KR102554797B1 - 다중 빔 리소그래피에서의 개개의 빔 패턴 배치 검증 - Google Patents
다중 빔 리소그래피에서의 개개의 빔 패턴 배치 검증 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102554797B1 KR102554797B1 KR1020177028136A KR20177028136A KR102554797B1 KR 102554797 B1 KR102554797 B1 KR 102554797B1 KR 1020177028136 A KR1020177028136 A KR 1020177028136A KR 20177028136 A KR20177028136 A KR 20177028136A KR 102554797 B1 KR102554797 B1 KR 102554797B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mark
- verification
- target
- axis
- lithography
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
- H01J2237/2482—Optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31798—Problems associated with lithography detecting pattern defects
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
다중 빔 리소그래피 프로세스 동안 타겟 표면상에 형성된 마크의 검증을 위한, 및 마크 검증에 기초하여 타겟 표면상에서의 개개의 빔들의 빔 위치를 검증하기 위한 방법들 및 시스템들이 개시된다. 마크는 마크 위로 광학 빔을 스캔하고 반사된 광학 빔 및 광학 빔에 대하여 타겟의 위치를 측정함으로써 검증될 수 있다. 마크의 의도된 정의를 표현한 기준 마크 데이터와 마크에 대한 거리의 함수로서 반사된 광의 강도를 비교함으로써, 측정된 표현 및 기준 마크 데이터 사이에서의 임의의 편차들이 결정된다. 임의의 편차들이 미리 결정된 한계 이상으로 벗어난다면, 부정확하게 배치된 빔들이 데이터로부터 검증될 수 있다.
Description
본 개시는 다중 빔 리소그래피 장치에서의 타겟 표면상에서 다중 빔 리소그래피에 의해 형성된 마크들, 개개의 빔 패턴 배치 및 개개의 빔 위치들의 검증을 포함한, 검증을 위한 방법들 및 시스템들에 관한 것이다.
하전 입자 빔 리소그래피와 같은, 다중 빔 리소그래피에서, 작은 구조들은 높은 정확성 및 신뢰성을 갖고 형성될 수 있다. 하전 입자 리소그래피에서, 하전 입자들은 집적 회로들 및 그것의 구성요소들에 대한 기초를 형성할 수 있는 패턴들을 형성하기 위해, 타겟 표면, 통상적으로 웨이퍼 표면으로 향해진다. 다중 빔 리소그래피에서, 표면상에 형성된 패턴은 각각의 개개의 빔이 표면상에서의 레지스터와 상호 작용하는 위치에 의해 결정된다.
리소그래피 프로세싱은 일반적으로 층들의 다수의 노출들을 수반하며, 따라서 뒤이은 층들에서 형성된 피처들은 집적 회로를 생성하기 위해 연결될 수 있다. 그러므로, 각각의 패턴 자체는 요구된 정확성을 충족시켜야 할 뿐만 아니라, 또한 나중 노출 세션에서 노출된 패턴이 충분히 정확한 방식으로 이전 노출 세션들에서 생성된 하나 이상의 패턴들과 동조되는 것이 요구사항이다.
광학 리소그래피에서, 패턴은 마스크를 통한 타겟 표면의 조명, 마스크의 정확성에 의해 영향을 받는 결과 패턴의 정확성 및 품질에 의해 형성되지만, 다중 빔 리소그래피에서, 패턴은 각각의 개개의 빔이 표면과 상호 작용하는 위치에 의해 결정된다. 다중 빔 리소그래피에서, 그러므로 각각의 개개의 빔이 정확하게 배치되어, 그것이 의도된 패턴이 형성되는 순서로 표면상에서의 의도된 위치에 충돌하도록 하는 것이 중요하다. 이것은 종종 패턴 배치 정확도로서 불리운다.
빔 속성들 및 패턴 배치 속성들을 측정하기 위한 다양한 기술들이 개발되어 왔다.
US 2012/0268724 A1은 다중 빔 리소그래피 장치의 광학 컬럼과 타겟을 동조시키기 위한 방법들 및 시스템들을 설명한다. 뿐만 아니라, 빔 속성들의 공간적 분포의 결정은, 청크 상에 배치된 빔 측정 센서를 사용하여, 설명된다.
US 7,868,300 B2 및 US 2012/0293810 A1은 또한, 나이프 에지 측정들로서 알려진, 빔 차단 및 비-차단 영역들을 포함한 표면을 가진 센서를 사용하여 빔 속성들을 측정하기 위한 방법들 및 시스템들을 설명한다. 센서 표면은 리소그래피 동안 타겟 표면의 위치에 대응하는 위치에 배치될 수 있다.
상기 인용된 문서들에서 설명된 방법들 및 시스템들은, 빔들의 공간적 분포와 같은, 빔 속성들의 측정을 가능하게 하지만, 이것들은 패턴 배치 정확도의 검증을 가능하게 하지 않는다.
US 2003/0046821 A1 및 US 2003/0215965 A1은 투사형 리소그래피 시스템들에서 레티클 패턴들의 위치를 측정하기 위한 시스템들 및 방법들을 설명한다. EP 2 131 243 A2는 리소그래피 장치에서, 기판상에서의 확장된 패턴의 속성을 측정하는 것, 및 스테이지 위치를 교정하기 위해 측정들의 결과들을 사용하는 것을 설명한다. 이들 공보들은, 그러나, 다중-빔 리소그래피 시스템들에 대한 패턴 배치 정확도의 검증을 가능하게 하는 솔루션을 제공하지 않는다.
리소그래피 프로세스의 결과를 검증하기 위한 알려진 방법은 임계 치수 주사 전자 현미경(CD-SEM)과 같은, SEM에 의해 제공된다. CD-SEM에서, CD-균일성이 표면상에 형성된 피처들의 치수들을 측정함으로써 검증될 수 있다. SEM은 반도체 기술에서 관심 치수들을 연구하기 위해 충분히 높은 분해능을 제공하지만, 시야는 수 ㎛2의 치수들을 가진 표면적들에 제한된다. 그러므로, 다중 빔 리소그래피 동안 사용된 각각의 개개의 빔으로부터의 기여들을 갖는 패턴을 관찰하는 것은 가능하지 않다. 모든 빔들에 대한 패턴 배치 정확도를 검증하기 위해, 측정 절차는 여러 개의 측정 면적들에 대해 반복되어야 한다. CD-SEM 방법은 그러므로 시간 소모적이다.
다중 빔 리소그래피에서, 타겟 표면상에서 각각의 개개의 빔의 위치를 검증할 수 있는 것이 유리할 것이다. 본 개시의 목적은 다중 빔 리소그래피 장치에서 타겟 표면상에서의 각각의 개개의 빔의 위치를 검증하기 위한 방법 및 시스템을 제공하는 것이다. 추가 목적은 다중 빔 리소그래피에 의해 형성된 마크들을 검증하기 위한 방법 및 시스템을 제공하는 것이다. 추가 목적은 이러한 마크들의 검증에 기초하여 웨이퍼들 또는 웨이퍼들의 부분들을 정렬(sort)하는 것이다.
본 개시에 따르면, 다중 빔 리소그래피 장치에서의 빔 위치들의 검증, 즉 개개의 패턴 배치 정확도 결정은 리소그래피 장치에 의해 타겟 표면상에 형성된 마크를 검증함으로써 수행된다. 하나 이상의 빔들의 부정확한 위치는 마크의 대응하는 부분들이 마크의 규격들로부터 벗어나게 할 것이다. 이러한 편차들의 존재 및 위치를 결정하는 것은 부정확하게 배치된 빔들의 식별을 가능하게 한다. 측정들은 리소그래피 장치 내에서 수행될 수 있다. 그에 의해 개개의 빔 패턴 배치 정확도는 짧은 시간 양 내에서 높은 정확도를 갖고 결정될 수 있다. 여기에서 제공된 솔루션은 그러므로 SEM 측정들에 비교하여 상당한 시간 절약을 제공한다.
다중 빔 리소그래피 프로세스 동안 타겟 표면상에 형성된 마크의 검증을 위한 방법이 개시된다. 상기 방법은 다음의 단계들을 포함한다:
- 마크 측정 단계로서:
- 광학 빔을 상기 타겟 표면으로 향하게 하는, 및 바람직하게는 집속시키는 단계;
- 상기 표면에 의한 상기 광학 빔의 반사에 의해 발생된 반사된 광학 빔을 측정하는 단계;
- 상기 광학 빔이 제1 축에 평행한 방향에서 상기 마크의 적어도 일 부분에 걸쳐 적어도 하나의 스캔 라인 위로 스캐닝되도록 상기 광학 빔 및 상기 타겟을 서로에 대하여 이동시키는 단계;
- 상기 스캔 라인을 따라 위치의 함수로서 상기 반사된 광학 빔의 강도를 측정하는 단계를 포함하는, 상기 마크 측정 단계; 및
- 상기 마크의 측정된 표현을 획득하는 단계로서, 상기 측정된 표현은 상기 스캔 라인을 따라 위치의 함수로서의 강도 및/또는 상기 강도로부터 산출된 파라미터들을 포함하는, 상기 획득 단계;
- 상기 마크의 의도된 정의를 표현한 기준 데이터와 상기 측정된 표현을 비교하며 상기 측정된 표현 및 상기 기준 데이터 사이에서의 임의의 편차 또는 편차들을 결정하는 단계.
상기 마크, 또는 패턴은 광학 빔 반사 측정에 의해 분해될 수 있는 치수들을 가진 피처들을 포함한다. 그것은 이러한 목적을 위해 지정된 패턴 또는 패턴 부분을 포함할 수 있다. 특히, 상기 마크는 각각이 하나의 개개의 빔에 의해 형성된 피처들을 포함할 수 있다.
상기 방법은, 단시간 내에, 마크의 검증을 허용한다. 통상적으로, 마크 위에서의 광학 스캔 라인은 수 초, 약 1 내지 10초가 걸릴 수 있다.
상기 제1 축은 타겟 표면상에서의 줄무늬 면적들에 수직인 축일 수 있다. 줄무늬는 다중 빔 리소그래피 장치에서의 긴 행정 방향과 동조된, 다중 빔 리소그래피 프로세스 동안 하나의 단일 빔에 의한 기록을 위해 의도된 면적이며, 긴 행정 방향은 타겟의 패터닝 동안 타겟이 스캐닝되는 방향이다.
상기 광학 빔은 리소그래피 프로세스 동안 레지스트 층 면적들이 노출되었는지 여부에 의존하여 현상(development) 후 레지스트 층에 나타나는, 상이한 반사율을 가진 면적들, 및/또는 반사된 광학 빔에서의 강도 변화를 유발하는, 예로서, 타겟 표면의 에칭 후 발생하는, 지형 변화들을 갖는 면적들에 의해 반사된다. 반사 계수 및/또는 지형에서의 차이들은 통상적으로 노출된 타겟 표면의 하나 이상의 반도체 프로세싱 단계들로부터 기인한다. 패턴은 레지스트 층의 현상 후 레지스트 층에서 가시적일 수 있다. 대안적으로, 측정들은 반도체 표면의 에칭 후 수행될 수 있으며, 에칭은 타겟 표면상에서의 높이 변화들을 유발하는, 레지스트 층의 현상 및 부분 제거에 뒤이어 있다. 대안적으로, 측정은 레지스트 현상, 및 가능하게는 표면의 에칭 다음에, 타겟 표면상에서의 하나 이상의 층들의 증착 후 수행될 수 있다. 그 후 마크 측정이 수행되는 표면 처리는, 예를 들면, 사용된 레지스트의 속성들, 및/또는 특정 타겟에 대해 의도된 프로세싱 단계들의 종류에 의존한 선택의 문제일 수 있다. 그에 의해, 마크의 검증 및 패턴 배치 검증이 타겟 표면의 반도체 프로세싱의 다양한 스테이지들에서 수행될 수 있다. 타겟 표면은 타겟 작동기를 사용하여 광학 빔에 대해 이동될 수 있으며, 상대적 위치, 또는 적어도 상대적 위치에서의 변화는, 예를 들면, 간섭계 장치에 의해 측정될 수 있거나, 또는 작동기 제어 및/또는 피드백 데이터로부터 추론될 수 있다.
측정된 표현은 강도 대 마크 상에서의 위치의 그래프에서 인접한 최대치들 또는 최소치들 사이에서의 거리들을 포함할 수 있다. 강도로부터 산출된 파라미터들은 마크의 상이한 피처들 사이에서의 거리들, 또는 그것의 치수들을 포함할 수 있다. 측정들로부터 획득된 데이터 및 기준 데이터, 즉 마크의 규격 사이에서의 모든 검출된 편차들이 한계 값보다 작다면, 마크는 그것의 규격을 준수하는 것으로 고려될 수 있으며 검증될 수 있다. 한계를 초과하는 적어도 하나의 편차가 있다면, 마크는 기준을 준수하지 않는 것으로 고려되며, 검증되지 않은 것으로 고려될 수 있다.
편차들 중 하나 이상이 미리 결정된 한계 내에 있지 않다면, 측정된 표현이 미리 결정된 한계 이상만큼 기준 데이터로부터 벗어나는 위치들을 특정하는, 에러 위치 데이터가 결정될 수 있다. 2 차원들에서의 에러 위치들을 특정하는 좌표들이 결정될 수 있다. 에러 위치 데이터로부터, 마크를 기록한 다중 빔 리소그래피 장치에서의 부정확하게 배치된 빔들이 식별될 수 있다.
광학 빔은 바람직하게는 가시 광 범위에서의 단색 광을 포함한다. 그것은, 바람직하게는 600 내지 650nm, 바람직하게는 630 내지 635nm의 범위에서의 파장을 갖는, 레이저 광을 포함할 수 있다. 레이저 광은 간섭성 또는 비간섭성일 수 있다. 비간섭성 광이 가진 이점은 진동들 또는 시스템에서의 다른 잡음에 대한 보다 적은 민감도일 수 있다. 파장은 광학 빔에 의해 야기된 레지스트 층에 대한 영향을 제한하는 동시에 높은 분해능을 가능하게 하기 위해 선택될 수 있다. 광학 빔은 바람직하게는 표면으로, 통상적으로 약 1㎛, 또는 600nm, 또는 그 사이에서의 임의의 값의 직경을 갖는 스팟으로 집속된다. 바람직하게는, 광학 빔은 타겟 표면을 정의하는 평면에 대하여 실질적으로 90°의 각도에서 표면으로 향해진다. 바람직하게는, 표면으로부터의 광학 빔의 0차 반사가 측정된다.
광학 빔은 복수의 실질적으로 평행한 스캔 라인들 위로 스캐닝될 수 있다. 인접한 스캔 라인들 사이에서의 거리는 줄무늬 폭과 동일한 규모일 수 있다. 측정된 표현은 마크 내에 포함된 인접한 피처들 사이에서의 거리들을 산출하고, 스캔 라인들 내에서의 피처들의 모두 사이에서의 거리를 산출하며, 각각의 스캔 라인에 대한 거리들을 산출함으로써 획득될 수 있다. 복수의 스캔 라인들을 수행함으로써, 마크의 상이한 면적들 또는 부분들이 측정될 수 있다. 그에 의해 마크 검증이 보다 높은 정확도를 갖고 수행될 수 있다. 스캔 라인들 사이에서의 거리는 광학 시스템에 대하여 타겟의 상대적 위치 및/또는 움직임의 측정에 의해 결정될 수 있다.
상기 방법은 다중 빔 리소그래피 장치를 사용하여 상기 타겟 표면상에 마크를 형성하는 단계 및 상기 마크의 검증에 기초하여 개개의 빔 패턴 배치 정확도를 결정하는 단계, 및 편차들 중 하나 이상이 미리 결정된 한계 내에 있지 않다면 상기 다중 빔 리소그래피 장치 내에서 상기 빔들 중 하나 이상이 부정확하게 배치됨을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 마크를 형성하는 단계는 타겟 표면의 리소그래피 패터닝 및 뒤이은 표면 처리를 포함한다. 이러한 표면 처리는 반도체 제작에서 알려진 단계들, 예로서 레지스트 현상, 에칭, 하나 이상의 재료들의 증착, 재료 주입 등의 하나 이상의 단계들을 포함한다. 임의의 편차들이 모두 미리 결정된 한계 내에 있다면, 빔들은 타겟 표면상에 정확하게 배치된 것으로 결정된다. 측정은, 패터닝된 타겟 표면의 반도체 프로세싱 후, 리소그래피 챔버 내에서 수행될 수 있다. 타겟 표면의 반도체 프로세싱은 반도체 산업에서 알려진, 레지스트 현상, 레지스트 층의 부분 제거, 노출된 반도체 표면의 에칭, 노출된, 및 결국 에칭된, 반도체 표면상에서의 하나 이상의 재료들의 증착 등과 같은 단계들 중 임의의 하나 이상일 수 있다. 마크 측정은 따라서 진공 밖에서 타겟의 프로세싱 후 수행된다. 마크 측정은 타겟 표면의 다음의 리소그래피 노출 세션 이전에 수행될 수 있다. 대안적으로 또는 유사하게, 패터닝, 표면 처리, 및 측정은 의도된 패터닝 이전에, 초기 교정 또는 리소그래피 툴 검증 프로세스로서 수행될 수 있다.
부정확하게 배치된 빔들은 에러 위치 데이터를 사용하여 식별될 수 있다. 마크 내에서의 각각의 피처가 이러한 피처를 기록한 개개의 빔과 연관될 수 있으므로, 마크에서 검출된 임의의 에러는 특정 개개의 빔과 연관될 수 있다. 바람직하게는 모든 빔들이 마크에서 표현되므로, 임의의 부정확하게 배치된 빔들이 식별될 수 있다.
또한, 테스트 마크로서 불리우는, 마크는, 바람직하게는, 리소그래피 장치에서 사용된 각각의 빔에 대해, 마크를 형성하기 위해 사용된 각각의 빔에 대한 타겟 표면상에서 2 차원들에서의 개개의 빔 위치들의 검증을 가능하게 한다. 마크는 바람직하게는, 각각의 개개의 빔에 의해 형성된 적어도 하나의 피처를 포함하여, 제1 축을 따르는 빔 위치의 검증, 추가로 가능해지는 피처들, 또는 가능해진 각각의 개개의 빔에 의해 형성된 부가적인 피처들, 제1 축에 대체로 수직인, 제2 축을 따르는 빔 위치들의 검증을 가능하게 한다. 마크는 따라서 각각의 개개의 빔에 의해 형성된 개개의 피처들을 포함한다.
하나 이상의 스캔 라인들은 마크에 포함된 복수의, 바람직하게는, 모든 피처들을 통해 연장될 수 있다. 마크에 포함된 모든 라인들 위로 광학 빔을 스캐닝함으로써, 테스트 마크를 형성하기 위해 사용된 각각의 빔의 위치가 검증될 수 있다.
상기 마크는 각각이 다중 빔 리소그래피 동안 하나의 빔에 의해 형성된 다수의 라인들을 포함할 수 있다. 라인들의 수는 바람직하게는 적어도 리소그래피 동안 사용된 빔들의 수에 대응한다. 상기 마크는:
- 상기 라인들이 제1 축에 대하여 사각(α)으로 배향된 직선의 평행 라인 부분들을 형성하는 제1 부분,
- 상기 라인들이 상기 제1 축에 대하여 수직으로 배향된 직선의 평행 라인 부분들을 형성하는 제2 부분, 및
- 상기 라인들이 상기 제1 축에 대하여 사각(α+90°)으로 배향된 직선의 평행 라인 부분들을 형성하는 제3 부분을 포함할 수 있다. 각도(α)는 바람직하게는 실질적으로 45°의 값을 갖는다. 상기 정의된 부분들은 대안적으로 상이한 순서로 배열될 수 있다.
바람직하게는, 다중 빔 리소그래피 동안 사용된 각각의 빔은 테스트 마크의 제1, 제2 및 제3 부분들에서 표현된다. 제1 축에 수직인, 제2 축을 따라 상이한 부분들의 확장은 바람직하게는, 통상적으로 약 2㎛인, 줄무늬 폭과 동일한 규모이다. 제2 축을 따르는 마크의 확장은, 적어도 약 5 내지 10㎛일 수 있다. 제2 축을 따라 특정한 확장을 갖는 마크를 형성하며 제2 축을 따라 상이한 위치들에서 스캔들을 수행함으로써, 단차 높이 변화, CDu 등과 같은, 웨이퍼 프로세싱으로 인한 효과들이 평균화될 수 있다.
상기 라인들은 광학 빔 스팟의 크기에 비교 가능한 제1 방향에서의 치수를 가질 수 있다. 예를 들면, 라인들은 폭이 1㎛일 수 있으며, 이것은 통상적으로 줄무늬 폭의 절반에 대응한다. 라인들은 실질적으로 각각의 줄무늬의 중심에 배치될 수 있다. 라인들은 따라서 패터닝 동안 그것들의 중심 위치 주위에서, 제한된 양으로, 편향되는 개개의 빔들에 의해 패터닝될 수 있다.
제1 스캔 라인은 제1 부분 내에서, 제2 스캔 라인은 제2 부분 내에서, 및 제3 스캔 라인은 제3 부분 내에서 수행될 수 있다. 대안적으로, 스캔 라인들은 상이한 순서로 수행될 수 있다. 제1 축을 따르는 빔의 위치는, 제2 축을 따라 배향된 라인 부분들을 통해, 제2 스캔 라인을 따라 측정된 강도로부터 결정될 수 있다. 제2 스캔 라인 및 제1 및/또는 제3 스캔 라인을 따라 측정된 강도 값들을 조합함으로써, 제1 축 및 제2 축을 따르는 빔의 위치가 결정된다. 제1 또는 제3 부분들 중 하나를 통한 스캔 라인과 조합하여 제2 부분을 통한 스캔 라인으로부터의 측정 데이터는 제2 축을 따르는 빔 위치를 추론하기에 충분할 수 있다. 원칙적으로, 그것은 그러므로 마크가 이들 영역들을 포함하기에 충분할 것이다. 그러나, 반대 방향으로 배향된 대각 라인들과 함께, 부가적인 영역을 사용하는 것은 중복성을 제공하며 보다 정확한 패턴 배치 측정을 제공할 수 있다. 바람직하게는, 위치들은 테스트 마크를 형성하기 위해 사용된 각각의 빔에 대해 검증된다.
또한, 대각 라인들로서 불리우는, 제1 축에 대하여 각도(α)로 배향된 라인 부분들은, 제2 축을 따르는 빔 위치의 검증을 위해 사용될 수 있다. 빔 방향의 제2 축을 따르는 빔의 위치 에러는 하나의 대각 라인에서 시프트-d 및 반대로 배향된 대각 라인에서 +d의 시프트를 야기할 것이다. 그에 의해, 서로에 실질적으로 수직으로 배향된, 두 개의 대각 라인 부분들을 기록함으로써, 빔의 제2 축을 따르는 위치 에러가 이들 라인 부분들 위에서의 광학 스캔들로부터 추론될 수 있다. 직선 라인 부분, 즉 제1 축에 대해 수직으로 배향된 라인 부분으로부터, 제1 축을 따르는 빔 위치가 추론될 수 있다. 그에 의해, 2-차원 패턴 배치 검증이 수행될 수 있다.
마크 측정은 다중 빔 리소그래피 장치 내에서 수행될 수 있다. 타겟 표면상에서의 빔 위치들의 검증은 따라서 리소그래피 장치 내에서 수행될 수 있다. 측정들은 리소그래피 챔버에 이미 존재할 수 있는 센서를 사용하여 수행될 수 있다. 특히, 동조 마크들을 측정하기 위한 센서가 사용될 수 있다. 타겟은 타겟 지지대 상에 배치될 수 있으며, 리소그래피 장치에 존재하는 타겟 지지대 작동기들은 마크 위에서 하나 이상의 스캔 라인들을 수행하기 위해서와 같은 광학 빔에 대하여 타겟을 이동시키기 위해 사용될 수 있다.
마크에서의 피처들은 리소그래피 장치 기준 포인트에 대하여 타겟의 위치를 결정함으로써 개개의 빔들에 관련될 수 있다. 리소그래피 광학 컬럼의 중심 축, 및 특히 타겟 표면과의 그것의 일치 포인트는 리소그래피 장치 기준 포인트를 정의할 수 있다. 타겟 지지대에 대하여 타겟의 상대적 위치가 결정될 수 있으며, 타겟 지지대 및 리소그래피 장치 기준 포인트 사이에서의 상대적 위치가 결정될 수 있다. 타겟 및 리소그래피 장치 기준 포인트 사이에서의 상대적 위치가 그에 의해 결정될 수 있다. 이들 상대적 거리들 중 하나 이상은 하나 이상의 빔들에 마크의 피처들을 관련시키기 위해 고려될 수 있다.
타겟 표면상에서의 빔 위치들은 스티칭 속성들, 즉 인접한 줄무늬들 사이에서의 경계 영역들에서의 패턴 정확도에 대해 최대 기여를 제공하므로, 여기에서 설명된 바와 같이 빔 위치들의 검증은 스티칭 속성들의 검증을 위해 제공한다. 상기 방법은, 오버레이를 검증하는 것을 포함할 수 있다. 오버레이 검증을 가능하게 하기 위해, 상기 마크는 제1 층에 형성된 제1 세트의 피처들 및 제2 층에 형성된 제2 세트의 피처들을 포함하며, 그에 의해 상기 제2 층은 상기 제1 층의 최상부 상에 형성된다. 상이한 세트들의 피처들은 뒤이은 노출 세션들에서 형성될 수 있다. 오버레이는 제2 세트의 피처들에서의 피처들에 대하여 제1 세트에서의 피처들의 상대적 위치를 측정하며, 의도된 상대적 위치를 특정한 기준 데이터와 측정된 상대적 위치들을 비교함으로써 검증될 수 있다. 상기처럼, 피처들 사이에서의 거리들이 측정될 수 있다.
상기 방법은 부정확하게 배치된 빔들의 교정 및/또는 보상을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 부정확하게 배치된 빔을 제어하는 하나 이상의 전자 광학 구성요소들의 파라미터들은, 예를 들면, 빔 위치를 재교정하고, 및/또는 부정확하게 배치된 빔들을 블랭킹(blank)하기 위해 수정될 수 있다. 보상은 패턴 규격 데이터를 변경함으로써 실현될 수 있으며, 따라서 하나 이상의 정확하게 배치된 빔들은 부정확하게 배치된 빔에 의해 기록되어야 하는 피처들을 기록하기 위해 사용된다.
상기 마크 검증 방법은 마크의 검증에 기초하여, 다중 빔 리소그래피 프로세스에서 형성된 하나 이상의 마크들을 포함한, 웨이퍼들, 또는 그것의 부분들을 정렬하기 위해 사용될 수 있다. 하나 이상의 테스트 마크들은 다이들 및/또는 마이크로전자 회로들의 형성을 위해 사용되지 않는 웨이퍼 표면상에서의 하나 이상의 면적들에 배치될 수 있다. 예를 들면, 마크들은 각각, 리소그래피 프로세스 동안 처음 스캐닝된 면적 및 스캐닝된 최종 면적을 포함한 영역들에서 형성될 수 있다. 상기 마크는 웨이퍼 상에서의 다이 면적들의 로우와 연관된 면적을 통해 확장될 수 있다. 상기 마크는 상기 웨이퍼의 전체 폭을 따라 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼의 부분들은 연관된 마크들 내에서의 임의의 편차들이 상기 미리 결정된 한계 내에 있는지 여부에 기초하여 추가 프로세싱 또는 거절을 위해 정렬되고, 마킹되거나, 또는 그 외 표시될 수 있다. 웨이퍼의 추가 프로세싱은 반도체 웨이퍼 프로세싱 동안 존재하는 임의의 제작 단계를 포함할 수 있다. 개개의 다이 면적들은 따라서 연관된 테스트 마크들이 테스트 마크 규격들을 준수하는지에 기초하여 정렬될 수 있다. 타겟 표면상에 형성된 테스트 마크가 기준 데이터에 대응하지 않는다면, 이것은 리소그래피 프로세스 동안 웨이퍼 상에 형성된 다른 패턴들이 또한 규격들을 준수하지 않음을 나타낼 수 있다. 다이들의 전자 테스팅과 같은, 추가 테스팅은 더 이상 쓸모가 없을 수 있다.
마크 측정은 리소 그래피 장치로부터, 예로서 아래쪽으로 분리되어 배열된, 별개의 챔버에서 수행될 수 있다. 별개의 챔버를 사용함으로써, 측정은 리소그래피 장치의 스루풋에 영향을 주지 않고 수행될 수 있다. 리소그래피 시스템에서 프로세싱된 모든 웨이퍼들은 측정의 대상이 될 수 있거나, 또는 배치 외 샘플들이 측정될 수 있다.
상기에 대한 대안으로, 타겟 표면상에 기록된 상기 설명된 바와 같은 마크, 특히 개개의 빔들로부터의 기여들을 갖는 마크는 사진 및 이미지 프로세싱 방법들에 의해 검증될 수 있다. 이러한 대안적인 프로세스를 위해, 초고 분해능이 가능한 카메라가 요구된다. 개개의 피처들 사이에서의 거리들은 고도로 확대된 사진으로부터 추론되며 상기 설명된 바와 같이 기준 데이터에 비교될 수 있다. 이것은 이미지 분석에 의해 수행될 수 있다. 그러나, 이러한 방법들은, 예로서 분해능 및 정확도에 대하여, 카메라에 대해 높은 요건들을 둔다. 더욱이, 이러한 기술은 잡음에 민감하다.
마크 위로 스캐닝된 광 빔의 반사를 측정하는 여기에서 설명된 방법은 보다 높은 신호 대 잡음 비, 및 그에 의해 보다 정확한 측정을 제공한다. 더욱이, 그것은 리소그래피 챔버에 이미 존재하는 센서들을 사용하여 수행될 수 있으며, 이것은 덜 복잡한 시스템을 제공한다.
마크 검증을 위한, 특히 개개의 빔 패턴 배치 정확도 결정 및/또는 웨이퍼 정렬를 위한 시스템이 이하에서 설명된다. 이 시스템은 바람직하게는 상기 설명된 방법들 중 하나 이상을 수행하도록 구성된다. 상기 설명된 이점들 및 대안들은 그러므로 시스템에 유사하게 적용한다.
다중 빔 리소그래피 프로세스에 의해 타겟 표면상에 형성된 마크의 검증을 위한 시스템이 개시된다. 상기 시스템은:
- 마크 측정 유닛으로서:
- 상기 타겟 표면으로 광학 빔을 향하게 하며, 및 바람직하게는 집속시키고 상기 표면에 의한 상기 광학 빔의 반사에 의해 발생된 반사된 광학 빔을 수신하기 위한, 및 상기 반사된 광학 빔의 강도를 표현한 강도 신호를 발생시키기 위한 광학 시스템;
- 상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지대; 및
- 적어도 제1 축을 따라 상기 광학 시스템 및 상기 타겟 지지대를 서로에 대하여 이동시켜서, 상기 광학 빔이 상기 마크의 적어도 일 부분 위에서 적어도 하나의 스캔 라인을 따라 스캐닝되도록 하기 위한 작동기를 포함한, 상기 마크 측정 유닛;
- 제어 유닛으로서:
- 상기 강도 신호를 수신하고,
- 상기 광학 시스템에 대하여 상기 타겟의 위치를 표현한 위치 신호를 수신하고,
- 상기 위치 신호의 함수로서 상기 강도 신호를 등록하고,
- 상기 마크의 측정된 표현을 획득하는 것으로서, 상기 측정된 표현은 위치의 함수로서의 상기 강도 및/또는 상기 강도 값들로부터 산출된 파라미터들을 포함하는, 상기 측정된 표현 획득하기,
- 상기 패턴의 의도된 정의를 표현한 기준 마크 데이터와 상기 측정된 표현을 비교하며 상기 측정된 표현 및 상기 기준 마크 데이터 사이에서의 임의의 편차 또는 편차들을 결정하도록 구성되며,
상기 제어 유닛은 리소그래피 프로세스 동안 형성된 마크의 검증에 기초하여 상기 리소그래피 프로세스 동안 상기 타겟 표면상에서의 빔들의 위치들을 검증하도록 구성되는, 상기 제어 유닛을 포함한다.
상기 광학 시스템은 US 2012/0268724 A1에서 설명되며 도 4에 관하여 이하에서 논의되는 바와 같은 광학 시스템일 수 있다.
상기 제어 유닛은 상기 측정된 표현이 미리 결정된 한계 이상만큼 기준 데이터로부터 벗어나는 위치들을 특정한 에러 위치 데이터를 결정하도록 구성될 수 있다. 상기 제어 유닛은 상기 논의된 바와 같이, 마크 내에 포함된 인접한 피처들 사이에서의 거리들을 산출함으로써 상기 측정된 표현을 획득하도록 구성될 수 있다.
상기 마크 측정 유닛은 리소그래피 장치에 의해 생성된 마크의 검증을 가능하게 하기 위해 리소그래피 챔버와 같은, 진공 챔버에 배열될 수 있다. 상기 광학 시스템은 상기 진공 챔버 밖에 배치된 광원에 연결될 수 있다. 상기 제어 유닛은 바람직하게는 또한 진공 밖에 배치된다.
상기 작동기는 또한, 실질적으로 제1 축에 수직인, 제2 축을 따라 타겟 지지대 및 광학 시스템의 상대적 움직임을 가능하게 하도록 적응될 수 있다. 그에 의해 광학 빔은 복수의 스캔 라인들 위로 스캔될 수 있다. 상기 작동기는 인접한 스캔 라인들 사이에서의 거리가 줄무늬와 동일한 규모에 있도록 하는 정확도를 갖고 제2 축을 따라 움직임을 작동시키도록 구성될 수 있다.
상기 마크 검증 시스템은 바람직하게는, 실질적으로 제1 축에 수직인, 로우에 배열된, 복수의 광학 시스템들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 상기 광학 시스템은 표면으로 복수의 광학 빔들을 향하게 하며 각각의 광학 빔의 반사를 측정하도록 구성될 수 있다.
마크 검증 시스템은 패턴 배치 정확도 결정을 위해 구성될 수 있다. 빔 위치들은 측정된 표현 및 기준 마크 데이터 사이에서의 편차들의 각각이 미리 결정된 한계 내에 있다면 정확한 것으로 간주될 수 있다. 상기 제어 유닛은 편차들 중 하나 이상이 미리 결정된 한계 내에 있지 않다면 에러 위치 데이터에 기초하여 부정확하게 배치된 빔들을 식별하도록 구성될 수 있다. 상기 제어 유닛은 다중 빔 리소그래피 장치에서 하나 이상의 빔들과 에러 위치 데이터를 상관시킴으로써 부정확하게 배치된 빔들을 식별하도록 구성될 수 있다. 마크의 어떤 피처들이 기준 데이터를 준수하지 않는지를 식별하며 그것들을 형성한 빔들과 이들 피처들을 상관시킴으로써, 어떤 빔들이 타겟 표면상에 정확하게 배치되지 않는지가 결정될 수 있다.
상기 제어 유닛은 상기 설명된 바와 같이, 2차원 패턴 배치 검증을 허용하는 마크 상에서의 측정들에 기초하여 부정확하게 배치된 빔들을 식별하도록 구성될 수 있다. 상기 제어 유닛은 표면의 부정확한 패터닝을 야기하는 임의의 부정확하게 배치된 빔들을 검출하며 식별하기 위해 필요한 임의의 산출들 및/또는 데이터 프로세싱을 수행하도록 구성될 수 있다.
상기 마크 검증 시스템은 특히, 상기 설명된 방법에 따라, 하나 이상의 테스트 마크들을 제공받은 웨이퍼들 또는 웨이퍼들의 부분들을 정렬시키기 위해 구성될 수 있다. 상기 시스템은 그것과 연관된 테스트 마크의 영역에서의 편차들이 미리 결정된 한계 내에 있는지 여부에 기초하여 추가 프로세싱 및/또는 거절을 위한 개개의 면적들을 마킹하도록 구성될 수 있다.
다중 광학 빔 리소그래피 장치와 같은 다중 빔 리소그래피 장치 또는 다중 이온 빔 장치 또는 다중 전자 빔 장치와 같은 다중 하전 입자 빔 리소그래피 장치가 개시된다. 상기 다중 빔 리소그래피 장치는 리소그래피 챔버, 리소그래피 제어 유닛, 및 상기 설명된 바와 같이 개개의 빔 위치들을 검증하기 위한 시스템을 포함한다. 상기 리소그래피 챔버는 타겟 지지대 및 적어도 상기 제1 축을 따라 상기 타겟 지지대를 이동시키도록 적응된 타겟 지지대 작동기를 포함한다. 상기 리소그래피 시스템 제어 유닛은, 특히, 패턴 규격들에 따라 타겟의 패터닝을 수행하도록, 다중 빔 리소그래피 장치를 제어하기 위해 구성되며, 마크 검증 제어 유닛을 포함하거나 또는 그것과 통신하도록 구성된다. 상기 리소그래피 제어 유닛은 표면상에 마크를 형성하도록, 및 마크에 대한 측정들에 기초하여 표면의 빔 위치들을 검증하도록 리소그래피 장치를 제어하기 위해 구성될 수 있다. 상기 마크는 상기 설명된 바와 같이, 2차원들에서 타겟 표면상에서의 개개의 빔들의 위치들의 검증을 허용하는 마크일 수 있다.
상기 마크 측정 유닛은 리소그래피 챔버 내에서 배열될 수 있으며, 작동기 유닛은 타겟 지지대 작동기이다. 상기 타겟 작동기는 바람직하게는 리소그래피 프로세스 동안 2차원들에서 타겟을 이동시키도록 적응되며, 이것은 각각 제1 및 제2 축에 대응할 수 있다. 그에 의해, 리소그래피 장치에 의해 형성된 마크들의 현장 측정들이 수행될 수 있으며, 빔 위치 검증은, 상기 설명된 바와 같이, 패터닝된 타겟 표면의 반도체 프로세싱 후, 리소그래피 패터닝 다음에 수행될 수 있다. 상기 마크 측정 유닛은 리소그래피 장치의 광학 컬럼에 가깝게, 예를 들면, 타겟을 패터닝하기 위해 사용된 외부 노출 빔으로부터 100㎛의 거리 내에 위치될 수 있다.
대안적으로 또는 부가적으로, 상기 마크 측정 유닛은 별개의 챔버에 배열될 수 있다. 리소그래피 프로세스들 동안 형성된 마크들의 측정들 및/또는 검증들은 그에 의해 리소그래피 프로세스 자체로부터 독립적으로 수행될 수 있으며, 따라서 타겟들의 리소그래피 패터닝은 마크 검증 측정들에 의해 야기된 임의의 최종적 진연 없이 수행될 수 있다.
상기 리소그래피 시스템은 예를 들면, US 2012/0268724 A1에서 설명된 바와 같이, 타겟 지지대 및 리소그래피 장치 기준 포인트의 상대적 위치를 결정하며 제어하기 위한 동조 센서 배열을 포함할 수 있다. 동조 센서 배열은 전자 광학 시스템에 대하여 타겟을 동조시키기 위한 동조 센서를 포함할 수 있다. 상기 동조 센서는 마크 측정 유닛의 광학 시스템을 포함할 수 있다. 상기 동조 센서 배열은 또한 상기 작동기 및/또는 상기 마크 검증 제어 유닛을 포함할 수 있다. 본 개시에 따르면, 상기 동조 센서는 광학 컬럼에 대하여 타겟의 동조를 위해 및 개개의 빔 패턴 배치 정확도 검증을 수행하기 위해 리소그래피 장치에 의해 타겟 표면상에 형성된 마크들을 측정하기 위해 사용될 수 있다.
상기 리소그래피 제어 유닛은 부정확하게 배치된 빔들의 보상 및/또는 교정을 수행하도록 구성될 수 있다. 상기 논의된 바와 같이, 패터닝 전략은 수정될 수 있으며, 따라서 부정확하게 배치된 빔들은 영구적으로 블랭킹되며 의도된 패턴이 정확하게 배치된 빔들에 의해 기록된다.
다중 빔 리소그래피 장치에서, 특히 상기 설명된 리소그래피 시스템에서 타겟 상에서의 빔들의 위치를 검증하기 위한 컴퓨터 프로그램이 개시된다. 상기 컴퓨터 프로그램은:
- 타겟 표면상에 마크를 기록하도록 상기 리소그래피 장치를 제어하고,
- 상기 광학 빔이 상기 마크의 적어도 일 부분 위로 스캔되도록 상기 광학 빔 및 상기 타겟을 서로에 대하여 이동시키도록 작동기를 제어하고,
- 상기 타겟 상에서의 상기 광학 빔의 위치의 함수로서 상기 강도를 레코딩하고,
- 상기 마크의 측정된 표현을 결정하는 것으로서, 상기 측정된 표현은 위치의 함수로서의 강도 및/또는 상기 강도로부터 산출된 파라미터들을 포함하는, 상기 측정된 표현 결정하기,
- 상기 마크의 의도된 정의를 표현한 기준 마크 데이터와 상기 측정된 표현을 비교하고,
- 상기 측정된 표현 및 상기 기준 마크 데이터 사이에서의 임의의 편차들을 결정하고,
- 상기 편차들 중 하나 이상이 미리 결정된 한계 내에 있지 않다면, 상기 측정된 표현이 상기 미리 결정된 한계 이상만큼 상기 기준 마크 데이터로부터 벗어나는 위치들을 특정한 에러 위치 데이터를 결정하며,
- 상기 에러 위치 데이터에 기초하여 부정확하게 배치된 빔들을 식별하도록 구성된다.
상기 컴퓨터 프로그램은 또한 부정확하게 배치된 빔들의 보상을 제어하도록 구성될 수 있다. 상기 컴퓨터 프로그램은 상기 설명된 방법들 중 하나 이상을 수행하도록 리소그래피 시스템 제어 유닛을 제어하기 위해 구성될 수 있다. 상기 컴퓨터 프로그램은 리소그래피 제어 유닛에 또는 그것과 통신하는 매체에 저장될 수 있다.
본 개시의 다양한 양상들은 도면들에 도시된 실시예들을 참조하여 추가로 설명될 것이다.
도 1은 다중 빔 리소그래피 시스템을 개략적으로 도시한다;
도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 빔 측정 센서를 개략적으로 도시한다;
도 3은 다중 빔 리소그래피 장치에서 타겟 동조 센서 배열을 개략적으로 도시한다;
도 4는 마크 측정을 위한 광학 시스템을 개략적으로 도시한다;
도 5는 마크 측정의 원리를 개략적으로 예시한다;
도 6은 마크의 피처들에 측정된 신호를 관련시키는 원리를 개략적으로 예시한다;
도 7은 빔 위치 검증을 위한 마크의 실시예를 개략적으로 예시한다;
도 8은 마크 검증, 빔 위치 검증 및/또는 웨이퍼 정렬의 흐름도를 도시한다;
도 9a 및 도 9b는 웨이퍼 정렬을 개략적으로 예시한다;
도 10은 웨이퍼 표면상에서의 테스트 마크들의 위치들의 예들을 개략적으로 도시한다.
도 1은 다중 빔 리소그래피 시스템을 개략적으로 도시한다;
도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 따른 빔 측정 센서를 개략적으로 도시한다;
도 3은 다중 빔 리소그래피 장치에서 타겟 동조 센서 배열을 개략적으로 도시한다;
도 4는 마크 측정을 위한 광학 시스템을 개략적으로 도시한다;
도 5는 마크 측정의 원리를 개략적으로 예시한다;
도 6은 마크의 피처들에 측정된 신호를 관련시키는 원리를 개략적으로 예시한다;
도 7은 빔 위치 검증을 위한 마크의 실시예를 개략적으로 예시한다;
도 8은 마크 검증, 빔 위치 검증 및/또는 웨이퍼 정렬의 흐름도를 도시한다;
도 9a 및 도 9b는 웨이퍼 정렬을 개략적으로 예시한다;
도 10은 웨이퍼 표면상에서의 테스트 마크들의 위치들의 예들을 개략적으로 도시한다.
본 개시에 따른 다중 빔 리소그래피에서 마크 측정 및 빔 위치 검증을 위한 방법들 및 시스템들의 다양한 실시예들이, 단지 예로서 고려할 때 및 도면들을 참조하여, 이하에서 설명된다.
도 1은 하전 입자 다중-빔 리소그래피 시스템의 실시예의 단순화된 개략도를 도시한다. 이러한 리소그래피 시스템은 예를 들면, 본 출원의 출원인에게 양도되며 여기에서 전체적으로 참조로서 통합되는, 미국 특허 번호들 제6,897,458호; 제6,958,804호; 제7,019,908호; 제7,084,414호; 제7,129,502호; 제7,709,815호; 제7,842,936호; 제8,089,056호 및 제8,254,484호; 미국 특허 공개 번호들 제2007/0064213호; 제2009/0261267호; US 2011/0073782 및 US 2012/0091358에서 설명된다. 리소그래피 시스템이 전자 빔들을 참조하여 이하에서 설명되지만, 교시는 또한 다른 유형들의 개개의 빔들에 적용한다.
도 1에 예시된 다중-빔 리소그래피 시스템(1)은 타겟(12), 통상적으로 전자 민감성 레지스트 층으로 코팅된 실리콘 웨이퍼의 표면(10)을 패터닝하기 위해 빔들(8)을 형성하고 제어하기 위한 전자 소스(4) 및 전자 광학 시스템(6)을 포함한, 또한 리소그래피 챔버로서 불리우는, 진공 챔버(2)를 포함한다. 전자 광학 시스템(6)의 구성요소들은 광학 축(14)을 따라 정렬된다. 전자 소스(4) 및 빔 시준 시스템(18)을 포함한 조명 광학 모듈(16)은 시준된 전자 빔(20)을 발생시킨다. 애퍼처 어레이 및 집광 렌즈 모듈(22)에서, 전자 빔(20)은 빔 블랭커 어레이(24)로 향해지는 복수의 개개의 빔들(8)로 분할된다. 블랭커 어레이(24)는 패터닝 데이터에 따라, 블랭커 어레이에 의해 편향되는 빔들(8)을 블랭킹하기 위해 빔 정지 어레이(26)와 협력한다. 블랭커 어레이(24)에 의해 편향되지 않은 빔들(8)은 빔 정지 어레이(26)를 통해 투과된다. 빔 정지 어레이(26)를 포함한, 투사 광학 모듈(28)은, 또한 편향기 어레이(스캐닝 편향기) 및 집속 어레이(예시되지 않음)를 포함한다. 편향기 어레이는 표면(10) 상에서, 그것들의 각각의 기록 면적들, 즉 줄무늬들 위로 그것들을 스캔하기 위해 빔들(8)을 편향시킨다. 집속 렌즈 어레이는 빔들(8)을 타겟 표면(10)으로 집속시킨다.
타겟(12)은 타겟 지지대(30), 여기에서 청크(34) 상에 장착된 웨이퍼 테이블(32)에 의해 지지된다. 타겟 지지대 작동기(36)는 전자 광학 시스템(6)에 대하여, 특히 전자 광학 축(14)에 대하여 타겟 지지대(30)를 이동시키기 위해 제공된다. 작동기(36)는 바람직하게는, 광학 축(14)에 실질적으로 수직인 평면에서, 제1 축 및 제2 축을 따라 타겟의 움직임을 제공하도록 구성된다. 작동기(36)는 단 행정 작동기(38) 및 장 행정 작동기(40)를 포함할 수 있다.
리소그래피 제어 유닛(42)은 패턴 규격 데이터에 따라 타겟 표면을 패터닝하기 위해 리소그래피 시스템, 특히 전자 광학 시스템(6) 및 타겟 지지대 작동기(36)를 제어하도록 구성된다. 리소그래피 제어 유닛(42)은 또한 여기에서 설명된 검증 방법들에 따라, 마크 검증에 기초하여 빔 위치 검증을 제어하도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 리소그래피 제어 유닛(42)은 검증 측정들을 제어하는 하나 이상의 별개의 제어 유닛들과 통신하도록 구성될 수 있다. 뿐만 아니라, 리소그래피 제어 유닛은 부정확하게 배치된 빔들의 보상 및/또는 전자 광학 시스템의 교정을 수행하고 및/또는 초기화하도록 구성될 수 있다. 제어 유닛(42)은 컴퓨터 프로그램들을 포함하거나, 또는 프로그램들을 포함한 미디어와 통신할 수 있어서, 실행될 때, 타겟 동조 측정들, 타겟 표면 패터닝 등과 같은, 특정 기능들 또는 방법들을 제어한다.
본 개시에 따르면, 리소그래피 시스템 제어 유닛(42)은 타겟 표면상에 마크, 예를 들면 도 7에 예시된 마크를 기록하고, 마크의 광학 측정들을 수행하고 마크 규격 데이터에 따른 마크의 준수를 결정하며, 그것에 기초하여 빔들(8)이 의도된 위치들에서 타겟 표면(10)과 상호 작용하는지 여부를 결정하는, 즉 개개의 빔 패턴 배치 정확도를 검증하도록 리소그래피 시스템(1)을 제어할 수 있다. 패턴 배치가 규격들을 준수하지 않는 것으로 발견되면, 제어 유닛(42)은 부정확하게 배치된 빔들의 보상 및/또는 시스템의 재교정을 제어할 수 있다.
도 2a는 US 7,868,300 B2에서 설명된, 하전 입자 빔 속성들을 측정하기 위한 빔 속성 센서(50)를 개략적으로 예시한다. 센서(50)는 전자 차단 요소들(54)을 제공받은 컨버터 요소(52), 및 광 감지 요소(56)를 포함한다. 컨버터 요소(52)에 충돌하는 전자들은 광으로 변환되며, 이것은 광 감지 수단(56)에 의해 측정된다. 도 2b에 예시된 바와 같이, 광 감지 요소(56)로부터의 측정 데이터는 보정 데이터(Cor)를 산출하는 계산 유닛(Cu)으로 제공될 수 있다. 보정 데이터(Cor)는 리소그래피 시스템의, 예로서 하나 이상의 빔들(8)의 조정을 제어하기 위해 보정 수단(CM)으로 전달된다.
도 3은 다중 빔 리소그래피 장치(1)에 배열될 수 있는 동조 센서 배열(60)을 개략적으로 도시한다. 이러한 배열은 US 2012/0268724 A1으로부터 알려져 있다.
전자 광학 컬럼에 대하여 타겟 지지대(34)의 위치 및/또는 움직임을 측정하기 위한 간섭계 센서 배열(62)은 청크(34)의 측 표면상에 제공된 청크 위치 미러(64), 전자 광학 시스템(6)의 최종 부분 상에 제공된 최종 투사 시스템 위치 미러(66), 및 차동 간섭계(68)를 포함한다. 바람직하게는, 두 개의 청크 위치 미러들(64) 및 두 개의 최종 투사 시스템 위치 미러들(66)은, 각각 청크 및 투사 시스템 상에서 각각 수직으로 배향된 표면들 상에, 제공된다.
하나 이상의 동조 센서들(70)은 전자 광학 축(14)에 대하여 타겟(12)의 정확한 동조를 제공하기 위해 청크 위치 마크들 및 타겟 위치 마크들의 위치들을 측정 및 검증하기 위해 제공된다. 동조 센서는 도 4에 예시된 바와 같이 광학 시스템을 포함할 수 있다. 타겟(12)의 위치는 타겟 지지대 작동기(36)에 의해 조정될 수 있으며, 전자 광학(6)에 대한 청크(34)의 위치는 차동 간섭계(68)를 사용하여 검증될 수 있다. 리소그래피 제어 유닛(52)은 측정들을 제어하고 동조 측정 배열(60)을 갖고 획득된 측정 데이터를 수신 및 분석하기 위해 및 전자 광학(6)과 타겟(12)을 동조시키기 위해서와 같이 작동기들(36)을 제어하기 위해 구성될 수 있다. 대안적으로, 측정 제어 및/또는 프로세싱 유닛은 이러한 목적을 위해 제공되며, 리소그래피 제어 유닛(42)과 통신할 수 있다.
본 개시에 따르면, 정렬 센서(70)는 리소그래피 장치(1) 내에서 개개의 빔 패턴 배치 정확도의 검증을 위해 리소그래피 시스템(1)에 의해 타겟 표면(10) 상에 형성된 마크를 측정하기 위해 사용될 수 있다.
도 4는 본 개시에 따른 마크 측정들을 위해 사용될 수 있는, 동조 센서(70)의 광학 시스템(72)을 예시한다. 도 3에 예시된 바와 같이, 광학 시스템(72)은 리소그래피 챔버(2) 내에 배열될 수 있다. 타겟 지지대 작동기(36)는 바람직하게는, 복수의 평행 스캔 라인들을 수행하는, 마크의 광학 측정들을 수행하기 위해 광학 시스템(72)에 대하여 타겟(12)을 이동시키기 위해 구성될 수 있다. 예를 들면, 단 행정 작동기(20)는 다중-빔 장치(1)에서 복수의 전자 빔들(8)에 의해 타겟 표면(10)상에 형성된 마크 위로 광학 빔(86)을 스캔하기 위해 제1 축(S)을 따라 타겟의 움직임을 제공할 수 있다. 타겟(12)은 장 행정 작동기(22)를 사용하여, 제1 축(S)에 수직인, 제2 축(L)을 따라 이동될 수 있다.
대안적으로, 광학 시스템(72), 타겟 지지대 및 타겟 지지대 및 광학 시스템을 상대적으로 이동시키기 위한 작동기는, 예를 들면, 도 9b에 개략적으로 예시된 바와 같이, 별개의 측정 챔버에 배열될 수 있다. 작동기는 광학 시스템이 고정된 위치에서 유지되는 동안 타겟을 이동시키기 위해, 또는 대안적으로, 광학 시스템(72)을 이동시키기 위해 제공될 수 있다. 광학 시스템(72), 타겟 지지대(30), 및 작동기는 마크 측정 유닛을 형성할 수 있다. 전용 제어 유닛은 측정을 제어하며 마크 검증 및/또는 패턴 배치 검증을 위한 산출들을 수행하기 위해 제공될 수 있다.
도 4에 예시된 광학 시스템(72)은 레이저와 같은, 광원(76)으로부터 광을 유도하기 위한 광 파이버(74)를 포함하며, 이것은 진공 챔버(2) 밖에 위치될 수 있다. 광 파이버를 빠져나가는 광(78)은 시준기(82)에 의해 광 빔(80)으로 시준될 수 있다. 빔 스플리터(84)는 광학 렌즈(88)에 의해 표면상에서의 스팟(90)으로 집속되는, 광학 빔(86)을 형성하기 위해 광(80)의 적어도 일 부분을 벗어난다. 광학 렌즈(88)는 또한 반사된 광학 빔(92)을 빔 스플리터(84)로 향하게 하며, 이것은 반사된 광학 빔(92)의 적어도 부분을 포토다이오드와 같은, 광학 감지 요소(94)로 향하게 한다. 광학 감지 요소(94)는 예를 들면, 제어 유닛(42)에 포함된, 분석 유닛에 연결된다. 광학 빔(86, 92)은 표면(10)에 수직으로 향하게 될 수 있다.
광원(76)은 편광을 제공할 수 있으며, 이 경우에 US 2012/0268724 A1에서 상세히 설명되는 바와 같이, 빔 스플리터(84)는 편광 빔 스플리터일 수 있으며 두 개의 1/4 파장 판들(94, 96)이 제공될 수 있다. 대안적으로, 광학 시스템의 다른 변화들 또는 실시예들이 마크 측정 및 패턴 배치 검증을 위해 사용될 수 있다.
리소그래피 제어 유닛(42)에 포함될 수 있거나 또는 그것과 통신할 수 있는, 측정 제어 유닛(42)은 광학 감지 요소(92)로부터 측정된 강도 신호를 수신하며, 예를 들면, 도 3에 예시된 간섭계 센서 배열로부터의, 광학 빔(86)에 대하여 타겟의 위치를 표현한 위치 신호를 수신하도록, 및 위치 신호의 함수로서 강도 신호를 등록하도록 구성된다. 대안적으로, 위치 신호는 작동기 제어 데이터로부터 획득될 수 있다. 타겟 표면상에서의 위치의 함수로서 강도 신호로부터, 마크의 측정된 표현이 획득될 수 있다. 측정된 표현은 위치의 함수로서 강도, 및/또는 위치의 함수로서 강도 값들로부터 산출된 파라미터들을 포함한다. 제어 유닛은 또한 마크의 의도된 정의를 표현한 기준 마크 데이터와 측정된 표현을 비교하도록, 및 측정된 표현 및 기준 데이터 사이에서의 임의의 편차들을 결정하도록 구성된다. 제어 유닛은 또한 마크 검증에 기초하여 개개의 빔 패턴 배치 정확도의 검증을 수행하도록 구성될 수 있다. 부정확하게 배치된 빔들은 다중 빔 리소그래피 장치(1)에서 하나 이상의 빔들(8)과 에러 위치 데이터를 상관시킴으로써 식별될 수 있다. 리소그래피 제어 유닛(42)은 에러 위치 데이터에 기초하여 부정확하게 배치된 빔들의 보상 또는 교정을 수행하도록 구성될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 하나 이상의 부정확하게 배치된 빔들이 식별되었음을 나타내는 신호가 사용자에게 제공될 수 있다.
도 5는 본 개시에 따른 마크 측정의 원리를 개략적으로 예시한다. 도 5에 예시된 바와 같이 광학 빔(86)은 타겟 표면(10)으로 향해지며, 바람직하게는 스팟(90)으로 집속되고, 표면(10)상에 형성된 마크 또는 패턴(98) 위로 스캔된다. 광학 시스템은 광학 빔(86)이 타겟 표면(10)에 의해 정의된 평면에 실질적으로 수직이도록 배열될 수 있으며, 그에 의해 직접 반사(92)가 측정된다. 빔(86)이 마크(98) 위로 스캔됨에 따라, 반사된 빔(92)의 강도는, 특히 스캔 라인을 따르는 위치의 함수로서, 예를 들면 빔(86) 및 타겟(12)의 상대적 움직임의 함수로서, 측정된다. 반사된 빔(92)의 강도는 패턴(98)의 지형 및 반사율에 의존하여 달라질 것이다. 도 5에서, 예시를 위해, 패턴(98)은 타겟 표면(10)의 높이 차들로서 예시된다. 그러나, 패턴(98)은 타겟 표면의 반사율에서의 차이들에 의해 동일하게 잘 표현될 수 있다는 것이 이해된다. 반사 계수에서의 차이들은, 레지스트 현상, (부분) 레지스트 제거, 부분 레지스트 제거 후 노출된 타겟 표면 부분들의 에칭, 이러한 노출된 표면 부분들 상에서의 하나 이상의 층들의 증착 등의 단계들 중 하나 이상과 같은, 반도체 제작에서 관계적인 바와 같이, 타겟 표면의 프로세싱에 의해 유발될 수 있다.
도 6은 각각이 다중 빔 리소그래피 동안 하나의 개개의 빔(8)에 의해 형성되며 거리(d)를 갖고 이격된, 복수의 평행 라인들(100)을 포함한, 마크(98)의 일 부분의 예를 예시한다. 이들 라인들은 주변 면적들에 대하여 상이한 광학 반사 계수 및/또는 상이한 높이를 가진 면적들에 대응할 수 있다. 각각의 라인(100)은 줄무늬(102) 내에서, 즉 하나의 빔(8)에 대해 이용 가능한 기록 면적 내에서 중심에 배치된다. 광학 빔(86), 특히 스팟(90)은, 마크(98)에 걸쳐 하나 이상의 스캔 라인들(104)을 따라 스캐닝될 수 있다. 도 6의 하부 부분은 스팟(90)이 스캔 라인(104)을 따라 마크(98) 위로 스캔됨에 따라 측정된 강도 곡선을 예시한다. 빔 위치 검증을 위한 테스트 마크의 주기성 및 빔 스팟(90)의 크기는 빔 스팟(90)의 직경이 테스트 마크의 주기성의 절반과 같도록 하는 관계를 가질 수 있다. 마크의 피처들은 빔 스팟(90)의 직경에 실질적으로 대응하는 제1 축(5)을 따르는 치수를 가질 수 있다. 예시된 예에서, 각각의 전자 빔들(8)에 의해 기록된 패턴, 예로서 라인들(100)은 보다 낮은 반사율의 면적들을 형성하여, 강도 곡선에서 최소치들을 야기한다. 인접한 최소치들 사이에서의 거리(d)를 산출함으로써, 측정된 표현이 획득된다. 마크 규격 데이터에 의해 정의된 의도된 거리들과 강도 측정 데이터로부터 획득된 거리들(d)의 각각을 비교함으로써, 패턴 배치에 대한 결론들이 내려질 수 있다. 거리들(d)의 각각이 규격 데이터를 준수한다면, 즉 어떤 거리(d)도 미리 결정된 한계 이상으로 벗어나지 않는다면, 모든 빔들(8)은 타겟 표면(10) 상에 정확하게 배치되는 것으로 간주될 수 있다. 그러나, 거리들(d) 중 하나 이상이 규격들을 준수하지 않는다면, 즉, 측정된 거리들이 미리 결정된 한계 이상만큼 규격으로부터 벗어난다면, 패턴 배치는 정확하지 않다. 잘못 배치된 패턴 피처들을 기록한 빔들은 정확하게 배치되지 않는다. 부정확하게 배치된 빔들이 그에 따라 식별될 수 있다. 측정된 표현이 미리 결정된 한계 이상만큼 기준 마크 데이터로부터 벗어나는 위치들을 특정하는, 에러 위치 데이터가 결정될 수 있다. 그에 의해, 어떤 전자 빔들이 타겟 표면상에 부정확하게 배치되는지가 식별될 수 있다. 예를 들면, 각각의 전자 빔이 하나의 라인(100)을 기록하며, 그에 의해 마크(98), 또는 마크 섹션에서의 라인들의 수가 다중 빔 리소그래피 프로세스에서 사용된 전자 빔들(8)의 수와 같다면, 라인 수(n)의 위치에서의 에러는 빔 수(n)가 표면(10) 상에 정확하게 배치되지 않음을 나타낸다.
도 7은 빔 위치 검증을 위해 사용될 수 있는 마크(106)를 개략적으로 예시한다. 이러한 테스트 마크는 2차원들에서 빔 위치들의 검증을 허용한다. 특히, 타겟 표면상에서 제1 축을 따르는 및 제2 축을 따르는 각각의 빔으로부터의 기여들은 이러한 마크의 측정들로부터 추론될 수 있다. 이러한 테스트 마크의 예는 도 7에 예시된다. 그러나, 또한 다른 형태들의 테스트 마크들이 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 마크(106)는 각각이 다중 빔 리소그래피 프로세스 동안 하나의 개개의 빔(8)에 의해 형성된 다수의 라인들(108)을 포함한다. 각각의 줄무늬(102)는 하나의 라인(108)을 포함한다. 마크(106)에서 라인들(108)의 수는 바람직하게는 적어도 리소그래피 장치(1)에서 사용된 빔들(8)의 수에 대응한다. 마크(106)는 라인들(108)이 직선의, 평행 라인 부분들을 형성하는 부분들로 분할될 수 있다. 도 7에 예시된 마크(106)는 라인들(108)이 제1 축(S)에 대하여 사각(α)으로 배향된 직선 라인 부분들을 형성하는 제1 부분, 평행 라인들이 제1 축(S)에 수직으로 배향된 직선 라인 부분들을 형성하는 제2 부분(112), 및 평행 라인들(108)이 제1 축(S)에 대하여 사각(α+90°)으로 배향된 직선 라인 부분들을 형성하는 제3 부분(114)을 포함한다. 각도(α)는 바람직하게는 45°의 값을 갖는다. 일반적으로, 제1 축은 단 행정 축(S)에, 및 제2 축은 또한 기계적 스캔 방향으로 불리우는, 장 행정 축(L)에 대응하며, 줄무늬들(102)은 장 행정 축(L)을 따라 정렬된다. 각각의 부분(110, 112, 114)은 바람직하게는 줄무늬(102)의 폭과 동일한 규모의 제2 축(L)을 따르는 확장을 갖는다. 특히, 줄무늬 폭은 2㎛일 수 있다.
빔 위치 검증을 위해, 리소그래피 시스템 제어 유닛(42)은 규격들에 따른 마크, 예를 들면, 도 7에 예시된 마크(106)를 기록하도록 리소그래피 시스템을 제어한다. 기록된 마크는 그 다음에, 기록된 마크(106)의 측정된 표현을 획득하기 위해, 도 3 및 도 4에 예시된 광학 시스템(72)을 포함한 동조 센서(70)와 같은, 마크 측정 유닛에 의해 측정된다. 도 7에 예시된 바와 같이, 제1 스캔 라인(104a)은 제1 부분(110)에 걸쳐, 제2 스캔 라인(104b)은 제2 부분(112)에 걸쳐, 및 제3 스캔 라인(104c)은 제3 부분(114)에 걸쳐 수행된다. 스캔 라인들 사이에서의 간격은 줄무늬 폭과 동일한 규모에 있을 수 있다. 마크 측정은, 진공 챔버 밖에 있는 타겟 표면의 하나 이상의 반도체 프로세싱 단계들을 수행한 후, 리소그래피 챔버(2) 내에서 수행될 수 있다. 레지스트 층의 속성들은 리소그래피 프로세스 동안 빔들의 충격 시 변경되지만, 이들 변화들은 보통 광학 반사 측정들에서 가시적이지 않다. 그러므로, 적어도 레지스트 현상의 단계는 마크 측정 이전에 수행된다. 일반적으로, 레지스트의 현상은 타겟 표면상에서 광학적으로 가시적인 패턴을 야기할 것이다. 에칭 및/또는 재료의 증착과 같은, 추가 프로세싱 단계들은 반사 강도 측정들에서 가시적인 지형 및/또는 반사 계수 변화들을 제공할 수 있다. 이러한 반도체 프로세싱 단계들은 필드에서 알려져 있다. 마크 측정, 및 마크 측정에 기초한 빔 위치 검증은, 그에 따라 별개의 검증 단계로서, 또는 뒤이은 리소그래피 노출 세션 이전에 수행될 수 있다. 제어 유닛(42)은 상기 설명된 바와 같이, 스캔 라인들(104)을 수행하도록, 타겟 작동기(36), 예로서 단 행정 작동기(38) 및 장 행정 작동기(40)를 제어할 수 있다.
기록된 마크(106)의 측정된 표현은 측정 데이터로부터 스캔 라인들(104a, 104b, 104c)에 의해 커버된 모든 인접한 라인들(108) 사이에서의 거리들을 산출함으로써 획득될 수 있다. 제1 축(S)을 따르는 빔 위치들은 제2 부분(112)에 걸쳐 수행된 제2 스캔 라인(104b)으로부터 검증될 수 있으며, 제1 및 제2 축을 따르는 빔 위치들은 제2 스캔 라인(104b) 및 제1 및/또는 제3 스캔 라인들(104a, 104c)로부터의 결과들을 조합함으로써 검증될 수 있다. 마크(106)에 포함된 라인들(108)에 걸쳐 광학 빔(86)을 스캔함으로써, 적어도 각각의 빔(8)으로부터의 기여들을 포함한 마크의 일 부분을 커버하는 범위를 가진 스캔 라인, 및 모든 부분들(110, 112, 114)을 통해, 2차원 패턴 배치 데이터가 마크(106)를 형성하기 위해 사용된 각각의 빔(8)에 대해 결정될 수 있다. 테스트 마크의 측정된 표현 및 최종적인 대응하는 에러 위치 데이터에 기초하여, 부정확하게 배치된 빔들이 식별될 수 있다.
하나의 층에 형성된 모든 피처들을 갖는, 이러한 테스트 마크(106)는 패턴 배치 검증을 가능하게 한다. 다중 빔 리소그래피에서, 정확한 패턴 배치는 정확한 스티칭 속성들, 즉 인접한 줄무늬들의 경계 영역들에서 매우 정확한 패턴 형성의 표시를 제공한다. 오버레이는 하나의 층에서 제1 세트의 피처들을, 및 그 다음에, 제2 리소그래피 프로세스에서, 제1 세트의 피처들의 최상부 상에서, 제2 층에 제2 세트의 테스트 마크 피처들을 형성함으로써 검증될 수 있다. 하나 이상의 다른 층들에서의 피처들에 대하여 하나의 층 내에서의 피처들의 위치를 측정함으로써, 오버레이의 정확도에 대한 결론들이 내려질 수 있다.
본 개시에 따르면, 개개의 빔 패턴 배치 측정들은, 짧은 시간 양에서, 리소그래피 챔버 내에서 수행될 수 있으며, 그에 의해, 시스템의 실질적으로 직접 조정을 허용한다. 여기에서 설명된 빔 위치 검증은 종래 기술로부터 알려진 빔 측정들에 대한 보완으로서 수행될 수 있다. 그에 의해, 다양한 빔 속성들의 상이한 측정들이 수행될 수 있다. 뿐만 아니라, 각각의 센서들의 기능이 검증될 수 있다.
도 8은 마크 검증, 빔 위치 검증, 및 웨이퍼 정렬을 예시한 흐름도를 도시한다. 다중 빔 리소그래피 동안 타겟 표면(10) 상에 기록된 마크(98)의 검증은 빔 위치 검증을 위해 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 또한, 예를 들면 웨이퍼 제작 프로세스에서의 상이한 스테이지들에서 웨이퍼 정렬을 위해, 타겟 표면(10)상에 형성된 패턴들의 정확도의 추정을 제공할 수 있다.
제1 단계(120)에서, 기준 마크 데이터(118)에 의해 정의된, 마크(98, 106)는 리소그래피 시스템(1)을 사용하여 타겟 표면(10)의 레지스트 층에 기록된다. 그 다음에, 타겟은 리소그래피 챔버로부터 제거되며, 상기 설명된 바와 같이, 단계(121)에 의해 표시된, 광학적으로 측정 가능한 패턴을 드러내기 위해 반도체 프로세싱을 겪는다.
타겟 표면을 프로세싱한 후, 타겟은 리소그래피 챔버로 다시 또는 별개의 측정 챔버에 배치되며, 마크 측정들(122)은, 예를 들면, 도 4에 예시된 광학 시스템(72)을 사용하여, 마크(98, 106)에 대해 수행된다. 패턴 배치 검증을 위해, 측정은 리소그래피 챔버(2) 내에서 수행될 수 있다. 웨이퍼 정렬을 위해, 마크 측정(122)은 별개의 측정 챔버에서 수행될 수 있다. 단계(124)에서, 측정된 표현은 예로서, 위치 측정 데이터로부터 또는 작동기 제어 데이터로부터 획득될 수 있는, 타겟 위치 데이터의 함수로서 반사된 광(92)의 측정된 강도로부터 산출된다. 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이, 리소그래피 시스템의 광학 축(14)에 대하여 타겟(12)의 위치는 차동 간섭계(86)를 사용하여 결정될 수 있다. 측정된 표현은 측정 데이터로부터 산출된 하나 이상의 파라미터들, 예를 들면 마크(98, 106)에서의 피처들 사이에서의 거리 값들을 포함할 수 있다. 단계(126)에서, 측정된 표현은 기준 마크 규격(118)과 비교되며, 이것은 마크 검증을 제어하는 제어 유닛의 메모리에 저장될 수 있다. 단계(130)에서, 측정된 표현 및 규격 사이에서의 임의의 편차들이 결정되며 미리 결정된 한계와 비교된다. 모든 편차들이 미리 결정된 한계 내에 있다면, 마크는 검증된다(단계 132). 빔 위치 검증 방법에서, 이것은 모든 빔들(8)이 타겟 표면(10)상에 정확하게 배치된다는 것을 나타내며, 빔 위치들은 단계(134)에서 검증된다. 이것은 리소그래피 장치가 규격들에 따라 기능하고 있다는 표시를 제공할 수 있다. 마크 검증이 웨이퍼 정렬 목적들을 위해 사용된다면, 웨이퍼는 OK로 간주될 수 있으며, 추가 프로세싱(136)을 위해 정렬될 수 있다.
적어도 하나의 편차가 미리 결정된 한계 내에 있지 않다면, 마크 정확도는 검증되지 않는다(단계 138). 모든 빔들(8)이 정확하게 배치된 것은 아니라는 것이 추론될 수 있다. 단계(140)에서, 측정된 표현, 및 그에 따라 타겟 표면(10) 상에 형성된 마크(98, 106)가 미리 결정된 한계 이상만큼 기준 데이터(118)로부터 벗어나는 곳을 특정하는 에러 위치 데이터가 산출된다. 에러 위치 데이터는 따라서 마크의 어떤 피처들이 정확하게 기록되지 않았는지를 식별한다. 단계(142)에서의 이러한 데이터로부터, 부정확하게 배치된 빔들(8)이 식별될 수 있다. 단계(144)에서, 부정확하게 배치된 빔들은, 상기 설명된 바와 같이, 보상될 수 있거나, 또는 리소그래피 장치의 재교정이 수행될 수 있다. 부정확하게 형성된 마크를 포함한, 웨이퍼, 또는 그것의 부분들은 거절되거나, 또는 규격들을 준수하지 않는 것으로 마킹될 수 있다(단계들(148, 150)).
도 9a는 여기에서 설명된 마크 검증 방법을 사용하여 수행된 웨이퍼 정렬에 대한 흐름도를 예시한다. 웨이퍼는, 단계들(122 내지 130)에 따라, 단계(120)에서 그것 상에 하나 이상의 마크들(98)을 형성하는 것, 타겟 표면의 프로세싱 단계들(121)을 겪으며, 그 다음에 마크가 검증되는 것을 포함하여, 패터닝된다. 도 9b에 예시된 바와 같이, 마크 측정 및 검증은 다중 빔 리소그래피 시스템(162) 아래쪽에 위치된 별개의 측정 챔버(164)에서 발생할 수 있다. 마크가 규격 데이터를 준수하면, 웨이퍼는 OK로 고려될 수 있으며(136), 계속해서 생산 라인에 있도록 정렬될 수 있다(단계 160). 마크가 규격들을 준수하지 않는다면, 웨이퍼는 거절될 수 있다(146). 웨이퍼 상에 제공된 마크들은 특정한 특정 다이 면적들에서, 특정 웨이퍼 면적들에 관련될 수 있다. 이들 테스트 마크들의 검증 후, 대응하는 면적들은 OK 또는 OK가 아닌 것으로 마킹될 수 있다(176). 예를 들면, 다이 면적들은 염료에 의해 마킹되거나 또는 그 외 표시될 수 있다. 웨이퍼는 이 경우에 추가 프로세싱을 위해 계속되거나(160) 또는 거절되도록(146) 허용될 수 있다.
시스템 조정 신호가 발행될 수 있으며(144), 예를 들면, 리소그래피 장치(1)의 보상, 또는 교정을 개시하기 위해 리소그래피 제어 유닛(42)으로 송신될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 부정확한 마크들의 존재를 표시한 신호가 사용자에게 제공될 수 있다. 특히, 이러한 신호들은 마크가 규격들을 반복적으로 준수하지 않을 때 발행될 수 있다. 잘못된 마크들의 가끔의 발생은 리소그래피 장치(1)에서 부정확하게 배치된 빔들(8)과 다른 원인들을 갖는 것으로 고려될 수 있다.
웨이퍼 정렬은, 별개의 측정 챔버(164) 및 제어 유닛(166)을 포함한, 도 9b에 예시된 웨이퍼 정렬 장치(162)에 의해 수행될 수 있다. 도 9b에 예시된 바와 같이, 리소그래피 시스템은 복수의 리소그래피 장치들(1) 및 하나 이상의 리소그래피 제어 유닛(42)을 포함할 수 있다. 리소그래피 시스템으로부터 출력된, 모든 웨이퍼들, 또는 예로서, 랜덤하게 선택된 웨이퍼들은 마크 검증 측정들을 겪을 수 있다. 마크 검증은 웨이퍼 표면상에 형성된 패턴이 규격들을 준수할 가능성이 있다는 표시를 제공할 수 있다.
도 10에서 개략적으로 예시된 바와 같이, 타겟 표면(10)은 복수의 상이한 영역들에서 마크들을 제공받을 수 있다. 예를 들면, 하나 이상의 실질적으로 주변 영역들(172)은 마크들을 제공받을 수 있다. 영역들(174)은 패터닝, 예로서 집적 회로들을 형성하기 위해 의도된 필드들을 포함한 영역들을 예시한다. 예를 들면, 마크들은 타겟 표면의 주변 부분들 상에 기록될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 마크들은 다이 면적들 또는 다이 면적들의 그룹들과 연관된 면적들(176)에서 제공될 수 있다.
개시는 상기 논의된 특정한 실시예들에 대한 참조에 의해 설명되었다. 이들 실시예들은 첨부된 청구항들에서 정의된 보호 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 수정들 및 대안적인 형태들에 영향을 받기 쉽다.
Claims (25)
- 다중 빔 리소그래피 프로세스에서 타겟 표면(10)상에 형성된 마크(98, 106)의 검증을 위한 방법에 있어서,
- 마크 측정(122) 단계로서,
- 상기 타겟 표면(10)으로 광학 빔(86)을 향하게 하는 단계;
- 상기 타겟 표면(10)에 의한 상기 광학 빔(86)의 반사에 의해 발생된 반사된 광학 빔(92)을 측정하는 단계;
- 상기 광학 빔(86)이 제1 축(S)에 평행한 방향으로 상기 마크(98, 106)의 적어도 일 부분에 걸쳐 적어도 하나의 스캔 라인(104, 104a-c) 위로 스캔되도록 상기 광학 빔(86) 및 타겟(12)을 서로에 대하여 이동시키는 단계; 및
- 상기 스캔 라인을 따라 위치의 함수로서 상기 반사된 광학 빔(86)의 강도를 측정하는 단계를 포함하는, 상기 마크 측정 단계를 포함하는, 마크 측정 단계;
- 상기 마크(98, 106)의 측정된 표현(124)을 획득하는 단계로서, 상기 측정된 표현은 상기 스캔 라인(104)을 따라 강도 값들로부터 산출된 파라미터들 및/또는 위치의 함수로서의 강도를 포함하는, 상기 측정된 표현 획득 단계; 및
- 상기 마크의 의도된 정의를 표현한 기준 마크 데이터(118)와 상기 측정된 표현을 비교하며(126), 상기 측정된 표현 및 상기 기준 마크 데이터 사이에서의 임의의 편차들을 결정하는 단계를 포함하는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 1에 있어서,
- 상기 편차들 중 하나 이상이 미리 결정된 한계(130) 내에 있지 않다면, 상기 측정된 표현이 상기 미리 결정된 한계 이상만큼 상기 기준 마크 데이터로부터 벗어나는 위치들을 특정한 에러 위치 데이터를 결정하는 단계를 포함하는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 광학 빔(86)은 복수의 평행 스캔 라인들(104a-c) 위로 스캔되는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 2에 있어서,
상기 측정된 표현은 상기 마크(98, 106) 내에 포함된 인접한 피처들(100, 108) 사이에서의 거리들을 산출하고, 상기 스캔 라인들 내에서의 상기 피처들 모두 사이에서의 상기 거리들을 산출하며, 각각의 스캔 라인에 대한 상기 거리들을 산출함으로써 획득되는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 2 내지 4 중 어느 한 항에 있어서,
- 다중 빔 리소그래피 장치(1; 120, 121)를 사용하여 상기 타겟 표면(10) 상에 마크(98, 106)를 형성하는 단계; 및
- 마크의 검증에 기초하여 개개의 빔 패턴 배치 정확도를 결정하는 단계로서, 상기 편차들 중 하나 이상이 미리 결정된 한계 내에 있지 않다면 빔들(8) 중 하나 이상이 부정확하게 배치되었다고 결정하는 단계를 포함하는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 5에 있어서,
상기 마크 측정은 상기 다중 빔 리소그래피 장치(1) 내에서 수행되는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 5에 있어서,
상기 마크는, 상기 마크를 형성하기 위해 사용된 각각의 빔에 대해 상기 타겟 표면(10)상에서 2차원들에서 개개의 빔 위치들의 검증을 가능하게 하고,
상기 적어도 하나의 피처 - 또는 각각의 개별 빔에 의해 형성되는 적어도 하나의 추가 피처- 는 상기 제1 축에 실질적으로 수직인 제2 축(L)을 따라 빔 위치의 확인을 가능하게 하는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 7에 있어서,
상기 마크는 상기 다중 빔 리소그래피 동안 각각이 하나의 빔(8)에 의해 형성된 다수의 라인들(108)을 포함하고, 상기 라인들의 수는 적어도 상기 리소그래피 동안 사용된 빔들의 수에 대응하며, 상기 마크는:
- 상기 라인들이 상기 제1 축에 대하여 비스듬한 α°의 각도로 배향된 직선 평행 라인 부분들을 형성하는 제1 부분(110),
- 상기 라인들이 상기 제1 축에 수직으로 배향된 직선 평행 라인 부분들을 형성하는 제2 부분(112), 및
- 상기 라인들이 상기 제1 축에 대하여 비스듬한 (α+90)°의 각도로 배향된 직선 평행 라인 부분들을 형성하는 제3 부분(114)을 포함하는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 8에 있어서,
제1 스캔 라인(104a)은 상기 제1 부분(110) 내에서, 제2 스캔 라인(104b)은 상기 제2 부분(112) 내에서, 및 제3 스캔 라인(104c)은 상기 제3 부분(114) 내에서 수행되며, 상기 제1 축(S)을 따르는 빔(8)의 위치는 상기 제2 스캔 라인(104b)을 따라 측정된 상기 강도로부터 결정되며, 상기 제2 스캔 라인(104b) 및 상기 제1(104a) 및/또는 제3(104c) 스캔 라인을 따라 측정된 상기 강도를 조합함으로써, 상기 제1 축(S) 및 상기 제2 축(L)을 따르는 상기 빔(8)의 위치가 결정되고, 상기 위치들은 테스트 마크를 형성하기 위해 사용된 각각의 빔(8)에 대해 결정되는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 5에 있어서,
상기 마크 내에서의 피처들은 리소그래피 장치 기준 포인트(14)에 대하여 상기 타겟(12)의 위치를 결정함으로써 개개의 빔들(8)에 관련되는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 5에 있어서,
오버레이를 검증하는 단계를 포함하며, 그에 의해 상기 마크는 제1 층에 형성된 제1 세트의 피처들 및 제2 층에 형성된 제2 세트의 피처들을 포함하고, 상기 제2 세트는 상기 제1 세트의 최상부 상에 형성되는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 5에 있어서,
상기 개개의 빔 위치 검증에 기초하여 부정확하게 배치된 빔들(144)의 교정 및/또는 보상을 수행하는 단계를 포함하는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마크의 검증에 기초하여 하나 이상의 마크들을 제공받은 웨이퍼들을 정렬시키는 단계를 더 포함하는, 마크의 검증을 위한 방법. - 청구항 13에 있어서,
상기 웨이퍼는 각각이 하나 이상의 면적들(172, 176)과 연관된 복수의 상기 마크(98, 106)를 제공받으며, 상기 마크들이 상기 기준 마크 데이터(118)를 준수하는지 여부에 기초하여 상기 면적들을 정렬시키는 단계를 포함하는, 마크의 검증을 위한 방법. - 다중 빔 리소그래피 프로세스에 의해 타겟 표면(10)상에 형성된 마크의 검증을 위한 시스템에 있어서,
- 마크 측정 유닛으로서:
- 상기 타겟 표면(10)으로 광학 빔(86)을 향하게 하고, 상기 표면에 의한 상기 광학 빔의 반사에 의해 발생된 반사된 광학 빔(92)을 수신하고, 상기 반사된 광학 빔의 강도를 표현한 강도 신호를 발생시키기 위한 광학 시스템(72);
- 타겟(12)을 지지하기 위한 타겟 지지대(30); 및
- 적어도 제1 축(S)을 따라 상기 광학 시스템(72) 및 상기 타겟 지지대(30)를 서로에 대하여 이동시켜서, 상기 광학 빔(86)이 상기 마크의 적어도 일 부분 위에서 적어도 하나의 스캔 라인(104, 104a-c)을 따라 스캐닝되도록 하기 위한 작동기(36, 38, 40)를 포함한, 상기 마크 측정 유닛;
- 제어 유닛(42)으로서:
- 상기 강도 신호를 수신하도록 구성되고,
- 상기 광학 시스템에 대하여 상기 타겟의 위치를 표현한 위치 신호를 수신하도록 구성되고,
- 상기 위치 신호의 함수로서 상기 강도 신호를 등록하도록 구성되고,
- 상기 마크의 측정된 표현을 획득하도록 구성되되, 상기 측정된 표현은 위치 신호의 함수로서 강도 신호 및/또는 강도 신호로부터 산출된 파라미터들을 포함하고,
- 상기 마크의 의도된 정의를 표현한 기준 마크 데이터와 상기 측정된 표현을 비교하며 상기 측정된 표현 및 상기 기준 마크 데이터 사이에서의 임의의 편차들을 결정하도록 구성된, 상기 제어 유닛을 포함하며,
상기 제어 유닛(42)은 다중 빔 리소그래피 프로세스 동안 형성된 상기 마크의 검증에 기초하여 상기 타겟 표면(10)상에서의 빔 위치들을 검증하도록 구성되는, 마크의 검증을 위한 시스템. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/644,261 | 2015-03-11 | ||
| US14/644,261 US9484188B2 (en) | 2015-03-11 | 2015-03-11 | Individual beam pattern placement verification in multiple beam lithography |
| PCT/EP2016/055159 WO2016142477A1 (en) | 2015-03-11 | 2016-03-10 | Individual beam pattern placement verification in multiple beam lithography |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170126992A KR20170126992A (ko) | 2017-11-20 |
| KR102554797B1 true KR102554797B1 (ko) | 2023-07-13 |
Family
ID=55521733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020177028136A KR102554797B1 (ko) | 2015-03-11 | 2016-03-10 | 다중 빔 리소그래피에서의 개개의 빔 패턴 배치 검증 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9484188B2 (ko) |
| EP (1) | EP3268977A1 (ko) |
| KR (1) | KR102554797B1 (ko) |
| NL (1) | NL2016411B1 (ko) |
| TW (1) | TWI711885B (ko) |
| WO (1) | WO2016142477A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6180909B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 距離を求める方法、静電チャックを除電する方法、及び、処理装置 |
| US10748272B2 (en) | 2017-05-18 | 2020-08-18 | Applied Materials Israel Ltd. | Measuring height difference in patterns on semiconductor wafers |
| DE102017219559A1 (de) | 2017-11-03 | 2019-05-09 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Verfahren zur Vermessung eines Basiselements einer Bauzylinder-Anordnung, mit Ablenkung eines Messlaserstrahls durch eine Scanner-Optik |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070153275A1 (en) | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Optical metrology system and metrology mark characterization device |
| WO2013029893A2 (en) | 2011-08-30 | 2013-03-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, method of controlling a lithographic apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6628406B1 (en) | 2000-04-20 | 2003-09-30 | Justin L. Kreuzer | Self referencing mark independent alignment sensor |
| JP2003084425A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-19 | Fujitsu Ltd | レチクル、パターン位置精度の測定装置および測定方法 |
| JP4165871B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2008-10-15 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法、位置検出装置及び露光装置 |
| US6664121B2 (en) * | 2002-05-20 | 2003-12-16 | Nikon Precision, Inc. | Method and apparatus for position measurement of a pattern formed by a lithographic exposure tool |
| KR101060557B1 (ko) | 2002-10-25 | 2011-08-31 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 리소그라피 시스템 |
| WO2004040614A2 (en) | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Mapper Lithography Ip B.V. | Electron beam exposure system |
| EP1434103A3 (en) | 2002-12-16 | 2009-04-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with alignment subsystem, device manufacturing method using alignment, and alignment structure |
| KR101068607B1 (ko) | 2003-03-10 | 2011-09-30 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 복수 개의 빔렛 발생 장치 |
| JP4949843B2 (ja) | 2003-05-28 | 2012-06-13 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 荷電粒子ビームレット露光システム |
| ATE381728T1 (de) | 2003-07-30 | 2008-01-15 | Mapper Lithography Ip Bv | Modulator-schaltkreise |
| JP4738723B2 (ja) | 2003-08-06 | 2011-08-03 | キヤノン株式会社 | マルチ荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の電流の測定方法及びデバイス製造方法 |
| JP2005116626A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Canon Inc | 位置検出装置及び位置検出方法、並びに露光装置 |
| WO2005114095A2 (en) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Zetetic Institute | Apparatus and methods for overlay, alignment mark, and critical dimension metrologies based on optical interferometry |
| US20060061743A1 (en) | 2004-09-22 | 2006-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment system, and device manufacturing method |
| US7868300B2 (en) * | 2005-09-15 | 2011-01-11 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, sensor and measuring method |
| US7709815B2 (en) | 2005-09-16 | 2010-05-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system and projection method |
| US7625679B2 (en) | 2005-09-23 | 2009-12-01 | Applied Materials, Inc. | Method of aligning a particle-beam-generated pattern to a pattern on a pre-patterned substrate |
| TWI432908B (zh) | 2006-03-10 | 2014-04-01 | Mapper Lithography Ip Bv | 微影系統及投射方法 |
| JPWO2007116711A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2009-08-20 | 株式会社ニコン | 計測方法、計測装置及び処理装置、並びにパターン形成方法及びデバイス製造方法 |
| US8023106B2 (en) * | 2007-08-24 | 2011-09-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
| NL1036351A1 (nl) | 2007-12-31 | 2009-07-01 | Asml Netherlands Bv | Alignment system and alignment marks for use therewith cross-reference to related applications. |
| KR101570974B1 (ko) | 2008-02-26 | 2015-11-23 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 투사 렌즈 배열체 |
| US8445869B2 (en) | 2008-04-15 | 2013-05-21 | Mapper Lithography Ip B.V. | Projection lens arrangement |
| CN102017052B (zh) | 2008-02-26 | 2013-09-04 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 投影透镜装置 |
| US8130366B2 (en) | 2008-03-21 | 2012-03-06 | Asml Netherlands B.V. | Method for coarse wafer alignment in a lithographic apparatus |
| EP2131243B1 (en) | 2008-06-02 | 2015-07-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating a stage position |
| CN102113083B (zh) | 2008-06-04 | 2016-04-06 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 对目标进行曝光的方法和系统 |
| US8254484B2 (en) | 2009-01-13 | 2012-08-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of dirty paper coding using nested lattice codes |
| EP2638562B1 (en) | 2010-11-13 | 2020-04-01 | ASML Netherlands B.V. | Method for determining a distance between two beamlets in a multi-beamlet exposure apparatus |
| EP2458441B1 (en) | 2010-11-30 | 2022-01-19 | ASML Netherlands BV | Measuring method, apparatus and substrate |
| NL2007615A (en) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Asml Netherlands Bv | Method of operating a patterning device and lithographic apparatus. |
| WO2012144903A2 (en) | 2011-04-22 | 2012-10-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing a target, such as a wafer, a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer and a substrate for use in such a lithography system |
| EP2699967B1 (en) * | 2011-04-22 | 2023-09-13 | ASML Netherlands B.V. | Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark |
| US8582114B2 (en) * | 2011-08-15 | 2013-11-12 | Kla-Tencor Corporation | Overlay metrology by pupil phase analysis |
| CN104272194B (zh) * | 2012-03-08 | 2017-08-25 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 处理靶材的光刻系统和方法 |
| TWI617903B (zh) | 2012-10-26 | 2018-03-11 | 瑪波微影Ｉｐ公司 | 用於在微影系統中測定基板的位置的系統，以及用於此系統中的基板 |
| JP2014225428A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-12-04 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線照射装置、荷電粒子線の照射方法及び物品の製造方法 |
-
2015
- 2015-03-11 US US14/644,261 patent/US9484188B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-10 NL NL2016411A patent/NL2016411B1/en active
- 2016-03-10 EP EP16709081.0A patent/EP3268977A1/en active Pending
- 2016-03-10 KR KR1020177028136A patent/KR102554797B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-10 WO PCT/EP2016/055159 patent/WO2016142477A1/en active Application Filing
- 2016-03-10 TW TW105107325A patent/TWI711885B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070153275A1 (en) | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Optical metrology system and metrology mark characterization device |
| WO2013029893A2 (en) | 2011-08-30 | 2013-03-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, method of controlling a lithographic apparatus and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2016142477A1 (en) | 2016-09-15 |
| NL2016411B1 (en) | 2017-05-23 |
| NL2016411A (en) | 2016-10-10 |
| TWI711885B (zh) | 2020-12-01 |
| TW201643554A (zh) | 2016-12-16 |
| US20160268099A1 (en) | 2016-09-15 |
| EP3268977A1 (en) | 2018-01-17 |
| KR20170126992A (ko) | 2017-11-20 |
| US9484188B2 (en) | 2016-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0721608B1 (en) | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate | |
| KR100536632B1 (ko) | 리소그래피 장치용 메트롤로지 시스템 | |
| KR100524266B1 (ko) | 리소그래피 투영 장치 | |
| US9958789B2 (en) | Method of metrology, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method | |
| TWI470374B (zh) | 判定對焦校正之方法、微影處理製造單元及元件製造方法 | |
| KR102364227B1 (ko) | 계측 파라미터 결정 및 계측 레시피 선택 | |
| US5721607A (en) | Alignment method and apparatus | |
| TWI623821B (zh) | 位置量測方法、微影設備、微影單元和器件製造方法 | |
| US20150177625A1 (en) | Method of determining a position of a substrate in a lithography system, substrate for use in such a method, and lithography system for carrying out such method. | |
| KR102592917B1 (ko) | 표면 검사 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR20070090183A (ko) | 나노 스케일 장치를 제조하기 위한 간섭 분석 | |
| KR20160093021A (ko) | 비접촉 광학 방법을 이용한 포토리소그래피 마스크를 위치시키기 위한 방법 및 장치 | |
| JPH11241908A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| US10747124B2 (en) | Method of measuring a target, metrology apparatus, polarizer assembly | |
| KR102554797B1 (ko) | 다중 빔 리소그래피에서의 개개의 빔 패턴 배치 검증 | |
| JP6933725B2 (ja) | 測定方法、デバイス製造方法、計測装置およびリソグラフィシステム | |
| CN112687562A (zh) | 测量方法 | |
| JP2822229B2 (ja) | 位置合わせ方法及び装置 | |
| CN114667489A (zh) | 量测方法和光刻设备 | |
| JPH0992591A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| US20200011650A1 (en) | Metrology target | |
| JPH07226359A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| CN113227906A (zh) | 位置量测设备和关联的光学元件 | |
| JPH07226360A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| NL2021746A (en) | Laser triangulation apparatus and calibration method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |