KR20180098216A - 투명 도전막, 투명 도전막을 갖는 기판 및 투명 도전막을 갖는 기판의 제조 방법 - Google Patents

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니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

산화 인듐 주석막으로 이루어지는 투명 도전막으로서, (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 2×10-20cm5/V/S 이상이고, 또한 (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상이다.

Description

투명 도전막, 투명 도전막을 갖는 기판 및 투명 도전막을 갖는 기판의 제조 방법
본 발명은 산화 인듐 주석(ITO)막으로 이루어지는 투명 도전막에 관한 것이다.
ITO막으로 이루어지는 투명 도전막은 여러가지 분야에서 이용되고 있고, 그 하나로 유기 EL 조명이 열거된다.
유기 EL 조명은 투명 도전막으로 이루어지는 제 1 전극과, 금속막으로 이루어지는 제 2 전극에 의해 유기 EL 발광층에 전압을 인가하고, 유기 EL 발광층을 발광시키는 구조로 되어 있다. 유기 EL 발광층에서 발광한 광은 투명 도전막을 통해서 유기 EL 조명의 외부로 인출되어 소정의 대상물을 비추는 광으로서 이용된다.
여기서, 유기 EL 조명의 경우, 디스플레이 장치와 같이, 사람이 직접 광원을 보는 장치와는 달리 사람이 보고 싶은 것을 비추어 볼 필요가 있다. 그 때문에 디스플레이보다 밝음이 필요하다.
따라서, 유기 EL 조명에 사용되는 투명 도전막은 저저항인 것과 광 흡수율이 작은 것이 요구된다.
여기서, 저저항화 등을 고려한 투명 도전막으로서는 예를 들면, 특허문헌 1 및 2에 개시된 것이 열거된다.
또한, 예를 들면, 특허문헌 3에는 유기 EL 조명에 있어서, 광의 인출 효율을 향상시키기 위해서, 유리 기판(유리 기재(10))과 투명 전극막(전극층 (5)) 사이에 광 산란층(유리 재료층(3))을 형성하는 것이 개시되어 있다.
일본특허공개 2010-177161호 공보 일본특허공개 2013-216925호 공보 일본특허공표 2013-518361호 공보
그러나, 특허문헌 1 및 2에 개시된 투명 도전막에는 유기 EL 조명 등의 용도에 사용한 경우, 저저항화와 저광 흡수율화가 불충분하다.
특히, 예를 들면 특허문헌 3에 개시되어 있는 바와 같이, 광 산란층을 사용하는 경우에 대응하는 것이 곤란해진다. 즉, 광 산란층을 사용한 경우, 유기 EL 조명의 내부(광 산란층과 금속 전극막 사이)에서 광의 반사가 반복되기 때문에, 투명 도전막에 있어서의 광의 흡수의 영향이 보다 커진다. 따라서, 투명 도전막에 있어서, 저저항화와 저광 흡수율화를 보다 고차원으로 양립시키는 것이 필요하게 된다.
본 발명은 저항률과 광 흡수율을 가급적으로 저감시킨 투명 도전막이나, 투명 도전막을 갖는 기판을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위해서 창안된 본 발명은 산화 인듐 주석 막으로 이루어지는 투명 도전막으로서, (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 2×10-20cm5/V/S 이상이고, 또한 (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상인 것을 특징으로 한다.
즉, 본원 발명자 등은 예의 연구를 거듭한 결과, (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)의 값이 커지면, ITO막에 있어서의 광 흡수율이 작아지는 것을 지견하는데 이르렀다. 또한, (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)의 값이 커지면, ITO막의 저항률이 작아지는 것은 일반적으로 알려져 있다. 그리고, 이들의 값이 상기 수치 범위에 있으면, 예를 들면 유기 EL 조명 등에 사용해도 문제없는 높은 레벨이고, 저저항화 및 저광 흡수율화를 동시에 달성하는 것이 가능하게 된다고 하는 결과를 얻었다.
상기의 구성에 있어서, (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 3.6×10-20cm5/V/S 이상인 것이 바람직하다. 이것에 의해 ITO막의 광 흡수율을 보다 작게 할 수 있다.
상기의 과제를 해결하기 위해서 창안된 본 발명은 기판 상에, 광 산란층과 산화 인듐 주석막으로 이루어지는 투명 도전막을 구비한 투명 도전막을 갖는 기판으로서, 투명 도전막의 캐리어 이동도를 μ(cm2/V/S), 캐리어 농도를 n(cm-3)로 한 경우에, μ/n이 2×10-20cm5/V/S 이상이고, 또한 μ×n이 200×1020cm-1/V/S 이상인 것을 특징으로 한다. 이것에 의해 이미 상술한 대응하는 구성과 동일한 작용 효과를 나타낼 수 있다.
상기의 과제를 해결하기 위해서 창안된 본 발명은 기판 상에 산화 인듐 주석막으로 이루어지는 투명 도전막을 구비한 투명 도전막을 갖는 기판의 제조 방법으로서, 기판을 산화 인듐 주석의 타겟을 갖는 챔버 내에 배치함과 아울러, 챔버 내의 산소 농도를 0.5%∼0.9%로 한 상태에서 스퍼터링을 행하는 것을 특징으로 한다.
즉, 본원 발명자 등은 예의 연구를 거듭한 결과, 챔버 내의 산소 농도를 통상보다 높게 설정(산소 농도 0.5% 이상)해서 스퍼터링하면, 제조된 투명 도전막의 광 흡수율이 작아지는 것, 즉, (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 커지는 것을 지견하는데 이르렀다. 그 한편, 챔버 내의 산소 농도를 지나치게 높이면(산소 농도 0.9% 초과), ITO막의 시트 저항의 불균일이 커지고, ITO막 전체로서의 저저항화를 충분하게 꾀할 수 없게 된다고 하는 것, 즉, (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 충분하게 커지지 않는 것도 지견하는데 이르렀다. 그리고, 챔버 내의 산소 농도를 상기 수치 범위 내에 설정하면, (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 2×10-20cm5/V/S 이상이고, 또한 (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상이 되도록 투명 도전막을 갖는 기판을 제조할 수 있다고 하는 결과를 얻었다.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 저항률과 광 흡수율을 가급적으로 저감한 투명 도전막이나, 투명 도전막을 갖는 기판을 제공할 수 있다.
도 1은 챔버 내의 산소량과 ITO 막의 시트 저항의 관계를 나타내는 개념도이다.
도 2는 캐리어 농도와 캐리어 이동도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3은 캐리어 이동도/캐리어 농도와, 광 흡수도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 광 산란층이 없는 경우에 있어서의 ITO막의 광 흡수율과 광 산란층이 있는 경우의 ITO막의 광 흡수율의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5는 유기 EL 조명의 일례를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 일실시형태에 따른 투명 도전막을 갖는 기판이 조립된 유기 EL 조명을 설명한다.
본 발명의 일실시형태에 따른 투명 도전막을 갖는 기판이 조립된 유기 EL 조명은 예를 들면, 기판으로서의 유리 기판, 광 산란층, 평활층, 제 1 전극으로서의 투명 도전막, 유기 EL 발광층 및 제 2 전극으로서의 금속막을 순차적으로 구비하고 있다. 이 중, 이 실시형태에 따른 투명 도전막을 갖는 기판은 유리 기판, 광 산란층, 평활층 및 투명 도전막이다.
유리 기판으로서는 소다 유리, 무알칼리 유리 등이 사용된다. 유리 기판은 오버플로우 다운드로우법이나 플로트법 등에 의해 형성된다. 유리 기판의 두께는 예를 들면 0.3∼2mm이다. 유리 기판의 굴절률은 예를 들면 1.5∼1.7이다.
광 산란층은 예를 들면, 유리 기판의 표면에 형성된 요철 구조로 이루어진다. 요철 구조로 이루어지는 광 산란층은 예를 들면, 유리 페이스트를 유리 기판의 표면에 스크린 인쇄함으로써 형성된다. 광 산란층의 두께는 예를 들면, 1∼10㎛이다. 광 산란층의 굴절률은 예를 들면, 1.4∼1.7이지만, 본 실시형태에서는 유리 기판의 굴절률과 정합되어 있다. 또한, 광 산란층은 광을 산란하는 기능을 갖는 것이면 특별하게 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 평활한 층 중에 광 산란성을 갖는 물질(예를 들면, TiO2 등)을 분산시킨 구조 등이어도 된다.
평활층은 요철 구조로 이루어지는 광 산란층의 표면을 평활하게 고르게 하는 역할을 한다. 평활층은 예를 들면, 유리 페이스트를 광 산란층 상에 도포함으로써 형성된다. 평활층의 두께는 예를 들면 5∼50㎛이다. 평활층의 굴절률은 예를 들면 1.7∼2.1이지만, 이 실시형태에서는 투명 도전막의 굴절률과 정합되어 있다. 또한, 광 산란층이 평활한 층인 경우, 평활층은 생략해도 좋다.
투명 도전막은 ITO막으로 구성된다. 투명 도전막은 진공 증착법, 스퍼터링법 등에 의해 형성된다. 투명 도전막의 두께는 예를 들면, 20∼350nm이다. 투명 도전막의 굴절률은 예를 들면, 1.7∼2.1이다. 본 실시형태에서는 투명 도전막의 굴절률이 유리 기판의 굴절률보다 크다.
유기 EL 발광층은 단층 또는 다층 구조이다. 유기 EL 발광층은 진공 증착법, 스핀코트법, 캐스트법 등에 의해 형성된다. 유기 EL 발광층의 두께는 예를 들면 20∼200nm이다.
금속막은 Al막 등으로 구성된다. 금속막은 진공 증착법, 스퍼터링법 등에 의해 형성된다. 금속막의 두께는 예를 들면, 50∼200nm이다.
이상과 같은 구성에 의해, 투명 도전막과 금속막에 의해, 유기 EL 발광층에 전압을 인가해서 유기 EL 발광층을 발광시키고, 그 발광시킨 광을 투명 도전막을 통과시키면서 광 산란층에 산란시킨다. 이것에 의해 유리 기판측으로부터 광을 인출하고, 소정의 대상물 등을 비춘다.
그리고, 이렇게 광 산란층을 구비한 유기 EL 조명의 경우, 유기 EL 발광층에서 발광한 광은 광 산란층에서 산란해서 사방으로 확산하기 때문에, 광 산란층과 금속막 사이에서 반사를 반복하는 광의 성분이 많아진다. 그 결과, 광 산란층과 금속막 사이에 있는 투명 도전막에 있어서의 광의 흡수가 유기 EL 조명의 특성에 크게 영향을 준다.
그래서, 투명 도전막은 다음과 같은 특성을 갖는 것으로 했다.
즉, 투명 도전막은 (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 2×10-20cm5/V/S 이상이다. (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)는 바람직하게는 3.2×10-20cm 5/V/S 이상이고, 더욱 바람직하게는 3.6×10-20cm5/V/S 이상이다. (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 커지면, 투명 도전막의 광 흡수율이 작아진다. 그리고, (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 2×10-20cm5/V/S 이상이 되면, 광 산란층을 갖는 유기 EL 조명에 사용해도 문제없는 정도까지, 투명 도전막(4)의 광 흡수율이 작아진다.
또한, 투명 도전막은 (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상이다. (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)는 바람직하게는 350×1020cm-1/V/S 이상이다. 또한, (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)는 바람직하게는 505×1020cm-1/V/S 이하이다. (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 커지면, 투명 도전막의 저항률이 작아진다. 그리고, (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상이 되면, 광 산란층을 갖는 유기 EL 조명에 사용해도 문제없는 정도까지, 투명 도전막의 저항률이 작아진다.
여기서, 투명 도전막은 (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 3.6×10-20cm5/V/S이상이며, 또한 (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상인 것이 바람직하다. 또한, 투명 도전막은 (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 2×10-20cm 5/V/S 이상, 505×10-20cm5/V/S 이하이고, 또한 (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상이어도 된다.
다음에, 상기 구성의 투명 도전막을 갖는 기판이 조립된 유기 EL 조명의 제조 방법의 일례를 설명한다. 또한, 이 제조 방법 중에서, 투명 도전막을 갖는 기판의 제조 방법도 아울러 설명한다.
(산란층의 형성 공정)
우선, 유리 기판으로서, 소다 유리 기판을 준비한다. 다음에 유리 기판 상에 아연 붕산계 유리 페이스트를 스크린 인쇄함과 아울러, 대기 분위기 하에서 건조한다. 그 후, 대기 분위기 하에서 유리 페이스트를 소성함으로써, 유리 기판 상에 유리로 이루어지는 광 산란층을 형성한다. 또한, 유리 기판 및 광 산란층의 굴절률은 1.6으로 한다.
(평활층의 형성 공정)
이어서, 광 산란층 상에 비스무트계 유리 페이스트를 어플리케이터로 도포하고, 대기 분위기 하에 건조한다. 그 후, 대기 분위기 하에 유리 페이스트를 소성함으로써, 광 산란층 상에 유리로 이루어지는 평활층을 형성한다. 또한, 평활층의 굴절률은 1.9로 한다.
(투명 도전막의 형성 공정)
그 후, 평활층 상에 ITO막으로 이루어지는 투명 도전막을 스퍼터링법에 의해 형성한다. 스퍼터링 시에는 스퍼터링 장치의 챔버 내에 광 산란층 및 평활층이 형성된 유리 기판과 산화 인듐 주석의 타겟(성막 재료)을 배치한다. 이 상태에서, 챔버 내에 반응 가스로서 아르곤과 산소의 혼합 가스를 공급한다. 스퍼터링 시의 유리 기판의 온도는 150℃∼350℃로 한다.
이 때, 챔버 내의 산소 농도는 0.5%∼0.9%, 바람직하게는 0.6%∼0.8%로 한다. 여기서, 도 1에 나타내는 바와 같이, 챔버 내의 산소 농도가 낮은 경우와 높은 경우에서, 투명 도전막(4)의 시트 저항 곡선의 기울기가 커지는 경향이 있다. 즉, 약간의 산소 농도 변화에 대하여 시트 저항이 크게 변화될 경향이 있다. 한편, 챔버 내의 산소 농도가 이들의 중간의 경우(0.2%∼0.5%)에서 투명 도전막(4)의 시트 저항 곡선의 기울기가 작아진다. 즉, 약간의 산소 농도 변화에 대하여 시트 저항 변화가 거의 보이지 않는다. 따라서, 통상, 투명 도전막은 시트 저항의 불균일을 작게 하기 위해서, 0.2%∼0.5%의 산소 농도의 범위에서 형성된다. 이에 대하여 본 실시형태에서는 챔버 내의 산소 농도가 높아지면, 제조되는 투명 도전막의 광 흡수율이 낮아진다고하는 지견에 의거하여 챔버 내의 산소 농도를 0.5% 이상으로 높게 설정하고 있다. 또한, 챔버 내의 산소 농도를 지나치게 높게 하면, 상술한 바와 같이, 투명 도전막의 시트 저항의 불균일이 지나치게 커지므로, 챔버 내의 산소 농도는 0.9% 이하로 하고 있다.
이상과 같은 조건에서 스퍼터링을 행함으로써 (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 3.6×10-20cm5/V/S 이상이고, 또한 (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상인 투명 도전막을 형성한다.
또한, 투명 도전막의 굴절률은 1.9로 한다.
(유기 EL 발광층의 형성 공정 및 금속막의 형성 공정)
다음에 투명 도전막 상에 유기 EL 발광층을 진공 증착법에 의해 형성한다. 그 후, 제 유기 EL 발광층 상에 금속막을 진공 증착법에 의해 형성한다.
실시예
본 발명의 실시예 1∼8로서, 유리 기판 상에 ITO막을 스퍼터링법에 의해 형성하고, ITO막을 갖는 기판을 제조했다. 스퍼터링 시의 유리 기판의 온도는 350℃로 하고 챔버 내의 산소 농도는 0.5%∼0.9%의 범위 내에서 적당하게 조정했다.
또한, 비교예 1은 챔버 내의 산소 농도 이외는 실시예 1∼8과 실질적으로 동일한 제조 조건이다.
이상과 같이 제조된 실시예 1∼8 및 비교예 1의 각종 특성을 평가한 결과를, 표 1에 나타낸다. 또한, 표 1에는 특허문헌 1 및 특허문헌 2의 대응하는 데이터를 비교예 2∼11로서 기재하고 있다. 비교예 9∼11의 저항률은 캐리어 농도와 캐리어 이동도의 값으로부터 연산에 의해 구하고 있다.
Figure pct00001
표 중의 실시예 1∼8 및 비교예 1에 있어서의 막두께는 Veeco사 제작의 Dektak 6M, 시트 저항은 Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd. 제작 MCP-T360, 저항률, 캐리어 농도(n) 및 캐리어 이동도(μ)는 TOYO Corporation 제작의 ResiTest 8320을 이용하여 측정했다.
표 중의 실시예 1∼8 및 비교예 1에 있어서의 ITO막의 광 흡수율의 측정은 다음과 같이 하여 행했다. 또한, 하기의 1∼2, 4∼5에 있어서의 시감 투과율 및 시감 반사율은 Hitachi, Ltd. 제작의 U-4100 또는 Shimadzu Corporation 제작의 UV-3100PC를 이용하여 측정했다.
1. ITO막을 갖는 기판의 시감 투과율(A)을 ISO9050에 준거한 방법으로 측정한다.[측정 파장: 380nm∼780nm, 표준 광원: D65]
2. ITO막을 갖는 기판의 시감 반사율(B)을 ISO9050에 준거한 방법으로 측정한다.[측정 파장: 380nm∼780nm, 표준 광원: D65]
3. ITO막을 갖는 기판의 광 흡수율(C)=100%-(A)-(B)
4. ITO막을 갖지 않는 기판의 시감 투과율(D)을 ISO9050에 준거한 방법으로 측정한다.[측정 파장: 380nm∼780nm, 표준 광원: D65]
5. ITO막을 갖지 않는 기판의 시감 반사율(E)을 ISO9050에 준거한 방법으로 측정한다.[측정 파장: 380nm∼780nm, 표준 광원: D65]
6. ITO막을 갖지 않는 기판의 광 흡수율(F)=100%-(D)-(E)
7. ITO막의 광 흡수율(G)=(C)-(F)
표 중의 실시예 1∼8 및 비교예 1에 있어서의 광 흡수율은 막두께에 의존한다. 즉, 막두께가 커지면, 광 흡수율은 필연적으로 높아진다. 그 때문에 광 흡수율의 값을 100nm의 막두께당의 값으로 규격화한 것을 광 흡수도로 했다.
다음에, 표 1에 나타낸 실시예 1∼8 및 비교예 1∼11에 있어서의 캐리어 농도와 캐리어 이동도의 관계를 도 2에 나타낸다.
도 2로부터, (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 2×10-20cm 5/V/S 이상이고, 또한, (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상인 범위 내에 실시예 1∼8이 있고, 비교예 1∼11은 이 범위 외에 있는 것을 확인할 수 있다. 그리고, 표 1로부터 실시예 1∼8은 저항률이 1.72×10-4(Ω·cm) 이하이고, 또한 광 흡수도가 2.14% 이하인 것이 확인된다. 이에 대하여 비교예 1은 저항률이 1.23×10-4(Ω·cm)이고, 또한 광 흡수도가 2.97%이다. 즉, 비교예 1에서는 저항률은 낮지만, 광 흡수도가 높게 되어 있지만, 실시예 1∼8에서는 저항률과 광 흡수도가 함께 낮아진다고 하는 양호한 결과로 되어 있다. 또한, 유기 EL 조명의 경우, 저항률보다 광 흡수도쪽이 특성에 주는 영향이 크다고 생각된다.
또한, 표 1에 나타낸 실시예 1∼8에 있어서의 (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)와 광 흡수도의 관계를 도 3에 나타낸다.
도 3으로부터, (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 커짐에 따라서 광 흡수도가 작아지는 것을 인식할 수 있다. 즉, (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 광 흡수도를 평가하는 파라미터로서 유효한 것을 인식할 수 있다.
여기서, 광 산란층이 없는 경우에 있어서의 ITO막의 광 흡수율(가로축)과 광 산란층이 있는 경우의 ITO막의 광 흡수율(세로축)의 관계를 도 4에 나타낸다.
도 4에서, 유리 기판과 ITO막으로 이루어지는 투명 도전막을 갖는 기판(광 산란층 없음)에 있어서 ITO막의 광 흡수율이 낮아지면, 유리 기판과 광 산란층과 ITO막으로 이루어지는 투명 도전막을 갖는 기판(광 산란층 있음)에 있어서도 ITO막의 광 흡수율이 낮아지는 것을 인식할 수 있다. 따라서, 유리 기판과 ITO막으로 이루어지는 투명 도전막을 갖는 기판을 사용한 상술의 평가 시험에 의해 얻어진 결과는 광 산란층을 형성한 경우에도 마찬가지로 적용된다. 즉, ITO막의 (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 2×10-20cm5/V/S 이상이고, 또한 (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상인 범위 내이면, 광 산란층을 갖는 투명 도전막을 갖는 기판의 경우에도, ITO막의 저항률과 광 흡수율(또는 광 흡수도)가 함께 작아지는 것은 명확하다.
이상, 본 발명의 일실시형태를 설명했지만, 상술한 유기 EL 조명 및 그 제조 방법은 당연하게 본 발명의 범위 내에 있어서 임의의 형태를 채용할 수 있다.
예를 들면, 상술의 실시형태에서는 광 산란층을 갖는 유기 EL 조명에 본 발명을 적용한 경우를 설명했지만, 광 산란층을 갖지 않는 유기 EL 조명에 본 발명에 따른 투명 도전막 및 투명 도전막을 갖는 기판을 적용해도 좋다. 즉, 도 5에 나타내는 바와 같이, 유기 EL 조명은 유리 기판(1), 투명 도전막(2), 유기 EL 발광층(3) 및 금속막(4)으로 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 투명 도전막을 갖는 기판은 유리 기판(1)과 투명 도전막(2)으로 구성된다.
또한, 상술의 실시형태에서는 본 발명을 유기 EL 조명에 적용하는 경우를 설명했지만, 본 발명에 따른 투명 도전막 및 투명 도전막을 갖는 기판을 디스플레이장치 등에 적용해도 좋다.
1 : 유리 기판 2 : 투명 도전막(제 1 전극)
3 : 유기 EL 발광층 4 : 금속막(제 2 전극)

Claims (4)

  1. 산화 인듐 주석막으로 이루어지는 투명 도전막으로서,
    (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 2×10-20cm5/V/S 이상이고, 또한 (캐리어 이동도)×(캐리어 농도)가 200×1020cm-1/V/S 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  2. 제 1 항에 있어서,
    (캐리어 이동도)/(캐리어 농도)가 3.6×10-20cm5/V/S 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막.
  3. 기판 상에 광 산란층과 산화 인듐 주석막으로 이루어지는 투명 도전막을 구비한 투명 도전막을 갖는 기판으로서,
    상기 투명 도전막의 캐리어 이동도를 μ(cm2/V/S), 캐리어 농도를 n(cm-3)으로 한 경우에,
    μ/n이 2×10-20cm5/V/S 이상이고, 또한 μ×n이 200×1020cm-1/V/S 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막을 갖는 기판.
  4. 기판 상에 산화 인듐 주석막으로 이루어지는 투명 도전막을 구비한 투명 도전막을 갖는 기판의 제조 방법으로서,
    상기 기판을 산화 인듐 주석의 타겟을 갖는 챔버 내에 배치함과 아울러, 상기 챔버 내의 산소 농도를 0.5%∼0.9%로 한 상태에서 스퍼터링을 행하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막을 갖는 기판의 제조 방법.
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