KR20180087820A - 레지스트 박리액 조성물 - Google Patents

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KR20180087820A
KR20180087820A KR1020170124242A KR20170124242A KR20180087820A KR 20180087820 A KR20180087820 A KR 20180087820A KR 1020170124242 A KR1020170124242 A KR 1020170124242A KR 20170124242 A KR20170124242 A KR 20170124242A KR 20180087820 A KR20180087820 A KR 20180087820A
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방순홍
최한영
홍헌표
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다:
[화학식 1]
Figure pat00006

(상기 화학식 1로 표시되는 치환기는 명세서 내 정의한 바와 같다).

Description

레지스트 박리액 조성물{RESIST STRIPPER COMPOSITION}
본 발명은 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
컬러필터(color filter)는 상보성 금속 산화막 반도체(complementary metal oxide semiconductor, CMOS) 또는 전하결합소자(charge coupled device, CCD)와 같은 이미지 센서의 컬러 촬영 장치 내에 내장되어 실제로 컬러 화상을 얻는데 이용될 수 있으며, 이 밖에도 촬영소자, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 액정표시장치(LCD), 전계방출 디스플레이(FEL) 및 발광 디스플레이(LED) 등에 널리 이용되는 것으로, 그 응용 범위가 급속히 확대되고 있다. 특히, 최근에는 액정표시장치(LCD)의 용도가 더욱 확대되고 있으며, 이에 따라 액정표시장치(LCD)의 색조를 재현하는데 있어서 컬러필터는 가장 중요한 부품 중의 하나로 인식되고 있다.
컬러필터 기판은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 패턴과 각 화소 사이의 누설광을 차단하고 대비를 향상시키기 위한 역할을 하는 블랙 매트릭스와 액정셀에 전압을 인가하는 공통전극으로 구성되어 있다.
컬러필터는 용도에 따라 선택된 블랙매트릭스 재료를 유리 기판에 도포하고 블랙 마스크 패턴을 형성한 후, 포토리소그래피 공정에 의해 컬러 레지스트 패턴을 형성함으로써 제조된다.
이러한 컬러필터 제조 공정 중 불가피하게 컬러 레지스트 패턴의 불량이 발생할 수 있다. 그러나 컬러 레지스트는 한번 경화되면 잘못된 부분만을 제거하여 수리하는 것이 거의 불가능할 뿐만 아니라, 컬러 레지스트를 제거할 수 있는 용제가 거의 없기 때문에 불량이 발생한 컬러 필터는 수리 등의 재작업을 거치지 못하고 대부분 폐기 처리되어 생산성이 저하되는 문제가 있다.
레지스트는 크게 포지티브형 레지스트와 네거티브형 레지스트로 나눌 수 있다. 포지티브형 레지스트는 제거가 보다 용이하여 유기용제 기반의 박리제에 의해 40 내지 50℃의 온도 조건에서 1분 이내에 제거되며, 네거티브형 레지스트는 경화도가 높고 열처리에 의해 단단해져 박리 제거가 어려운 특성을 갖고 있다. 이에 따라 컬러 레지스트의 제거를 위해서는 70℃ 이상의 온도 조건에서 5분 이상의 시간이 소요되므로, 보다 강력한 박리 성능이 요구된다.
전술한 여러 조건들 중에서 가장 주요 항목은 대상이 되는 칼라레지스트에 대해 우수한 제거 성능을 가져야 하며 칼라레지스트 하부층의 절연막이나 금속막을 손상시키지 않아야 하는 저부식성을 가져야 한다. 이를 충족시키기 위해 다양한 조성을 갖는 칼라레지스트 박리액 조성물이 연구, 개발되고 있다.
또한, 대한민국 등록특허 제10-1333779호는 티에프티 엘시디용 칼라 레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, (a) 무기 알칼리 하이드록사이드, 암모늄 하이드록사이드, 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬 암모늄 하이드록사이드 및 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 페닐알킬 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 군에서 선택되는 하이드록사이드 화합물 1 내지 20 중량%; (b) 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 갖는 알킬렌글리콜에테르 및 알킬렌 글리콜로 이루어진 군에서 1종 이상 선택되는 화합물 1 내지 70 중량%; (c) 하이드록실아민 0.5 내지 10 중량%; (d) 알콕시알킬아민 0.5 내지 50 중량%; 및 (e) 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 칼라레지스트 박리액 조성물을 개시하고 있다.
그러나, 상기 선행 문헌들은 비점이 낮은 하이드록실 아민을 사용하고 있기 때문에 경시 성능 안정성이 부족하며, 비점이 낮은 원료 사용으로 인한 약액 로스(loss) 증가로 공정성 확보가 어려운 문제점이 있다.
대한민국 등록특허 제10-1333779호(2013.11.21. 주식회사 동진쎄미켐)
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 특정 화학식으로 표시되는 알콕시 하이드록실아민 화합물을 포함함으로써, 휘발량을 최소화하고 장시간 사용에도 박리속도를 유지할 수 있는 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(상기 화학식 1로 표시되는 치환기는 명세서 내 정의한 바와 같다).
상기한 바와 같이 본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 특정 화학식으로 표시되는 알콕시하이드록실아민 화합물을 포함함으로써, 휘발량을 최소화하고 장시간 사용에도 박리속도를 유지할 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하며, 보다 자세히 후술하기로 한다.
알콕시 하이드록실아민 화합물
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서,
R1은 탄소수 1 내지 3의 알킬기, 탄소수 1 내지 3의 알콕시기로 치환된 알킬기 또는 히드록실아미노기이고,
R2는 메틸기 또는 에틸기이고,
n은 1 내지 2의 정수이다.
본 발명에 있어서, 알킬기는 특별히 한정되지는 않으나, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 1 내지 3인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 N,N-디-(2-메톡시에틸)하이드록실아민, N,N-디-(2-에톡시에틸)하이드록실아민, N-(하이드록시아미노)-N-(메톡시메틸)하이드록실아민, N-에틸-N-(2-메톡시에틸)하이드록실아민, N-에틸-N-(2-에톡시에틸)하이드록실아민, N,N-디(2-메톡시에톡시에틸)하이드록실아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 0.1 내지 5중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 이때, 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 범위를 만족하는 경우, 목표하는 제거 속도를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 4급 암모늄염 화합물, 극성 유기용매, 무기염기 또는 그의 염화합물, 물, 알콕시 알킬아민 화합물 및 부식방지제로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
4급 암모늄염 화합물
상기 제4급 암모늄염 화합물은 하이드록사이드 이온이 고분자 레지스트 내로 침투하여 경화된 고분자를 분해시키고, 분해된 올리고머들의 용해를 촉진하는 역할을 한다. 이때, 제4급 암모늄염 화합물은 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH), 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 제4급 암모늄염 화합물은 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 1 내지 15중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 제4급 암모늄염 화합물이 상기 범위를 만족하는 경우, 하이드록사이드 이온이 고분자 레지스트 내로 침투하여 경화된 고분자를 분해시킬 수 있다.
극성 유기용매
상기 극성 유기용매는 경화된 고분자 레지스트에 침투하여 팽윤시키고, 분해된 레지스트를 용해시키는 역할을 한다.
이때, 극성 유기용매는 극성용제는 디메틸설폭사이드, 디에틸설폭사이드, 디프로필설폭사이드, 설포란, N-에틸포름아마이드, 디에틸포름아마이드, 디메틸프로피온아마이드, n-메틸피롤리돈, 피롤리돈, n-에틸피롤리돈 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 극성 유기용매는 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 20 내지 60중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 극성 유기 용제가 상기 범위를 만족하는 경우, 경화된 고분자 레지스트에 침투하여 팽윤시키고, 분해된 레지스트를 용해시킬 수 있다.
무기염기 또는 그의 염화합물
상기 무기염기 또는 그의 염은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 중탄산나트륨, 중탄산칼륨, 질산나트륨, 질산칼륨, 황산나트륨, 황산칼륨, 규산나트륨, 규산칼륨, 아세트산나트륨, 아세트산칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 무기염기 또는 그의 염은 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 0.01 내지 1중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 이때, 무기염기 또는 그의 염이 상기 범위를 만족하는 경우, 컬러레지스트 및 유기계 절연막에 대한 박리력 상승 효과를 볼 수 있다.
물
상기 물은 린스 공정시, 기판상에 잔존하는 유기 오염물 및 레지스트 박리액을 빠르고 안전하게 제거시킬 수 있다. 이때, 물은 반도체 공정용의 물로서, 비저항값이 18MΩ/cm 이상인 탈 이온수를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 물은 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 잔량으로 포함될 수 있다.
알콕시 알킬아민 화합물
상기 알콕시 알킬아민 화합물은 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00003
상기 화학식 2에서,
R3은 탄소수 1 내지 6의 사슬형 또는 고리형 알콕시기이며, 상기 알콕시기는 탄소수 1 내지 6의 사슬형 또는 고리형 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 3의 알콕시기로 치환된 것 일 수 있고,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 또는 탄소수 1 내지 6의 사슬형 또는 고리형 알킬기이고,
m은 1 내지 4의 정수이다.
본 발명에 있어서, 알콕시기는 특별히 한정되지는 않으나, 사슬형 또는 고리형일 수 있고, 탄소수는 1 내지 6인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, t-부톡시, n-펜톡시 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
상기 알콕시 알킬아민 화합물은 메톡시에틸아민, 메톡시프로필아민, 에톡시프로필아민, 프로폭시에틸아민, 이소프로폭시프로필아민, 메톡시에톡시프로필아민, 옥솔란-2-일-메탄아민, (옥솔란-2-일-메틸)부탄-1-아민 및 메틸옥솔란-2-일-메탄아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
본 발명의 알콕시 알킬아민 화합물은 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 5 내지 30 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 알콕시 알킬아민 화합물이 상기 범위를 만족하는 경우, 칼라 레지스트를 유리 기판으로부터 완전하게 분리할 수 있다.
부식방지제
상기 부식방지제는 특별히 제한되지 않으며, 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 5-아미노테트라졸, 2,2'-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2'-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2'-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올을 포함하는 아졸계 화합물; 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논을 포함하는 퀴논계 화합물; 카테콜; 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 갈릭산을 포함하는 알킬 갈레이트류 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 부식 방지제는 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 0.1 중량% 내지 5 중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 부식 방지제가 상기 범위를 만족하는 경우, 금속 배선의 부식을 억제할 수 있다.
상술한 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 상기에서 언급한 화합물들을 각각 소정량으로 유리하게 혼합하여 제조될 수 있으며, 그 혼합 방법은 특별히 제한되지 않고 여러 가지 공지의 방법을 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은 하드베이킹, 플라즈마에칭, 고온 에싱 후 잔류하는 포토레지스트 및 잔류물과 이온 주입 공정 후 경화된 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 박리방법을 제공한다.
상기의 박리 방법은 당업계에 통상적으로 알려진 방법에 의하여 수행할 수 있으며, 박리 용액과 경화되거나 폴리머로 변질된 포토레지스트가 있는 기판이 접촉할 수 있는 방법이면 양호한 결과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 박리 방법으로는 예를 들어 침적, 분무, 또는 침적 및 분무를 이용한 방법 등이 적용된다. 침적, 분무, 또는 침적 및 분무에 의하여 박리하는 경우, 박리 조건으로서 온도는 대개 10 내지 100℃, 바람직하게는 20 내지 80℃이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 40분, 바람직하게는 1분 내지 20분이지만, 본 발명에 있어서 상기 조건이 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이한 그리고 적합한 조건에서 수행될 수 있다.
구체적으로 본 발명에 따른 포토레지스트의 박리방법은 기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계; 상기 노광 후의 포토레지스트막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 포스트베이크로 완전 경화시키는 단계; 상기 완전 경화된 포토레지스트 패턴의 불량을 검사하는 단계; 상기 완전 경화된 포토레지스트 불량패턴을, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 10 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 40분 동안 침적, 분무, 또는 침적 및 분무하여 제거(박리)하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다. 또한, 이하에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 중량 기준이다.
실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 6
하기 표 1의 성분을 포함한 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 6의 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
　 제4급 암모늄 염 화합물 극성 용제 하이드록실아민 화합물 무기염기 또는
그의 염		 화학식 2 화합물 부식방지제 물
종류 중량% 종류 중량% 종류 중량% 종류 중량% 종류 중량% 종류 중량% 중량%
실시예1 TMAH 15 DMSO 35.0 A1 5.0 - - - - - - 잔량
실시예2 TMAH 12.5 DMSO 44.0 A1 5.0 수산화칼륨 0.45 - - - - 잔량
실시예3 TMAH 7 DMSO 52.6 A1 4.0 수산화칼륨 0.45 B1 15 - - 잔량
실시예4 TMAH 8.8 DMSO 33.9 A1 2.0 수산화칼륨 0.09 B1 20 - - 잔량
실시예5 TMAH 11.3 DMSO 29.1 A1 0.8 탄산칼륨 0.15 B1 25 BTA 0.5 잔량
실시예6 TMAH 11.3 DMSO 29.6 A2 1.0 탄산칼륨 0.3 B1 22 BTA 2 잔량
실시예7 TMAH 11.3 DMSO 36.1 A1 3.0 아세트산칼륨 0.2 B1 15 BTA 0.5 잔량
실시예8 TEAH 14 DEF/DMSO 10/37 A1 1.0 질산칼륨 0.5 B1 10 BTA 1.5 잔량
실시예9 TMAH 7.5 NEP/DMSO 10/31.8 A1 1.5 질산칼륨 0.2 B1 18 TTA 1 잔량
실시예10 TMAH 12 Sulfolane 31.8 A1 2.0 수산화칼륨 0.2 B2 5 BTA 1 잔량
실시예11 TMAH 5 DMSO 45.2 A1 2.0 질산칼륨 0.8 B1 30 ATZ 2 잔량
실시예12 TBAH/TMAH 5/10 DMSO 24.9 A1 3.0 수산화나트륨 0.1 B1 20 TTA 2 잔량
비교예1 TMAH 11.3 DMSO 39.4 - - 수산화칼륨 0.45 B1 15 - - 잔량
비교예2 TMAH 11.3 DMSO 39.4 - - 수산화칼륨 0.45 B1 15 TTA 2 잔량
비교예3 TMAH 11.3 DMSO 37.6 HA 1 질산칼륨 0.2 B1 15 TTA 1 잔량
비교예4 TMAH 8.8 DMSO 34.1 DEHA 0.8 질산칼륨 0.1 B1 20 BTA 1 잔량
비교예5 TMAH 11.3 DMSO 37.6 HAS 1 수산화칼륨 0.1 B1 15 BTA 1 잔량
비교예6 TMAH 11.3 DMSO 37.6 DMHA 1 수산화칼륨 0.1 B1 15 BTA 1 잔량
TMAH : 테트라메틸암모늄하이드록사이드
TEAH : 테트라에틸암모늄하이드록사이드
TBAH : 테트라부틸암모늄하이드록사이드
DMSO : 디메틸설폭사이드
DEF : 디에틸포름아마이드
NEP : N-에틸피롤리돈
A1 : N,N-디-(2-메톡시에틸)하이드록실아민
A2 : N-에틸-N-(2-메톡시에틸)하이드록실아민
HA : 하이드록실아민
DEHA : 디에틸하이드록실아민
HAS : 하이드록실아민설페이트
DMHA : N,N-디메틸하이드록실아민
B1 : 메톡시에톡시프로필아민
B2 : 옥솔란-2-일메탄아민
BTA : 1,2,3-벤조트리아졸
ATZ : 5-아미노테트라졸
TTA : 메틸-1-수소-벤조트리아졸
실험예: 레지스트 제거 평가
레지스트의 제거 평가는 CS를 형성하는 투명재료 및 Red, Green, Blue(이하 WRGB)가 각 pixel에 도포되어 있는 칼라필터 기판을 사용하였다. 칼라레지스트는 도포 후 90℃에서 120초간 프리베이크 후 노광을 시킨 후에 현상한 후 오븐에서 패턴이 형성된 기판을 220℃ 오븐에서 하드베이크 하여 제작되었다.
상기의 칼라레지스트 패턴이 형성되어 있는 칼라필터 기판 상부에는 재료간 단차부를 해소하기 위한 오버코트 층이 도포 되어 있고, 이 유기막층은 광경화를 통해 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
컬러필터 패턴 기판 상부의 유기막 및 투명재료를 포함하는 컬러 레지스트의 제거성을 확인하기 위해 75℃의 용액에 5분, 10분, 15분간 침적하여 광학현미경으로 레지스트의 잔존 여부를 확인 하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<평가 기준>
◎ : 레지스트 100% 제거
○ : 레지스트 80% 이상 제거
△ : 레지스트 80% 미만 제거
X : 레지스트 제거 안됨
WRGB 기판-0hr WRGB 기판-12시간 경과 후
제거 시간 5분 10분 15분 5분 10분 15분
실시예1 △ ○ ◎ △ ○ ○
실시예2 △ ○ ◎ △ ○ ◎
실시예3 ○ ◎ ◎ ○ ◎ ◎
실시예4 ○ ◎ ◎ ○ ◎ ◎
실시예5 △ ○ ◎ △ ○ ◎
실시예6 △ ◎ ◎ △ ◎ ◎
실시예7 ○ ◎ ◎ ○ ◎ ◎
실시예8 △ ○ ◎ △ ○ ◎
실시예9 ○ ◎ ◎ ○ ◎ ◎
실시예10 ○ ◎ ◎ ○ ◎ ◎
실시예11 ○ ◎ ◎ ○ ◎ ◎
실시예12 ○ ◎ ◎ ○ ◎ ◎
비교예1 X X △ X X X
비교예2 △ ○ ◎ X △ ○
비교예3 △ ○ ◎ X △ ○
비교예4 △ ○ ◎ X △ ○
비교예5 X X △ X X X
비교예6 X △ ○ X X △
상기 표 2를 참조하면, 본 발명에 따라 제조된 실시예 1 내지 12의 경우, 레지스트 제거력이 우수한 것을 알 수 있다. 반면에, 비교예 1 내지 6은 대부분 레지스트가 제거되지 않거나 초기에는 제거가 되더라도 12hr 경과 후 재 평가시 제거성이 떨어져 제거되지 않은 것을 알 수 있다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00004

    (상기 화학식 1에서,
    R1은 탄소수 1 내지 3의 알콕시기로 치환 또는 비치환된 알킬기 또는 히드록실아미노기이고,
    R2는 메틸기 또는 에틸기이고,
    n은 1 내지 2의 정수이다).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1의 화합물은
    상기 레지스트 박리액 100 중량%에 대하여, 0.1 내지 5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트 박리액 조성물은
    4급 암모늄염 화합물, 극성 유기용매, 무기염기 또는 그의 염화합물, 물, 알콕시 알킬아민 화합물 및 부식방지제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 4급 암모늄염 화합물은
    상기 레지스트 박리액 100 중량%에 대하여, 1 내지 15 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 극성 유기용매는
    상기 레지스트 박리액 100 중량%에 대하여, 20 내지 60 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 무기염기 또는 그의 염화합물은
    상기 레지스트 박리액 100 중량%에 대하여, 0.01 내지 1 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 알콕시 알킬아민 화합물은 하기 화학식 2의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물:
    [화학식 2]
    Figure pat00005

    (상기 화학식 2에서,
    R3은 탄소수 1 내지 6의 사슬형 또는 고리형 알콕시기이며, 상기 알콕시기는 탄소수 1 내지 6의 사슬형 또는 고리형 알킬기, 또는 탄소수 1 내지 3의 알콕시기로 치환된 것일 수 있고,
    R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 또는 탄소수 1 내지 6의 사슬형 또는 고리형 알킬기이고,
    m은 1 내지 4의 정수이다).
  8. 제3항에 있어서,
    상기 알콕시 알킬아민 화합물은
    상기 레지스트 박리액 조성물 100 중량%에 대하여, 5 내지 30 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 부식 방지제는
    상기 레지스트 박리액 조성물 100 중량%에 대하여, 0.1 내지 5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
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