KR20180057796A - 벤디드 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

평면부, 및 상기 평면부 가장자리의 곡면부를 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널과 실질적으로 동일한 형태를 갖고, 상기 표시 패널 상에 배치된 윈도우, 상기 평면부 및 상기 윈도우 사이에 배치된 제1 터치 센서, 및 상기 곡면부 및 상기 윈도우 사이에 배치된 제2 터치 센서를 포함하며, 상기 제1 터치 센서 및 상기 제2 터치 센서는 서로 다른 방식으로 터치를 감지하는 벤디드 표시 장치를 제공한다.

Description

벤디드 표시 장치{BENDED DISPLAY DEVICE}
본 발명은 벤디드 표시 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는, 평면부 및 평면부 가장자리의 곡면부를 포함하는 벤디드 표시 장치에 관한 것이다.
최근 휘어질 수 있는 플렉시블(flexible) 표시 패널이 개발되고 있다. 이러한 플렉시블 표시 패널은 접히거나 만곡된 형태로 사용될 수 있어 다양한 분야에 활용될 수 있다.
플렉시블 표시 패널에 적용될 수 있는 표시 소자로 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode, OLED), 액정 표시(Liquid Crystal Display, LCD) 소자, 및 전기 영동 표시(Electrophoretic Display, EPD) 소자 등이 있다. 이 중 유기 발광 소자는 박막 형태의 적층 구조로 제조될 수 있기 때문에 뛰어난 유연성을 갖고 있어 플렉시블 표시 패널의 표시 소자로 각광받고 있다.
또한, 최근 플렉시블 표시 패널을 휴대 단말기 등에 적용한 벤디드(Bended) 표시 장치의 연구 및 개발이 이루어지고 있다. 플렉시블 표시 장치는 구부렸다가 폈다가를 자유자재로 할 수 있는 표시 장치를 말하며, 벤디드 표시 장치는 구부러진 형태가 유지되는 표시 장치를 말한다.
이러한 벤디드 표시 장치는 플렉시블 표시 패널의 가장자리부를 구부려 측면에서도 영상이 표시될 수 있게 하고, 플렉시블 표시 패널의 가장자리부 상에도 터치 센서 등을 배치하여 측면에서도 터치 동작이 이루어질 수 있게 한다.
다만, 벤디드 표시 장치는 측면에도 터치 센서 등이 배치되기 때문에 사용자의 파지 상태에 따라 사용자가 의도하지 않은 터치를 잘못 감지할 수 있다.
이에 본 발명은 벤디드 표시 장치의 측면에서 발생하는 터치 오작동을 방지할 수 있는 벤디드 표시 장치를 제공하고자 한다.
평면부, 및 상기 평면부 가장자리의 곡면부를 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널과 실질적으로 동일한 형태를 갖고, 상기 표시 패널 상에 배치된 윈도우, 상기 평면부와 중첩되게 배치된 제1 터치 센서, 및 상기 곡면부와 중첩되게 배치된 제2 터치 센서를 포함하며, 상기 제1 터치 센서 및 상기 제2 터치 센서는 서로 다른 방식으로 터치를 감지하는 벤디드 표시 장치를 제공한다.
상기 제1 터치 센서는 정전 용량 방식 터치 센서일 수 있다.
상기 제2 터치 센서는 압력 감지 방식 터치 센서, 광 감지 터치 센서, 및 초음파 방식 터치 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 터치 센서는 평면 상에서 상기 평면부와 실질적으로 동일한 형태를 가질 수 있다.
상기 제2 터치 센서는 평면 상에서 상기 곡면부와 실질적으로 동일한 형태를 가질 수 있다.
상기 제1 터치 센서 및 상기 제2 터치 센서는 서로 다른 구동부를 가질 수 있다.
상기 표시 패널은 유기 발광 표시 패널일 수 있다.
상기 제1 터치 센서는 상기 표시 패널 및 상기 윈도우 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 터치 센서는 상기 표시 패널 내부에 형성될 수 있다.
상기 제2 터치 센서는 상기 표시 패널 및 상기 윈도우 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 터치 센서는 상기 표시 패널의 배면에 배치될 수 있다.
상기 제2 터치 센서는 서로 대향되게 배치된 제1 전극 및 제2 전극, 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치된 충진제를 포함할 수 있다.
상기 충진제는 실리콘(Silicon), 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylesiloxane, PDMS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 터치 센서는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전압을 인가하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 정전 용량을 감지하는 제어부를 포함할 수 있다.
상기 제2 터치 센서는 접촉에 의해 가해진 압력에 따라 저항 값이 변하는 센서 저항, 상기 센서 저항에 직렬 연결되고, 일정한 저항 값을 갖는 필터 저항, 및 상기 센서 저항 및 상기 필터 저항 사이의 노드에 연결된 압력 센싱부를 포함할 수 있다.
상기 곡면부는 영상이 표시되는 화소 영역, 및 상기 화소 영역 사이의 광이 투과되는 투과 영역을 포함할 수 있다.
상기 투과 영역은 상기 상기 평면부와 상기 곡면부의 경계에서 상기 표시 패널의 가장자리로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다.
상기 표시 패널은 상기 평면부에 배치되어 영상을 표시하는 제1 화소, 및 상기 곡면부에 배치되어 영상을 표시하는 제2 화소를 포함하며, 상기 제1 화소는 상기 제2 화소보다 큰 면적을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 벤디드 표시 장치는 평면부 상에 배치되는 터치 센서와 곡면부 상에 배치되는 터치 센서를 구분하고, 별개의 방식으로 터치를 감지하도록 함으로써, 벤디드 표시 장치의 측면에서 발생하는 터치 오작동을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 벤디드 표시 장치는 곡면부 상에 압력 감지 방식 터치 센서, 광 감지 터치 센서, 및 초음파 방식 터치 센서 등을 배치하여 평면부 상에 배치된 터치 센서와 별개로 터치를 감지하도록 함으로써, 벤디드 표시 장치의 측면에서 발생하는 터치 오작동을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치의 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치의 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 표시 패널의 일부를 확대한 부분 확대도이다.
도 8은 도 7의 I-I'을 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 제1 터치 센서를 나타낸 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 제1 터치 센서 및 제2 터치 센서를 나타낸 평면도이다.
도 11은 도 10의 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 절단한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 제2 터치 센서의 구성을 나타낸 회로도이다.
도 13은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 15는 도 13의 "A"영역을 확대한 부분 확대도이다.
도 16은 도 15의 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 절단한 단면도이다.
도 17은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 18은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 형태로 실시될 수 있는 바, 특정의 실시예만을 도면에 예시하고 본문에는 이를 중심으로 설명한다. 그렇다고 하여 본 발명의 범위가 상기 특정한 실시예로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙인다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치의 분해 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치의 평면도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치는 표시 패널(100), 제1 터치 센서(300), 제2 터치 센서(400), 및 윈도우(500) 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 플렉시블 표시 패널일 수 있다. 또한, 본 발명의 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 가장자리가 구부러진 형태를 갖는 벤디드 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(100)은 가장자리가 구부러진 형태를 갖게 형성되거나, 편평한 형태로 제작된 후, 윈도우(500) 또는 고정 프레임(미도시)등과의 결합에 의해 가장자리가 구부러진 형태를 가질 수 있다.
이하에서, 설명의 편의상 표시 패널(100) 중심의 편평한 부분을 평면부(101)라 하고, 평면부(101) 가장자리의 구부러진 부분을 곡면부(102)라 한다. 본 발명의 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 평면부(101)의 양 가장자리에 곡면부(102)가 형성되어 있는 것으로 도시되어 있지만 이에 한정되는 것은 아니며, 곡면부(102)는 평면부(101)의 일 가장자리에만 형성될 수도 있다. 평면부(101) 및 곡면부(102)는 설명의 편의상 구분된 영역으로 실제로 하나의 표시 영역일 수 있다.
표시 패널(100)은 영상을 표시하는 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)들은 표시 패널(100)의 평면부(101) 및 곡면부(102)에 각각 배치되어 영상을 표시 할 수 있다.
표시 패널(100)은 예를 들어, 플라스틱 필름과 같은 플렉시블 필름을 포함할 수 있으며, 플렉시블 필름 상에 유기 발광 다이오드와 화소 회로를 배치하여 구현될 수 있다. 표시 패널(100)의 보다 자세한 구성은 후술한다.
표시 패널(100) 상에 윈도우(500)가 배치될 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따른 윈도우(500)는 투명한 경질의 소재로 제작되어 표시 패널(100)의 이미지를 그대로 투과시키면서 외부의 충격으로부터 표시 패널(100)을 보호할 수 있다. 또한, 윈도우(500)는 플라스틱 필름과 같은 플렉시블 필름의 소재로 제작될 수도 있다.
본 발명에 따른 윈도우(500)는 표시 패널(100)과 실질적으로 동일한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(100)이 평면부(101) 및 평면부(101) 가장자리의 곡면부(102)를 갖는 경우, 윈도우(500) 또한 표시 패널(100)의 평면부(101) 및 곡면부(102)에 대응되는 평면부(501) 및 곡면부(502)를 가질 수 있다.
표시 패널(100)과 윈도우(500) 사이에 사용자의 터치 동작을 감지하는 터치 센서(300, 400)가 배치될 수 있다. 구체적으로, 표시 패널(100)의 평면부(101)와 윈도우(500)의 평면부(501) 사이에 제1 터치 센서(300)가 배치되고, 표시 패널(100)의 곡면부(102)와 윈도우(500)의 곡면부(502) 사이에 제2 터치 센서(400)가 배치될 수 있다. 제1 터치 센서(300)는 표시 패널(100)의 평면부(101)와 중첩되게 배치될 수 있고, 제2 터치 센서(400)는 표시 패널(100)의 곡면부(102)와 중첩되게 배치될 수 있다.
제1 터치 센서(300)는 표시 패널(100)의 평면부(101)와 평면 상에서 실질적으로 동일한 형태를 가질 수 있고, 제2 터치 센서(400)는 표시 패널(100)의 곡면부(102)와 평면 상에서 실질적으로 동일한 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 제1 터치 센서(300)는 표시 패널(100)과 윈도우(500) 사이에 배치되는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 터치 센서(300)는 표시 패널(100) 내부에 직접 구현될 수도 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 제1 터치 센서(300) 및 제2 터치 센서(400)는 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 즉, 제1 터치 센서(300) 및 제2 터치 센서(400)는 별개로 구동되는 동일한 방식의 터치 센서이거나, 서로 다른 구동 방식을 갖는 터치 센서일 수 있다. 예를 들어, 제1 터치 센서(300)는 정전 용량 방식 터치 센서이고, 제2 터치 센서(400)는 압력 감지 방식 터치 센서, 광 감지 터치 센서, 및 초음파 방식 터치 센서 등일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 제1 터치 센서(300) 및 제2 터치 센서(400)는 각각 별개로 구동되기 때문에 사용자의 파지 상태에 따라 벤디드 표시 장치의 측면에서 발생하는 터치 오작동을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 터치 센서(300)는 후술할 터치 구동부(350, 도 9 참조)를 가질 수 있으며, 제2 터치 센서(400)는 후술할 제어부(미도시)를 가질 수 있다. 터치 구동부와 제어부는 각각 별개로 구동될 수 있다. 제1 터치 센서(300) 및 제2 터치 센서(400)의 보다 자세한 구성은 후술한다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치의 단면도들이다. 본 발명의 다른 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치에 관한 설명 가운데 본 발명의 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치에 관한 설명과 중복되는 내용은 생략한다.
본 발명의 다른 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치는 표시 패널(100), 제1 터치 센서(300), 제2 터치 센서(400), 및 윈도우(500) 등을 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 평면부(101) 및 평면부(101) 가장자리의 곡면부(102)를 포함할 수 있다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 평면부(101)의 일가장자리에만 형성된 곡면부(102)를 포함할 수 있다. 마찬가지로 윈도우(500)는 평면부(501)의 일가장자리에만 형성된 곡면부(502)를 포함할 수 있다.
또한, 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 표시 패널(100)의 배면과 마주하게 180도 구부러진 곡면부(102)를 포함할 수 있다. 마찬가지로 윈도우(500)는 180도 구부러진 곡면부(502)를 포함할 수 있다.
도 5에서, 평면부(101)의 일 가장자리에만 곡면부(102)가 형성된 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 평면부(101)의 양 가장자리에 곡면부(102)가 형성될 수도 있다.
또한, 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 다른 표시 패널(100)은 평면부(101)의 양 가장자리에 서로 다른 형태로 구부러져 있는 곡면부들(102a, 102b)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 평면부(101) 양 가장자리의 곡면부들(102a, 102b)은 구부러진 정도가 각각 다르게 형성될 수 있다. 마찬가지로 윈도우(500)는 구부러진 정도가 각각 다른 곡면부들(502a, 502b)를 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 표시 패널의 일부를 확대한 부분 확대도이고, 도 8은 도 7의 I-I'을 따라 절단한 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 스위칭 박막트랜지스터(10), 구동 박막트랜지스터(20), 축전 소자(80) 및 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(210)를 포함하는 복수개의 화소를 갖는다. 유기 발광 소자(210)는 상대적으로 낮은 온도에서 증착이 가능하고, 저전력, 높은 휘도 등의 이유로 플렉시블 표시 장치에 주로 적용될 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 패널(100)은 복수의 화소를 통해 화상을 표시한다.
또한, 하나의 화소에 두 개의 박막트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)가 배치된 것이 첨부 도면에 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 화소는 셋 이상의 박막트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수도 있으며, 별도의 배선을 더 포함하여 다양한 구조를 가질 수 있다.
표시 패널(100)은 기판(110), 기판(110) 상에 배치된 게이트 라인(151)과, 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 포함할 수 있다. 일반적으로 하나의 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있지만, 화소가 전술한 정의에 한정되는 것은 아니다. 화소는 블랙 매트릭스 또는 화소 정의막에 의하여 정의될 수 있다.
기판(110)은 유연성 재료로 만들어질 수 있다. 이러한 유연성 재료로 플라스틱 물질이 있다. 구체적으로, 기판(110)은 캡톤(kapton), 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR) 및 섬유 강화 플라스틱(fiber reinforced plastic: FRP) 등으로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나로 만들어질 수 있다.
또한, 기판(110)은 5㎛ 내지 200㎛의 두께를 갖는다. 기판(110)이 5㎛ 미만의 두께를 가지면, 기판(110)이 유기 발광 소자(210)를 안정적으로 지지하기 어렵다. 반면, 기판(110)이 200㎛이상의 두께를 갖는 경우, 기판(110)의 플렉시블한 특성이 저하될 수 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(120)이 배치된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(120)은 질화규소(SiNx)막, 산화규소(SiO2)막, 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 그러나, 버퍼층(120)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기판(110)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(120) 상에 스위칭 반도체층(131) 및 구동 반도체층(132)이 배치된다. 스위칭 반도체층(131) 및 구동 반도체층(132)은 다결정 규소막, 비정질 규소막, 및 IGZO(Indium-Galuim-Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)와 같은 산화물 반도체 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 구동 반도체층(132)이 다결정 규소막으로 형성되는 경우, 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 이러한 불순물은 박막트랜지스터의 종류에 따라 달라진다. 본 발명의 일실시예에서 구동 박막트랜지스터(20)로 P형 불순물을 사용한 PMOS 구조의 박막트랜지스터가 사용되었으나, 구동 박막트랜지스터(20)가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 구동 박막트랜지스터(20)로 NMOS 구조 또는 CMOS 구조의 박막트랜지스터도 모두 사용될 수 있다.
스위칭 반도체층(131) 및 구동 반도체층(132) 위에 게이트 절연막(140)이 배치된다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(TetraEthylOrthoSilicate, TEOS), 질화 규소(SiNx) 및 산화 규소(SiO2) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 게이트 절연막(140)은 40nm의 두께를 갖는 질화규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막 구조를 가질 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에 게이트 전극(152, 155)을 포함하는 게이트 배선이 배치된다. 게이트 배선은 게이트 라인(151), 제 1 축전판(158) 및 그 밖의 배선을 더 포함한다. 그리고 게이트 전극(152, 155)은 반도체층(131, 132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역과 중첩되도록 배치된다. 게이트 전극(152, 155)은 반도체층(131, 132) 형성과정에서 반도체층(131, 132)의 소스 영역과 드레인 영역에 불순물이 도핑될 때 채널 영역에 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 한다.
게이트 전극(152, 155)과 제 1 축전판(158)은 동일한 층에 배치되며, 실질적으로 동일한 금속으로 만들어진다. 게이트 전극(152, 155)과 제 1 축전판(158)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
게이트 절연막(140) 상에 게이트 전극(152, 155)을 덮는 층간 절연막(160)이 배치된다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 또는 테트라에톡시실란(TEOS) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
층간 절연막(160) 상에 소스 전극(173, 176) 및 드레인 전극(174, 177)을 포함하는 데이터 배선이 배치된다. 데이터 배선은 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제 2 축전판(178) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 그리고 소스 전극(173, 176) 및 드레인 전극(174, 177)은 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍을 통하여 반도체층(131, 132)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결된다.
이와 같이, 스위칭 박막트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함하며, 구동 박막트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다. 박막트랜지스터(10, 20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.
또한, 축전 소자(80)는 층간 절연막(160)을 사이에 두고 배치된 제 1 축전판(158)과 제 2 축전판(178)을 포함한다.
스위칭 박막트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며, 제 1 축전판(158)과 연결된다.
구동 박막트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(210)의 발광층(212)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극(211)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 제 1 축전판(158)과 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 제 2 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 구동 드레인 전극(177)은 컨택홀을 통해 유기 발광 소자(210)의 화소 전극(211)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(210)로 흘러 유기 발광 소자(210)가 발광하게 된다.
층간 절연막(160) 상에 배치된 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 소스 전극(173, 176) 및 드레인 전극(174, 177), 제 2 축전판(178) 등과 같이 동일층으로 패턴된 데이터 배선을 덮는 평탄화막(165)이 배치된다.
평탄화막(165)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자(210)의 발광 효율을 높이기 위해, 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 평탄화막(165)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(polyphenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 만들어질 수 있다.
평탄화막(165) 상에 유기 발광 소자(210)의 화소 전극(211)이 배치된다. 화소 전극(211)은 평탄화막(165)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(177)과 연결된다.
평탄화막(165) 상에 화소 전극(211)의 적어도 일부를 드러내어 화소 영역을 정의하는 화소정의막(190)이 배치된다. 화소 전극(211)은 화소정의막(190)의 화소 영역에 대응하도록 배치된다. 화소정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다.
화소 영역 내의 화소 전극(211) 상에 발광층(212)이 배치되고, 화소정의막(190) 및 발광층(212) 상에 공통 전극(213)이 배치된다. 발광층(212)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 화소 전극(211)과 발광층(212) 사이에 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL) 및 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있고, 발광층(212)과 공통 전극(213) 사이에 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있다.
화소 전극(211) 및 공통 전극(213)은 투과형 전극, 반투과형 전극 및 반사형 전극 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
투과형 전극 형성을 위하여 투명 도전성 산화물(TCO; Transparent Conductive Oxide)이 사용될 수 있다. 투명한 도전성 산화물(TCO)로, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등이 있다.
반투과형 전극 및 반사형 전극 형성을 위하여 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu)와 같은 금속 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. 이때, 반투과형 전극과 반사형 전극은 두께로 결정된다. 일반적으로, 반투과형 전극은 약 200nm 이하의 두께를 가지며, 반사형 전극은 300nm 이상의 두께를 가진다. 반투과형 전극은 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지지만 저항이 커지고, 두께가 두꺼워질수록 빛의 투과율이 낮아진다.
또한, 반투과형 및 반사형 전극은 금속 또는 금속의 합금으로 된 금속층과 금속층 상에 적층된 투명 도전성 산화물(TCO)층을 포함하는 다층구조로 형성될 수 있다.
공통 전극(213) 상에 박막 봉지층(250)이 배치된다. 박막 봉지층(250)은 하나 이상의 무기막(251, 253) 및 하나 이상의 유기막(252)을 포함한다. 또한, 박막 봉지층(250)은 무기막(251, 253)과 유기막(252)이 교호적으로 적층된 구조를 갖는다. 이때, 무기막(251)이 최하부에 배치된다. 즉, 무기막(251)이 유기 발광 소자(210)와 가장 가깝게 배치된다.
박막 봉지층(250)은 2개의 무기막(251, 253)과 1개의 유기막(252)을 포함하고 있으나, 본 발명의 일실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
무기막(251, 253)은 Al2O3, TiO2, ZrO, SiNx, SiO2, AlON, AlN, SiON, Si3N4, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상의 무기물을 포함하여 형성된다. 무기막(251, 253)은 화학증착(chemical vapor deposition, CVD)법 또는 원자층 증착(atomic layer depostion, ALD)법을 통해 형성된다. 하지만, 본 발명의 일실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 무기막(251, 253)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
유기막(252)은 고분자(polymer) 계열의 소재로 만들어진다. 여기서, 고분자 계열의 소재는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 및 폴리에틸렌 등을 포함한다. 또한, 유기막(252)은 열증착 공정을 통해 형성된다. 그리고, 유기막(252)을 형성하기 위한 열증착 공정은 유기 발광 소자(210)를 손상시키지 않는 온도 범위 내에서 진행된다. 하지만, 본 발명의 일실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 유기막(252)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
박막의 밀도가 치밀하게 형성된 무기막(251, 253)이 주로 수분 또는 산소의 침투를 억제한다. 대부분의 수분 및 산소는 무기막(251, 253)에 의해 유기 발광 소자(210)로의 침투가 차단된다.
박막 봉지층(250)은 10㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 표시 패널(100)의 전체적인 두께가 매우 얇게 형성될 수 있다. 이와 같이 박막 봉지층(250)이 적용됨으로써, 표시 패널(100)의 플렉시블한 특성이 극대화될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 제1 터치 센서를 나타낸 평면도이다. 본 발명의 일실시예에 따른 제1 터치 센서는 정전 용량 방식 터치 센서일 수 있다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 제1 터치 센서(300)는 터치 기판(310), 터치 기판(310) 상에 배치된 복수의 제1 센싱 전극(311) 및 복수의 제2 센싱 전극(312), 제1 센싱 전극(311)들을 연결하는 제1 연결 배선(321), 제2 센싱 전극(312)들을 연결하는 제2 연결 배선(322), 및 터치 구동부(350) 등을 포함할 수 있다. 제1 센싱 전극(311)들은 제1 라우팅 배선(351)을 통해 터치 구동부(350)에 연결될 수 있으며, 제2 센싱 전극(312)들은 제2 라우팅 배선(352)을 통해 터치 구동부(350)에 연결될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 제1 터치 센서(300)는 복수의 제1 센싱 전극(311) 및 복수의 제2 센싱 전극(312) 등이 터치 기판(310) 상에 형성되어 표시 패널(100) 상에 배치되는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 터치 기판(310)이 생략되고 복수의 제1 센싱 전극(311) 및 복수의 제2 센싱 전극(312) 등이 표시 패널(100) 상에 직접 형성될 수도 있다.
제1 센싱 전극(311) 및 제2 센싱 전극(312)은 평면 상에서 중첩되지 않게 배치될 수 있다. 제1 센싱 전극(311) 및 제2 센싱 전극(312)은 마름모 형태의 면 전극 형태를 갖는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 센싱 전극(311) 및 제2 센싱 전극(312)은 삼각 또는 사각 형태를 갖거나, 메쉬(mesh) 전극 형태를 가질 수도 있다.
제1 센싱 전극(311) 및 제2 센싱 전극(312)의 크기는 표시 패널(100)의 크기 및 목적에 따라 터치를 검출하기 위하여 적절한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 센싱 전극(311) 및 제2 센싱 전극(312)의 면적은 수 내지 수십 제곱 밀리미터(mm2) 수준으로 형성될 수 있다.
제1 센싱 전극(311) 및 제2 센싱 전극(312)은 동일층 상에 형성되거나, 절연층 등에 의해 서로 절연되어 형성될 수 있다. 제1 연결 배선(321) 및 제2 연결 배선(322)은 평면 상에서 서로 절연되어 교차될 수 있다.
제1 센싱 전극(311), 제2 센싱 전극(312), 제1 연결 배선(321), 및 제2 연결 배선(322)은 금속 또는 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 이러한 투명 전도성 산화물(TCO)은 인듐-주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐-아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 산화 아연(ZnO), CNT(carbon nanotube), 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에선 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
터치 구동부(350)는 제1 센싱 전극(311)에 구동 신호를 입력하고, 제2 센싱 전극(312)에서 측정된 커패시턴스 변화량 또는 전압 변화량 등을 이용하여 터치 유무 및 터치 좌표 등을 파악할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 제1 터치 센서 및 제2 터치 센서를 나타낸 평면도이고, 도 11은 도 10의 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 절단한 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 제2 터치 센서(400)는 표시 패널(100)의 곡면부(102) 상에 배치될 수 있다. 제2 터치 센서(400)는 평면 상에서 곡면부(102)와 실질적으로 동일한 형태를 가질 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 곡면부(102)가 평면 상에서 스트라이프 형태를 갖는 경우, 제2 터치 센서(400)도 평면 상에서 스트라이프 형태를 가질 수 있다. 또한, 곡면부(102)가 평면부(101)의 가장자리를 따라 평면 상에서 테두리 형태를 갖는 경우, 제2 터치 센서(400)도 평면 상에서 테두리 형태를 가질 수 있다.
제2 터치 센서(400)는 서로 대향되게 배치된 제1 전극(410) 및 제2 전극(420), 제1 전극(410) 및 제2 전극(420) 사이에 배치된 충진제(430), 및 제어부(미도시) 등을 포함할 수 있다.
제1 전극(410) 및 제2 전극(420)은 금속 또는 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO)을 포함할 수 있다. 이러한 투명 전도성 산화물(TCO)은 인듐-주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐-아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 산화 아연(ZnO), CNT(carbon nanotube), 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 군에선 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
충진제(430)는 투명하고 탄성력 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 충진제(430)는 실리콘(Silicon), 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylesiloxane, PDMS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제어부(미도시)는 제1 전극(410) 및 제2 전극(420) 사이에 전압을 인가하고, 제1 전극(410) 및 제2 전극(420) 사이의 정전 용량 변화를 센싱할 수 있다. 제1 전극(410) 및 제2 전극(420) 사이의 정전 용량은 제1 전극(410) 및 제2 전극(420) 사이의 거리(d) 또는 충진제(430)의 두께(d)에 반비례한다. 즉, 외부에서 터치가 발생하여 터치 압력에 따라 충진제(430)의 두께가 변하는 경우, 제1 전극(410) 및 제2 전극(420) 사이의 정전 용량이 변하게 되고, 정전 용량의 변화를 센싱하여 터치 발생 유무를 판단할 수 있다.
이러한 제2 터치 센서(400)는 제1 터치 센서(300)와 별개로 동작하기 때문에 사용자가 벤디드 표시 장치를 파지하는 상태에 따라 벤디드 표시 장치의 측면에서 발생하는 터치 오작동을 방지할 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 제2 터치 센서의 구성을 나타낸 회로도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 제2 터치 센서(400)는 접촉에 의해 가해진 압력에 따라 저항 값이 변하는 센서 저항(Rs), 센서 저항(Rs)에 직렬 연결되고, 일정한 저항 값을 갖는 필터 저항(Rf), 및 센서 저항(Rs) 및 필터 저항(Rf) 사이의 노드(ND)에 연결된 압력 센싱부(FSR)를 포함할 수 있다.
센서 저항(Rs)은 압저항 물질을 포함하고, 압력이 가해지면 저항 값이 변할 수 있다. 이러한 압저항 물질은 탄소나노튜브(CNT), 및 그래핀(Graphene) 등이 있다. 필터 저항(Rf)은 센서 저항(Rs)에 직렬 연결되고, 일정한 저항 값을 가질 수 있다.
직렬 연결된 센서 저항(Rs) 및 필터 저항(Rf)에 기준 전압(Vcc)이 인가될 수 있다. 압력 센싱부(FSR)는 센서 저항(Rs) 및 필터 저항(Rf) 사이의 노드(ND)에 연결되어 센서 저항(Rs) 및 필터 저항(Rf)에 의해 분배된 분배 전압(Vd)을 센싱할 수 있다. 따라서, 외부에서 터치가 발생하여 분배 전압(Vd) 값이 변하는 경우, 이를 센싱하여 터치 발생 유무를 판단할 수 있다.
이러한 제2 터치 센서(400)는 제1 터치 센서(300)와 별개로 동작하기 때문에 사용자가 벤디드 표시 장치를 파지하는 상태에 따라 벤디드 표시 장치의 측면에서 발생하는 터치 오작동을 방지할 수 있다.
도 13은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치를 나타낸 평면도이고, 도 14는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치를 나타낸 단면도이고, 도 15는 도 13의 "A"영역을 확대한 부분 확대도이고, 도 16은 도 15의 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 절단한 단면도이다.
본 발명의 다른 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치에 관한 설명 가운데 본 발명의 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치에 관한 설명과 중복되는 내용은 생략한다.
도 13 내지 도 16을 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 벤디드 표시 장치는 표시 패널(100), 제1 터치 센서(300), 제2 터치 센서(400), 및 윈도우(500) 등을 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 평면부(101) 및 평면부 가장자리의 곡면부(102)를 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 일실시예에 따른 제2 터치 센서(400)는 표시 패널(100) 곡면부(102)의 배면에 복수개 배치될 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며 제2 터치 센서(400)는 표시 패널(100) 내부에 직접 구현될 수도 있다. 구체적으로, 제2 터치 센서(400)는 표시 패널(100) 곡면부(102)에 배치된 복수의 화소(PX)들 사이에 배치될 수도 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따른 제2 터치 센서(400)는 광 방식 터치 센서 또는 초음파 방식 터치 센서일 수 있다.
표시 패널(100)은 영상을 표시하는 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)들은 표시 패널(100)의 평면부(101) 및 곡면부(102)에 각각 배치되어 영상을 표시 할 수 있다.
표시 패널(100)의 곡면부(102)는 화소(PX) 등이 배치되어 영상이 표시되는 화소 영역(PA)과 광이 투과되는 투과 영역(TA)을 포함할 수 있다.
도면에서 세 개의 화소 영역(PA)과 하나의 투과 영역(TA)이 일방향으로 배치된 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 화소 영역(PA)과 투과 영역(TA)은 다양한 형태와 개수로 배치될 수 있다. 또한, 투과 영역(TA)은 사각 형태인 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 다각형, 원형 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다.
투과 영역(TA)은 투과 영역(TA)을 지나는 광 또는 초음파 등이 관통할 수 있도록 개구부(OPN)가 형성될 수 있다. 개구부(OPN)는 절연층의 적어도 일부와 발광을 위한 구성 요소가 제거되는 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 개구부(OPN)는 층간 절연막(160), 및 평탄화막(165) 등이 제거됨으로써 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 버퍼층(120) 및 게이트 절연막(140) 등도 제거될 수 있다.
곡면부(102)의 화소 영역(PA)에 배치된 유기 발광 소자(210)로부터 출광된 광은 사용자의 손가락 등에 의해 반사되고, 반사된 광은 투과 영역(TA)의 개구부(OPN)를 통해 제2 터치 센서(400)에 도달할 수 있다.
다른 실시예에서, 표시 패널(100)의 곡면부(102)는 초음파 발생부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 초음파 발생부(미도시)로부터 발생된 초음파는 사용자의 손가락 등에 의해 반사되고, 반사된 초음파는 투과 영역(TA)의 개구부(OPN)를 통해 제2 터치 센서(400)에 도달할 수 있다.
제2 터치 센서(400)는 센싱된 광 또는 초음파를 이용하여 터치 발생 유무를 판단할 수 있다. 나아가, 제2 터치 센서(400)는 센싱된 광 또는 초음파를 이용하여 지문을 감지할 수도 있다.
도 17은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널에 관한 설명 가운데 본 발명의 일실시예에 따른 표시 패널에 관한 설명과 중복되는 내용은 생략한다.
도 17을 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 평면부(101) 및 평면부(101) 가장자리의 곡면부(102)를 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 영상을 표시하는 복수의 화소(PX1, PX2)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX1, PX2)들은 표시 패널(100)의 평면부(101) 및 곡면부(102)에 배치되어 영상을 표시할 수 있다. 이하에서, 설명의 편의상 평면부(101)에 배치된 화소를 제1 화소(PX1)라 하고, 곡면부(102)에 배치된 화소를 제2 화소(PX2)라 한다. 표시 패널(100)의 곡면부(102)는 광이 투과되는 투과 영역(TA)을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 곡면부(102)에 투과 영역(TA)이 더 형성되어 있기 때문에, 곡면부(102)의 해상도가 평면부(101)의 해상도보다 작을 수 있다.
또한, 제2 화소(PX2)를 제1 화소(PX1)보다 작게 형성하여 투과 영역(TA)의 면적을 증가시킬 수도 있다.
이와 같이, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 곡면부(102)에 투과 영역(TA)을 형성하여 투과되는 광 또는 초음파의 양을 증가시킴으로써, 제2 터치 센서(미도시)의 감도를 향상시킬 수 있다.
도 18은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널에 관한 설명 가운데 본 발명의 일실시예에 따른 표시 패널에 관한 설명과 중복되는 내용은 생략한다.
도 18을 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 평면부(101) 및 평면부(101) 가장자리의 곡면부(102)를 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 영상을 표시하는 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)들은 표시 패널(100)의 평면부(101) 및 곡면부(102)에 배치되어 영상을 표시 할 수 있다. 표시 패널(100)의 곡면부(102)는 광이 투과되는 투과 영역(TA)을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일실시예에 따른 투과 영역(TA)의 면적은 평면부(101)와 곡면부(102)의 경계로부터 표시 패널(100)의 가장자리로 갈수록 점진적으로 증가될 수 있다.
예를 들어, 평면부(101)와 곡면부(102)의 경계에 인접한 투과 영역(TA)들을 순서대로 TA1, TA2, TA3라고 하고, TA1의 폭을 W1, TA2의 폭을 W2, TA3의 폭을 W3이라 할 때, W1, W2, 및 W3은 다음의 수학식 1을 만족할 수 있다.
[수학식 1]
W1 < W2 < W3
이와 같이, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 곡면부(102)에 투과 영역(TA)이 가장자리로 갈수록 증가하게 형성하여 투과되는 광 또는 초음파의 양을 증가시킴으로써, 제2 터치 센서(미도시)의 감도를 향상시킬 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 표시 패널
300: 제1 터치 센서
400: 제2 터치 센서
500: 윈도우

Claims (18)

  1. 평면부, 및 상기 평면부 가장자리의 곡면부를 포함하는 표시 패널;
    상기 표시 패널과 실질적으로 동일한 형태를 갖고, 상기 표시 패널 상에 배치된 윈도우;
    상기 평면부와 중첩되게 배치된 제1 터치 센서; 및
    상기 곡면부와 중첩되게 배치된 제2 터치 센서;를 포함하며,
    상기 제1 터치 센서 및 상기 제2 터치 센서는 서로 다른 방식으로 터치를 감지하는 벤디드 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 터치 센서는 정전 용량 방식 터치 센서인 벤디드 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제2 터치 센서는 압력 감지 방식 터치 센서, 광 감지 터치 센서, 및 초음파 방식 터치 센서 중 적어도 하나를 포함하는 벤디드 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 제1 터치 센서는 평면 상에서 상기 평면부와 실질적으로 동일한 형태를 갖는 벤디드 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제2 터치 센서는 평면 상에서 상기 곡면부와 실질적으로 동일한 형태를 갖는 벤디드 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 제1 터치 센서 및 상기 제2 터치 센서는 서로 다른 구동부를 갖는 벤디드 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 표시 패널은 유기 발광 표시 패널인 벤디드 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 제1 터치 센서는 상기 표시 패널 및 상기 윈도우 사이에 배치된 벤디드 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 제1 터치 센서는 상기 표시 패널 내부에 형성된 벤디드 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 제2 터치 센서는 상기 표시 패널 및 상기 윈도우 사이에 배치된 벤디드 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서, 상기 제2 터치 센서는 상기 표시 패널의 배면에 배치된 벤디드 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서, 상기 제2 터치 센서는,
    서로 대향되게 배치된 제1 전극 및 제2 전극; 및
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치된 충진제;를 포함하는 벤디드 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 충진제는 실리콘(Silicon), 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylesiloxane, PDMS) 중 적어도 하나를 포함하는 벤디드 표시 장치.
  14. 제12 항에 있어서, 상기 제2 터치 센서는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전압을 인가하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 정전 용량을 감지하는 제어부를 포함하는 벤디드 표시 장치.
  15. 제1 항에 있어서, 상기 제2 터치 센서는,
    접촉에 의해 가해진 압력에 따라 저항 값이 변하는 센서 저항;
    상기 센서 저항에 직렬 연결되고, 일정한 저항 값을 갖는 필터 저항; 및
    상기 센서 저항 및 상기 필터 저항 사이의 노드에 연결된 압력 센싱부;를 포함하는 벤디드 표시 장치.
  16. 제11 항에 있어서, 상기 곡면부는,
    영상이 표시되는 화소 영역; 및
    상기 화소 영역 사이의 광이 투과되는 투과 영역;을 포함하는 벤디드 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서, 상기 투과 영역은 상기 상기 평면부와 상기 곡면부의 경계에서 상기 표시 패널의 가장자리로 갈수록 점진적으로 증가하는 벤디드 표시 장치.
  18. 제11 항에 있어서, 상기 표시 패널은
    상기 평면부에 배치되어 영상을 표시하는 제1 화소; 및
    상기 곡면부에 배치되어 영상을 표시하는 제2 화소;를 포함하며,
    상기 제1 화소는 상기 제2 화소보다 큰 면적을 갖는 표시 장치.

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