KR20190070862A

KR20190070862A - 반도체 장치

Info

Publication number: KR20190070862A
Application number: KR1020180156647A
Authority: KR
Inventors: 토시하루 사이토; 마코토 이노우에; 야스노리 쿠보타
Original assignee: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
Priority date: 2017-12-13
Filing date: 2018-12-07
Publication date: 2019-06-21
Also published as: CN109917293A; JP2019106053A; EP3499340A1; US10837990B2; US20190178920A1

Abstract

[과제] 통상 동작이 가능한 전압 범위 내에서의 전원 전압의 변동을 이상 징후로서 검출하여, 알람을 생성시키거나, 또는, 시스템을 리셋시킬 수 있는 반도체 장치를 제공한다.
[해결수단] 반도체 장치(1)는, 감시 대상 시스템의 전원 전압이 제1 전압값 이하인 상태가 소정의 시간 폭을 초과했을 때, 신호를 출력하는 카운터 회로(13)와, 해당 신호를 입력하고 제1 플래그를 세트하는 제1 플래그 회로(14)와, 전원 전압이 제2 전압값 이하가 되었을 때, 제2 플래그를 세트하는 제2 플래그 회로(15)와, 제1 플래그, 제2 플래그가 세트되었을 때, 시스템을 리셋시키는 리셋 신호를 출력하는 회로(16)를 구비하며, 제1 전압값, 제2 전압값이, 시스템의 정상 동작을 보증하는 최저 전압보다 크고, 제1 전압값이 제2 전압값보다 큰 것이다.

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 반도체 장치에 관한 것이다.

차량 탑재 시스템에 있어서의 기능 안전은, 고장 검지에서 미연 방지로 그 목표, 목적이 바뀌어 가고 있다. 그러나 기존의 전압 감시 회로, 또는, 해당 전압 감시 회로를 포함하는 반도체 장치는, 전원 전압이 이상(異常)인 값이 되고 나서 알람을 생성시키기 때문에, 미연 방지를 달성하기까지에는 이르지 못했다.

이러한 문제에 대응하기 위해, 예를 들면, 전자 기기의 전원 전압 상태를 검출하는 전원 전압 검출 회로에서, 전자 기기의 정상 동작을 보증하는 최저 전압보다 높은 제1 전압, 및, 최저 전압과 제1 전압 사이의 제2 전압을 각각 문턱값 전압으로서 이용하여, 전원 전압이 최저 전압 이하가 되는 것을 방지하는 것이 고려된다(특허문헌 1 참조).

[특허문헌 1] 일본 특개평11-119872호 공보

그러나 특허문헌 1 기재의 발명에서는, 부하 증대에 의한 일시적인 전압 저하를 잘못 검지하여 알람을 빈번하게 생성시키거나, 전원 전압이 비정상적으로 저하되어 알람을 생성시키기 전에, MCU가 이상 동작하거나 해 버릴 가능성이 있다.

그래서 통상 동작이 가능한 전압 범위 내에서의 전원 전압의 변동을 이상 징후로서 검출하여, 알람을 생성시키거나, 또는, 시스템을 리셋시킬 수 있는 반도체 장치가 요망되어 왔다.

그 밖의 과제와 신규한 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부도면으로부터 명백해질 것이다.

일 실시형태에 의하면, 감시 대상의 시스템의 전원 전압이, 해당 시스템의 통상 동작 가능한 전압 범위 내의 소정의 문턱값 전압 이하로 되어 있는 기간과, 그때의 전원 전압값의 크기에 근거하여, 해당 시스템을 리셋시키는 리셋 신호를 출력한다.

상기 일 실시형태에 의하면, 통상 동작이 가능한 전압 범위 내에서의 전원 전압의 변동을 이상 징후로서 검출하여, 알람을 생성시키거나, 또는, 시스템을 리셋시키는 반도체 장치를 제공할 수 있다.

또한, 상기 일 실시형태의 반도체 장치로서의 마이크로컴퓨터 또는 칩, 해당 반도체 장치의 일부를 구성하는 전압 이상 감시 회로, 해당 반도체 장치를 이용하는 차량 탑재 시스템 등도, 본 발명의 태양(態樣)으로서 유효하다.

[도 1] 실시형태 1에 따른 반도체 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
[도 2] 실시형태 1에 따른 반도체 장치(1)의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
[도 3] 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
[도 4] 실시형태 2에 따른 제1 저하 검출 회로(21)의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
[도 5] 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.
[도 6] 실시형태 3에 따른 반도체 장치(2)의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.

설명의 명확화를 위해, 이하의 기재 및 도면은, 적절히, 생략 및 간략화가 이루어진다. 또한, 다양한 처리를 행하는 기능 블록으로서 도면에 기재하는 각 요소는, 하드웨어적으로는, CPU, 메모리, 그 밖의 회로 등에 의해 구성할 수 있으며, 소프트웨어적으로는, 메모리에 로드된 프로그램 등에 의해 실현할 수 있다.

따라서, 이들 기능 블록이 하드웨어만, 소프트웨어만, 또는, 그들 조합에 의해 다양한 형태로 실현될 수 있는 것은 당업자에게 이해되는 바이며, 어느 하나로 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 도면에서, 동일한 요소에는 동일한 부호를 부여하고 있으며, 필요에 따라 중복 설명을 생략하고 있다.

또한, 상술한 프로그램을, 다양한 타입의 비일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체(non-transitory computer readable medium)를 이용해서 저장하여, 컴퓨터에 공급할 수 있다.

비일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체는, 다양한 타입의 실체가 있는 기록 매체(tangible storage medium)를 포함한다. 비일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체의 예는, 자기 기록 매체(예를 들면, 플렉시블 디스크, 자기 테이프, 하드디스크 드라이브), 광자기 기록 매체(예를 들면, 광자기 디스크), CD-ROM(Read Only Memory), CD-R, CD-R/W, 반도체 메모리(예를 들면, 마스크 ROM, PROM(Programmable ROM), EPROM(Erasable PROM), 플래시 ROM, RAM(Random Access Memory))을 포함한다.

또한, 프로그램을, 다양한 타입의 일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체(transitory computer readable medium)에 의해 컴퓨터에 공급해도 된다. 일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체의 예는, 전기신호, 광신호, 및, 전자파를 포함한다. 일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체는, 전선, 광파이버 등의 유선 통신로, 또는, 무선 통신로를 통하여 프로그램을 컴퓨터에 공급할 수 있다.

(실시형태 1)

다음으로, 통상 동작이 가능한 전압 범위 내에서의 전원 전압의 변동을 이상 징후로서 검출하여, 알람을 생성시키거나, 또는, 시스템을 리셋시킬 수 있다. 본 실시형태 1에 따른 반도체 장치에 관하여 설명한다.

본 실시형태 1에 따른 반도체 장치는, 예를 들면, 차량 탑재 시스템의 전원 전압을 감시하는 것으로, 전원 전압이 소정의 전압값 이하로 되어 있는 기간과, 그때의 전원 전압의 크기에 근거하여, 차량 탑재 시스템을 리셋시키는 리셋 신호를 출력하는 것이다.

우선, 본 실시형태 1에 따른 반도체 장치의 구성에 관하여 설명한다.

도 1은, 본 실시형태 1에 따른 반도체 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.

반도체 장치(1)는, 제1 검출(detection) 회로(11), 제2 검출 회로(12), 카운터(counter) 회로(13), 제1 플래그(flag) 회로(14), 제2 플래그 회로(15), AND 회로(16) 등을 구비한다.

제1 검출 회로(11)는 차량 탑재 시스템의 전원 전압을 감시하여, 전원 전압이 문턱값(threshold) 전압인 제1 전압값 이하가 된 것을 검출했을 때, 그 출력 논리값을 「1」에서 「0」으로 변화시킨다.

제2 검출 회로(12)도 동일한 전원 전압을 감시하여, 전원 전압이 또 다른 문턱값 전압인 제2 전압값 이하가 된 것을 검출했을 때, 그 출력 논리값을 「1」에서 「0」으로 변화시킨다.

또한, 제1 전압값, 제2 전압값은 모두 차량 탑재 시스템이 정상 동작하는 전압 범위 내이며, 제1 전압값은 제2 전압값보다 크다.

또한, 제1 검출 회로(11), 제2 검출 회로(12)는, 전원 전압이 각각 제1 전압값 미만, 제2 전압값 미만이 되었을 때, 그 출력 논리값을 변화시켜도 된다.

카운터 회로(13)는, 클록 신호 및 제1 검출 회로(11)의 출력을 입력하고, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값이 「0」일 때의 시간 폭, 즉, 논리값 「0」의 출력 횟수를 카운트한다. 그리고 카운터 회로(13)는, 시간 폭 카운터값이 소정값을 초과했을 때, 알람을 생성시키는 알람 신호를 출력함과 아울러, 제1 플래그 회로(14)에 플래그를 세트하도록 제1 플래그 회로(14)로 출력한다.

또한, 카운터 회로(13)는, 시간 폭 카운터값이 소정값을 초과했을 때, 알람 신호를 출력하지 않아도 된다.

제1 플래그 회로(14)는, 카운터 회로(13)의 출력에 따라, 제1 플래그 회로(14)의 출력 논리값을 「0」에서 「1」로 변화시켜서 제1 플래그를 세트한다.

제2 플래그 회로(15)는, 제2 검출 회로(12)의 출력을 입력하고, 그 출력 논리값이 「0」이 되었을 때, 제2 플래그 회로(15)의 출력 논리값을 「0」에서 「1」로 변화시켜서 제2 플래그를 세트한다.

AND 회로(16)는, 제1 플래그 회로(14) 및 제2 플래그 회로(15)의 출력을 입력하고, 이들 출력 논리값이 모두 「1」일 때, 즉, 제1 플래그 및 제2 플래그가 함께 세트되어 있을 때, 리셋을 요구하는 리셋 신호 또는 인터럽트(interrupt) 요구 신호를 출력한다.

또한, 제1 검출 회로(11), 제2 검출 회로(12)는 반도체 장치(1)의 필수 구성은 아니며, 제1 검출 회로(11), 제2 검출 회로(12)가 반도체 장치(1)의 외부에 있어, 반도체 장치(1)가 이들 출력을 이용하도록 해도 된다.

또한, 반도체 장치(1)는, 카운터 회로 대신에 샘플링(sampling) 회로를, 또한, 플래그 회로 대신에 레지스터(register) 회로를 구비하고 있어도 된다.

다음으로, 본 실시형태 1에 따른 반도체 장치(1)의 동작에 관하여 설명한다.

도 2는, 본 실시형태 1에 따른 반도체 장치(1)의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.

반도체 장치(1)가 동작을 개시하고, 감시하는 차량 탑재 시스템의 전원 전압이 저하되어 제1 전압값 이하가 되면, 제1검출 회로(11)의 출력 논리값이 「1」에서 「0」으로 변화하여, 카운터 회로(13)가 시간 폭의 카운트를 개시한다(시각 t1).

그러나 전원 전압은 제2 전압값 이하가 되는 일 없이, 곧바로 상승해서 제1 전압값보다 커져, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값은 「0」에서 「1」로 되돌아가고, 카운터 회로(13)도 카운트를 「1」로 정지한다(시각 t2).

다음으로, 시간이 경과한 후, 전원 전압이 다시 저하되어 제1 전압값 이하가 되면, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값도 「1」에서 「0」으로 다시 변화하고, 카운터 회로(13)도 시간 폭의 카운트를 개시한다(시각 t3).

그리고 카운터 회로(13)는, 시간 폭 카운터값이 소정값, 여기서는, 소정값 「5」를 초과했을 때, 알람 신호를 처음으로 출력함과 아울러, 제1 플래그 회로(14)의 제1 플래그를 세트한다(시각 t4).

또한, 전원 전압이 더 저하하여 제2 전압값 이하가 되면, 제2 검출 회로(12)의 출력 논리값이 「1」에서 「0」으로 변화하고, 제2 플래그 회로(15)의 제2 플래그를 세트한다(시각 t5).

그러면, AND 회로(16)는, 제1 플래그 및 제2 플래그가 함께 세트되어 있으므로, 리셋을 요구하는 리셋 신호를 출력한다(시각 t5).

이와 같이, 본 실시형태 1에 따른 반도체 장치(1)는, 상기 구성 및 동작에 의해, 전원 전압이 제1 전압값 이하인 기간이 길고, 또한, 제2 전압값 이하가 되었을 때, 전원 전압의 이들 변동을 이상 징후로서 검출하여, 반도체 장치(1)가 감시하는 차량 탑재 시스템에 통지할 수 있다.

이때, 본 실시형태 1에 따른 반도체 장치(1)는, 전원 전압의 저하 시간 폭을 감시하고, 부하 증대 등에 따른 일시적인 전압 저하에 의한 알람의 생성을 억제하므로, 더 정밀도가 높은 전원 전압의 이상 검출을 행할 수 있다.

이상, 설명한 바와 같이, 본 실시형태 1에 따른 반도체 장치(1)는, 감시 대상 시스템의 전원 전압이 제1 전압값 이하인 상태가 소정 시간 폭을 초과했을 때, 신호를 출력하는 카운터 회로(13)와, 해당 신호를 입력하여 제1 플래그를 세트하는 제1 플래그 회로(14)와, 전원 전압이 제2 전압값 이하가 되었을 때, 제2 플래그를 세트하는 제2 플래그 회로(15)와, 제1 플래그, 제2 플래그가 함께 세트되었을 때, 시스템을 리셋시키는 리셋 신호를 출력하는 회로(16)를 구비하며, 제1 전압값, 제2 전압값이 시스템의 정상 동작을 보증하는 최저 전압보다 크고, 제1 전압값이 제2 전압값보다 큰 것이다.

또한, 본 실시형태 1에 따른 반도체 장치(1)는, 카운터 회로(13)가, 전원 전압이 제1 전압값 이하인 상태가 소정 시간 폭을 초과했을 때, 또한, 알람을 생성시키는 알람 신호를 출력하는 것이 바람직하다.

(실시형태 2)

실시형태 1에 따른 반도체 장치(1)는, 전원 전압이 소정의 전압값 이하로 되어 있는 기간과, 그때의 전원 전압의 크기에 근거하여, 리셋 신호를 출력하는 것이었다.

이에 대해, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치는, 또한, 전원 전압이 소정의 전압값을 사이에 두고 오르내리는 것을 반복할 때의, 전원 전압이 소정의 전압값보다 큰 기간에 근거하여 이상 징후를 검출하는 것이다.

즉, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치는, 전원 전압이 소정의 전압값 이하에서 소정의 전압값보다 커진 시각부터, 다시 소정의 전압값 이하가 된 시각까지의 시간을 더 검출한다.

또한, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치도, 예를 들면, 차량 탑재 시스템의 전원 전압을 감시하는 것이다.

우선, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치의 구성에 관하여 설명한다.

도 3은, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.

반도체 장치(2)는, 제1 검출 회로(11), 제2 검출 회로(12), 제1 저하 검출 회로(21), 제2 저하 검출 회로(22), 제1 플래그 회로(14), 제2 플래그 회로(15), AND 회로(16), 연산 처리 회로(23), 내부 버스(24) 등을 구비한다.

또한, 제1 검출 회로(11), 제2 검출 회로(12), 제1 플래그 회로(14), 제2 플래그 회로(15), AND 회로(16)에 관해서는, 제1 검출 회로(11), 제2 검출 회로(12)의 출력처, 제1 플래그 회로(14), 제2 플래그 회로(15)의 입력처가 변경된 것 이외는, 실시형태 1의 것과 마찬가지이므로, 여기서는 상세한 설명은 생략한다. 제1 검출 회로(11), 제2 검출 회로(12)는, 여기서도, 반도체 장치(2)의 필수 구성은 아니고, 제1 검출 회로(11), 제2 검출 회로(12)는, 반도체 장치(2)의 외부에 있어도 된다.

제1 저하 검출 회로(21)는, 클록 신호 및 제1 검출 회로(11)의 출력을 입력하고, 전압 저하 상태를 각각 나타내는 제1 인터럽트 신호, 제3 인터럽트 신호를 연산 처리 회로(23)에, 제2 인터럽트 신호를 연산 처리 회로(23)와 제1 플래그 회로(14)에 출력한다.

이때, 제1 저하 검출 회로(21)는, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값 「1」「0」이 변화했을 때, 즉, 전원 전압이 제1 전압값 이하가 되었을 때, 및, 전원 전압이 제1 전압값보다 커졌을 때, 제1 인터럽트 신호를 각각 출력한다. 제1 인터럽트 신호는, 실시형태 1과 마찬가지로, 알람 신호로서 또한 기능해도 된다.

또한, 제1 저하 검출 회로(21)는, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값이 「0」인 기간, 즉, 전원 전압이 제1 전압값 이하인 기간이 소정 시간 폭 이상이 되었을 때, 제2인터럽트 신호를 출력한다.

또한, 제1 저하 검출 회로(21)는, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값이 「0」에서 「1」로 변화하고 나서 다시 「0」으로 변화했을 때, 즉, 전원 전압이 제1 전압값 이하에서 제1 전압값보다 커지고, 다시 제1 전압값 이하가 되었을 때, 제3 인터럽트 신호를 출력한다.

제1 저하 검출 회로(21)는, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값이 「0」에서 「1」로 변화하고 나서 다시 「0」으로 변화할 때까지의 시간 간격이 소정값 이하일 때, 제3 인터럽트 신호를 출력하도록 해도 된다.

제2 저하 검출 회로(22)는, 클록 신호 및 제2 검출 회로(12)의 출력을 입력하고, 제4 인터럽트 신호, 제6 인터럽트 신호를 연산 처리 회로(23)에, 제5 인터럽트 신호를 연산 처리 회로(23)와 제2 플래그 회로(15)에 출력한다.

이때, 제2 저하 검출 회로(22)는, 제2 검출 회로(12)의 출력 논리값 「1」「0」이 변화했을 때, 즉, 전원 전압이 제2 전압값 이하가 되었을 때, 및, 전원 전압이 제2 전압값보다 커졌을 때, 제4 인터럽트 신호를 각각 출력한다.

또한, 제2 저하 검출 회로(22)는, 제2 검출 회로(12)의 출력 논리값이 「0」인 기간, 즉, 전원 전압이 제2 전압값 이하인 기간이 소정 시간 폭 이상이 되었을 때, 제5 인터럽트 신호를 출력한다.

또한, 제2 저하 검출 회로(22)는, 제2 검출 회로(12)의 출력 논리값이 「0」에서 「1」로 변화하고 나서 다시 「0」으로 변화했을 때, 제6 인터럽트 신호를 출력한다.

제2 저하 검출 회로(22)는, 제2 검출 회로(11)의 출력 논리값이 「0」에서 「1」로 변화하고 나서 다시 「0」으로 변화할 때까지의 시간 간격이 소정값 이하인 때, 제6 인터럽트 신호를 출력하도록 해도 된다.

연산 처리 회로(23)는, 제1 저하 검출 회로(21), 제2 저하 검출 회로(22)로부터 각 인터럽트 신호를 입력한다. 또한, 연산 처리 회로(23)는, 내부 버스(24)를 통해, 제1 저하 검출 회로(21), 제2 저하 검출 회로(22)에 대하여 각종 파라미터의 설정(라이트(write))을 행함과 함께, 제1 저하 검출 회로(21), 제2 저하 검출 회로(22)의 카운터값 등의 각종 데이터의 판독(리드(read))을 행하고, 전원 전압 저하의 시간 폭과, 시간 간격을 기억한다.

또한, 연산 처리 회로(23)는, 차량 탑재 시스템을 리셋한 후에, 입력한 인터럽트 신호 또는 판독한 데이터에 근거하여, 불량 해석을 행하고, 각종 설정값의 변경 등을 행한다.

이 때문에, 연산 처리 회로(23)는, MPU, 메모리 등(도시하지 않음)을 포함하여 구성된다.

내부 버스(24)는, 제1 저하 검출 회로(21), 제2 저하 검출 회로(22)와, 연산 처리 회로(23)를 접속한다.

또한, 제1 저하 검출 회로(21)는, 구체적으로는 다음과 같은 구성을 가진다.

도 4는, 본 실시형태 2에 따른 제1 저하 검출 회로(21)의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.

제1 저하 검출 회로(21)는, 시간 폭 설정 레지스터(51), 시간 간격 설정 레지스터(52), 카운터 회로(53), 시간 폭 카운터값 레지스터(54), 시간 간격 카운터값 레지스터(55) 등을 구비한다. 각 레지스터(51, 52, 54, 55)는, 카운터 회로(53)와 연산 처리 회로(23) 사이의 인터페이스에 상당하다.

시간 폭 설정 레지스터(51), 시간 간격 설정 레지스터(52)는, 내부 버스(24)를 통해서 연산 처리 회로(23)에 의해 상기 소정의 시간 폭, 소정의 시간 간격이 각각 설정되며, 해당 시간 폭, 시간 간격을 카운터 회로(53)에 각각 출력한다.

카운터 회로(53)는, 클록 신호 및 제1 검출 회로(11)의 출력을 입력하고, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값이 변화했을 때, 제1 인터럽트 신호를 출력한다.

또한, 카운터 회로(53)는, 제1 검출 회로(11)의 논리값 「0」의 출력 시간 폭, 및, 연속하는 2개의 논리값 「0」의 출력 시간 간격을 카운트하여, 각각 소정값 이상이 되었을 때, 제2 인터럽트 신호, 제3 인터럽트 신호를 출력한다. 이 때문에, 카운터 회로(53)는, 시간 폭 카운터, 시간 간격 카운터 등을 가진다.

또한, 카운터 회로(53)는, 시간 폭의 카운터값, 시간 간격의 카운터값을 시간 폭 카운터값 레지스터(54), 시간 간격 카운터값 레지스터(55)에 각각 출력한다.

시간 폭 카운터값 레지스터(54) 및 시간 간격 카운터값 레지스터(55)의 각 카운터값은, 제1 인터럽트 신호가 출력되었을 때, 내부 버스(24)를 통해서 연산 처리 회로(23)로 판독된다.

또한, 제2 저하 검출 회로(22)의 개략 구성은, 제2 검출 회로의 출력을 대상으로 하고, 제6 인터럽트 신호를 제2 플래그 회로(15)에 출력하는 것 이외는 제1 저하 검출 회로(21)의 것과 마찬가지로서, 예를 들면, 카운터 회로(53)와 마찬가지의 카운터 회로(63)(도시하지 않음) 등을 가지고 있지만, 여기서는, 상세한 설명을 생략한다.

다음으로, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)의 동작에 관해서 설명한다.

도 5는, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.

반도체 장치(2)가 동작을 개시하고, 감시하는 차량 탑재 시스템의 전원 전압이 저하하여 제1 전압값 이하가 되면, 제1 검출 회로(11)는 그 출력 논리값을 「1」에서 「0」으로 변화시켜 검출 신호를 출력한다. 또한, 카운터 회로(53)는 해당 검출 신호를 입력하여 제1 인터럽트 신호를 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 개시한다(시각 t11).

또한, 제1 인터럽트 신호가 출력되었을 때, 연산 처리 회로(23)에 의해, 시간 폭 카운터값 레지스터(54)의 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값 레지스터(55)의 시간 간격 카운터값이 판독된다(시각 t11). 이후, 제1 인터럽트 신호가 출력될 때마다, 연산 처리 회로(23)에 의해, 제1 저하 검출 회로(21)의 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값이 판독된다.

여기서, 전원 전압은 더 저하되는 일 없이, 곧바로 상승하여 제1 전압값보다 커지며, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값은 「0」에서 「1」로 되돌아가고, 카운터 회로(53)는 제1 인터럽트 신호를 다시 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 「1」에서 정지한다(시각 t12).

또한, 카운터 회로(53)는, 전원 전압이 제1 전압값보다 커져 있는 기간의 카운트, 즉, 시간 간격의 카운트를 개시한다(시각 t12).

다음으로, 전원 전압이 다시 저하하여 제1 전압값 이하가 되면, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값도 「1」에서 「0」으로 다시 변화하고, 카운터 회로(53)는 제1 인터럽트 신호를 출력하며, 시간 폭의 카운트를 개시함과 아울러, 시간 간격의 카운트를 「13」에서 정지한다(시각 t13). 이때, 카운터 회로(53)는, 시각 t12에서 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값이 「0」에서 「1」로 변화하고 나서 다시 「0」으로 변화했으므로, 제3 인터럽트 신호도 출력한다(시각 t13).

그리고 카운터 회로(53)는, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값 「0」이 계속될 때에 그 시간 폭의 카운트를 계속하고, 시간 폭 카운터값이 소정값 이상, 여기서는, 소정값 「5」 이상이 되었을 때, 제2 인터럽트 신호를 출력한다(시각 t14).

또한, 제1 플래그 회로(14)는 제2 인터럽트 신호를 입력하고, 제1 플래그를 세트한다(시각 t14).

그리고 전원 전압이 저하를 더 계속하여 제2 전압값 이하가 되면, 제2 검출 회로(12)는 그 출력 논리값을 「1」에서 「0」으로 변화시켜 검출 신호를 출력한다. 또한, 제2 저하 검출 회로(22)의 카운터 회로(63)(도시하지 않음)는 해당 검출 신호를 입력하여 제4 인터럽트 신호를 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 개시한다(시각 t15).

또한, 제4 인터럽트 신호가 출력되었을 때, 연산 처리 회로(23)에 의해, 제2 저하 검출 회로(22)의 시간 폭 카운터값 레지스터(도시하지 않음)의 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값 레지스터(도시하지 않음)의 시간 간격 카운터값이 판독된다(시각 t15). 이후, 제4 인터럽트 신호가 출력될 때마다, 연산 처리 회로(23)에 의해, 제2 저하 검출 회로(22)의 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값이 판독된다(시각 t15).

그리고 카운터 회로(63)는, 시간 폭 카운터값이 소정값 이상, 여기서는 「1」 이상이 되었을 때, 제5 인터럽트 신호를 출력한다(시각 t16).

또한, 제2 플래그 회로(15)는 제5 인터럽트 신호를 입력하고, 제2 플래그를 세트한다(시각 t16).

그리고 AND 회로(16)는, 제1 플래그 및 제2 플래그가 함께 세트되어 있으므로, 리셋을 요구하는 리셋 신호를 출력한다(시각 t16).

또한, 카운터 회로(63)는, 제2 검출 회로(12)의 출력 논리값이 「0」에서 「1」로 변화하고 나서 다시 「0」으로 변화하는 일이 없었기 때문에, 제6 인터럽트 신호를 출력하고 있지 않다.

연산 처리 회로(23)는, 리셋 신호를 입력하고, 예를 들면, 차량 탑재 시스템의 일부 기능의 정지를 판단한다.

또한, 연산 처리 회로(23)는, 리셋 신호 입력 후에, 입력한 각 인터럽트 신호 및 판독한 각 카운터값에 근거하여, 불량 해석을 행한다. 구체적으로는, 기억한 전원 전압값, 그 저하 시간 폭, 저하 시간 간격 등을 해석하고, 감시하는 시스템이 이상에 이르는 과정, 징후를 학습하고, 제2 인터럽트 신호, 제5 인터럽트 신호를 출력하는 타이밍 등의 설정, 즉, 소정의 시간 폭 등을 변경한다.

또한, 연산 처리 회로(23)는, 입력한 인터럽트 신호 또는 판독한 데이터를 또한 외부 기억 장치 등에 기억시켜도 된다.

이와 같이, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)는, 상기 구성 및 동작에 의해, 전원 전압이 제1 전압값 이하인 기간이 길고, 또한, 제2 전압값 이하가 된 것 같은 상황에서, 전원 전압의 변동을 이상 징후로서 검출하여, 반도체 장치(2)가 감시하는 차량 탑재 시스템에 통지할 수 있다.

또한, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)는, 상기 구성 및 동작에 의해, 전원 전압이 제1 전압값 이하 또는 제2 전압값 이하가 되는 시간 폭, 시간 간격을 검출하여 해석하고, 전원 전압의 변동을 검출하기 위한 각종 설정값을 변경할 수 있다. 예를 들면, 반도체 장치(2)는, 리셋 신호를 출력할 때까지의 각 시간 폭, 각 시간 간격을 이력(履歷)으로서 기억하고, 해석, 학습하는 것에 의해, 각종 설정값을 변경하여, 리셋 신호를 출력하기 전에 필요에 따라서 알람 신호를 생성할 수 있다. 구체적으로는, 반도체 장치(2)는, 시간 폭이 서서히 길어지는 한편, 시간 간격이 서서히 짧아지고 있었을 때, 시간 폭, 시간 간격이 장단(長短) 변동하기 시작했을 때, 또는, 시간 간격이 소정의 시간 간격보다 짧아졌을 때, 알람 신호를 생성하도록 설정해도 된다.

또한, 반도체 장치(2)는, 연산 처리 회로(23)가, 판독한 각 카운터값을 이용하지 않고, 입력한 각 인터럽트 신호를 이용하여 불량 해석을 행하고, 소정의 시간 폭 등의 설정을 변경해도 된다.

또한, 반도체 장치(2)는, 제1 저하 검출 회로(21), 제2 저하 검출 회로(22)가, 카운터 회로(53)만을 가지도록 한 간략화된 구성을 가지고 있어도 된다.

또한, 반도체 장치(2)는, 각종 이력을 외부 장치에 출력하고, 해당 외부 장치로 해석, 학습한 결과를 각종 설정값으로서 입력해도 된다. 즉, 연산 처리 회로(23)의 기능의 일부 또는 전부를 외부 장치가 구비하고, 반도체 장치(2)가 그 결과를 이용하도록 해도 된다.

이상, 설명한 바와 같이, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)는, 감시 대상 시스템의 전원 전압이 제1 전압값을 상회(上回)했을 때 또는 제1 전압값을 하회(下回)했을 때에 제1 인터럽트 신호를 출력하고, 전원 전압이 제1 전압값 이하인 상태가 소정의 시간 폭 이상이 되었을 때에 제2 인터럽트 신호를 출력하며, 전원 전압이 제1 전압값 이하에서 제1 전압값보다 커지고, 다시 제1 전압값 이하가 되었을 때에 제3 인터럽트 신호를 출력하는 제1 저하 검출 회로(21)와, 전원 전압이 제2 전압값을 상회했을 때 또는 제2 전압값을 하회했을 때에 제4 인터럽트 신호를 출력하고, 전원 전압이 제2 전압값 이하인 상태가 소정의 시간 폭 이상이 되었을 때에 제5 인터럽트 신호를 출력하며, 전원 전압이 제2 전압값 이하에서 제2 전압값보다 커지고, 다시 제2 전압값 이하가 되었을 때에 제6 인터럽트 신호를 출력하는 제2 저하 검출 회로(22)와, 제2 인터럽트 신호를 입력하고 제1 플래그를 세트하는 제1 플래그 회로(14)와, 제5 인터럽트 신호를 입력하고 제2 플래그를 세트하는 제2 플래그 회로(15)와, 제1 플래그, 제2 플래그가 함께 세트되었을 때, 시스템을 리셋시키는 리셋 신호를 출력하는 회로(16)와, 제1 내지 제6 인터럽트 신호를 입력하고, 제1 저하 검출 회로 또는 제2 저하 검출 회로의 소정의 시간 폭을 변경하는 연산 처리 회로(23)를 구비하며, 제1 전압값, 제2 전압값이, 시스템의 정상 동작을 보증하는 최저 전압보다 크고, 제1 전압값이 제2 전압값보다 큰 것이다.

또한, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)는, 제1 저하 검출 회로(21)가, 전원 전압이 제1 전압값 이하일 때의 시간 폭 카운터값, 및, 전원 전압이 제1 전압값 이하에서 제1 전압값보다 커지고, 다시 제1 전압값 이하가 될 때까지의 시간 간격 카운터값을 산출하는 카운터 회로(53)를 구비하며, 제2 저하 검출 회로(22)는, 전원 전압이 제2 전압값 이하일 때의 시간 폭 카운터값, 및, 전원 전압이 제2 전압값 이하에서 제2 전압값보다 커지고, 다시 제2 전압값 이하가 될 때까지의 시간 간격 카운터값을 산출하는 카운터 회로(63)를 구비하며, 연산 처리 회로(23)는, 제1 저하 검출 회로(21)가 제1 인터럽트 신호를 출력했을 때, 제1 저하 검출 회로(21)로부터 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값을 판독하고, 제2 저하 검출 회로(22)가 제4 인터럽트 신호를 출력했을 때, 제2 저하 검출 회로(22)로부터 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값을 판독하고, 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값에 근거하여, 제1 저하 검출 회로(21) 또는 제2 저하 검출 회로(22)의 소정의 시간 폭값을 변경하는 것이 바람직하다.

또한, 본 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)는, 제1 저하 검출 회로(21) 및 제2 저하 검출 회로(22)는, 연산 처리 회로(23)로부터 입력한 소정의 시간 폭 및 소정의 시간 간격을 기록하고, 소정의 시간 폭 및 소정의 시간 간격을 카운터 회로(53, 63)에 설정하는 시간 폭 설정 레지스터 및 시간 간격 설정 레지스터와, 카운터 회로(53, 63)로부터 입력한 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값을 기록하고, 연산 처리 회로(23)에 의해 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값이 판독되는 시간 폭 카운터값 레지스터 및 시간 간격 카운터값 레지스터를 구비하는 것이 바람직하다.

(실시형태 3)

실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)는, 저하 검출 회로(21, 22)가, 검출 회로(11, 12)의 출력 논리값이 「0」에서 「1」로 변화하고 나서 다시 「0」으로 변화했을 때, 제3 인터럽트 신호, 제6 인터럽트 신호를 출력하는 것이었다.

이에 대해, 본 실시형태 3에 따른 반도체 장치는, 저하 검출 회로가, 검출 회로의 출력 논리값이 「0」에서 「1」로 변화하고 나서 소정의 기간 내에 다시 「0」으로 변화하지 않을 때, 인터럽트 신호를 출력하는 것이다.

또한, 본 실시형태 3에 따른 반도체 장치도, 예를 들면, 차량 탑재 시스템의 전원 전압을 감시한다.

또한, 본 실시형태 3에 따른 반도체 장치의 구성은, 저하 검출 회로가 인터럽트 신호를 출력하는 타이밍이 다른 것 이외는 실시형태 2에 따른 반도체 장치(2)의 것과 마찬가지이며, 여기서는 상세한 설명을 생략함과 아울러, 본 실시형태 3에 따른 반도체 장치의 동작에 관해서, 반도체 장치(2)의 구성을 이용하여 설명한다.

도 6은, 본 실시형태 3에 따른 반도체 장치(2)의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.

반도체 장치(2)가 동작을 개시하고, 감시하는 차량 탑재 시스템의 전원 전압이 저하하여 제1 전압값 이하가 되면, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값이 「1」에서 「0」으로 변화하고, 제1 저하 검출 회로(21)의 카운터 회로(53)는 제1 인터럽트 신호를 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 개시한다(시각 t21). 본 실시형태 3에서도, 제1 인터럽트 신호가 출력될 때마다, 연산 처리 회로(23)에 의해, 제1 저하 검출 회로(21)의 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값이 판독된다.

이후, 전원 전압은 더 저하하여 제2 전압값 이하가 되고, 제2 검출 회로(12)의 출력 논리값이 「1」에서 「0」으로 변화하며, 제2 저하 검출 회로(22)의 카운터 회로(63)는 제4 인터럽트 신호를 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 개시한다(시각 t22). 여기서도, 제4 인터럽트 신호가 출력될 때마다, 연산 처리 회로(23)에 의해, 제2 저하 검출 회로(22)의 시간 폭 카운터값 및 시간 간격 카운터값이 판독된다.

그러나 전원 전압은 더 저하되는 일 없이, 곧바로 상승하여 제2 전압값보다 커지며, 제2 검출 회로(12)의 출력 논리값은 「0」에서 「1」로 되돌아가고, 카운터 회로(63)는 제4 인터럽트 신호를 다시 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 「1」에서 정지한다(시각 t23).

이때, 카운터 회로(63)는 전원 전압이 제2 전압값보다 커져 있는 기간, 즉, 시간 간격의 카운트를 개시한다(시각 t23).

또한, 전원 전압은 더 상승하여 제1 전압값보다 커지고, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값은 「0」에서 「1」로 되돌아오며, 카운터 회로(53)는 제1 인터럽트 신호를 다시 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 「2」에서 정지한다(시각 t24).

이때, 카운터 회로(53)는 전원 전압이 제1 전압값보다 커져 있는 기간의 카운트를 개시한다(시각 t24).

그리고 카운터 회로(53)는 전원 전압이 제1 전압값보다 큰 채로, 다시 제1 전압값 이하가 되는 것이 소정의 기간 내에 없었을 때, 즉, 시간 간격 카운트값이 소정값, 여기서는 소정값 「5」 이상이 되었을 때, 제8 인터럽트 신호를 출력한다(시각 t25).

다음으로, 전원 전압이 다시 저하하여 제1 전압값 이하가 되면, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값이 「1」에서 「0」으로 변화하고, 카운터 회로(53)는 제1 인터럽트 신호를 다시 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 개시한다(시각 t26).

이때, 카운터 회로(53)는, 제8 인터럽트 신호를 다시 출력함과 아울러, 시간 간격의 카운트를 「8」에서 정지한다(시각 t26).

그리고 전원 전압은 제2 전압값 이하가 되는 일 없이 곧바로 상승하여 제1 전압보다 커지므로, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값은 「0」에서 「1」로 되돌아가고, 카운터 회로(53)는 제1 인터럽트 신호를 다시 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 「1」에서 정지한다(시각 t27).

또한, 카운터 회로(53)는 시간 간격의 카운트를 다시 개시한다(시각 t27).

그리고 카운터 회로(53)는, 시간 간격 카운트값이 소정값 「5」 이상이 되었을 때, 제8 인터럽트 신호를 다시 출력한다(시각 t28).

또한, 카운터 회로(63)는, 전원 전압이 제2 전압값보다 큰 채로, 제2 전압값 이하로 다시 되는 것이 소정의 기간 내에 없었을 때, 즉, 시간 간격 카운트값이 소정값, 여기서는 「16」 이상이 되었을 때, 제9 인터럽트 신호를 출력한다(시각 t29).

다음으로, 전원 전압이 다시 저하하여 제1 전압값 이하가 되면, 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값이 「1」에서 「0」으로 변화하고, 카운터 회로(53)는 제1 인터럽트 신호를 다시 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 개시한다(시각 t30).

이때, 카운터 회로(53)는, 제8 인터럽트 신호를 다시 출력함과 아울러, 시간 간격의 카운트를 「8」에서 정지한다(시각 t30).

그리고 카운터 회로(53)는, 전원 전압이 제1 전압값 이하인 채로 제1 검출 회로(11)의 출력 논리값 「0」이 계속될 때에 시간 폭의 카운트를 계속하고, 시간 폭 카운트값이 소정값 이상, 여기서는 소정값 「5」 이상이 되었을 때, 제2 인터럽트 신호를 출력한다(시각 t31).

또한, 제1 플래그 회로(14)가 제2 인터럽트 신호를 입력하고, 제1 플래그를 세트한다(t31).

그리고 전원 전압이 더 저하하여 제2 전압값 이하가 되면, 제2 검출 회로(12)의 출력 논리값이 「1」에서 「0」으로 변화하고, 카운터 회로(63)는 제4 인터럽트 신호를 출력함과 아울러, 시간 폭의 카운트를 개시한다(시각 t32).

그리고 카운터 회로(63)는, 시간 폭 카운터값이 소정값 이상, 여기서는 소정값 「1」 이상이 되었을 때, 제5 인터럽트 신호를 출력한다(시각 t33).

또한, 제2 플래그 회로(15)가 제5 인터럽트 신호를 입력하고, 제2 플래그를 세트한다(시각 t33).

그리고 AND 회로(16)는, 제1 플래그 및 제2 플래그가 함께 세트되어 있으므로, 리셋을 요구하는 리셋 신호를 출력한다(시각 t33).

연산 처리 회로(23)는, 리셋 신호를 입력하고, 여기서도, 예를 들면, 차량 탑재 시스템의 일부 기능의 정지를 판단한다.

또한, 연산 처리 회로(23)는, 리셋 신호 입력 후에, 입력한 인터럽트 신호 및 판독한 데이터에 근거하여, 불량 해석을 행한다. 구체적으로는, 기억한 전원 전압값, 그 저하 시간 폭, 저하 시간 간격 등을 해석하고, 감시하는 시스템이 이상에 이르는 과정, 징후를 학습하며, 제2 인터럽트 신호, 제5 인터럽트 신호를 출력하는 타이밍 등의 설정, 즉, 소정의 시간 폭 등을 변경한다.

예를 들면, 연산 처리 회로(23)는, 제8 인터럽트 신호 또는 제9 인터럽트 신호의 반복 횟수 등에 근거하여, 감시하는 시스템이 이상(異常)에 이르는 시기를 예측해도 된다.

이와 같이, 본 실시형태 3에 따른 반도체 장치(2)는, 상기 구성 및 동작에 의해, 전원 전압이 제1 전압값 이하인 기간이 길고, 또한, 제2 전압값 이하가 되었던 것 같은 상황에서, 전원 전압의 변동을 이상 징후로서 검출하여, 반도체 장치(2)가 감시하는 차량 탑재 시스템에 통지할 수 있다.

또한, 본 실시형태 3에 따른 반도체 장치(2)는, 상기 구성 및 동작에 의해, 전원 전압이 제1 전압값 이하 또는 제2 전압값 이하가 되는 시간 폭, 시간 간격을 검출해서 해석하여, 전원 전압의 변동을 검출하기 위한 각종 설정값을 변경할 수 있다.

또한, 본 실시형태 3에 따른 반도체 장치(2)에서도, 연산 처리 회로(23)가, 판독한 각 카운터값을 이용하지 않고, 입력한 각 인터럽트 신호를 이용하여 불량 해석을 행하고, 저하 시간 폭 등의 설정을 변경해도 된다.

이상, 설명한 바와 같이, 본 실시형태 3에 따른 반도체 장치(2)는, 감시 대상 시스템의 전원 전압이 제1 전압값을 상회했을 때 또는 제1 전압값을 하회했을 때에 제1 인터럽트 신호를 출력하고, 전원 전압이 제1 전압값 이하인 상태가 소정의 시간 폭 이상이 되었을 때에 제2 인터럽트 신호를 출력하며, 전원 전압이 제1 전압값 이하에서 제1 전압값보다 커지고, 소정의 시간 간격 이상 제1 전압값 이하가 되지 않았을 때에 제3 인터럽트 신호를 출력하는 제1 저하 검출 회로(21)와, 전원 전압이 제2 전압값을 상회했을 때 또는 제2 전압값을 하회했을 때에 제4 인터럽트 신호를 출력하며, 전원 전압이 제2 전압값 이하로 되는 상태가 소정의 시간 폭 이상이 되었을 때에 제5 인터럽트 신호를 출력하고, 전원 전압이 제2 전압값 이하에서 제2 전압값보다 커지고, 소정의 시간 간격 이상 제2 전압값 이하로 되지 않았을 때에 제6 인터럽트 신호를 출력하는 제2 저하 검출 회로(22)와, 제2 인터럽트 신호를 입력하고 제1 플래그를 세트하는 제1 플래그 회로(14)와, 제5 인터럽트 신호를 입력하고 제2 플래그를 세트하는 제2 플래그 회로(15)와, 제1 플래그, 제2 플래그가 함께 세트되었을 때, 시스템을 리셋시키는 리셋 신호를 출력하는 회로(16)와, 제1 내지 제6 인터럽트 신호를 입력하여, 제1 저하 검출 회로 또는 제2 저하 검출 회로의 소정의 시간 폭을 변경하는 연산 처리 회로(23)를 구비하며, 제1 전압값, 제2 전압값이, 시스템의 정상 동작을 보증하는 최저 전압보다 크고, 제1 전압값이 제2 전압값보다 큰 것이다.

이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시형태에 근거하여 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 이미 기술한 실시형태로 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다는 것은 말할 필요도 없다.

1, 2 반도체 장치
11 제1 검출 회로
12 제2 검출 회로
13, 53, 63 카운터 회로
14 제1 플래그 회로
15 제2 플래그 회로
16 AND 회로
21 제1 저하 검출 회로
22 제2 저하 검출 회로
23 연산 처리 회로
24 내부 버스
51 시간 폭 설정 레지스터
52 시간 간격 설정 레지스터
54 시간 폭 카운터값 레지스터
55 시간 간격 카운터값 레지스터

Claims

감시 대상 시스템의 전원 전압이 제1 전압값 이하인 상태가 소정의 시간 폭을 초과했을 때, 신호를 출력하는 카운터 회로와,
상기 신호를 입력하고 제1 플래그를 세트하는 제1 플래그 회로와,
상기 전원 전압이 제2 전압값 이하가 되었을 때, 제2 플래그를 세트하는 제2 플래그 회로와,
상기 제1 플래그, 상기 제2 플래그가 함께 세트되었을 때, 상기 시스템을 리셋시키는 리셋 신호를 출력하는 회로
를 구비하며,
상기 제1 전압값, 상기 제2 전압값이, 상기 시스템의 정상 동작을 보증하는 최저 전압보다 크고, 상기 제1 전압값이 상기 제2 전압값보다 큰 반도체 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 카운터 회로는, 상기 전원 전압이 상기 제1 전압값 이하인 상태가 상기 소정의 시간 폭을 초과했을 때, 또한, 알람을 생성시키는 알람 신호를 출력하는
반도체 장치.
감시 대상 시스템의 전원 전압이 제1 전압값을 상회했을 때 또는 상기 제1 전압값을 하회했을 때에 제1 인터럽트 신호를 출력하고, 상기 전원 전압이 상기 제1 전압값 이하인 상태가 소정의 시간 폭 이상이 되었을 때에 제2 인터럽트 신호를 출력하며, 상기 전원 전압이 상기 제1 전압값 이하로부터 상기 제1 전압값보다 커지고, 다시 상기 제1 전압값 이하가 되었을 때에 제3 인터럽트 신호를 출력하는 제1 저하 검출 회로와,
상기 전원 전압이 제2 전압값을 상회했을 때 또는 상기 제2 전압값을 하회했을 때에 제4 인터럽트 신호를 출력하고, 상기 전원 전압이 상기 제2 전압값 이하인 상태가 소정의 시간 폭 이상이 되었을 때에 제5 인터럽트 신호를 출력하며, 상기 전원 전압이 상기 제2 전압값 이하로부터 상기 제2 전압값보다 커지고, 다시 상기 제2 전압값 이하가 되었을 때에 제6 인터럽트 신호를 출력하는 제2 저하 검출 회로와,
상기 제2 인터럽트 신호를 입력하고 제1 플래그를 세트하는 제1 플래그 회로와,
상기 제5 인터럽트 신호를 입력하고 제2 플래그를 세트하는 제2 플래그 회로와,
상기 제1 플래그, 상기 제2 플래그가 함께 세트되었을 때, 상기 시스템을 리셋시키는 리셋 신호를 출력하는 회로와,
상기 제1 내지 제6 인터럽트 신호를 입력하고, 상기 제1 저하 검출 회로 또는 상기 제2 저하 검출 회로의 상기 소정의 시간 폭을 변경하는 연산 처리 회로
를 구비하며,
상기 제1 전압값, 상기 제2 전압값이, 상기 시스템의 정상 동작을 보증하는 최저 전압보다 크고, 상기 제1 전압값이 상기 제2 전압값보다 큰 반도체 장치.
청구항 3에 있어서,
상기 제1 저하 검출 회로는, 상기 전원 전압이 상기 제1 전압값 이하일 때의 시간 폭 카운터값, 및, 상기 전원 전압이 상기 제1 전압값 이하로부터 상기 제1 전압값보다 커지고, 다시 상기 제1 전압값 이하가 될 때까지의 시간 간격 카운터값을 산출하는 카운터 회로를 구비하며,
상기 제2 저하 검출 회로는, 상기 전원 전압이 상기 제2 전압값 이하일 때의 시간 폭 카운터값, 및, 상기 전원 전압이 상기 제2 전압값 이하로부터 상기 제2 전압값보다 커지고, 다시 상기 제2 전압값 이하가 될 때까지의 시간 간격 카운터값을 산출하는 카운터 회로를 구비하며,
상기 연산 처리 회로는,
상기 제1 저하 검출 회로가 상기 제1 인터럽트 신호를 출력했을 때, 상기 제1 저하 검출 회로로부터 상기 시간 폭 카운터값 및 상기 시간 간격 카운터값을 판독하고,
상기 제2 저하 검출 회로가 상기 제4 인터럽트 신호를 출력했을 때, 상기 제2 저하 검출 회로로부터 상기 시간 폭 카운터값 및 상기 시간 간격 카운터값을 판독하며,
상기 시간 폭 카운터값 및 상기 시간 간격 카운터값에 근거하여, 상기 제1 저하 검출 회로 또는 상기 제2 저하 검출 회로의 상기 소정의 시간 폭값을 변경하는
반도체 장치.
청구항 4에 있어서,
상기 제1 저하 검출 회로 및 상기 제2 저하 검출 회로는,
상기 연산 처리 회로로부터 입력한 상기 소정의 시간 폭 및 상기 소정의 시간 간격을 기록하고, 상기 소정의 시간 폭 및 상기 소정의 시간 간격을 상기 카운터 회로에 설정하는 시간 폭 설정 레지스터 및 시간 간격 설정 레지스터와,
상기 카운터 회로로부터 입력한 상기 시간 폭 카운터값 및 상기 시간 간격 카운터값을 기록하고, 상기 연산 처리 회로에 의해 상기 시간 폭 카운터값 및 상기 시간 간격 카운터값이 판독되는 시간 폭 카운터값 레지스터 및 시간 간격 카운터값 레지스터
를 구비하는
반도체 장치.
감시 대상 시스템의 전원 전압이 제1 전압값을 상회했을 때 또는 상기 제1 전압값을 하회했을 때에 제1 인터럽트 신호를 출력하고, 상기 전원 전압이 상기 제1 전압값 이하인 상태가 소정의 시간 폭 이상이 되었을 때에 제2 인터럽트 신호를 출력하며, 상기 전원 전압이 상기 제1 전압값 이하로부터 상기 제1 전압값보다 커지고, 소정의 시간 간격 이상 상기 제1 전압값 이하가 되지 않았을 때에 제3 인터럽트 신호를 출력하는 제1 저하 검출 회로와,
상기 전원 전압이 제2 전압값을 상회했을 때 또는 상기 제2 전압값을 하회했을 때에 제4 인터럽트 신호를 출력하고, 상기 전원 전압이 상기 제2 전압값 이하가 되는 상태가 소정의 시간 폭 이상이 되었을 때에 제5 인터럽트 신호를 출력하며, 상기 전원 전압이 상기 제2 전압값 이하로부터 상기 제2 전압값보다 커지고, 소정의 시간 간격 이상 상기 제2 전압값 이하가 되지 않았을 때에 제6 인터럽트 신호를 출력하는 제2 저하 검출 회로와,
상기 제2 인터럽트 신호를 입력하고 제1 플래그를 세트하는 제1 플래그 회로와,
상기 제5 인터럽트 신호를 입력하고 제2 플래그를 세트하는 제2 플래그 회로와,
상기 제1 플래그, 상기 제2 플래그가 함께 세트되었을 때, 상기 시스템을 리셋시키는 리셋 신호를 출력하는 회로와,
상기 제1 내지 제6 인터럽트 신호를 입력하고, 상기 제1 저하 검출 회로 또는 상기 제2 저하 검출 회로의 상기 소정의 시간 폭을 변경하는 연산 처리 회로
를 구비하며,
상기 제1 전압값, 상기 제2 전압값이, 상기 시스템의 정상 동작을 보증하는 최저 전압보다 크고, 상기 제1 전압값이 상기 제2 전압값보다 큰 반도체 장치.