KR20190013596A - 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법 Download PDF

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Abstract

임프린트 장치는, 몰드를 보유지지하는 몰드 홀더, 기판을 보유지지하는 기판 홀더, 기판 상에 임프린트재를 배치하는 디스펜서, 및 마크를 촬상하는 스코프를 포함한다. 기판 홀더는 스코프에 의해 촬상되는 기준 마크를 갖는 기준 플레이트를 포함하고, 디스펜서는 몰드 홀더로부터 볼 때 제1 방향으로 배치되고, 기준 플레이트는 몰드 홀더로부터 볼 때 제1 방향에 대해 수직한 제2 방향에 평행하고 기판 홀더의 중심을 통과하는 가상 직선과, 가상 직선으로부터 볼 때 제1 방향에 위치되는 기판 홀더의 에지 사이에 배치된다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
임프린트 장치는, 기판 상에 배치된 임프린트재에 몰드를 접촉시키고 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 임프린트재의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성한다. 임프린트 장치는, 기판을 보유지지하는 기판 홀더 상에 기준 마크를 갖는 기준 플레이트를 갖는다. 캘리브레이션 처리에서, 예를 들어 몰드 마크와 기준 마크의 상대 위치를 얼라인먼트 스코프에 의해 계측함으로써, 몰드와 기판 홀더의 상대 위치를 구할 수 있다. 일본 특허 제5451450호는, 웨이퍼 스테이지 상에 제공된 스테이지 기준 마크를 갖는 임프린트 장치를 기재하고 있다.
임프린트 처리에서는, 기판 상의 임프린트재에 몰드를 접촉시켜 임프린트재를 경화시킨 후에, 경화된 임프린트재와 몰드를 서로 분리할 때에 몰드가 대전될 수 있다. 기준 플레이트는, 모재로서의 석영 등의 절연체로 형성될 수 있으며, 기준 마크는 크롬 막 등의 도전성 반사막으로 형성될 수 있다. 종래에는, 기판의 복수의 샷 영역 각각에 대하여 패턴을 형성하는 일련의 시퀀스에서, 대전된 몰드 아래를 기준 플레이트가 통과하기 때문에, 몰드와 기준 플레이트 사이에 방전이 발생하여, 기준 플레이트를 손상시킬 수 있다.
본 발명은 기준 플레이트에 대한 파손을 저감시키는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 양태 중 하나는, 기판 상에 배치된 임프린트재에 몰드를 접촉시키고 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 제공하며, 상기 임프린트 장치는, 상기 몰드를 보유지지하도록 구성된 몰드 홀더; 상기 기판을 보유지지하도록 구성된 기판 홀더; 상기 기판 상에 상기 임프린트재를 배치하도록 구성된 디스펜서; 및 마크를 촬상하도록 구성된 스코프를 포함하며, 상기 기판 홀더는 상기 스코프에 의해 촬상되는 기준 마크를 갖는 기준 플레이트를 포함하고, 상기 디스펜서는 상기 몰드 홀더로부터 볼 때 제1 방향으로 배치되고, 상기 기준 플레이트는 상기 몰드 홀더로부터 볼 때 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향에 평행하고 상기 기판 홀더의 중심을 통과하는 가상 직선과 상기 가상 직선으로부터 볼 때 상기 제1 방향에 위치되는 상기 기판 홀더의 에지 사이에 배치된다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 기준 마크를 사용해서 실시되는 캘리브레이션을 설명하는 도면이다.
도 3은 기준 마크를 사용해서 실시되는 캘리브레이션을 설명하는 도면이다.
도 4a 내지 도 4d는 임프린트 장치에 의한 1개의 샷 영역에 대한 임프린트 처리(패턴 형성 처리)를 설명하는 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 비교예에 따른 임프린트 장치에서의 디스펜서, 몰드, 및 기준 플레이트의 상대 위치의 변화를 설명하는 도면이다.
도 6a 내지 도 6e는 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치에서의 디스펜서, 몰드, 및 기준 플레이트의 상대 위치의 변화를 설명하는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 기준 플레이트의 구성을 각각 나타내는 도면이다.
도 8은 기준 플레이트의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 기준 플레이트에서의 전하의 이동을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 10은 제2 실시형태에 따른 기준 플레이트의 구성의 1개의 예를 나타내는 도면이다.
도 11은 제2 실시형태에 따른 기준 플레이트의 구성의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 12는 제3 실시형태에 따른 기준 플레이트의 구성을 도시하는 도면이다.
도 13a 내지 도 13f는 물품 제조 방법을 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명을 예시적인 실시형태에 의해 첨부의 도면을 참고하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성을 나타낸다. 임프린트 장치(100)는, 기판(W) 상에 배치된 임프린트재(R)에 몰드(M)를 접촉시킨 후, 임프린트재(R)를 경화시킴으로써, 상기 임프린트재(R)의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성한다.
임프린트재로서는, 경화 에너지가 부여되는 것에 의해 경화되는 경화성 조성물(미경화 수지라 칭할수도 있음)이 사용된다. 경화 에너지로서는, 전자기파, 열 등이 사용될 수 있다. 전자기파로서는, 예를 들어 그 파장이 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)로부터 선택되는 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광을 사용할 수 있다. 경화성 조성물은, 광의 조사 혹은 열의 부여에 의해 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 중, 광의 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 중합체 성분 등을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 재료이다. 임프린트재는, 액적 유사 형상, 혹은 복수의 액적이 서로 연결되어 형성되는 섬 유사 형상 또는 막 유사 형상으로 기판 상에 배치될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s(포함)로 설정될 수 있다. 기판의 재료로서는, 예를 들어 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용될 수 있다. 필요에 따라, 기판의 표면에, 기판과 다른 재료로 이루어지는 부재가 제공될 수 있다.
기판(W)으로서는, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이 사용된다. 기판(W)은 마크(11)를 갖는다. 몰드(M)는, 예를 들어 석영 또는 수지로 형성될 수 있다. 몰드(M)는, 기판(W) 위의 임프린트재(R)에 전사해야 할 패턴을 갖는 패턴 영역(Mp)을 포함할 수 있다. 패턴 영역(Mp)은, 예를 들어 메사부(MS)에 제공될 수 있다. 메사부(MS)는 주변 영역(PR)에 의해 둘러싸일 수 있다. 메사부(MS)는, 주변 영역(PR)보다 돌출된다. 몰드(M)는 마크(10)를 갖는다. 마크(10)는, 예를 들어 패턴 영역(Mp)에 제공될 수 있다.
본 명세서 및 첨부 도면에서는, 기판(W)의 표면에 평행한 방향이 X-Y 평면을 형성하는 X-Y-Z 좌표계에서 방향을 나타낸다. X-Y-Z 좌표계에서의 X 축, Y 축, 및 Z 축에 각각 평행한 방향을 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향으로 한다. X 축 둘레의 회전, Y 축 둘레의 회전, 및 Z 축 둘레의 회전을 각각 θX, θY, 및 θZ 로 한다. X 축, Y 축, 및 Z 축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X 축에 평행한 방향, Y 축에 평행한 방향, 및 Z 축에 평행한 방향에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, θX 축, θY 축, 및 θZ 축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X 축에 평행한 축 둘레의 회전, Y 축에 평행한 축 둘레의 회전, 및 Z 축에 평행한 축 둘레의 회전에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 위치는, X 축, Y 축, 및 Z 축의 좌표에 기초해서 특정될 수 있는 정보이다. 자세는, θX 축, θY 축, 및 θZ 축의 값에 의해 특정될 수 있는 정보이다. 정렬은 위치 및/또는 자세를 제어하는 것을 의미한다. 정렬은 기판 및 몰드 중 적어도 하나의 위치 및/또는 자세의 제어를 포함할 수 있다.
임프린트 장치(100)는, 기판(W)을 보유지지하는 기판 홀더(5)(기판 스테이지), 기판 홀더(5)를 구동함으로써 기판(W)을 구동하는 기판 구동 기구(20), 몰드(M)를 보유지지하는 몰드 홀더(6) 및 몰드 홀더(6)를 구동하는 몰드 구동 기구(30)를 포함할 수 있다. 기판 구동 기구(20) 및 몰드 구동 기구(30)는, 기판(W)과 몰드(M)의 상대 위치를 조정하도록 기판(W) 및 몰드(M) 중 적어도 하나를 구동하는 상대 구동 기구를 형성한다. 상대 구동 기구에 의한 상대 위치의 조정은, 기판(W) 상의 임프린트재에 대한 몰드(M)의 접촉 및 경화된 임프린트재(경화물의 패턴)로부터의 몰드(M)의 분리를 위한 구동을 포함한다. 기판 구동 기구(20)는, 기판(W)을 복수의 축(예를 들어, X 축, Y 축, 및 θZ 축의 3개의 축, 바람직하게는 X 축, Y 축, Z 축, θX 축, θY 축, 및 θZ 축의 6개의 축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다. 몰드 구동 기구(30)는, 몰드(M)를 복수의 축(예를 들어, Z 축, θX 축, 및 θY 축의 3개의 축, 바람직하게는 X 축, Y 축, Z 축, θX 축, θY 축, 및 θZ 축의 6개의 축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다. 몰드 홀더(6)는, 기판(W)의 샷 영역의 형상에 따라서 몰드(M)를 변형시키는 형상 보정 기구를 포함할 수 있다.
기판 홀더(5) 상에는, 기준 마크(12, 13)를 갖는 기준 플레이트(7)가 배치된다. 기준 플레이트(7)는, 임프린트 장치(100)의 캘리브레이션에서 사용될 수 있다. 기준 플레이트(7)의 모재는, 열에 의해 변형되기 어렵고 안정적인 재료(예를 들어, 석영)로 구성될 수 있다. 기준 마크(12, 13)는, 광을 반사하는 도전막(예를 들어, 크롬 막)으로 모재를 피복한 부분과, 모재가 노출되는 부분으로 형성될 수 있다. 혹은, 기준 마크(12, 13)는, 광을 반사하는 절연 부재로 모재를 피복한 부분과, 모재가 노출되는 부분으로 형성될 수 있다.
임프린트 장치(100)는, 또한, 경화 디바이스(1), 얼라인먼트 광학계(2), 관찰 광학계(3), 디스펜서(8), 및 컨트롤러(CNT)를 구비할 수 있다. 경화 디바이스(1)는, 기판(W) 상의 임프린트재(R)를 경화시키는 경화 에너지(이 예에서는, 자외선 등의 광 에너지)를 임프린트재(R)에 조사함으로써 임프린트재(R)를 경화시킬 수 있다. 몰드(M)는 경화 에너지를 투과시키는 재료로 구성될 수 있다. 경화 디바이스(1)가 경화 에너지로서 광 에너지를 발생하는 경우, 광원으로서는, 예를 들어 고압 수은 램프, 각종 엑시머 램프, 엑시머 레이저, 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드가 채용될 수 있다.
얼라인먼트 광학계(2)는, 기판(W)의 샷 영역과 몰드(M)의 상대 위치를 계측하기 위해서 사용된다. 기판(W)의 샷 영역과 몰드(M)의 상대 위치에 기초하여, 기판 구동 기구(20) 및 몰드 구동 기구(30) 중 적어도 하나가 구동되어, 기판(W)의 샷 영역과 몰드(M)를 정렬시킨다. 이때, 몰드 홀더(6)에 제공된 형상 보정 기구도 구동될 수 있다.
얼라인먼트 광학계(2)는, 기판(W)의 마크(11), 몰드(M)의 마크(10), 및 기준 플레이트(7)의 기준 마크(12, 13)를 촬상하는 적어도 하나의 스코프(2a), 바람직하게는 복수의 스코프(2a)를 포함한다. 기판(W)의 샷 영역과 몰드(M)의 상대 위치는 촬상에 의해 얻어진 화상을 처리함으로써 얻어진다. 각각의 스코프(2a)는, 몰드(M)의 마크(10) 또는 기판(W)의 마크(11)의 위치에 따라 X 축 방향 및 Y 축 방향으로 구동될 수 있다. 또한, 각각의 스코프(2a)는, 초점 조절을 위해서 Z 축 방향으로도 구동 가능하게 구성될 수 있거나, 초점 조절 기구를 내장할 수 있다. 얼라인먼트 광학계(2)는 또한 복수의 광학 소자(21, 22, 23, 31)를 포함할 수 있다. 이 예에서는, 복수의 광학 소자(21, 22, 23, 31)는, 릴레이 광학계를 형성하고, 기판(W)의 표면과 공액인 면에 마크(10, 11)의 상을 형성한다.
몰드(M)가 교환되었을 경우에는, 도 2에 개략적으로 도시되는 바와 같이, 얼라인먼트 광학계(2)를 사용하여, 몰드(M)의 마크(10)와 기준 플레이트(7)의 복수의 마크 중 정렬 마크(12)의 상대 위치가 계측된다. 이후에는, 계측에 의해 얻어진 상대 위치에 기초하여, 몰드(M)와 기판 홀더(5)의 상대 위치를 제어할 수 있다.
또한, 얼라인먼트 광학계(2)를 사용하여, 몰드(M)의 마크(10)와 기판(W)의 마크(11)의 상대 위치를 계측할 수 있다. 얼라인먼트 광학계(2)의 각각의 스코프(2a)는, 몰드(M)의 배치 오차, 기판(W)의 배치 오차, 기판(W)의 마크(11)의 배치 오차 등이 허용 범위 내라면, 몰드(M)의 마크(10)와 기판(W)의 마크(11)를 동시에 시야 내에 수용할 수 있도록 구성된다. 따라서, 몰드(M)의 마크(10)와 기준 플레이트(7)의 마크(12)의 상대 위치에 기초하여, 기판 홀더(5)에 의해 보유지지된 기판(W)의 샷 영역에 제공된 마크(11)를 얼라인먼트 광학계(2)의 각각의 스코프(2a)의 시야에 수용할 수 있다.
관찰 광학계(3)는, 기판(W)의 각각의 샷 영역의 전체를 관찰하기 위한 광학계이다. 관찰 광학계(3)는 마크를 촬상하는 스코프이기도 하다. 관찰 광학계(3)는, 임프린트 처리의 상태를 관찰하기 위해서 사용될 수 있다. 임프린트 처리의 상태는, 예를 들어 기판(W) 상의 임프린트재(R)와 몰드(M) 사이의 접촉 상태, 몰드(M)의 패턴을 형성하는 오목부에의 임프린트재(R)의 충전 상태, 기판(W) 상의 경화된 임프린트재(R)로부터의 몰드(M)의 분리 상태 등일 수 있다.
관찰 광학계(3)의 광축과 얼라인먼트 광학계(2)의 광축은 동일한 것이 바람직하다. 그러나, 양자 사이에 어느 정도의 오차가 존재할 수 있다. 이를 해결하기 위해서, 관찰 광학계(3)의 캘리브레이션이 이루어질 수 있다. 관찰 광학계(3)의 캘리브레이션은, 기준 플레이트(7)를 사용해서 이루어질 수 있다. 관찰 기능의 조정(예를 들어, 광량 조정이나 시야 조정)을 행하는 경우, 도 3에 개략적으로 도시되는 바와 같이, 기준 플레이트(7)의 복수의 마크 중 관찰 광학계(3)를 위한 기준 마크(13)가 관찰 광학계(3)의 시야 내에 들어가도록 기판 구동 기구(20)에 의해 기판 홀더(5)가 구동될 수 있다. 도 3에서는, 몰드(M)가 몰드 홀더(6)에 의해 보유지지된 상태에서 관찰 광학계(3)를 조정한다. 그러나, 몰드 홀더(6)로부터 몰드(M)가 탈거된 상태에서 관찰 광학계(3)를 조정할 수 있다.
디스펜서(8)는, 기판(W)의 샷 영역 상에 임프린트재(R)를 배치한다. 일례에서, 디스펜서(8)는, 임프린트재(R)를 토출하는 노즐을 갖고, 기판 구동 기구(20)에 의해 기판(W)의 주사 구동을 행하면서 노즐로부터 임프린트재(R)를 토출함으로써 기판(W)의 샷 영역에 임프린트재(R)를 배치한다. 컨트롤러(CNT)는, 기판 구동 기구(20), 몰드 구동 기구(30), 경화 디바이스(1), 얼라인먼트 광학계(2), 관찰 광학계(3) 및 디스펜서(8)를 제어한다. 컨트롤러(CNT)는, 예를 들어 FPGA(Field Programmable Gate Array의 축약) 등의 PLD(Programmable Logic Device의 축약), ASIC(Application Specific Integrated Circuit의 축약), 프로그램이 내장된 범용 컴퓨터, 또는 이들의 전부 또는 일부의 조합에 의해 형성될 수 있다.
임프린트 장치(100)는, 또한 몰드(M)의 대전량을 저감시키는 제전 디바이스(40)를 포함할 수 있다. 제전 디바이스(40)는 예를 들어 이오나이저를 포함할 수 있다. 제전 디바이스(40)는, 몰드(M) 이외의 부재, 예를 들어 기준 플레이트(7)가 대전되는 경우에, 대전량을 저감시키도록 작용할 수 있다.
이하, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여, 임프린트 장치(100)에 의한 1개의 샷 영역에 대한 임프린트 처리(패턴 형성 처리)에 대해서 설명한다. 먼저, 도 4a에 나타내고 있는 바와 같이, 기판(W)의 샷 영역이 디스펜서(8)의 하방을 통과하도록 기판 구동 기구(20)가 기판 홀더(5)(기판(W))를 구동하는 동안, 디스펜서(8)가 기판(W)의 샷 영역 위에 임프린트재(R)를 배치한다.
이어서, 도 4b에 나타내고 있는 바와 같이, 임프린트재(R)가 배치된 샷 영역이 몰드(M)의 패턴 영역(Mp)의 하방에 배치되도록, 기판 구동 기구(20)가 기판 홀더(5)(기판(W))를 구동한다. 이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(Mp)의 상대 위치가 얼라인먼트 광학계(2)를 사용해서 계측되는 동안, 기판 구동 기구(20)와 몰드 구동 기구(30)가 샷 영역과 패턴 영역(Mp)을 정렬시킨다. 또한, 기판(W) 위의 임프린트재(R)와 몰드의 패턴 영역(Mp)이 서로 접촉하도록, 기판 구동 기구(20) 및 몰드 구동 기구(30) 중 적어도 하나가 제어된다. 그리고, 경화 디바이스(1)가 경화 에너지를 임프린트재(R)에 조사함으로써, 임프린트재(R)가 경화되고, 경화된 임프린트재(R)로 구성되는 패턴(Dp)이 기판(W) 상에 형성된다.
이어서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 기판(W) 위의 경화된 임프린트재(R)로 구성되는 패턴(Dp)과 몰드(M)가 서로 분리되도록, 기판 구동 기구(20) 및 몰드 구동 기구(30) 중 적어도 하나가 제어된다. 상술한 임프린트 처리는 기판(W)의 복수의 샷 영역의 각각에 대하여 행해진다.
여기서는, 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 비교예에 따른 임프린트 장치에서의 디스펜서(8), 몰드(M), 및 기준 플레이트(7)의 상대 위치의 변화를 설명한다. 디스펜서(8) 및 몰드(M)의 위치는 고정되어 있고, 기판 홀더(5)는 이동한다. 비교예에서는, 도 5a에 도시된 바와 같이, 디스펜서(8)는, 몰드 홀더(6) 또는 몰드(M)로부터 볼 때 제1 방향(-X 방향)(DIR1)으로 배치된다. 비교예에서는, 기준 플레이트(7)는, 제1 방향(DIR1)에 대하여 수직한 제2 방향(DIR2)에 평행하고 기판 홀더(5) 또는 기판(W)의 중심을 통과하는 가상 직선(VL)과 가상 직선(VL)으로부터 볼 때 제1 방향(DIR1)의 반대 방향에서의 기판 홀더의 에지(E2) 사이에 배치된다.
샷 영역(S11)에 대한 임프린트 처리에서는, 도 5b에 도시된 바와 같이, 샷 영역(S11)은 임프린트재(R)를 샷 영역(S11)에 배치하기 위해서 디스펜서(8) 아래에 위치결정된다. 이 상태에서는, 몰드(M)와 기준 플레이트(7)가 서로 충분히 이격되어 있으므로, 대전된 몰드(M)와 기준 플레이트(7)의 기준 마크 사이에서의 방전은 일어나지 않고, 기준 플레이트(7)의 손상은 일어나지 않는다. 이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 임프린트재(R)가 배치된 샷 영역(S11)이 몰드(M) 아래에 위치결정되도록, 기판 구동 기구(20)가 기판 홀더(5)를 구동한다. 이 상태에서도, 몰드(M)와 기준 플레이트(7)는 서로 충분히 이격되어 있으므로, 대전된 몰드(M)와 기준 플레이트(7)의 기준 마크 사이에서의 방전은 일어나지 않고, 기준 플레이트(7)의 손상은 일어나지 않는다.
샷 영역 S42에 대한 임프린트 처리에서는, 도 5d에 도시된 바와 같이, 샷 영역(S42) 위에 임프린트재(R)를 배치하기 위해서, 샷 영역(S42)은 디스펜서(8) 아래에 위치결정된다. 도 5d의 상태에서는, 몰드(M) 아래에 기준 플레이트(7)가 위치되므로, 대전된 몰드(M)와 기준 플레이트(7)의 기준 마크 사이에서 방전이 일어날 수 있고, 몰드(M)를 손상시킬 수 있다.
이하, 도 6a 내지 도 6e를 참조하여 본 발명의 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)에서의 디스펜서(8), 몰드(M), 및 기준 플레이트(7)의 상대 위치의 변화를 설명한다. 디스펜서(8) 및 몰드(M)의 위치는 고정되어 있고, 기판 홀더(5)는 이동한다. 제1 실시형태에서는, 도 6a에 도시된 바와 같이, 디스펜서(8)는, 몰드 홀더(6) 또는 몰드(M)로부터 볼 때 제1 방향(-X 방향)(DIR1)으로 배치된다. 제1 실시형태에서는, 기준 플레이트(7)는, 제1 방향(DIR1)에 대하여 수직한 제2 방향(DIR2)에 평행하고 또한 기판 홀더(5) 또는 기판(W)의 중심을 통과하는 가상 직선(VL)과 가상 직선(VL)으로부터 볼 때 제1 방향(DIR1)에서의 기판 홀더의 에지(E1) 사이에 배치된다. 이러한 배치는, 이후에서 설명하는 바와 같이, 대전된 몰드(M)와 기준 플레이트(7) 사이의 방전을 저감시키고, 기준 플레이트(7)의 파손을 저감시키는데 유리하다.
기판 홀더(5)는, 제1 방향(DIR1)에 평행한 2개의 변과, 제2 방향(DIR2)에 평행한 2개의 변을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 기준 플레이트(7)는, 가상 직선(VL)으로부터 볼 때 제1 방향(DIR1)에 위치하는, 직사각형 형상의 정점(V1)과 기판 홀더(5)의 중심 사이에 배치될 수 있다. 기판 홀더(5)의 중심은 예를 들어 기판 홀더(5)의 무게중심일 수 있다. 이러한 배치는 기판 홀더(5)를 소형화하는데 유리하다. 도 6a에서는, 기준 플레이트(7)는, 가상 직선(VL)으로부터 볼 때 제1 방향(DIR1)에 위치되는 직사각형 형상의 정점(V1)과 기판 홀더(5)의 중심 사이에 배치된다. 그러나, 기준 플레이트(7)는, 가상 직선(VL)으로부터 볼 때 제1 방향(DIR1)에 위치되는, 직사각형 형상의 다른 정점(V2)과 기판 홀더(5)의 중심 사이에 배치될 수 있다.
샷 영역(S11)에 대한 임프린트 처리에서는, 도 6b에 도시된 바와 같이, 샷 영역(S11)에 임프린트재(R)를 배치하기 위해서, 샷 영역(S11)이 디스펜서(8) 아래에 위치결정된다. 이 상태에서는, 몰드(M)와 기준 플레이트(7)가 서로 충분히 이격되어 있으므로, 대전된 몰드(M)와 기준 플레이트(7)의 기준 마크 사이에서의 방전은 일어나지 않고, 기준 플레이트(7)의 손상은 일어나지 않는다. 이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 임프린트재(R)가 배치된 샷 영역(S11)이 몰드(M) 아래에 위치결정된다. 이 상태에서도, 몰드(M)와 기준 플레이트(7)가 서로 충분히 이격되어 있으므로, 대전된 몰드(M)와 기준 플레이트(7)의 기준 마크 사이에서의 방전은 일어나지 않고, 기준 플레이트(7)의 손상은 일어나지 않는다.
샷 영역(S42)에 대한 임프린트 처리에서는, 도 6d에 도시된 바와 같이, 샷 영역(S42)에 임프린트재(R)를 배치하기 위해서, 샷 영역(S42)이 디스펜서(8) 아래에 위치결정된다. 이 상태에서는, 몰드(M)와 기준 플레이트(7)가 서로 충분히 이격되어 있으므로, 대전된 몰드(M)와 기준 플레이트(7)의 기준 마크 사이에서의 방전은 일어나지 않고, 기준 플레이트(7)의 손상은 일어나지 않는다. 이어서, 도 6e에 도시된 바와 같이, 임프린트재(R)가 배치된 샷 영역(S42)이 몰드(M) 아래에 위치결정된다. 이 상태에서도, 몰드(M)와 기준 플레이트(7)는 서로 충분히 이격되어 있으므로, 대전된 몰드(M)와 기준 플레이트(7)의 기준 마크 사이에서의 방전은 일어나지 않고, 기준 플레이트(7)의 손상은 일어나지 않는다.
또한, 제1 실시형태에서는, 다른 샷 영역에 대한 임프린트 처리에서도, 몰드(M)와 기준 플레이트(7)는 서로 충분히 이격되어 있으므로, 대전된 몰드(M)와 기준 플레이트(7)의 기준 마크 사이에서의 방전은 일어나지 않고, 기준 플레이트(7)의 손상은 일어나지 않는다.
도 7a 및 도 7b에 개략적으로 도시된 바와 같이, 기판(W)의 복수의 샷 영역 중 임의의 것에 대하여 몰드(M)의 패턴 영역(Mp)이 위치결정되었을 경우에도, 기준 플레이트(7)가 몰드(M)에 대향하지 않는 것이 바람직하다. 혹은, 기판(W)의 복수의 샷 영역 중 임의의 것에 대하여 몰드(M)의 패턴 영역(Mp)이 위치결정되었을 경우에도, 기준 플레이트(7)가 몰드(M)의 주변 영역(PR)에 대향하지 않는 것이 바람직하다.
도 7a 및 도 7b에서, 기준 플레이트(7)에 가장 가까운 2개의 샷 영역은 샷 영역(S41, S31)이다. 도 7a는, 샷 영역(S41)에 대하여 몰드(M)의 패턴 영역(Mp)이 위치결정된 상태를 나타낸다. 몰드(M)의 4개의 변 중 기준 플레이트(7)에 가장 가까운 변과 기준 플레이트(7) 사이의 거리를 D1로 했을 때, D1>0이 된다. 도 7b는, 샷 영역(S31)에 대하여 몰드(M)의 패턴 영역(Mp)이 위치결정된 상태를 나타낸다. 몰드(M)의 4개의 변 중 기준 플레이트(7)에 가장 가까운 변과 기준 플레이트(7) 사이의 거리를 D2로 했을 때, D2>0가 된다.
컨트롤러(CNT)는, 제1 샷 영역에 대한 패턴 형성과 최종 샷 영역에 대한 패턴 형성 사이에서 기준 플레이트(7)가 몰드(M)와 대향하지 않도록, 기판 구동 기구(20)에 의한 기판 홀더(5)의 구동을 제어한다. 제1 샷 영역은, 기판(W)의 복수의 샷 영역 중 최초에 패턴이 형성되는 샷 영역이다. 최종 샷 영역은, 기판(W)의 복수의 샷 영역 중 마지막으로 패턴이 형성되는 샷 영역이다.
제1 샷 영역에 대한 패턴 형성은, 적어도 제1 샷 영역에 대한 임프린트재(R)의 배치, 제1 샷 영역의 임프린트재(R)와 몰드(M) 사이의 접촉, 및 제1 샷 영역의 임프린트재(R)의 경화를 포함한다. 제1 샷 영역에 대해 임프린트재(R)를 배치하는 처리와 연속하여, 복수의 샷 영역 중 다른 샷 영역의 전부 또는 일부에 대하여도 임프린트재가 배치된 후에, 제1 샷 영역에서 임프린트재(R)와 몰드(M)가 서로 접촉할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하여 설명한 캘리브레이션에서는, 얼라인먼트 광학계(2) 또는 관찰 광학계(3)가 몰드(M)를 통해 기준 플레이트(7)의 마크를 촬상(관찰)한다. 따라서, 기준 플레이트(7)가 몰드(M)에 대향하도록 배치된다. 이러한 캘리브레이션은 제전 디바이스(40)가 몰드(M)의 대전량을 저감시킨 후에 행해질 수 있다.
한편, 기판(W)의 복수의 샷 영역에 대한 임프린트 처리에서는, 대전되어 있는 몰드(M)와 기판(W) 사이의 간극이 유지되면, 제전 디바이스(40)에 의한 제전의 효과를 충분히 얻을 수 없다. 따라서, 기판(W)의 복수의 샷 영역에 대한 임프린트 처리의 도중에 몰드(M)와 기판(W) 사이의 간극을 확장하는 것이 제전 효과를 향상시키기 위한 1개의 방법일 수 있다. 그러나, 이러한 방법에서는, 생산성이 저하될 수 있다.
상술한 임프린트 장치(100)를 사용해서 실시되는 임프린트 방법은, 기판(W)의 복수의 샷 영역의 각각에 대하여 디스펜서(8)에 의해 임프린트재(R)를 배치하고, 임프린트재(R)에 몰드(M)를 접촉시키며, 임프린트재(R)를 경화시키는 처리를 행하는 단계를 포함한다. 처리의 개시로부터 처리의 종료시까지, 기준 플레이트(7)가 몰드(M)에 대향하지 않도록 기판 홀더(5)가 구동될 수 있다.
제1 실시형태에 따르면, 제전의 필요성을 저감시키면서, 기준 플레이트(7)의 손상 가능성을 저감시킬 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 제2 실시형태를 설명한다. 제2 실시형태는 제1 실시형태와 함께 또는 제1 실시형태와 독립하여 행해질 수 있다. 제2 실시형태에서 특히 언급되지 않는 사항은 제1 실시형태를 따를 수 있다.
먼저, 도 8 및 도 9를 참조하여 비교예에 따른 기준 플레이트(7)를 설명한다. 그러나, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명되는 비교예에 따른 기준 플레이트(7)는 제1 실시형태에 적용될 수 있다. 기준 플레이트(7)는, 기준 마크(12, 13)를 포함하는 복수의 기준 마크를 가질 수 있다. 기준 플레이트(7)의 모재는, 열에 의해 변형되기 어렵고 안정적인 재료(예를 들어, 석영)로 구성될 수 있다. 기준 마크(12, 13)는, 광을 반사하는 도전막(예를 들어, 크롬 막)으로 이루어지는 복수의 도전성 반사부(CR)로 모재를 피복한 부분(사선 부분)과, 모재가 노출된 부분(블랭크 부분)으로 형성될 수 있다. 복수의 도전성 반사부(CR)는, 예를 들어 단층 또는 다층의 도전 재료층으로 형성될 수 있다. 복수의 도전성 반사부(CR)의 전부 또는 일부는 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명이, 인접하는 2개 이상의 도전성 반사부(CR)가 점(P)에서 서로 점접촉하는 구조를 갖는 경우를 생각한다. 이 경우, 도 9에 도시된 바와 같이, 대전된 몰드(M)가 기준 플레이트(7)와 대향하는 상태에서, 몰드(M)의 전하(15)에 의해 정전 유도가 일어나고, 기준 플레이트(7)의 도전성 반사부(CR) 상의 전하가 이동할 수 있다. 도 9에서는, 몰드(M)를 대전하고 있는 전하(15)가 음전하이고, 기준 플레이트(7)의 도전성 반사부(CR) 상의 전하(16)가 양전하이다. 그러나, 조건에 따라서는 이들이 반전되기도 한다. 정전 유도에 의해 도전성 반사부(CR) 위를 이동하는 전하(16)의 경로 위에 점(P)이 있으면, 점(P)에 전하가 집중되고, 기준 마크가 파손될 수 있다.
도 10은 제2 실시형태에 따른 기준 플레이트(7)에 1개의 예를 나타낸다. 도 11은, 제2 실시형태에 따른 기준 플레이트(7)의 다른 예를 나타낸다. 제2 실시형태에서는, 기준 마크(12, 13)는, 복수의 도전성 반사부(CR)를 포함하고, 복수의 도전성 반사부(CR)는 서로 점접촉하지 않도록 배치된다. 도 11의 예에서는, 복수의 도전성 반사부(CR)의 일부는 라운드 형상을 채용한다. 복수의 도전성 반사부(CR)의 모두가 라운드 형상을 채용할 수 있다.
미소 라인이 방전 파괴되는 모드를 생각한다. 방전 파괴는, 도전성 반사부(CR)에 축적된 전하(Q)의 면 내 분포가 대전된 몰드(M)에 대향함으로써 변화할 때 발생할 수 있다. 전하(Q)의 면 내 분포가 변화하는 경우, 미소 라인을 통해서 이동하는 전하(Q)는 가장 저항이 높은 미소 라인의 근방에서 대량의 줄 열을 발생시킨다. 줄 열의 축적이 도전성 반사부(CR)의 융점을 초과하면, 미소 라인이 용융하고, 기준 마크가 파손된다. 미소 라인부에 있어서의 줄 열에 의한 온도 상승을 Temp로 하면, 온도 상승(Temp)은 이하에 의해 주어질 수 있다:
Temp = A·ρe·Q2/(d2·W2·ρ·c·t·) ... (1)
여기서, ρe은 각각의 도전성 반사부(CR)의 체적 저항률을 나타내고, Q는 도전성 반사부(CR)를 흐르는 전하를 나타내고, d는 도전성 반사부(CR)의 두께를 나타내고, W는 전하(Q)가 흐르는 경로의 라인 폭을 나타내고, ρ은 도전성 반사부(CR)의 밀도를 나타내고, c는 도전성 반사부(CR)의 비열을 나타내고, t는 전하(Q)가 흐르는 시간을 나타내며, A는 단위 환산의 상수를 나타낸다.
도 5a 내지 도 5d 각각의 구성에서, 이동하는 전하의 양을 검토한 결과, 1 내지 50 pC의 전하가 수 ms 이내에 이동하는 것을 알았다. 두께가 100 nm인 크롬 막에서는, 50 pC의 전하가 폭이 180 nm인 라인을 1ms 내에 흐르면, 크롬의 융점인 1,907℃를 초과하는 온도 상승이 일어난다. 온도 상승은 라인 폭(w)의 제곱에 반비례하므로, 라인 폭은 적어도 57 nm 이상인 것이 바람직하다. 라인 폭은 4배의 우도(likelihood)를 갖는 214 nm 이상인 것이 바람직하고, 10배의 우도를 갖는 570 nm 이상인 것이 더 바람직하다.
이하, 본 발명의 제3 실시형태를 도 12를 참고하여 설명한다. 제3 실시형태는, 제1 및/또는 제2 실시형태와 함께, 또는 제1 및 제2 실시형태와 독립하여 실행될 수 있다. 제3 실시형태에서 특별히 언급하지 않는 사항은 제1 및/또는 제2 실시형태를 따를 수 있다.
제3 실시형태의 기준 플레이트(7)는, 1개 또는 복수의 도전성 반사부(CR)를 덮는 1개 또는 복수의 도전성 반사부(CR)와 투명 도전막(TM)을 포함한다. 투명 도전막(TM)은, 예를 들어 ITO 막, IZO 막, TNO 막, Al 박막 등으로 형성될 수 있다. 투명 도전막(TM)은, 기준 플레이트(7)의 기준 마크(12, 13)의 관찰을 방해하지 않는 범위에서 다양한 다른 재료로 구성될 수 있다. 투명 도전막(TM)은, 임프린트 장치에서의 접지 등의 미리정해진 전위를 갖는 부재에 전기적으로 접속될 수 있지만, 플로팅(floating)이어도 된다. 투명 도전막(TM)을 제공함으로써 전하 분포가 순간적으로 형성되어도, 전하는 투명 도전막(TM)의 표면을 흐르지만, 기준 마크(12, 13)를 형성하는 도전성 반사부(CR)를 흐르지 않는다.
일례에서, 기준 플레이트(7)의 도전성 반사부(CR)는, 도 8에서 나타내는 구성을 갖고, 두께가 100 nm인 단층의 크롬 층으로 형성되며, 투명 도전막(TM)은 두께가 200 nm인 ITO 막으로 형성된다. 크롬 막에 의해 단차가 형성되지만, 투명 도전막(TM)의 두께를 200 nm로 설정함으로써, 투명 도전막(TM)의 저항값을 충분히 작게 할 수 있다. ITO 막의 광투과율은, 파장이 450 nm인 광으로 기준 마크를 관찰할 경우에, 70% 이상이다. 이 예에서, 기준 마크에 대한 어떠한 파손도 없이, 얼라인먼트 광학계(2) 및 관찰 광학계(3)가 기준 마크를 관찰할 수 있는 것이 확인되었다. 기준 플레이트(7)의 도전성 반사부(CR)는 도 10 또는 도 11에 나타내는 구성을 가질 수 있다.
임프린트 장치(100)를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등을 포함한다. 전기 회로 소자는, 예를 들어 DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 또는 MRAM과 같은 휘발성 혹은 불휘발성 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, 또는 FPGA와 같은 반도체 소자를 포함한다. 몰드는 임프린트 몰드 등을 포함한다.
경화물의 패턴은, 상술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 혹은 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 단계에서 에칭, 이온 주입 등이 행하여진 후에 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 임프린트 장치(100)에 의해 기판에 패턴을 형성하고, 패턴이 형성된 기판을 처리하고, 처리가 행하여진 기판으로부터 물품을 제조하는 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 13a에 도시하는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서 잉크젯법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적으로 형성된 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 상태를 나타낸다.
도 13b에 도시하는 바와 같이, 임프린트용 몰드(4z)의, 그 3차원 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)에 대향시킨다. 도 13c에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 몰드(4z)를 서로 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화 에너지로서의 광을 몰드(4z)를 통해 조사하여 임프린트재(3z)를 경화시킨다.
도 13d에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 몰드(4z)와 기판(1z)을 서로 분리함으로써, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 몰드의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하고, 몰드의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응하는 형상을 갖는다. 즉, 몰드(4z)의 3차원 패턴이 임프린트재(3z)에 전사된다.
도 13e에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 에칭 저항 마스크로서 사용하여 에칭을 행함으로써, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없는 부분 혹은 경화물이 얇게 잔존하는 부분이 제거되어, 홈(5z)이 된다. 도 13f에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거함으로써, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서 경화물의 패턴이 제거된다. 그러나, 가공 후에도 경화물의 패턴을 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용 막, 즉 물품의 구성 부재로서 경화물의 패턴을 이용할 수 있다.
다른 실시형태
본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (15)

  1. 기판 상에 배치된 임프린트재에 몰드를 접촉시키고 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드를 보유지지하도록 구성된 몰드 홀더;
    상기 기판을 보유지지하도록 구성된 기판 홀더;
    상기 기판 상에 상기 임프린트재를 배치하도록 구성된 디스펜서; 및
    마크를 촬상하도록 구성된 스코프를 포함하며,
    상기 기판 홀더는 상기 스코프에 의해 촬상되는 기준 마크를 갖는 기준 플레이트를 포함하고, 상기 디스펜서는 상기 몰드 홀더로부터 볼 때 제1 방향으로 배치되고, 상기 기준 플레이트는 상기 몰드 홀더로부터 볼 때 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향에 평행하고 상기 기판 홀더의 중심을 통과하는 가상 직선과 상기 가상 직선으로부터 볼 때 상기 제1 방향에 위치되는 상기 기판 홀더의 에지 사이에 배치되는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 홀더는, 상기 제1 방향에 평행한 2개의 변과 상기 제2 방향에 평행한 2개의 변을 갖는 직사각형 형상을 갖고, 상기 기준 플레이트는, 상기 가상 직선으로부터 볼 때 상기 제1 방향에 위치되는, 상기 직사각형 형상의 정점과 상기 중심 사이에 배치되는, 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 홀더는, 상기 기판의 복수의 샷 영역 중 최초에 패턴이 형성되는 제1 샷 영역에 대한 패턴 형성과, 상기 기판의 복수의 샷 영역 중 마지막으로 패턴이 형성되는 최종 샷 영역에 대한 패턴 형성 사이에서 상기 기준 플레이트가 상기 몰드에 대향하지 않도록 구동되는, 임프린트 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 샷 영역에 대한 상기 패턴 형성은, 적어도 상기 제1 샷 영역에 대한 상기 임프린트재의 배치, 상기 제1 샷 영역의 상기 임프린트재와 상기 몰드 사이의 접촉, 및 상기 제1 샷 영역의 상기 임프린트재의 경화를 포함하는, 임프린트 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 몰드는 상기 기판 상에 배치된 상기 임프린트재에 전사될 패턴을 갖는 패턴 영역을 포함하며,
    상기 기판의 복수의 샷 영역 중 임의의 것에 대하여 상기 패턴 영역이 위치결정되었을 경우에도, 상기 기준 플레이트는 상기 몰드에 대향하지 않는, 임프린트 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 몰드는 상기 패턴 영역을 둘러싸도록 구성된 주변 영역을 포함하며,
    상기 기판의 상기 복수의 샷 영역 중 임의의 것에 대하여 상기 패턴 영역이 위치결정되었을 경우에도, 상기 기준 플레이트는 상기 몰드의 상기 주변 영역에 대향하지 않는, 임프린트 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 몰드의 대전량을 저감시키도록 구성된 제전 디바이스를 더 포함하며,
    상기 스코프가 상기 몰드를 통해서 상기 기준 플레이트를 촬상하는 처리는, 상기 제전 디바이스가 상기 몰드의 대전량을 저감시킨 후에 행해지는, 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기준 마크는 복수의 도전성 반사부를 포함하며, 상기 복수의 도전성 반사부는 서로 점접촉하지 않도록 배치되는, 임프린트 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기준 마크는, 상기 복수의 도전성 반사부를 덮도록 구성된 투명 도전막을 포함하는, 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기준 마크는, 도전성 반사부와, 상기 도전성 반사부를 덮도록 구성된 투명 도전막을 포함하는, 임프린트 장치.
  11. 기판 상에 배치된 임프린트재에 몰드를 접촉시키고 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드를 보유지지하도록 구성된 몰드 홀더;
    상기 기판을 보유지지하도록 구성된 기판 홀더;
    상기 기판 상에 상기 임프린트재를 배치하도록 구성된 디스펜서; 및
    마크를 촬상하도록 구성된 스코프를 포함하며,
    상기 기판 홀더는 상기 스코프에 의해 촬상되는 기준 마크를 갖는 기준 플레이트를 포함하고, 상기 기준 마크는 상기 기준 플레이트의 모재가 도전성 반사부에 의해 덮이는 부분 및 상기 모재가 노출되는 복수의 마크 부분을 포함하고, 상기 마크 부분 각각은 도전성 반사부에 의해 둘러싸이고, 상기 마크 부분 각각은 십자 형상 부분 및 상기 십자 형상 부분 주위에 배치되는 부분을 가지며, 상기 복수의 마크 부분은 서로 점접촉하지 않도록 배치되는, 임프린트 장치.
  12. 기판 상에 배치된 임프린트재에 몰드를 접촉시키고 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드를 보유지지하도록 구성된 몰드 홀더;
    상기 기판을 보유지지하도록 구성된 기판 홀더;
    상기 기판 상에 상기 임프린트재를 배치하도록 구성된 디스펜서; 및
    마크를 촬상하도록 구성된 스코프를 포함하며,
    상기 기판 홀더는 상기 스코프에 의해 촬상되는 기준 마크를 갖는 기준 플레이트를 포함하고, 상기 기준 마크는 도전성 반사부 및 상기 도전성 반사부를 덮도록 구성된 투명 도전막을 포함하는, 임프린트 장치.
  13. 물품 제조 방법이며,
    제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 규정된 임프린트 장치에 의해 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 형성하는 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판에 대해 처리를 행하는 단계를 포함하며,
    상기 처리가 행해진 상기 기판으로부터 물품을 제조하는, 물품 제조 방법.
  14. 기준 플레이트를 포함하는 기판 홀더에 의해 보유지지된 기판 상에 배치된 임프린트재에 몰드를 접촉시키고 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    상기 기판의 복수의 샷 영역 각각에 대하여 디스펜서에 의해 상기 임프린트재를 배치하고, 상기 임프린트재에 상기 몰드를 접촉시키며, 상기 임프린트재를 경화시키는 처리를 행하는 단계를 포함하며,
    상기 기판 홀더는, 상기 처리의 개시로부터 상기 처리의 종료까지 상기 기준 플레이트가 상기 몰드에 대향하지 않도록 구동되는, 임프린트 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 디스펜서는 상기 몰드를 보유지지하도록 구성된 몰드 홀더로부터 볼 때 제1 방향으로 배치되고, 상기 기준 플레이트는 상기 제1 방향에 대하여 수직한 제2 방향에 평행하고 상기 기판 홀더의 중심을 통과하는 가상 직선과, 상기 가상 직선으로부터 볼 때 상기 제1 방향에 위치되는 상기 기판 홀더의 에지 사이에 배치되는, 임프린트 방법.
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