KR20190054916A - 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 - Google Patents
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Abstract
공진 특성이나 필터 특성의 열화가 생기기 어려운 탄성파 장치를 제공한다.
고음속 부재(2), 저음속막(3), 압전막(4) 및 IDT 전극(5)이 이 순서로 적층되어 있고, IDT 전극(5)이 교차영역(C)과 제1, 제2 바깥가장자리영역(C4, C5)을 가지며, 교차영역(C)이 제1 및 제2 전극(13, 14)이 연장되는 방향에서 중앙에 위치하고 있는 중앙영역(C1)과, 중앙영역(C1)의 양 외측에 마련된 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)을 가지고, 제1 및 제2 전극지(13, 14)의 두께가, 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서 중앙영역(C1)에서의 두께에 비해 두껍게 되어 있으며, 제1 및 제2 전극지(13, 14)의 두껍게 되어 있는 두께 증가 부분이 밀도(d) 5.5g/㎤ 이상의 금속으로 이루어지면서 T=-0.1458d+4.8654로 나타낸 파장 규격화 막두께(T)(%) 이하의 막두께로 되어 있는 탄성파 장치(1).
고음속 부재(2), 저음속막(3), 압전막(4) 및 IDT 전극(5)이 이 순서로 적층되어 있고, IDT 전극(5)이 교차영역(C)과 제1, 제2 바깥가장자리영역(C4, C5)을 가지며, 교차영역(C)이 제1 및 제2 전극(13, 14)이 연장되는 방향에서 중앙에 위치하고 있는 중앙영역(C1)과, 중앙영역(C1)의 양 외측에 마련된 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)을 가지고, 제1 및 제2 전극지(13, 14)의 두께가, 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서 중앙영역(C1)에서의 두께에 비해 두껍게 되어 있으며, 제1 및 제2 전극지(13, 14)의 두껍게 되어 있는 두께 증가 부분이 밀도(d) 5.5g/㎤ 이상의 금속으로 이루어지면서 T=-0.1458d+4.8654로 나타낸 파장 규격화 막두께(T)(%) 이하의 막두께로 되어 있는 탄성파 장치(1).
Description
본 발명은 고음속 부재 상에 저음속막 및 압전막(壓電膜)이 적층되어 있는 구조를 가지는 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치에 관한 것이다.
하기 특허문헌 1은 IDT 전극의 전극지(電極指)끼리가 서로 맞물려 있는 영역을 교차영역으로 한 경우, 상기 교차영역이 전극지가 연장되는 방향 중앙에 위치하고 있는 중앙영역과, 중앙영역의 양 외측에 마련된 안가장자리영역을 가지는 구조가 나타나 있다. 상기 안가장자리영역은 중앙영역보다도 음속이 느리게 되어 있다. 이 안가장자리영역을 형성하기 위해, 전극지의 두께가 중앙영역에서의 전극지의 두께보다도 두껍게 되어 있다. 안가장자리영역의 외측에 바깥가장자리영역이 더 마련되어 있다. 그로 인해 IDT 전극에 인가되는 전위, 나아가서는 표면파의 여기(勵起) 프로파일과 표면파의 변위 프로파일을 대강 일치시킬 수 있고, 기본모드보다도 고차의 횡(橫)모드 리플의 영향을 작게 할 수 있다고 기재되어 있다.
특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 안가장자리영역과 중앙영역과 바깥가장자리영역의 음속차 만으로 피스톤모드를 형성한 구조에서는 횡모드에 의한 리플을 충분히 작게 할 수 없는 경우가 있었다. 그 때문에 공진 특성이나 필터 특성이 악화될 우려가 있었다.
본 발명의 목적은 공진 특성이나 필터 특성의 열화(劣化)가 생기기 어려운, 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는 고음속 재료로 이루어지는 고음속 부재와, 상기 고음속 부재 상에 적층되어 있고, 저음속 재료로 이루어지는 저음속막과, 상기 저음속막 상에 적층되어 있고, 탄탈산리튬으로 이루어지는 압전막과, 상기 압전막 상에 마련된 IDT 전극을 포함하고, 상기 고음속 재료는 상기 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다도, 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 재료이며, 상기 저음속 재료는 상기 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다도, 전파하는 벌크파의 음속이 저속인 재료이고, 상기 IDT 전극은 서로 맞물리는 복수개의 제1 전극지 및 복수개의 제2 전극지를 가지며, 상기 복수개의 제1 전극지와 상기 복수개의 제2 전극지가 탄성파 전파 방향에서 서로 겹쳐있는 부분을 교차영역으로 했을 때에, 상기 IDT 전극은 상기 교차영역과, 상기 제1 전극지 및 상기 제2 전극지가 연장되는 방향에서 상기 교차영역의 양 외측에 마련된 제1, 제2 바깥가장자리영역을 가지고, 상기 교차영역은 상기 제1 및 제2 전극지가 연장되는 방향에서 중앙에 위치하고 있는 중앙영역과, 상기 중앙영역의 상기 제1 및 제2 전극지가 연장되는 방향의 양 외측에 마련된 제1 및 제2 안가장자리영역을 가지고, 상기 제1 및 제2 안가장자리영역에서의 상기 제1 및 제2 전극지의 두께가 상기 중앙영역에서의 상기 제1 및 제2 전극지의 두께보다도 두껍게 되어 있으며, 상기 중앙영역에서의 제1 및 제2 전극지의 두께보다도 상기 제1 및 제2 전극지가 두껍게 되어 있는 두께 증가 부분이 밀도(d) 5.5g/㎤ 이상의 금속으로 이루어지면서 T=-0.1458d+4.8654로 나타낸 파장 규격화 막두께(T)(%) 이하의 막두께로 되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 어느 특정 국면에서는 상기 제1 및 제2 전극지가 상기 제1 및 제2 안가장자리영역에서, 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 적층된 제2 전극을 가지고, 상기 제2 전극이 상기 제1 및 제2 전극지의 상기 두께 증가 부분이다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는 상기 제1 전극의 듀티와 상기 제2 전극의 듀티가 동일하다. 이 경우에는 제1 전극 상에 제2 전극을, 동일 마스크 등을 이용하여 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는 상기 제2 전극의 듀티가 상기 제1 전극의 듀티보다도 작다. 이 경우에는 제2 전극의 형성 시에 제2 전극의 폭 방향의 위치 어긋남에 대한 허용도가 커지게 된다. 따라서, 제2 전극을 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는 상기 제1 전극이 Al을 주성분으로 한다. 이 경우에는 IDT 전극의 저항 손실을 작게 할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는 상기 제2 전극이 Cu, Ta, Pt 및 Au로 이루어지는 군에서 선택된 1종의 금속으로 이루어진다. 이 경우에는 제2 전극을 마련하여 제1, 제2 안가장자리영역의 막두께를 증가시킨 경우에 충분한 비대역을 확보할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는 상기 제1 및 제2 안가장자리영역에서의 비대역이 상기 중앙영역에서의 비대역보다도 작다. 이 경우에는 공진 특성이나 필터 특성을 한층 더 효과적으로 개선할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는 상기 제1 및 제2 안가장자리영역에서의 음속이 상기 중앙영역의 음속에 비해 낮게 되어 있고, 상기 제1 바깥가장자리영역 및 상기 제2 바깥가장자리영역에서의 음속이 상기 제1, 제2 안가장자리영역의 음속에 비해 높게 되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치에서는 상기 고음속 부재는 고음속 지지 기판이어도 된다. 또한, 상기 고음속 부재를 지지하고 있는 지지 기판이 더 포함되어 있어도 된다.
본 발명에 따른 고주파 프론트 엔드 회로는 본 발명에 따라 구성된 탄성파 장치와 파워앰프를 포함한다.
본 발명에 따른 통신 장치는 본 발명에 따라 구성된 고주파 프론트 엔드 회로와 RF 신호 처리 회로를 포함한다.
본 발명에 의하면, 고음속 부재, 저음속막 및 압전막이 적층되어 있는 구조를 가지면서 IDT 전극에서, 중앙영역의 양 외측에 제1 및 제2 안가장자리영역이 구성되어 있는 탄성파 장치로서, 필터 특성이나 공진 특성의 열화가 생기기 어려운 탄성파 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치에서의 여기 프로파일과 변위 분포를 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 전극 구조를 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 안가장자리영역이 마련되어 있는 부분의 적층 구조를 설명하기 위한 약도적 확대 단면도이다.
도 4는 안가장자리영역에서의 여진(勵振) 강도(Ψ2)/중앙영역에서의 여진 강도(Ψ1)와, 실효결합계수의 관계를 나타내는 도면이다.
도 5는 IDT 전극의 교차폭 방향의 위치와, 가해지는 전위의 관계를 나타내는 도면이다.
도 6은 비교예에서의 교차폭 방향의 위치와, 변위 및 여진 강도의 관계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 제1 실시형태의 탄성파 장치에서의 교차폭 방향의 위치와, 변위 및 여진 강도의 관계를 나타내는 모식도이다.
도 8은 전극의 밀도와, 규격화 비대역 폭이 0.58이 되는 파장 규격화 막두께 (T)(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 9는 제2 전극의 파장 규격화 막두께(%)와 규격화 비대역의 관계를 나타내는 도면이다.
도 10은 실시예 및 비교예의 탄성파 장치의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 11은 참고예의 탄성파 장치에서의 제2 전극의 파장 규격화 막두께(%)와 규격화 비대역(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 12는 제2 실시형태의 탄성파 장치의 안가장자리영역에서의 적층 구조를 설명하기 위한 약도적 부분 확대 단면도이다.
도 13은 제2 실시형태에서, 제2 전극이 Au인 경우의 듀티비(比)와 규격화 비대역(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 14는 제2 실시형태에서, 제2 전극이 Cu인 경우의 듀티비와 규격화 비대역(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 15는 제2 실시형태에서, 제2 전극이 Pt인 경우의 듀티비와 규격화 비대역(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 16은 제2 실시형태에서, 제2 전극이 Ta인 경우의 듀티비와 규격화 비대역(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 17은 제3 실시형태의 탄성파 장치에서의 안가장자리영역의 적층 구조를 설명하기 위한 부분 확대 단면도이다.
도 18은 고주파 프론트 엔드 회로를 가지는 통신 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 전극 구조를 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 안가장자리영역이 마련되어 있는 부분의 적층 구조를 설명하기 위한 약도적 확대 단면도이다.
도 4는 안가장자리영역에서의 여진(勵振) 강도(Ψ2)/중앙영역에서의 여진 강도(Ψ1)와, 실효결합계수의 관계를 나타내는 도면이다.
도 5는 IDT 전극의 교차폭 방향의 위치와, 가해지는 전위의 관계를 나타내는 도면이다.
도 6은 비교예에서의 교차폭 방향의 위치와, 변위 및 여진 강도의 관계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 제1 실시형태의 탄성파 장치에서의 교차폭 방향의 위치와, 변위 및 여진 강도의 관계를 나타내는 모식도이다.
도 8은 전극의 밀도와, 규격화 비대역 폭이 0.58이 되는 파장 규격화 막두께 (T)(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 9는 제2 전극의 파장 규격화 막두께(%)와 규격화 비대역의 관계를 나타내는 도면이다.
도 10은 실시예 및 비교예의 탄성파 장치의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 11은 참고예의 탄성파 장치에서의 제2 전극의 파장 규격화 막두께(%)와 규격화 비대역(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 12는 제2 실시형태의 탄성파 장치의 안가장자리영역에서의 적층 구조를 설명하기 위한 약도적 부분 확대 단면도이다.
도 13은 제2 실시형태에서, 제2 전극이 Au인 경우의 듀티비(比)와 규격화 비대역(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 14는 제2 실시형태에서, 제2 전극이 Cu인 경우의 듀티비와 규격화 비대역(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 15는 제2 실시형태에서, 제2 전극이 Pt인 경우의 듀티비와 규격화 비대역(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 16은 제2 실시형태에서, 제2 전극이 Ta인 경우의 듀티비와 규격화 비대역(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 17은 제3 실시형태의 탄성파 장치에서의 안가장자리영역의 적층 구조를 설명하기 위한 부분 확대 단면도이다.
도 18은 고주파 프론트 엔드 회로를 가지는 통신 장치의 구성도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 분명히 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이고, 다른 실시형태 간에 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치에서의 여기 프로파일과 변위분포를 설명하기 위한 모식도이다. 도 2는 제1 실시형태의 탄성파 장치의 전극구조를 나타내는 평면도이다. 도 3은 제1 실시형태의 탄성파 장치에서의, 안가장자리영역이 마련되어 있는 부분의 적층 구조를 설명하기 위한 약도적 확대 단면도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(1)에서는 고음속 부재(2) 상에 저음속막(3) 및 압전막(4)이 적층되어 있다. 고음속 부재(2)는 고음속 재료로 이루어진다. 저음속막(3)은 저음속 재료로 이루어진다. 여기서 압전막(4)은 LiTaO3으로 이루어진다.
고음속 재료란, 압전막(4)을 전파하는 탄성파의 음속보다도, 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 재료를 말한다. 고음속 부재(2)는 본 실시형태에서는 지지 기판을 겸하고 있다. 즉, 고음속 부재(2)는 고음속 지지 기판이다. 고음속 부재(2)는 실리콘(Si)으로 이루어진다.
고음속 재료로는 예를 들면, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 산질화규소, DLC막, 실리콘(Si), 사파이어, 탄탈산리튬, 니오브산리튬, 수정 등의 압전체층, 알루미나, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포스테라이트 등의 각종 세라믹, 다이아몬드, 마그네시아 또는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료, 상기 각 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 재료의 어느 하나로 이루어진다. 한편, 고음속 재료는 상대적으로 고음속인 재료이면 된다.
저음속 재료란, 압전막(4)을 전파하는 탄성파의 음속보다도, 전파하는 벌크파의 음속이 낮은 저음속 재료를 말한다. 저음속막(3)은 산화규소(SiO2)로 이루어진다. 단, 상기 저음속 재료로는 무기절연물, 수지재료 등을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는 예를 들면, 유리, 산질화규소, 산화탄탈 또는 산화규소에 불소, 탄소나 붕소를 첨가한 화합물을 주성분으로 하는 재료 등으로 이루어진다. 한편, 저음속 재료는 상대적으로 저음속인 재료이면 된다.
또한, 상기 고음속 재료 및 저음속 재료에 대해서는 상술한 음속 관계를 충족하는 한 적당한 재료의 조합을 이용할 수 있다.
고음속 부재(2) 상에 저음속막(3)이 적층되어 있고, 저음속막(3) 상에 압전막(4)이 배치되어 있기 때문에 탄성파를 압전막(4) 내에 효과적으로 가둘 수 있고, Q값을 높일 수 있다.
압전막(4) 상에 IDT 전극(5)이 마련되어 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(1)에서는 IDT 전극(5)의 탄성파 전파 방향 양측에 반사기(6, 7)가 마련되어 있다.
IDT 전극(5)은 서로 대향하는 제1 및 제2 버스바(busbar)(11, 12)를 가진다. 제1 버스바(11)에 복수개의 제1 전극지(13)의 기단(基端)이 접속되어 있다. 제2 버스바(12)에 복수개의 제2 전극지(14)의 기단이 접속되어 있다. 복수개의 제1 전극지(13)와 복수개의 제2 전극지(14)는 서로 맞물려 있다.
제1 전극지(13)와 제2 전극지(14)가 탄성파 전파 방향에서 겹쳐있는 영역이 교차영역(C)이다. 교차영역(C)은 전계의 인가에 의해 탄성파를 여진하는 부분이다.
복수개의 제1 전극지(13)는 제2 버스바(12) 쪽을 향하여 연장되어 있다. 또한, 복수개의 제2 전극지(14)는 제1 버스바(11) 쪽을 향하여 연장되어 있다.
제1 및 제2 전극지(13, 14)가 연장되는 방향에서, 즉 교차영역(C)의 제1, 제2 전극지(13, 14)가 연장되는 방향 양 외측에 제1, 제2 바깥가장자리영역(C4, C5)이 마련되어 있다. 제1, 제2 바깥가장자리영역(C4, C5)에서의 음속은 제1, 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서의 음속보다도 높게 되어 있다. 보다 상세하게는 제1 바깥가장자리영역(C4)은 제2 전극지(14)의 선단과 제1 버스바(11)의 안가장자리 사이 갭(gap) 영역이고, 제2 바깥가장자리영역(C5)은 제1 전극지(13)의 선단과 제2 버스바(12)의 안가장자리 사이의 갭 영역이다.
교차영역(C)은 중앙에 위치하고 있는 중앙영역(C1)과, 중앙영역(C1)의 양 외측에 위치하고 있는 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)을 가진다. 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)은 제1, 제2 바깥가장자리영역(C4, C5)에 비해 중앙영역(C1) 쪽에 위치하고 있기 때문에 제1, 제2 안가장자리영역(C2, C3)이라고 표현하는 것으로 한다.
상기 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)은 제1 및 제2 전극지(13, 14)의 두께를 두껍게 함으로써 마련되어 있다. 즉, 도 2에서 사선의 해칭(hatching)을 쳐서 나타내는 영역에서, 제1 전극지(13) 및 제2 전극지(14)의 두께가 중앙영역(C1)에서의 제1 및 제2 전극지(13, 14)의 두께보다도 두껍게 되어 있다. 그로 인해 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서의 비대역이 중앙영역(C1)에서의 비대역보다도 작게 되어 있다. 즉, 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서의 비대역이 중앙영역(C1)에서의 비대역보다도 작게 되어 있기 때문에 이와 같은 여기 프로파일(Ψ)이 구성되어 있다. 한편, 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서의 음속은 중앙영역(C1)에서의 음속보다도 낮게 되어 있다.
보다 구체적으로는 도 3에 제1 전극지(13)를 대표하여 나타내는 바와 같이, 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서 제1 전극지(13)는 제1 전극(13a)과 제1 전극(13a) 상에 적층된 제2 전극(13b)을 가진다. 제2 전극(13b)은 안가장자리영역에만 마련되어 있다. 즉, 도 2에서 파선의 해칭을 친 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서 제2 전극(13b)이 적층되어 있다. 이 제2 전극(13b)이 본 발명에서의 제1 및 제2 전극지(13, 14)의 두께가 두껍게 되어 있는 두께 증가 부분에 상당한다. 중앙영역(C1)에서는 제2 전극(13b)은 적층되어 있지 않다.
한편, 탄성파 장치(1)에서는 제1 전극(13a)의 듀티와 제2 전극(13b)의 듀티는 동일하게 되어 있다.
상기한 바와 같이, 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)이 마련되어 있고, 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)의 제1 및 제2 전극지(13, 14)가 연장되는 방향 외측은 제1, 제2 바깥가장자리영역(C4, C5)으로 되어 있다.
종래, 이와 같은 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)을 교차영역(C)에 마련함으로써 외측의 제1, 제2 바깥가장자리영역(C4, C5)과의 음속 차를 이용하여, 횡모드 리플을 억압할 수 있다고 생각되었다.
그러나, 본원 발명자들은, 상술한 고음속 부재(2), 저음속막(3) 및 압전막(4)을 적층한 구조를 가지는 탄성파 장치(1)에서는 전극 재료나 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서의 제2 전극(13b)의 막두께에 의해서는 횡모드 리플을 충분히 억압할 수 없기 때문에, 공진 특성이 열화되는 것을 처음으로 발견했다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 탄성파 장치(1)에서는 여기 프로파일(Ψ)에서 중앙영역(C1)에서의 여진 강도(Ψ1)에 비해 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서의 여진 강도(Ψ2)가 작게 되어 있다. 여기 프로파일(Ψ)이란, 각 영역에서의 여진 강도의 분포를 말한다. 도 1에서는, 전극 구조의 우측에 이 여기 프로파일(Ψ)이 나타나 있고, 더 우측에 각 영역의 기본모드에서의 변위 프로파일(Φ)이 나타나 있다. 변위 프로파일(Φ)은 각 영역에서의 기본모드의 변위 분포를 나타내는 것이다.
한편, 제1 및 제2 바깥가장자리영역(C4, C5)에서의 여진 강도(Ψ3)는 0이다. 이와 같은 여기 프로파일(Ψ)을 가지기 때문에, 여기 프로파일(Ψ)은 도 1에 나타내는 기본모드에서의 변위 프로파일(Φ)에 가까워져 있다. 그 때문에 횡모드 리플을 한층 더 효과적으로 억압하는 것이 가능하게 되어 있다.
상기 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서의 제2 전극(13b)은 이와 같은 여기 프로파일을 실현하도록 선택되어 있다.
한편, 여기 프로파일과 변위 프로파일의 일치도를 나타내는 파라미터로서 실효결합계수(keff 2)가 알려져 있다. 이 실효결합계수(keff 2)는 하기 비특허문헌에 기재되어 있다.
“Spurious resonance free bulk acoustic resonators," IEEE Ultrason. Symp., pp. 84-87, 2003. J. Kaitila, M. Ylilammi, J. Ella, and R. Aigner,
여기서 u(y)는 교차폭 방향의 진폭, 즉 변위 프로파일에 상당한다. 한편, E(y)는 교차폭 방향의 여진 강도 분포, 즉 여기 프로파일에 상당한다. 종래의 음속 차에 의해 변위 프로파일과 여기 프로파일을 일치시키는 피스톤모드를 이용한 전극 구조를 이용한 탄성파 장치에서는, E(y)는 교차영역에서 일정 값이고, 교차영역의 외측에서 0이 되어 있었다.
한편, keff 2는 0 이상 1 이하의 값을 취할 수 있다. keff 2가 1인 경우에는 변위 분포와 여진 강도 분포의 형상이 일치 혹은 닮아있는 것을 나타낸다. 이 경우에는 사용되고 있는 재료 및 구조가 실현할 수 있는 최대 전기기계 결합계수를 실현하는 것을 의미하고 있다. 한편, keff 2가 0인 경우에는 그 모드는 여진되지 않는 것을 나타낸다.
도 4는 상기 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서의 여진 강도(Ψ2)의 중앙영역(C1)에서의 여진 강도(Ψ1)에 대한 비, Ψ2/Ψ1와 기본모드의 실효결합계수(keff 2)(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 비(Ψ2/Ψ1)를 작게 함으로써, 즉 Ψ2를 Ψ1보다도 작게 함으로써 기본모드의 실효결합계수(keff 2)를 높일 수 있다. 바람직하게는 Ψ2/Ψ1가 0.58 이상, 1 미만이면 기본모드의 실효결합계수(keff 2)는 Ψ2/Ψ1=1인 경우보다도 높아진다. 이것은 기본모드의 변위 프로파일과 여기 프로파일이 한층 더 일치하는 것을 나타내므로, 기본모드보다도 고차의 횡모드 리플을 효과적으로 억압할 수 있다.
도 5는 IDT 전극의 교차폭 방향의 위치(λ)와 전하(電荷)되는 전위의 관계를 나타내는 도면이다. 한편, 교차폭 방향의 위치(λ)=0은, 중앙영역(C1)의 제1 및 제2 전극지(13, 14)가 연장되는 방향 중앙의 위치를 나타내는 것으로 한다. 또한, 교차폭 방향의 위치=9.8λ의 위치보다도 외측이 교차영역(C)의 외측의 영역이 된다.
도 6은 비교예의 탄성파 장치에서의 교차폭 방향의 위치와, 여진 강도와, 변위의 관계를 나타내는 도면이다. 도 7은 본 실시형태의 탄성파 장치(1)에서의 교차폭 방향의 위치와 여진 강도와 변위의 관계를 나타내는 도면이다.
도 6 및 도 7에서 실선이 변위 프로파일(Φ)을 나타내고 파선이 여기 프로파일(Ψ)을 나타낸다.
상술한 바와 같이, 탄성파 장치(1)에서는 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서의 여진 강도(Ψ2)가 작게 되어 있기 때문에, 도 7에 나타내는 바와 같이, 여기 프로파일(Ψ)과 변위분포가 가까워져 있다. 이에 반해 도 6에 나타내는 비교예에서는, 안가장자리영역에서의 여진 강도가 중앙영역과 동등하게 되어 있기 때문에 여기 프로파일(Ψ)과 변위 분포의 일치도가 낮다. 또한, 탄성파 장치(1)에서는 도 7에 나타내는 바와 같이, 중앙영역(C1)에서의 변위가 거의 일정하게 되어 있고, 도 5에 나타내는 변위(ΔU)와 일치하고 있는 것을 알 수 있다.
상기와 같이 탄성파 장치(1)에서는 실효결합계수(keff 2)를 높이기 상해 비(Ψ2/Ψ1)가 0.58 이상, 1 미만으로 되어 있다. 여기서 여진 강도(Ψ2 및 Ψ1)는 각각 탄성 표면파의 비대역으로 나타낼 수 있다. 탄성파 장치(1)에서는 제2 전극(13b)의 재료 및 막두께를 선택함으로써 중앙영역(C1)의 비대역에 대한 제1 안가장자리영역(C2)의 비대역의 비, 즉 규격화 비대역이 0.58 이상, 1 미만으로 될 수 있다. 한편, 제1 전극(13a)의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 Al을 주성분으로 하는 금속재료가 사용된다. 한편, Al을 주성분으로 하는 금속재료란, Al 또는 Al에 Cu 등이 Al보다도 소량 첨가되어 있는 합금을 널리 포함하는 것으로 한다.
탄성파 장치(1)에서 설계 파라미터를 이하와 같이 했다.
고음속 부재(2): Si기판
저음속막(3): 막두께 673㎚의 SiO2막
압전막(4): 오일러 각(0°, 50°, 0°)의 두께 600㎚의 LiTaO3막
IDT 전극(5): 제1 전극(13a)=145㎚ 두께의 Al막, 제2 전극(13b)의 재료로 Cu, Ta, Pt 또는 Au를 사용했다.
IDT 전극(5)에서의 전극지의 쌍 수: 200개. 반사기(6, 7)에서의 전극지의 개수: 20개.
IDT 전극(5)의 듀티=0.5. IDT 전극(5)의 전극지 피치로 정해지는 파장(λ)＝1.8㎛.
상기 탄성파 장치(1)에 대해 제2 전극(13b)의 재료를 다양하게 변경하고, 제2 전극(13b)의 막두께를 변화시키고, 제2 전극(13b)의 파장 규격화 막두께(%)와 규격화 비대역의 관계를 구했다. 결과를 도 9에 나타낸다. 한편, 규격화 비대역은, 중앙영역(C1)의 비대역에 대한 제1, 제2 안가장자리영역(C2 및 C3)의 비대역의 비이고, 여진 강도(Ψ)가 커질수록 커진다.
한편, 도 9에서는 비교예로서, 제2 전극의 재료로서 Ti를 사용한 경우의 결과도 나타냈다.
도 9로부터 분명한 바와 같이, 제2 전극이 Ti인 경우, 규격화 비대역은 제2 전극(13b)의 파장 규격화 막두께가 변화되어도 거의 바뀌지 않았다. 이에 반해 제2 전극(13b)이 Cu, Ta, Au 및 Pt인 경우에는, 제2 전극(13b)의 파장 규격화 막두께가 두꺼워지면, 규격화 비대역이 저하되어 있는 것을 알 수 있다.
따라서, 제2 전극(13b)의 재료로서 Cu, Ta, Au 또는 Pt를 사용하면, 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)의 비대역을 중앙영역(C1)보다도 작게 할 수 있는 것을 알 수 있다. 따라서, 바람직하게는, 제2 전극(13b)은 Cu, Ta, Au 및 Pt로부터 선택된 1종으로 이루어지는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 규격화 비대역을 한층 더 작게 할 수 있으므로 Pt, Au 또는 Ta가 바람직하다.
도 8은 상기 결과에 입각하여 제2 전극(13b)을 구성하고 있는 전극 밀도와, 규격화 비대역이 0.58이 되는 파장 규격화 막두께(T)(%)의 관계를 나타내는 도면이다.
상술한 바와 같이, 여진 강도비(Ψ2/Ψ1)가 0.58 이상, 1 미만이면, 횡모드 리플을 효과적으로 억압할 수 있다. 따라서, 도 8에 나타낸 직선보다도 아래쪽 영역이면 횡모드 리플을 효과적으로 억압할 수 있다. 따라서, 도 8로부터, 전극 밀도(d)가 5.5g/㎤ 이상이면, 파장 규격화 막두께를 T, 밀도를 d로 한 경우, T=-0.1458d+4.8654 이하의 파장 규격화 막두께로 하면 되는 것을 알 수 있다. 그로 인해 제1 및 제2 안가장자리영역에서의 규격화 비대역을 0.58 이상, 1 미만으로 할 수 있다.
도 10은 상기 탄성파 장치(1)에 대해 실시예와, 비교예의 탄성파 장치의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다. 실선이 실시예의 결과를, 파선이 비교예의 결과를 나타낸다.
한편, 실시예에서는 제2 전극(13b)은 파장 규격화 막두께가 0.6%의 Pt를 이용했다. 비교예에서는, 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)에서 제2 전극을 적층하지 않고, 제1 전극의 폭을 중앙영역에 비해 크게 했다.
도 10으로부터 분명한 바와 같이, 비교예의 탄성파 장치에서는, 대역 내에서 횡모드 리플의 영향 때문인지 복수개의 큰 리플이 나타나 있다. 이에 반해, 실시예의 탄성파 장치(1)에서는 대역 내에서 큰 리플이 나타나 있지 않다. 따라서 공진 특성의 열화가 생기기 어려운 것을 알 수 있다.
한편, 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 탄성파 장치는 고음속 부재(2), 저음속막(3) 및 압전막(4)이 적층된 구조에서, 상기와 같이 횡모드 리플에 의한 영향을 억제하는 것을 가능하게 한 것이다. 선행기술문헌 등에 기재되어 있는, 통상의 압전체 상에 IDT 전극을 마련하고, 상기 안가장자리영역을 마련한 구조에서는 제2 전극의 두께를 조정했다고 해도 본 발명의 효과는 얻을 수 없다. 이를 도 11을 참조하여 설명한다.
도 11은, LiTaO3기판 상에 IDT 전극이 마련되어 있고, IDT 전극에서 제2 전극을 적층함으로써 안가장자리영역을 마련한 참고예의 탄성파 장치에 대한, 제2 전극의 파장 규격화 막두께와 규격화 비대역의 관계를 나타내는 도면이다.
도 11로부터 분명한 바와 같이, 이와 같은 탄성파 장치에서는 제2 전극이 Ti, Cu, Mo, Au 또는 Pt인 경우, 파장 규격화 막두께가 증가함에 따라, 규격화 비대역은 증가한다. 따라서, 안가장자리영역의 제2 전극으로서 이들의 재료를 사용했다고 해도 여진 강도비(Ψ2/Ψ1)를 작게 할 수는 없다.
도 12는, 제2 실시형태의 탄성파 장치에서의 안가장자리영역이 마련되어 있는 부분의 적층 구조를 나타내는 약도적 부분 확대 단면도이다.
제2 실시형태의 탄성파 장치(21)에서는, 제2 전극(13b)의 듀티가 제1 전극(13a)의 듀티보다도 작게 되어 있다. 이와 같이 제1 및 제2 안가장자리영역(C2, C3)을 구성하기 위한 제2 전극(13b)의 듀티는 제1 전극(13a)의 듀티보다 작아도 된다. 즉, 제2 전극(13b) 듀티의 제1 전극(13a) 듀티에 대한 비는 1 미만이어도 된다. 이 경우에도 본 발명에 따라 횡모드 리플의 억압을 효과적으로 도모할 수 있다. 이를 도 13~도 16을 참조하여 설명한다.
도 13~도 16에서는 듀티비와 규격화 비대역의 관계를 나타낸다. 도 13에서는 제2 전극이 Au인 경우, 도 14에서는 Cu인 경우, 도 15에서는 Pt인 경우, 도 16에서는 Ta인 경우의 결과가 나타나고 있다.
한편, 횡축의 듀티비는 제2 전극(13b)의 듀티/제1 전극(13a)의 듀티이다.
도 13~도 16으로부터 분명한 바와 같이, 제1 전극의 듀티가 0.5, 0.6 또는 0.7중 어느 경우이어도, 상기 듀티비가 1 미만이어도, 규격화 비대역을 1(%) 미만으로 할 수 있다. 따라서, 상기 듀티비가 1 미만인 경우에도 본 발명에 따라 횡모드 리플에 의한 영향을 효과적으로 억압할 수 있는 것을 알 수 있다.
도 17은, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 안가장자리영역에서의 적층 구조를 나타내는 부분 확대 단면도이다. 제3 실시형태의 탄성파 장치(31)는 지지 기판(32)을 가진다. 지지 기판(32)은 실리콘 등의 반도체 재료, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 산질화규소, 사파이어, 탄탈산리튬, 니오브산리튬, 수정 등의 압전체층, 알루미나, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포스테라이트 등의 각종 세라믹, 다이아몬드, 마그네시아 또는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료, 상기 각 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 재료의 어느 하나로 이루어진다.
지지 기판(32) 상에 고음속 부재(2A)로서의 고음속막이 적층되어 있다. 고음속막은 고음속 재료로 이루어지는 막이다. 이와 같이 도 3에 나타낸 고음속 부재(2)를 대신하여 지지 기판(32)과, 고음속 부재(2A)의 적층 구조를 이용한 것을 제외하고는, 탄성파 장치(31)는 탄성파 장치(1)와 마찬가지로 구성되어 있다. 이 경우에도 탄성파 장치(1)와 마찬가지로 횡모드 리플에 의한 영향을 효과적으로 억압할 수 있고, 공진 특성이나 필터 특성의 열화가 생기기 어렵게 된다.
한편, 상기 실시형태에서는 1포트형 탄성파 공진자에 대해 설명했지만, 종결합 공진자형 공진자 필터 등의 다른 전극 구조를 가지는 탄성파 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
상기 각 실시형태의 탄성파 장치는 고주파 프론트 엔드 회로의 듀플렉서 등으로서 이용할 수 있다. 이 예를 하기에서 설명한다.
도 18은 통신 장치 및 고주파 프론트 엔드 회로의 구성도이다. 한편, 같은 도면에는 고주파 프론트 엔드 회로(230)와 접속되는 각 구성 요소, 예를 들면, 안테나 소자(202)나 RF 신호 처리 회로(RFIC)(203)도 함께 도시되어 있다. 고주파 프론트 엔드 회로(230) 및 RF 신호 처리 회로(203)는 통신 장치(240)를 구성하고 있다. 한편, 통신 장치(240)는 전원, CPU나 디스플레이를 포함하고 있어도 된다.
고주파 프론트 엔드 회로(230)는 스위치(225)와 듀플렉서(201A, 201B)와 필터(231, 232)와 로우 노이즈 앰프 회로(214, 224)와 파워앰프 회로(234a, 234b, 244a, 244b)를 포함한다. 한편, 도 18의 고주파 프론트 엔드 회로(230) 및 통신 장치(240)는 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치의 일례이고, 이 구성에 한정되는 것은 아니다.
듀플렉서(201A)는 필터(211, 212)를 가진다. 듀플렉서(201B)는 필터(221, 222)를 가진다. 듀플렉서(201A, 201B)는 스위치(225)를 통해 안테나 소자(202)에 접속된다. 한편, 상기 탄성파 장치는 듀플렉서(201A, 201B)이어도 되고, 필터(211, 212, 221, 222)이어도 된다.
더욱이, 상기 탄성파 장치는, 예를 들면 3개의 필터의 안테나 단자가 공통화된 트리플렉서나 6개의 필터의 안테나 단자가 공통화된 헥사플렉서 등, 3개 이상의 필터를 포함하는 멀티플렉서에 대해서도 적용할 수 있다.
즉, 상기 탄성파 장치는 탄성파 공진자, 필터, 듀플렉서, 3개 이상의 필터를 포함하는 멀티플렉서를 포함한다. 그리고, 상기 멀티플렉서는 송신 필터 및 수신 필터의 쌍방을 포함하는 구성에 한정되지 않고, 송신 필터만 또는 수신 필터만을 포함하는 구성이어도 상관없다.
스위치(225)는 제어부(도시하지 않음)로부터의 제어 신호에 따라 안테나 소자(202)와 소정 밴드에 대응하는 신호 경로를 접속하고, 예를 들면, SPDT(Single Pole Double Throw)형 스위치에 의해 구성된다. 한편, 안테나 소자(202)와 접속되는 신호 경로는 하나에 한정되지 않고 복수개이어도 된다. 즉, 고주파 프론트 엔드 회로(230)는 캐리어 어그리게이션에 대응하고 있어도 된다.
로우 노이즈 앰프 회로(214)는, 안테나 소자(202), 스위치(225) 및 듀플렉서(201A)를 경유한 고주파 신호(여기서는 고주파 수신 신호)를 증폭시키고, RF 신호 처리 회로(203)로 출력하는 수신 증폭 회로이다. 로우 노이즈 앰프 회로(224)는 안테나 소자(202), 스위치(225) 및 듀플렉서(201B)를 경유한 고주파 신호(여기서는 고주파 수신 신호)를 증폭시키고, RF 신호 처리 회로(203)로 출력하는 수신 증폭 회로이다.
파워앰프 회로(234a, 234b)는 RF 신호 처리 회로(203)로부터 출력된 고주파 신호(여기서는 고주파 송신 신호)를 증폭시키고, 듀플렉서(201A) 및 스위치(225)를 경유하여 안테나 소자(202)에 출력하는 송신 증폭 회로이다. 파워앰프 회로(244a, 244b)는 RF 신호 처리 회로(203)로부터 출력된 고주파 신호(여기서는 고주파 송신 신호)를 증폭시키고, 듀플렉서(201B) 및 스위치(225)를 경유하여 안테나 소자(202)에 출력하는 송신 증폭 회로이다.
RF 신호 처리 회로(203)는 안테나 소자(202)로부터 수신 신호 경로를 통해 입력된 고주파 수신 신호를, 다운 컨버전(down-conversion) 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리하여 생성된 수신 신호를 출력한다. 또한, RF 신호 처리 회로(203)는 입력된 송신 신호를 업 컨버전(up-conversion) 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리하여 생성된 고주파 송신 신호를 파워앰프 회로(234a, 234b, 244a, 244b)로 출력한다. RF 신호 처리 회로(203)는 예를 들면 RFIC이다. 한편, 통신 장치는, BB(베이스 밴드)IC를 포함해도 된다. 이 경우, BBIC는 RFIC로 처리된 수신 신호를 신호 처리한다. 또한, BBIC는 송신 신호를 신호 처리하고, RFIC에 출력한다. BBIC로 처리된 수신 신호나 BBIC가 신호 처리하기 전의 송신 신호는 예를 들면 화상 신호나 음성 신호 등이다.
한편, 고주파 프론트 엔드 회로(230)는 상기 듀플렉서(201A, 201B)를 대신하여, 듀플렉서(201A, 201B)의 변형예에 따른 듀플렉서를 포함하고 있어도 된다.
한편, 통신 장치(240)에서의 필터(231, 232)는 로우 노이즈 앰프 회로(214, 224) 및 파워앰프 회로(234a, 234b, 244a, 244b)를 통하지 않고, RF 신호 처리 회로(203)와 스위치(225) 사이에 접속되어 있다. 필터(231, 232)도 듀플렉서(201A, 201B)와 마찬가지로 스위치(225)를 통해 안테나 소자(202)에 접속된다.
이상, 본 발명의 실시형태에 따른 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치에 대해 실시형태를 들어 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시형태에 대해 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 본 발명에 따른 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
본 발명은 탄성파 공진자, 필터, 듀플렉서, 멀티 밴드 시스템에 적용할 수 있는 멀티플렉서, 프론트 엔드 회로 및 통신 장치로서 휴대전화기 등의 통신기기에 널리 이용할 수 있다.
1: 탄성파 장치 2, 2A: 고음속 부재
3: 저음속막 4: 압전막
5: IDT 전극 6, 7: 반사기
11, 12: 제1 및 제2 버스바 13, 14: 제1 및 제2 전극지
13a, 13b: 제1 및 제2 전극 21, 31: 탄성파 장치
32: 지지 기판 201A, 201B: 듀플렉서
202: 안테나 소자 203: RF 신호 처리 회로
211, 212: 필터 214: 로우 노이즈 앰프 회로
221, 222: 필터 224: 로우 노이즈 앰프 회로
225: 스위치 230: 고주파 프론트 엔드 회로
231, 232: 필터 234a, 234b: 파워앰프 회로
240: 통신 장치 244a, 244b: 파워앰프 회로
3: 저음속막 4: 압전막
5: IDT 전극 6, 7: 반사기
11, 12: 제1 및 제2 버스바 13, 14: 제1 및 제2 전극지
13a, 13b: 제1 및 제2 전극 21, 31: 탄성파 장치
32: 지지 기판 201A, 201B: 듀플렉서
202: 안테나 소자 203: RF 신호 처리 회로
211, 212: 필터 214: 로우 노이즈 앰프 회로
221, 222: 필터 224: 로우 노이즈 앰프 회로
225: 스위치 230: 고주파 프론트 엔드 회로
231, 232: 필터 234a, 234b: 파워앰프 회로
240: 통신 장치 244a, 244b: 파워앰프 회로
Claims (12)
- 고음속 재료로 이루어지는 고음속 부재와,
상기 고음속 부재 상에 적층되어 있고, 저음속 재료로 이루어지는 저음속막과,
상기 저음속막 상에 적층되어 있고, 탄탈산리튬으로 이루어지는 압전막(壓電膜)과,
상기 압전막 상에 마련된 IDT 전극을 포함하고,
상기 고음속 재료는 상기 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다도, 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 재료이며,
상기 저음속 재료는 상기 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다도, 전파하는 벌크파의 음속이 저속인 재료이고,
상기 IDT 전극은 서로 맞물리는 복수개의 제1 전극지(電極指) 및 복수개의 제2 전극지를 가지며, 상기 복수개의 제1 전극지와 상기 복수개의 제2 전극지가 탄성파 전파 방향에서 서로 겹쳐있는 부분을 교차영역으로 했을 때에, 상기 IDT 전극은 상기 교차영역과 상기 제1 전극지 및 상기 제2 전극지가 연장되는 방향에서 상기 교차영역의 양 외측에 마련된 제1, 제2 바깥가장자리영역을 가지고,
상기 교차영역은, 상기 제1 및 제2 전극지가 연장되는 방향에서 중앙에 위치하고 있는 중앙영역과, 상기 중앙영역의 상기 제1 및 제2 전극지가 연장되는 방향의 양 외측에 마련된 제1 및 제2 안가장자리영역을 가지며,
상기 제1 및 제2 안가장자리영역에서의 상기 제1 및 제2 전극지의 두께가 상기 중앙영역에서의 상기 제1 및 제2 전극지의 두께보다도 두껍게 되어 있고,
상기 중앙영역에서의 제1 및 제2 전극지의 두께보다도 상기 제1 및 제2 전극지가 두껍게 되어 있는 두께 증가 부분이 밀도(d) 5.5g/㎤ 이상의 금속으로 이루어지면서 T=-0.1458d+4.8654로 나타낸 파장 규격화 막두께(T)(%) 이하의 막두께로 되어 있는 탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극지가 상기 제1 및 제2 안가장자리영역에서, 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 적층된 제2 전극을 가지고,
상기 제2 전극이 상기 제1 및 제2 전극지의 상기 두께 증가 부분인 탄성파 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제1 전극의 듀티와 상기 제2 전극의 듀티가 동일한 탄성파 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제2 전극의 듀티가 상기 제1 전극의 듀티보다도 작은 탄성파 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극이 Al을 주성분으로 하는 탄성파 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 전극이 Cu, Ta, Pt 및 Au로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종의 금속으로 이루어지는 탄성파 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 안가장자리영역에서의 비대역이 상기 중앙영역에서의 비대역보다도 작은 탄성파 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 안가장자리영역에서의 음속이 상기 중앙영역의 음속에 비해 낮게 되어 있고, 상기 제1 바깥가장자리영역 및 상기 제2 바깥가장자리영역에서의 음속이 상기 제1, 제2 안가장자리영역의 음속에 비해 높게 되어 있는 탄성파 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 고음속 부재가 고음속 지지 기판인 탄성파 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 고음속 부재를 지지하고 있는 지지 기판을 더 포함하는 탄성파 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 탄성파 장치와,
파워앰프를 포함하는 고주파 프론트 엔드 회로. - 제11항에 기재된 고주파 프론트 엔드 회로와,
RF 신호 처리 회로를 포함하는 통신 장치.
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