 도공하여 얻어질 수 있다.
F. 마스킹 테이프의 용도
본 발명의 마스킹 테이프는, 요철면을 갖는 전자 부품(예를 들어, 범프를 구비하는 전자 부품)에 전자파 실드를 마련할 때, 전자파 실드의 형성을 필요로 하지 않는 요철면(범프 형성면)을 마스킹 할 때 적합하게 사용될 수 있다. 또한, 마스킹된 전자 부품이 가열 공정에 제공되는 경우의 마스킹 테이프로서 적합하게 사용될 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 본 발명의 마스킹 테이프는, 높이가 50㎛ 이상(예를 들어, 50㎛ 내지 400㎛) 되는 범프를 갖는 면의 마스킹에 사용된다. 통상, 당해면에 있어서는, 복수의 범프가 마련된다. 당해 범프의 배치 간격은, 예를 들어 100㎛ 내지 500㎛이다. 또한, 일 실시 형태에 있어서는, 범프의 평면으로 본 형상은 원형이고, 그의 직경은 100㎛ 내지 300㎛이다. 본 발명의 마스킹 테이프를 사용하면, 상기와 같은 범프를 갖는 면을 양호하게 마스킹할 수 있고, 또한 본 발명의 마스킹 테이프는, 당해면으로부터 풀을 남김 없이 박리될 수 있다.
일 실시 형태에 있어서는, 본 발명의 마스킹 테이프는, 60℃ 내지 270℃(바람직하게는 60℃ 내지 200℃)의 가열을 행하는 가열 공정에 제공된다. 보다 상세하게는, 본 발명의 마스킹 테이프는, 활성 에너지선의 조사에 의해 점착제층을 고탄성율화시킨 후에, 상기 가열 공정에 제공된다. 본 발명의 마스킹 테이프는, 이러한 공정에 제공되는 경우에도 점착제층이 요철에 기인하여 형성되는 공극(예를 들어, 범프 하부와 범프 형성면의 간극)에 불필요하게 들어가는 것이 방지될 수 있다. 그 결과, 본 발명의 마스킹 테이프를 사용하면, 당해 마스킹 테이프의 박리가 필요로 되는 공정에 있어서, 풀 남김이 방지될 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서의 시험 및 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「％」는 중량 기준이다.
(1) 탄성률
마스킹 테이프의 점착제층을 한 변이 1cm인 정방형으로 잘라내고, 이것을 측정용 시료로 하였다. 측정용 시료를 소정의 지지체에 고정하고, 이에 대하여 나노인덴터로 탄성률을 측정하였다.
나노인덴터 장치 그리고 측정 조건은 하기와 같다.
(측정 장치 및 측정 조건)
장치: Hysitron Inc.제 Tribo Indenter
사용 압자: Berkovich(삼각추형)
측정 방법: 단일 압입 측정
압입 깊이 설정: 2500nm
압입 속도: 2000nm/sec
측정 분위기: 공기 중, 23℃
시료 사이즈: 1cm×1cm
또한, 닛토세이키사제의 UM-810을 사용하여 적산광량 1000mJ/cm2인 자외선을 점착제층에 조사하고, 그 후 점착제층의 탄성률을 상기의 방법으로 측정하였다.
(2) 마스킹 테이프의 들뜸 평가
BGA 반도체 패키지의 범프 형성면에 마스킹 테이프를 접착하고, 닛토세이키사제의 UM-810을 사용하여 적산광량 1000mJ/cm2인 자외선을 점착제층에 조사하였다. 그 후, 시바우라 메카트로닉스사제의 CCS-1300으로 SUS0.2㎛/Cu5㎛/SUS0.5㎛로 구성되는 층을 패키지 상에 스퍼터에 의해 제작하였다. 이어서, 마스킹 테이프를 박리하고, 범프면을 현미경으로 관찰하고, 패키지 주변부의 메탈 침입량에 의해, 마스킹 테이프의 들뜸을 하기의 기준으로 평가하였다. 또한, BGA 반도체 패키지는, 사이즈 10mm×10mm×0.9mmt이고, BGA(범프)의 높이가 200㎛이고, 직경이 200㎛인 것을 사용하였다. 또한, 마스킹 테이프의 접착은, 40℃의 환경 하에서, 2kg의 고무 롤 1왕복으로 행하였다.
○: 패키지 주변의 메탈 침입이 50㎛ 이하
×: 패키지 주변의 메탈 침입이 100㎛ 이상
(3) 마스킹 테이프의 풀 남김 평가
상기 (2)와 같이 하여, BGA 반도체 패키지에 마스킹 테이프를 접착한 후, 닛토세이키사제의 UM-810을 사용하여 적산광량 1000mJ/cm2인 자외선을 점착제층에 조사하였다. 그 후, 마스킹 테이프를 박리하고, 범프 형성면에 잔존한 점착제층 성분의 유무를, SEM(50배)으로 확인하였다.
○: 풀 남김이 없다
△: 몇십 ㎛ 레벨의 소량으로, 전기적 접속에는 문제가 없다고 생각되는 풀 남김이 존재한다
×: 100㎛ 이상의 풀 남김이 다수 보였다
[제조예 1] 점착제 A의 조제
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고 한다.) 88.8부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고 한다.) 11.2부, 과산화 벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 중합 처리를 하고, 중량 평균 분자량 85만인 아크릴계 폴리머 A를 얻었다. 2EHA와 HEA의 몰비는, 100mol:20mol로 하였다.
이 아크릴계 폴리머 A에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, 「MOI」라고 한다.) 12부(HEA에 대하여 80mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간, 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 Ａ’를 얻었다.
다음으로, 아크릴계 폴리머 Ａ’ 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 2.5부 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 127」, BASF사제) 5부, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트 및 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트의 혼합물(상품명 「KAYARAD DPHA」, 닛본 가야꾸사제) 30부와, 폴리우레탄아크릴레이트(상품명 「시코 UV-3000B」, 닛본 고세 가가꾸 고교사제) 6부를 첨가하여, 점착제 A를 제작하였다.
[제조예 2] 점착제 B의 조제
「KAYARAD DPHA」의 배합량을 60부로 하고, 「시코 UV-3000B」의 배합량을 12부로 한 것 이외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여 점착제 B를 조제하였다.
[제조예 3] 점착제 C의 조제
「KAYARAD DPHA」의 배합량을 100부로 하고, 「시코 UV-3000B」를 배합하지 않은 것 이외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여 점착제 C를 조제하였다.
[제조예 4] 점착제 D의 조제
「KAYARAD DPHA」, 「시코 UV-3000B」 모두 배합하지 않은 것 이외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여 점착제 D를 조제하였다.
[제조예 5] 점착제 E의 조제
「KAYARAD DPHA」의 배합량을 130부로 하고, 「시코 UV-3000B」를 배합하지 않은 것 이외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여 점착제 E를 조제하였다.
[제조예 6] 중간층의 제작
2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA) 90부, 아크릴산(AA) 10부, 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 184」, BASF사제) 0.05부 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, BASF사제) 0.05부를 4개구 플라스크에 투입하였다. 그리고, 혼합물을 질소 분위기 하에서 자외선에 폭로시켜 부분적으로 광중합시킴으로써 중합률 약 8질량％인 부분 중합물(아크릴계 폴리머 시럽)을 얻었다.
상기 아크릴계 폴리머 시럽 100부에, 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, BASF사제) 0.04부 및 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 0.04부를 첨가한 후, 이들을 균일하게 혼합하여 중간층 형성용 조성물을 조제하였다.
편면을 실리콘으로 박리 처리한 두께 38㎛인 폴리에스테르 필름(상품명: MRF, 미쯔비시 가가꾸 폴리에스테르사제)의 박리 처리면에, 상술한 아크릴계 점착제 조성물을 최종적인 두께가 300㎛가 되도록 도포하여 도포층을 형성하였다. 다음으로, 도포된 아크릴계 점착제 조성물의 표면에, 편면을 실리콘으로 박리 처리한 두께 38㎛인 폴리에스테르 필름(상품명: MRE, 미쯔비시 가가꾸 폴리에스테르 가부시키가이샤제)을, 당해 필름의 박리 처리면이 도포층 측이 되도록 하여 적층하였다. 이에 의해, 광학용 아크릴계 점착제 조성물의 도포층(점착제층)을 산소로부터 차단하였다. 이와 같이 하여 얻어진 적층체에, 고압 수은 램프(가부시키가이샤 도시바라이테크제)를 사용하여 조도 200mW/cm2(약 350nm에 최대 감도를 가지는 탑콘 UVR-T1으로 측정)인 자외선을 광량 3000mW/cm2가 될 때까지 자외선을 조사하여, 폴리에스테르 필름에 끼움 지지된 중간층을 얻었다.
[실시예 1-1]
점착제 A를, PET 기재(두께: 100㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 가교하여, 두께 10㎛인 점착제층을 형성하였다.
다음으로, 제조예 6에서 얻어진 중간층을 상기 점착제층에 전사한 후, 50℃의 환경 하에서 48시간 보존하고, 마스킹 테이프(기재(100㎛)/중간층(300㎛)/점착제층(10㎛))를 얻었다.
얻어진 마스킹 테이프를 상기 평가 (2) 및 (3)에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 2-1, 실시예 3-1, 비교예 1-1, 비교예 2-1]
점착제 A 대신에, 표 1에 나타내는 점착제를 사용한 것 이외에는, 실시예 1-1과 마찬가지로 하여, 마스킹 테이프를 얻었다. 얻어진 마스킹 테이프를 상기 평가 (2) 및 (3)에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 1-2]
점착제 A를, PET 기재(두께: 100㎛)의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 80℃에서 5분간 가열 가교하여, 두께 135㎛인 점착제층 a를 형성하였다.
별도로, PET 박리 라이너 상에, 점착제 A를 도포하고, 80℃에서 5분간 가열 가교하여, 두께 135㎛인 점착제층 b를 형성하였다.
점착제층 b를 점착제층 a에 전사하고, 그 후, 얻어진 적층체를 50℃에서 48시간 보존하고, 두께 270㎛인 점착제층을 갖는 마스킹 테이프를 얻었다.
얻어진 마스킹 테이프를 상기 평가 (2) 및 (3)에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 2-2, 실시예 3-2, 비교예 1-2, 비교예 2-2]
점착제 A 대신에, 표 1에 나타내는 점착제를 사용한 것 이외에는, 실시예 1-2와 마찬가지로 하여, 마스킹 테이프를 얻었다. 얻어진 마스킹 테이프를 상기 평가 (2) 및 (3)에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
Figure pat00001
본 발명의 마스킹 테이프는, 진공 프로세스(예를 들어, 반도체 제조에 있어서의 진공 프로세스)용의 마스킹 테이프로서 적합하게 사용될 수 있다.
10: 기재
20: 점착제층
30: 중간층
100: 마스킹 테이프

Claims (10)

  1. 활성 에너지선 조사에 의해, 탄성률이 활성 에너지선 조사 전의 20배 이상으로 되는 점착제층을 구비하고,
    해당 점착제층의 활성 에너지선 조사 후의 탄성률이 500MPa 이하인,
    전자파 실드 형성용 마스킹 테이프.
  2. 제1항에 있어서, 기재를 더 구비하고,
    해당 기재의 적어도 편측에 상기 점착제층이 배치되는,
    전자파 실드 형성용 마스킹 테이프.
  3. 제1항에 있어서, 상기 점착제층의 편측에 배치되는 중간층을 더 구비하는, 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프.
  4. 제2항에 있어서, 상기 점착제층과 상기 기재의 사이에 배치되는 중간층을 더 구비하는, 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프.
  5. 제1항에 있어서, 상기 점착제층의 탄성률(활성 에너지선 조사 전)이, 0.07MPa 내지 0.70MPa인, 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프.
  6. 제2항에 있어서, 상기 점착제층의 탄성률(활성 에너지선 조사 전)이, 0.07MPa 내지 0.70MPa인, 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프.
  7. 제3항에 있어서, 상기 중간층의 탄성률이, 0.07MPa 내지 0.70MPa인, 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프.
  8. 제4항에 있어서, 상기 중간층의 탄성률이, 0.07MPa 내지 0.70MPa인, 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프.
  9. 제1항에 있어서, 60℃ 내지 270℃의 가열을 행하는 가열 공정에 제공되는, 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프.
  10. 제1항에 있어서, 높이 50㎛ 이상의 범프를 갖는 면의 마스킹에 사용되는, 전자파 실드 형성용 마스킹 테이프.
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