KR20190058280A - 반송 장치, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법 - Google Patents

반송 장치, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

반송 중인 수지가 온도 상승하는 것을 억제한다.
반송 장치(11)는, 수지 성형 대상물(13)을 보유 지지하는 대상물 보유 지지 부재(24)와, 대상물 보유 지지 부재(24)에 설치되고 수지 성형 대상물(13)을 가열하는 가열부(29)와, 수지(16)를 보유 지지하는 수지 보유 지지 부재(25)와, 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지된 수지(16)를 냉각하는 냉각부(31)와, 수지 보유 지지 부재(25)의 주위를 둘러싸는 커버 부재(38)를 구비한다.

Description

반송 장치, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법{TRANSPORT APPARATUS, RESIN MOLDING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING RESIN MOLDED ARTICLE}
본 발명은, 수지를 반송하는 반송 장치, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법에 관한 것이다.
종래 기술로서, 예를 들어 특허문헌 1에 기판의 온도에 변동이 발생하지 않는 소형이고 저렴한 수지 밀봉 장치가 개시되어 있다. 이 수지 밀봉 장치는, 적어도 편측 표면에 전자 부품을 장착한 기판(90)을 프리히터 유닛(60)으로 예비 가열하고, 기판(90)을 몰드 유닛(30, 40)의 상하 금형으로 끼움 지지하여 전자 부품을 수지 밀봉하는 수지 밀봉 장치에 있어서, 몰드 유닛(30, 40)에 기판(90) 및 태블릿(91)을 공급하기 위해 왕복 이동하는 인로더 유닛(70)에 프리히터 유닛(60)을 탈착 가능하게 일체화함과 함께, 프리히터 유닛(60)을 인로더 유닛(70)을 통해 몰드 유닛(30, 40) 근방까지 이동 가능하게 한 것을 특징으로 한다.
일본 특허 공개 제2004-140047호 공보
특허문헌 1에 개시된 수지 밀봉 장치에서는, 인로더 유닛(70)에 프리히터 유닛(60)을 일체화한 상태에서, 기판(90) 및 태블릿(91)을 몰드 유닛(30, 40)의 근방까지 반송한다. 따라서, 프리히터 유닛(60)에 의해, 기판(90) 및 태블릿(91)은 반송 중에 예비 가열된다. 그 때문에, 태블릿(91)이 프리히터 유닛(60)으로부터 받는 열에 의해 온도 상승하여, 열변형될 우려가 있다.
본 발명은, 상기한 과제를 해결하는 것으로, 반송 중인 수지가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있는 반송 장치, 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 반송 장치는, 수지 성형 대상물을 보유 지지하는 대상물 보유 지지 부재와, 대상물 보유 지지 부재에 설치되고 수지 성형 대상물을 가열하는 가열부와, 수지를 보유 지지하는 수지 보유 지지 부재와, 수지 보유 지지 부재에 보유 지지된 수지를 냉각하는 냉각부와, 수지 보유 지지 부재의 주위를 둘러싸는 커버 부재를 구비한다.
본 발명에 따르면, 반송 중인 수지가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명에 관한 수지 성형 장치의 개요를 도시하는 개략 구조도이다.
도 2의 (a), (b)는 실시 형태 1에 있어서의 반송 장치를 도시하는 개요도이며, (a)는 개략 하면도, (b)는 개략 단면도이다.
도 3의 (a), (b)는 실시 형태 1에 있어서의 수지 보유 지지 부재를 도시하는 개요도이며, (a)는 개략 하면도, (b)는 A-A선 단면도이다.
도 4의 (a), (b)는 실시 형태 2에 있어서의 수지 보유 지지 부재를 도시하는 개요도이며, (a)는 개략 하면도, (b)는 B-B선 단면도이다.
도 5의 (a), (b)는 실시 형태 3에 있어서의 수지 보유 지지 부재를 도시하는 개요도이며, (a)는 개략 하면도, (b)는 C-C선 단면도이다.
도 6의 (a), (b)는 실시 형태 4에 있어서의 수지 보유 지지 부재를 도시하는 개요도이며, (a)는 개략 하면도, (b)는 D-D선 단면도이다.
도 7의 (a), (b)는 실시 형태 5에 있어서의 반송 장치를 도시하는 개요도이며, (a)는 개략 하면도, (b)는 개략 단면도이다.
도 8의 (a), (b)는 실시 형태 5에 있어서의 수지 보유 지지 부재를 도시하는 개요도이며, (a)는 개략 하면도, (b)는 E-E선 단면도이다.
도 9의 (a) 내지 (c)는 실시 형태 6에 있어서의 수지 배치부를 도시하는 개요도이며, (a)는 개략 하면도, (b)는 F-F선 단면도, (c)는 G-G선 단면도이다.
도 10의 (a), (b)는 실시 형태 7에 있어서의 반송 장치를 도시하는 개요도이며, (a)는 개략 하면도, (b)는 개략 단면도이다.
도 11의 (a), (b)는 실시 형태 7에 있어서의 수지 보유 지지 부재를 도시하는 개요도이며, (a)는 개략 하면도, (b)는 H-H선 단면도이다.
이하, 본 발명에 관한 실시 형태에 대해, 도면을 참조하여 설명한다. 본 출원 서류에 있어서의 어느 도면에 대해서도, 이해하기 쉽게 하기 위해, 적절하게 생략하거나 또는 과장하여 모식적으로 그려져 있다. 동일한 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙여 설명을 적절하게 생략한다.
〔실시 형태 1〕
(수지 성형 장치의 구성)
도 1을 참조하여, 본 발명에 관한 수지 성형 장치의 구성에 대해 설명한다. 도 1에 도시된 수지 성형 장치(1)는, 예를 들어 트랜스퍼 성형법을 사용한 수지 성형 장치이다. 수지 성형 장치(1)는 기반(2)을 갖는다. 기반(2)의 네 코너에 있어서, 4개의 보유 지지 부재인 타이 바(3)가 고정된다. 상방을 향해 신장되는 4개의 타이 바(3)의 상부에, 기반(2)에 대향하는 고정 플래튼(4)이 고정된다. 기반(2)과 고정 플래튼(4) 사이에 있어서, 기반(2)과 고정 플래튼(4) 각각에 대향하는 가동 플래튼(5)이 4개의 타이 바(3)에 끼워 넣어진다.
기반(2) 상에는, 가동 플래튼(5)을 승강시키는 형 체결 기구(6)가 설치된다. 형 체결 기구(6)는, 가동 플래튼(5)을 승강시켜 성형 형의 형 개방과 형 체결을 행한다. 형 체결 기구(6)는, 구동원과 전달 부재의 조합으로 구성된다. 예를 들어, 형 체결 기구(6)로서, 서보 모터와 볼 나사의 조합, 유압 실린더와 로드의 조합 등이 사용된다. 형 체결 기구(6)로서 토글 링크 기구를 사용할 수도 있다.
고정 플래튼(4)의 하면에는 상형(7)이 고정된다. 상형(7)의 하방에는, 상형(7)에 대향하여 하형(8)이 설치된다. 하형(8)은, 가동 플래튼(5)의 상면에 고정된다. 상형(7)과 하형(8)은, 합쳐서 성형 형(9)을 구성한다. 상형(7) 및 하형(8)에는 가열 수단인 히터(10)가 적절하게 설치된다. 상형(7) 및 하형(8)은, 히터(10)에 의해 170℃ 내지 180℃ 정도로 가열된다. 상형(7) 및 하형(8)은, 성형 형(9)에 공급되는 수지 재료를 가열하여 용융하는 것이 가능한 온도까지, 승온시켜 두는 것이 바람직하다.
성형 형(9)이 형 개방된 상태에서, 상형(7)과 하형(8)의 사이에는, 예를 들어 수지 성형 대상물과 수지 재료를 일괄하여 성형 형(9)에 공급하는 반송 장치(11)가 배치된다. 수지 성형 대상물로서, 예를 들어 반도체 칩(12)이 장착된 리드 프레임(13) 등이 하형(8)의 배치 영역(14)에 공급된다. 반도체 칩(12)은, 예를 들어 본딩 와이어(15)를 통해 리드 프레임(13)에 접속된다. 본 실시 형태에 있어서의 반송 장치(11)는, 수지 성형 대상물과 수지 재료를 일괄하여 성형 형(9)에 공급하는 반송 장치이다.
하형(8)에는, 예를 들어 수지 재료로서 타정 성형된 태블릿상 수지(16)를 수용하는 포트(17)가 설치된다. 포트(17) 내에는, 수용된 태블릿상 수지(16)를 가열하여 용융한 유동성 수지를 압박하기 위한 플런저(18)가 설치된다. 플런저(18)는, 전달 부재를 통해 구동 기구(19)에 접속된다. 구동 기구(19)는, 가동 플래튼(5)의 내부 또는 가동 플래튼(5)의 외부에 설치된다. 구동 기구(19)에 의해, 플런저(18)는 포트(17) 내를 승강한다.
상형(7)에는, 하형(8)의 배치 영역(14)에 대향하여 캐비티(20)가 마련된다. 또한, 상형(7)에는, 포트(17)에 대향하는 위치에 컬 오목부(21)가 마련된다. 컬 오목부(21)와 캐비티(20)는, 수지 통로가 되는 러너(22)를 통해 연통된다. 용융된 유동성 수지는, 포트(17)로부터 컬 오목부(21)와 러너(22)를 경유하여 캐비티(20)에 주입된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 캐비티(20)를 상형(7)에 마련한 경우를 나타냈다. 이것에 한정되지 않고, 상형(7) 및 하형(8)에 각각 캐비티를 마련할 수 있다. 이 경우에는, 리드 프레임(13)에 장착된 반도체 칩(12)은, 상형(7) 및 하형(8)에 마련된 캐비티에 성형된 경화 수지에 의해 수지 밀봉된다.
(수지 성형품의 제조 방법)
도 1을 참조하여, 수지 성형 장치(1)에 있어서, 예를 들어 반도체 칩(12)이 장착된 리드 프레임(13)에 대해 수지 성형을 행하여 수지 성형품을 제조하는 방법에 대해 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 먼저, 수지 성형 장치(1)에 있어서, 상형(7)과 하형(8)을 형 개방한다. 다음으로, 반송 장치(11)를 사용하여, 반도체 칩(12)이 장착된 리드 프레임(13)과 태블릿상 수지(16)를 상형(7)과 하형(8) 사이로 반송한다. 반송 장치(11)는, 리드 프레임(13)과 태블릿상 수지(16)를 일괄하여 성형 형(9)으로 반송하는 반송 장치이다.
후술하는 바와 같이, 리드 프레임(13)은, 경화 수지와의 밀착성을 좋게 하기 위해, 반송 중에 예비 가열된다. 이것은, 히터로 리드 프레임(13)을 미리 가열함으로써, 가열된 성형 형의 열에 의해 리드 프레임(13)이 급격하게 가열되어 변형되어 밀착성이 악화되는 것을 방지하기 위해서이다. 태블릿상 수지(16)로서는 열경화성 수지가 사용된다. 그 때문에, 반송 중에 태블릿상 수지(16)의 온도가 상승하면 태블릿상 수지(16)가 열화, 변질될 우려가 있다. 또한, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하면 태블릿상 수지(16)의 일부가 용융되어 반송 장치(11)에 부착될 우려가 있다. 따라서, 반송 장치(11)에 있어서, 태블릿상 수지(16)를 반송 중에 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 억제하는 것이 중요해진다.
다음으로, 반송 장치(11)가 하형(8)에 설치된 배치 영역(14)에 반도체 칩(12)이 장착된 리드 프레임(13)을 공급한다. 또한, 반송 장치(11)가, 하형(8)에 설치된 포트(17)에 태블릿상 수지(16)를 공급한다. 이때, 상형(7)과 하형(8)은, 상형(7)과 하형(8)에 설치된 히터(10)를 사용하여, 태블릿상 수지(16)를 가열하여 용융하는 것이 가능한 온도(예를 들어, 170℃ 내지 180℃ 정도)로, 이미 승온되어 있는 것이 바람직하다.
이 경우에는, 반송 장치(11)가, 별도 처리로서 리드 프레임(13)과 태블릿상 수지(16)를 각각 하형(8)에 공급하였다. 이것에 한정되지 않고, 반송 장치(11)가, 리드 프레임(13)과 태블릿상 수지(16)를 동시에 하형(8)에 공급해도 된다.
다음으로, 형 체결 기구(6)를 사용하여 가동 플래튼(5)을 상승시킨다. 이에 의해, 상형(7)과 하형(8)을 형 체결한다. 리드 프레임(13)에 장착된 반도체 칩(12)은, 상형(7)에 마련된 캐비티(20) 내에 수용된다. 성형 형(9)을 형 체결함으로써, 포트(17)에 공급된 태블릿상 수지(16)는 히터(10)에 의해 가열되어 용융되어, 유동성 수지를 생성한다.
다음으로, 구동 기구(19)를 사용하여 플런저(18)를 상승시켜, 용융된 유동성 수지를 압박한다. 포트(17)로부터 컬 오목부(21) 및 러너(22)를 경유하여, 유동성 수지를 캐비티(20)에 주입한다. 캐비티(20)를 유동성 수지에 의해 충전한 상태에서, 또한 유동성 수지를 가열함으로써 경화 수지를 성형한다. 이에 의해, 리드 프레임(13)에 장착된 반도체 칩(12)이 경화 수지에 의해 수지 밀봉된다. 바꾸어 말하면, 반도체 칩(12)이 장착된 리드 프레임(13)에 대해 수지 성형이 행해진다.
다음으로, 형 체결 기구(6)를 사용하여 가동 플래튼(5)을 하강시킴으로써, 상형(7)과 하형(8)을 형 개방한다. 수지 성형된 수지 성형품을 성형 형(9)으로부터 취출하고, 컬 오목부(21) 및 러너(22)에 성형된 불필요한 수지 성형부를 디게이트한다. 이 단계에서, 수지 성형품이 완성된다.
(반송 장치 및 수지 보유 지지 부재의 구성)
도 2 내지 도 3을 참조하여, 실시 형태 1에 있어서 사용되는 반송 장치(11) 및 수지 보유 지지 부재의 구성에 대해 설명한다.
도 2의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 반송 장치(11)는, 예를 들어 반송 유닛(23)과, 수지 성형 대상물을 보유 지지하는 대상물 보유 지지 부재(24)와 수지를 보유 지지하는 수지 보유 지지 부재(25)를 구비한다. 반송 장치(11)에 있어서, 반송 유닛(23)의 양측에 대상물 보유 지지 부재(24)가 배치되고, 반송 유닛(23)의 중앙부에 설치된 수지 배치부(26)에 복수의 수지 보유 지지 부재(25)가 배치된다. 이 경우에는, 반송 장치(11)는, 2개의 대상물 보유 지지 부재(24)와 3개의 수지 보유 지지 부재(25)를 갖는다. 실시 형태 1에서는, 반송 장치(11)가 수지 성형 대상물로서 반도체 칩(12)이 장착된 리드 프레임(13) 및 수지로서 태블릿상 수지(16)를 일괄하여 반송하는 경우를 나타낸다.
도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 각 리드 프레임(13)에는, 3개의 반도체 칩(12)이 장착되어 있다. 수지 배치부(26)에는, 3개의 수지 보유 지지 부재(25)가 배치되고, 각각의 수지 보유 지지 부재(25)에 태블릿상 수지(16)가 보유 지지되어 있다. 리드 프레임(13)에 장착되는 반도체 칩(12)의 수 및 수지 배치부(26)에 배치되는 수지 보유 지지 부재(25)의 수는 임의로 설정할 수 있다.
대상물 보유 지지 부재(24)에 있어서, 기대(27) 상에 배치된 리드 프레임(13)은, 리드 프레임 압박부(28)에 의해 기대(27)에 보유 지지된다. 기대(27)에는, 리드 프레임(13)을 반송 중에, 리드 프레임(13)을 예비 가열하기 위한 가열부인 히터(29)가 설치된다. 히터(29)를 사용하여 리드 프레임(13)은 100℃ 내지 170℃ 정도로 예비 가열된다. 이에 의해, 수지 성형할 때에 리드 프레임(13)과 경화 수지의 밀착성을 좋게 할 수 있다.
도 2의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 수지 보유 지지 부재(25)는, 예를 들어 태블릿상 수지(16)를 지지하는 핀 형상의 4개의 가이드 부재(30)와 개폐 부재인 셔터(31)를 구비한다. 핀 형상의 4개의 가이드 부재(30)는, 수지 배치부(26)에 배치되고, 반송 유닛(23)의 저면에 설치된다. 수지 배치부(26)에 있어서, 셔터(31)는 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 이동(개폐) 가능하다. 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 셔터(31)는 L자형의 형상으로 형성된다. 4개의 가이드 부재(30)에 의해 지지된 태블릿상 수지(16)는, L자형의 셔터(31)의 저면부에 의해 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지된다.
L자형의 셔터(31)에는, 예를 들어 냉각용 가스를 공급하기 위해, 중공 형상의 통로가 되는 관통 구멍(32)이 형성된다. 관통 구멍(32)은, 예를 들어 상부에 가스를 공급하는 가스 공급구(33)와 하부에 가스를 배출하는 가스 배출구(34)를 갖는다. 이 관통 구멍(32)에 냉각용 가스를 공급함으로써, 셔터(31) 자체가 냉각된다. 냉각된 셔터(31)에 의해, 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)가 냉각된다. 따라서, 셔터(31)는 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 냉각부로서 기능한다. 셔터(31)에 형성된 중공 형상의 통로가 되는 관통 구멍(32)은, 냉각용 가스를 공급하는 가스 공급부로서 기능한다. 여기서, 태블릿상 수지(16)가 냉각된 셔터(31)에 접촉함으로써 효과적으로 냉각된다.
냉각용 가스는, 셔터(31)의 상부에 형성된 가스 공급구(33)로부터 관통 구멍(32)을 경유하여, 셔터(31)의 하부에 형성된 가스 배출구(34)로부터 배출된다. 또한, 가스 배출구(34)로부터 배출된 냉각용 가스에 의해, 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)가 직접 냉각된다. 또한, 태블릿상 수지(16)를 핀 형상의 4개의 가이드 부재(30)에 의해 지지하고 있으므로, 태블릿상 수지(16)의 주위를 비교적 넓은 면적으로 덮도록 지지하는 구조와 비교하여, 태블릿상 수지(16)가 관통 구멍(32)으로부터 배출된 냉각용 가스에 접촉 가능한 면적이 넓어진다. 따라서, 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 효과를 더욱 높일 수 있다. 냉각용 가스로서는, 압축 공기, 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 등이 사용된다.
이들의 점에 의해, 대상물 보유 지지 부재(24)(도 2의 (b) 참조)에 설치된 히터(29)로부터 받는 열의 영향을 저감할 수 있다. 이 열은, 주로 히터(29)에 의한 복사열이라고 생각되지만, 반송 장치의 구조에 따라서는 히터(29)로부터 열전도하는 열도 포함된다. 따라서, 태블릿상 수지(16)를 반송 중에, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 히터(29)로부터의 열전도에 의한 열영향을 거의 받지 않는 구조이면, 셔터(31) 및 가이드 부재(30)를 열전도율이 높은 열전도성 재료에 의해 구성하고, 수지 보유 지지 부재(25) 자체를 더 강하게 냉각하게 해도 된다.
도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 반송 유닛(23)에는, 각 수지 보유 지지 부재(25)의 셔터(31)에 형성된 가스 공급구(33)에 각각 연결되도록 연통로(35)가 형성된다. 수지 보유 지지 부재(25)에 태블릿상 수지(16)가 보유 지지된 상태에 있어서, 연통로(35)는 각 셔터(31)에 형성된 모든 가스 공급구(33)에 연결되도록 형성된다. 연통로(35)는, 예를 들어 반송 유닛(23)에 설치된 가스 도입구(36)를 통해 가스 공급부(37)에 접속된다. 가스 공급부(37)는, 압축 공기, 질소, 아르곤, 헬륨 등을 셔터(31)의 관통 구멍(32)에 공급한다. 또한, 도시하고 있지 않지만, 가스 공급부(37)와 가스 도입구(36) 사이에는, 냉각용 가스 공급을 제어(개시 및 정지)하는 개폐 밸브, 가스의 유량을 제어하는 매스 플로 컨트롤러 등이 설치된다.
태블릿상 수지(16)를 더 효과적으로 냉각하기 위해서는, 수지 보유 지지 부재(25)에 공급하는 냉각용 가스의 유량을 많게 하는 것이 바람직하다. 게다가, 가스의 유속도 빠르게 하는 것이 바람직하다. 또한, 반송 유닛(23)에 설치하는 가스 도입구(36)의 수를 1개로 한정하지 않고, 복수 개의 가스 도입구(36)를 설치해도 된다. 그 경우에는, 각각의 가스 도입구(36)를 가스 공급부(37)에 접속하면 된다. 이들의 점에 의해, 냉각용 가스의 공급 변동을 저감하여, 태블릿상 수지(16)를 더 효과적으로 냉각할 수 있다.
도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 수지 배치부(26)에 배치된 복수의 수지 보유 지지 부재(25)의 주위를 둘러싸도록 하여 커버 부재(38)가 설치된다. 커버 부재(38)를 설치함으로써, 대상물 보유 지지 부재(24)(도 2의 (b) 참조)에 설치된 히터(29)로부터 받는 열의 영향을 저감할 수 있다. 더욱 효과적으로 하기 위해서는, 커버 부재(38)를 단열 재료에 의해 구성하는 것이 바람직하다. 커버 부재(38)를 설치함으로써 커버 부재(38) 내의 냉각 효과를 높여, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
가스 공급부(37)로부터 공급되는 냉각용 가스는, 반송 유닛(23)의 가스 도입구(36) 및 연통로(35), 수지 보유 지지 부재(25)를 구성하는 셔터(31)의 가스 공급구(33), 관통 구멍(32) 및 가스 배출구(34), 커버 부재(38)의 내부 공간을 순차 경유하여 커버 부재(38)로부터 외부로 배출된다. 냉각용 가스가 커버 부재(38)의 내부 공간을 유동하므로, 태블릿상 수지(16) 및 가이드 부재(30)가 직접 냉각용 가스에 의해 냉각된다. 따라서, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 더 억제할 수 있다. 또한, 본 출원 서류의 도면에 있어서는, 냉각용 가스의 흐름을 명확하게 하기 위해 굵은 화살표(편측 화살표)에 의해 가스의 흐름을 나타낸다.
복수의 수지 보유 지지 부재(25)의 주위를 둘러싸도록 커버 부재(38)를 설치하므로, 태블릿상 수지(16)를 반송 중에, 태블릿상 수지(16)가 열화되어 발생한 수지분 등이 비산해도 커버 부재(38) 내에 수용할 수 있다. 따라서, 수지 성형 장치(1)가 수지분 등에 의해 오염되는 것을 억제할 수 있다. 게다가, 커버 부재(38)에 집진 기능을 갖는 집진부(DC(Dust Collector))를 부가함으로써, 냉각용 가스에 의해 수지분 등이 커버 부재(38) 내로 날아 올라가는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 수지 보유 지지 부재(25)가 수지분 등에 의해 오염되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 집진부(DC)를 사용하여 수지분을 집진함으로써, 수지 보유 지지 부재(25)에 공급하는 냉각용 가스 유량을 많게 하는 것이 가능해진다. 이에 의해, 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 효과를 한층 더 높일 수 있다.
(수지를 반송하여 공급하는 동작)
도 1 내지 도 3을 참조하여, 반송 장치(11)를 사용하여 태블릿상 수지(16)를 반송하고, 하형(8)에 설치된 포트(17)에 태블릿상 수지(16)를 공급하는 동작에 대해 설명한다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 수지 성형 장치(1)에 있어서, 상형(7)과 하형(8)을 형 개방한다. 다음으로, 반송 장치(11)(도 2 참조)를 사용하여, 반도체 칩(12)이 장착된 리드 프레임(13) 및 태블릿상 수지(16)를 상형(7)과 하형(8) 사이로 반송한다.
도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 태블릿상 수지(16)의 반송 중에 있어서는, 가이드 부재(30)와 L자형의 셔터(31)에 의해, 태블릿상 수지(16)는 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지되어 있다. 태블릿상 수지(16)가 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지되어 있는 상태에서는, 셔터(31)의 가스 공급구(33)와 반송 유닛(23)의 연통로(35)는 연결되어 있다. 따라서, 태블릿상 수지(16)를 반송하고 있는 동안은, 냉각용 가스가 관통 구멍(32)에 공급되고, 셔터(31)에 의해 태블릿상 수지(16)는 냉각되어 있다.
다음으로, 이동 기구(도시하지 않음)를 사용하여, 수지 보유 지지 부재(25)의 주위를 둘러싸는 커버 부재(38)를 반송 장치(11)의 외부로 이동시킨다.
다음으로, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 구동 기구(도시하지 않음)를 사용하여, L자형의 셔터(31)를 도면의 우측 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 셔터(31)를 개방하여 태블릿상 수지(16)를 하형(8)에 설치된 포트(17)(도 1 참조)에 공급한다. 셔터(31)는 양측 화살표로 나타내는 방향으로 이동할 수 있다. 셔터(31)를 개방한 상태에서는, 셔터(31)의 가스 공급구(33)와 반송 유닛(23)의 연통로(35)는 차단된다. 따라서, 셔터(31)를 개방한 상태에서는, 냉각용 가스는 관통 구멍(32)에 공급되지 않는 상태가 된다.
이와 같이, 태블릿상 수지(16)를 반송하고 있는 동안, 바꾸어 말하면, 태블릿상 수지(16)를 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지하고 있는 동안은, 냉각용 가스를 셔터(31)에 공급하여, 태블릿상 수지(16)를 셔터(31)에 의해 냉각할 수 있다. 따라서, 대상물 보유 지지 부재(24)(도 2의 (b) 참조)에 설치된 히터(29)로부터 받는 열의 영향을 저감할 수 있어, 반송 중에 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다.
태블릿상 수지(16)를 하형(8)에 설치된 포트(17)(도 1 참조)에 공급한 후에는, 셔터(31)를 개방한 상태로 해 둔다. 이에 의해, 수지 보유 지지 부재(25)에 냉각용 가스 공급을 정지한 상태를 유지한다. 따라서, 승온된 성형 형의 온도가 냉각용 가스에 의해 변동되는 것을 억제할 수 있다. 이와 같이 하여, 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 타이밍, 시간, 유량 등을 임의로 제어할 수 있다.
또한, 가스 공급부(37)와 가스 도입구(36) 사이에 설치된 개폐 밸브나 매스 플로 컨트롤러(도시하지 않음)에 의해, 냉각용 가스 공급을 제어할 수 있다. 이 경우라도, 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 타이밍, 시간, 유량 등을 임의로 제어할 수 있다.
(작용 효과)
본 실시 형태의 반송 장치(11)는, 수지 성형 대상물인 리드 프레임(13)을 보유 지지하는 대상물 보유 지지 부재(24)와, 대상물 보유 지지 부재(24)에 설치되고 리드 프레임(13)을 가열하는 가열부인 히터(29)와, 수지로서 태블릿상 수지(16)를 보유 지지하는 수지 보유 지지 부재(25)와, 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 냉각부인 셔터(31)와, 수지 보유 지지 부재(25)의 주위를 둘러싸는 커버 부재(38)를 구비하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 반송 중의 리드 프레임(13)을 히터(29)에 의해 예비 가열하여, 리드 프레임(13)과 경화 수지의 밀착성을 좋게 한다. 이에 의해, 태블릿상 수지(16)도 히터(29)로부터 열의 영향을 받는다. 그 때문에, 반송 장치(11)에 있어서, 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 셔터(31)와 수지 보유 지지 부재(25)의 주위를 둘러싸는 커버 부재(38)를 설치한다. 이들의 점에 의해, 태블릿상 수지(16)를 반송 중에 히터(29)로부터 받는 열의 영향을 저감하여, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다.
더 상세하게는, 본 실시 형태에 따르면, 반송 장치(11)를 사용하여 리드 프레임(13)과 태블릿상 수지(16)를 일괄하여 반송한다. 리드 프레임(13)과 경화 수지의 밀착성을 좋게 하기 위해, 반송 중에 리드 프레임(13)을 히터(29)에 의해 예비 가열한다. 이에 의해, 태블릿상 수지(16)도 히터(29)로부터 열의 영향을 받는다. 그 때문에, 수지 보유 지지 부재(25)를 구성하는 셔터(31)에 관통 구멍(32)을 형성하여, 이 관통 구멍(32)에 냉각용 가스를 공급한다. 냉각용 가스에 의해 셔터(31) 자체를 냉각한다. 이에 의해, 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)를 셔터(31)에 의해 냉각할 수 있다. 따라서, 반송 중에 리드 프레임(13)을 예비 가열해도, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 셔터(31)에 형성된 가스 배출구(34)로부터 배출된 냉각용 가스에 의해, 수지 보유 지지 부재(25)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)를 직접 냉각할 수 있다. 이에 의해, 태블릿상 수지(16)의 냉각 효과를 더욱 높일 수 있다.
게다가, 수지 보유 지지 부재(25)의 주위를 둘러싸도록 커버 부재(38)를 설치한다. 커버 부재(38)를 설치함으로써, 히터(29)로부터 받는 열의 영향을 한층 더 저감할 수 있다. 따라서, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 더욱 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 리드 프레임(13)과 태블릿상 수지(16)를 반송 중에, 리드 프레임(13)을 예비 가열해도, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 반송 중에 태블릿상 수지(16)의 일부가 용융되어 수지 보유 지지 부재(25)에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 태블릿상 수지(16)의 반송 불량을 저감하여, 성형 형(9)에 태블릿상 수지(16)를 공급할 수 없다고 하는 불량을 억제할 수 있다. 이에 의해, 수지 성형품의 수율 향상에 공헌한다. 게다가, 반송 장치(11) 또는 수지 성형 장치(1)를 청소하는 횟수나 시간을 줄일 수 있다. 또한, 메인터넌스를 하는 횟수를 줄일 수 있다. 따라서, 수지 성형 장치(1)의 가동률을 향상시킬 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 리드 프레임(13)과 태블릿상 수지(16)를 반송 중에 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 태블릿상 수지(16)가 변질되는 것이나 열화되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 수지 성형품의 수율 향상 및 품질 향상에 공헌할 수 있다.
게다가, 태블릿상 수지(16)가 변질되거나 열화됨으로써, 태블릿상 수지(16)로부터 수지분이나 개편물 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 수지분 등이 비산되어 수지 성형 장치(1)를 오염시키는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 수지 성형 장치(1)의 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 커버 부재(38)에 집진부(DC)를 부가할 수 있다. 이에 의해, 냉각용 가스에 의해 수지분 등이 커버 부재(38) 내로 날아 올라가는 것을 억제할 수 있다. 게다가, 수지 보유 지지 부재(25)에 공급하는 냉각용 가스 유량을 많게 할 수 있어, 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 효과를 한층 더 높일 수 있다.
〔실시 형태 2〕
(수지 보유 지지 부재의 구성)
도 4를 참조하여, 실시 형태 2에서 사용되는 수지 보유 지지 부재의 구성에 대해 설명한다. 실시 형태 1과의 차이는, 수지 보유 지지 부재를 구성하는 셔터의 가스 배출구를 셔터의 하부 양 측면에 설치한 점이다. 그 이외의 구성은 실시 형태 1과 기본적으로 동일하므로 설명을 생략한다.
도 4의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 수지 보유 지지 부재(39)는, 핀 형상의 4개의 가이드 부재(30)와 L자형의 셔터(40)를 구비한다. L자형의 셔터(40)의 저부에는 덮개가 형성되고, 셔터(40)의 하부 양 측면에 가스 배출구(41)가 형성된다. 따라서, 중공 형상의 통로가 되는 관통 구멍(42)은 역 T자형의 형상으로 형성된다. 관통 구멍(42)은, 연직 방향으로 신장되는 부분이 되는 관통 구멍(42a)과 수평 방향으로 신장되는 부분이 되는 관통 구멍(42b)을 갖는다. 냉각용 가스는, 셔터(40)의 가스 공급구(33)로부터 관통 구멍(42a, 42b)을 경유하여 가스 배출구(41)로부터 각각 배출된다. 따라서, 냉각용 가스가 유동하는 거리를 길게 하여, 셔터(40) 자체를 냉각하는 효과를 높일 수 있다.
L자형의 셔터(40)의 가스 공급구(33)를 수지 배치부(26)에 배치하는 위치는 실시 형태 1과 동일한 위치이다. 따라서, 반송 유닛(23)에 형성되는 연통로(35)의 위치도 실시 형태 1과 동일하다. 그 이외의 구성도 실시 형태 1과 동일하므로, 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 따르면, L자형의 셔터(40)의 저부에 덮개를 덮어, 셔터(40)의 하부 양 측면에 가스 배출구(41)를 설치한다. 이에 의해, 커버 부재(38)의 저면에 낙하한 수지분 등이 있는 경우, 냉각용 가스가 측면의 배출구(41)로부터 배출됨으로써 수지분 등이 커버 부재(38) 내로 날아 올라가는 것을 억제할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서도, 실시 형태 1과 마찬가지의 효과를 발휘한다.
〔실시 형태 3〕
(수지 보유 지지 부재의 구성)
도 5를 참조하여, 실시 형태 3에 있어서 사용되는 수지 보유 지지 부재의 구성에 대해 설명한다. 실시 형태 1과의 차이는, 수지 보유 지지 부재를 구성하는 셔터의 측면을 태블릿상 수지(16)에 직접 접촉하도록 한 점이다. 그 이외의 구성은 실시 형태 1과 기본적으로 동일하므로 설명을 생략한다.
도 5의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 수지 보유 지지 부재(43)는, 핀 형상의 4개의 가이드 부재(30)와 L자형의 셔터(44)를 구비한다. 실시 형태 1과의 차이는, L자형의 셔터(44)의 형상과 셔터(44)를 수지 배치부(26)에 배치하는 위치이다. L자형의 셔터(44)의 저면부의 폭은, 가이드 부재(30)끼리의 간격보다 작게 형성된다. 이에 의해, L자형의 셔터(44)의 측면을 태블릿상 수지(16)에 직접 접촉시키는 것이 가능해진다. 이 경우에는, L자형의 셔터(44)를 수지 배치부(26)에 배치하는 위치가 실시 형태 1과 상이하다. 따라서, 수지 보유 지지 부재(43)가 태블릿상 수지(16)를 보유 지지한 상태에 있어서, 연통로(45)는 셔터(44)에 형성된 가스 공급구(33)에, 각각 연결되도록 형성된다. 그 이외의 구성은 실시 형태 1과 동일하므로, 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 따르면, 수지 보유 지지 부재(43)를 구성하는 셔터(44)의 측면을 태블릿상 수지(16)에 직접 접촉시킨다. 이에 의해, 더 효과적으로 태블릿상 수지(16)를 냉각할 수 있다. 따라서, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 한층 더 억제할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서도, 실시 형태 1과 마찬가지의 효과를 발휘한다.
〔실시 형태 4〕
(수지 보유 지지 부재의 구성)
도 6을 참조하여, 실시 형태 4에 있어서 사용되는 수지 보유 지지 부재의 구성에 대해 설명한다. 실시 형태 1과의 차이는, 냉각용 가스를 공급하는 중공 형상의 통로인 관통 구멍을 4개의 가이드 부재에 형성한 것이다. 그 이외의 구성은 실시 형태 1과 기본적으로 동일하므로 설명을 생략한다.
도 6의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 수지 보유 지지 부재(46)는 핀 형상의 4개의 가이드 부재(47)와 L자형의 셔터(48)를 구비한다. 핀 형상의 4개의 가이드 부재(47)에는, 중공 형상의 통로인 관통 구멍(49)이 각각 형성된다. 이들 관통 구멍(49)에 냉각용 가스를 공급함으로써 가이드 부재(47)를 냉각하고, 수지 보유 지지 부재(46)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)를 가이드 부재(47)에 의해 냉각할 수 있다. 따라서, 가이드 부재(47)는, 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 냉각부로서 기능한다. 가이드 부재(47)에 형성된 관통 구멍(49)은, 냉각용 가스를 공급하는 가스 공급부로서 기능한다. 4개의 가이드 부재(47)에 의해 태블릿상 수지(16)를 냉각하므로, 한층 더 태블릿상 수지(16)의 냉각 효과를 높일 수 있다. 또한, 이 경우에는 L자형의 셔터(48)에 관통 구멍은 형성되어 있지 않다.
냉각용 가스는, 가이드 부재(47)의 가스 공급구(50)로부터 관통 구멍(49)을 경유하여 가스 배출구(51)로부터 배출된다. 가스 배출구(51)로부터 배출된 냉각용 가스에 의해, 태블릿상 수지(16)를 직접 냉각할 수 있다. 이에 의해, 태블릿상 수지(16)의 냉각 효과를 더욱 높일 수 있다. 게다가, 태블릿상 수지(16)를 더욱 효과적으로 냉각하기 위해서는, 가이드 부재(47) 및 L자형의 셔터(48)를 열전도율이 높은 열전도성 재료에 의해 구성하고, 수지 보유 지지 부재(46) 자체를 강하게 냉각하는 것이 바람직하다.
반송 유닛(23)에 있어서는, 각 수지 보유 지지 부재(46)를 구성하는 4개의 가이드 부재(47)에 형성된 각각의 가스 공급구(50)에 연결되도록 연통로(52)가 형성된다. 그 이외의 구성은 실시 형태 1과 동일하므로, 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 따르면, 수지 보유 지지 부재(46)를 구성하는 4개의 가이드 부재(47)에 관통 구멍(49)을 각각 형성한다. 이들 관통 구멍(49)에 냉각용 가스를 공급함으로써, 한층 더 효과적으로 태블릿상 수지(16)를 냉각할 수 있다. 따라서, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 한층 더 억제할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서도, 실시 형태 1과 마찬가지의 효과를 발휘한다.
〔실시 형태 5〕
(반송 장치 및 수지 보유 지지 부재의 구성)
도 7 내지 도 8을 참조하여, 실시 형태 5에 있어서 사용되는 반송 장치 및 수지 보유 지지 부재의 구성에 대해 설명한다. 실시 형태 1과의 차이는, 수지 보유 지지 부재를 태블릿상 수지를 수용하는 수용 부재와 개폐 부재인 셔터로 구성하고, 수용 부재의 주위를 둘러싸도록 중공 형상의 통로를 형성한 점이다. 그 이외의 구성은 실시 형태 1과 기본적으로 동일하므로 설명을 생략한다.
도 7의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 반송 장치(53)는, 예를 들어 반송 유닛(54)과, 수지 성형 대상물을 보유 지지하는 대상물 보유 지지 부재(24)와 수지를 보유 지지하는 수지 보유 지지 부재(55)를 구비한다. 반송 장치(53)에 있어서, 반송 유닛(54)의 양측에 대상물 보유 지지 부재(24)가 배치되고, 반송 유닛(54)의 중앙부에 설치된 수지 배치부(56)에 복수의 수지 보유 지지 부재(55)가 배치된다. 이 경우에는, 반송 장치(53)는, 2개의 대상물 보유 지지 부재(24)와 5개의 수지 보유 지지 부재(55)를 갖는다. 실시 형태 5에서는, 반송 장치(53)가, 반도체 칩(12)이 장착된 리드 프레임(57) 및 태블릿상 수지(16)를 일괄하여 반송하는 경우를 나타낸다.
도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 각 리드 프레임(57)에는, 5개의 반도체 칩(12)이 장착되어 있다. 수지 배치부(56)에는, 5개의 수지 보유 지지 부재(55)가 배치되고, 각각의 수지 보유 지지 부재(55)에 태블릿상 수지(16)가 보유 지지되어 있다. 리드 프레임(57)에 장착되는 반도체 칩(12)의 수, 및 수지 배치부(56)에 배치되는 수지 보유 지지 부재(55)의 수는 임의로 설정할 수 있다.
도 7의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 수지 보유 지지 부재(55)는, 예를 들어 태블릿상 수지(16)를 수용하는 수용 부재(58)와 개폐 부재인 셔터(59)를 구비한다. 수용 부재(58)는 수지 배치부(56)에 배치되고, 반송 유닛(54)의 저면에 설치된다. 수지 배치부(56)에 있어서, 셔터(59)는, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 이동(개폐) 가능하다. 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 셔터(59)는, 예를 들어 판상의 형상으로 형성된다. 수용 부재(58)에 수용된 태블릿상 수지(16)는, 판상의 셔터(59)에 의해 수지 보유 지지 부재(55)에 보유 지지된다. 이 경우에는, 각 수용 부재(58)에 대해 판상의 셔터(59)를 각각 설치하였지만, 모든 수용 부재(58)에 대응하도록 연속된 1매의 판상의 셔터를 설치해도 된다.
수지 배치부(56)는, 복수의 수지 보유 지지 부재(55)와 프레임상 부재인 외측 프레임(60)에 의해 구성된다. 외측 프레임(60)은, 반송 유닛(54)의 저면에 설치된다. 수지 배치부(56)에 있어서, 수용 부재(58)는 외측 프레임(60)의 내부에 배치되고, 반송 유닛(54)의 저면에 설치된다. 외측 프레임(60)의 높이와 수용 부재(58)의 높이는 동일한 높이로 되도록 설정된다. 따라서, 수용 부재(58)의 외주면과 외측 프레임(60) 사이에는, 수용 부재(58)를 둘러싸도록 공간이 형성된다. 이 공간이, 예를 들어 태블릿상 수지(16)를 냉각하기 위해 냉각용 가스를 공급하는 중공 형상의 통로가 되는 관통로(61)를 구성한다. 따라서, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 관통로(61)는, 상부에 가스를 공급하는 가스 공급부(62)와 하부에 가스를 배출하는 가스 배출부(63)를 갖는다.
관통로(61)에 냉각용 가스를 공급함으로써, 수용 부재(58) 자체를 냉각하고, 수지 보유 지지 부재(55)에 보유 지지되는 태블릿상 수지(16)를 수용 부재(58)에 의해 냉각할 수 있다. 따라서, 수용 부재(58)는, 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 냉각부로서 기능한다. 수용 부재(58)의 주위를 둘러싸도록 형성되는 관통로(61)는, 냉각용 가스를 공급하는 가스 공급부로서 기능한다. 냉각용 가스는, 가스 공급부(62)로부터 관통로(61)를 경유하여 가스 배출부(63)로부터 배출된다. 냉각용 가스로서는, 압축 공기, 질소, 아르곤, 헬륨 등이 사용된다.
이와 같이, 태블릿상 수지(16)를 냉각용 가스에 의해 냉각함으로써, 대상물 보유 지지 부재(24)에 설치된 히터(29)로부터 받는 열의 영향을 저감할 수 있다. 따라서, 반송 중에 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다.
도 7의 (b), 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 반송 유닛(54)에는, 각 수용 부재(58)를 둘러싸는 관통로(61)의 가스 공급부(62)에 각각 연결되도록 연통로(64)가 형성된다. 연통로(64)는, 반송 유닛(54)에 설치된 가스 도입구(65)를 통해 가스 공급부(37)에 접속된다. 가스 공급부(37)는, 압축 공기, 질소, 아르곤, 헬륨 등을 관통로(61)에 공급한다. 도시하고 있지 않지만, 실시 형태 1과 마찬가지로, 가스 공급부(37)와 가스 도입구(65) 사이에는, 냉각용 가스의 공급을 제어(개시 및 정지)하는 개폐 밸브, 가스의 유량을 제어하는 매스 플로 컨트롤러 등이 설치된다.
태블릿상 수지(16)를 더 효과적으로 냉각하기 위해서는, 반송 유닛(54)에 설치하는 가스 도입구(65)를 복수 개 설치하는 것이 바람직하다. 게다가, 관통로(61)에 공급하는 냉각용 가스 유량을 많게 하여, 가스의 유속도 빠르게 하는 것이 바람직하다. 이들의 점에 의해, 냉각용 가스의 공급 변동을 저감하여, 태블릿상 수지(16)를 더 효과적으로 냉각할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 태블릿상 수지(16)를 하형(8)에 설치된 포트(17)(도 1 참조)에 공급한 후에는, 개폐 밸브 또는 매스 플로 컨트롤러(도시하지 않음)에 의해 냉각용 가스 공급을 정지한다. 이에 의해, 승온된 성형 형의 온도가 냉각용 가스에 의해 변동되는 것을 억제할 수 있다. 개폐 밸브 및 매스 플로 컨트롤러에 의해, 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 타이밍, 시간, 유량 등을 임의로 제어한다.
본 실시 형태에 있어서도, 수지 배치부(56)에 배치된 복수의 수지 보유 지지 부재(55)의 주위를 둘러싸도록 하여 커버 부재(38)가 설치된다. 실시 형태 1과 마찬가지로, 커버 부재(38)를 설치함으로써, 대상물 보유 지지 부재(24)(도 7의 (b) 참조)에 설치된 히터(29)로부터 받는 열의 영향을 저감할 수 있다. 또한, 커버 부재(38)에 집진 기능을 갖는 집진부(DC)를 부가할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 수용 부재(58)의 외주면과 외측 프레임(60) 사이에, 냉각용 가스를 공급하는 중공 형상의 통로가 되는 관통로(61)를 설치한다. 이 관통로(61)에 냉각용 가스를 공급함으로써, 태블릿상 수지(16)를 수용 부재(58)에 의해 냉각한다. 관통로(61)는, 수용 부재(58)의 주위를 둘러싸도록 형성되므로, 한층 더 효과적으로 태블릿상 수지(16)를 냉각할 수 있다. 따라서, 반송 중에 리드 프레임(57)을 예비 가열해도, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 한층 더 억제할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서도, 실시 형태 1과 마찬가지의 효과를 발휘한다.
〔실시 형태 6〕
(수지 배치부의 구성)
도 9를 참조하여, 실시 형태 6에 있어서 사용되는 수지 배치부의 구성에 대해 설명한다. 실시 형태 5와의 차이는, 수지 배치부의 저면측에 저판을 설치하고, 가스 배출구를 수지 배치부의 외측 프레임에 설치한 점이다. 그 이외의 구성은 실시 형태 5와 기본적으로 동일하므로 설명을 생략한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 수지 배치부(66)는, 실시 형태 5에서 나타낸 수용 부재(58)와 셔터(59)를 갖는 수지 보유 지지 부재(55)와, 프레임상 부재인 외측 프레임(67)과, 수용 부재(58)의 외주면과 외측 프레임(67) 사이에 형성되는 공간에 덮개를 덮는 저판(68)을 구비한다. 저판(68)은, 수용 부재(58)와 외측 프레임(67) 사이의 공간에 끼워 넣도록 하여 설치된다. 수지 보유 지지 부재(55)가 반송 유닛(54)에 설치되는 위치는 실시 형태 5와 동일한 위치이다. 따라서, 수지 배치부(66)에 있어서, 냉각용 가스를 공급하는 가스 공급부(62)의 위치도 실시 형태 5와 동일한 위치에 형성된다.
도 9의 (a), (c)에 도시된 바와 같이, 예를 들어 수지 배치부(66)의 외측 프레임(67)의 네 구석에, 냉각용 가스를 배출하는 가스 배출구(69)가 설치된다. 도 9의 (b), (c)에 도시된 바와 같이, 가스 배출구(69)를 설치함으로써, 가스 공급부(62)로부터 공급된 냉각용 가스를 외측 프레임(67)의 네 구석에 설치된 가스 배출구(69)로 유동시키는 중공 형상의 통로가 되는 연통로(70)가 형성된다. 연통로(70)는, 연직 방향으로 가스를 유동시키는 부분이 되는 연통로(70a)와 수평 방향으로 가스를 유동시키는 부분이 되는 연통로(70b)를 갖는다.
반송 유닛(54)은, 실시 형태 5와 동일한 것을 사용할 수 있다. 따라서, 수지 배치부(66)의 가스 공급부(62)에 각각 연결되도록 연통로(64)가 반송 유닛(54)에 형성된다. 냉각용 가스는, 반송 유닛(54)의 가스 도입구(65) 및 연통로(64), 수지 배치부(66)의 가스 공급부(62) 및 연통로(70(70a, 70b))를 순차 경유하여 가스 배출구(69)로부터 배출된다.
연통로(70(70a, 70b))에 냉각용 가스를 공급함으로써, 수용 부재(58) 자체를 냉각하고, 수지 보유 지지 부재(55)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)를 수용 부재(58)에 의해 냉각할 수 있다. 수지 배치부(66)에는 저판(68)이 설치되어 있으므로, 수용 부재(58)는 밀폐된 연통로(70)에 의해 둘러싸이게 된다. 따라서, 한층 더 효과적으로 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 것이 가능해진다. 그 이외의 구성은 실시 형태 5와 동일하므로, 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 따르면, 수지 배치부(66)에 있어서, 수용 부재(58)의 외주면과 외측 프레임(67) 사이에 형성되는 공간에 덮개를 덮는 저판(68)을 설치한다. 그리고 외측 프레임(67)의 네 구석에 냉각용 가스를 배출하는 가스 배출구(69)를 설치한다. 수용 부재(58)는 밀폐된 연통로(70)에 의해 둘러싸인다. 이 연통로(70)에 냉각용 가스를 공급함으로써, 태블릿상 수지(16)를 한층 더 효과적으로 냉각할 수 있다. 따라서, 반송 중에 리드 프레임(57)을 예비 가열해도, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 한층 더 억제할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서도, 실시 형태 5와 마찬가지의 효과를 발휘한다.
본 실시 형태에 있어서는, 냉각용 가스를 배출하는 가스 배출구(69)를 외측 프레임(67)의 네 구석에 설치하였다. 이것에 한정되지 않고, 냉각용 가스를 배출하는 가스 배출구(69)를, 수지 보유 지지 부재(55)를 둘러싸는 외측 프레임의 4개의 면에 각각 복수 개 설치해도 된다. 이에 의해, 냉각용 가스 흐름을 더 원활하게 할 수 있다.
〔실시 형태 7〕
(반송 장치 및 수지 보유 지지 부재의 구성)
도 10 내지 도 11을 참조하여, 실시 형태 7에 있어서 사용되는 반송 장치 및 수지 보유 지지 부재의 구성에 대해 설명한다. 실시 형태 1과의 차이는, 태블릿상 수지를 냉각하는 냉각부로서 냉각 소자인 펠티에 소자와 열전도율이 높은 그래파이트를 사용한 점이다. 그 이외의 구성은 실시 형태 1과 기본적으로 동일하므로 설명을 생략한다.
도 10의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 반송 장치(71)는 예를 들어 반송 유닛(72)과 대상물 보유 지지 부재(24)와 수지 보유 지지 부재(73)를 구비한다. 대상물 보유 지지 부재(24) 및 리드 프레임(13)은, 실시 형태 1에서 나타낸 것과 동일한 것이다. 수지 배치부(74)에는, 3개의 수지 보유 지지 부재(73)가 배치되고, 각각의 수지 보유 지지 부재(73)에 태블릿상 수지(16)가 보유 지지되어 있다.
수지 보유 지지 부재(73)는, 핀 형상의 4개의 가이드 부재(75)와 L자형의 셔터(48)를 구비한다. 4개의 가이드 부재(75)는, 예를 들어 열전도성 부재인 그래파이트(76 및 77)를 통해 냉각 소자인 펠티에 소자(78)에 접속된다. 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 그래파이트(76)의 일단부는 가이드 부재(75)에 접속되고, 그래파이트(76)의 타단부는 반송 유닛(72)을 관통하여 반송 유닛(72)의 상면까지 연신된다. 도 10의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 반송 유닛(72)의 상면에 배치되는 그래파이트(77)의 일단부는, 예를 들어 평행하게 연장되는 부분을 갖고 4개의 그래파이트(76)의 타단부에 접속된다. 그래파이트(77)의 타단부는 펠티에 소자(78)에 접속된다. L자형의 셔터(48)는 실시 형태 4에서 나타낸 것과 동일한 것이며, 관통 구멍은 형성되어 있지 않다.
도 10에 있어서는, 하나의 펠티에 소자(78)가, 각 수지 보유 지지 부재(73)에 보유 지지된 태블릿상 수지(16)를 각각 냉각하도록, 각 수지 보유 지지 부재(73)에 대응하여 펠티에 소자(78)를 각각 설치한 경우를 나타냈다. 이것에 한정되지 않고, 펠티에 소자(78)의 냉각 효과가 충분하면, 복수의 수지 보유 지지 부재(73)에 대응하여, 1개의 펠티에 소자(78)를 배치하는 구성으로 해도 된다. 펠티에 소자(78)를 배치하는 위치는, 반송 유닛(72)의 상면에 있어서 그래파이트(77)가 배치 가능한 임의의 위치에 설정할 수 있다.
도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 펠티에 소자(78)는, 직류 전압원(79)으로부터 직류 전류를 흐르게 함으로써 흡열 현상과 방열 현상을 일으키는 소자이다. 예를 들어, 직류 전압원(79)으로부터 직류 전류를 흐르게 함으로써, 펠티에 소자(78)의 한쪽 전극은 주위로부터 흡열함으로써 냉각되는 냉각부(78a)가 되고, 펠티에 소자(78)의 다른 쪽 전극은 주위로 방열함으로써 가열되는 가열부(78b)가 된다. 펠티에 소자(78)는, 이 냉각부(78a)를 사용하여, 예를 들어 냉각하는 대상물이 되는 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 냉각 소자이다.
도 10 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 그래파이트(76 및 77)는, 펠티에 소자(78)의 냉각부(78a)와 가이드 부재(75)를 열적으로 접속한다. 그래파이트(76 및 77)는, 예를 들어 구리의 2배 내지 5배 정도, 다이아몬드에는 떨어지지만 매우 높은 열전도율을 갖는 부재이다. 펠티에 소자(78)는, 펠티에 소자(78)의 냉각부(78a)로부터 그래파이트(77 및 76)를 경유하여, 가이드 부재(75)에 냉각 열을 열전도시킨다. 이에 의해, 가이드 부재(75)가 펠티에 소자(78)로부터의 냉각 열에 의해 냉각된다. 냉각된 가이드 부재(75)에 의해 태블릿상 수지(16)를 냉각할 수 있다. 따라서, 펠티에 소자(78)와 그래파이트(77 및 76)와 가이드 부재(75)는, 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 냉각부로서 기능한다. 또한, 그래파이트(76 및 77)의 형상은, 펠티에 소자(78)로부터의 냉각 열을 효율적으로 가이드 부재(75)에 열전도시키는 형상인 것이 바람직하다.
펠티에 소자(78)를 사용하여 태블릿상 수지(16)를 냉각함으로써, 대상물 보유 지지 부재(24)에 설치된 히터(29)로부터 받는 열의 영향을 저감할 수 있다. 따라서, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다.
이 경우에는, 펠티에 소자(78)의 냉각부(78a)의 냉각 열을 효율적으로 가이드 부재(75)에 열전도시키기 위해, 펠티에 소자(78)와 가이드 부재(75) 사이에 열전도율이 매우 높은 그래파이트(76 및 77)를 배치하였다. 이것에 한정되지 않고, 펠티에 소자(78)와 가이드 부재(75) 사이에, 구리 등의 열전도율이 높은 부재를 배치해도 된다. 게다가, 가이드 부재(75) 자체도 열전도율이 높고, 내마모성이 높은 부재를 사용하는 것이 바람직하다. 가이드 부재(75) 자체를 그래파이트로 구성할 수도 있다.
도 10의 (b), 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 수지 보유 지지 부재(73)의 주위를 둘러싸는 커버 부재(38)의 하면에도 펠티에 소자(80)를 접속할 수 있다. 직류 전압원(81)으로부터 직류 전류를 흐르게 함으로써, 냉각부(80a)와 가열부(80b)를 형성한다. 펠티에 소자(80)의 냉각부(80a)를 커버 부재(38)의 하면에 열적으로 접속한다. 이 경우에는, 커버 부재(38)를 열전도율이 높은 그래파이트나 구리 등에 의해 구성하는 것이 바람직하다.
펠티에 소자(80)의 냉각부(80a)로부터 냉각 열을 열전도시켜, 커버 부재(38) 자체를 냉각한다. 냉각된 커버 부재(38)에 의해 커버 부재(38)의 내부가 냉각된다. 이에 의해, 커버 부재(38)의 내부에 보유 지지되어 있는 태블릿상 수지(16)를 더욱 냉각할 수 있다. 펠티에 소자(80)와 커버 부재(38)는, 태블릿상 수지(16)를 냉각하는 냉각부로서 기능한다. 따라서, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이 경우에는, 복수의 펠티에 소자(80)를 커버 부재(38)의 하면에 접속하였다. 이것에 한정하지 않고, 복수의 펠티에 소자(80)를 커버 부재(38)의 측면에 접속해도 된다. 또한, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 펠티에 소자에 직류 전류를 흐르게 하는 직류 전압원에 대해서는, 각 펠티에 소자(78)에 대응하여 각각 직류 전압원(79)을 설치해도 되고, 복수의 펠티에 소자(80)에 대응하여 1개의 직류 전압원(81)을 설치해도 된다.
또한, 도시를 하고 있지 않지만, 펠티에 소자(78 및 80)를 안정적으로 사용하기 위해서는, 펠티에 소자(78 및 80)의 가열부(78b 및 80b)측에 히트 싱크를 접속해 두는 것이 바람직하다. 이에 의해, 펠티에 소자(78 및 80) 자체가 고온이 되어, 땜납 접합부에 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 수지 보유 지지 부재(73)를 구성하는 가이드 부재(75)를, 열전도성 부재인 그래파이트(76 및 77)를 통해 냉각 소자인 펠티에 소자(78)에 열적으로 접속한다. 펠티에 소자(78)에 직류 전류를 흐르게 함으로써, 펠티에 소자(78)의 냉각부(78a)로부터 그래파이트(77 및 76)를 경유하여 냉각 열을 열전도시켜, 가이드 부재(75)를 냉각한다. 냉각된 가이드 부재(75)에 의해 태블릿상 수지(16)를 냉각할 수 있다. 따라서, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 커버 부재(38)의 하면에도 펠티에 소자(80)를 열적으로 접속한다. 펠티에 소자(80)에 직류 전류를 흐르게 함으로써, 펠티에 소자(80)의 냉각부(80a)로부터 냉각 열을 열전도시켜, 커버 부재(38) 자체를 냉각한다. 이에 의해, 커버 부재(38)의 내부에 보유 지지되어 있는 태블릿상 수지(16)를 더욱 냉각할 수 있다. 따라서, 태블릿상 수지(16)가 온도 상승하는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 펠티에 소자(78, 80)로부터의 냉각 열을 열전도시킴으로써 태블릿상 수지(16)를 냉각한다. 냉각용 가스를 사용하지 않으므로, 친환경적으로 냉각부의 구성도 간단하고 보수 점검을 용이하게 할 수 있다. 게다가, 커버 부재(38)의 저면에 낙하한 수지분 등이 있는 경우, 냉각용 가스에 의해 수지분 등이 커버 부재(38) 내로 날아 올라가는 것을 억제할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서도, 실시 형태 1과 마찬가지의 효과를 발휘한다.
본 실시 형태에 있어서는, 펠티에 소자(78 및 80)를 반송 유닛(72)의 상면 및 커버 부재(38)의 하면에 각각 설치하였다. 이것에 한정되지 않고, 반송 유닛(72)의 상면에 설치한 펠티에 소자(78)의 냉각 효과(태블릿상 수지(16)의 온도 상승을 억제하는 효과)가 충분하면, 커버 부재(38)의 하면에 펠티에 소자(80)를 설치하지 않아도 된다.
각 실시 형태에 있어서는, 태블릿상 수지(16)의 형상으로서, 원기둥 형상의 태블릿상 수지를 사용한 예를 나타냈다. 이것에 한정하지 않고, 태블릿상 수지의 형상으로서는, 사각 기둥상, 원판상, 평판상 등의 형상이어도 된다. 고형상의 형상을 갖는 수지이면 특별히 상관없다.
이상과 같이, 상기 실시 형태의 반송 장치는, 수지 성형 대상물을 보유 지지하는 대상물 보유 지지 부재와, 대상물 보유 지지 부재에 설치되고 수지 성형 대상물을 가열하는 가열부와, 수지를 보유 지지하는 수지 보유 지지 부재와, 수지 보유 지지 부재에 보유 지지된 수지를 냉각하는 냉각부와, 수지 보유 지지 부재의 주위를 둘러싸는 커버 부재를 구비하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 수지 보유 지지 부재에 보유 지지된 수지를 냉각부에 의해 냉각한다. 또한, 수지 보유 지지 부재의 주위를 커버 부재에 의해 둘러싼다. 따라서, 외부로부터 받는 열의 영향을 저감하여, 수지가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 반송 장치에서는, 냉각부는, 수지 보유 지지 부재에 설치되고, 가스가 공급되는 중공 형상의 통로에 의해 구성되는 가스 공급부를 포함하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 냉각부가 갖는 중공 형상의 통로에 냉각용 가스를 공급하여 냉각부를 냉각한다. 따라서, 냉각된 냉각부에 의해 수지를 냉각할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 반송 장치에서는, 수지 보유 지지 부재의 상부에 설치된 가스 공급구로부터 수지 보유 지지 부재의 하부에 설치된 가스 배출구를 향해 중공 형상의 통로는 형성되고, 가스 배출구로부터 배출된 가스는 커버 부재의 내부를 유동하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 수지 보유 지지 부재에 설치된 중공 형상의 통로에 냉각용 가스를 공급하여 냉각부를 냉각한다. 또한, 커버 부재에 배출된 냉각용 가스에 의해 수지를 냉각한다. 따라서, 한층 더 효과적으로 수지를 냉각할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 반송 장치에서는, 수지 보유 지지 부재의 상부에 설치된 가스 공급구로부터 수지 보유 지지 부재의 측면에 설치된 가스 배출구를 향해 중공 형상의 통로는 형성되고, 가스 배출구로부터 배출된 가스는 커버 부재의 내부를 유동하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 커버 부재의 저면에 낙하한 수지분 등이 있는 경우, 냉각용 가스에 의해 수지분 등이 커버 부재 내로 날아 올라가는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 반송 장치에서는, 수지 보유 지지 부재는, 가이드 부재와 개폐 부재를 구비하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 수지 보유 지지 부재를 가이드 부재와 개폐 부재에 의해 구성하고, 수지 보유 지지 부재에 보유 지지된 수지를 가이드 부재 또는 개폐 부재에 의해 냉각할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 반송 장치에서는, 수지 보유 지지 부재는, 수용 부재와 개폐 부재를 구비하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 수지 보유 지지 부재를 수용 부재와 개폐 부재에 의해 구성하고, 수지 보유 지지 부재에 보유 지지된 수지를 수용 부재에 의해 냉각할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 반송 장치에서는, 중공 형상의 통로는, 가이드 부재 또는 개폐 부재에 형성되는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 중공 형상의 통로를 가이드 부재 또는 개폐 부재에 형성한다. 중공 형상의 통로에 냉각용 가스를 공급함으로써 수지를 냉각할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 반송 장치에서는, 중공 형상의 통로는, 수용 부재의 주위를 둘러싸도록 형성되는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 중공 형상의 통로를 수용 부재의 주위를 둘러싸도록 형성한다. 중공 형상의 통로에 냉각용 가스를 공급함으로써 수지를 냉각할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 반송 장치에서는, 냉각부는, 펠티에 소자와, 펠티에 소자와 가이드 부재 사이를 열적으로 접속하는 열전도성 부재를 포함하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 냉각부를 펠티에 소자와 열전도성 부재와 가이드 부재에 의해 구성한다. 펠티에 소자에 의해 열전도성 부재를 경유하여 가이드 부재를 냉각한다. 따라서, 가이드 부재에 의해 수지를 냉각할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 반송 장치에서는, 냉각부는, 커버 부재에 열적으로 접속된 펠티에 소자이다.
이 구성에 의하면, 냉각부를 커버 부재에 접속된 펠티에 소자에 의해 구성한다. 펠티에 소자에 의해 커버 부재를 냉각한다. 따라서, 커버 부재에 의해 수지를 냉각할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태의 반송 장치에서는, 커버 부재는 집진부를 구비하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 커버 부재에 집진부를 설치함으로써, 수지분 등이 커버 부재 내로 날아 올라가는 것을 억제할 수 있다.
또한, 수지 성형 장치는, 상기 실시 형태의 반송 장치를 구비하는 구성으로 하고 있다.
이 구성에 의하면, 상기 실시 형태의 반송 장치를 사용함으로써, 반송 중에 수지가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 수지 성형품의 제조 방법은, 상기 실시 형태의 수지 성형 장치를 사용하여, 반송 장치에 의해 반송된 수지 성형 대상물에 대해 수지 성형을 행한다.
이 방법에 의하면, 상기 실시 형태의 수지 성형 장치가 갖는 반송 장치를 사용함으로써, 반송 중에 수지가 온도 상승하는 것을 억제할 수 있다.
본 발명은, 상술한 각 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 필요에 따라서, 임의로 또한 적절하게 조합, 변경하거나, 또는 선택하여 채용할 수 있는 것이다.
1 : 수지 성형 장치
2 : 기반
3 : 타이 바
4 : 고정 플래튼
5 : 가동 플래튼
6 : 형 체결 기구
7 : 상형
8 : 하형
9 : 성형 형
10 : 히터
11, 53, 71 : 반송 장치
12 : 반도체 칩
13, 57 : 리드 프레임(수지 성형 대상물)
14 : 배치 영역
15 : 본딩 와이어
16 : 태블릿상 수지(수지)
17 : 포트
18 : 플런저
19 : 구동 기구
20 : 캐비티
21 : 컬 오목부
22 : 러너
23, 54, 72 : 반송 유닛
24 : 대상물 보유 지지 부재
25, 39, 43, 46, 55, 73 : 수지 보유 지지 부재
26, 56, 66, 74 : 수지 배치부
27 : 기대
28 : 리드 프레임 압박부
29 : 히터(가열부)
30 : 가이드 부재
31, 40, 44 : 셔터(냉각부, 개폐 부재)
32, 42, 42a, 42b, 49 : 관통 구멍(중공 형상의 통로, 가스 공급부)
33, 50 : 가스 공급구
34, 41, 51, 69 : 가스 배출구
35, 45, 52, 64 : 연통로
36, 65 : 가스 도입구
37 : 가스 공급부
38 : 커버 부재
47, 75 : 가이드 부재(냉각부)
48, 59 : 셔터(개폐 부재)
58 : 수용 부재(냉각부)
60, 67 : 외측 프레임
61 : 관통로(중공 형상의 통로, 가스 공급부)
62 : 가스 공급부
63 : 가스 배출부
68 : 저판
70, 70a, 70b : 연통로(중공 형상의 통로, 가스 공급부)
76, 77 : 그래파이트(열전도성 부재, 냉각부)
78, 80 : 펠티에 소자(냉각부)
78a, 80a : 냉각부
78b, 80b : 가열부
79, 81 : 직류 전압원
DC : 집진부

Claims (13)

  1. 수지 성형 대상물을 보유 지지하는 대상물 보유 지지 부재와,
    상기 대상물 보유 지지 부재에 설치되고 상기 수지 성형 대상물을 가열하는 가열부와,
    수지를 보유 지지하는 수지 보유 지지 부재와,
    상기 수지 보유 지지 부재에 보유 지지된 상기 수지를 냉각하는 냉각부와,
    상기 수지 보유 지지 부재의 주위를 둘러싸는 커버 부재를 구비하는, 반송 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각부는, 상기 수지 보유 지지 부재에 설치되고, 가스가 공급되는 중공 형상의 통로에 의해 구성되는 가스 공급부를 포함하는, 반송 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 수지 보유 지지 부재의 상부에 설치된 가스 공급구로부터 상기 수지 보유 지지 부재의 하부에 설치된 가스 배출구를 향해 상기 중공 형상의 통로는 형성되고,
    상기 가스 배출구로부터 배출된 상기 가스는 상기 커버 부재의 내부를 유동하는, 반송 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 수지 보유 지지 부재의 상부에 설치된 가스 공급구로부터 상기 수지 보유 지지 부재의 측면에 설치된 가스 배출구를 향해 상기 중공 형상의 통로는 형성되고,
    상기 가스 배출구로부터 배출된 상기 가스는 상기 커버 부재의 내부를 유동하는, 반송 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 보유 지지 부재는, 가이드 부재와 개폐 부재를 구비하는, 반송 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 보유 지지 부재는, 수용 부재와 개폐 부재를 구비하는, 반송 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 중공 형상의 통로는, 상기 가이드 부재 또는 상기 개폐 부재에 형성되는, 반송 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 중공 형상의 통로는, 상기 수용 부재의 주위를 둘러싸도록 형성되는, 반송 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 냉각부는, 펠티에 소자와, 상기 펠티에 소자와 상기 가이드 부재 사이를 열적으로 접속하는 열전도성 부재를 포함하는, 반송 장치.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각부는, 상기 커버 부재에 열적으로 접속된 펠티에 소자인, 반송 장치.
  11. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 커버 부재는, 집진부를 구비하는, 반송 장치.
  12. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 반송 장치를 구비하는, 수지 성형 장치.
  13. 제12항에 기재된 수지 성형 장치를 사용하여 수지 성형품을 제조하는 방법이며,
    상기 반송 장치에 의해 반송된 상기 수지 성형 대상물에 대해 수지 성형을 행하는, 수지 성형품의 제조 방법.
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