KR20190000026A - 터치 스크린 및 이를 구비한 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

터치 스크린은 감지 영역 및 비감지 영역을 포함한 베이스 필름; 상기 감지 영역에 제공되는 복수의 서브 터치 전극들을 포함한 복수의 제1 터치 전극들을 구비하고, 일 방향으로 연장된 제1 터치 센서 열들; 상기 감지 영역에 제공되는 복수의 제2 터치 전극들을 포함하고, 상기 제1 터치 센서 열들과 교번 배치되는 복수의 제2 터치 센서 열들; 상기 비감지 영역에 제공되며, 각 서브 터치 전극에 연결되는 제1 센싱 라인 및 각 제2 터치 전극에 연결되는 제2 센싱 라인; 상기 제1 및 제2 센싱 라인 각각에 전기적으로 연결되며, 상기 비감지 영역에 배치된 패드부; 및 상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제1 센싱 라인에 연결된 브릿지 라인을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 브릿지 라인은 적어도 2개 이상의 서브 브릿지 라인이 적층된 다중층 구조를 포함할 수 있다. 또한, 상기 서브 브릿지 라인들은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩될 수 있다.

Description

터치 스크린 및 이를 구비한 표시 장치{TOUCH SCREEN AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은 터치 스크린에 관한 것으로, 상세하게는 데드 스페이스를 최소화한 터치 스크린 및 이를 구비한 표시 장치에 관한 것이다.
최근의 표시 장치는 영상 표시 기능과 더불어 정보 입력 기능을 구비하는 방향으로 개발되고 있다. 상기 표시 장치의 정보 입력 기능은 일반적으로 사용자의 터치를 입력받기 위한 터치 스크린으로 구현될 수 있다. 일반적으로, 상기 터치 스크린은 터치 전극들 및 상기 터치 전극들에 연결된 센싱 라인들을 구비하여 감지 영역 내에서 발생되는 터치 이벤트를 입력 신호로서 인식할 수 있다.
한편, 상기 터치 스크린은 상기 감지 영역을 둘러싸며 상기 센싱 라인들이 배치된 비감지 영역을 포함할 수 있다. 상기 센싱 라인들은 각 터치 전극과 전기적으로 연결되어 복수 개로 제공될 수 있다. 복수 개로 제공된 상기 센싱 라인들로 인해 상기 비감지 영역의 면적이 증가하여 상기 표시 장치의 전체 데드 스페이스가 증가할 수 있다.
본 발명은 데드 스페이스를 최소화한 터치 스크린을 제공하는 데 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기 터치 스크린을 구비한 표시 장치를 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린은 감지 영역 및 비감지 영역을 포함한 베이스 필름; 상기 감지 영역에 제공되는 복수의 서브 터치 전극들을 포함한 복수의 제1 터치 전극들을 구비하고, 일 방향으로 연장된 제1 터치 센서 열들; 상기 감지 영역에 제공된 복수의 제2 터치 전극들을 포함하고, 상기 제1 터치 센서 열들과 교변 배치되는 복수의 제2 터치 센서 열들; 상기 비감지 영역에 제공되며, 각 서브 터치 전극에 연결되는 제1 센싱 라인 및 각 제2 터치 전극에 연결되는 제2 센싱 라인; 상기 제1 및 제2 센싱 라인 각각에 전기적으로 연결되며, 상기 비감지 영역에 배치된 패드부; 및 상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제1 센싱 라인에 연결된 브릿지 라인을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 브릿지 라인은 적어도 2개 이상의 서브 브릿지 라인이 적층된 다중층 구조를 포함할 수 있다. 또한, 상기 서브 브릿지 라인들은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 브릿지 라인은, 상기 제1 서브 브릿지 라인; 제1 절연층을 사이에 두고 상기 제1 서브 브릿지 라인 상에 제공된 제2 서브 브릿지 라인; 및 제2 절연층을 사이에 두고 상기 제2 서브 브릿지 라인 상에 제공된 제3 서브 브릿지 라인을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 서브 브릿지 라인은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 각 제1 터치 센서 열에서, 하나의 제1 터치 전극은 상기 제1 터치 센서 열이 연장된 방향에서 순차적으로 배열된 i(i는 2 이상의 자연수) 개의 서브 터치 전극들을 포함할 수 있다. 각 서브 터치 전극은 상기 제1 센싱 라인을 통해 동일한 제1 터치 센서 열에서 인접하게 배치된 제1 터치 전극의 i개의 서브 터치 전극 중 대응되는 하나의 서브 터치 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 각 서브 터치 전극은 상기 브릿지 라인을 통해 인접한 제1 터치 센서 열에 배치된 제1 터치 전극의 i개의 서브 터치 전극 중 동일한 신호가 인가되는 서브 터치 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 스크린은 상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제2 센싱 라인과 상기 패드부를 전기적으로 연결하는 컨택 라인을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 터치 센서 열 각각은 q(q는 2 이상의 자연수) 개의 제2 터치 전극들을 포함할 수 있다. 각 제2 터치 전극은 상기 컨택 라인을 통해 상기 패드부에 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 제1 터치 전극들과 상기 복수의 제2 터치 전극들은 동일한 층에 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 스크린은 상기 브릿지 라인과 상기 패드부를 전기적으로 연결하는 제3 센싱 라인을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널; 및 상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치되는 터치 스크린을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 터치 스크린은, 감지 영역 및 비감지 영역을 포함한 베이스 필름; 상기 감지 영역에 제공되는 복수의 서브 터치 전극들을 포함한 복수의 제1 터치 전극들을 구비하고, 일 방향으로 연장된 제1 터치 센서 열들; 상기 감지 영역에 제공되는 복수의 제2 터치 전극들을 포함하고, 상기 제1 터치 센서 열들과 교번 배치되는 복수의 제2 터치 센서 열들; 비감지 영역에 제공되며, 각 서브 터치 전극에 연결되는 제1 센싱 라인 및 각 제2 터치 전극에 연결되는 제2 센싱 라인; 상기 제1 및 제2 센싱 라인 각각에 전기적으로 연결되며, 상기 비감지 영역에 배치된 패드부; 및 상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제1 센싱 라인에 연결된 브릿지 라인을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 브릿지 라인은 적어도 2개 이상의 서브 브릿지 라인이 적층된 다중층 구조를 포함할 수 있다. 또한, 상기 서브 브릿지 라인들은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 데드 스페이스가 최소화된 터치 스크린 및 이를 구비한 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린을 포함하는 표시 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 화소들 중 하나의 화소를 나타내는 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 6a는 도 2에 도시된 터치 센서층을 설명하기 위한 평면도이며, 도 6b는 다른 실시예에 따른 터치 센서층을 설명하기 위한 평면도이다.
도 7a는 도 6a의 Ⅰ ~ Ⅰ'선에 따른 단면도이고, 도 7b는 도 6a의 Ⅱ ~ Ⅱ'선에 따른 단면도이다.
도 8a는 도 6a에 도시된 제1 센서 열을 설명하기 위한 평면도이고, 도 8b는 도 8a에 도시된 터치 센서 블록을 설명하기 위한 평면도이며, 도 8c는 도 8a의 EA 영역의 확대도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 터치 센서 열을 설명하기 위한 평면도이며, 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 터치 센서 열을 설명하기 위한 평면도이다.
도 10a는 도 6a에 도시된 센서 열, 브릿지 라인, 컨택 라인, 및 센싱 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 평면도이고, 도 10b는 도 6b에 도시된 센서 열, 브릿지 라인, 컨택 라인, 및 센싱 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 평면도이다.
도 11은 도 10a의 Ⅲ ~ Ⅲ'선에 따른 단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린을 도시한 것으로, 도 10a의 Ⅲ ~ Ⅲ'선에 대응되는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 어느 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상(on)에 형성되었다고 할 경우, 상기 형성된 방향은 상부 방향만 한정되지 않으며 측면이나 하부 방향으로 형성된 것을 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린을 포함하는 표시 장치를 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 개략적인 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 표시 패널을 설명하기 위한 평면도이다.
상기 표시 패널(100)은 영상을 표시할 수 있다. 상기 표시 패널(100)은 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 표시 패널(100)로 유기 발광 표시 패널(Organic Light Emitting Display panel, OLED panel)과 같은 자발광이 가능한 표시 패널을 사용하는 것이 가능하다. 또한, 상기 표시 패널(100)로 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display panel, LCD panel), 전기영동 표시 패널(Electro-Phoretic Display panel, EPD panel), 및 일렉트로웨팅 표시 패널(Electro-Wetting Display panel, EWD panel)과 같은 비발광성 표시 패널을 사용하는 것이 가능하다. 상기 표시 패널(100)로 비발광성 표시 패널을 사용하는 경우, 상기 표시 장치(DD)는 상기 표시 패널(100)로 광을 공급하는 백라이트 유닛(Back-light unit)을 구비할 수도 있다. 본 실시예에서는 상기 표시 패널(100)로 상기 유기 발광 표시 패널을 예로서 설명한다.
상기 표시 패널(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함하는 베이스 층(BL)을 구비할 수 있다.
상기 베이스 층(BL)의 상기 표시 영역(DA)에는 복수의 화소들(PXL)이 제공될 수 있다. 각 화소(PXL)는 적색(red) 화소, 녹색(green) 화소, 청색(blue) 화소 및 백색(white) 화소 중 어느 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 화소는 마젠타(magenta) 화소, 시안(cyan) 화소, 및 옐로(yellow) 화소 중 어느 하나일 수 있다.
상기 베이스 층(BL)의 상기 비표시 영역(NDA)은 상기 표시 영역(DA)의 적어도 일측에 배치될 수 있으며, 상기 표시 영역(DA)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 상기 비표시 영역(NDA)에는 배선들의 패드들이 제공되는 패드부 및 상기 화소들(PXL)에 데이터 신호를 제공하는 데이터 구동부(DDV)가 제공될 수 있다. 상기 데이터 구동부(DDV)는 데이터 배선들을 통해 상기 화소들(PXL) 각각에 상기 데이터 신호를 제공할 수 있다. 여기서, 상기 데이터 구동부(DDV)는 상기 비표시 영역(NDA)의 가로부에 배치될 수 있으며, 상기 비표시 영역(NDA)의 제1 방향(DR1)을 따라 길게 연장될 수 있다.
도 3에 있어서, 설명의 편의를 위해, 주사 구동부, 발광 구동부, 및 타이밍 제어부를 도시하지 않았으나, 상기 타이밍 제어부, 상기 발광 구동부, 및 상기 주사 구동부도 상기 비표시 영역(NDA)에 제공될 수 있다.
상기 베이스 층(BL)은 가요성을 가지는 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 상기 베이스 층(BL)은 상기 터치 스크린(200)의 형상에 대응하여 실질적으로 동일한 형상으로 마련될 수 있다. 상기 베이스 층(BL)은 상기 터치 스크린(200)과 같은 면적을 갖거나 상기 터치 스크린(200) 보다 큰 면적을 갖도록 제공될 수 있다.
도 3에 있어서, 설명의 편의를 위해, 주사 구동부, 발광 구동부, 및 타이밍 제어부를 도시하지 않았으나, 상기 타이밍 제어부, 상기 발광 구동부, 및 상기 주사 구동부도 상기 비표시 영역(NDA)에 제공될 수 있다.
상기 베이스 층(BL)은 가요성을 가지는 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 상기 베이스 층(BL)은 상기 터치 스크린(200)의 형상에 대응하여 실질적으로 동일한 형상으로 마련될 수 있다. 상기 베이스 층(BL)은 상기 터치 스크린(200)과 같은 면적을 갖거나 상기 터치 스크린(200) 보다 큰 면적을 갖도록 제공될 수 있다.
상기 터치 스크린(200)은 상기 표시 패널(100)의 양면 중 적어도 하나의 면 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 터치 스크린(200)은 상기 표시 패널(100)의 영상이 출사되는 방향의 면 상에 배치되어 사용자의 터치 입력을 수신할 수 있다. 또한, 상기 터치 스크린(200)은 상기 표시 패널(100)과 일체로 형성될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 터치 스크린(200)이 상기 표시 패널(100)의 상면에 제공된 경우를 일 예로서 설명하기로 한다.
상기 터치 스크린(200)은 상기 표시 패널(100)의 일 면 상에 배치되는 터치 센서층(210) 및 상기 터치 센서층(210) 상에 제공되는 절연층(230)을 포함할 수 있다.
상기 터치 센서층(210)은 사용자의 손이나 별도의 입력 수단을 통해 상기 표시 장치(DD)로의 터치 이벤트를 인식할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 터치 센서층(210)은 정전 용량(mutual capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 상기 정전 용량(mutual capacitance) 방식은 두 개의 터치 센싱 전극들 간의 상호 작용에 의한 정전 용량의 변화를 센싱하는 것이다. 또한, 상기 터치 센서층(210)은 자기 정전 용량(self capacitance) 방식으로 구동될 수 있다. 상기 자기 정전 용량(self capacitance) 방식은 매트릭스 형상으로 배열된 터치 센싱 전극들과 상기 터치 센싱 전극들 각각에 연결된 센싱 라인들을 이용하여, 사용자의 터치가 있을 경우 터치된 영역의 감지 전극의 정전 용량 변화를 센싱하는 것이다.
상기 터치 센서층(210)은 상기 터치 전극, 상기 터치 전극에 연결된 상기 센싱 라인, 및 상기 센싱 라인의 단부에 연결된 패드부를 포함할 수 있다. 상기 터치 센서 층(210)에 대해서는 후술한다.
상기 절연층(230)은 상기 터치 센서층(210)을 커버하며 상기 터치 센서층(210)을 외부로부터 보호하는 역할을 할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 절연층(230)은 탄성을 갖는 물질을 포함하여 사용자의 터치 압력에 의해 변형될 수 있다. 이러한 경우, 상기 터치 센서층(210)은 상기 터치 전극과 함께 커패시터를 형성하는 압력 전극을 추가로 구비할 수 있다.
상기 터치 스크린(200)은 상기 절연층(230) 상에 제공되는 윈도우(250)를 더 포함할 수 있다.
상기 윈도우(250)는 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 상기 윈도우(250)는 상기 터치 스크린(200)의 노출면을 보호할 수 있다. 상기 윈도우(250)는 상기 표시 패널(100)로부터의 영상을 투과시킴과 동시에 외부의 충격을 완화시킴으로써, 외부의 충격에 상기 표시 패널(100)이 파손되거나 오작동하는 것을 방지할 수 있다. 외부로부터의 충격이라 함은 압력, 스트레스 등으로 표현할 수 있는 외부로부터의 힘으로써 상기 표시 패널(100)에 결함을 야기하는 힘을 의미할 수 있다. 상기 윈도우(250)는 전체 또는 적어도 일부가 가요성을 가질 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 화소들 중 하나의 화소를 나타내는 등가회로도이다. 도 4에 있어서, 설명의 편의를 위해 하나의 화소 및 상기 화소에 연결되는 배선들을 위주로 도시하였다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 각 화소(PXL)는 배선들에 연결된 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결된 발광 소자(OLED), 및 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(OLED)는 전면 발광형 유기 발광 소자이거나, 배면 발광형 유기 발광 소자일 수 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 다이오드일 수 있다.
각 화소(PXL)는 상기 발광 소자(OLED)를 구동하기 위한 화소 구동회로로써, 제1 트랜지스터(T1, 또는 스위칭 트랜지스터), 제2 트랜지스터(T2, 또는 구동 트랜지스터), 및 상기 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 제1 전원 전압(ELVDD)은 전원 라인(PL)을 통해 상기 제2 트랜지스터(T2)에 제공되고, 제2 전원 전압(ELVSS)은 상기 발광 소자(OLED)에 제공될 수 있다. 상기 제2 전원 전압(EVLSS)은 상기 제1 전원 전압(ELVDD) 보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 라인(GL)에 인가된 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 상기 커패시터(Cst)는 상기 제1 트랜지스터(T1)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 발광 소자(OLED)에 연결된다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 커패시터(Cst)에 저장된 전하량에 대응하여 상기 발광 소자(OLED)에 흐르는 구동 전류를 제어한다.
본 발명의 일 실시예에서는, 하나의 화소(PXL)가 두 개의 트랜지스터(T1, T2)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 화소(PXL)에 하나의 트랜지스터와 커패시터, 또는 하나의 화소(PXL)에 셋 이상의 트랜지스터와 둘 이상의 커패시터를 구비할 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소(PXL)는 7개의 트랜지스터, 상기 발광 소자(OLED), 및 상기 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 5에 있어서, 설명의 편의를 위해 각 화소에 제공된 제1 및 제2 트랜지스터 및 상기 트랜지스터에 연결된 발광 소자를 위주로 도시하였다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 표시 장치는 베이스 층(BL), 화소 회로부(PCL), 표시 소자층(DPL), 및 박막 봉지 필름(TFE)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 층(BL)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 베이스 층(BL)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 베이스 층(BL)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만, 상기 베이스 층(BL)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 섬유 강화 플라스틱(FRP, Fiber glass reinforced plastic) 등으로도 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 층(BL)은 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있다.
상기 화소 회로부(PCL)는 상기 베이스 층(BL) 상에 배치된 버퍼층(BFL), 상기 버퍼층(BFL) 상에 배치된 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)를 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(BFL)은 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)에 불순물이 확산되는 것을 방지할 수 있다. 상기 버퍼층(BFL)은 단일층으로 제공될 수 있으나, 적어도 2중층 이상의 다중층으로 제공될 수도 있다. 상기 버퍼층(BFL)이 다중층으로 제공될 경우, 각 층은 동일한 재료로 형성되거나 또는 서로 다른 재료로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(BFL)은 상기 베이스 층(BL)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1)는 상기 제2 트랜지스터(T2)의 스위칭을 위한 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 상기 표시 소자층(DPL)의 발광 소자(OLED)에 전기적으로 연결되어 상기 발광 소자(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터일 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(T1)는 제1 반도체층(SCL1), 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1), 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함할 수 있다. 상기 제2 트랜지스터(T2)는 제2 반도체층(SCL2), 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2), 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 반도체층(SCL1, SCL2)은 상기 버퍼층(BFL) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 반도체층(SCL1, SCL2) 각각은 상기 제1 및 제2 소스 전극(SE1, SE2)과 상기 제1 및 제2 드레인 전극(DE1, DE2) 각각에 접촉되는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다. 상기 제1 및 제2 반도체층(SCL1, SCL2)은 폴리 실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 산화물 반도체 등으로 이루어진 반도체 패턴일 수 있다. 상기 채널 영역은 불순물로 도핑되지 않는 반도체 패턴으로서, 진성 반도체일 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 불순물이 도핑된 반도체 패턴일 수 있다. 상기 불순물로는 n형 불순물, p형 불순물, 기타 금속과 같은 불순물이 사용될 수 있다.
상기 제1 및 제2 게이트 전극(GE1, GE2) 각각은 게이트 절연층(GI)을 사이에 두고 상기 제1 및 제2 반도체층(SCL1, SCL2) 상에 제공될 수 있다. 여기서, 상기 게이트 절연층(GI)은 무기 재료를 포함하는 무기 절연막일 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연층(GI)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물 등으로 형성될 수 있다.
상기 제1 소스 전극(SE1)과 상기 제1 드레인 전극(DE1) 각각은 층간 절연층(ILD) 및 상기 게이트 절연층(GI)을 관통하는 컨택 홀을 통해 상기 제1 반도체층(SCL1)의 소스 영역 및 드레인 영역에 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(SE2)과 상기 제2 드레인 전극(DE2) 각각은 상기 층간 절연층(ILD) 및 상기 게이트 절연층(GI)을 관통하는 컨택 홀을 통해 상기 제2 반도체층(SCL2)의 소스 영역 및 드레인 영역에 연결될 수 있다. 상기 층간 절연층(ILD)은 무기 재료로 이루어진 무기 절연막 또는 유기 재료로 이루어진 유기 절연막일 수 있다.
상기 화소 회로부(PCL)는 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2) 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)를 커버하는 보호층(PSV)을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 소자층(DPL)은 상기 보호층(PSV) 상에 배치된 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(OLED)는 제1 및 제2 전극(AE, CE)과, 두 전극(AE, CE) 사이에 제공된 발광층(EML)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 전극(AE, CE) 중 어느 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(AE)이 애노드 전극일 수 있으며 상기 제2 전극(CE)이 캐소드 전극일 수 있다. 상기 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(AE)이 반사형 전극이고, 상기 제2 전극(CE)이 투과형 전극일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 상기 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 소자이며, 상기 제1 전극(AE)이 애노드 전극인 경우를 예로서 설명한다.
상기 제1 전극(AE)은 상기 보호층(PSV)을 관통하는 컨택 홀을 통해 상기 제2 트랜지스터(T2)의 제2 소스 전극(SE2)에 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(AE)은 광을 반사시킬 수 있는 반사막(미도시) 및 상기 반사막의 상부 또는 하부에 배치되는 투명 도전막(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전막 및 상기 반사막 중 적어도 하나는 상기 제2 소스 전극(SE2)에 연결될 수 있다.
상기 표시 소자층(DPL)은 상기 제1 전극(AE)의 일부, 예를 들면, 상기 제1 전극(AE)의 상면을 노출시키는 개구부(OP)를 구비한 화소 정의막(PDL)을 더 포함할 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리아크릴로니트릴(PAN, polyacrylonitrile), 폴리아미드(PA, polyamide), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리아릴에테르(PAE, polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(heterocyclic polymer), 파릴렌(parylene), 에폭시(epoxy), 벤조시클로부텐(BCB, benzocyclobutene), 실록산계 수지(siloxane based resin) 및 실란계 수지(silane based resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(AE)의 노출된 표면 상에 상기 발광층(EML)이 제공될 수 있다.
상기 발광층(EML)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 저분자 물질로는 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 포함할 수 있다. 고분자 물질로는 PEDOT, PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등을 포함할 수 있다.
상기 발광층(EML)은 단일층으로 제공될 수 있으나, 다양한 기능층을 포함하는 다중층으로 제공될 수 있다. 상기 발광층(EML)이 다중층으로 제공되는 경우, 홀 주입층(Hole Injection Layer), 홀 수송층(Hole Transport Layer), 발광층(Emission Layer), 전자 수송층(Electron Transport Layer), 전자 주입층(Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있다. 물론 상기 발광층(EML)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다. 그리고 상기 발광층(EML)의 적어도 일부는 복수 개의 제1 전극(AE)들에 걸쳐서 일체로 형성될 수 있으며, 복수 개의 제1 전극(AE)들 각각에 대응하도록 개별적으로 제공될 수도 있다. 상기 발광층(EML)에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(green), 청색(blue) 및 백색(white) 중 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 발광층(EML)의 상기 광 생성층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 하나일 수도 있다.
상기 발광층(EML) 상에 상기 제2 전극(CE)이 제공될 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 반투과 반사막일 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(CE)은 상기 발광층(EML)에서 출사된 광을 투과시킬 수 있을 정도의 두께를 가지는 박형 금속층일 수 있다. 상기 제2 전극(CE)은 상기 발광층(EML)에서 출사된 광의 일부는 투과시키고, 상기 발광층(EML)에서 출사된 광의 나머지는 반사시킬 수 있다.
상기 박막 봉지 필름(TFE)은 상기 발광 소자(OLED) 상에 제공될 수 있다.
상기 박막 봉지 필름(TFE)은 단일층으로 이루어질 수 있으나, 다중층으로 이루어질 수 있다. 상기 박막 봉지 필름(TFE)은 상기 발광 소자(OLED)를 커버하는 복수의 절연막을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 박막 봉지 필름(TFE)은 복수의 무기막 및 복수의 유기막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지 필름(TFE)은 상기 무기막 및 상기 유기막이 교번 적층된 구조를 가질 수 있다. 또한, 경우에 따라, 상기 박막 봉지 필름(TFE)은 상기 유기 발광 소자 상에 배치되고 실런트를 통해 상기 베이스층(BL)과 합착되는 봉지 기판일 수 있다.
도 6a은 도 2에 도시된 터치 센서층을 설명하기 위한 평면도이며, 도 6b는 다른 실시예에 따른 터치 센서층을 설명하기 위한 평면도이며, 도 7a는 도 6a의 Ⅰ ~ Ⅰ'선에 따른 단면도이고, 도 7b는 도 6a의 Ⅱ ~ Ⅱ'선에 따른 단면도이고, 도 8a는 도 6a에 도시된 제1 센서 열을 설명하기 위한 평면도이고, 도 8b는 도 8a에 도시된 터치 센서 블록을 설명하기 위한 평면도이며, 도 8c는 도 8a의 EA 영역의 확대도이고, 도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 터치 센서 열을 설명하기 위한 평면도이며, 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 터치 센서 열을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2, 도 6a, 도 6b, 도 7a, 도 7b, 도 8a, 도 8b, 도 8c, 도 9a, 및 도 9b를 참조하면, 터치 센서층(210)은 감지 영역(SA) 및 비감지 영역(NSA)을 포함한 베이스 필름(BF)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 필름(BF)은 가요성(flexibility)을 갖는 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 상기 베이스 필름(BF)은 표시 패널(100)의 형상에 대응하여 실질적으로 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 필름(BF)은 상기 표시 패널(100)의 박막 봉지 필름(TFE)의 최외각에 배치된 무기막일 수 있다.
상기 감지 영역(SA)은 상기 표시 패널(100)의 표시 영역(도 3의 DA 참고)에 대응하며 실질적으로 상기 표시 영역(DA)과 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 상기 비감지 영역(NSA)은 상기 감지 영역(SA)에 인접하여 배치될 수 있다. 또한, 상기 비감지 영역(NSA)은 상기 표시 패널(100)의 비표시 영역(도 3의 NDA 참고)에 대응할 수 있다.
상기 감지 영역(SA)에는 복수 개의 터치 센서 블록들(TSB)이 배치될 수 있고, 상기 비감지 영역(NSA)에는 복수 개의 센싱 라인들(SL) 및 패드부(PD)가 배치될 수 있다.
상기 터치 센서 블록들(TSB)은 복수 개의 센서 열들(SC1 ~ SC6)을 정의하거나, 복수 개의 센서 행들(SR1 ~ SR3)을 정의할 수 있다. 상기 복수 개의 센서 열들(SC1 ~ SC6) 각각은 제1 방향(DR1, 열 방향)으로 나열된 복수 개의 터치 센서 블록들(TSB)를 포함할 수 있다. 상기 복수 개의 센서 열들(SC1 ~ SC6)은 제2 방향(DR2, 행 방향)으로 나열될 수 있다. 도 6a 및 도 6b에 있어서, 매트릭스 형태로 배열된 복수 개의 터치 센서 블록들(TSB)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 복수 개의 센서 열들(SC1 ~ SC6) 각각은 상기 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 복수 개의 제1 터치 전극(TSE1)을 구비한 제1 터치 센서 열(TSC1)과 상기 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 복수 개의 제2 터치 전극(TSE2)을 구비한 제2 터치 센서 열(TSC2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 터치 센서 열(TSC1)과 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)은 상기 감지 영역(SA) 내에서 교번적으로 배치될 수 있다.
각 제1 터치 전극(TSE1)은 서로 이격되어 배치되는 복수 개, 예를 들면, i(i은 2 이상의 자연수) 개의 제1 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)을 포함할 수 있다.
예를 들면, 하나의 제1 터치 전극(TSE1)은 3개의 제1 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)을 포함할 수 있다. 상기 3개의 제1 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)은 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1), 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2), 및 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1-1 내지 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)은 상기 제1 터치 센서 열(TSC1)의 연장 방향에서 순차적으로 배열될 수 있다. 즉, 상기 제1-1 내지 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3) 중 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)은 상기 패드부(PD)에서 가장 멀리 배치되며, 상기 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)은 상기 패드부(PD)에서 가장 가까이 배치될 수 있다.
상기 제1-1 내지 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)은 제1 센싱 라인들(SL1)에 연결될 수 있다. 상기 제1 센싱 라인들(SL1)은 상기 제1 터치 센서 열(TSC1) 및 상기 제2 터치 센서 열(TSC2) 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1-1 내지 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)은 상기 제1 센싱 라인들(SL1)을 통해 동일한 제1 터치 센서 열(TSC1)에서 인접한 제1 터치 전극(TSE1)의 대응되는 제1-1 내지 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)과 연결될 수 있다.
하나의 제1 터치 전극(TSE1)이 i개의 제1 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)을 포함하면, 하나의 제1 터치 전극(TSE1)의 제1-j(j는 i 이하의 자연수) 번째 서브 터치 전극은 j번째 제1 센싱 라인(SL1)을 통해 인접한 제1 터치 전극(TSE1)의 제1-i-j+1번째 서브 터치 전극에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 제1 터치 전극(TSE1)에 구비된 제1 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)의 수가 i개이면, 하나의 제1 터치 센서 열(TSC1)에 대응되는 제1 센싱 라인들(SL1)의 수는 i개일 수 있다.
예를 들면, 하나의 제1 터치 전극(TSE1)이 3개의 제1 서브 터치 전극(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)을 포함하면, 상기 제1 터치 전극(TSE1)의 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)은 제1-1 센싱 라인(SL1_1)을 통해 인접한 제1 터치 전극(TSE1)의 제1-3 서브 터치 전극(TSE_3)에 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1 터치 전극(TSE1)의 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)은 제1-2 센싱 라인(SL1_2)을 통해 인접한 제1 터치 전극(TSE1)의 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에 연결될 수 있다. 상기 제1 터치 전극(TSE1)의 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)은 제1-3 센싱 라인(SL1_3)을 통해 인접한 제1 터치 전극(TSE1)의 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결될 수 있다. 따라서, 하나의 터치 센서 열(TSC1)에 대응하는 상기 제1 센싱 라인들(SL1)의 수는 3개일 수 있다.
상기 제1-1 내지 제1-3 센싱 라인(SL1_1, SL1_2, SL1_3)은 상기 제1 방향(DR1)을 따라 상기 감지 영역(SA)에서 상기 비감지 영역(NSA)으로 연장될 수 있다.
상기 제2 터치 센서 열(TSC2)은 q(q는 2 이상의 자연수) 개의 제2 터치 전극(TSE2)을 포함할 수 있다. 상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)이 연장된 방향으로 배열될 수 있다. 상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 제2 센싱 라인들(SL2)과 연결될 수 있다. 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)에 대응되는 상기 제2 센싱 라인들(SL2)의 수는 상기 제2 터치 전극들(TSE2)의 수와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)에 대응되는 상기 제2 센싱 라인들(SL2)의 수는 q개일 수 있다. 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)에 3개의 제2 터치 전극들(TSE2)이 배열되는 경우, 상기 제2 센싱 라인들(SL2)의 수는 3개일 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 센싱 라인들(SL2)은 하나의 제2 터치 센서 열(TSC2)의 상측에 배치된 제2 터치 전극(TSE2)에 연결된 제2-1 센싱 라인(SL2_1), 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)의 가운데에 배치된 제2 터치 전극(TSE2)에 연결된 제2-2 센싱 라인(SL2_2), 및 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)의 하측에 배치된 제2 터치 전극(TSE2)에 연결된 제2-3 센싱 라인(SL2_3)을 포함할 수 있다.
상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2) 중 하나, 예를 들면, 상기 제1 터치 전극들(TSE1)은 터치 구동 신호를 입력받는 터치 구동 전극이며, 다른 하나, 예를 들면, 상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 터치 감지 신호를 출력하는 터치 수신 전극일 수 있다. 상기 터치 센서 층(210)은 상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2) 사이에 형성되는 커패시터의 커패시턴스 변화량을 통해 사용자의 터치를 감지할 수 있다.
상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 사용자의 신체 또는 스타일러스 펜 등과 같은 특정 물체의 터치 입력으로부터 커패시턴스의 변화를 감지할 수 있다. 또한, 상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 상기 커패시턴스의 변화를 감지할 수 있도록 도전성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 센싱 라인들(SL1) 및 상기 제2 센싱 라인들(SL2)은 상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)에서 감지된 상기 커패시턴스의 변화를 상기 패드부(PD)를 통해 외부 회로(미도시)로 전송할 수 있다. 또한, 상기 제1 센싱 라인들(SL1) 및 상기 제2 센싱 라인들(SL2)은 상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)과 마찬가지로 도전성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 센싱 라인들(SL1, SL2), 상기 제1 터치 전극들(TSE1), 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2) 상에는 상기 제1 및 제2 센싱 라인들(SL1, SL2), 상기 제1 터치 전극들(TSE1), 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)을 커버하기 위한 절연층(230)이 제공될 수 있다.
상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 도 8c에 도시된 바와 같이, 복수의 도전성 세선들(CFL)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 상기 제2 방향(DR2)으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 방향(DR2)과 교차하는 상기 제1 방향(DR1)으로 연장되고 서로 평행한 복수의 제2 도전성 세선들(CFL2)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 제2 터치 전극들(TSE2) 각각은 메쉬(mesh) 구조를 가질 수 있다. 상기 메쉬 구조는 복수의 개구부, 예를 들면, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)이 교차하여 형성되는 영역들을 포함할 수 있다.
도면 상에서, 상기 제2 터치 전극들(TSE2) 각각이 메쉬 구조를 가지는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제1 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3) 각각도 상기 복수의 도전성 세선들(CFL)을 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)이 메쉬 구조를 갖는 경우, 상기 제1 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)과 상기 표시 패널(100)이 중첩하는 면적이 상기 개구부에 의해 감소될 수 있다. 상기 제1 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)이 상기 표시 패널(100)과 중첩하는 면적이 감소하면, 상기 제1 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)과 상기 표시 패널(100) 사이의 전자기 간섭이 방지될 수 있다. 따라서, 상기 터치 센서 층(210)의 터치 센싱 감도가 향상될 수 있다.
상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 투명 도전성 산화물을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제1 도전성 세선들(CFL1) 및 상기 제2 도전성 세선들(CFL2)은 2 이상의 도전층들을 포함한 다중층으로 제공될 수도 있다.
상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 상기 표시 패널(100) 상에 제공될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 상기 표시 패널(100)의 박막 봉지 필름(TFE) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 동일한 층에 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지 필름(TFE)은 상기 베이스 필름(BF)일 수 있다. 따라서, 상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)은 상기 베이스 필름(BF) 상에서 동일한 층에 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 센싱 라인들(SL1) 및 상기 제2 센싱 라인들(SL2)도 상기 표시 패널(100) 상에 제공될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 및 제2 센싱 라인들(SL1, SL2)은 상기 박막 봉지 필름(TFE) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 센싱 라인들(SL1)은 상기 제2 센싱 라인들(SL2)과 동일한 층에 제공될 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 센싱 라인들(SL1, SL2)은 상기 베이스 필름(BF) 상에서 동일한 층에 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 센싱 라인들(SL1, SL2)은 상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)과 동일한 층에 제공될 수 있다.
상기 패드부(PD)는 복수의 패드들(SL_P)을 포함할 수 있다. 상기 패드들(SL_P)은 상기 제1 센싱 라인들(SL1) 및 상기 제2 센싱 라인들(SL2)을 통해 상기 제1 터치 전극들(TSE1) 및 상기 제2 터치 전극들(TSE2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 상기 비감지 영역(NSA)에는 상기 제1 센싱 라인들(SL1)에 전기적으로 연결된 브릿지 라인(BRL), 상기 제2 센싱 라인들(SL2)에 전기적으로 연결된 컨택 라인(CL)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 비감지 영역(NSA)에는 상기 브릿지 라인(BRL)과 상기 패드부(PD)를 연결하는 제3 센싱 라인(SL3)과, 상기 컨택 라인(CL)과 상기 패드부(PD)를 연결하는 제4 센싱 라인(SL4)이 더 배치될 수 있다.
상기 컨택 라인(CL)은 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)에 배치된 상기 제2 터치 전극(TSE2)의 개수와 동일한 개수로 제공될 수 있다. 즉, q개의 컨택 라인(CL)이 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 컨택 라인(CL)은 3개의 컨택 라인(CL)으로 제공될 수 있다.
상기 컨택 라인(CL)은 도 6a에 도시된 바와 같이, 상기 비감지 영역(NSA)의 일측 및 타측에 각각 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 컨택 라인(CL)은 상기 비감지 영역(NSA)의 일측에 배치된 제1 서브 컨택 라인(CL)과 상기 비감지 영역(NSA)의 타측에 배치된 제2 서브 컨택 라인(CL)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 서브 컨택 라인(CL) 각각은 상기 제4 센싱 라인(SL4)을 통해 상기 패드부(PD)의 대응하는 패드(SL_P)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제4 센싱 라인(SL4)은 상기 컨택 라인(CL)의 개수와 동일한 개수로 제공될 수 있다. 즉, q개의 제4 센싱 라인들(SL4)이 제공될 수 있다. q개의 제4 센싱 라인들(SL4)은 컨택 홀들을 통해 대응하는 컨택 라인(CL)에 연결될 수 있다.
도 6a에서는, 상기 컨택 라인(CL)이 상기 비감지 영역(NSA)의 일측 및 타측에 각각 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 따라, 상기 컨택 라인(CL)은 도 6b에 도시된 바와 같이 상기 제2 방향(DR2)으로 연장된 하나의 라인으로도 제공될 수 있다. 이러한 경우, 상기 컨택 라인(CL)은 적어도 2이상의 도전층이 적층된 다중층으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 컨택 라인(CL)은 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 배치된 제2 도전층, 및 상기 제2 도전층 상에 배치된 제3 도전층을 포함하는 다중층으로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 제1 내지 제3 도전층은 절연층(미도시)에 의해 서로 절연될 수 있다.
상기 제1 도전층은 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)에 배치된 3개의 제2 터치 전극(TSE2) 중 상기 감지 영역(SA)의 상측에 배치된 제2 터치 전극(TSE2)에 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제2 도전층은 동일한 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)에 배치된 3개의 제2 터치 전극(TSE2) 중 상기 감지 영역(SA)의 가운데 영역에 배치된 제2 터치 전극(TSE2)에 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제3 도전층은 동일한 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)에 배치된 3개의 제2 터치 전극(TSE2) 중 상기 감지 영역(SA)의 하측에 배치된 제2 터치 전극(TSE2)에 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 도전층은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩되도록 상기 비감지 영역 상에 배치될 수 있다.
상기 컨택 라인(CL)이 도 6b에 도시된 바와 같이 하나의 라인으로 제공될 경우, 상기 제4 센싱 라인(SL4)도 하나의 라인으로 제공될 수 있다.
상기 브릿지 라인(BRL)은 하나의 터치 센서 블록(TSB)에 배치된 상기 제1 서브 터치 전극(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)의 개수와 동일한 개수로 제공될 수 있다. 즉, i개의 브릿지 라인(BRL)이 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 브릿지 라인(BRL)은 3개의 브릿지 라인(BRL)으로 제공될 수 있다. 상기 제1 터치 센서 열(TSC1)에 대응하는 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1)은 상기 3개의 브릿지 라인(BRL) 중 어느 하나의 브릿지 라인(BRL)에 연결될 수 있다. 상기 제1 터치 센서 열(TSC1)에 대응하는 상기 제1-2 센싱 라인(SL1_2)은 상기 3개의 브릿지 라인(BRL) 중 다른 하나의 브릿지 라인(BRL)에 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1 터치 센서 열(TSC1)에 대응하는 상기 제1-3 센싱 라인(SL1_3)은 상기 3개의 브릿지 라인(BRL) 중 대응하는 다른 하나의 브릿지 라인(BRL)에 연결될 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)에 의해 상기 제1 터치 센서 열(TSC1)에 배치된 복수의 제1 터치 전극들(TSE1)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 브릿지 라인(BRL)에 대해서는 후술한다.
상기 제3 센싱 라인들(SL3)은 상기 브릿지 라인(BRL)의 개수와 동일한 개수로 제공될 수 있다. 즉, i개의 제3 센싱 라인들(SL3)이 제공될 수 있다. i개의 제3 센싱 라인들(SL3)은 컨택 홀들을 통해 대응하는 브릿지 라인(BRL)에 연결될 수 있다.
도 10a는 도 6a에 도시된 센서 열, 브릿지 라인, 컨택 라인, 및 센싱 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 평면도이며, 도 10b는 도 6b에 도시된 센서 열, 브릿지 라인, 컨택 라인, 및 센싱 라인의 연결 관계를 설명하기 위한 평면도이며, 도 11은 도 10a의 Ⅲ ~ Ⅲ'선에 따른 단면도이며, 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린을 도시한 것으로 도 10a의 Ⅲ ~ Ⅲ'선에 대응되는 단면도이다.
도 6a, 도 6b, 도 10a, 도 10b, 도 11, 및 도 12를 참조하면, 터치 센서 층(210)은 복수 개의 터치 센서 블록들(TSB)을 포함한 제1 내지 제6 센서 열들(SC1 ~ SC6), 상기 터치 센서 블록들(TSB)에 연결된 제1 및 제2 센싱 라인(SL1, SL2), 상기 제1 센싱 라인(SL1)에 연결된 브릿지 라인(BRL), 및 상기 제2 센싱 라인(SL2)에 연결된 컨택 라인(CL)을 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제6 센서 열들(SC1 ~ SC6) 각각은 제1 터치 전극(TSE1)을 구비한 제1 터치 센서 열(도 9a의 TSC1 참고)과 제2 터치 전극(TSE2)을 구비한 제2 터치 센서 열(도 9b의 TSC2 참고)을 포함할 수 있다. 상기 제1 터치 센서 열(TSC1)과 상기 제2 터치 센서 열(TSC2)은 감지 영역(SA) 내에서 교번하여 배치될 수 있다.
상기 제1 터치 전극(TSE1)은 제1 방향(DR1)을 따라 순차적으로 배열된 제1-1 내지 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)은 패드부(PD)에서 가장 멀리 배치되며, 상기 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)은 상기 패드부(PD)에서 가장 가까이 배치될 수 있다.
상기 제1-1 내지 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)은 상기 제1 센싱 라인(SL1)에 연결될 수 있다. 상기 제1 센싱 라인(SL1)은 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 제1-1 센싱 라인(SL1_1), 상기 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에 연결된 제1-2 센싱 라인(SL1_2), 및 상기 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)에 연결된 제1-3 센싱 라인(SL1_3)을 포함할 수 있다. 상기 제1-1 내지 제1-3 센싱 라인들(SL1_1, SL1_2, SL1_3)은 서로 이격될 수 있으며 서로 동일한 층에 제공될 수 있다. 상기 제1-1 내지 제1-3 센싱 라인들(SL1_1, SL1_2, SL1_3)은 상기 브릿지 라인(BRL)에 연결될 수 있다.
상기 제2 터치 전극(TSE2)은 상기 제2 센싱 라인(SL2)에 연결될 수 있다. 상기 제2 센싱 라인(SL2)은 상기 컨택 라인(CL)에 연결되어 상기 패드부(PD)의 대응하는 패드(SL_P)에 연결될 수 있다. 이로 인해, 상기 제2 터치 전극(TSE2)은 상기 제2 센싱 라인(SL2) 및 상기 컨택 라인(CL)을 통해 상기 패드부(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 컨택 라인(CL)은 평면 상에서 볼 때 상기 브릿지 라인(BRL)과 중첩되지 않으며, 서로 이격되게 비감지 영역(NSA) 내에 배치될 수 있다. 도 10a에 도시된 바와 같이, 상기 컨택 라인(CL)은 상기 비감지 영역(NSA)의 일측 및 타측에 각각 배치될 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 내지 제3 센서 열(SC1, SC2, SC3) 각각에 구비된 제2 터치 전극(TSE2)은 상기 제2 센싱 라인(SL2)을 통해 상기 비감지 영역(NSA)의 일측에 배치된 상기 컨택 라인(CL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제4 내지 제6 센서 열(SC4, SC5, SC6) 각각에 구비된 제2 터치 전극(TSE2)은 상기 제2 센싱 라인(SL2)을 통해 상기 비감지 영역(NSA)의 타측에 배치된 상기 컨택 라인(CL2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 컨택 라인(CL)은 실시예에 따라 도 10b에 도시된 바와 같이, 제2 방향(DR2)을 따라 하나의 라인형태로 상기 비감지 영역(NSA)에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 터치 전극(TSE1, TSE2), 상기 제1 및 제2 센싱 라인(SL1, SL2), 및 상기 패드(SL_P)는 도전성 재료로 이루어질 수 있다. 상기 도전성 재료로는 금속, 이들의 합금, 도전성 고분자, 도전성 금속 산화물, 나노 전도성 물질 등이 사용될 수 있다.
상기 브릿지 라인(BRL)은 상기 제1-1 내지 제1-3 센싱 라인(SL1_1, SL1_2, SL1_3)을 상기 패드부(PD)에 연결하는 중간 매개체로 제공될 수 있다.
상기 브릿지 라인(BRL)은 상기 비감지 영역(NSA)에 배치되며, 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BLR3)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BRL3) 각각은 적어도 2 이상의 도전층이 적층된 다중층으로 구성될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BRL3) 각각은 서브 브릿지 라인들을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 브릿지 라인(BRL1)의 서브 브릿지 라인은 제1-1 내지 제1-3 브릿지 라인(BRL1_1, BRL1_2, BRL1_3)을 포함할 수 있다. 상기 제2 브릿지 라인(BRL2)의 서브 브릿지 라인은 제2-1 내지 제2-3 브릿지 라인(BRL2_1, BRL2_2, BRL2_3)을 포함할 수 있다. 상기 제3 브릿지 라인(BRL3)의 서브 브릿지 라인은 제3-1 내지 제3-3 브릿지 라인(BRL3_1, BRL3_2, BRL3_3)을 포함할 수 있다.
상기 제1-1 내지 제1-3 브릿지 라인(BRL1_1, BRL1_2, BRL1_3) 각각은 상기 비감지 영역(NSA)에서 상기 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제2-1 내지 제2-3 브릿지 라인(BRL2_1, BRL2_2, BRL3_3) 각각은 상기 비감지 영역(NSA)에서 상기 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제3-1 내지 제3-3 브릿지 라인(BRL3_1, BRL3_2, BRL3_3) 각각은 상기 비감지 영역(NSA)에서 상기 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 비감지 영역(NSA)은 표시 패널(도 3의 100 참고)의 비표시 영역(도 3의 NDA 참고)에 대응될 수 있다. 상기 비표시 영역(NDA)은 박막 봉지 필름(도 5의 TFE 참고)의 일부 및 그 하부에 배치된 절연층의 일부가 제거된 밸리(미도시)를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 밸리로 인해 상기 비표시 영역(NDA)에서 상기 표시 패널(100)의 일부 영역이 외부로 노출될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 비감지 영역(NSA)은 상기 비표시 영역(NDA)의 밸리에 대응될 수 있다. 외부로 노출되는 상기 표시 패널(100)의 일부 영역은 상기 표시 패널(100)의 버퍼층(BFL)의 상면일 수 있다. 상기 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BRL3)은 상기 비표시 영역(NDA)의 밸리에서 외부로 노출된 상기 버퍼층(BFL) 상면에 직접 제공될 수 있다.
이러한 경우, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)은 상기 버퍼층(BFL) 상에 배치된 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있고, 상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2)은 층간 절연층(ILD)을 사이에 두고 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1) 상에 배치될 수 있으며, 상기 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3)은 보호층(PSV)을 사이에 두고 상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2) 상에 배치될 수 있다. 이와 같이, 상기 제1 브릿지 라인(BLR1)은 상기 제1-1 내지 제1-3 브릿지 라인(BRL1_1, BRL1_2, BRL1_3)이 순차적으로 적층된 다중층 구조로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BRL3) 각각에 포함된 서브 브릿지 라인들은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩될 수 있다. R구체적으로, 상기 제1-1 내지 제1-3 브릿지 라인(BRL1_1, BRL1_2, BRL1_3)은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩될 수 있다. 상기 제2-1 내지 제2-3 브릿지 라인(BRL2_1, BRL2_2, BRL2_3)은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩될 수 있다. 상기 제3-1 내지 제3-3 브릿지 라인(BRL3_1, BRL3_2, BRL3_3)도 평면 상에서 볼 때 서로 중첩될 수 있다.
상기 제1-1 내지 제1-3 브릿지 라인(BRL1_1, BRL1_2, BRL1_3)은 도면에 도시된 바와 같이 서로 상이한 폭을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제1-1 내지 제1-3 브릿지 라인(BRL1_1, BRL1_2, BRL1_3)은 서로 동일한 폭을 가질 수도 있다. 상기 제2-1 내지 제2-3 브릿지 라인(BRL2_1, BRL2_2, BRL2_3)은 서로 상이한 폭을 갖거나 동일한 폭을 가질 수 있다. 마찬가지로, 상기 제3-1 내지 제3-3 브릿지 라인(BRL3_1, BRL3_2, BRL3_3)도 서로 상이한 폭을 갖거나 동일한 폭을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 센서 열(SC1)의 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)에 연결된 제1 센싱 라인들(SL1)과 상기 제6 센서 열(SC6)의 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)에 연결된 제1 센싱 라인들(SL1)은 동일한 브릿지 라인에 전기적으로 연결될 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 센서 열(SC1)의 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 제1-1 센싱 라인(SL1_1)과 상기 제6 센서 열(SC6)의 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 제1-1 센싱 라인(SL1_1)은 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제1 센서 열(SC1)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)과 상기 제6 센서 열(SC6)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에는 동일한 신호가 인가될 수 있다. 또한, 상기 제1 센서 열(SC1)의 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에 연결된 제1-2 센싱 라인(SL1_2)과 상기 제6 센서 열(SC6)의 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에 연결된 제1-1 센싱 라인(SL1_2)은 상기 제2-1 브릿지 라인(BRL2_1)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제1 센서 열(SC1)의 상기 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)과 상기 제6 센서 열(SC6)의 상기 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에는 동일한 신호가 인가될 수 있다. 상기 제1 센서 열(SC1)의 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)에 연결된 제1-3 센싱 라인(SL1_3)과 상기 제6 센서 열(SC6)의 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)에 연결된 제1-3 센싱 라인(SL1_3)은 상기 제3-1 브릿지 라인(BRL3_1)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제1 센서 열(SC1)의 상기 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)과 상기 제6 센서 열(SC6)이 상기 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)에는 동일한 신호가 인가될 수 있다.
상기 제2 센서 열(SC2)의 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)에 연결된 제1 센싱 라인들(SL1)과 상기 제5 센서 열(SC5)의 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)에 연결된 제1 센싱 라인들(SL1)은 동일한 브릿지 라인에 전기적으로 연결될 수 있다.
구체적으로, 상기 제2 센서 열(SC2)의 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 제1-1 센싱 라인(SL1_1)과 상기 제5 센서 열(SC5)의 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 제1-1 센싱 라인(SL1_1)은 상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제2 센서 열(SC2)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)과 상기 제5 센서 열(SC5)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에는 동일한 신호가 인가될 수 있다. 또한, 상기 제2 센서 열(SC2)의 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에 연결된 제1-2 센싱 라인(SL1_2)과 상기 제5 센서 열(SC5)의 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에 연결된 제1-2 센싱 라인(SL1_2)은 상기 제2-2 브릿지 라인(BRL2_2)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제2 센서 열(SC2)의 상기 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)과 상기 제5 센서 열(SC5)의 상기 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에는 동일한 신호가 인가될 수 있다. 상기 제2 센서 열(SC2)의 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)에 연결된 제1-3 센싱 라인(SL1_3)과 상기 제5 센서 열(SC5)의 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)에 연결된 제1-3 센싱 라인(SL1_3)은 상기 제3-2 브릿지 라인(BRL3_2)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제2 센서 열(SC2)의 상기 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)과 상기 제5 센서 열(SC5)이 상기 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)에는 동일한 신호가 인가될 수 있다.
상기 제3 센서 열(SC3)의 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)에 연결된 제1 센싱 라인들(SL1)과 상기 제4 센서 열(SC4)의 서브 터치 전극들(TSE1_1, TSE1_2, TSE1_3)에 연결된 제1 센싱 라인들(SL1)은 동일한 브릿지 라인에 전기적으로 연결될 수 있다.
구체적으로, 상기 제3 센서 열(SC3)의 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 제1-1 센싱 라인(SL1_1)과 상기 제4 센서 열(SC4)의 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 제1-1 센싱 라인(SL1_1)은 상기 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제3 센서 열(SC3)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)과 상기 제4 센서 열(SC4)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에는 동일한 신호가 인가될 수 있다. 또한, 상기 제3 센서 열(SC2)의 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에 연결된 제1-2 센싱 라인(SL1_2)과 상기 제4 센서 열(SC4)의 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에 연결된 제1-2 센싱 라인(SL1_2)은 상기 제2-3 브릿지 라인(BRL2_3)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제3 센서 열(SC3)의 상기 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)과 상기 제4 센서 열(SC4)의 상기 제1-2 서브 터치 전극(TSE1_2)에는 동일한 신호가 인가될 수 있다. 상기 제3 센서 열(SC3)의 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)에 연결된 제1-3 센싱 라인(SL1_3)과 상기 제4 센서 열(SC4)의 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)에 연결된 제1-3 센싱 라인(SL1_3)은 상기 제3-3 브릿지 라인(BRL3_3)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제3 센서 열(SC3)의 상기 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)과 상기 제4 센서 열(SC4)이 상기 제1-3 서브 터치 전극(TSE1_3)에는 동일한 신호가 인가될 수 있다.
이하, 도 11을 참조하여 상기 제1 브릿지 라인(BRL1) 및 상기 제1 센싱 라인(SL1)을 적층 순서에 따라 설명한다.
상기 베이스 층(BL) 상에 상기 버퍼층(BFL)이 제공될 수 있다.
상기 버퍼층(BFL) 상에 상기 게이트 절연층(GI)이 제공될 수 있다.
상기 게이트 절연층(GI) 상에 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)이 제공될 수 있다. 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)은 상기 표시 패널(100)의 표시 영역(도 5의 DA 참고)에 제공되는 제1 및 제2 게이트 전극(도 5의 GE1, GE2 참고)과 동일한 층에 제공될 수 있다. 즉, 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)은 상기 제1 및 제2 게이트 전극(GE1, GE2)과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질로 구성될 수 있다. 또한, 실시예에 따라, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(BFL) 상에 제1 및 제2 게이트 절연층(GI1, GI2)이 제공되는 경우, 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)은 상기 제1 및 제2 게이트 절연층(GI1, GI2) 사이에 제공될 수도 있다.
상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1) 상에 상기 층간 절연층(ILD)이 제공될 수 있다.
상기 층간 절연층(ILD) 상에 상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2)이 제공될 수 있다. 상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2)은 상기 표시 영역(DA)에 제공되는 제1 및 제2 소스 전극(도 5의 SE1, SE2 참고), 제1 및 제2 드레인 전극(도 5의 DE1, DE2 참고)과 동일한 층에 제공될 수 있다. 즉, 상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2)은 상기 제1 및 제2 소스 전극(SE1, SE2), 상기 제1 및 제2 드레인 전극(DE1, DE2)과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질로 구성될 수 있다.
상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_3) 상에는 상기 보호층(PSV)이 제공될 수 있다.
상기 보호층(PSV) 상에 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3)이 제공될 수 있다. 상기 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3)은 상기 표시 영역(DA)에 제공되는 제1 전극(도 5의 AE)과 동일한 층에 제공될 수 있다. 즉, 상기 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3)은 상기 제1 전극(AE)과 동일한 층에 제공되며 동일한 물질로 구성될 수 있다.
상기 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3) 상에는 화소 정의막(PDL)이 제공될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL) 상에는 상기 제1-1 내지 제1-3 센싱 라인(SL1_1, SL1_2, SL1_3), 상기 제2 센싱 라인(SL2)이 제공될 수 있다.
상기 제1 센서 열(SC1)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1, 이하, “제1 서브 센싱 라인” 이라 함)은 상기 화소 정의막(PDL), 상기 보호층(PSV), 및 상기 층간 절연층(ILD)을 순차적으로 관통하는 제1-1 컨택 홀(CH1_1)을 통해 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)에 연결될 수 있다. 상기 제6 센서 열(SC6)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1, 이하, “제6 서브 센싱 라인” 이라 함)은 상기 화소 정의막(PDL), 상기 보호층(PSV), 및 상기 층간 절연층(ILD)을 순차적으로 관통하는 제1-2 컨택 홀(CH1_2)을 통해 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)에 연결될 수 있다. 결국, 상기 제1 서브 센싱 라인(SL1_1)과 상기 제6 서브 센싱 라인(SL1_1)은 동일한 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)은 제4 센싱 라인(SL4)을 통해 상기 패드부(PD)에 연결될 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 서브 센싱 라인(SL1_1)과 상기 제6 서브 센싱 라인(SL1_1)은 상기 패드부(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 센서 열(SC2)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1, 이하, “제2 서브 센싱 라인” 이라 함)은 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 보호층(PSV)을 순차적으로 관통하는 제2-1 컨택 홀(CH2_1)을 통해 상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2)에 연결될 수 있다. 상기 제5 센서 열(SC5)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_2, 이하, “제5 서브 센싱 라인” 이라 함)은 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 보호층(PSV)을 순차적으로 관통하는 제2-2 컨택 홀(CH2_2)을 통해 상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2)에 연결될 수 있다. 결국, 상기 제2 서브 센싱 라인(SL1_1)과 상기 제5 서브 센싱 라인(SL1_1)은 동일한 상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2)은 상기 제4 센싱 라인(SL4)을 통해 상기 패드부(PD)에 연결될 수 있다. 이로 인해, 상기 제2 서브 센싱 라인(SL1_1)과 상기 제5 서브 센싱 라인(SL1_1)은 상기 패드부(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제3 센서 열(SC3)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1, 이하, “제3 서브 센싱 라인” 이라 함)은 상기 화소 정의막(PDL)을 관통하는 제3-1 컨택 홀(CH3_1)을 통해 상기 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3)에 연결될 수 있다. 상기 제4 센서 열(SC4)의 상기 제1-1 서브 터치 전극(TSE1_1)에 연결된 상기 제1-1 센싱 라인(SL1_1, 이하, “제4 서브 센싱 라인” 이라 함)은 상기 화소 정의막(PDL)을 관통하는 제3-2 컨택 홀(CH3_2)을 통해 상기 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3)에 연결될 수 있다. 결국, 상기 제3 서브 센싱 라인(SL1_1)과 상기 제4 서브 센싱 라인(SL1_1)은 동일한 상기 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3)은 상기 제4 센싱 라인(SL4)을 통해 상기 패드부(PD)에 연결될 수 있다. 이로 인해, 상기 제3 서브 센싱 라인(SL1_1)과 상기 제4 서브 센싱 라인(SL1_1)은 상기 패드부(PD)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1-1 내지 제1-3 센싱 라인(SL1_1, SL1_2, SL1_3), 상기 제2 센싱 라인(SL2) 상에는 절연층(230)이 제공될 수 있다.
한편, 상기 제1-1 브릿지 라인(BRL1_1)은 상기 제2 브릿지 라인(BRL2)의 제2-1 브릿지 라인(BRL2_1) 및 상기 제3 브릿지 라인(BRL3)의 제3-1 브릿지 라인(BRL3_1)과 동일한 물질로 이루어지며 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2-1 브릿지 라인(BRL2_1) 및 상기 제3-1 브릿지 라인(BRL3_1)은 상기 제1 및 제2 게이트 전극(GE1, GE2)과 동일한 물질로 이루어지며 동일한 층에 제공될 수 있다. 즉, 상기 제2-1 브릿지 라인(BRL2_1) 및 상기 제3-1 브릿지 라인(BRL3_1)은 상기 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다.
상기 제1-2 브릿지 라인(BRL1_2)은 상기 제2 브릿지 라인(BRL2)의 제2-2 브릿지 라인(BRL2_2) 및 상기 제3 브릿지 라인(BRL3)의 제3-2 브릿지 라인(BRL3_2)과 동일한 물질로 이루어지며 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2-2 브릿지 라인(BRL2_2) 및 상기 제3-2 브릿지 라인(BRL3_2)은 상기 제1 및 제2 소스 전극(SE1, SE2), 상기 제1 및 제2 드레인 전극(DE1, DE2)과 동일한 물질로 이루어지며 동일한 층에 제공될 수 있다. 즉, 상기 제2-2 브릿지 라인(BRL2_2) 및 상기 제3-2 브릿지 라인(BRL3_2)은 상기 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다.
상기 제1-3 브릿지 라인(BRL1_3)은 상기 제2 브릿지 라인(BRL2)의 제2-3 브릿지 라인(BRL2_3) 및 상기 제3 브릿지 라인(BRL3)의 제3-3 브릿지 라인(BRL3_3)과 동일한 물질로 이루어지며 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2-3 브릿지 라인(BRL2_3) 및 상기 제3-3 브릿지 라인(BRL3_3)은 상기 제1 전극(AE)과 동일한 물질로 이루어지며 동일한 층에 제공될 수 있다. 즉, 상기 제2-3 브릿지 라인(BRL2_3) 및 상기 제3-3 브릿지 라인(BRL3_3)은 상기 보호층(PSV) 상에 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 제1-1 내지 제1-3 브릿지 라인(BRL1_1, BRL1_2, BRL1_3)이 평면 상에서 볼 때 중첩되게 배치되므로, 상기 제1 브릿지 라인(BRL1)은 상기 비감지 영역(NSA)에서 하나의 라인 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2-1 내지 제2-3 브릿지 라인(BRL2_1, BRL2_2, BRL2_3)이 평면 상에서 볼 때 중첩되게 배치되므로, 상기 제2 브릿지 라인(BRL2)도 상기 비감지 영역(NSA)에서 하나의 라인 형태로 제공될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제3-1 내지 제3-3 브릿지 라인(BRL3_1, BRL3_2, BRL3_3)이 평면 상에서 볼 때 중첩되게 배치되므로, 상기 제3 브릿지 라인(BRL3)도 상기 비감지 영역(NSA)에서 하나의 라인 형태로 제공될 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BRL3)이 상기 비감지 영역(NSA)에서 차지하는 면적이 최소화될 수 있다.
만일, 상기 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BRL3) 각각에 구비된 서브 브릿지 라인들이 서로 동일한 물질로 이루어지며 서로 동일한 공정을 통해 형성되는 경우, 상기 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BRL3)이 상기 비감지 영역(NSA) 내에서 차지하는 면적은 증가할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1-1 내지 제1-3 브릿지 라인(BRL1_1, BRL1_2, BRL1_3)이 서로 동일한 물질로 이루어지며 서로 동일한 공정을 통해 형성되는 경우, 상기 제1-1 내지 제1-3 브릿지 라인(BRL1_1, BRL1_2, BRL1_3)은 상기 비감지 영역(NSA) 내의 동일 면 상에서 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1-1 내지 제1-3 브릿지 라인(BRL1_1, BRL1_2, BRL1_3)을 구비한 상기 제1 브릿지 라인(BRL1)은 상기 비감지 영역(NSA)에서 세 개의 라인 형태로 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2-1 내지 제2-3 브릿지 라인(BRL2_1, BRL2_2, BRL2_3)을 구비한 상기 제2 브릿지 라인(BRL2)은 상기 비감지 영역(NSA)에서 세 개의 라인 형태로 제공될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제3-1 내지 제3-3 브릿지 라인(BRL3_1, BRL3_2, BRL3_3)을 구비한 상기 제3 브릿지 라인(BRL3)도 상기 비감지 영역(NSA)에서 세 개의 라인 형태로 제공될 수 있다. 결국, 상기 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BRL3)은 상기 비감지 영역(NSA)에서 9개의 라인 형태로 배치되므로, 상기 비감지 영역(NSA)에서 상기 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BRL3)이 차지하는 면적이 커질 수 있다. 이로 인해, 상기 비감지 영역(NSA)의 데드 스페이스가 증가할 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 제1 내지 제3 브릿지 라인(BRL1, BRL2, BRL3) 각각에 구비된 서브 브릿지 라인들을 서로 상이한 물질로 구성하며 평면 상에서 볼 때 중첩되게 배치함으로써, 상기 비감지 영역(NSA)의 데드 스페이스를 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 다양한 전자 기기에 채용될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치는 텔레비젼, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드(PD), 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), 내비게이션, 스마트 워치와 같은 각종 웨어러블 기기, 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
BL: 베이스 층 BF: 베이스 필름
TFE: 박막 봉지 필름 SL: 센싱 라인
TSE1, TSE2: 제1 및 제2 터치 전극 BRL: 브릿지 라인
CL: 컨택 라인 PD: 패드부
SA: 감지 영역 NSA: 비감지 영역

Claims (20)

  1. 감지 영역 및 비감지 영역을 포함한 베이스 필름;
    상기 감지 영역에 제공되는 복수의 서브 터치 전극들을 포함한 복수의 제1 터치 전극들을 구비하고, 일 방향으로 연장된 제1 터치 센서 열들;
    상기 감지 영역에 제공되는 복수의 제2 터치 전극들을 포함하고, 상기 제1 터치 센서 열들과 교번 배치되는 복수의 제2 터치 센서 열들;
    상기 비감지 영역에 제공되며, 각 서브 터치 전극에 연결되는 제1 센싱 라인 및 각 제2 터치 전극에 연결되는 제2 센싱 라인;
    상기 제1 및 제2 센싱 라인 각각에 전기적으로 연결되며, 상기 비감지 영역에 배치된 패드부; 및
    상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제1 센싱 라인에 연결된 브릿지 라인을 포함하고,
    상기 브릿지 라인은 적어도 2개 이상의 서브 브릿지 라인이 적층된 다중층 구조를 포함하며, 상기 서브 브릿지 라인들은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩되는 터치 스크린.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 브릿지 라인은,
    제1 서브 브릿지 라인;
    제1 절연층을 사이에 두고 상기 제1 서브 브릿지 라인 상에 제공된 제2 서브 브릿지 라인; 및
    제2 절연층을 사이에 두고 상기 제2 서브 브릿지 라인 상에 제공된 제3 서브 브릿지 라인을 포함하는 터치 스크린.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 서브 브릿지 라인은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩되는 터치 스크린.
  4. 제3 항에 있어서,
    각 제1 터치 센서 열에서, 하나의 제1 터치 전극은 상기 제1 터치 센서 열이 연장된 방향에서 순차적으로 배열된 i(i는 2 이상의 자연수) 개의 서브 터치 전극들을 포함하고,
    각 서브 터치 전극은 상기 제1 센싱 라인을 통해 동일한 제1 터치 센서 열에서 인접하게 배치된 제1 터치 전극의 i개의 서브 터치 전극 중 대응되는 하나의 서브 터치 전극에 전기적으로 연결되는 터치 스크린.
  5. 제4 항에 있어서,
    각 서브 터치 전극은 상기 브릿지 라인을 통해 인접한 제1 터치 센서 열에 배치된 제1 터치 전극의 i개의 서브 터치 전극 중 동일한 신호가 인가되는 서브 터치 전극에 전기적으로 연결되는 터치 스크린.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제2 센싱 라인과 상기 패드부를 전기적으로 연결하는 컨택 라인을 더 포함하는 터치 스크린.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 터치 센서 열 각각은 q(q는 2 이상의 자연수) 개의 제2 터치 전극들을 포함하고,
    각 제2 터치 전극은 상기 컨택 라인을 통해 상기 패드부에 전기적으로 연결되는 터치 스크린.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 터치 전극들과 상기 복수의 제2 터치 전극들은 동일한 층에 제공되는 터치 스크린.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 브릿지 라인과 상기 패드부를 전기적으로 연결하는 제3 센싱 라인을 더 포함하는 터치 스크린.
  10. 표시 패널; 및
    상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치되는 터치 스크린을 포함하며,
    상기 터치 스크린은,
    감지 영역 및 비감지 영역을 포함한 베이스 필름;
    상기 감지 영역에 제공되는 복수의 서브 터치 전극들을 포함한 복수의 제1 터치 전극들을 구비하고, 일 방향으로 연장된 제1 터치 센서 열들;
    상기 감지 영역에 제공되는 복수의 제2 터치 전극들을 포함하고, 상기 제1 터치 센서 열들과 교번 배치되는 복수의 제2 터치 센서 열들;
    상기 비감지 영역에 제공되며, 각 서브 터치 전극에 연결되는 제1 센싱 라인 및 각 제2 터치 전극에 연결되는 제2 센싱 라인;
    상기 제1 및 제2 센싱 라인 각각에 전기적으로 연결되며, 상기 비감지 영역에 배치된 패드부; 및
    상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제1 센싱 라인에 연결된 브릿지 라인을 포함하고,
    상기 브릿지 라인은 적어도 2개 이상의 서브 브릿지 라인이 적층된 다중층 구조를 포함하며, 상기 서브 브릿지 라인들은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩되는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    표시 영역 및 비표시 영역을 포함한 베이스 층;
    상기 베이스 층 상에 제공된 트랜지스터;
    상기 트랜지스터에 전기적으로 연결된 발광 소자; 및
    상기 발광 소자를 커버하는 박막 봉지 필름을 포함하고,
    상기 박막 봉지 필름은 상기 감지 영역의 베이스 필름인 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 트랜지스터는,
    상기 베이스 층 상에 제공된 반도체층;
    게이트 절연층을 사이에 두고 상기 반도체층 상에 제공된 게이트 전극;
    층간 절연층을 사이에 두고 상가 반도체층에 각각 연결된 소스 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 소스 및 드레인 전극 중 어느 하나의 전극은 상기 발광 소자에 연결되는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 발광 소자는,
    보호층을 사이에 두고 상기 트랜지스터에 연결된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 제공된 발광층; 및
    상기 발광층 상에 제공된 제2 전극을 포함하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 브릿지 라인은,
    상기 게이트 절연층 상에 제공된 제1 서브 브릿지 라인;
    상기 층간 절연층을 사이에 두고 상기 제1 서브 브릿지 라인 상에 제공된 제2 서브 브릿지 라인; 및
    상기 보호층을 사이에 두고 상기 제2 서브 브릿지 라인 상에 제공된 제3 서브 브릿지 라인을 포함하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 서브 브릿지 라인은 상기 게이트 전극과 동일한 층에 제공되고, 상기 제2 서브 브릿지 라인은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 층에 제공되며, 상기 제3 서브 브릿지 라인은 상기 제1 전극과 동일한 층에 제공되는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 서브 브릿지 라인은 평면 상에서 볼 때 서로 중첩되는 표시 장치.
  17. 제10 항에 있어서,
    각 제1 터치 센서 열에서, 하나의 제1 터치 전극은 상기 제1 터치 센서 열이 연장된 방향에서 순차적으로 배열된 i(i는 2 이상의 자연수) 개의 서브 터치 전극들을 포함하고,
    각 서브 터치 전극은 상기 제1 센싱 라인을 통해 동일한 제1 터치 센서 열에서 인접하게 배치된 제1 터치 전극의 i개의 서브 터치 전극 중 대응되는 하나의 서브 터치 전극에 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    각 서브 터치 전극은 상기 브릿지 라인을 통해 인접한 제1 터치 센서 열에 배치된 제1 터치 전극의 i개의 서브 터치 전극 중 동일한 신호가 인가되는 서브 터치 전극에 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제2 터치 센서 열들은 q(q는 2 이상의 자연수) 개의 제2 터치 전극들을 포함하고,
    각 제2 터치 전극은 상기 제2 센싱 라인을 통해 상기 패드부에 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 비감지 영역에 제공되며, 상기 제2 센싱 라인과 상기 패드부를 전기적으로 연결하는 컨택 라인을 더 포함하는 표시 장치.
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