KR20190034381A - 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190034381A
KR20190034381A KR1020170122742A KR20170122742A KR20190034381A KR 20190034381 A KR20190034381 A KR 20190034381A KR 1020170122742 A KR1020170122742 A KR 1020170122742A KR 20170122742 A KR20170122742 A KR 20170122742A KR 20190034381 A KR20190034381 A KR 20190034381A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrode
emitting layer
alkaline earth
metal halide
Prior art date
Application number
KR1020170122742A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102486988B1 (ko
Inventor
김동찬
이병덕
조윤형
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170122742A priority Critical patent/KR102486988B1/ko
Priority to US15/997,754 priority patent/US10636350B2/en
Priority to EP18194483.6A priority patent/EP3460859B1/en
Priority to CN201811092493.0A priority patent/CN109545932B/zh
Publication of KR20190034381A publication Critical patent/KR20190034381A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102486988B1 publication Critical patent/KR102486988B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7701—Chalogenides
    • C09K11/7703—Chalogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7704—Halogenides
    • C09K11/7705—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • H01L27/3262—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L51/0077—
    • H01L51/5024—
    • H01L51/5056—
    • H01L51/5072—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나인 제1 물질과, 란탄계 금속 또는 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상인 제2 물질을 포함한다.

Description

발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치{LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY INCLUDING THE SAME}
본 개시는 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 무기 발광층을 포함하는 발광 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
발광 소자는, 양극(anode)으로부터 공급되는 정공(hole)과 음극(cathode)으로부터 공급되는 전자(electron)가 양극과 음극 사이에 형성된 발광층 내에서 결합하여 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 안정화되면서 광을 방출하는 소자이다.
발광 소자는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가지기 때문에 텔레비전, 모니터, 휴대폰 등의 다양한 전기 및 전자 장치들에 널리 적용되고 있다.
발광 소자의 발광층으로는 유기 재료가 널리 사용된다. 그러나 유기 재료는 고온, 수분에 쉽게 열화되는 단점이 있으며 청색 인광의 안정성이 떨어지는 문제가 있다.
실시예들은 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 기재의 일 실시예에 따른 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상인 제1 물질과, 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상인 제2 물질을 포함한다.
상기 제1 물질은 LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI, BeI2, MgI2, CaI2, SrI2, BaI2, RaI2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, FrBr, MgCl2, CaCl2, BaCl2, SrCl2, RaCl2, MgBr2, CaBr2, BaBr2, SrBr2, RaBr2, MgClBr, CaClBr, BaClBr, SrClBr, RaClBr, MgClI, CaClI, BaClI, SrClI, RaClI, MgBrI, CaBrI, BaBrI, SrBrI, RaBrI, Li2S, Na2S, K2S, Rb2S, Cs2S, Fr2S, Li2Se, Na2Se, K2Se, Rb2Se, Cs2Se, Fr2Se, Li2Te, Na2Te, K2Te, Rb2Te, Cs2Te, Fr2Te, MgS, CaS, BaS, SrS, RaS, MgSe, CaSe, BaSe, SrSe, RaSe, MgTe, CaTe, BaTe, SrTe 및 RaTe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.
상기 란탄계 금속의 화합물은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 중 하나의 물질과, O, S, Se, Te, F, Cl, Br 및 I 중 하나의 물질의 화합물일 수 있다.
상기 제1 물질과 상기 제2 물질의 함량비는 5:5 내지 9.9:0.1일 수 있다.
상기 발광층은 상기 제1 물질과 상기 제2 물질이 반응하여 형성된 제3 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 제3물질은 AmBnCz로 표시되고, 상기 A는 알칼리 금속 중 하나이고, 상기 B는 란탄족 금속 및 알칼리 토금속 중 하나이고, 상기 C는 할로겐족 원소이고, 상기 m, n, z는 1 내지 9 사이의 정수일 수 있다.
상기 발광층은 CsI, RbI, KI, NaI, CaI2 및 SrI2 중 하나 이상과 Eu, Yb, Sm을 포함하고, 상기 발광층에서 발광되는 빛의 중심 파장은 410 nm 내지 800 nm일 수 있다.
상기 발광층은 카드뮴 또는 납을 포함하지 않을 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공 전달층을 더 포함하고, 상기 정공 전달층은 알칼리 금속 할라이드 또는 알칼리 토금속 할라이드를 포함할 수 있다.
상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 전자 전달층을 더 포함하고, 상기 전자 전달층은 알칼리 금속 할라이드 및 알칼리 토금속의 할라이드 중 하나 이상과, 란탄계 금속을 포함할 수 있다.
본 기재의 다른 일 실시예에 따른 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하고, 상기 호스트는 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상이고, 상기 도펀트는 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상이다.
상기 발광층의 호스트와 도펀트의 함량비는 5:5 내지 9.9:0.1일 수 있다.
상기 호스트는 LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI, BeI2, MgI2, CaI2, SrI2, BaI2, RaI2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, FrBr, MgCl2, CaCl2, BaCl2, SrCl2, RaCl2, MgBr2, CaBr2, BaBr2, SrBr2, RaBr2, MgClBr, CaClBr, BaClBr, SrClBr, RaClBr, MgClI, CaClI, BaClI, SrClI, RaClI, MgBrI, CaBrI, BaBrI, SrBrI, RaBrI, Li2S, Na2S, K2S, Rb2S, Cs2S, Fr2S, Li2Se, Na2Se, K2Se, Rb2Se, Cs2Se, Fr2Se, Li2Te, Na2Te, K2Te, Rb2Te, Cs2Te, Fr2Te, MgS, CaS, BaS, SrS, RaS, MgSe, CaSe, BaSe, SrSe, RaSe, MgTe, CaTe, BaTe, SrTe 및 RaTe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.
상기 란탄계 금속의 화합물은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 중 하나인 물질과, O, S, Se, Te, F, Cl, Br 및 I 중 하나인 물질의 화합물일 수 있다.
상기 호스트는 CsI, RbI, KI, NaI, CaI2 및 SrI2 중 하나 이상을 포함하고, 상기 도펀트는 Eu, Yb, Sm를 포함하고, 상기 발광층에서 발광되는 빛의 중심 파장은 410 nm 내지 800 nm일 수 있다.
본 기재의 다른 일 실시예에 따른 발광 소자는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 그리고 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 발광 소자를 포함하고, 상기 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상과, 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상을 포함하고, 상기 발광층은 유기물을 포함하지 않는다.
상기 알칼리 금속 할라이드 또는 알칼리 토금속 할라이드는, LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI, BeI2, MgI2, CaI2, SrI2, BaI2 , RaI2 , LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, FrBr, MgCl2, CaCl2, BaCl2, SrCl2, RaCl2, MgBr2, CaBr2, BaBr2, SrBr2, RaBr2, MgClBr, CaClBr, BaClBr, SrClBr, RaClBr, MgClI, CaClI, BaClI, SrClI, RaClI, MgBrI, CaBrI, BaBrI, SrBrI, RaBrI, Li2S, Na2S, K2S, Rb2S, Cs2S, Fr2S, Li2Se, Na2Se, K2Se, Rb2Se, Cs2Se, Fr2Se, Li2Te, Na2Te, K2Te, Rb2Te, Cs2Te, Fr2Te, MgS, CaS, BaS, SrS, RaS, MgSe, CaSe, BaSe, SrSe, RaSe, MgTe, CaTe, BaTe, SrTe 및 RaTe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상일 수 있다.
상기 란탄계 금속의 화합물은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 중 하나인 물질과, O, S, Se, Te, F, Cl, Br 및 I 중 하나인 물질의 화합물일 수 있다.
상기 호스트는 CsI, RbI, KI, NaI, CaI2 및 SrI2 중 하나 이상을 포함하고, 상기 도펀트는 Eu, Yb, Sm를 포함하고, 상기 발광층에서 발광되는 빛의 중심 파장은 410 nm 내지 800 nm일 수 있다.
상기 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상의 함량과, 상기 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상의 함량비는 5:5 내지 9.9:0.1일 수 있다.
상기 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상은 발광층의 호스트이고, 상기 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상은 발광층의 도펀트일 수 있다.
상기 발광층은 AmBnCz로 표시되는 물질을 더 포함하고, 상기 A는 알칼리 금속 중 하나이고, 상기 B는 란탄족 금속 및 알칼리 토금속 중 하나이고, 상기 C는 할로겐족 원소이고, 상기 m, n, z는 1 내지 9 사이의 정수일 수 있다.
상기 발광층은 카드뮴 또는 납을 포함하지 않을 수 있다.
실시예들에 따르면, 온도 및 수분에 강한 무기 발광층을 포함함으로써 수명 및 발광 효율을 높일 수 있고, 면발광이 가능하게 할 수 있다.
도 1은 본 개시의 한 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 란탄계 금속 중 하나인 가돌리늄의 전자 배치를 도시한 것이다.
도 3은 본 개시의 다른 일 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시 예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
도 1은 본 개시의 한 실시예에 따른 발광 소자를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 1을 참고로 하면, 일 실시예에 따른 발광 소자는 제1 전극(10), 제1 전극(10)과 중첩하는 제2 전극(20) 및 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 사이에 위치하는 발광층(30)을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 발광층(30)은, 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상을 포함하는 제1 물질과, 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상을 포함하는 제2 물질을 포함한다. 즉, 발광층(30)은 상기 제1 물질을 발광층(30)의 호스트로, 상기 제2 물질을 발광층(30)의 도펀트로 포함한다. 구체적인 발광층(30)의 물질 및 발광 메커니즘에 대하여는 후술한다. 이때 발광층(30)은, Cd, Pb를 포함하지 않는다. 또한, 발광층(30)은 유기물을 포함하지 않을 수 있다. 다만, 발광층(30)은 실시예에 따라 일부 유기물을 포함할 수도 있다.
제1 전극(10)은 애노드이고, 제2 전극(20)은 캐소드일 수 있다. 애노드인 제1 전극(10)은 전류를 공급받으면 발광층(30)으로 정공을 주입하는 전극이고, 일함수가 높은 물질을 포함할 수 있다. 제2 전극(20)은 전류를 공급받으면 발광층(30)으로 전자를 주입하는 전극이고, 일함수(work function)가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 실시예에 따라 제1 전극(10)은 캐소드이고 제2 전극(20)은 애노드일 수 있다.
제1 전극(10) 및 제2 전극(20)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 아연 주석 산화물(ZTO), 구리 인듐 산화물(CIO), 구리 아연 산화물(CZO), 갈륨 아연 산화물(GZO), 알루미늄 아연 산화물(AZO), 주석 산화물(SnO2), 아연 산화물(ZnO) 또는 이들의 조합과 같은 도전성 산화물, 칼슘(Ca), 이테르븀(Yb), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 사마륨(Sm), 티타늄(Ti), 금(Au) 또는 이들의 합금, 그래핀, 탄소 나노 튜브 또는 PEDOT:PSS와 같은 전도성 폴리머를 포함할 수 있다. 그러나 제1 전극(10) 및 제2 전극(20)은 이에 한정되지 않으며, 2층 이상의 적층 구조로 형성될 수도 있다.
일 실시예에서 제1 전극(10)은 ITO/Ag/ITO의 구조를 갖는 반사 전극일 수 있고, 제2 전극(20)은 AgMg를 포함하는 반투과 전극일 수 있다. 발광층(30)에서 발생한 빛은 반사 전극인 제1 전극(10)에서 반사되고, 반투과 전극인 제2 전극(20)과 제1 전극(10) 사이에서 공진되어 증폭될 수 있다. 공진된 빛은 제1 전극(10)에서 반사되어, 제2 전극(20)의 상면으로 발광된다.
일 실시예에서 제2 전극(20)은 Ag, Mg, Al 및 Yb로 이루어진 군에서 선택되는 둘 이상의 물질로 이루어진 합금을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 제2 전극(20)은 AgMg를 포함할 수 있으며, 이때 제2 전극(20) 중 Ag의 함량이 Mg의 함량보다 많을 수 있다. 이때, Mg의 함량이 약 10 부피%일 수 있다. 제2 전극(20)의 두께는 80 옹스트롬 내지 150 옹스트롬의 범위를 가질 수 있다. 또한, 제2 전극(20)은 AgYb를 포함할 수 있으며, 이때 Yb의 함량이 약 10 부피%일 수 있다. 그러나 이는 일 예시일 뿐 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 전극(10) 및 제2 전극(20)은 스퍼터링(sputtering)법, 기상 증착(vapor phase deposition)법, 이온 빔 증착(ion beam deposition)법, 또는 전자빔 증착(electron beam deposition)법 등을 이용해서 형성할 수 있다
발광층(30)은 발광층 호스트(host) 및 발광 도펀트(dopant)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서 발광층 호스트는 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 알칼리 금속은 Li, Na, K, Rb, Cs 및 Fr 로 이루어진 군에서 선택되는 하나이고, 알칼리 토금속은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba 및 Ra로 이루어진 군에서 선택되는 하나일 수 있다. 할라이드는 F, Cl, Br 및 I 중 하나일 수 있다. 일례로, 발광층(30)의 호스트는 LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI, BeI2, MgI2, CaI2, SrI2, BaI2 , RaI2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, FrBr, MgCl2, CaCl2, BaCl2, SrCl2, RaCl2, MgBr2, CaBr2, BaBr2, SrBr2, RaBr2, MgClBr, CaClBr, BaClBr, SrClBr, RaClBr, MgClI, CaClI, BaClI, SrClI, RaClI, MgBrI, CaBrI, BaBrI, SrBrI, RaBrI, Li2S, Na2S, K2S, Rb2S, Cs2S, Fr2S, Li2Se, Na2Se, K2Se, Rb2Se, Cs2Se, Fr2Se, Li2Te, Na2Te, K2Te, Rb2Te, Cs2Te, Fr2Te, MgS, CaS, BaS, SrS, RaS, MgSe, CaSe, BaSe, SrSe, RaSe, MgTe, CaTe, BaTe, SrTe 및 RaTe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 발광층(30)의 호스트가 알칼리 금속의 요오드화물 또는 알칼리 토금속의 요오드화물인 경우, 요오드화합물은 해리에너지가 낮기 때문에 도펀트인 란탄계 금속과의 치환 등이 용이하다.
본 실시예에서, 발광층 도펀트는 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
란탄계 금속은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 로 이루어진 군에서 선택되는 하나일 수 있다. 란탄계 금속의 화합물은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 중 하나인 물질과, O, S, Se, Te, F, Cl, Br 및 I 중 하나인 물질의 화합물일 수 있다.
본 실시예에서 발광층 호스트와 도펀트의 함량비는 5:5 내지 9.9:0.1일 수 있다. 이러한 함량비의 조절에 따라 발광층에서 발광되는 빛의 파장을 조절하고, 발광층에 포함되는 호스트와 도펀트의 물질이 동일하더라도 함량비에 따라 다른색이 발광하도록 할 수 있다.
이때 함량비는 부피비일 수 있다. 즉, 본 명세서에서 설명하는 부피비는 발광층 형성을 위한 열증착 과정에서 타겟의 부피를 기준으로 측정할 수 있다. 즉, 발광층 형성을 위한 열증착 과정에서 사용되는 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나의 타겟과, 란탄계 금속 또는 란탄계 금속의 화합물 타겟의 부피 감소량을 측정하여 부피비를 도출할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 발광 소자의 발광층(30)은 상기 호스트와 도펀트가 열증착 과정에서 서로 반응하여 생성된 제3 물질을 더 포함할 수 있다. 열증착 과정에서 호스트 물질과 도펀트 물질의 결합이 깨지고 다시 이웃하는 호스트 물질 또는 도펀트 물질과 반응 및 결합하여 제3 물질이 형성될 수 있다.
이러한 제3 물질은 AmBnCz로 표시될 수 있다. 이때 A는 알칼리 금속 및 알칼리 토금속 중 하나이고, B는 란탄족 금속 또는 알칼리 토금속중 하나이고, C는 할로겐족 원소이고, m, n, z는 1 내지 9 사이의 정수일 수 있다.
도 2는 란탄계 금속 중 하나인 가돌리늄을 예시로 하여 전자 배치를 도시한 것이다.
도 2에서 확인할 수 잇는 바와 같이, 란탄계 금속의 경우, n=4인 N전자껍질의 4f 준위와 n=5인 O전자껍질의 5d 준위 사이에 발생된 4f-5d 간의 전자천이 특수성으로 인해 발광특성이 다양하게 결정된다. 발광 메커니즘으로는 호스트 물질에서 여기된 전자가 전도대를 따라 4f 그라운드 상태(ground state)로 relaxation된 후에 5d로 천이함에 따라 발광하기도 하고, 전자 수송층으로 전달된 전자가 스핀-오비탈이 커플링된 준위로 down conversion 됨에 따라 천이하여 발광하기도 한다. 따라서 이를 통해 형광 또는 인광의 발광 특성을 구현할 수 있다.
이와 같이, 발광층(30)의 호스트 및 도펀트 물질의 종류와 그 함량을 조절하여 다양한 색상을 발광할 수 있다. 일례로, 발광층(30)이 호스트로 CsI, RbI, CaI2 및 SrI2 중 하나 이상을 포함하고, 도펀트로 Eu를 포함하는 경우 발광층에서 발광되는 빛의 중심 파장은 약 420 nm 내지 470 nm일 수 있다. 즉 발광층(30)은 청색을 나타낼 수 있다. 그러나, 이는 일례일 뿐으로, 호스트 물질 및 도펀트 물질의 종류, 함량에 따라 발광층(30)은 다양한 가시광선 영역의 색을 발광할 수 있다.
이와 같이, 본 실시예에 따른 발광층(30)은 카드뮴(Cd), 납(Pb)과 같은 유해한 물질을 포함하지 않는다. 본 실시예에 따른 발광층(30)은 유기물을 포함하지 않을 수 있고, 실시예에 따라 유기물을 일부 포함할 수도 있다. 그러나 발광층(30)의 주재료는 무기 물질이다.
통상적으로, 유기 재료를 포함하는 발광층의 경우, 유기 재료를 열증발하여 열증착함에 따라 면발광 디스플레이가 가능하지만, 유기 재료가 고온, 수분에 의해 쉽게 열화되는 단점을 갖는다. 또한, 적색이나 녹색은 안정적인 인광이 가능하지만, 상대적으로 파장이 짧은 청색의 경우 인광의 안정성이 떨어지고, 고효율의 청색 발광 소자를 형성하기가 용이하지 않다.
또한, InGaN를 발광층으로 포함하는 무기 발광 소자의 경우, 사파이어나 실리콘 기판의 단결정 기판에 의해 격자결함 없이 단결정으로 성장시켜야 하기 때문에, 기판 소재를 선택하는데 있어서 제약을 갖는다. 또한, 단결정으로 성장시켜야 하기 때문에 조명용 점발광 소자로만 제작 가능하며, CVD(화학 기상 증착법) 공정이 필요한바 기판의 온도가 높은 단점이 있다.
또한, 양자점을 발광층으로 포함하는 발광 소자의 경우 환경적으로 유해한 Cd 기반의 양자점을 제외하고는 청색을 나타낼 수 있는 재료가 없다. 또한, 양자점을 발광층으로 포함하는 발광 소자는 제조 과정에서 용액공정법 및 프린팅 공정을 사용하기 때문에 대량생산에 어려움이 있다.
그러나 이와 같이 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나인 제1 물질을 도펀트로, 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나인 제2 물질을 호스트로 포함하는 발광층을 포함하는 발광 소자는, 무기 재료 기반으로 제작되기 때문에 유기 재료 대비 온도 및 수분에 덜 취약하다. 또한, 단결정 성장이 반드시 요구되지 않기 때문에 기판에 제약이 없으며, 면발광이 가능하고, 열증착법과 같은 진공 공정법으로 제작이 가능하기 때문에 용액 공정법을 사용하여 발광층을 형성하는 경우 대비 양산 적용이 용이하다.
또한 발광층의 호스트와 도펀트 물질을 다양하게 선택하거나, 호스트와 도펀트 물질의 함량을 조절하여 발광하는 빛의 색을 바꿀 수 있다. 특히, 호스트로 CsI, RbI, CaI2 및 SrI2 중 하나 이상을 사용하고, 도펀트로 Eu를 사용하는 경우 청색광을 안정적으로 발광할 수 있다.
그러면 이하에서 도 3을 참고로 하여 본 개시의 다른 일 실시예에 따른 발광 소자에 대하여 설명한다. 도 3을 참고로 하면, 도 3의 실시예에 따른 발광 소자는 도 1의 실시예에 따른 발광 소자와 상당부분 유사하다. 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략하고 차이가 있는 부분 위주로 설명하기로 한다.
도 3을 참고로 하면, 본 실시예에 따른 발광 소자는 제1 전극(10)과 발광층(30) 사이에 위치하는 정공 전달층(40), 그리고 제2 전극(20)과 발광층(30) 사이에 위치하는 전자 전달층(50)을 더 포함한다.
정공 전달층(40)은 정공 수송층 및 정공 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 정공 주입층은 제1 전극(10)에 가깝게 위치하고, 정공 수송층은 발광층(30)에 가깝게 위치할 수 있다.
전자 전달층(50)은 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 전자 주입층은 제2 전극(20)에 가깝게 위치하고, 전자 수송층은 발광층(30)에 가깝게 위치할 수 있다.
본 실시예에서, 정공 전달층(40)은 알칼리 금속 할라이드 또는 알칼리 토금속 할라이드를 포함할 수 있다. 일례로 정공 전달층(40)은 CuI를 포함할 수 있다. 일례로, 정공 주입층이 CuI를 포함할 수 있으며, 정공 주입층의 두께는 약 10 옹스트롬 내지 50 옹스트롬일 수 있다.
또한, 전자 전달층(50)은 알칼리 금속 할라이드 및 알칼리 토금속의 할라이드 중 하나 이상과, 란탄계 금속을 포함할 수 있다. 일례로, 전자 전달층(50)은 Yb 및 RbI를 포함할 수 있다. 일례로, 전자 주입층이 Yb 및 RbI를 포함할 수 있으며, 이때 Yb에 대한 RbI의 함량은 약 10 부피% 일 수 있다. 또한 전자 주입층의 두께는 약 15 옹스트롬 내지 25 옹스트롬일 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 따른 발광 소자는 전자 전달층(50), 정공 전달층(40) 및 발광층(30)이 모두 무기물을 포함하기 때문에 계면에서의 접촉 저항을 낮출 수 있고, 전자 및 정공의 수송 효율을 높일 수 있고, 따라서 발광 효율을 높일 수 있다.
또한, 발광층이 유기물을 포함하지 않거나 일부 포함하며, Cd, Pb와 같은 유해 물질을 포함하지 않기 때문에, 유기물의 열화에 의한 문제가 없으며, 환경 오염을 유발하지 않는다.
그러나, 다른 일 실시예에서 정공 전달층(40) 및 전자 전달층(50)은 유기물을 포함할 수도 있다.
일례로, 정공 전달층(40)은, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB(NPD), β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, 메틸화된-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid (폴리아닐린/도데실벤젠술폰산)), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트))), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid (폴리아닐린/캠퍼술폰산)), PANI/PSS (Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate) (폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00001
상기 화학식 201 및 202 중, L201 내지 L204는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고, L205은, *-O-*', *-S-*', *-N(Q201)-*', 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고, xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고, xa5는 1 내지 10의 정수 중에서 선택되고, R201 내지 R204 및 Q201은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.
또한, 일례로, 전자 전달층(50)은 하기 화학식 601로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
<화학식 601>
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21
상기 화학식 601 중, Ar601은 치환 또는 비치환된 C5-C60카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹이고, xe11은 1, 2 또는 3이고, L601은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고, xe1는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고, R601은, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q601)(Q602)(Q603), - -C(=O)(Q601), -S(=O)2(Q601) 및 -P(=O)(Q601)(Q602) 중에서 선택되고, 상기 Q601 내지 Q603은 서로 독립적으로, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 또는 나프틸기이고, xe21는 1 내지 5의 정수 중에서 선택된다. 일 실시예에 따르면, 상기 xe11개의 Ar601 및 xe21개의 R601 중 적어도 하나는, 상술한 바와 같은 π 전자 결핍성 함질소 고리를 포함할 수 있다.
전자 전달층(50) 중 전자 주입층은 i) 단일 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조, ii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층으로 이루어진 단층 구조 또는 iii) 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 주입층은 환원성 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 환원성 도펀트는, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물, 희토류 금속 화합물, 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체 및 희토류 금속 착체 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 알칼리 금속은, Na, K, Rb 및 Cs 중에서 선택될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 알칼리 금속은 K, Rb 또는 Cs일 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 상기 알칼리 금속은 Rb 또는 Cs일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 토금속은, Ca, Sr, 및 Ba 중에서 선택될 수 있다. 상기 희토류 금속은 Sc, Y, Ce, Tb, Yb, Gd 및 Tb 중에서 선택될 수 있다. 상기 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 화합물 및 상기 희토류 금속 화합물은, 상기 알칼리 금속, 상기 알칼리 토금속 및 희토류 금속의 산화물 및 할로겐화물(예를 들면, 불화물, 염화물, 브롬화물, 요오드화물 등) 중에서 선택될 수 있다.
상기 알칼리 금속 화합물은, Li2O, Cs2O, K2O 등과 같은 알칼리 금속 산화물 및 LiF, NaF, CsF, KF, LiI, NaI, CsI, KI, RbI 등과 같은 알칼리 금속 할로겐화물 중에서 선택될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 알칼리 금속 화합물은, LiF, Li2O, NaF, LiI, NaI, CsI, KI, RbI 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 토금속 화합물은, BaO, SrO, CaO, BaxSr1 - xO(0<x<1), BaxCa1 -xO(0<x<1) 등과 같은 알칼리 토금속 화합물 중에서 선택될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 알칼리 토금속 화합물은, BaO, SrO 및 CaO 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 희토류 금속 화합물은, YbF3, ScF3, ScO3, Y2O3, Ce2O3, GdF3, 및 TbF3 중에서 선택될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 희토류 금속 화합물은 YbF3, ScF3, TbF3, YbI3, ScI3, TbI3 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체 및 희토류 금속 착체는, 상술한 바와 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 희토류 금속의 이온을 포함하고, 상기 알칼리 금속 착체, 알칼리 토금속 착체 및 희토류 금속 착체의 금속 이온에 배위된 리간드는, 서로 독립적으로, 히드록시퀴놀린, 히드록시이소퀴놀린, 히드록시벤조퀴놀린, 히드록시아크리딘, 히드록시페난트리딘, 히드록시페닐옥사졸, 히드록시페닐티아졸, 히드록시디페닐옥사디아졸, 히드록시디페닐티아디아졸, 히드록시페닐피리딘, 히드록시페닐벤조이미다졸, 히드록시페닐벤조티아졸, 비피리딘, 페난트롤린 및 시클로펜타다이엔 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층은 상술한 바와 같은 환원성 도펀트만으로 이루어져 있거나, 상기 환원성 도펀트 외에 유기물을 더 포함할 수 있다. 상기 전자 주입층이 상기 환원성 도펀트 및 유기물을 포함할 경우, 상기 환원성 도펀트는 상기 유기물로 이루어진 매트릭스에 균일 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
그러면, 이하에서 구체적인 실시예를 통해 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 효과에 대하여 설명한다. 하기 표 1은 호스트와 도펀트 물질을 다르게 하여 발광되는 파장을 나타낸 것이다. 하기 표 1을 참고로 하면, 발광층 호스트 물질로 CaI2을 사용하고 도펀트로 Eu를 적용한 경우 중심 파장이 465 nm인 광이 발광되고, 발광층 호스트 물질로 SrI2를 사용하고 도펀트로 Eu를 적용한 경우 중심 파장이 431 nm인 광이 발광되는 것을 확인할 수 있다.
Host dopant 파장 QY EQE
CaI2 Eu 465 nm 10 1
SrI2 Eu 431 nm 15 1.2
그러면 이하에서 도 4를 참고로 하여 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다. 도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4를 참고로 하면, 기판(110)에 산화규소 또는 질화규소 등으로 만들어진 버퍼층(111)이 위치한다.
버퍼층(111) 상에 반도체층(151)이 위치한다. 반도체층(151)은 p형 불순물로 도핑된 소스 영역(153) 및 드레인 영역(155)을 포함하고, 소스 영역(153) 및 드레인 영역(155) 사이에 위치한 채널 영역(154)을 포함한다.
게이트 절연막(140)은 반도체층(151) 및 버퍼층(111) 상에 위치하며 산화규소 또는 질화규소를 포함할 수 있다. 제어 전극(124)은 반도체층(151)의 채널 영역(154)과 중첩하며, 게이트 절연막(140) 위에 위치한다.
층간 절연막(160)은 제어 전극(124) 및 게이트 절연막(140) 상에 위치한다. 층간 절연막(160)은 제1 접촉 구멍(165) 및 제2 접촉 구멍(163)을 갖는다.
데이터선(171), 입력 전극(173) 및 출력 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체는 층간 절연막(160) 상에 위치한다.
출력 전극(175)은 제1 접촉 구멍(165)을 통하여 드레인 영역(155)에 연결되어 있다. 또한, 입력 전극(173)은 제2 접촉 구멍(163)을 통하여 소스 영역(153)에 연결되어 있다.
보호막(180)은 데이터 도전체(171, 173, 175) 및 층간 절연막(160) 상에 위치하며, 보호막(180)은 접촉 구멍(185)을 갖는다.
화소 전극(190)은 보호막(180) 상에 위치한다. 화소 전극(190)은 접촉 구멍(185)을 통하여 출력 전극(175)과 연결되어 있다. 격벽(361)은 보호막(180) 상에 위치한다. 화소 전극(190)과 중첩하여 발광 소자층(370)이 위치하고, 발광 소자층(370)과 중첩하도록 공통 전극(270)이 위치한다. 발광 소자는 화소 전극(190), 발광 소자층(370) 및 공통 전극(270)을 포함한다.
이때, 화소 전극(190)은 정공 주입 전극인 애노드일 수 있고, 도 1 내지 도 3에서 설명한 제1 전극(10)에 대응하며, 공통 전극(270)은 전자 주입 전극인 캐소드일 수 있고, 도 1 내지 도 3에서 설명한 제2 전극(20)에 대응할 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 장치의 구동 방법에 따라 화소 전극(190)이 캐소드가 되고, 공통 전극(270)이 애노드가 될 수도 있다.
발광 소자층(370)은 전술한 도 1에서 설명한 발광층(30)을 포함하거나, 도 3에서 설명한 발광층(30), 전자 전달층(50), 정공 전달층(40) 등을 포함할 수 있으며 이에 대한 설명은 생략한다.
공통 전극(270)과 중첩하여 봉지층(390)이 위치한다. 봉지층(390)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있으며, 또는 유기물과 무기물이 번갈아 적층되어 있을 수도 있다. 봉지층(390)은 외부의 수분, 열, 기타 오염으로부터 표시 장치를 보호할 수 있다.
상기 설명한 표시 장치의 구조는 예시적인 것으로, 본 개시의 일 실시예에 따른 발광 소자는 다른 구조를 갖는 표시 장치에 적용될 수 있음 또한 자명하다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 제1 전극 20: 제2 전극
30: 발광층 40: 정공 전달층
50: 전자 전달층

Claims (23)

  1. 제1 전극;
    상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상인 제1 물질과, 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상인 제2 물질을 포함하는 발광 소자.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 물질은 LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI, BeI2, MgI2, CaI2, SrI2, BaI2, RaI2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, FrBr, MgCl2, CaCl2, BaCl2, SrCl2, RaCl2, MgBr2, CaBr2, BaBr2, SrBr2, RaBr2,MgClBr, CaClBr, BaClBr, SrClBr, RaClBr, MgClI, CaClI, BaClI, SrClI, RaClI, MgBrI, CaBrI, BaBrI, SrBrI, RaBrI, Li2S, Na2S, K2S, Rb2S, Cs2S, Fr2S, Li2Se, Na2Se, K2Se, Rb2Se, Cs2Se, Fr2Se, Li2Te, Na2Te, K2Te, Rb2Te, Cs2Te, Fr2Te, MgS, CaS, BaS, SrS, RaS, MgSe, CaSe, BaSe, SrSe, RaSe, MgTe, CaTe, BaTe, SrTe 및 RaTe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 발광 소자.
  3. 제1항에서,
    상기 란탄계 금속의 화합물은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 중 하나의 물질과, O, S, Se, Te, F, Cl, Br 및 I 중 하나의 물질의 화합물인 발광 소자.
  4. 제1항에서
    상기 제1 물질과 상기 제2 물질의 함량비는 5:5 내지 9.9:0.1인 발광 소자.
  5. 제1항에서,
    상기 발광층은 상기 제1 물질과 상기 제2 물질이 반응하여 형성된 제3 물질을 더 포함하는 발광 소자.
  6. 제5항에서,
    상기 제3물질은 AmBnCz로 표시되고,
    상기 A는 알칼리 금속 중 하나이고,
    상기 B는 란탄족 금속 또는 알칼리 토금속 중 하나이고,
    상기 C는 할로겐족 원소이고,
    상기 m, n, z는 1 내지 9 사이의 정수인 발광 소자.
  7. 제1항에서,
    상기 발광층은 CsI, RbI, KI, NaI, CaI2 및 SrI2 중 하나 이상과 Eu, Yb, Sm을 포함하고,
    상기 발광층에서 발광되는 빛의 중심 파장은 410 nm 내지 800 nm인 발광 소자.
  8. 제1항에서,
    상기 발광층은 카드뮴 또는 납을 포함하지 않는 발광 소자.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공 전달층을 더 포함하고,
    상기 정공 전달층은 알칼리 금속 할라이드 또는 알칼리 토금속 할라이드를 포함하는 발광 소자.
  10. 제1항에서,
    상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 전자 전달층을 더 포함하고,
    상기 전자 전달층은 알칼리 금속 할라이드 및 알칼리 토금속의 할라이드 중 하나 이상과, 란탄계 금속을 포함하는 발광 소자.
  11. 제1 전극;
    상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하고,
    상기 호스트는 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상이고,
    상기 도펀트는 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상인 발광 소자.
  12. 제11항에서,
    상기 발광층의 호스트와 도펀트의 함량비는 5:5 내지 9.9:0.1인 발광 소자.
  13. 제11항에서,
    상기 호스트는 LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI, BeI2, MgI2, CaI2, SrI2, BaI2 ,RaI2 , LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, FrBr, MgCl2, CaCl2, BaCl2, SrCl2, RaCl2, MgBr2, CaBr2, BaBr2, SrBr2, RaBr2,MgClBr, CaClBr, BaClBr, SrClBr, RaClBr, MgClI, CaClI, BaClI, SrClI, RaClI, MgBrI, CaBrI, BaBrI, SrBrI, RaBrI, Li2S, Na2S, K2S, Rb2S, Cs2S, Fr2S, Li2Se, Na2Se, K2Se, Rb2Se, Cs2Se, Fr2Se, Li2Te, Na2Te, K2Te, Rb2Te, Cs2Te, Fr2Te, MgS, CaS, BaS, SrS, RaS, MgSe, CaSe, BaSe, SrSe, RaSe, MgTe, CaTe, BaTe, SrTe 및 RaTe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 발광 소자.
  14. 제11항에서,
    상기 란탄계 금속의 화합물은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 중 하나인 물질과, O, S, Se, Te, F, Cl, Br 및 I 중 하나인 물질의 화합물인 발광 소자.
  15. 제11항에서,
    상기 호스트는 CsI, RbI, KI, NaI, CaI2 및 SrI2 중 하나 이상을 포함하고,
    상기 도펀트는 Eu, Yb, Sm를 포함하고,
    상기 발광층에서 발광되는 빛의 중심 파장은 410 nm 내지 800 nm인 발광 소자.
  16. 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 박막 트랜지스터, 그리고
    상기 박막 트랜지스터와 연결되는 발광 소자를 포함하고,
    상기 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극과 중첩하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상과, 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상을 포함하고,
    상기 발광층은 유기물을 포함하지 않는 표시 장치.
  17. 제16항에서,
    상기 알칼리 금속 할라이드 또는 알칼리 토금속 할라이드는,
    LiI, NaI, KI, RbI, CsI, FrI, BeI2, MgI2, CaI2, SrI2, BaI2 , RaI2 , LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, FrCl, LiBr, NaBr, KBr, RbBr, CsBr, FrBr, MgCl2, CaCl2, BaCl2, SrCl2, RaCl2, MgBr2, CaBr2, BaBr2, SrBr2, RaBr2, MgClBr, CaClBr, BaClBr, SrClBr, RaClBr, MgClI, CaClI, BaClI, SrClI, RaClI, MgBrI, CaBrI, BaBrI, SrBrI, RaBrI, Li2S, Na2S, K2S, Rb2S, Cs2S, Fr2S, Li2Se, Na2Se, K2Se, Rb2Se, Cs2Se, Fr2Se, Li2Te, Na2Te, K2Te, Rb2Te, Cs2Te, Fr2Te, MgS, CaS, BaS, SrS, RaS, MgSe, CaSe, BaSe, SrSe, RaSe, MgTe, CaTe, BaTe, SrTe 및 RaTe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 표시 장치.
  18. 제16항에서,
    상기 란탄계 금속의 화합물은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu 중 하나인 물질과, O, S, Se, Te, F, Cl, Br 및 I 중 하나인 물질의 화합물인 표시 장치.
  19. 제16항에서,
    상기 호스트는 CsI, RbI, KI, NaI, CaI2 및 SrI2 중 하나 이상을 포함하고,
    상기 도펀트는 Eu, Yb, Sm를 포함하고,
    상기 발광층에서 발광되는 빛의 중심 파장은 410 nm 내지 800 nm인 표시 장치.
  20. 제16항에서,
    상기 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상의 함량과,
    상기 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상의 함량비는 5:5 내지 9.9:0.1인 표시 장치.
  21. 제16항에서,
    상기 알칼리 금속 할라이드, 알칼리 토금속 할라이드, 전이금속 할라이드, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토금속 칼코게나이드 중 하나 이상은 발광층의 호스트이고,
    상기 란탄계 금속 및 란탄계 금속의 화합물 중 하나 이상은 발광층의 도펀트인 표시 장치.
  22. 제16항에서,
    상기 발광층은 AmBnCz로 표시되는 물질을 더 포함하고,
    상기 A는 알칼리 금속 중 하나이고,
    상기 B는 란탄족 금속 및 알칼리 토금속 중 하나이고,
    상기 C는 할로겐족 원소이고,
    상기 m, n, z는 1 내지 9 사이의 정수인 표시 장치.
  23. 제16항에서,
    상기 발광층은 카드뮴 또는 납을 포함하지 않는 표시 장치.
KR1020170122742A 2017-09-22 2017-09-22 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 KR102486988B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170122742A KR102486988B1 (ko) 2017-09-22 2017-09-22 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US15/997,754 US10636350B2 (en) 2017-09-22 2018-06-05 Light emitting diode having a decreased driving voltage and improved luminous efficiency and display device including the same
EP18194483.6A EP3460859B1 (en) 2017-09-22 2018-09-14 Light emitting diode
CN201811092493.0A CN109545932B (zh) 2017-09-22 2018-09-19 发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170122742A KR102486988B1 (ko) 2017-09-22 2017-09-22 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190034381A true KR20190034381A (ko) 2019-04-02
KR102486988B1 KR102486988B1 (ko) 2023-01-10

Family

ID=63592585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170122742A KR102486988B1 (ko) 2017-09-22 2017-09-22 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10636350B2 (ko)
EP (1) EP3460859B1 (ko)
KR (1) KR102486988B1 (ko)
CN (1) CN109545932B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200320416A1 (en) * 2019-04-05 2020-10-08 Google Llc Selective Inference Generation with Distributed Machine-Learned Models
KR20210041160A (ko) * 2019-10-04 2021-04-15 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 장치
KR20210109686A (ko) * 2020-02-26 2021-09-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200009843A (ko) * 2018-07-20 2020-01-30 홍익대학교 산학협력단 광전 소자 및 그 제조 방법
KR20210037315A (ko) * 2019-09-27 2021-04-06 삼성전자주식회사 발광 재료, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 소자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160055091A (ko) * 2014-11-06 2016-05-17 포항공과대학교 산학협력단 페로브스카이트 발광소자용 발광층 및 이의 제조방법과 이를 이용한 페로브스카이트 발광소자
KR20160114218A (ko) * 2015-03-23 2016-10-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
WO2017043084A1 (en) * 2015-09-11 2017-03-16 Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation Formation of lead-free perovskite film
KR20170090216A (ko) * 2016-01-28 2017-08-07 포항공과대학교 산학협력단 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4047095B2 (ja) * 2002-08-07 2008-02-13 三洋電機株式会社 無機電界発光素子およびその製造方法
CN1481202A (zh) * 2003-06-26 2004-03-10 北京交通大学 一种电致/光致混合发光显示器件
CN1814694B (zh) * 2005-02-02 2010-08-25 中国科学院上海硅酸盐研究所 稀土掺杂的硼磷酸钡闪烁发光材料及其制备方法与应用
CN101395966A (zh) * 2006-03-02 2009-03-25 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光设备、照明设备和电子器具
CN1976072A (zh) * 2006-12-12 2007-06-06 天津理工大学 柔性单层绿光量子点电致发光器件及其制备方法
KR101645949B1 (ko) 2009-03-23 2016-08-05 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기발광화합물을 발광재료로서 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
JP5777520B2 (ja) 2009-09-17 2015-09-09 株式会社東芝 白色発光ランプおよびそれを用いた白色ｌｅｄ照明装置
KR101274068B1 (ko) 2010-05-25 2013-06-12 서울대학교산학협력단 양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이
CN104041181A (zh) * 2012-01-12 2014-09-10 Jsr株式会社 发光组件及发光组件形成用树脂组成物
US9580649B2 (en) * 2012-07-13 2017-02-28 Merck Patent Gmbh Process for production of phosphors
DE102012021570A1 (de) * 2012-11-02 2014-05-22 Merck Patent Gmbh Eu-aktivierte Leuchtstoffe
JP2016535719A (ja) * 2013-08-08 2016-11-17 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 蛍光体
DE102014006003A1 (de) * 2014-04-28 2015-10-29 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffe
US20170306223A1 (en) * 2014-10-09 2017-10-26 Merck Patent Gmbh Phosphors
KR102318419B1 (ko) * 2015-02-24 2021-10-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102392044B1 (ko) * 2015-06-15 2022-04-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102323243B1 (ko) * 2015-07-22 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102331369B1 (ko) 2015-10-28 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102511544B1 (ko) * 2015-11-20 2023-03-17 삼성디스플레이 주식회사 광전 소자 및 이의 제조 방법
US20190058135A1 (en) * 2016-05-27 2019-02-21 The Florida State University Research Foundation, Inc. Perovskite based charge transport layers for thin film optoelecronic devices and methods of making
CN105938845B (zh) * 2016-07-12 2019-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 显示器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160055091A (ko) * 2014-11-06 2016-05-17 포항공과대학교 산학협력단 페로브스카이트 발광소자용 발광층 및 이의 제조방법과 이를 이용한 페로브스카이트 발광소자
KR20160114218A (ko) * 2015-03-23 2016-10-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
WO2017043084A1 (en) * 2015-09-11 2017-03-16 Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation Formation of lead-free perovskite film
KR20170090216A (ko) * 2016-01-28 2017-08-07 포항공과대학교 산학협력단 금속 할라이드 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200320416A1 (en) * 2019-04-05 2020-10-08 Google Llc Selective Inference Generation with Distributed Machine-Learned Models
KR20210041160A (ko) * 2019-10-04 2021-04-15 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 장치
US11700737B2 (en) 2019-10-04 2023-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device and apparatus including the same
KR20210109686A (ko) * 2020-02-26 2021-09-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 장치
US11856839B2 (en) 2020-02-26 2023-12-26 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device and apparatus including the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN109545932A (zh) 2019-03-29
EP3460859B1 (en) 2020-06-17
US20190096318A1 (en) 2019-03-28
KR102486988B1 (ko) 2023-01-10
US10636350B2 (en) 2020-04-28
CN109545932B (zh) 2024-03-08
EP3460859A1 (en) 2019-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11943945B2 (en) Organic light-emitting diode containing co-hosts forming exciplex, and lighting device and display apparatus including same
KR102459818B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US10665809B2 (en) Organic light emitting diode
KR102486988B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6985883B2 (ja) 有機発光ダイオードのための電子伝達層の積層体
KR101653212B1 (ko) 유기발광소자
KR102351956B1 (ko) 유기 발광 소자
JP2017510071A (ja) 電子バッファリング材料及びそれを含む有機電界発光デバイス
US20090001875A1 (en) Organic light-emitting device incorporating multifunctional osmium complexes
US20210210707A1 (en) Stacked perovskite light emitting device
KR102545675B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101581033B1 (ko) 유기 발광 소자, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 조명
JP2007123865A (ja) 有機電界発光素子
US20220077415A1 (en) Organic light emitting diode
KR102571401B1 (ko) 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
KR102580803B1 (ko) 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
KR102393090B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102100765B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR20200073598A (ko) 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
KR102175791B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR102254581B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210011734A (ko) 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
KR20210012482A (ko) 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
KR20110048334A (ko) 유기전계발광소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant