JP2019036005A - 表示装置、及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示性能の低下を抑えつつ、タッチセンサの検出速度を向上させる。【解決手段】表示装置は、互いに離間して配置された第１画素及び第２画素と、第３画素と、を含む表示領域と、前記表示領域と重なるタッチセンサと、を備え、前記タッチセンサは、前記表示領域と重畳し、前記第１画素及び前記第２画素と重なる領域に開口部を有し、前記第１画素と前記第２画素とを囲む第１センサ電極と、前記第３画素と重なる第２センサ電極と、を含み、前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極のうちの一方が送信電極であり、他方が受信電極である。【選択図】図１
Description
本発明の一実施形態は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。
有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などの表示素子を備える表示装置において、タッチセンサを搭載した装置が普及している。特許文献１，２は、タッチパネルの配線が、金属材料を用いてメッシュ状に形成されたセンサ電極によって構成されていることを開示している。
表示素子上にタッチセンサに用いる電極（以下「センサ電極」という。）を形成する工程において、表示素子が熱により損傷することを防止するため、使用可能な温度範囲が制限される場合がある。この場合、センサ電極の抵抗が高くなりやすい。センサ電極の抵抗が高いと、回路の書き込みのための時間が長くなり、タッチセンサの検出速度が低下し得る。センサ電極が例えば金属材料で形成されている場合、センサ電極の抵抗は低くなる。しかし、センサ電極が画素の発光領域と重なった場合、センサ電極が発光領域からの光を遮ってしまう。その結果、表示装置の外部に光が透過しにくくなり、表示性能の低下の原因となり得る。
本発明は、上記問題に鑑み、表示性能の低下を抑えつつ、タッチセンサの検出速度を向上させることを目的の一つとする。
本発明の一態様は、互いに離間して配置された第１画素及び第２画素と、第３画素と、を含む表示領域と、前記表示領域と重なるタッチセンサと、を備え、前記タッチセンサは、前記表示領域と重畳し、前記第１画素及び前記第２画素と重なる領域に開口部を有し、前記第１画素と前記第２画素とを囲む第１センサ電極と、前記第３画素と重なる第２センサ電極と、を含み、前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極のうちの一方が送信電極であり、他方が受信電極である、表示装置である。
本発明の一態様は、互いに離間して配置された第１画素及び第２画素と、第３画素とが設けられた基板に、封止層を形成し、前記封止層上に、前記第１画素及び前記第２画素と重なる領域に開口部を有し、前記第１画素と前記第２画素とを囲む第１センサ電極を形成し、前記第１センサ電極を覆うように、前記封止層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上の前記第３画素と重なる位置に、第２センサ電極を形成する、表示装置の製造方法である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
また、本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、基板に対して表示素子が配置される側を「上」又は「上面」といい、その逆を「下」又は「下面」として説明する。
また、本明細書において「αはＡ、Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αはＡ〜Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
＜１．表示装置の構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１０の上面図を示す。
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１０の上面図を示す。
表示装置１０は、有機ＥＬ表示装置である。表示装置１０は、基板１００、表示領域１０３、周縁部１０４、駆動回路１０５、駆動回路１０６、駆動回路１０７、第１フレキシブルプリント基板１０８、第２フレキシブルプリント基板１０９、及びタッチセンサ２０を備える。駆動回路１０５は、ゲートドライバとしての機能を有する。駆動回路１０６は、ソースドライバとしての機能を有する。駆動回路１０７は、タッチセンサを制御する機能を有する。表示領域１０３は、例えば、格子状に配置された複数の画素１３０を含む。複数の画素１３０は、本実施形態では互いに離間して配置されている。
駆動回路１０５及び駆動回路１０６は、第１フレキシブルプリント基板１０８を介して信号（例えば、映像信号又は制御信号）が入力される。駆動回路１０５及び駆動回路１０６は、画素１３０を発光させるための駆動回路である。表示領域１０３は、静止画及び動画を表示する領域である。駆動回路１０７は、例えば、表示装置１０に設けられた第２フレキシブルプリント基板１０９上に設けられている。なお、駆動回路１０６及び駆動回路１０７の機能が、単一の駆動回路によって実現されてもよい。
タッチセンサ２０は、表示領域１０３に重ねて設けられている。タッチセンサ２０は、ここではオンセル方式のタッチセンサである。オンセル方式は、表示装置の内部にタッチセンサを組み込む方式である。タッチセンサ２０は、複数の第１センサ電極２１０、及び複数の第２センサ電極２２０を含む。複数の第１センサ電極２１０、及び複数の第２センサ電極２２０の各々は、表示領域１０３に重畳されている。
＜２．タッチセンサ２０の構成＞
図２は、タッチセンサ２０を示す上面図である。タッチセンサ２０は、相互容量方式のタッチセンサである。タッチセンサ２０に含まれる複数の第１センサ電極２１０、及び複数の第２センサ電極２２０の各々は、駆動回路１０７と電気的に接続される。
図２は、タッチセンサ２０を示す上面図である。タッチセンサ２０は、相互容量方式のタッチセンサである。タッチセンサ２０に含まれる複数の第１センサ電極２１０、及び複数の第２センサ電極２２０の各々は、駆動回路１０７と電気的に接続される。
第１センサ電極２１０は、表示領域１０３の短辺方向（以下「Ｄ１方向」という。）に複数配置されている。Ｄ１方向に配置された複数の第１センサ電極２１０を含む配線を、以下、「第１タッチセンサ配線２１２」という。第２センサ電極２２０は、表示領域１０３の長辺方向（以下「Ｄ２方向」という。）に複数配置されている。Ｄ２方向に並ぶ複数の第２センサ電極２２０を含む配線を、以下、「第２タッチセンサ配線２２２」という。Ｄ１方向とＤ２方向とは交差する。第１センサ電極２１０は、タッチセンサ２０における送信電極である。第２センサ電極２２０はタッチセンサ２０における受信電極である。
図３は、タッチセンサ２０の一部である領域２０Ｒを拡大した上面図である。第１センサ電極２１０は、非透光性の材料を用いて形成されている。非透光性の材料は、ここでは低抵抗の金属材料である。この場合、第１センサ電極２１０は金属膜である。第１センサ電極２１０は、メッシュ状に形成されている。金属材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）である。金属材料は、アルミニウム（Ａｌ）に限定されず、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）又はチタン（Ｔｉ）であってもよい。
第１センサ電極２１０は、表示装置１０の上面から見たとき、隣り合う２つの画素１３０間の領域の少なくとも一部と重なる。別言すれば、第１センサ電極２１０は、隣り合う２つの画素１３０の間に配置される後述する隔壁１６８と重なり、画素１３０の上面を開口する網目状のパターンを有する。図３の例では、第１センサ電極２１０は、画素１３０Ａ（第１画素）と画素１３０Ｂ（第２画素）と重なる領域に開口部を有し、画素１３０Ａと画素１３０Ｂとを囲む。このため、表示装置１０の上面から見たとき、第１センサ電極２１０を構成する配線は、画素１３０Ａと画素１３０Ｂとに挟まれている。第１センサ電極２１０は、画素１３０から出射した光が表示装置１０の外部（視認側）へ透過することを妨げないようにアライメントされている。第１センサ電極２１０の配線の線幅は、例えば数μｍである。
Ｄ１方向に隣り合う２つの第１センサ電極２１０は、ブリッジ部２１４を介して電気的に接続されている。ブリッジ部２１４は、第１センサ電極２１０と同じ材料で形成されている。第１センサ電極２１０とブリッジ部２１４とは物理的に一体に形成されてもよいし、別体として形成されてもよい。図３の例では、ブリッジ部２１４は、画素１３０Ｅ（第１画素）と画素１３０Ｆ（第２画素）と重なる領域に開口部を有し、画素１３０Ｅと画素１３０Ｆとを囲む。ブリッジ部２１４は、ここでは、Ｄ１方向に延在する３本の配線で構成されるが、２本以下又は４本以上の配線で構成されてもよい。
第２センサ電極２２０は、ここではダイヤモンド形状の電極である。例えば、第２センサ電極２２０の対角線の長さは、およそ５ｍｍ以下である。第２センサ電極２２０は、透光性を有する。この場合、第２センサ電極２２０は、透明導電膜である。第２センサ電極２２０は、表示装置１０の上面から見たとき、複数の画素１３０と重なる。すなわち、第２センサ電極２２０の上面の面積は、一つの画素１３０の面積に比べて大きい。第２センサ電極２２０は、画素１３０に重ねられた場合でも、画素１３０から出射した光を表示装置１０の外部（視認側）へ透過させる。図３の例では、第２センサ電極２２０は、画素１３０Ｃおよび画素１３０Ｄと重なる。
第２センサ電極２２０を形成する材料は、例えば、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）である。ただし、第２センサ電極２２０を形成する材料は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、又は酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ）などであってもよい。
Ｄ２方向に隣り合う２つの第２センサ電極２２０は、ブリッジ部２２４を介して電気的に接続されている。ブリッジ部２２４は、第２センサ電極２２０と同じ材料で形成されている。第２センサ電極２２０とブリッジ部２２４とは物理的に一体に形成されてもよいし、別体として形成されてもよい。表示装置１０の上面から見たとき、ブリッジ部２２４はブリッジ部２１４の少なくとも一部と重なる。ただし、ブリッジ部２１４とブリッジ部２２４とは、互いに異なる層上に設けられている。よって、ブリッジ部２１４とブリッジ部２２４とは、接触しない。図３の例では、ブリッジ部２２４は、画素１３０Ｅおよび画素１３０Ｆと重なる。
＜３．タッチセンサ２０の駆動＞
図２に示すように、複数の第１タッチセンサ配線２１２、及び複数の第２タッチセンサ配線２２２の各々は、駆動回路１０７と接続する。駆動回路１０７は、複数の第１タッチセンサ配線２１２を介して、第１センサ電極２１０に電圧を供給する。第１センサ電極２１０と第２センサ電極２２０との間には、この供給した電圧に応じた電界が発生する。例えば、人の指が表示装置１０に触れたとき、第１センサ電極２１０と第２センサ電極２２０との間の電界が変化する。これにより、第１タッチセンサ配線２１２と第２タッチセンサ配線２２２との間の容量が変化する。駆動回路１０７は、複数の第２タッチセンサ配線２２２を介して、第２センサ電極２２０からの信号の入力を受け付ける。表示装置１０は、この信号に基づいて、人の指が触れた位置を検知する。
図２に示すように、複数の第１タッチセンサ配線２１２、及び複数の第２タッチセンサ配線２２２の各々は、駆動回路１０７と接続する。駆動回路１０７は、複数の第１タッチセンサ配線２１２を介して、第１センサ電極２１０に電圧を供給する。第１センサ電極２１０と第２センサ電極２２０との間には、この供給した電圧に応じた電界が発生する。例えば、人の指が表示装置１０に触れたとき、第１センサ電極２１０と第２センサ電極２２０との間の電界が変化する。これにより、第１タッチセンサ配線２１２と第２タッチセンサ配線２２２との間の容量が変化する。駆動回路１０７は、複数の第２タッチセンサ配線２２２を介して、第２センサ電極２２０からの信号の入力を受け付ける。表示装置１０は、この信号に基づいて、人の指が触れた位置を検知する。
＜４．断面構造＞
図４は、表示装置１０の第１センサ電極２１０が設けられた領域の断面図を示す。図４は、図３における切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
図４は、表示装置１０の第１センサ電極２１０が設けられた領域の断面図を示す。図４は、図３における切断線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
表示装置１０は、基板１００、下位層１１０、及び上位層１１２を備える。基板１００が可塑性を有する場合、基板１００は基材、ベースフィルム、又はシート基材と呼ばれることがある。基板１００は、例えば有機樹脂基板である。この場合、基板１００を構成する有機樹脂材料は、例えば、ポリイミド、アクリル、エポキシ、ポリエチレンテレフタレートである。基板１００の厚みは、例えば、１０μｍから数百μｍの間である。
まず、下位層１１０について説明する。トランジスタ１４０が、下地膜１０１を介した基板１００上に設けられている。トランジスタ１４０は、半導体膜１４２、ゲート絶縁膜１４４、ゲート電極１４６、及びソース／ドレイン電極１４８を含む。ゲート電極１４６は、ゲート絶縁膜１４４を介して半導体膜１４２と重なる。半導体膜１４２のチャネル領域１４２ａは、ゲート電極１４６と重なる領域である。半導体膜１４２は、チャネル領域１４２ａを挟むソース／ドレイン領域１４２ｂを有する。層間膜１０２がゲート電極１４６上に設けられている。ソース／ドレイン電極１４８は、層間膜１０２及びゲート絶縁膜１４４に設けられた開口において、ソース／ドレイン領域１４２ｂと接続されている。
トランジスタ１４０は、ここではトップゲート型のトランジスタであるが、これ以外のトランジスタであってもよい。トランジスタ１４０は、例えば、ボトムゲート型トランジスタ、ゲート電極１４６を複数有するマルチゲート型トランジスタ、又は半導体膜１４２の上下を二つのゲート電極１４６で挟持する構造を有するデュアルゲート型トランジスタであってもよい。
平坦化膜１１４が、層間膜１０２、及びトランジスタ１４０上に設けられている。平坦化膜１１４の上面は平坦である。平坦化膜１１４は、複数の開口が設けられている。当該複数の開口のうちの一つは、コンタクトホール１５２である。コンタクトホール１５２は、後述する発光素子１６０の第１電極１６２とソース／ドレイン電極１４８とを電気的に接続させるための開口である。
発光素子１６０が、平坦化膜１１４上に設けられている。発光素子１６０は、第１電極（画素電極）１６２、発光層１６４、及び第２電極（対向電極）１６６を含む。第１電極１６２は、コンタクトホール１５２を覆っている。第１電極１６２は、ソース／ドレイン電極１４８と電気的に接続される。隔壁（バンク）１６８は、第１電極１６２の端部を覆っている。隔壁１６８が、第１電極１６２の端部を覆っている。これにより、その上に設けられる発光層１６４及び第２電極１６６の断線が防止される。
発光層１６４は、第１電極１６２、及び隔壁１６８を覆っている。第２電極１６６は、発光層１６４の上に設けられる。発光層１６４は、ここでは、低分子系又は高分子系の有機ＥＬ材料を用いて作製される。発光層１６４は、第１電極１６２及び第２電極１６６に供給される電圧に応じて発光する。具体的には、第１電極１６２及び第２電極１６６から、発光層１６４へキャリアが注入される。発光層１６４内で、キャリアが再結合する。発光層１６４は、発光性分子が励起状態となり、当該励起状態が基底状態へ緩和するプロセスを経ることにより、発光する。発光層１６４は、例えば、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、及び励起子阻止層などを含む。すなわち、発光素子１６０は、有機ＥＬ素子である。なお、本明細書において画素とは、発光素子１６０の発光領域に対応する領域をいう。発光素子１６０の発光領域は、第１電極１６２と発光層１６４と第２電極１６６とが重畳する領域である。
封止層１８０が、発光素子１６０上に設けられている。封止層１８０は、外部から発光素子１６０及びトランジスタ１４０に不純物（水、酸素など）が侵入することを防ぐ。封止層１８０は、無機化合物を含む層（第１層）である。具体的には、封止層１８０は、第１無機膜１８２、有機膜１８４、及び第２無機膜１８６を含む。第１無機膜１８２及び第２無機膜１８６は、例えば、無機化合物を含む膜である。第１無機膜１８２及び第２無機膜１８６は、例えば、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁材料を含む。有機膜１８４は、第１無機膜１８２と第２無機膜１８６との間に設けられ、例えば有機化合物を含む膜である。有機膜１８４は、例えば、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含む。
次に、上位層１１２について説明する。第１センサ電極２１０は、封止層１８０上に設けられている。第１センサ電極２１０は、表示装置１０の上面から見て、画素１３０Ａ及び画素１３０Ｂと重なる領域に開口部を有し、画素１３０Ａと画素１３０Ｂとを囲む。具体的には、第１センサ電極２１０の配線は、隔壁１６８と重なる位置に設けられている。よって、第１センサ電極２１０の配線は、画素１３０Ａ，１３０Ｂの発光素子１６０と重ならない。
層間絶縁膜２４６は、封止層１８０上に設けられている。層間絶縁膜２４６は、第１センサ電極２１０及び封止層１８０を覆う絶縁層（第２層）である。層間絶縁膜２４６は、例えば、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含む。
さらに、基板４００が、接着層３００を用いて、層間絶縁膜２４６に接着されている。基板４００は、基板１００と対向する対向基板である。接着層３００は、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含む。基板１００及び基板４００は、例えば、ガラス基板又は有機樹脂基板である。基板４００は、発光素子１６０からの出射光を外に取り出すために、透光性を有する。
図５は、表示装置１０の第２センサ電極２２０が設けられた領域の断面図を示す。図５は、図３における切断線Ｖ−Ｖに沿った断面である。下位層１１０の構成は、画素１３０Ｃ，１３０Ｄが設けられている点を除き、図４と同じである。よって、下位層１１０の説明を省略する。
層間絶縁膜２４６は、封止層１８０上に設けられている。第２センサ電極２２０が設けられた領域においては、第１センサ電極２１０が層間絶縁膜２４６上に設けられていない。第２センサ電極２２０は、層間絶縁膜２４６上に設けられている。さらに、基板４００が、接着層３００を用いて、第２センサ電極２２０の上面に接着させられている。
図６は、表示装置１０のブリッジ部２１４及びブリッジ部２２４が設けられた領域の断面図を示す。図６は、図３における切断線ＶＩ−ＶＩに沿った断面である。下位層１１０の構成は、画素１３０Ｅ，１３０Ｆが設けられている点を除き、図４及び図５と同じである。よって、下位層１１０の説明を省略する。ブリッジ部２１４は、封止層１８０上に設けられている。ブリッジ部２１４は、層間絶縁膜２４６によって覆われている。ブリッジ部２２４は、層間絶縁膜２４６上に設けられている。すなわち、ブリッジ部２１４とブリッジ部２２４とは異なる層に設けられているので、互いに接触しない。さらに、基板４００が、接着層３００を用いて、ブリッジ部２２４の上に接着させられている。
以上説明した表示装置１０において、第１センサ電極２１０は、金属を主として含む材料を用いてメッシュ状に形成される。第１センサ電極２１０の電気抵抗は、第２センサ電極２２０より小さい。よって、第１センサ電極２１０を第２センサ電極２２０と同じ構造とした場合に比べて、タッチセンサの検出速度が向上する。
さらに、第２センサ電極２２０は、透光性を有する。よって、第２センサ電極２２０を第１センサ電極２１０と同じ構造とした場合に比べて、発光素子１６０が射出した光が表示装置１０の外部へ透過しやすい。また、タッチセンサ２０においては、一部の領域が第１センサ電極２１０で構成され、残りが第２センサ電極２２０で構成される。第１センサ電極２１０は、発光素子１６０の発光領域を避けて、隔壁１６８と重なる位置に設けられてはいるものの、斜め方向から見ると、第１センサ電極２１０が発光を妨げる位置に配置されている。結果として、第１センサ電極２１０のみでタッチセンサ２０の領域全体が構成されると、視野角が狭くなる。よって、タッチセンサ２０の領域全体が、第１センサ電極２１０で構成される場合に比べて、表示装置１０の視野角が大きくなりやすい。よって、表示装置１０の表示性能の低下が抑えられる。
発光層１６４の上の第２電極１６６と、受信電極に比べて第２電極１６６に近い送信電極との間の寄生容量の存在が懸念される場合がある。しかし、低抵抗の金属材料で形成された第１センサ電極２１０が送信電極であることにより、寄生容量の影響は緩和される。
＜５．表示装置１０の製造方法＞
表示装置１０の製造方法の一例を説明する。図７〜図１２は表示装置１０の製造方法を説明する図である。図７に示す断面で表される下位層１１０が製造された後、以下説明する方法で、上位層１１２が製造される。上位層１１２の製造は、発光素子１６０の熱耐性を考慮し、摂氏１００度未満の処理によって行われる。
表示装置１０の製造方法の一例を説明する。図７〜図１２は表示装置１０の製造方法を説明する図である。図７に示す断面で表される下位層１１０が製造された後、以下説明する方法で、上位層１１２が製造される。上位層１１２の製造は、発光素子１６０の熱耐性を考慮し、摂氏１００度未満の処理によって行われる。
図８は、表示装置１０の製造方法の第１工程を説明する図である。図８は、第１工程後の、第１センサ電極２１０が設けられた領域、及びブリッジ部２１４が設けられた領域の断面を示す。図８に示す括弧書きの符号は、ブリッジ部２１４に含まれる要素を示す。
第１工程は、封止層１８０上に、第１センサ電極２１０及びブリッジ部２１４を形成する。第１工程は、例えば、スパッタリング法により、第１センサ電極２１０及びブリッジ部２１４を形成する。ただし、第１工程は、スパッタリング法に限定されず、蒸着法、印刷法、インクジェット法などを用いてもよい。第１工程は、金属又は合金を含む電極を、ＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて封止層１８０上のほぼ全面に形成したのち、レジストを形成し、エッチングする（すなわち、フォトリソグラフィープロセス）。
図９及び図１０は、表示装置１０の製造方法の第２工程を説明する図である。図９は、第２工程後の、第１センサ電極２１０が設けられた領域と、ブリッジ部２１４が設けられた領域の断面を示す。図８に示す括弧書きの符号は、ブリッジ部２１４に含まれる要素を示す。図１０は、第２工程後の、第２センサ電極２２０が設けられた領域の断面を示す。
第２工程は、封止層１８０上に層間絶縁膜２４６を形成する。層間絶縁膜２４６は、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含有する。第２工程は、例えば、インクジェット法などの湿式成膜法によって、層間絶縁膜２４６を形成する。
図１１及び図１２は、表示装置１０の製造方法の第３工程を説明する図である。図１１は、第３工程後の、第２センサ電極２２０が設けられた領域の断面を示す。図１２は、第３工程後の、ブリッジ部２２４が設けられた領域の断面を示す。
第３工程は、層間絶縁膜２４６上に、第２センサ電極２２０、及びブリッジ部２２４を形成する。第３工程は、例えば、スパッタリング法により、第２センサ電極２２０及びブリッジ部２２４を成膜する。第３工程は、スパッタリング法に限定されず、蒸着法、印刷法、塗布法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）などを用いてもよい。第３工程は、成膜後にフォトリソグラフィ法及びエッチング法より、第２センサ電極２２０及びブリッジ部２２４を加工する。第２センサ電極２２０の材料は、例えば、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又は酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ）である。
その後、対向基板となる基板４００が接着層３００を用いて基板１００と貼り合わされる。以上の工程によって上位層１１２が完成する。
表示装置１０の製造方法によれば、摂氏１００度以下の低温処理で、タッチセンサ２０を製造した場合でも、表示性能の低下を抑えつつ、タッチセンサの検出速度を向上させることができる。
また、第１センサ電極２１０は、タッチセンサ２０における送信電極である。第２センサ電極２２０はタッチセンサ２０における受信電極である。第１センサ電極２１０は封止層１８０上に形成されている。第２センサ電極２２０は層間絶縁膜２４６上に形成されている。
ところで、第１センサ電極２１０は、隣り合う２つの画素１３０と重なる領域に開口部を有し、当該２つの画素１３０とを囲むように設けられるため、第２センサ電極２２０よりも高いアライメント精度が要求される。よって、表示装置１０の製造方法においては、第１センサ電極２１０を、第２センサ電極２２０よりも下の層上に形成することで、アライメント精度が確保されやすくなる。
＜６．変形例＞
上述した実施形態は、互いに組み合わせたり、置換したりして適用することが可能である。また、上述した実施形態では、以下の通り変形して実施することも可能である。
上述した実施形態は、互いに組み合わせたり、置換したりして適用することが可能である。また、上述した実施形態では、以下の通り変形して実施することも可能である。
（変形例１）タッチセンサ２０において、第２センサ電極２２０が送信電極であり、第１センサ電極２１０が受信電極であってもよい。また、タッチセンサ２０が備える複数の第１センサ電極２１０のうちの一部（例えば、半分）が送信電極であり、残りが受信電極であってもよい。また、タッチセンサ２０が備える複数の第２センサ電極２２０のうちの一部（例えば、半分）が送信電極であり、残りが受信電極であってもよい。
（変形例２）タッチセンサ２０は、第１センサ電極２１０に囲まれた領域の中において、配線の密度が相対的に低い領域を含んでもよい。配線の密度とは、単位面積当たりの第１センサ電極２１０の配線が設けられている領域の割合をいう。図１３は、この変形例に係るタッチセンサ２０の一部である領域２０Ｒを示す上面図である。図１３に示すように、第１センサ電極２１０が設けられた領域のうちの一部である領域Ｔでは、第１センサ電極２１０の配線密度が低くなっている。例えば、領域Ｔにおいて、互いに離間して配置され、Ｄ１方向に隣り合う２つの画素１３０間の領域には、第１センサ電極２１０が設けられていない。例えば、画素１３０Ｇ（第４画素）と画素１３０Ｈ（第５画素）との間の領域には、第１センサ電極２１０が設けられていない。これにより、第２センサ電極２２０が設けられた領域のほか、領域Ｔでも、表示装置１０外に光が斜め方向に透過しやすくなる（すなわち、視野角が大きくなる）。また、製造時に画素１３０と第１センサ電極２１０との相対的な位置関係にズレが発生しても、第１センサ電極２１０により画素１３０からの発光が妨げられにくくなる。結果として、歩留りが良くなり、コスト削減を図ることができる。また、第１センサ電極２１０の配線の密度は、配線の数以外にも、配線の線幅によっても変化する。しかし、配線幅が細すぎると、線幅のばらつき等による発光不良等の不具合が起こり得る。よって、本変形例の構成により、このような不具合の発生を抑制しつつ、表示性能をさらに向上させることができる。
（変形例３）上述した実施形態で説明した構成の一部が省略又は変更されてもよい。例えば、表示装置１０において、第２センサ電極２２０が、第１センサ電極２１０よりも、発光層１６４に近い位置に設けられてもよい。また、下位層１１０及び上位層１１２の断面構造は一例に過ぎず、一部の層が除外されてもよいし、別の層が設けられてもよい。また、タッチセンサ２０はオンセル方式であるが、例えばアウトセル方式のタッチセンサとして構成されてもよい。
（変形例４）上述した実施形態では、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動表示素子等を有する電子ペーパー型表示装置、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。
なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
１０：表示装置、２０：タッチセンサ、２０Ｒ：領域、１００：基板、１０１：下地膜、１０２：層間膜、１０３：表示領域、１０４：周縁部、１０５，１０６，１０７：駆動回路、１０８：第１フレキシブルプリント基板、１０９：第２フレキシブルプリント基板、１１０：下位層、１１２：上位層、１１４：平坦化膜、１３０，１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ，１３０Ｄ，１３０Ｅ，１３０Ｆ，１３０Ｇ，１３０Ｈ：画素、１４０：トランジスタ、１６０：発光素子、１６２：第１電極、１６４：発光層、１６６：第２電極、１６８：隔壁、１８０：封止層、１８２：第１無機膜、１８４：有機膜、１８６：第２無機膜、２１０：第１センサ電極、２１２：第１タッチセンサ配線、２１４：ブリッジ部、２２０：第２センサ電極、２２２：第２タッチセンサ配線、２２４：ブリッジ部、２４６：層間絶縁膜、３００：接着層、４００：基板
Claims (10)
- 互いに離間して配置された第１画素及び第２画素と、第３画素と、を含む表示領域と、
前記表示領域と重なるタッチセンサと、
を備え、
前記タッチセンサは、
前記表示領域と重畳し、
前記第１画素及び前記第２画素と重なる領域に開口部を有し、前記第１画素と前記第２画素とを囲む第１センサ電極と、
前記第３画素と重なる第２センサ電極と、
を含み、
前記第１センサ電極及び前記第２センサ電極のうちの一方が送信電極であり、他方が受信電極である、
表示装置。 - 前記第１センサ電極が送信電極、前記第２センサ電極が受信電極である、請求項１に記載の表示装置。
- 前記第１センサ電極は、第１層上に設けられ、
前記第１センサ電極は、第２層に覆われ、
前記第２センサ電極は、前記第２層上に設けられている、
請求項１又は請求項２に記載の表示装置。 - 前記第１層は、前記第２層よりも、前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素の発光層の上に設けられた電極に近い、請求項３に記載の表示装置。
- 前記第１層は無機化合物を含み、
前記第２層は、前記第１層の上に設けられた絶縁層である、請求項４に記載の表示装置。 - 前記第１センサ電極は、金属膜であり、
前記第２センサ電極は、透明導電膜である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。 - 互いに離間して配置された第４画素及び第５画素をさらに有し、
前記タッチセンサは、前記第１センサ電極に囲まれた領域の中において、前記第１センサ電極が前記第４画素と前記第５画素との間の領域に設けられていない、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。 - 前記第１画素、前記第２画素、及び前記第３画素は、有機ＥＬ素子を含む、
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。 - 前記第１センサ電極を第１方向に複数配置した第１タッチセンサ配線と、
前記第２センサ電極を前記第１方向と交差する第２方向に複数配置した第２タッチセンサ配線と、
を備える請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。 - 互いに離間して配置された第１画素及び第２画素と、第３画素とが設けられた基板に、封止層を形成し、
前記封止層上に、前記第１画素及び前記第２画素と重なる領域に開口部を有し、前記第１画素と前記第２画素とを囲む第１センサ電極を形成し、
前記第１センサ電極を覆うように、前記封止層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上の前記第３画素と重なる位置に、第２センサ電極を形成する、
表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
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