KR20180098355A

KR20180098355A - 이방성 도전 필름

Info

Publication number: KR20180098355A
Application number: KR1020187021396A
Authority: KR
Inventors: 야스시 아쿠츠; 레이지 츠카오
Original assignee: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date: 2016-05-05
Filing date: 2017-04-25
Publication date: 2018-09-03
Anticipated expiration: 2037-04-25
Also published as: KR20210031536A; KR102228112B1; JP2017204462A; CN109417233B; US20190096843A1; US10854571B2; CN109417233A; JP7274810B2

Abstract

협피치의 범프에 대응할 수 있고, 또한 종래의 이방성 도전 필름보다 도전 입자의 개수 밀도를 저감시킬 수 있는 이방성 도전 필름을 제공한다.
이방성 도전 필름 (1A) 에서는, 절연성 수지 바인더 (3) 에 도전 입자 (2) 가 배치되어 있고, 평면으로 볼 때에, 복수의 도전 입자 (2) 의 중심을 순차 이어 형성되는 다각형의 반복 유닛 (5) 이 종횡으로 반복 배치되어 있다. 반복 유닛 (5) 의 다각형의 변은, 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향과 사교하고 있다.

Description

이방성 도전 필름

본 발명은, 이방성 도전 필름에 관한 것이다.

절연성 수지 바인더에 도전 입자를 분산시킨 이방성 도전 필름이, IC 칩 등의 전자 부품을 배선 기판 등에 실장할 때에 널리 사용되고 있다. 이방성 도전 필름에 있어서는, 전자 부품의 고밀도 실장에 수반하는 범프의 협피치화에 의해, 범프에 있어서의 도전 입자의 포착성을 높이고, 또한 이웃하는 범프 간의 쇼트를 회피하는 것이 강하게 요구되고 있다.

이와 같은 요청에 대해, 이방성 도전 필름에 있어서의 도전 입자의 배치를 격자상의 배열로 하고, 또한 그 배열축을 이방성 도전 필름의 길이 방향에 대해 경사지게 하는 것이 제안되어 있다 (특허문헌 1, 특허문헌 2).

일본 특허 4887700호 일본 공개특허공보 평9-320345호

특허문헌 1, 2 에 기재된 바와 같이, 도전 입자를 단순한 격자상으로 배치하는 경우, 배열축의 경사각이나 도전 입자 간의 거리에 의해 범프의 레이아웃에 대응하게 된다. 그 때문에, 범프가 협피치가 되면 도전 입자 간의 거리를 좁게 해야 하여, 도전 입자의 개수 밀도가 증가하고, 이방성 도전 필름의 제조 비용이 증가한다.

또, 도전 입자 간의 거리를 좁히고, 또한 쇼트를 회피할 수 있도록 하기 위해서는, 이방성 도전 접속 시에 도전 입자가 절연성 수지 바인더의 수지 유동에 의해 흐르게 되는 것을 억제하는 것이 필요로 되어, 절연성 수지 바인더의 설계에도 제약이 가해진다.

그래서 본 발명은, 협피치의 범프에 대응할 수 있고, 또한 종래의 이방성 도전 필름보다 도전 입자의 개수 밀도를 저감시키는 것을 과제로 한다.

본 발명자는, 이방성 도전 필름의 평면으로 볼 때에 있어서의 도전 입자를 단순한 격자상 배열로 하지 않고, 복수의 도전 입자로 이루어지는 다각형의 유닛의 반복에 의해 도전 입자를 종횡으로 반복 배치하고, 또한 그 다각형을 이루는 변을 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향에 대해 사교시킴으로써 상기 서술한 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 상도하였다.

즉, 본 발명은, 절연성 수지 바인더에 도전 입자가 배치된 이방성 도전 필름으로서,

평면으로 볼 때에, 복수의 도전 입자의 중심을 순차 이어 형성되는 다각형의 반복 유닛이 반복 배치되어 있고,

반복 유닛의 다각형이, 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향과 사교한 변을 갖는 이방성 도전 필름을 제공한다.

본 발명의 이방성 도전 필름에 의하면, 개개의 도전 입자를 단순한 격자상의 배열로 하지 않고, 복수의 도전 입자로 형성되는 반복 유닛이 반복 배치되어 있으므로, 도전 입자의 입자 간 거리를 좁힌 부분이 필름 전체에 일정하게 존재한다. 또, 반복 유닛의 다각형이 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향과 사교하고 있는 변을 가지므로, 범프에 있어서의 도전 입자의 포착성이 높다. 따라서, 협피치의 범프를, 쇼트를 일으키는 일 없이 접속하는 것이 가능해진다.

한편, 본 발명의 이방성 도전 필름에 의하면, 도전 입자의 입자 간 거리를 넓힌 부분도 필름 전체에 일정하게 존재하므로, 이방성 도전 필름 전체의 도전 입자의 개수 밀도의 증가를 억제하여, 도전 입자의 개수 밀도의 증가에 수반하는 제조 비용의 증가를 억제할 수 있다. 또, 도전 입자의 개수 밀도의 증가를 억제함으로써, 이방성 도전 접속 시에 압박 지그에 필요로 되는 추력의 증가를 억제할 수도 있다. 따라서, 이방성 도전 접속 시에 압박 지그로부터 전자 부품에 가하는 압력을 저하시켜, 전자 부품의 변형을 방지할 수 있다.

도 1a 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1A) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 1b 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1A) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 1c 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1A) 의 단면도이다.
도 2a 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1Ba) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 2b 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1Bb) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 3a 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1Ca) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 3b 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1Cb) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 4a 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1Da) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 4b 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1Db) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 5a 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1Ea) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 5b 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1Eb) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 6 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (1F) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 7 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (1G) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 8 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (1H) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 9 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1I) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 10 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (1J) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 11 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (1K) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 12 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1L) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 13 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (1M) 의 도전 입자의 배치를 설명하는 평면도이다.
도 14 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1a) 의 단면도이다.
도 15 는, 실시예의 이방성 도전 필름 (1b) 의 단면도이다.
도 16 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (1c) 의 단면도이다.
도 17 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (1d) 의 단면도이다.
도 18 은, 실시예의 이방성 도전 필름 (1e) 의 단면도이다.

이하, 본 발명의 이방성 도전 필름을 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면 중 동일 부호는 동일 또는 동등의 구성 요소를 나타내고 있다.

＜이방성 도전 필름의 전체 구성＞

도 1a 는, 본 발명의 실시예의 이방성 도전 필름 (1A) 의 도전 입자의 배치를 나타내는 평면도이고, 도 1c 는, 그 단면도이다.

이 이방성 도전 필름 (1A) 은, 도전 입자 (2) 가 절연성 수지 바인더 (3) 의 표면 또는 그 근방에 단층으로 배치되고, 그 위에 절연성 접착층 (4) 이 적층된 구조를 가지고 있다.

또한, 본 발명의 이방성 도전 필름으로는, 절연성 접착층 (4) 을 생략하고, 절연성 수지 바인더 (3) 에 도전 입자 (2) 가 매립된 구성으로 해도 된다.

＜도전 입자＞

도전 입자 (2) 로는, 공지된 이방성 도전 필름에 있어서 사용되고 있는 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 니켈, 구리, 은, 금, 팔라듐 등의 금속 입자, 폴리아미드, 폴리벤조구아나민 등의 수지 입자의 표면을 니켈 등의 금속으로 피복한 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다. 배치되는 도전 입자의 크기는, 바람직하게는 1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 2 ㎛ 이상 6 ㎛ 이하이다.

도전 입자 (2) 의 평균 입자경은, 화상형 내지는 레이저식의 입도 분포계에 의해 측정할 수 있다. 이방성 도전 필름을 평면으로 보아 관찰하고, 입자경을 계측하여 구해도 된다. 그 경우, 바람직하게는 200 개 이상, 보다 바람직하게는 500 개 이상, 보다 더욱 바람직하게는 1000 개 이상을 계측한다.

도전 입자 (2) 의 표면은, 절연 코트나 절연 입자 처리 등에 의해 피복되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 피복은 도전 입자 (2) 의 표면으로부터 벗겨지기 쉽고 또한 이방성 도전 접속에 지장을 초래하지 않는 것으로 한다. 또, 도전 입자 (2) 의 표면의 전체면 또는 일부에 돌기가 형성되어 있어도 된다. 돌기의 높이는 도전 입자경의 20 ％ 이내, 바람직하게는 10 ％ 이내인 것이 바람직하다.

＜도전 입자의 배치＞

이하의 도 1a 내지 도 7 에, 일례로서 다각형의 반복 유닛 (5) 이 사다리꼴인 경우의 반복 유닛의 배치예에 대해 설명한다.

도 1a 에 나타낸 이방성 도전 필름 (1A) 의 평면으로 볼 때에 있어서의 도전 입자 (2) 의 배치는, 복수의 도전 입자 (2a, 2b, 2c, 2d) 의 중심을 순차 이어 형성되는 다각형의 반복 유닛 (5) 이 직교하는 2 방향 (X 방향, Y 방향) 으로 반복되어, 이방성 도전 필름 (1) 의 일면에 (즉, 전체적으로) 배치된 상태로 되어 있다. 또한, 본 발명의 이방성 도전 필름은, 필요에 따라 도전 입자가 배치되어 있지 않은 영역을 가질 수 있다.

이 도전 입자 (2) 의 배치는, 정 3 각형을 간극 없이 배열한 경우의 정 3 각형의 정점의 일부 (혹은 정 6 각형을 간극 없이 배열한 경우의 정 6 각형의 정점) 에 도전 입자를 배치한 것이라고도 볼 수 있다. 또 바꾸어 말하면, 6 방 격자의 각 격자점에 도전 입자가 존재하는 배치로부터 소정의 격자점의 도전 입자를 규칙적으로 제거한 배치라고 할 수 있다. 그 때문에, 도전 입자 (2a, 2b, 2c, 2d) 로 이루어지는 반복 유닛 (5) 의 사다리꼴의 정점은 정 3 각형을 조합한 정 6 각형의 일부로 되어 있고, 6 방 격자의 격자점에 존재한다. 이 사다리꼴의 한 변 (2a, 2b) 을 중심으로 하여 반전시키면, 변 (2c, 2d) 이 인접하는 사다리꼴의 반복 유닛 (즉, 도전 입자 (2e, 2f, 2g, 2h) 로 이루어지는 반복 유닛) 의 변 (2g, 2h) 과 겹친다.

또한, 이 도전 입자 (2) 의 반복 유닛을 생각하는 경우에, 도 1b 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자 (2p, 2q, 2r, 2s, 2t, 2u) 로 이루어지는 정 6 각형의 반복 유닛 (5x) 이, X 방향으로 한 변을 겹치면서 반복되고, Y 방향으로는 변도 정점도 겹치는 일 없이 반복된 것이라고도 볼 수 있지만, 본 발명에 있어서 반복 유닛은, 4 개 이상의 도전 입자로 이루어지는 다각형으로서, 그 다각형의 변을 겹치는 일 없이 이방성 도전 필름의 종횡으로 반복되는 최소의 단위의 다각형이라고 파악하는 것이 바람직하다.

반복 유닛 (5)(도 1a) 의 사다리꼴의 각 변은, 모두 이방성 도전 필름 (1A) 의 길이 방향 및 폭 방향과 사교하고 있다. 이로써, 도전 입자 (2a) 의, 이방성 도전 필름의 길이 방향의 외접선 (L1) 이, 그 도전 입자 (2a) 와 이방성 도전 필름의 길이 방향으로 인접하는 도전 입자 (2b) 를 관통한다. 또, 도전 입자 (2a) 의, 이방성 도전 필름의 폭 방향의 외접선 (L2) 이, 그 도전 입자 (2a) 와 이방성 도전 필름의 폭 방향으로 인접하는 도전 입자 (2d) 를 관통한다. 일반적으로, 이방성 도전 접속 시에는, 이방성 도전 필름의 길이 방향이 범프의 폭 방향이 되므로, 반복 유닛 (5) 의 다각형의 변이 이방성 도전 필름 (1A) 의 길이 방향 또는 폭 방향과 사교하고 있으면, 범프의 가장자리를 따라 복수의 도전 입자가 직선상으로 배열되는 것을 방지할 수 있고, 이로써 직선상으로 배열된 복수의 도전 입자가 한데 모여 단자로부터 벗어나 도통에 기여하지 않게 된다는 현상을 회피할 수 있으므로, 도전 입자 (2) 의 포착성을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 반복 유닛은, 반드시 그 모든 변이 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향과 사교하고 있지 않아도 되지만, 각 범프의 폭 방향이 이방성 도전 필름의 길이 방향이 되는 경우에는 도전 입자의 포착성의 점에서, 반복 유닛의 각 변이 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향과 사교하고 있는 것이 바람직하다.

이것에 대해, 범프의 배열 패턴이 방사상인 경우 (소위, 팬 아웃 범프) 에는, 반복 유닛을 이루는 다각형이, 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향의 변을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 접속해야 하는 범프끼리가 열팽창에 의해서도 위치 어긋나지 않도록 하기 위해, 범프의 배열 패턴을 방사상으로 하는 경우가 있고 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2007-19550호, 일본 공개특허공보 2015-232660호 등), 그 경우에 개개의 범프의 길이 방향과 이방성 도전 필름의 길이 방향 및 폭 방향이 이루는 각도는 점차 변화한다. 그 때문에, 반복 유닛 (5) 의 다각형의 변을 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향과 사행시키지 않아도, 방사상으로 배열한 개개의 범프의 길이 방향의 가장자리 변에 대해 반복 유닛 (5) 의 다각형의 변은 사교한다. 따라서, 이방성 도전 접속 시에 범프의 가장자리에 걸려 있던 도전 입자의 대부분이 그 범프에 포착되지 않아, 도전 입자의 포착성이 저하한다는 현상을 회피할 수 있다.

한편, 범프의 방사상의 배열 패턴은, 통상 좌우 대칭으로 형성된다. 따라서, 이방성 도전 접속 후의 압흔에 의해 접속 상태의 양부의 확인을 용이하게 하는 점에서, 반복 유닛 (5) 을 이루는 다각형이, 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향의 변을 갖는 것, 특히 반복 유닛 (5) 을 이루는 다각형이 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향의 변을 갖고, 또한 이방성 도전 필름의 폭 방향 또는 길이 방향을 대칭축으로 하는 대칭인 형상으로서, 그 반복 유닛 (5) 이 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향으로 반복 배치되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어 도 2a 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1Ba) 과 같이, 반복 유닛 (5) 의 사다리꼴을 이방성 도전 필름의 폭 방향의 대칭축을 갖는 사다리꼴로 하고, 그 저변과 상변을 이방성 도전 필름의 길이 방향과 평행으로 해도 되고, 또 도 2b 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1Bb) 과 같이 동일한 사다리꼴의 반복 유닛의 저변과 상변을 이방성 도전 필름의 폭 방향과 평행으로 해도 된다.

본 발명에 있어서, 반복 유닛 (5) 에 있어서의 도전 입자 (2) 의 배치나, 반복 유닛 (5) 의 종횡의 반복 피치는, 이방성 도전 접속의 접속 대상으로 하는 단자의 형상이나 피치에 따라 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 도전 입자 (2) 를 단순한 격자상의 배열로 하는 경우에 비해, 이방성 도전 필름 전체적으로는 적은 도전 입자수로 높은 포착성을 달성할 수 있다. 예를 들어, 상기 서술한 이방성 도전 필름 (1Ba) 에 대해, 이방성 도전 필름의 길이 방향의 도전 입자의 개수 밀도를 높이기 위해서, 도 3a 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1Ca) 과 같이 사다리꼴의 반복 유닛 (5) 을 이방성 도전 필름의 폭 방향으로 그 형상 그대로 반복하고, 이방성 도전 필름의 길이 방향으로는, 사다리꼴의 반복 유닛 (5) 과, 그 사다리꼴의 반복 유닛을 필름의 길이 방향의 축으로 반전시킨 형상의 반복 유닛 (5B) 을 교대로 반복하는 배치로 해도 된다. 이 경우, 도 4a 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1Da) 과 같이 이방성 도전 필름의 폭 방향으로도 사다리꼴의 반복 유닛 (5) 과 그것을 반전시킨 형상의 반복 유닛 (5B) 을 교대로 반복하는 배치로 해도 된다.

동일하게, 상기 서술한 이방성 도전 필름 (1Bb) 에 대해, 이방성 도전 필름의 폭 방향의 도전 입자의 개수 밀도를 높이기 위해서, 도 3b 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1Cb) 과 같이, 이방성 도전 필름의 길이 방향으로는 사다리꼴의 반복 유닛 (5) 을 그 형상 그대로 반복하고, 이방성 도전 필름의 폭 방향으로는, 반복 유닛 (5) 과, 그 반복 유닛을 이방성 도전 필름의 폭 방향의 축으로 반전시킨 형상의 반복 유닛 (5B) 을 교대로 반복하는 배치로 해도 된다. 또 도 4b 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1Db) 과 같이 이방성 도전 필름의 길이 방향으로도 폭 방향으로도 반복 유닛 (5) 과, 그것을 반전시킨 형상의 반복 유닛 (5B) 을 교대로 반복하는 배치로 해도 된다.

또한, 상기 서술한 이방성 도전 필름 (1Ca) 에 대해, 이방성 도전 필름의 폭 방향의 개수 밀도를 낮추기 위해서 도 5a 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1Ea) 과 같이, 반복 유닛 (5, 5B) 의 이방성 도전 필름의 길이 방향의 반복열끼리의 간격을 넓혀도 되고, 이방성 도전 필름의 길이 방향의 개수 밀도를 낮추기 위해서 도 5b 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1Eb) 과 같이 반복 유닛 (5, 5B) 의 이방성 도전 필름의 폭 방향의 반복열끼리의 간격을 넓혀도 된다.

또, 도 6 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1F) 과 같이, 도 1a 에 나타낸 이방성 도전 필름 (1A) 의 도전 입자의 배치에 대해, 반복 유닛 (5) 의 Y 방향의 반복 피치를 넓혀도 된다. 도 1a 에 나타낸 도전 입자 (2) 의 배치에서는, 각 도전 입자 (2) 가, 정 6 각형을 간극 없이 배열한 경우의 정 6 각형의 정점 중 어느 것과 겹치지만, 도 6 에 나타낸 도전 입자의 배치에서는, 반드시 모든 도전 입자가, 정 6 각형을 간극 없이 배열한 경우의 정 6 각형의 정점은 되지 않는 점에서 도 1a 에 나타낸 도전 입자의 배치와 다르다.

또, 도 7 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1G) 과 같이, 또한 Y 방향의 반복 피치를 넓히고, Y 방향으로 인접하는 반복 유닛 (5) 사이에 단독의 도전 입자 (2p) 를 배치해도 되고, 또한 별개의 반복 유닛을 배치해도 된다. 또, 반복 유닛 (5) 의 X 방향의 반복 피치를 적절히 변경해도 되고, X 방향의 반복 피치 사이에 단독의 도전 입자 또는 별개의 반복 유닛을 배치해도 된다.

도 8 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1H) 과 같이, 사다리꼴의 반복 유닛 (5) 또는 그것을 반전시킨 반복 유닛 (5B) 이 이방성 도전 필름의 폭 방향 또는 길이 방향으로 반복되고 있고, 반복 유닛 (5) 의 이방성 도전 필름의 폭 방향의 열과, 반복 유닛 (5B) 의 이방성 도전 필름의 폭 방향의 열 사이에, 단독의 도전 입자 (2p) 의 열을 배치해도 된다. 이로써, 도전 입자 (2) 가 사방 (斜方) 격자로 배열하고, 또한 단위 격자의 중심에 단독의 도전 입자 (2p) 가 존재하는 배치가 된다. 도전 입자를 사방 격자로 배열시킨 경우에 있어서 도전 입자의 개수 밀도를 낮추기 위해, 도 9 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1I) 과 같이 반복 유닛 (5) 자체를 마름모꼴로 형성해도 된다. 도 8 및 도 9 에 나타낸 바와 같이 사방 격자상으로 도전 입자 (2) 를 배치함으로써, 도전 입자 (2) 가 이방성 도전 필름의 길이 방향, 폭 방향 및 그것들에 대해 경사진 방향으로 존재하게 되므로, 이방성 도전 접속 시에 있어서의 도전 입자의 포착성 향상과 쇼트의 억제가 양립하기 쉬워진다.

또, 도 10 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1J) 과 같이, 도전 입자 4 개로 이루어지는 마름모꼴의 반복 유닛 (5) 의 장방 격자상의 배열과, 그 반복 유닛 (5) 을 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향으로 반전시킨 마름모꼴의 반복 유닛 (5B) 의 장방 격자상의 배열을 그들의 격자점이 서로 겹치지 않도록 겹친 배열로 해도 된다. 도 11 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1K) 과 같이, 도 10 의 이방성 도전 필름 (1J) 과 동일한 입자 배치이고, 필름 폭 방향의 반복 유닛 (5, 5B) 의 배열끼리의 간격을 넓혀도 된다.

반복 유닛은, 정 3 각형을 간극 없이 배열한 경우의 정 6 각형의 정점 (즉, 6 방 격자의 격자점) 의 일부를 도전 입자가 차지하는 배치로 한정되는 것은 아니다. 정방 격자의 격자점의 일부를 도전 입자가 차지하도록 해도 된다. 예를 들어, 도 5a 에 나타낸 도전 입자의 배치와 동일한 사다리꼴을 반복 유닛 (5) 과 그것을 반전시킨 반복 유닛 (5B) 을, 이방성 도전 필름의 길이 방향과 폭 방향으로 교대로 반복한 배치를 도 12 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1L) 과 같이 정방 격자의 격자점 상에 형성할 수 있다.

또, 반복 유닛의 다각형을 이루는 정점의 수는 4 개로 한정되지 않고 5 이상이어도 되고, 6 이상이어도 되고, 7 이상이어도 된다. 단, 이방성 도전 필름 제조의 설계나 생산 공정에 있어서, 반복 유닛의 형상을 인식하기 쉽게 하기 위해, 반복 유닛의 정점의 수를 짝수로 하는 것이 바람직하다.

반복 유닛을 이루는 다각형의 형상은, 정다각형이어도 되고, 정다각형이 아니어도 되지만, 반복 유닛의 형상을 인식하기 쉽게 하는 점에서는, 대칭축이 있는 형상이 바람직하다. 이 경우, 반복 유닛을 구성하는 각 도전 입자는, 6 방 격자 또는 정방 격자의 격자점에 존재하고 있지 않아도 된다. 예를 들어, 도 13 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1M) 과 같이, 정 8 각형의 정점에 위치하는 도전 입자로 반복 유닛 (5) 을 구성해도 된다. 반복 유닛의 다각형의 형상은, 이방성 도전 접속하는 범프 내지 단자의 형상, 피치, 이방성 도전 필름의 필름 길이 방향에 대한 범프 내지 단자의 길이 방향의 경사각, 이방성 도전 필름에 있어서의 절연성 수지 바인더의 수지 조성 등에 따라 적절히 정할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서의 도전 입자의 배치로는, 도시한 반복 유닛의 배열로 한정되지 않고, 예를 들어 도시한 반복 유닛의 배열을 경사지게 한 것이어도 된다. 이 경우, 90°경사지게 한 것, 즉 필름의 길이 방향과 폭 방향을 바꾼 양태도 포함된다. 또, 반복 유닛의 간격이나 반복 유닛 내의 도전 입자의 간격을 변경한 것이어도 된다.

＜도전 입자의 최단 입자 간 거리＞

도전 입자의 최단 입자 간 거리는, 반복 유닛 내에서 인접하는 도전 입자 간에 있어서도, 반복 유닛 간에서 인접하는 도전 입자 간에 있어서도, 도전 입자의 평균 입자경의 0.5 배 이상이 바람직하다. 이 거리가 지나치게 짧으면 도전 입자 상호의 접촉에 의해 쇼트가 일어나기 쉬워진다. 인접하는 도전 입자의 거리의 상한은, 범프 형상이나 범프 피치에 따라 정한다. 예를 들어, 범프폭 200 ㎛, 범프 간 스페이스 200 ㎛ 인 경우에, 범프폭 또는 범프 간 스페이스 중 어느 것에 도전 입자를 최저 1 개 존재시킬 때, 도전 입자의 최단 입자 간 거리는 400 ㎛ 미만으로 한다. 도전 입자의 포착성을 확실하게 하는 점에서는, 200 ㎛ 미만으로 하는 것이 바람직하다.

＜도전 입자의 개수 밀도＞

도전 입자의 개수 밀도는, 이방성 도전 필름의 제조 비용을 억제하는 점, 및 이방성 도전 접속 시에 사용하는 압박 지그에 필요로 되는 추력이 과도하게 커지지 않도록 하는 점에서, 도전 입자의 평균 입자경이 10 ㎛ 미만인 경우, 50000 개/㎟ 이하가 바람직하고, 35000 개/㎟ 이하가 보다 바람직하며, 30000 개/㎟ 이하가 더욱 바람직하다. 한편, 도전 입자의 개수 밀도는, 지나치게 적으면 단자에서 도전 입자가 충분히 포착되지 않는 것에 의한 도통 불량이 염려되는 점에서, 300 개/㎟ 이상이 바람직하고, 500 개/㎟ 이상이 보다 바람직하며, 800 개/㎟ 이상이 더욱 바람직하다.

또, 도전 입자의 평균 입자경이 10 ㎛ 이상인 경우에는, 15 개/㎟ 이상이 바람직하고, 50 개/㎟ 이상이 보다 바람직하며, 160 개/㎟ 이상이 더욱 바람직하다. 도전 입자경이 커지면, 도전 입자의 점유 면적률도 높아지기 때문이다. 동일한 이유로부터, 1800 개/㎟ 이하가 바람직하고, 1100 개/㎟ 이하가 보다 바람직하며, 800 개/㎟ 이하가 더욱 바람직하다.

또한, 도전 입자의 개수 밀도는, 국소적 (일례로서 200 ㎛ × 200 ㎛) 으로는, 상기 서술한 개수 밀도를 벗어나 있어도 된다.

＜절연성 수지 바인더＞

절연성 수지 바인더 (3) 로는, 공지된 이방성 도전 필름에 있어서 절연성 수지 바인더로서 사용되고 있는 열중합성 조성물, 광중합성 조성물, 광열 병용 중합성 조성물 등을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 이 중 열중합성 조성물로는, 아크릴레이트 화합물과 열라디칼 중합 개시제를 포함하는 열라디칼 중합성 수지 조성물, 에폭시 화합물과 열카티온 중합 개시제를 포함하는 열카티온 중합성 수지 조성물, 에폭시 화합물과 열아니온 중합 개시제를 포함하는 열아니온 중합성 수지 조성물 등을 들 수 있고, 광중합성 조성물로는, 아크릴레이트 화합물과 광라디칼 중합 개시제를 포함하는 광라디칼 중합성 수지 조성물 등을 들 수 있다. 특히 문제가 생기지 않는 것이면, 복수종의 중합성 조성물을 병용해도 된다. 병용예로는, 열카티온 중합성 조성물과 열라디칼 중합성 조성물의 병용 등을 들 수 있다.

여기서, 광중합 개시제로는 파장이 상이한 광에 반응하는 복수 종류를 함유시켜도 된다. 이로써, 이방성 도전 필름의 제조 시에 있어서의, 절연성 수지층을 구성하는 수지의 광경화와, 이방성 도전 접속 시에 전자 부품끼리를 접착하기 위한 수지의 광경화에서 사용하는 파장을 구분하여 사용할 수 있다.

절연성 수지 바인더 (3) 를 광중합성 조성물을 사용하여 형성하는 경우에, 이방성 도전 필름의 제조 시의 광경화에 의해, 절연성 수지 바인더 (3) 에 포함되는 광중합성 화합물의 전부 또는 일부를 광경화시킬 수 있다. 이 광경화에 의해, 절연성 수지 바인더 (3) 에 있어서의 도전 입자 (2) 의 배치가 유지 내지 고정화되어, 쇼트의 억제와 포착의 향상이 예상된다. 또, 이 광경화의 조건을 조정함으로써, 이방성 도전 필름의 제조 공정에 있어서의 절연성 수지층의 점도를 조정할 수 있다.

절연성 수지 바인더 (3) 에 있어서의 광중합성 화합물의 배합량은 30 질량％ 이하가 바람직하고, 10 질량％ 이하가 보다 바람직하며, 2 질량％ 미만이 더욱 바람직하다. 광중합성 화합물이 지나치게 많으면 이방성 도전 접속 시의 압입에 가해지는 추력이 증가하기 때문이다.

한편, 열중합성 조성물은, 열중합성 화합물과 열중합 개시제를 함유하지만, 이 열중합성 화합물로서 광중합성 화합물로서도 기능하는 것을 사용해도 된다. 또, 열중합성 조성물에는, 열중합성 화합물과는 별도로 광중합성 화합물을 함유시킴과 함께 광중합성 개시제를 함유시켜도 된다. 바람직하게는, 열중합성 화합물과는 별도로 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유시킨다. 예를 들어, 열중합 개시제로서 열카티온계 중합 개시제, 열중합성 화합물로서 에폭시 수지를 사용하고, 광중합 개시제로서 광라디칼 개시제, 광중합성 화합물로서 아크릴레이트 화합물을 사용한다. 절연성 바인더 (3) 에는, 이들 중합성 조성물의 경화물을 포함해도 된다.

열 또는 광중합성 화합물로서 사용되는 아크릴레이트 화합물로는 종래 공지된 열중합형 (메트)아크릴레이트 모노머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 단관능 (메트)아크릴레이트계 모노머, 2 관능 이상의 다관능 (메트)아크릴레이트계 모노머를 사용할 수 있다.

또, 중합성 화합물로서 사용되는 에폭시 화합물은, 3 차원 망목 구조를 형성하고, 양호한 내열성, 접착성을 부여하는 것이고, 고형 에폭시 수지와 액상 에폭시 수지를 병용하는 것이 바람직하다. 여기서, 고형 에폭시 수지란, 상온에서 고체인 에폭시 수지를 의미한다. 또, 액상 에폭시 수지란, 상온에서 액상인 에폭시 수지를 의미한다. 또, 상온이란, JIS Z 8703 에서 규정된 5 ∼ 35 ℃ 의 온도 범위를 의미한다. 본 발명에서는 2 종 이상의 에폭시 화합물을 병용할 수 있다. 또, 에폭시 화합물에 추가하여 옥세탄 화합물을 병용해도 된다.

고형 에폭시 수지로는, 액상 에폭시 수지와 상용하고, 상온에서 고체이면 특별히 한정되지 않고, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 노볼락페놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 비스페놀 A 형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.

액상 에폭시 수지로는, 상온에서 액상이면 특별히 한정되지 않고, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 노볼락페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 특히, 필름의 택성, 유연성 등의 관점에서, 비스페놀 A 형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.

열중합 개시제 중 열라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어 유기 과산화물, 아조계 화합물 등을 들 수 있다. 특히, 기포의 원인이 되는 질소를 발생하지 않는 유기 과산화물을 바람직하게 사용할 수 있다.

열라디칼 중합 개시제의 사용량은, 지나치게 적으면 경화 불량이 되고, 지나치게 많으면 제품 라이프의 저하가 되므로, (메트)아크릴레이트 화합물 100 질량부에 대해, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.

열카티온 중합 개시제로는, 에폭시 화합물의 열카티온 중합 개시제로서 공지된 것을 채용할 수 있고, 예를 들어 열에 의해 산을 발생하는 요오드늄염, 술포늄염, 포스포늄염, 페로센류 등을 사용할 수 있고, 특히 온도에 대해 양호한 잠재성을 나타내는 방향족 술포늄염을 바람직하게 사용할 수 있다.

열카티온 중합 개시제의 사용량은, 지나치게 적어도 경화 불량이 되는 경향이 있고, 지나치게 많아도 제품 라이프가 저하하는 경향이 있으므로, 에폭시 화합물 100 질량부에 대해, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.

열아니온 중합 개시제로는, 통상 사용되는 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 유기산 디하이드라지드, 디시안디아미드, 아민 화합물, 폴리아미드아민 화합물, 시아네이트에스테르 화합물, 페놀 수지, 산 무수물, 카르복실산, 3 급 아민 화합물, 이미다졸, 루이스산, 브렌스테드산염, 폴리메르캅탄계 경화제, 우레아 수지, 멜라민 수지, 이소시아네이트 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 이미다졸 변성체를 핵으로 하고 그 표면을 폴리우레탄으로 피복하여 이루어지는 마이크로캡슐형 잠재성 경화제를 사용하는 것이 바람직하다.

열중합성 조성물에는, 막 형성 수지를 함유시키는 것이 바람직하다. 막 형성 수지는, 예를 들어 평균 분자량이 10000 이상인 고분자량 수지에 상당하고, 필름 형성성의 관점에서, 10000 ∼ 80000 정도의 평균 분자량인 것이 바람직하다. 막 형성 수지로는, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 부티랄 수지 등의 여러 가지 수지를 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 막 형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지를 바람직하게 사용하는 것이 바람직하다.

열중합성 조성물에는, 용융 점도 조정을 위해서, 절연 필러를 함유시켜도 된다. 이것은 실리카분이나 알루미나분 등을 들 수 있다. 절연성 필러의 크기는 입자경 20 ∼ 1000 nm 가 바람직하고, 또 배합량은 에폭시 화합물 등의 열중합성 화합물 (광중합성 화합물) 100 질량부에 대해 5 ∼ 50 질량부로 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 서술한 절연 필러와는 상이한 충전제, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 착색제 (안료, 염료), 유기 용제, 이온 캐처제 등을 함유시켜도 된다.

또, 필요에 따라 응력 완화제, 실란 커플링제, 무기 필러 등을 배합해도 된다. 응력 완화제로는, 수소 첨가 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 수소 첨가 스티렌-이소프렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 또, 실란 커플링제로는, 에폭시계, 메타크릴옥시계, 아미노계, 비닐계, 메르캅토·술파이드계, 우레이드계 등을 들 수 있다. 또, 무기 필러로는, 실리카, 탤크, 산화티탄, 탄산칼슘, 산화마그네슘 등을 들 수 있다.

절연성 수지 바인더 (3) 는, 상기 서술한 수지를 포함하는 코팅 조성물을 도포법에 의해 성막하고 건조시키는 것이나, 추가로 경화시키는 것에 의해, 혹은 미리 공지된 수법에 의해 필름화하는 것에 의해 형성할 수 있다. 절연성 수지 바인더 (3) 는, 필요에 따라 수지층을 적층하는 것에 의해 얻어도 된다. 또, 절연성 수지 바인더 (3) 는, 박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 박리 필름 상에 형성하는 것이 바람직하다.

(절연성 수지 바인더의 점도)

절연성 수지 바인더 (3) 의 최저 용융 점도는 이방성 도전 필름의 제조 방법 등에 따라 적절히 정할 수 있다. 예를 들어, 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서, 도전 입자를 절연성 수지 바인더의 표면에 소정의 배치로 유지시키고, 그 도전 입자를 절연성 수지 바인더에 압입하는 방법을 실시할 때, 절연성 수지 바인더가 필름 성형을 가능하게 하는 점에서 수지의 최저 용융 점도를 1100 Pa·s 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또, 후술하는 바와 같이, 도 14 또는 도 15 에 나타내는 바와 같이 절연성 수지 바인더 (3) 에 압입한 도전 입자 (2) 의 노출 부분의 둘레에 함몰 (3b) 을 형성하거나, 도 16 에 나타내는 바와 같이 절연성 수지 바인더 (3) 에 압입한 도전 입자 (2) 의 바로 위에 함몰 (3c) 을 형성하거나 하는 점에서, 최저 용융 점도는, 바람직하게는 1500 Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 2000 Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 3000 ∼ 15000 Pa·s, 특히 3000 ∼ 10000 Pa·s 이다. 이 최저 용융 점도는, 일례로서 회전식 레오미터 (TA instrument 사 제조) 를 이용하고, 승온 속도가 10 ℃/분, 측정 압력이 5 g 으로 일정하게 유지하고, 직경 8 mm 의 측정 플레이트를 사용하여 구할 수 있다. 또, 바람직하게는 40 ∼ 80 ℃, 보다 바람직하게는 50 ∼ 60 ℃ 에서 절연성 수지 바인더 (3) 에 도전 입자 (2) 를 압입하는 공정을 실시하는 경우에, 상기 서술과 마찬가지로 함몰 (3b 또는 3c) 의 형성의 점에서, 60 ℃ 에 있어서의 점도는, 하한은 바람직하게는 3000 Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 4000 Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 4500 Pa·s 이상이고, 상한은, 바람직하게는 20000 Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 15000 Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 10000 Pa·s 이하이다.

절연성 수지 바인더 (3) 를 구성하는 수지의 점도를 상기 서술한 바와 같이 고점도로 함으로써, 이방성 도전 필름의 사용 시에 있어서, 대향하는 전자 부품 등의 접속 대상물 사이에 도전 입자 (2) 를 끼우고 가열 가압하는 경우에, 이방성 도전 필름 내의 도전 입자 (2) 가, 용융한 절연성 수지 바인더 (3) 의 유동에 의해 흐르게 되어 버리는 것을 방지할 수 있다.

(절연성 수지 바인더의 두께)

절연성 수지 바인더 (3) 의 두께 (La) 는, 바람직하게는 1 ㎛ 이상 60 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 2 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하이다. 또, 절연성 수지 바인더 (3) 의 두께 (La) 는, 도전 입자 (2) 의 평균 입자경 (D) 과의 관계에서는, 그들의 비 (La/D) 가 0.6 ∼ 10 이 바람직하다. 절연성 수지 바인더 (3) 의 두께 (La) 가 지나치게 크면 이방성 도전 접속 시에 도전 입자가 위치 어긋나기 쉬워지고, 단자에 있어서의 도전 입자의 포착성이 저하한다. 이 경향은 La/D 가 10 을 초과하면 현저하다. 그래서 La/D 는 8 이하가 바람직하고, 6 이하가 보다 바람직하다. 반대로 절연성 수지 바인더 (3) 의 두께 (La) 가 지나치게 작아 La/D 가 0.6 미만이 되면, 도전 입자를 절연성 수지 바인더 (3) 에 의해 소정의 입자 분산 상태 혹은 소정의 배열로 유지하는 것이 곤란해진다. 특히, 접속하는 단자가 고밀도 COG 인 경우, 절연성 수지 바인더 (3) 의 층두께 (La) 와 도전 입자 (2) 의 입자경 (D) 의 비 (La/D) 는, 바람직하게는 0.8 ∼ 2 이다.

(절연성 수지 바인더에 있어서의 도전 입자의 매립 양태)

절연성 수지 바인더 (3) 에 있어서의 도전 입자 (2) 의 매립 상태에 대해서는 특별히 제한이 없지만, 이방성 도전 필름을 대향하는 부품의 사이에서 협지하고, 가열 가압함으로써 이방성 도전 접속을 실시하는 경우, 도 14, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자 (2) 를 절연성 수지 바인더 (3) 로부터 부분적으로 노출시켜, 인접하는 도전 입자 (2) 간의 중앙부에 있어서의 절연성 수지 바인더의 표면 (3a) 의 접평면 (3p) 에 대해 도전 입자 (2) 의 노출 부분의 둘레에 함몰 (3b) 이 형성되어 있거나, 또는 도 16 에 나타내는 바와 같이, 절연성 수지 바인더 (3) 내에 압입된 도전 입자 (2) 의 바로 위의 절연성 수지 바인더 부분에, 상기와 동일한 접평면 (3p) 에 대해 함몰 (3c) 이 형성되고, 도전 입자 (2) 의 바로 위의 절연성 수지 바인더 (3) 의 표면에 굴곡이 존재하도록 하는 것이 바람직하다. 도전 입자 (2) 가 대향하는 전자 부품의 전극 사이에서 협지되어 가열 가압될 때에 생기는 도전 입자 (2) 의 편평화에 대해, 도 14, 도 15 에 나타낸 함몰 (3b) 이 있음으로써, 도전 입자 (2) 가 절연성 수지 바인더 (3) 로부터 받는 저항이, 함몰 (3b) 이 없는 경우에 비해 저감한다. 이 때문에, 대향하는 전극 간에 있어서 도전 입자 (2) 가 협지되기 쉬워져, 도통 성능도 향상된다. 또, 절연성 수지 바인더 (3) 를 구성하는 수지 중, 도전 입자 (2) 의 바로 위의 수지의 표면에 함몰 (3c)(도 16) 이 형성되어 있음으로써, 함몰 (3c) 이 없는 경우에 비해 가열 가압 시의 압력이 도전 입자 (2) 에 집중하기 쉬워져, 전극에 있어서 도전 입자 (2) 가 협지되기 쉬워지고, 도통 성능이 향상된다.

상기 서술한 함몰 (3b, 3c) 의 효과를 얻기 쉽게 하는 점에서, 도전 입자 (2) 의 노출 부분의 둘레의 함몰 (3b)(도 14, 도 15) 의 최대 깊이 (Le) 와 도전 입자 (2) 의 평균 입자경 (D) 의 비 (Le/D) 는, 바람직하게는 50 ％ 미만, 보다 바람직하게는 30 ％ 미만, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 25 ％ 이고, 도전 입자 (2) 의 노출 부분의 둘레의 함몰 (3b)(도 14, 도 15) 의 최대 직경 (Ld) 과 도전 입자 (2) 의 평균 입자경 (D) 의 비 (Ld/D) 는, 바람직하게는 100 ％ 이상, 보다 바람직하게는 100 ∼ 150 ％ 이고, 도전 입자 (2) 의 바로 위의 수지에 있어서의 함몰 (3c)(도 14) 의 최대 깊이 (Lf) 와 도전 입자 (2) 의 평균 입자경 (D) 의 비 (Lf/D) 는, 바람직하게는 0 보다 크고, 바람직하게는 10 ％ 미만, 보다 바람직하게는 5 ％ 미만이다.

또한, 도전 입자 (2) 의 노출 부분의 직경 (Lc) 은, 도전 입자 (2) 의 평균 입자경 (D) 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 입자경 (D) 의 10 ∼ 90 ％ 이다. 도전 입자 (2) 의 정부 (頂部)(2t) 의 1 점에서 노출되도록 해도 되고, 도전 입자 (2) 가 절연성 수지 바인더 (3) 내에 완전히 묻혀, 직경 (Lc) 이 제로가 되도록 해도 된다.

(절연성 수지 바인더의 두께 방향에 있어서의 도전 입자의 위치)

상기 서술한 함몰 (3b) 의 효과를 얻기 쉽게 하는 점에서, 접평면 (3p) 으로부터의 도전 입자 (2) 의 최심부의 거리 (이하, 매립량이라고 한다)(Lb) 와, 도전 입자 (2) 의 평균 입자경 (D) 의 비 (Lb/D)(이하, 매립률이라고 한다) 는 60 ％ 이상 105 ％ 이하인 것이 바람직하다.

＜절연성 접착층＞

본 발명의 이방성 도전 필름에서는, 도전 입자 (2) 를 배치시키고 있는 절연성 수지 바인더 (3) 상에, 절연성 수지 바인더 (3) 를 구성하는 수지와 점도나 점착성이 상이한 절연성 접착층 (4) 이 적층되어 있어도 된다.

절연성 수지 바인더 (3) 에 상기 서술한 함몰 (3b) 이 형성되어 있는 경우, 도 17 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1d) 과 같이, 절연성 접착층 (4) 은, 절연성 수지 바인더 (3) 에 함몰 (3b) 이 형성되어 있는 면에 적층되어도 되고, 도 18 에 나타내는 이방성 도전 필름 (1e) 과 같이, 함몰 (3b) 이 형성되어 있는 면과 반대측의 면에 적층되어도 된다. 절연성 수지 바인더 (3) 에 함몰 (3c) 이 형성되어 있는 경우도 동일하다. 절연성 접착층 (4) 의 적층에 의해, 이방성 도전 필름을 사용하여 전자 부품을 이방성 도전 접속할 때에, 전자 부품의 전극이나 범프에 의해 형성되는 공간을 충전하고, 접착성을 향상시킬 수 있다.

또, 절연성 접착층 (4) 을 절연성 수지 바인더 (3) 에 적층하는 경우, 절연성 접착층 (4) 이 함몰 (3b, 3c) 의 형성면 상에 있는지 여부에 관계 없이, 절연성 접착층 (4) 이 IC 칩 등의 제 1 전자 부품측에 있는 (바꾸어 말하면, 절연성 수지 바인더 (3) 가 기판 등의 제 2 전자 부품측에 있다) 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 도전 입자의 의도하지 않은 이동을 피할 수 있어, 포착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 통상은 IC 칩 등의 제 1 전자 부품을 압박 지그측으로 하고, 기판 등의 제 2 전자 부품을 스테이지측으로 하고, 이방성 도전 필름을 제 2 전자 부품과 가압착한 후에, 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 본압착하지만, 제 2 전자 부품의 열압착 영역의 사이즈 등에 따라서는, 이방성 도전 필름을 제 1 전자 부품과 가부착한 후에, 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 본압착한다.

절연성 접착층 (4) 으로는, 공지된 이방성 도전 필름에 있어서 절연성 접착층으로서 사용되고 있는 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 절연성 접착층 (4) 은, 상기 서술한 절연성 수지 바인더 (3) 와 동일한 수지를 사용하여 점도를 보다 낮게 조정한 것으로 해도 된다. 절연성 접착층 (4) 과 절연성 수지 바인더 (3) 의 최저 용융 점도는, 차가 있을수록 전자 부품의 전극이나 범프에 의해 형성되는 공간이 절연성 접착층 (4) 으로 충전되기 쉬워져, 전자 부품끼리의 접착성을 향상시키는 효과를 기대할 수 있다. 또, 이 차가 있을수록 이방성 도전 접속 시에 절연성 수지 바인더 (3) 를 구성하는 수지의 이동량이 상대적으로 작아지기 때문에, 단자에 있어서의 도전 입자의 포착성이 향상되기 쉬워진다. 실용상은, 절연성 접착층 (4) 과 절연성 수지 바인더 (3) 의 최저 용융 점도비는, 바람직하게는 2 이상, 보다 바람직하게는 5 이상, 더욱 바람직하게는 8 이상이다. 한편, 이 비가 지나치게 크면 장척의 이방성 도전 필름을 권장체 (卷裝體) 로 한 경우에, 수지의 돌출이나 블로킹이 생길 우려가 있으므로, 실용상은 15 이하가 바람직하다. 절연성 접착층 (4) 의 바람직한 최저 용융 점도는, 보다 구체적으로는, 상기 서술한 비를 만족하고, 또한 3000 Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 2000 Pa·s 이하이고, 특히 100 ∼ 2000 Pa·s 이다.

절연성 접착층 (4) 의 형성 방법으로는, 절연성 수지 바인더 (3) 를 형성하는 수지와 동일한 수지를 포함하는 코팅 조성물을 도포법에 의해 성막하고 건조시키는 것이나, 추가로 경화시키는 것에 의해, 혹은 미리 공지된 수법에 의해 필름화하는 것에 의해 형성할 수 있다.

절연성 접착층 (4) 의 두께는, 바람직하게는 1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하이다.

또, 절연성 수지 바인더 (3) 와 절연성 접착층 (4) 을 합한 이방성 도전 필름 전체의 최저 용융 점도는, 절연성 수지 바인더 (3) 와 절연성 접착층 (4) 의 두께의 비율에 따라 다르기도 하지만, 실용상은 8000 Pa·s 이하로 해도 되고, 범프 사이에의 충전을 실시하기 쉽게 하기 위해서는 200 ∼ 7000 Pa·s 여도 되고, 바람직하게는 200 ∼ 4000 Pa·s 이다.

또한, 절연성 수지 바인더 (3) 나 절연성 접착층 (4) 에는, 필요에 따라 실리카 미립자, 알루미나, 수산화알루미늄 등의 절연성 필러를 첨가해도 된다. 절연성 필러의 배합량은, 그들의 층을 구성하는 수지 100 질량부에 대해 3 질량부 이상 40 질량부 이하로 하는 것이 바람직하다. 이로써, 이방성 도전 접속 시에 이방성 도전 필름이 용융해도, 용융한 수지에 의해 도전 입자가 불필요하게 이동하는 것을 억제할 수 있다.

＜이방성 도전 필름의 제조 방법＞

이방성 도전 필름의 제조 방법으로는, 예를 들어 도전 입자를 소정의 배열로 배치하기 위한 전사형을 제조하고, 전사형의 오목부에 도전 입자를 충전하고, 그 위에 박리 필름 상에 형성한 절연성 수지 바인더 (3) 를 덮고 압력을 가하여, 절연성 수지 바인더 (3) 에 도전 입자 (2) 를 압입함으로써, 절연성 수지 바인더 (3) 에 도전 입자 (2) 를 전착시킨다. 혹은 추가로 그 도전 입자 (2) 상에 절연성 접착층 (4) 을 적층한다. 이렇게 하여, 이방성 도전 필름 (1A) 을 얻을 수 있다.

또, 전사형의 오목부에 도전 입자를 충전한 후, 그 위에 절연성 수지 바인더를 덮고, 전사형으로부터 절연성 수지 바인더의 표면에 도전 입자를 전사시키고, 절연성 수지 바인더 상의 도전 입자를 절연성 수지 바인더 내로 압입함으로써 이방성 도전 필름을 제조해도 된다. 이 압입 시의 압박력, 온도 등에 의해 도전 입자의 매립량 (Lb) 을 조정할 수 있다. 또, 함몰 (3b, 3c) 의 형상 및 깊이를, 압입 시의 절연성 수지 바인더의 점도, 압입 속도, 온도 등에 의해 조정할 수 있다. 예를 들어, 도전 입자의 압입 시의 절연성 수지 바인더의 점도를, 하한은 바람직하게는 3000 Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 4000 Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 4500 Pa·s 이상으로 하고, 상한은, 바람직하게는 20000 Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 15000 Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 10000 Pa·s 이하로 한다. 또, 이와 같은 점도를 바람직하게는 40 ∼ 80 ℃, 보다 바람직하게는 50 ∼ 60 ℃ 에서 얻어지도록 한다. 보다 구체적으로는, 절연성 수지 바인더의 표면에 도 14 에 나타낸 함몰 (3b) 을 갖는 이방성 도전 필름 (1a) 을 제조하는 경우, 도전 입자의 압입 시의 절연성 수지 바인더의 점도를 8000 Pa·s (50 ∼ 60 ℃) 로 하는 것이 바람직하고, 도 16 에 나타낸 함몰 (3c) 을 갖는 이방성 도전 필름 (1c) 을 제조하는 경우, 도전 입자의 압입 시의 절연성 수지 바인더의 점도를 4500 Pa·s (50 ∼ 60 ℃) 로 하는 것이 바람직하다.

또한, 전사형으로는, 오목부에 도전 입자를 충전하는 것 외에, 볼록부의 천면 (天面) 에 미점착제를 부여하여 그 천면에 도전 입자가 부착되도록 한 것을 사용해도 된다.

이들 전사형은 기계 가공, 포토리소그래피, 인쇄법 등의 공지된 기술을 이용하고, 또 응용하여 제조할 수 있다.

또, 도전 입자를 소정의 배열로 배치하는 방법으로는, 전사형을 사용하는 방법 대신에, 2 축 연신 필름을 사용하는 방법 등을 사용해도 된다.

＜권장체＞

이방성 도전 필름은, 전자 부품의 접속에 연속적으로 제공하기 위해, 릴에 감긴 필름 권장체로 하는 것이 바람직하다. 필름 권장체의 길이는, 5 m 이상이면 되고, 10 m 이상인 것이 바람직하다. 상한은 특별히 없지만, 출하물의 취급성의 점에서, 5000 m 이하인 것이 바람직하고, 1000 m 이하인 것이 보다 바람직하며, 500 m 이하인 것이 더욱 바람직하다.

필름 권장체는, 전체 길이보다 짧은 이방성 도전 필름을 연결 테이프로 연결한 것이어도 된다. 연결 지점은 복수 지점 존재해도 되고, 규칙적으로 존재해도 되고, 랜덤으로 존재해도 된다. 연결 테이프의 두께는, 성능에 지장을 초래하지 않는 한 특별히 제한은 없지만, 지나치게 두꺼우면 수지의 돌출이나 블로킹에 영향을 미치기 때문에, 10 ∼ 40 ㎛ 인 것이 바람직하다. 또, 필름의 폭은 특별히 제한은 없지만, 일례로서 0.5 ∼ 5 mm 이다.

필름 권장체에 의하면, 연속한 이방성 도전 접속이 가능하여, 접속체의 비용 삭감에 기여할 수 있다.

＜접속 구조체＞

본 발명의 이방성 도전 필름은, FPC, IC 칩, IC 모듈 등의 제 1 전자 부품과, FPC, 리지드 기판, 세라믹 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판 등의 제 2 전자 부품을 열 또는 광에 의해 이방성 도전 접속할 때에 바람직하게 적용할 수 있다. 또, IC 칩이나 IC 모듈을 스택하여 제 1 전자 부품끼리를 이방성 도전 접속할 수도 있다. 이와 같이 하여 얻어지는 접속 구조체 및 그 제조 방법도 본 발명의 일부이다.

이방성 도전 필름을 사용한 전자 부품의 접속 방법으로는, 예를 들어 이방성 도전 필름의 필름 두께 방향으로 도전 입자가 근처에 존재하는 측의 계면을 배선 기판 등의 제 2 전자 부품에 가부착하고, 가부착된 이방성 도전 필름에 대해, IC 칩 등의 제 1 전자 부품을 탑재하고, 제 1 전자 부품측으로부터 열압착하는 것이, 접속 신뢰성을 높이는 점에서 바람직하다. 또, 광경화를 이용하여 접속할 수도 있다. 또한, 이 접속에서는 접속 작업 효율의 점에서, 전자 부품의 단자의 길이 방향을 이방성 도전 필름의 폭 방향에 맞추는 것이 바람직하다.

실시예

실험예 1 ∼ 실험예 8

(이방성 도전 필름의 제작)

COG 접속에 사용하는 이방성 도전 필름에 대해, 절연성 수지 바인더의 수지 조성과 도전 입자의 배치가 필름 형성능과 도통 특성에 미치는 영향을 다음과 같이 하여 조사하였다.

먼저, 표 1 에 나타낸 배합으로 절연성 수지 바인더 및 절연성 접착층을 형성하는 수지 조성물을 각각 조제하였다. 이 경우, 절연성 수지 조성물의 조제 조건에 의해 수지 조성물의 최저 용융 점도를 조정하였다. 절연성 수지 바인더를 형성하는 수지 조성물을 바 코터로 필름 두께 50 ㎛ 의 PET 필름 상에 도포하고, 80 ℃ 의 오븐으로 5 분간 건조시켜, PET 필름 상에 표 2 에 나타내는 두께 (La) 의 절연성 수지 바인더층을 형성하였다. 동일하게 하여, 절연성 접착층을 표 2 에 나타내는 두께로 PET 필름 상에 형성하였다.

다음으로, 도전 입자의 평면으로 볼 때에 있어서의 배치가 표 2 에 나타낸 배치가 되고, 그 반복 유닛에 있어서의 최근접 도전 입자의 중심 간 거리가 6 ㎛ 가 되도록 금형을 제작하였다. 그 금형에 공지된 투명성 수지의 펠릿을 용융시킨 상태로 흘려 넣고, 식혀 굳힘으로써, 함몰이 표 2 에 나타내는 배치의 수지형을 형성하였다. 여기서, 실험예 8 에서는 도전 입자의 배치를 6 방 격자 배열 (개수 밀도 32000 개/㎟) 로 하고, 그 격자축의 하나를 이방성 도전 필름의 길이 방향에 대해 15°경사시켰다.

도전 입자로서, 금속 피복 수지 입자 (세키스이 화학 공업 (주), AUL703, 평균 입자경 3 ㎛) 를 준비하고, 이 도전 입자를 수지형의 함몰에 충전하고, 그 위에 상기 서술한 절연성 수지 바인더를 덮고, 60 ℃, 0.5 MPa 로 압박함으로써 첩착 (貼着) 시켰다. 그리고, 형으로부터 절연성 수지 바인더를 박리하고, 절연성 수지 바인더 상의 도전 입자를, 가압 (압박 조건 : 60 ∼ 70 ℃, 0.5 Mpa) 함으로써 절연성 수지 바인더에 압입하여, 절연성 수지 바인더에 도전 입자가 표 2 에 나타내는 상태로 매립된 필름을 제작하였다. 이 경우, 도전 입자의 매립 상태는, 압입 조건으로 컨트롤하였다. 그 결과, 실험예 4 에서는, 도전 입자를 압입한 후에 필름 형상이 유지되지 않았지만, 그 이외의 실험예에서는, 도전 입자를 매립한 필름을 제작할 수 있었다. 금속 현미경에 의한 관찰에서, 매립된 도전 입자의 노출 부분의 둘레 또는 매립된 도전 입자의 바로 위에는 표 2 에 나타내는 바와 같이 함몰이 보였다. 또한, 실험예 4 를 제외한 각 실험예에서는 도전 입자의 노출 부분 둘레의 함몰과, 도전 입자 직경의 함몰 쌍방이 관찰되었지만, 표 4 에는, 각 실험예마다 함몰이 가장 명확하게 관찰된 것의 계측값을 나타냈다.

도전 입자를 매립한 필름의 도전 입자를 압입한 측에 절연성 접착층을 적층함으로써 수지층이 2 층 타입의 이방성 도전 필름을 제작하였다. 단, 실험예 4 에서는, 도전 입자를 압입한 후에 필름 형상이 유지되지 않았기 때문에 이후의 평가를 실시하지 않았다.

(평가)

각 실험예의 이방성 도전 필름에 대해, 다음과 같이 하여 (a) 초기 도통 저항과 (b) 도통 신뢰성을 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.

(a) 초기 도통 저항

각 실험예의 이방성 도전 필름을, 스테이지 상의 유리 기판과 압박 툴측의 도통 특성 평가용 IC 사이에 끼우고, 압박 툴로 가열 가압 (180 ℃, 5 초) 하여 각 평가용 접속물을 얻었다. 이 경우, 압박 툴에 의한 추력을 저 (40 MPa), 중 (60 MPa), 고 (80 MPa) 의 3 단계로 변경하여 3 종류의 평가용 접속물을 얻었다.

여기서, 도통 특성 평가용 IC 와 유리 기판은, 그들의 단자 패턴이 대응하고 있고, 사이즈는 다음과 같다. 또, 평가용 IC 와 유리 기판을 접속할 때에는, 이방성 도전 필름의 길이 방향과 범프의 폭 방향을 맞추었다.

도통 특성 평가용 IC

외형 1.8 × 20.0 mm

두께 0.5 mm

범프 사양 사이즈 30 × 85 ㎛, 범프 간 거리 50 ㎛, 범프 높이 15 ㎛

유리 기판 (ITO 배선)

유리 재질 코닝사 제조 1737F

외형 30 × 50 mm

두께 0.5 mm

전극 ITO 배선

얻어진 평가용 접속물의 초기 도통 저항을 측정하고, 다음의 3 단계의 평가 기준으로 평가하였다.

초기 도통 저항의 평가 기준 (실용상, 2 Ω 미만이면 문제는 없다)

A : 0.4 Ω 미만

B : 0.4 Ω 이상 0.8 Ω 미만

C : 0.8 Ω 이상

(b) 도통 신뢰성

(a) 에서 제작한 평가용 접속물을, 온도 85 ℃, 습도 85 ％RH 의 항온조에 500 시간 두는 신뢰성 시험을 실시하고, 그 후의 도통 저항을, 초기 도통 저항과 동일하게 측정하고, 다음의 3 단계의 평가 기준으로 평가하였다.

도통 신뢰성의 평가 기준 (실용상, 5 Ω 미만이면 문제는 없다)

A : 1.2 Ω 미만

B : 1.2 Ω 이상 2 Ω 미만

C : 2 Ω 이상

표 2 로부터 절연성 수지층의 최저 용융 점도가 800 Pa·s 인 실험예 4 에서는 도전 입자 근방의 절연성 수지 바인더에 함몰을 갖는 필름의 형성은 어려운 것을 알 수 있다. 한편, 절연성 수지 바인더의 최저 용융 점도가 1500 Pa·s 이상인 실험예에서는, 도전 입자의 매립 시의 조건의 조정에 의해 절연성 수지 바인더의 도전 입자 근방에 볼록부를 형성할 수 있는 것, 이렇게 하여 얻어진 이방성 도전 필름은 COG 용으로 도통 특성이 양호한 것을 알 수 있다. 또, 6 방 격자 배열의 실험예 8 에 비해 도전 입자의 개수 밀도가 낮은 실험예 1 ∼ 7 에서는, 이방성 도전 접속을 보다 저압으로 실시할 수 있는 것을 알 수 있다.

(c) 쇼트 발생률

실험예 1 ∼ 3 과 5 ∼ 8 의 이방성 도전 필름을 사용하고, 다음의 쇼트 발생률의 평가용 IC 를 사용하여 180 ℃, 60 MPa, 5 초의 접속 조건으로 평가용 접속물을 얻고, 얻어진 평가용 접속물의 쇼트수를 계측하여, 평가용 IC 의 단자수에 대한 계측한 쇼트수의 비율로서 쇼트 발생률을 구하였다.

쇼트 발생률의 평가용 IC (7.5 ㎛ 스페이스의 빗살 TEG (test element group) :

외형 15 × 13 mm

두께 0.5 mm

범프 사양 사이즈 25 × 140 ㎛, 범프 간 거리 7.5 ㎛, 범프 높이 15 ㎛

쇼트는 50 ppm 미만이면 실용상 바람직하고, 실험예 1 ∼ 3 과 5 ∼ 8 의 이방성 도전 필름은 모두 50 ppm 미만이었다.

또한, 실험예 4 를 제외한 각 실험예에 대해, 범프 1 개당에 포착되어 있는 도전 입자를 계측한 바, 모두 10 개 이상의 도전 입자가 포착되어 있었다.

실험예 9 ∼ 16

(이방성 도전 필름의 제작)

FOG 접속에 사용하는 이방성 도전 필름에 대해, 절연성 수지 바인더의 수지 조성과 도전 입자의 배치가 필름 형성능과 도통 특성에 미치는 영향을 다음과 같이 하여 조사하였다.

즉, 표 3 에 나타낸 배합으로 절연성 수지 바인더와 절연성 접착층을 형성하는 수지 조성물을 조제하고, 이들을 사용하여 실험예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제작하였다. 이 경우의 도전 입자의 배치와 최근접 도전 입자의 중심 간 거리를 표 4 에 나타낸다. 실험예 16 에서는 도전 입자의 배치를 6 방 격자 배열 (개수 밀도 15000 개/㎟) 로 하고, 그 격자축의 하나를 이방성 도전 필름의 길이 방향에 대해 15°경사지게 하였다.

이 이방성 도전 필름의 제작 공정에 있어서, 절연성 수지 바인더에 도전 입자를 압입한 후에 실험예 12 에서는 필름 형상이 유지되지 않았지만, 그 이외의 실험예에서는 필름 형상이 유지되었다. 그 때문에, 실험예 12 를 제외한 실험예의 이방성 도전 필름에 대해 도전 입자의 매립 상태를 금속 현미경으로 관찰하여 계측하고, 또한 이후의 평가를 실시하였다. 각 실험예에 있어서의 도전 입자의 매립 상태를 표 4 에 나타낸다. 표 4 에 나타낸 매립 상태는, 표 2 와 마찬가지로 각 실험예마다 절연성 수지 바인더의 함몰이 가장 명확하게 관찰된 것의 계측값이다.

(평가)

각 실험예의 이방성 도전 필름에 대해, 다음과 같이 하여 (a) 초기 도통 저항과 (b) 도통 신뢰성을 측정하였다. 결과를 표 4 에 나타낸다.

(a) 초기 도통 저항

각 실험예에서 얻은 이방성 도전 필름을 2 mm × 40 mm 로 재단하고, 도통 특성의 평가용 FPC 와 유리 기판 사이에 끼우고, 툴폭 2 mm 로 가열 가압 (180 ℃, 5 초) 하여 각 평가용 접속물을 얻었다. 이 경우, 압박 툴에 의한 추력을 저 (3 MPa), 중 (4.5 MPa), 고 (6 MPa) 의 3 단계로 변경하여 3 종류의 평가용 접속물을 얻었다. 얻어진 평가용 접속물의 도통 저항을 실험예 1 과 동일하게 측정하고, 그 측정값을 다음의 기준으로 3 단계로 평가하였다.

평가용 FPC :

단자 피치 20 ㎛

단자 폭/단자 간 스페이스 8.5 ㎛/11.5 ㎛

폴리이미드 필름 두께 (PI)/구리박 두께 (Cu) = 38/8, Sn plating

논알칼리 유리 기판 :

전극 ITO 배선

두께 0.7 mm

초기 도통 저항의 평가 기준

A : 1.6 Ω 미만

B : 1.6 Ω 이상 2.0 Ω 미만

C : 2.0 Ω 이상

(b) 도통 신뢰성

(a) 에서 제작한 평가용 접속물을, 온도 85 ℃, 습도 85 ％RH 의 항온조에 500 시간 두고, 그 후의 도통 저항을 초기 도통 저항과 동일하게 측정하고, 그 측정값을 다음의 기준으로 3 단계로 평가하였다.

도통 신뢰성의 평가 기준

A : 3.0 Ω 미만

B : 3.0 Ω 이상 4 Ω 미만

C : 4.0 Ω 이상

표 4 로부터 절연성 수지층의 최저 용융 점도가 800 Pa·s 인 실험예 12 에서는, 함몰을 갖는 필름의 형성은 어려운 것을 알 수 있다. 한편, 절연성 수지층의 최저 용융 점도가 1500 Pa·s 이상인 실험예에서는, 도전 입자의 매립 시의 조건의 조정에 의해 절연성 수지 바인더의 도전 입자 근방에 함몰을 형성할 수 있는 것, 이렇게 하여 얻어진 이방성 도전 필름은 FOG 용으로 도통 특성이 양호한 것을 알 수 있다.

(c) 쇼트 발생률

초기 도통 저항을 측정한 평가용 접속물의 쇼트수를 계측하고, 계측된 쇼트수와 평가용 접속물의 갭수로부터 쇼트 발생률을 구하였다. 쇼트 발생률은 100 ppm 미만이면 실용상 문제는 없다.

실험예 9 ∼ 11 과 13 ∼ 16 모두 쇼트 발생률은 100 ppm 미만이었다.

또한, 실험예 12 를 제외한 각 실험예에 대해, 범프 1 개당에 포착되어 있는 도전 입자를 계측한 바, 모두 10 개 이상의 도전 입자가 포착되어 있었다.

1A, 1Ba, 1Bb, 1Ca, 1Cb, 1Da, 1Db, 1Ea, 1Eb, 1F, 1G, 1H, 1I, 1J, 1K, 1L, 1M, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e : 이방성 도전 필름
2, 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f, 2g, 2h, 2p, 2q, 2r, 2s, 2t, 2u : 도전 입자
3 : 절연성 수지 바인더
4 : 절연성 접착층
5, 5B : 반복 유닛

Claims

절연성 수지 바인더에 도전 입자가 배치된 이방성 도전 필름으로서,
평면으로 볼 때에, 복수의 도전 입자의 중심을 순차 이어 형성되는 다각형의 반복 유닛이 반복 배치되어 있고,
반복 유닛의 다각형이, 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향과 사교한 변을 갖는, 이방성 도전 필름.
제 1 항에 있어서,
반복 유닛이 이방성 도전 필름의 일면에 배치되어 있는, 이방성 도전 필름.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
반복 유닛이 사다리꼴인, 이방성 도전 필름.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
반복 유닛을 이루는 다각형의 각 변이 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향과 사교하고 있는, 이방성 도전 필름.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
반복 유닛을 이루는 다각형이, 이방성 도전 필름의 길이 방향 또는 폭 방향의 변을 갖는, 이방성 도전 필름.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
반복 유닛을 구성하는 다각형을, 그 다각형의 한 변을 중심으로 하여 반전시킨 경우에, 반전 후의 반복 유닛의 다각형의 한 변이, 반전 전에 인접하고 있던 반복 유닛의 한 변과 겹치는, 이방성 도전 필름.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
도전 입자 유닛이 정다각형의 일부를 이루는, 이방성 도전 필름.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
도전 입자 유닛을 구성하는 도전 입자의 배치가, 정 6 각형을 간극 없이 배열한 경우의 6 각형의 정점과 겹치는, 이방성 도전 필름.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름에 의해 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품이 이방성 도전 접속되어 있는, 접속 구조체.
제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 이방성 도전 필름을 개재하여 열압착함으로써 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품의 접속 구조체를 제조하는 방법으로서, 이방성 도전 필름으로서, 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 사용하는, 접속 구조체의 제조 방법.