JP2019008107A - 表示装置、および電子デバイス - Google Patents
表示装置、および電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019008107A JP2019008107A JP2017123035A JP2017123035A JP2019008107A JP 2019008107 A JP2019008107 A JP 2019008107A JP 2017123035 A JP2017123035 A JP 2017123035A JP 2017123035 A JP2017123035 A JP 2017123035A JP 2019008107 A JP2019008107 A JP 2019008107A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal
- array substrate
- display device
- support film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 149
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 38
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 53
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 26
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 241000750042 Vini Species 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910001849 group 12 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006300 shrink film Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 125000000123 silicon containing inorganic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8721—Metallic sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2380/00—Specific applications
- G09G2380/02—Flexible displays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/128—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
【課題】温度変化による表示装置の自発的変形が抑制された表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、可撓性基板、および可撓性基板上に画素回路を有するアレイ基板;アレイ基板下の第1の支持フィルム;アレイ基板上の第2の支持フィルム;および接着層を介して第1の支持フィルム下に位置する部材を有する。部材は、第1の膜、および第1の膜上の第2の膜を有し、第1の膜と第2の膜は、互いに熱膨張係数が異なる。第1の膜と第2の膜は、それぞれ第1の金属と第2の金属を有する第1の金属膜と第2の金属膜であり、第1の金属と第2の金属は、独立に、銅、ニッケル、亜鉛、マンガン、鉄、コバルト、アルミニウム、スズ、鉛、および銀から選択することができる。
【選択図】図3
【解決手段】表示装置は、可撓性基板、および可撓性基板上に画素回路を有するアレイ基板;アレイ基板下の第1の支持フィルム;アレイ基板上の第2の支持フィルム;および接着層を介して第1の支持フィルム下に位置する部材を有する。部材は、第1の膜、および第1の膜上の第2の膜を有し、第1の膜と第2の膜は、互いに熱膨張係数が異なる。第1の膜と第2の膜は、それぞれ第1の金属と第2の金属を有する第1の金属膜と第2の金属膜であり、第1の金属と第2の金属は、独立に、銅、ニッケル、亜鉛、マンガン、鉄、コバルト、アルミニウム、スズ、鉛、および銀から選択することができる。
【選択図】図3
Description
本発明は、表示装置に関する。例えば、有機発光素子を画素に有する表示装置に関する。
表示装置の一例として、液晶表示装置や有機EL(Electroluminescence)表示装置が挙げられる。液晶表示装置や有機EL表示装置は、基板上に形成された複数の画素の各々に表示素子として液晶素子、あるいは有機発光素子(以下、発光素子)を有している。液晶素子や発光素子は一対の電極(陰極、陽極)間にそれぞれ液晶性を示す化合物を含む層、発光性有機化合物を含む層(電界発光層)を有しており、電極間に電圧を印加する、あるいは電流を供給することで駆動される。
基板として可撓性基板を用いることで、表示装置の一部、あるいは全体に可撓性を付与することができ、ユーザによって自由に湾曲、あるいは折り曲げることが可能なフレキシブルディスプレイを製造することができる。この時、表示装置が自発的に変形することを防止するため、例えば特許文献1では、収縮方向に異方性を有する熱収縮フィルムを表示装置の上下に設置することが開示されている。この構成により、温度が変化しても表示装置は自発的に変形せず、ユーザの意図に従って表示装置を自在に変形することが可能となる。
本発明に係る実施形態の一つは、温度変化による表示装置の自発的変形が抑制された表示装置を提供することを目的の一つとする。
本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、可撓性基板、および可撓性基板上に画素回路を有するアレイ基板;アレイ基板下の第1の支持フィルム;アレイ基板上の第2の支持フィルム;および接着層を介して第1の支持フィルム下に位置し、第1の膜と第2の膜を含む部材を有する。第1の膜と第2の膜は、互いに熱膨張係数が異なる。
本発明の実施形態の一つは電子デバイスである。この電子デバイスは、複数の表示装置と筐体を有する。複数の表示装置のそれぞれは、可撓性基板、および可撓性基板上に画素回路を有するアレイ基板;アレイ基板下の第1の支持フィルム;アレイ基板上の第2の支持フィルム;接着層を介して第1の支持フィルム下に位置する部材;およびアレイ基板に接続されるコネクタを有する。筐体はコネクタを覆う。複数の表示装置のそれぞれにおいて、上記部材は、第1の膜、および第1の膜上の第2の膜を有し、第1の膜と第2の膜は、互いに熱膨張係数が異なる。
本発明の実施形態の1つは電子デバイスである。この電子デバイスは、第1の可撓性基板、および第1の可撓性基板下の画素回路を有する第1のアレイ基板;第1のアレイ基板上に位置し、第2の可撓性基板、および第2の可撓性基板上の画素回路を有するの第2のアレイ基板;第1のアレイ基板下の第1の支持フィルム;第2のアレイ基板上の第2の支持フィルム;および第1のアレイ基板と第2のアレイ基板の間の第3の支持フィルムを有する。第2の支持フィルムは、接着層により、第1のアレイ基板と第2のアレイ基板に接着される。
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本明細書と請求項において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
本明細書および請求項において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
本明細書において、類似する複数の構成要素をそれぞれ区別して指す場合、符号の後にアンダーバーと自然数を用いて表記する。これらを互いに区別せずに全体、あるいはそのうちの任意に選択される複数を表記する場合には、符号のみを用いる。
<第1実施形態>
本実施形態では、実施形態に一つである表示装置100の構造を説明する。
本実施形態では、実施形態に一つである表示装置100の構造を説明する。
[1.全体構成]
表示装置100の模式的上面図を図1に示す。表示装置100は基板101を有し、その上にパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、導電膜が形成される。これらの絶縁膜、半導体膜、導電膜により、複数の画素104や画素104を駆動するためのゲート側駆動回路108が形成される。詳細は後述するが、本明細書と請求項では、基板101とこれらの絶縁膜、半導体膜、導電膜の積層を総じてアレイ基板102と記す。図1に示すように、複数の画素104はマトリクス状に配置され、これらによって表示領域106が定義される。ゲート側駆動回路108は表示領域106を取り囲む領域(周辺領域)に配置される。図1に示した例では、画素を駆動するための駆動IC110が基板101上にさらに設けられる。以下、表示装置として発光素子160が各画素104に設けられた例を用いて本実施形態を説明する。
表示装置100の模式的上面図を図1に示す。表示装置100は基板101を有し、その上にパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、導電膜が形成される。これらの絶縁膜、半導体膜、導電膜により、複数の画素104や画素104を駆動するためのゲート側駆動回路108が形成される。詳細は後述するが、本明細書と請求項では、基板101とこれらの絶縁膜、半導体膜、導電膜の積層を総じてアレイ基板102と記す。図1に示すように、複数の画素104はマトリクス状に配置され、これらによって表示領域106が定義される。ゲート側駆動回路108は表示領域106を取り囲む領域(周辺領域)に配置される。図1に示した例では、画素を駆動するための駆動IC110が基板101上にさらに設けられる。以下、表示装置として発光素子160が各画素104に設けられた例を用いて本実施形態を説明する。
表示領域106やゲート側駆動回路108、駆動IC110からは、パターニングされた導電膜で形成される配線(図示しない)が基板101の一辺へ延び、基板101の端部で露出されて端子112を形成する。端子112はフレキシブル印刷回路(FPC)基板などのコネクタ114と電気的に接続される。ここで示した例では、駆動IC110は、半導体基板上に形成された集積回路を有しており、基板101上に搭載される。しかしながら、駆動IC110はコネクタ114上に設けてもよい。また、基板101上に形成される絶縁膜、半導体膜、導電膜を用い、端子112と表示領域106の間に駆動回路をさらに形成してもよい。
図2(A)に、図1の鎖線A−A´に沿った断面模式図を示す。表示装置100は、アレイ基板102の下上にそれぞれ設けられる第1の支持フィルム120と第2の支持フィルム122を有する。これらは表示装置100を保護するとともに表示装置100に対して物理的強度を与える。第1の支持フィルム120は、互いに離間する第1の部分120_1と第2の部分120_2を有する。前者は表示領域106やゲート側駆動回路108と重なり、後者は端子112やコネクタ114、駆動IC110と重なるように設けられる。第2の支持フィルム122は表示領域106やゲート側駆動回路108と重なるように設けられる。したがって、表示領域106やゲート側駆動回路108は第1の部分120_1と第2の支持フィルム122に挟持される。第2の支持フィルム122とコネクタ114の間の領域において、アレイ基板102上に保護膜116を設けてもよい。保護膜116はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂を含み、上述した配線や駆動IC110を保護する。
第1の支持フィルム120の第1の部分120_1の下には、均熱シート130、および均熱シート130の下に位置する部材140が設けられる。均熱シート130は、表示装置100の駆動中に発生した熱を分散、解放する機能を有する。部材140は、後述するように、表示装置100の形状を安定化させ、表示装置100が自発的に変形することを防ぐ機能を有する形状調整膜であり、一例としてバイメタルフィルムが挙げられる。以下、部材140をバイメタルフィルムと呼ぶ。
アレイ基板102を構成する基板101は、ガラスや石英、プラスチックなどを含むことができ、可撓性の基板101を使用することで表示装置100を可撓性の表示装置として使用することができる。この場合、図2(B)に示すように、表示領域106と端子112の間(すなわち、第1の支持フィルム120の第1の部分120_1と第2の部分120_2の間)で基板101を折り曲げることができる。この状態では、コネクタ114や駆動IC110を表示領域106や第2の支持フィルム122と重なるように配置することができるため、表示領域106の形状や面積を維持したまま表示装置100の見かけの大きさを小さくすることができる。
この際、折り曲げた状態を維持するため、スペーサ118を設けてもよい。スペーサ118は、第1の部分120_1と第2の部分120_2に一部が挟まれ、この部分では平坦な表面を有する。一方、スペーサ118の一部は折り曲げられた基板101の曲面に沿った表面形状を有する。スペーサ118の平坦な両面は接着層125_1、接着層125_2を介し、バイメタルフィルム140と第2の部分120_2に固定される。これにより、折り曲げた状態を安定に保つことができる。
[2.バイメタルフィルムと均熱シート]
図2(A)の一部を拡大した図を図3(A)に模式的に示す。ここでは、バイメタルフィルム140、均熱シート130、第1の部分120_1を主に示し、アレイ基板102や第2の部分120_2は図示されていない。図3(A)に示すように、バイメタルフィルム140は第1の膜142と、その上に形成される第2の膜144を有する。第1の膜142と第2の膜144はそれぞれ一種、あるいは複数種の0価の金属を含むことができ、金属は銅、ニッケル、亜鉛、マンガン、鉄、コバルト、アルミニウム、スズ、鉛、銀などから選択される。以下、第1の膜と第2の膜をそれぞれ第1の金属膜、第2の金属膜と呼ぶ。第1の金属膜142、第2の金属膜144は、互いに異なる金属を含有する、あるいは互いに異なる組成、組成比を有する。このため、第1の金属膜142と第2の金属膜144は互いに熱膨張係数が異なり、バイメタルフィルム140は、単離された状態では温度変化によって自発的に湾曲する。
図2(A)の一部を拡大した図を図3(A)に模式的に示す。ここでは、バイメタルフィルム140、均熱シート130、第1の部分120_1を主に示し、アレイ基板102や第2の部分120_2は図示されていない。図3(A)に示すように、バイメタルフィルム140は第1の膜142と、その上に形成される第2の膜144を有する。第1の膜142と第2の膜144はそれぞれ一種、あるいは複数種の0価の金属を含むことができ、金属は銅、ニッケル、亜鉛、マンガン、鉄、コバルト、アルミニウム、スズ、鉛、銀などから選択される。以下、第1の膜と第2の膜をそれぞれ第1の金属膜、第2の金属膜と呼ぶ。第1の金属膜142、第2の金属膜144は、互いに異なる金属を含有する、あるいは互いに異なる組成、組成比を有する。このため、第1の金属膜142と第2の金属膜144は互いに熱膨張係数が異なり、バイメタルフィルム140は、単離された状態では温度変化によって自発的に湾曲する。
第1の金属膜142と第2の金属膜144は接合される。例えば、冷間圧接、拡散接合、超音波接合、摩擦溶接などによって接合される。したがって、これらの間には、接着層を設けなくてもよい。
図4(A)に示すように、バイメタルフィルム140は、第1の金属膜142と第2の金属膜144の界面に、第1の金属膜142に含まれる金属(第1の金属M1)と第2の金属膜144に含まれる金属(第2の金属M2)を含む合金、あるいは第1の金属M1と第2の金属M2の金属間化合物を含む中間層146をさらに有してもよい。ここで本明細書と請求項では、合金と金属間化合物は区別される。金属間化合物とは、第1の金属M1と第2の金属M2を整数比、あるいは実質的に整数比で含む化合物である。合金とは、金属間化合物以外の、第1の金属M1と第2の金属M2を含む化合物である。
あるいは図4(B)に示すように、バイメタルフィルム140は、第1の金属膜142と第2の金属膜144の界面に、第1の金属M1の酸化物と第2の金属M2の酸化物のいずれか、あるいは両者を有する酸化物層148を有していてもよい。
中間層146や酸化物層148は、図4(A)、図4(B)に示すように、第1の金属膜142と第2の金属膜144の界面において連続的に形成されていてもよく、あるいは図4(C)に示すように不連続であってもよい。不連続の場合、中間層146や酸化物層148は界面において島状に存在し、中間層146や酸化物層148が存在しない領域では第1の金属膜142と第2の金属膜144は直接接する。
均熱シート130も金属膜であり、アルミニウム、銅、鉄など、熱導電率の高い金属やその合金を含む。均熱シート130も単層構造、積層構造いずれを有していても良い。均熱シート130は、接着層126_1によってバイメタルフィルム140と接着される(図3(A)参照)。同様に、均熱シート130と第1の支持フィルム120の第1の部分120_1も接着層126_2によって接着される。接着層126_1、126_2は、アクリル系、エポキシ系、アクリレート系接着剤など、高分子化合物を含む接着剤を用いて形成することができる。
なお、表示装置100には均熱シート130を必ずしも設ける必要は無い。この場合、バイメタルフィルム140は均熱シート130の機能を兼ね、図3(B)に示すように、均熱シート130を介さず、接着層126_1によって第1の部分120_1に接着される。また、任意の構成として、バイメタルフィルム140の下に、バイメタルフィルム140を保護するための保護膜132を設けてもよい。保護膜132は高分子材料などの有機化合物、あるいは窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機化合物を含むことができる。
[3.画素の構造]
各画素104には、パターニングされた種々の絶縁膜や半導体膜、導電膜によって発光素子160を含む画素回路が形成される。画素回路の構成は任意に選択することができ、一例を等価回路として図5に示す。
各画素104には、パターニングされた種々の絶縁膜や半導体膜、導電膜によって発光素子160を含む画素回路が形成される。画素回路の構成は任意に選択することができ、一例を等価回路として図5に示す。
図5に示した画素回路は、発光素子160に加え、駆動トランジスタ150、第1のスイッチングトランジスタ152、第2のスイッチングトランジスタ154、保持容量156、付加容量158を含む。発光素子160、駆動トランジスタ150、第2のスイッチングトランジスタ154は、高電位電源線162と低電位電源線164との間で直列に接続される。高電位電源線162には高電位PVDDが与えられ、低電位電源線164には高電位PVDDより低い低電位PVSSが与えられる。
駆動トランジスタ150は、制御端子としてのゲートと、入出力端子としてのソース、およびドレインを有する。本実施形態では、駆動トランジスタ150はnチャネル型とし、高電位電源線162と電気的に接続される入出力端子をドレイン、発光素子160に電気的に接続される入出力端子をソースとする。駆動トランジスタ150のドレインは第2のスイッチングトランジスタ154を介して高電位電源線162と電気的に接続され、ソースが発光素子160の画素電極200と電気的に接続される。
駆動トランジスタ150のゲートは、第1のスイッチングトランジスタ152を介して第1の信号線VSLと電気的に接続される。第1のスイッチングトランジスタ152は、そのゲートに接続される第1の走査信号線SLAに与えられる走査信号SGによって動作(オン/オフ)が制御される。第1のスイッチングトランジスタ152がオンのとき、第1の信号線VSLの電位が駆動トランジスタ150のゲートに与えられる。第1の信号線VSLには、初期化信号Viniと映像信号Vsigが所定のタイミングで与えられる。初期化信号Viniは一定レベルの初期化電位を与える信号である。第1のスイッチングトランジスタ152は、第1の信号線VSLに同期して、所定のタイミングでオン/オフが制御され、駆動トランジスタ150のゲートに初期化信号Vini、または映像信号Vsigに基づく電位を与える。
駆動トランジスタ150のドレインには、第2の信号線VRSが電気的に接続される。第2の信号線VRSには、リセットトランジスタ166を介してリセット電位Vrstが与えられる。リセットトランジスタ166は、リセット信号Vrstを印加するタイミングが第3の信号線SLCに与えられるリセット信号RGによって制御される。
駆動トランジスタ150のソースとゲートとの間には、保持容量156が設けられる。付加容量158の一方の端子は駆動トランジスタ150のソースに接続され、他方の端子が高電位電源線162に接続される。付加容量158は、他方の端子が低電位電源線164に接続されるように設けてもよい。保持容量156と付加容量158は、映像信号Vsigを駆動トランジスタ150のゲートに与えるとき、映像信号Vsigに応じたゲート−ソース間電圧Vgsを確保するために設けられる。
駆動IC110は、第1の信号線VSLに初期化信号Vini、または映像信号Vsigを出力する。一方、ゲート側駆動回路108は第1の走査信号線SLAに走査信号SGを出力し、第2の走査信号線SLBに走査信号BGを出力し、第3の信号線SLCにリセット信号RGを出力する。
[4.アレイ基板]
アレイ基板102の構造を画素104の断面構造を用いて説明する。図6は均熱シート130を含有しない表示装置100の断面構造の一例を模式的に示した図であり、隣接する二つの画素104の画素回路のうち、駆動トランジスタ150、保持容量156、付加容量158、発光素子160の断面構造が示されている。上述したように、バイメタルフィルム140は、互いに接合された第1の金属膜142と第2の金属膜144を有し、接着層126_1によって第1の支持フィルム120の第1の部分120_1に接着される。第1の部分120_1も接着層126_2によって基板101に接着される。
アレイ基板102の構造を画素104の断面構造を用いて説明する。図6は均熱シート130を含有しない表示装置100の断面構造の一例を模式的に示した図であり、隣接する二つの画素104の画素回路のうち、駆動トランジスタ150、保持容量156、付加容量158、発光素子160の断面構造が示されている。上述したように、バイメタルフィルム140は、互いに接合された第1の金属膜142と第2の金属膜144を有し、接着層126_1によって第1の支持フィルム120の第1の部分120_1に接着される。第1の部分120_1も接着層126_2によって基板101に接着される。
画素回路に含まれる各素子はアンダーコート170を介し、基板101上に設けられる。駆動トランジスタ150は、半導体膜172、ゲート絶縁膜174、ゲート電極176、ドレイン電極182、ソース電極184を含む。ゲート絶縁膜174は、半導体膜172を覆うように設けられる。ゲート電極176は、ゲート絶縁膜174を介して半導体膜172の少なくとも一部と交差するように配置され、半導体膜172とゲート電極176が重なる領域にチャネルが形成される。半導体膜172はさらに、チャネルを挟持するドレイン領域172a、ソース領域172bを有する。
ゲート絶縁膜174を介し、ゲート電極176と同一の層に存在する容量電極178がソース領域172bと重なるように設けられる。ゲート電極176、容量電極178の上には層間絶縁膜180が設けられる。層間絶縁膜180とゲート絶縁膜174には、ドレイン領域172a、ソース領域172bに達する開口が形成され、この開口を覆うようにドレイン電極182、ソース電極184が配置される。ソース電極184の一部は、層間絶縁膜180を介してソース領域172bの一部と容量電極178と重なり、ソース領域172bの一部、ゲート絶縁膜174、容量電極178、層間絶縁膜180、およびソース電極184の一部によって保持容量156が形成される。
駆動トランジスタ150や保持容量156の上にはさらに平坦化膜186が設けられる。平坦化膜186には、ソース電極184に達する開口が設けられ、この開口と平坦化膜186の上面の一部を覆う接続電極190がソース電極184と接するように設けられる。平坦化膜186上にはさらに付加容量電極192が設けられる。接続電極190や付加容量電極192は同一の層に存在することができる。接続電極190と付加容量電極192を覆うように絶縁膜194が形成される。絶縁膜194は、平坦化膜186に設けられた開口では接続電極190の一部を覆わず、接続電極190の底面を露出する。これにより、接続電極190を介し、その上に設けられる画素電極200とソース電極184間の電気的接続が可能となる。絶縁膜194には、その上に設けられる隔壁196と平坦化膜186の接触を許容するための開口198を設けてもよい。開口198を通して平坦化膜186中の不純物を除去することができ、これによって画素回路や発光素子160の信頼性を向上させることができる。なお、接続電極190や開口198の形成は任意である。
絶縁膜194上には、接続電極190と付加容量電極192を覆うように、発光素子160の画素電極200が設けられる。絶縁膜194は付加容量電極192と画素電極200によって挟持され、この構造によって付加容量158が構築される。画素電極200は、付加容量158と発光素子160によって共有される。
画素電極200の上には、画素電極200の端部を覆う隔壁196が設けられる。画素電極200、隔壁196を覆うように電界発光層(以下、EL層)202、およびその上の対向電極210が設けられる。画素電極200、EL層202、対向電極210によって発光素子160が形成される。本明細書と請求項においてEL層202とは、画素電極200と対向電極210の間に設けられる層全体を指す。
EL層202は複数の層から構成することができ、例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリアブロック層、励起子ブロック層など、種々の機能層を組み合わせて形成される。EL層202の構造は、すべての画素104間で同一でも良く、隣接する画素104間で構造が異なるようにEL層202を形成してもよい。例えば発光層の構造や材料を隣接する画素104間で異なるようにEL層202を形成することで、隣接する画素から異なる発光を得ることができる。すべての画素104において同一のEL層202を用いる場合には、カラーフィルタを設けることで、複数の発光色を得ることが可能となる。図6では、代表的な機能層としてホール輸送層204、発光層206、電子輸送層208が示されている。
任意の構成として、発光素子160上に保護膜(以下、パッシベーション膜)220を設けてもよい。パッシベーション膜220の構造は任意に選択することができるが、図6に示すように、無機化合物を含む第1の層222、有機化合物を含む第2の層224、および無機化合物を含む第3の層226を含む積層構造を適用することができる。
第2の支持フィルム122は、接着層126_3によってパッシベーション膜220に接着される。図示しないが、パッシベーション膜220の上、あるいは第2の支持フィルム122上にタッチセンサや偏光板などを設けてもよい。
上述したアンダーコート170、ゲート絶縁膜174、層間絶縁膜180、絶縁膜194、第1の層222、第3の層226は、無機化合物を含むことができる。無機化合物としては酸化ケイ素や窒化ケイ素などのケイ素を含有する無機化合物などを使用することができる。一方、平坦化膜186や隔壁196、接着層126、第2の層224は有機化合物を含む。有機化合物としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリレート樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリシロキサンなどの高分子を含む。これらの高分子は鎖状構造でも良く、分子内で架橋していてもよい。半導体膜172は、シリコンやゲルマニウムなどの14族元素、あるいはインジウムやガリウムなどの13族元素や亜鉛などの12族元素を含む酸化物半導体を含むことができる。ゲート電極176や容量電極178、接続電極190、付加容量電極192、対向電極210は、アルミニウムや銅、チタン、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金、あるいはインジウム−スズ酸化物(ITO)やインジウム−亜鉛酸化物(IZO)などの導電性酸化物を含むことができる。
本明細書と請求項において、アレイ基板102とは、基板101、およびこの上に設けられる各種層のうち、第2の支持フィルム122とそれを接着するための接着層126_3を除く層を意味する。したがって図6に示した構造では、アレイ基板102は基板101からパッシベーション膜220までを含む。タッチセンサがパッシベーション膜220と第2の支持フィルム122の間に設けられる場合には、アレイ基板102は基板101からタッチセンサまでを含む。
[5.形状安定化]
上述したように、アレイ基板102は種々の絶縁膜、導電膜、半導体膜の積層によって構成される。したがって、材料間の熱膨張係数の相違に起因し、アレイ基板102内部には内部応力が発生し、これに起因してアレイ基板102は温度変化に伴って変形する。例えば図7(A)の模式的な断面図に示すように、ある温度ではアレイ基板102はほぼ平坦な表面を有していても、温度の上昇、あるいは低下に伴い、第1の支持フィルム120が第2の支持フィルム122に対して内側に位置するようにアレイ基板102が湾曲する。あるいは、図示しないが、温度の上昇、あるいは低下に伴い、第1の支持フィルム120が第2の支持フィルム122に対して外側に位置するようにアレイ基板102が湾曲する。このようにアレイ基板102が温度変化によって変形すると、表示装置100が自発的に変形することになり、表示装置100はユーザが意図しない形状をとることになり、その結果、表示装置100のハンドリング性が低下する。
上述したように、アレイ基板102は種々の絶縁膜、導電膜、半導体膜の積層によって構成される。したがって、材料間の熱膨張係数の相違に起因し、アレイ基板102内部には内部応力が発生し、これに起因してアレイ基板102は温度変化に伴って変形する。例えば図7(A)の模式的な断面図に示すように、ある温度ではアレイ基板102はほぼ平坦な表面を有していても、温度の上昇、あるいは低下に伴い、第1の支持フィルム120が第2の支持フィルム122に対して内側に位置するようにアレイ基板102が湾曲する。あるいは、図示しないが、温度の上昇、あるいは低下に伴い、第1の支持フィルム120が第2の支持フィルム122に対して外側に位置するようにアレイ基板102が湾曲する。このようにアレイ基板102が温度変化によって変形すると、表示装置100が自発的に変形することになり、表示装置100はユーザが意図しない形状をとることになり、その結果、表示装置100のハンドリング性が低下する。
このような自発的な変形を防止するため、アレイ基板102の変形を打ち消すように、バイメタルフィルム140の構造を調整する。すなわち、温度変化に伴い、アレイ基板102、第1の支持フィルム120、および第2の支持フィルム122を含む積層(以下、単に積層体と記す)が、第1の支持フィルム120が第2の支持フィルム122に対して内側に位置するように変形する場合には(図7(A))、図7(B)に示すように、この温度変化に伴って第2の金属膜144が第1の金属膜142に対して内側に位置するようにバイメタルフィルム140が変形するよう、バイメタルフィルム140を構成する。一方、温度変化によって第1の支持フィルム120が第2の支持フィルム122に対して外側に位置するように積層体が変形する場合には、この温度変化により、第2の金属膜144が第1の金属膜142に対して外側するようにバイメタルフィルム140が変形するよう、バイメタルフィルム140を構成する。
より具体的には、まず、積層体が平坦な形状をとるときの温度をT1とし、温度をT1からT2に変化させた場合の積層体の曲率半径Rを測定する(図8参照)。この時、積層体の湾曲した辺の長さをL、T2とT1の温度差(T2−T1)をΔTとする。第1の金属膜142と第2の金属膜144の熱膨張係数をそれぞれα1とα2、ヤング率をE1、E2、厚さの和hが以下の式を満たすよう、第1の金属膜142や第2の金属膜144の材料や構造を調整する。
これにより、積層体の変形とバイメタルフィルム140の変形が相殺され、外部環境や表示装置の発熱に起因する温度変化によって自発的に変形しない表示装置を提供することができる。本実施形態を適用することにより、周囲の環境に依存せず、ユーザによって任意の形状に変形可能な表示装置を提供することが可能となる。
本実施形態では、形状調整膜として二つの金属膜を有するバイメタルフィルム140を用いて表示装置の形状安定化を示したが、この形状調整膜に含まれる金属膜の数に限定は無く、三つ以上の金属膜が含まれていてもよい。また、形状調整膜に含まれる膜は金属膜に限られず、熱膨張係数やヤング率、厚さの和が上記関係を満たすよう、金属膜や絶縁体膜を積層して形状調整膜を形成してもよい。
<第2実施形態>
本実施形態では、表示装置100を複数有する電子デバイス250の構造を説明する。
本実施形態では、表示装置100を複数有する電子デバイス250の構造を説明する。
図9(A)に示すように、電子デバイス250は、コネクタ114が接続された表示装置100を複数有する。複数の表示装置100は、表示領域106や周辺領域、コネクタ114が互いに重なるように配置される。電子デバイス250はさらに筐体252を有しており、筐体252はコネクタ114や第2の部分120_2を覆うように設けられる。筐体252の一部は、一つの表示装置100_1の第2の支持フィルム122や、他の表示装置100_2のバイメタルフィルム140を覆ってもよく、接していてもよい。図9(A)に示した例では、複数の表示装置100間で、第1の支持フィルム120、アレイ基板102、第2の支持フィルム122の積層順は互いに同一であるが、この積層順は表示装置100間で異なってもよい。
電子デバイス250が有する表示装置100の数に制約はなく、三つ以上の表示装置100が備えられていてもよい。例えば図9(B)に示すように、電子デバイス250はn個(nは2以上の自然数)の表示装置100を有することができる。図示していないが、隣接する表示装置100間では、バイメタルフィルム140と第2の支持フィルム122は互いに直接、あるいは保護膜132を介して接してもよい。
筐体252内において、第1の支持フィルム120の第1の部分120_1と第2の部分120_2の間でアレイ基板102が折りたたまれてもよい。具体的には図10に示すように、電子デバイス250は、第2の部分120_2が第1の部分120_1と重なるようアレイ基板102が折りたたまれた状態の表示装置100を複数有することができる。なお、図10では、見やすさを考慮し、接着層125_1、接着層125_2(図2参照)は図示していない。
第1実施形態で述べたように、表示装置100にはアレイ基板102を含む積層体の温度変化による変形を防止するバイメタルフィルム140が設けられる。したがって、各表示装置100は自発的に変形することがないため、電子デバイス250は外部環境や自己発熱によって自発的に変形しない。このため、本実施形態を適用することにより、温度変化に依存せず、ユーザが意図した形状を電子デバイス250に付与することができ、ハンドリング性に優れた電子デバイスを提供することができる。
<第3実施形態>
本実施形態では、表示装置100とは構造が異なる表示装置254を説明する。表示装置100と同一、あるいは類似する構造に関しては説明を省略することがある。
本実施形態では、表示装置100とは構造が異なる表示装置254を説明する。表示装置100と同一、あるいは類似する構造に関しては説明を省略することがある。
図11に表示装置254の断面模式図を示す。表示装置254は、バイメタルフィルム140が設置されていない点、アレイ基板102が表示領域106において折りたたまれ、互いに重なる領域では第1の支持フィルム120の第1の部分120_1が接着層125_3によって互いに接着されている点で表示装置100と異なる。各画素104に設けられる発光素子160からの発光は、第2の支持フィルムを通して取り出される。したがって表示装置254では、両側の面(図11において、表示装置254の上側と下側)のみならず、側面からも映像を提供することが可能である。
表示装置254の一方の端部では、第1の部分120_1と第2の部分120_2の間にスペーサ118が設けられ、スペーサ118は接着層125_1、125_2を介してそれぞれ第1の部分120_1と第2の部分120_2と接着される。一方、表示装置254の他の端部にはスペーサ117が設けられる。スペーサ117によって表示領域106の折り返し部分の立体構造が安定化され、折り返し部分におけるアレイ基板102の変形を防止することができる。図11の拡大図に示すように、スペーサ117の一部は第1の部分120_1と接し、一部は接着層125_3を介して第1の部分120_1に接着される。図示しないが、第1実施形態と同様、均熱シート130を第1の支持フィルム120と接着層125_3の間に設けてもよい。
表示装置100の積層体と同様、アレイ基板102には内部応力が存在する。これに起因し、アレイ基板102は温度変化に従って自発的に変形する。しかしながら、上記構造を有する表示装置254は、表示領域106において接着層125_3を対称面として対称な構造を有するため、バイメタルフィルム140を設けなくてもアレイ基板102の変形の力が相殺される。その結果、表示装置254の温度変化による自発的変形が抑制される。したがって、本実施形態を適用することにより、温度変化に依存せず、ユーザが意図した形状を表示装置254に付与することができ、ハンドリング性に優れた表示装置を低コストで提供することができる。なお、スペーサ117に対応する外側に当たる表示装置の側面箇所においては、第2の支持フィルム122が置き換わる形で保護膜116が設けられる形態となってもよい。この場合、この側面箇所の曲げに伴い、発光素子や表示用の回路が形成される箇所近辺が中立面となり、曲げ応力が発光素子や表示用の回路に印加されなくなり、信頼性が向上する。
<第4実施形態>
本実施形態では、表示装置100とは構造が異なる表示装置260を説明する。表示装置100と同一、あるいは類似する構造に関しては説明を省略することがある。
本実施形態では、表示装置100とは構造が異なる表示装置260を説明する。表示装置100と同一、あるいは類似する構造に関しては説明を省略することがある。
図12に表示装置260の断面模式図を示す。この断面図は、図1の鎖線A−A´に沿った断面図であり、図2に相当する。表示装置260は、バイメタルフィルム140を持たないものの、二つのアレイ基板102_1、102_2を有する点で表示装置100と異なる。すなわち、表示装置260は、第1の支持フィルム120、第1の支持フィルム120上の第1のアレイ基板102_1、第1のアレイ基板102_1上の第2のアレイ基板102_2、第2のアレイ基板102_2上の第2の支持フィルム122、および第1のアレイ基板102_1と第2のアレイ基板102_2の間の第3の支持フィルム124を有している。
第3の支持フィルム124は、互いに離間する第1の部分124_1と第2の部分124_2を有する。前者は、第1のアレイ基板102_1や第2のアレイ基板102_2の表示領域106やゲート側駆動回路108と重なり、後者は端子112やコネクタ114、駆動IC110と重なるように設けられる。第1の部分124_1と第2の部分124_2は、それぞれ接着層126_3を介して第1のアレイ基板102_1と第2のアレイ基板102_2に固定される。
また、任意の構成として、第1の部分124_1と第2の部分124_2の間の領域において、第1のアレイ基板102_1と第2のアレイ基板102_2に挟まれるスペーサ119がさらに設けられていてもよい。図12の拡大図に示すように、表示装置100のスペーサ118と異なり、スペーサ119は曲面形状を有する必要は無く、互いに対向する平坦な面を有する。これらの面は接着層125によって第1のアレイ基板102_1と第2のアレイ基板102_2と固定される。
第1のアレイ基板102_1では、基板101の上に画素回路が設けられ、第2のアレイ基板102_2では、基板101の下に画素回路が設けられる。第1のアレイ基板102_1と第2のアレイ基板102_2の表示領域106は互いに重なるように配置される。したがって、第1のアレイ基板102_1は表示装置260の上に画像を表示し、第2のアレイ基板102_2は表示装置の下に画像を表示する。換言すると、表示装置260は両面に画像を表示することができる。
表示装置260の詳細な構造を断面図を用いて図13に示す。図13は、隣接する二つの画素104の画素回路のうち、駆動トランジスタ150、保持容量156、付加容量158、発光素子160の断面構造を示している。第1のアレイ基板102_1と第2のアレイ基板102_2はそれぞれ、表示装置100のアレイ基板102と同一、あるいは類似する構造をとることができる。第1のアレイ基板102_1の基板101_1は接着層126_4によって第3の支持フィルム124に接着される。同様に、第2のアレイ基板102_2の基板101_2は接着層126_3によって第3の支持フィルム124に接着される。したがって、表示装置260は、第3の支持フィルム124を対称面として対称な構造を有する。
図14に示すように、表示装置100と同様、表示装置260も第3の支持フィルム124の第1の部分124_1と第2の部分124_2の間の領域において、第1のアレイ基板102_1と第2のアレイ基板102_2を折り曲げることができる。この場合、第2の部分124_2は第1の部分124_1と重なる。表示装置100の場合と同様、折り曲げられた形状を維持するため、スペーサ118を設けてもよい。スペーサ118は第1の支持フィルム120と、第2の部分124_2の間に挟持され、接着層125_1、125_2によって第1の支持フィルム120と、第2の部分124_2に固定される。表示装置260をこのような形状に変形することで、少なくとも第2のアレイ基板102_2の表示領域106の面積を維持したまま、表示装置260の見かけ上の面積を小さくすることができる。
表示装置100の積層体と同様、第1のアレイ基板102_1と第2のアレイ基板102_2にはそれぞれ内部応力が存在する。これに起因し、第1のアレイ基板102_1と第2のアレイ基板102_2は、互いに離間した場合には温度変化に従って自発的に変形する。しかしながら、表示装置260は、第1のアレイ基板102_1や第2のアレイ基板102_2の主面に平行な面内に対称面を有するため、それぞれの変形の力が相殺される。その結果、表示装置260の温度変化による自発的変形が抑制される。したがって、本実施形態を適用することにより、温度変化に依存せず、ユーザが意図した形状を電子デバイス250に付与することができ、ハンドリング性に優れた電子デバイスを提供することができる。
<第5実施形態>
本実施形態では、複数の表示装置260を有する電子デバイス270の構造を説明する。第1から第4実施形態で述べた構造と同様、あるいは類似する構造に関しては説明を省略することがある。
本実施形態では、複数の表示装置260を有する電子デバイス270の構造を説明する。第1から第4実施形態で述べた構造と同様、あるいは類似する構造に関しては説明を省略することがある。
図15に示すように、電子デバイス270は、コネクタ114が接続された表示装置260を複数有する。複数の表示装置260は、その表示領域106が互いに重なるように配置される。電子デバイス270はさらに筐体252を有しており、筐体252はコネクタ114、第3の支持フィルム124の第2の部分124_2、スペーサ119などを覆うように設けられる。筐体252の一部は、一つの表示装置260_1の第2の支持フィルム122や、他の表示装置260_2の第1の支持フィルム120を覆ってもよく、接していてもよい。電子デバイス270が有する表示装置260の数に制約はなく、三つ以上の表示装置260が備えられていてもよい。
上述したように、各表示装置260は両面に画像を表示することができる。したがってユーザは、電子デバイス270を本と同様の感覚で扱うことができ、より自然な使用感を享受することができる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
本明細書においては、開示例として主にEL表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
100:表示装置、101:基板、102:アレイ基板、102_1:第1のアレイ基板、102_2:第2のアレイ基板、104:画素、106:表示領域、108:ゲート側駆動回路、112:端子、114:コネクタ、116:保護膜、117:スペーサ、118:スペーサ、119:スペーサ、120:第1の支持フィルム、120_1:第1の部分、120_2:第2の部分、122:第2の支持フィルム、124_1:第1の部分、124_2:第2の部分、124:第3の支持フィルム、125:接着層、125_1:接着層、125_2:接着層、125_3:接着層、126:接着層、130:均熱シート、132:保護膜、140:バイメタルフィルム、142:第1の金属膜、144:第2の金属膜、146:中間層、148:酸化物層、150:駆動トランジスタ、152:第1のスイッチングトランジスタ、154:第2のスイッチングトランジスタ、156:保持容量、158:付加容量、160:発光素子、162:高電位電源線、164:低電位電源線、166:リセットトランジスタ、170:アンダーコート、172:半導体膜、172a:ドレイン領域、172b:ソース領域、174:ゲート絶縁膜、176:ゲート電極、178:容量電極、180:層間絶縁膜、182:ドレイン電極、184:ソース電極、186:平坦化膜、190:接続電極、192:付加容量電極、194:絶縁膜、196:隔壁、198:開口、200:画素電極、202:EL層、204:ホール輸送層、206:発光層、208:電子輸送層、210:対向電極、220:パッシベーション膜、222:第1の層、224:第2の層、226:第3の層、250:電子デバイス、252:筐体、254:表示装置、260:表示装置、270:電子デバイス
Claims (21)
- 可撓性基板、および前記可撓性基板上に画素回路を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板下の第1の支持フィルムと、
前記アレイ基板上の第2の支持フィルムと、
接着層を介して前記第1の支持フィルム下に位置し、第1の膜と第2の膜を含む部材を有し、
前記第1の膜と前記第2の膜は、互いに熱膨張係数が異なる表示装置。 - 前記第1の膜と前記第2の膜は、それぞれ第1の金属と第2の金属を有する第1の金属膜と第2の金属膜であり、
前記第1の金属と前記第2の金属は、独立に、銅、ニッケル、亜鉛、マンガン、鉄、コバルト、アルミニウム、スズ、鉛、および銀から選択される、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1の膜と前記第2の膜の界面に、前記第1の金属と前記第2の金属の金属間化合物、あるいは合金が含まれる、請求項2に記載の表示装置。
- 前記金属間化合物、あるいは前記合金は、前記界面に不連続に分布する、請求項3に記載の表示装置。
- 前記第1の膜と前記第2の膜の界面に、前記第1の金属の酸化物、あるいは前記第2の金属の酸化物が含まれる、請求項2に記載の表示装置。
- 前記第1の金属の前記酸化物、あるいは前記第2の金属の前記酸化物は、前記界面に不連続に分布する、請求項5に記載の表示装置。
- 前記第1の支持フィルムと前記部材の間に第3の金属膜をさらに有し、
前記第3の金属膜は、第2の接着層によって前記第1の支持フィルムに接着される、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第3の金属膜は、アルミニウム、銅、および鉄から選択される、請求項7に記載の表示装置。
- 前記第1の支持フィルム、前記アレイ基板、前記第2の支持フィルムの積層は、温度上昇によって、前記第1の支持フィルムが前記第2の支持フィルムに対して内側に位置するように湾曲するように構成され、
前記部材は、温度上昇によって、前記第2の膜が前記第1の膜に対して内側に位置するように湾曲するように構成される、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1の支持フィルム、前記アレイ基板、前記第2の支持フィルムの積層は、温度上昇によって、前記第1の支持フィルムが前記第2の支持フィルムに対して外側に位置するように湾曲するように構成され、
前記部材は、温度上昇によって、前記第2の膜が前記第1の膜に対して外側に位置するように湾曲するように構成される、請求項1に記載の表示装置。 - 複数の表示装置と、
筐体を有し、
前記複数の表示装置のそれぞれは、
可撓性基板、および前記可撓性基板上に画素回路を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板下の第1の支持フィルムと、
前記アレイ基板上の第2の支持フィルムと、
接着層を介して前記第1の支持フィルム下に位置する部材と、
前記アレイ基板に接続されるコネクタを有し、
前記筐体は前記コネクタを覆い、
前記複数の表示装置のそれぞれにおいて、
前記部材は、第1の膜、および前記第1の膜上の第2の膜を有し、
前記第1の膜と前記第2の膜は、互いに熱膨張係数が異なる電子デバイス。 - 前記複数の表示装置のそれぞれにおいて、
前記第1の膜と前記第2の膜は、それぞれ第1の金属と第2の金属を有する第1の金属膜と第2の金属膜であり、
前記第1の金属と前記第2の金属は、独立に、銅、ニッケル、亜鉛、マンガン、鉄、コバルト、アルミニウム、スズ、鉛、および銀から選択される、請求項11に記載の電子デバイス。 - 前記複数の表示装置のそれぞれにおいて、前記第1の膜と前記第2の膜の界面に、前記第1の金属と前記第2の金属の金属間化合物、あるいは合金を含む、請求項12に記載の電子デバイス。
- 前記金属間化合物、あるいは前記合金は、前記界面に不連続に分布する、請求項13に記載の電子デバイス。
- 前記複数の表示装置のそれぞれにおいて、前記第1の膜と前記第2の膜の界面に、前記第1の金属の酸化物、あるいは前記第2の金属の酸化物が含まれる、請求項12に記載の電子デバイス。
- 前記第1の金属の前記酸化物、あるいは前記第2の金属の前記酸化物は、前記界面に不連続に分布する、請求項15に記載の電子デバイス。
- 前記複数の表示装置は、前記第1の支持フィルムと前記部材の間に第3の金属膜をさらに有し、
前記複数の表示装置のそれぞれにおいて、前記第3の金属膜は、第2の接着層によって前記第1の支持フィルムに接着される、請求項11に記載の電子デバイス。 - 前記複数の表示装置のそれぞれにおいて、前記第3の金属膜は、アルミニウム、銅、および鉄から選択される、請求項17に記載の電子デバイス。
- 前記複数の表示装置のそれぞれにおいて、
前記第1の支持フィルム、前記アレイ基板、前記第2の支持フィルムの積層は、温度上昇によって、前記第1の支持フィルムが前記第2の支持フィルムに対して内側に位置するように湾曲するように構成され、
前記部材は、温度上昇によって、前記第2の膜が前記第1の膜に対して内側に位置するように湾曲するように構成される、請求項11に記載の電子デバイス。 - 前記複数の表示装置のそれぞれにおいて、
前記第1の支持フィルム、前記アレイ基板、前記第2の支持フィルムの積層は、温度上昇によって、前記第1の支持フィルムが前記第2の支持フィルムに対して外側に位置するように湾曲するように構成され、
前記部材は、温度上昇によって、前記第2の膜が前記第1の膜に対して外側に位置するように湾曲するように構成される、請求項11に記載の電子デバイス。 - 第1の可撓性基板、および前記第1の可撓性基板下の画素回路を有する第1のアレイ基板と、
前記第1のアレイ基板上に位置し、第2の可撓性基板、および前記第2の可撓性基板上の画素回路を有するの第2のアレイ基板と、
前記第1のアレイ基板下の第1の支持フィルムと、
前記第2のアレイ基板上の第2の支持フィルムと、
前記第1のアレイ基板と前記第2のアレイ基板の間の第3の支持フィルムを有し、
前記第2の支持フィルムは、接着層により、前記第1のアレイ基板と前記第2のアレイ基板に接着される電子デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017123035A JP2019008107A (ja) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 表示装置、および電子デバイス |
US15/997,814 US10680191B2 (en) | 2017-06-23 | 2018-06-05 | Display device and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017123035A JP2019008107A (ja) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 表示装置、および電子デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019008107A true JP2019008107A (ja) | 2019-01-17 |
Family
ID=64693655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017123035A Pending JP2019008107A (ja) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 表示装置、および電子デバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10680191B2 (ja) |
JP (1) | JP2019008107A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180030365A (ko) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111129095B (zh) * | 2019-12-27 | 2023-07-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示器及其操作方法 |
CN111292621B (zh) * | 2020-02-24 | 2021-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、用于显示装置的支撑膜及电子设备 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5335628B2 (ja) * | 2009-09-09 | 2013-11-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP2011227369A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
JP5564345B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-07-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP5615647B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2014-10-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチ検出機能付き表示装置および電子機器 |
KR101836397B1 (ko) * | 2011-09-19 | 2018-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US9618689B2 (en) * | 2012-09-28 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Electronic devices with displays having attached optical films |
JP6145259B2 (ja) | 2012-11-07 | 2017-06-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2014122973A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
EP3064988A1 (en) * | 2012-12-20 | 2016-09-07 | LG Electronics, Inc. | Display device |
KR102084060B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2020-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 보호용 윈도우의 제조 방법 및 이를 이용하여 제작한 표시 장치 |
-
2017
- 2017-06-23 JP JP2017123035A patent/JP2019008107A/ja active Pending
-
2018
- 2018-06-05 US US15/997,814 patent/US10680191B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10680191B2 (en) | 2020-06-09 |
US20180375044A1 (en) | 2018-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102547400B1 (ko) | 폴더블 표시 장치 | |
KR102611993B1 (ko) | 플렉시블 표시 장치 | |
CN107039495B (zh) | 有机发光显示面板和有机发光显示装置 | |
JP6073890B2 (ja) | 有機el装置 | |
US9922909B2 (en) | Display device | |
CN111146245B (zh) | 可拉伸显示装置 | |
KR102095013B1 (ko) | 플렉서블 장치 | |
JP6497858B2 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
US11183653B2 (en) | Flexible display device having a micro coating layer covered circuit wire | |
CN108735099B (zh) | 显示装置 | |
JP2016031499A (ja) | 表示装置 | |
JP2010282966A (ja) | 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法 | |
KR20180032719A (ko) | 표시 장치 | |
JP6719948B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2019095507A (ja) | 表示装置 | |
JP2019036005A (ja) | 表示装置、及び表示装置の製造方法 | |
KR20200085835A (ko) | 터치 디스플레이 패널, 플렉서블 디스플레이 장치 및 터치 디스플레이 패널을 제조하는 방법 | |
US11955492B2 (en) | Display device | |
JP2019008107A (ja) | 表示装置、および電子デバイス | |
JP2018194600A (ja) | 表示装置 | |
KR20170063259A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 | |
CN110547045A (zh) | 有机el显示装置 | |
CN113053948A (zh) | 柔性显示装置 | |
US10304857B2 (en) | Semiconductor device, display device and manufacturing method for semiconductor device | |
JP7086582B2 (ja) | 表示装置 |