KR20180054462A - 시트, 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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KR20180054462A
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Abstract

본 개시는, 경화 처리의 유무에 관계 없이 내구성이 우수한 마크를 부여하는 것이 가능한 시트를 제공한다.
본 개시의 시트는, 기재층 및 기재층 상에 위치하는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름을 포함한다. 본 개시의 시트는, 점착제층 상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름을 더 포함한다. 본 개시의 시트에 있어서, 반도체 이면 보호 필름에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량은 40J/g 이하이다.

Description

시트, 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법{SHEET, TAPE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS}
본 개시는, 시트와, 테이프와, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름을 반도체 장치 제조를 위하여 사용할 경우, 다이싱 필름상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름과 반도체 웨이퍼를 접합하여, 반도체 이면 보호 필름을 경화하고, 경화 후 반도체 이면 보호 필름에 레이저로 마크를 부여하여, 반도체 웨이퍼를 다이싱하고, 경화 후 반도체 이면 보호 필름이 부착된 칩을 다이싱 필름으로부터 박리하는 경우가 있다.
일본 특허 공개 제2011-9711호 공보 일본 특허 공개 제2011-151360호 공보 일본 특허 공개 제2011-151361호 공보
이러한 공정을 거치는 방법으로는, 레이저 마킹에 앞서 반도체 이면 보호 필름을 경화시키기 위하여, 레이저 마크가 리플로우로 무너지기 어렵다.
그러나, 이러한 방법에서는 반도체 이면 보호 필름의 경화 처리에 의해, 반도체 이면 보호 필름과 다이싱 필름의 박리력이 상승한다. 박리력의 상승은, 경화 후 반도체 이면 보호 필름이 부착된 칩의 픽업 불량을 초래한다.
본 개시는, 경화 처리의 유무에 관계 없이 내구성이 우수한 마크를 부여하는 것이 가능한 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 개시는, 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.
본 개시의 시트는, 기재층 및 기재층 상에 위치하는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름을 포함한다. 본 개시의 시트는, 점착제층 상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름을 더 포함한다. 본 개시의 시트에 있어서, 반도체 이면 보호 필름에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량은 40J/g 이하이다. 본 개시에서는, 반도체 이면 보호 필름의 경화가 리플로우로 실질적으로 진행하지 않고, 리플로우로 마크가 무너지는 경우가 없으므로, 내구성이 우수한 마크를 반도체 이면 보호 필름에 붙일 수 있다.
본 개시의 시트에 있어서, 반도체 이면 보호 필름이 제1층을 포함하는 것이 바람직하다. 제1층은 경화된 층(이하, 「경화층」이라고 함)인 것이 바람직하다. 제1층에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량은 40J/g 이하이다.
본 개시의 시트에 있어서, 반도체 이면 보호 필름이 제2층을 포함하는 것이 바람직하다. 제2층은, 열경화 촉진 촉매를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 제2층과 제1층을 반도체 이면 보호 필름이 포함하는 경우, 제1층이 점착제층과 제2층 사이에 위치하는 것이 바람직하다.
본 개시의 테이프는, 박리 라이너와, 박리 라이너 상에 위치하는 시트를 포함한다.
본 개시에서의 반도체 장치의 제조 방법은, 시트의 반도체 이면 보호 필름에, 개질 영역을 갖는 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정과, 다이싱 필름을 확장함으로써 개질 영역을 기점으로 반도체 웨이퍼를 분단하는 공정을 포함한다.
도 1은 실시 형태 1에 있어서의 테이프의 개략 평면도.
도 2는 실시 형태 1에 있어서의 테이프의 일부의 개략 단면도.
도 3은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 사시도.
도 4는 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 5는 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 6은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 7은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 8은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 9는 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 10은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도.
도 11은 변형예 1에 있어서의 시트의 개략 단면도.
도 12는 실시예 2에 있어서의 반도체 이면 보호 필름의 DSC차트.
이하에 실시 형태를 들어, 본 개시를 상세하게 설명하지만, 본 개시는 이들 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다.
실시 형태 1
도 1에 도시된 바와 같이, 테이프(1)는, 박리 라이너(13)와, 박리 라이너(13) 상에 위치하는 시트(71a, 71b, 71c, ……, 71m)(이하, 「시트(71)」라고 총칭함)를 포함한다. 테이프(1)는 롤 형상을 이룰 수 있다. 시트(71a)와 시트(71b) 사이의 거리, 시트(71b)와 시트(71c) 사이의 거리, …… 시트(71l)와 시트(71m) 사이의 거리는 일정하다.
박리 라이너(13)는 테이프 형상을 이룬다. 박리 라이너(13)는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 시트(71)는 다이싱 필름(12)을 포함한다. 다이싱 필름(12)은 원반 형상을 이룬다. 다이싱 필름(12)은, 기재층(121)과, 기재층(121) 상에 위치하는 점착제층(122)을 포함한다. 기재층(121)은 원반 형상을 이룬다. 기재층(121)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의할 수 있다. 기재층(121)의 제1 주면은 점착제층(122)과 접하고 있다. 기재 ((121)의 두께는, 예를 들어 50㎛ 내지 150㎛이다. 기재층(121)은 폴리프로필렌층을 포함할 수 있다. 기재층(121)은, 폴리프로필렌층과 폴리프로필렌층 이외의 플라스틱층으로 이루어지는 것이 가능하다. 한편, 기재층(121)은, 폴리프로필렌 단층으로 이루어질 수도 있다. 기재층(121)은, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(이하, 「EVA」라고 함)층을 포함할 수 있다. 기재층(121)은, EVA층과 EVA층 이외의 플라스틱층으로 이루어지는 것이 가능하다. 기재층(121)은, EVA 단층으로 이루어질 수도 있다. 기재층(121)은, 에너지선을 투과하는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 점착제층(122)은 원반 형상을 이룬다. 점착제층(122)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의할 수 있다. 점착제층(122)의 제1 주면은 반도체 이면 보호 필름(11)의 제1층(111)과 접하고 있다. 점착제층(122)의 제2 주면은 기재층(121)과 접하고 있다. 점착제층(122)의 두께는 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상이다. 점착제층(122)의 두께는 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 점착제층(122)을 구성하는 점착제는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점점착제이다. 그 중에서도 아크릴계 점착제가 바람직하다. 아크릴계 점착제는, 예를 들어 (메트)아크릴산 알킬에스테르의 1종 혹은 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체(단독 중합체 또는 공중합체)를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제일 수 있다.
점착제층(122)은 제1 부분(122A)을 포함할 수 있다. 제1 부분은 원반 형상을 이룰 수 있다. 제1 부분(122A)은 반도체 이면 보호 필름(11)과 접하고 있다. 제1 부분(122A)은, 제2 부분(122B)보다 단단하다. 제1 부분(122A)은, 에너지선에 의해 경화되어 있을 수 있다. 점착제층(122)은, 제1 부분(122A)을 둘러싸는 제2 부분(122B)을 더 포함할 수 있다. 제2 부분(122B)은 도넛판 형상을 이룰 수 있다. 제2 부분(122B)은, 에너지선에 의해 경화되는 성질을 가질 수 있다. 에너지선으로서 자외선 등을 들 수 있다. 제2 부분(122B)은, 도넛판 형상의 제1 영역과, 제1 영역을 둘러싸는 도넛판 형상의 제2 영역으로 이루어질 수 있다. 제2 부분(122B)의 제1 영역은, 반도체 이면 보호 필름(11)과 접한다. 한편, 제2 부분(122B)의 제2 영역은, 반도체 이면 보호 필름(11)과 접하지 않는다.
시트(71)는 반도체 이면 보호 필름(11)을 포함한다. 반도체 이면 보호 필름(11)은 원반 형상을 이룬다. 반도체 이면 보호 필름(11)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의할 수 있다. 반도체 이면 보호 필름(11)의 제1 주면은, 박리 라이너(13)와 접하고 있다. 반도체 이면 보호 필름(11)의 제2 주면은 점착제층(122)과 접하고 있다.
반도체 이면 보호 필름(11)의 두께는, 바람직하게는 2㎛ 이상, 보다 바람직하게는 4㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 6㎛ 이상, 특히 바람직하게는 10㎛ 이상이다. 반도체 이면 보호 필름(11)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 160㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하, 특히 바람직하게는 80㎛ 이하이다.
반도체 이면 보호 필름(11)에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량이 40J/g 이하인 것이 바람직하다. 발열량이 40J/g 이하이므로, 반도체 이면 보호 필름(11)의 경화가 리플로우로 실질적으로 진행하지 않고, 리플로우로 마크가 무너지는 경우가 없다. DSC 측정은, 질소 분위기 하에서, 승온 속도 10℃/분에 행할 수 있다. 발열량은, 실시예의 기재에 따라 구한다. 50℃ 내지 300℃에 복수의 발열 피크가 출현하는 경우에는, 이들 발열 피크의 합계 발열량이 「발열량」이다.
반도체 이면 보호 필름(11)은, 제1층(111)과 제2층(112)을 포함한다. 제1층(111)은, 점착제층(122)과 제2층(112) 사이에 위치한다. 제2층(112)은, 박리 라이너(13)와 제1층(111) 사이에 위치한다.
제1층(111)은 반도체 이면 보호 필름(11)을 포함한다. 제1층(111)은 원반 형상을 이룬다. 제1층(111)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의할 수 있다. 제1층(111)의 제1 주면은, 제2층(112)과 접하고 있다. 제1층(111)의 제2 주면은 점착제층(122)과 접하고 있다. 제1층(111)의 두께는, 예를 들어 1㎛ 내지 50㎛이다.
제1층(111)은 경화층인 것이 바람직하다. 제1층(111)은, 성막 시의 가열로 경화시킬 수 있다. 제1층(111)은 레이저로 마크를 부여하기 위한 층일 수 있다.
제1층(111)에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량이 40J/g 이하이다. 발열량은, 열경화 촉진 촉매의 종류·열경화 촉진 촉매의 첨가량·성막 시의 가열 조건 등에서 조정할 수 있다.
제1층(111)은 유색인 것이 바람직하다. 유색이면, 다이싱 필름(12)과 반도체 이면 보호 필름(11)을 간단하게 구별할 수 있다. 제1층(111)은, 예를 들어 흑색, 청색, 적색 등의 짙은 색인 것이 바람직하다. 흑색이 특히 바람직하다. 레이저 마크를 시인하기 쉽기 때문이다.
짙은 색이란, 기본적으로는, L*a*b* 표색계로 규정되는 L*가, 60 이하(0 내지 60)[바람직하게는 50 이하(0 내지 50), 더욱 바람직하게는 40 이하(0 내지 40)]가 되는 진한 색을 의미하고 있다.
또한, 흑색이란, 기본적으로는, L*a*b* 표색계로 규정되는 L*가, 35 이하(0 내지 35)[바람직하게는 30 이하(0 내지 30), 더욱 바람직하게는 25 이하(0 내지 25)]가 되는 흑색계 색을 의미하고 있다. 또한, 흑색에 있어서, L*a*b* 표색계로 규정되는 a*나 b*는, 각각 L*의 값에 따라 적절히 선택할 수 있다. a*나 b*로서는, 예를 들어 양쪽 모두, -10 내지 10인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 -5 내지 5이며, 특히 -3 내지 3의 범위(그 중에서도 0 또는 거의 0)인 것이 적합하다.
또한, L*a*b* 표색계로 규정되는 L*, a*, b*는, 색채 색차계(상품명 「CR-200」미놀타사제; 색채 색차계)를 사용하여 측정함으로써 구해진다. 또한, L*a*b* 표색계는, 국제 조명 위원회(CIE)가 1976년에 권장한 색 공간이며, CIE1976(L*a*b*) 표색계라고 칭해지는 색 공간을 의미하고 있다. 또한, L*a*b* 표색계는, 일본 공업 규격에서는, JIS Z 8729에 규정되어 있다.
제1층(111)은 수지 성분을 포함할 수 있다. 제1층(111)에 있어서의 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상이다. 제1층(111)에 있어서의 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 80중량％ 이하, 보다 바람직하게는 70중량％ 이하이다.
수지 성분은, 열 가소성 수지와 열경화성 수지를 경화 전에 포함할 수 있다. 수지 성분 100중량％에 있어서의 열 가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상이다. 수지 성분 100중량％에 있어서의 열 가소성 수지의 함유량 상한은, 예를 들어 70중량％, 바람직하게는 50중량％, 보다 바람직하게는 40중량％이다. 열경화성 수지의 함유량은, 수지 성분 100중량％에 있어서, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 50중량％ 이상이다. 열경화성 수지의 함유량 상한은, 수지 성분 100중량％에 있어서, 예를 들어 90중량％, 바람직하게는 80중량％, 보다 바람직하게는 70중량％이다.
열 가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열 가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)나 PBT(폴리부틸렌테레프탈레이트) 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 열 가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 아크릴 수지가 적합하다.
열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지는, 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다. 열경화성 수지로서는, 특히, 반도체 칩을 부식시키는 이온성 불순물 등 함유가 적은 에폭시 수지가 적합하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지를 적합하게 사용할 수 있다.
에폭시 수지로서는, 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지 또는 히단토인형 에폭시 수지, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 에폭시 수지 혹은 글리시딜아민형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
제1층(111)은, 25℃에서 액상의 에폭시 수지와, 25℃에서 고체상의 에폭시 수지를 경화 전에 포함할 수 있다. 이 경우, 작업성이 우수하다. 액상 에폭시 수지의 고체상 에폭시 수지에 대한 비의 값은, 예를 들어 0.4 이상, 바람직하게는 0.6 이상, 보다 바람직하게는 0.8 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 이상이다. 여기서, 액상 에폭시 수지의 고체상 에폭시 수지에 대한 비는, 액상 에폭시 수지 함유량의 고체상 에폭시 수지 함유량에 대한 중량비이다.
페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 페놀 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5당량 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은, 0.8당량 내지 1.2당량이다.
제1층(111)은 열경화 촉진 촉매를 경화 전에 포함할 수 있다. 예를 들어, 아민계 경화 촉진제, 인계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 붕소계 경화 촉진제, 인-붕소계 경화 촉진제 등이다. 열경화 촉진 촉매의 함유량은, 수지 성분 100중량부에 대해 예를 들어 1 내지 100중량부이다.
제1층(111)은 충전제를 포함할 수 있다. 무기 충전제가 적합하다. 무기 충전제는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등이다. 충전제는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리카가 바람직하고, 용융 실리카가 특히 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은 0.1㎛ 내지 80㎛인 범위 내인 것이 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 예를 들어 레이저 회절형 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있다.
제1층(111)에 있어서의 충전제의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 30중량％ 이상이다. 제1층(111)에 있어서의 충전제의 함유량은, 바람직하게는 70중량％ 이하, 보다 바람직하게는 60중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 50중량％ 이하이다.
제1층(111)은, 바람직하게는 착색제를 포함한다. 착색제는, 예를 들어 염료, 안료이다. 그 중에서도 염료가 바람직하고, 흑색 염료가 보다 바람직하다. 제1층(111)에 있어서의 착색제의 함유량은, 경화 전에 있어서, 바람직하게는 0.5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 1중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 2중량％ 이상이다. 제1층(111)에 있어서의 착색제의 함유량은, 경화 전에 있어서, 바람직하게는 10중량％ 이하, 보다 바람직하게는 8중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 5중량％ 이하이다.
제1층(111)은, 다른 첨가제를 적절히 포함할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 증량제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다.
제2층(112)을, 반도체 이면 보호 필름(11)은 포함한다. 제2층(112)은 원반 형상을 이룬다. 제2층(112)의 양면은, 제1 주면과 제2 주면으로 정의할 수 있다. 제2층(112)의 제1 주면은, 박리 라이너(13)와 접하고 있다. 제2층(112)의 제2 주면은 제1층(111)과 접하고 있다. 제2층(112)의 두께는, 예를 들어 1㎛ 내지 50㎛이다.
제2층(112)은, 열경화성을 가질 수 있다. 제2층(112)은, 미경화의 층일 수 있다.
제2층(112)에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량이 40J/g 이하이다.
제2층(112)은 유색일 수 있다. 유색이면, 다이싱 필름(12)과 반도체 이면 보호 필름(11)을 간단하게 구별할 수 있다. 제2층(112)은, 예를 들어 흑색, 청색, 적색 등의 짙은 색인 것이 바람직하다. 흑색이 특히 바람직하다. 레이저 마크를 시인하기 쉽기 때문이다. L*a*b* 표색계로 규정되는 L*의 적합 범위는, 제1층(111)에 있어서의 L*의 적합 범위와 같다.
제2층(112)은 수지 성분을 포함할 수 있다. 제2층(112)에 있어서의 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상이다. 제2층(112)에 있어서의 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 80중량％ 이하, 보다 바람직하게는 70중량％ 이하이다.
수지 성분은, 열 가소성 수지와 열경화성 수지를 포함할 수 있다. 수지 성분 100중량％에 있어서의 열 가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상이다. 수지 성분 100중량％에 있어서의 열 가소성 수지의 함유량 상한은, 예를 들어 70중량％, 바람직하게는 50중량％, 보다 바람직하게는 40중량％이다. 열경화성 수지의 함유량은, 수지 성분 100중량％에 있어서, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 50중량％ 이상이다. 열경화성 수지의 함유량 상한은, 수지 성분 100중량％에 있어서, 예를 들어 90중량％, 바람직하게는 80중량％, 보다 바람직하게는 70중량％이다.
열 가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열 가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)나 PBT(폴리부틸렌테레프탈레이트) 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 열 가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 아크릴 수지가 적합하다.
열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지는, 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다. 열경화성 수지로서는, 특히, 반도체 칩을 부식시키는 이온성 불순물 등 함유가 적은 에폭시 수지가 적합하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지를 적합하게 사용할 수 있다.
에폭시 수지로서는, 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지 또는 히단토인형 에폭시 수지, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 에폭시 수지 혹은 글리시딜아민형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
제2층(112)은, 25℃에서 액상의 에폭시 수지와, 25℃에서 고체상의 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 이 경우, 작업성이 우수하다. 액상 에폭시 수지의 고체상 에폭시 수지에 대한 비의 값은, 예를 들어 0.4 이상, 바람직하게는 0.6 이상, 보다 바람직하게는 0.8 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 이상이다. 여기서, 액상 에폭시 수지의 고체상 에폭시 수지에 대한 비는, 액상 에폭시 수지 함유량의 고체상 에폭시 수지 함유량에 대한 중량비이다.
페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 페놀 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5당량 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은, 0.8당량 내지 1.2당량이다.
제2층(112)은, 열경화 촉진 촉매를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 열경화 촉진 촉매는, 예를 들어 아민계 경화 촉진제, 인계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 붕소계 경화 촉진제, 인-붕소계 경화 촉진제 등이다.
제2층(112)은, 충전제를 포함할 수 있다. 무기 충전제가 적합하다. 무기 충전제는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등이다. 충전제는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리카가 바람직하고, 용융 실리카가 특히 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은 0.1㎛ 내지 80㎛인 범위 내인 것이 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 예를 들어 레이저 회절형 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있다.
제2층(112)에 있어서의 충전제의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 30중량％ 이상이다. 제2층(112)에 있어서의 충전제의 함유량은, 바람직하게는 70중량％ 이하, 보다 바람직하게는 60중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 50중량％ 이하이다.
제2층(112)은, 착색제를 포함할 수 있다. 착색제는, 예를 들어 염료, 안료이다. 그 중에서도 염료가 바람직하고, 흑색 염료가 보다 바람직하다. 제2층(112)에 있어서의 착색제의 함유량은, 바람직하게는 0.5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 1중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 2중량％ 이상이다. 제2층(112)에 있어서의 착색제의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이하, 보다 바람직하게는 8중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 5중량％ 이하이다.
제2층(112)은, 다른 첨가제를 적절히 포함할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 증량제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다.
시트(71)는, 반도체 장치를 제조하기 위하여 사용할 수 있다. 여기에서는, 반도체 장치의 제조를 설명한다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)의 내부에 집광점을 맞추어, 격자상의 분할 예정 라인(4L)에 따라 레이저광(100)을 조사하고, 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)에 개질 영역(41)을 형성하고, 반도체 웨이퍼(4)를 얻는다. 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이트 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.
레이저광(100)의 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절히 조정할 수 있다.
(A) 레이저광(100)
레이저광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저
파장 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100㎑ 이하
펄스폭 1μs 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)가 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하
도 4에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)는 개질 영역(41)을 포함한다. 개질 영역(41)은, 다른 영역과 비교하여 취약하다. 반도체 웨이퍼(4)는, 반도체 칩(4A, 4B, 4C, ……, 4F)을 더 포함한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 테이프(1)로부터 박리 라이너(13)를 제거하고, 가열 테이블로 데워진 반도체 웨이퍼(4)를 롤로, 시트(71)의 반도체 이면 보호 필름(11)에 고정한다. 반도체 웨이퍼(4)의 고정은, 예를 들어 40℃ 이상, 바람직하게는 45℃ 이상, 보다 바람직하게는 50℃ 이상, 더욱 바람직하게는 55℃ 이상으로 행한다. 반도체 웨이퍼(4)를 고정은, 예를 들어 100℃ 이하, 바람직하게는 90℃ 이하로 행한다. 반도체 웨이퍼(4)의 고정 압력은, 예를 들어 1×105Pa 내지 1×107Pa이다. 롤 속도는, 예를 들어 10㎜/sec이다.
반도체 웨이퍼(4) 부착의 시트(71)를 가열함으로써 반도체 이면 보호 필름(11)의 제2층(112)을 반도체 웨이퍼(4)에 밀착시킨다. 가열은, 예를 들어 40℃ 이상, 바람직하게는 60℃ 이상으로 행한다. 가열 온도의 상한은 예를 들어 200℃이다. 가열은, 예를 들어 10초 이상 행한다. 가열 시간의 상한은 예를 들어 10분이다.
반도체 이면 보호 필름(11)의 제1층(111)에 다이싱 필름(12) 너머로 레이저를 조사하고, 제1층(111)에 마크를 부여한다. 레이저는, 기체 레이저, 고체 레이저, 액체 레이저 등을 사용할 수 있다. 기체 레이저는, 예를 들어 탄산 가스 레이저(CO2 레이저), 엑시머 레이저(ArF 레이저, KrF 레이저, XeCl 레이저, XeF 레이저 등) 등이다. 고체 레이저는, 예를 들어 YAG 레이저(Nd: YAG 레이저 등), YVO4 레이저이다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 밀어 올림 수단(33)으로 다이싱 필름(12)을 밀어올리고, 다이싱 필름(12)을 확장한다. 확장의 온도는, 바람직하게는 10℃ 이하, 보다 바람직하게는 0℃ 이하이다. 온도의 하한은 예를 들어 -20℃이다.
다이싱 필름(12)의 확장에 의해, 개질 영역(41)을 기점으로 반도체 웨이퍼(4)가 분단됨과 함께, 반도체 이면 보호 필름(11)도 분단된다. 이 결과, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)가 다이싱 필름(12) 상에 형성된다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 밀어 올림 수단(33)을 하강시킨다. 이 결과, 다이싱 필름(12)에 느슨해짐이 발생한다. 느슨해짐은, 다이싱 필름(12)의 웨이퍼 고정 영역과 다이싱 링 고정 영역 사이에 발생한다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 다이싱 필름(12)을 흡착 테이블(32)로 밀어올려 확장하고, 확장을 유지하면서 흡착 테이블(32)에 다이싱 필름(12)을 흡인 고정한다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 흡착 테이블(32)에 다이싱 필름(12)을 흡인 고정한 채, 흡착 테이블(32)을 하강시킨다.
흡착 테이블(32)에 다이싱 필름(12)을 흡인 고정한 채, 다이싱 필름(12)의 느슨해짐에 열풍을 쏘이고, 느슨해짐을 제거한다. 열풍의 온도는, 바람직하게는 170℃ 이상, 보다 바람직하게는 180℃ 이상이다. 열풍 온도의 상한은, 예를 들어 240℃, 바람직하게는 220℃이다.
점착제층(122)에 자외선을 조사하고, 점착제층(122)을 경화시킨다.
분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 다이싱 필름(12)으로부터 박리한다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을, 플립 칩 본딩 방식(플립 칩 실장 방식)으로 피착체(6)에 고정한다. 구체적으로는, 반도체 칩(4A)의 회로면이 피착체(6)와 대향하는 형태로, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 피착체(6)에 고정한다. 예를 들어, 반도체 칩(4A)의 범프(51)를 피착체(6)의 도전재(땜납 등)(61)에 접촉시켜, 가압하면서 도전재(61)를 용융시킨다. 반도체 칩(4A)과 피착체(6) 사이에는 공극이 있다. 공극의 높이는 일반적으로 30㎛ 내지 300㎛ 정도이다. 고정 후는 공극 등의 세정을 행할 수 있다.
피착체(6)로서는, 리드 프레임이나 회로 기판(배선 회로 기판 등) 등의 기판을 사용할 수 있다. 이러한 기판의 재질로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 세라믹 기판이나, 플라스틱 기판을 들 수 있다. 플라스틱 기판으로서는, 예를 들어 에폭시 기판, 비스말레이미드트리아진 기판, 폴리이미드 기판 등을 들 수 있다.
범프나 도전재의 재질로서는, 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 주석-납계 금속재, 주석-은계 금속재, 주석-은-구리계 금속재, 주석-아연계 금속재, 주석-아연-비스무트계 금속재 등의 땜납류(합금)이나, 금계 금속재, 구리계 금속재 등을 들 수 있다. 또한, 도전재(61)의 용융 시의 온도는, 통상 260℃ 정도이다.
반도체 칩(4A)과 피착체(6) 사이의 공극을 밀봉 수지로 밀봉한다. 통상 175℃로 60초간 내지 90초간의 가열을 행함으로써 밀봉 수지를 경화시킨다.
밀봉 수지로서는, 절연성을 갖는 수지(절연 수지)이면 특별히 제한되지 않는다. 밀봉 수지로서는, 탄성을 갖는 절연 수지가 보다 바람직하다. 밀봉 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물 등을 들 수 있다. 또한, 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물에 의한 밀봉 수지로서는, 수지 성분으로서, 에폭시 수지 이외에, 에폭시 수지 이외의 열경화성 수지(페놀 수지 등)이나, 열 가소성 수지 등이 포함되어 있어도 된다. 또한, 페놀 수지로서는, 에폭시 수지의 경화제로서도 이용할 수 있다. 밀봉 수지의 형상은, 필름상, 태블릿상 등이다.
이상의 방법에 의해 얻어진 반도체 장치(플립 칩 실장의 반도체 장치)는, 피착체(6)와, 피착체(6)에 고정된, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 포함한다.
플립 칩 실장 방식으로 실장된 반도체 장치는, 다이 본딩 실장 방식으로 실장된 반도체 장치보다도, 얇고, 작다. 이로 인해, 각종 전자 기기·전자 부품 또는 그것들의 재료·부재로서 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 플립 칩 실장의 반도체 장치가 이용되는 전자 기기로서는, 소위 「휴대 전화」, 「PHS」, 소형의 컴퓨터(예를 들어, 소위 「PDA」(휴대 정보 단말기), 소위 「노트북 컴퓨터」, 소위 「넷북(상표)」, 소위 「웨어러블 컴퓨터」 등), 「휴대 전화」 및 컴퓨터가 일체화된 소형 전자 기기, 소위 「디지털 카메라(상표)」, 소위 「디지털 비디오 카메라」, 소형 텔레비전, 소형 게임기기, 소형 디지털 오디오 플레이어, 소위 「전자 수첩」, 소위 「전자 사전」, 소위 「전자 서적」용 전자 기기 단말기, 소형 디지털 타입의 시계 등의 모바일형 전자 기기(운반 가능한 전자 기기) 등을 들 수 있지만, 물론, 모바일형 이외(설치형 등)의 전자 기기(예를 들어, 소위 「데스크탑 퍼스널 컴퓨터」, 슬림형 텔레비전, 녹화·재생용 전자 기기(하드 디스크 리코더, DVD 플레이어 등), 프로젝터, 마이크로 머신 등) 등이어도 된다. 또한, 전자 부품 또는 전자 기기·전자 부품의 재료·부재로서는, 예를 들어 소위 「CPU」의 부재, 각종 기억 장치(소위 「메모리」, 하드 디스크 등)의 부재 등을 들 수 있다.
변형예 1
도 11에 나타낸 바와 같이, 반도체 이면 보호 필름(11)은 단층이다. 반도체 이면 보호 필름(11)의 적합한 구성 성분은 제2층(112)의 그것과 같다. 반도체 이면 보호 필름(11)에 있어서의 구성 성분의 적합한 함유량은 제2층(112)에 있어서의 구성 성분의 그것과 같다.
변형예 2
점착제층(122)의 제1 부분(122A)은, 에너지선에 의해 경화되는 성질을 갖는다. 점착제층(122)의 제2 부분(122B)도 에너지선에 의해 경화되는 성질을 갖는다. 변형예 2에서는, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 형성하는 공정 후에, 점착제층(122)에 에너지선을 조사해 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 픽업한다. 에너지선을 조사하기 위하여, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)의 픽업이 용이하다.
변형예 3
점착제층(122)의 제1 부분(122A)은 에너지선에 의해 경화되고 있다. 점착제층(122)의 제2 부분(122B)도 에너지선에 의해 경화되고 있다.
변형예 4
점착제층(122)의 제1 주면 전체가 반도체 이면 보호 필름(11)과 접하고 있다.
(기타)
변형예 1 내지 변형예 4 등은, 임의로 조합할 수 있다.
이상과 같이, 실시 형태 1에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 시트(71)의 반도체 이면 보호 필름(11)에, 개질 영역(41)을 갖는 반도체 웨이퍼(4)를 고정하는 공정과, 반도체 웨이퍼(4) 부착의 시트(71)를 가열하는 공정과, 다이싱 필름(12)을 확장함으로써 개질 영역(41)을 기점으로 반도체 웨이퍼(4)를 분단하는 공정을 포함한다. 실시 형태 1에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼(4)를 분단하는 공정으로 형성된, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 다이싱 필름(12)으로부터 박리하는 공정을 더 포함한다. 실시 형태 1에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 시트(71)의 반도체 이면 보호 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 고정하는 공정과, 분단 후 반도체 이면 보호 필름(11A)이 부착된 반도체 칩(4A)을 다이싱 필름(12)으로부터 박리하는 공정 사이에, 반도체 이면 보호 필름(11)을 경화하는 공정을 포함하지 않는다.
실시예
이하에, 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그것들에만 한정하는 취지의 것은 아니다.
원료·약품을 다음에 나타낸다.
아크릴산에스테르 공중합체(나가세 켐텍스사제 SG-P3)
에폭시 수지 1(닛본 가야쿠사제 EPPN-501HY)
에폭시 수지 2(도토 가세이사제 KI-3000-4)
에폭시 수지 3(미쯔비시 가가꾸사제 jER YL980)
페놀 수지(메이와 가세이사제 MEH7851-SS)
필러(아드마텍스사제 SO-25R 평균 입경 0.5㎛의 구상 실리카)
염료(오리엔트 가가꾸 고교사제 OIL BLACK BS)
촉매(시코쿠 가세사제 큐어졸 2PZ)
실시예 1에서의 반도체 이면 보호 필름의 제작
표 1에 따라 수지 조성물의 용액을 조제하고, 수지 조성물의 용액을 박리 라이너(미쯔비시 쥬시사 다이아호일 MRA50(실리콘 이형 처리한 두께 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름))에 도포하고, 건조하여, 반도체 이면 보호 필름을 얻었다. 구체적으로는, 아크릴산에스테르 공중합체(나가세 켐텍스사제 SG-P3)의 고형분-용제를 제외한 고형분-100중량부에 대해, 에폭시 수지 3(미쯔비시 가가꾸사제 jER YL980) 20중량부와, 에폭시 수지(도토 가세이사제 KI-3000-4) 50중량부와, 페놀 수지(메이와 가세이사제 MEH7851-SS) 75중량부와, 구상 실리카(아드마텍스사제 SO-25R 평균 입경 0.5㎛) 175중량부와, 염료(오리엔트 가가꾸 고교사제 OIL BLACK BS) 15중량부와, 촉매(시코쿠 가세사제 2PZ) 7중량부를 메틸에틸케톤에 용해하고, 고형분 농도 23.6중량％의 수지 조성물 용액을 조제했다. 수지 조성물의 용액을 박리 라이너(미쯔비시 쥬시사 다이아호일 MRA50)에 도포했다. 130℃에서 2분간 건조시켜, 반도체 이면 보호 필름을 얻었다.
실시예 2 내지 4·비교예 2에 있어서의 반도체 이면 보호 필름의 제작
레이저 마크층과 웨이퍼 마운트층을 제작해, 이들을, 100℃, 0.6MPa로 라미네이터에서 적층하여, 반도체 이면 보호 필름을 얻었다. 레이저 마크층은, 고형분 농도 23.6중량％의 수지 조성물 용액을 표 1에 따라 조제하고, 수지 조성물의 용액을 박리 라이너(미쯔비시 쥬시사 다이아호일 MRA50)에 도포하고, 130℃에서 2분간 건조함으로써 제작했다. 웨이퍼 마운트층은, 레이저 마크층과 같은 순서로 제작했다.
비교예 1에 있어서의 반도체 이면 보호 필름의 제작
고형분 농도 23.6중량％의 수지 조성물 용액을 표 1에 따라 조제하고, 수지 조성물의 용액을 박리 라이너(미쯔비시 쥬시사 다이아호일 MRA50)에 도포하고, 130℃에서 2분간 건조시켜, 반도체 이면 보호 필름을 얻었다.
다이싱 필름의 제작
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고 함) 100중량부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고 함) 19중량부, 과산화 벤조일 0.4중량부 및 톨루엔 80중량부를 넣고, 질소 기류 중에서 60℃에서 10시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 중합체 A를 얻었다. 아크릴계 중합체 A에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하,「MOI」라고 함) 12중량부를 추가하여, 공기 기류 중에서 50℃에서 60시간, 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 중합체 A’를 얻었다. 이어서, 아크릴계 중합체 A’100중량부(용제를 제외한 고형분)에 대해, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 2중량부 및 광중합 개시제(이르가큐어 369, 시바 스페셜티 케미컬즈사제)을 2중량부 추가하고, 고형분 농도 28％가 되도록 톨루엔을 추가하여, 점착제 용액을 얻었다. 점착제 용액을, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성했다. 계속해서, 점착제층의 노출면에, 두께 40㎛의 폴리프로필렌 필름을 접합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 필름을 얻었다.
다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 제작
반도체 이면 보호 필름을, 다이싱 필름의 점착제층에 핸드 롤러로 적층하여, 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름을 얻었다.
실시예 1· 비교예 1에 있어서의 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 구조
실시예 1·비교예 1에 있어서의 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 구조는, 도 11에 나타내는 그것과 같다. 실시예 1·비교예 1의 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름은, 다이싱 필름과, 다이싱 필름의 점착제층 상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름으로 이루어진다. 다이싱 필름은, 폴리프로필렌 필름과 점착제층으로 이루어진다.
실시예 2 내지 4· 비교예 2에 있어서의 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 구조
실시예 2 내지 4·비교예 2에 있어서의 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 구조는, 도 2에 나타내는 그것과 같다. 실시예 2 내지 4·비교예 2의 다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름은, 다이싱 필름과, 다이싱 필름의 점착제층 상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름으로 이루어진다. 다이싱 필름은, 폴리프로필렌 필름과 점착제층으로 이루어진다. 반도체 이면 보호 필름은, 레이저 마크층과 웨이퍼 마운트층으로 이루어진다. 레이저 마크층은, 도 2의 제1층(111)에 상당한다. 웨이퍼 마운트층은, 도 2의 제2층(112)에 상당한다.
반도체 이면 보호 필름에 있어서의 발열량의 측정
다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 반도체 이면 보호 필름을 박리하고, 반도체 이면 보호 필름으로부터 시료를 잘라냈다. 실시예 2 내지 4·비교예 2에 있어서는, 잘라내기 전후로, 레이저 마크층의 웨이퍼 마운트층에 대한 중량비가 변화하지 않도록, 시료를 잘라냈다. 시차 주사 열량계 DSC Q2000(TA인스트루먼츠사제)으로, 질소 분위기 하에서, 온도 범위-20℃ 내지 300℃, 승온 속도 10℃/분으로 DSC 측정했다. DSC차트에 있어서 50℃ 내지 300℃의 범위에 출현하는 발열 피크에 베이스 라인을 빼서, 발열량(J/g)을 산출했다(도 12 참조).
실리콘 웨이퍼 박리력의 측정
반도체 이면 보호 필름으로부터 150㎜ 길이 10㎜ 폭의 시험편을 잘라, 시험편에 있어서의 한쪽 면에 점착 테이프(닛토덴코사제의 BT)를 핸드 롤러로 접합하여, 시험편에 있어서의 다른 쪽 면에, 70℃로 가열된 실리콘 미러 웨이퍼를 2kg 롤러로 접착했다. 시험편을, 점착 테이프와 함께 실리콘 웨이퍼로부터 180° 박리로 박리했을 때의 박리 하중(N/10㎜)을 오토그래프(시마즈 세이사쿠쇼사제)로 측정했다. 측정값 중 개시단 25㎜분과 종단 25㎜분을 제외한 100㎜분의 측정값을 채용하여, 박리 하중의 평균값을 구했다.
다이싱 필름 박리력의 측정
다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름으로부터 100㎜ 길이 20㎜ 폭의 시험편을 잘라냈다. 이 시험편은, 다이싱 필름과 다이싱 필름상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름으로 이루어진다. 시험편의 반도체 이면 보호 필름에 점착 테이프(닛토덴코사제의 BT)를 핸드 롤러로 접합하여, 300mJ/㎠의 자외선을, 다이싱 필름의 폴리프로필렌 필름너머에서 점착제층에 조사했다. 반도체 이면 보호 필름을 다이싱 필름으로부터 박리하기 위한 박리 하중을, 오토그래프(시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용한 인장 시험에서 구했다. 측정값 중 개시단 20㎜분과 종단부 20㎜분을 제외한 60㎜분의 측정값을 채용하여, 박리 하중의 평균값을 구했다.
마운트성 평가
다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 반도체 이면 보호 필름상에 설치된 박리 라이너를 박리하고, 반도체 이면 보호 필름에 실리콘 웨이퍼(직경 8인치, 두께 0.6㎜의 실리콘 베어 미러 웨이퍼)를 70℃에서 롤 압착으로 접착했다. 실리콘 웨이퍼 박리력을 측정하고, 박리력이 5N/10㎜ 이상인 경우는 ○, 박리력이 3N/10㎜ 이상 5N/10㎜ 미만인 경우는 △, 박리력이 3N/10㎜ 미만인 경우는 ×로 판정했다.
내리플로우 인자성 평가
다이싱 필름 일체형 반도체 이면 보호 필름의 반도체 이면 보호 필름(실시예 2 내지 4·비교예 2에서는 웨이퍼 마운트층)에 실리콘 웨이퍼를 70℃에서 롤 압착으로 접착했다. 반도체 이면 보호 필름(실시예 2 내지 4·비교예 2에서는 레이저 마크층)에, MD-S9910(KEYENCE사제)으로, 레이저 파워 0.23W, 마킹 스피드300㎜/s, 주파수 10㎑의 조건에서 인자 레이저를 다이싱 필름 너머로 조사했다. 다이싱 필름의 폴리프로필렌 필름너머에서 300mJ/㎠의 자외선을 점착제층에 조사하고, 다이싱 필름을 박리했다. 리플로우 장치(다무라사제 TAP30-407PM)로, PIC/JEDEC-J-STD-020에 대응한 피크 온도 260℃ 조건으로 리플로우를 3회 행하고, 리플로우 전후의 인자 외관을 광학 현미경(KEYENCE사제 VHX-5600)으로 관찰했다. 인자 외관이 리플로우에서 현저하게 변화해 불명료해졌을 경우를 ×, 인자 외관이 리플로우에서 변화해 시인성이 악화되고 있는 경우를 △, 리플로우 전후로 인자 외관을 유지하고 있는 경우를 ○으로 했다.
Figure pat00001
반도체 이면 보호 필름의 발열량이 40J/g 이하이면, 리플로우로 인자가 깨지는 적이 없었다(실시예 1 내지 4 참조). 한편, 반도체 이면 보호 필름의 발열량이 60J/g이면, 리플로우에서 인자가 깨졌다(비교예 2 참조).
반도체 이면 보호 필름을, 레이저 마크층과 웨이퍼 마운트층으로 구성함으로써, 인자 리플로우 내성과 마운트성을 양립시킬 수 있었다(실시예 2 내지 3 참조).

Claims (7)

  1. 기재층 및 상기 기재층 상에 위치하는 점착제층을 포함하는 다이싱 필름과,
    상기 점착제층 상에 위치하는 반도체 이면 보호 필름을 포함하고,
    상기 반도체 이면 보호 필름에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량이 40J/g 이하인,
    시트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 이면 보호 필름이 제1층을 포함하고,
    상기 제1층은 경화층인, 시트.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1층에 있어서의 DSC 측정의 DSC 곡선으로 50℃ 내지 300℃에 출현하는 발열 피크의 발열량이 40J/g 이하인, 시트.
  4. 제2항에 있어서, 상기 반도체 이면 보호 필름이 제2층을 더 포함하고,
    상기 제2층은 열경화 촉진 촉매를 포함하지 않는, 시트.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1층은, 상기 점착제층과 상기 제2층 사이에 위치하는, 시트.
  6. 제1항에 기재된, 박리 라이너와,
    상기 박리 라이너 상에 위치하는, 시트
    를 포함하는, 테이프.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 시트의 상기 반도체 이면 보호 필름에, 개질 영역을 갖는 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정과,
    상기 다이싱 필름을 확장함으로써 상기 개질 영역을 기점으로 상기 반도체 웨이퍼를 분단하는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
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