KR20180046422A - 플렉시블 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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elastic
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김태웅
구현우
김선호
최진환
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Abstract

휘어질 수 있는 표시 패널, 상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치된 보호층, 및 상기 보호층 상에 배치된 탄성층을 포함하며, 상기 보호층은 상기 탄성층과 마주하는 면에 적어도 하나 이상의 홈을 갖고, 상기 탄성층의 적어도 일부는 상기 홈 내에 존재하는 플렉시블 표시 장치를 제공한다.

Description

플렉시블 표시 장치 및 그 제조 방법{FLEXIBLE DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 플렉시블 표시 장치에 관한 것으로 특히, 탄성층을 포함하는 플렉시블 표시 장치에 관한 것이다.
최근 휘어질 수 있는 플렉시블(flexible) 표시 장치가 개발되고 있다. 이러한 플렉시블 표시 장치는 접히거나 만곡된 형태로 사용될 수 있어 다양한 분야에 활용될 수 있다. 플렉시블 표시 장치는 플렉시블 기판 상에 표시 소자가 배치된 것이다.
플렉시블 표시 장치에 적용될 수 있는 표시 소자로 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode, OLED), 액정 표시(Liquid Crystal Display, LCD) 소자, 및 전기 영동 표시(Electrophoretic Display, EPD) 소자 등이 있다. 이 중 유기 발광 소자는 박막 형태의 적층 구조로 제조될 수 있기 때문에 뛰어난 유연성을 갖고 있어 플렉시블 표시 장치의 표시 소자로 각광받고 있다.
플렉시블 표시 장치는 휘어지는 정도에 따라 두루마리처럼 말 수 있는 롤러블(rollable) 표시 장치, 종이처럼 접을 수 있는 폴더블(foldable) 표시 장치, 및 크기를 늘렸다 줄였다 할 수 있는 스트레처블(stretchable) 표시 장치 등으로 분류된다.
플렉시블 표시 장치는 표시 패널을 보호하기 위한 보호층 및 표시 패널을 본래의 형태로 복원하기 위한 복원력을 제공하는 탄성층 등을 포함할 수 있다. 이러한 보호층 및 탄성층 등은 점착 부재에 의해 표시 패널에 부착될 수 있는데, 플렉시블 표시 장치가 휘어지는 동작이 반복됨에 따라 보호층 또는 탄성층 등이 표시 패널로부터 박리되는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 이러한 문제를 방지하고자 점착 부재의 양을 증가시키는 경우, 전체 플렉시블 표시 장치의 두께가 증가할 수 있다.
이에 본 발명에서는 플렉시블 표시 장치의 두께 증가를 방지하면서 동시에 보호층 또는 탄성층 등이 표시 패널로부터 박리되는 것을 방지할 수 있는 플렉시블 표시 장치를 제공하고자 한다.
휘어질 수 있는 표시 패널, 상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치된 보호층, 및 상기 보호층 상에 배치된 탄성층을 포함하며, 상기 보호층은 상기 탄성층과 마주하는 면에 적어도 하나 이상의 홈을 갖고, 상기 탄성층의 적어도 일부는 상기 홈 내에 존재하는 플렉시블 표시 장치를 제공한다.
상기 플렉시블 표시 장치는 상기 표시 패널 및 상기 보호층 사이에 배치된 점착층을 포함할 수 있다.
상기 보호층은 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리스티렌(PS), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에틸렌(PE), 및 박막 금속 필름으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 보호층은 10㎛ 내지 500㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 탄성층은 고무, 엘라스톨레핀(Elastolefin), 열가소성 올레핀(Thermoplastic olefin), 열가소성 폴리우레탄(Thermoplastic polyurethane), 합성 폴리이소프렌(Synthetic polyisoprene), 폴리부타디엔(Polybutadiene), 클로로프렌 고무(Chloroprene rubber), 부틸 고무(Butyl rubber), 스티렌-부타디엔(Styrene-butadiene), 에피클로로히드린 고무(Epichlorohydrin rubber), 폴리아크릴 고무(Polyacrylic rubber), 실리콘 고무(Silicone rubber), 플루오르실리콘 고무(Fluorosilicone Rubber), 플루오르엘라스토머(Fluoroelastomers), 에틸렌비닐아세테이트(Ethylene-vinyl acetate), 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 탄성층은 10㎛ 내지 500㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 홈은 0.1㎛ 내지 5㎛의 평균 너비를 가질 수 있다.
상기 홈은 2㎛ 내지 20㎛의 평균 깊이를 가질 수 있다.
휘어질 수 있는 표시 패널, 상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치된 저탄성층, 상기 저탄성층 상에 배치된 고탄성층, 및 상기 저탄성층 및 상기 고탄성층 사이에 배치된 혼합층을 포함하며, 상기 혼합층은 상기 저탄성층 형성용 물질 및 상기 고탄성층 형성용 물질을 포함하는 플렉시블 표시 장치를 제공한다.
상기 저탄성층의 탄성 에너지는 1MPa 이하이고, 상기 고탄성층의 탄성 에너지는 10Mpa 이상일 수 있다.
상기 저탄성층은 폴리다이메틸실록세인(PDMS)를 포함할 수 있다.
상기 고탄성층은 열가소성 폴리우레탄(TPU), 및 폴리우레탄(PU) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
보호층 형성용 물질을 도포하는 단계, 상기 보호층 형성용 물질에 나노 입자를 도포하는 단계, 상기 보호층 형성용 물질을 경화시켜 보호층을 형성하는 단계, 상기 보호층에 개재된 상기 나노 입자를 기화시켜 상기 보호층에 홈을 형성하는 단계, 상기 홈이 형성된 보호층 상에 탄성층 형성용 물질을 도포하는 단계, 및 상기 탄성층 형성용 물질을 경화시켜 탄성층을 형성하는 단계를 포함하는 플렉시블 표시 장치 제조 방법을 제공한다.
상기 보호층 형성용 물질은 폴리아크릴아미드(PAA)이고, 상기 보호층은 폴리이미드(PI)일 수 있다.
상기 보호층을 형성하는 단계는 상기 보호층 형성용 물질을 200℃ 내지 250℃로 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 나노 입자는 100℃ 내지 400℃의 기화점을 가질 수 있다.
상기 나노 입자를 기화시키는 단계는 상기 보호층을 400℃ 내지 450℃로 가열하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 나노 입자는 구(Spherical) 형태이며, 0.1㎛ 내지 10㎛의 직경을 가질 수 있다.
상기 나노 입자는 폴리스티렌(Polystyrene)을 포함할 수 있다.
휘어질 수 있는 표시 패널의 적어도 일면 상에 저탄성층 형성용 물질을 도포하는 단계, 상기 저탄성층 형성용 물질을 부분 경화시키는 단계, 상기 부분 경화된 저탄성층 형성용 물질 상에 고탄성층 형성용 물질을 도포하는 단계, 및 상기 고탄성층 형성용 물질을 완전 경화시키는 단계를 포함하는 플렉시블 표시 장치 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 플렉시블 표시 장치는 점착 부재 없이 보호층 및 탄성층을 기계적으로 결합시킴으로써 플렉시블 표시 장치의 두께 증가를 방지하면서 동시에 보호층 또는 탄성층 등이 표시 패널로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플렉시블 표시 장치는 탄성층을 저탄성층 및 고탄성층과 같이 다층 구조로 형성함으로써 플렉시블 표시 장치의 두께 증가를 방지하면서 동시에 탄성층 등이 표시 패널로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'을 따라 절단한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 플렉시블 표시 패널의 일부를 확대한 부분 확대도이다.
도 7은 도 6의 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 절단한 단면도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 형태로 실시될 수 있는 바, 특정의 실시예만을 도면에 예시하고 본문에는 이를 중심으로 설명한다. 그렇다고 하여 본 발명의 범위가 상기 특정한 실시예로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙인다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I'을 따라 절단한 단면도이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치(101)는 롤러블 표시 장치인 것을 전제로 설명한다. 다만, 본 발명에 따른 플렉시블 표시 장치가 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명에 따른 플렉시블 표시 장치는 롤러블 표시 장치뿐 아니라 폴더블 표시 장치와 같이 표시 패널의 형태가 변형되었다가 다시 본래의 형태로 복원될 수 있는 표시 패널에 모두 적용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치(101)는 롤 프레임(F)과 롤 프레임(F) 내에 롤 형태로 감기는 표시 패널(100)을 포함할 수 있다. 표시 패널(100)은 롤 형태로 감겨 롤 프레임(F)에 수납되거나, 롤 프레임(F)으로부터 펼쳐질 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치(101)는 표시 패널(100), 표시 패널(100)의 적어도 일면 상에 배치된 점착층(300), 점착층(300) 상에 배치된 보호층(400), 및 보호층(400) 상에 배치된 탄성층(500) 등을 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 플라스틱 재질의 기판, 기판 상의 박막 트랜지스터층, 각 박막 트랜지스터에 연결된 화소, 및 박막 봉지층 등을 포함할 수 있으며, 일반적으로 30㎛ 내지 40㎛의 두께(t1)를 가질 수 있다. 표시 패널(100)의 보다 자세한 구성은 후술한다.
표시 패널(100)의 적어도 일면 상에 표시 패널(100)을 보호하기 위한 보호층(400)이 배치될 수 있다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치(101)는 표시 패널(100)의 양면 상에 보호층(400)이 배치되는 것을 전제로 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니며, 보호층(400)은 표시 패널(100)의 어느 한 면 상에만 배치될 수도 있다.
표시 패널(100) 및 보호층(400) 사이에 점착층(300)이 배치될 수 있다. 점착층(300)은 예를 들어, 감압 접착제(Pressure Sensitivity Adhesive; PSA)를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 일반적으로 사용되는 접착제의 경우 제한없이 사용될 수 있다.
보호층(400)은 외부의 충격 등으로부터 내부의 표시 패널(100)을 보호할 수 있다. 보호층(400)은 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리스티렌(PS), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에틸렌(PE), 및 박막 금속 필름으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 보호층(400)은 10㎛ 내지 500㎛의 두께(t2)를 가질 수 있다.
도면에 도시되지 않았지만, 표시 패널(100) 및 보호층(400) 사이에 편광자, 및 터치 센서 등과 같은 구성이 더 배치될 수도 있다.
보호층(400) 상에 탄성층(500)이 배치될 수 있다. 탄성층(500)은 변형된 표시 패널(100)이 원래의 형태로 되돌아갈 수 있도록 복원력을 제공할 수 있다.
탄성층(500)은 고무, 엘라스톨레핀(Elastolefin), 열가소성 올레핀(Thermoplastic olefin), 열가소성 폴리우레탄(Thermoplastic polyurethane), 합성 폴리이소프렌(Synthetic polyisoprene), 폴리부타디엔(Polybutadiene), 클로로프렌 고무(Chloroprene rubber), 부틸 고무(Butyl rubber), 스티렌-부타디엔(Styrene-butadiene), 에피클로로히드린 고무(Epichlorohydrin rubber), 폴리아크릴 고무(Polyacrylic rubber), 실리콘 고무(Silicone rubber), 플루오르실리콘 고무(Fluorosilicone Rubber), 플루오르엘라스토머(Fluoroelastomers), 에틸렌비닐아세테이트(Ethylene-vinyl acetate), 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 탄성층(500)은 10㎛ 내지 500㎛의 두께(t3)를 가질 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 보호층(400)은 탄성층(500)과 마주하는 면에 형성된 적어도 하나 이상의 홈(400h)을 갖는다. 또한, 탄성층(500)의 적어도 일부는 보호층(400)에 형성된 홈(400h) 내에 배치될 수 있다. 홈(400h)은 0.1㎛ 내지 5㎛의 평균 너비(W)를 가질 수 있으며, 2㎛ 내지 20㎛의 평균 깊이(D)를 가질 수 있다.
홈(400h)의 너비(W)와 깊이(D) 사이의 비율은 1:4 내지 1:200일 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 보호층(400) 및 탄성층(500)이 상기와 같은 구조로 결합됨에 따라 별도의 접착 부재가 생략될 수 있고, 동시에 보호층(400) 및 탄성층(500) 사이의 접착 면적이 증가하기 때문에 접착력이 증가할 수 있다.
탄성층(500)은 표시 패널(100)을 원래의 형태로 되돌리기 위한 복원력을 제공해야 한다. 이러한 복원력은 탄성층(500)을 구성하는 물질의 탄성 계수 및 두께 등에 비례할 수 있다. 따라서, 일정 크기 이상의 복원력을 제공하기 위해서 탄성층(500)을 일정 두께 이상으로 형성하여야 하는데, 이러한 탄성층(500)을 보호층(400)에 고정하기 위해서는 보호층(400)과 탄성층(500) 사이의 접착 부재를 일정 두께 이상으로 형성하여야 한다. 즉, 전체 플렉시블 표시 장치의 두께가 증가하게 된다.
다만, 본 발명의 제1 실시예와 같이, 보호층(400)과 탄성층(500)을 결합하는 경우, 별도의 접착 부재가 생략되고, 보호층(400)과 탄성층(500) 사이의 접촉 면적이 증가하기 때문에 접착력이 증가하게 된다. 따라서, 전체 플렉시블 표시 장치의 두께가 증가하지 않음과 동시에 보호층(400)과 탄성층(500) 사이의 접착력을 증가시킬 수 있다. 따라서, 플렉시블 표시 장치(101)가 휘어지는 동작이 반복되더라도 탄성층(500)이 표시 패널(100)로부터 박리되지 않도록 방지할 수 있다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 보호층 형성용 물질(400a)를 도포한다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치에서 보호층은 폴리이미드(PI)일 수 있다. 보호층이 폴리이미드(PI)인 경우, 보호층 형성용 물질(400a)는 폴리이미드(PI)의 전구체인 폴리아믹 산(Polyamic acid; PAA)일 수 있다. 보호층 형성용 물질(400a)은 경화되어 보호층이 될 수 있다. 보호층 형성용 물질(400a)은 슬릿 코팅 방식으로 도포될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 보호층 형성용 물질(400a) 상에 나노 입자(410)를 도포한다. 예를 들어, 나노 입자(410)는 400℃ 이상의 온도에서 기화될 수 있는 폴리스티렌(PS) 입자일 수 있다. 나노 입자(410)는 구(Spherical) 형태이며, 0.1㎛ 내지 10㎛의 직경(R)을 가질 수 있다. 도포된 나노 입자(410)는 보호층 형성용 물질(400a)내에 개재될 수 있다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 나노 입자(410)가 개재된 보호층 형성용 물질(400a)을 경화시켜 보호층(400)을 형성한다. 보호층 형성용 물질(400a)은 200℃ 내지 250℃의 열을 이용한 열 경화 방식으로 경화될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 UV 경화 방식으로 경화될 수도 있다. 그 결과, 나노 입자(410)가 개재된 보호층(400)이 형성될 수 있다. 보호층(400)은 예를 들어, 폴리이미드(PI)일 수 있다.
도 3c 및 도 3d를 참조하면, 나노 입자(410)가 개재된 보호층(400)을 400℃ 내지 450℃로 30분 내지 1시간 동안 가열한다. 이 때, 나노 입자(410)는 기화되어 보호층(400)으로부터 가스 형태로 방출된다. 그 결과, 보호층(400)에 나노 입자(410)가 기화되어 방출되는 과정에서 발생한 홈(400h)이 형성될 수 있다. 제조 방법의 특성 상 복수의 홈(400h)들은 불규칙한 형태로 형성될 수 있으며, 홈(400h)은 예를 들어, 0.1㎛ 내지 5㎛의 평균 너비(W)를 가질 수 있으며, 2㎛ 내지 20㎛의 평균 깊이(D)를 가질 수 있다.
도 3e를 참조하면, 홈(400h)이 형성된 보호층(400) 상에 탄성층 형성용 물질(500a)을 도포한다. 탄성층 형성용 물질(500a)은 액체 상태 또는 경화 전 상태(curable)일 수 있다. 예를 들어, 탄성층 형성용 물질(500a)은 열가소성 폴리우레탄(Thermoplastic polyurethane; TPU), 폴리우레탄 전구체(PU precursor), 및 폴리다이메틸실록세인(Polydimethylsiloxane; PDMS) 전구체 중 어느 하나일 수 있다.
탄성층 형성용 물질(500a)이 액체 상태 또는 경화 전 상태이기 때문에 탄성층 형성용 물질(500a)의 일부가 보호층(400)의 홈(400h) 내부로 침투될 수 있다.
도 3e 및 도 3f를 참조하면, 탄성층 형성용 물질(500a)의 일부가 보호층(400)의 홈(400h) 내부로 침투된 상태에서 탄성층 형성용 물질(500a)을 경화시켜 탄성층(500)을 형성한다. 탄성층(500)은 열 경화 또는 UV 경화 방식으로 경화될 수 있다. 이러한 방식으로 보호층(400) 상에 탄성층(500)이 형성될 수 있다. 즉, 별도의 접착 부재 없이 보호층(400) 및 탄성층(500)이 기계적으로 결합될 수 있다. 별도의 접착 부재가 생략되므로 전체 플렉시블 디스플레이 장치의 두께를 줄일 수 있으면서 동시에 보호층(400)과 탄성층(500) 사이의 접착 면적이 증가하여 보호층(400)과 탄성층(500) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 3g를 참조하면, 표시 패널(100)의 일면에 점착층(300)을 이용하여 보호층(400)을 부착할 수 있다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치 제조 방법은 별도의 기재 상에 보호층(400) 및 탄성층(500)을 형성한 후, 이를 표시 패널(100)에 부착하는 방식인 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 보호층(400) 및 탄성층(500)은 표시 패널(100) 상에 직접 형성될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치(102)는 표시 패널(100), 표시 패널(100)의 적어도 일면 상에 배치된 저탄성층(510), 저탄성층(510) 상에 배치된 고탄성층(520), 및 상기 저탄성층(510)과 고탄성층(520) 사이에 배치된 혼합층(530) 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치(102)는 표시 패널(100)의 양면 상에 저탄성층(510), 고탄성층(520), 및 혼합층(530)이 배치되는 것을 전제로 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니며, 저탄성층(510), 고탄성층(520), 및 혼합층(530)은 표시 패널(100)의 어느 한 면 상에만 배치될 수도 있다.
저탄성층(510)의 탄성 변형 에너지(Elastic strain energy)는 1MPa 이하이고, 고탄성층(520)의 탄성 변형 에너지는 10Mpa 이상일 수 있다.
예를 들어, 저탄성층(510)은 폴리다이메틸실록세인(Polydimethylsiloxane; PDMS)과 같이 탄성 계수가 낮은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 고탄성층(520)은 열가소성 폴리우레탄(TPU), 및 폴리우레탄(PU)과 같이 탄성 계수가 높은 물질을 포함할 수 있다.
혼합층(530)은 저탄성층(510) 형성용 물질 및 고탄성층 형성용 물질을 모두 포함할 수 있다. 즉, 혼합층(530)은 폴리다이메틸실록세인(Polydimethylsiloxane; PDMS) 및 열가소성 폴리우레탄(TPU)을 포함하거나, 또는 폴리다이메틸실록세인(Polydimethylsiloxane; PDMS) 및 폴리우레탄(PU)을 포함할 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 휘어질 수 있는 표시 패널(100)의 적어도 일면 상에 저탄성층 형성용 물질(510a)을 도포한다. 저탄성층 형성용 물질(510a)은 예를 들어, 탄성 변형 에너지가 0.75MPa인 폴리다이메틸실록세인(Polydimethylsiloxane; PDMS)일 수 있다. 저탄성층 형성용 물질(510a)은 슬릿 코팅 방식으로 도포될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 표시 패널(100) 상에 도포된 저탄성층 형성용 물질(510a)을 부분 경화시킨 상태에서, 그 위에 고탄성층 형성용 물질(520a)을 도포한다. 고탄성층 형성용 물질(520a)은 예를 들어, 탄성 변형 에너지가 20MPa인 열가소성 폴리우레탄(TPU)일 수 있다. 고탄성층 형성용 물질(520a)은 슬릿 코팅 방식으로 도포될 수 있다.
도 5b 및 도 5c를 참조하면, 저탄성층 형성용 물질(510a)을 부분 경화시킨 상태에서 고탄성층 형성용 물질(520a)을 도포하고, 저탄성층 형성용 물질(510a) 및 고탄성층 형성용 물질(520a)을 모두 경화시켜 저탄성층(510) 및 고탄성층(520)을 형성한다. 이때, 저탄성층(510) 및 고탄성층(520) 사이의 계면에서 저탄성층 형성용 물질(510a) 및 고탄성층 형성용 물질(520a)이 혼합된 혼합층(530)이 형성될 수 있다.
탄성 계수가 클수록 탄성 변형 에너지가 크기 때문에, 어떤 층의 탄성 변형 에너지가 클수록 해당 층을 고정하기 위해 큰 접착력을 필요로 한다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예와 같이, 표시 패널(100) 상에 저탄성층(510)을 배치하는 경우, 낮은 접착력으로도 표시 패널(100) 상에 저탄성층(510)을 고정시킬 수 있다. 또한, 저탄성층(510) 및 고탄성층(520) 사이의 계면은 동시에 경화되어 혼합층(530)을 형성하기 때문에 높은 접착력을 가질 수 있다.
또한, 표시 패널(100) 상에 저탄성층(510) 및 고탄성층(520)이 배치됨으로써 표시 패널(100)을 본래의 형태로 되돌리기 위한 일정 수준 이상의 복원력을 제공할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉시블 표시 장치 제조 방법은 저탄성층(510) 상에 고탄성층(520)이 형성된 다층 탄성층 구조로 형성함으로써 플렉시블 표시 장치의 두께 증가를 방지하면서 동시에 탄성층이 표시 패널로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 표시 패널의 일부를 확대한 부분 확대도이고, 도 7은 도 6의 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 절단한 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 표시 패널(100)은 스위칭 박막트랜지스터(10), 구동 박막트랜지스터(20), 축전 소자(80) 및 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(210)를 포함하는 복수개의 화소를 갖는다. 유기 발광 소자(210)는 상대적으로 낮은 온도에서 증착이 가능하고, 저전력, 높은 휘도 등의 이유로 플렉시블 표시 장치에 주로 적용될 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 패널(100)은 복수의 화소를 통해 화상을 표시한다.
또한, 하나의 화소에 두 개의 박막트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)가 배치된 것이 첨부 도면에 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 하나의 화소는 셋 이상의 박막트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수도 있으며, 별도의 배선을 더 포함하여 다양한 구조를 가질 수 있다.
표시 패널(100)은 기판(110), 기판(110) 상에 배치된 게이트 라인(151)과, 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 포함할 수 있다. 일반적으로 하나의 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있지만, 화소가 전술한 정의에 한정되는 것은 아니다. 화소는 블랙 매트릭스 또는 화소 정의막에 의하여 정의될 수 있다.
기판(110)은 유연성 재료로 만들어질 수 있다. 이러한 유연성 재료로 플라스틱 물질이 있다. 구체적으로, 기판(110)은 캡톤(kapton), 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리카보네이트(polycarbonate; PC), 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate; PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylenenaphthalate; PEN), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR) 및 섬유 강화 플라스틱(fiber reinforced plastic; FRP) 등으로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나로 만들어질 수 있다.
또한, 기판(110)은 5㎛ 내지 200㎛의 두께를 갖는다. 기판(110)이 5㎛ 미만의 두께를 가지면, 기판(110)이 유기 발광 소자(210)를 안정적으로 지지하기 어렵다. 반면, 기판(110)이 200㎛이상의 두께를 갖는 경우, 기판(110)의 플렉시블한 특성이 저하될 수 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(120)이 배치된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(120)은 질화규소(SiNx)막, 산화규소(SiO2)막, 산질화규소(SiOxNy)막 중 어느 하나로 만들어질 수 있다. 그러나, 버퍼층(120)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기판(110)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(120) 상에 스위칭 반도체층(131) 및 구동 반도체층(132)이 배치된다. 스위칭 반도체층(131) 및 구동 반도체층(132)은 다결정 규소막, 비정질 규소막, 및 IGZO(Indium-Galuim-Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)와 같은 산화물 반도체 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 구동 반도체층(132)이 다결정 규소막으로 형성되는 경우, 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 이러한 불순물은 박막트랜지스터의 종류에 따라 달라진다. 본 발명의 일실시예에서 구동 박막트랜지스터(20)로 P형 불순물을 사용한 PMOS 구조의 박막트랜지스터가 사용되었으나, 구동 박막트랜지스터(20)가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 구동 박막트랜지스터(20)로 NMOS 구조 또는 CMOS 구조의 박막트랜지스터도 모두 사용될 수 있다.
스위칭 반도체층(131) 및 구동 반도체층(132) 위에 게이트 절연막(140)이 배치된다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(TetraEthylOrthoSilicate, TEOS), 질화 규소(SiNx) 및 산화 규소(SiO2) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 게이트 절연막(140)은 40nm의 두께를 갖는 질화규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막 구조를 가질 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에 게이트 전극(152, 155)을 포함하는 게이트 배선이 배치된다. 게이트 배선은 게이트 라인(151), 제 1 축전판(158) 및 그 밖의 배선을 더 포함한다. 그리고 게이트 전극(152, 155)은 반도체층(131, 132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역과 중첩되도록 배치된다. 게이트 전극(152, 155)은 반도체층(131, 132) 형성과정에서 반도체층(131, 132)의 소스 영역과 드레인 영역에 불순물이 도핑될 때 채널 영역에 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 한다.
게이트 전극(152, 155)과 제 1 축전판(158)은 동일한 층에 배치되며, 실질적으로 동일한 금속으로 만들어진다. 게이트 전극(152, 155)과 제 1 축전판(158)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 및 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
게이트 절연막(140) 상에 게이트 전극(152, 155)을 덮는 층간 절연막(160)이 배치된다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 또는 테트라에톡시실란(TEOS) 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
층간 절연막(160) 상에 소스 전극(173, 176) 및 드레인 전극(174, 177)을 포함하는 데이터 배선이 배치된다. 데이터 배선은 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제 2 축전판(178) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 그리고 소스 전극(173, 176) 및 드레인 전극(174, 177)은 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍을 통하여 반도체층(131, 132)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결된다.
이와 같이, 스위칭 박막트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함하며, 구동 박막트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다. 박막트랜지스터(10, 20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.
또한, 축전 소자(80)는 층간 절연막(160)을 사이에 두고 배치된 제 1 축전판(158)과 제 2 축전판(178)을 포함한다.
스위칭 박막트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며, 제 1 축전판(158)과 연결된다.
구동 박막트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(210)의 발광층(212)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극(211)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 제 1 축전판(158)과 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 제 2 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 구동 드레인 전극(177)은 컨택홀을 통해 유기 발광 소자(210)의 화소 전극(211)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(210)로 흘러 유기 발광 소자(210)가 발광하게 된다.
층간 절연막(160) 상에 배치된 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 소스 전극(173, 176) 및 드레인 전극(174, 177), 제 2 축전판(178) 등과 같이 동일층으로 패턴된 데이터 배선을 덮는 평탄화막(165)이 배치된다.
평탄화막(165)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자(210)의 발광 효율을 높이기 위해, 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 평탄화막(165)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(polyphenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 만들어질 수 있다.
평탄화막(165) 상에 유기 발광 소자(210)의 화소 전극(211)이 배치된다. 화소 전극(211)은 평탄화막(165)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(177)과 연결된다.
평탄화막(165) 상에 화소 전극(211)의 적어도 일부를 드러내어 화소 영역을 정의하는 화소정의막(190)이 배치된다. 화소 전극(211)은 화소정의막(190)의 화소 영역에 대응하도록 배치된다. 화소정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다.
화소 영역 내의 화소 전극(211) 상에 발광층(212)이 배치되고, 화소정의막(190) 및 발광층(212) 상에 공통 전극(213)이 배치된다. 발광층(212)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 화소전극(211)과 발광층(212) 사이에 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL) 및 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있고, 발광층(212)과 공통 전극(213) 사이에 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있다.
화소 전극(211) 및 공통 전극(213)은 투과형 전극, 반투과형 전극 및 반사형 전극 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
투과형 전극 형성을 위하여 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)이 사용될 수 있다. 투명한 도전성 산화물(TCO)로, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등이 있다.
반투과형 전극 및 반사형 전극 형성을 위하여 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 구리(Cu)와 같은 금속 또는 이들의 합금이 사용될 수 있다. 이때, 반투과형 전극과 반사형 전극은 두께로 결정된다. 일반적으로, 반투과형 전극은 약 200nm 이하의 두께를 가지며, 반사형 전극은 300nm 이상의 두께를 가진다. 반투과형 전극은 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지지만 저항이 커지고, 두께가 두꺼워질수록 빛의 투과율이 낮아진다.
또한, 반투과형 및 반사형 전극은 금속 또는 금속의 합금으로 된 금속층과 금속층 상에 적층된 투명 도전성 산화물(TCO)층을 포함하는 다층구조로 형성될 수 있다.
공통 전극(213) 상에 박막 봉지층(250)이 배치된다. 박막 봉지층(250)은 하나 이상의 무기막(251, 253) 및 하나 이상의 유기막(252)을 포함한다. 또한, 박막 봉지층(250)은 무기막(251, 253)과 유기막(252)이 교호적으로 적층된 구조를 갖는다. 이때, 무기막(251)이 최하부에 배치된다. 즉, 무기막(251)이 유기 발광 소자(210)와 가장 가깝게 배치된다.
박막 봉지층(250)은 2개의 무기막(251, 253)과 1개의 유기막(252)을 포함하고 있으나, 본 발명의 일실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
무기막(251, 253)은 SiNx, Al2O3, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, AlN, SiON, Si3N4, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상의 무기물을 포함하여 형성된다. 무기막(251, 253)은 화학증착(chemical vapor deposition, CVD)법 또는 원자층 증착(atomic layer depostion, ALD)법을 통해 형성된다. 하지만, 본 발명의 일실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 무기막(251, 253)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
유기막(252)은 고분자(polymer) 계열의 소재로 만들어진다. 여기서, 고분자 계열의 소재는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 및 폴리에틸렌 등을 포함한다. 또한, 유기막(252)은 열증착 공정을 통해 형성된다. 그리고, 유기막(252)을 형성하기 위한 열증착 공정은 유기 발광 소자(210)를 손상시키지 않는 온도 범위 내에서 진행된다. 하지만, 본 발명의 일실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 유기막(252)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
박막의 밀도가 치밀하게 형성된 무기막(251, 253)이 주로 수분 또는 산소의 침투를 억제한다. 대부분의 수분 및 산소는 무기막(251, 253)에 의해 유기 발광 소자(210)로의 침투가 차단된다.
박막 봉지층(250)은 10㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 표시 패널(100)의 전체적인 두께가 매우 얇게 형성될 수 있다. 이와 같이 박막 봉지층(250)이 적용됨으로써, 표시 패널(100)의 플렉시블한 특성이 극대화될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 표시 패널
300: 점착층
400: 보호층
500: 탄성층

Claims (20)

  1. 휘어질 수 있는 표시 패널;
    상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치된 보호층; 및
    상기 보호층 상에 배치된 탄성층;을 포함하며,
    상기 보호층은 상기 탄성층과 마주하는 면에 적어도 하나 이상의 홈을 갖고,
    상기 탄성층의 적어도 일부는 상기 홈 내에 존재하는 플렉시블 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 표시 패널 및 상기 보호층 사이에 배치된 점착층을 포함하는 플렉시블 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 보호층은 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리스티렌(PS), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에틸렌(PE), 및 박막 금속 필름으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 플렉시블 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 보호층은 10㎛ 내지 500㎛의 두께를 갖는 플렉시블 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 탄성층은 고무, 엘라스톨레핀(Elastolefin), 열가소성 올레핀(Thermoplastic olefin), 열가소성 폴리우레탄(Thermoplastic polyurethane), 합성 폴리이소프렌(Synthetic polyisoprene), 폴리부타디엔(Polybutadiene), 클로로프렌 고무(Chloroprene rubber), 부틸 고무(Butyl rubber), 스티렌-부타디엔(Styrene-butadiene), 에피클로로히드린 고무(Epichlorohydrin rubber), 폴리아크릴 고무(Polyacrylic rubber), 실리콘 고무(Silicone rubber), 플루오르실리콘 고무(Fluorosilicone Rubber), 플루오르엘라스토머(Fluoroelastomers), 에틸렌비닐아세테이트(Ethylene-vinyl acetate), 및 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 플렉시블 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 탄성층은 10㎛ 내지 500㎛의 두께를 갖는 플렉시블 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 홈은 0.1㎛ 내지 5㎛의 평균 너비를 갖는 플렉시블 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 홈은 2㎛ 내지 20㎛의 평균 깊이를 갖는 플렉시블 표시 장치.
  9. 휘어질 수 있는 표시 패널;
    상기 표시 패널의 적어도 일면 상에 배치된 저탄성층;
    상기 저탄성층 상에 배치된 고탄성층; 및
    상기 저탄성층 및 상기 고탄성층 사이에 배치된 혼합층;을 포함하며,
    상기 혼합층은 상기 저탄성층 형성용 물질 및 상기 고탄성층 형성용 물질을 포함하는 플렉시블 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 저탄성층의 탄성 에너지는 1MPa 이하이고, 상기 고탄성층의 탄성 에너지는 10Mpa 이상인 플렉시블 표시 장치.
  11. 제9 항에 있어서, 상기 저탄성층은 폴리다이메틸실록세인(PDMS)를 포함하는 플렉시블 표시 장치.
  12. 제9 항에 있어서, 상기 고탄성층은 열가소성 폴리우레탄(TPU), 및 폴리우레탄(PU) 중 적어도 하나를 포함하는 플렉시블 표시 장치.
  13. 보호층 형성용 물질을 도포하는 단계;
    상기 보호층 형성용 물질에 나노 입자를 도포하는 단계;
    상기 보호층 형성용 물질을 경화시켜 보호층을 형성하는 단계;
    상기 보호층에 개재된 상기 나노 입자를 기화시켜 상기 보호층에 홈을 형성하는 단계;
    상기 홈이 형성된 보호층 상에 탄성층 형성용 물질을 도포하는 단계; 및
    상기 탄성층 형성용 물질을 경화시켜 탄성층을 형성하는 단계;를 포함하는 플렉시블 표시 장치 제조 방법.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 보호층 형성용 물질은 폴리아크릴아미드(PAA)이고, 상기 보호층은 폴리이미드(PI)인 플렉시블 표시 장치 제조 방법.
  15. 제13 항에 있어서, 상기 보호층을 형성하는 단계는 상기 보호층 형성용 물질을 200℃ 내지 250℃로 경화시키는 단계를 포함하는 플렉시블 표시 장치 제조 방법.
  16. 제13 항에 있어서, 상기 나노 입자는 100℃ 내지 400℃의 기화점을 갖는 플렉시블 표시 장치 제조 방법.
  17. 제13 항에 있어서, 상기 나노 입자를 기화시키는 단계는 상기 보호층을 400℃ 내지 450℃로 가열하는 단계를 포함하는 플렉시블 표시 장치 제조 방법.
  18. 제13 항에 있어서, 상기 나노 입자는 구(Spherical) 형태이며, 0.1㎛ 내지 10㎛의 직경을 갖는 플렉시블 표시 장치 제조 방법.
  19. 제13 항에 있어서, 상기 나노 입자는 폴리스티렌(Polystyrene)을 포함하는 플렉시블 표시 장치 제조 방법.
  20. 휘어질 수 있는 표시 패널의 적어도 일면 상에 저탄성층 형성용 물질을 도포하는 단계;
    상기 저탄성층 형성용 물질을 부분 경화시키는 단계;
    상기 부분 경화된 저탄성층 형성용 물질 상에 고탄성층 형성용 물질을 도포하는 단계; 및
    상기 고탄성층 형성용 물질을 완전 경화시키는 단계;를 포함하는 플렉시블 표시 장치 제조 방법.

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