KR20190014118A - 패턴 배치 및 패턴의 크기의 측정을 위한 장치 및 방법 그리고 이들의 컴퓨터 프로그램 - Google Patents

패턴 배치 및 패턴의 크기의 측정을 위한 장치 및 방법 그리고 이들의 컴퓨터 프로그램 Download PDF

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Abstract

반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 배치 및/또는 에지 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하기 위한 장치 및 방법이 개시된다. 검출을 위한 적어도 하나의 소스 및 적어도 하나의 할당된 검출기가 기판 상의 패턴의 위치를 측정하는데 사용된다. 이동 가능한 스테이지를 이용하여, 기판은 검출이 진행되는 동안에 이동된다. 변위 측정 시스템은 이동하는 동안에 이동 가능한 스테이지의 위치를 결정한다. 컴퓨터는 스테이지의 이동 동안에 유도된 트레이스 라인을 따라 적어도 하나의 검출기의 검출된 신호를 스테이지의 실제 위치와 상관시키기 위해 사용된다.

Description

패턴 배치 및 패턴의 크기의 측정을 위한 장치 및 방법 그리고 이들의 컴퓨터 프로그램
본 발명은 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하기 위한 장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하는 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하기 위한 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 매체 상에 배치된 컴퓨터 프로그램 제품에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 장치, 방법, 및 컴퓨터 프로그램 제품은 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 에지 배치를 측정하기 위해 보다 일반적으로 제공되며; 에지 배치를 측정하는 것은 패턴의 두 에지 사이의 거리가 패턴의 크기와 관련되고 패턴의 에지의 위치가 패턴의 위치를 규정하므로, 패턴 배치 및 패턴 크기를 측정하는 것을 포함한다.
각각의 사용 사례들(예를 들어, 오버레이 계측(metrology), 패턴 배치 계측, 및 임계 치수(CD) 계측)을 목표로 하는 몇몇 종래 기술 방법이 있다.
오버레이 계측은 주로 광학 이미징 또는 스캐터로메트리에 기초한다. 케이엘에이-텐코 주식회사(KLA-Tencor Corporation)의 ARCHER 시리즈는, 광학 오버레이 제어에 사용될 수 있다. ARCHER 시리즈의 제품의 기계적, 전기적, 및 광학적 셋업(set-up)은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된다.
패턴 배치 계측은 일반적으로 레티클에서만 사용되므로, 정확한 스테이지 위치 계측 및 광학 이미징을 결합한다. 패턴 배치 계측은 케이엘에이-텐코 주식회사의 IPRO 시리즈에 의해 수행될 수 있다. IPRO 시리즈의 제품의 기계적, 전기적, 및 광학적 셋업은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된다.
CD 계측은 예를 들어 온-타겟 및 디바이스 패턴 SEM 이미징에서 주사 전자 현미경(SEM)으로 수행될 수 있다. CD 계측은 예를 들어, 케이엘에이-텐코(KLA-Tencor)의 IPRO 계측 툴을 사용하여 수행될 수도 있다.
케이엘에이-텐코 주식회사의 테론(TERON) 시리즈는, 193nm 파장의 레티클 검사 시스템을 제공한다. TERON 시리즈는 개발 및 제조 과정에서 광학 및 EUV 레티클의 포토마스크 결함 검사를 위해 설계된다. 테론(TERON) 시리즈의 제품은 그 전체가 본 명세서에 참고로 포함된다.
국제 출원일이 2013년 9월 24일인 국제 특허 출원 PCT/US13/69138은 모델 기반 등록 및 임계 치수 측정을 수행하기 위한 방법 및 시스템을 개시한다. 측정 사이트의 적어도 하나의 시뮬레이션된 이미지가 생성된다. 컴퓨터 모델의 적어도 하나의 파라미터는, 시뮬레이션된 이미지와 광학 이미지 간의 불일치를 최소화하도록 조정된다. 시뮬레이션된 이미지와 광학 이미지 간의 불일치가 최소화될 때 컴퓨터 모델의 패턴 등록 파라미터 또는 임계 치수 파라미터가 보고된다.
2012년 8월 21일에 발행되고 본 명세서에 참조로 포함된 미국 특허 US 제8,248,618호는 패턴 배치 계측에 대한 하나의 예를 개시한다. 이 방법은 레티클에만 적합하며, 정확한 스테이지 위치 계측 및 광학 이미징을 결합한다. 이 방법은 X-좌표 방향 및 Y-좌표 방향으로 이동 가능한 측정 테이블을 포함하는 계측 툴에서 구현된다. 제1 강도 프로파일은 X-좌표 방향에 평행한 제1 측정 방향을 따라 기록된다. 제2 강도 프로파일은 Y-좌표 방향에 평행한 제2 측정 방향을 따라 기록된다. 계측 툴의 좌표계에 대한 무게 중심의 2 차원 위치는, 제1 강도 프로파일 및 제2 강도 프로파일로부터 결정된다.
2010년 3월 9일에 발행되고 본 명세서에 참고로 포함된 미국 특허 US 제7,675,633호는 CD 계측에 대한 하나의 가능한 방법을 개시한다. 측정 방법은 기판 상의 적어도 하나의 구조물을 측정하는데 사용되며, 여기서 측정은 구조물의 위치 및/또는 폭을 포함한다.
또한, 미국 특허 제8,582,113호, 미국 특허 제8,352,886호, 또는 미국 특허 제7,823,295호와 같은 몇몇 다른 미국 특허는, 마스크 상의 구조물들의 위치를 결정하기 위한 디바이스 또는 방법을 개시한다.
종래 기술의 방법은 다소 정적인 접근법을 사용한다. 광학 이미징은 해상도가 제한적이다. 온-디바이스 패턴 CD 및 등록 계측은, 특정 작은 피처 크기의 대비의 누락으로 인해 큰 문제가 된다. CD-SEM 계측은 측정될 위치로 지향되는 전자 빔을 사용한다. 물리적으로 패턴에 영향을 미치거나 부정확한 계측을 초래할 수 있는 충전 및 손상 영향이 발생할 수 있다.
본 발명의 목적은, 패턴의 위치 및 크기, 또는 패턴의 적어도 하나의 에지의 위치를 반도체 산업을 위한 기판의 표면에서 측정하도록 설계된 장치를 제공하는 것이며, 이러한 측정은 높은 정밀도와 정확도로 매우 신속하게 수행될 수 있다.
상기 목적은 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 배치 및/또는 패턴의 크기 및/또는 패턴의 적어도 하나의 에지의 위치의 측정을 위한 장치에 의해 달성된다. 상기 장치는 검출을 위한 적어도 하나의 소스 및 검출을 위한 적어도 하나의 소스에 할당된 적어도 하나의 검출기를 갖는다. 이동 가능한 스테이지는 기판을 유지하고 선택된 트랙 곡선을 따른 상대 이동을 제공한다. 상대 이동은, 한편으로는, 검출을 위한 적어도 하나의 소스 및 할당된 검출기와, 다른 한편으로는 기판의 표면과의 사이에서 행해진다. 변위 측정 시스템은, 이동 가동한 스테이지의 이동 동안에 검출을 위한 소스 및 상기 할당된 검출기에 대한 이동 가능한 스테이지의 실제 위치들을 결정하도록 구성된다. 이 정보로부터, 추적 라인이 유도된다. 최종적으로, 상기 유도된 추적 라인을 따른 적어도 하나의 검출기의 검출된 신호들을 스테이지의 이동 중에 스테이지의 실제 위치들과 상관시키기 위해, 적어도 하나의 데이터 처리 디바이스가 할당된다. 데이터 처리 디바이스는 예를 들어 하나 또는 여러 개의 인쇄 회로 기판 상에, 예를 들어 이에 한정되지 않고 위치된 집적 회로(IC) 또는 다른 특수 하드웨어의 전용 배열일 수 있거나, 예를 들어 하나 또는 복수의 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA), 또는 하나 또는 복수의 퍼스널 컴퓨터, 워크스테이션, 메인프레임 컴퓨터, 이들 온-사이트 또는 원격. 또는 클라우드 기반 데이터 처리 시스템 모두를 포함하는 임의의 추가의 적합한 데이터 처리 디바이스일 수 있다. 복수의 컴퓨터의 경우, 이들은 본 발명의 방법, 장치, 및 컴퓨터 프로그램 제품과 관련하여 컴퓨터에 의해 수행되는 작업을 공유할 수 있으며, 하나의 사이트에 위치되거나 복수의 사이트들 간에 분산될 수 있다. 다음에서는, 모든 유형의 데이터 처리 디바이스는 컴퓨터라는 용어로 지칭된다.
본 발명의 또 다른 목적은, 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴의 위치 및/또는 패턴의 크기 및/또는 패턴의 적어도 하나의 에지의 위치를 측정하는 방법을 제공하는 것이며, 여기서 패턴 배치의 측정은 높은 정밀도 및 정확도로 매우 신속하게 수행된다.
상기 목적은 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴(또는 에지) 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하는 방법에 의해 달성되는데, 상기 방법은,
a. 검출을 위한 적어도 하나의 소스 및 적어도 하나의 할당된 검출기와 상기 기판의 표면 사이의 상대 이동이 지향되는 적어도 하나의 원하는 트랙 곡선을 생성하기 위한 데이터 준비를 수행하는 단계;
b. 이동 가능한 스테이지의 이동 중에 기판의 패터닝된 표면으로부터의 검출기 신호들의 측정 데이터를 반복적으로 평가하고, 이동 가능한 스테이지의 이동을 병렬로 모니터링하는 단계;
c. 추적 라인을 따라 상기 측정 데이터로부터 측정된 프로파일을 생성하는 단계 - 상기 측정된 프로파일은 상기 기판의 표면 상의 상기 패턴의 측정된 배치를 나타냄 - ;
d. 패터닝된 표면 상의 에지의 위치 또는 패턴의 위치, 또는 CD를 결정하기 위해 측정된 프로파일을 평가하는 단계를 포함한다.
패터닝된 표면 상의 에지의 위치 또는 패턴의 위치, 또는 CD를 결정하기 위해 측정된 프로파일을 평가하는 방법의 일 실시예에서, 추가 단계들 즉,
e. 상기 추적 라인을 따라 상기 설계 데이터베이스의 설계 데이터로부터 설계 프로파일을 생성하는 단계; 및
f. 패터닝된 표면 상의 동일한 트레이스 라인을 따라 에지의 위치 또는 패턴의 위치, 또는 CD를 결정하고/하거나 패터닝된 표면 상의 동일한 추적 라인을 따라 배치 에러들 또는 CD 에러를 검출하기 위해, 동일한 추적 라인을 따라 측정된 프로파일과 설계 프로파일을 비교하는 단계
를 수행함으로써 실행된다.
본 명세서에서 측정 데이터를 반복적으로 평가하는 것은, 예를 들어, “스텝 앤 그랩(step and grab)” 접근법을 행할 수 있는 가장 높은 레이트로 출력 데이터를 생성하도록 동작되고 있는 검출기의 감지 엘리먼트(예컨대, 소스가 광을 방출하는 경우의 CCD)와 같이, 이동 가동한 스테이지의 이동 중에 측정 데이터의 연속적 평가 또는 준연속적 평가 모두를 포함하지만, 이에 한정되지는 않으며, 여기서 소스는 트랙 곡선을 따라 별개의 규정된 위치에 위치되고, 측정 데이터는 이들 위치의 각각에 대해 연속적으로 평가된다.
또한 일단 (에지 또는 패턴의) 위치 또는 CD가 결정되면, 위치 결정 에러 또는 CD 에러를 각각 검출하는 것에 대하여, 각각의 위치 또는 CD 양에 대한 의도된 설계 값과 비교한다.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 산업에 대한 기판의 표면 상의 패턴의 위치 및 크기를 측정하는데 사용되는 컴퓨터 프로그램 제품을 제공하는 것이며, 여기서 상기 패턴 배치의 측정 및 분석은, 높은 정밀도과 정확도이 매우 신속하게 수행된다.
상기 목적은 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 및/또는 에지 배치 및/또는 패턴 크기의 측정을 위해 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체 상에 배치된 컴퓨터 프로그램 제품에 의해 달성되며, 상기 컴퓨터 프로그램 제품은 본 발명의 장치에 할당된 컴퓨터를 제어하도록 동작 가능한 컴퓨터 실행 가능한 처리 단계들을 포함한다.
컴퓨터를 사용하여, 적어도 하나의 원하는 트랙 곡선을 생성하기 위해 데이터 준비가 수행되며, 이에 따라 한편으로는, 검출을 위한 적어도 하나의 소스 및 할당된 검출기와, 다른 한편으로는, 기판의 표면과의 사이의 상대 이동이 지향된다. 이동 가능한 스테이지의 이동 중에, 검출기 신호들의 측정 데이터가 반복적으로 평가된다. 검출기 신호들은, 이동 가능한 스테이지의 이동 중에 기판의 패터닝된 표면을 통과하는 검출용 소스로부터 유래한다. 측정 데이터의 평가와 병행하여, 이동 가동한 스테이지의 이동이 모니터링된다. 이동 가능한 스테이지가 소스가 선택된 트랙 곡선을 따라 이동하도록 제어되는 동안에, 이러한 제어는 제한된 정밀도로만 달성될 수 있다. 그러나, 스테이지의 이동은, 더 높은 정밀도로 모니터링될 수 있다. 따라서, 소스의 실제 이동이 선택한 트랙 곡선에서 벗어날 수 있다. 상기 소스의 실제 이동은 본 명세서에서는 추적 라인으로 지칭되는 기판 상의 곡선을 규정한다. 추적 라인을 따른 측정 데이터로부터의 측정된 프로파일이 생성되며, 여기서 측정된 프로파일은 기판의 표면 상의 패턴(또는 에지)의 측정된 배치를 나타낸다. 그 후, 측정된 프로파일은 패터닝된 표면 상의 에지의 위치 또는 패턴의 위치, 또는 CD를 결정하도록 평가될 수 있다. 실시예들에서의 이러한 평가 이전에, 프로파일은 예를 들어 측정 프로세스에서의 비선형 효과에 대한 프로파일을 보정하기 위해 적절하게 전처리될 수 있으며; 또한 프로파일은 다양한 알고리즘들을 사용하여 변형의 대상이 될 수 있다.
일 실시예에서, 추가적으로, 설계 프로파일은 추적 라인을 따라 설계 데이터베이스로부터 취해진 설계 데이터로부터 생성되는데; 즉, 설계 프로파일은 동일한 추적 라인을 따라 측정된 프로파일을 얻는데 사용되지만, 설계 데이터에 대응하는 패턴, 즉 이상적이고 에러가없는 패턴을 얻기 위해 사용되는 측정으로부터 기인하는 프로파일을 나타내는 계산된 프로파일이다. 최종적으로, 컴퓨터는 동일한 추적 라인을 따라 측정된 프로파일과 설계 프로파일을 비교하여, 패터닝된 표면 상의 에지의 위치 또는 패턴의 위치, 또는 CD를 결정하고/하거나 패터닝된 표면 상의 동일한 추적 라인을 따라 배치 에러들 또는 CD 에러들을 검출한다.
본 발명이 기판의 패터닝된 표면에 대한 소스 및/또는 검출기의 위치가 엄격하게 모니터링될 수 있다는 사실에 기초한다. 이러한 방식으로, 검출기에 의해 데이터가 취해진 기판 상의 일 세트의 실제 위치들을 결합하는 라인으로 간주될 수도 있는 추적 라인에 관한 정보가 잘 알려져 있다. 일 실시예에서, 검출용 소스 또는 검출기는 원하는 트랙 곡선으로부터 스테이지의 작은 편차를 보상하기 위해 (예를 들어, 하전된 입자 빔의 경우에 디플렉터 플레이트에 의해) 약간 조정될 수 있다. 이러한 접근법에 의해, 추적 라인을 트랙 곡선에 더 가깝게 가져갈 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 검출을 위한 적어도 하나의 소스는 광 빔이다. 광 빔의 파장 또는 파장 범위는, 기판의 표면 상의 요구되는 분해능 및 패턴 구조물에 따라 선택된다. 예를 들어, 광 빔은 스캐닝 근접장 광학 현미경(SNOM)과 관련하여 사용된다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 검출을 위한 적어도 하나의 소스는 입자 빔이며, 바람직하게는 전자 빔이다. 검출을 위한 적어도 하나의 소스의 추가 실시예는 원자력 현미경(AFM)이다. 본 명세서에서의 AFM은 본 발명의 설명을 위해 사용된 소스/검출기 표현에 포함된다. AFM은 분자간/원자간 힘에 대한 소스로서 볼 수 있는데, 그 팁은 측정될 기판 상의 패턴에 대한 대응물을 제공하고, 대응물과 상기 패턴 사이에 힘이 작용하며, 힘을 결정하고/하거나 팁과 패턴 사이의 거리를 조절(regulate)하는데 사용되는 구성요소들은 검출기로 볼 수 있다.
검출용 소스는 검출을 위한 복수의 소스의 2 차원 배열을 가질 수 있다. 바람직하게는, 검출을 위한 소스의 배열은 선형 어레이 또는 매트릭스형 배열의 형태로 이루어질 수 있다.
본 발명의 장치의 컴퓨터는, 검출용 소스 및 할당된 검출기가 기판에 대한 이동에 있어서 추적 라인을 따라 이동하도록 이동 가능한 스테이지의 이동을 모니터링하도록, 그리고 추적 라인을 따라 적어도 하나의 검출기의 측정 데이터를 수집하도록 구성된다. 컴퓨터는 네트워크를 통해, 적어도 위치 또는 변위 측정 시스템, 이동 가능한 스테이지, 검출용 소스, 및 검출기에 연결된다.
본 발명의 방법에 따르면, 추적 라인은 원하는 트랙 곡선으로부터의 편차로부터 유도된다. 추적 라인에 대한 정보를 얻기 위해, 스테이지의 이동 중에 이동 가능한 스테이지의 이동이 원하는 트랙 곡선을 따라 연속적으로 모니터링된다. 추적 라인은 검출기와 기판의 표면 사이의 상대 이동에 대응한다. 설계 프로파일은 상기 추적 라인을 따르는 설계 데이터로부터 유도된다. 여기에서, 바람직한 실시예들에서, 검출기의 특성, 소스의 특성, 및 기판의 표면 상의 소스와 패턴 사이의 상호 작용의 특성이 고려된다. 보다 일반적으로, 설계 프로파일은 에러 없는 패턴, 즉 소스 및 검출기에 대하여 설계 데이터에 대응하는 패턴의 측정으로부터 초래될 측정된 프로파일에 대응하는 계산된 프로파일이다. 실시예들에서, 본 명세서의 소스 및 검출기도 모델링된다.
바람직한 실시예에 따르면, 이동 가능한 스테이지의 위치 에러의 보정은 검출용 소스 또는 검출기를 조정함으로써 수행된다. 검출용 소스 또는 검출기의 조정은 실시간(on the fly)으로 수행된다.
측정된 프로파일과 설계 프로파일의 비교로부터, 기판 상의 패턴(또는 적어도 하나의 에지, 일반적으로는 복수의 에지)의 위치들 또는 CD가 유도된다. 이것은 컴퓨터에 구현된 알고리즘을 사용하여 행해진다. 적용된 알고리즘은 본질적으로 에지 검출, 임계값 기반 기술, 또는 상관 기반 기술을 위한 알고리즘을 포함한다.
본 발명에 따른 방법의 특정 실시예에서, 측정된 프로파일은 제1 위치에서 얻어질 수 있고, 설계 프로파일과의 비교, 또는 보다 일반적으로는 측정된 프로파일의 평가는, 제2 위치에서 수행될 수 있다. 제1 위치 및 제2 위치는 지리적으로 구별될 수 있다. 예를 들어, 측정된 프로파일을 얻는 것은, 고객에게 서비스로서 제공될 수 있으며; 측정된 프로파일은 관련 추적 라인을 설명하는 데이터와 함께 고객에게 전달될 수 있으며, 설계 프로파일의 생성 및 측정된 프로파일과 설계 프로파일의 비교가 고객에 의해 수행된다. 그러한 경우에, 일반적으로, 측정된 프로파일을 얻고, 측정된 프로파일과 설계 프로파일을 비교하는데 다른 컴퓨터들이 수반될 것이다.
본 발명의 방법의 바람직한 구현예는, 측정된 프로파일이 추적 라인을 따라 설계 데이터를 추적함으로써 생성된 설계 프로파일에 대해 정합된다는 것이다. 이 설계 프로파일은 검출 방식의 물리적 특성을 모델링하기 위해 조정될 수도 있다.
합리적인 정밀도 및 정확도를 달성하기 위해, 추적 라인을 따라 생성된 정보는 예를 들어 1 mm 길이의 블록들로, 또는 세그먼트가 특정 유형의 패턴들을 포함하도록 세그먼트화될 수 있다. 세그먼트 내에서 생성된 모든 위치, CD, 또는 기타 유형의 측정된 정보는, 평균화되어 결과로서 보고될 수 있다. 많은 세그먼트(평균 위치, CD, 또는 기타 결과)의 보고서는 맵을 형성한다. 이 맵은 등록, CD, 오버레이, 측벽 각도 등과 같은 기판에 대한 품질 정보를 유도하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 이점은 여러 가지가 있다. 이동 가능한 스테이지는 항상 원하는 트랙 곡선을 따라 이동할 수 있다. 이렇게 하면, 표면을 매우 높은 처리량으로 샘플링할 수 있다. 추가적으로, 추적 라인을 따라 이동 가능한 스테이지 계측 에러들은 평균화될 수 있다. 또한, (패터닝된 표면 상의) 일부 잘 규정된 정렬 위치에 대한 이동 가동한 스테이지의 정확한 위치는 알려져 있다. 실시간으로(on the fly) 데이터를 샘플링하기 때문에, 기판의 표면 상에 증착된 강도/에너지는 종래 방법들의 상태보다 국부적으로 낮다. 이 사실은 더 나은 측정 정확도를 제공한다. 주어진 시간 간격 내에서 취할 수 있는 샘플들의 개수는 종래 기술의 방법보다 본 발명에 따른 방법에 있어서 수십 배 더 높다. 검출을 위한 소스와 함께 입자 빔을 사용할 때, (주어진 영역에서) 증착된 에너지는 종래 기술에 비해 훨씬 더 낮다.
본 발명의 일반적인 목적은, 표면 상의 패턴의 위치 및 크기를 측정하고, 패턴의 의도된 설계와 비교하는 것이다. 반도체 산업에서, 정확한 패턴 배치 및 크기(CD)와 표면 상의 디바이스 패턴 위치에 대한 지식은 매우 중요하다. 본 발명을 이용하여, 패턴 배치를 고정밀도 및 정확도로 매우 신속하게 검출하는 것이 가능하다.
기판의 표면 상의 패턴 배치 및 CD를 매우 조밀하게 측정함으로써, 종래 툴의 상태가 "보이지 않는" 에러 구동기들이 드러날 수 있다. 본 발명은 패터닝된 기판 (온-디바이스 및 온-타겟)을 매우 빠르게 측정할 수 있는 장치를 제공한다. 따라서, 일반적으로 수율 손실(yield loss)로 이어질 중요한 구조 내부의 패턴 배치 및 CD 에러를 검출하는 것이 가능하다. 멀티-빔 기술을 사용할 때 확장성으로 인하여, 인라인, 고해상도, 온-디바이스 (및 온-타겟) 등록, CD 및 오버레이 기술을 제공하는 것이 가능하다.
전술한 일반적인 설명 및 다음의 상세한 설명 모두는 예시적이고 설명적인 것이며, 본 개시 내용을 반드시 제한하는 것은 아니다라고 이해하여야 한다. 본 명세서에 통합되어 그 일부를 구성하는 첨부 도면은, 본 개시 내용의 주제를 예시한다. 함께, 설명 및 도면은 개시의 원리를 설명하는 역할을 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명 및 그 이점을 더 설명한다.
도 1은 기판 상의 패턴의 위치 및/또는 폭(CD)을 결정하기 위한 종래 기술의 방법의 개략적인 흐름도이다.
도 2는 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하기 위한 장치의 하나의 선택된 실시예의 개략도이다.
도 3은 검출을 위한 복수의 소스를 어레이로 배열하는 실시예의 개략도이다.
도 4는 효율적이고 덜 시간 소모적인 방식으로 기판 상의 패턴의 위치 및/또는 폭(CD)을 결정하기 위한 본 발명의 방법의 실시예의 개략적인 흐름도이다.
도 4a는 효율적이고 덜 시간 소모적인 방식으로 기판 상의 패턴의 위치 및/또는 폭(CD)을 결정하기 위한 본 발명의 방법의 또 다른 실시예의 개략적인 흐름도이다.
도 5는 마스크의 표면을 가로지르는 트랙 곡선을 도시하는 마스크의 개략적인 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 직사각형의 확대도이다.
도 7a는 표면을 가로지르는 경로를 따라 검출기에 의해 규정되는 추적 라인의 개략도이다.
도 7b는 기판의 표면을 가로질러 이동하는 동안 검출기에 의해 포착된 신호로부터 유도된 측정된 프로파일이다.
도 8a는 표면을 가로지르는 추적 라인의 경로를 따라 설계 데이터로부터 평가된 추적 라인의 개략도이다.
도 8b는 추적 라인을 따라 설계 데이터를 추적함으로써 생성된 설계 프로파일이다.
도면에서, 동일한 참조 번호는 동일한 기능을 하는 유사한 요소 또는 요소들에 대해 사용된다. 또한, 명료함을 위해, 각 도면을 설명하는데 필요한 참조 번호만이 도면에 도시되어 있다.
본 발명의 제품은 포토 리소그래피 마스크 또는 반도체 웨이퍼 상에 패턴의 위치를 등록하도록 설계되지만 등록이 제한되지는 않는다. 다음에서는, 그러한 시스템만 가정하지만, 이 프로세스는 다른 시스템 유형에도 적용된다.
도 1은 종래 기술 방법의 개략적인 흐름도이다. 이동 가능한 스테이지는 패터닝된 표면(기판)을 검출용 소스 아래에 배치하는데 사용된다. 검출용 소스는 기판 상의 패턴(위치 또는 폭)을 측정하는 검출기를 사용한다. 종래 기술의 하나의 일반적인 예는 데이터 준비 동안에 설계 데이터베이스(10)로부터 측정될 패턴들의 측정 좌표(11)를 추출한다. 측정 좌표(11)는 측정될 패턴의 설계 데이터를 나타낸다. 설계 데이터베이스(10)는 기판 상의 패턴의 설계 좌표를 보유한다(도 2 참조). 다음으로, 이동 가동한 스테이지(도 2 참조)의 스테이지 위치 결정(12)이 개시된다. 이동 가능한 스테이지는 원하는 설계(패턴)에 가능한 가깝게 위치된다. 또한, 이동 가동한 스테이지는 스테이지의 의도하지 않은 이동을 피하도록 제어된다. 다음으로, 패턴의 설계 데이터(위치 또는 폭)와 패턴의 측정 데이터(위치 또는 폭) 사이의 편차를 결정하기 위해 측정 단계(13)가 수행된다. 측정 단계(13)의 결과(14)는 패턴의 설계 데이터와 패턴의 측정 데이터 사이의 편차를 알기 위하여 보고된다.
일반적으로, 스테이지 제어의 정확도와 정밀도는 검출기 정확도와 정밀도보다 나쁘다. 이와 같이, 측정(13)은 스테이지 위치 결정 시스템에 의해 제한된다.
도 2는 반도체 산업을 위한 기판(2)의 표면(4) 상에 패턴(3)의 배치 및/또는 크기를 측정하기 위한 장치(1)의 선택된 일 실시예의 개략도를 도시한다. 장치(1)는 검출을 위한 적어도 하나의 소스(5); 적어도 하나의 검출기(6)가 검출을 위한 적어도 하나의 소스(5)에 할당된다. 이러한 검출용 소스(5)는 검출용 소스(5)와 기판(2)의 표면(4) 사이에서 상대적인 스캐닝 이동을 수행하는 임의의 장치에 할당될 수 있다. 검출용 소스(5)는 예를 들어 스캐닝 근접장(near-field) 광학 현미경, 전자 빔 시스템, 또는 원자력 현미경(atomic force microscope; AFM)에 기초할 수 있다. 검출용 소스(5)는 하나의 가능한 실시예에 따라 선형 어레이(도 3 참조)로 배열될 수 있는 복수의 검출용 소스(5)를 포함할 수도 있다. 검출용 소스(5)의 배열의 또 다른 실시예(도시되지 않음)는 임의의 형상의 매트릭스 형태의 배열이다. 측정 셋업의 조정 목적을 위해, 여기에 도시된 실시예에서, 필요하다면, 검출용 소스(5)는 Z-좌표 방향(Z)을 따라 이동될 수 있다. 선택적으로, 또는 부가적으로, 조정 목적을 위해 기판(2)은 또한 Z-좌표 방향(Z)을 따라 이동될 수 있다. 여기에 도시된 실시예에서, 스캐닝 근접장 광학 현미경을 위한 조명 빔(8)은 검출용 소스(5)로부터 유래한다. 조명 빔(8)은 검사 축(9)을 따라 기판(2)의 표면(4) 위로 포커싱된다. 여기에서 Z-좌표 방향(Z)을 따른 이동을 필요로 하는 조정 목적은 검출기 팁(6A)의 조정을 포함한다. 상이한 실시예들에서, 특히 입자 빔들을 사용할 때, 포커싱은 물론, Z-좌표 방향(Z)을 따라 소스 또는 기판의 이동을 요구하지 않는 수단을 포함하는 다른 수단에 의해 달성될 수 있다.
이하의 설명에서, 검출용 단일 소스(5)가 가정되지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다. 검출기(6)와 조합된 검출용 소스(5)는 기판(2)의 표면(4)(예를 들어, 포토리소그래피 마스크, 반도체 웨이퍼) 상의 패턴(3)의 위치 및/또는 폭(CD)을 측정하는데 사용된다. X-좌표 방향(X) 및 Y-좌표 방향(Y)를 따라 상대 이동을 얻기 위해, 기판(2)은 이동 가능한 스테이지(20) 상에 배치된다. 쉽게 제어 가능한 이동을 허용하기 위해, 이동 가능한 스테이지(20)는 매우 낮은 마찰을 갖는 베어링(21)을 사용한다. 이동 가동한 스테이지(20)는 테이블 블록(25)의 상부에 사용된다. 테이블 블록(25)의 표면(25A)은 매우 평평하다. 외부 진동에 대해 장치(1)를 안정화시키기 위해, 테이블 블록(25) 및 모든 다른 필요한 구성요소들은 진동 격리 시스템(26) 상에 놓인다. 또한, 특히, 사용된 소스 및 검출기에 따라, 전체 장치 또는 경우에 따라 소스 및 검출기만이 진공 챔버 내에 위치될 수 있다.
검출용 소스(5) 및 검출기(6)에 대한 이동 가능한 스테이지(20)의 정확한 위치는 정밀하고 정확한 위치 또는 변위 측정 시스템(24)(예를 들어, 적어도 하나의 광 빔(23)을 사용하는 것에 기초한 간섭계)을 사용하여 모니터링된다. 위치 또는 변위 측정 시스템(24)이 간섭계 기반 시스템인 경우에, 간섭계는 이동 가능한 스테이지(20)의 위치를 측정한다. 간섭계에 대한 참조로서, 고정된 미러(7)는 검출용 소스(5) 및 검출기(6)에 장착된다. 따라서, 검출용 소스(5), 검출기(6), 및 이동 가동한 스테이지(20) 사이의 상대 이동이 검출될 수 있다. 일부 실시예에서, 변위 측정 시스템(24), 예를 들어 간섭계는, 이동 가동한 스테이지(20)의 위치뿐만 아니라 이동 가동한 스테이지(20)의 속도를 측정한다. 그 후, 속도 값은 이동 가능한 스테이지(20)의 위치 측정의 정확도를 향상시키는데 사용된다. 다른 실시예에서, 변위 측정 시스템(24)은 또한 적어도 하나의 인코더를 포함한다. 이러한 인코더는 이동 가동한 스테이지(20)의 위치 및/또는 속도를 측정하는데 사용될 수 있다.
컴퓨터(22)는 위치 또는 변위 측정 시스템(24); 이동 가동한 스테이지(20), 검출용 소스(5), 및 검출기(6)의 이동을 위한 제어 장치(도시되지 않음)에 연결된다. 검출용 소스(5)의 검출기(6)로부터의 신호는, 검출용 소스(5)와 기판(2)의 패터닝된 표면(4) 사이의 상대 이동 동안에 추적 라인(42)(도 6 참조)을 따라 취해진다. 신호는 컴퓨터(22)를 사용하여 평가된다. 당업자는 컴퓨터가 원격 컴퓨터로서 구성될 수 있고, 장치로부터 및 장치로의 데이터가 네트워크(무선 또는 유선)를 통해 전송될 수 있음을 알 수 있다. 추적 라인(42)을 따른 패턴(3)의 정확한 위치는 특정의 측정 프로파일(45)을 생성한다(도 7 참조). 패턴(3)의 위치는 측정된 프로파일(45)로부터 유도된다. 이를 달성하기 위해, 다양한 알고리즘이 컴퓨터(22)에 적용될 수 있다. 이러한 알고리즘의 예로는 에지 검출, 임계값 기반 기술, 또는 상관 기반 기술이 있다. 그러나, 본 발명은 여기에 열거된 알고리즘들로 제한되지 않는다.
매우 정확한 위치 또는 변위 측정 시스템(24)과 스캐닝 검출기(6)(트랙 곡선(50)을 따라 이동 가능함)의 조합은, 본 발명의 발명 아이디어이다. 매우 정확한 위치 또는 변위 측정 시스템(24)은 패터닝된 기판(2)의 표면(4)을 따라서 추적 라인(42)을 따라 측정된 프로파일(45)(검출된 프로파일)의 등록을 허용한다.
도 3은 검출용 소스(5)의 실시예의 개략도를 도시한다. 여기서, 검출을 위한 복수의 개별 소스들(51, 52, ..., 5N)은 선형 어레이(30)의 형태로 배열된다. 여기에 도시된 실시예에서, 검출을 위한 개별 소스들(51, 52, ..., 5N)은 공통 캐리어(31) 상에 장착된다. 검출을위한 개별 소스들(51, 52, ..., 5N)의 각각은 할당된 검출기(6)를 갖는다. 도 3에 도시된 배열은 하나 이상의 추적 라인(42)을 따라 패턴(3)의 위치를 결정하게 한다. 다양한 추적 라인(42)에서의 패턴(3)의 위치는, 개별 추적 라인(42)의 측정된 프로파일(45)로부터 검출된다. 상이한 실시예들에서, 복수의 소스가 공통의 검출기와 관련하여 사용될 수 있거나, 복수의 검출기가 단일의 소스에 할당될 수 있다. 복수의 소스를 나타내는 실시예가 또한 고려될 수 있고, 여기서는 적어도 2개의 소스가 각각 그들에 할당된 검출기의 수에 대하여 상이하다.
본 발명의 방법은 도 4의 흐름도에 의해 예시된다. 본 발명은 이동 가동한 스테이지(20)의 제어에 대한 요구 사항을 완화시키고, 이동 가동한 스테이지(20)의 이동을 엄격하게 모니터링함으로써 측정 성능을 향상시킨다. 본 발명의 방법은 복수의 단계들에 의해 구현된다. 기판(2)의 표면(4) 상의 패턴(3)의 위치의 측정이 시작되기 전에, 데이터 준비가 수행된다. 적어도 하나의 원하는 트랙 곡선의 생성 단계(40)가 수행된다. 원하는 트랙 곡선은 예를 들어 기판(2)의 설계 데이터로부터 생성된다. 이 생성 단계(40)는 또한 평가 프로세스를 나중에 가속화하기 위해 일부 사전 계산을 포함할 수 있다. 생성 단계(40) 후에, 본 발명의 방법은 측정 단계(13) 및 단계 모니터링 단계(41)를 병렬로 수행한다. 측정 단계(13)에 있어서, 연속적인 측정 프로세스는, 실제 추적 라인(42)을 생성하도록, 스테이지 모니터링 단계(41)에 의해 원하는 트랙 곡선으로부터의 편차를 모니터링하면서, 이동 가능한 스테이지(20)를 원하는 트랙 곡선(50)을 따라 이동시킴으로써 수행된다. 스캔(적어도 하나의 검출용 소스(5)와 이동 가능한 스테이지(20) 사이의 상대 이동)의 추적 단계(43)에서, 예상 신호가 생성된다. 여기에 도시된 본 발명의 방법의 실시예에서, 설계 프로파일(44)은 (예를 들어, 검출기(6)의 특성을 모델링함으로써) 추적 라인(42)을 따라 설계 데이터(설계 데이터베이스(10))로부터 추출된다. 측정 단계(13)로부터, 기판(2)의 표면(3) 상에 패턴(4)의 측정된 배치를 나타내는 측정된 프로파일(45)이 얻어진다. 결과(14)는 측정 프로파일(45)(예를 들어, CD 또는 위치)로부터 설계 프로파일(44)의 편차에 대한 정보를 제공한다. 결과(14)는 비교 단계(46)에 의해 얻어진다. 여기서, 측정된 프로파일(45)은 다양한 알고리즘(예를 들어, 에지 검출 또는 상관)을 사용하여 설계 프로파일(44)(예상된 프로파일)과 비교된다.
본 발명은 이동 가동한 스테이지(20)의 위치가 제어될 수 있는 것 보다 훨씬 양호하게 모니터링될 수 있다는 사실을 이용한다. 이러한 방식으로, 추적 라인의 정확도 및 정밀도는 이동 가능한 스테이지(20)의 위치 또는 변위 측정 시스템(24)의 성능에 의해서만 제한된다.
종래 기술 방법의 개념과 전술한 바와 같은 본 발명의 방법의 일부 실시예 사이의 하나의 추가적인 차이점은, 설계 프로파일(44)을 생성하기 위하여 설계 데이터베이스(10)를 사용하는 것이다. 종래 기술의 방법은 측정의 준비 중에 설계 데이터베이스(10)를 사용한다. 본 발명의 이들 실시예는 데이터 준비(이는 선택사항임) 및 실제 측정 후에 설계 프로파일(44)(예상된 신호)을 추출하기 위해 설계 데이터베이스(10)를 사용한다.
패터닝된 표면(2)의 매우 넓은 영역에 대한 배치 에러들(등록 계측) 또는 CD 에러들(CD 계측)을 검출하기 위하여, 측정된 프로파일(45)은 추적 라인(42)을 따르는 설계 데이터에 기초하여, 설계 프로파일(44)과 비교된다.
기계적 이동 가동한 스테이지(20)의 위치 에러들의 보정은 검출용 소스(5) 또는 검출기(6)를 조정함으로써 수행된다. 매우 정확한 위치 측정은 실시간으로 검출용 소스(5) 또는 검출기(6)를 조정함으로써 기계적 이동 가능한 스테이지(20) 위치 에러들을 보상하는데 사용될 수 있다.
상이한 실시예들에서, 설계 프로파일(44)은 생성되지 않는다. 그 대신에, 추적 라인(42) 및 추적 라인(42)을 따른 측정된 프로파일(45)을 얻기 위해, 측정 단계(13) 및 스테이지 모니터링 단계(41)가 전술한 바와 같이 사용된다. 그 후, 측정된 프로파일(45)은 패터닝된 표면 상의 에지(14)의 위치 또는 패턴의 위치, 또는 패턴의 크기 또는 CD를 결정하기 위해 평가된다. 이러한 실시예는 또한 도 4a에 도시되어 있다.
도 5는 마스크인 기판(2)의 표면(4)을 가로지르는 트랙 곡선(50)을 도시하는 마스크의 개략적인 평면도이다. 검출용 소스(5) 및 검출기(6)는 기판(2)(마스크)의 표면(4)을 가로 질러 함께 이동된다.
도 6은 도 5에 도시된 직사각형(51)의 확대도이다. 트랙 곡선(50)을 따라, 패터닝된 표면(4)으로부터의 신호들이 샘플링된다. 트랙 곡선(50)은 샘플링이 앵커 포인트(다른 계측 툴에 사용되는 특정 패턴 또는 타겟과 같음) 및 관련 디바이스 패턴(3)을 커버할 수 있는 방식으로 선택된다. 또한, 이는 임의의 각도(예를 들어, X-좌표 방향(X)에서의 측정 및 Y-좌표 방향(Y)에서의 측정)에 대해 충분히 큰 신호를 커버하는 방식으로 설정될 수 있다. 본 발명은 기판(2)의 패터닝된 표면(4)에 대한 검출기(6)의 위치가 엄격하게 모니터링될 수 있다는 사실에 기초한다. 이러한 방식으로, 표면(4)을 따른 추적 라인(42)인 실제 트랙 곡선(50)에 대한 정보는, 잘 알려져 있다. 대안적인 구현예에서, 검출용 소스(5) 또는 검출기(6)는, 원하는 트랙 곡선(50)으로부터의 이동 가능한 스테이지(20)의 작은 편차를 보상하기 위하여 (예를 들어, 도 2를 참조, 검출용 소스(5)로부터 유래된 하전 입자 빔(8)의 경우에서의 디플렉터 플레이트에 의해) 약간 조정될 수 있다.
도 7a는 기판(2)의 표면(4)을 가로지르는 그 경로를 따라 검출기(6)에 의해 규정되는 추적 라인(42)의 개략도이다. 도 7b에서는, 기판(2)의 표면(4)을 가로질러 이동하는 동안에 검출기(6)의 신호로부터 유도되는 측정된 프로파일(45)이 도시되어 있다. 이 신호는 컴퓨터(22)를 사용하여 평가된다. 추적 라인(42)을 따른 패턴(3)의 정확한 위치들은 측정된 프로파일(45)을 생성한다. 패턴(3)의 위치들은 측정된 프로파일(45)로부터 유도된다. 이를 달성하기 위해, 다양한 알고리즘들이 적용될 수 있다. 이러한 알고리즘들의 예로는, 에지 검출, 임계값 기반 기술, 또는 상관 기반 기술이 있다. 그러나, 본 발명은 여기에 열거된 알고리즘들에 제한되지 않는다.
도 8a는 기판(2)의 표면(4)을 가로지르는 추적 라인(42)의 경로를 따라 설계 데이터베이스(10)의 설계 데이터로부터 평가된 추적 라인(42)의 개략도이다. 설계 데이터로부터 유도된 추적 라인(42)은, 측정된 프로파일(45)에 대한 데이터 샘플링 동안에 추적 라인(42)이 통과된 패턴의 동일한 위치를 갖는 패턴(3)의 위치를 통과한다. 도 8b에서, 추적 라인(42)(절단 라인)을 따라 설계 데이터를 추적함으로써 생성되어 있는 설계 프로파일(44)이 도시되어 있다.
바람직한 구현예에서, 측정된 프로파일(45)은 설계 프로파일(44)에 대하여 정합된다. 이러한 설계 프로파일(44)은 검출 방식의 물리적 특성을 모델링하도록 조정될 수도 있다.
합리적인 정밀도 및 정확도를 달성하기 위하여, 추적 라인(42)을 따라 생성된 정보는 예를 들어, 길이가 1 mm인 블록들로, 또는 세그먼트가 특정 유형의 패턴(3)을 포함하도록, 세그먼트화될 수 있다. 세그먼트 내에서 생성된 모든 위치, CD 또는 임의의 다른 유형의 측정 정보는, 비교 단계 46의 결과로서 평균화되고 보고될 수 있다. 많은 세그먼트(평균 위치, CD 또는 기타 결과)의 보고서는 맵을 형성한다. 이 맵은 등록, CD, 오버레이, 측벽 각도 등과 같은 기판(2)에 관한 품질 정보를 유도하는데 사용될 수 있다.
상기 설명에서, 본 발명의 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 복수의 특정 세부 사항들이 주어진다. 그러나, 본 발명의 도시된 실시예에 대한 상기 설명은, 총망라한 것으로 의도되지 않거나 본 발명을 개시된 정확한 형태로 제한하려는 것이 아니다. 관련 기술 분야의 당업자는, 본 발명이 하나 이상의 특정 세부 사항없이, 또는 다른 방법, 구성요소 등으로 실시될 수 있음을 인식할 것이다. 다른 예들에서, 공지된 구조물들 또는 동작들은 본 발명의 모호한 양태들을 피하기 위해 상세히 도시되거나 설명되지 않는다. 본 발명의 특정 실시예 및 일례가 예시적인 목적으로 본 명세서에 설명되었지만, 당업자라면 인식할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 범위 내에서 다양한 균등한 변형이 가능하다.
이러한 변형은 전술한 상세한 설명에 비추어 본 발명에 대해 행해질 수 있다. 다음의 청구 범위에서 사용된 용어는 본 발명을 명세서 및 청구 범위에 개시된 특정 실시예로 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다. 오히려, 본 발명의 범위는 청구 범위 해석에 의해 확립된 교리에 따라 해석되는 다음의 청구 범위에 의해 결정되어야 한다.
1: 장치 2: 기판
3: 패턴 4: 표면
5: 검출용 소스 51, 52, ..., 5N: 검출용 소스
6: 검출기 6A: 검출기 팁
7: 고정된 미러 8: 조명 빔
9: 검사 축 10: 설계 데이터베이스
11: 측정 좌표 12: 스테이지 위치 결정
13: 측정 단계 14: 결과
20: 이동 가능한 스테이지 21: 베어링
22: 컴퓨터 23: 광 빔
24: 위치 또는 변위 측정 시스템 25: 테이블 블록
25A: 표면 26: 진동 격리 시스템
30: 선형 배열 31: 공통 캐리어
40: 생성 단계 41: 스테이지 모니터링 단계
42: 추적 라인 43: 추적 단계
44: 설계 프로파일 45: 측정된 프로파일
46: 비교 단계 50: 트랙 곡선
51: 직사각형 X: X-좌표 방향
Y: Y-좌표 방향 Z: Z-좌표 방향

Claims (22)

  1. 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 배치 및/또는 에지 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하기 위한 장치에 있어서,
    검출을 위한 적어도 하나의 소스와,
    검출을 위해 적어도 하나의 소스에 할당된 적어도 하나의 검출기와,
    상기 기판을 유지하고(holding) 검출을 위한 적어도 하나의 소스 및 상기 할당된 검출기와 상기 기판의 표면 사이에서 선택된 트랙 곡선을 따라 상대 이동을 제공하는 이동 가능한 스테이지와,
    상기 이동 가능한 스테이지의 이동 중에, 상기 검출을 위한 소스 및 상기 할당된 검출기에 대한 상기 이동 가능한 스테이지의 실제 위치를 결정하고 추적 라인을 유도(derive)하기 위한 변위 측정 시스템과,
    상기 스테이지의 이동 동안에 상기 유도된 추적 라인을 따라 상기 적어도 하나의 검출기의 검출된 신호를 상기 스테이지의 실제 위치와 상관시키기 위한 컴퓨터
    를 포함하는 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 배치 및/또는 에지 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 검출을 위한 적어도 하나의 소스는, SNOM(scanning near-field optical microscope)과 관련하여 사용되는 광의 빔인 것인 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 검출을 위한 적어도 하나의 소스는, 원자력 현미경(atomic force microscope; AFM)인 것인 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 검출을 위한 적어도 하나의 소스는 입자 빔인 것인 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 입자 빔은 전자 빔인 것인 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 검출을 위한 적어도 하나의 소스는 검출을 위한 복수의 소스들의 선형 어레이 또는 매트릭스 배열인 것인 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 컴퓨터는, 상기 검출용 소스 및 상기 할당된 검출기가 상기 추적 라인을 따라 이동하도록, 상기 이동 가동한 스테이지의 이동을 모니터링하고 그리고 상기 추적 라인을 따라 상기 적어도 하나의 검출기의 측정 데이터를 수집하도록 구성되는 것인 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 컴퓨터는 적어도 상기 위치 또는 변위 측정 시스템, 상기 이동 가능한 스테이지, 상기 검출용 소스 및 상기 검출기에 네트워크를 통해 연결되는 것인 장치.
  9. 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 배치 및/또는 에지 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하는 방법에 있어서,
    a. 검출을 위한 적어도 하나의 소스 및 할당된 검출기와 기판의 표면 사이의 상대 이동이 지향되는 적어도 하나의 원하는 추적 곡선을 생성하기 위한 데이터 준비를 수행하는 단계와,
    b. 이동 가능한 스테이지의 이동 중에 상기 기판의 패터닝된 표면으로부터의 검출기 신호들의 측정 데이터를 반복적으로 평가하고, 상기 이동 가능한 스테이지의 이동을 병렬로 모니터링하는 단계와,
    c. 추적 라인을 따라 상기 측정 데이터로부터 측정된 프로파일을 생성하는 단계 - 상기 측정된 프로파일은 상기 기판의 표면 상의 상기 패턴의 측정된 배치를 나타냄 - 와,
    d. 상기 패터닝된 표면 상의 에지의 위치 또는 패턴의 위치, 또는 CD를 결정하고/하거나, 상기 패터닝된 표면 상의 동일한 추적 라인을 따라 배치 에러들 또는 CD 에러들을 검출하기 위해 상기 측정된 프로파일을 평가하는 단계
    를 포함하는 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상의 패턴 배치 및/또는 에지 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 단계 d는,
    e. 상기 추적 라인을 따라 상기 설계 데이터베이스의 설계 데이터로부터 설계 프로파일을 생성하는 단계와,
    f. 상기 패터닝된 표면 상의 동일한 추적 라인을 따라 에지의 위치 또는 패턴의 위치, 또는 CD를 결정하고/하거나, 상기 패터닝된 표면 상의 동일한 추적 라인을 따라 배치 에러들 또는 CD 에러들을 검출하기 위하여 상기 동일한 추적 라인을 따라 상기 측정된 프로파일과 상기 설계 프로파일을 비교하는 단계를 수행함으로써 행해지는 것인 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 추적 라인은 상기 원하는 추적 곡선으로부터의 편차들로부터 유도되고, 상기 원하는 추적 곡선을 따른 상기 이동 가능한 스테이지의 이동은, 상기 스테이지의 이동 중에 연속적으로 모니터링되는 것인 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 추적 라인은 상기 검출기와 상기 기판의 표면 사이의 상대 이동에 대응하고, 상기 설계 프로파일은 소스, 검출기, 소스와 패턴 간의 상호 작용 중 적어도 하나의 특성들을 모델링함으로써 상기 추적 라인을 따라 상기 설계 데이터로부터 추출되는 것인 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 이동 가능한 스테이지의 위치 에러들의 보정은, 상기 검출용 소스 또는 상기 검출기를 조정함으로써 수행되고, 상기 검출용 소스 또는 상기 검출기의 조정은 실시간(on the fly)으로 수행되는 것인 방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 기판 또는 CD 상의 상기 에지의 위치 또는 패턴의 위치는, 단계 d에서 컴퓨터에 구현된 알고리즘을 사용하여 유도되고, 상기 알고리즘은 본질적으로 에지 검출을 위한 알고리즘, 임계값 기반 기술, 또는 상관 기반 기술을 포함하는 것인 방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 단계 b 및 단계 c는 제1 위치에서 수행되고, 단계 d는 제2 위치에서 수행되고, 상기 제1 위치 및 상기 제2 위치는 지리적으로(geographically) 구별되는 것인 방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 단계 b 및 단계 c는 제1 위치에서 수행되고, 단계 e 및 단계 f는 제2 위치에서 수행되고, 상기 제1 위치 및 상기 제2 위치는 지리적으로 구별되는 것인 방법.
  17. 반도체 산업을 위한 기판의 표면 상에 패턴의 에지 및/또는 패턴 배치 및/또는 패턴의 크기를 측정하기 위한 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 매체 상에 배치된 컴퓨터 프로그램 제품으로서, 상기 컴퓨터 프로그램 제품은,
    ㆍ 검출을 위한 적어도 하나의 소스 및 할당된 검출기와 상기 기판의 표면 사이의 상대 이동이 지향되는 적어도 하나의 원하는 트랙 곡선을 생성하기 위한 데이터 준비를 수행하고,
    ㆍ 이동 가능한 스테이지의 이동 중에 상기 기판의 패터닝된 표면에서 검출기 신호들의 측정 데이터를 연속적으로 평가하고, 상기 이동 가능한 스테이지의 이동을 병렬로 모니터링하고,
    ㆍ 추적 라인을 따라 상기 측정 데이터로부터 측정된 프로파일을 생성하며 - 상기 측정된 프로파일은 상기 기판의 표면 상의 상기 패턴의 측정된 배치를 나타냄 -,
    ㆍ 추적 라인을 따라 설계 데이터베이스의 설계 데이터로부터 설계 프로파일을 생성하고,
    ㆍ 패터닝된 표면 상의 동일한 추적 라인을 따라 배치 에러들 또는 CD 에러들을 검출하기 위하여 동일한 추적 라인을 따라, 측정된 프로파일과 설계 프로파일을 비교하도록
    적어도 하나의 컴퓨터를 제어하도록 동작 가능한 컴퓨터 실행 가능한 프로세스 단계들을 포함하는 것인 컴퓨터 프로그램 제품.
  18. 제17항에 있어서, 상기 추적 라인은 상기 원하는 트랙 곡선으로부터의 편차들로부터 유도되고, 상기 원하는 트랙 곡선을 따르는 상기 이동 가능한 스테이지의 이동은 상기 스테이지의 이동 중에 연속적으로 모니터링되는 것인 컴퓨터 프로그램 제품.
  19. 제17항에 있어서, 상기 추적 라인은 상기 검출기와 상기 기판의 표면 사이의 상대 이동에 대응하고, 상기 설계 프로파일은, 검출기, 소스, 소스와 패턴 간의 상호 작용 중 적어도 하나의 특성을 모델링함으로써 상기 추적 라인을 따라 상기 설계 데이터로부터 추출되는 것인 컴퓨터 프로그램 제품.
  20. 제17항에 있어서, 상기 이동 가능한 스테이지의 위치 에러들의 보정은, 상기 검출용 소스 또는 상기 검출기를 조정함으로써 수행되고, 상기 검출용 소스 또는 상기 검출기의 조정은, 실시간으로 수행되는 것인 컴퓨터 프로그램 제품.
  21. 제17항에 있어서, 상기 측정된 프로파일과 상기 기판 상의 패턴의 설계 프로파일 위치 또는 CD의 비교로부터, 컴퓨터에 구현된 알고리즘을 사용하여 유도되고, 상기 알고리즘은 본질적으로 에지 검출용 알고리즘, 임계값 기반 기술, 또는 상관 기반 기술을 포함하는 것인 컴퓨터 프로그램 제품.
  22. 제9항의 방법을 수행하기 위해 적어도 하나의 컴퓨터를 제어하도록 동작 가능한 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체 상에 배치된 컴퓨터 프로그램 제품.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102390306B1 (ko) * 2016-08-04 2022-04-22 케이엘에이 코포레이션 제조 공정에서 기판 상의 패턴들의 포지셔닝을 제어하기 위한 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품
US10474040B2 (en) 2017-12-07 2019-11-12 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for device-correlated overlay metrology
US10533848B2 (en) 2018-03-05 2020-01-14 Kla-Tencor Corporation Metrology and control of overlay and edge placement errors
KR20210036962A (ko) 2018-08-28 2021-04-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 최적의 계측 안내 시스템들 및 방법들
DE102019119306A1 (de) * 2019-07-16 2021-01-21 Bundesrepublik Deutschland, Vertreten Durch Das Bundesministerium Für Wirtschaft Und Energie, Dieses Vertreten Durch Den Präsidenten Der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt Messgerät zum Bestimmen von Positionen von Markern auf einem flächigen Messobjekt und Verfahren zum Kalibrieren eines solchen Messgeräts
US11360397B2 (en) 2019-09-17 2022-06-14 Kla Corporation System and method for application of harmonic detectivity as a quality indicator for imaging-based overlay measurements
US11874102B2 (en) 2019-12-30 2024-01-16 Kla Corporation Thick photo resist layer metrology target
US11809090B2 (en) 2020-01-30 2023-11-07 Kla Corporation Composite overlay metrology target
CN115176327A (zh) * 2020-03-30 2022-10-11 株式会社日立高新技术 诊断系统
US11686576B2 (en) 2020-06-04 2023-06-27 Kla Corporation Metrology target for one-dimensional measurement of periodic misregistration
US11209737B1 (en) 2020-06-30 2021-12-28 Kla Corporation Performance optimized scanning sequence for eBeam metrology and inspection
US11829077B2 (en) 2020-12-11 2023-11-28 Kla Corporation System and method for determining post bonding overlay
US11378394B1 (en) 2020-12-11 2022-07-05 Kla Corporation On-the-fly scatterometry overlay metrology target
US11460783B2 (en) 2021-01-07 2022-10-04 Kla Corporation System and method for focus control in extreme ultraviolet lithography systems using a focus-sensitive metrology target
US11782411B2 (en) 2021-07-28 2023-10-10 Kla Corporation System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool
US20230032406A1 (en) * 2021-07-28 2023-02-02 Kla Corporation System and method for detecting particle contamination on a bonding tool
US11892821B2 (en) 2022-03-15 2024-02-06 Applied Materials, Inc. Communication node to interface between evaluation systems and a manufacturing system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110027704A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Asml Netherlands B.V. Methods and Scatterometers, Lithographic Systems, and Lithographic Processing Cells
US20130322737A1 (en) * 2012-05-30 2013-12-05 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection method and defect inspection apparatus
US20160070971A1 (en) * 2014-09-04 2016-03-10 Nuflare Technology, Inc. Inspection method

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07120621B2 (ja) 1989-05-08 1995-12-20 キヤノン株式会社 位置合せ方法
JPH07181030A (ja) * 1993-12-24 1995-07-18 Nikon Corp 原子間力顕微鏡
JPH08293459A (ja) 1995-04-21 1996-11-05 Nikon Corp ステージ駆動制御方法及びその装置
US5841520A (en) 1995-08-09 1998-11-24 Nikon Corporatioin Exposure apparatus and method that use mark patterns to determine image formation characteristics of the apparatus prior to exposure
JP3290586B2 (ja) * 1996-03-13 2002-06-10 セイコーインスツルメンツ株式会社 走査型近視野光学顕微鏡
US6462343B1 (en) 2000-10-26 2002-10-08 Advanced Micro Devices, Inc. System and method of providing improved CD-SEM pattern recognition of structures with variable contrast
US6734971B2 (en) 2000-12-08 2004-05-11 Lael Instruments Method and apparatus for self-referenced wafer stage positional error mapping
JP2002310929A (ja) * 2001-04-13 2002-10-23 Mitsubishi Electric Corp 欠陥検査装置
JP3913079B2 (ja) 2002-02-28 2007-05-09 キヤノン株式会社 面位置検出装置及び方法並びに露光装置と該露光装置を用いたデバイスの製造方法
JP3672884B2 (ja) * 2002-03-27 2005-07-20 株式会社東芝 パターン検査方法、パターン検査装置およびマスクの製造方法
US7142314B2 (en) 2003-11-19 2006-11-28 Wafertech, Llc Wafer stage position calibration method and system
EP1719019A2 (en) 2004-02-03 2006-11-08 Mentor Graphics Corporation Source optimization for image fidelity and throughput
US7352440B2 (en) * 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
SG124407A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Method of generating a photolithography patterningdevice, computer program, patterning device, meth od of determining the position of a target image on or proximate a substrate, measurement device, and lithographic apparatus
JP2006278799A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corp 位置計測方法及び該位置計測方法を使用したデバイス製造方法
JP2007214388A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Shimadzu Corp 結晶化装置、および位置決めステージ
US8582113B2 (en) 2007-02-13 2013-11-12 Kla-Tencor Mie Gmbh Device for determining the position of at least one structure on an object, use of an illumination apparatus with the device and use of protective gas with the device
DE102007039983A1 (de) 2007-08-23 2009-02-26 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zum Messen von Positionen von Strukturen auf einem Substrat mit einer Koordinaten Messmaschine
JP5466377B2 (ja) * 2008-05-16 2014-04-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置
DE102009003503A1 (de) 2009-02-18 2010-08-19 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Kalibrierung eines Messtisches einer Koordinaten-Messmaschine
DE102009003551A1 (de) 2009-02-28 2010-09-02 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske
US8196068B2 (en) 2009-04-30 2012-06-05 Synopsys, Inc. Modeling critical-dimension (CD) scanning-electron-microscopy (CD-SEM) CD extraction
DE102010015884B4 (de) 2010-03-09 2015-05-28 Kla-Tencor Mie Gmbh Verfahren zur reproduzierbaren Bestimmung der Position von Strukturen auf einer Maske mit Pellicle-Rahmen
ITMI20110646A1 (it) * 2011-04-15 2012-10-16 St Microelectronics Srl Apparecchiatura per la lavorazione di wafer semiconduttori, in particolare per realizzare una fase di processo di rimozione di polimeri.
JP5832345B2 (ja) * 2012-03-22 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
US9879977B2 (en) 2012-11-09 2018-01-30 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for optical metrology with optimized system parameters

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110027704A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Asml Netherlands B.V. Methods and Scatterometers, Lithographic Systems, and Lithographic Processing Cells
US20130322737A1 (en) * 2012-05-30 2013-12-05 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection method and defect inspection apparatus
US20160070971A1 (en) * 2014-09-04 2016-03-10 Nuflare Technology, Inc. Inspection method

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