KR20190056021A - 상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치 - Google Patents

상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치 Download PDF

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KR20190056021A
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Abstract

상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치를 제공한다. 이 증착 장치는 공정 챔버 내에 배치되고 서로 마주보는 하부 샤워 헤드 및 상부 샤워 헤드; 상기 하부 샤워 헤드와 상기 상부 샤워 헤드 사이에 배치되며 상기 하부 샤워 헤드와 연결되고 웨이퍼를 지지하는 지지 구조물; 및 상기 웨이퍼와 상기 하부 샤워 헤드 사이의 플라즈마 공정 영역을 포함한다. 상기 하부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하는 방향으로 하부 가스를 분출하는 하부 홀들을 포함하고, 상기 상부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하는 방향으로 상부 가스를 분출하는 상부 홀들을 포함하고, 상기 지지 구조물은 상기 하부 홀들을 통해서 분출되는 상기 하부 가스 중 일부를 상기 지지 구조물과 상기 상부 샤워 헤드 사이로 배출시키는 관통 개구부들을 포함한다.

Description

상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치{DEPOSITION APPARATUS INCLUDING UPPER SHOWER HEAD AND LOWER SHOWER HEAD}
본 발명의 기술적 사상은 증착 장치에 관한 것으로, 특히 상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 웨이퍼의 전면에 집적회로를 형성하고 있다. 이와 같은 집적 회로는 반도체 웨이퍼의 전면 상에 증착 공정 및 사진/식각 공정과 같은 반도체 공정을 반복 진행함으로써, 형성될 수 있다. 상기 집적 회로를 형성하기 위한 반도체 공정을 진행함에 따라, 반도체 웨이퍼에는 불균일한 높이를 갖는 전면 패턴들이 형성될 수 있다. 이러한 전면 패턴들에 의해 발생되는 응력에 의해서 반도체 웨이퍼가 휘어지는 보잉 현상이 발생될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하려는 과제는 웨이퍼의 후면에 대하여 증착 공정을 진행할 수 있는 증착 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하려는 과제는 상부 샤워헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시 예에 증착 장치를 제공한다. 이 증착 장치는 공정 챔버 내에 배치되고 서로 마주보는 하부 샤워 헤드 및 상부 샤워 헤드; 상기 하부 샤워 헤드와 상기 상부 샤워 헤드 사이에 배치되며 상기 하부 샤워 헤드와 연결되고 웨이퍼를 지지하는 지지 구조물; 및 상기 웨이퍼와 상기 하부 샤워 헤드 사이의 플라즈마 공정 영역을 포함한다. 상기 하부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하는 방향으로 하부 가스를 분출하는 하부 홀들을 포함하고, 상기 상부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하는 방향으로 상부 가스를 분출하는 상부 홀들을 포함하고, 상기 지지 구조물은 상기 하부 홀들을 통해서 분출되는 상기 하부 가스 중 일부를 상기 지지 구조물과 상기 상부 샤워 헤드 사이로 배출시키는 관통 개구부들을 포함한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시 예에 따른 증착 장치를 제공한다. 이 증착 장치는 하부 샤워 헤드; 상기 하부 샤워 헤드 상의 상부 샤워 헤드; 상기 하부 샤워 헤드와 상기 상부 샤워 헤드 사이에 배치되며 상기 하부 샤워 헤드와 연결되고 웨이퍼를 지지하는 지지 구조물; 및 상기 웨이퍼와 상기 하부 샤워 헤드 사이의 플라즈마 공정 영역을 포함한다. 상기 하부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하여 플라즈마 공정 소스 가스를 분출하는 하부 홀들을 포함하고, 상기 상부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하여 퍼지 가스를 분출하는 상부 홀들을 포함하고, 상기 지지 구조물은 상기 하부 홀들로부터 분출되는 상기 플라즈마 공정 가스의 일부를 상기 지지 구조물과 상기 상부 샤워 헤드 사이의 공간을 통하여 배출시키는 관통 개구부들을 포함한다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시 예에 따른 증착 장치를 제공한다. 이 증착 장치는 공정 챔버 내에 배치되는 하부 샤워 헤드; 상기 공정 챔버 내에 배치되며 상기 하부 샤워 헤드와 마주보는 상부 샤워 헤드; 상기 하부 샤워 헤드와 상기 상부 샤워 헤드 사이에 배치되며 상기 하부 샤워 헤드와 연결되고 웨이퍼를 지지하는 지지 구조물; 상기 공정 챔버의 내측에 배치되며 상기 지지 구조물의 적어도 일부를 둘러싸는 금속 링; 및 상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 금속 링과 전기적으로 연결되는 가변 커패시터를 포함한다.
본 발명의 기술적 사상의 실시예 들에 따르면, 상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치를 제공할 수 있다. 이러한 증착 장치는 플라즈마 공정을 진행하여 상기 웨이퍼의 후면 상에 후면 보강 막을 형성하면서 상기 플라즈마 공정으로부터 상기 웨이퍼의 전면을 보호할 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼의 전면의 오염 또는 손상을 방지하면서, 상기 웨이퍼의 후면 상에 상기 웨이퍼의 휨 등과 같은 보잉 현상을 최소화하기 위한 후면 보강 막을 형성할 수 있는 증착 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 개념적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 일부를 나타낸 개념적인 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 단면도이다.
도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 일부의 변형 예를 나타낸 단면도이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 변형 예를 나타낸 개념적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 변형 예를 나타낸 개념적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 변형 예를 나타낸 개념적인 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 변형 예를 나타낸 개념적인 단면도이다.
이하에서, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치에 대하여 설명하기로 한다.
우선, 도 1 내지 도 3 및 도 5a를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)의 예시적인 예를 나타낸 개념적인 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)의 하부 샤워 헤드(30) 및 지지 구조물(40)을 설명하기 위하여 개념적으로 나타낸 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)에서, 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 구조물(40)을 설명하기 위하여 개념적으로 나타낸 평면도이고, 도 5a는 도 3의 I-I'선을 따라 취해진 영역을 나타낸 단면도이다.
도 1, 도 2, 도 3 및 도 5a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)는 공정 챔버(1), 상기 공정 챔버(1) 내에 배치되며 서로 마주보는 상부 샤워 헤드(10) 및 하부 샤워 헤드(30), 및 상기 하부 샤워 헤드(30)와 상기 상부 샤워 헤드(10) 사이에 배치되며 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 구조물(40)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)는 상부 가스 공급 부(60) 및 상기 상부 가스 공급 부(60)로부터 공급될 수 있는 상부 가스(63)가 상기 공정 챔버(10) 내로 이동되는 상부 가스 배관(62)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)는 하부 가스 공급 부(70) 및 상기 하부 가스 공급 부(70)로부터 상기 공정 챔버(10) 내로 하부 가스(73)가 이동되는 하부 가스 배관(72)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)는 상기 공정 챔버(5) 내에서 플라즈마를 발생시키기 위한 RF 전력 공급부(90)를 포함할 수 있다.
상기 상부 샤워 헤드(10)는 상기 하부 샤워 헤드(30) 상에 배치될 수 있다. 상기 상부 샤워 헤드(10)는 상부 헤드 면(10s)을 가질 수 있고, 상기 하부 샤워 헤드(30)는 상기 상부 헤드 면(10s)과 마주보는 하부 헤드 면(30s)을 가질 수 있다. 일 예에서, 상기 상부 샤워 헤드(10)를 상기 공정 챔버(5)에 고정시킬 수 있는 상부 지지 부(8)가 배치될 수 있다.
상기 상부 샤워 헤드(10)는 내부의 상부 내부 유로(12)를 포함할 수 있다. 상기 상부 내부 유로(12)는 상기 상부 지지 부(8)로 연장되어 상기 상부 가스 배관(62)과 연결될 수 있다.
상기 상부 샤워 헤드(10)는 상기 웨이퍼(W)를 향하는 방향으로 상부 가스(63)를 분출하는 상부 홀들(14)을 포함할 수 있다. 상기 상부 홀들(14)은 상기 상부 헤드 면(10s)으로부터 상기 상부 샤워 헤드(10) 내부로 연장되어 상기 상부 내부 유로(12)와 연결될 수 있다. 따라서, 상기 상부 가스 공급 부(60)으로부터 공급될 수 있는 상기 상부 가스(63)는 상기 상부 가스 배관(62), 상기 상부 내부 유로(12) 및 상부 홀들(14)을 차례로 지나서 상기 지지 구조물(40)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)의 전면(WF) 상으로 분출될 수 있다. 상기 웨이퍼(W)는 상기 상부 샤워 헤드(10)와 마주보는 상기 전면(WF) 및 상기 하부 샤워 헤드(30)와 마주보는 후면(WB)을 가질 수 있다.
상기 하부 샤워 헤드(30)는 내부의 하부 유로(32)를 포함할 수 있다. 상기 하부 유로(32)는 상기 하부 샤프트 축(28) 및 상기 하부 샤프트 축(28) 하부의 구조물(55) 내로 연장되어 상기 하부 가스 배관(72)과 연결될 수 있다. 상기 하부 샤프트 축(28)은 상기 하부 샤워 헤드(30) 및 상기 지지 구조물(40)을 상/하부로 이동시킬 수 있다. 상기 하부 샤프트 축(28)은 상기 하부 샤프트 축(28) 하부에 위치하는 상기 구조물(55)에 의해 상/하부로 이동될 수 있다.
상기 하부 샤워 헤드(30)는 상기 웨이퍼(W)를 향하는 방향으로 상기 하부 가스(73)를 분출하는 하부 홀들(34)을 포함할 수 있다. 상기 하부 홀들(34)은 상기 하부 헤드 면(30s)으로부터 상기 하부 샤워 헤드(30) 내부로 연장되어 상기 하부 유로(32)와 연결될 수 있다. 따라서, 상기 하부 가스 공급 부(70)로부터 공급되는 상기 하부 가스(73)는 상기 하부 샤워 헤드(30) 내의 상기 하부 유로(32) 및 상기 하부 샤워 헤드(30) 내의 상기 하부 홀들(34)을 통하여 상기 웨이퍼(W)의 후면(WB) 상으로 분출될 수 있다.
상기 RF 전력 공급부(90)에 RF 전력이 공급되면서 상기 웨이퍼(W)의 상기 후면(WB)과 상기 하부 샤워 헤드(30) 사이에서 상기 하부 가스(73)에 의한 플라즈마가 발생할 수 있다. 이와 같이, 상기 하부 가스(73)에 의해 발생되는 플라즈마는 상기 웨이퍼(W)의 상기 후면(WB)에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막 등과 같은 후면 보강 막(100b)을 증착하는데 이용될 수 있다. 일 예에서, 상기 하부 가스(73)는 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막 등을 플라즈마 공정으로 형성할 수 있는 플라즈마 공정 소스 가스일 수 있다. 상기 웨이퍼(W)의 상기 전면(Wf)에는 반도체 집적 회로를 형성하기 위한 전면 패턴(100)이 형성될 수 있고, 상기 웨이퍼(W)의 상기 후면(WB)에 형성되는 상기 후면 보강 막(100b)은 상기 웨이퍼(W)의 휨 현상을 최소화시킬 수 있다.
상기 하부 가스(73)에 의해 발생되는 플라즈마가 형성되는 영역은 '플라즈마 공정 영역(PL)'으로 정의할 수 있다. 상기 플라즈마 공정 영역(PL)은 상기 웨이퍼(W)와 상기 하부 샤워 헤드(30) 사이에 형성될 수 있다. 상기 플라즈마 공정 영역(PL)은 상기 웨이퍼(W)와 상기 하부 샤워 헤드(30) 사이에 형성되며 상기 지지 구조물(40)과 상기 하부 샤워 헤드(30) 사이로 연장될 수 있다.
상기 상부 가스 공급 부(60)로부터 공급되어 상기 상부 샤워 헤드(10) 내의 상부 홀들(14)을 지나면서 상기 웨이퍼(W)의 상기 전면(WF) 상의 상기 상부 퍼지 영역(PU)으로 분출될 수 있는 상기 상부 가스(63)는 상기 RF 전력 공급부(90)에 RF 전력이 공급되더라도 플라즈마가 발생하지 않는 퍼지 가스일 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 가스(63)는 질소 등과 같은 퍼지 가스일 수 있다. 상기 상부 퍼지 영역(PU)은 상기 플라즈마 공정 영역(PL)의 플라즈마에 의해 상기 웨이퍼(W)의 상기 전면(WF)이 증착되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 상부 퍼지 영역(PU)은 상기 웨이퍼(W)의 상기 전면(WF)이 손상 또는 오염되는 것을 방지할 수 있다.
일 예에서, 상기 하부 샤워 헤드(30) 및 상기 상부 샤워 헤드(10) 사이로 분출되는 상기 상부 가스(63) 및 상기 하부 가스(73)는 상기 공정 챔버(5)의 하부 영역에 배치되는 배출 부(82)를 통하여 배출될 수 있다. 상기 배출 부(82)는 진공 펌프(80)와 연결될 수 있으며, 상기 상부 가스(63) 및 상기 하부 가스(73)는 상기 진공 펌프(80)에 의해 발생하는 진공 흡입력에 의해 배출될 수 있다.
일 예에서, 상기 지지 구조물(40)은 상기 하부 샤워 헤드(30)와 결합될 수 있고, 상기 상부 샤워 헤드(10)와 이격될 수 있다. 상기 지지 구조물(40)은 상기 웨이퍼(W)를 둘러싸는 링 몸체(44), 및 상기 링 몸체(44)로부터 하부로 연장되어 상기 하부 샤워 헤드(30)와 연결되는 복수의 링 지지 축들(42), 및 상기 링 몸체(44)의 하부 영역으로부터 상기 링 몸체(44)의 내측 방향으로 연장되어 상기 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 지지 부(46)를 포함할 수 있다.
상기 지지 구조물(40)은 상기 하부 홀들(34)을 통해서 분출되는 상기 하부 가스(34) 중 일부를 상기 지지 구조물(40)과 상기 상부 샤워 헤드(10) 사이로 배출시키는 관통 개구부들(40a)을 포함할 수 있다.
일 예에서, 상기 관통 개구부들(40a)은 상기 지지 구조물(40)의 상기 링 몸체(44)를 관통할 수 있다.
상기 관통 개구부들(40a)은 상기 링 몸체(44)의 상부면(40U)을 관통하면서 상기 링 몸체(44)의 하부면(40L)까지 관통할 수 있다. 상기 관통 개구부들(40a)은 상기 링 몸체(44)의 상기 하부면(40L)에서 상기 상부면(40U)을 향할수록 상기 링 몸체(44)의 내측면(40S2) 보다 상기 링 몸체(44)의 외측면(40S1)에 가까울 수 있다.
상기 관통 개구부들(40a)에서, 상기 링 몸체(44)의 상기 상부면(40U)을 관통하는 부분은 상기 링 몸체(44)의 상기 하부면(40L)을 관통하는 부분 보다 상기 링 몸체(44)의 외측면(40S1)에 가까울 수 있다.
상기 하부 가스(73)의 일부는 상기 관통 개구부들(40a)를 통하여 배출되고 나머지는 상기 링 몸체(44)와 상기 하부 샤워 헤드(30) 사이를 지나서 배출될 수 있다. 상기 관통 개구부들(40a)은 상기 링 몸체(44)의 상기 내측면(40S2)으로부터 상기 링 몸체(44)의 상기 외측면(40S1)을 향하는 방향으로 기울어 질 수 있으므로, 상기 관통 개구부들(40a)을 통하여 배출되는 상기 하부 가스(73)는 상기 웨이퍼(W)의 상기 전면(WF) 상으로 이동되지 못하고, 상기 지지 구조물(40)의 상기 링 몸체(44)의 상기 상부면(40U)과 상기 상부 샤워 헤드(10) 사이를 지나면서 상기 배출 부(82)를 향하여 이동될 수 있다.
상기 관통 개구부들(40a)은 상기 상부 퍼지 영역(PU)과 함께 상기 플라즈마 공정 영역(PL) 내의 플라즈마로부터 상기 웨이퍼(W)의 상기 전면(WF)을 보호하는 역할을 할 수 있다.
따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 증착 장치(1)는 상기 웨이퍼(W)의 전면(WF)을 보호하면서, 상기 지지 구조물(40)에 의해 지지되는 상기 웨이퍼(W)의 상기 후면(WB)에 후면 보강 막(도 5a의 100b)을 형성하는 증착 공정을 진행할 수 있다. 상기 후면 보강 막(도 5a의 100b)은 상기 웨이퍼(W)의 휨 현상을 최소화시킬 수 있다.
일 예에서, 각각의 상기 관통 개구부들(40a)은 원형일 수 있다. 그렇지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 상기 관통 개구부들(40a)의 변형 예에 대하여 도 4를 참조하여 설명하기로 한다. 도 4는 상기 관통 개구부들(40a)의 변형 예를 설명하기 위하여 웨이퍼(W)를 지지하는 상기 지지 구조물(40)을 나타낸 평면도이다.
도 4를 참조하면, 각각의 상기 관통 개구부들(40a)은 길쭉한 바 모양 또는 길쭉한 타원 모양일 수 있다. 예를 들어, 폭 보다 길이가 큰 바 모양의 상기 관통 개구부들(40a)은 상기 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 배치될 수 있다.
다시, 도 1, 도 2, 도 3 및 도 5a를 참조하면, 각각의 상기 관통 개구부들(40a)은 상기 링 몸체(44)의 상부면(40U)의 가운데 부분으로부터 상기 링 몸체(44)의 하부면(40L)까지 연장될 수 있다. 그렇지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 상기 관통 개구부들(40a)의 변형 예에 대하여, 도 5b를 참조하여 설명하기로 한다. 도 5b는 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 구조물(40)의 변형 예를 설명하기 위하여 개념적으로 나타낸 단면도이다.
도 5b를 참조하면, 상기 관통 개구부들(40a)에서, 상기 링 몸체(44)의 상기 상부면(40U)을 관통하는 부분은 상기 상부면(40U)의 가운데에서 상기 링 몸체(44)의 상기 외측면(40S) 쪽으로 치우칠 수 있다. 따라서, 상기 관통 개구부들(40a)에서, 상기 링 몸체(44)의 상기 상부면(40U)을 관통하는 부분은 상기 링 몸체(44)의 내측면(40S2) 보다 상기 링 몸체(44)의 외측면(40S1)에 가까울 수 있다.
다시, 도 1, 도 2, 도 3 및 도 5a를 참조하면, 각각의 상기 관통 개구부들(40a)은 상기 링 몸체(44)를 관통하며 상기 웨이퍼 지지 부(46)와 이격될 수 있다. 그렇지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 상기 관통 개구부들(40a)의 변형 예에 대하여, 도 5c를 참조하여 설명하기로 한다. 도 5c는 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 구조물(40)의 변형 예를 설명하기 위하여 개념적으로 나타낸 단면도이다.
도 5c를 참조하면, 관통 개구부들(40a)은 상기 링 몸체(44)의 상부면(40U)으로부터 상기 링 몸체(44) 내부로 연장되며 상기 웨이퍼 지지 부(46)의 적어도 일부를 관통할 수 있다.
다음으로, 도 6을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)를 설명하기로 한다. 도 6은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)의 변형 예를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 6을 참조하면, 앞에서 설명한 것과 같은 상기 공정 챔버(1), 상기 상부 샤워 헤드(10), 상기 하부 샤워 헤드(30), 상기 상부 가스 공급 부(60), 상기 상부 가스 배관(62), 상기 하부 가스 공급 부(70), 상기 하부 가스 배관(72), 상기 RF 전력 공급부(90)를 포함할 수 있다.
상기 하부 샤워 헤드(30)와 상기 상부 샤워 헤드(10) 사이에 배치되는 지지 구조물(40)을 포함할 수 있다. 상기 지지 구조물(40)은 상기 하부 샤워 헤드(30)와 결합될 수 있고, 상기 상부 샤워 헤드(10)와 이격될 수 있다. 상기 지지 구조물(40)은 상기 웨이퍼(W)를 둘러싸는 링 몸체(44), 및 상기 링 몸체(44)로부터 하부로 연장되어 상기 하부 샤워 헤드(30)와 연결되는 복수의 링 지지 축들(42), 및 상기 링 몸체(44)으로부터 상기 링 몸체(44)의 내측 방향으로 연장되어 상기 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 지지 부(46)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)는 정전 용량을 변화시킬 수 있는 가변 커패시터(120) 및 상기 가변 커패시터(120)와 전기적으로 연결될 수 있는 금속 링(110)을 포함할 수 있다. 일 예에서, 상기 가변 커패시터(120)는 상기 공정 챔버(5)의 외부에 배치될 수 있다.
일 예에서, 상기 금속 링(110)은 석영 등과 같은 유전체(105)에 의해 상기 공정 챔버(5) 내의 내부 공간과 분리될 수 있다. 상기 유전체(105)는 상기 공정 챔버(5)의 내벽에 배치될 수 있다. 상기 유전체(105)는 상기 금속 링(110)을 덮으면서 상기 공정 챔버(5)의 내부 공간과 상기 금속 링(110)을 분리시킬 수 있다. 상기 유전체(105)는 상기 지지 구조물(40)과 이격될 수 있다.
상기 금속 링(110)은 상기 지지 구조물(40)의 적어도 일부를 둘러싸며 상기 지지 구조물(40)과 이격될 수 있다.
일 예에서, 상기 금속 링(110)은 상기 지지 구조물(40)의 상기 지지 몸체(44)를 둘러싸며 상기 지지 구조물(40)과 이격될 수 있다.
상기 가변 커패시터(120)와 전기적으로 연결되는 상기 금속 링(110)은 상기 플라즈마 공정 영역(PL) 내의 플라즈마가 상기 지지 구조물(40)의 상기 지지 몸체(44)의 외측에 형성되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 금속 링(110)은 상기 플라즈마 공정 영역(PL) 내의 플라즈마가 상기 지지 몸체(44)의 외측을 통하여 상기 웨이퍼(W)의 상기 전면(WF) 상에까지 형성되는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 7을 참조하여 상기 금속 링(110)의 변형 예에 대하여 설명하기로 한다. 도 7은 변형된 금속 링(110)을 설명하기 위하여 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)의 변형 예를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 7을 참조하면, 도 6에서 설명한 것과 같은 상기 가변 커패시터(120)와 전기적으로 연결되는 금속 링(110)은 상기 지지 구조물(40)의 상기 링 몸체(44)를 둘러싸면서 상기 플라즈마 공정 영역(PL)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
다시, 도 6 또는 도 7을 참조하면, 상기 지지 구조물(40)의 상기 링 몸체(44)는 관통 개구부가 없는 벌크 형태로 형성될 수 있다. 그렇지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 링 몸체(44)는 도 1 내지 도 5c에서 설명한 것과 동일한 관통 개구부들(40a)을 포함하도록 변형될 수 있다. 이와 같은 링 몸체(44)를 갖는 지지 구조물(40)을 포함하는 증착 장치(1)의 예시적인 예에 대하여 도 8을 참조하여 설명하기로 한다.
도 8을 참조하면, 도 6 또는 도 7에서 설명한 것과 같은 상기 가변 커패시터(120)와 전기적으로 연결되는 상기 금속 링(110)과 함께, 도 1 내지 도 5c에서 설명한 것과 동일한 상기 관통 개구부들(40a)을 포함하는 상기 지지 구조물(40)을 포함하는 증착 장치(1)가 제공될 수 있다. 상기 관통 개구부들(40a)에 대하여 도 1 내지 도 5c에서 설명한 바 있으므로, 여기서 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다시, 도 1을 참조하면, 상기 하부 샤워 헤드(30)는 내부에 배치되는 하부 히터(36)를 포함할 수 있다. 상기 하부 히터(36)는 상기 플라즈마 공정 영역(PL) 내의 공정 온도를 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)는 상기 하부 히터(36)를 이용하여 공정 온도를 조절할 수 있다. 그렇지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 히터의 변형 예에 대하여 도 9를 참조하여 설명하기로 한다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 변형 예를 설명하기 위한 개념적인 단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1)는 상기 하부 샤워 헤드(30) 내의 상기 하부 히터(36)와 함께, 상기 상부 샤워 헤드(10) 내에 배치되는 상부 히터(16)를 이용하여 공정 온도를 조절할 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 기술적 사상에 따른 증착 장치(1)는 상기 관통 개구부들(40a)을 포함하는 상기 지지 구조물(40) 및/또는 상기 가변 커패시터(120)를 포함하는 상기 금속 링(110)을 포함할 수 있다. 이와 같은 상기 지지 구조물(40) 및 상기 가변 커패시터(120)를 포함하는 상기 금속 링(110)은 상기 웨이퍼(W)의 상기 후면(WB) 상에 상기 웨이퍼(W)의 휨 현상 등을 최소화하기 위한 상기 후면 보강 막(100b)을 형성하는 동안에 상기 웨이퍼(W)의 상기 전면(WF) 상에 원치 않는 막이 증착되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 지지 구조물(40) 및 상기 가변 커패시터(120)를 포함하는 상기 금속 링(110)은 상기 웨이퍼(W)의 상기 전면(WF)을 상기 웨이퍼(W)의 상기 후면(WB) 상에 상기 후면 보강 막(100b)을 형성하기 위한 플라즈마로부터 보호하는 역할을 할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1 : 증착 장치
W : 웨이퍼
5 : 공정 챔버
10 : 상부 샤워 헤드
10s : 상부 헤드 면
12 : 상부 유로
14 : 상부 홀들
16 : 상부 히터
28 : 하부 샤프트 축
30 : 하부 샤워 헤드
30s : 하부 헤드 면
32 : 하부 유로
34 : 하부 홀들
36 : 하부 히터
40 : 지지 구조물
42 : 링 지지 축
44 : 링 몸체
46 : 웨이퍼 지지 부
60 : 상부 가스 공급 부
62 : 상부 가스 배관
63 : 상부 가스
70 : 하부 가스 공급 부
72 : 하부 가스 배관
73 : 하부 가스
80 : 진공 펌프
82 : 배출 부
90 : RF 전력 공급 부

Claims (20)

  1. 공정 챔버 내에 배치되고 서로 마주보는 하부 샤워 헤드 및 상부 샤워 헤드;
    상기 하부 샤워 헤드와 상기 상부 샤워 헤드 사이에 배치되며 상기 하부 샤워 헤드와 연결되고 웨이퍼를 지지하는 지지 구조물; 및
    상기 웨이퍼와 상기 하부 샤워 헤드 사이의 플라즈마 공정 영역을 포함하되,
    상기 하부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하는 방향으로 하부 가스를 분출하는 하부 홀들을 포함하고,
    상기 상부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하는 방향으로 상부 가스를 분출하는 상부 홀들을 포함하고,
    상기 지지 구조물은 상기 하부 홀들을 통해서 분출되는 상기 하부 가스 중 일부를 상기 지지 구조물과 상기 상부 샤워 헤드 사이로 배출시키는 관통 개구부들을 포함하는 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지 구조물은 상기 웨이퍼를 둘러싸는 링 몸체, 및 상기 링 몸체로부터 하부로 연장되어 상기 하부 샤워 헤드와 연결되는 복수의 링 지지 축들, 상기 링 몸체의 하부 영역으로부터 상기 링 몸체의 내측 방향으로 연장되어 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 부를 포함하고,
    상기 관통 개구부들은 상기 링 몸체를 관통하는 증착 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 관통 개구부들은 상기 링 몸체의 상부면과 상기 링 몸체의 하부면 사이를 관통하는 증착 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 관통 개구부들에서, 상기 링 몸체의 상기 상부면을 관통하는 부분은 상기 링 몸체의 상기 하부면을 관통하는 부분 보다 상기 링 몸체의 외측면에 가까운 증착 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 관통 개구부들에서, 상기 링 몸체의 상기 상부면을 관통하는 부분은 상기 링 몸체의 내측면 보다 상기 링 몸체의 외측면에 가까운 증착 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지 구조물은 상기 웨이퍼를 둘러싸는 링 몸체, 및 상기 링 몸체로부터 하부로 연장되어 상기 하부 샤워 헤드와 연결되는 복수의 링 지지 축들, 상기 링 몸체의 하부 영역으로부터 상기 링 몸체의 내측 방향으로 연장되어 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 부를 포함하고,
    상기 지지 구조물의 상기 관통 개구부들은 상기 링 몸체의 상부면으로부터 상기 링 몸체 내부로 연장되고 상기 웨이퍼 지지 부의 적어도 일부를 관통하는 증착 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정 챔버의 내벽에 배치되는 유전체 내의 금속 링;
    상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 금속 링과 전기적으로 연결되는 가변 커패시터를 더 포함하되,
    상기 유전체는 상기 금속 링을 상기 공정 챔버 내의 빈 공간으로부터 분리시키는 증착 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지 구조물에 의해 지지되는 상기 웨이퍼는 상기 하부 샤워 헤드 보다 상기 상부 샤워 헤드에 가까운 증착 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 가스를 공급하는 상부 가스 공급 부; 및
    상기 하부 가스를 공급하는 하부 가스 공급 부를 더 포함하되,
    상기 상부 가스는 퍼지 가스를 포함하고,
    상기 하부 가스는 플라즈마 공정 소스 가스를 포함하는 증착 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 샤워 헤드 보다 낮은 상기 공정 챔버의 하부에 배치되며, 상기 하부 가스 및 상기 상부 가스를 배출시키는 배출 부를 더 포함하는 증착 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 샤워 헤드 내의 하부 히터를 더 포함하는 증착 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 샤워 헤드 내의 상부 히터를 더 포함하는 증착 장치.
  13. 하부 샤워 헤드;
    상기 하부 샤워 헤드 상의 상부 샤워 헤드;
    상기 하부 샤워 헤드와 상기 상부 샤워 헤드 사이에 배치되며 상기 하부 샤워 헤드와 연결되고 웨이퍼를 지지하는 지지 구조물; 및
    상기 웨이퍼와 상기 하부 샤워 헤드 사이의 플라즈마 공정 영역을 포함하되,
    상기 하부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하여 플라즈마 공정 소스 가스를 분출하는 하부 홀들을 포함하고,
    상기 상부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하여 퍼지 가스를 분출하는 상부 홀들을 포함하고,
    상기 지지 구조물은 상기 하부 홀들로부터 분출되는 상기 플라즈마 공정 가스의 일부를 상기 지지 구조물과 상기 상부 샤워 헤드 사이의 공간을 통하여 배출시키는 관통 개구부들을 포함하는 증착 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 지지 구조물은 상기 웨이퍼를 둘러싸는 링 몸체, 및 상기 링 몸체로부터 하부로 연장되어 상기 하부 샤워 헤드와 연결되는 복수의 링 지지 축들, 상기 링 몸체의 하부 영역으로부터 상기 링 몸체의 내측 방향으로 연장되어 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 부를 포함하고,
    상기 관통 개구부들은 상기 링 몸체를 관통하고,
    상기 관통 개구부들에서, 상기 링 몸체의 상기 상부면을 관통하는 부분은 상기 링 몸체의 상기 하부면을 관통하는 부분 보다 상기 링 몸체의 외측면에 가까운 증착 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 지지 구조물은 상기 웨이퍼를 둘러싸는 링 몸체, 및 상기 링 몸체로부터 하부로 연장되어 상기 하부 샤워 헤드와 연결되는 복수의 링 지지 축들, 상기 링 몸체의 하부 영역으로부터 상기 링 몸체의 내측 방향으로 연장되어 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 부를 포함하고,
    상기 지지 구조물의 상기 관통 개구부들은 상기 링 몸체의 상부면으로부터 상기 링 몸체 내부로 연장되고 상기 웨이퍼 지지 부의 적어도 일부를 관통하고,
    상기 관통 개구부들에서, 상기 링 몸체의 상기 상부면을 관통하는 부분은 상기 링 몸체의 상기 하부면을 관통하는 부분 보다 상기 링 몸체의 외측면에 가까운 증착 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 지지 구조물을 둘러싸며 상기 지지 구조물과 이격되는 금속 링;
    상기 금속 링과 전기적으로 연결되는 가변 커패시터를 더 포함하는 증착 장치.
  17. 공정 챔버 내에 배치되는 하부 샤워 헤드;
    상기 공정 챔버 내에 배치되며 상기 하부 샤워 헤드와 마주보는 상부 샤워 헤드;
    상기 하부 샤워 헤드와 상기 상부 샤워 헤드 사이에 배치되며 상기 하부 샤워 헤드와 연결되고 웨이퍼를 지지하는 지지 구조물;
    상기 공정 챔버의 내측에 배치되며 상기 지지 구조물의 적어도 일부를 둘러싸는 금속 링; 및
    상기 공정 챔버의 외부에 배치되며 상기 금속 링과 전기적으로 연결되는 가변 커패시터를 포함하는 증착 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 하부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하는 방향으로 하부 가스를 분출하는 하부 홀들을 포함하고,
    상기 상부 샤워 헤드는 상기 웨이퍼를 향하는 방향으로 상부 가스를 분출하는 상부 홀들을 포함하고,
    상기 지지 구조물은 상기 하부 홀들을 통해서 분출되는 상기 하부 가스 중 일부를 상기 지지 구조물과 상기 상부 샤워 헤드 사이로 배출시키는 관통 개구부들을 포함하는 증착 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 지지 구조물은 상기 웨이퍼를 둘러싸는 링 몸체, 및 상기 링 몸체로부터 하부로 연장되어 상기 하부 샤워 헤드와 연결되는 복수의 링 지지 축들, 상기 링 몸체의 하부 영역으로부터 상기 링 몸체의 내측 방향으로 연장되어 상기 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지 부를 포함하고,
    상기 관통 개구부들은 상기 링 몸체를 관통하거나, 또는 상기 링 몸체의 상부면으로부터 상기 링 몸체 내부로 연장되고 상기 웨이퍼 지지 부의 적어도 일부를 관통하는 증착 장치.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 금속 링과 상기 공정 챔버 내의 내부 공간 사이의 유전체를 더 포함하는 증착 장치.

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220047351A (ko) * 2019-08-16 2022-04-15 램 리써치 코포레이션 웨이퍼 내에서 차동 보우를 보상하기 위한 공간적으로 튜닝 가능한 증착
WO2022133434A1 (en) * 2020-12-17 2022-06-23 Lam Research Corporation Optimizing edge radical flux in a downstream plasma chamber
US11725283B2 (en) 2017-08-31 2023-08-15 Lam Research Corporation PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate
US11830759B2 (en) 2020-02-11 2023-11-28 Lam Research Corporation Carrier ring designs for controlling deposition on wafer bevel/edge
WO2023239863A1 (en) * 2022-06-09 2023-12-14 Tokyo Electron Limited Equipment and method for improved edge uniformity of plasma processing of wafers

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10790466B2 (en) * 2018-12-11 2020-09-29 Feng-wen Yen In-line system for mass production of organic optoelectronic device and manufacturing method using the same system
CN113366145A (zh) * 2019-01-31 2021-09-07 朗姆研究公司 具有可调式气体出口的喷头
CN112530776B (zh) * 2019-09-18 2024-02-09 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090106730A (ko) * 2008-04-07 2009-10-12 (주)소슬 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US20130288483A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 S.M. Reza Sadjadi Methods and apparatus for controlling substrate uniformity

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0254922A (ja) * 1988-08-19 1990-02-23 Fuji Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
DE69126724T2 (de) * 1990-03-19 1998-01-15 Toshiba Kawasaki Kk Vorrichtung zur Dampfphasenabscheidung
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5304248A (en) 1990-12-05 1994-04-19 Applied Materials, Inc. Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions
JPH07166356A (ja) * 1993-12-13 1995-06-27 Sekisui Chem Co Ltd 基板の表面処理方法
US6296712B1 (en) 1997-12-02 2001-10-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hardware and process
KR100292410B1 (ko) * 1998-09-23 2001-06-01 윤종용 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버
US6159299A (en) 1999-02-09 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Wafer pedestal with a purge ring
NL1012004C2 (nl) * 1999-05-07 2000-11-13 Asm Int Werkwijze voor het verplaatsen van wafers alsmede ring.
US6565661B1 (en) * 1999-06-04 2003-05-20 Simplus Systems Corporation High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method
KR20010076521A (ko) 2000-01-26 2001-08-16 윤종용 화학 기상 증착 장치
TW517262B (en) 2000-03-16 2003-01-11 Applied Materials Inc Shadow ring with common guide member
TW506234B (en) 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
TWI234417B (en) 2001-07-10 2005-06-11 Tokyo Electron Ltd Plasma procesor and plasma processing method
JP2003027242A (ja) * 2001-07-18 2003-01-29 Hitachi Cable Ltd プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた成膜方法
US6921556B2 (en) 2002-04-12 2005-07-26 Asm Japan K.K. Method of film deposition using single-wafer-processing type CVD
JP4365226B2 (ja) 2004-01-14 2009-11-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング装置及び方法
US7198677B2 (en) * 2005-03-09 2007-04-03 Wafermasters, Inc. Low temperature wafer backside cleaning
TWI332532B (en) 2005-11-04 2010-11-01 Applied Materials Inc Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US8852349B2 (en) 2006-09-15 2014-10-07 Applied Materials, Inc. Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced auto-doping and backside defects
US8951351B2 (en) * 2006-09-15 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Wafer processing hardware for epitaxial deposition with reduced backside deposition and defects
KR20090024522A (ko) 2007-09-04 2009-03-09 주식회사 유진테크 기판처리장치
KR101277503B1 (ko) 2007-12-03 2013-06-21 참엔지니어링(주) 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
US20110049100A1 (en) * 2008-01-16 2011-03-03 Charm Engineering Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
JP2011517087A (ja) * 2008-04-07 2011-05-26 チャーム エンジニアリング シーオー エルティーディー プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101060652B1 (ko) * 2008-04-14 2011-08-31 엘아이지에이디피 주식회사 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착 방법
US20090291209A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Asm International N.V. Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition
US8291857B2 (en) 2008-07-03 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for atomic layer deposition
US9297072B2 (en) 2008-12-01 2016-03-29 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus
JP5371466B2 (ja) 2009-02-12 2013-12-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
KR100990746B1 (ko) 2009-11-19 2010-11-02 (주)앤피에스 기판 처리 장치
KR20120036464A (ko) 2010-10-08 2012-04-18 주식회사 케이씨텍 서셉터 및 그를 구비한 원자층 증착 장치
JP5982758B2 (ja) 2011-02-23 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波照射装置
WO2012122054A2 (en) 2011-03-04 2012-09-13 Novellus Systems, Inc. Hybrid ceramic showerhead
US9666414B2 (en) 2011-10-27 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Process chamber for etching low k and other dielectric films
US8956979B2 (en) 2011-11-17 2015-02-17 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods for improving front-side process uniformity by back-side metallization
US8721833B2 (en) 2012-02-05 2014-05-13 Tokyo Electron Limited Variable capacitance chamber component incorporating ferroelectric materials and methods of manufacturing and using thereof
JP2013191782A (ja) 2012-03-14 2013-09-26 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置
US8865602B2 (en) 2012-09-28 2014-10-21 Applied Materials, Inc. Edge ring lip
KR101937692B1 (ko) 2012-10-09 2019-01-14 주식회사 원익아이피에스 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치
KR101923050B1 (ko) 2012-10-24 2018-11-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 급속 열 처리를 위한 최소 접촉 에지 링
US9157730B2 (en) 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process
KR101432157B1 (ko) 2013-02-06 2014-08-20 에이피시스템 주식회사 기판 지지대 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR20140100764A (ko) 2013-02-07 2014-08-18 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치
JP6135272B2 (ja) 2013-04-19 2017-05-31 住友電気工業株式会社 基板固定冶具
US20150020848A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Lam Research Corporation Systems and Methods for In-Situ Wafer Edge and Backside Plasma Cleaning
US9881788B2 (en) 2014-05-22 2018-01-30 Lam Research Corporation Back side deposition apparatus and applications
US9617638B2 (en) 2014-07-30 2017-04-11 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for showerhead backside parasitic plasma suppression in a secondary purge enabled ALD system
US10242848B2 (en) 2014-12-12 2019-03-26 Lam Research Corporation Carrier ring structure and chamber systems including the same
US10253412B2 (en) 2015-05-22 2019-04-09 Lam Research Corporation Deposition apparatus including edge plenum showerhead assembly
US10378107B2 (en) 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
US10755902B2 (en) 2015-05-27 2020-08-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and focus ring
US9428833B1 (en) 2015-05-29 2016-08-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for backside deposition reduction by control of wafer support to achieve edge seal
US10358722B2 (en) 2015-12-14 2019-07-23 Lam Research Corporation Showerhead assembly

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090106730A (ko) * 2008-04-07 2009-10-12 (주)소슬 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US20130288483A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 S.M. Reza Sadjadi Methods and apparatus for controlling substrate uniformity

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11725283B2 (en) 2017-08-31 2023-08-15 Lam Research Corporation PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate
US11851760B2 (en) 2017-08-31 2023-12-26 Lam Research Corporation PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate
KR20220047351A (ko) * 2019-08-16 2022-04-15 램 리써치 코포레이션 웨이퍼 내에서 차동 보우를 보상하기 위한 공간적으로 튜닝 가능한 증착
US11946142B2 (en) 2019-08-16 2024-04-02 Lam Research Corporation Spatially tunable deposition to compensate within wafer differential bow
US11830759B2 (en) 2020-02-11 2023-11-28 Lam Research Corporation Carrier ring designs for controlling deposition on wafer bevel/edge
US11837495B2 (en) 2020-02-11 2023-12-05 Lam Research Corporation Carrier ring designs for controlling deposition on wafer bevel/edge
WO2022133434A1 (en) * 2020-12-17 2022-06-23 Lam Research Corporation Optimizing edge radical flux in a downstream plasma chamber
WO2023239863A1 (en) * 2022-06-09 2023-12-14 Tokyo Electron Limited Equipment and method for improved edge uniformity of plasma processing of wafers

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