KR20190073571A - 플래시 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

플래시 디바이스를 제조하는 방법이 개시된다. 플래시 디바이스 제조 방법은, 기판(110)을 제공하는 단계와, 기판(110) 상에 플로팅 게이트(FG) 산화물 층(120), FG 다결정 층(130) 및 FG 마스크 층(140)을 차례로 형성하는 단계와, FG 다결정 층(130) 및 FG 마스크 층(140)을 플로팅 게이트 위치 영역에서 에칭해서, FG 마스크 층(140)에 윈도우(141)를 형성하고 FG 다결정 층(130)에 트렌치(131)를 형성하는 단계(윈도우(141)는 트렌치(131)와 연통됨)와, FG 마스크 층(140)의 윈도우(141)의 측벽에 제 2 에칭을 수행하여, FG 다결정 층(130)에 위치된 트렌치(131)의 폭을 FG 마스크 층(140)에 위치된 제 2 에칭된 윈도우(141)의 폭보다 작게 하는 단계와, FG 다결정 층(130)을 산화시켜서 트렌치(131)를 산화물로 충진해서 필드 산화물 층(150)을 형성하는 단계와, 예각(θ1, θ2)을 가진 플로팅 게이트를 에칭하는 단계를 포함한다.

Description

플래시 디바이스 제조 방법
본 발명은 반도체 기술에 관한 것이며, 특히 플래시 메모리 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
플래시 메모리(Flash)는 채널 열 전자 주입(CHI:Channel Hot Injection) 메커니즘에 기반한 높은 집적도와 빠른 프로그래밍 성능으로 인해서, 비휘발성 메모리(NVM)에서 널리 이용되고 있다. 도 1(a) 아래에 도시된 바와 같이, SST 타입 플래시 메모리(Flash)의 소거 원리는, 플로팅 게이트(FG) 방전 예각의 방전 이론하에서, 제어 게이트(CG) 가까이의 플로팅 게이트(FG)의 방전 예각을 통해 FG에 충전된 전자들이 인가되는 전압에 의해 방출되는 것이다. 플로팅 게이트의 방전 예각이 작을수록, 플로팅 게이트와 제어 게이트 간의 전기장은 더 커지고, 플래시 메모리의 소거 속도가 더 빨라진다.
플로팅 게이트를 제조하는 종래의 프로세스에서, 플로팅 게이트 마스크 층의 밖에서 산화 윈도우가 에칭되는데, 산화 윈도우의 깊이는 플로팅 게이트 마스크 층의 두께이며, 윈도우에서, 플로팅 게이트 다결정 층은 산화되어 이산화 실리콘 층을 형성한다. 윈도우에서의 플로팅 게이트 다결정 층은 편평하기 때문에, 산화 프로세스 동안에 플로팅 게이트 다결정 층이 산화되는 위치와 플로팅 게이트 다결정 층이 산화되지 않는 위치 사이의 경계 표면은 둥근 원호형 표면이다. 윈도우 밖에 위치되어 있는 플로팅 게이트 다결정 층이 제거되어 플로팅 게이트를 형성할 때, 플로팅 게이트의 예각의 각도가 커지면 소거 속도와 효율은 상당히 손상된다. 또한, 윈도우 밖에 위치되어 있는 플로팅 게이트 다결정 층을 제거하여 플로팅 게이트를 형성하는 프로세스에서, 오프셋이 발생하여 플로팅 게이트의 방전 예각이 도 1(b)에 도시된 바와 같이 β에서 β'으로 바뀌어 방전 예각이 더 커지면 소거 속도와 효율은 상당히 손상되고 그 안정성은 바람직하지 않다.
따라서, 작은 오프셋 및 작은 방전 예각을 가진 플래시 메모리 디바이스를 제조하는 방법을 제공할 필요가 있다.
플래시 메모리 디바이스를 제조하는 방법은
기판을 제공하는 단계와,
기판에 플로팅 게이트 산화물 층, 플로팅 게이트 다결정 층 및 플로팅 게이트 마스크 층을 차례로 형성하는 단계와,
플로팅 게이트 다결정 층 및 플로팅 게이트 마스크 층을 플로팅 게이트 위치 영역에서 에칭하고, 플로팅 게이트 마스크 층에 윈도우를 형성하며, 플로팅 게이트 다결정 층에 트렌치를 형성하는 단계 - 윈도우는 트렌치와 연통됨 - 와,
플로팅 게이트 마스크 층의 윈도우의 측벽을 제 2 에칭하는 단계 - 제 2 에칭 이후에 플로팅 게이트 다결정 층의 트렌치의 폭은 플로팅 게이트 마스크 층의 상기 윈도우의 폭보다 작음 - 와,
플로팅 게이트 다결정 층을 산화시켜서, 트렌치를 산화물로 충진함으로써 필드 산화물 층을 형성하는 단계와,
에칭을 행하여 예각을 가진 플로팅 게이트를 형성하는 단계
를 포함한다.
이하, 본 개시의 일 이상의 실시예의 세부 사항을 도면과 상세한 설명에서 개시한다. 본 개시의 다른 특성, 목적 및 장점은 상세한 설명, 도면, 그리고 첨부된 청구범위로부터 자명할 것이다.
본 개시의 실시예에 따른 기술적인 솔루션 또는 종래 기술의 기술적인 솔루션 더 명확하게 설명하기 위해서, 실시예 또는 종래 기술을 나타내는 첨부 도면을 이하 간단히 소개한다. 이하 설명의 첨부 도면은 본 개시의 일부 실시예일 뿐이며, 당업자라면 창의적인 노력 없이도 이 첨부 도면으로부터 다른 도면들을 안출할 수 있다는 점은 명백하다.
도 1(a)는 종래의 플로팅 게이트의 미세구조의 확대도이다.
도 1(b)는 종래의 플로팅 게이트의 개략도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 플래시 메모리 디바이스 제조 방법의 순서도이다.
도 3 내지 도 11은 제조하는 동안의 플로팅 게이트의 개략도이다.
도 12는 또 다른 실시예에 따른, 트렌치와 연통된 윈도우의 개략도이다.
이하, 본 출원의 실시예를 첨부 도면을 참조하면서 더 상세하게 설명한다. 그러나, 본 출원의 다양한 실시예는 많은 다른 형태로도 실시될 수 있으며, 본 명세서에 개시된 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 이들 실시예는, 본 개시가 완전하게 되어서 당업자에게 본 출원의 범주를 충분히 전달하기 위해서 제공되는 것이다.
일 실시예에서, 플래시 메모리 디바이스 제조 방법은 다음 단계를 포함한다.
단계 S210에서, 기판이 제공된다.
도 3을 참조하면, 기판(110)이 제공되며, 기판은 실리콘 기판, 또는 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 갈륨 비소 기판일 수 있으며, 기판은 또한 실리콘 온 인슐레이터(SOI:Silicon-On-Insulator) 기판 등일 수 있다. 터널링 캐리어가 전자인 경우에는, 기판(110)에는 p 타입으로 도핑된 웰이 형성되고, 이는 붕소 이온을 주입하여 달성될 수 있다. 터널링 캐리어가 정공인 경우에는, 기판(110)에는 n 타입으로 도핑된 웰이 형성되고, 이는 인 이온을 주입하여 달성될 수 있다. 일 실시예에서, 기판(110)은 플로팅 게이트를 준비하기 위한 베이스로, 기판의 플로팅 게이트는 플래시 메모리 디바이스의 구성 요소이고, 플래시 메모리 디바이스가 캐리어로서 전자를 사용하기 때문에, 반도체 기판(110)에는 p 타입으로 도핑된 웰이 형성되고, 이 반도체 기판(110)은 후속해서 형성할 플래시 메모리 디바이스에 대한 플랫폼의 역할을 한다.
단계 S220에서, 이 기판에 플로팅 게이트 산화물 층, 플로팅 게이트 다결정 층 및 플로팅 게이트 마스크 층이 차례로 형성된다.
기판(110)에 플로팅 게이트 산화물 층(120)이 형성된다. 플로팅 게이트 산화물 층(120)의 재료는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 질산화물, 또는 다른 하이-k 재료일 수 있다. 본 실시예에서, 플로팅 게이트 산화물 층(120)은 실리콘 산화물 층이다. 플로팅 게이트 산화물 층(120)은 퍼니스(furnace) 열 산화, 원자 층 증착(ALD), 화학 기상 증착(CVD), 플라스마 강화 증착(PECVD) 등에 의해 형성될 수 있으며, 본 실시예에서는, 플로팅 게이트 산화물 층(120)을 형성하는데 퍼니스 열 산화를 선택한다.
플로팅 게이트 산화물 층(120)에 폴리실리콘이 증착되어서 제 1 폴리실리콘 층을 형성하며, 이는 플로팅 게이트를 준비하기 위한 플로팅 게이트 다결정 층(130)의 역할을 한다. 폴리실리콘 층에 실리콘 질화물이 증착되어서 실리콘 질화물 층을 형성하며, 이는 플로팅 게이트 마스크 층(140)의 역할을 한다.
단계 S230에서, 플로팅 게이트 다결정 층과 플로팅 게이트 마스크 층은 플로팅 게이트 위치 영역에서 에칭되고, 플로팅 게이트 마스크 층에 윈도우가 형성되며, 플로팅 게이트 다결정 층에 트렌치가 형성되고, 윈도우는 트렌치와 연통된다. 트렌치의 폭 w는 플로팅 게이트 위치 영역의 폭보다 작다. 플로팅 게이트 다결정 층(130)과 플로팅 게이트 마스크 층(140)은 에칭 프로세스에 의해서 플로팅 게이트가 형성되어야 하는 영역에서 에칭되고, 플로팅 게이트 마스크 층(140)(실리콘 질화물 층)에서 플로팅 게이트가 형성되어야 하는 영역에 윈도우(141)가 형성된다. 윈도우(141)가 연장되는 방향으로 에칭을 계속해서, 플로팅 게이트 다결정 층(130)(폴리실리콘 층)에 트렌치(131)가 형성된다. 도 4를 참조한다. 플로팅 게이트 마스크 층(140)에 에칭된 윈도우(141)는, 플로팅 게이트 다결정 층(130)에 에칭된 트렌치(131)과 연통된다.
플로팅 게이트 마스크 층(140)에 윈도우(141)을 형성하고, 플로팅 게이트 다결정 층(130)에 트렌치(131)을 형성하는 에칭 프로세스는 모두 건식 에칭이다. 건식 에칭은 박막 에칭에 플라스마가 사용되는 기술이다. 표면 물질이 건식 에칭에 의해 에칭되면, 화학적 반응에서의 등방성과 물리적 반응에서의 이방성이 모두 존재한다. 건식 에칭이 물리적 반응과 화학적 반응을 결합한 독특한 방식이기 때문에, 등방성 상호작용과 이방성 상호작용에 의해 패턴의 사이즈 및 모양이 정밀하게 제어될 수 있다.
일 실시예에서, 건식 에칭에 의해, 플로팅 게이트 다결정 층(130) 및 플로팅 게이트 마스크 층(140)에 동일한 폭의 윈도우(141) 및 트렌치(131)가 수직으로 에칭되며, 즉 윈도우(141)는 트렌치(131)과 연통되고, 윈도우(141)는 트렌치(131)의 측벽과 동일 평면에 있다.
일 실시예에서, 플로팅 게이트 다결정 층(130) 및 플로팅 게이트 마스크 층(140)이 건식 에칭되고, 플로팅 게이트 마스크 층(140)의 플로팅 게이트 위치 영역에서 윈도우(141)가 수직으로 에칭되며, 플로팅 게이트 다결정 층(130)의 플로팅 게이트 위치 영역에서 트렌치(131)가 비수직으로 에칭되고, 트렌치(131)의 측벽은 경사져 있다. 도 12를 참조한다. 물론, 트렌치(131)의 측벽은 곡선일 수도 있다.
단계 S240에서, 플로팅 게이트 마스크 층의 윈도우(141)의 측벽이 제 2 에칭되고, 그 결과 플로팅 게이트 다결정 층에 위치된 트렌치의 폭 w는 플로팅 게이트 마스크 층이 제 2 에칭된 이후 윈도우의 폭 W보다 작다. 도 5를 참조한다. 제 2 에칭 이후의 윈도우(141)의 폭 W는 플로팅 게이트 영역의 폭과 동일하다.
플로팅 게이트 마스크 층(140)의 윈도우(141) 측벽에서 제 2 에칭이 수행되고, 윈도우(141)의 한쪽 면의 측벽의 에칭 폭을 제 2 에칭의 에칭 폭 d라고 정의한다. 제 2 에칭은 습식 에치-백을 이용해서 수행된다. 습식 에칭은 화학적 에칭 용액과 에칭될 물질 사이의 화학 반응으로 에칭되는 물질이 제거되는 에칭 방식이다. 습식 에칭은 강한 적응성 및 양호한 표면 균일성의 특징을 가지고 있다. 습식 에치-백의 양을 제어하여 플로팅 게이트 마스크 층(140)의 윈도우(141)의 측벽 만이 습식 에치-백으로 에칭되어, 습식 에치-백 이후의 윈도우(141)의 폭 W는 플로팅 게이트 다결정 층(130)에 위치된 트렌치(131)의 폭 w보다 크다.
한편, 습식 에치-백을 사용하는 것은 플로팅 게이트 다결정 층에 영향을 미치지 않을 것이다. 플로팅 게이트 마스크 층(140)의 윈도우(141)의 측벽이 제 2 에칭된 이후에, 노출된 플로팅 게이트 다결정 층(130)은 단차가 있는 형태가 된다. 에치 백된 이후의 플로팅 게이트 다결정 층(130)의 깊이와 플로팅 게이트 마스크 층(140)의 윈도우(141)의 측벽의 폭은, 노출되는 플로팅 게이트 다결정 층(130)에 대한 후속하는 산화의 베이스의 역할을 한다.
트렌치(131)의 에칭 깊이와 윈도우(141)의 에치-백 폭을 적정하게 구성하여, 후속해서 제조되는 플로팅 게이트의 예각이 40도 내지 50도로 유지될 수 있다. 일 실시예에서, 제 2 에칭의 에칭 폭 d에 대한 트렌치의 깊이 h의 비율은 0.8 내지 1.2의 범위이다. 대안으로, 일 실시예에서, 트렌치(131)의 깊이 h는 제 2 에칭의 에칭 폭 d와 동일하다.
단계 S250에서, 플로팅 게이트 다결정 층이 산화되고, 트렌치는 산화물로 채워진다.
이 단계에서 노출된 플로팅 게이트 다결정 층(130)은 산화 처리를 거쳐서, 그 산화물이 트렌치(131)을 충진한다. 플로팅 게이트 다결정 층(130)은 폴리실리콘을 증착함으로써 형성되기 때문에, 폴리실리콘의 산화물 산물은 트렌치(131) 내에 필드 산화물 층(150)을 형성하며, 도 6을 참조한다. 플로팅 게이트 다결정 층(130)의 트렌치(131)는 일정한 깊이를 갖고 있고, 윈도우(141)의 폭은 플로팅 게이트 마스크 층(140)의 윈도우(141)의 측벽이 제 2 에칭된 이후에 더 커지기 때문에, 노출되는 플로팅 게이트 다결정 층(130)은 단차가 있는 형상이 된다. 산화 프로세스 동안에, 노출된 플로팅 게이트 다결정 층(130)은 윈도우(141)과 트렌치(131)을 따라 산화된다. 플로팅 게이트 다결정 층(130)의 산화된 두께가 일정하기 때문에, 플로팅 게이트 다결정 층(130) 내의 트렌치(131)의 깊이가 깊을수록, 플로팅 게이트 다결정 층(130)이 산화되는 영역은 플로팅 게이트 산화물 층(120) 방향으로 더욱 이동한다. 한편, 트렌치(131)의 측벽과 윈도우(141)의 측벽이 단차를 형성하기 때문에, 이 단차에서 플로팅 게이트 다결정 층(130)이 산화하는 동안, 노출되는 플로팅 게이트 다결정 층(130)이 증가되고, 이에 대응해서 필드 산화물 층(150)의 형성도 증가된다. 이 단차에서 플로팅 게이트 다결정 층(130)이 산화하는 동안, 이 단차에서 필드 산화물 층(150)과 플로팅 게이트 다결정 층(130) 사이의 계면의 원호 표면은 평면에 가깝다. 즉, 플로팅 게이트 위치 영역의 양쪽 측면에, 필드 산화물 층(150)과 플로팅 게이트 다결정 층(130) 사이의 접촉 계면에 형성된 예각(θ1, θ2)은 상대적으로 작다. 본 실시예에서, 이 예각의 각도(θ1, θ2)는 45도이다.
단계 S260에서, 예각을 가진 플로팅 게이트가 에칭에 의해 형성된다.
고온의 인산을 사용해서 습식 화학 스트립을 수행해서 플로팅 게이트 마스크 층(140)을 제거하며, 도 7을 참조한다. 이후에, 플로팅 게이트 다결정 층(130)을 산화시켜서 형성된 필드 산화물 층(150)을 마스크로 사용해서, 필드 산화물 층(150)의 영역 밖에 증착된 플로팅 게이트 다결정 층(130)은 건식 에칭에 의해 제거되어, 예각을 가진 플로팅 게이트를 형성하며, 도 8을 참조한다.
일 실시예에서, 트렌치는 좌우 대칭 구조를 가지며, 왼쪽 예각 θ1의 각도는 오른쪽 예각 θ2의 각도와 동일하다.
전술한 방법에 의해, 노출된 플로팅 게이트 다결정 층을 산화시켜서 필드 산화물 층을 형성하는 프로세스에서, 트렌치와 윈도우를 따라 산화가 수행된다. 트렌치의 측벽과 윈도우의 측벽이 단차를 형성하기 때문에, 노출되는 플로팅 게이트 다결정 층이 증가되고, 이에 대응해서 필드 산화물 층의 형성도 증가된다. 그 단차에서 플로팅 게이트 다결정 층의 산화하는 동안, 이 단계에서 필드 산화물 층과 플로팅 게이트 다결정 층 사이의 계면의 원호상 표면은 평면에 가깝다. 한편, 트렌치가 존재함으로 인해서 필드 산화물 층은 플로팅 게이트 산화물 층으로 이동될 수 있다. 즉, 필드 산화물 층과 플로팅 게이트 다결정 층 사이의 접촉 계면은 플로팅 게이트 위치 영역의 양쪽 측면에 예각을 형성한다. 나아가, 플로팅 게이트 위치 영역 밖에 위치된 플로팅 게이트 다결정 층을 에칭해서 제거하는 프로세스에서, 형성된 플로팅 게이트의 위치가 분명하게 오프셋되더라도, 플로팅 게이트의 예각은 상대적으로 안정되어서 커지지 않으며, 예각이 커지는 현상은 방지된다.
트렌치의 에칭 깊이 h와 습식 에칭되는 윈도우의 에치-백 폭 d를 제어함으로써, 예각(θ1, θ2)의 각도는 45도 내지 50도의 범위에 있고, 동일한 각도로 안정적으로 유지될 수 있으며, 이로써 소거 및 기록의 속도와 효율을 개선시켜서 안정성을 증가시킨다. 일 실시예에서, 이 방법은 플로팅 게이트에 N-타입 도핑을 수행하는 단계를 더 포함한다.
이 실시예에서, 플로팅 게이트 다결정 층(130)은 폴리실리콘 층이며, 플로팅 게이트는 화학 기상 증착(CVD)에 의해 형성될 수 있다. 폴리실리콘 플로팅 게이트은 형성된 이후에 도핑될 수 있다. 터널링 캐리어가 전자이기 때문에, 플로팅 게이트는 N-타입으로 도핑되고, 도핑 이온은 인, 안티몬 및 비소와 같은 5가 원소일 수 있다.
일 실시예에서, 이 방법은 플로팅 게이트의 측벽에 터널링 산화물 층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
실리콘 산화물이 플로팅 게이트에 증착되어 터널링 산화물 층(160)을 형성하고, 플로팅 게이트의 측벽 위의 터널링 산화물 층(160)은 과도한 터널링 산화물 층(160)을 에칭에 의해 제거하여 보존된다. 도 9를 참조한다. 터널링 산화물 층 160은 또한 실리콘 질화물, 실리콘 질산화물, 또는 다른 하이-k 물질들일 수 있다. 터널링 산화물 층(160)은 퍼니스 열 산화, 원자 층 증착(ALD), CVD, 플라스마 강화 증착(PECVD) 등에 의해 형성될 수 있으며, 본 실시예에서, 터널링 산화물 층(160)은 퍼니스 열 산화에 의해 형성되었다.
일 실시예에서, 이 방법은 플로팅 게이트 상에 제어 게이트를 형성하는 단계를 더 포함한다.
플로팅 게이트 밖의 터널링 산화물 층(160) 및 플로팅 게이트 위치 영역에 폴리실리콘이 증착되어 제 2 폴리실리콘 층(170)을 형성하며, 도 10을 참조한다. 제 2 폴리실리콘 층(170)의 일부가 포토리소그래피로 제거되어 제어 게이트를 형성하며, 도 11을 참조한다.
각각의 실시예에 포함된 전술한 각각의 기술적 특징들은 임의로 조합될 수 있으며, 간결하게 하기 위해서 전술한 실시예의 각각의 기술적 특징의 가능한 모든 조합을 서술하지는 않았지만, 서로 충돌되지 않는 한도에서, 각각의 기술적 특징의 조합은 본 설명의 범주 내에 있는 것으로 간주되어야 한다.
전술한 구현예들은 본 개시의 단지 특정한 실시예일 뿐 본 개시의 보호 범주를 한정하는 것은 아니다. 당업자에세, 본 개시에서 설명된 기술적 범주 이내인 것으로 쉽게 이해되는 모든 변형 또는 대체는 모두 본 발명의 보호 범주 내에 속한다는 점에 주의한다. 따라서, 본 발명의 보호 범주는 청구 범위의 보호 범주에 속할 것이다.

Claims (12)

  1. 플래시 메모리 디바이스를 제조하는 방법으로서,
    기판을 제공하는 단계와,
    상기 기판에 플로팅 게이트 산화물 층, 플로팅 게이트 다결정 층 및 플로팅 게이트 마스크 층을 차례로 형성하는 단계와,
    상기 플로팅 게이트 다결정 층 및 상기 플로팅 게이트 마스크 층을 플로팅 게이트 위치 영역에서 에칭하고, 상기 플로팅 게이트 마스크 층에 윈도우를 형성하며, 상기 플로팅 게이트 다결정 층에 트렌치를 형성하는 단계 - 상기 윈도우는 상기 트렌치와 연통됨 - 와,
    상기 플로팅 게이트 마스크 층의 상기 윈도우의 측벽을 제 2 에칭하는 단계 - 상기 제 2 에칭 이후에 상기 플로팅 게이트 다결정 층의 상기 트렌치의 폭은 상기 플로팅 게이트 마스크 층의 상기 윈도우의 폭보다 작음 - 와,
    상기 플로팅 게이트 다결정 층을 산화시켜서, 상기 트렌치를 산화물로 충진함으로써 필드 산화물 층을 형성하는 단계와,
    에칭을 행하여 예각을 가진 플로팅 게이트를 형성하는 단계
    를 포함하는 플래시 메모리 디바이스를 제조하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 에칭의 에칭 폭에 대한 상기 트렌치의 깊이의 비율은 0.8 내지 1.2의 범위인
    방법
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 트렌치의 상기 깊이는 상기 제 2 에칭의 상기 에칭 폭과 동일한
    방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 예각은 45도 내지 50도의 범위인
    방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 플로팅 게이트 다결정 층 및 상기 플로팅 게이트 마스크 층을 상기 플로팅 게이트 위치 영역에서 에칭하는 것은, 상기 플로팅 게이트 위치 영역에서 상기 플로팅 게이트 다결정 층 및 상기 플로팅 게이트 마스크 층을 건식 에칭에 의해 수직으로 에칭하는 것 - 상기 에칭 이후에 형성되는 상기 윈도우 폭은 상기 트렌치의 폭과 동일함 - 을 포함하는
    방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 플로팅 게이트 다결정 층 및 상기 플로팅 게이트 마스크 층을 상기 플로팅 게이트 위치 영역에서 에칭하는 것은,
    상기 플로팅 게이트 마스크 층의 상기 플로팅 게이트 위치 영역을 건식 에칭에 의해 수직으로 에칭하여 상기 윈도우를 형성하는 것과,
    상기 플로팅 게이트 다결정 층의 상기 플로팅 게이트 위치 영역을 건식 에칭에 의해 비수직으로 에칭하여 상기 트렌치를 형성하는 것
    을 포함하는
    방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 트렌치의 측벽은 경사진 면 혹은 곡면인
    방법
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 플로팅 게이트 마스크 층의 상기 윈도우의 측벽은 습식 에칭에 의해 제 2 에칭되는
    방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 에칭을 행하여 상기 예각을 가진 상기 플로팅 게이트를 형성하는 단계는,
    상기 플로팅 게이트 마스크 층을 제거하는 단계와,
    상기 플로팅 게이트 위치 영역 밖에 위치된 상기 플로팅 게이트 다결정 층을 에칭에 의해 제거하고, 상기 예각을 가진 상기 플로팅 게이트를 형성하는 단계
    를 포함하는
    방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 플로팅 게이트의 양쪽 측면에 터널링 산화물 층을 형성하는 단계와,
    상기 터널링 산화물 층의 일부를 에칭에 의해 제거하여, 상기 플로팅 게이트 측벽 상의 상기 터널링 산화물 층을 보존하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 플로팅 게이트, 상기 필드 산화물 층 및 상기 터널링 산화물 층 상에 제어 게이트를 형성하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 플로팅 게이트에 대해 N-타입 도핑을 수행하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
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