KR20190069955A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 변을 갖는 표시 영역 및 표시 영역의 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역 중 이형 변으로 인해 좌측의 표시 영역과 우측의 표시 영역으로 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선 및 노치 영역에서 좌측의 표시 영역과 우측의 표시 영역으로 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선을 연결하는 연결 금속 배선을 포함할 수 있다. 이와 같이, 이형 변 형성으로 인해 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선을 전기적으로 연결하는 연결 금속 배선을 형성함으로써 복수의 게이트 배선의 길이 차로 인한 스캔 부하 양을 보상할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이형 구조를 갖는 표시 장치에 관한 것이다.
현재 다양한 표시 장치들이 개발 및 시판되고 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치(liquid crystal display device; LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display device; FED), 전기 영동 표시 장치(electro phoretic display device; EPD), 전기 습윤 표시 장치(electro-wetting display device; EWD) 및 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device; OLED), 양자점 표시 장치(quantum dot display device; QD) 등의 표시 장치가 있다.
표시 장치는 복수의 화소가 배치되어 영상이 구현되는 표시 영역과 표시 영역을 둘러싸며 영상이 구현되지 않는 비표시 영역을 포함한다. 이때, 표시 영역에는 복수의 화소가 정의될 수 있다. 또한, 비표시 영역에는 복수의 화소에 다양한 신호를 전달하기 위한 배선 및 회로가 배치된다.
이러한 표시 장치를 구현하기 위한 기술이 발전하면서 많은 제품들이 양산됨에 따라, 표시 장치는 소비자가 원하는 디자인을 구현하기 위한 기술 위주로 발전하고 있다. 그 중 한가지는 영상이 구현되는 표시 영역의 형태의 다양화이다. 구체적으로, 표시 영역은 사각형의 형태에서 벗어나 다양한 형태가 요구되고 있다.
본 발명의 발명자들은 이형 구조를 갖는 표시장치에 있어서 이형 구조, 즉 이형 변을 포함하는 표시 영역의 스캔 부하(scan load)와 이형 변을 포함하지 않는 표시 영역의 스캔 부하 차가 발생하게 되고, 이로 인해 샘플링 전압 차가 발생하게 되어 표시 장치의 표시 품질이 저하되는 문제를 인식하였다.
이에, 본 발명의 발명자들은 이형 구조를 갖는 표시장치에서 발생할 수 있는 스캔 부하 차이로 인한 문제점을 해결하기 위한 새로운 구조의 표시장치를 개발하였다.
구체적으로, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이형 변으로 인해 형성된 노치 영역에 커패시턴스 보상용 패턴을 배치하여 이형 변의 형성으로 인한 표시 영역의 스캔 부하 차이를 보상할 수 있는 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 변을 갖는 표시 영역 및 표시 영역의 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역 중 이형 변으로 인해 좌측의 표시 영역과 우측의 표시 영역으로 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선 및 노치 영역에서 좌측의 표시 영역과 우측의 표시 영역으로 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선을 연결하는 연결 금속 배선을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 이형 변 형성으로 인해 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선을 전기적으로 연결하는 연결 금속 배선을 형성함으로써 복수의 게이트 배선의 길이 차로 인한 스캔 부하 차이를 저하시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는, 영상을 표시하는 표시 영역에 배치된 복수의 화소, 복수의 화소에 게이트 신호를 인가하고, 상기 표시 영역의 네 변 중 하나 이상의 이형 변으로 인해 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선, 복수의 화소에 고전위 전원 및 저전위 전원을 인가하는 복수의 전원 배선, 복수의 전원 배선의 하부에 배치되고, 상기 이형 변으로 인해 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선을 연결하는 복수의 연결 금속 배선 및 복수의 연결 금속 배선 하부에 배치된 커패시턴스 보상 패턴을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는 커패시턴스 보상 패턴을 형성함으로써 이형 변을 갖는 표시 영역의 RC 딜레이를 이형 변을 갖지 않는 표시 영역의 RC 딜레이를 기준으로 보상함으로써 표시 장치의 휘도 불균형을 최소화할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 노치 영역에 스캔 부하 보상용 패턴, 즉, 노치 영역으로 인해 분리된 제2 표시 영역의 게이트 배선을 연결하는 연결 금속 배선을 배치하여 이형 변으로 인한 표시 영역의 스캔 부하 차이를 저하시킬 수 있다.
본 발명은 노치 영역에 배치된 연결 금속 배선이 고전위 전원 링크 배선 또는 저전위 전원 링크 배선과 중첩되도록 배치하여 커패시턴스를 보상하도록 하여 이형 변으로 인한 표시품질 저하를 최소화시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2은 도 1의 A 영역에 대한 확대도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 구조를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1의 B 영역에 대한 확대도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 전원 배선과 연결 금속 배선 간 중첩을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 커패시턴스 보상 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 1 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 제1 게이트 구동부(111), 제2 게이트 구동부(112), 데이터 구동부(120), 고전위 전원 링크 배선 영역(VDDA), 저전위 전원 링크 배선 영역(VSSA), 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL), 고전위 전원 공급 배선(VDDL) 및 저전위 전원 공급 배선(미도시) 을 포함한다.
기판(110)은 표시 장치(100)의 여러 구성 요소들을 지지하고 보호하기 위한 것으로, 유리 또는 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(110)에는 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역(NA)이 정의될 수 있다.
표시 영역(AA)은 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역으로서, 표시 영역(AA)에는 표시부 및 표시부를 구동하기 위한 다양한 구동 소자 및 신호 배선이 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시부는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자로 구성되는 유기 발광 표시부일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 표시부는 화소 전극과 공통 전극에 인가된 전압에 의해 발생되는 전계에 의해 액정을 구동하는 액정 표시부일 수도 있다. 또한, 표시부를 구동하기 위한 박막 트랜지스터, 커패시터 등과 같은 다양한 구동 소자가 표시 영역(AA)에 배치될 수 있다. 또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL) 및 고전위 전압 공급 배선(VDDL)과 같은 복수의 신호 배선이 표시 영역(AA)에 배치될 수 있다.
표시 영역(AA)에는 복수의 화소가 배치된다. 복수의 화소는 빛을 발광하는 최소 단위로, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소를 포함할 수 있다. 또한, 복수의 화소는 백색 화소를 더 포함할 수도 있다. 표시 영역(AA)의 복수의 화소 각각은 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL) 및 고전위 전압 공급 배선(VDDL)과 연결될 수 있다.
도 1을 참조하면, 표시 영역(AA)은 표시 영역(AA)을 이루는 네 개의 변 중 하나의 변이 이형 구조를 갖는 이형 변일 수 있다. 여기서, 이형 변은 네 개의 변 중 장변을 갖는 좌우 변과 단변을 갖는 상하 변 중 단변을 갖는 상하 변 중 하나일 수 있다. 이형 변은 직선 형상의 변이 아닌 굴곡진 형상을 갖는 변을 의미한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서 이형 구조는 이형 변에 의해 발생하는 구조로, 원, 삼각형, 사각형, 마름모, 오각형, 육각형 등 다각형이 변형되어 다각형으로 정의하기 어려운 변형된 형태 및 표시 영역(AA) 내부에 화소가 배치되지 않아 영상을 표시할 때 화소가 배치되지 않은 영역이 시인될 수 있도록 구성된 형태를 지칭한다.
도 1을 참조하면, 표시 영역(AA)의 상변, 하변, 좌변, 우변 중 하변이 이형 변에 해당한다. 본 발명에 따른 일 실시예에서는 이형 변을 포함하지 않는 표시 영역의 상부 영역을 제1 표시 영역(AA1)이라 지칭하고, 이형 변을 포함하는 표시 영역(AA)의 하부 영역을 제2 표시영역(AA2)이라 지칭하고자 한다.
제2 표시 영역(AA2)은 중앙부에 배치된 이형 변으로 인해 좌우측으로 분리된 제2-1 표시 영역(A21) 및 제2-2 표시 영역(A22)을 포함할 수 있다. 제2-1 표시 영역(AA21)은 제1 게이트 구동부(111)로부터 게이트 신호를 인가받을 수 있다. 제2-2 표시 영역(AA22)은 제2 게이트 구동부(112)로부터 게이트 신호를 인가받을 수 있다. 제2 표시 영역(AA2)의 이형 변은 표시 영역(AA)의 상측 방향으로 오목하게 안쪽으로 들어간 형태이므로, 이형 변에 대응하는 오목부 형상의 이형 구조가 정의될 수 있다. 제2 표시 영역(AA2)의 이형 변이 오목하게 들어간 위치에는 화소가 배치되지 않으므로 영상이 표시되지 않으며, 노치 영역(Notch Area; NTA)로 정의될 수 있다. 이에 따라, 제2 표시 영역(AA2)은 제1 표시 영역(AA1)과 서로 다른 크기의 표시 면적을 가질 수 있다. 즉, 제2 표시 영역(AA2)의 표시 면적은 제1 표시 영역(AA1)의 표시 면적보다 작은 크기를 가질 수 있다.
노치 영역(NTA)은 영상이 표시되지 않는 영역이므로, 비표시 영역(NA)에 포함될 수 있다. 이렇게 이형 변이 오목하게 들어간 노치 영역(NTA)에는 물리적인 구성요소, 예를 들어, 버튼, 스피커, 및 스위치 등이 배치되어 표시 장치(100)의 다른 기능들이 구현될 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 배선(GL)은 표시 영역(AA)의 4개의 변 중 하나의 변이 이형 구조를 갖는 이형 변으로 구성되기 때문에 이형 구조가 배치되지 않은 제1 표시 영역(AA1)과 이형 구조가 배치된 제2 표시 영역(AA2)의 배선의 길이가 상이해진다. 즉, 제2 표시 영역(AA2)은 화소가 배치되지 않는 노치 영역(NTA)으로 인해 제2-1 표시 영역(AA21)과 제2-2 표시 영역(AA22)로 분리되어 배치됨으로 배선의 길이가 제1 표시 영역(AA1)에 비해 짧을 수 있다. 이에 따라 제1 표시 영역(AA1)에 배치된 게이트 배선(GL)과 제2 표시 영역(AA2)의 게이트 배선(GL)의 부하 량 차이가 발생하게 된다. 이를 보상하기 위해, 노치 영역(NTA)에는 분리되어 배치된 제2-1 표시 영역(AA21)에 배치된 복수의 게이트 배선(GL)과 제2-2 표시 영역(AA22)에 배치된 복수의 게이트 배선(GL)을 전기적으로 연결하는 복수의 연결 금속 배선(CML)이 배치될 수 있다.
도 1에서는 사각형의 형태인 표시 영역(AA)의 변형 예로 사각형의 한 변의 일부가 오목하게 들어간 형태를 나타냈으나, 이에 한정되지 않고 여러가지 형태로 구현될 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(AA)의 복수의 변이 이형 변으로 구현될 수도 있고, 표시 영역(AA) 내부에 다양한 형태의 구멍이 형성될 수 있다. 구멍 안의 영역은 화소들이 배치되지 않아 영상을 표시하지 않는 영역이므로 비표시 영역(NA)에 포함될 수 있다.
비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로, 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역으로 정의될 수 있다. 비표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 화소를 구동하기 위한 다양한 구성요소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 게이트 구동부(111, 112), 고전위 전원 링크 배선 영역(VDDA) 및 저전윈 전원 링크 배선 영역(VSSA) 등이 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 배치될 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 표시 영역(AA)이 이형 구조를 가짐에 따라, 비표시 영역(NA)도 이형 구조를 가질 수 있다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 비표시 영역(NA) 또한 표시 영역(AA)의 이형 구조를 따르는 형상을 가질 수 있고 이 영역을 노치 영역(NTA)이라 할 수 있다.
제1 및 제2 게이트 구동부(111, 112)는 타이밍 콘트롤러에서 출력되는 게이트 제어 신호에 기초하여 표시 영역(AA)의 복수의 게이트 배선(GL)에 게이트 신호를 출력하고, 데이터 전압이 충전되는 화소를 선택할 수 있다. 보다 상세하게, 제1 게이트 구동부(111)는 제2-1 표시 영역(AA21)에 배치된 복수의 게이트 배선(GL)에 게이트 신호를 출력하고, 제2 게이트 구동부(112)는 제2-2 표시 영역(AA22)에 배치된 복수의 게이트 배선(GL)에 게이트 신호를 출력할 수 있다.
고전위 전원 링크 배선 영역(VDDA)는 데이터 구동부(120)로부터 고전위 전압을 공급받아 표시 영역(AA)의 고전위 전원 배선(VDDL)으로 전달하는 복수의 고전위 전원 링크 배선이 배치되는 영역일 수 있다. 고전위 전원 링크 배선 영역(VDDA)에 배치된 복수의 고전위 전원 링크 배선은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 특히, 고전위 전원 링크 배선 영역(VDDA)에 배치된 복수의 고전위 전원 링크 배선들은 이형 변의 형상에 따라 배치될 수 있다. 도 1을 참조하면, 고전위 전원 링크 배선 영역(VDDA)은 이형 변으로 인해 표시 영역(AA)의 내측 방향으로 형성된 오목부 형상을 가짐에 따라 고전위 전원 링크 배선 영역(VDDA) 또한 오목부 형상을 갖도록 배치될 수 있다. 고전위 전원 링크 배선 영역(VDDA)은 표시 영역(AA)의 복수의 고전위 전원 배선(VDDL)과 연결될 수 있다. 복수의 고전위 전원 배선(VDDL)은 고전위 전압을 표시 영역(AA)의 각 화소에 전달하기 위한 배선이다. 복수의 고전위 전원 배선(VDDL) 각각은 고전위 전원 링크 배선 영역(VDDA)에 배치된 복수의 고전위 전원 링크 배선(미도시) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.
저전위 전원 링크 배선 영역(VSSA)은 데이터 구동부(120)로부터 저전위 전압을 공급받아 각각의 화소로 전달하는 복수의 저전위 전원 링크 배선이 배치되는 영역일 수 있다. 저전위 전원 링크 배선 영역(VSSA)에 배치된 복수의 저전위 전원 링크 배선은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 특히, 저전위 전원 링크 배선 영역(VSSA)에 배치된 복수의 저전위 전원 링크 배선들은 이형 변의 형상에 따라 배치될 수 있다. 도 1을 참조하면, 저전위 전원 링크 배선 영역(VSSA)은 제2 표시 영역(AA2)이 이형 변으로 인해 표시 영역(AA)의 내측 방향으로 형성된 오목부 형상을 가짐에 따라 저전위 전원 링크 배선 영역(VSSA) 또한 오목부 형상을 갖도록 배치될 수 있다. 저전위 전원 링크 배선 영역(VSSA)은 표시 영역(AA)의 저전위 전원 공급 배선(미도시)과 연결된다. 본 발명의 일 실시예에서 저전위 전원 공급 배선이 화소 영역에 배치되는 것으로 설명하였으나, 저전위 전원 공급 배선은 일체로 형성되어 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
고전위 전원 공급 배선(VDDL)과 저전위 전원 공급 배선은 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 고전위 전원 공급 배선(VDDL)과 저전위 전원 공급 배선은 표시 영역(AA)에 배치된 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에서는 고전위 전원 공급 배선(VDDL)과 저전위 전원 공급 배선이 동일한 물질로 이루어진 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 고전위 전원 공급 배선(VDDL)은 표시 영역(AA)에 배치된 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어지고, 저전윈 전원 공급 배선은 표시 영역(AA)에 배치된 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
표시 영역(AA)에는 복수의 데이터 배선(DL)이 배치된다. 복수의 데이터 배선(DL)은 데이터 전압을 표시 영역(AA)의 각 화소에 전달하기 위한 배선이다. 복수의 데이터 배선(DL)은 데이터 링크 배선을 통해 데이터 구동부(120)와 연결된다.
데이터 구동부(120)는 타이밍 컨트롤러로부터 전송된 데이터 구동 제어 신호에 기초하여 생성된 데이터 신호를 표시 영역(AA)의 데이터 라인(DL)에 출력한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 데이터 구동부(120)는 플렉서블 기판(120)에 포함될 수 있고, 칩 온 필름(Chip On Film) 형태로 배치될 수 있다. 칩 온 필름 형태란, 도 1에 상세하게 도시하지는 않았으나, 플렉서블한 베이스 필름 상에 데이터 구동 칩이 배치된 형태일 수 있다. 칩 온 필름 방식의 데이터 구동부(120)는 기판(110) 상에 배치된 데이터 구동 패드(미도시)와 전기적으로 연결되도록 배치되고, 베이스 필름 상에 배치된 복수의 신호 배선을 통해 기판(110)과 외부에 배치된 인쇄회로기판이 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2은 도 1의 A 영역에 대한 확대도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 구조를 나타낸 단면도이다. 도 4는 도 1의 B 영역에 대한 확대도이다. 도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 전원 배선과 연결 금속 배선 간 중첩을 설명하기 위한 단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 커패시턴스 보상 방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판(110)은 표시 영역(AA)과 비표시 영역(NA)을 포함한다. 특히 표시 영역(AA)은 이형 변이 배치되지 않은 제1 표시 영역(AA1)과 이형 변이 배치된 제2 표시 영역(AA2)을 포함할 수 있다. 제2 표시 영역(AA2)은 이형 변을 포함함으로써 형성되는 노치 영역(NTA)을 포함할 수 있고, 노치 영역(NTA)으로 인해 좌우로 분리되어 배치되는 제2-1 표시 영역(AA21)과 제2-2 표시 영역(AA22)을 포함할 수 있다.
제1 표시 영역(AA1)과 제2 표시 영역(AA2)은 복수의 화소(P)가 배치되고, 복수의 화소(P)에 의해 영상을 표시할 수 있다. 복수의 화소(P) 각각은, 도 3에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터(TR), 유기발광소자(OLED), 광차단막(LS), 게이트 절연막(GI), 제1 및 제2 절연막(ILD1, ILD2), 뱅크(BNK) 및 봉지층(EN)을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터(TR)는 투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연물질로 이루어진 기판(SUB) 위에 버퍼층(BUF)이 배치되고, 그 상부에 다결정 실리콘, 저온 폴리실리콘 및 산화 반도체 물질 중 어느 하나로 이루어진 액티브층(ACT)이 배치된다. 이때, 액티브층(ACT)이 다결정 실리콘, 저온 폴리실리콘 및 산화 반도체 물질 중 어느 하나로 이루어지고 탑 게이트 형상을 가진 경우 외부 광에 의해 박막 트랜지스터(TR)의 특성이 영향받는 것을 차단하기 액티브층(ACT) 하부에 광차단막(LS)이 배치된다. 광차단막(LS)은 광을 차단할 수 있는 저저항 불투명 도전 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(Al alloy) 등의 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등의 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등의 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등의 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)과 같은 저저항 불투명 도전 물질로 형성될 수 있다. 이와 같은, 광차단막(LS)와 액티브층(ACT)을 포함하는 기판(SUB) 상에는 게이트 절연막(GI)이 배치된다.
게이트 절연막(GI)은 액티브층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 절연시키기 위한 층으로, 절연 물질, 예를 들어, 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE)이 배치된다.
게이트 전극(GE)은 하부에 배치된 액티브층(ACT)의 상부에 배치된다. 게이트 전극(GE)은 저저항 불투명 도전 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(Al alloy) 등의 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등의 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등의 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등의 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)과 같은 저저항 불투명 도전 물질로 형성될 수 있다. 이와 같은, 게이트 전극(GE) 상에는 절연 물질로 이루어지는 제1 절연막(ILD1)이 배치된다.
제1 절연막(ILD1) 상에는 소스 전극(SE) 및 소스 전극(SE)과 이격된 드레인 전극(DE)이 배치되고, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 게이트 절연막(GI)과 제1 절연막(ILD1)에 형성된 콘택홀에 의해 액티브층(ACT)과 전기적으로 연결된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금(Al alloy) 등의 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등의 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등의 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등의 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti)과 같은 저저항 불투명 도전 물질로 형성될 수 있다. 이와 같이, 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 박막 트랜지스터(TR)가 기판(SUB) 상에 배치된다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에는 절연 물질로 이루어진 제2 절연막(ILD2)이 배치되고, 제2 절연막(ILD2) 상에는 평탄화막(PAC)이 배치된다. 평탄화막(PAC)은 유기 절연 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드와 같이 상면을 평탄화할 수 있는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 평탄화막(PAC) 상에는 제1 전극(E1) 및 뱅크(BNK)가 배치된다.
제1 전극(E1)은 애노드(Anode)일 수 있고, 제2 절연막(ILD2) 및 평탄화막(PAC)에 형성된 콘택홀에 의해 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 도시하지는 않았으나, 제1 전극(E1) 하부에는 반사막이 더 배치될 수 있다.
뱅크(BNK)는 제1 전극(E1)의 양측 일부를 덮으며 배치될 수 있고, 유기 발광층(EML)이 배치되어 발광할 수 있는 발광 영역을 정의할 수 있다. 즉, 뱅크(BNK)는 절연물질로 형성되고, 뱅크(BNK)가 갖는 개구부에 유기 발광층(EML)이 배치되어 발광할 수 있다. 뱅크(BNK)에 의해 일부 노출된 제1 전극(E1) 상에는 유기 발광층(EML)이 배치된다.
유기 발광층(EML)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 포함할 수 있다. 유기발광층(EML) 및 뱅크(BNK) 상부에는 제2 전극(E2)이 배치된다.
제2 전극(E2)은 캐소드(Cathode)일 수 있고, 제2 전극(E2)은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 투명 도전성 물질은, 예를 들어, 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이와 같은 제2 전극(E2)은 제1 전극(E1) 및 유기 발광층(EML)과 함께 유기발광소자(OLED)를 이룰 수 있다.
이와 같은 유기발광소자(OLED) 상부에는 유기발광소자(OLED)를 보호하고, 외부에서 투입되거나 공정 중 발생할 수 있는 이물이 유기발광소자(OLED)에 투입되지 못하도록 하는 봉지층(EN)이 배치된다. 봉지층(EN)은 복수의 무기막과 복수의 유기막이 번갈아 배치된 구조를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 유기발광소자(OLED)를 포함하는 화소를 실시예로 들어 설명하였으나, 이에 제한되지 않고, 액정 소자를 포함하여 이루어질 수도 있다.
이와 같은 복수의 화소(P)가 배치된 표시 영역(AA) 중 제2 표시 영역(AA2)에는 이형 변의 형상에 의해 정의되는 오목부를 갖는다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 표시 영역(AA) 중 제2 표시 영역(AA2)은 내측으로 오목하게 들어간 노치 영역(NTA)을 가질 수 있다. 노치 영역(NTA)은, 앞서 설명한 바와 같이, 화소가 배치되지 않은 비표시 영역(NA)일 수 있다.
제2 표시 영역(AA2)에 배치된 게이트 배선(GL)들은 제1 표시 영역(AA1)에 배치된 게이트 배선(GL)들에 비해 노치 영역(NTA)으로 인해 짧은 길이를 갖는다. 이로 인해, 제1 표시 영역(AA1)의 스캔 부하 량과 제2 표시 영역(AA2)의 스캔 부하 량 차이가 발생하게 된다. 그러나, 일반적으로, 데이터 구동부(120)에서 출력되는 데이터 신호, 즉 데이터 전압은, 제1 표시 영역(AA1)과 제2 표시 영역(AA2)에 동일하게 인가된다. 이에 따라, 일반적으로 이형 변을 포함하는 표시 장치는 게이트 배선의 길이 차이에 따라 스캔 부하 차이가 발생하게 되고, 제1 표시 영역(AA1)과 제2 표시 영역(AA2)의 휘도가 상이해지는 문제가 있다. 보다 상세하게, 제1 표시 영역(AA1)의 휘도에 비해 제2 표시 영역(AA2)의 휘도가 낮아 얼룩처럼 인식될 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 노치 영역(NTA)에는 제2 표시 영역(AA2)에 배치된 복수의 게이트 배선(GL)의 스캔 부하를 보상하기 위한 스캔 부하 보상 패턴이 배치될 수 있다. 여기서, 스캔 부하 보상 패턴은 노치 영역(NTA)으로 분리되어 배치된 제2 표시 영역(AA2)의 게이트 배선(GL)을 노치 영역(NTA)에서 전기적으로 연결하는 복수의 연결 금속 배선(CML)일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 부하 보상 패턴은 노치 영역(NTA)에 배치된 연결 금속 배선(CML) 외에 커패시턴스를 보상할 수 있는 액티브층 또는 게이트 배선이 배치될 수 있다. 이에 대한 보다 상세한 설명은 다음 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 살펴보기로 한다.
복수의 연결 금속 배선(CML)은 노치 영역(NTA)으로 인해 분리되어 배치된 제2-1 표시 영역(AA21)의 게이트 배선(GL)과 제2-2 표시 영역(AA22)의 게이트 배선(GL)을 전기적으로 연결한다. 복수의 연결 금속 배선(CML)은 노치 영역(NTA)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 즉, 복수의 연결 금속 배선(CML)은 제2 표시 영역(AA2)에 형성된 오목부의 형상에 따라 배치될 수 있다. 이에 따라, 복수의 연결 금속 배선(CML)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 오목부 형상에 따라 굴곡진 영역인 B 영역에서는 계단 형상으로 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 굴곡진 영역에서 복수의 연결 금속 배선(CML)을 계단 형상으로 배치함으로써 비표시 영역(NA)의 넓어지지 않고도 스캔 부하를 보상할 수 있는 연결 금속 배선(CML)을 배치시킬 수 있다.
복수의 연결 금속 배선(CML)은 고전위 전원 링크 배선 영역(VDDA) 또는 저전위 전원 링크 배선 영역(VSSA)에 중첩하여 배치될 수 있다. 이와 같이, 연결 금속 배선(CML)과 고전위 전원 링크 배선 또는 저전위 전원 링크 배선의 중첩 영역은, 도 5a에 도시된 바와 같이, 연결 금속 배선(CML)은 제1 및 제2 표시 영역(AA1, AA2)의 게이트 배선(GL)과 동일한 물질로 이루어지고, 게이트 배선(GL)이 배치되는 동일한 층에 배치된다. 연결 금속 배선(CML)은 제1 절연막(ILD1) 상에 배치된 고전위 전원 링크 배선 또는 저전위 전원 링크 배선인 전원 배선(PL)과 제1 커패시턴스(C1)을 형성할 수 있다. 전원 배선(PL)은 제1 및 제2 표시 영역(AA1, AA2)에 배치된 데이터 배선(DL)과 동일한 물질로 이루어질 수 있고, 동일한 층에 배치될 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 노치 영역(NTA)의 배치로 인해 분리되어 배치된 제2 표시 영역(AA2)의 게이트 배선(GL)을 전기적으로 연결하는 연결 금속 배선(CML)을 배치하되, 연결 금속 배선(CML)을 고전위 전원 링크 배선 또는 저전위 전원 링크 배선인 전원 배선(PL)과 중첩되도록 하여 커패시턴스를 형성하도록 함으로써 제1 표시 영역(AA1)과 RC 딜레이와 동일해지도록 하여 스캔 부하 차이로 인한 표시 장치(100)의 휘도 불균일을 최소화시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 제1 표시 영역(AA1)의 RC 딜레이를 기준 값으로 설정하고, 노치 영역(NTA)을 포함하는 제2 표시 영역(AA2)의 RC 딜레이를 기준 값과 비교한 후, 노치 영역(NTA)에 배치된 연결 금속 배선(CML)과 커패시턴스를 형성할 수 있는 스캔 부하 보상 패턴, 즉 커패시턴스 보상 패턴을 더 배치할 수 있다.
커패시턴스 보상 패턴을 형성하기 위해서, 먼저, 제1 표시 영역(AA1)의 RC 딜레이를 연산하여 이를 기준 값으로 설정한다. 도 6을 참조하면, 제1 표시 영역(AA1), 즉 기준 영역의 RC 딜레이(τ)는 72190.5137이 된다. 이러한 RC 딜레이(τ)가 기준 값이 되고, 예를 들어, A 노치 영역(Top notch A)의 RC 딜레이(τ)는 4.00E+04이므로, 보상 필요한 RC 딜레이는 32.182.70926이 되며, 기준 값을 기준으로 스캔 부하 차이로 인한 문제를 해결하기 위한 커패시턴스 값을 연산하면 7194.985557이 된다. 참고적으로 도 6의 A 노치 영역에서 F 노치 영역 순으로 노치 영역(NTA) 형성으로 인한 제2 표시 영역(AA2)의 게이트 배선(GL)의 길이가 가변된 수, 다시 말해 화소의 스캔 부하가 가변된 수가 점점 많아지는 순이다.
이와 같은 방법으로 기준 RC 딜레이 값과 노치 영역(NTA)으로 인해 게이트 배선(GL)의 길이가 가변된 제2 표시 영역(AA2)의 RC 딜레이를 비교하여 기준 RC 딜레이와 제2 표시 영역의 RC 딜레이의 차이를 연산한 후, 보상 필요한 커패시턴스로 환산할 수 있다.
이렇게 환산된 커패시턴스는 노치 영역(NTA)에 배치된 연결 금속 배선과 커패시턴스를 형성할 수 있는 보상 패턴을 추가 형성함으로써 제2 표시 영역(AA2)의 RC 딜레이를 개선하여 이형 변 배치로 인해 표시 장치(100)의 영상 품질 저하를 최소화시킬 수 있다.
도 5b를 참조하면, 앞서 설명한 도 5a의 구조에 더하여 커패시턴스를 더 형성하기 위해 게이트 절연막(GI) 하부에 제1 및 제2 표시 영역(AA1, AA2)의 액티브층(ACT)이 부가하여 배치하고, 전원 배선(PL)과 액티브층(ACT)을 게이트 절연막(GI)에 콘택홀을 형성하여 이를 통해 전기적으로 연결함으로써 도 5a 에서의 제1 커패시턴스(C1)에 더하여 제2 커패시턴스(C2)를 형성할 수 있다.
한편, 커패시턴스를 형성하기 위해, 도 5c에 도시된 바와 같이, 기판(SUB) 상에 배치된 제1 표시 영역(AA1, AA2)에 배치된 광 차단막(LS)을 부가 배치하고, 전원 배선(PL)과 광 차단막(LS)을 버퍼층(BUF) 및 게이트 절연막(GI)에 배치된 콘택홀을 통해 전기적으로 연결함으로써 도 5a에서의 제1 커패시턴스(C1)에 더하여 제2 커패시턴스(C2)를 형성할 수 있다.
또한, 도시하지는 않았으나, 광 차단막(LS), 액티브층(ACT) 및 연결 금속 배선(CML)은 모두 서로 다른 층에 절연막을 두고 배치되기 때문에 커패시턴스 보상을 위해 광 차단막(LS), 액티브층(ACT) 및 연결 금속 배선(CML)이 모두 중첩되어 배치될 수도 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 커패시턴스 보상 패턴으로 표시 영역에 배치된 액티브층(ACT) 또는 광 차단막(LS)을 더 배치하여 커패시턴스를 기준 값과 동일해지도록 형성함으로써 별도의 마스크 추가 없이 노치 영역(NTA)에 커패시턴스 보상 패턴을 배치할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 이형 변 형성으로 인해 변화된 RC 딜레이를 이형 변이 형성되지 않은 표시 영역의 RC 딜레이와 동일해지도록 커패시턴스를 보상하기 위한 보상 패턴을 형성함으로써 표시 장치의 휘도 불균일을 저감시킬 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 변을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 상기 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역 중 상기 이형 변으로 인해 좌측의 표시 영역과 우측의 표시 영역으로 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선 및 노치 영역에서 좌측의 표시 영역과 우측의 표시 영역으로 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선을 연결하는 연결 금속 배선을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 연결 금속 배선은 상기 이형 변으로 인한 이형 구조를 따라 배치될 수 있다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 연결 금속 배선은 이형 변으로 인한 이형 구조 형상이 굴곡지게 형성된 영역에서 계단 형상으로 배치될 수 있다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 노치 영역에는 상기 표시 영역에 고전위 전원과 저전위 전원을 공급하기 위한 복수의 고전위 전원 링크 배선과 복수의 저전위 전원 링크 배선이 더 배치될 수 있다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 연결 금속 배선은 상기 복수의 고전위 전원 링크 배선 또는 복수의 저전위 전원 링크 배선과 서로 다른 층에 배치될 수 있다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 연결 금속 배선은 상기 복수의 고전위 전원 링크 배선 또는 복수의 저전위 전원 링크 배선과 중첩하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 노치 영역에는 상기 이형 변을 갖는 표시 영역의 커패시턴스를 보상하기 위한 커패시턴스 보상 패턴이 더 배치될 수 있다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 커패시턴스 보상 패턴은 표시 영역에 배치된 액티브층 또는 광차단막일 수 있다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 커패시턴스 보상 패턴은 상기 이형 변을 갖지 않는 표시 영역의 RC 딜레이를 기준 값으로 설정하고, 상기 이형 변을 갖는 표시 영역의 RC 딜레이를 연산하여 상기 기준 값과 동일해지도록 배치되는 패턴일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 영역에 배치된 복수의 화소, 복수의 화소에 게이트 신호를 인가하고, 상기 표시 영역의 네 변 중 하나 이상의 이형 변으로 인해 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선, 복수의 화소에 고전위 전원 및 저전위 전원을 인가하는 복수의 전원 배선, 복수의 전원 배선의 하부에 배치되고, 이형 변으로 인해 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선을 연결하는 복수의 연결 금속 배선 및 복수의 연결 금속 배선 하부에 배치된 커패시턴스 보상 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 화소는 상기 표시 영역에 배치된 상기 이형 변의 영향으로 인해 상기 표시 영역 중 이형 변이 형성된 표시 영역과 상기 표시 영역 중 상기 이형 변이 형성되지 않은 표시 영역에 배치된 화소의 수가 서로 다를 수 있다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 화소의 수에 따라 RC 딜레이가 달라질 수 있다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 커패시턴스 보상 패턴은 상기 이형 변이 형성되지 않은 표시 영역의 RC 딜레이를 기준으로 상기 이형 변이 형성된 표시 영역의 커패시턴스를 보상하는 패턴일 수 있다.
본 발명의 또다른 특징에 따르면, 커패시턴스 보상 패턴은 상기 복수의 전원 배선과 전기적으로 연결될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시장치
110: 기판
111: 제1 게이트 구동부
112: 제2 게이트 구동부
120: 데이터 구동부
AA: 표시영역
AA1: 제1 표시영역
AA2: 제2 표시영역
AA21: 제2-1 표시영역
AA22: 제2-2 표시 영역
NTA: 노치 영역
NA: 비표시 영역
CML: 연결 금속 배선

Claims (14)

  1. 이형 변을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 상기 이형 변의 형상에 의해 정의된 노치 영역을 포함하여 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치된 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역 중 상기 이형 변으로 인해 좌측의 표시 영역과 우측의 표시 영역으로 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선; 및
    상기 노치 영역에서 좌측의 표시 영역과 우측의 표시 영역으로 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선을 연결하는 연결 금속 배선을 포함하는, 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연결 금속 배선은 상기 이형 변으로 인한 이형 구조를 따라 배치된, 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 연결 금속 배선은 상기 이형 변으로 인한 이형 구조 형상이 굴곡지게 형성된 영역에서 계단 형상으로 배치된, 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 노치 영역에는 상기 표시 영역에 고전위 전원과 저전위 전원을 공급하기 위한 복수의 고전위 전원 링크 배선과 복수의 저전위 전원 링크 배선이 더 배치된, 표시장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 연결 금속 배선은 상기 복수의 고전위 전원 링크 배선 또는 복수의 저전위 전원 링크 배선과 서로 다른 층에 배치된, 표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 연결 금속 배선은 상기 복수의 고전위 전원 링크 배선 또는 복수의 저전위 전원 링크 배선과 중첩하도록 배치된, 표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 노치 영역에는 상기 이형 변을 갖는 표시 영역의 커패시턴스를 보상하기 위한 커패시턴스 보상 패턴이 더 배치된, 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 커패시턴스 보상 패턴은 상기 표시 영역에 배치된 액티브층 또는 광차단막인, 표시장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 커패시턴스 보상 패턴은 상기 이형 변을 갖지 않는 표시 영역의 RC 딜레이를 기준 값으로 설정하고, 상기 이형 변을 갖는 표시 영역의 RC 딜레이를 연산하여 상기 기준 값과 동일해지도록 배치되는 패턴인, 표시장치.
  10. 영상을 표시하는 표시 영역에 배치된 복수의 화소;
    상기 복수의 화소에 게이트 신호를 인가하고, 상기 표시 영역의 네 변 중 하나 이상의 이형 변으로 인해 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선;
    상기 복수의 화소에 고전위 전원 및 저전위 전원을 인가하는 복수의 전원 배선;
    상기 복수의 전원 배선의 하부에 배치되고, 상기 이형 변으로 인해 분리되어 배치된 복수의 게이트 배선을 연결하는 복수의 연결 금속 배선; 및
    상기 복수의 연결 금속 배선 하부에 배치된 커패시턴스 보상 패턴을 포함하는, 표시장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 화소는 상기 표시 영역에 배치된 상기 이형 변의 영향으로 인해 상기 표시 영역 중 이형 변이 형성된 표시 영역과 상기 표시 영역 중 상기 이형 변이 형성되지 않은 표시 영역에 배치된 화소의 수가 서로 다른, 표시장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 화소의 수에 따라 RC 딜레이가 달라지는, 표시장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 커패시턴스 보상 패턴은 상기 이형 변이 형성되지 않은 표시 영역의 RC 딜레이를 기준으로 상기 이형 변이 형성된 표시 영역의 커패시턴스를 보상하는 패턴인, 표시장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 커패시턴스 보상 패턴은 상기 복수의 전원 배선과 전기적으로 연결된, 표시장치.
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