KR20190038434A - 경화성 조성물, 경화막 및 경화물의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

[과제] 굴절률 및 황변 내성이 뛰어난 경화성 조성물과, 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어진 경화막과, 전술한 경화성 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법을 제공하는 것.
[해결 수단] 양이온 경화형 또는 음이온 경화형의 경화성 조성물로서, 상기 경화성 조성물이 (C) 융점 140℃ 이하의 이온 액체를 함유하고, 파장 550 nm의 광선에 대한 굴절률이 1.60 이상 2.20 이하인 경화막을 부여하는 경화성 조성물.

Description

경화성 조성물, 경화막 및 경화물의 제조 방법{CURABLE COMPOSITION, CURED FILM, AND METHOD FOR PRODUCING CURED PRODUCT}

본 발명은 경화성 조성물과, 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어진 경화막과, 전술한 경화성 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법에 관한 것이다.

종래부터 에폭시 화합물 등의 양이온 중합성 화합물을 경화성 성분으로서 포함하는 양이온 중합형의 경화성 조성물이 여러 가지의 용도로 사용되고 있다.

이와 같은 경화성 조성물로는, 예를 들면, 방향환 함유 지환식 에폭시 화합물과, 방향환 함유 지환식 에폭시 화합물 이외의 양이온 중합성 화합물과, 열 양이온 중합 개시제를 포함하는 양이온 중합성의 열경화성 조성물이 알려져 있다(특허문헌 1을 참조.). 이러한 경화성 조성물을 이용함으로써, 유리 전이 온도가 높고, 투명성(내열 황변성으로 착색이 적음), 및 기재(基材) 밀착성이 뛰어난 경화물을 형성할 수 있다.

일본 특개 2014-156522호 공보 국제 공개 제2014/157675호

특허문헌 1에 기재된 경화성 조성물을 이용하면, 높은 유리 전이 온도를 나타내는, 열변형의 관점으로부터의 내열성이 양호한 경화물을 형성할 수 있다. 그렇지만, 고굴절률화 및 내열 황변성의 양립, 특히, 내열 황변성에 대해 여전히 개선의 여지가 있었다.

또, 종래 고굴절률의 경화물을 형성하기 위해서는 방향족 탄화수소기, 트리아진환 등의 굴절률의 향상에 기여하는 구조를 가지는 재료가 이용되는 경우가 많았다(예를 들면, 특허문헌 2).

한편, 방향족 탄화수소기나 트리아진환 등을 포함하는 재료를 함유하는 경화성 조성물을 이용해 형성되는 경화물에서는, 방향족 탄화수소기, 트리아진환 등의 존재에 기인해 광이나 열에 의한 황변이 생기기 쉽다는 문제가 있었다. 즉, 고굴절률의 경화물의 형성에 이용되는 종래의 경화성 조성물에 대해서, 경화물의 굴절률과 경화물의 황변 내성에 관하여, 한쪽이 높아지면, 다른 쪽이 저하되는 트레이드 오프의 관계에 있다는 점이 큰 문제였다.

본 발명은 상기의 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 굴절률 및 황변 내성이 뛰어난 경화물을 형성할 수 있는 경화성 조성물과, 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어진 경화막과, 전술한 경화성 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

(C) 이온 액체는 이온 도전성이 좋고, 융점 140℃ 이하에서 액체인 것에 의해 경화성 조성물 중에 균일하게 확산할 수 있다. 또, (C) 이온 액체는 열분해 온도도 비교적 높다.

본 발명자들은 (C) 이온 액체를 포함하는 경화성 조성물 중에서, 양이온 중합이든 음이온 중합이든 의존성 낮고, 균일하게 경화 반응을 촉진할 수 있어, 그 결과 상기의 과제를 해결할 수 있다는 것을 알아냈다. 본 발명은 상기 지견에 근거해 이루어지기에 이른 것이다. 즉, 본 발명은 이하와 같다.

본 발명의 제1의 태양은, 양이온 경화형 또는 음이온 경화형의 경화성 조성물로서, 상기 경화성 조성물이 (C) 융점 140℃ 이하의 이온 액체를 함유하고, 파장 550 nm의 광선에 대한 굴절률이 1.60 이상 2.20 이하인 경화막을 부여하는 경화성 조성물이다.

본 발명의 제2의 태양은, 양이온 경화형 또는 음이온 경화형의 경화성 조성물로서, N, O, S 및 Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 관능기를 가지는 (A) 경화성 화합물과, (C) 융점 140℃ 이하의 이온 액체를 함유하는 경화성 조성물로서, 상기 (A) 경화성 화합물이 방향족기, 트리아진환 구조, 이소시아눌환 구조 및 환상 실록산 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 경화성 조성물이다.

본 발명의 제3의 태양은, 제1 또는 제2의 태양에 관한 경화성 조성물의 경화물로 이루어진 경화막이다.

본 발명의 제4의 태양은,

제1의 태양에 관한 경화성 조성물을 소정의 형상으로 성형하는 공정과,

성형된 경화성 조성물에 대해서 가열, 노광, 또는 노광과 가열을 수행하는 공정을 포함하는 경화물의 제조 방법이다.

본 발명의 경화성 조성물은 굴절률 및 황변 내성이 뛰어난 경화물을 형성할 수 있다.

또, 본 발명에 의하면, 상기 경화성 조성물의 경화물로 이루어진 경화막과, 전술한 경화성 조성물을 이용하는 경화물의 제조 방법을 제공할 수 있다. 상기 경화물은 여러 가지의 용도에 적합하다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시형태로 어떠한 형태로든 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 목적의 범위 내에서 적당한 변경을 가해 실시할 수 있다.

또, 본 명세서에 있어서, 「~」는 특별한 언급이 없으면 이상 내지 이하를 나타낸다.

≪경화성 조성물≫

제1의 태양에 관한 경화성 조성물은 양이온 경화형 또는 음이온 경화형의 경화성 조성물로서, 상기 경화성 조성물이 (C) 융점 140℃ 이하의 이온 액체를 함유하고, 파장 550 nm의 광선에 대한 굴절률이 1.60 이상 2.20 이하인 경화막을 부여한다.

제2의 태양에 관한 경화성 조성물은 양이온 경화형 또는 음이온 경화형의 경화성 조성물로서, N, O, S 및 Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 관능기를 가지는 (A) 경화성 화합물과, (C) 융점 140℃ 이하의 이온 액체를 함유하는 경화성 조성물로서, 상기 (A) 경화성 화합물이 방향족기, 트리아진환 구조, 이소시아눌환 구조 및 환상 실록산 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함한다.

제2의 태양에 관한 경화성 조성물은 파장 550 nm의 광선에 대한 굴절률이 1.60 이상 2.20 이하인 경화막을 부여하는 것이 바람직하다.

이하, 제1의 태양에 관한 경화성 조성물 및 제2의 태양에 관한 경화성 조성물을 함께 간단하게 「경화성 조성물」이라고도 한다.

경화성 조성물은 고굴절률의 관점으로부터 파장 550 nm의 광선에 대한 굴절률이 1.65 이상 2.10 이하인 경화막을 부여하는 것이 바람직하고, 1.70 이상 2.00 이하인 경화막을 부여하는 것이 보다 바람직하다.

본 발명에 있어서, 굴절률은 특별히 언급하지 않는 한 후기하는 실시예에서 측정한 조건에 따르는 것으로 한다.

경화성 조성물이 (C) 이온 액체를 포함함으로써, 경화성 조성물 중에서 양이온 중합이든 음이온 중합이든 의존성 낮고, 균일하게 경화 반응을 촉진할 수 있어 그 결과, 굴절률 및 황변 내성(특히, 황변 내성)이 뛰어나고, 또 내열성 및 기판에 대한 밀착성도 양호한 경화물을 형성할 수 있다.

이하, 경화성 조성물이 포함하는, 필수 또는 임의의 성분에 대해 설명한다.

＜(A) 경화성 화합물＞

제1의 태양에 관한 경화성 조성물은 굴절률 및 황변 내성의 관점, 또 내열성 및 기판에 대한 밀착성의 관점으로부터, N, O, S 및 Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 관능기를 가지는 (A) 경화성 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다.

N, O, S 및 Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 관능기를 가지는 (A) 경화성 화합물은 굴절률이 비교적 높은 경향이 있다.

(A) 경화성 화합물은 고굴절률의 관점으로부터, N, S 및 O로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 관능기를 가지는 것이 바람직하고, N 및 S로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 관능기를 가지는 것이 보다 바람직하다.

N를 포함하는 관능기로는, 트리아진환 구조, 이소시아눌환 구조, 카르바졸기, 이미드기, 니트릴기 등을 들 수 있다. N를 포함하는 관능기를 가지는 (A) 경화성 화합물로는, 트리아진환을 가지는 중합체, 후술하는 식 (a1-I)로 표시되는 화합물, 폴리비닐카르바졸(PVK), 폴리이미드 등을 들 수 있다. 트리아진환을 가지는 중합체는, 그 구조로부터 굴절률이 비교적 높기(1.70 이상임) 때문에 특히 바람직하다.

O를 포함하는 관능기로는, 에폭시기, 이소시아눌환 구조, 카르복실기, 에스테르기, 케톤기, 히드록실기 등을 들 수 있다.

O를 포함하는 관능기를 가지는 (A) 경화성 화합물로는, 후술하는 식 (a1)로 표시되는 화합물, 후술하는 식 (a1-I)로 표시되는 화합물, 후술하는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.

S를 포함하는 관능기로는, 티이란기, 술포닐기(-SO₂-), 티올기, 티오에스테르기 등을 들 수 있다.

S를 포함하는 관능기를 가지는 (A) 경화성 화합물로는, 후술하는 식 (a1)로 표시되는 화합물, 폴리에테르술폰(PES), 폴리술폰, 폴리페닐술폰 등을 들 수 있다.

Si를 포함하는 관능기를 가지는 (A) 경화성 화합물로는, 실록산 결합(Si-O-Si)에 의해 구성된 실록산 골격을 가지는 실록산 화합물 등을 들 수 있다. 실록산 화합물에서의 실록산 골격으로는, 예를 들면, 환상 실록산 골격이나 바구니형이나 래더형의 폴리실세스퀴옥산 골격을 들 수 있다.

(A) 경화성 화합물은 굴절률 및 황변 내성의 관점, 또 내열성 및 기판에 대한 밀착성의 관점으로부터, 방향족기, 트리아진환 구조, 이소시아눌환 구조 및 환상 실록산 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.

제2의 태양에 관한 경화성 조성물은 N, O, S 및 Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 관능기를 갖고, 방향족기, 트리아진환 구조, 이소시아눌환 구조 및 환상 실록산 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 (A) 경화성 화합물을 포함한다.

상기 방향족기로는, 굴절률 및 황변 내성의 관점, 또 내열성 및 기판에 대한 밀착성의 관점으로부터, 카르도 구조를 형성하는 방향족기인 것이 바람직하다.

(A) 경화성 화합물은 굴절률 및 황변 내성의 관점, 또 내열성 및 기판에 대한 밀착성의 관점으로부터, 하기 식 (a1)로 표시되는 화합물, 트리아진환 구조를 가지는 중합체, 후술하는 식 (a1-I)로 표시되는 화합물 및 후술하는 식 (a1-III)으로 표시되는 실록산 에폭시 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.

(식 (a1)로 표시되는 화합물)

[화 1]

(식 (a1) 중, W¹ 및 W²는 각각 독립적으로 하기 식 (a2)：

[화 2]

로 표시되는 기이며,

식 (a2) 중, 환 Z는 방향족 탄화수소환을 나타내고, X는 단결합 또는 -S-로 나타내는 기를 나타내며, R⁰¹는 단결합, 탄소 원자수가 1 이상 4 이하인 알킬렌기, 또는 탄소 원자수가 1 이상 4 이하인 알킬렌옥시기를 나타내고, R⁰¹가 알킬렌옥시기인 경우, 알킬렌옥시기 중의 산소 원자가 환 Z와 결합하고, R⁰²는 1가 탄화수소기, 수산기, -OR^4a로 나타내는 기, -SR^4b로 나타내는 기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 머캅토기, 카르복시기, 아미노기, 카르바모일기, -NHR^4c로 나타내는 기, -N(R^4d)₂로 나타내는 기, 술포기, 또는 1가 탄화수소기, -OR^4a로 나타내는 기, -SR^4b로 나타내는 기, 아실기, 알콕시카르보닐기, -NHR^4c로 나타내는 기, 혹은 -N(R^4d)₂로 나타내는 기에 포함되는 탄소 원자에 결합한 수소 원자 중 적어도 일부가 1가 탄화수소기, 수산기, -OR^4a로 나타내는 기, -SR^4b로 나타내는 기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 머캅토기, 카르복시기, 아미노기, 카르바모일기, -NHR^4c로 나타내는 기, -N(R^4d)₂로 나타내는 기, 메실옥시기, 혹은 술포기로 치환된 기를 나타내며, R^4a~R^4d는 독립적으로 1가 탄화수소기를 나타내고, m는 0 이상의 정수를 나타내며, R⁰³는 수소 원자, 비닐기, 티이란-2-일메틸기 또는 글리시딜기이며,

W¹와 W² 모두가 R⁰³로서 수소 원자를 가지지 않고,

환 Y¹ 및 환 Y²는 동일한 또는 상이한 방향족 탄화수소환을 나타내고, R는 단결합, 치환기를 가져도 되는 메틸렌기, 치환기를 가져도 되고 2개의 탄소 원자간에 헤테로 원자를 포함해도 되는 에틸렌기, -O-로 나타내는 기, -NH-로 나타내는 기, 또는 -S-로 나타내는 기를 나타내며, R^3a 및 R^3b는 독립적으로 시아노기, 할로겐 원자, 또는 1가 탄화수소기를 나타내고, n1 및 n2는 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수를 나타낸다.)

상기 식 (a2)에 있어서, 환 Z로는, 예를 들면, 벤젠환, 축합 다환식 방향족 탄화수소환[예를 들면, 축합 2환식 탄화수소환(예를 들면, 나프탈렌환 등의 C_8-20 축합 2환식 탄화수소환, 바람직하게는 C_10-16 축합 2환식 탄화수소환), 축합 3환식 방향족 탄화수소환(예를 들면, 안트라센환, 페난트렌환 등) 등의 축합 2 내지 4환식 방향족 탄화수소환] 등을 들 수 있다. 환 Z는 벤젠환 또는 나프탈렌환인 것이 바람직하고, 나프탈렌환인 것이 보다 바람직하다. 또한, 식 (a1) 중의 W¹ 및 W²는 각각 독립적으로 하기 식 (a2)로 표시되는 기이기 때문에, W¹ 및 W²는 각각 환 Z를 포함한다. W¹에 포함되는 환 Z와 W²에 포함되는 환 Z는 동일해도 상이해도 되고, 예를 들면, 한쪽의 환이 벤젠환, 다른 쪽의 환이 나프탈렌환 등이어도 되지만, 어느 환도 나프탈렌환인 것이 특히 바람직하다.

또, W¹ 및 W²의 양쪽 모두가 직결하는 탄소 원자에 X를 통해서 결합하는 환 Z의 치환 위치는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 환 Z가 나프탈렌환인 경우, 상기 탄소 원자에 결합하는 환 Z에 대응하는 기는 1-나프틸기, 2-나프틸기 등이어도 된다.

상기 식 (a2)에 있어서, X는 독립적으로 단결합 또는 -S-로 나타내는 기를 나타내고, 전형적으로는 단결합이다.

상기 식 (a2)에 있어서, R⁰¹로는, 예를 들면, 단결합；메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 프로필렌기, 부탄-1,2-디일기 등의 탄소 원자수가 1 이상 4 이하인 알킬렌기；메틸렌옥시기, 에틸렌옥시기, 프로필렌옥시기 등의 탄소 원자수가 1 이상 4 이하인 알킬렌옥시기를 들 수 있고, 단결합；C_2-4 알킬렌기(특히, 에틸렌기, 프로필렌기 등의 C_2-3 알킬렌기)；C_2-4 알킬렌옥시기(특히, 에틸렌옥시기, 프로필렌옥시기 등의 C_2-3 알킬렌기)가 바람직하고, 단결합이 보다 바람직하다. 또한, R⁰¹가 알킬렌옥시기인 경우, 알킬렌옥시기 중의 산소 원자가 환 Z와 결합한다. 또, 식 (a1) 중의 W¹ 및 W²는 각각 독립적으로 하기 식 (a2)로 표시되는 기이기 때문에, W¹ 및 W²는 각각 2가의 기인 R⁰¹를 포함한다. W¹에 포함되는 R⁰¹와 W²에 포함되는 R⁰¹는 동일해도 되고, 상이해도 된다.

상기 식 (a2)에 있어서, R⁰²로는, 예를 들면, 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기 등의 C_1-12 알킬기, 바람직하게는 C_1-8 알킬기, 보다 바람직하게는 C_1-6 알킬기 등), 시클로알킬기(시클로헥실기 등의 C_5-10 시클로알킬기, 바람직하게는 C_5-8 시클로알킬기, 보다 바람직하게는 C_5-6 시클로알킬기 등), 아릴기(예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 C_6-14 아릴기, 바람직하게는 C_6-10 아릴기, 보다 바람직하게는 C_6-8 아릴기 등), 아랄킬기(벤질기, 페네틸기 등의 C_6-10 아릴-C_1-4 알킬기 등) 등의 1가 탄화수소기；수산기；알콕시기(메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등의 C_1-12 알콕시기, 바람직하게는 C_1-8 알콕시기, 보다 바람직하게는 C_1-6 알콕시기 등), 시클로알콕시기(시클로헥실옥시기 등의 C_5-10 시클로알콕시기 등), 아릴옥시기(페녹시기 등의 C_6-10 아릴옥시기), 아랄킬옥시기(예를 들면, 벤질옥시기 등의 C_6-10 아릴-C_1-4 알킬옥시기) 등의 -OR^4a로 나타내는 기[식 중, R^4a는 1가 탄화수소기(상기 예시의 1가 탄화수소기 등)를 나타낸다.]；알킬티오기(메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기 등의 C_1-12 알킬티오기, 바람직하게는 C_1-8 알킬티오기, 보다 바람직하게는 C_1-6 알킬티오기 등), 시클로알킬티오기(시클로헥실티오기 등의 C_5-10 시클로알킬티오기 등), 아릴티오기(페닐티오기 등의 C_6-10 아릴티오기), 아랄킬티오기(예를 들면, 벤질티오기 등의 C_6-10 아릴-C_1-4 알킬티오기) 등의 -SR^4b로 나타내는 기[식 중, R^4b는 1가 탄화수소기(상기 예시의 1가 탄화수소기 등)를 나타낸다.]；아실기(아세틸기 등의 C_1-6 아실기 등)；알콕시카르보닐기(메톡시카르보닐기 등의 C_1-4 알콕시카르보닐기 등)；할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등)；니트로기；시아노기；머캅토기；카르복시기；아미노기；카르바모일기；알킬아미노기(메틸아미노기, 에틸아미노기, 프로필아미노기, 부틸아미노기 등의 C_1-12 알킬아미노기, 바람직하게는 C_1-8 알킬아미노기, 보다 바람직하게는 C_1-6 알킬아미노기 등), 시클로알킬아미노기(시클로헥실아미노기 등의 C_5-10 시클로알킬아미노기 등), 아릴아미노기(페닐아미노기 등의 C_6-10 아릴아미노기), 아랄킬아미노기(예를 들면, 벤질아미노기 등의 C_6-10 아릴-C_1-4 알킬아미노기) 등의 -NHR^4c로 나타내는 기[식 중, R^4c는 1가 탄화수소기(상기 예시의 1가 탄화수소기 등)를 나타낸다.]；디알킬아미노기(디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기 등의 디(C_1-12 알킬)아미노기, 바람직하게는 디(C_1-8 알킬)아미노기, 보다 바람직하게는 디(C_1-6 알킬)아미노기 등), 디시클로알킬아미노기(디시클로헥실아미노기 등의 디(C_5-10 시클로알킬)아미노기 등), 디아릴아미노기(디페닐아미노기 등의 디(C_6-10 아릴)아미노기), 디아랄킬아미노기(예를 들면, 디벤질아미노기 등의 디(C_6-10 아릴-C_1-4 알킬)아미노기) 등의 -N(R^4d)₂로 나타내는 기[식 중, R^4d는 독립적으로 1가 탄화수소기(상기 예시의 1가 탄화수소기 등)를 나타낸다.]；(메타)아크릴로일옥시기；술포기；상기의 1가 탄화수소기, -OR^4a로 나타내는 기, -SR^4b로 나타내는 기, 아실기, 알콕시카르보닐기, -NHR^4c로 나타내는 기, 혹은 -N(R^4d)₂로 나타내는 기에 포함되는 탄소 원자에 결합한 수소 원자 중 적어도 일부가 상기의 1가 탄화수소기, 수산기, -OR^4a로 나타내는 기, -SR^4b로 나타내는 기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 머캅토기, 카르복시기, 아미노기, 카르바모일기, -NHR^4c로 나타내는 기, -N(R^4d)₂로 나타내는 기, (메타)아크릴로일옥시기, 메실옥시기, 혹은 술포기로 치환된 기[예를 들면, 알콕시아릴기(예를 들면, 메톡시페닐기 등의 C_1-4 알콕시 C_6-10 아릴기), 알콕시카르보닐아릴기(예를 들면, 메톡시카르보닐페닐기, 에톡시카르보닐페닐기 등의 C_1-4 알콕시카르보닐 C_6-10 아릴기 등)] 등을 들 수 있다.

이들 중, 대표적으로는 R⁰²는 1가 탄화수소기, -OR^4a로 나타내는 기, -SR^4b로 나타내는 기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -NHR^4c로 나타내는 기, -N(R^4d)₂로 나타내는 기 등이어도 된다.

바람직한 R⁰²로는 1가 탄화수소기[예를 들면, 알킬기(예를 들면, C_1-6 알킬기), 시클로알킬기(예를 들면, C_5-8 시클로알킬기), 아릴기(예를 들면, C_6-10 아릴기), 아랄킬기(예를 들면, C_6-8 아릴-C_1-2 알킬기) 등], 알콕시기(C_1-4 알콕시기 등) 등을 들 수 있다. 특히, R⁰²는 알킬기[C_1-4 알킬기(특히, 메틸기) 등], 아릴기[예를 들면, C_6-10 아릴기(특히, 페닐기) 등] 등의 1가 탄화수소기(특히, 알킬기)인 것이 바람직하다.

또한, m가 2 이상의 정수인 경우, 복수의 R⁰²는 서로 상이해도 되고, 동일해도 된다. 또, W¹에 포함되는 R⁰²와 W²에 포함되는 R⁰²는 동일해도 되고, 상이해도 된다.

상기 식 (a2)에 있어서, R⁰²의 수 m은 환 Z의 종류에 따라 선택할 수 있고, 예를 들면, 0 이상 4 이하, 바람직하게는 0 이상 3 이하, 보다 바람직하게는 0 이상 2 이하여도 된다. 또한, W¹에서의 m와 W²에서의 m는 동일해도 상이해도 된다.

상기 식 (a3)에 있어서, R⁰³는 수소 원자, 비닐기, 티이란-2-일메틸기 또는 글리시딜기이다. 또한, W¹와 W² 모두가 R⁰³로서 수소 원자를 가지지 않는다.

비닐옥시기, 티이란-2-일메틸기 및 글리시딜기는 모두 양이온 중합성의 관능기이다. 따라서, 식 (a1)로 표시되는 화합물은 1 또는 2의 양이온 중합성의 관능기를 가지는 양이온 중합성의 화합물이다.

W¹에 포함되는 R⁰³와 W²에 포함되는 R⁰³는 모두가 수소 원자가 아닌 한에 있어서, 동일해도 되고, 상이해도 된다. W¹에 포함되는 R⁰³와 W²에 포함되는 R⁰³는 모두 비닐기, 티이란-2-일메틸기 또는 글리시딜기인 것이 바람직하고, 모두 비닐기, 티이란-2-일메틸기 및 글리시딜기로 이루어진 군으로부터 선택되는 동일한 기인 것이 보다 바람직하다.

R⁰³로는 식 (a1)로 표시되는 화합물의 합성이나 입수가 용이한 점으로부터, 비닐기 또는 글리시딜기가 바람직하다.

상기 식 (a1)에 있어서, 환 Y¹ 및 환 Y²로는, 예를 들면, 벤젠환, 축합 다환식 방향족 탄화수소환[예를 들면, 축합 2환식 탄화수소환(예를 들면, 나프탈렌환 등의 C_8-20 축합 2환식 탄화수소환, 바람직하게는 C_10-16 축합 2환식 탄화수소환), 축합 3환식 방향족 탄화수소환(예를 들면, 안트라센환, 페난트렌환 등) 등의 축합 2 내지 4환식 방향족 탄화수소환] 등을 들 수 있다. 환 Y¹ 및 환 Y²는 벤젠환 또는 나프탈렌환인 것이 바람직하고, 벤젠환인 것이 보다 바람직하다. 또한, 환 Y¹ 및 환 Y²는 동일해도 상이해도 되고, 예를 들면, 한쪽의 환이 벤젠환, 다른 쪽의 환이 나프탈렌환 등이어도 된다.

상기 식 (a1)에 있어서, R는 단결합, 치환기를 가져도 되는 메틸렌기, 치환기를 가져도 되고 2개의 탄소 원자간에 헤테로 원자를 포함해도 되는 에틸렌기, -O-로 나타내는 기, -NH-로 나타내는 기, 또는 -S-로 나타내는 기를 나타내고, 전형적으로는 단결합이다. 여기서, 치환기로는, 예를 들면, 시아노기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등), 1가 탄화수소기[예를 들면, 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기 등의 C_1-6 알킬기), 아릴기(페닐기 등의 C_6-10 아릴기) 등] 등을 들 수 있고, 헤테로 원자로는, 예를 들면, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자 등을 들 수 있다.

상기 식 (a1)에 있어서, R^3a 및 R^3b로는, 통상 비반응성 치환기, 예를 들면, 시아노기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등), 1가 탄화수소기[예를 들면, 알킬기, 아릴기(페닐기 등의 C_6-10 아릴기) 등] 등을 들 수 있고, 시아노기 또는 알킬기인 것이 바람직하며, 알킬기인 것이 특히 바람직하다. 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기 등의 C_1-6 알킬기(예를 들면, C_1-4 알킬기, 특히, 메틸기) 등을 예시할 수 있다. 또한, n1가 2 이상의 정수인 경우, R^3a는 서로 상이해도 되고, 동일해도 된다. 또, n2가 2 이상의 정수인 경우, R^3b는 서로 상이해도 되고, 동일해도 된다. 또한, R^3a와 R^3b가 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또, 환 Y¹ 및 환 Y²에 대한 R^3a 및 R^3b의 결합 위치(치환 위치)는 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 치환수 n1 및 n2는 0 또는 1, 특히 0이다. 또한, n1 및 n2는 서로 동일해도 상이해도 된다.

상기 식 (a1)로 표시되는 화합물은 뛰어난 광학적 특성 및 열적 특성을 유지하면서, 양이온 중합성의 관능기를 가지기 때문에, 높은 반응성을 가진다. 특히, 환 Y¹ 및 환 Y²가 벤젠환이며, R가 단결합인 경우, 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물은 플루오렌 골격을 가져, 광학적 특성 및 열적 특성이 더욱 뛰어나다.

또한, 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물은 높은 경도를 가지는 경화물을 부여하여 조성물 중의 기재(基材) 성분으로서 바람직하다.

상기 식 (a1)로 표시되는 화합물 가운데, 특히 바람직한 구체예로는, 9,9-비스[4-[2-(글리시딜옥시)에톡시]페닐]-9H-플루오렌, 9,9-비스[4-[2-(글리시딜옥시)에틸]페닐]-9H-플루오렌, 9,9-비스[4-(글리시딜옥시)-3-메틸페닐]-9H-플루오렌, 9,9-비스[4-(글리시딜옥시)-3,5-디메틸페닐]-9H-플루오렌, 9,9-비스(6-글리시딜옥시나프탈렌-1-일)-9H-플루오렌 및 9,9-비스(5-글리시딜옥시나프탈렌-2-일)-9H-플루오렌 등의 에폭시기 함유 플루오렌 화합물；및 하기 식으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

[화 3]

[화 4]

[화 5]

[화 6]

[화 7]

[화 8]

[화 9]

[화 10]

이상 설명한 식 (a1)로 표시되는 화합물 중에서는 이하의 화합물이 특히 바람직하다.

[화 11]

(A) 경화성 화합물이 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물을 포함하는 경우, (A) 경화성 화합물에서의 상기 식 (a1)로 표시되는 화합물의 양은 50 질량% 이상이 바람직하고, 70 질량% 이상이 보다 바람직하며, 80 질량% 이상이 보다 더 바람직하고, 90 질량% 이상이 특히 바람직하며, 100 질량%가 가장 바람직하다.

(에폭시 화합물)

상기한 에폭시 화합물의 예로는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 및 비페닐형 에폭시 수지 등의 2관능 에폭시 수지；페놀노볼락형 에폭시 수지, 브롬화 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지 및 비스페놀 AD 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락 에폭시 수지；디시클로펜타디엔형 페놀 수지의 에폭시화물 등의 환식 지방족 에폭시 수지；나프탈렌형 페놀 수지의 에폭시화물 등의 방향족 에폭시 수지；다이머산 글리시딜에스테르 및 트리글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르형 에폭시 수지；테트라글리시딜아미노디페닐메탄, 트리글리시딜-p-아미노페놀, 테트라글리시딜메타크실릴렌디아민 및 테트라글리시딜비스아미노메틸시클로헥산 등의 글리시딜아민형 에폭시 수지；트리글리시딜이소시아누레이트 등의 복소환식 에폭시 수지；플로로글리시놀트리글리시딜에테르, 트리히드록시비페닐트리글리시딜에테르, 트리히드록시페닐메탄트리글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르, 2-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-2-[4-[1,1-비스[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]에틸]페닐]프로판 및 1,3-비스[4-[1-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-1-[4-[1-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸]페녹시]-2-프로판올 등의 3관능형 에폭시 수지；테트라히드록시페닐에탄테트라글리시딜에테르, 테트라글리시딜벤조페논, 비스레조르시놀테트라글리시딜에테르 및 테트라글리시독시비페닐 등의 4관능형 에폭시 수지；2,2-비스(히드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물을 들 수 있다. 2,2-비스(히드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물은 EHPE-3150(다이셀사 제)으로서 시판된다.

또, 올리고머 또는 폴리머형의 다관능 에폭시 화합물도 (A) 경화성 화합물로서 바람직하게 이용할 수 있다.

전형적인 예로는, 페놀노볼락형 에폭시 화합물, 브롬화 페놀노볼락형 에폭시 화합물, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 화합물, 크실레놀노볼락형 에폭시 화합물, 나프톨노볼락형 에폭시 화합물, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 화합물, 비스페놀 AD 노볼락형 에폭시 화합물, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지의 에폭시화물, 나프탈렌형 페놀 수지의 에폭시화물 등을 들 수 있다.

적합한 에폭시 화합물의 다른 예로서 지환식 에폭시기를 가지는 다관능의 지환식 에폭시 화합물을 들 수 있다. (A) 경화성 화합물이 지환식 에폭시 화합물을 포함하는 경우, 경화성 조성물을 이용해 투명성이 뛰어난 경화물을 형성하기 쉽다.

이러한 지환식 에폭시 화합물의 구체예로는, 2-(3,4-에폭시시클로헥실-5,5-스피로-3,4-에폭시)시클로헥산-메타-디옥산, 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)아디페이트, 비스(3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실메틸)아디페이트, 3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실-3',4'-에폭시-6'-메틸시클로헥산카르복실레이트, ε-카프로락톤 변성 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3',4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 트리메틸카프로락톤 변성 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3',4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트, β-메틸-δ-발레로락톤 변성 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3',4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 메틸렌비스(3,4-에폭시시클로헥산), 에틸렌글리콜의 디(3,4-에폭시시클로헥실메틸)에테르, 에틸렌비스(3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트) 및 트리시클로데센옥사이드기를 가지는 다관능 에폭시 화합물이나, 하기 식 (a1-1)~(a1-5)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

이들 지환식 에폭시 화합물은 단독으로 이용해도 2종 이상 혼합해 이용해도 된다.

[화 12]

(식 (a1-1) 중, Z는 단결합 또는 연결기(1 이상의 원자를 가지는 2가의 기)를 나타낸다. R^a1~R^a18는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 및 유기기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기이다.)

연결기 Z로는, 예를 들면, 2가의 탄화수소기, -O-, -O-CO-, -S-, -SO-, -SO₂-, -CBr₂-, -C(CBr₃)₂-, -C(CF₃)₂- 및 -R^a19-O-CO-로 이루어진 군으로부터 선택되는 2가의 기 및 이들이 복수개 결합한 기 등을 들 수 있다.

연결기 Z인 2가의 탄화수소기로는, 예를 들면, 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기, 2가의 지환식 탄화수소기 등을 들 수 있다. 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기로는, 예를 들면, 메틸렌기, 메틸메틸렌기, 디메틸메틸렌기, 디메틸렌기, 트리메틸렌기 등을 들 수 있다. 상기 2가의 지환식 탄화수소기로는, 예를 들면, 1,2-시클로펜틸렌기, 1,3-시클로펜틸렌기, 시클로펜틸리덴기, 1,2-시클로헥실렌기, 1,3-시클로헥실렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 시클로헥실리덴기 등의 시클로알킬렌기(시클로알킬리덴기를 포함함) 등을 들 수 있다.

R^a19는 탄소 원자수가 1 이상 8 이하인 알킬렌기이며, 메틸렌기 또는 에틸렌기인 것이 바람직하다.

[화 13]

(식 (a1-2) 중, R^a1~R^a12는 수소 원자, 할로겐 원자 및 유기기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기이다.)

[화 14]

(식 (a1-3) 중, R^a1~R^a10는 수소 원자, 할로겐 원자 및 유기기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기이다. R^a2 및 R^a8는 서로 결합해도 된다.)

[화 15]

(식 (a1-4) 중, R^a1~R^a12는 수소 원자, 할로겐 원자 및 유기기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기이다. R^a2 및 R^a10는 서로 결합해도 된다.)

[화 16]

(식 (a1-5) 중, R^a1~R^a12는 수소 원자, 할로겐 원자 및 유기기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기이다.)

식 (a1-1)~(a1-5) 중, R^a1~R^a18가 유기기인 경우, 유기기는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, 탄화수소기이어도, 탄소 원자와 할로겐 원자로 이루어진 기이어도, 탄소 원자 및 수소 원자와 함께 할로겐 원자, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자, 규소 원자와 같은 헤테로 원자를 포함하는 기이어도 된다. 할로겐 원자의 예로는, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 및 불소 원자 등을 들 수 있다.

유기기로는 탄화수소기와, 탄소 원자, 수소 원자 및 산소 원자로 이루어진 기와, 할로겐화 탄화수소기와, 탄소 원자, 산소 원자 및 할로겐 원자로 이루어진 기와, 탄소 원자, 수소 원자, 산소 원자 및 할로겐 원자로 이루어진 기가 바람직하다. 유기기가 탄화수소기인 경우, 탄화수소기는 방향족 탄화수소기이어도, 지방족 탄화수소기이어도, 방향족 골격과 지방족 골격을 포함하는 기이어도 된다. 유기기의 탄소 원자수는 1 이상 20 이하가 바람직하고, 1 이상 10 이하가 보다 바람직하며, 1 이상 5 이하가 특히 바람직하다.

탄화수소기의 구체예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기 및 n-이코실기 등의 쇄상 알킬기；비닐기, 1-프로페닐기, 2-n-프로페닐기(알릴기), 1-n-부테닐기, 2-n-부테닐기 및 3-n-부테닐기 등의 쇄상 알케닐기；시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 및 시클로헵틸기 등의 시클로알킬기；페닐기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, α-나프틸기, β-나프틸기, 비페닐-4-일기, 비페닐-3-일기, 비페닐-2-일기, 안트릴기 및 페난트릴기 등의 아릴기；벤질기, 페네틸기, α-나프틸메틸기, β-나프틸메틸기, α-나프틸에틸기 및 β-나프틸에틸기 등의 아랄킬기를 들 수 있다.

할로겐화 탄화수소기의 구체예는 클로로메틸기, 디클로로메틸기, 트리클로로메틸기, 브로모메틸기, 디브로모메틸기, 트리브로모메틸기, 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 퍼플루오로부틸기 및 퍼플루오로펜틸기, 퍼플루오로헥실기, 퍼플루오로헵틸기, 퍼플루오로옥틸기, 퍼플루오로노닐기 및 퍼플루오로데실기 등의 할로겐화 쇄상 알킬기；2-클로로시클로헥실기, 3-클로로시클로헥실기, 4-클로로시클로헥실기, 2,4-디클로로시클로헥실기, 2-브로모시클로헥실기, 3-브로모시클로헥실기 및 4-브로모시클로헥실기 등의 할로겐화 시클로알킬기；2-클로로페닐기, 3-클로로페닐기, 4-클로로페닐기, 2,3-디클로로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,5-디클로로페닐기, 2,6-디클로로페닐기, 3,4-디클로로페닐기, 3,5-디클로로페닐기, 2-브로모페닐기, 3-브로모페닐기, 4-브로모페닐기, 2-플루오로페닐기, 3-플루오로페닐기, 4-플루오로페닐기 등의 할로겐화 아릴기；2-클로로페닐메틸기, 3-클로로페닐메틸기, 4-클로로페닐메틸기, 2-브로모페닐메틸기, 3-브로모페닐메틸기, 4-브로모페닐메틸기, 2-플루오로페닐메틸기, 3-플루오로페닐메틸기, 4-플루오로페닐메틸기 등의 할로겐화 아랄킬기이다.

탄소 원자, 수소 원자 및 산소 원자로 이루어진 기의 구체예는 히드록시메틸기, 2-히드록시에틸기, 3-히드록시-n-프로필기 및 4-히드록시-n-부틸기 등의 히드록시 쇄상 알킬기；2-히드록시시클로헥실기, 3-히드록시시클로헥실기 및 4-히드록시시클로헥실기 등의 할로겐화 시클로알킬기；2-히드록시페닐기, 3-히드록시페닐기, 4-히드록시페닐기, 2,3-디히드록시페닐기, 2,4-디히드록시페닐기, 2,5-디히드록시페닐기, 2,6-디히드록시페닐기, 3,4-디히드록시페닐기 및 3,5-디히드록시페닐기 등의 히드록시아릴기；2-히드록시페닐메틸기, 3-히드록시페닐메틸기 및 4-히드록시페닐메틸기 등의 히드록시아랄킬기；메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부틸옥시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, tert-부틸옥시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-헵틸옥시기, n-옥틸옥시기, 2-에틸헥실옥시기, n-노닐옥시기, n-데실옥시기, n-운데실옥시기, n-트리데실옥시기, n-테트라데실옥시기, n-펜타데실옥시기, n-헥사데실옥시기, n-헵타데실옥시기, n-옥타데실옥시기, n-노나데실옥시기 및 n-이코실옥시기 등의 쇄상 알콕시기；비닐옥시기, 1-프로페닐옥시기, 2-n-프로페닐옥시기(알릴옥시기), 1-n-부테닐옥시기, 2-n-부테닐옥시기 및 3-n-부테닐옥시기 등의 쇄상 알케닐옥시기；페녹시기, o-톨릴옥시기, m-톨릴옥시기, p-톨릴옥시기, α-나프틸옥시기, β-나프틸옥시기, 비페닐-4-일옥시기, 비페닐-3-일옥시기, 비페닐-2-일옥시기, 안트릴옥시기 및 페난트릴옥시기 등의 아릴옥시기；벤질옥시기, 페네틸옥시기, α-나프틸메틸옥시기, β-나프틸메틸옥시기, α-나프틸에틸옥시기 및 β-나프틸에틸옥시기 등의 아랄킬옥시기；메톡시메틸기, 에톡시메틸기, n-프로폭시메틸기, 2-메톡시에틸기, 2-에톡시에틸기, 2-n-프로폭시에틸기, 3-메톡시-n-프로필기, 3-에톡시-n-프로필기, 3-n-프로폭시-n-프로필기, 4-메톡시-n-부틸기, 4-에톡시-n-부틸기 및 4-n-프로폭시-n-부틸기 등의 알콕시알킬기；메톡시메톡시기, 에톡시메톡시기, n-프로폭시메톡시기, 2-메톡시에톡시기, 2-에톡시에톡시기, 2-n-프로폭시에톡시기, 3-메톡시-n-프로폭시기, 3-에톡시-n-프로폭시기, 3-n-프로폭시-n-프로폭시기, 4-메톡시-n-부틸옥시기, 4-에톡시-n-부틸옥시기 및 4-n-프로폭시-n-부틸옥시기 등의 알콕시알콕시기；2-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기 및 4-메톡시페닐기 등의 알콕시아릴기；2-메톡시페녹시기, 3-메톡시페녹시기 및 4-메톡시페녹시기 등의 알콕시아릴옥시기；포르밀기, 아세틸기, 프로피오닐기, 부타노일기, 펜타노일기, 헥사노일기, 헵타노일기, 옥타노일기, 노나노일기 및 데카노일기 등의 지방족 아실기；벤조일기, α-나프토일기 및 β-나프토일기 등의 방향족 아실기；메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, n-프로폭시카르보닐기, n-부틸옥시카르보닐기, n-펜틸옥시카르보닐기, n-헥실옥시카르보닐기, n-헵틸옥시카르보닐기, n-옥틸옥시카르보닐기, n-노닐옥시카르보닐기 및 n-데실옥시카르보닐기 등의 쇄상 알킬옥시카르보닐기；페녹시카르보닐기, α-나프톡시카르보닐기 및 β-나프톡시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기；포르밀옥시기, 아세틸옥시기, 프로피오닐옥시기, 부타노일옥시기, 펜타노일옥시기, 헥사노일옥시기, 헵타노일옥시기, 옥타노일옥시기, 노나노일옥시기 및 데카노일옥시기 등의 지방족 아실옥시기；벤조일옥시기, α-나프토일옥시기 및 β-나프토일옥시기 등의 방향족 아실옥시기이다.

R^a1~R^a18는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소 원자수가 1 이상 5 이하인 알킬기, 및 탄소 원자수가 1 이상 5 이하인 알콕시기로 이루어진 군으로부터 선택되는 기가 바람직하고, 특히 기계적 특성이 뛰어난 경화막을 형성하기 쉬운 점으로부터, R^a1~R^a18가 모두 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.

식 (a1-2)~(a1-5) 중, R^a1~R^a12는 식 (a1-1)에서의 R^a1~R^a12와 동일하다. 식 (a1-2) 및 식 (a1-4)에 있어서, R^a2 및 R^a10가 서로 결합하는 경우에 형성되는 2가의 기로는, 예를 들면, -CH₂-, -C(CH₃)₂-를 들 수 있다. 식 (a1-3)에 있어서, R^a2 및 R^a8가 서로 결합하는 경우에 형성되는 2가의 기로는, 예를 들면, -CH₂-, -C(CH₃)₂-를 들 수 있다.

식 (a1-1)로 표시되는 지환식 에폭시 화합물 가운데, 적합한 화합물의 구체예로는, 하기 식 (a1-1a), 하기 식 (a1-1b) 및 하기 식 (a1-1c)로 표시되는 지환식 에폭시 화합물이나, 2,2-비스(3,4-에폭시시클로헥산-1-일)프로판[=2,2-비스(3,4-에폭시시클로헥실)프로판] 등을 들 수 있다.

[화 17]

식 (a1-2)로 표시되는 지환식 에폭시 화합물 가운데, 적합한 화합물의 구체예로는, 하기 식 (a1-2a)로 표시되는 비시클로노나디엔디에폭시드 또는 디시클로노나디엔디에폭시드 등을 들 수 있다.

[화 18]

식 (a1-3)으로 표시되는 지환식 에폭시 화합물 가운데, 적합한 화합물의 구체예로는, S스피로[3-옥사트리시클로[3.2.1.0^2,4]옥탄-6,2'-옥시란] 등을 들 수 있다.

식 (a1-4)로 표시되는 지환식 에폭시 화합물 가운데, 적합한 화합물의 구체예로는, 4-비닐시클로헥센디옥시드, 디펜텐디옥시드, 리모넨디옥시드, 1-메틸-4-(3-메틸옥시란-2-일)-7-옥사비시클로[4.1.0]헵탄 등을 들 수 있다.

식 (a1-5)로 표시되는 지환식 에폭시 화합물 가운데, 적합한 화합물의 구체예로는, 1,2,5,6-디에폭시시클로옥탄 등을 들 수 있다.

(식 (a1-I)로 표시되는 화합물)

[화 19]

(식 (a1-I) 중, X^a1, X^a2 및 X^a3는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 에폭시기를 포함하고 있어도 되는 유기기이며, X^a1, X^a2 및 X^a3가 가지는 에폭시기의 총수가 2 이상이다.)

상기 식 (a1-I)로 표시되는 화합물로는, 하기 식 (a1-II)로 표시되는 화합물이 바람직하다.

[화 20]

(식 (a1-II) 중, R^a20~R^a22는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 알킬렌기, 아릴렌기, -O-, -C(=O)-, -NH- 및 이들 조합으로 이루어진 기이며, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. E¹~E³는 에폭시기, 옥세타닐기, 에틸렌성 불포화기, 알콕시실릴기, 이소시아네이트기, 블록 이소시아네이트기, 티올기, 카르복시기, 수산기 및 숙신산 무수물기로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 치환기 또는 수소 원자이다. 단, E¹~E³ 중 적어도 2개는 에폭시기 및 옥세타닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.)

식 (a1-II) 중, R^a20와 E¹, R^a21와 E², 및 R^a22와 E³로 나타내는 기는 예를 들면, 적어도 2개가 각각 하기 식 (a1-IIa)로 표시되는 기인 것이 바람직하고, 모두가 각각 하기 식 (a1-IIa)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다. 1개의 화합물에 결합하는 복수의 식 (a1-IIa)로 표시되는 기는 동일한 기인 것이 바람직하다.

-L-C^a (a1-IIa)

(식 (a1-IIa) 중, L는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 알킬렌기, 아릴렌기, -O-, -C(=O)-, -NH- 및 이들 조합으로 이루어진 기이며, C^a는 에폭시기이다. 식 (a1-IIa) 중, L와 C^a가 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 된다.)

식 (a1-IIa) 중, L로서의 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 알킬렌기로는, 탄소 원자수 1 이상 10 이하인 알킬렌기가 바람직하고, 또 L로서의 아릴렌기로는, 탄소 원자수 5 이상 10 이하인 아릴렌기가 바람직하다. 식 (a1-IIa) 중, L는 직쇄상의 탄소 원자수가 1 이상 3 이하인 알킬렌기, 페닐렌기, -O-, -C(=O)-, -NH- 및 이들 조합으로 이루어진 기인 것이 바람직하고, 메틸렌기 등의 직쇄상의 탄소 원자수가 1 이상 3 이하인 알킬렌기 및 페닐렌기 중 적어도 1종, 또는 이들과 -O-, -C(=O)- 및 NH-가 적어도 1종의 조합으로 이루어진 기가 바람직하다.

식 (a1-IIa) 중, L와 C^a가 결합해 환상 구조를 형성하고 있는 경우로는, 예를 들면, 분기쇄상의 알킬렌기와 에폭시기가 결합해 환상 구조(지환 구조의 에폭시기를 가지는 구조)를 형성하고 있는 경우, 하기 식 (a1-IIb)~(a1-IId)로 표시되는 유기기를 들 수 있다.

[화 21]

(식 (a1-IIb) 중, R^a23는 수소 원자 또는 메틸기이다.)

이하, 식 (a1-II)로 표시되는 화합물의 예로서 옥시라닐기 또는 지환식 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물의 예를 나타내지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.

[화 22]

[화 23]

(식 (a1-III)으로 표시되는 실록산 에폭시 화합물)

상기 실록산 화합물로는, 그 중에서도 하기 식 (a1-III)으로 표시되는 환상 실록산 골격을 가지는 화합물(이하, 간단하게 「환상 실록산」이라고 하는 경우가 있음)이 바람직하다.

[화 24]

식 (a1-III) 중, R^a24 및 R^a25는 에폭시기를 함유하는 1가의 기 또는 알킬기를 나타낸다. 단, 식 (a1-III)으로 표시되는 화합물에서의 x1개의 R^a24 및 x1개의 R^a25 가운데, 적어도 2개는 에폭시기를 함유하는 1가의 기이다. 또, 식 (a1-III) 중의 x1는 3 이상의 정수를 나타낸다. 또한, 식 (a1-III)으로 표시되는 화합물에서의 R^a24, R^a25는 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또, 복수의 R^a24는 동일해도 되고, 상이해도 된다. 복수의 R^a25도 동일해도 되고, 상이해도 된다.

상기 알킬기로는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기 등의 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인(바람직하게는 탄소 원자수 1 이상 6 이하, 특히 바람직하게는 탄소 원자수 1 이상 3 이하) 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 들 수 있다.

식 (a1-III) 중의 x1는 3 이상의 정수를 나타내고, 그 중에서도, 경화막을 형성할 때의 가교 반응성이 뛰어난 점에서 3 이상 6 이하의 정수가 바람직하다.

실록산 화합물이 분자 내에 가지는 에폭시기의 수는 2개 이상이며, 경화막을 형성할 때의 가교 반응성이 뛰어난 점으로부터 2개 이상 6개 이하가 바람직하고, 특히 바람직하게는 2개 이상 4개 이하이다.

상기 에폭시기를 함유하는 1가의 기로는, 지환식 에폭시기, 글리시딜에테르기 등을 들 수 있고, 지환식 에폭시기인 것이 바람직하며, 하기 식 (a1-IIIa) 또는 하기 식 (a1-IIIb)로 표시되는 지환식 에폭시기인 것이 보다 바람직하다.

[화 25]

(상기 식 중, D¹ 및 D²는 각각 독립적으로 알킬렌기를 나타내고, ms는 0 이상 2 이하의 정수를 나타내며, *는 결합손을 나타낸다.)

상기 알킬렌기로는, 예를 들면, 메틸렌기, 메틸메틸렌기, 디메틸메틸렌기, 디메틸렌기, 트리메틸렌기 등의 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기 등을 들 수 있다.

경화성 조성물은 식 (a1-III)으로 표시되는 실록산 화합물 이외에도, 지환식 에폭시기 함유 환상 실록산, 일본 특개 2008-248169호 공보에 기재된 지환식 에폭시기 함유 실리콘 수지, 및 일본 특개 2008-19422호 공보에 기재된 1 분자 중에 적어도 2개의 에폭시 관능성기를 가지는 오르가노폴리실세스퀴옥산 수지 등의 실록산 골격을 가지는 화합물을 함유하고 있어도 된다.

실록산 화합물로는, 보다 구체적으로는 하기 식으로 표시되는 분자 내에 2 이상의 에폭시기를 가지는 환상 실록산 등을 들 수 있지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 또, 실록산 화합물로는, 예를 들면, 상품명 「X-40-2670」, 「X-40-2701」, 「X-40-2728」, 「X-40-2738」, 「X-40-2740」(이상, 신에츠 화학공업사 제) 등의 시판품을 이용할 수 있다.

[화 26]

(에피술피드 화합물)

에피술피드 화합물의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 에피술피드 화합물로는, 전술한 에폭시 화합물에 대해서, 에폭시기 중의 산소 원자를 황 원자로 치환한 화합물을 들 수 있다.

(비닐에테르 화합물)

(A) 경화성 화합물은 비닐옥시기를 포함하는 비닐에테르 화합물을 포함하고 있어도 포함하지 않아도 된다.

비닐에테르 화합물은 비닐옥시기를 갖고, 양이온 중합 가능한 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.

비닐에테르 화합물은 방향족기를 포함하고 있어도 되고, 방향족기를 포함하지 않아도 된다.

경화물의 내열 분해성이 양호한 점에서는 비닐에테르 화합물은 방향족기에 결합하는 비닐옥시기를 가지는 화합물인 것이 바람직하다.

비닐에테르 화합물의 적합한 구체예로는, 비닐페닐에테르, 4-비닐옥시톨루엔, 3-비닐옥시톨루엔, 2-비닐옥시톨루엔, 1-비닐옥시-4-클로로벤젠, 1-비닐옥시-3-클로로벤젠, 1-비닐옥시-2-클로로벤젠, 1-비닐옥시-2,3-디메틸벤젠, 1-비닐옥시-2,4-디메틸벤젠, 1-비닐옥시-2,5-디메틸벤젠, 1-비닐옥시-2,6-디메틸벤젠, 1-비닐옥시-3,4-디메틸벤젠, 1-비닐옥시-3,5-디메틸벤젠, 1-비닐옥시나프탈렌, 2-비닐옥시나프탈렌, 2-비닐옥시플루오렌, 3-비닐옥시플루오렌, 4-비닐옥시-1,1'-비페닐, 3-비닐옥시-1,1'-비페닐, 2-비닐옥시-1,1'-비페닐, 6-비닐옥시테트랄린 및 5-비닐옥시테트랄린 등의 방향족 모노비닐에테르 화합물；1,4-디비닐옥시벤젠, 1,3-디비닐옥시벤젠, 1,2-디비닐옥시벤젠, 1,4-디비닐옥시나프탈렌, 1,3-디비닐옥시나프탈렌, 1,2-디비닐옥시나프탈렌, 1,5-디비닐옥시나프탈렌, 1,6-디비닐옥시나프탈렌, 1,7-디비닐옥시나프탈렌, 1,8-디비닐옥시나프탈렌, 2,3-디비닐옥시나프탈렌, 2,6-디비닐옥시나프탈렌, 2,7-디비닐옥시나프탈렌, 1,2-디비닐옥시플루오렌, 3,4-디비닐옥시플루오렌, 2,7-디비닐옥시플루오렌, 4,4'-디비닐옥시비페닐, 3,3'-디비닐옥시비페닐, 2,2'-디비닐옥시비페닐, 3,4'-디비닐옥시비페닐, 2,3'-디비닐옥시비페닐, 2,4'-디비닐옥시비페닐 및 비스페놀 A 디비닐에테르 등의 방향족 디비닐에테르 화합물을 들 수 있다.

이들 비닐에테르 화합물은 2종 이상 조합하여 이용되어도 된다.

(트리아진환 구조를 가지는 중합체)

트리아진환 구조를 가지는 중합체는 이상 설명한 다른 (A) 경화성 화합물과 혼합해 이용하는 것이 바람직하다.

상기한 트리아진환 구조를 가지는 중합체(이하, 간단하게 「트리아진환 함유 중합체」라고도 함)의 예로는, 하기 식 (t1)~(t16)으로 나타내는 것을 들 수 있다.

[화 27]

상기 식 중, R 및 R'는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타내고, 굴절률을 보다 높인다는 관점으로부터 모두 수소 원자인 것이 바람직하다. R¹~R³ 및 R^1'~R^4'는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 카르복실기, 술포기, 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 분기 구조를 가지고 있어도 되는 알킬기, 또는 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 분기 구조를 가지고 있어도 되는 알콕시기를 나타내고, R¹⁰² 및 R¹⁰³는 서로 독립적으로 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬기를 나타낸다.)

[화 28]

(식 중, R, R', R¹~R³, R^1'~R^4', R¹⁰² 및 R¹⁰³는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)

[화 29]

(식 중, R, R', R¹~R³ 및 R^1'~R^4'는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)

[화 30]

[화 31]

(식 중, R, R', R¹~R³ 및 R^1'~R^4'는 상기와 동일한 의미를 나타내고, R⁴는 수소 원자, 할로겐 원자, 카르복실기, 술포기, 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 분기 구조를 가지고 있어도 되는 알킬기, 또는 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 분기 구조를 가지고 있어도 되는 알콕시기를 나타내며, R¹⁰² 및 R¹⁰³는 서로 독립적으로 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬기를 나타낸다.)

[화 32]

(식 중, R, R', R¹~R⁴, R^1'~R^4', R¹⁰² 및 R¹⁰³는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)

[화 33]

(식 중, R, R', R¹~R⁴ 및 R^1'~R^4'는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)

[화 34]

[화 35]

(식 중, R, R', R¹~R³ 및 R^1'~R^4'는 상기와 동일한 의미를 나타내고, R¹⁰² 및 R¹⁰³는 서로 독립적으로 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬기를 나타낸다.)

[화 36]

(식 중, R, R', R¹~R³, R^1'~R^4', R¹⁰² 및 R¹⁰³는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)

[화 37]

(식 중, R, R', R¹~R³ 및 R^1'~R^4'는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)

[화 38]

[화 39]

(식 중, R, R', R¹~R⁴ 및 R1'~R4'는 상기와 동일한 의미를 나타내고, R¹⁰² 및 R¹⁰³는 서로 독립적으로 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬기를 나타낸다.)

[화 40]

(식 중, R, R', R¹~R⁴, R^1'~R^4', R¹⁰² 및 R¹⁰³는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)

[화 41]

(식 중, R, R', R¹~R⁴ 및 R^1'~R^4'는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)

[화 42]

트리아진환 함유 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 500 이상 500,000 이하가 바람직하고, 500 이상 100,000 이하가 더욱 바람직하며, 본 발명의 효과를 달성하는 관점으로부터 2,000 이상이 바람직하고, 보다 용해성을 높여서 얻어진 용액의 점도를 저하시킨다는 점으로부터, 50,000 이하가 바람직하며, 30,000 이하가 보다 바람직하고, 10,000 이하가 더욱 바람직하다.

또한, 본 발명에서의 Mw는 겔 투과 크로마토그래피(이하, GPC라고 함) 분석에 의한 표준 폴리스티렌 환산으로 얻어지는 평균 분자량이다.

트리아진환 함유 중합체는 예를 들면, 국제 공개 제2010/128661호에 개시된 수법에 따라 제조할 수 있다.

또한, 트리아진환 함유 중합체는 적어도 1개의 디아민 말단을 가지며, 이 디아민 말단 중 적어도 하나가 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬옥시카르보닐기 또는 아릴옥시카르보닐기 등의 카르보닐 함유기로 봉지되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이, 카르보닐 함유기로 말단을 봉지함으로써, 트리아진환 함유 중합체의 착색을 억제할 수 있다.

아실기의 구체예로는, 아세틸기, 에틸카르보닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 벤조일기 등을 들 수 있다.

알콕시카르보닐기의 구체예로는, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, t-부톡시카르보닐기 등을 들 수 있다.

아랄킬옥시카르보닐기의 구체예로는, 벤질옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.

아릴옥시카르보닐기의 구체예로는, 페녹시카르보닐기 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 말단 봉지기로는 아실기가 바람직하고, 시약의 입수 용이성 등을 고려하면 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아세틸기가 보다 바람직하다.

말단 봉지 방법으로는, 공지의 방법을 채용하면 되고, 예를 들면, 산 할로겐화물, 산 무수물 등으로 처리하면 된다.

이 경우, 말단 봉지제의 사용량은 중합 반응에 사용되지 않았던 잉여의 디아미노 화합물 유래의 아미노기 1 당량에 대해, 0.05 당량 이상 10 당량 이하 정도가 바람직하고, 0.1 당량 이상 5 당량 이하가 보다 바람직하며, 0.5 당량 이상 2 당량 이하가 보다 한층 바람직하다.

(A) 경화성 화합물은 단독으로 이용해도 복수종을 혼합해 이용해도 된다.

경화성 조성물에서의 (A) 경화성 화합물의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 경화성 조성물에서의 (A) 경화성 화합물의 함유량은 경화성 조성물의 고형분 전체를 100 질량부로 했을 때에, 60 질량부 이상 99.9 질량부 이하가 바람직하고, 75 질량부 이상 99.5 질량부 이하가 보다 바람직하며, 90 질량부 이상 99 질량부 이하가 특히 바람직하다.

＜(B) 양이온 중합 개시제＞

경화성 조성물은 중합 개시제를 포함하고 있어도 포함하지 않아도 되지만, 경화 촉진의 관점으로부터 중합 개시제를 포함하고 있는 것이 바람직하다.

단, 본 발명에 있어서, 중합 개시제로는 후술하는 (C) 이온 액체에 상당하는 것은 제외한다.

중합 개시제는 단독으로 이용해도 복수종을 혼합해 이용해도 된다.

상기 중합 개시제로는, 경화성 조성물이 양이온 경화형 또는 음이온 경화형인 관점으로부터, (B) 양이온 중합 개시제 또는 음이온 중합 개시제인 것이 바람직하고, (B) 양이온 중합 개시제인 것이 보다 바람직하다.

(술포늄염 (B1))

(B) 양이온 중합 개시제는 양이온부와 음이온부로 이루어지고, 경화성의 관점으로부터 음이온부가 하기 식 (b1)로 표시되는 음이온인 술포늄염 (B1)을 포함하는 것이 바람직하다.

[화 43]

(식 (b1) 중, R^b1, R^b2, R^b3 및 R^b4는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는, 탄화수소기 또는 복소환기이며, R^b1, R^b2, R^b3 및 R^b4 중 적어도 하나가 치환기를 가져도 되는 방향족 탄화수소기이다.)

상기 술포늄염 (B1)에 대해서, 양이온부인 상기 식 (b1)로 표시되는 음이온에 대한 짝 양이온은 경화성 조성물이 양호하게 경화하는 한에 있어서 특별히 한정되지 않는다.

짝 양이온으로는, 하기 식 (b2)：

(R^b5)_t＋1-R^b6＋···(b2)

(식 (b2) 중, R^b5는 1가의 유기기이다. R^b6는 원자가 t의 15족~17족(IUPAC 표기)의 원소이다. t는 1 이상 3 이하의 정수이다. 복수의 R^b5는 동일해도 상이해도 되고, 복수의 R^b5가 결합해 R^b6와 함께 환을 형성해도 된다.)

식 (b1) 중의 R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기의 탄소 원자수는 특별히 한정되지 않지만, 1 이상 50 이하가 바람직하고, 1 이상 30 이하가 보다 바람직하며, 1 이상 20 이하가 특히 바람직하다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기의 구체예로는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알케닐기, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알키닐기, 방향족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 및 아랄킬기 등을 들 수 있다.

상술한 대로, R^b1~R^b4 중 적어도 1개는 치환기를 가져도 되는 방향족기이며, R^b1~R^b4 중 3개 이상이 치환기를 가져도 되는 방향족기인 것이 보다 바람직하고, R^b1~R^b4 모두가 치환기를 가져도 되는 방향족기인 것이 특히 바람직하다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기로는, 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 3 이상 18 이하의 할로겐화 지방족 환식기, 니트로기, 수산기, 시아노기, 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 알콕시기, 탄소 원자수 6 이상 14 이하의 아릴옥시기, 탄소 원자수 2 이상 19 이하의 지방족 아실기, 탄소 원자수 7 이상 15 이하의 방향족 아실기, 탄소 원자수 2 이상 19 이하의 지방족 아실옥시기, 탄소 원자수 7 이상 15 이하의 방향족 아실옥시기, 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 알킬티오기, 탄소 원자수 6 이상 14 이하의 아릴티오기, 질소 원자에 결합하는 1 또는 2의 수소 원자가 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 탄화수소기로 치환되어 있어도 되는 아미노기 및 할로겐 원자를 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기가 방향족 탄화수소기인 경우, 상기 방향족 탄화수소기는 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 알킬기, 탄소 원자수 2 이상 18 이하의 알케닐기, 및 탄소 원자수 2 이상 18 이하의 알키닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환되어 있어도 된다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기가 치환기를 가지는 경우, 치환기의 수는 특별히 한정되지 않고, 1이어도 2 이상의 복수여도 된다. 치환기의 수가 복수인 경우, 상기 복수의 치환기는 각각 동일해도 상이해도 된다.

R^b1~R^b4가 알킬기인 경우의 적합한 구체예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기 및 n-이코실기 등의 직쇄 알킬기；이소프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 이소헥실기, 2-에틸헥실기 및 1,1,3,3-테트라메틸부틸기 등의 분기쇄 알킬기를 들 수 있다.

R^b1~R^b4가 알케닐기 또는 알키닐기인 경우의 적합한 예로는, 알킬기로서 적합한 상기의 기에 대응하는 알케닐기 및 알키닐기를 들 수 있다.

R^b1~R^b4가 방향족 탄화수소기인 경우의 적합한 예로는, 페닐기, α-나프틸기, β-나프틸기, 비페닐-4-일기, 비페닐-3-일기, 비페닐-2-일기, 안트릴기 및 페난트릴기 등을 들 수 있다.

R^b1~R^b4가 지환식 탄화수소기인 경우의 적합한 예로는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기 및 시클로데실기 등의 시클로알킬기；노르보르닐기, 아다만틸기, 트리시클로데실기 및 피나닐기 등의 가교식 지방족 환식 탄화수소기를 들 수 있다.

R^b1~R^b4가 아랄킬기인 경우의 적합한 예로는, 벤질기, 페네틸기, α-나프틸메틸기, β-나프틸메틸기, α-나프틸에틸기 및 β-나프틸에틸기 등을 들 수 있다.

R^b1~R^b4가 복소환기인 경우의 적합한 예로는, 티에닐기, 푸라닐기, 셀레노페닐기, 피라닐기, 피롤릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 피리딜기, 피리미딜기, 피라디닐기, 인돌일기, 벤조푸라닐기, 벤조티에닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카르바졸릴기, 아크리디닐기, 페노티아디닐기, 페나디닐기, 크산테닐기, 티안트레닐기, 페녹사디닐기, 페녹사티이닐기, 크로마닐기, 이소크로마닐기, 디벤조티에닐기, 크산토닐기, 티옥산토닐기 및 디벤조푸라닐기 등을 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 할로겐화 알킬기인 경우, 할로겐화 알킬기의 바람직한 예로는, 트리플루오로메틸기, 트리클로로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 2,2,2-트리클로로에틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 1,1-디플루오로에틸기, 헵타플루오로-n-프로필기, 1,1-디플루오로-n-프로필기, 3,3,3-트리플루오로-n-프로필기, 노나플루오로-n-부틸기, 3,3,4,4,4-펜타플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-펜틸기 및 퍼플루오로-n-옥틸기 등의 직쇄 할로겐화 알킬기；헥사플루오로이소프로필기, 헥사클로로이소프로필기, 헥사플루오로이소부틸기 및 노나플루오로-tert-부틸기 등의 분기쇄 할로겐화 알킬기를 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 할로겐화 지방족 환식기인 경우, 할로겐화 지방족 환식기의 바람직한 예로는 펜타플루오로시클로프로필기, 노나플루오로시클로부틸기, 퍼플루오로시클로펜틸기, 퍼플루오로시클로헥실기 및 파플루오로아다만틸기 등을 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 알콕시기인 경우, 알콕시기의 바람직한 예로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로필옥시기, n-부틸옥시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, n-데실옥시기, n-운데실옥시기, n-도데실옥시기, n-트리데실옥시기, n-테트라데실옥시기, n-펜타데실옥시기, n-헥사데실옥시기, n-헵타데실옥시기 및 n-옥타데실옥시기 등의 직쇄 알콕시기；이소프로필옥시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, tert-부틸옥시기, 이소펜틸옥시기, 네오펜틸옥시기, tert-펜틸옥시기, 이소헥실옥시기, 2-에틸헥실옥시기 및 1,1,3,3-테트라메틸부틸옥시기 등의 분기쇄 알콕시기를 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 아릴옥시기인 경우, 아릴옥시기의 바람직한 예로는, 페녹시기, α-나프틸옥시기, β-나프틸옥시기, 비페닐-4-일옥시기, 비페닐-3-일옥시기, 비페닐-2-일옥시기, 안트릴옥시기 및 페난트릴옥시기 등을 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 지방족 아실기인 경우, 지방족 아실기의 바람직한 예로는, 아세틸기, 프로파노일기, 부타노일기, 펜타노일기, 헥사노일기, 헵타노일기 및 옥타노일기 등을 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 방향족 아실기인 경우, 방향족 아실기의 바람직한 예로는 벤조일기, α-나프토일기, β-나프토일기, 비페닐-4-일카르보닐기, 비페닐-3-일카르보닐기, 비페닐-2-일카르보닐기, 안트릴카르보닐기 및 페난트릴카르보닐기 등을 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 지방족 아실옥시기인 경우, 지방족 아실옥시기의 바람직한 예로는, 아세틸옥시기, 프로파노일옥시기, 부타노일옥시기, 펜타노일옥시기, 헥사노일옥시기, 헵타노일옥시기 및 옥타노일옥시기 등을 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 방향족 아실옥시기인 경우, 방향족 아실옥시기의 바람직한 예로는, 벤조일옥시기, α-나프토일옥시기, β-나프토일옥시기, 비페닐-4-일카르보닐옥시기, 비페닐-3-일카르보닐옥시기, 비페닐-2-일카르보닐옥시기, 안트릴카르보닐옥시기 및 페난트릴카르보닐옥시기 등을 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 알킬티오기 또는 아릴티오기인 경우, 알킬티오기 또는 아릴티오기의 바람직한 예로는, 전술한 알콕시기 또는 아릴옥시기로서 적합한 기에서의 산소 원자를 황 원자로 치환한 기를 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 탄화수소기로 치환되어 있어도 되는 아미노기인 경우, 탄화수소기로 치환되어 있어도 되는 아미노기의 적합한 예로는, 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, n-프로필아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 메틸에틸아미노기, 디-n-프로필아미노기 및 피페리디노기 등을 들 수 있다.

R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기가 할로겐 원자인 경우, 할로겐 원자의 적합한 예로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등을 들 수 있다.

이상 설명한 R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기 중에서는, 술포늄염 (B1)의 개시제로서의 활성이 높다는 점에서, 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 할로겐화 알킬기, 할로겐 원자, 니트로기 및 시아노기가 바람직하고, 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 불소화 알킬기가 보다 바람직하다.

식 (b2) 중의 R^b5는 R^b6에 결합하고 있는 유기기를 나타낸다. 동일해도 달라도 된다. R^b5로는 탄소 원자수 6 이상 14 이하의 방향족 탄화수소기, 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 알킬기, 탄소 원자수 2 이상 18 이하의 알케닐기 및 탄소 원자수 2 이상 18 이하의 알키닐기를 들 수 있다.

방향족 탄화수소기는 추가로 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 알킬기, 탄소 원자수 2 이상 18 이하의 알케닐기, 탄소 원자수 2 이상 18 이하의 알키닐기, 탄소 원자수 6 이상 14 이하의 아릴기, 니트로기, 수산기, 시아노기, 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 알콕시기, 탄소 원자수 6 이상 14 이하의 아릴옥시기, 탄소 원자수 2 이상 19 이하의 지방족 아실기, 탄소 원자수 7 이상 15 이하의 방향족 아실기, 탄소 원자수 2 이상 19 이하의 지방족 아실옥시기, 탄소 원자수 7 이상 15 이하의 방향족 아실옥시기, 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 알킬티오기, 탄소 원자수 6 이상 14 이하의 아릴티오기, 질소 원자에 결합하는 1 또는 2의 수소 원자가 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 탄화수소기로 치환되어 있어도 되는 아미노기 및 할로겐 원자로 치환되어 있어도 된다.

이들 치환기의 적합한 예는 식 (b1) 중의 R^b1~R^b4로서의 탄화수소기 또는 복소환기가 가지고 있어도 되는 치환기의 적합한 예와 동일하다.

식 (b2)에 있어서, R^b5가 복수 존재하는 경우, 복수의 R^b5는 R^b6와 함께 환을 형성해도 된다. 복수의 R^b5와 R^b6가 형성하는 환은 그 사이 구조 중에 -O-, -S-, -SO-, -SO₂-, -NH-, -CO-, -COO- 및 -CONH-로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 결합을 포함하고 있어도 된다.

술포늄염 (B1)에서의 양이온부로는, 전술한 식 (b2)로 표시되는 양이온이 바람직하다. 식 (b2) 중의 R^b6는 원자가 t의 15족~17족(IUPAC 표기)의 원소이다. t는 1 이상 3 이하의 정수이다.

R^b6는 유기기 R^b5와 결합해 오늄 이온[R^b6＋]를 형성한다. 15족~17족의 원소 중 바람직한 것은 O(산소), N(질소), P(인), S(황) 또는 I(요오드)이다. 대응하는 오늄 이온으로는, 옥소늄 이온, 암모늄 이온, 포스포늄 이온, 술포늄 이온 및 요도늄 이온이다. 그 중에서도, 안정적이고 취급이 용이한 암모늄 이온, 포스포늄 이온, 술포늄 이온 및 요도늄 이온이 바람직하고, 양이온 중합 성능이나 가교 반응성능이 뛰어난 점에서 술포늄 이온 및 요도늄 이온이 보다 바람직하다.

옥소늄 이온의 구체예로는, 트리메틸옥소늄, 디에틸메틸옥소늄, 트리에틸옥소늄, 테트라메틸렌메틸옥소늄 등의 옥소늄；4-메틸피릴리늄, 2,4,6-트리메틸피릴리늄, 2,6-디-tert-부틸피릴리늄, 2,6-디페닐피릴리늄 등의 피릴리늄；2,4-디메틸크로메늄, 1,3-디메틸이소크로메늄 등의 크로메늄 및 이소크로메늄을 들 수 있다.

암모늄 이온의 구체예로는, 테트라메틸암모늄, 에틸트리메틸암모늄, 디에틸디메틸암모늄, 트리에틸메틸암모늄 및 테트라에틸암모늄 등 테트라알킬암모늄；N,N-디메틸피롤리디늄, N-에틸-N-메틸피롤리디늄 및 N,N-디에틸피롤리디늄 등의 피롤리디늄；N,N'-디메틸이미다졸리늄, N,N'-디에틸이미다졸리늄, N-에틸-N'-메틸이미다졸리늄, 1,3,4-트리메틸이미다졸리늄 및 1,2,3,4-테트라메틸이미다졸리늄 등의 이미다졸리늄；N,N'-디메틸테트라히드로피리미디늄 등의 테트라히드로피리미디늄；N,N'-디메틸모르폴리늄 등의 모르폴리늄；N,N'-디에틸피페리디늄 등의 피페리디늄；N-메틸피리디늄, N-벤질피리디늄 및 N-페나실피리디늄 등의 피리디늄；N,N'-디메틸이미다졸륨 등의 이미다졸륨；N-메틸퀴놀륨, N-벤질퀴놀륨 및 N-페나실퀴놀륨 등의 퀴놀륨；N-메틸이소퀴놀륨 등의 이소퀴놀륨；벤질벤조티아조늄 및 페나실벤조티아조늄 등의 티아조늄；벤질아크리디늄 및 페나실아크리디늄 등의 아크리디늄을 들 수 있다.

포스포늄 이온의 구체예로는, 테트라페닐포스포늄, 테트라-p-톨릴포스포늄, 테트라키스(2-메톡시페닐)포스포늄, 테트라키스(3-메톡시페닐)포스포늄 및 테트라키스(4-메톡시페닐)포스포늄 등의 테트라아릴포스포늄；트리페닐벤질포스포늄, 트리페닐페나실포스포늄, 트리페닐메틸포스포늄 및 트리페닐부틸포스포늄 등의 트리아릴포스포늄；트리에틸벤질포스포늄, 트리부틸벤질포스포늄, 테트라에틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄, 테트라헥실포스포늄, 트리에틸페나실포스포늄 및 트리부틸페나실포스포늄 등의 테트라알킬포스포늄 등을 들 수 있다.

술포늄 이온의 구체예로는, 트리페닐술포늄, 트리-p-톨릴술포늄, 트리-o-톨릴술포늄, 트리스(4-메톡시페닐)술포늄, 1-나프틸디페닐술포늄, 2-나프틸디페닐술포늄, 트리스(4-플루오로페닐)술포늄, 트리-1-나프틸술포늄, 트리-2-나프틸술포늄, 트리스(4-히드록시페닐)술포늄, 4-(페닐티오)페닐디페닐술포늄, 4-(p-톨릴티오)페닐디-p-톨릴술포늄, 4-(4-메톡시페닐티오)페닐비스(4-메톡시페닐)술포늄, 4-(페닐티오)페닐비스(4-플루오로페닐)술포늄, 4-(페닐티오)페닐비스(4-메톡시페닐)술포늄, 4-(페닐티오)페닐디-p-톨릴술포늄, [4-(4-비페닐일티오)페닐]-4-비페닐일페닐술포늄, [4-(2-티옥산토닐티오)페닐]디페닐술포늄, 비스[4-(디페닐술포니오)페닐]술피드, 비스[4-{비스[4-(2-히드록시에톡시)페닐]술포니오}페닐]술피드, 비스{4-[비스(4-플루오로페닐)술포니오}페닐]술피드, 비스{4-[비스(4-메틸페닐)술포니오}페닐]술피드, 비스{4-[비스(4-메톡시페닐)술포니오}페닐]술피드, 4-(4-벤조일-2-클로로페닐티오)페닐비스(4-플루오로페닐)술포늄, 4-(4-벤조일-2-클로로페닐티오)페닐디페닐술포늄, 4-(4-벤조일페닐티오)페닐비스(4-플루오로페닐)술포늄, 4-(4-벤조일페닐티오)페닐디페닐술포늄, 7-이소프로필-9-옥소-10-티아-9,10-디히드로안트라센-2-일디-p-톨릴술포늄, 7-이소프로필-9-옥소-10-티아-9,10-디히드로안트라센 2-일디페닐술포늄, 2-[(디-p-톨릴)술포니오]티옥산톤, 2-[(디페닐)술포니오]티옥산톤, 4-(9-옥소-9H-티옥산텐-2-일)티오페닐-9-옥소-9H-티옥산텐-2-일페닐술포늄, 4-[4-(4-tert-부틸벤조일)페닐티오]페닐디-p-톨릴술포늄, 4-[4-(4-tert-부틸벤조일)페닐티오]페닐디페닐술포늄, 4-[4-(벤조일페닐티오)]페닐디-p-톨릴술포늄, 4-[4-(벤조일페닐티오)]페닐디페닐술포늄, 5-(4-메톡시페닐)티아안트레늄, 5-페닐티아안트레늄, 5-톨릴티아안트레늄, 5-(4-에톡시페닐)티아안트레늄 및 5-(2,4,6-트리메틸페닐)티아안트레늄 등의 트리아릴술포늄；디페닐페나실술포늄, 디페닐4-니트로페나실술포늄, 디페닐벤질술포늄 및 디페닐메틸술포늄 등의 디아릴술포늄；페닐메틸벤질술포늄, 4-히드록시페닐메틸벤질술포늄, 4-메톡시페닐메틸벤질술포늄, 4-아세토카르보닐옥시페닐메틸벤질술포늄, 4-히드록시페닐(2-나프틸메틸)메틸술포늄, 2-나프틸메틸벤질술포늄, 2-나프틸메틸(1-에톡시카르보닐)에틸술포늄, 페닐메틸페나실술포늄, 4-히드록시페닐메틸페나실술포늄, 4-메톡시페닐메틸페나실술포늄, 4-아세토카르보닐옥시페닐메틸페나실술포늄, 2-나프틸메틸페나실술포늄, 2-나프틸옥타데실페나실술포늄 및 9-안트라세닐메틸페나실술포늄 등의 모노아릴술포늄；디메틸페나실술포늄, 페나실테트라히드로티오페늄, 디메틸벤질술포늄, 벤질테트라히드로티오페늄 및 옥타데실메틸페나실술포늄 등의 트리알킬술포늄 등을 들 수 있다.

또, 술포늄염 (B1)은 상기 식 (b1)로 표시되는 음이온인 음이온부와 후술하는 식 (c1)로 표시되는 술포늄 이온인 양이온부로 이루어진 술포늄염을 포함하는 것도 바람직하다.

요도늄 이온의 구체예로는 디페닐요도늄, 디-p-톨릴요도늄, 비스(4-도데실 페닐)요도늄, 비스(4-메톡시페닐)요도늄, (4-옥틸옥시페닐)페닐요도늄, 비스(4-데실옥시)페닐요도늄, 4-(2-히드록시테트라데실옥시)페닐페닐요도늄, 4-이소프로필페닐(p-톨릴)요도늄 및 4-이소부틸페닐(p-톨릴)요도늄 등의 요도늄 이온을 들 수 있다.

이상 설명한 식 (b1)로 표시되는 음이온의 적합한 구체예로는, 테트라키스(4-노나플루오로비페닐)갈레이트 음이온, 테트라키스(1-헵타플루오로나프틸)갈레이트 음이온, 테트라키스(펜타플루오로페닐)갈레이트 음이온, 테트라키스(3,4,5-트리플루오로페닐)갈레이트 음이온, 테트라키스(2-노나페닐비페닐)갈레이트 음이온, 테트라키스(2-헵타플루오로나프틸)갈레이트 음이온, 테트라키스(7-노나플루오로안트릴)갈레이트 음이온, 테트라키스(4'-(메톡시)옥타플루오로비페닐)갈레이트 음이온, 테트라키스(2,4,6-트리스(트리플루오로메틸)페닐)갈레이트 음이온, 테트라키스(3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐)갈레이트 음이온, 테트라키스(2,3-비스(펜타플루오로에틸)나프틸)갈레이트 음이온, 테트라키스(2-이소프로폭시헥사플루오로나프틸)갈레이트 음이온, 테트라키스(9,10-비스(헵타플루오로프로필)헵타플루오로안트릴)갈레이트 음이온, 테트라키스(9-노나플루오로페난트릴)갈레이트 음이온, 테트라키스(4-[트리(이소프로필)실릴]-테트라플루오로페닐)갈레이트 음이온, 테트라키스(9,10-비스(p-톨릴)-헵타플루오로페난트릴)갈레이트 음이온, 테트라키스(4-[디메틸(t-부틸)실릴]-테트라플루오로페닐)갈레이트 음이온, 모노페닐트리스(펜타플루오로페닐)갈레이트 음이온 및 모노퍼플루오로부틸트리스(펜타플루오로페닐)갈레이트 음이온 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 이하의 음이온을 들 수 있다.

[화 44]

이상 설명한 식 (b2)로 표시되는 짝 양이온의 적합한 구체예로는, 4-이소프로필페닐(p-톨릴)요도늄, 4-이소부틸페닐(p-톨릴)요도늄 등의 요도늄 이온；[4-(2-티옥산토닐티오)페닐]디페닐술포늄, 2-[(디-p-톨릴)술포니오]티옥산톤, 2-[(디페닐)술포니오]티옥산톤, 4-(9-옥소-9H-티옥산텐-2-일)티오페닐-9-옥소-9H-티옥산텐-2-일페닐술포늄 등의 티옥산톤 골격 함유 술포늄 이온；후술하는 식 (c1)로 표시되는 양이온의 구체예로서 든 술포늄 이온；후술하는 식 (c1')로 표시되는 술포늄염의 양이온부의 구체예로서 든 술포늄 이온；그 외, 이하에 나타내는 술포늄 이온；을 들 수 있다.

[화 45]

술포늄염 (B1)으로는, 식 (b1)로 표시되는 음이온의 적합한 구체예로서 나타낸 상기의 음이온과 식 (b2)로 표시되는 짝 양이온의 적합한 구체예로서 나타낸 상기의 양이온으로 이루어진 염이 바람직하다. 식 (b2)로 표시되는 짝 양이온의 적합한 구체예는 2종 이상 조합해도 된다.

경화성 조성물에서의 (B) 양이온 중합 개시제의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 경화성 조성물에서의 (B) 양이온 중합 개시제의 함유량은 술포늄염 (B1) 및 후술하는 다른 양이온 중합 개시제 (B2)의 총량으로서, (A) 경화성 화합물 100 질량부에 대해서, 0.01 질량부 이상 5 질량부 이하가 바람직하고, 0.05 질량부 이상 3 질량부 이하가 보다 바람직하며, 0.1 질량부 이상 2 질량부 이하가 특히 바람직하다.

또, 술포늄염 (B1)의 함유량은 술포늄염 (B1) 및 후술하는 다른 양이온 중합 개시제 (B2)의 총량에 대해서 10 질량% 이상이 바람직하고, 50 질량% 이상이 보다 바람직하며, 70 질량% 이상이 보다 더 바람직하고, 90 질량% 이상이 특히 바람직하며, 100 질량%가 가장 바람직하다.

이러한 범위 내의 양의 (B) 양이온 중합 개시제를 이용함으로써, 굴절률 및 황변 내성이 뛰어난 경화물을 형성할 수 있고, 또 내열성(내열 분해성) 및 기판에 대한 밀착성도 양호한 경화성 조성물을 얻기 쉽다.

(술포늄염 (B1)과는 상이한 다른 양이온 중합 개시제 (B2))

(B) 양이온 중합 개시제는 술포늄염 (B1)과는 상이한 다른 양이온 중합 개시제 (B2)(이하, 간단하게 「다른 양이온 중합 개시제 (B2)」라고도 함)를 술포늄염 (B1)과 함께, 또는 단독으로 포함하고 있어도 포함하지 않아도 된다.

경화성 조성물은 술포늄염 (B1)과 함께, 다른 양이온 중합 개시제 (B2)를 포함함으로써, 굴절률 및 황변 내성이 뛰어난 경화물을 형성할 수 있고, 또 내열성(내열 분해성) 및 기판에 대한 밀착성도 양호한 경화성 조성물을 얻기 쉽다.

다른 양이온 중합 개시제 (B2)는 열 양이온 중합 개시제 (B2-1)이어도, 광 양이온 중합 개시제 (B2-2)이어도 되고, 광 양이온 중합 개시제 (B2-2)인 것이 바람직하다. 이하, 열 양이온 중합 개시제 (B2-1) 및 광 양이온 중합 개시제 (B2-2)에 대해 설명한다.

·열 양이온 중합 개시제 (B2-1)

열 양이온 중합 개시제 (B2-1)로는, 예를 들면, 디페닐요도늄헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요도늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리-p-톨릴술포늄헥사플루오로포스페이트, 트리-p-톨릴술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(tert-부틸술포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐-4-메틸페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐-2,4,6-트리메틸페닐술포늄-p-톨루엔술포네이트 및 디페닐-p-페닐티오페닐술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다. 이들은 2종 이상 조합하여 사용되어도 된다.

시판의 열 양이온 중합 개시제로는, 예를 들면, AMERICURE 시리즈(아메리칸·캔사 제), ULTRASET 시리즈(아데카사 제), WPAG 시리즈(와코준야쿠사 제) 등의 디아조늄염형의 개시제; UVE 시리즈(제너럴·일렉트릭사 제), FC 시리즈(3M사 제), UV9310C(GE 도시바 실리콘사 제) 및 WPI 시리즈(와코준야쿠사 제) 등의 요도늄염형의 개시제; CYRACURE 시리즈(유니온 카바이드사 제), UVI 시리즈(제너럴·일렉트릭사 제), FC 시리즈(3M사 제), CD 시리즈(사토머사 제), 옵티머 SP 시리즈(아데카사 제), 옵티머 CP 시리즈(아데카사 제), 산에이드 SI 시리즈(산신가가꾸 공업사 제), CI 시리즈(니폰소다사 제), WPAG 시리즈(와코준야쿠사 제), CPI 시리즈(산아프로사 제) 등의 술포늄염형의 개시제 등을 들 수 있다.

열 양이온 중합 개시제 (B2-1)는 양이온부와 음이온부로 이루어지고, 상기 양이온부가 하기 식 (c-I)로 표시되는 양이온인 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 열 양이온 중합 개시제 (B2-1)를 이용함으로써, 전술한 (A) 경화성 화합물이 양호하게 경화해 굴절률 및 황변 내성이 뛰어난 경화물을 형성할 수 있고, 또 내열성(내열 분해성) 및 기판에 대한 밀착성도 양호한 경화성 조성물을 얻기 쉽다.

[화 46]

(식 (c-I) 중, R^c01, R^c02 및 R^c03는 각각 독립적으로 탄소 원자수가 1 이상 6 이하인 알킬기이다.)

식 (c-I)에 있어서, R^c01, R^c02 및 R^c03로서의 알킬기의 적합한 예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기 및 n-헥실기를 들 수 있다. 알킬기로는, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다. R^c01, R^c02 및 R^c03가 모두 메틸기인 것이 특히 바람직하다.

즉, 식 (c-I)로 표시되는 양이온으로는, 하기 식 (c-II)로 표시되는 양이온이 바람직하다.

[화 47]

식 (c-I)로 표시되는 양이온에 대한 짝 음이온으로는, 예를 들면, AsF₆ ^-, SbF₆ ^-, PF₆ ^- 및 ((C₆F₅)₄B)^- 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, ((C₆F₅)₄B)^-가 바람직하다. 또한, 「C₆F₅」는 펜타플루오로페닐기를 나타낸다.

상기 식 (c-I)로 표시되는 양이온부와 음이온부로 이루어진 화합물로서, 시판품으로서 입수 가능한 화합물을 이용할 수 있다. 시판품으로는, 예를 들면, CXC-1821(King Industries사 제) 등을 들 수 있다.

식 (c-I)로 표시되는 양이온으로 이루어진 양이온부와 음이온부로 이루어진 화합물의 적합한 구체예로는, 식 (c-II)로 표시되는 양이온과 AsF₆-로 이루어진 4급 암모늄염, 식 (c-II)로 표시되는 양이온과 SbF₆ ^-로 이루어진 4급 암모늄염, 식 (c-II)로 표시되는 양이온과 PF₆ ^-로 이루어진 4급 암모늄염 및 식 (c-II)로 표시되는 양이온과 ((C₆F₅)₄B)^-로 이루어진 4급 암모늄염을 들 수 있다. 이들 중에서는, 식 (c-II)로 표시되는 양이온과 ((C₆F₅)₄B)^-로 이루어진 4급 암모늄염이 보다 바람직하다.

식 (c-I)로 표시되는 양이온으로 이루어진 양이온부와 음이온부로 이루어진 화합물은 1종을 단독으로 사용되어도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용되어도 된다.

·광 양이온 중합 개시제 (B2-2)

광 양이온 중합 개시제 (B2-2)로는, 양이온 중합성의 경화성 조성물을 광 경화시키기 위해서 사용되고 있는 술포늄염 (B1) 이외의 중합 개시제를 특별한 제한없이 이용할 수 있다. 광 양이온 중합 개시제 (B2-2)의 적합한 예로는, 요도늄염과 술포늄염을 들 수 있다.

요도늄염의 구체예로는, 예를 들면 디페닐요도늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 디페닐요도늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도늄헥사플루오로안티모네이트, 디(4-노닐페닐)요도늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.

광 양이온 중합 개시제 (B2-2)로는 술포늄염이 바람직하다. 술포늄염 중에서는, 하기 식 (c1)로 표시되는 양이온으로 이루어진 양이온부와 음이온부로 이루어진 술포늄염 (이하, 「술포늄염 (Q)」이라고도 적음. 또, 술포늄염 (B1)이 하기 식 (c1)로 표시되는 양이온으로 이루어진 양이온부를 가지는 술포늄염인 경우는 상기 술포늄염은 술포늄염 (B1)으로서 분류함)이 바람직하다.

경화성 조성물이 술포늄염 (Q)을 포함하는 경우, 경화성 조성물의 경화를 특히 양호하게 진행시키기 쉽다.

[화 48]

(식 (c1) 중, R^c1 및 R^c2는 독립적으로 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기 또는 하기 식 (c2)로 표시되는 기를 나타내고, R^c1 및 R^c2는 서로 결합해 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성해도 되며, R^c3는 하기 식 (c3)으로 표시되는 기 또는 하기 식 (c4)로 표시되는 기를 나타내고, A^c1는 S, O 또는 Se를 나타내며, 단, R^c1 및 R^c2는 동시에 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기는 아니다.)

[화 49]

(식 (c2) 중, 환 Z^c1는 방향족 탄화수소환을 나타내고, R^c4는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아실옥시기, 알킬티오기, 티에닐기, 티에닐카르보닐기, 푸라닐기, 푸라닐카르보닐기, 셀레노페닐기, 셀레노페닐카르보닐기, 지방족 복소환기, 알킬술피닐기, 알킬술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m1는 0 이상의 정수를 나타낸다.)

[화 50]

(식 (c3) 중, R^c5는 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환기, 아릴옥시기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기 혹은 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬렌기 또는 하기 식 (c5)로 표시되는 기를 나타내고, R^c6는 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환기, 아릴옥시기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기 혹은 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기 또는 하기 식 (c6)으로 표시되는 기를 나타내고, A^c2는 단결합, S, O, 술피닐기 또는 카르보닐기를 나타내며, m2는 0 또는 1을 나타낸다.)

[화 51]

(식 (c4) 중, R^c7 및 R^c8는 독립적으로 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환기, 아릴옥시기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기 혹은 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬렌기 또는 하기 식 (c5)로 표시되는 기를 나타내고, R^c9 및 R^c10는 독립적으로 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기 또는 상기 식 (c2)로 표시되는 기를 나타내며, R^c9 및 R^c10는 서로 결합해 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성해도 되고, A^c3는 단결합, S, O, 술피닐기 또는 카르보닐기를 나타내고, m3는 0 또는 1을 나타내며, 단, R^c9 및 R^c10는 동시에 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기는 아니다.)

[화 52]

(식 (c5) 중, 환 Z^c2는 방향족 탄화수소환을 나타내고, R^c11는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환기, 아릴옥시기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기 또는 할로겐 원자를 나타내며, m4는 0 이상의 정수를 나타낸다.)

[화 53]

(식 (c6) 중, 환 Z^c3는 방향족 탄화수소환을 나타내고, R^c12는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 티에닐카르보닐기, 푸라닐카르보닐기, 셀레노페닐카르보닐기, 아릴기, 복소환기, 아릴옥시기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m5는 0 이상의 정수를 나타낸다.)

(술포늄염 (Q))

이하, 술포늄염 (Q)에 대해 설명한다. 술포늄염 (Q)은 상기 식 (c1) 중의 벤젠환에 있어서, A^c1가 결합하는 탄소 원자에 대해서 오르토 위치의 탄소 원자에 메틸기가 결합하고 있는 것을 특징으로 한다. 술포늄염 (Q)은 상기의 위치에 메틸기를 가지기 때문에, 종래의 술포늄염과 비교하여 프로톤을 발생시키기 쉽고, 자외선 등의 활성 에너지선에 대한 감도가 높다.

상기 식 (c1)에 있어서, R^c1 및 R^c2 모두가 상기 식 (c2)로 표시되는 기인 것이 바람직하다. R^c1 및 R^c2는 서로 동일해도 상이해도 된다.

상기 식 (c1)에 있어서, R^c1 및 R^c2가 서로 결합해 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성하는 경우, 형성되는 환의 환 구성 원자수는 황 원자를 포함해 3 이상 10 이하가 바람직하고, 5 이상 7 이하가 보다 바람직하다. 형성되는 환은 다환이어도 되고, 5~7원환이 축합한 것이 바람직하다.

상기 식 (c1)에 있어서, R^c1 및 R^c2가 모두 페닐기인 것이 바람직하다.

상기 식 (c1)에 있어서, R^c3는 상기 식 (c3)으로 표시되는 기인 것이 바람직하다.

상기 식 (c1)에 있어서, A^c1는 S 또는 O인 것이 바람직하고, S인 것이 보다 바람직하다.

상기 식 (c2)에 있어서, R^c4는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 히드록시기, 알킬카르보닐기, 티에닐카르보닐기, 푸라닐카르보닐기, 셀레노페닐카르보닐기, 치환되어 있어도 되는 아미노기 또는 니트로기인 것이 바람직하고, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 알킬카르보닐기 또는 티에닐카르보닐기인 것이 보다 바람직하다.

상기 식 (c2)에 있어서, m1는 환 Z^c1의 종류에 따라 선택할 수 있고, 예를 들면, 0 이상 4 이하의 정수, 바람직하게는 0 이상 3 이하의 정수, 보다 바람직하게는 0 이상 2 이하의 정수이어도 된다.

상기 식 (c3)에 있어서, R^c5는 알킬렌기；히드록시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기 혹은 니트로기로 치환된 알킬렌기；또는 상기 식 (c5)로 표시되는 기인 것이 바람직하고, 상기 식 (c5)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다.

상기 식 (c3)에 있어서, R^c6는 알킬기；히드록시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기 혹은 니트로기로 치환된 알킬기；또는 상기 식 (c6)으로 표시되는 기인 것이 바람직하고, 상기 식 (c6)으로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다.

상기 식 (c3)에 있어서, A^c2는 S 또는 O인 것이 바람직하고, S인 것이 보다 바람직하다.

상기 식 (c3)에 있어서, m2는 0인 것이 바람직하다.

상기 식 (c4)에 있어서, R^c7 및 R^c8는 독립적으로 알킬렌기；히드록시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기 혹은 니트로기로 치환된 알킬렌기；또는 상기 식 (a5)로 표시되는 기인 것이 바람직하고, 상기 식 (c5)로 표시되는 기인 것 보다 바람직하다. R^c7 및 R^c8는 서로 동일해도 상이해도 된다.

상기 식 (c4)에 있어서, R^c9 및 R^c10 모두가 상기 식 (c2)로 표시되는 기인 것이 바람직하다. R^c9 및 R^c10는 서로 동일해도 상이해도 된다.

상기 식 (c4)에 있어서, R^c9 및 R^c10가 서로 결합해 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성하는 경우, 형성되는 환의 환 구성 원자수는 황 원자를 포함해 3 이상 10 이하가 바람직하고, 5 이상 7 이하가 보다 바람직하다. 형성되는 환은 다환이어도 되고, 5~7원환이 축합한 것이 바람직하다.

상기 식 (c4)에 있어서, A^c3는 S 또는 O인 것이 바람직하고, S인 것이 보다 바람직하다.

상기 식 (c4)에 있어서, m3는 0인 것이 바람직하다.

상기 식 (c5)에 있어서, R^c11는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 히드록시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기 또는 니트로기인 것이 바람직하고, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.

상기 식 (c5)에 있어서, m4는 환 Z^c2의 종류에 따라 선택할 수 있으며, 예를 들면, 0 이상 4 이하의 정수, 바람직하게는 0 이상 3 이하의 정수, 보다 바람직하게는 0 이상 2 이하의 정수이어도 된다.

상기 식 (c6)에 있어서, R^c12는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 히드록시기, 알킬카르보닐기, 티에닐카르보닐기, 푸라닐카르보닐기, 셀레노페닐카르보닐기, 치환되어 있어도 되는 아미노기 또는 니트로기인 것이 바람직하고, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 알킬카르보닐기 또는 티에닐카르보닐기인 것이 보다 바람직하다.

상기 식 (c6)에 있어서, m5는 환 Z^c3의 종류에 따라 선택할 수 있으며, 예를 들면, 0 이상 4 이하의 정수, 바람직하게는 0 이상 3 이하의 정수, 보다 바람직하게는 0 이상 2 이하의 정수이어도 된다.

상기 식 (c1)로 표시되는 양이온은 통상 1가의 음이온 X^-와 함께 염을 형성한다. X^-는 술포늄염 (Q)에 활성 에너지(열, 가시광, 자외선, 전자선 및 X선 등)를 조사함으로써 발생하는 산(HX)에 대응하는 1가의 음이온이다. X^-로는 1가의 다원자 음이온이 적합하다고 거론되며, MY_a ^-, (Rf)_bPF_6-b ^-, R^x1 _cBY_4-c ^-, R^x2SO₃ ^-, (R^x2SO₂)₃C^- 또는 (R^x2SO₂)₂N^-로 표시되는 음이온이 보다 바람직하다. 또, X^-는 할로겐 음이온이어도 되고, 예를 들면, 불화물 이온, 염화물 이온, 브롬화물 이온, 요오드화물 이온 등을 들 수 있다.

M은 인 원자, 붕소 원자 또는 안티몬 원자를 나타낸다.

Y는 할로겐 원자(불소 원자가 바람직함)를 나타낸다.

Rf는 수소 원자의 80 몰% 이상이 불소 원자로 치환된 알킬기(탄소 원자수가 1 이상 8 이하인 알킬기가 바람직함)를 나타낸다. 불소 치환에 의해 Rf로 하는 알킬기로는 직쇄 알킬기(메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸 및 옥틸 등), 분기쇄 알킬기(이소프로필, 이소부틸, sec-부틸 및 tert-부틸 등) 및 시클로알킬기(시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸 및 시클로헥실 등) 등을 들 수 있다. Rf에서 이들 알킬기의 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있는 비율은, 원래의 알킬기가 가지고 있던 수소 원자의 몰수에 근거하여, 80 몰% 이상이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 90% 이상, 특히 바람직하게는 100%이다. 불소 원자에 의한 치환 비율이 이들 바람직한 범위에 있으면, 술포늄염 (Q)의 광 감응성이 더욱 양호해진다. 특히 바람직한 Rf로는 CF₃ ^-, CF₃CF₂ ^-, (CF₃)₂CF^-, CF₃CF₂CF₂ ^-, CF₃CF₂CF₂CF₂ ^-, (CF₃)₂CFCF₂ ^-, CF₃CF₂(CF₃)CF^- 및 (CF₃)₃C^-를 들 수 있다. b개의 Rf는 서로 독립적이며, 따라서 서로 동일해도 상이해도 된다.

P는 인 원자, F는 불소 원자를 나타낸다.

R^x1는 수소 원자의 일부가 적어도 1개의 원소 또는 전자 구인기로 치환된 페닐기를 나타낸다. 그와 같은 1개의 원소의 예로는 할로겐 원자가 포함되고, 불소 원자, 염소 원자 및 브롬 원자 등을 들 수 있다. 전자 구인기로는 트리플루오로메틸기, 니트로기 및 시아노기 등을 들 수 있다. 이들 중, 적어도 1개의 수소 원자가 불소 원자 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기가 바람직하다. c개의 R^x1는 서로 독립적이며, 따라서 서로 동일해도 상이해도 된다.

B는 붕소 원자를 나타낸다.

R^x2는 탄소 원자수가 1 이상 20 이하인 알킬기, 탄소 원자수가 1 이상 20 이하인 플루오로알킬기 또는 탄소 원자수가 6 이상 20 이하인 아릴기를 나타내며, 알킬기 및 플루오로알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상 중 어느 하나이면 되고, 알킬기, 플루오로알킬기 또는 아릴기는 비치환이어도, 치환기를 가지고 있어도 된다. 상기 치환기로는, 예를 들면, 히드록시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기(예를 들면, 상기 식 (c2)~(c6)에 관한 후술하는 설명 중에서 예시하는 것을 들 수 있다.), 니트로기 등을 들 수 있다.

또, R^x2로 표시되는 알킬기, 플루오로알킬기 또는 아릴기에서의 탄소쇄는 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 등의 헤테로 원자를 가지고 있어도 된다. 특히, R^x2로 표시되는 알킬기 또는 플루오로알킬기에서의 탄소쇄는 2가의 관능기(예를 들면, 에테르 결합, 카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미노 결합, 아미드 결합, 이미드 결합, 술포닐 결합, 술포닐아미드 결합, 술포닐이미드 결합, 우레탄 결합 등)를 가지고 있어도 된다.

R^x2로 표시되는 알킬기, 플루오로알킬기 또는 아릴기가 상기 치환기, 헤테로 원자 또는 관능기를 가지는 경우, 상기 치환기, 헤테로 원자 또는 관능기의 개수는 1개여도 2개 이상이어도 된다.

S는 황 원자, O는 산소 원자, C는 탄소 원자, N는 질소 원자를 나타낸다.

a는 4 이상 6 이하의 정수를 나타낸다.

b는 1 이상 5 이하의 정수가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2 이상 4 이하의 정수, 특히 바람직하게는 2 또는 3이다.

c는 1 이상 4 이하의 정수가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 4이다.

MY_a ^-로 표시되는 음이온으로는, SbF₆ ^-, PF₆ ^- 또는 BF₄ ^-로 표시되는 음이온 등을 들 수 있다.

(Rf)_bPF_6-b ^-로 표시되는 음이온으로는, (CF₃CF₂)₂PF₄ ^-, (CF₃CF₂)₃PF₃ ^-, ((CF₃)₂CF)₂PF₄ ^-, ((CF₃)₂CF)₃PF₃ ^-, (CF₃CF₂CF₂)₂PF₄ ^-, (CF₃CF₂CF₂)₃PF₃ ^-, ((CF₃)₂CFCF₂)₂PF₄ ^-, ((CF₃)₂CFCF₂)₃PF₃ ^-, (CF₃CF₂CF₂CF₂)₂PF₄ ^- 또는 (CF₃CF₂CF₂CF₂)₃PF₃ ^-로 표시되는 음이온 등을 들 수 있다. 이들 중, (CF₃CF₂)₃PF₃ ^-, (CF₃CF₂CF₂)₃PF₃ ^-, ((CF₃)₂CF)₃PF₃ ^-, ((CF₃)₂CF)₂PF₄ ^-, ((CF₃)₂CFCF₂)₃PF₃ ^- 또는 ((CF₃)₂CFCF₂)₂PF₄ ^-로 표시되는 음이온이 바람직하다.

R^x1 _cBY_4-c ^-로 표시되는 음이온으로는, 바람직하게는

R^x1 _cBY_4-c ^-

(식 중, R^x1는 수소 원자 중 적어도 일부가 할로겐 원자 또는 전자 구인기로 치환된 페닐기를 나타내고, Y는 할로겐 원자를 나타내며, c는 1 이상 4 이하의 정수를 나타낸다.)이고, 예를 들면, ((C₆F₅)₄B)^-, (((CF₃)₂C₆H₃)₄B)^-, ((CF₃C₆H₄)₄B)^-, ((C₆F₅)₂BF₂)^-, (C₆F₅BF₃)^- 또는 ((C₆H₃F₂)₄B)^-로 표시되는 음이온 등을 들 수 있다. 이들 중, ((C₆F₅)₄B)- 또는 (((CF₃)₂C₆H₃)₄B)^-로 표시되는 음이온이 바람직하다.

R^x2SO₃ ^-로 표시되는 음이온으로는, 트리플루오로메탄술폰산 음이온, 펜타플루오로에탄술폰산 음이온, 헵타플루오로프로판술폰산 음이온, 노나플루오로부탄술폰산 음이온, 펜타플루오로페닐술폰산 음이온, p-톨루엔술폰산 음이온, 벤젠술폰산 음이온, 캠퍼술폰산 음이온, 메탄술폰산 음이온, 에탄술폰산 음이온, 프로판술폰산 음이온 및 부탄술폰산 음이온 등을 들 수 있다. 이들 중, 트리플루오로메탄술폰산 음이온, 노나플루오로부탄술폰산 음이온, 메탄술폰산 음이온, 부탄술폰산 음이온, 캠퍼술폰산 음이온, 벤젠술폰산 음이온 또는 p-톨루엔술폰산 음이온이 바람직하다.

(R^x2SO₂)₃C^-로 표시되는 음이온으로는, (CF₃SO₂)₃C^-, (C₂F₅SO₂)₃C^-, (C₃F₇SO₂)₃C^- 또는 (C₄F₉SO₂)₃C^-로 표시되는 음이온 등을 들 수 있다.

(R^x2SO₂)₂N^-로 표시되는 음이온으로는, (CF₃SO₂)₂N^-, (C₂F₅SO₂)₂N^-, (C₃F₇SO₂)₂N^- 또는 (C₄F₉SO₂)₂N^-로 표시되는 음이온 등을 들 수 있다.

1가의 다원자 음이온으로는, MY_a ^-, (Rf)_bPF_6-b ^-, R^x1 _cBY_4-c ^-, R^x2SO₃ ^-, (R^x2SO₂)₃C^- 또는 (R^x2SO₂)₂N^-로 표시되는 음이온 이외에, 과할로겐산 이온(ClO₄ ^-, BrO₄ ^- 등), 할로겐화 술폰산 이온(FSO₃ ^-, ClSO₃ ^- 등), 황산 이온(CH₃SO₄ ^-, CF₃SO₄ ^-, HSO₄ ^- 등), 탄산 이온(HCO₃ ^-, CH₃CO₃ ^- 등), 알루민산 이온(AlCl₄ ^-, AlF₄ ^- 등), 헥사플루오로비스무트산 이온(BiF₆ ^-), 카르복시산 이온(CH₃COO^-, CF₃COO^-, C₆H₅COO^-, CH₃C₆H₄COO^-, C₆F₅COO^-, CF₃C₆H₄COO^- 등), 아릴붕산 이온(B(C₆H₅)₄ ^-, CH₃CH₂CH₂CH₂B(C₆H₅)₃ ^- 등), 티오시안산 이온(SCN^-) 및 질산 이온(NO₃ ^-) 등을 사용할 수 있다.

이들 X^- 가운데, 양이온 중합 성능에 있어서는 MY_a ^-, (Rf)_bPF_6-b ^-, R^x1 _cBY_4-c ^- 및 (R^x2SO₂)₃C^-로 표시되는 음이온이 바람직하고, SbF₆ ^-, PF₆ ^-, (CF₃CF₂)₃PF₃ ^-, ((C₆F₅)₄B)^-, (((CF₃)₂C₆H₃)₄B)^- 및 (CF₃SO₂)₃C^-가 보다 바람직하다.

상기 식 (c2), (c5) 및 (c6)에 있어서, 방향족 탄화수소환으로는, 벤젠환, 축합 다환식 방향족 탄화수소환[예를 들면, 축합 2환식 탄화수소환(예를 들면, 나프탈렌환 등의 C_8-20 축합 2환식 탄화수소환, 바람직하게는 C_10-16 축합 2환식 탄화수소환), 축합 3환식 방향족 탄화수소환(예를 들면, 안트라센환, 페난트렌환 등) 등의 축합 2 내지 4환식 방향족 탄화수소환] 등을 들 수 있다. 방향족 탄화수소환은 벤젠환 또는 나프탈렌환인 것이 바람직하고, 벤젠환인 것이 보다 바람직하다.

상기 식 (c1)~(c6)에 있어서, 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등을 들 수 있다.

상기 식 (c1)~(c6)에 있어서, 알킬기로는 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인 직쇄 알킬기(메틸, 에틸, n-프로필, n-부틸, n-펜틸, n-옥틸, n-데실, n-도데실, n-테트라데실, n-헥사데실 및 n-옥타데실 등), 탄소 원자수가 3 이상 18 이하인 분기쇄 알킬기(이소프로필, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 이소헥실및 이소옥타데실 등), 및 탄소 원자수가 3 이상 18 이하인 시클로알킬기(시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실 및 4-데실시클로헥실 등) 등을 들 수 있다. 특히, 상기 식 (c1), (c2) 및 (c4)~(c6)에 있어서, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기란, 알킬기 및 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 의미한다. 할로겐 원자로 치환된 알킬기로는, 상기의 직쇄 알킬기, 분기쇄 알킬기 또는 시클로알킬기에서의 적어도 1개의 수소 원자를 할로겐 원자로 치환한 기(모노플루오로메틸, 디플루오로메틸, 트리플루오로메틸 등) 등을 들 수 있다. 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기 가운데, R^c1, R^c2, R^c9 또는 R^c10에 대해서는 트리플루오로메틸기가 특히 바람직하고, R^c4, R^c6, R^c11 또는 R^c12에 대해서는 메틸기가 특히 바람직하다.

상기 식 (c2)~(c6)에 있어서, 알콕시기로는 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인 직쇄 또는 분기쇄 알콕시기(메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 이소부톡시, sec-부톡시, tert-부톡시, 헥실옥시, 데실옥시, 도데실옥시 및 옥타데실옥시 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c2)~(c6)에 있어서, 알킬카르보닐기에서의 알킬기로는 상술한 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인 직쇄 알킬기, 탄소 원자수가 3 이상 18 이하인 분기쇄 알킬기 또는 탄소 원자수가 3 이상 18 이하인 시클로알킬기를 들 수 있고, 알킬카르보닐기로는 탄소 원자수가 2 이상 18 이하인 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 알킬카르보닐기(아세틸, 프로피오닐, 부타노일, 2-메틸프로피오닐, 헵타노일, 2-메틸부타노일, 3-메틸부타노일, 옥타노일, 데카노일, 도데카노일, 옥타데카노일, 시클로펜타노일기 및 시클로헥사노일기 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c3)~(c6)에 있어서, 아릴카르보닐기로는 탄소 원자수가 7 이상 11 이하인 아릴카르보닐기(벤조일 및 나프토일 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (a2)~(a6)에 있어서, 알콕시카르보닐기로는 탄소 원자수가 2 이상 19 이하인 직쇄 또는 분기쇄 알콕시카르보닐기(메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, 프로폭시카르보닐, 이소프로폭시카르보닐, 부톡시카르보닐, 이소부톡시카르보닐, sec-부톡시카르보닐, tert-부톡시카르보닐, 옥틸옥시카르보닐, 테트라데실옥시카르보닐 및 옥타데실옥시카르보닐 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c3)~(c6)에 있어서, 아릴옥시카르보닐기로는 탄소 원자수가 7 이상 11 이하인 아릴옥시카르보닐기(페녹시카르보닐 및 나프톡시카르보닐 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c3)~(c6)에 있어서, 아릴티오카르보닐기로는 탄소 원자수가 7 이상 11 이하인 아릴티오카르보닐기(페닐티오카르보닐 및 나프톡시티오카르보닐 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c2)~(c6)에 있어서, 아실옥시기로는 탄소 원자수가 2 이상 19 이하인 직쇄 또는 분기쇄 아실옥시기(아세톡시, 에틸카르보닐옥시, 프로필카르보닐옥시, 이소프로필카르보닐옥시, 부틸카르보닐옥시, 이소부틸카르보닐옥시, sec-부틸카르보닐옥시, tert-부틸카르보닐옥시, 옥틸카르보닐옥시, 테트라데실카르보닐옥시 및 옥타데실카르보닐옥시 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c3)~(c6)에 있어서, 아릴티오기로는 탄소 원자수가 6 이상 20 이하인 아릴티오기(페닐티오, 2-메틸페닐티오, 3-메틸페닐티오, 4-메틸페닐티오, 2-클로로페닐티오, 3-클로로페닐티오, 4-클로로페닐티오, 2-브로모페닐티오, 3-브로모페닐티오, 4-브로모페닐티오, 2-플루오로페닐티오, 3-플루오로페닐티오, 4-플루오로페닐티오, 2-히드록시페닐티오, 4-히드록시페닐티오, 2-메톡시페닐티오, 4-메톡시페닐티오, 1-나프틸티오, 2-나프틸티오, 4-[4-(페닐티오)벤조일]페닐티오, 4-[4-(페닐티오)페녹시]페닐티오, 4-[4-(페닐티오)페닐]페닐티오, 4-(페닐티오)페닐티오, 4-벤조일페닐티오, 4-벤조일-2-클로로페닐티오, 4-벤조일-3-클로로페닐티오, 4-벤조일-3-메틸티오페닐티오, 4-벤조일-2-메틸티오페닐티오, 4-(4-메틸티오벤조일)페닐티오, 4-(2-메틸티오벤조일)페닐티오, 4-(p-메틸벤조일)페닐티오, 4-(p-에틸벤조일)페닐티오, 4-(p-이소프로필벤조일)페닐티오 및 4-(p-tert-부틸벤조일)페닐티오 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c2)~(c6)에 있어서, 알킬티오기로는 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인 직쇄 또는 분기쇄 알킬티오기(메틸티오, 에틸티오, 프로필티오, 이소프로필티오, 부틸티오, 이소부틸티오, sec-부틸티오, tert-부틸티오, 펜틸티오, 이소펜틸티오, 네오펜틸티오, tert-펜틸티오, 옥틸티오, 데실티오, 도데실티오 및 이소옥타데실티오 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c3)~(c6)에 있어서, 아릴기로는 탄소 원자수가 6 이상 10 이하인 아릴기(페닐, 톨릴, 디메틸페닐 및 나프틸 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c2)에 있어서, 지방족 복소환기로는 탄소 원자수가 2 이상 20 이하인(바람직하게는 4 이상 20 이하임) 지방족 복소환기(피롤리디닐, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로티에닐, 피페리디닐, 테트라히드로피라닐, 테트라히드로티오피라닐, 모르폴리닐 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c3)~(c6)에 있어서, 복소환기로는 탄소 원자수가 4 이상 20 이하인 복소환기(티에닐, 푸라닐, 셀레노페닐, 피라닐, 피롤릴, 옥사졸릴, 티아졸릴, 피리딜, 피리미딜, 피라디닐, 인돌일, 벤조푸라닐, 벤조티에닐, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 퀴녹사리닐, 퀴나졸리닐, 카르바졸릴, 아크리디닐, 페노티아디닐, 페나디닐, 크산테닐, 티안트레닐, 페녹사디닐, 페녹사티이닐, 크로마닐, 이소크로마닐, 디벤조티에닐, 크산토닐, 티옥산토닐 및 디벤조푸라닐 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c3)~(c6)에 있어서, 아릴옥시기로는 탄소 원자수가 6 이상 10 이하인 아릴옥시기(페녹시 및 나프틸옥시 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c2)~(c6)에 있어서, 알킬술피닐기로는 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인 직쇄 또는 분기쇄 술피닐기(메틸술피닐, 에틸술피닐, 프로필술피닐, 이소프로필술피닐, 부틸술피닐, 이소부틸술피닐, sec-부틸술피닐, tert-부틸술피닐, 펜틸술피닐, 이소펜틸술피닐, 네오펜틸술피닐, tert-펜틸술피닐, 옥틸술피닐 및 이소옥타데실술피닐 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c3)~(c6)에 있어서, 아릴술피닐기로는 탄소 원자수가 6 이상 10 이하인 아릴술피닐기(페닐술피닐, 톨릴술피닐 및 나프틸술피닐 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c2)~(c6)에 있어서, 알킬술포닐기로는 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인 직쇄 또는 분기쇄 알킬술포닐기(메틸술포닐, 에틸술포닐, 프로필술포닐, 이소프로필술포닐, 부틸술포닐, 이소부틸술포닐, sec-부틸술포닐, tert-부틸술포닐, 펜틸술포닐, 이소펜틸술포닐, 네오펜틸술포닐, tert-펜틸술포닐, 옥틸술포닐 및 옥타데실술포닐 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c3)~(c6)에 있어서, 아릴술포닐기로는 탄소 원자수가 6 이상 10 이하인 아릴술포닐기(페닐술포닐, 톨릴술포닐(토실기) 및 나프틸술포닐 등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c2)~(c6)에 있어서, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기로는 HO(AO)_q- (식 중, AO는 독립적으로 에틸렌옥시기 및/또는 프로필렌옥시기를 나타내고, q는 1 이상 5 이하의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 히드록시(폴리)알킬렌옥시기 등을 들 수 있다.

상기 식 (c2)~(c6)에 있어서, 치환되어 있어도 되는 아미노기로는 아미노기(-NH₂) 및 탄소 원자수가 1 이상 15 이하인 치환 아미노기(메틸아미노, 디메틸아미노, 에틸아미노, 메틸에틸아미노, 디에틸아미노, n-프로필아미노, 메틸-n-프로필아미노, 에틸-n-프로필아미노, n-프로필아미노, 이소프로필아미노, 이소프로필메틸아미노, 이소프로필에틸아미노, 디이소프로필아미노, 페닐아미노, 디페닐아미노, 메틸페닐아미노, 에틸페닐아미노, n-프로필페닐아미노및 이소프로필페닐아미노등) 등을 들 수 있다.

상기 식 (c3) 및 (c4)에 있어서, 알킬렌기로는 탄소 원자수가 1 이상 18 이하인 직쇄 또는 분기쇄 알킬렌기(메틸렌기, 1,2-에틸렌기, 1,1-에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 프로판-1,1-디일기, 프로판-2,2-디일기, 부탄-1,4-디일기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-1,2-디일기, 부탄-1,1-디일기, 부탄-2,2-디일기, 부탄-2,3-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 펜탄-1,4-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기, 2-에틸헥산-1,6-디일기, 노난-1,9-디일기, 데칸-1,10-디일기, 운데칸-1,11-디일기, 도데칸-1,12-디일기, 트리데칸-1,13-디일기, 테트라데칸-1,14-디일기, 펜타데칸-1,15-디일기 및 헥사데칸-1,16-디일기 등) 등을 들 수 있다.

술포늄염 (Q)은 예를 들면, 하기 도식에 따라서 합성할 수 있다. 구체적으로는, 하기 식 (c1-1)로 표시되는 1-플루오로-2-메틸-4-니트로벤젠에 수산화칼륨 등의 염기의 존재 하에서 하기 식 (c1-2)로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 식 (c1-3)으로 표시되는 니트로화합물을 얻고, 그 다음에, 환원 철의 존재 하에서 환원을 수행해서 하기 식 (c1-4)로 표시되는 아민 화합물을 얻는다. 이 아민 화합물과 MaNO₂(식 중, Ma는 금속 원자, 예를 들면, 나트륨 원자 등의 알칼리 금속 원자를 나타낸다.)로 표시되는 아질산 염(예를 들면, 아질산나트륨)을 반응시켜 디아조 화합물을 얻고, 그 다음에 이 디아조 화합물과 CuX'(식 중, X'는 브롬 원자 등의 할로겐 원자를 나타낸다. 이하, 동일)로 표시되는 할로겐화 제1 구리와 HX'로 표시되는 할로겐화 수소를 혼합해 반응을 진행시켜 하기 식 (c1-5)로 표시되는 할로겐화물을 얻는다. 이 할로겐화물 및 마그네슘으로부터 그리냐르 시약을 조제하고, 그 다음에 클로로트리메틸실란의 존재 하에서, 이 그리냐르 시약과 하기 식 (c1-6)으로 표시되는 술폭시드 화합물을 반응시켜 하기 식 (c1-7)로 표시되는 술포늄염을 얻을 수 있다. 또한, 이 술포늄염을 Mb^＋X"^-(식 중, Mb^＋는 금속 양이온, 예를 들면, 칼륨 이온 등의 알칼리 금속 양이온을 나타내고, X"^-는 X^-로 표시되는 1가의 음이온(단, 할로겐 음이온을 제외함)을 나타낸다.)으로 표시되는 염과 반응시켜 염 교환을 수행함으로써, 하기 식 (c1-8)으로 표시되는 술포늄염을 얻을 수 있다. 또한, 하기 식 (c1-2)~(c-8)에 있어서, R^c1~R^c3 및 A^c1는 상기 식 (c1)과 동일하다.

＜도식＞

[화 54]

술포늄염 (Q)의 양이온부인 식 (c1)로 표시되는 양이온의 구체예로는 이하의 것을 들 수 있다. 술포늄염 (Q)의 음이온부의 구체예로는 상기 X^-의 설명에서 든 것 등 종래 공지의 것을 들 수 있다. 상기 식 (c1)로 표시되는 양이온부를 포함하는 술포늄염 (Q)은 상기 도식에 따라서 합성할 수 있고, 필요에 따라서 추가로 염 교환함으로써 양이온부를 원하는 음이온부와 조합할 수 있고, 특히 R^x1 _cBY_4-c ^-(식 중, R^x1는 수소 원자 중 적어도 일부가 할로겐 원자 또는 전자 구인기로 치환된 페닐기를 나타내고, Y는 할로겐 원자를 나타내며, c는 1 이상 4 이하의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 음이온과의 조합이 바람직하다.

[화 55]

상기의 바람직한 양이온부의 군 중에서는 하기 식으로 표시되는 양이온부가 보다 바람직하다.

[화 56]

다른 양이온 중합 개시제 (B2)는 상기의 술포늄염 (Q)과 함께 술포늄염 (Q) 이외의 그 밖의 광 양이온 중합 개시제를 포함하고 있어도 된다.

다른 양이온 중합 개시제 (B2)에서의 술포늄염 (Q)의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 전형적으로는 70 질량% 이상이 바람직하고, 80 질량% 이상이 보다 바람직하며, 90 질량% 이상이 특히 바람직하고, 100 질량%가 가장 바람직하다.

광 양이온 중합 개시제 (B2-2)는 상기의 술포늄염 (Q)과 함께 전술한 술포늄염 (B1) 및 술포늄염 (Q) 이외의 광 양이온 중합 개시제를 추가로 포함하고 있어도 된다.

전술한 술포늄염 (B1) 및 술포늄염 (Q) 이외의 광 양이온 중합 개시제로는, 종래부터 양이온 중합용으로 사용되고 있는 여러 가지의 양이온 중합 개시제를 특별한 제한없이 사용할 수 있다.

전술한 술포늄염 (B1) 및 술포늄염 (Q) 이외의 광 양이온 중합 개시제로는, 상술한 바와 같이 요도늄염이나 술포늄염 등의 오늄염이 바람직하고, 술포늄염 (Q) 이외의 그 밖의 술포늄염이 보다 바람직하다.

이하, 전술한 술포늄염 (B1) 및 술포늄염 (Q) 이외의 광 양이온 중합 개시제로서의 술포늄염에 대해 「술포늄염 (Q')」이라고도 적는다.

술포늄염 (Q')은 술포늄염 (Q)과 동일하게 1가 음이온 X^-로서 상술한 R^x1 _cBY_4-c ^-를 포함하는 것이 바람직하다.

R^x1 _cBY_4-c ^-로 표시되는 1가의 음이온을 가지는 술포늄염 (Q')으로는, 예를 들면 하기 식 (c1')로 표시되는 술포늄염을 들 수 있다.

[화 57]

(식 중, R^c1, R^c2, R^c3, A^c1, R^x1, Y 및 c는 상술한 바와 같다.)

상기 식 (c1')로 표시되는 술포늄염 (Q')의 양이온부의 구체예로는, 이하의 것을 들 수 있다.

[화 58]

술포늄염 (Q')의 양이온부의 전형적인 예로는, 또 이하의 것을 들 수 있다.

[화 59]

경화성 조성물에서의 다른 양이온 중합 개시제 (B2)의 함유량은 경화성 조성물의 경화가 양호하게 진행하는 한 특별히 한정되지 않는다. 경화성 조성물을 양호하게 경화시키기 쉬운 점으로부터, 전형적으로는 다른 양이온 중합 개시제 (B2)의 함유량은 (B) 양이온 중합 개시제의 총량으로서 (A) 경화성 화합물 100 질량부에 대해서, 0 질량부 이상 5 질량부 이하가 바람직하고, 0.01 질량부 이상 3 질량부 이하가 보다 바람직하며, 0.03 질량부 이상 2 질량부 이하가 특히 바람직하다.

또, 다른 양이온 중합 개시제 (B2)의 함유량은 (B) 양이온 중합 개시제의 총량에 대해서 90 질량% 이하가 바람직하고, 70 질량% 이하가 보다 바람직하며, 50 질량% 이하가 보다 더 바람직하고, 30 질량% 이하가 특히 바람직하다. 경화성 조성물이 다른 양이온 중합 개시제 (B2)를 포함하지 않는 것도 바람직하다.

＜음이온 중합 개시제＞

음이온 중합 개시제로는 광에 의한 음이온 중합 개시제여도 열에 의한 음이온 중합 개시제여도 된다.

예를 들면, 전술한 에폭시 화합물을 음이온 중합 개시제와 함께 경화성 조성물에 배합하는 경우, 음이온 경화형의 경화성 조성물이 얻어진다.

광에 의한 음이온 중합 개시제로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 트리페닐메탄올, 벤질카르바메이트 및 벤조인카르바메이트 등의 광 활성인 카르바메이트；O-카르바모일히드록실아미드, O-카르바모일옥심, 아로마틱 술폰아미드, 알파-락탐 및 N-(2-알릴에티닐)아미드 등의 아미드 및 그 밖의 아미드；옥심에스테르 화합물, α-아미노아세토페논, 코발트 착체 등을 들 수 있다. 이 중, 2-니트로벤질시클로헥실카르바메이트, 트리페닐메탄올, O-카르바모일히드록실아미드, O-카르바모일옥심, [[(2,6-디니트로벤질)옥시]카르보닐]시클로헥실아민, 비스[[(2-니트로벤질)옥시]카르보닐]헥산1,6-디아민, 4-(메틸티오벤조일)-1-메틸-1-모르폴리노에탄, (4-모르폴리노벤조일)-1-벤질-1-디메틸아미노프로판, N-(2-니트로벤질옥시카르보닐)피롤리딘, 헥사아민코발트(III)트리스(트리페닐메틸보레이트), 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.

상기 이외의 적합한 예로는, 광(및/또는 열)의 작용에 의해 분해해 이미다졸 화합물을 발생시키는 화합물을 들 수 있다.

열에 의한 음이온 중합 개시제로는, 종래부터 사용되고 있는 화합물을 특별한 한정없이 이용할 수 있으며, 예를 들면, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 그 외, 아민-에폭시 아덕트계 열 음이온 중합 개시제, 아민-이소시아네이트계 화합물로 이루어진 열 염기 발생제, 또는 디시안디아미드류, 히드라진류 혹은 방향족 디아민류 등의 음이온 중합형 경화제, 또는 상이한 종류의 경화제로 이루어진 복합계의 음이온 중합형 경화제 등을 들 수 있다. 아민-에폭시 어덕트계 열 음이온 중합 개시제로는, 예를 들면, 「아미큐어 PN-23」, 「아미큐어 PN-40」, 「아미큐어 PN-50」, 「아미큐어 PN-H」(모두 아지노모토 파인테크노사의 상품명), 「하드너 X-3661S」(ECR사의 상품명), 「하드너 X-3670S」(ECR사의 상품명), 「노바큐어 HX-3742」(아사히화성사의 상품명), 「노바큐어 HX-3721」(아사히화성사의 상품명) 등을 들 수 있고, 또 아민-이소시아네이트계 화합물로 이루어진 열 염기 발생제로는, 예를 들면, 「후지큐어 FXE-1000」(후지화성사의 상품명), 「후지큐어 FXR-1030」(후지화성사의 상품명) 등을 들 수 있다. 또한, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온은 광의 작용에 의해서도 음이온 중합 개시제로서 기능할 수 있다.

경화성 조성물에서의 음이온 중합 개시제의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 경화성 조성물에서의 음이온 중합 개시제의 함유량은 (A) 경화성 화합물 100 질량부에 대해서, 0.01 질량부 이상 5 질량부 이하가 바람직하고, 0.05 질량부 이상 3 질량부 이하가 보다 바람직하며, 0.1 질량부 이상 2 질량부 이하가 특히 바람직하다.

＜(C) 융점 140℃ 이하의 이온 액체(이하, 간단하게 「(C) 이온 액체」라고도 함)＞

(C) 이온 액체는 140℃ 이하의 온도 영역에서 융해할 수 있는 염이며, 140℃ 이하에서 액체가 되는 안정한 염인 것이 바람직하다.

(C) 이온 액체의 융점으로는 본 발명의 효과를 보다 확실히 달성하는 관점 및 도공성의 관점 등으로부터, 120℃ 이하인 것이 바람직하고, 100℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 80℃ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

경화성 조성물이 (S) 용제를 포함하는 경우, 본 발명의 효과를 보다 확실히 달성하는 관점, 도공성 및 이물 억제의 관점 등으로부터, 실온(25℃)에서의 상기 경화성 조성물 중에 포함되어 있는 (S) 용제에 대한 (C) 이온 액체의 용해성이 70 질량% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 80 질량% 이상이며, 특히 바람직하게는 90 질량% 이상이다.

또, 상기 용해성이란, 상기 경화성 조성물 중에 포함되어 있는 (S) 용제 100 질량부에 대해, (C) 이온 액체를 70 질량부, 80 질량부 또는 90 질량부 등 혼합해, 진탕기로 5분간 처리했을 때에, 눈으로 봐서 침전의 유무 확인에 의해, 침전이 보이지 않는 질량을 말한다.

(C) 이온 액체는 염인 것에 의해 이온 도전성이 좋고, 융점 140℃ 이하에서액체인 것에 의해 경화성 조성물 중에 균일하게 확산할 수 있다. 또, 열분해 온도도 비교적 높다. 따라서, 경화성 조성물 중에서 양이온 중합이든 음이온 중합이든 의존성 낮고, 균일하게 경화 반응을 촉진할 수 있으며, 그 결과 굴절률 및 황변 내성(특히, 황변 내성)이 뛰어나고, 또 내열성 및 기판에 대한 밀착성도 양호한 경화물을 형성할 수 있다.

상기 (C) 이온 액체가 유기 양이온과 음이온으로 구성되는 것이 바람직하다.

상기 (C) 이온 액체를 구성하는 유기 양이온으로는, 본 발명의 효과를 보다 확실히 달성하는 관점으로부터, 알킬쇄 4급 암모늄 양이온, 피페리디늄 양이온, 피리미디늄 양이온, 피롤리디늄 양이온, 이미다졸륨 양이온, 피리디늄 양이온, 피라졸륨 양이온, 구아니디늄 양이온, 포스포늄 양이온 및 술포늄 양이온으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하고, 알킬쇄 4급 암모늄 양이온, 피페리디늄 양이온, 이미다졸륨 양이온 또는 포스포늄 양이온인 것이 보다 바람직하며, 황변 내성의 관점으로부터 이미다졸륨 양이온 또는 포스포늄 양이온인 것이 더욱 바람직하다.

상기 알킬쇄 4급 암모늄 양이온의 구체예로는, 하기 식 (L1)로 표시되는 4급 암모늄 양이온을 들 수 있고, 구체적으로는 예를 들면, 테트라메틸암모늄, 에틸트리메틸암모늄, 디에틸디메틸암모늄, 트리에틸메틸암모늄, 테트라에틸암모늄, 옥틸 트리메틸암모늄, 헥실트리메틸암모늄, 메틸트리옥틸암모늄 등을 들 수 있다.

상기 피페리디늄 양이온의 구체예로는, 하기 식 (L2)로 표시되는 피페리디늄 양이온을 들 수 있고, 보다 구체적으로는 예를 들면, 1-프로필피페리디늄 양이온, 1-펜틸피페리디늄 양이온, 1,1-디메틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-에틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-프로필피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-부틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-헵틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-프로필피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-부틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-헵틸피페리디늄 양이온, 1,1-디프로필피페리디늄 양이온, 1-프로필-1-부틸피페리디늄 양이온, 1,1-디부틸피페리디늄 양이온 등을 들 수 있다.

상기 피리미디늄 양이온의 구체예로는, 예를 들면, 1,3-디메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,5-테트라메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,3-디메틸-1,4-디히드로피리미디늄 양이온, 1,3-디메틸-1,6-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,4-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,6-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,4-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,6-디히드로피리미디늄 양이온 등을 들 수 있다.

상기 피롤리디늄 양이온의 구체예로는 하기 식 (L3)으로 표시되는 피롤리디늄 양이온을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 1,1-디메틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-메틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-프로필피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-펜틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-헥실피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-헵틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-프로필피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-펜틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-헥실피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-헵틸피롤리디늄 양이온, 1,1-디프로필피롤리디늄 양이온, 1-프로필-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1,1-디부틸피롤리디늄 양이온 등을 들 수 있다.

상기 이미다졸륨 양이온의 구체예로는 하기 식 (L5)로 표시되는 이미다졸륨 양이온을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 1,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1,3-디에틸이미다졸륨 양이온, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-프로필-3-메틸이미다졸륨 이온, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-도데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-테트라데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸륨 양이온, 1-에틸-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온 등을 들 수 있다.

상기 피리디늄 양이온의 구체예로는 하기 식 (L6)으로 표시되는 피리디늄 양이온을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 1-에틸피리디늄 양이온, 1-부틸피리디늄 양이온, 1-헥실피리디늄 양이온, 1-부틸-3-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-4-메틸피리디늄 양이온, 1-헥실-3-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-3,4-디메틸피리디늄 양이온 등을 들 수 있다.

상기 피라졸륨 양이온의 구체예로는, 예를 들면, 1,3-디메틸-1,4,5,6-테트라히드로피라졸륨 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,4,5,6-테트라히드로피라졸륨 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,4,5,6-테트라히드로피라졸륨 양이온, 1,2,3,5-테트라메틸-1,4,5,6-테트라히드로피라졸륨 양이온, 1,3-디메틸-1,4-디히드로피라졸륨 양이온, 1,3-디메틸-1,6-디히드로피라졸륨 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,4-디히드로피라졸륨 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,6-디히드로피라졸륨 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,4-디히드로피라졸륨 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,6-디히드로피라졸륨 양이온 등을 들 수 있다.

상기 포스포늄 양이온의 구체예로는 하기 식 (L4)로 표시되는 포스포늄 양이온을 들 수 있고, 테트라알킬포스포늄 양이온(예를 들면, 테트라부틸포스포늄 이온, 트리부틸헥실포스포늄 이온 등) 등을 들 수 있으며, 상기 술포늄 양이온의 구체예로는 트리에틸술포늄 이온, 디메틸에틸술포늄 이온, 트리에틸술포늄 이온, 에틸메틸프로필술포늄 이온, 부틸디메틸술포늄 이온, 1-메틸테트라히드로티오페늄 이온, 1-에틸테트라히드로티오페늄 이온, 1-프로필테트라히드로티오페늄 이온, 1-부틸테트라히드로티오페늄 이온 또는 1-메틸-[1,4]-티옥소늄 이온 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 상기 술포늄 양이온으로는, 테트라히드로티오페늄계 또는 헥사히드로티오피릴륨계의 5원환 또는 6원환 등의 환상 구조를 가지고 있는 술포늄 양이온이 바람직하고, 환상 구조 중에 산소 원자 등의 헤테로 원자를 가지고 있어도 된다.

[화 60]

상기 식 (L1)~(L4) 중, R^L1~R^L4는 각각 독립적으로 탄소 원자수가 1 이상 20 이하인 알킬기 또는 R^L7-O-(CH₂)_Ln-로 표시되는 알콕시알킬기(R^L7는 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, Ln는 1 이상 4 이하의 정수를 나타낸다.)이다. 상기 식 (L5) 중, R^L1~R^L4는 각각 독립적으로 탄소 원자수가 1 이상 20 이하인 알킬기 또는 R^L7-O-(CH₂)_Ln-로 표시되는 알콕시알킬기(R^L7는 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, Ln는 1 이상 4 이하의 정수를 나타낸다.) 또는 수소 원자이다. 일반식 (L6) 중, R^L1~R^L6는 각각 독립적으로 탄소 원자수가 1~20인 알킬기 또는 R^L7-O-(CH₂)_Ln-로 표시되는 알콕시알킬기(R^L7는 메틸기 또는 에틸기를 나타내고, Ln는 1~4의 정수를 나타낸다.) 또는 수소 원자이다.

상기 (C) 이온 액체를 구성하는 음이온으로는, 유기 음이온, 무기 음이온 등을 들 수 있고, 본 발명의 효과를 보다 확실히 달성하는 관점으로부터, 유기 음이온인 것이 바람직하다.

상기 유기 음이온으로서 본 발명의 효과를 보다 확실히 달성하는 관점으로부터, 카르복시산계 음이온, N-아실아미노산 이온, 산성 아미노산 음이온, 중성 아미노산 음이온, 알킬황산계 음이온, 함불소 화합물계 음이온 및 페놀계 음이온으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하고, 카르복시산계 음이온 또는 N-아실아미노산 이온인 것이 보다 바람직하다.

상기 카르복시산계 음이온의 구체예로는, 아세트산 이온, 데칸산 이온, 2-피롤리돈-5-카르복시산 이온, 포름산 이온, α-리포산 이온, 락트산 이온, 주석산 이온, 마뇨산 이온, N-메틸마뇨산 이온 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 아세트산 이온, 2-피롤리돈-5-카르복시산 이온, 포름산 이온, 락트산 이온, 주석산 이온, 마뇨산 이온, N-메틸마뇨산 이온이 바람직하며, 아세트산 이온, N-메틸마뇨산 이온, 포름산 이온이 보다 바람직하다.

상기 N-아실아미노산 이온의 구체예로는, N-벤조일알라닌 이온, N-아세틸페닐알라닌이온, 아스파라긴산 이온, 글리신 이온, N-아세틸글리신 이온 등을 들 수 있고, 그 중에서도 N-벤조일알라닌 이온, N-아세틸페닐알라닌 이온, N-아세틸글리신 이온이 바람직하며, N-아세틸글리신이온이 보다 바람직하다.

상기 산성 아미노산 음이온의 구체예로는, 아스파라긴산 이온, 글루타민산 이온 등을 들 수 있고, 상기 중성 아미노산 음이온의 구체예로는, 글리신 이온, 알라닌 이온, 페닐알라닌 이온 등을 들 수 있다.

상기 알킬황산계 음이온의 구체예로는, 메탄술폰산 이온 등을 들 수 있고, 상기 함불소 화합물계 음이온의 구체예로는, 트리플루오로메탄술폰산 이온, 헥사 플루오로포스폰산 이온, 트리플루오로트리스(펜타플루오로에틸)포스폰산 이온, 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드 이온, 트리플루오로아세트산 이온, 테트라플루오로붕산 이온 등을 들 수 있으며, 상기 페놀계 음이온의 구체예로는, 페놀 이온, 2-메톡시페놀 이온, 2,6-디-tert-부틸페놀 이온 등을 들 수 있다.

상기 무기 음이온으로서 본 발명의 효과를 보다 확실히 달성하는 관점으로부터, F^-, Cl^-, Br^-, I^-, BF₄ ^-, PF₆ ^- 및 N(SO₂F)₂ ^-로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하고, BF₄ ^-, PF₆ ^- 또는 N(SO₂F)₂ ^-인 것이 보다 바람직하며, BF₄ ^- 또는 PF₆ ^-인 것이 더욱 바람직하다.

상기 (C) 이온 액체는 예를 들면, 국제 공개 제2014/178254호의 단락 0045에 개시된 수법 등에 의해서 제조할 수 있다.

상기 (C) 이온 액체는 단독으로 이용해도 2종 이상 혼합해 이용해도 된다.

상기 (C) 이온 액체의 함유량으로는 본 발명의 효과를 달성할 수 있는 한 특별히 제한은 없지만, 경화성 화합물 100 질량부에 대해서, 0.0001 질량부 이상 1 질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.001 질량부 이상 1 질량부 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.002 질량부 이상 0.1 질량부 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.003 질량부 이상 0.07 질량부 이하인 것이 특히 바람직하다.

＜(D) 경화촉진제＞

경화성 조성물은 (D) 경화촉진제를 포함하고 있어도 된다. 경화성 조성물이 (D) 경화촉진제를 포함하는 경우, 굴절률 및 황변 내성의 양립과 함께, 경화성 조성물의 경화성을 향상시켜 내열성(내열 분해성)과 기판에 대한 밀착성이 특히 양호한 경화물을 형성할 수 있다.

(D) 경화촉진제로는, 예를 들면, 우레아 화합물, 제3급 아민과 그 염, 이미다졸류와 그 염, 포스핀계 화합물과 그 유도체, 카르복시산 금속염이나 루이스산, 브뢴스테드산류와 그 염류, 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다.

(D) 경화촉진제의 바람직한 구체예로는, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올 및 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류；2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 및 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸류；트리부틸포스핀, 메틸디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀 및 페닐포스핀 등의 포스핀계 화합물；테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸테트라페닐보레이트 및 N-메틸모르폴린테트라페닐보레이트의 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있다.

이상 설명한 (D) 경화촉진제 중에서는 포스핀계 화합물과 그 유도체 및 테트라페닐붕소염이 바람직하다. 상기의 구체예 중에서는 트리페닐포스핀과 트리페닐포스핀트리페닐보란이 바람직하다.

(D) 경화촉진제의 사용량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. (D) 경화촉진제의 사용량은 (A) 경화성 화합물 100 질량부에 대해서, 0.01 질량부 이상 5 질량부 이하가 바람직하고, 0.05 질량부 이상 3 질량부 이하가 보다 바람직하며, 0.1 질량부 이상 2 질량부 이하가 특히 바람직하다.

＜(E) 무기 필러＞

경화성 조성물은 (E) 무기 필러를 포함하고 있어도 포함하지 않아도 되지만, 굴절률을 조정하는 관점으로부터는 (E) 무기 필러를 포함하는 것도 바람직하다. 경화성 조성물에서 (A) 경화성 화합물의 함유량이 적은 경우 또는 (A) 경화성 화합물을 포함하지 않는 경우였다고 해도, 경화성 조성물이 (E) 무기 필러를 포함함으로써 굴절률 1.60 이상 2.20 이하를 달성할 수도 있다.

(E) 무기 필러로는 금속 산화물 입자가 바람직하다.

금속 산화물 입자로는 알루미늄, 지르코늄, 티타늄, 아연, 인듐, 주석, 안티몬, 란탄, 세륨, 네오디뮴, 가돌리늄, 홀뮴, 루테늄, 하프늄 및 탄탈로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물 입자 등을 들 수 있다. 지르코늄, 티타늄 또는 세륨의 산화물을 바람직하게 이용할 수 있으며, 고굴절률화의 점에서, 특히 바람직하게는 티타늄 산화물 또는 세륨 산화물이다. 이들 금속 산화물 입자의 형상은 특별히 한정되지 않고, 평균 입경이 동적 산란법으로, 예를 들면, 200 nm 이하이며, 50 nm 이하가 바람직하고, 20 nm 이하가 보다 바람직하다. 하한치는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 0.1 nm 이상이며, 2 nm 이상이어도 된다.

(E) 무기 필러의 함유량은 경화성 조성물의 용제를 제외한 성분 가운데, 예를 들면 1 질량% 이상 120 질량% 이하이며, 3 질량% 이상 110 질량% 이하가 바람직하고, 5 질량% 이상 100 질량% 이하가 보다 바람직하다.

＜(F) 증감제＞

경화성 조성물은 (F) 증감제를 포함하고 있어도 된다. 경화성 조성물이 (B) 양이온 중합 개시제가 술포늄 양이온 및/또는 요도늄 양이온을 포함하는 경우, 경화성 조성물이 (F) 증감제를 포함하는 것이 바람직하다. 증감제로는 종래부터 여러 가지의 양이온 중합 개시제와 병용되고 있는 공지의 증감제를 특별한 제한없이 이용할 수 있다.

증감제의 구체예로는 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디메톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 2-에틸-9,10-디메톡시안트라센 및 9,10-디프로폭시안트라센 등의 안트라센 화합물；피렌；1,2-벤즈안트라센；페릴렌；테트라센；코로넨；티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤 및 2,4-디에틸티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물；페노티아진, N-메틸페노티아진, N-에틸페노티아진 및 N-페닐페노티아진 등의 페노티아진 화합물；크산톤；1-나프톨, 2-나프톨, 1-메톡시나프탈렌, 2-메톡시나프탈렌, 1,4-디히드록시나프탈렌 및 4-메톡시-1-나프톨 등의 나프탈렌 화합물；디메톡시아세토페논, 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 4'-이소프로필-2-히드록시-2-메틸프로피오페논 및 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드 등의 케톤；N-페닐카르바졸, N-에틸카르바졸, 폴리-N-비닐카르바졸 및 N-글리시딜카르바졸 등의 카르바졸 화합물；1,4-디메톡시크리센 및 1,4-디-α-메틸벤질옥시크리센 등의 크리센 화합물；9-히드록시페난트렌, 9-메톡시페난트렌, 9-히드록시-10-메톡시페난트렌 및 9-히드록시-10-에톡시페난트렌 등의 페난트렌 화합물을 들 수 있다.

이들 증감제는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

(F) 증감제의 사용량은 특별히 한정되지 않지만, (B) 양이온 중합 개시제의 질량에 대해서, 1 질량% 이상 300 질량% 이하가 바람직하고, 5 질량% 이상 200 질량% 이하가 보다 바람직하다. 이러한 범위 내의 양의 (F) 증감제를 이용함으로써, 원하는 증감 작용을 얻기 쉽다.

＜(G) 산화 방지제＞

경화성 조성물은 (G) 산화 방지제를 포함하고 있어도 포함하지 않아도 되지만, 황변 내성의 관점으로부터 (G) 산화 방지제를 포함하고 있는 것이 바람직하다.

(G) 산화 방지제로는 페놀 화합물, 아인산에스테르 화합물, 티오에테르 화합물 등을 들 수 있으며, 분자량 500 이상의 페놀 화합물, 분자량 500 이상의 아인산에스테르 화합물 또는 분자량 500 이상의 티오에테르 화합물이 보다 바람직하다. 또, (G) 산화 방지제는 페놀 화합물이 바람직하고, 분자량 500 이상의 페놀 화합물이 보다 바람직하다.

페놀 화합물로는 페놀계 착색 방지제로서 알려진 임의의 페놀 화합물을 사용할 수 있다. 바람직한 페놀 화합물로는 힌더드 페놀 화합물을 들 수 있다. 특히, 페놀성 수산기에 인접하는 부위(오르토 위치)에 치환기를 가지는 화합물이 바람직하다. 전술한 치환기로는 탄소 원자수 1~22의 치환 또는 비치환의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, t-펜틸기, 헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 2-에틸헥실기가 보다 바람직하다. 또, 동일 분자 내에 페놀기와 아인산에스테르기를 가지는 화합물도 바람직하다.

아인산에스테르 화합물로는 트리스[2-[[2,4,8,10-테트라키스(1,1-디메틸에틸)디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-6-일]옥시]에틸]아민, 트리스[2-[(4,6,9,11-테트라-tert-부틸디벤조[d,f][1,3,2]디옥사포스페핀-2-일)옥시]에틸]아민 및 아인산에틸비스(2,4-디-tert-부틸-6-메틸페닐)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 들 수 있다.

(G) 산화 방지제는 시판품으로서 용이하게 입수 가능하고, 아데카스타브 AO-20, 아데카스타브 AO-30, 아데카스타브 AO-40, 아데카스타브 AO-50, 아데카스타브 AO-50F, 아데카스타브 AO-60, 아데카스타브 AO-60G, 아데카스타브 AO-80, 아데카스타브 AO-330, 아데카스타브 PEP-36A, 아데카스타브 AO-412S((주) ADEKA) 등을 들 수 있다.

(G) 산화 방지제의 함유량은 경화성 조성물의 용제를 제외한 성분 가운데, 0.01 질량% 이상 20 질량% 이하가 바람직하고, 0.3 질량% 이상 15 질량% 이하가 보다 바람직하다. 착색 방지제는 1 종류만이어도 되고, 2 종류 이상이어도 된다. 2 종류 이상인 경우는 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.

＜그 밖의 성분＞

경화성 조성물에는 필요에 따라서 계면활성제, 열중합 금지제, 소포제, 실란 커플링제, 착색제(안료, 염료), 수지(열가소성 수지, 알칼리 가용성 수지 등), 유기 필러 등의 첨가제를 함유시킬 수 있다. 어느 첨가제도 종래 공지의 것을 이용할 수 있다. 계면활성제로는 음이온계, 양이온계, 비이온계 등의 화합물을 들 수 있으며, 열중합 금지제로는 히드로퀴논, 히드로퀴논모노에틸에테르 등을 들 수 있고, 소포제로는 실리콘계, 불소계 화합물 등을 들 수 있다.

이상 설명한 필수 또는 임의의 성분을 포함하는 경화성 조성물은 굴절률 및 황변 내성이 뛰어난 경화물을 형성할 수 있고, 또 내열성(내열 분해성) 및 기판에 대한 밀착성도 양호하고, 여러 가지의 용도에서 적합하게 이용할 수 있다.

경화성 조성물은 터치 패널 등의 표시 소자에서의 금속 배선 등을 피복하는 투명 피막의 형성용으로 특히 바람직하게 사용된다. 또, 전술한 경화성 조성물을 이용함으로써, 수증기 등의 기체를 투과시키기 어렵고, 장시간 광에 노출되었을 때의 황변을 일으키기 어려운 경화막을 형성하기 쉽다. 이 때문에, 전술한 경화성 조성물은 OLED를 구비하는 장치, 특히 OLED 조명에서 보호, 절연 등의 목적으로 형성되는 피막의 형성에도 바람직하게 사용된다.

＜(S) 용제＞

경화성 조성물은 도포성이나 점도의 조정의 목적으로 (S) 용제를 포함하는 것이 바람직하다. (S) 용제로는 전형적으로는 유기용제가 이용된다. 유기용제의 종류는 경화성 조성물에 포함되는 성분을 균일하게 용해 또는 분산시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않는다.

(S) 용제로서 사용할 수 있는 유기용제의 적합한 예로는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류；에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류；디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라히드로푸란 등의 다른 에테르류；메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논 등의 케톤류；2-히드록시프로피온산메틸, 2-히드록시프로피온산에틸 등의 락트산알킬에스테르류；2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 포름산n-펜틸, 아세트산이소펜틸, 프로피온산n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산n-부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산n-프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-옥소부탄산에틸 등의 다른 에스테르류；톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류；N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류 등을 들 수 있다. 이들 유기용제는 단독 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.

경화성 조성물에서의 (S) 용제의 사용량은 특별히 한정되지 않는다. 경화성 조성물의 도포성의 점 등으로부터, (S) 용제의 사용량은 경화성 조성물 전체에 대해서, 예를 들면 30 질량% 이상 99.9 질량% 이하이며, 바람직하게는 50 질량% 이상 98 질량% 이하이다.

＜경화막＞

이상 설명한 경화성 조성물을 경화해서 이루어진 경화물로 이루어진 경화막은 굴절률 및 황변 내성이 뛰어나고, 또 내열성 및 기판에 대한 밀착성도 양호하다.

경화막의 두께로는 특별히 제한은 없지만, 10 nm 이상 50 μm 이하인 것이 바람직하고, 50 nm 이상 30 μm 이하인 것이 보다 바람직하며, 100 nm 이상 10 μm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 300 nm 이상 5 μm 이하인 것이 특히 바람직하다.

이 경화막은 예를 들면, OLED 표시 소자용 봉지재, OLED 조명, 하드코트, 절연막, 반사 방지막, 층간 절연막, 카본 하드마스크, 디스플레이 패널 재료(평탄화막, 컬러 필터의 화소, 유기 EL용 격벽, 스페이서), 광학 부재(렌즈, 마이크로렌즈, 웨이퍼 레벨 렌즈, 광 파이버, 광 도파로, 프리즘 시트, 홀로그램, 고굴절 필름, 재귀 반사 필름) 등의 여러 가지의 용도에 적합이다. 또, 경화막은 유연성이 뛰어나 갈라지기 어렵기 때문에, 플렉서블 표시 패널이나 플렉서블 조명에서 적합하게 이용된다.

또, 경화막은 터치 패널 등의 표시 소자에서 금속 배선 등을 피복하는 투명 피막으로서 특히 바람직하게 사용된다.

≪경화성 조성물의 제조 방법≫

이상 설명한 각 성분을 소정의 비율로 균일하게 혼합함으로써 경화성 조성물을 제조할 수 있다. 경화성 조성물의 제조에 이용할 수 있는 혼합 장치로는 2개 롤이나 3개 롤 등을 들 수 있다. 경화성 조성물의 점도가 충분히 낮은 경우, 필요에 따라 불용성의 이물을 제거하기 위해서, 원하는 사이즈의 개구를 가지는 필터를 이용해 경화성 조성물을 여과해도 된다.

≪경화물의 제조 방법≫

경화물의 제조 방법은 원하는 형상으로 성형된 경화성 조성물을 경화시킬 수 있는 방법이면 특별히 한정되지 않는다.

경화 방법은 경화성 조성물을 경화시킬 수 있는 방법이면 특별히 한정되지 않고, 노광 및/또는 가열을 포함하고, 노광을 포함하는 것이 바람직하다.

성형체의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 열을 성형체에 균일하게 가하기 쉽거나, 노광 광을 성형체에 균일하게 조사하기 쉽거나 하는 점으로부터 막(필름)인 것이 바람직하다.

경화물을 경화막으로서 제조하는 방법의 전형예를 이하 설명한다.

우선, 유리 기판 등의 기판 상에 경화성 조성물을 도포해 도포막을 형성한다. 도포 방법으로는 롤 코터, 리버스 코터, 바 코터 등의 접촉 전사형 도포 장치나, 스피너(회전식 도포 장치), 슬릿 코터, 커튼 플로우 코터 등의 비접촉형 도포 장치를 이용하는 방법을 들 수 있다.

또, 경화성 조성물의 점도를 적절한 범위로 조정한 다음에, 잉크젯법, 스크린 인쇄법 등의 인쇄법에 따라 경화성 조성물의 도포를 수행해서 원하는 형상으로 패터닝된 도포막을 형성해도 된다.

그 다음에, 필요에 따라서 (S) 용제 등의 휘발 성분을 제거해 도포막을 건조시킨다. 건조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 진공 건조 장치(VCD)를 이용해 실온에서 감압 건조하고, 그 후, 핫 플레이트로 80℃ 이상 120℃ 이하, 바람직하게는 90℃ 이상 100℃ 이하의 온도에서 60초 이상 120초 이하의 범위 내의 시간 건조하는 방법을 들 수 있다.

이와 같이 하여 도포막을 형성한 후, 도포막에 대해서 노광 및 가열 중 적어도 한쪽을 가한다.

노광은 엑시머 레이저광 등의 활성 에너지선을 조사해 수행한다. 조사하는 에너지 선량은 경화성 조성물의 조성에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 30 mJ/㎠ 이상 2000 mJ/㎠ 이하가 바람직하고, 50 mJ/㎠ 이상 500 mJ/㎠ 이하가 보다 바람직하다.

가열을 수행할 때의 온도는 특별히 한정되지 않고, 180℃ 이상 280℃ 이하가 바람직하고, 200℃ 이상 260℃ 이하가 보다 바람직하며, 220℃ 이상 250℃ 이하가 특히 바람직하다. 가열 시간은 전형적으로는 1분 이상 60분 이하가 바람직하고, 10분 이상 50분 이하가 보다 바람직하며, 20분 이상 40분 이하가 특히 바람직하다.

이상과 같이 형성되는 경화물, 특히 경화막은 상술한 바와 같은 여러 가지의 용도에 적합하게 이용된다.

[실시예]

이하, 실시예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.

[실시예 1~17 및 비교예 1~3]

실시예 및 비교예에서, (A) 경화성 화합물((A) 성분)로서 하기 식으로 표시되는 화합물인 A1~A3를 이용했다.

[화 61]

[화 62]

[화 63]

실시예 및 비교예에서, (B) 양이온 중합 개시제((B) 성분)로서 하기 식으로 표시되는 화합물인 B1 및 B2를 이용했다.

[화 64]

[화 65]

실시예에서, (C) 이온 액체((C) 성분)로서 하기 C1~C5를 이용했다.

C1：N-부틸-N-메틸피페리디늄테트라플루오로보레이트

C2：N-메틸-N-프로필피페리디늄테트라플루오로보레이트

C3：1-에틸-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트

C4：N-아세틸글리신테트라부틸포스포늄염

C5：1-에틸-3-메틸이미다졸륨비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드

실시예에서, (D) 경화촉진제((D) 성분)로서 트리페닐포스핀트리페닐보란을 이용했다.

각각 표 1에 기재된 종류 및 양의 (A) 성분 및 (B) 성분과, 표 1에 기재된 양의 (C) 성분 및 (D) 성분을 고형분 농도가 22 질량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해시켜 각 실시예 및 비교예의 경화성 조성물을 얻었다.

얻어진 경화성 조성물을 이용하여, 이하의 방법에 따라서 경화막의 굴절률, 황변 내성, 밀착성 및 내열성을 평가했다. 이들 평가 결과를 표 1에 기재한다.

＜굴절률 평가＞

각 경화성 조성물을 유리 기판 상에 스핀 코터를 이용해 도포하고, 100℃에서 120초간 프리베이크를 수행하고, 자외선 경화기를 이용해 노광량 100 mJ/㎠에 의한 노광(브로드밴드) 후, 230℃ 20분간의 포스트베이크를 수행해 막 두께 약 1 μm의 경화막을 얻었다. 각 경화막에 대해, 파장 550 nm에서의 굴절률을 측정해 하기 기준에 따라서 평가했다.

◎：굴절률 1.65 이상

○：굴절률 1.65 미만 1.60 이상

×：굴절률 1.60 미만

＜황변 내성 평가＞

굴절률 평가와 동일한 방법으로 기판 상에 형성된 경화막을 250℃ 3시간 소성한 후, 파장 380 nm에서의 투과율을 자외가시 분광 광도계로 측정해 하기 기준에 따라서 평가했다.

◎：투과율 90% 이상

○：투과율 90% 미만 85% 이상

×：투과율 85% 미만

＜밀착성 평가＞

굴절률 평가와 동일한 방법으로 기판 상에 형성된 경화막에 크로스컷(폭 1 mm의 격자 모양의 베인 자국)을 넣어 JIS Z 1522에 규정된 테이프 테스트를 수행해 경화막의 벗겨짐의 유무를 확인했다. 벗겨짐이 전혀 없었던 경우를 ◎로 판정하고, 벗겨진 칸의 수가 5% 이하였던 경우를 ○로 판정하며, 벗겨진 칸의 수가 5% 초과했던 경우를 ×로 판정했다.

＜내열성 평가＞

굴절률 평가와 동일한 방법으로 기판 상에 경화막을 형성했다. 형성된 경화막의 일부를 기판으로부터 박리시켜 시료를 얻었다. 얻어진 시료를 이용해 대기 중에서의 열중량 분석(TGDTA)을 수행해 내열성을 평가했다.

열중량 분석은 실온(20℃)으로부터 10℃/분의 승온 속도로 가열해서 수행했다.

분석 개시시의 중량을 기준으로 하여 중량이 5% 감소하는 온도(Td 5% : 5% 중량 감소 온도)를 측정했다.

Td 5%가 430℃ 이상인 경우를 ◎로 판정하고, Td 5%가 400℃ 이상 430℃ 미만인 경우를 ○로 판정하며, Td 5%가 400℃ 미만인 경우를 ×로 판정했다.

표 1에 나타낸 결과로부터, 이온 액체를 함유하는 실시예 1~17의 경화성 조성물은 굴절률 및 황변 내성을 양립하는 경화막을 형성할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 상기 황변 내성 평가 후의 경화막에 대해서, 실시예 1~17의 경화성 조성물에 의한 경화막은 외관상 무색 투명하고, 비교예 1~3의 경화막보다 황색미가 약했다. 또, 기판에 대한 밀착성 및 내열성(내열 분해성)도 양호하다는 것을 알 수 있다.

특히, 이온 액체로서 이미다졸륨염 또는 N-아세틸글리신포스포늄염을 사용한 실시예 4, 5 및 7~17은 황변 내성이 특히 뛰어난 경향이 있다는 것을 알 수 있다.

한편, 비교예 1~3의 경화성 조성물은 굴절률 및 황변 내성의 양립(특히, 황변 내성)을 달성하지 못하는 것을 알 수 있다.

또, 실시예 2와 비교예 1의 비교로부터, 이온 액체를 함유함에 의해 황변 내성이 개선되는 것을 알 수 있다.

Claims (15)

1. 양이온 경화형 또는 음이온 경화형의 경화성 조성물로서,
   상기 경화성 조성물이 (C) 융점 140℃ 이하의 이온 액체를 함유하고, 파장 550 nm의 광선에 대한 굴절률이 1.60 이상 2.20 이하인 경화막을 부여하는 경화성 조성물.
2. 청구항 1에 있어서
   N, O, S 및 Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 관능기를 가지는 (A) 경화성 화합물을 더 포함하는 경화성 조성물.
3. 양이온 경화형 또는 음이온 경화형의 경화성 조성물로서,
   N, O, S 및 Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 포함하는 관능기를 가지는 (A) 경화성 화합물과, (C) 융점 140℃ 이하의 이온 액체를 함유하는 경화성 조성물로서, 상기 (A) 경화성 화합물이 방향족기, 트리아진환 구조, 이소시아눌환 구조 및 환상 실록산 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 경화성 조성물.
4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
   상기 (A) 경화성 화합물이 하기 식 (a1)로 표시되는 화합물, 트리아진환 구조를 가지는 중합체, 하기 식 (a1-I)로 표시되는 화합물 및 하기 식 (a1-III)으로 표시되는 실록산 에폭시 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 경화성 조성물.
   [화 1]
   

   

   
   (식 (a1) 중, W¹ 및 W²는 각각 독립적으로 하기 식 (a2)：
   [화 2]
   

   

   
   로 표시되는 기이며,
   식 (a2) 중, 환 Z는 방향족 탄화수소환을 나타내고, X는 단결합 또는 -S-로 나타내는 기를 나타내며, R⁰¹는 단결합, 탄소 원자수가 1 이상 4 이하인 알킬렌기, 또는 탄소 원자수가 1 이상 4 이하인 알킬렌옥시기를 나타내고, R⁰¹가 알킬렌옥시기인 경우, 알킬렌옥시기 중의 산소 원자가 환 Z와 결합하고, R⁰²는 1가 탄화수소기, 수산기, -OR^4a로 나타내는 기, -SR^4b로 나타내는 기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 머캅토기, 카르복시기, 아미노기, 카르바모일기, -NHR^4c로 나타내는 기, -N(R^4d)₂로 나타내는 기, 술포기, 또는 1가 탄화수소기, -OR^4a로 나타내는 기, -SR^4b로 나타내는 기, 아실기, 알콕시카르보닐기, -NHR^4c로 나타내는 기, 혹은 -N(R^4d)₂로 나타내는 기에 포함되는 탄소 원자에 결합한 수소 원자 중 적어도 일부가 1가 탄화수소기, 수산기, -OR^4a로 나타내는 기, -SR^4b로 나타내는 기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 머캅토기, 카르복시기, 아미노기, 카르바모일기, -NHR^4c로 나타내는 기, -N(R^4d)₂로 나타내는 기, 메실옥시기, 혹은 술포기로 치환된 기를 나타내며, R^4a~R^4d는 독립적으로 1가 탄화수소기를 나타내고, m는 0 이상의 정수를 나타내며, R⁰³는 수소 원자, 비닐기, 티이란-2-일메틸기 또는 글리시딜기이며,
   W¹와 W² 모두가 R⁰³로서 수소 원자를 가지지 않고,
   환 Y¹ 및 환 Y²는 동일한 또는 상이한 방향족 탄화수소환을 나타내고, R는 단결합, 치환기를 가져도 되는 메틸렌기, 치환기를 가져도 되고 2개의 탄소 원자간에 헤테로 원자를 포함해도 되는 에틸렌기, -O-로 나타내는 기, -NH-로 나타내는 기, 또는 -S-로 나타내는 기를 나타내며, R^3a 및 R^3b는 독립적으로 시아노기, 할로겐 원자, 또는 1가 탄화수소기를 나타내고, n1 및 n2는 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수를 나타낸다.)
   [화 3]
   

   

   
   (식 (a1-I) 중, X^a1, X^a2 및 X^a3는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 에폭시기를 포함하고 있어도 되는 유기기이며, X^a1, X^a2 및 X^a3가 가지는 에폭시기의 총수가 2 이상이다.)
   [화 4]
   

   

   
   (식 (a1-III) 중, R^a24 및 R^a25는 에폭시기를 함유하는 1가의 기 또는 알킬기를 나타낸다. 단, 식 (a1-III)으로 표시되는 화합물에서의 x1개의 R^a24 및 x1개의 R^a25 가운데, 적어도 2개는 에폭시기를 함유하는 1가의 기이다. 또, 식 (a1-III) 중의 x1는 3 이상의 정수를 나타낸다. 식 (a1-III)으로 표시되는 화합물에서의 R^a24, R^a25는 동일해도 상이해도 되고, 복수의 R^a24는 동일해도 상이해도 되며, 복수의 R^a25도 동일해도 상이해도 된다.)
5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 (C) 이온 액체를 구성하는 유기 양이온이 알킬쇄 4급 암모늄 양이온, 피페리디늄 양이온, 피리미디늄 양이온, 피롤리디늄 양이온, 이미다졸륨 양이온, 피리디늄 양이온, 피라졸륨 양이온, 구아니디늄 양이온, 포스포늄 양이온 및 술포늄 양이온으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며,
   상기 (C) 이온 액체를 구성하는 음이온이 카르복시산계 음이온, N-아실아미노산 이온, 산성 아미노산 음이온, 중성 아미노산 음이온, 알킬황산계 음이온, 함불소 화합물계 음이온 및 페놀계 음이온으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 유기 음이온, 및/또는
   F^-, Cl^-, Br^-, I^-, BF₄ ^-, PF₆ ^- 및 N(SO₂F)₂ ^-로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 무기 음이온인 경화성 조성물.
6. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
   상기 (C) 이온 액체의 함유량이 경화성 화합물 100 질량부에 대해서 0.001 질량부 이상 1 질량부 이하인 경화성 조성물.
7. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
   (B) 양이온 중합 개시제를 더 포함하는 경화성 조성물.
8. 청구항 7에 있어서,
   상기 (B) 양이온 중합 개시제가 양이온부와 음이온부로 이루어지고, 상기 음이온부가 하기 식 (b1)로 표시되는 음이온인 술포늄염 (B1)을 포함하는 경화성 조성물.
   [화 5]
   

   

   
   (식 (b1) 중, R^b1, R^b2, R^b3 및 R^b4는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기 또는 복소환기이며, R^b1, R^b2, R^b3 및 R^b4 중 적어도 하나가 치환기를 가져도 되는 방향족 탄화수소기이다.)
9. 청구항 7에 있어서,
   상기 (B) 양이온 중합 개시제가 상기 술포늄염 (B1)과 상이한 다른 양이온 중합 개시제 (B2)를 포함하는 경화성 조성물.
10. 청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 술포늄염 (B1) 및/또는 상기 다른 양이온 중합 개시제 (B2)가 양이온부와 음이온부로 이루어지고, 또한 상기 양이온부가 하기 식 (c1)로 표시되는 양이온인 술포늄염을 포함하는 경화성 조성물.
    [화 6]
    

    

    
    (식 (c1) 중, R^c1 및 R^c2는 독립적으로 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기 또는 하기 식 (c2)로 표시되는 기를 나타내고, R^c1 및 R^c2는 서로 결합해 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성해도 되며, R^c3는 하기 식 (c3)으로 표시되는 기 또는 하기 식 (c4)로 표시되는 기를 나타내고, A^c1는 S, O 또는 Se를 나타내며, 단, R^c1 및 R^c2는 동시에 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기는 아니다.)
    [화 7]
    

    

    
    (식 (c2) 중, 환 Z^c1는 방향족 탄화수소환을 나타내고, R^c4는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아실옥시기, 알킬티오기, 티에닐기, 티에닐카르보닐기, 푸라닐기, 푸라닐카르보닐기, 셀레노페닐기, 셀레노페닐카르보닐기, 복소환식 지방족 탄화수소기, 알킬술피닐기, 알킬술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m1는 0 이상의 정수를 나타낸다.)
    [화 8]
    

    

    
    (식 (c3) 중, R^c5는 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환식 탄화수소기, 아릴옥시기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기, 혹은 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬렌기 또는 하기 식 (c5)로 표시되는 기를 나타내고, R^c6는 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환식 탄화수소기, 아릴옥시기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기, 혹은 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기 또는 하기 식 (c6)으로 표시되는 기를 나타내며, A^c2는 단결합, S, O, 술피닐기 또는 카르보닐기를 나타내고, m2는 0 또는 1을 나타낸다.)
    [화 9]
    

    

    
    (식 (c4) 중, R^c7 및 R^c8는 독립적으로 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환식 탄화수소기, 아릴옥시기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기, 혹은 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬렌기 또는 하기 식 (c5)로 표시되는 기를 나타내고, R^c9 및 R^c10는 독립적으로 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기 또는 상기 식 (c2)로 표시되는 기를 나타내며, R^c9 및 R^c10는 서로 결합해 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성해도 되고, A^c3는 단결합, S, O, 술피닐기 또는 카르보닐기를 나타내며, m3는 0 또는 1을 나타내고, 단, R^c9 및 R^c10는 동시에 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기는 아니다.)
    [화 10]
    

    

    
    (식 (c5) 중, 환 Z^c2는 방향족 탄화수소환을 나타내고, R^c11는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환식 탄화수소기, 아릴옥시기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m4는 0 이상의 정수를 나타낸다.)
    [화 11]
    

    

    
    (식 (c6) 중, 환 Z^c3는 방향족 탄화수소환을 나타내고, R^c12는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기, 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 티에닐카르보닐기, 푸라닐카르보닐기, 셀레노페닐카르보닐기, 아릴기, 복소환식 탄화수소기, 아릴옥시기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 히드록시(폴리)알킬렌옥시기, 치환되어 있어도 되는 아미노기, 시아노기, 니트로기 또는 할로겐 원자를 나타내고, m5는 0 이상의 정수를 나타낸다.)
11. 청구항 10에 있어서,
    상기 식 (c1) 중의 상기 R^c1 및 상기 R^c2가 모두 페닐기인 경화성 조성물.
12. 청구항 10에 있어서,
    상기 식 (c1) 중의 상기 A^c1가 S인 경화성 조성물.
13. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 경화성 조성물의 경화물로 이루어진 경화막.
14. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 경화성 조성물을 소정의 형상으로 성형하는 공정과,
    성형된 상기 경화성 조성물에 대해서 가열, 노광, 또는 노광과 가열을 수행하는 공정
    을 포함하는 경화물의 제조 방법.
15. 청구항 14에 있어서,
    상기 경화성 조성물의 성형이 도포막의 형성으로서, 상기 도포막에 대해서 노광 및 가열 중 적어도 한쪽을 수행하는 경화물의 제조 방법.