KR20160114218A - 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자는 서로 마주하는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층 및 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 전자 주입층을 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 1족, 2족, 란탄계 금속, 전이 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질인 제1 물질 및 상기 제1 물질과 반응하는 금속인 제2 물질을 포함한다.

Description

유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다. 그러나, 액정 표시 장치는 수발광 장치로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 한계가 있다.
최근 이러한 한계를 극복할 수 있는 표시 장치로서, 자발광형 표시소자로 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답시간이 빠르다는 장점을 가진 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device)가 커다란 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 발광을 위한 유기 발광 소자를 포함하고, 이러한 유기 발광 소자는 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
그러나 종래 유기 발광 표시 장치는 구동 전압이 높고 발광 휘도나 발광 효율이 낮으며 발광 수명이 짧은 문제점이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 발광 효율이 높고 투명 전극을 갖는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는데 있다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자는 서로 마주하는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층 및 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 전자 주입층을 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 1족, 2족, 란탄계 금속, 전이 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질인 제1 물질 및 상기 제1 물질과 반응하는 금속인 제2 물질을 포함한다.
상기 전자 주입층은 1족, 2족, 란탄계 금속 또는 상기 1족, 2족, 란탄계 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 물질은 이원계 무기 쌍극자, 삼원계 무기 쌍극자 또는 사원계 무기 쌍극자 물질일 수 있다.
상기 전자 주입층은 복수의 층으로 형성된 구조이고, 상기 복수의 층 각각은 1족, 2족, 란탄계 금속 및 상기 1족, 2족, 란탄계 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 단일층을 형성할 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 복수의 층으로 형성된 구조이고, 상기 복수의 층 각각은 상기 제1 물질 및 제2 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 물질의 두께가 제1 물질의 두께보다 더 두꺼울 수 있다.
상기 발광층과 상기 전자 주입층 사이에 위치하는 전자 수송층 및 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 정공 수송층을 더 포함하고, 상기 정공 수송층과 상기 전자 수송층은 유기 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 위치하는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선 및 구동 전압선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되는 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 구동 전압선과 연결되는 구동 박막 트랜지스터 및 상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되는 유기 발광 소자를 포함하고, 상기 유기 발광 소자는 서로 마주하는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층 및 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 전자 주입층을 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 1족, 2족, 란탄계 금속, 전이 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질인 제1 물질 및 상기 제1 물질과 반응하는 금속인 제2 물질을 포함한다.
상기 전자 주입층은 1족, 2족, 란탄계 금속 또는 1족, 2족, 란탄계 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 물질은 이원계 무기 쌍극자, 삼원계 무기 쌍극자 또는 사원계 무기 쌍극자 물질일 수 있다
상기 전자 주입층은 복수의 층으로 형성된 구조이고, 상기 복수의 층 각각은 1족, 2족, 란탄계 금속 및 상기 1족, 2족, 란탄계 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 단일층을 형성할 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 복수의 층으로 형성된 구조이고, 상기 복수의 층 각각은 상기 제1 물질 및 제2 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 물질의 두께가 제1 물질의 두께보다 더 두꺼울 수 있다.
상기 발광층과 상기 전자 주입층 사이에 위치하는 전자 수송층 및 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 정공 수송층을 더 포함하고, 상기 정공 수송층과 상기 전자 수송층은 유기 물질을 포함할 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 저일함수 또는 전이금속 기반의 할로겐 쌍극자 및 이와 반응하는 금속을 반응시켜 형성된 투명 전극을 갖는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 저일함수를 갖는 금속 기반의 할로겐 쌍극자로 형성된 전자 주입층을 가짐으로써 발광 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 소자를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 유기 발광 소자를 일부 변형한 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에서 전극의 면저항을 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 투명 전극을 나타낸 사진이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 도 2는 도 1의 유기 발광 소자를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(123), 박막 트랜지스터(130), 제1 전극(160), 발광 소자층(170) 및 제2 전극(180)을 포함한다. 본 실시예에 따르면 제1 전극(160)은 애노드 전극, 제2 전극(180)은 캐소드 전극일 수 있으나, 이와 반대로 제1 전극(160)이 캐소드 전극이고 제2 전극(180)이 애노드 전극일 수도 있다.
여기서, 기판(123)은 예컨대 유리와 같은 무기 물질 또는 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리이미드 또는 이들의 조합과 같은 유기 물질, 실리콘웨이퍼 등으로 만들어질 수 있다.
그리고, 기판(123) 위에는 기판 버퍼층(126)이 위치할 수 있다. 기판 버퍼층(126)은 불순 원소의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하는 역할을 한다.
이때, 기판 버퍼층(126)은 상기 기능을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판 버퍼층(126)은 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiOy)막, 산질화 규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 그러나, 기판 버퍼층(126)은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(123)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
기판 버퍼층(126) 위에는 구동 반도체층(137)이 형성된다. 구동 반도체층(137)은 다결정 규소를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 또한, 구동 반도체층(137)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135), 채널 영역(135)의 양 옆에서 도핑되어 형성된 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)을 포함한다. 이때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용될 수 있다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
구동 반도체층(137) 위에는 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOy) 따위로 형성된 게이트 절연막(127)이 위치한다. 게이트 절연막(127) 위에는 구동 게이트 전극(133)을 포함하는 게이트 배선이 위치한다. 그리고, 구동 게이트 전극(133)은 구동 반도체층(137)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)와 중첩되도록 형성된다.
한편, 게이트 절연막(127) 상에는 구동 게이트 전극(133)을 덮는 층간 절연막(128)이 형성된다. 게이트 절연막(127)과 층간 절연막(128)에는 구동 반도체층(137)의 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)을 드러내는 제1 접촉 구멍(122a) 및 제2 접촉 구멍(122b)이 형성되어 있다. 층간 절연막(128)은, 게이트 절연막(127)과 마찬가지로, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOy) 등의 물질을 사용하여 만들어질 수 있다.
그리고, 층간 절연막(128) 위에는 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)을 포함하는 데이터 배선이 위치할 수 있다. 또한, 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)은 각각 층간 절연막(128) 및 게이트 절연막(127)에 형성된 제1 접촉 구멍(122a) 및 제2 접촉 구멍(122b)을 통해 구동 반도체층(137)의 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)과 연결된다.
이와 같이, 구동 반도체층(137), 구동 게이트 전극(133), 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)을 포함하여 구동 박막 트랜지스터(130)가 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(130)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변경 가능하다.
그리고, 층간 절연막(128) 상에는 데이터 배선을 덮는 평탄화막(124)이 형성된다. 평탄화막(124)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 또한, 평탄화막(124)은 드레인 전극(132)의 일부를 노출시키는 제3 접촉 구멍(122c)을 갖는다.
평탄화막(124)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질 등으로 만들 수 있다.
여기에서, 본 발명에 따른 일실시예는 전술한 구조에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라 평탄화막(124)과 층간 절연막(128) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.
이때, 평탄화막(124) 위에는 유기 발광 소자의 제1 전극(160), 즉 화소 전극(160)이 위치한다. 즉, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들마다 각각 배치된 복수의 화소 전극(160)을 포함한다. 이때, 복수의 화소 전극(160)은 서로 이격 배치된다. 화소 전극(160)은 평탄화막(124)의 제3 접촉 구멍(122c)을 통해 드레인 전극(132)과 연결된다.
또한, 평탄화막(124) 위에는 화소 전극(160)을 드러내는 개구부가 형성된 화소 정의막(125)이 위치한다. 즉, 화소 정의막(125) 사이에는 각 화소에 대응하는 복수개의 개구부가 형성되어 있다. 이때, 화소 정의막(125)에 의해 형성된 개구부마다 유기 발광층(170)이 위치할 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(125)에 의해 각각의 발광 소자층(170)이 형성되는 화소 영역이 정의될 수 있다.
이때, 화소 전극(160)은 화소 정의막(125)의 개구부에 대응하도록 배치된다. 그러나, 화소 전극(160)은 반드시 화소 정의막(125)의 개구부에만 배치되는 것은 아니며, 화소 전극(160)의 일부가 화소 정의막(125)과 중첩되도록 화소 정의막(125) 아래에 배치될 수 있다.
화소 정의막(125)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리콘 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.
한편, 화소 전극(160) 위에는 발광 소자층(170)이 위치한다. 발광 소자층(170)의 구조에 대해서는 하기에서 상세히 설명하기로 한다.
발광 소자층(170) 위에는 제2 전극(180), 즉 공통 전극(180)이 위치할 수 있다. 이와 같이, 화소 전극(160), 발광 소자층(170) 및 공통 전극(180)을 포함하는 유기 발광 소자(LD)가 형성된다.
이때, 화소 전극(160) 및 공통 전극(180)은 각각 투명한 도전성 물질로 형성되거나 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 화소 전극(160) 및 공통 전극(180)을 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형이 될 수 있다.
한편, 공통 전극(180) 위에는 공통 전극(180)을 덮어 보호하는 덮개막(190)이 유기막으로 형성될 수 있다.
그리고, 덮개막(190) 위에는 박막 봉지층(121)이 형성되어 있다. 박막 봉지층(121)은 기판(123) 위에 형성되어 있는 유기 발광 소자(LD)와 구동 회로부를 외부로부터 밀봉시켜 보호한다.
박막 봉지층(121)은 서로 하나씩 교대로 적층되는 봉지 유기막(121a, 121c)과 봉지 무기막(173, 121d)을 포함한다. 도 1에서는 일례로 2개의 봉지 유기막(121a, 121c)과 2개의 봉지 무기막(121b, 121d)이 하나씩 교대로 적층되어 박막 봉지층(121)을 구성하는 경우를 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다.
이하에서는 도 2를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에 대해 설명하기로 한다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자(도 1의 X 부분)는 제1 전극(160), 정공 수송층(174), 발광층(175), 전자 수송층(177), 전자 주입층(179) 및 제2 전극(180)이 순서대로 적층된 구조를 포함한다.
제1 전극(160)이 애노드일 경우에는 정공 주입이 용이하도록 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택된 물질을 선택할 수 있다.
본 발명의 일 실시에에 따른 제1 전극(160)은 투명 전극이다. 일반적으로, 제1 전극(160)이 투명 전극일 경우에는 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO), 주석 산화물(SnO2), 아연 산화물(ZnO) 또는 이들의 조합과 같은 도전성 산화물 또는 알루미늄, 은, 마그네슘과 같은 금속을 사용하여 얇은 두께로 제1 전극(160)을 형성하여 투명 전극을 형성한다.
하지만, 본 실시예에서 투명성을 갖는 제1 전극(160)은 낮은 일함수를 갖는 금속 또는 전이금속 기반의 할로겐 쌍극자 재료인 제1 물질과 제1 물질과 반응하는 금속인 제2 물질을 포함한다. 쌍극자 재료인 제1 물질과 이와 반응하는 제2 물질의 이온화 반응을 통해 전도성 및 투명성을 갖는 제1 전극(160)을 형성할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전극인 제1 전극(160)은 무기 이온 전도막을 형성하여 가시광선 영역에서 80% 이상의 투과율을 가지며 최소의 광흡수를 갖는 효과를 나타낸다.
제1 물질에 포함된 저일함수 금속으로는 4.3eV 미만의 일함수를 갖는 금속일 수 있다. 상세하게는 1족, 2족, 란탄계 금속으로, Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra, La, Yb, Lu, Tm, Ce, Pr, Nd 등의 금속일 수 있다.
이러한 저일함수 또는 전이금속 기반의 할로겐 쌍극자로는 이원계 무기 쌍극자, 삼원계 무기 쌍극자 또는 사원계 무기 쌍극자일 수 있으며, 예로 제1 물질은 LiAg4I5, NaAg4I5, KAg4I5, RbAg4I5, CsAg4I5, LiCu4I5, NaCu4I5, KCu4I5, RbCu4I5, CsCu4I5, RbYbI3Mg등 일 수 있다.
제2 물질은 제1 물질과 반응할 수 있는 금속으로, 상세하게는 전이금속일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전극(160)을 이루는 제1 물질과 제2 물질은 단일층으로 형성되거나, 제1 물질 및 제2 물질을 포함한 2층 이상의 구조로 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(160)은 RbI와 Mg 또는 RbI와 Yb가 적층된 2층 구조이거나, CuI와 Ag, RbI가 순차적으로 적층된 3층 구조일 수도 있다.
제1 전극(160)이 2층 이상의 구조로 형성되는 경우, 제2 물질인 금속의 두께가 제1 물질인 무기 쌍극자 물질의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직하다. 제2 물질인 금속이 제1 물질인 무기 쌍극자 물질보다 두껍게 증착되는 경우, 면저항이 현저히 낮아져 투명성이 향상된 효과를 나타낸다. 이에 대한 효과는 도 4를 통해 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자에서 전극의 면저항을 나타내는 그래프이다.
상세하게는, 제1 전극(160) 및 제2 전극(180)을 저일함수 금속인 Yb 및 할로겐 쌍극자 물질인 RbI를 각각 40nm, 5nm로 증착한 경우 35.81 Ω/□의 면저항을 나타내고, 저일함수 금속인 Mg 및 할로겐 쌍극자 물질인 RbI를 각각 40nm, 5nm로 증착한 경우 5.325 Ω/□의 낮은 면저항을 나타내, 투명성이 우수함을 확인할 수 있었다.
반면, 제1 전극(160) 및 제2 전극(180) 물질로, 단일금속인 Yb를 40nm 증착한 경우의 면저항은 109.4 Ω/□를 나타내, 제1 물질 및 제2 물질의 반응에 의한 투명성 보다 저하됨을 확인하였다.
제1 전극(160)은 스퍼터링(sputtering)법 또는 열증발법으로 쌍극자와 금속을 공증착 등을 이용해서 형성할 수 있다.
제1 전극(160) 위에 정공 수송층(174)이 위치한다. 정공 수송층(174)은 정공 주입층(172)으로부터 전달되는 정공을 원활하게 수송하는 기능을 수행할 수 있다. 정공 수송층(174)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 정공 수송층(174)은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD, MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이때, 정공 수송층(174)의 두께는 15nm 내지 25nm 일 수 있다. 바람직하게는, 정공 수송층(174)의 두께는 20nm일 수 있다. 본 실시예에서 설명한 정공 수송층(174)을 변형하여 정공 수송층(174)에 정공 주입 물질을 포함하여 정공 수송/주입층을 단일층으로 형성할 수도 있다.
정공 수송층(174) 위에 발광층(175)이 위치한다. 발광층(175)은 특정 색을 표시하는 발광 물질을 포함한다. 예를 들어, 발광층(175)은 청색, 녹색 또는 적색과 같은 기본색 또는 이들을 조합하는 색을 표시할 수 있다.
발광층(175)의 두께는 10nm 내지 50nm일 수 있다. 발광층(175)은 호스트와 도펀트를 포함한다. 발광층(175)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.
발광층(175)이 적색을 발광하는 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(175)이 녹색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(175)이 청색을 발광하는 경우, CBP, 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic 를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(175) 위에 전자 수송층(177)이 위치한다. 전자 수송층(177)은 제2 전극(180)으로부터 발광층(175)으로 전자를 전달할 수 있다. 또한, 전자 수송층(177)은 제1 전극(160)으로부터 주입된 정공이 발광층(175)을 통과하여 제2 전극(180)으로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 전자 수송층(177)은 정공 저지층의 역할을 하여, 발광층(175)에서 정공과 전자의 결합을 돕는다.
이때, 전자 수송층(177)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송층(177)은 Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
전자 수송층(177) 위에 전자 주입층(179)이 위치한다. 전자 주입층(179)은 제2 전극(180)으로부터 전자 수송층(177)으로의 전자 주입을 개선하는 역할을 한다.
본 발명의 일 실시에에 따른 전자 주입층(179)는 저일함수 금속 또는 상기 저일함수 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질을 포함한다.
본 실시예에서 전자 주입층(179)에 포함된 저일함수 금속은 4.3eV 미만의 일함수를 갖는 금속일 수 있다. 상세하게는 1족, 2족, 란탄계 금속으로, Li, Na, K, Rb, Cs, Fr, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra, La, Yb, Lu, Tm, Ce, Pr, Nd 등의 금속일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 전자 주입층(179)은 이러한 저일함수 금속에 할로겐 원소인 F, Cl, Br, I이 결합된 쌍극자 물질일 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 전자 주입층은 이후 수행될 무기 이온 투명 전도체인 제2 전극(180) 형성에 영향을 주지 않는 물질을 포함하여, 제2 전극(180)과 반응하지 않고 전자주입이 원활하도록 돕는다.
전자 주입층(179)을 이루는 저일함수 금속과 저일함수 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질을 공증착하여 단일층으로 형성하거나, 저일함수 금속 및 저일함수 금속 기반의 할로겐 물질을 포함한 2층의 구조로 형성할 수 있다.
전자 주입층(179)은 스퍼터링(sputtering)법 또는 공증착 등을 이용해서 형성할 수 있다.
전자 주입층(179) 위에 제2 전극(180)이 위치한다. 제2 전극(180)이 캐소드일 경우에는 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시에에 따른 제2 전극(180)은 앞서 설명한 제1 전극(160)과 마찬가지로 투명 전극이다.
본 실시예에 따른 제2 전극(180)의 전자 주입층(179) 상에 위치한다는 점을 제외하고는 앞서 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 제1 전극(160)과 유사하다.
도 3은 도 2의 유기 발광 소자를 일부 변형한 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참고하면, 도 2의 실시예에 따른 유기 발광 소자(LD)에서 정공 주입층(172)이 추가된 구조를 나타낸다. 본 실시예에서 정공 주입층(172)은 정공 수송층(174)과 제1 전극(160) 사이에 위치한다. 정공 주입층(172)은 제1 전극(160)으로부터 정공 수송층(174)으로 정공이 용이하게 주입되도록 한다. 본 실시예에서 정공 주입층(172)은 4.3eV 이상의 일함수를 갖는 금속 또는 비금속과 할로겐이 조합된 쌍극자 물질을 포함할 수 있다. 하지만 정공 주입층(172)은 이에 한정되지 않고 다른 무기 물질 또는 유기 물질로 형성할 수도 있다.
4.3eV 이상의 일함수를 갖는 금속 또는 비금속은 Ag, Au, B, Be, C, Co, Cr, Cu, Fe, Hg, Ir, Mo, Nb, Ni, Os, Pd, Pt, Re, Rh, Ru, Sb, Se, Si, Sn, Ta, Te, Ti, V, W 및 Zn 을 포함하는 그룹에서 선택된 하나의 원소일 수 있다.
이상에서 설명한 차이점 외에 도 2에서 설명한 내용은 도 3의 실시예에 적용할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극을 나타낸 사진이다. 앞서 설명한 것처럼, 제1 전극(160) 및 제2 전극(180)을 반투과 금속을 대신하여, 저일함수 금속 또는 전이금속 기반의 쌍극자 재료인 제1 물질과 이와 반응하는 금속인 제2 물질의 이온화 반응을 통해 투명 전극을 형성한다.
상세하게는 도 5의 왼쪽 사진은 제1 전극(160) 물질로 저일함수 금속인 Yb 및 할로겐 쌍극자 물질인 RbI를 각각 40nm, 5nm로 증착한 경우 투명전극 사진이며, 오른쪽 사진은 제1 전극(160) 물질로, 저일함수 금속인 Mg 및 할로겐 쌍극자 물질인 RbI를 각각 40nm, 5nm로 증착한 경우의 투명전극 사진이다.
도 4 및 도 5를 참고하면, 본 실시예에서의 투명 전극은 낮은 면저항을 나타내어 그 투명성이 우수한 바 유기 발광 표시 장치뿐 아니라, 광학 필터, 전자차폐제, 태양전지, 액정 표시 장치, 터치스크린, 휴대폰용 EL(electroluminescence) 키패드 등에 적용할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
160 제1 전극 172 정공 주입층
174 정공 수송층 175 발광층
177 전자 수송층 179 전자 주입층
180 제2 전극

Claims (16)

  1. 서로 마주하는 제1 전극 및 제2 전극,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층 및
    상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 전자 주입층을 포함하고,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 1족, 2족, 란탄계 금속, 전이 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질인 제1 물질 및 상기 제1 물질과 반응하는 금속인 제2 물질을 포함하는 유기 발광 소자.
  2. 제1항에서,
    상기 전자 주입층은 1족, 2족, 란탄계 금속 또는 상기 1족, 2족, 란탄계 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질을 포함하는 유기 발광 소자.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 물질은 이원계 무기 쌍극자, 삼원계 무기 쌍극자 또는 사원계 무기 쌍극자 물질인 유기 발광 소자.
  4. 제2항에서,
    상기 전자 주입층은 복수의 층으로 형성된 구조이고,
    상기 복수의 층 각각은 1족, 2족, 란탄계 금속 및 상기 1족, 2족, 란탄계 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자.
  5. 제2항에서,
    상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 단일층을 형성하는 유기 발광 소자.
  6. 제2항에서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 복수의 층으로 형성된 구조이고,
    상기 복수의 층 각각은 상기 제1 물질 및 제2 물질 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자.
  7. 제6항에서,
    상기 제2 물질의 두께가 제1 물질의 두께보다 더 두꺼운 유기 발광 소자.
  8. 제2항에서,
    상기 발광층과 상기 전자 주입층 사이에 위치하는 전자 수송층 및 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 정공 수송층을 더 포함하고,
    상기 정공 수송층과 상기 전자 수송층은 유기 물질을 포함하는 유기 발광 소자.
  9. 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 게이트선,
    상기 게이트선과 교차하는 데이터선 및 구동 전압선,
    상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되는 스위칭 박막 트랜지스터,
    상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 구동 전압선과 연결되는 구동 박막 트랜지스터 및
    상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되는 유기 발광 소자를 포함하고,
    상기 유기 발광 소자는
    서로 마주하는 제1 전극 및 제2 전극,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층 및
    상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 전자 주입층을 포함하고,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 1족, 2족, 란탄계 금속, 전이 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질인 제1 물질 및 상기 제1 물질과 반응하는 금속인 제2 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 전자 주입층은 1족, 2족, 란탄계 금속 또는 상기 1족, 2족, 란탄계 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질로 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제9항에서,
    상기 제1 물질은 이원계 무기 쌍극자, 삼원계 무기 쌍극자 또는 사원계 무기 쌍극자 물질인 유기 발광 표시 장치.
  12. 제10항에서,
    상기 전자 주입층은 복수의 층으로 형성된 구조이고,
    상기 복수의 층 각각은 1족, 2족, 란탄계 금속 및 상기 1족, 2족, 란탄계 금속 기반의 할로겐 쌍극자 물질 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제10항에서,
    상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 단일층을 형성하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제10항에서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 복수의 층으로 형성된 구조이고,
    상기 복수의 층 각각은 상기 제1 물질 및 제2 물질 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 제2 물질의 두께가 제1 물질의 두께보다 더 두꺼운 유기 발광 표시 장치.
  16. 제9항에서,
    상기 발광층과 상기 전자 주입층 사이에 위치하는 전자 수송층 및 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 정공 수송층을 더 포함하고,
    상기 정공 수송층과 상기 전자 수송층은 유기 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180049322A (ko) * 2016-10-31 2018-05-11 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 표시 장치
KR20190034381A (ko) * 2017-09-22 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102392044B1 (ko) * 2015-06-15 2022-04-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102511544B1 (ko) * 2015-11-20 2023-03-17 삼성디스플레이 주식회사 광전 소자 및 이의 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677572A (en) * 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
JP2008007785A (ja) * 2002-08-23 2008-01-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料
KR20110057008A (ko) * 2009-11-23 2011-05-31 주식회사 엘지화학 신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 전자 소자
JP2012059709A (ja) * 1999-02-12 2012-03-22 Cambridge Display Technol Ltd オプトエレクトロニクスデバイス
US20130001532A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101182447B1 (ko) 2010-06-16 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102091393B1 (ko) 2012-01-16 2020-03-23 메르크 파텐트 게엠베하 유기 금속 착물

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677572A (en) * 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
JP2012059709A (ja) * 1999-02-12 2012-03-22 Cambridge Display Technol Ltd オプトエレクトロニクスデバイス
JP2008007785A (ja) * 2002-08-23 2008-01-17 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料
KR20110057008A (ko) * 2009-11-23 2011-05-31 주식회사 엘지화학 신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 전자 소자
US20130001532A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180049322A (ko) * 2016-10-31 2018-05-11 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 표시 장치
KR20190034381A (ko) * 2017-09-22 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치

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