KR20180047890A - 필름 안테나 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 분리층; 상기 분리층 상에 형성된 보호층; 및 상기 보호층 상에 형성된 안테나 패턴층을 포함하는 안테나 장치로서, 상기 보호층이 프로톤성 극성기를 갖는 환상 올레핀 단량체 유래 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체의 경화층인 필름 안테나 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 필름 안테나 장치는 제조 공정에서 크랙이 발생하지 않고, 유연성 및 내구성이 우수하여 플렉서블 디스플레이 장치에 유용하게 적용될 수 있다.

Description

필름 안테나 장치 및 그의 제조 방법{Film Antenna Device and Method for Fabricating the Same}
본 발명은 필름 안테나 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제조 공정에서 크랙이 발생하지 않고, 유연성 및 내구성이 우수한 필름 안테나 장치에 관한 것이다.
이동통신 단말기와 같은 전자 장치는 휴대성을 확보하기 위해 소형, 경량화가 필요하다. 하지만 소형, 경량화된 전자 장치에서는 안테나 장치의 설치 공간을 확보하는데 어려움이 있다. 이에, 협소한 공간에서도 설치가 용이하도록 필름 형태로 디스플레이 장치에 설치가 가능한 안테나 장치가 개발되고 있다.
대한민국 공개특허 제10-2016-0080444호에는 투명한 재질의 유전체 기판; 상기 유전체 기판의 적어도 일면에 형성된 투명한 도선들로 이루어진 메시 그리드(mesh grid); 상기 메시 그리드의 제1 부분으로 이루어지는 방사 도체(radiation conductor); 및 상기 메시 그리드의 제2 부분으로 이루어지는 더미 패턴을 포함하는 안테나 장치가 개시되어 있다.
그러나, 휘거나 구부릴 수 있는 플렉서블 디스플레이에 적용될 수 있는 안테나 장치를 제조하기 위해, 필름 형태의 유연성 유전체 기판 상에 안테나 패턴층을 직접 형성할 경우, 열적, 화학적 불안정성 문제와 필름 기재가 제한되는 문제가 발생한다.
대한민국 공개특허 제10-2016-0080444호
본 발명의 한 목적은 캐리어 기판 상에서 안테나 패턴층을 구현하므로 필름 기재 상에서 직접 안테나 패턴층을 구현하는 공정에서는 불가능한 고정세, 내열성을 확보하고, 필름 기재를 다변화할 수 있는 필름 안테나 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 캐리어 기판 상에 안테나 도선들의 손상 및 크랙 발생을 방지하는 특정성분들로 보호층을 형성하여 공정을 진행하고, 캐리어 기판과 분리되면 보호층이 피복층으로 사용되도록 하는 필름 안테나 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 캐리어 기판 상에 유리전이온도가 높고, 투과율, 내광성 및 내용제성이 우수한 보호층을 형성하여 공정을 진행함으로써, 치수 안정성, 내구성 및 시인성이 우수한 필름 안테나 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
한편으로, 본 발명은 분리층;
상기 분리층 상에 형성된 보호층; 및
상기 보호층 상에 형성된 안테나 패턴층을 포함하는 안테나 장치로서,
상기 보호층이 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체의 경화층인 필름 안테나 장치를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 식에서,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 -Xn-R'기이며,
X는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이며, R'는 치환 또는 비치환된 C1-C7의 알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족기, 또는 프로톤성 극성기이며,
R1 내지 R4 중 적어도 하나는 R'가 프로톤성 극성기인 -Xn-R'기이고;
m은 0 내지 2의 정수이다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 프로톤성 극성기는 카르복실기, 설폰산기, 인산기, 히드록실기, 아미노기, 아미드기 및 티올기로 구성된 군으로부터 선택되는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 환상 올레핀 중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 추가로 포함하는 것일 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 식에서,
R5 및 R6은 이들이 결합하는 2개의 탄소원자와 함께, 치환 또는 비치환된, 산소원자 또는 질소원자를 포함하는 3원 또는 5원 헤테로환 구조를 형성하고;
k는 0 내지 2의 정수이다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 환상 올레핀 중합체의 중량평균분자량이 5,000 내지 25,000일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 환상 올레핀 중합체의 분자량 분포가 3 이하일 수 있다.
다른 한편으로, 본 발명은
캐리어 기판상에 분리층을 도포하는 분리층 도포단계;
상기 분리층이 경화되는 분리층 경화단계;
상기 분리층의 상부에 보호층을 형성하는 보호층 형성단계; 및
상기 보호층의 상부에 안테나 패턴층을 형성하는 안테나 패턴층 형성단계
를 포함하는 필름 안테나 장치의 제조 방법으로서,
상기 보호층이 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체의 경화층인 필름 안테나 장치의 제조 방법을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00003
상기 식에서,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 -Xn-R'기이며,
X는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이며, R'는 치환 또는 비치환된 C1-C7의 알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족기, 또는 프로톤성 극성기이며,
R1 내지 R4 중 적어도 하나는 R'가 프로톤성 극성기인 -Xn-R'기이고;
m은 0 내지 2의 정수이다.
본 발명에 따른 필름 안테나 장치 및 그의 제조방법은 캐리어 기판 상에서 안테나 패턴층을 구현하므로 고정세, 내열성을 확보하고 필름 기재를 다변화할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 필름 안테나 장치 및 그의 제조방법은 특정성분들로 보호층을 형성하여 크랙 발생을 억제할 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 필름 안테나 장치 및 그의 제조방법은 유리전이온도가 높고, 투과율, 내광성 및 내용제성이 우수한 보호층을 형성하여 공정을 진행함으로써, 치수 안정성, 내구성 및 시인성을 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 필름 안테나 장치의 구조 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 필름 안테나 장치의 제조 방법의 공정 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 필름 안테나 장치의 구조 단면도이다.
본 발명은 캐리어 기판 상에 분리층을 형성하고 상기 분리층 상에 보호층을 형성한 다음 안테나 패턴층 형성 공정을 진행하고, 캐리어 기판과 분리되면 분리층 및 보호층이 피복층으로 사용되도록 하여 필름 기재 상에서 직접 안테나 패턴층을 구현하는 공정에서는 불가능한 고정세, 내열성을 확보하고, 필름 기재를 다변화할 수 있도록 한 것이다.
이를 위한 본 발명에 따른 필름 안테나 장치의 일 실시형태는 도 1에서와 같이, 분리층(20); 상기 분리층 상에 형성된 보호층(30); 및 상기 보호층 상에 형성된 안테나 패턴층(40)을 포함한다.
상기 분리층(20)은 고분자 유기막으로, 예를 들면 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스타이렌(polystyrene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자 및 방향족 아세틸렌계 고분자 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함한다.
분리층(20)은 캐리어 기판(10) 상에 도포 후 그 상부에 안테나 패턴층 등을 형성한 후에 최종적으로 캐리어 기판(10)으로부터 분리하게 된다.
그리고, 분리층(20)의 박리력은 1N/25mm 이하인 것이 바람직하며, 0.1N/25mm 이하인 것이 보다 바람직하다. 즉, 분리층(20)과 캐리어 기판(10)의 분리시에 가해지는 물리적 힘이 1N/25mm, 특히 0.1N/25mm을 넘지 않도록 하는 물질로 분리층(20)이 형성되는 것이 바람직하다.
분리층의(20)의 박리력이 1N/25mm 초과인 경우에는 캐리어 기판과의 분리시 깔끔하게 분리되지 않아, 분리층(20)이 캐리어 기판 상에 잔존할 가능성이 있으며, 또한 분리층(20), 보호층(30), 안테나 패턴층(40) 중 한 곳 이상에서 크랙이 생길 가능성도 있기 때문이다.
특히, 분리층의(20) 박리력은 0.1N/25mm 이하인 것이 보다 바람직한데, 0.1N/25mm 이하인 경우에는 캐리어 기판으로부터 박리 후에 필름에 발생하는 컬(curl)이 제어 가능하다는 측면에서 보다 바람직하다. 컬(curl)은 접합 공정, 커팅 공정 등의 공정에서 공정효율성을 떨어뜨릴 수 있기 때문에 적게 발생하도록 하는 것이 유리하다.
여기서, 분리층(20)의 두께는 1 내지 1000nm가 바람직하고, 10 내지 500nm인 것이 보다 바람직하다. 분리층(20)의 두께가 1nm 미만이면 분리층 도포시의 균일성이 떨어져 안테나 패턴 형성이 불균일하거나, 국부적으로 박리력이 상승하여 찢겨짐이 발생하거나, 캐리어 기판과 분리 후, 필름 안테나 장치에 컬(curl)이 제어되지 않는 문제점이 있다. 그리고 두께가 1000nm를 초과하면 상기 박리력이 더 이상 낮아지지 않는 문제점이 있으며, 필름의 유연성이 저하되는 문제점이 있다.
분리층은 캐리어 기판과 박리 후의 표면에너지가 30 내지 70mN/m인 것이 바람직하며, 분리층과 캐리어 기판과의 표면에너지 차이는 10mN/m 이상인 것이 바람직하다. 분리층은 안테나 장치 제조 공정에서, 캐리어 기판과 박리될 때까지의 공정에서 캐리어 기판과 안정적으로 밀착되어야 하고, 캐리어 기판으로부터 박리 시에는 필름 안테나 장치의 찢김이나 컬이 발생하지 않도록 용이하게 박리되어야 한다. 분리층의 표면에너지를 30 내지 70mN/m이 되도록 하면 박리력 조절이 가능하고, 분리층과 인접하는 보호층과의 밀착력이 확보되어 공정 효율이 향상된다. 또한 분리층과 캐리어 기판과의 표면에너지 차이가 10mN/m 이상일 경우 캐리어 기판으로부터 원활하게 박리되어 필름 안테나 장치의 찢김이나 필름 안테나 장치의 각 층에 발생할 수 있는 크랙을 방지할 수 있다.
분리층(20)은 캐리어 기판으로부터 분리 후에는 안테나 패턴층(40)을 피복하는 피복층의 기능을 하거나, 안테나 패턴층(40)을 외부의 접촉으로부터 보호하는 보호층의 기능을 하게 된다.
분리층(20)의 상부에는 하나 이상의 보호층(30)이 형성된다. 분리층(20)만으로는 외부로부터의 접촉이나 충격에 대해 안테나 패턴을 보호하기 힘들 수 있으므로, 하나 이상의 보호층(30)이 분리층(20)상에 형성된다. 상기 보호층(30)은 분리층(20) 측면까지 감싸도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 보호층은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체의 경화층일 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00004
상기 식에서,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 -Xn-R'기이며,
X는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이며, R'는 치환 또는 비치환된 C1-C7의 알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족기, 또는 프로톤성 극성기이며,
R1 내지 R4 중 적어도 하나는 R'가 프로톤성 극성기인 -Xn-R'기이고;
m은 0 내지 2의 정수이다.
본 명세서에서 사용되는 C1-C7의 알킬기는 탄소수 1 내지 7개로 구성된 직쇄형 또는 분지형의 1가 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸 등이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용되는 방향족기는 5원 내지 15원의 단순 또는 융합 고리형 방향족 탄화수소를 의미하며, 예를 들어 페닐, 벤질 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 C1-C7의 알킬기 및 방향족기의 치환기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기 등의 C1-C4의 알킬기; 페닐기, 자일릴기, 톨릴기, 나프틸기 등의 탄소수 6 내지 12의 아릴기 등을 예로 들 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 프로톤성 극성기는 탄소원자 이외의 원자에 수소원자가 직접 결합된 원자단을 말한다. 여기서, 탄소원자 이외의 원자는, 바람직하게는 주기율표 제15족 및 제16족에 속하는 원자, 보다 바람직하게는 주기율표 제15족 및 제16족의 제 1 및 제 2 주기에 속하는 원자, 더 바람직하게는 산소원자, 질소원자 및 황원자, 특히 바람직하게는 산소원자이다. 구체적으로, 상기 프로톤성 극성기는 카르복실기(하이드록시카보닐기), 설폰산기, 인산기, 히드록실기, 아미노기, 아미드기, 이미드기 및 티올기로 구성된 군으로부터 선택되는 것일 수 있으며, 바람직하게는 카르복실기이다.
본 발명의 일 실시형태에서, X는 C1-C7의 알킬렌기, 방향족기, 또는 카보닐기, 예컨대 메틸렌기, 에틸렌기, 페닐렌기 등일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 반복단위는 예를 들어 5-하이드록시카보닐바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메틸-5-하이드록시카보닐바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-카복시메틸-5-하이드록시카보닐바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-엑소-6-엔도-다이하이드록시카보닐바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 8-하이드록시카보닐테트라사이클로[4.4.0.12,5.17,10]도데카-3-엔, 8-메틸-8-하이드록시카보닐테트라사이클로[4.4.0.12,5.17,10]도데카-3-엔, 8-엑소-9-엔도-다이하이드록시카보닐테트라사이클로[4.4.0.12,5.17,10]도데카-3-엔 등의 카복실기를 갖는 환상 올레핀; 5-(4-하이드록시페닐)바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 5-메틸-5-(4-하이드록시페닐)바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔, 8-(4-하이드록시페닐)테트라사이클로[4.4.0.12,5.17,10]도데카-3-엔, 8-메틸-8-(4-하이드록시페닐)테트라사이클로[4.4.0.12,5.17,10]도데카-3-엔 등의 하이드록시기를 갖는 환상 올레핀 등의 단량체로부터 유래할 수 있고, 이들 중에서도 특히 카복실기를 갖는 환상 올레핀 단량체로부터 유래할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 환상 올레핀 중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 추가로 포함하는 것일 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00005
상기 식에서,
R5 및 R6은 이들이 결합하는 2개의 탄소원자와 함께, 치환 또는 비치환된, 산소원자 또는 질소원자를 포함하는 3원 또는 5원 헤테로환 구조를 형성하고;
k는 0 내지 2의 정수이다.
본 발명의 일 실시형태에서, R5 및 R6은 이들이 결합하는 2개의 탄소원자와 함께, 치환 또는 비치환된 에폭시 구조, 치환 또는 비치환된 디카르복실산 무수물 구조 [-C(O)-O-C(O)-, 또는 치환 또는 비치환된 디카르복시이미드 구조 [-C(O)-N-C(O)-] 등을 형성할 수 있다. 이들은 예컨대 페닐기, 나프틸기, 안트라센일기 등으로 치환될 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 반복단위는 예컨대 N-(4-페닐)-(5-노보넨2,3-다이카복시이미드) 등의 단량체로부터 유래할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 환상 올레핀 중합체는 상기 화학식 1 로 표시되는 반복단위와 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위 이외의 단량체 단위를 가질 수도 있다. 예컨대 후술하는 비닐 지환식 탄화수소 단량체, 비닐 방향족 탄화수소 단량체, 및 쇄상 올레핀 단량체로부터 유래된 반복단위를 들 수 있다.
상기 비닐 지환식 탄화수소 단량체의 예로서는, 비닐사이클로프로페인, 비닐사이클로뷰테인, 비닐사이클로펜테인, 비닐사이클로헥세인, 비닐사이클로헵테인 등의 비닐사이클로알케인; 3-메틸-1-비닐사이클로헥세인, 4-메틸-1-비닐사이클로헥세인, 1-페닐-2-비닐사이클로프로페인, 1,1-다이페닐-2-비닐사이클로프로페인 등의 치환기를 갖는 비닐사이클로알케인 등을 들 수 있다.
비닐 방향족 탄화수소 단량체의 예로서는, 스타이렌, 1-비닐나프탈렌, 2-비닐나프탈렌, 3-비닐나프탈렌 등의 비닐 방향족류; 3-메틸스타이렌, 4-프로필스타이렌, 4-사이클로헥실스타이렌, 4-도데실스타이렌, 2-에틸-4-벤질스타이렌, 4-(페닐뷰틸)스타이렌 등의 치환기를 갖는 비닐 방향족류; m-다이비닐벤젠, p-다이비닐벤젠, 비스(4-비닐페닐)메테인 등의 다작용 비닐 방향족류 등을 들 수 있다.
쇄상 올레핀 단량체의 예로서는, 에틸렌; 프로필렌, 1-뷰텐, 1-펜텐, 1-헥센, 3-메틸-1-뷰텐, 3-메틸-1-펜텐, 3-에틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-헥센, 4,4-다이메틸-1-헥센, 4,4-다이메틸-1-펜텐, 4-에틸-1-헥센, 3-에틸-1-헥센, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센, 1-헥사데센, 1-옥타데센, 1-에이코센 등의 탄소수 2 내지 20의 α-올레핀; 1,4-헥사다이엔, 4-메틸-1,4-헥사다이엔, 5-메틸-1,4-헥사다이엔, 1,7-옥타다이엔 등의 비공액 다이엔 등을 들 수 있다. 이들 단량체는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
상기 화학식 1 로 표시되는 반복단위와 그 이외의 반복단위는 중량비(화학식 1로 표시되는 반복단위/그 이외의 반복단위)로 통상 100/0 내지 10/90, 바람직하게는 90/10 내지 20/80, 보다 바람직하게는 80/20 내지 30/70의 범위의 비율로 존재할 수 있다.
상기 각 단량체의 중합 방법은 통상적인 방법을 따르면 좋으며, 예컨대 개환 중합법이나 부가 중합법이 채용된다. 중합 촉매로서는, 예컨대 몰리브덴, 루테늄, 오스뮴 등의 금속 착체가 적합하게 사용된다. 이들 중합 촉매는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 예컨대, 환상 올레핀 단량체의 개환 (공)중합체를 얻는 경우, 중합 촉매의 양은 중합 촉매 중의 금속 화합물:환상 올레핀 단량체의 몰비로 통상 1:100 내지 1:2,000,000, 바람직하게는 1:500 내지 1:1,000,000, 보다 바람직하게는 1:1,000 내지 1:500,000의 범위이다.
상기 중합에 의해서 얻어지는 환상 올레핀 중합체는 소망에 따라 수소첨가할 수 있다. 수소첨가는 통상 수소첨가 촉매를 이용하여 실시된다. 수소첨가 촉매로서는, 예컨대 올레핀 화합물의 수소첨가에 있어서 일반적으로 사용되고 있는 것을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 지글러 타입의 균일계 촉매, 귀금속 착체 촉매, 담지형 귀금속계 촉매 등을 이용할 수 있다. 이들 수소첨가 촉매 중 프로톤성 극성기 등의 작용기를 변성시키는 등의 부반응을 일으키지 않고, 중합체 중의 탄소-탄소 불포화 결합에 선택적으로 수소첨가할 수 있다는 점에서, 로듐, 루테늄 등의 귀금속 착체 촉매가 바람직하고, 전자공여성이 높은 함질소 헤테로환식 카벤 화합물 또는 포스핀류가 배위한 루테늄 촉매가 보다 바람직하다. 한편, 환상 올레핀 중합체의 수소화율은 바람직하게는 80%이상, 보다 바람직하게는 90% 이상이다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 프로톤성 극성기 함유 화학식 1 로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체는 프로톤성 극성기를 갖지 않는 환상 올레핀 중합체에, 공지된 방법에 의해 변성제를 이용하여 프로톤성 극성기를 도입하는 방법에 의해서도 얻을 수 있다. 이 때, 프로톤성 극성기 도입 전후의 중합체에 대하여 수소첨가를 행할 수도 있다.
프로톤성 극성기를 갖지 않는 환상 올레핀 중합체에 프로톤성 극성기를 도입하기 위한 변성제로서는, 통상 한 분자내에 반응성의 탄소-탄소 불포화 결합과 프로톤성 극성기를 갖는 화합물이 사용된다. 이러한 화합물의 구체예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 안겔산, 티글산, 올레산, 엘라이드산, 에루크산, 브라시드산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산, 아트로프산, 신남산 등의 불포화 카복실산; 알릴알코올, 메틸비닐메탄올, 크로틸알코올, 메탈릴알코올, 1-페닐에텐-1-올, 2-프로판-1-올, 3-뷰텐-1-올, 3-뷰텐-2-올, 3-메틸-3-뷰텐-1-올, 3-메틸-2-뷰텐-1-올, 2-메틸-3-뷰텐-2-올, 2-메틸-3-뷰텐-1-올, 4-펜텐-1-올, 4-메틸-4-펜텐-1-올, 2-헥센-1-올 등의 불포화 알코올 등을 들 수 있다. 변성 반응은 통상적인 방법에 따르면 좋으며, 통상 라디칼 발생제의 존재하에서 행해진다. 이들 변성제는 각각 단독으로 이용할 수도 있고 2종 이상을 병용할 수도 있다.
상기 프로톤성 극성기 함유 화학식 1 로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체의 제법에 있어서, 프로톤성 극성기 대신에 그의 전구체를 사용할 수도 있다. 즉, 프로톤성 극성기를 갖는 단량체 대신에 그의 프로톤성 극성기의 전구체를 갖는 단량체를 사용할 수도 있다. 또한, 변성제로서 프로톤성 극성기 대신에 그의 전구체를 갖는 변성제를 사용할 수 있다. 프로톤성 극성기의 전구체는 그 종류에 따라 빛이나 열에 의한 분해, 가수분해 등의 화학 반응에 의해 프로톤성 극성기로 변환된다.
예컨대, 프로톤성 극성기 함유 화학식 1 로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체에서의 프로톤성 극성기를 카복실기로 하는 경우, 프로톤성 극성기의 전구체로서 에스터기를 사용하고, 이어서 적절한 카복실기로 변환하면 좋다.
상기 환상 올레핀 중합체의 중량평균분자량은 5,000 내지 25,000일 수 있다. 상기 환상 올레핀 중합체의 중량평균분자량이 5,000 미만이면 박리시 크랙이 발생할 수 있고, 25,000 초과이면 보호층 상부에 금속층 증착시 보호층에 주름이 발생할 수 있다.
상기 환상 올레핀 중합체의 분자량 분포는 중량평균분자량/수평균분자량(Mw/Mn)의 비로 3 이하, 예를 들어 1 내지 3일 수 있다. 상기 환상 올레핀 중합체의 분자량 분포가 3 초과이면 보호층에 주름이 발생할 수 있고, 주름에 의해 박리시 크랙이 유발될 수 있다.
상기 환상 올레핀 중합체의 요오드가는 통상 200 이하, 바람직하게는 50 이하, 보다 바람직하게는 10 이하일 수 있다. 상기 요오드가가 이 범위에 있으면, 특히 내열형상 유지성이 우수하여 적합하다.
상기 환상 올레핀 중합체의 유리전이온도(Tg)는 100℃ 이상일 수 있고, 예를 들면 100 내지 300℃일 수 있다. 상기와 같은 유리전이온도를 가짐으로써, 이를 포함한 보호층(30)이 높은 내열성을 가져, 안테나 패턴층 형성시의 고온 증착 및 어닐링 공정 시 발생할 수 있는 주름, 크랙, 색상 변화 등의 열 손상을 억제할 수 있다. 또한, 안테나 패턴층 형성시에 노출될 수 있는 에칭액, 현상액 등 다양한 용제에 대한 내용제성이 우수하다.
또한, 상기 환상 올레핀 중합체로부터 형성된 보호층(30)은 탄성이 우수하여 캐리어 기판으로부터의 박리시에 발생할 수 있는 크랙을 줄일 수 있다. 상기 보호층의 탄성율은 예를 들어 350 내지 450 MPa일 수 있다. 상기 보호층의 탄성율이 350 MPa 미만이면 보호층 상부에 금속층 증착시 보호층에 주름이 발생 할 수 있고, 450 MPa 초과이면 캐리어 기판으로부터 박리시에 크랙이 발생할 수 있다. 상기 범위의 탄성률은 예를 들면 포스트베이크 온도를 180℃ 이상으로 함으로써 얻어질 수 있다.
상기 환상 올레핀 중합체로부터 형성된 보호층(30)은 투과율이 90% 이상일 수 있고, 바람직하게는 95% 이상, 보다 바람직하게는 97% 이상일 수 있다. 상기 범위의 투과율은 예를 들면 포스트베이크를 180℃ 내지 250℃로 실시함으로써 얻을 수 있다.
상기 보호층(30)의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 0.5 내지 100㎛일 수 있다. 두께가 0.1㎛ 미만이면 캐리어 기판으로부터 박리시에 크랙이 발생할 수 있고, 100㎛ 초과이면 도포 불량으로 백탁 현상이 발생할 수 있다.
보호층(30)의 상부에는 안테나 패턴층(40)이 형성된다. 안테나 패턴층(40)은 복수개의 전도성 격자로 구성되어, 전자기파를 송신 또는 수신할 수 있다. 안테나 패턴(40)은 복수개의 전도성 격자의 형태에 따라 패치(patch) 구조의 방사 패턴들을 형성할 수 있으며, 슬롯(slot) 구조, 루프(loop) 구조, 모노폴(monopole) 구조, 및 다이폴(dipole) 구조 중 적어도 하나의 구조를 가지는 방사 패턴으로 형성될 수 있다.
안테나 패턴층(40)은 투명 도전층으로, 금속, 금속나노와이어, 금속산화물, 그래핀 등으로 형성될 수 있다.
여기서, 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 네오듐(Nd), 백금(Pt), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 네오븀(Nb), 탄탈럼(Ta), 바나듐(V), 칼슘(Ca), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 은-팔라듐-구리합금(APC) 중 어느 하나 이상이 될 수 있다.
그리고, 금속나노와이어는 은나노와이어, 구리나노와이어, 지르코늄나노와이어, 금나노와이어 중 어느 하나 이상이 될 수 있다.
그리고, 금속산화물은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 징크틴옥사이드(ZTO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 알루미늄징크틴옥사이드(AZTO), 인듐알루미늄징크틴옥사이드(IAZTO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 징크옥사이드(ZnO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO), 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO), TiO2 및 SiO2 중 어느 하나 이상이 될 수 있다.
상기 안테나 패턴층(40)은 필요에 따라 제 1 도전층 및 제 2 도전층의 형태로 2 이상의 도전층으로 이루어질 수 있다.
안테나 패턴층(40)은 ITO, AgNW(은나노와이어), 메탈 메쉬로 1층으로 형성할 수도 있고, 2 이상의 층을 형성하는 경우에는 제 1 도전층을 ITO와 같은 투명 금속산화물로 형성하고, 전기적 저항을 더 낮추기 위하여 ITO 도전층 상부에 금속이나 AgNW 등을 이용하여 제 2 도전층을 형성할 수도 있다.
본 발명에 따른 필름 안테나 장치는 디스플레이 장치의 임의의 한 면, 예를 들어 커버 글래스의 외측면이나 내측면, 디스플레이 패널의 외측면 등에 설치하여 사용될 수 있다.
이때, 본 발명에 따른 필름 안테나 장치는 통신 모듈이 실장된 기판부에서 필름 안테나 장치로 급전을 제공하도록 케이블이나 FPCB(Flexible Printed Circuit Board)와 같은 전송 선로부를 통해 기판부의 RF 모듈과 연결될 수 있다.
본 발명에 따른 필름 안테나 장치는 굴곡 특성이 우수하여, 특히 플렉서블 디스플레이에 유용하게 사용될 수 있다.
이상에서와 같은 본 발명에 따른 필름 안테나 장치의 제조 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시형태에 따른 필름 안테나 장치의 제조 방법의 공정 단면도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 먼저 캐리어 기판(10) 상에 고분자 유기막을 도포하여 분리층(20)을 형성한다.
여기서 분리층을 도포하는 방법으로는 공지의 코팅 방법을 사용할 수 있다.
예를 들면, 스핀 코팅, 다이 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅, 스크린 코팅, 슬릿 코팅, 딥 코팅, 그라비아 코팅 등을 들 수 있다.
분리층(20)을 형성하기 위한 경화 공정은 열경화 또는 UV경화를 단독으로 사용하거나, 열경화 및 UV 경화를 조합하여 사용할 수 있다.
캐리어 기판(10)으로는 글라스 기판이 사용되는 것이 바람직하나, 글라스 기판으로 제한되지 않고 다른 기재도 캐리어 기판(10)으로 사용될 수 있다. 다만, 안테나 패턴 형성 시의 공정 온도를 견딜 수 있도록 고온에서도 변형이 되지 않는, 즉 평탄성을 유지할 수 있는 내열성을 가진 재료가 바람직하다.
이어, 도 2b에서와 같이, 캐리어 기판(10) 상에 형성된 분리층(20) 상에 보호층(30)을 형성한다.
상기 보호층은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체를 포함하는 보호층 형성 조성물을 분리층 상에 도포하고 경화시켜 형성시킬 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00006
상기 식에서,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 -Xn-R'기이며,
X는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이며, R'는 치환 또는 비치환된 C1-C7의 알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족기, 또는 프로톤성 극성기이며, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 R'가 프로톤성 극성기인 -Xn-R'기이고;
m은 0 내지 2의 정수이다.
상기 환상 올레핀 중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 추가로 포함하는 것일 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00007
상기 식에서,
R5 및 R6은 이들이 결합하는 2개의 탄소원자와 함께, 치환 또는 비치환된, 산소원자 또는 질소원자를 포함하는 3원 또는 5원 헤테로환 구조를 형성하고;
k는 0 내지 2의 정수이다.
또한, 상기 환상 올레핀 중합체는 상기 화학식 1 로 표시되는 반복단위와 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위 이외의 단량체 단위를 가질 수도 있다.
상기 환상 올레핀 중합체에 대한 구체적인 설명은 전술한 필름 안테나 장치 부분에서 설명한 바와 동일하므로 생략한다.
상기 보호층 형성 조성물은 상기 환상 올레핀 중합체 이외의 수지 성분이나, 가교제, 기타 배합제 등의 성분을 포함할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체 이외의 수지 성분으로서는, 예컨대 스타이렌계 수지, 염화비닐계 수지, 아크릴계 수지, 폴리페닐렌에터 수지, 폴리아릴렌설파이드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스터 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리에터설폰 수지, 폴리설폰 수지, 폴리이미드 수지, 고무, 엘라스토머 등을 들 수 있다.
가교제로서는 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체와 반응할 수 있는 작용기를 분자 내에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 갖는 것이 사용된다. 상기 가교제가 갖는 작용기는 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체 중의 작용기나 불포화 결합 등과 반응할 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 상기 가교제의 작용기가 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체의 프로톤성 극성기와 반응하는 경우, 가교제의 바람직한 작용기로서는, 예컨대 아미노기, 카르복실기, 히드록실기, 에폭시기, 아이소사이아네이트기 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 아미노기, 에폭시기 및 아이소사이아네이트기이며, 더욱 바람직하게는 에폭시기이다.
이러한 가교제의 구체예로서는, 헥사메틸렌다이아민 등의 지방족 폴리아민류; 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 다이아미노다이페닐설폰 등의 방향족 폴리아민류; 2,6-비스(4'-아지드벤잘)사이클로헥산온, 4,4'-다이아지도다이페닐설폰 등의 아지드류; 나일론, 폴리헥사메틸렌다이아민테레프탈아미드, 폴리헥사메틸렌아이소프탈아마이드 등의 폴리아마이드류; N,N,N',N',N",N"-(헥사알콕시메틸)멜라민 등의 멜라민류; N,N',N",N"'-(테트라알콕시메틸)글라이콜라우릴 등의 글라이콜라우릴류; 에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트 등의 아크릴레이트 화합물; 헥사메틸렌다이아이소사이아네이트계 폴리아이소사이아네이트, 아이소포론다이아이소사이아네이트계 폴리아이소사이아네이트, 톨릴렌다이이소사이아네이트계 폴리아이소사이아네이트, 수첨 다이페닐메테인다이아이소사이아네이트 등의 아이소사이아네이트계 화합물; 1,4-다이-(하이드록시메틸)사이클로헥세인, 1,4-다이-(하이드록시메틸)노보네인; 1,3,4-트라이하이드록시사이클로헥세인; 각종 다작용 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.
다작용 에폭시 화합물의 추가의 구체적인 예로서는, 에폭시기를 2개 이상, 바람직하게는 에폭시기를 3개 이상 갖는 에폭시 화합물로서, 지환식 구조를 갖는 것, 크레졸 노볼락 골격을 갖는 것, 페놀 노보락 골격을 갖는 것, 비스페놀 A 골격을 갖는 것, 나프탈렌 골격을 갖는 것 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체와의 상용성이 양호하기 때문에 특히 지환식 구조를 갖고, 또한 에폭시기를 2개 이상, 보다 바람직하게는 3개 이상 갖는 다작용 에폭시 화합물이 바람직하다.
가교제로서는 그 중에서도 다작용 에폭시 화합물이 적합하다. 그의 구체예로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 폴리페놀형 에폭시 수지, 환상 지방족 에폭시 수지, 지방족 글라이시딜 에터, 에폭시 아크릴레이트 중합체 등을 들 수 있다.
가교제의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 통상 100 내지 100,000, 바람직하게는 500 내지 50,000, 보다 바람직하게는 1,000 내지 10,000이다. 가교제는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
기타 배합제로서는, 예컨대 증감제, 계면활성제, 잠재적 산 발생제, 대전방지제, 산화방지제, 접착 조제, 소포제, 안료, 염료 등을 들 수 있다.
증감제의 구체예로서는, 예컨대 2H-피리드-(3,2-b)-1,4-옥사진-3(4H)-온류, 10H-피리드-(3,2-b)-1,4-벤조티아진류, 우라졸류, 하이단토인류, 바비투르산류, 글라이신 무수물류, 1-하이드록시벤조트라이아졸류, 알록산류, 말레이미드류 등을 바람직하게 들 수 있다.
계면활성제는 스트리에이션(striation)(도포 줄 자국)의 방지, 현상성의 향상 등의 목적으로 사용된다. 그 구체예로서는 폴리옥시에틸렌라우릴에터, 폴리옥시에틸렌스테아릴에터, 폴리옥시에틸렌올레인에터 등의 폴리옥시에틸렌알킬에터류; 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에터, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에터 등의 폴리옥시에틸렌아릴에터류; 폴리옥시에틸렌다이라우레이트, 폴리옥시에틸렌다이스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌다이알킬에스터류 등의 비이온계 계면활성제; 불소계 계면활성제; 실리콘계 계면활성제; 메타크릴산 공중합체계 계면활성제; 아크릴산 공중합체계 계면활성제 등을 들 수 있다.
잠재적 산 발생제는, 본 발명에 따른 보호층 조성물의 내열성 및 내약품성을 향상시킬 목적으로 사용된다. 그의 구체예로서는 가열에 의해 산을 발생하는 양이온 중합 촉매인, 설포늄 염, 벤조티아졸륨 염, 암모늄 염, 포스포늄 염 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 설포늄 염 및 벤조티아졸륨 염이 바람직하다.
기타 상기 배합제로서는 공지된 것이 임의로 사용된다.
본 발명에 따른 보호층 형성 조성물의 형태는 특별히 한정되지 않고, 용액 또는 분산액이어도 좋고, 고체상이어도 좋다. 본 발명에 따른 보호층 형성 조성물은 용액 또는 분산액의 형태로 사용하는 것이 적합하다.
본 발명에 따른 보호층 형성 조성물의 조제 방법은 특별히 한정되지 않고, 본 발명에 따른 보호층 형성 조성물의 각 구성 성분을 혼합하면 바람직하지만, 적합하게는 이들 성분을 용매에 용해 또는 분산시켜 용액 또는 분산액으로서 수득하면 좋다. 수득된 용액 또는 분산액으로부터 필요에 따라 용매를 제거할 수도 있다.
본 발명에서 사용되는 용매는 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로서는, 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜, 다이에틸렌글라이콜, 트라이에틸렌글라이콜, 테트라에틸렌글라이콜 등의 알킬렌글라이콜류; 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 에틸렌글라이콜프로필에터, 에틸렌글라이콜모노t-뷰틸에터, 프로필렌글라이콜에틸에터, 프로필렌글라이콜모노프로필에터, 프로필렌글라이콜모노뷰틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이프로필렌글라이콜모노메틸에터, 다이프로필렌글라이콜모노메틸에터, 다이프로필렌글라이콜모노에틸에터, 트라이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 트라이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 트라이프로필렌글라이콜모노메틸에터, 트라이프로필렌글라이콜모노에틸에터 등의 알킬렌글라이콜모노에터류; 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 다이에틸렌글라이콜다이에틸에터, 다이에틸렌글라이콜에틸메틸에터, 다이프로필렌글라이콜다이메틸에터, 다이프로필렌글라이콜다이에틸에터, 다이프로필렌글라이콜에틸메틸에터, 트라이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 트라이에틸렌글라이콜다이에틸에터, 트라이에틸렌글라이콜에틸메틸에터, 트라이프로필렌글라이콜에틸메틸에터 등의 알킬렌글라이콜다이알킬에터류; 프로필렌글라이콜모노메틸에터 아세테이트, 다이프로필렌글라이콜모노메틸에터 아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터 아세테이트, 프로필렌글라이콜모노n-프로필에터 아세테이트, 프로필렌글라이콜모노i-프로필에터 아세테이트, 프로필렌글라이콜모노n-뷰틸에터 아세테이트, 프로필렌글라이콜모노i-뷰틸에터 아세테이트, 프로필렌글라이콜모노sec-뷰틸에터 아세테이트, 프로필렌글라이콜모노t-뷰틸에터 아세테이트 등의 알킬렌글라이콜모노알킬에터에스터류; 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온 등의 케톤류; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 뷰탄올, 3-메톡시-3-메틸뷰탄올 등의 알코올류; 테트라하이드로퓨란, 다이옥세인 등의 환상에터류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 셀로솔브에스터류; 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류; 아세트산에틸, 아세트산뷰틸, 락트산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸뷰테인산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, γ-뷰티로락톤 등의 에스터류; N-메틸폼아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, N-메틸아세토아마이드, N,N-다이메틸아세토아마이드 등의 아마이드류; 다이메틸설폭사이드 등의 설폭사이드류 등을 들 수 있다.
이들 용매는 각각 단독으로 이용할 수도 있고 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 용매의 사용량은 보호층 형성 조성물 전체 100중량%에 대하여 통상 50 내지 90중량%의 범위이다.
본 발명에 따른 보호층 조성물을 구성하는 각 성분의 용매에 대한 용해 또는 분산 방법은 통상적인 방법을 따르면 좋다. 구체적으로는, 교반자와 마그네틱 스터러를 이용한 교반, 고속 균질화기, 디스펄젼, 유성 교반기, 2축 교반기, 볼 밀, 롤 밀 등을 사용하여 행할 수 있다. 또한, 각 성분을 용매에 용해 또는 분산시킨 후에, 예컨대 구멍 직경이 0.5㎛ 정도인 필터 등을 이용하여 여과할 수도 있다.
본 발명에 따른 보호층 조성물을 구성하는 각 성분을 용매에 용해 또는 분산시킬 때의 고형분 농도는 통상 1 내지 70중량%, 바람직하게는 5 내지 50중량%, 보다 바람직하게는 10 내지 40중량%이다. 고형분 농도가 이 범위에 있으면, 용해 안정성, 도포성이나 형성되는 막의 두께 균일성, 평탄성 등이 고도로 균형있게 될 수 있다.
보호층 형성 조성물의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 슬릿 코팅법, 나이프 코팅법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 노즐 코팅법, 모세관 코팅법 등의 당해 기술분야에 공지된 방법에 의할 수 있다.
도포된 보호층 조성물을 경화시킴으로써 보호층(30)의 형성이 가능하다.
경화는 도포된 조성물을 건조시킴으로써 수행될 수 있다.
건조는 예를 들면 프리베이크 및 포스트베이크 단계를 포함하여 수행될 수 있다.
프리베이크 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 핫 플레이트나 오븐 내에서 가열하거나, 적외선 조사 등에 의할 수 있고, 바람직하게는 컨벡션 오븐에 의할 수 있다.
프리베이크는 예를 들면 100℃ 내지 120℃의 온도로 수행될 수 있다. 온도가 100℃ 미만이면 용매 성분이 남아서 코팅 불량을 발생시킬 수 있고, 120℃ 초과이면 탄성률이 저하될 수 있다.
프리베이크는 예를 들면 1분 내지 3분간 수행될 수 있다. 시간이 1분 미만이면 용매 성분이 남아서 공정성이 저하되고, 3분이 초과되면 코팅 얼룩이 발생하여 곤란할 수 있다.
포스트베이크 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 핫 플레이트나 오븐 내에서 가열하거나, 적외선 조사 등에 의할 수 있고, 바람직하게는 컨벡션 오븐에 의할 수 있다.
포스트베이크는 예를 들면 180℃ 내지 250℃의 온도로 수행될 수 있다. 온도가 180℃ 미만이면 아웃-가스(out-gas)에 의해서 안테나 패턴층(40)의 저항이 상승할 수 있고, 밀도가 증가하여 캐리어 기판으로부터 박리시에 크랙이 발생할 수 있다. 250℃ 초과이면 황변 현상에 의해 투과도가 저하될 수 있다.
포스트베이크는 예를 들면 20분 내지 60분간 수행될 수 있다. 포스트베이크 시간이 20분 미만이면 충분한 경화가 일어나지 않아서 안테나 패턴 형성시에 보호층(30)에 주름이 발생할 수 있고, 60분을 초과하면 황변 현상에 의해 투과도가 저하될 수 있다.
그 다음, 보호층(30) 상에 안테나 패턴층(40)을 형성하는데, 본 실시형태에서는 안테나 패턴층이 단일층의 적층구조로 된 것을 설명한다.
먼저, 도 2c와 같이 투명 도전층으로서, ITO 투명 도전층을 형성하고, 그 위에 감광성 레지스트(미도시)을 형성한다. 이후에 포토리소그래피 공정을 통하여 선택적으로 패터닝하여 도 2d와 같이 안테나 패턴층(40)을 형성한다.
상기 투명 도전층은 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 스퍼터링(Sputtering) 공정, 스크린 인쇄, 그라비아(Gravure) 인쇄, 리버스 오프셋(Reverse Offset), 잉크젯(Ink Jet) 등의 인쇄 공정, 건식 또는 습식의 도금 공정을 이용하여 성막할 수 있으며, 스퍼터링 공정으로 성막하는 경우에는 원하는 안테나 패턴 형상을 갖는 마스크를 기재 위에 배치하고 스퍼터링 공정을 실시하여 안테나 패턴층을 형성할 수도 있다. 또한 상기의 성막 방식으로 전면에 도전층을 형성하고 포토리소그래피 공법을 이용하여 안테나 패턴을 형성할 수도 있다.
감광성 레지스트는 네가티브형(negative type) 감광성 레지스트 또는 포지티브형(positive type) 감광성 레지스트가 사용될 수 있으며, 패터닝 과정을 마친 후 감광성 레지스트는 필요에 따라서 안테나 패턴층(40) 상에 잔존하여도 되고, 제거되어도 된다. 본 실시형태에서는 포지티브형 감광성 레지스트를 사용하여, 패터닝 과정을 마친 후 안테나 패턴 상에서 제거된 구조로 된 것을 설명한다.
다음으로, 도 2e와 같이 필름 안테나 장치의 제조 공정을 진행하기 위하여 사용된 캐리어 기판(10)으로부터 안테나 패턴층이 형성된 분리층(20)을 분리한다.
상기 분리층(20)을 캐리어 기판(10)으로부터 박리하는 방법은 리프트오프(Lift-off) 또는 필오프(Peel-off)의 방법이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이 경우 박리시 가해지는 힘의 크기는 분리층의 박리력에 따라 달라질 수 있으나, 1N/25mm 이하가 바람직하며, 0.1N/25mm 이하가 보다 바람직하다. 박리력이 1N/25mm를 초과할 경우, 캐리어 기판으로부터 박리 시에 필름 안테나 장치가 찢어지는 문제가 발생할 수 있으며, 필름 안테나 장치에 과도한 힘이 가해져 필름 안테나 장치가 변형되어 디바이스의 기능을 하지 못할 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예, 비교예 및 실험예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.
합성예 1: 환상 올레핀 중합체 A-1의 제조
8-하이드록시카보닐테트라사이클로도데센 60중량부, N-페닐-(5-노보넨-2,3-다이카복시이미드) 40중량부, 1-헥센 1.3중량부, (1,3-다이메틸이미다졸리딘-2-일리덴)(트라이사이클로헥실포스핀)벤질리덴루테늄 다이클로라이드 0.05중량부 및 테트라하이드로퓨란 400중량부를 질소 치환한 유리제 내압 반응기에 투입하고, 교반하면서 70℃에서 2시간 반응시켜 수지 용액(a)(고형분 농도: 약 20 중량%)을 수득했다. 상기 수지 용액(a)을 교반기 부착 오토클레이브 내로 옮기고, 수소압력4MPa, 온도 150℃에서 5시간 반응시켜 수소 첨가된 수지(수소 첨가율 99%)를 포함하는 수지 용액(b)(고형분 농도: 약 20 중량%)을 수득했다. 다음으로, 상기 수지 용액(b) 100중량부 및 활성탄 분말 1중량부를 내열제의 오토클레이브 내로 넣고, 수소압력 4MPa하에 온도 150℃에서 3시간 반응 시켰다. 반응 종료 후, 반응액을 구멍 직경 0.2㎛의 불소 수지제 필터로 여과하여 활성탄을 분리함으로써 수지 용액(c)을 수득했다. 이때, 용액은 순조롭게 여과되었다. 이어서, 수지 용액(c)을 에틸 알코올 중에 가했다. 생성된 고체를 건조시켜 환상 올레핀 중합체 A-1을 수득했다. 환상 올레핀 중합체 A-1의 폴리스타이렌 환산의 Mw는 5,500, Mn은 3,200, 유리전이온도(Tg)는 187℃, 분자량 분포는 1.7이였다. 또한, 수소 첨가율은 99%였다.
환상 올레핀 중합체의 중량평균분자량(Mw) 측정은 GPC법을 이용하여 이하의 조건으로 행하였다.
장치: HLC-8120GPC(도소㈜ 제조)
칼럼: TSK-GELG4000HXL + TSK-GELG2000HXL(직렬 접속)
칼럼 온도: 40℃
이동상 용매: 테트라히드로퓨란
유속: 1.0 ㎖/분
주입량: 50 ㎕
검출기: RI
측정 시료 농도: 0.6 질량%(용매 = 테트라히드로퓨란)
교정용 표준 물질: TSK STANDARD POLYSTYRENE F-40, F-4, F-1, A-2500, A-500(도소㈜ 제조)
환상 올레핀 중합체의 유리전이온도(Tg)는 시차 주사형 열량계를 사용하여 10℃/분으로 승온시켜 측정하였다.
합성예 2: 환상 올레핀 중합체 A-2
8-메틸-8-메톡시카보닐테트라사이클로[4.4.0.12,5.17,10]도데카-3-엔 100중량부, 1-헥센 1.3중량부, 1,3-다이메틸이미다졸린-2-일리덴(트라이사이클로헥실포스핀)벤질리덴루테늄 다이클로라이드 0.05중량부 및 사이클로헥세인 400중량부를 질소 치환한 유리제 내압 반응기에 투입하였다. 이 혼합물을 합성예 1과 같은 방법으로 중합 반응 및 수소첨가 반응을 수행하여 수지를 수득했으며, 수지의 Mw는 5,300, Mn은 3,200, 유리전이온도(Tg)는 197℃이었다. 또한, 수소 첨가율은 99%, 분자량 분포는 1.6였다.
다음으로, 상기에서 얻은 수지 100중량부, N-메틸피롤리돈 100중량부, 프로필렌글라이콜 500중량부, 85% 수산화칼륨 84.5중량부를 반응기에 투입하였다. 이 혼합물을 4.5시간 동안 190℃에서 가열 교반 했다. 수득된 반응액을 대량의 물, 테트라하이드로퓨란 및 염산의 혼합 용액에 부어 가수 분해물을 응고시켰다. 응고 폴리머를 수세, 건조하여 가수 분해된 환상 올레핀 중합체 A-2를 수득했다. 환상 올레핀 중합체 A-2의 가수분해율은 95%였다.
합성예 3: 환상 올레핀 중합체 A-3
5-(2-하이드록시에톡시카보닐)바이사이클로[2.2.1]헵토-2-엔 100중량부, 1-헥센 1.3중량부, 1,3-다이메틸이미다졸리딘-2-일리덴(트라이사이클로헥실포스핀)벤질리덴루테늄 다이클로라이드 0.05중량부 및 테트라하이드로퓨란 400중량부를 질소 치환한 유리제 내압 반응기에 투입하였다. 이 혼합물을 합성예 1과 같은 방법으로 중합 반응 및 수소 첨가반응을 수행하여 환상 올레핀 중합체 A-3을 수득했다. 환상 올레핀 중합체 A-3의 Mw는 5,500, Mn은 3,300이었으며, 수소 첨가율은 99%이고, 유리전이온도(Tg)는 199℃, 분자량 분포는 1.6였다.
합성예 4: 환상 올레핀 중합체 A-4
8-에틸리덴-테트라사이클로[4.4.0.12,5.17,10]데카-3-엔 100중량부, 1-헥센 1.3중량부, 1,3-다이메틸이미다졸리딘-2-일리덴(트라이사이클로헥실포스핀)벤질리덴루테늄 다이클로라이드 0.05중량부 및 사이클로헥세인 400중량부를 질소 치환한 유리제 내압 반응기에 투입하였다. 이 혼합물을 합성예 1과 같은 방법으로 중합 반응 및 수소 첨가반응을 하여 환상 올레핀 중합체 A-4를 수득했다. 환상 올레핀 중합체 A-4의 Mw는 5,500, Mn은 3,200이고, 유리전이온도(Tg)는 198℃, 분자량 분포는 1.7 였다. 또한, 수소 첨가율은 99%였다.
합성예 5: 중합체 A-5
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 로트 및 질소 도입관을 구비한 플라스크를 준비하였다. 한편, N-벤질말레이미드 45중량부, 메타크릴산 45중량부, 트리사이클로데실 메타크릴레이트 10중량부, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 4 중량부 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(이하, "PGMEA"라 함) 40중량부를 혼합하여 모노머 적하 로트를 준비하고, n-도데칸티올 6 중량부 및 PGMEA 24중량부를 혼합하여 연쇄 이동제 적하 로트를 준비했다. 이후 플라스크에 PGMEA 395중량부를 도입하고 플라스크 내 분위기를 공기에서 질소로 전환한 후, 교반하면서 플라스크의 온도를 90℃까지 승온했다. 이어서 모노머 및 연쇄 이동제를 적하 로트로부터 적하 개시했다. 적하는 90℃를 유지하면서, 각각 2시간 동안 진행하고 1시간 후에 110℃로 승온하여 3시간 유지한 뒤, 가스 도입관을 도입시켜, 산소/질소=5/95(v/v) 혼합 가스의 버블링을 개시했다. 이어서, 글리시딜메타크릴레이트 10중량부, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀) 0.4중량부, 트리에틸아민 0.8중량부를 플라스크 내에 투입하여 110℃에서 8시간 반응을 계속하고, 그 후 실온까지 냉각하여 고형분은 29.1 중량%, Mw은 32,000, Mn은 9,500, 유리전이온도(Tg)는 140℃, 분자량 분포는 3.2이며, 산가가 114㎎KOH/g인 중합체 A-5를 얻었다.
합성예 6: 중합체 A-6
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 로트 및 질소 도입관을 구비한 플라스크를 준비하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 300 중량부를 투입 후 교반 하면서 75℃까지 가열하였다. 플라스크에 3,4-에폭시-8-(아크릴로일옥시)트리시클로일[5.2.1.02,6]데칸(EDCPA) 62.5중량부, 아크릴산(AA) 15.1 중량부 및 비닐톨루엔 22.4 중량부를 PGMEA 170 중량부에 녹인 용액을 적하 로트를 이용하여 5시간 동안 적하시켰다. 한편, 중합개시제 아조비스이소부티로니트릴 30 중량부를 PGMEA 200중량부에 용해시킨 용액을 별도의 적하 로트를 이용하여 5시간에 걸쳐서 적하 시켰다. 중합개시제의 적하가 완료된 후에, 약 4시간 동안 온도를 유지한 후 실온까지 냉각하여 고형분은 37.6 중량%, Mw은 10,740, Mn은 5,000, 유리전이온도(Tg)는 160℃, 분자량 분포는 2.1이며, 산가가 111㎎KOH/g인 중합체 A-6을 얻었다.
합성예 7: 중합체 A-7
교반기, 온도계, 환류 냉각관, 적하 로트 및 질소 도입관을 구비한 플라스크를 준비하였다. 한편, 아세토아세톡시메틸 메타아크릴레이트 15 중량부, 하이드록시메타크릴 아크릴레이트 15 중량부, N-벤질말레이미드 45 중량부, 메타크릴산 15 중량부, 트리사이클로데실 메타크릴레이트 10 중량부, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 4 중량부 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 40 중량부를 혼합하여 모노머 적하 로트를 준비하고, n-도데칸티올 6 중량부 및 PGMEA 24 중량부를 혼합하여 연쇄 이동제 적하 로트를 준비했다. 이후 플라스크에 PGMEA 395 중량부를 도입하고 플라스크 내 분위기를 공기에서 질소로 전환한 후 교반하면서 플라스크의 온도를 90℃까지 승온했다. 이어서 모노머 및 연쇄 이동제를 적하 로트로부터 적하 개시했다. 적하는 90℃를 유지하면서 각각 2 시간 동안 진행하고, 1 시간 후에 110℃로 승온하여 3 시간 유지한 뒤, 그 후 실온까지 냉각하여 고형분은 29.1 중량%, Mw은 25,000, Mn은 8,200, 유리전이온도(Tg)는 80℃, 분자량 분포는 3.0이며 산가가 140㎎KOH/g인 중합체 A-7을 얻었다.
실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 6: 필름 안테나 장치의 제작
하기 표 1의 조성으로 각 성분을 혼합하여(단위: 중량%), 보호층 형성 조성물을 제조하였다.
항목 (A) 중합체 (B) 용매 (C) 첨가제
A-1 A-2 A-3 A-4 A-5 A-6 A-7 MEDG C-1 C-2
실시예1 17 - - - - - - 79.5 0.5 2.5
실시예2 - 17 - - - - - 79.5 0.5 2.5
실시예3 - - 17 - - - - 79.5 0.5 2.5
실시예4 - 8.5 8.5 - - - - 79.5 0.5 2.5
실시예5 8.5 - 8.5 - - - - 79.5 0.5 2.5
비교예1 - - - - 17 - - 79.5 0.5 2.5
비교예2 - - - - - 17 - 79.5 0.5 2.5
비교예3 - - - - - - 17 79.5 0.5 2.5
비교예4 - - - - - 8.5 8.5 79.5 0.5 2.5
비교예5 - - - - 8.5 - 8.5 79.5 0.5 2.5
비교예6 - - - 17 - - - 79.5 0.5 2.5
A-1: 합성예 1의 환상 올레핀 중합체
A-2: 합성예 2의 환상 올레핀 중합체
A-3: 합성예 3의 환상 올레핀 중합체
A-4: 합성예 4의 환상 올레핀 중합체
A-5: 합성예 5의 중합체
A-6: 합성예 6의 중합체
A-7: 합성예 7의 중합체
B: 다이에틸렌글라이콜에틸메틸에터(MEDG)
C-1: F-554 (DIC)
C-2: EHPE-3150CE (Dicel)
상기 보호층 형성 조성물을 사용하여 다음과 같이 필름 안테나 장치를 제작하였다.
먼저, 두께 700㎛의 소다 라임 글래스(Soda lime Glass)를 캐리어 기판으로 사용하고, 상기 캐리어 기판 상에 멜라민계 수지 50중량부, 신나메이트계 수지 50중량부를 10중량%의 농도로 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(Propylene glycol monomethyl ether acetate, PGMEA)에 희석한 분리층 형성 조성물을 두께 300nm로 도포하고, 150℃에서 30분간 건조 처리하여 분리층을 형성하였다.
상기 분리층 상에 실시예 및 비교예의 보호층 형성 조성물로 보호층을 형성하였다. 보호층 형성 조성물을 스핀코터로 두께 2 내지 5㎛로 도포하고, 컨벡션 오븐으로 110℃로 2분간 프리베이크하였다. 이후, 230℃로 30분간 포스트베이크를 진행하여 보호층을 형성하였다.
이후, 상기 보호층 상에 ITO를 상온 25℃ 조건에서 35nm 두께로 증착하고, ITO층을 230℃에서 30분 동안 어닐링하여 안테나 패턴층을 형성하였다.
실험예 1:
상기 실시예 및 비교예에서 제작된 필름 안테나 장치의 물성을 후술하는 방법으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(1) 투과율 측정
실시예 및 비교예의 상기 필름 안테나 장치와는 별개로, 두께 700㎛의 소다 라임 글래스(Soda lime Glass) 상에 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로 보호층만을 형성하였다. 상기 보호층의 파장 550 nm에서의 광의 투과율을 분광 광도계(히따찌 세이사꾸쇼 제조, U3210)를 이용하여 측정하였다.
(2) 탄성율 측정
실시예 및 비교예의 상기 필름 안테나 장치와는 별개로, 두께 700㎛의 소다 라임 글래스(Soda lime Glass) 상에 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로 보호층만을 형성하였다. 상기 보호층(10×10cm)의 탄성율을 KS M ISO 6721-4의 방법에 준하여 측정하였다.
(3) 크랙 평가( Delami crack )
실시예 및 비교예의 상기 필름 안테나 장치(10×10cm)을 3M #55 tape(25mm폭/길이10cm)를 이용하여 캐리어 기판으로부터 박리하고, 이때 전사된 도막의 중심부 3cm 내부에서의 크랙 여부를 눈으로 관측하여 하기 평가기준에 따라 평가하였다.
<평가기준>
○: 크랙이 없는 상태(개수/3cm)
△: 크랙이 3 내지 10개 발생한 상태(개수/3cm)
×: 크랙이 10개 초과로 발생한 상태(개수/3cm)
(4) 내광성
실시예 및 비교예의 상기 필름 안테나 장치와는 별개로, 두께 700㎛의 소다 라임 글래스(Soda lime Glass) 상에 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로 보호층만을 형성하였다. 상기 보호층(10×10cm)을 Xenon lamp을 이용하여 200시간 조사하여 투과율 변화를 측정하였다.
(5) 내용제성
실시예 및 비교예의 상기 필름 안테나 장치와는 별개로, 두께 700㎛의 소다 라임 글래스(Soda lime Glass) 상에 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로 보호층만을 형성하였다. 상기 보호층(10×10cm)을 PGMEA에 침지 후 100℃에서 30분간 가열한 다음 막전후의 두께변화를 측정하였다.
<평가기준>
○：침지 전 두께 100% 대비 98% 이상 두께 유지
△: 침지 전 두께 100% 대비 95% 이상 98% 미만 두께 유지
×: 침지 전 두께 100% 대비 95% 미만 두께 유지
(6) 유리전이온도( Tg ) 측정
실시예 및 비교예의 상기 필름 안테나 장치와는 별개로, 두께 700㎛의 소다 라임 글래스(Soda lime Glass) 상에 실시예 및 비교예와 동일한 방법으로 보호층만을 형성하였다. 상기 보호층을 DSC(differential scanning calorimeter) 장비의 시편 적용가능한 크기로 절단하고, DSC를 이용하여 시료의 온도를 변화시키면서 에너지(energy) 입력차를 온도의 함수로 측정하였다.
항목 두께(㎛) 투과율(T%) 탄성율(Mpa) Delami Crack 내광성(ΔT% ) 내용제성 유리전이
온도(℃)		 분산도
실시예1 2 97 400 ○ 0.3 ○ 100 1.7
실시예2 2 98 390 ○ 0.4 ○ 120 1.6
실시예3 2 99 420 ○ 1 ○ 150 1.6
실시예4 2 98 390 ○ 0.6 ○ 140 1.6
실시예5 2 97 405 ○ 0.55 ○ 170 1.6
비교예1 2 85 540 X 15 X 90 3.2
비교예2 2 90 450 △ 2 X 110 2.1
비교예3 2 89 500 X 7 X 40 3.0
비교예4 2 90 470 △ 2.3 X 60 2.6
비교예5 2 88 520 X 10 X 70 3.3
비교예6 2 96 380 △ 0.4 △ 180 1.7
상기 표 2에서 보듯이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 5의 필름 안테나 장치는 크랙 발생이 억제되고, 보호층의 투과율, 내광성 및 내용제성이 우수한 것을 확인할 수 있었다. 반면, 비교예 1 내지 6에 따른 필름 안테나 장치는 크랙이 발생하고 보호층의 투과율, 내광성 및 내용제성이 본 발명에 따른 실시예 1 내지 5의 필름 안테나 장치에 비해 떨어지는 것으로 나타났다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아님은 명백하다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 특허청구범위와 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
10: 기재 20: 분리층
30: 보호층 40: 안테나 패턴층

Claims (9)

  1. 분리층;
    상기 분리층 상에 형성된 보호층; 및
    상기 보호층 상에 형성된 안테나 패턴층을 포함하는 안테나 장치로서,
    상기 보호층이 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체의 경화층인 필름 안테나 장치:
    [화학식 1]
    Figure pat00008

    상기 식에서,
    R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 -Xn-R'기이며,
    X는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이며, R'는 치환 또는 비치환된 C1-C7의 알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족기, 또는 프로톤성 극성기이며,
    R1 내지 R4 중 적어도 하나는 R'가 프로톤성 극성기인 -Xn-R'기이고;
    m은 0 내지 2의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프로톤성 극성기는 카르복실기, 설폰산기, 인산기, 히드록실기, 아미노기, 아미드기 및 티올기로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 필름 안테나 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 환상 올레핀 중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 추가로 포함하는 것인 필름 안테나 장치:
    [화학식 2]
    Figure pat00009

    상기 식에서,
    R5 및 R6은 이들이 결합하는 2개의 탄소원자와 함께, 치환 또는 비치환된, 산소원자 또는 질소원자를 포함하는 3원 또는 5원 헤테로환 구조를 형성하고;
    k는 0 내지 2의 정수이다.
  4. 제1항에 있어서, 상기 환상 올레핀 중합체의 중량평균분자량이 5,000 내지 25,000인 필름 안테나 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 환상 올레핀 중합체의 분자량 분포가 3 이하인 필름 안테나 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 환상 올레핀 중합체의 유리전이온도(Tg)는 100 내지 300℃인 필름 안테나 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 보호층의 탄성율은 350 내지 450 MPa인 필름 안테나 장치.
  8. 캐리어 기판상에 분리층을 도포하는 분리층 도포단계;
    상기 분리층이 경화되는 분리층 경화단계;
    상기 분리층의 상부에 보호층을 형성하는 보호층 형성단계; 및
    상기 보호층의 상부에 안테나 패턴층을 형성하는 안테나 패턴층 형성단계
    를 포함하는 필름 안테나 장치의 제조 방법으로서,
    상기 보호층이 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 갖는 환상 올레핀 중합체의 경화층인 필름 안테나 장치의 제조 방법:
    [화학식 1]
    Figure pat00010

    상기 식에서,
    R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 -Xn-R'기이며,
    X는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이며, R'는 치환 또는 비치환된 C1-C7의 알킬기, 치환 또는 비치환된 방향족기, 또는 프로톤성 극성기이며,
    R1 내지 R4 중 적어도 하나는 R'가 프로톤성 극성기인 -Xn-R'기이고;
    m은 0 내지 2의 정수이다.
  9. 제8항에 있어서, 상기 환상 올레핀 중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 추가로 포함하는 것인 필름 안테나 장치의 제조 방법:
    [화학식 2]
    Figure pat00011

    상기 식에서,
    R5 및 R6은 이들이 결합하는 2개의 탄소원자와 함께, 치환 또는 비치환된, 산소원자 또는 질소원자를 포함하는 3원 또는 5원 헤테로환 구조를 형성하고;
    k는 0 내지 2의 정수이다.
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