TWI662383B

TWI662383B - 用於檢測由微影程序製造之基板之檢測設備、用於檢測藉由微影程序形成之結構之方法、用於製造半導體裝置之方法和電腦程式產品

Info

Publication number: TWI662383B
Application number: TW107102311A
Authority: TW
Inventors: 賽門吉司伯喬瑟佛思麥提森; 山德巴斯盧波; 林楠; 威樂馬力朱立亞麻索蔻妮; 包伊夫亞歷傑福瑞丹
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2017-02-09
Filing date: 2018-01-23
Publication date: 2019-06-11
Also published as: KR20190113932A; US10379448B2; CN110291464B; KR102318583B1; CN110291464A; WO2018145837A1; EP3361315A1; US20180224753A1; TW201832024A

Abstract

藉由一微影程序將諸如疊對光柵(Ta及Tb)之目標結構形成於一基板(W)上。運用一第一輻射光點(456a、Sa)來照明第一目標，且同時地運用一第二輻射光點(456b、Sb)來照明第二目標。一感測器(418)在不同部位處偵測已由該第一目標之特徵在一第一方向上繞射的該第一輻射之部分(460x-、460x+)及已由該第二目標之特徵在一第二方向上繞射的該第二輻射之部分(460y-、460y+)。可同時地偵測在X及Y方向上之不對稱性，從而縮減在X及Y上之疊對量測所需要之時間。可僅僅藉由激發一高階諧波產生(HHG)輻射源或逆Compton散射源中之兩個部位(710a、710b)而產生在軟x射線波長下之該兩個輻射光點。

Description

用於檢測由微影程序製造之基板之檢測設備、用於檢測藉由微影程序形成之結構之方法、用於製造半導體裝置之方法和電腦程式產品

本發明係關於可用於例如藉由微影技術進行裝置製造之檢測(例如度量衡)方法及設備，且係關於使用微影技術來製造裝置之方法。

微影設備為將所要圖案施加至基板上一通常施加至基板之目標部分上一之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)製造中。在彼情況下，被替代地稱作光罩或倍縮光罩之圖案化裝置可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。此等目標部分通常被稱作「場」。

在微影程序中，頻繁地需要對經產生結構進行量測，例如，用於程序控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對一裝置中之兩個層之對準準確度一之特殊化工具。最近，已開發用於微影領域中的各種形式之散射計。此等裝置將輻射光束導向至目標上且量測散射輻射之一或多個屬性一例如，依據波長而變化的在單一反射角下之強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振一以獲得可供判定目標之所關注屬性的繞射「光譜」。

已知散射計之實例包括US2006033921A1及US2010201963A1中所描述之類型之角解析散射計。由此等散射計使用之目標為相對大一例如，40微米乘40微米一光柵，且量測光束產生小於光柵之光點(亦即，光柵填充不足)。除了藉由重新建構進行特徵形狀之量測以外，亦可使用此設備來量測以繞射為基礎之疊對，如公開專利申請案US2006066855A1中所描述。通常藉由量測兩個疊對光柵之不對稱性來獲得疊對量測，該兩個疊對光柵各自具有不同的經規劃(故意)偏移或「偏置」。使用繞射階之暗場成像的以繞射為基礎之疊對度量衡實現對較小目標之疊對量測。暗場成像度量衡之實例可見於公開專利申請案US2014192338及US2011069292A1中。該技術之進一步開發已在若干公開專利公開案中予以描述。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構環繞。可使用複合光柵目標而在一個影像中量測多個光柵。此等開發允許快速且計算上極簡單之疊對量測(一旦校準)。

同時，已知暗場成像技術使用在可見或紫外線波帶中之輻射。此會限制可量測之最小特徵，使得該技術可不再直接量測在現代微影程序中製成之最小特徵。為了允許量測較小結構，已提議使用較短波長之輻射，該等較短波長相似於例如極紫外線(EUV)微影中所使用之EUV波長。此等波長亦可被稱作軟x射線波長，且可在例如1至100奈米之範圍內。公開專利申請案WO2015172963A1中揭示在透射及/或反射散射模式中使用此等波長之透射及反射度量衡技術之實例。未在本優先權日期公開之申請中專利申請案PCT/EP2016/068317及US 15/230,937(主張2015年8月12日申請之EP15180807.8的優先權)以及PCT/EP2016/068479(主張2015年8月12日申請之EP15180740.1的優先權)中揭示在透射及/或反射散射模式中使用此等波長之度量衡技術及設備之另外實例。所有此等申請案之內容係以引用之方式併入本文中。

適宜的SXR輻射源包括高階諧波產生(HHG)源，其中來自雷射之紅外線泵輻射藉由與氣態介質之相互作用而轉換為較短波長輻射。HHG源可購自例如美國科羅拉多州博爾德市(Boulder Colorado)之KMLabs(http：//www.kmlabs.com/)。亦考慮HHG源之各種修改以應用於微影用檢測設備。舉例而言，日期為2016年11月11日之歐洲專利申請案第16198346.5號揭示此等修改中之一些，該歐洲專利申請案未在本申請案之優先權日期公開。美國專利申請案15/388,463及國際專利申請案PCT/EP2016/080103中揭示其他修改，該美國專利申請案及該國際專利申請案兩者主張日期為2015年12月23日且亦尚未在本申請案之優先權日期公開之歐洲專利申請案第15202301.6號的優先權。此等申請案兩者之內容係以引用之方式併入本文中。另一類型之源為上文所提及之申請案PCT/EP2016/068479中所描述之逆Compton散射(inverse Compton scattering；ICS)源。

無單一度量衡技術符合所有要求，且已提議混合式度量衡系統以在緊湊且具成本效益之系統中組合不同類型之量測及不同波長。未在本優先權日期公開之國際專利申請案PCT/EP2016/080058中揭示此等混合式技術之實例。

不幸的是，與此等波長相容之光學系統之成本及其他限制使實施小目標暗場成像在商業上不具吸引性。

本發明旨在改良運用SXR波長輻射進行操作之檢測設備之產出率，在SXR波長輻射中，暗場成像之速度優點係不可得到的。

在一第一態樣中，本發明提供一種檢測設備，其包含一照明系統及一偵測系統，其中該照明系統包括一源配置，該源配置用於在一輻射產生空間中之一第一源部位處產生第一輻射且用於同時地在該同一輻射產生空間中之一第二源部位處產生第二輻射，該第一輻射及該第二輻射包括小於100奈米之波長，其中該照明系統之一光學系統經配置以聚焦來自該第一源部位及該第二源部位兩者之輻射，以便運用該第一輻射之一光點來照明一第一目標部位，而同時地運用該第二輻射之一光點來照明一第二目標部位，且其中該偵測系統經配置以在一或多個第一偵測部位處偵測已由該第一目標部位處之一第一目標結構在一第一方向上繞射的該第一輻射之部分，且同時地在一或多個第二偵測部位處偵測已由定位於該第二目標部位處之一第二目標結構之特徵在一第二方向上繞射的該第二輻射之部分。

以此方式，可同時地對兩個目標進行例如量測不對稱性之量測，甚至在沒有暗場成像設施之情況下仍如此。同時地對兩個目標進行量測會極大地縮減在不同方向上量測數個目標所需要之量測額外負擔。

在一第二態樣中，本發明提供一種檢測已藉由一微影程序而形成於一基板上之結構之方法，該方法包含：運用第一輻射來照明一第一目標且同時地運用第二輻射來照明一第二目標，該第一輻射及該第二輻射包括小於100奈米之波長；在一或多個第一偵測部位處偵測已由該第一目標之特徵在一第一方向上繞射的該第一輻射之部分；及在一或多個第二偵測部位處偵測已由該第二目標之特徵在一第二方向上繞射的該第二輻射之部分。

可例如使用如上文所闡述的本發明之第一態樣之檢測設備來執行該方法。在較簡單的實施方案中，亦可使用在該第一目標上方部分地及在該第二目標上方部分地延伸之單一輻射光點來執行該方法。

本發明進一步提供一種製造裝置，該方法包括一微影程序步驟，其中，在執行該微影程序步驟之前或之後，藉由如上文所闡述的根據本發明之第二態樣之一方法來獲得一基板上之第一目標及第二目標之量測，且其中該等經獲得量測用以調整該微影程序步驟之參數以用於處理該基板及/或另外基板。

本發明進一步提供一種電腦程式產品，其包含機器可讀指令，該等機器可讀指令用於致使一處理器實施如上文所闡述的根據本發明之第一態樣之一檢測設備之處理配置。該等機器可讀指令可提供於一非暫時性儲存媒體中。

本發明進一步提供一種系統，其包含一檢測設備，該檢測設備經組態以將一輻射光束提供於一目標結構上，且結合如上文所闡述的根據本發明之電腦程式而偵測由目標繞射之輻射以判定一圖案化程序之一參數。該系統可進一步包含一微影設備，該微影設備包含：一支撐結構，其經組態以固持用以調變一輻射光束之一圖案化裝置；及一投影光學系統，其經配置以將該經調變輻射光束投影至一輻射敏感基板上。

下文參考隨附圖式來詳細地描述另外特徵及優點，以及各種實施例之結構及操作。應注意，本發明並不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。

51‧‧‧輻射光點

51'‧‧‧光點

52‧‧‧光柵

53‧‧‧光柵

54‧‧‧光柵

61a‧‧‧照明光點

61b‧‧‧照明光點

100‧‧‧微影設備/微影工具

102‧‧‧量測站

104‧‧‧曝光站

106‧‧‧控制單元

108‧‧‧塗佈設備

110‧‧‧烘烤設備

112‧‧‧顯影設備

120‧‧‧基板

122‧‧‧蝕刻站/設備

124‧‧‧設備

126‧‧‧設備/步驟

130‧‧‧基板

132‧‧‧基板

134‧‧‧經處理基板

140‧‧‧度量衡設備

142‧‧‧度量衡結果

200‧‧‧混合式度量衡系統

210-1‧‧‧專用模組

210-2‧‧‧專用模組

212‧‧‧混合式處理模組/顯影設備

220-1‧‧‧第一輻射

220-2‧‧‧第二輻射

300‧‧‧混合式度量衡系統/第一檢測設備

302‧‧‧第一檢測設備

310‧‧‧第一輻射源

312‧‧‧第一照明系統/照明光學件

316‧‧‧基板支撐件

318‧‧‧第一偵測系統/偵測器

320‧‧‧度量衡處理單元/度量衡處理器

330‧‧‧泵雷射/組件

332‧‧‧高階諧波產生(HHG)氣胞/第一高階諧波產生(HHG)胞元/組件

334‧‧‧氣體供應件/組件

336‧‧‧電源/組件

340‧‧‧第一輻射光束/組件

342‧‧‧光束

344‧‧‧濾光裝置

350‧‧‧檢測腔室

352‧‧‧真空泵

356‧‧‧經聚焦光束

360‧‧‧反射輻射

372‧‧‧位置控制器

374‧‧‧感測器

382‧‧‧第一光譜資料

400‧‧‧第二檢測設備/度量衡設備

410‧‧‧第二輻射源

412‧‧‧第二照明系統

418‧‧‧感測器/偵測器/偵測系統

430‧‧‧組件

432‧‧‧第二高階諧波產生(HHG)胞元/組件

434‧‧‧組件

436‧‧‧組件

440‧‧‧組件

456‧‧‧經聚焦光束/照明輻射光束

456a‧‧‧照明輻射之部分

456b‧‧‧照明輻射之第二部分

458‧‧‧零階反射光束

460-‧‧‧高階繞射光束

460+‧‧‧高階繞射光束

518‧‧‧繞射光譜

518'‧‧‧繞射光譜

520‧‧‧孔徑

560'-‧‧‧明亮區

560-‧‧‧明亮光點

560+‧‧‧明亮光點

560'-+‧‧‧明亮區

618‧‧‧繞射光譜

660x-‧‧‧區

660x+‧‧‧區

660y-‧‧‧區

660y+‧‧‧區

702‧‧‧第一插圖細節

704‧‧‧高階諧波產生空間

706‧‧‧雷射光束遞送系統

708‧‧‧第二插圖細節

710a‧‧‧第一激發部位/高階諧波產生(HHG)源部位

710b‧‧‧第二激發部位/高階諧波產生(HHG)源部位

802‧‧‧輻射光束

804‧‧‧第一光學元件

806‧‧‧第一光楔部分

808‧‧‧第二光楔部分

810‧‧‧光闌

812‧‧‧第一輻射

814‧‧‧第二輻射

816‧‧‧透鏡

818‧‧‧氣體

820‧‧‧第一光點

822‧‧‧第二光點

824‧‧‧第一照明輻射

826‧‧‧第二照明輻射

828‧‧‧光學元件

830‧‧‧基板

832‧‧‧校正資料

834‧‧‧校正單元

836‧‧‧致動器

840‧‧‧處理單元

900‧‧‧混合式度量衡系統

902‧‧‧可移動鏡面

1000‧‧‧混合式度量衡系統

1002‧‧‧光束分裂器

θr‧‧‧反射角

θi‧‧‧入射角

Ax‧‧‧不對稱性值/不對稱性

Ay‧‧‧不對稱性

DET1‧‧‧第一偵測系統

DET2‧‧‧第二偵測系統

IL1‧‧‧第一照明系統

IL2‧‧‧第二照明系統

LAS‧‧‧泵雷射

MA‧‧‧圖案化裝置/倍縮光罩

MPU‧‧‧度量衡處理單元

R‧‧‧配方資訊

S‧‧‧輻射光點

S21‧‧‧步驟

S22‧‧‧步驟

S23‧‧‧步驟

S24‧‧‧步驟

Sa‧‧‧第一光點

Sb‧‧‧第二光點

SCS‧‧‧監督控制系統

SRC1‧‧‧第一輻射源

SRC2‧‧‧輻射源

T‧‧‧目標結構

T1‧‧‧上部光柵特徵

T2‧‧‧下部光柵特徵

Ta‧‧‧第一目標

Tb‧‧‧第二目標

W‧‧‧基板

現在將參考隨附圖式而僅作為實例來描述實施例，圖式中：圖1描繪微影設備連同其他設備，該等其他設備形成用於半導體裝置之生產設施且包括混合式度量衡設備，該混合式度量衡設備包括根據本發明之一實施例之檢測設備；圖2展示(a)圖1所展示之生產設施中之實例混合式度量衡設備中之度量衡設備及資料流程的示意性一般配置，及(b)掠入射輻射及正入射輻射與實例設備中之疊對目標結構的相互作用；圖3較詳細地展示圖2之實例混合式度量衡設備之組件的配置，該混合式度量衡設備包括可應用本發明之檢測設備之第一實施例；圖4展示可應用本發明之檢測設備之第二實施例的部分細節；圖5展示在不使用本發明之情況下的圖3及圖4之檢測設備中之(a)複合光柵目標以及(b)及(c)經偵測繞射信號；圖6展示在應用本發明時的圖3及圖4之檢測設備中之(a)複合光柵目標及(b)經偵測繞射信號；圖7較詳細地展示由圖3或圖4之檢測設備對兩個目標之同時照明；圖8較詳細地繪示用於在圖3或圖4之檢測設備中產生輻射之實例配置；包含圖9之(a)及圖9之(b)的圖9示意性地繪示根據本發明之另外實施例的混合式度量衡設備中之驅動雷射之共用；圖10示意性地繪示根據本發明之另外實施例的混合式度量衡設備中之驅動雷射之共用及混合式度量衡設備中之不同檢測設備之同時操作；且圖11為繪示使用由圖1之混合式度量衡系統進行之量測來控制度量衡方法及/或微影製造程序之效能之方法的流程圖。

在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。

圖1在100處將微影設備LA展示為實施大容量微影製造程序之工業設施之部分。在本實例中，製造程序經調適用於在諸如半導體晶圓之基板上製造半導體產品(積體電路)。熟習此項技術者應瞭解，可藉由以此程序之變體來處理不同類型之基板而製造各種各樣的產品。半導體產品之生產純粹地用作現今具有極大商業意義之實例。

在微影設備(或簡稱為「微影工具」100)內，在102處展示量測站MEA且在104處展示曝光站EXP。在106處展示控制單元LACU。在此實例中，每一基板造訪量測站及曝光站以被施加圖案。舉例而言，在光學微影設備中，投影系統用以使用經調節輻射及投影系統將產品圖案自圖案化裝置MA轉印至基板上。此係藉由在輻射敏感抗蝕劑材料層中形成圖案之影像而進行。

本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。圖案化MA裝置可為將圖案賦予至由圖案化裝置透射或反射之輻射光束的光罩或倍縮光罩。熟知的操作模式包括步進模式及掃描模式。眾所周知，投影系統可以多種方式與用於基板及圖案化裝置之支撐系統及定位系統合作，以將所要圖案施加至橫越基板之許多目標部分。可使用可程式化圖案化裝置來代替具有固定圖案之倍縮光罩。舉例而言，輻射可包括在深紫外線(DUV)波帶或極紫外線(EUV)波帶中之電磁輻射。本發明亦適用於其他類型之微影程序，例如壓印微影及直寫微影，例如藉由電子束。

微影設備控制單元LACU控制各種致動器及感測器之所有移動及量測，從而致使設備收納基板W及倍縮光罩MA且實施圖案化操作。LACU亦包括實施與設備之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，該等子單元各自處置設備內之子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。

在曝光站EXP處將圖案施加至基板之前，在量測站MEA處處理基板，使得可實行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器來映射基板之表面高度，及使用對準感測器來量測基板上之對準標記之位置。對準標記係以規則柵格圖案標稱地配置。然而，歸因於在產生標記時之不準確度且亦歸因於基板貫穿其處理而發生之變形，標記會偏離理想柵格。因此，若設備將以極高準確度在正確部位處印刷產品特徵，則除了量測基板之位置及定向以外，對準感測器實務上亦必須詳細地量測橫越基板區域之許多標記之位置。

微影設備LA可屬於具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型，每一基板台具有由控制單元LACU控制之定位系統。在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可實行各種預備步驟。因此，對準標記之量測極耗時，且兩個基板台之佈建會實現設備之產出率之相當大的增加。若位置感測器IF在基板台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。當微影設備LA屬於具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型時，曝光站及量測站可為相異部位，在該等相異部位之間可交換該等基板台。[然而，此僅為一個可能配置，且量測站及曝光站無需如此相異。舉例而言，已知的是具有單一基板台，在曝光前量測階段期間將量測載物台暫時耦接至該單一基板台。本發明並不限於任一類型之系統。]

在生產設施內，設備100形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分，該「微影製造單元」或「微影叢集」亦含有塗佈設備108以用於將感光抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以供設備100圖案化。在設備100之輸出側處，提供烘烤設備110及顯影設備112以用於將經曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案。在所有此等設備之間，基板處置系統負責支撐基板且將基板自一台設備轉移至下一台設備。常常被集體地稱作「塗佈顯影系統(track)」之此等設備係在塗佈顯影系統控制單元之控制下，塗佈顯影系統控制單元自身由監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影設備控制單元LACU來控制微影設備。因此，可操作不同設備以最大化產出率及處理效率。監督控制系統SCS接收配方資訊R，配方資訊R極詳細地提供待執行以產生每一經圖案化基板之步驟之定義。

一旦已在微影製造單元中施加及顯影圖案，就將經圖案化基板120轉移至諸如在122、124、126處所繪示之其他處理設備。廣泛範圍之處理步驟係由典型製造設施中之各種設備實施。出於實例起見，此實施例中之設備122為蝕刻站，且設備124執行蝕刻後退火步驟。在另外設備126等等中應用另外物理及/或化學處理步驟。為了製成真實裝置可需要眾多類型之操作，諸如材料之沈積、表面材料特性之修改(氧化、摻雜、離子植入等等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上，設備126可表示在一或多個設備中執行之一系列不同處理步驟。

眾所周知，半導體裝置之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之裝置結構。因此，到達微影叢集之基板130可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或在另一設備中完全地被處理之基板。相似地，取決於所需處理，基板132在離開設備126時可被返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，基板132可意欲用於不同叢集中之圖案化操作，或基板132可為成品以供發送用於切塊及封裝。

產品結構之每一層需要一組不同程序步驟，且用於每一層處之設備126可在類型方面完全地不同。此外，甚至在待由設備126應用之處理步驟標稱地相同的情況下，在大型設施中仍可存在並行地工作以對不同基板執行步驟126之若干假設相同機器。此等機器之間的小設置或疵點差異可意謂其以不同方式影響不同基板。甚至對於每一層而言相對共同之步驟一諸如蝕刻(設備122)一仍可由標稱地相同但並行地工作以最大化產出率之若干蝕刻設備實施。此外，實務上，不同層根據待蝕刻材料之細節而需要不同蝕刻程序，例如化學蝕刻、電漿蝕刻，且需要諸如各向異性蝕刻之特殊要求。

可在其他微影設備中執行先前及/或後續程序，如剛才所提及，且甚至可在不同類型之微影設備中執行先前及/或後續程序。舉例而言，裝置製造程序中在諸如解析度及疊對之參數上要求極高的一些層相比於要求較不高之其他層可在更進階的微影工具中執行。因此，一些層可曝光於浸潤型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射予以曝光。

為了正確地且一致地曝光由微影設備曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等等的屬性。因此，微影製造單元LC被定位之製造設施亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET收納已在微影製造單元中處理之基板W中之一些或全部。將度量衡結果直接或間接提供至監督控制系統(SCS)138。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在度量衡可足夠迅速地且快速地進行而使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知為有疵點之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有疵點的狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。

圖1中亦展示度量衡設備140，度量衡設備140經提供以用於在製造程序中之所要時期對產品之參數進行量測。現代微影生產設施中之度量衡設備之常見實例為散射計，例如角解析散射計或光譜散射計，且其可經應用以在設備122中之蝕刻之前量測在120處之經顯影基板之屬性。在使用度量衡設備140之情況下，可判定例如諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要效能參數並不滿足經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板120的機會。亦眾所周知，可使用來自設備140之度量衡結果142以藉由監督控制系統SCS及/或控制單元LACU 106隨著時間推移而進行小調整來維持微影叢集中之圖案化操作之準確效能，藉此最小化產品被製成為不合規格且需要重工之風險。當然，度量衡設備140及/或其他度量衡設備(未圖示)可經應用以量測經處理基板132、134及傳入基板130之屬性。

度量衡設備140可視需要而實施混合式度量衡系統。現代微影生產設施中之度量衡設備之常見實例為散射計，例如角解析散射計或光譜散射計，且其可經應用以在設備122中之蝕刻之前量測在120處之經顯影基板之屬性。混合式度量衡系統可包括在不同波長下工作之散射計及額外類型之檢測設備，使得可在混合式度量衡系統內執行多種類型之量測以獲得對給定目標結構之所關注參數之較佳總體量測。

混合式度量衡系統內之檢測設備中之每一者可具有用於特定特性之輻射的特定照明系統。上文所提及之申請中國際專利申請案第PCT/EP2016/080058號中給出可組合之設備類型之較詳細實例。本發明係關於特定形式之檢測設備及方法，該特定形式之檢測設備及方法可被應用為混合式度量衡系統中之檢測設備中之一者，但亦可視需要而被獨立地應用。

每一代微影製造技術(通常被稱作技術「節點」)具有用於諸如CD之效能參數的較嚴格規格。度量衡中之主要挑戰中之一者為產品內之特徵之大小變得愈來愈小，且此較小特徵大小亦應反映於度量衡目標之設計中。因此，度量衡設備140可包括經設計以運用波長短於習知可見或UV波長之輻射進行操作的檢測設備。作為一特定實例，可使用軟x射線(SXR)輻射(亦被稱為極紫外線EUV輻射)輻射，其中波長在1至100奈米之範圍內。

圖2繪示提供第一檢測設備及第二檢測設備之混合式度量衡系統200 之簡單實例。每一檢測設備包含輻射源SRC1/SRC2、照明系統IL1/IL2及偵測系統DET1/DET2/3。可產生混合式度量衡設備，其包括用於執行之SXR檢測設備及用於執行較多習知量測之較長波長光學檢測設備兩者。在其他實例中，第一檢測設備及第二檢測設備兩者可經設計以運用相同或不同波長之SXR輻射進行操作。兩個檢測設備可同時地對同一基板W之相同部分或不同部分工作。兩個檢測設備實務上可在不同時間操作，同時共用諸如基板處置及定位系統之共同組件。度量衡設備可與微影設備LA自身整合或整合於微影製造單元LC內。在度量衡處理單元MPU內，可提供專用模組210-1、210-2以在一定程度上處理自偵測系統DET1/DET2中之每一者接收之資料。經預處理結果自此等專用模組遞送至混合式處理模組212，混合式處理模組212組合來自個別檢測設備之資訊以獲得目標結構T之所要參數之量測。

在圖2之特定實例中，需要量測與目標結構之不對稱性相關之屬性，例如以獲得作為微影程序之效能參數之疊對的量度。如圖2之(b)處所展示，目標結構T可包含光柵特徵T1及下部層，以及上部層中之T2。此等結構中之任一者或兩者可埋入於另外層下方，未圖示。當量測疊對時，經報告量測已知方法可對不由疊對如此造成之不對稱性極敏感。使用圖2之系統之混合式度量衡技術的應用可幫助隔離真正地歸因於所關注參數之彼等效應與具有其他原因之彼等效應。

可在圖2之(b)之放大示意性細節中看到可改良疊對量測之準確度的一種方式。用於第一檢測步驟中之第一輻射220-1具有掠入射且極少地穿透至形成於基板W上之層堆疊中。由第一偵測系統DET1捕捉第一光譜資料，其中來自下部層之影響很小。接著可由專用模組210-1量測及報告含有光柵特徵T2之上部層之屬性。具有較高入射角且可能具有不同波長特性及其他屬性之第二輻射220-2較完全地穿透至該堆疊中。因此，第二光譜資料含有與所關注參數相關之不對稱性資訊，尤其是一起包含上部光柵特徵T1及下部光柵特徵T2之疊對目標之不對稱性。在混合式處理模組212中組合此等光譜之處理的情況下，可使用自第一光譜取得之知識來調整第二光譜中攜載之疊對量測以移除下部層之影像。

層之間的疊對僅僅為目標結構之不對稱性相關參數之一個實例。在多重圖案化程序中，不在一個圖案化操作中而是在兩個或多於兩個圖案化步驟中將結構形成於產品之一個層中。因此，舉例而言，可使第一結構群體與第二結構群體交錯，且在不同步驟中形成該等群體，以便達成比一個步驟單獨地可產生之解析度更高的解析度。雖然群體之置放相對於基板上之其他特徵應相同且完美，但當然，每一真實圖案展現某一位置偏移。群體之間的任何無意位置偏移可被視為某種形式之疊對，且可由藉由多重圖案化程序而形成之目標光柵或產品特徵之不對稱性量測。對於簡單光柵結構，亦可量測其他類型之不對稱性，例如側壁不對稱性及溝槽底部不對稱性。

在使用混合式度量衡系統之情況下，可縮減此等不同不對稱性相關參數之間的串擾，以隔離所關注參數之量測。如已經提及，本發明並不限於混合式度量衡系統。

圖3繪示作為圖2之混合式度量衡系統200之實例的混合式度量衡系統300之示意性實體配置。該混合式度量衡系統可為單機裝置，或可併入於微影設備LA或微影製造單元LC中。當然，該設備可結合諸如SEM設備之其他設備而使用，作為較大度量衡系統之部分。

此實例中之混合式度量衡系統300包括使用呈掠入射之SXR輻射之第一檢測設備302，第一檢測設備302可相似於圖2之第一檢測設備。以散射計之形式提供第二檢測設備304，其相似於圖2之第二檢測設備而使用呈正入射或近正入射之SXR輻射。第一檢測設備302包含第一輻射源(SRC1)310、第一照明系統(IL1)312、基板支撐件316、第一偵測系統(DET1)318，及度量衡處理單元(MPU)320之部分。在此實例中，源310包含例如基於高階諧波產生(HHG)技術之EUV或軟x射線輻射產生器。此等源可購自例如美國科羅拉多州博爾德市(Boulder Colorado)之KMLabs(http：//www.kmlabs.com/)。輻射源之主要組件為泵雷射330及HHG氣胞332。氣體供應件334將合適氣體供應至氣胞，在該氣胞中，該合適氣體視情況而由電源336離子化。泵雷射可為例如具有光學放大器之以光纖為基礎之雷射，從而產生每脈衝可持續例如小於1ns(1奈秒)之紅外線輻射脈衝，其中脈衝重複率視需要而高達若干百萬赫茲。紅外線輻射之波長可為例如大約1μm(1微米)。雷射脈衝作為第一輻射光束340遞送至HHG氣胞332，其中將輻射之部分轉換為較高頻率，第一輻射被轉換成包括所要SXR波長之相干輻射之光束342。

輻射可含有多個波長。若輻射亦係單色的，則可簡化量測計算(例如重新建構)，但在運用HHG之情況下較易於產生具有若干波長之輻射。氣胞332內之氣體體積界定HHG空間，但該空間無需被完全地圍封且可使用氣體流來代替靜態體積。氣體可為例如惰性氣體，諸如氖(Ne)或氬(Ar)。此等情形為設計選擇之事情，且甚至可為同一設備內之可選擇的選項。不同波長將例如在對不同材料之結構成像時提供不同程度之對比度。舉例而言，為了檢測金屬結構或矽結構，可將不同波長選擇為用於對(碳基)抗蝕劑之特徵成像或用於偵測此等不同材料之污染的波長。可提供一或多個濾光裝置344。舉例而言，諸如鋁(Al)薄膜之濾光器可用來切斷基諧IR輻射免於進一步傳遞至檢測設備中。可提供光柵以自氣胞中產生之諧波波長當中選擇一或多個特定諧波波長。在真空環境內可含有光束路徑之一些或全部，應記住，SXR輻射在空氣中行進時會被吸收。輻射源310及照明光學件312之各種組件可為可調整的，以在同一設備內實施不同度量衡「配方」。舉例而言，可使不同波長及/或偏振為可選擇的。

對於大容量製造應用，對合適源之選擇將由成本及硬體大小導引，而不僅由理論能力導引，且此處將HHG源選擇為實例。原則上可應用的其他類型之源亦係可用的或在開發中。實例為同步加速器源、自由電子雷射(FEL)源，及所謂的x射線雷射。亦可使用基於逆Compton散射之源。

取決於在檢測中之結構之材料，不同波長可提供至下部層中的所要程度之穿透。為了解析最小裝置特徵以及最小裝置特徵當中之缺陷，則短波長很可能係較佳的。舉例而言，可選擇在1至20奈米或1至10奈米之範圍內之一或多個波長。短於5奈米之波長在自半導體製造中通常所關注之材料反射時遭受極低臨界角。因此，選擇大於5奈米之波長將在較高入射角下提供較強信號。另一方面，若檢測任務係用於偵測某一材料之存在，例如以偵測污染，則高達50奈米之波長可為有用的。

經濾光光束342自第一輻射源310進入檢測腔室350，在檢測腔室350中，包括所關注結構之基板W由基板支撐件316固持以供檢測。所關注結構被標註為T。檢測腔室350內之氛圍由真空泵352維持為近真空，使得EUV輻射可在無不當衰減之情況下傳遞通過該氛圍。照明系統312具有將輻射聚焦成經聚焦光束356之功能，且可包含例如二維彎曲鏡面或一系列一維彎曲鏡面，如上文所提及之國際申請案第PCT/EP2016/080058號中所描述。執行該聚焦以在投影至所關注結構上時達成直徑低於10微米之圓形或橢圓形光點。基板支撐件316包含例如X-Y平移載物台及旋轉載物台，藉由該X-Y平移載物台及該旋轉載物台可使基板W之任何部分在所要定向上到達光束之焦點。因此，輻射光點S形成於所關注結構上。

反射輻射360由偵測器318捕捉且第一光譜提供至處理器320以用於計算目標結構T之屬性。第一照明系統312及第一偵測系統318因此形成第一檢測設備。此第一檢測設備可包含US2016282282A1中所描述之種類之SXR光譜反射計。亦可提供基板在一或多個維度上之傾斜。

為了輔助光點S與所要產品結構之對準及聚焦，檢測設備300亦可提供在度量衡處理器320之控制下使用輔助輻射之輔助光學件。度量衡處理器320亦可與位置控制器372通信，位置控制器372操作平移載物台及旋轉載物台。處理器320經由感測器接收關於基板之位置及定向之高度準確回饋。感測器474可包括例如干涉計，其可給出大約皮米之準確度。在第一檢測設備300之操作中，將由第一偵測系統318捕捉之第一光譜資料382遞送至度量衡處理單元320。

圖3之混合式度量衡系統內之第二檢測設備400包括第二輻射源410、第二照明系統412及分開之偵測器418。此等組件可例如與第一檢測設備300之組件為相同的一般形式，下文強調特定差異。因此，輻射源410包含相似於輻射源310之類似編號組件330至340的HHG輻射源之組件430至440。

如在圖2之實例中，此實例中之第二檢測設備400使用處於正入射或近正入射之SXR輻射以執行以繞射為基礎之不對稱性量測。根據本發明之原理，同時地對多於一個目標量測不對稱性。首先將描述對單一目標量測不對稱性。

照明系統412聚焦來自輻射源410之SXR輻射一將輻射聚焦成經聚焦光束456之功能，且可包含例如二維彎曲鏡面或一系列一維彎曲鏡面，如上文所提及之國際申請案第PCT/EP2016/080058號中所描述。執行該聚焦以達成直徑可例如不到10微米之圓形或橢圓形光點S。在混合式度量衡系統之此實例中，將假定第一檢測設備與第二檢測設備之間共用諸如度量衡處理器320、位置控制器272及感測器374之組件。

為了量測運用光點S而照明之目標T之不對稱性，將由第二檢測設備400內之第二偵測系統捕捉之第二光譜資料484遞送至度量衡處理單元320且分析以識別繞射光譜中之不對稱性。可連同第一光譜資料382使用第二光譜資料以計算不對稱性及/或一或多個其他所關注參數之經改良量測。如上文所提及且以引用之方式併入本文中之國際申請案第PCT/EP2016/080058號中所闡釋，組合該資料之方式可變化。舉例而言，基於自檢測設備中之一者獲得之光譜資料，可在其他檢測設備捕捉光譜之前調整彼其他設備之度量衡配方。替代地或另外，自檢測設備中之一者獲得之光譜資料可用以在使用自其他度量衡設備獲得之光譜資料來計算結構之屬性之前特性化完整目標結構T之部分之結構及/或材料。所有此等操作可由度量衡處理器320自動化。

圖3中之反射軸線R指示相對於垂直於基板W及目標T之平面之軸線N的反射角θr，反射角θr自然地隨著照明輻射光束456之入射角θi而變化。輻射光束456至少部分地反射成零階光束458，零階光束458視情況而由偵測系統418偵測或可被集堆。原則上，可自(零階)反射光譜量測不對稱性或其他所關注參數，但不對稱性資訊將在高階繞射光束460+及460-中較強，高階繞射光束460+及460-在反射軸線R之任一側成角度繞射，如所展示。高階繞射光束可為第一繞射階、第二繞射階及第三繞射階等等之任何組合。出於簡單起見，吾人將僅僅提及「高階」或「一階」光束，而不表示任何限制。不同階之相對角度將以已知方式取決於輻射之波長及存在於目標中之光柵結構之空間週期。圖式中所展示之角度純粹地用於說明原理。

因此，度量衡方法可包括使用來自週期性結構之表示高階繞射光譜之第二光譜資料484以量測該結構中之不對稱性。該結構可為複數個偏置光柵中之一者。如在可見波長下自以繞射為基礎之疊對所知，藉由比較繞射光譜之相對部分之強度，例如藉由比較+1及-1階繞射輻射，可計算該不對稱性。所繪示實例中之偵測系統418同時地捕捉繞射光束460+及460-兩者。在偵測系統418內，可存在用於每一光束之單一輻射偵測元件，或可存在偵測元件陣列，諸如1維或2維像素陣列。單一影像感測器可延伸以便在不同像素區上捕捉光束460+及460-兩者。在具有在Y方向(進入圖式之平面)上之週期性之目標的狀況下，繞射光束將以相似角度被導向為進入及離開頁面。偵測系統可經配置以亦捕捉此等繞射光束。

由於照明輻射光束之短波長，目標可由最小產品特徵或類產品特徵製成，此對於使用較長波長之當前光學技術而言係不可能的。相比於當前工具，對疊對之敏感度被預期為較大。藉由在圖2之混合式度量衡系統中組合不同類型之量測，可獲得準確度之進一步改良。

在圖3所展示之組態中，照明輻射之入射角θi相對於垂直軸線N不對稱。因此，繞射光譜之相對部分被發現為在反射軸線R之任一側對稱，反射軸線R相對於垂直軸線亦不對稱。可藉由運用已知結構或其他構件進行校準來調適不對稱信號之處理，以區分目標之不對稱性與量測組態之不對稱性。可使用數種方法以校正感測配置之此不對稱性。例如公開專利申請案US20080239318 A1、US20110292365 A1或US20120242970 A1中所描述之技術。藉由將目標旋轉180°，可運用僅一半的偵測系統418依序地偵測繞射光譜之相對部分。此例如在光束460-之繞射角將造成偵測器之位置與照明輻射456之路徑之間的衝突的情況下可為有用的選項。

在圖4所繪示之替代組態中，照明光束456之入射角與垂直軸線N相同或極接近。反射軸線R及零階反射光束458之方向因此亦與垂直軸線重合。因此，繞射光譜之相對部分被發現為在垂直軸線之任一側對稱。在此狀況下，偵測系統418在垂直軸線及照明光束456之任一側(且亦在Y方向上)對稱地延伸。在此狀況下，偵測系統418可包含分開之偵測器陣列，其中在該等偵測器陣列之間具有用於使照明光束456通過之空間。替代地，在此狀況下，偵測系統418可包含分開之偵測器陣列，其中在該等偵測器陣列之間具有用於使照明光束456通過之規格。替代地，偵測系統418可包含單一2維影像感測器，其中孔徑形成於該2維影像感測器中以允許照明光束456及零階光束458通過。該(等)感測器置放於其將根據照明輻射與目標之相互作用而捕捉遠場散射圖案(繞射光譜)之處。

現在參看圖5，藉由效能正被監測之微影程序將複合疊對目標形成於基板W上。僅作為實例，複合目標包含緊密地定位在一起之四個光柵52至55。由度量衡設備之照明光束形成之量測光點S一次性完全地配合於一個光柵內。圓圈51指示基板W上之光點S之界限。在專用於疊對量測之實例中，光柵52至55為疊對光柵，其係由形成於基板W上之半導體裝置之不同層中所圖案化的上覆光柵形成(如在圖2之(b)中)。光柵52至55可具有不同偏置之疊對偏移，以便促進量測複合光柵之不同部分被形成的層之間的疊對。光柵52至55亦可在其定向方面不同，如所展示，以便使入射輻射在X方向及Y方向上繞射。在一個實例中，光柵52及54為分別具有偏置+d、-d之X方向光柵。此意謂光柵52使其上覆組件經配置成使得若該等上覆組件皆確切地印刷於其標稱部位處，則該等組件中之一者將相對於另一者偏移距離d。光柵54使其組件經配置成使得若被完美地印刷，則將存在為d但在與第一光柵等等相反之方向上的偏移。光柵53及55為分別具有偏移+d及-d之Y方向光柵。

圖5之(b)展示當輻射光點51正在照明具有在X方向上為週期性之特徵之光柵52時由第二檢測設備之偵測系統418中之影像感測器捕捉的繞射光譜518。此實例中之影像感測器具有孔徑520以允許照明光束456通過，如上文所描述。明亮光點560+及560-指示繞射輻射之一階光束460-及460+照射於偵測器表面上的區。藉由比較(減去)對應於繞射光譜之相對部分之強度值，可獲得及使用光柵52之不對稱性值Ax以計算(例如)在X方向上之疊對。

強度值之比較(減去)可逐像素地執行，且遍及光譜而平均化。替代地，可在執行比較之前針對經識別之所關注區平均化強度。應注意，圖5之(b)之實例光譜具有多個明亮區。此等明亮區各自為單一+1或-1階繞射光束460+或460-之結果，但針對包括於照明光束456內之不同輻射波長。在HHG輻射源之狀況下，通常將在氣體中激發多個諧波波長。將所有波長之不對稱性值組合在一起或僅選擇明亮區中之某些明亮區且藉此僅選擇波長中之某一波長之信號為一種選項。無論所關注區係在已由偵測器記錄之後的光譜內被辨識，或無論所關注區被提前界定，皆為實施方案之事情。

除了在不同波長下看到對應於一階繞射之區以外，影像感測器實務上亦可捕捉用於單一波長之多個繞射階，及/或用於多個波長之多個繞射階之組合。

為了獲得疊對量測，重複以上程序以在照明其他X方向光柵54時獲得不對稱性Ax之量測。繞射光譜看起來將相似於圖5之(b)所展示之繞射光譜，但具有特定於光柵之強度值。兩個不對稱性值可與規劃至光柵中之疊對偏置值之知識組合，以獲得在X方向上之疊對之值，作為用以形成目標之微影程序之效能的量度。

為了量測在Y方向上之不對稱性及疊對，首先將光點S移動至光柵53，其中其輪廓被標註為51'。圖5之(c)展示自光柵53獲得之繞射光譜518'。因為光柵53在Y方向上係週期性的，所以繞射光譜在影像感測器上之Y方向上散佈。比較來自明亮區560'+及560'-之強度值以獲得相對於Y方向之不對稱性Ay的量度。藉由在將光點S移動至光柵55之情況下重複此量測，可獲得不對稱性Ay之第二值。在將兩個不對稱性值與應用於光柵53及55中之疊對偏置值之知識組合的情況下，可獲得在Y方向上之疊對之值作為微影程序之效能之另一量度。

應瞭解，根據圖5所繪示之方法，獲得在X方向及Y方向兩者上之量測所花費的照明及偵測步驟為單一方向所需要之照明及偵測步驟的兩倍。現在參考圖6，將闡釋對第二檢測設備400之修改，可藉由該修改而同時地量測在X方向及Y方向兩者上之不對稱性。

圖6之(a)展示圖5之(a)所展示之同一組光柵52至55。然而，代替運用光點51/51'依序地照明光柵52及53，根據本發明而修改之檢測設備400經配置以運用兩個光點61a及61b同時地照明光柵52及53。圖6之(b)展示偵測系統418內之影像感測器上之所得繞射光譜618。現在可看出，在X方向及Y方向上之繞射階被同時地捕捉。因為兩個光柵52及53之間的繞射方向不同，所以藉由輻射與不同光柵之相互作用而產生之繞射光譜的明亮區在影像感測器上空間地分離。區660x+及660x-對應於光柵52之繞射光譜之相對部分，而區660y+及660y-對應於光柵53之繞射光譜之相對部分。感測器無需為具有大量像素之影像感測器。若感測器具有足夠的輻射偵測元件且其定位成使得其不會與X及Y繞射區混合，則可使用與量測光柵53在Y方向上之不對稱性Ay之照明及偵測步驟相同的照明及偵測步驟來量測光柵52在X方向上之不對稱性Ax。可針對其他兩個光柵54及55重複該程序，以獲得另外不對稱性值，且因此可運用為圖5之方法中之照明及偵測步驟的數目一半之照明及偵測步驟來獲得在每一方向X及Y上之疊對值。應理解，此方法亦可與任何兩個非並行方向一起使用，且正交方向X及Y僅作為常見實例被引用。該方法亦可應用於多於兩個方向，只要該等方向彼此不平行即可。

圖7示意性地展示對輻射源410之修改，該修改經應用以在圖6之方法中達成兩個照明光點61a及61b。圖式之主要部分僅僅再現第二檢測設備400之輻射源410、照明系統412及偵測系統418。第一插圖細節702展示高階諧波產生空間704及雷射光束遞送系統706之放大細節。第二插圖細節708展示基板W上之目標區之放大細節。

HHG輻射源之基本組件及操作原理係如上文關於圖3所描述。類似於習知HHG輻射源，輻射源410使用雷射光束遞送系統706以將來自泵雷射之紅外線輻射聚焦至充氣高階諧波產生空間704內之激發部位。然而，在經修改輻射源中，泵輻射同時聚焦在經標記為710a及710b之兩個激發部位上，而非聚焦在一個激發部位上。此等部位中之每一者變成具有在SXR波帶1至100奈米中之一個或(通常)若干波長之較短波長輻射的源。

照明系統412將HHG源部位710a及710b成像至基板表面上以變為目標T上之經聚焦輻射光點。若源部位經選擇使得其相對於基板聚焦在同一平面中，則自源部位710a獲得之照明輻射456之部分456a將聚焦成第一光點Sa，且同時地，照明輻射456之第二部分456b將偏離稍微距離而聚焦成第二光點Sb。目標之平面中之此等光點的間隔(受激發部位之間隔及照明系統412之放大控制)可與插圖細節780中所展示之兩個目標Ta及Tb之間隔匹配。

藉由對雷射光束遞送系統之適當調適，可視需要而使來自不同源部位之輻射之特性不同。舉例而言，可使每一源之偏振彼此不同。更一般而言，輻射之任何特性可經最佳化以適合不同繞射方向。

圖8較詳細地繪示雷射輻射遞送系統之一個實例。雷射輻射源(未圖示)發射具有特定波長之輻射光束802。在本實例中，輻射源為發射具有紅外線波長之照明輻射之飛秒雷射。輻射傳播至第一光學元件804，第一光學元件804包含光楔，光楔包含第一光楔部分806、第二光楔部分808及光闌810。光闌經定位成使得其阻擋輻射光束802之中心部分，藉此將輻射光束分裂成第一輻射812及第二輻射814。

第一輻射及第二輻射傳播通過高階諧波產生空間704中之氣體818。第一光楔部分806及透鏡816合作以將第一輻射812聚焦成氣體內部之第一光點820。相似地，第二光楔部分808及透鏡816合作以將第二輻射814聚焦成氣體噴流內部之第二光點822。

第一光點820界定圖7之實例中之第一激發部位710a，且第二光點822界定第二激發部位710b。第一輻射及第二輻射在每一激發部位處與氣體相互作用以提供第一照明輻射824及第二照明輻射826。照明輻射傳遞通過光學元件828(濾光器，其抑制非想要輻射波長)。在本實例中，光學元件為紅外線抑制濾光器。

照明輻射(經由照明系統412，未圖示)照明提供於基板830上之目標結構。如圖7所繪示，目標結構包含在基板之平面中空間分離的第一目標及第二目標。第一照明輻射照明第一目標Ta，且第二照明輻射照明第二目標Tb。第一照明輻射及第二照明輻射分別由第一目標及第二目標而散射。散射輻射(未圖示)係由偵測系統(亦未圖示)偵測且由處理單元處理以同時地獲得兩個目標之量測。

處理單元接著可用以控制第一光楔806或第二光楔808中之一者或兩者之定位，以便控制第一照明輻射與第二照明輻射之相對空間分離。

由目標散射之輻射可遞送至檢測設備之偵測器，該偵測器可與用以捕捉繞射光譜之影像感測器相同，或可為不同偵測器。處理單元840處理經偵測散射輻射，且基於處理結果而可將校正資料832發送至校正單元834。校正單元包含連接至照明系統之光學組件中之一或多者的一或多個致動元件。在本實例中，校正單元包含連接至第二光楔部分808之致動器836。基於校正資料，校正單元啟動致動器以視需要而調整輻射遞送系統。

應瞭解，圖8所展示之雷射輻射遞送系統之組件僅為例示性的，且該系統可包含額外或替代組件。

雖然以上實例提及使用HHG以用於在所要源部位處產生SXR輻射之輻射源配置，但亦可使用逆Compton散射(ICS)源來產生x射線及/或EUV輻射。簡介中所提及之申請中國際專利申請案PCT/EP2016/068479中提供此類型之源配置之較多細節。彼申請案之內容係特此以引用之方式併入。簡言之，在ICS輻射源中，高能量電子束與腔中之雷射光束相互作用以產生x射線或較長波長下之輸出輻射。在使用逆Compton散射源之情況下，可以高亮度及快速頻率切換而產生X射線、EUV、UV及VIS輻射。為了在同一輻射產生空間中之兩個源部位處產生輻射，雷射輻射可聚焦在相同電子束或分開之電子束中之兩個部位處。第一輻射及/或第二輻射可具有在0.1奈米至125奈米之EUV範圍內的波長。在使用同一源且控制電子能量之情況下，可運用在該EUV範圍內之不同波長及/或運用較短(x射線)波長及/或運用較長(UV、可見)波長來輻照結構多次。藉由在逆Compton散射源中快速切換電子能量，可每秒執行在不同波長下之輻照若干次。

在使用諸如上文所提及之HHG及ICS類型之現代雷射泵浦源的情況下，相較於習知源，可在一或多個所要波長中提供高功率。因此可獲得至堆疊中之適當穿透，甚至在EUV輻射中之單一波長之情況下仍如此。當然，第二輻射之波長可長於EUV輻射之波長。可藉由變為較長波長來增加穿透及對比度，而作為折衷，可能會損失空間解析度。在使用本文中所揭示之原理及所描述源及光學系統的情況下，熟習此項技術者在設計有效檢測設備以用於兩個目標之同時量測方面具有全範圍的選項供選擇。

類似於用於當今生產設施中之光學散射計，檢測設備400可用於量測在微影製造單元內處理之抗蝕劑材料內之結構(在顯影檢測或ADI之後)，及/或在結構已形成於較硬材料中之後量測該等結構(在蝕刻檢測或AEI之後)。舉例而言，可在已藉由顯影設備212、蝕刻設備222、退火設備224及/或其他設備226處理基板之後使用度量衡設備400來檢測該等基板。

在根據本發明之混合式度量衡系統200之實施例中，提議使用SXR/EUV波長以用於檢測設備中之至少一者之度量衡、用於量測諸如疊對光柵之目標結構的不對稱性。在混合式度量衡系統之另一部分中，其他類型之量測，例如光譜SXR/反射量測，用作用於未來技術節點之CD度量衡解決方案之一部分。在以上所提及之公開專利申請案第US 20160282282 A1號中，證實SXR反射量測提供高敏感度之益處，該高敏感度相對於程序變化穩固且對於所關注參數為選擇性的。如圖2所繪示，根據以掠入射之反射量測而獲得之信號亦可與在正入射或近正入射下進行之不對稱性量測組合，以改良以不對稱性為基礎之量測之準確度。舉例而言，可使疊對量測相對於頂部或底部光柵中及/或層之間的程序變化較穩固。

圖9繪示混合式度量衡系統900之實例，其中第一輻射源之部分係與第二輻射源共用。應瞭解，就成本及實體空間而言，在單一混合式度量衡系統內佈建多個輻射源可具有挑戰性。尤其針對提供高亮度及/或波長之控制的彼等現代源，提供泵雷射。泵雷射可經設計以產生在飛秒時間範圍內之脈衝。使用泵雷射之輻射源之實例為圖3至圖8所繪示之高階諧波產生(HHG)源。另一實例為超連續光譜源，其用以在已知散射計中提供寬頻帶輻射。

在圖9中，吾入看到在兩個操作模式(a)及(b)中之混合式度量衡系統。在該系統之主體內，第一照明系統IL1及第一偵測系統DET1形成第一檢測設備，該第一檢測設備可為EUV光譜反射計，且可為如圖3所繪示之第一檢測設備300。在此等組件之間，提供第二照明系統IL2及第二偵測系統DET2以形成第二檢測設備，該第二檢測設備可為例如第二檢測設備400。在圖9之(a)中，第一檢測設備使用HHG源進行操作。可移動鏡面902經定位以將泵輻射自泵雷射LAS導向至第一HHG胞元(332)中。SXR輻射產生於如上文如此描述之HHG胞元中，且接著至第一照明系統IL1中。在圖9之(b)中，以上文所描述之方式，第二檢測設備使用HHG源進行操作以在第二HHG胞元(432)中之兩個或多於兩個源部位處產生SXR輻射。可移動鏡面902移動至第二位置，使得來自泵雷射LAS之輻射進入第二HHG胞元。此會產生待供應至第二照明系統IL2之第一輻射及第二輻射，以照明如上文所描述之第一目標Ta及第二目標Tb。

圖10繪示另一混合式度量衡系統1000，其與圖9所展示之混合式度量衡系統相同，惟雷射輻射由光束分裂器1002分裂成兩個路徑而非由可移動鏡面902切換除外。以此方式，第一檢測設備及第二檢測設備可同時地操作。若輻射在與目標相互作用之後在不同方向上散射，則分開之偵測系統DET1及DET2可同時地操作。若兩個檢測設備之輻射之間存在串擾風險，則此可藉由在兩個檢測設備中使用輻射之不同波長來避免。該波長可藉由改變對氣體之選擇及/或各別HHG胞元332、432中之其他因素來改變。

可包括雷射輻射遞送系統及HHG輻射源之其他組件的進一步修改，本文中未詳述該等進一步修改。舉例而言，日期為2016年11月11日之歐洲專利申請案第16198346.5號中揭示此等修改中之一些，該歐洲專利申請案未在本申請案之優先權日期公開。美國專利申請案15/388,463及國際專利申請案PCT/EP2016/080103中揭示其他修改，該美國專利申請案及該國際專利申請案兩者主張日期為2015年12月23日且亦尚未在本申請案之優先權日期公開之歐洲專利申請案第15202301.6號的優先權。此等申請案兩者之內容係以引用之方式併入本文中，且其中所描述之技術可結合本發明之技術而使用。亦如所提及，可使用逆Compton散射(ICS)而非HHG作為用以自具有較低波長之雷射輻射產生SXR輻射之機制。與HHG中之氣態轉換介質之狀況一樣，在兩個源部位處產生所要輻射之相同原理可由適當雷射光束遞送配置應用在作為輻射轉換介質之電子束的路徑中。

雖然以上實例展示經施加至第一目標及第二目標之輻射的兩個不同光點，但兩個目標中之不對稱性量測可藉由運用單一光點填充兩個目標來獲得。在此實施例中，第一輻射及第二輻射將為單一輻射光束之部分。在此實施例中，明顯地，將限制或完全地失去用以產生具有不同特性之第一輻射及第二輻射之設施，但將簡化源設計及操作。繞射信號中亦可存在由目標結構之邊緣或目標結構之間的界面處之散射造成的雜訊。

雖然本發明呈現在1至100奈米之間的SXR輻射作為當前技術顯影之備受關注的實例，但較硬x射線範圍中之較短波長小於1奈米且可能小於0.1奈米。雖然作為實例描述對輻射之反射的檢測，但本發明之原理亦可應用在透射配置中，尤其在較短x射線輻射可穿透通過整個基板的情況下。

圖11繪示在圖1所繪示之類型之微影製造系統的控制下應用諸如檢測設備400之檢測設備。此處將列出步驟，且接著較詳細地闡釋步驟：

S21：處理晶圓以在基板上產生結構

S22：橫越基板量測CD及/或其他參數

S23：更新度量衡配方

S24：更新微影及/或程序配方

在步驟S21處，使用微影製造系統橫越基板產生結構。在S22處，使用度量衡設備140且視情況使用其他度量衡設備及資訊源以量測橫越基板之結構之屬性。根據上文所闡述的本發明之原理，每照明偵測步驟關於第一方向及第二方向量測兩個或多於兩個目標之屬性。藉由以此方式量測多個經偏置目標，在橫越基板之一或多個照明部位處量測諸如疊對之效能參數。

在步驟S23處，視情況，按照所獲得之量測結果而更新度量衡配方及度量衡設備之校準。再次參考上文對圖5及圖6之論述，度量衡配方可指定比較繞射光譜之哪些部分以用於最可靠的不對稱性量測。該配方亦可指定雷射輻射遞送系統之設定，例如以控制SXR輻射之偏振。

在步驟S24處，比較疊對或其他效能參數之量測與所要值，且使用疊對或其他效能參數之該等量測以更新微影製造系統內之微影設備及/或其他設備之設定。藉由提供可每照明偵測步驟量測兩倍的目標之檢測設備，可針對給定量測額外負擔獲得較多量測。此又可在其他量測中及在進一步控微影設備時應用量測之結果時導致較佳效能。

雖然主要就疊對量測來描述本文中所描述之度量衡目標之實施例，但可應用相似技術以量測一或多個額外或替代圖案化程序參數。舉例而言，經適當設計之度量衡目標可用以量測曝光劑量變化、量測曝光焦點/散焦、量測CD等等，該等量測皆係基於經偏置光柵對之間的不對稱性差異。

雖然上文所描述之目標結構為出於量測之目的而特定地設計及形成之度量衡目標，但在其他實施例中，可量測關於為形成於基板上之裝置之功能部分的目標之屬性。許多裝置具有類似於光柵的規則週期性結構。如本文中所使用之術語「目標」、「光柵」或目標之「週期性結構」無需使已針對正被執行之量測特定提供適用結構。此外，度量衡目標之間距P接近於量測工具之光學系統之解析度極限，但可比目標部分C中藉由圖案化程序製得的典型產品特徵之尺寸大得多。實務上，光柵之特徵及/或空間可經製造成包括在尺寸方面相似於產品特徵的較小結構。

與如在基板及圖案化裝置上實現的目標之實體結構相關聯地，一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列及/或功能資料的電腦程式，該功能資料描述目標設計、描述設計用於基板之目標之方法、描述在基板上產生目標之方法、描述量測基板上之目標之方法，及/或描述分析量測以獲得關於圖案化程序之資訊之方法。此電腦程式可例如在圖3至圖9之設備及/或圖2之控制單元LACU中之度量衡處理單元MPU內執行。亦可提供儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)。在例如圖3所展示之類型之現有檢測設備已經在生產及/或使用中的情況下，可藉由佈建用於致使處理器執行本文中所描述之方法中之一或多者的經更新電腦程式產品來實施一實施例(例如以辨識偵測系統418中所捕捉之繞射光譜之不同部分，以計算如本文中所描述之疊對誤差)。該程式可視情況而經配置以控制光學系統、基板支撐件等等以執行在合適的複數個目標上量測圖案化程序之參數的方法(例如以量測合適的複數個目標上之不對稱性及/或以判定疊對誤差)。該程式可更新圖案化程序及/或度量衡配方之參數，以用於另外基板之量測。該程式可經配置以控制(直接或間接)微影設備以用於另外基板之圖案化及處理。

在後續編號條項中揭示另外實施例：

1.一種檢測設備，其包含一照明系統及一偵測系統，其中該照明系統包括一源配置，該源配置用於在一輻射產生空間中之一第一源部位處產生第一輻射且用於同時地在該同一輻射產生空間中之一第二源部位處產生第二輻射，該第一輻射及該第二輻射包括小於100奈米之波長，其中該照明系統之一光學系統經配置以聚焦來自該第一源部位及該第二源部位兩者之輻射，以便運用該第一輻射之一光點來照明一第一目標部位，而同時地運用該第二輻射之一光點來照明一第二目標部位，且其中該偵測系統經配置以在一或多個第一偵測部位處偵測已由該第一目標部位處之一第一目標結構在一第一方向上繞射的該第一輻射之部分，且同時地在一或多個第二偵測部位處偵測已由定位於該第二目標部位處之一第二目標結構之特徵在一第二方向上繞射的該第二輻射之部分。

2.如條項1之檢測設備，其進一步包含一處理配置，該處理配置用於基於在該等第一經偵測部位處偵測的該第一輻射之該等部分而計算該第一目標之一第一不對稱性相關屬性，且用於基於在該等第二偵測部位處偵測的該第二之該等部分而計算該第二目標之一第二不對稱性相關屬性。

3.如條項2之檢測設備，其中該處理配置經進一步配置以基於一或多個第一目標之該第一不對稱性相關屬性而計算一微影程序之一第一效能參數，且基於一或多個第二目標之該第二不對稱性相關屬性而計算該微影程序之一第二效能參數。

4.如條項3之檢測設備，其中該第一效能參數表示在該第一方向上之疊對效能，且該第二效能參數表示在該第二方向上之疊對效能。

5.如任一前述條項之檢測設備，其中該偵測系統包括用於在該等第一偵測部位中之不同第一偵測部位處偵測輻射之第一複數個輻射敏感偵測器元件，且具有用於在該等第二偵測部位中之不同第二偵測部位處偵測輻射之第二複數個輻射敏感偵測器元件。

6.如條項5之檢測設備，其中該第一複數個偵測器元件中之至少一些及該第二複數個偵測器元件中之一些提供於一共同多元件偵測器上之不同部位處。

7.如任一前述條項之檢測設備，其中該照明系統可操作以運用輻射以垂直於含有該第一目標及該第二目標之一目標平面之一角度來照明該第一目標及該第二目標，該等第一偵測部位及該等第二偵測部位圍繞垂直於該目標平面之一軸線對稱地配置。

8.如條項1至6中任一項之檢測設備，其中該照明系統可操作以運用輻射以相對於含有該第一目標及該第二目標之一目標平面之一非正入射角來照明該第一目標及該第二目標，該等第一偵測部位及該等第二偵測部位圍繞由該入射角及該目標平面界定之一反射軸線不對稱地配置。

9.如任一前述條項之檢測設備，其中該源配置可操作以在該第一源部位處聚焦第一雷射輻射且在該第二源部位處聚焦第二雷射輻射，以用於致使分別在不同於該第一雷射輻射及該第二雷射輻射之波長的波長下產生該第一輻射及該第二輻射。

10.如條項9之檢測設備，其中該源配置進一步可操作以將一氣態介質遞送至該輻射產生空間，使得該第一輻射及該第二輻射係藉由高階諧波產生自其各別第一雷射輻射及第二雷射輻射被產生。

11.如條項9之檢測設備，其中該源配置進一步可操作以將一電子束遞送至該輻射產生空間，使得該第一輻射及該第二輻射係藉由逆Compton 散射自其各別第一雷射輻射及第二雷射輻射被產生。

12.一種檢測已藉由一微影程序而形成於一基板上之結構之方法，該方法包含：運用第一輻射來照明一第一目標且同時地運用第二輻射來照明一第二目標，該第一輻射及該第二輻射包括小於100奈米之波長；在一或多個第一偵測部位處偵測已由該第一目標之特徵在一第一方向上繞射的該第一輻射之部分；及在一或多個第二偵測部位處偵測已由該第二目標之特徵在一第二方向上繞射的該第二輻射之部分。

13.如條項12之方法，其進一步包含基於在該等第一經偵測部位處偵測的該第一輻射之該等部分而計算該第一目標之一第一不對稱性相關屬性，及基於在該等第二偵測部位處偵測的該等第二目標之該等部分而計算該第二目標之一第二不對稱性相關屬性。

14.如條項13之方法，其進一步包含基於一或多個第一目標之該第一不對稱性相關屬性而計算該微影程序之一第一效能參數，及基於一或多個第二目標之該第二不對稱性相關屬性而計算該微影程序之一第二效能參數。

15.如條項14之方法，其中該第一效能參數表示在該第一方向上之疊對效能，且該第二效能參數表示在該第二方向上之疊對效能。

16.如條項12至15中任一項之方法，其中第一複數個輻射敏感偵測器元件用於在該等第一偵測部位中之不同第一偵測部位處偵測繞射輻射，且第二複數個輻射敏感偵測器元件用於在該等第二偵測部位中之不同第二偵測部位處偵測繞射輻射。

17.如條項16之方法，其中該第一複數個偵測器元件中之至少一些及該第二複數個偵測器元件中之一些提供於一共同多元件偵測器上之不同部位處。

18.如條項12至17中任一項之方法，其中該第一目標及該第二目標係分別運用該第一輻射及該第二輻射以垂直於含有該第一目標及該第二目標之一目標平面之一角度被照明，該等第一偵測部位及該等第二偵測部位圍繞垂直於該目標平面之一軸線對稱地配置。

19.如條項12至17中任一項之方法，其中該第一目標及該第二目標係分別運用該第一輻射及該第二輻射以相對於含有該第一目標及該第二目標之一目標平面之一非正入射角被照明，該等第一偵測部位及該等第二偵測部位圍繞由該入射角及該目標平面界定之一反射軸線不對稱地配置。

20.如條項12至19中任一項之方法，其中該第一目標係運用底部填充該第一目標之一第一輻射光點被照明，且同時地，該第二目標係運用底部填充該第二目標之一第二輻射光點被照明。

21.如條項20之方法，其中該第一輻射係在一輻射產生空間中之一第一源部位處被產生，且同時地，該第二輻射係在該同一輻射產生空間中之一第二源部位處被產生，其中一共同光學系統用以聚焦來自該第一源部位及該第二源部位兩者之輻射，以便產生該第一輻射光點及該第二輻射光點。

22.如條項20或21之方法，其中該第一輻射係藉由在該第一源部位處聚焦第一雷射輻射而在該第一源部位源處被產生，且該第二輻射係藉由在該第二源部位處聚焦第二雷射輻射而在該第二源部位處被產生，以用於致使分別在不同於該第一雷射輻射及該第二雷射輻射之波長的波長下產生該第一輻射及該第二輻射。

23.如條項22之方法，其中該第一輻射及該第二輻射係藉由將一氣態介質遞送至該輻射產生空間被產生，以自該各別第一雷射輻射及第二雷射輻射引起高階諧波產生。

24.如條項23之方法，其中該第一輻射及該第二輻射係藉由將一電子束遞送至該輻射產生空間被產生，使得該第一輻射及該第二輻射係藉由逆Compton散射自其各別第一雷射輻射及第二雷射輻射被產生。

25.一種製造裝置之方法，該方法包括一微影程序步驟，其中，在執行該微影程序步驟之前或之後，藉由一如條項12至25中任一項之方法來獲得一基板上之第一目標及第二目標之量測，且其中該等經獲得量測用以調整該微影程序步驟之參數以用於處理該基板及/或另外基板。

26.一種電腦程式產品，其包含機器可讀指令，該等機器可讀指令用於致使一處理器實施一如條項2至4中任一項之檢測設備之該處理配置。

儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，本發明之實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形(topography)界定基板上產生之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

對特定實施例之前述描述揭露本發明之實施例之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於藉由實例進行描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭應由熟習此項技術者鑒於該等教示及該導引進行解譯。

本發明之廣度及範疇不應由上文所描述之例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。

Claims

一種用於檢測由一微影程序(lithographic process)製造之一基板之檢測設備，其包含一照明系統及一偵測系統，其中該照明系統包括一源配置(source arrangement)，該源配置用於在一輻射產生空間(radiation generation space)中之一第一源部位處產生第一輻射且用於同時地在該同一輻射產生空間中之一第二源部位處產生第二輻射，該第一輻射及該第二輻射包括小於100奈米之波長，其中該照明系統之一光學系統經配置以聚焦來自該第一源部位及該第二源部位兩者之輻射，以便運用該第一輻射之一光點(spot)來照明一第一目標部位，而同時地運用該第二輻射之一光點來照明一第二目標部位，且其中該偵測系統經配置以在一或多個第一偵測部位處偵測已由該第一目標部位處之一第一目標結構在一第一方向上繞射的該第一輻射之部分，且同時地在一或多個第二偵測部位處偵測已由定位於該第二目標部位處之一第二目標結構之特徵在一第二方向上繞射的該第二輻射之部分。
如請求項1之檢測設備，其進一步包含一處理配置，該處理配置用於基於在該等第一經偵測部位處偵測的該第一輻射之該等部分而計算該第一目標之一第一不對稱性相關屬性，且用於基於在該等第二偵測部位處偵測的該第二之該等部分而計算該第二目標之一第二不對稱性相關屬性。
如請求項2之檢測設備，其中該處理配置經進一步配置以基於一或多個第一目標之該第一不對稱性相關屬性而計算一微影程序之一第一效能參數，且基於一或多個第二目標之該第二不對稱性相關屬性而計算該微影程序之一第二效能參數。
如請求項3之檢測設備，其中該第一效能參數表示在該第一方向上之疊對效能，且該第二效能參數表示在該第二方向上之疊對效能。
如請求項1至4中任一項之檢測設備，其中該偵測系統包括用於在該等第一偵測部位中之不同第一偵測部位處偵測輻射之第一複數個輻射敏感偵測器元件，且具有用於在該等第二偵測部位中之不同第二偵測部位處偵測輻射之第二複數個輻射敏感偵測器元件，且其中，視情況，該第一複數個偵測器元件中之至少一些及該第二複數個偵測器元件中之一些提供於一共同多元件偵測器上之不同部位處。
如請求項1至4中任一項之檢測設備，其中該照明系統可操作以運用輻射以垂直於含有該第一目標及該第二目標之一目標平面之一角度來照明該第一目標及該第二目標，該等第一偵測部位及該等第二偵測部位圍繞垂直於該目標平面之一軸線對稱地配置。
如請求項1至4中任一項之檢測設備，其中該照明系統可操作以運用輻射以相對於含有該第一目標及該第二目標之一目標平面之一非正入射角來照明該第一目標及該第二目標，該等第一偵測部位及該等第二偵測部位圍繞由該入射角及該目標平面界定之一反射軸線不對稱地配置。
如請求項1至4中任一項之檢測設備，其中該源配置可操作以在該第一源部位處聚焦第一雷射輻射且在該第二源部位處聚焦第二雷射輻射，以用於致使分別在不同於該第一雷射輻射及該第二雷射輻射之波長的波長下產生該第一輻射及該第二輻射。
如請求項8之檢測設備，其中該源配置進一步可操作以將一氣態介質遞送至該輻射產生空間，使得該第一輻射及該第二輻射係藉由高階諧波產生自其各別第一雷射輻射及第二雷射輻射被產生。
如請求項8之檢測設備，其中該源配置進一步可操作以將一電子束遞送至該輻射產生空間，使得該第一輻射及該第二輻射係藉由逆Compton散射自其各別第一雷射輻射及第二雷射輻射被產生。
一種檢測已藉由一微影程序而形成於一基板上之結構之方法，該方法包含：運用第一輻射來照明一第一目標且同時地運用第二輻射來照明一第二目標，該第一輻射及該第二輻射包括小於100奈米之波長；在一或多個第一偵測部位處偵測已由該第一目標之特徵在一第一方向上繞射的該第一輻射之部分；及在一或多個第二偵測部位處偵測已由該第二目標之特徵在一第二方向上繞射的該第二輻射之部分。
如請求項11之方法，其中該第一目標係運用底部填充該第一目標之一第一輻射光點被照明，且同時地，該第二目標係運用底部填充該第二目標之一第二輻射光點被照明。
如請求項12之方法，其中該第一輻射係在一輻射產生空間中之一第一源部位處被產生，且同時地，該第二輻射係在該同一輻射產生空間中之一第二源部位處被產生，其中一共同光學系統用以聚焦來自該第一源部位及該第二源部位兩者之輻射，以便產生該第一輻射光點及該第二輻射光點。
一種製造半導體裝置之方法，該方法包括一微影程序步驟，其中，在執行該微影程序步驟之前或之後，藉由一如請求項11至13中任一項之方法來獲得一基板上之第一目標及第二目標之量測，且其中該等經獲得量測用以調整該微影程序步驟之參數以用於處理該基板及/或另外基板。
一種電腦程式產品，其包含機器可讀指令，該等機器可讀指令用於致使一處理器實施一如請求項2至4中任一項之檢測設備之該處理配置。