KR20180075619A - 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180075619A
KR20180075619A KR1020187014970A KR20187014970A KR20180075619A KR 20180075619 A KR20180075619 A KR 20180075619A KR 1020187014970 A KR1020187014970 A KR 1020187014970A KR 20187014970 A KR20187014970 A KR 20187014970A KR 20180075619 A KR20180075619 A KR 20180075619A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mass
parts
thermosetting adhesive
resin component
adhesive sheet
Prior art date
Application number
KR1020187014970A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102042195B1 (ko
Inventor
다이치 모리
도모유키 이시마츠
Original Assignee
데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 filed Critical 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Publication of KR20180075619A publication Critical patent/KR20180075619A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102042195B1 publication Critical patent/KR102042195B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B32B3/08—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/08—Macromolecular additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02013—Grinding, lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/02—2 layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/584—Scratch resistance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/714—Inert, i.e. inert to chemical degradation, corrosion
    • B32B2307/7145—Rot proof, resistant to bacteria, mildew, mould, fungi
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2405/00—Adhesive articles, e.g. adhesive tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2400/00—Presence of inorganic and organic materials
    • C09J2400/20—Presence of organic materials
    • C09J2400/22—Presence of unspecified polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼의 휨을 저감시킴과 함께, 칩핑의 발생을 저감시킬 수 있는 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 에폭시 화합물과, 경화제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된 열경화성 접착층을 가지며, 에폭시 화합물의 에폭시 당량의 역수에 수지 성분 중의 에폭시 화합물의 함유율을 곱한 값의 총합이, 1.15E-04 이상이고, 필러의 배합량이 수지 성분 100질량부에 대해 50질량부 이상인 열경화성 접착 시트를 다이싱하기 전에 반도체 웨이퍼의 연마면에 접합하여, 경화시킨다.

Description

열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법
본 발명은, 다이싱 공정 시의 크랙을 방지하기 위하여, 반도체 웨이퍼를 보강하는 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원은, 일본에서 2015년 12월 14일에 출원된 일본 특허 출원 제2015-243649호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 이 출원은 참조됨으로써, 본 출원에 원용된다.
반도체 칩 제조 공정에 있어서, 다이싱(개별화) 공정은, 반도체 웨이퍼에 대해 상당한 스트레스를 준다. 이로 인해, 반도체 웨이퍼에 칩핑이라고 불리는 크랙이 발생하고, 불량률이 높아지는 경우가 있다.
이러한 문제를 미연에 방지할 목적으로, 다이싱 공정의 직전(백그라인드 후)에 반도체 웨이퍼를 보강하는 열경화성 접착 시트를 접합하는 것이 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).
그러나, 반도체 웨이퍼의 박형화에 수반하여, 반도체 웨이퍼의 휨량이 커지게 되었기 때문에, 다이싱 테이프의 접합이 곤란해지는 경우가 있었다.
일본 특허 공개 제2002-280329호 공보
본 발명은, 이러한 종래의 실정에 감안하여 제안된 것으로, 반도체 웨이퍼의 휨을 저감시킴과 함께, 칩핑의 발생을 저감시킬 수 있는 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 열경화성 접착 시트는 에폭시 화합물과, 경화제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된 열경화성 접착층을 가지며, 상기 에폭시 화합물의 에폭시 당량의 역수에, 상기 수지 성분 중의 에폭시 화합물의 함유율을 곱한 값의 총합이, 1.15E-04 이상이고, 상기 필러의 배합량이 수지 성분 100질량부에 대해 50질량부 이상인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼를 연마하는 그라인드 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 접합하여 경화시켜, 상기 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시키는 경화 공정과, 상기 반도체 웨이퍼의 열경화성 접착 시트면에 다이싱 테이프를 접합하여, 다이싱하는 다이싱 공정을 가지며, 상기 열경화성 접착 시트가, 에폭시 화합물과, 경화제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된 열경화성 접착층을 갖고, 상기 에폭시 화합물의 에폭시 당량의 역수에, 상기 수지 성분 중의 에폭시 화합물의 함유율을 곱한 값의 총합이, 1.15E-04 이상이고, 상기 필러의 배합량이 수지 성분 100질량부에 대해 50질량부 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 접합하여 경화시킴으로써, 열경화성 접착 시트가 수축하여, 반도체 웨이퍼의 휨을 저감할 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼를 평탄화시킨 상태에서 다이싱이 가능하게 되기 때문에, 칩핑을 저감시켜, 고품질의 반도체 장치를 얻을 수 있다.
도 1은 열경화성 접착 시트의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 2는 BG 테이프 부착 공정의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 3은 그라인드 공정의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 4는 열경화성 접착 시트 부착 공정의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 5는 BG 테이프 박리 공정의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 6은 경화 공정의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 7은 DC 테이프 부착 공정의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 8은 다이싱 처리 공정의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 9는 익스팬드 공정의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 10은 픽업 공정의 개략을 도시하는 단면도이다.
도 11은 실장 공정의 개략을 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 하기 순서로 상세히 설명한다.
1. 열경화성 접착 시트
2. 반도체 장치의 제조 방법
3. 실시예
<1. 열경화성 접착 시트>
본 실시 형태에 따른 열경화성 접착 시트는, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에 반도체 웨이퍼의 연마면에 접합되는 열경화성 접착층을 갖고, 다이싱 공정 시에 웨이퍼를 보강하여, 칩핑이라고 불리는 크랙을 방지하는 보강 시트이다.
도 1은, 열경화성 접착 시트의 개략을 도시하는 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 열경화성 접착 시트는 기재 필름층(11)과, 열경화성 접착층(12)이 적층되어 있다.
기재 필름층(11)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 천, 부직포 등을 포함하는 다공질 기재를 사용할 수 있다.
열경화성 접착층(12)은 에폭시 화합물과, 경화제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된다.
에폭시 화합물로서는, 예를 들어 테트라키스(글리시딜옥시페닐)에탄, 테트라키스(글리시딜옥시메틸페닐)에탄, 테트라키스(글리시딜옥시페닐)메탄, 트리키스(글리시딜옥시페닐)에탄, 트리키스(글리시딜옥시페닐)메탄 등의 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 스피로환형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 테르펜형 에폭시 수지, 테트라브롬비스페놀 A형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, α-나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 브롬화 페놀노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는, 1종을 단독으로 사용하거나, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다. 시장에서 입수 가능한 에폭시 화합물의 구체예로서는, 미쯔비시 가가꾸(주)의 상품명 「JER1009」(비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 2850), 상품명 「JER1031S」(테트라페닐올에탄형 에폭시 수지, 에폭시 당량 200), 상품명 「JERYL980」(액상 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량 185) 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에서는, 에폭시 화합물의 에폭시 당량의 역수에 수지 성분 중의 에폭시 화합물의 함유율을 곱한 값의 총합, 즉 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수가 1.15E-04 이상이고, 1.20E-04 이상 2.00E-03 이하인 것이 바람직하다. 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수가 1.15E-04 이상인 것에 의해, 열경화성 접착층이 크게 수축하여, 반도체 웨이퍼의 휨을 저감할 수 있다.
또한, 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수는, 하기 (1) 식으로 산출된다.
에폭시기의 몰수=에폭시 당량의 역수×수지 성분 중의 함유율…(1)
여기서, 에폭시 당량은, JIS K7236:2001로 규격화된 방법에 의해 측정된, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량(g/eq)이다.
경화제로서는, 이미다졸류, 다가 페놀류, 산 무수물류, 아민류, 히드라지드류, 폴리머캅탄류, 루이스산-아민 착체류, 잠재성 경화제 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 보존 안정성과 경화물의 내열성이 우수한 잠재성 경화제가 바람직하게 사용된다. 잠재성 경화제로서는, 디시안디아미드형 잠재성 경화제, 아민어덕트형 잠재성 경화제, 유기산 히드라지드형 잠재성 경화제, 방향족 술포늄염형 잠재성 경화제, 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제, 광 경화형 잠재성 경화제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 보존 안정성이 우수한 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제가 바람직하게 사용된다. 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제로서는, 상기의 각 경화 촉진제를 비닐 화합물, 우레아 화합물, 열가소성 수지로 캡슐화한 것을 들 수 있다. 시장에서 입수 가능한 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제의 구체예로서는, 아사히 가세이 케미컬즈(주)의 상품명 「노바큐어 HX-3941HP」(아민어덕트형 잠재성 경화제를 이소시아네이트로 처리한 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제) 등을 들 수 있다.
또한, 열경화성 접착층(12)은 수지 성분으로서, 엘라스토머, 페녹시 수지 등, 막 형성 수지로서의 중합체를 포함해도 된다. 엘라스토머로서는, 예를 들어 아크릴계 엘라스토머, 부타디엔계 엘라스토머, 에틸렌계 엘라스토머, 프로필렌계 엘라스토머, 스티렌계 엘라스토머 등을 들 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 투명성이 우수한 아크릴계 엘라스토머를 사용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 아크릴계 엘라스토머의 구체예로서는, 나가세 켐텍스(주)의 상품명 「SG-P3」 등을 들 수 있다. 또한, 페녹시 수지로서는, 예를 들어 플루오렌형 페녹시 수지, 비스페놀형 페녹시 수지, 노볼락형 페녹시 수지, 나프탈렌형 페녹시 수지, 비페닐형 페녹시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
또한, 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 바람직하게는 5000 이상 150000 이하, 보다 바람직하게는 10000 이상 80000 이하이다. 중량 평균 분자량(Mw)이 너무 작으면 시트 특성이 저하되는 경향이 있고, 너무 많으면 다른 성분의 상용성이 나빠지는 경향이 있다.
또한, 수지 성분 중의 중합체 함유율은, 바람직하게는 15wt％ 미만, 보다 바람직하게는 10％ 미만이다. 수지 성분 중의 중합체 함유율이 높아지면 웨이퍼의 휨 제어성이 저하되는 경향이 있다.
또한, 수지 성분으로서, 실란 커플링제를 첨가하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제로서는, (메트)아크릴계, 에폭시계, 아미노계, 머캅토계, 술피드계, 우레이드계 등을 사용할 수 있지만, 본 실시 형태에서는, 에폭시계 실란 커플링제가 바람직하게 사용된다. 이에 의해, 유기 재료와 무기 재료의 계면에 있어서의 밀착 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
필러는 무기 또는 유기의 모두 사용할 수 있고, 얼라인먼트에서 사용되는 적외선에 투과성을 갖는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 적외선에 투과성을 갖는 재료로서는, 예를 들어 실리카, 실리콘, 게르마늄, 석영, 사파이어 등을 들 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 레이저 마크 시인성의 관점에서 실리카를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 필러의 배합량은, 수지 성분 100질량부에 대해 50질량부 이상이며, 50질량부 이상 100질량부 이하인 것이 바람직하다. 필러의 함유량은 너무 적으면, 웨이퍼의 휨량을 저감시키는 효과가 저하되는 경향이 있고, 너무 많으면 밀착 신뢰성이 저하되는 경향이 있다.
또한, 다른 필러로서, 흑색 안료 등의 착색제를 첨가하는 것이 바람직하다. 착색제는, 레이저 마킹 부분과 다른 부분에 콘트라스트 차를 발생시켜, 레이저 마크 시인성을 향상시킨다. 이러한 착색제로서는, 예를 들어 카본 블랙, 티타늄 블랙, 산화티타늄, 산화철 등을 들 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 콘트라스트 차의 향상이라는 관점에서 카본 블랙을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 열경화성 접착 시트의 파장 1000㎚에서의 투과율은 30％ 이상인 것이 바람직하다. 이 적외선 투과율이 너무 낮으면, 적외선을 이용한 얼라인먼트를 행하는 것이 곤란해진다.
이러한 열경화성 접착 시트에 의하면, 반도체 웨이퍼의 연마면에 접합하여 경화시킴으로써, 열경화성 접착 시트가 수축하여, 반도체 웨이퍼의 휨을 저감할 수 있다. 이로 인해, 웨이퍼를 평탄화시킨 상태에서 다이싱이 가능하게 되기 때문에, 칩핑을 저감시켜, 고품질의 반도체 장치를 얻을 수 있다.
<2. 반도체 장치의 제조 방법>
이어서, 상술한 열경화성 접착 시트를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼를 연마하는 그라인드 공정과, 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 접합하여 경화시켜, 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시키는 공정과, 반도체 웨이퍼의 열경화성 접착 시트면에 다이싱 테이프를 접합하여, 다이싱하는 다이싱 공정을 갖는다. 반도체 웨이퍼의 휨을 저감시켜, 웨이퍼를 평탄화시킨 상태에서 다이싱이 가능하게 되기 때문에, 칩핑을 저감시켜, 고품질의 반도체 장치를 얻을 수 있다.
이하, 구체적인 반도체 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 구체예로서 나타내는 반도체 장치의 제조 방법은, 접착제층을 갖는 보호 테이프를 부착하는 보호 테이프 부착 공정(A)과, 그라인드 공정(B)과, 열경화성 수지 시트 부착 공정(C)과, 보호 테이프 박리 공정(D)과, 경화 공정(E)과, 점착 테이프 부착 공정(F)과, 다이싱 처리 공정(G)과, 익스팬드 공정(H)과, 픽업 공정(I)과, 실장 공정(J)을 갖는다. 또한, 보호 테이프 박리 공정(D)은 열경화성 수지 시트 부착 공정(C) 전에 행해도 된다.
[(A) 보호 테이프 부착 공정]
도 2는, 보호 테이프 부착 공정의 개략을 도시하는 단면도이다. 보호 테이프 부착 공정에서는, 돌기 전극(22)이 형성된 웨이퍼(21)면에 보호 테이프(30)를 부착한다. 보호 테이프(30)를 부착하는 부착 온도는 보이드의 감소, 웨이퍼 밀착성의 향상 및 웨이퍼 연삭 후의 휨 방지의 관점에서, 25℃ 이상 100℃ 이하, 바람직하게는 40℃ 이상 80℃ 이하이다.
웨이퍼(21)는 실리콘 등의 반도체 표면에 형성된 집적 회로와, 범프라고 불리는 접속용 돌기 전극(22)을 갖는다. 웨이퍼(21)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 200㎛ 이상 1000㎛ 이하이다.
돌기 전극(22)으로서는, 특별히 제한은 되지 않지만, 예를 들어 땜납에 의한 저융점 범프 또는 고융점 범프, 주석 범프, 은-주석 범프, 은-주석-구리 범프, 금 범프, 구리 범프 등을 들 수 있다. 또한, 돌기 전극(22)의 높이는, 특별히 제한은 되지 않지만, 바람직하게는 10μ 이상 200㎛ 이하이다.
보호 테이프(30)는 백그라인드 테이프(Back Grind Tape)라 불리는 것으로, 다음의 그라인드 처리 공정(B)에서, 흠집, 균열, 오염 등으로부터 웨이퍼를 보호하는 것이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 보호 테이프(30)는, 열가소성 수지층(31)과 기재 필름층(32)이 적층되고, 돌기 전극(22)의 형성면과 열가소성 수지층(31)이 접하는 상태에서 접합되어, 돌기 전극(22)는 열가소성 수지층(31)에 매립된다.
열가소성 수지층(31)으로서는, 에틸렌아세트산비닐 공중합체(EVA: Ethylene Vinyl Acetate), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리아세탈, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 불소 수지, 폴리페닐렌술피드, 폴리스티렌, ABS 수지, 아크릴계 수지, 폴리카르보네이트, 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 폴리페닐렌옥시드 등을 들 수 있고, 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
기재 필름층(32)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 천, 부직포 등을 포함하는 다공질 기재를 사용할 수 있다.
또한, 보호 테이프(30)는 상술한 구성에 한정되지 않고, 각 층의 표면이나 인접하는 층간에 다른층을 형성해도 된다.
[(B) 그라인드 공정]
도 3은, 그라인드 공정의 개략을 도시하는 단면도이다. 그라인드 공정에서는, 보호 테이프(30) 부착면의 반대면을 그라인드 처리한다. 보호 테이프(30)를 부착한 웨이퍼(21)의 반대면을 연삭 장치에 고정하여 연마한다. 이 그라인드 공정에서, 연마에 의해 웨이퍼(21)의 두께는 200㎛ 이하, 나아가 50㎛ 이하이다. 웨이퍼(21)의 두께를 작게 하면 할수록, 웨이퍼(21)의 휨량이 커진다. 또한, 웨이퍼(21)의 휨량은 평면 스테이지(X, Y축)에 웨이퍼(21)를 두었을 때의 휨(Z축)의 최댓값이다.
[(C) 열경화성 접착 시트 부착 공정]
도 4는, 열경화성 접착 시트 부착 공정의 개략을 도시하는 단면도이다. 열경화성 접착 시트 부착 공정에서는, 웨이퍼(21)의 그라인드 처리면에 열경화성 접착 시트의 열경화성 접착층(12)을 부착한다.
[(D) 보호 테이프 박리 공정]
도 5는 보호 테이프 박리 공정의 개략을 도시하는 단면도이다. 보호 테이프 박리 공정에서는, 보호 테이프(30)를 박리한다.
[(E) 경화 공정]
도 6은, 경화 공정의 개략을 도시하는 단면도이다. 경화 공정에서는, 열경화성 접착층(12)을 경화시킨다. 경화 방법 및 경화 조건으로서는, 열경화형 접착제를 경화시키는 공지된 방법을 사용할 수 있다. 경화 공정에서는, 예를 들어 80 내지 200℃의 온도, 0.1 내지 5h의 시간에서 큐어함으로써, 열경화성 접착층(12)을 경화시키는 것이 가능하다. 이에 의해, 열경화성 접착층(12)이 크게 수축하여, 웨이퍼(21)의 휨과 역방향의 응력이 발생하기 때문에, 웨이퍼(21)를 평탄한 상태로 유지시키는 것이 가능해진다.
[(F) 점착 테이프 부착 공정]
도 7은, 점착 테이프 부착 공정의 개략을 도시하는 단면도이다. 점착 테이프 부착 공정에서는, 그라인드 처리면에 점착 테이프(40)를 부착한다. 점착 테이프(40)는, 다이싱 테이프(Dicing Tape)라 불리는 것으로, 다이싱 공정(G)에서, 웨이퍼(21)를 보호, 고정하여, 픽업 공정(I)까지 유지하기 위한 테이프이다.
점착 테이프(40)로서는, 특별히 한정되지 않고 공지된 것을 사용할 수 있다. 일반적으로, 점착 테이프(40)는 점착제층과 기재 필름층을 갖는다. 점착제층으로서는, 예를 들어 폴리에틸렌계, 아크릴계, 고무계, 우레탄계 등의 점착제를 들 수 있다. 또한, 기재 필름층으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 천, 부직포 등을 포함하는 다공질 기재를 사용할 수 있다. 또한, 점착 테이프의 부착 장치 및 조건으로서는, 특별히 한정되지 않고 공지된 장치 및 조건이 사용된다.
[(G) 다이싱 처리 공정]
도 8은, 다이싱 처리 공정의 개략을 도시하는 단면도이다. 다이싱 처리 공정에서는, 점착 테이프(40)가 부착된 웨이퍼(21)를 다이싱 처리하여, 개편의 반도체 칩을 얻는다. 다이싱 방법으로는, 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 다이싱 소로 웨이퍼(21)를 절삭하여 잘라내는 등의 공지된 방법을 사용할 수 있다. 열경화성 접착 시트가 웨이퍼의 휨을 저감시키기 때문에, 웨이퍼를 평탄화시킨 상태에서 다이싱할 수 있어, 칩핑을 저감할 수 있다.
[(H) 익스팬드 공정]
도 9는, 익스팬드 공정의 개략을 도시하는 단면도이다. 익스팬드 공정에서는, 예를 들어 분할된 복수개의 반도체 칩이 접착되어 있는 점착 테이프(40)를 방사 방향으로 신장시켜, 개개의 반도체 칩의 간격을 넓힌다.
[(I) 픽업 공정]
도 10은, 픽업 공정의 개략을 도시하는 단면도이다. 픽업 공정에서는, 점착 테이프(40) 상에 접착 고정된 반도체 칩을 점착 테이프(40)의 하면으로부터 밀어올려 박리시키고, 이 박리된 반도체 칩을 콜릿으로 흡착한다. 픽업된 반도체 칩은, 칩 트레이에 수납되거나 또는 플립 칩 본더의 칩 탑재 노즐로 반송된다.
[(J) 실장 공정]
도 11은, 실장 공정의 개략을 도시하는 단면도이다. 실장 공정에서는, 예를 들어 반도체 칩과 회로 기판을 NCF(Non Conductive Film) 등의 회로 접속 재료를 사용하여 접속한다. 회로 기판으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 폴리이미드 기판, 유리 에폭시 기판 등의 플라스틱 기판, 세라믹 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 접속 방법으로는, 가열 본더, 리플로우로 등을 사용하는 공지된 방법을 사용할 수 있다.
이러한 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 열경화성 접착 시트를 반도체 웨이퍼의 연마면에 접합하여 경화시켜, 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시키기 때문에, 칩핑을 억제하여 용이하게 다이싱을 행할 수 있다.
실시예
<3. 실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 열경화성 접착 시트를 제작하고, 이것을 휨이 발생한 패턴을 갖는 웨이퍼에 접합하여, 적층체를 제작하였다. 그리고, 열경화성 접착 시트의 필름 막성, 다이싱 시의 칩핑 억제 및 웨이퍼의 휨 제어성에 대해 평가하였다.
[열경화성 접착 시트의 제작]
하기 성분을 배합하여, 수지 조성물을 제조하였다. 이것을 박리 처리된 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)에 바 코터를 사용하여 도포하고, 80℃의 오븐으로 3분간 건조시켜, 두께 20㎛의 열경화성 접착층을 갖는 열경화성 접착 시트를 제작했다(커버 박리 PET(25㎛)/열경화성 접착층(20㎛)/베이스 박리 PET(50㎛)).
JER1009: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸(주), 에폭시 당량 2850)
JER1031S: 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸(주), 에폭시 당량 200)
JERYL980: 액상 비스페놀 A형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸(주), 에폭시 당량 185)
노바큐어 HX-3941HP: 아민어덕트형 잠재성 경화제를 이소시아네이트로 처리한 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제(아사히 가세이 이-머티리얼즈(주))
A-187: 에폭시계 실란 커플링제(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도 가이샤)
SG-P3: 엘라스토머(나가세 켐텍스(주)제)
에어로실R202: 실리카(닛본 에어로실(주))
#3050B: 카본 블랙(미쯔비시 가가꾸(주))
[적층체의 제작]
두께 20㎛의 열경화성 접착층을 패턴을 갖는 웨이퍼 상에 프레스기로 접합하고, 180℃, 1h의 조건에서 큐어하여 적층체를 얻었다.
패턴을 갖는 웨이퍼는, 두께 200㎛의 8인치의 것을 사용하였다. 또한, 패턴을 갖는 웨이퍼의 평균 휨량(샘플수: 10)은 4㎜였다. 또한, 패턴을 갖는 웨이퍼의 휨량은 평면 스테이지(X, Y축)에 패턴을 갖는 웨이퍼를 두었을 때의 휨(Z축)의 최댓값으로 하였다.
[필름 막성의 평가]
열경화성 접착 시트의 필름성, 태크성 및 라미네이트성에 대해 평가하고, 모든 평가가 양호한 경우를 「A」로 평가하고, 필름성이 양호하며, 태크성 또는 라미네이트성 중 어느 것의 평가가 불량인 경우를 「B」로 평가하고, 이들 이외의 경우를 「C」로 평가하였다.
[다이싱 시의 칩핑 억제의 평가]
적층체의 열경화성 접착층측에 다이싱 테이프를 라미네이트하고, 다이싱 후의 적층체를 관찰하였다. 칩핑에 의한 불량률이 5％ 미만인 경우를 「A」로 평가하고, 불량률이 5％ 이상인 경우를 「B」로 평가하였다.
[웨이퍼의 휨 제어성의 평가]
패턴을 갖는 웨이퍼의 휨량의 측정과 마찬가지로, 적층체의 휨량은 평면 스테이지(X, Y축)에 적층체를 두었을 때의 휨(Z축)의 최댓값으로 하였다. 적층체의 휨량이 1.0㎜ 미만인 것을 「A」, 적층체의 휨량이 1.0㎜ 이상 1.5㎜ 미만인 것을 「B」, 적층체의 휨량이 1.5㎜ 이상 2.5㎜ 미만인 것을 「C」, 적층체의 휨량이 2.5㎜ 이상인 것을 「D」로 평가하였다.
<실시예 1>
표 1에 나타낸 바와 같이, 고형 에폭시 화합물(JER1009)을 39질량부, 경화제(HX-3941HP)를 60질량부, 커플링제(A-187)를 1질량부 배합한 수지 성분 100질량부에, 실리카(에어로실R202)를 80질량부 첨가하여 수지 조성물을 제조하였다. 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수는 1.368E-04이고, 수지 성분 100질량부에 대한 필러의 배합량은 80질량부였다. 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름 막성의 평가는 A, 다이싱 시의 칩핑 억제의 평가는 B, 얇은 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 B였다.
<실시예 2>
표 1에 나타낸 바와 같이, 고형 에폭시 화합물(JER1009)을 38질량부, 경화제(HX-3941HP)를 59질량부, 커플링제(A-187)를 1질량부 배합한 수지 성분 100질량부에, 실리카(에어로실R202)를 80질량부, 카본 블랙을 2질량부 첨가하여 수지 조성물을 제조하였다. 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수는 1.361E-04이고, 수지 성분 100질량부에 대한 필러의 배합량은 82질량부였다. 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름 막성의 평가는 A, 다이싱 시의 칩핑 억제의 평가는 B, 얇은 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 B였다.
<실시예 3>
표 1에 나타낸 바와 같이, 다관능 고형 에폭시 화합물(JER1031S)을 32질량부, 경화제(HX-3941HP)를 67질량부, 커플링제(A-187)를 1질량부 배합한 수지 성분 100질량부에, 실리카(에어로실R202)를 80질량부 첨가하여 수지 조성물을 제조하였다. 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수는 1.600E-03이고, 수지 성분 100질량부에 대한 필러의 배합량은 80질량부였다. 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름 막성의 평가는 A, 다이싱 시의 칩핑 억제의 평가는 B, 얇은 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 A였다.
<실시예 4>
표 1에 나타낸 바와 같이, 다관능 고형 에폭시 화합물(JER1009)을 35질량부, 다관능 액상 에폭시 화합물을 4질량부, 경화제(HX-3941HP)를 60질량부, 커플링제(A-187)를 1질량부 배합한 수지 성분 100질량부에, 실리카(에어로실R202)를 80질량부 첨가하여 수지 조성물을 제조하였다. 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수는 3.390E-04이고, 수지 성분 100질량부에 대한 필러의 배합량은 80질량부였다. 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름 막성의 평가는 B, 다이싱 시의 칩핑 억제의 평가는 A, 얇은 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 A였다.
<실시예 5>
표 1에 나타낸 바와 같이, 다관능 고형 에폭시 화합물(JER1009)을 34질량부, 경화제(HX-3941HP)를 55질량부, 커플링제(A-187)를 1질량부 배합한 수지 성분 90질량부에, 실리카(에어로실R202)를 50질량부 첨가하여 수지 조성물을 제조하였다. 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수는 1.326E-04이고, 수지 성분 100질량부에 대한 필러의 배합량은 56질량부였다. 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름 막성의 평가는 A, 다이싱 시의 칩핑 억제의 평가는 A, 얇은 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 A였다.
<실시예 6>
표 1에 나타낸 바와 같이, 다관능 고형 에폭시 화합물(JER1009)을 34질량부, 경화제(HX-3941HP)를 55질량부, 커플링제(A-187)를 1질량부, 엘라스토머를 5질량부 배합한 수지 성분 95질량부에, 실리카(에어로실R202)를 80질량부 첨가하여 수지 조성물을 제조하였다. 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수는 1.256E-04이고, 수지 성분 100질량부에 대한 필러의 배합량은 84질량부였다. 또한, 수지 성분 중의 엘라스토머의 함유량은 5wt％였다. 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름 막성의 평가는 A, 다이싱 시의 칩핑 억제의 평가는 A, 얇은 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 A였다.
<실시예 7>
표 1에 나타낸 바와 같이, 다관능 고형 에폭시 화합물(JER1009)을 34질량부, 경화제(HX-3941HP)를 55질량부, 커플링제(A-187)를 1질량부, 엘라스토머를 10질량부 배합한 수지 성분 100질량부에, 실리카(에어로실R202)를 80질량부 첨가하여 수지 조성물을 제조하였다. 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수는 1.193E-04이고, 수지 성분 100질량부에 대한 필러의 배합량은 80질량부였다. 또한, 수지 성분 중의 엘라스토머의 함유량은 10wt％였다. 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름 막성의 평가는 A, 다이싱 시의 칩핑 억제의 평가는 A, 얇은 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 B였다.
<비교예 1>
표 1에 나타낸 바와 같이, 다관능 고형 에폭시 화합물(JER1009)을 34질량부, 경화제(HX-3941HP)를 55질량부, 커플링제(A-187)를 1질량부, 엘라스토머를 10질량부 배합한 수지 성분 100질량부에, 실리카(에어로실R202)를 30질량부 첨가하여 수지 조성물을 제조하였다. 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수는 1.193E-04이고, 수지 성분 100질량부에 대한 필러의 배합량은 30질량부였다. 또한, 수지 성분 중의 엘라스토머의 함유량은 10wt％였다. 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름 막성의 평가는 B, 다이싱 시의 칩핑 억제의 평가는 B, 얇은 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 C였다.
<비교예 2>
표 1에 나타낸 바와 같이, 다관능 고형 에폭시 화합물(JER1009)을 34질량부, 경화제(HX-3941HP)를 55질량부, 커플링제(A-187)를 1질량부, 엘라스토머를 15질량부 배합한 수지 성분 105질량부에, 실리카(에어로실R202)를 80질량부 첨가하여 수지 조성물을 제조하였다. 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수는 1.136E-04이고, 수지 성분 100질량부에 대한 필러의 배합량은 76질량부였다. 또한, 수지 성분 중의 엘라스토머의 함유량은 15wt％였다. 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 열경화성 접착 시트의 필름 막성의 평가는 A, 다이싱 시의 칩핑 억제의 평가는 B, 얇은 웨이퍼 휨 제어성의 평가는 C였다.
Figure pct00001
비교예 1과 같이 필러의 배합량이 너무 적을 경우, 열경화성 접착 시트의 수축이 작아, 웨이퍼의 휨량을 크게 저감시킬 수 없었다. 또한, 비교예 2와 같이 엘라스토머의 배합량이 많아, 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수가 1.15E-04 미만인 경우도, 열경화성 접착 시트의 수축이 작아, 웨이퍼의 휨량을 크게 저감시킬 수 없었다.
한편, 실시예 1 내지 7과 같이, 수지 성분 100질량부당 에폭시기의 몰수가 1.15E-04 이상이고, 필러의 배합량이 수지 성분 100질량부에 대해 50질량부 이상인 것에 의해, 열경화성 접착 시트의 수축이 커져, 웨이퍼의 휨량을 크게 저감시킬 수 있었다. 이에 의해, 웨이퍼를 평탄화시킨 상태에서 다이싱이 가능하게 되기 때문에, 칩핑의 발생을 크게 저감시킬 수 있었다. 또한, 실시예 6, 실시예 7 및 비교예 2로부터 수지 성분 중의 엘라스토머 함유율이 높아지면 웨이퍼의 휨 제어성이 저하되는 것을 알 수 있었다.
11: 기재 필름층
12: 열경화성 접착층
21: 웨이퍼
22: 돌기 전극
30: 보호 테이프
31: 열가소성 수지층
32: 기재 필름층

Claims (8)

  1. 에폭시 화합물과, 경화제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된 열경화성 접착층을 가지며,
    상기 에폭시 화합물의 에폭시 당량의 역수에, 상기 수지 성분 중의 에폭시 화합물의 함유율을 곱한 값의 총합이, 1.15E-04 이상이고,
    상기 필러의 배합량이 수지 성분 100질량부에 대해 50질량부 이상인, 열경화성 접착 시트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수지 성분이 중합체를 더 포함하고,
    상기 수지 성분 중의 중합체 함유율이 15wt％ 미만인, 열경화성 접착 시트.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수지 성분이 중합체를 더 포함하고,
    상기 수지 성분 중의 중합체 함유율이 10wt％ 미만인, 열경화성 접착 시트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필러의 배합량이 수지 성분 100질량부에 대해 50질량부 이상 100질량부 이하인, 열경화성 접착 시트.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 필러가 흑색 안료를 포함하는, 열경화성 접착 시트.
  6. 제4항에 있어서, 상기 필러가 흑색 안료를 포함하는, 열경화성 접착 시트.
  7. 반도체 웨이퍼를 연마하는 그라인드 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼의 연마면에 열경화성 접착 시트를 부착하는 열경화성 접착 시트 부착 공정과,
    상기 열경화성 시트를 경화시켜, 상기 반도체 웨이퍼의 휨량을 저감시키는 경화 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼의 열경화성 접착 시트면에 다이싱 테이프를 부착하는 다이싱 테이프 부착 공정과,
    다이싱 테이프가 부착된 웨이퍼를 다이싱 처리하여, 개편의 반도체 칩을 얻는 다이싱 처리 공정을 가지며,
    상기 열경화성 접착 시트가, 에폭시 화합물과, 경화제를 포함하는 수지 성분과, 필러를 함유하는 수지 조성물로 형성된 열경화성 접착층을 갖고,
    상기 에폭시 화합물의 에폭시 당량의 역수에, 상기 수지 성분 중의 에폭시 화합물의 함유율을 곱한 값의 총합이, 1.15E-04 이상이고,
    상기 필러의 배합량이 수지 성분 100질량부에 대해 50질량부 이상인, 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 그라인드 공정에서는, 두께가 200㎛ 이하로 될 때까지 연마하는, 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020187014970A 2015-12-14 2016-12-13 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법 KR102042195B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-243649 2015-12-14
JP2015243649A JP6721325B2 (ja) 2015-12-14 2015-12-14 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法
PCT/JP2016/087090 WO2017104670A1 (ja) 2015-12-14 2016-12-13 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180075619A true KR20180075619A (ko) 2018-07-04
KR102042195B1 KR102042195B1 (ko) 2019-11-07

Family

ID=59056834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187014970A KR102042195B1 (ko) 2015-12-14 2016-12-13 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11624011B2 (ko)
JP (1) JP6721325B2 (ko)
KR (1) KR102042195B1 (ko)
CN (1) CN108291115B (ko)
TW (1) TWI713650B (ko)
WO (1) WO2017104670A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7157301B2 (ja) * 2017-11-06 2022-10-20 株式会社東京精密 ウェーハの加工方法
DE202018105611U1 (de) * 2018-09-28 2018-10-15 Certoplast Technische Klebebänder Gmbh Technisches Klebeband insbesondere Kabelwickelband

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002280329A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp チップ用保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法
WO2013161864A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 新日鉄住金化学株式会社 フィルム状接着剤用組成物及びその製造方法、フィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法
WO2015046529A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 リンテック株式会社 樹脂膜形成用複合シート

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0823002B2 (ja) * 1985-12-27 1996-03-06 松下電器産業株式会社 熱硬化性接着剤
JP4027332B2 (ja) * 2004-03-19 2007-12-26 リンテック株式会社 半導体用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
EP2145906B1 (en) * 2006-10-20 2018-04-11 Air Water Inc. Pellet-type molecular sieve carbon
JP2008247936A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Lintec Corp 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
EP2452964A4 (en) * 2009-07-10 2014-06-11 Toray Industries LAYER COMPOSITION, ADHESIVE, PCB AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREFORE MADE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP5728804B2 (ja) * 2009-10-07 2015-06-03 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性接着組成物、熱硬化性接着シート、その製造方法及び補強フレキシブルプリント配線板
JP5356326B2 (ja) * 2010-07-20 2013-12-04 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP5820108B2 (ja) * 2010-11-29 2015-11-24 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性接着シート及び熱硬化性接着シートの製造方法
JP5770995B2 (ja) * 2010-12-01 2015-08-26 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性接着シート及び熱硬化性接着シートの製造方法
JP5820170B2 (ja) * 2011-07-13 2015-11-24 日東電工株式会社 半導体装置用の接着フィルム、フリップチップ型半導体裏面用フィルム、及び、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
CN108155142B (zh) * 2011-09-30 2022-05-03 琳得科株式会社 具有保护膜形成层的切割膜片和芯片的制造方法
US9443750B2 (en) 2011-12-26 2016-09-13 Lintec Corporation Dicing sheet with protective film-forming layer, and method for producing chip
JP6001273B2 (ja) 2012-02-13 2016-10-05 信越化学工業株式会社 半導体ウエハ用保護フィルム及び半導体チップの製造方法
JP6133542B2 (ja) 2012-02-29 2017-05-24 日立化成株式会社 フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP5842736B2 (ja) * 2012-06-06 2016-01-13 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性接着シート及び熱硬化性接着シートの製造方法
JP6003763B2 (ja) * 2012-10-30 2016-10-05 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性樹脂組成物、光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
KR101735983B1 (ko) 2013-03-07 2017-05-15 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 접착 필름, 다이싱 시트 일체형 접착 필름, 백그라인드 테이프 일체형 접착 필름, 백그라인드 테이프 겸 다이싱 시트 일체형 접착 필름, 적층체, 적층체의 경화물, 및 반도체 장치, 그리고 반도체 장치의 제조 방법
JP6405556B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-17 リンテック株式会社 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび検査方法
CN105579544B (zh) * 2013-09-27 2018-02-16 琳得科株式会社 加热固化型磁化性粘接剂组合物及粘接片
CN105683323A (zh) 2014-03-04 2016-06-15 积水化学工业株式会社 电子部件安装用粘接剂和倒装片安装用粘接膜
KR102221484B1 (ko) * 2014-03-24 2021-02-26 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트 및 가공물의 제조 방법
JP6068386B2 (ja) * 2014-03-31 2017-01-25 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002280329A (ja) 2001-03-21 2002-09-27 Lintec Corp チップ用保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法
WO2013161864A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 新日鉄住金化学株式会社 フィルム状接着剤用組成物及びその製造方法、フィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法
WO2015046529A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 リンテック株式会社 樹脂膜形成用複合シート

Also Published As

Publication number Publication date
CN108291115A (zh) 2018-07-17
US11624011B2 (en) 2023-04-11
JP6721325B2 (ja) 2020-07-15
KR102042195B1 (ko) 2019-11-07
WO2017104670A1 (ja) 2017-06-22
TWI713650B (zh) 2020-12-21
CN108291115B (zh) 2021-04-27
JP2017110054A (ja) 2017-06-22
TW201735147A (zh) 2017-10-01
US20180320031A1 (en) 2018-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102280578B1 (ko) 보호 테이프 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법
TWI747845B (zh) 保護帶及半導體裝置之製造方法
JP2011228637A (ja) チップ保護用フィルム
CN107431003B (zh) 热固化性粘接片及半导体装置的制造方法
KR102031529B1 (ko) 보호 테이프, 및 이것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법
KR20180048817A (ko) 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20180075619A (ko) 열경화성 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP4897979B2 (ja) チップ保護用フィルム
JP2009152490A (ja) チップ保護用フィルム
JP2011223014A (ja) チップ保護用フィルム
JP6821392B2 (ja) 保護テープ、及び半導体装置の製造方法
WO2021079955A1 (ja) 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用複合シートおよび保護膜付き小片の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right