KR20180045402A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR20180045402A
KR20180045402A KR1020160139450A KR20160139450A KR20180045402A KR 20180045402 A KR20180045402 A KR 20180045402A KR 1020160139450 A KR1020160139450 A KR 1020160139450A KR 20160139450 A KR20160139450 A KR 20160139450A KR 20180045402 A KR20180045402 A KR 20180045402A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrode
emitting diode
connection portion
front surface
Prior art date
Application number
KR1020160139450A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102624115B1 (en
Inventor
우도철
이명희
방세민
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020160139450A priority Critical patent/KR102624115B1/en
Priority to PCT/KR2017/011709 priority patent/WO2018080117A2/en
Publication of KR20180045402A publication Critical patent/KR20180045402A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102624115B1 publication Critical patent/KR102624115B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

The present invention provides a side view type light emitting device suitable for realizing miniaturization. According to an embodiment of the present invention, the light emitting device comprises: a base including a support part, and a first electrode and a second electrode, which are coupled to the support part; and a light emitting diode mounted on the base. The support part includes a first surface, a second surface facing the first surface, two side surfaces, a front surface and a back surface. The first electrode and the second electrode include a mounting part individually exposed to the front surface, an access part located at a partial region of the first surface, and a connection part connecting the mounting part and the access part inside the support part. The light emitting diode is electrically connected to the mounting part of the first electrode and the second electrode.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 백라이트 유닛(backlight unit) 용 사이드뷰(side view)형 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a side view light emitting device for a backlight unit.

일반적으로 발광 장치에는 다양한 발광칩이 사용되는데, 예를 들어 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 전자 및 정공을 주입하고, 이들의 재결합에 의하여 광을 방출하는 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED) 칩이 사용된다.In general, various light emitting chips are used for a light emitting device. For example, a light emitting diode (LED) chip for injecting electrons and holes using a pn junction structure of a semiconductor and emitting light by recombination thereof is used Is used.

발광 장치는 칩의 종류, 패키지의 형상 또는 광의 출사 방향에 따라 다양한 형식으로 제조된다. 발광 장치는, 예를 들어, 칩(chip)형, 램프(lamp)형, 탑뷰(top view)형, 사이드뷰(side view)형 등이 제조되어 사용되고 있으며, 최근에는 LCD(Liquid Crystal Display) 제품의 슬림화 및 저전력화에 따라 LCD의 백라이드 유닛(backlight unit)으로 사용되는 사이드뷰형의 발광 장치의 수요가 증가되고 있다.The light emitting device is manufactured in various forms depending on the type of chip, the shape of the package, or the direction of light emission. For example, a chip type, a lamp type, a top view type, a side view type, and the like are manufactured and used for the light emitting device, and recently, a liquid crystal display (LCD) The demand for a side view light emitting device used as a backlight unit of an LCD is increasing.

기존의 사이드뷰형 발광 장치의 경우, LED 칩을 리드프레임에 실장하고, 와이어 본딩을 통해 LED 칩과 리드프레임을 전기적으로 연결한 후 형광체와 혼합한 봉지제로 몰딩하여 제조하는 것이 일반적이었다.In the case of the conventional side view light emitting device, the LED chip is mounted on a lead frame, and the LED chip and the lead frame are electrically connected through wire bonding, followed by molding with an encapsulant mixed with a fluorescent material.

백라이트 유닛을 사용하는 장치, 예를 들면 모바일(mobile) 단말기 등이 소형화 박형화됨에 따라 백라이트 유닛의 소형화, 박형화가 필연적으로 요구된다. 하지만, 와이어 본딩이 필요한 기존 사이드뷰형 발광 장치는 와이어 본딩을 위한 공정 마진 때문에 소형화, 박형화에 한계가 있다. As a device using a backlight unit, for example, a mobile terminal, is made compact and thin, it is inevitably required to downsize and downsize the backlight unit. However, existing side view light emitting devices requiring wire bonding have limitations in downsizing and thinning due to the process margin for wire bonding.

본 발명의 목적은 소형화, 박형화에 적합한 구조를 갖는 발광 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a light emitting device having a structure suitable for downsizing and thinning.

본 발명의 다른 목적은 소형화를 실현하기에 적합한 사이드뷰(side view)형 발광 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a side view light emitting device suitable for realizing miniaturization.

본 발명의 또 다른 목적은 지지부, 상기 지지부에 결합된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 구조의 베이스를 포함하는 발광 장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a light emitting device including a base having a structure including a support, a first electrode coupled to the support, and a second electrode.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 베이스의 제1 전극 및 제2 전극에 직접적으로 접속될 수 있는 발광 다이오드를 포함하는 발광 장치를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a light emitting device including a light emitting diode that can be directly connected to the first electrode and the second electrode of the base.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 지지부와 상기 지지부에 결합된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 베이스; 및 상기 베이스에 실장되는 발광 다이오드를 포함하고, 상기 지지부는 제1 면과 상기 제1 면에 대향하는 제2 면, 두 측면 및 전방면과 배면을 포함하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 전방면에 노출되는 실장부, 상기 제1 면의 일부 영역에 위치하는 접속부 및 상기 지지부 내부에서 상기 실장부와 접속부를 연결하는 연결부를 포함하고, 상기 발광 다이오드는 상기 제1 전극 및 제2 전극의 실장부와 전기적으로 연결되는 발광 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a base including a support and a first electrode and a second electrode coupled to the support; And a light emitting diode mounted on the base, wherein the support includes a first surface and a second surface opposite to the first surface, two sides, a front surface and a back surface, and the first and second electrodes And a connection portion connecting the mounting portion and the connection portion inside the support portion, wherein the light emitting diode has the first electrode and the second electrode, There is provided a light emitting device electrically connected to a mounting portion of an electrode.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 지지부와 상기 지지부에 결합된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 베이스; 및 상기 베이스에 실장되는 발광 다이오드를 포함하고, 상기 지지부는 제1 면과 상기 제1 면에 대향하는 제2 면, 두 측면 및 전방면과 배면을 포함하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 전방면에 노출되는 실장부, 상기 제1 면의 일부 영역에 위치하는 접속부 및 상기 지지부 내부에서 상기 실장부와 접속부를 연결하는 연결부를 포함하고, 상기 연결부는 상기 실장부로부터 상기 지지부의 측면을 향해 연장되고, 상기 전방면을 기준으로 기울기를 갖는 제1 연결부 및 상기 제1 연결부로부터 상기 지지부의 상기 제1 면을 향해 연장되고, 상기 접속부와 연결되는 제2 연결부를 포함하고, 상기 발광 다이오드는 질화물계 반도체 적층 및 상기 질화물계 반도체 적층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드를 포함하고, 상기 제1 본딩 패드 및 상기 제2 본딩 패드는 각각 상기 제1 전극 제2 전극의 실장부와 전기적으로 연결되는 발광 장치가 제공된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a base including a support and a first electrode and a second electrode coupled to the support; And a light emitting diode mounted on the base, wherein the support includes a first surface and a second surface opposite to the first surface, two sides, a front surface and a back surface, and the first and second electrodes And a connecting portion for connecting the mounting portion and the connection portion inside the support portion, wherein the connection portion is provided on the side of the support portion from the mounting portion, And a second connection portion extending from the first connection portion toward the first surface of the support portion and connected to the connection portion, the first connection portion having a slope with respect to the front surface, Based semiconductor laminate and a first bonding pad and a second bonding pad electrically connected to the nitride-based semiconductor laminate, wherein the first bonding pad The second bonding pad is provided with a light emitting device which are respectively electrically connected to the first electrode mounting of the second electrode portion.

본 발명의 실시예들에 따르면, 발광 다이오드가 베이스에 와이어 본딩 없이 본딩 패드를 통해 직접 실장됨으로써, 소형화에 적합한 발광 장치가 제공될 수 있다. 또한, 베이스가 리드에 비해 부피가 작고 변형이 용이한 전극을 포함함으로써, 소형화에 적합하고, 인쇄회로기판에 접착 시, 비틀어지거나 치우쳐지는 현상이 방지되는 발광 장치가 제공될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, since the light emitting diode is directly mounted on the base through the bonding pad without wire bonding, a light emitting device suitable for miniaturization can be provided. Further, by including the electrode whose base is smaller in volume than the lead and easy to deform, it is possible to provide a light emitting device which is suitable for miniaturization and is prevented from being twisted or biased when bonded to a printed circuit board.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 1의 정면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시에에 따른 제1 전극 및 제2 전극의 형태를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 1 is a perspective view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of Fig.
3 is a front view of Fig.
FIG. 4 shows shapes of a first electrode and a second electrode according to an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view illustrating a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where another component is interposed between the two. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

본 발명의 일 실시예에 따르면 발광 장치가 제공된다. 이 발광 장치는, 지지부와 상기 지지부에 결합된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 베이스; 및 상기 베이스에 실장되는 발광 다이오드를 포함한다. 여기서, 상기 지지부는 제1 면과 상기 제1 면에 대향하는 제2 면, 두 측면 및 전방면과 배면을 포함하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 전방면에 노출되는 실장부, 상기 제1 면의 일부 영역에 위치하는 접속부 및 상기 지지부 내부에서 상기 실장부와 접속부를 연결하는 연결부를 포함하고, 상기 발광 다이오드는 상기 제1 전극 및 제2 전극의 실장부와 전기적으로 연결된다. 리드에 비해 부피가 작고 변형이 용이한 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 베이스가 제공됨으로써, 발광 장치를 소형화 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a light emitting device is provided. The light emitting device includes: a base including a support portion and a first electrode and a second electrode coupled to the support portion; And a light emitting diode mounted on the base. The support portion includes a first surface, a second surface opposite to the first surface, two sides, a front surface and a back surface, and the first electrode and the second electrode are respectively exposed on the front surface, And a connection portion connecting the mounting portion and the connection portion inside the support portion, wherein the light emitting diode is electrically connected to the mounting portion of the first electrode and the second electrode. The light emitting device can be downsized by providing the base including the first electrode and the second electrode which are smaller in volume and easier to deform than the lead.

상기 발광 다이오드는, n형 도전형 반도체층, p형 도전형 반도체층 및 그 사이에 개재된 활성층을 포함하는 질화물계 반도체 적층; 및 각각 상기 n형 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩 패드 및 p형 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩 패드를 포함한다. 발광 다이오드가 와이더 본딩 대신 제1 및 제2 본딩 패드를 통해 베이스에 실장됨으로써, 발광 장치가 소형화 될 수 있다. The light emitting diode includes: a nitride-based semiconductor laminated layer including an n-type conductivity-type semiconductor layer, a p-type conductivity-type semiconductor layer, and an active layer interposed therebetween; And a first bonding pad electrically connected to the n-type conductivity type semiconductor layer and a second bonding pad electrically connected to the p type conductivity type semiconductor layer, respectively. The light emitting diode is mounted on the base via the first and second bonding pads instead of the via bonding, so that the light emitting device can be miniaturized.

여기서, 상기 제1 및 제2 본딩 패드는 각각 상기 두 개의 실장부에 직접적으로 연결된다.Here, the first and second bonding pads are directly connected to the two mounting portions, respectively.

상기 연결부는 상기 실장부로부터 상기 지지부의 측면을 향해 연장되고, 상기 전방면을 기준으로 기울기를 갖는 제1 연결부; 및 상기 제1 연결부로부터 상기 지지부의 상기 제1 면을 향해 연장되고, 상기 접속부와 연결되는 제2 연결부를 포함한다. 상기 제2 연결부는 상기 전방면과 평행할 수 있다.The connecting portion includes a first connecting portion extending from the mounting portion toward the side of the supporting portion and having a slope with respect to the front surface; And a second connection portion extending from the first connection portion toward the first surface of the support portion and connected to the connection portion. The second connection portion may be parallel to the front surface.

상기 접속부는 상위층 및 하위층을 포함하는 계단 형상을 갖고, 상기 하위층의 폭은 상기 상위층의 폭보다 더 크다. 접속부가 계단 형상을 가짐으로써, 발광 장치가 인쇄회로기판 상에서 비틀어지거나 치우쳐지는 현상을 방지하는 스토퍼 역할을 할 수 있다.The connecting portion has a stepped shape including an upper layer and a lower layer, and the width of the lower layer is larger than the width of the upper layer. By providing the connection portion in the form of a step, it can serve as a stopper for preventing the light emitting device from being twisted or biased on the printed circuit board.

상기 제2 연결부는 상기 접속부의 상위층에 연결된다.The second connection portion is connected to an upper layer of the connection portion.

상기 하위층은 상기 지지부의 측면의 일부 영역까지 연장된다.The lower layer extends to a portion of the side of the support.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는 상기 전방면의 일부 영역으로부터 상기 발광 다이오드의 광의 출사 방향으로 연장되는 리플렉터를 더 포함한다. 리플렉터는 발광 다이오드로부터 방출된 광의 직진성을 향상시킬 수 있다.The light emitting device according to an embodiment of the present invention further includes a reflector extending from a part of the front surface in a direction of emitting light of the light emitting diode. The reflector can improve the straightness of the light emitted from the light emitting diode.

여기서, 상기 전방면은 상기 발광 다이오드의 위치를 기준으로 상기 제1 면과 가까운 하부 영역, 상기 제2 면과 가까운 상부 영역 및 양 측부 영역을 포함한다. 상기 리플렉터는 상기 상부 영역의 적어도 일부 영역에서 상기 발광 다이오드의 광의 출사 방향으로 연장된다. 또는 상기 리플렉터는 상기 상부 영역의 일부 및 상기 하부 영역의 일부에서 상기 발광 다이오드의 광의 출사 방향으로 연장된다.Here, the front surface includes a lower region close to the first surface, an upper region close to the second surface, and both side regions based on the position of the light emitting diode. The reflector extends in at least a part of the upper region in a direction of emitting light of the light emitting diode. Or the reflector extends in a part of the upper region and a part of the lower region in a direction of emitting light of the light emitting diode.

상기 리플렉터는 상기 지지부와 동일한 물질로 구성되고, 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.The reflector may be formed of the same material as the support portion, and may be formed through the same process.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는 상기 발광 다이오드를 덮는 몰딩부를 더 포함할 수 있다. 몰딩부는 발광 다이오드를 보호하는 역할을 수행할 수 있고, 발광 장치가 백색광을 방출할 수 있도록 형광체를 포함할 수 있다. The light emitting device according to an embodiment of the present invention may further include a molding part covering the light emitting diode. The molding part may serve to protect the light emitting diode, and the light emitting device may include a phosphor to emit white light.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 장치는 지지부와 상기 지지부에 결합된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 베이스; 및 상기 베이스에 실장되는 발광 다이오드를 포함한다. 여기서, 상기 지지부는 제1 면과 상기 제1 면에 대향하는 제2 면, 두 측면 및 전방면과 배면을 포함하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 전방면에 노출되는 실장부, 상기 제1 면의 일부 영역에 위치하는 접속부 및 상기 지지부 내부에서 상기 실장부와 접속부를 연결하는 연결부를 포함하고, 상기 연결부는 상기 실장부로부터 상기 지지부의 측면을 향해 연장되고, 상기 전방면을 기준으로 기울기를 갖는 제1 연결부 및 상기 제1 연결부로부터 상기 지지부의 상기 제1 면을 향해 연장되고, 상기 접속부와 연결되는 제2 연결부를 포함하고, 상기 발광 다이오드는 질화물계 반도체 적층 및 상기 질화물계 반도체 적층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드를 포함하고, 상기 제1 본딩 패드 및 상기 제2 본딩 패드는 각각 상기 제1 전극 제2 전극의 실장부와 전기적으로 연결된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting device comprising: a base including a support and a first electrode and a second electrode coupled to the support; And a light emitting diode mounted on the base. The support portion includes a first surface, a second surface opposite to the first surface, two sides, a front surface and a back surface, and the first electrode and the second electrode are respectively exposed on the front surface, And a connection portion connecting the mounting portion and the connection portion within the support portion, wherein the connection portion extends from the mounting portion toward the side of the support portion, And a second connection portion extending from the first connection portion toward the first surface of the support portion and connected to the connection portion, wherein the light emitting diode includes a nitride-based semiconductor laminate and the nitride- And a first bonding pad and a second bonding pad electrically connected to the laminate, wherein the first bonding pad and the second bonding pad each include a first bonding pad and a second bonding pad, Of pole mounting portion is electrically connected to the.

상기 전방면은 상기 발광 다이오드의 위치를 기준으로 상기 제1 면과 가까운 하부 영역, 상기 제2 면과 가까운 상부 영역 및 양 측부 영역을 포함한다. 여기서, 상기 발광 장치는 상기 상부 영역의 적어도 일부 영역에서 상기 발광 다이오드의 광의 출사 방향으로 연장되는 리플렉터를 더 포함할 수 있다. 또는 상기 발광 장치는 상기 상부 영역의 일부 및 상기 하부 영역의 일부에서 상기 발광 다이오드의 광의 출사 방향으로 연장되는 리플렉터를 더 포함할 수 있다.The front surface includes a lower region close to the first surface, an upper region close to the second surface, and both side regions based on the position of the light emitting diode. The light emitting device may further include a reflector extending in a direction in which light of the light emitting diode is emitted in at least a part of the upper region. Alternatively, the light emitting device may further include a reflector extending in a direction of emitting light of the light emitting diode in a part of the upper area and a part of the lower area.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 실시 형태의 발광 장치에 대해 설명한다. Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 사시도, 평면도 및 정면도이다. 구체적으로, 도 1은 상기 발광 다이오드의 사시도이고, 도 2는 도 1의 평면도이고, 도 3은 도 1의 정면도이다.1 to 3 are a perspective view, a plan view, and a front view for explaining a light emitting device according to an embodiment of the present invention. More specifically, FIG. 1 is a perspective view of the light emitting diode, FIG. 2 is a plan view of FIG. 1, and FIG. 3 is a front view of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 발광 장치는 지지부(23)에 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)이 결합된 구조의 베이스(10)와 상기 베이스(10) 상의 일면(23c)에 접속된 발광 다이오드(10)를 포함한다. 나아가, 상기 발광 장치는 발광 다이오드(10)에서 발광된 광의 지향성을 높이기 위한 리플렉터(24) 및 상기 발광 다이오드(10)를 보호하고 형광체를 포함할 수 있는 몰딩부(25)를 더 포함할 수 있다.1 to 3, a light emitting device according to the present invention includes a base 10 having a structure in which a first electrode 21 and a second electrode 22 are coupled to a support portion 23, And a light emitting diode 10 connected to the one surface 23c. The light emitting device may further include a reflector 24 for enhancing directivity of the light emitted from the light emitting diode 10 and a molding unit 25 for protecting the light emitting diode 10 and including a phosphor .

베이스(20)는 지지부(23)와, 상기 지지부에 매설된 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)을 포함한다.The base 20 includes a support portion 23 and a first electrode 21 and a second electrode 22 embedded in the support portion.

지지부(23)는, 대향하는 2개의 주면의 한쪽 면인 제1 면(23a)과, 대향하는 2개의 주면의 다른 쪽 면인 제2면(23b)과, 전방면(23c)과, 양 측면(23d)과 배면(23f)을 갖는다. 지지부(23)는, 예를 들어, 직육면체로 정의될 수 있다. The support portion 23 has a first surface 23a which is one surface of two opposed main surfaces and a second surface 23b which is the other surface of the two opposed main surfaces and a front surface 23c and both surfaces 23d And a back surface 23f. The support portion 23 can be defined, for example, as a rectangular parallelepiped.

제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 각각 발광 다이오드(10)(또는 발광칩)가 실장되기 위한 실장부(21a, 22b), 발광 장치가 인쇄회로기판과 전기적 연결되어 전원을 공급받기 위한 접속부(21c, 22c)를 포함한다. 또한, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22) 각각은 지지부(23) 내부에 매몰되어 실장부(21a, 22b)와 접속부(21c, 22c)를 전기적으로 연결하는 연결부(21b, 22b)를 더 포함한다.The first electrode 21 and the second electrode 22 are respectively provided with mounting portions 21a and 22b for mounting the light emitting diode 10 (or light emitting chip), and a light emitting device is electrically connected to the printed circuit board And connection portions 21c and 22c for receiving the data. Each of the first electrode 21 and the second electrode 22 is embedded in the support portion 23 to form connection portions 21b and 22b for electrically connecting the mounting portions 21a and 22b and the connection portions 21c and 22c, .

지지부(23)의 제1 면(23a)은 발광 장치의 실장면이 된다. 즉, 제1 면(23a)은 전자 장치의 인쇄회로 기판에 접하는 면이되고, 제1 면(23a) 상에 형성된 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)의 접속부(21c, 22c)가 인쇄회로기판과 전기적으로 연결된다. The first surface 23a of the support portion 23 becomes the mounting surface of the light emitting device. That is, the first surface 23a is a surface contacting the printed circuit board of the electronic device, and the connection portions 21c and 22c of the first electrode 21 and the second electrode 22 formed on the first surface 23a, Is electrically connected to the printed circuit board.

지지부(23)의 전방면(23c)은 발광 장치의 광이 출사되는 방향을 향한다. 전방면(23c)에 노출된 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)의 실장부(21a, 22a)에 발광 다이오드(10)가 실장된다. 여기서, 발광 다이오드(10)는 와이어 본딩 없이 실장부(21a, 22a)에 실장되어 전기적으로 연결될 수 있는 타입이다. 이는 접속을 위해 별도의 와이어 본딩이 요구되는 경우, 발광 장치의 소형화에 한계가 있기 때문이다. 이에 대한 상세한 내용은 후술한다. The front face 23c of the support portion 23 faces the direction in which light of the light emitting device is emitted. The light emitting diodes 10 are mounted on the mounting portions 21a and 22a of the first electrode 21 and the second electrode 22 exposed on the front surface 23c. Here, the light emitting diode 10 is mounted on the mounting portions 21a and 22a without wire bonding and can be electrically connected thereto. This is because there is a limit to miniaturization of the light emitting device when wire bonding is required for connection. Details thereof will be described later.

전방면(23c)의 적어도 일부 영역에 발광 다이오드(10)에서 출사되는 광의 지향성을 향상시키기 위한 리플렉터(24)가 형성될 수 있다. 리플렉터(24)는 전방면(23c)의 일부 영역에서 광의 출사 방향으로 길게 연장된 형태를 가질 수 있다. 리플렉터(24)는 발광 다이오드(10)에서 발광된 광의 직진성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 리플렉터(24)의 폭(d2)은 전방면(23c)의 폭(d1)과의 관계를 고려하여 일정범위로 제한될 수 있다. 이는 전방면(23c)에 발광 다이오드가 실장되기 위한 공간적 여유를 확보하기 위함이다. 예를 들어, 지지부(23)의 전방면(23c)의 폭(d1), 즉 제1 면(23a)과 제2 면(23b) 사이의 거리가 약 400㎛인 경우, 리플렉터(24)의 폭(d2)은 약 50㎛ 이하로 제한될 수 있다. 또한, 리플렉터(24)의 길이(d3)는 발광 장치가 인쇄회로기판 상에 실장될 때, 리플렉터(24) 방향으로 기울어지지 않고 안정되게 실장될 수 있도록 일정 범위 내로 제한된다. 예를 들어, 리플렉터(24)의 총 중량이 지지부(23)의 중량 보다 작은 조건이 만족되는 범위 내로 리플렉터(24)의 길이(d3)가 제한될 수 있다. 리플렉터(24)는 지지부(23)와 동일한 재질로 구성될 수 있으며, 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 리플렉터(24)는 지지부(23)와 다른 재질로 다른 공정을 통해 형성될 수도 있다.A reflector 24 for improving the directivity of light emitted from the light emitting diode 10 may be formed in at least a part of the front surface 23c. The reflector 24 may have a shape elongated in the direction of light emission in a part of the front surface 23c. The reflector 24 can improve the straightness of the light emitted from the light emitting diode 10. Here, the width d2 of the reflector 24 can be limited to a certain range in consideration of the relationship with the width d1 of the front surface 23c. This is to ensure a spatial margin for mounting the light emitting diode on the front surface 23c. For example, when the width d1 of the front surface 23c of the support portion 23, that is, the distance between the first surface 23a and the second surface 23b is about 400 m, the width of the reflector 24 (d2) may be limited to about 50 mu m or less. The length d3 of the reflector 24 is limited within a certain range so that it can be stably mounted without being inclined toward the reflector 24 when the light emitting device is mounted on the printed circuit board. For example, the length d3 of the reflector 24 can be limited to such a range that the condition that the total weight of the reflector 24 is smaller than the weight of the support portion 23 is satisfied. The reflector 24 may be made of the same material as the support portion 23 and may be formed through the same process. However, the present invention is not limited thereto, and the reflector 24 may be formed through a different process from that of the support 23.

전방면(23c)은 발광 다이오드(10)가 실장되는 위치를 기준으로, 제1 면(23a)에 가까운 하부 영역, 제2 면(23b)에 가까운 상부 영역 및 양 측부 영역으로 구분될 수 있다. 도 1 내지 3을 참조하면, 리플렉터(24)는 상기 상부 영역의 일부에서 발광 다이오드(10)의 광의 출사 방향으로 전방면(23c)으로부터 연장된다. 리플렉터(24)는 상부 영역을 따라 길게 형성된다. 이에 따라, 리플렉터(24)는 발광 다이오드(10)에서 출사된 광의 지향성을 향상시켜, 궁극적으로 광의 직진성을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 리플렉터(24)를 포함하는 발광 장치가 백라이트 유닛으로 적용되는 경우 핫 스팟(hot spot) 현상이 최소화될 수 있다. 또한, 발광 다이오드(10)에서 출사된 광이 리플렉터(24)에 의해 반사되어 백라이트 유닛에 포함된 도광판(미도시)으로 집중되는 효과를 기대할 수 있다.The front surface 23c may be divided into a lower region close to the first surface 23a, an upper region close to the second surface 23b, and both side regions, with reference to a position where the light emitting diode 10 is mounted. Referring to Figs. 1 to 3, the reflector 24 extends from the front surface 23c in the direction in which the light of the light emitting diode 10 emerges from a part of the upper region. The reflector 24 is elongated along the upper region. Accordingly, the reflector 24 improves the directivity of the light emitted from the light emitting diode 10, and ultimately can improve the straightness of the light. When the light emitting device including such a reflector 24 is applied as a backlight unit, hot spot phenomenon can be minimized. It is also expected that the light emitted from the light emitting diode 10 is reflected by the reflector 24 and concentrated on a light guide plate (not shown) included in the backlight unit.

다만, 리플렉터(24)의 형상은 이에 한정되지 않고, 발광 장치의 용도에 따라 발광 다이오드(10)에서 발광되는 광의 출사 범위를 조절할 수 있도록 다양하게 변경될 수 있다. 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 장치를 도시한다. However, the shape of the reflector 24 is not limited to this, and may be variously changed in order to control the emitting range of the light emitted from the light emitting diode 10 according to the use of the light emitting device. 5 shows a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 것과 같이 리플렉터(24)는 전방면(23c)에서 발광 다이오드(10)를 중심으로 상기 상부 영역과 하부 영역에서 대향 배치될 수 있다. 즉, 두 개의 리플렉터(24)가 발광 다이오드를 중심으로 전방면(23c)의 장축에 대향 배치 될 수 있다. 이 경우, 하나의 리플렉터(24)만 존재하는 경우에 비해, 전방면(23c)을 향한 광의 지향성, 직진성이 향상될 수 있다. 다만, 여기서 전방면(23c)의 양 단축에는 리플렉터(24)가 형성되지 않는다. 이는 발광 다이오드(10)에서 발광된 광의 측면(23d) 방향의 출사 범위를 최대한 넓히기 위함이다. 이러한 구조의 리플렉터(24)를 갖는 발광 장치가 백라이트 유닛으로 활용되는 경우, 블랙 스팟(black spot) 영역을 줄여주어, 전자 장치의 베젤(bezel)을 슬림화 하는데 기여할 수 있다. 궁극적으로, 전자 장치의 소형화에 기여할 수 있다.As shown in Fig. 5, the reflector 24 may be arranged to face the light emitting diode 10 at the front surface 23c in the upper region and the lower region. That is, the two reflectors 24 can be arranged to face the long axis of the front surface 23c with the light emitting diode as the center. In this case, directivity and straightness of the light toward the front face 23c can be improved as compared with the case where only one reflector 24 is present. However, the reflector 24 is not formed on both the short axes of the front surface 23c. This is to maximize the emission range of the light emitted from the light emitting diode 10 in the direction of the side surface 23d. When the light emitting device having the reflector 24 of such a structure is utilized as a backlight unit, it is possible to reduce the black spot area, thereby contributing to slimming down the bezel of the electronic device. Ultimately contributing to miniaturization of the electronic device.

지지부(23)의 성형 재료는, 예를 들어 열가소성 수지, 열 경화성수지 등을 포함하고, 구체적으로는 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카르보네이트 수지, 폴리페닐렌술피드(PPS), 액정 중합체(LCP), ABS 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등을 포함할 수 있다. 특히, 지지부(23)는 열가소성 수지를 포함할 수 있다.The molding material of the support portion 23 includes, for example, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and the like. Specifically, the supporting portion 23 may be formed of a material such as polyphthalamide (PPA), polycarbonate resin, polyphenylene sulfide (PPS) LCP), an ABS resin, an epoxy resin, a phenol resin, an acrylic resin, a PBT resin, and the like. In particular, the support portion 23 may include a thermoplastic resin.

베이스(20)는 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)을 포함한다. 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 전자 장치의 인쇄회로기판(미도시)에 연결되어 구동전원을 인가 받아, 상기 발광 다이오드(10)로 전달할 수 있다. 여기서, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 상호 전기적으로 절연된다.The base 20 includes a first electrode 21 and a second electrode 22. The first electrode 21 and the second electrode 22 may be connected to a printed circuit board (not shown) of the electronic device and may receive driving power and may transmit the driving power to the light emitting diode 10. Here, the first electrode 21 and the second electrode 22 are electrically insulated from each other.

도 4는 도 1의 발광 장치의 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)의 형상을 나타낸다. 도 4는 도 1의 발광 장치에서 발광 다이오드(10), 리플렉터(24) 및 몰딩부(25)가 제거된 상태를 나타내는 도면이다. Fig. 4 shows the shapes of the first electrode 21 and the second electrode 22 of the light emitting device of Fig. 4 is a view showing a state where the light emitting diode 10, the reflector 24 and the molding part 25 are removed from the light emitting device of FIG.

도 4를 참조하면, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 지지부(23)의 전방면(23c)에 노출되는 실장부(21a, 22a) 및 제1 면(23a)에 부분적으로 위치하는 접속부(21c, 22c)를 포함한다. 또한, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 지지부(23) 내부에 매몰되어 상기 실장부(21a, 22a)와 제2 실장부(21c, 22c)를 전기적으로 연결하는 연결부(21b, 22b)를 더 포함한다. 여기서, 실장부(21a, 22a), 연결부(21b, 22b) 및 접속부(21c, 22c)의 두께는 동일할 수 있다. 또한 상기 두께는 본 발명의 전극과 유사한 역할을 수행하는 종래의 리드들에 비해 매우 얇게 형성될 수 있어, 발광 장치의 소형화에 더 유리하게 작용되고, 그 형상의 변형이 용이할 수 있다.4, the first electrode 21 and the second electrode 22 are mounted on the mounting portions 21a and 22a and the first surface 23a exposed on the front surface 23c of the support portion 23, And includes connecting portions 21c and 22c positioned. The first electrode 21 and the second electrode 22 are buried in the support portion 23 to form a connection portion 21b for electrically connecting the mounting portions 21a and 22a to the second mounting portions 21c and 22c , 22b. Here, the thicknesses of the mounting portions 21a, 22a, the connecting portions 21b, 22b, and the connecting portions 21c, 22c may be the same. In addition, the thickness can be made very thin as compared with conventional leads which perform a role similar to the electrode of the present invention, so that it is more advantageous for miniaturization of the light emitting device, and its shape can be easily deformed.

지지부(23)의 전방면(23c)에서 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)의 실장부(21a, 22a)가 노출된다. 상기 실장부(21a, 22a) 상에 발광 다이오드(10)가 실장 될 수 있다. 여기서, 발광 다이오드(10)는 제1 전극(21)의 실장부(21a) 및/또는 제2 전극(22)의 실장부(22a)에 와이어 본딩되지 않고, 직접적으로 접속하는 형태의 칩이 될 수 있다. 따라서, 와이어 본딩을 통해 실장부(21a) 및/또는 실장부(22a)와 전기적으로 연결되는 기존의 방식과는 달리, 제1 전극(21)의 실장부(21a)와 제2 전극(22)의 실장부(22a)의 면적은 동일하거나 유사할 수 있다.The mounting portions 21a and 22a of the first electrode 21 and the second electrode 22 are exposed from the front face 23c of the support portion 23. [ The light emitting diode 10 may be mounted on the mounting portions 21a and 22a. Here, the light emitting diode 10 may be a chip that is directly connected to the mounting portion 21a of the first electrode 21 and / or the mounting portion 22a of the second electrode 22 without wire bonding . The mounting portion 21a and the second electrode 22 of the first electrode 21 are electrically connected to the mounting portion 21a and / or the mounting portion 22a through wire bonding, The area of the mounting portion 22a may be the same or similar.

제1 전극(21) 및 제2 전극(22)의 연결부(21b, 22b)는 지지부(23) 내부에 매립되어, 실장부(21a, 22a)와 접속부(21c, 22c)를 각각 연결한다. 연결부(21b, 22b)는 실장부(21a, 22a)로부터 지지부(23)의 측면(23d) 하단방향으로 연장되는 제1 연결부(21b-1, 22b-1)와, 상기 제1 연결부(21b-1, 22b-1)와 연결되고 제1 면(23a) 방향으로 연장되어 접속부(21c, 22c)와 연결되는 제2 연결부(21b-2, 22b-2)를 포함한다. 여기서, 제1 연결부(21b-1, 22b-1)는 실장부(21a, 22a)의 최측부와 연결되고, 제2 연결부(21b-2, 22b-2)는 접속부(21c, 22c)의 최상부와 연결될 수 있다. 또한, 제1 연결부(21b-1, 22b-1)는 지지부(23)의 전방면(23c)을 기준으로 배면(23f)를 향해 기울어진 형상을 갖고, 반면 제2 연결부(21b-2, 22b-2)는 전방면(23c) 및 배면(23f)을 기준으로 수평한 형상을 가질 수 있다.The connection portions 21b and 22b of the first electrode 21 and the second electrode 22 are embedded in the support portion 23 to connect the mounting portions 21a and 22a to the connection portions 21c and 22c. The connecting portions 21b and 22b include first connecting portions 21b-1 and 22b-1 extending from the mounting portions 21a and 22a to the lower end of the side surface 23d of the supporting portion 23, And second connection portions 21b-2 and 22b-2 connected to the connection portions 21c and 22c by extending in the direction of the first surface 23a. The first connecting portions 21b-1 and 22b-1 are connected to the outermost portions of the mounting portions 21a and 22a and the second connecting portions 21b-2 and 22b-2 are connected to the uppermost portions of the connecting portions 21c and 22c. Lt; / RTI > The first connection portions 21b-1 and 22b-1 are inclined toward the rear surface 23f with respect to the front surface 23c of the support portion 23, while the second connection portions 21b-2 and 22b- -2 may have a horizontal shape with respect to the front surface 23c and the back surface 23f.

접속부(21c, 22c)는 발광 장치가 인쇄회로기판에 실장되는 경우, 인쇄회로 기판과 전기적으로 연결될 수 있고, 그 결과 발광 다이오드(10)에 전원이 공급될 수 있다. 접속부(21c, 22c)는 제1 면(23a) 상의 일부 영역에 위치할 수 있다. 접속부(21c, 22c)는 상위층(21c-1, 22c-1) 및 하위층(21c-2, 22c-2)을 포함하는 계단 형상을 가질 수 있다. 접속부(21c, 22c)의 상위층(21c-1, 22c-1)은 제2 연결부(21b-2, 22b-2)와 연결된다. 제2 연결부(21b-2, 22b-2)는 지지부(23)의 전방면(23c)으로부터 수정의 깊이에서 전방면(23c)과 수평하게 형성되어 있고, 접속부(21c, 22c)의 상위층(21c-1, 22c-1)의 최상단은 제2 연결부(21b-2, 22b-2)와 같은 높이로 형성될 수 있다. The connection portions 21c and 22c can be electrically connected to the printed circuit board when the light emitting device is mounted on the printed circuit board, so that the light emitting diode 10 can be powered. The connection portions 21c and 22c may be located in a partial area on the first surface 23a. The connection portions 21c and 22c may have a stepped shape including the upper layers 21c-1 and 22c-1 and the lower layers 21c-2 and 22c-2. The upper layers 21c-1 and 22c-1 of the connecting portions 21c and 22c are connected to the second connecting portions 21b-2 and 22b-2. The second connection portions 21b-2 and 22b-2 are formed horizontally from the front face 23c of the support portion 23 at the depth of the crystal at the depth of the crystal front face 23c, and the upper layers 21c -1, and 22c-1 may be formed at the same height as the second connection portions 21b-2 and 22b-2.

접속부(21c, 22c)의 하위층(21c-2, 22c-2)은 상위층(21c-1, 22c-1)으로부터 연장되고, 그 폭(d5)은 상위층(21c-1, 22c-1)의 폭(d4) 보다 더 크다. 하위층(21c-2, 22c-2)은 가로 방향으로는 제1 면(23a)의 최 측면까지 연장되고, 세로 방향으로는 제1 면(23a)의 최 하면까지 연장될 수 있다. The lower layers 21c-2 and 22c-2 of the connecting portions 21c and 22c extend from the upper layers 21c-1 and 22c-1 and the width d5 thereof is larger than the width of the upper layers 21c-1 and 22c- (d4). The lower layers 21c-2 and 22c-2 may extend to the flank of the first surface 23a in the transverse direction and extend to the lowermost surface of the first surface 23a in the longitudinal direction.

이와 같이 접속부(21c, 22c)의 하위층(21c-2, 22c-2)의 넓이를 충분히 크게 함으로써, 발광 장치가 인쇄회로 기판에 실장되는 경우 땜납에 의한 접합이 충분이 이루어 질 수 있도록 할 수 있다. 또한 접속부(21c, 22c)가 계단 형상을 가짐으로써, 발광 장치가 인쇄회로기판 상에서 비틀어지거나 치우쳐지는 현상을 방지하는 스토퍼 역할을 할 수 있다. 다만, 접속부(21c, 22c)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 접속부(21c, 22c)의 하위층(21c-2, 22c-2)은 지지부(23)의 양 측면(23d)의 일부 영역까지 연장될 수 있다. By sufficiently enlarging the widths of the lower layers 21c-2 and 22c-2 of the connecting portions 21c and 22c as described above, sufficient bonding can be achieved by soldering when the light emitting device is mounted on the printed circuit board . In addition, since the connecting portions 21c and 22c have a stepped shape, they can serve as stoppers for preventing the light emitting device from being twisted or biased on the printed circuit board. However, the shapes of the connecting portions 21c and 22c are not limited thereto. For example, the lower layers 21c-2 and 22c-2 of the connecting portions 21c and 22c may extend to a partial area of both sides 23d of the supporting portion 23. [

제1 전극(21)의 실장부(21a), 연결부(21b) 및 접속부(21c)는 동일한 공정을 통해 동일한 재료로 형성될 수 있다. 또한 제2 전극(22)의 실장부(22a), 연결부(22b) 및 접속부(22c)는 동일한 공정을 통해 동일한 재료로 형성될 수 있다. 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은, 예를 들어 알루미늄, 철, 니켈, 구리, 구리 합금, 스테인레스강, 인바 합금을 포함하는 철 합금 등 중 어느 하나 이상을 포함하는 도전성 재료를 사용하여 구성될 수 있다.The mounting portion 21a, the connecting portion 21b, and the connecting portion 21c of the first electrode 21 may be formed of the same material through the same process. The mounting portion 22a, the connecting portion 22b, and the connecting portion 22c of the second electrode 22 may be formed of the same material through the same process. The first electrode 21 and the second electrode 22 may be formed of a conductive material containing at least one of aluminum, iron, nickel, copper, a copper alloy, stainless steel, an iron alloy including an invar alloy, ≪ / RTI >

발광 다이오드(10)는 광을 방출시키기 위한 질화물계 반도체 적층(미도시)을 포함하고, 또한 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)에 접속되기 위한 접속 패드 또는 본딩 패드(미도시)를 포함한다. 또한 발광 다이오드(10)는 광의 파장을 변화시키기 위한 파장 변환층(미도시)을 더 포함할 수 있다.The light emitting diode 10 includes a nitride-based semiconductor laminate (not shown) for emitting light and further includes a connection pad or a bonding pad (not shown) for connecting to the first electrode 21 and the second electrode 22, . The light emitting diode 10 may further include a wavelength conversion layer (not shown) for changing the wavelength of light.

질화물계 반도체 적층은 n형 도전형 반도체층, p 형 도전형 반도체층 및 그 사이에 위치하는 활성층을 포함한다. n형 도전형 반도체층은 n형 도전형 도펀트가 도핑된 반도체층이다. 상기 n형 도전형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, n형 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 활성층은 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물(MQW) 구조로 형성될 수 있다. 즉, 3족-5족 화합물 반도체 재료를 이용하여 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 활성층은 n형 도전형 반도체층에서 공급되는 캐리어(전자)와 p형 도전형 반도체층에서 공급되는 캐리어(정공)가 재결합하면서 광을 발생 시킨다. p형 도전형 반도체층은 p형 도전형 도펀트가 도핑된 반도체층이며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. P형 도전형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, p형 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 중 1종 이상을 포함할 수 있다.The nitride-based semiconductor laminate includes an n-type conductivity-type semiconductor layer, a p-type conductivity-type semiconductor layer, and an active layer located therebetween. The n-type conductivity type semiconductor layer is a semiconductor layer doped with an n-type conductivity type dopant. The n-type conductivity type semiconductor layer may include at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN and InAlGaN. The n-type conductivity type dopant may include at least one of Si, Ge, Sn, have. The active layer may be formed in a single quantum well or a multiple quantum well (MQW) structure. That is, it may be formed of at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, and InAlGaN using a Group III-V compound semiconductor material. The active layer generates light while the carriers (electrons) supplied from the n-type conductivity type semiconductor layer and the carriers (holes) supplied from the p-type conductivity type semiconductor layer are recombined. The p-type conductivity-type semiconductor layer is a semiconductor layer doped with a p-type conductivity-type dopant and may be formed as a single layer or a multilayer. The p-type conductivity type semiconductor layer may be formed of at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN and InAlGaN, and the p-type conductivity type dopant may include at least one of Mg, Zn, Ca, Sr, .

발광 다이오드(10)는 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)과 전기적 접속을 위한 제1 및 제2 본딩 패드(또는 접속 패드)를 포함한다. 즉, 발광 다이오드(10)는 상기 제1 및 제2 본딩 패드를 통해 직접적으로 제1 전극(21) 및 제2 전극(22) 모두에 접속하므로 상기 제1 전극 및/또는 제2 전극(22)과 접속되기 위해 별도의 와이어 본딩이 요구되지 않는다. 여기서 본딩 패드 또는 접속 패드라고 함은, 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층과 전기적으로 연결되고 와이어 본딩 방식이 아닌 직접 접촉 방식에 의해 상기 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)과 접속하는 수단을 의미한다. The light emitting diode 10 includes first and second bonding pads (or connection pads) for electrical connection with the first electrode 21 and the second electrode 22. That is, since the light emitting diode 10 is directly connected to both the first electrode 21 and the second electrode 22 through the first and second bonding pads, the first electrode and / or the second electrode 22, No separate wire bonding is required. Here, the bonding pads or connection pads are electrically connected to the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer and are electrically connected to the first and second electrodes 21 and 22 by a direct contact method, Means means for connection.

발광 다이오드(10)는 적어도 한 종류 이상의 형광체를 포함하는 파장 변환층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 형광체의 종류를 특별히 제한되지 않으며, 발광 다이오드(10)과 방출하는 광의 파장 및 발광 장치의 최종 희망 파장을 고려하여 다양하게 결정될 수 있다. 예를 들어, 백색광의 구현을 위해 다양한 형광체가 이용될 수 있다. 파장 변환층은 질화물계 반도체 적층의 상면을 덮거나 또는 상면을 덮고 측면까지 감싸는 구조를 가질 수 있다.The light emitting diode 10 may further include a wavelength conversion layer (not shown) including at least one kind of phosphor. Here, the kind of the phosphor is not particularly limited and can be variously determined in consideration of the wavelength of the light emitted from the light emitting diode 10 and the final desired wavelength of the light emitting device. For example, various phosphors can be used for the implementation of white light. The wavelength conversion layer may have a structure of covering the upper surface of the nitride-based semiconductor laminate or covering the upper surface and covering the upper surface.

기타 발광 다이오드(10)는 상기 질화물계 반도체 적층의 성장을 위한 기판, 기판과 질화물계 반도체 적층 사이의 격자상수 차이에 의한 변형 방지를 위한 버퍼 등을 더 포함할 수 있다.The other light emitting diode 10 may further include a substrate for growing the nitride semiconductor stack, a buffer for preventing deformation due to a difference in lattice constant between the substrate and the nitride semiconductor stack, and the like.

그리고, 발광 장치는 상기 베이스(20)에 상기 발광 다이오드(10)를 봉지하는 몰딩부(25)를 더 포함할 수 있다. 몰딩부(25)는 발광 다이오드(10)를 봉지하여 보호하기 위한 것으로서, 형성 방법 및 형상은 다양하게 구현할 수 있다. 통상 몰딩부(25)는 열경화성 수지인 투명한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 형성된다. 이때 상기 몰딩부(25)가 도 1에 도시된 것처럼 단일 리플렉터(25)를 기초구조물로 하여 형성되는 경우, 또는 도 5에 도시된 것처럼 양측부가 개구된 리플렉터(25) 내에 형성되는 경우에는 트랜스퍼 성형법으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기와 같이 몰딩부(25)를 트랜스퍼 성형법에 의해 형성하는 경우에는 상기 몰딩부(25)의 성형 시 상기 베이스(20)의 열적 변형 내지 손상을 방지하기 위하여 상기 베이스(20) 및 몰딩부(25)를 열경화성 수지로 형성하는 것이 바람직할 것이다. 하지만 이에 한정되지 않고, 발광 장치의 용도에 따라 광이 투과될 수 있을 정도로 투명한 수지라면 어떠한 재료가 사용되어도 무방하고, 각 재료를 성형할 수 있는 다양한 성형기법이 사용될 수 있을 것이다. The light emitting device may further include a molding part 25 for sealing the light emitting diode 10 to the base 20. The molding part 25 is for sealing and protecting the light emitting diode 10, and can be formed in various ways and shapes. Usually, the molding part 25 is formed of a transparent silicone resin or an epoxy resin, which is a thermosetting resin. When the molding part 25 is formed as a base structure of the single reflector 25 as shown in Fig. 1, or when the both side parts are formed in the opened reflector 25 as shown in Fig. 5, As shown in Fig. When the molding part 25 is formed by the transfer molding method as described above, the base 20 and the molding part 25 are formed in order to prevent the base 20 from being thermally deformed or damaged at the time of molding the molding part 25. [ ) Is preferably formed of a thermosetting resin. However, the present invention is not limited thereto, and any material may be used as long as it is transparent enough to transmit light according to the use of the light emitting device, and various molding techniques for molding each material may be used.

이상에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술사상으로부터 벗어나지 않은 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, I can understand.

Claims (16)

지지부와 상기 지지부에 결합된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 베이스; 및
상기 베이스에 실장되는 발광 다이오드를 포함하고,
상기 지지부는 제1 면과 상기 제1 면에 대향하는 제2 면, 두 측면 및 전방면과 배면을 포함하고,
상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 상기 전방면에 노출되는 실장부, 상기 제1 면의 일부 영역에 위치하는 접속부 및 상기 지지부 내부에서 상기 실장부와 접속부를 연결하는 연결부를 포함하고,
상기 발광 다이오드는 상기 제1 전극 및 제2 전극의 실장부와 전기적으로 연결되는 발광 장치.A base including a support and a first electrode and a second electrode coupled to the support; And
And a light emitting diode mounted on the base,
The support portion includes a first side and a second side opposite the first side, two sides and a front side and a back side,
Wherein each of the first electrode and the second electrode includes a mounting portion exposed on the front surface, a connection portion located on a partial area of the first surface, and a connection portion connecting the mounting portion and the connection portion inside the support portion,
Wherein the light emitting diode is electrically connected to the mounting portions of the first electrode and the second electrode. 청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드는,
n형 도전형 반도체층, p형 도전형 반도체층 및 그 사이에 개재된 활성층을 포함하는 질화물계 반도체 적층; 및
각각 상기 n형 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩 패드 및 p형 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 본딩 패드를 포함하는 발광 장치.The method according to claim 1,
The light-
a nitride-based semiconductor laminate including an n-type conductivity-type semiconductor layer, a p-type conductivity-type semiconductor layer, and an active layer interposed therebetween; And
A first bonding pad electrically connected to the n-type conductivity semiconductor layer, and a second bonding pad electrically connected to the p-type conductivity semiconductor layer. 청구항 2에 있어서,
상기 제1 및 제2 본딩 패드는 각각 상기 두 개의 실장부에 직접적으로 연결되는 발광 장치.The method of claim 2,
Wherein the first and second bonding pads are directly connected to the two mounting portions, respectively. 청구항 3에 있어서,
상기 두 개의 실장부의 넓이는 동일한 발광 장치.The method of claim 3,
And the widths of the two mounting portions are the same. 청구항 1에 있어서, 상기 연결부는:
상기 실장부로부터 상기 지지부의 측면을 향해 연장되고, 상기 전방면을 기준으로 기울기를 갖는 제1 연결부; 및
상기 제1 연결부로부터 상기 지지부의 상기 제1 면을 향해 연장되고, 상기 접속부와 연결되는 제2 연결부를 포함하는 발광 장치. The connector according to claim 1,
A first connection portion extending from the mounting portion toward a side surface of the support portion and having a slope with respect to the front surface; And
And a second connection portion extending from the first connection portion toward the first surface of the support portion and connected to the connection portion. 청구항 5에 있어서,
상기 접속부는 상위층 및 하위층을 포함하는 계단 형상을 갖고, 상기 하위층의 폭은 상기 상위층의 폭보다 더 큰 발광 장치.The method of claim 5,
Wherein the connection portion has a stepped shape including an upper layer and a lower layer, the width of the lower layer being larger than the width of the upper layer. 청구항 6에 있어서,
상기 제2 연결부는 상기 상위층에 연결되는 발광 장치.The method of claim 6,
And the second connection portion is connected to the upper layer. 청구항 6에 있어서,
상기 하위층은 상기 지지부의 측면의 일부 영역까지 연장되는 발광 장치.The method of claim 6,
And the lower layer extends to a part of the side surface of the support portion. 청구항 1에 있어서,
상기 전방면의 일부 영역으로부터 상기 발광 다이오드의 광의 출사 방향으로 연장되는 리플렉터를 더 포함하는 발광 장치.The method according to claim 1,
And a reflector extending from a part of the front surface in a direction in which light of the light emitting diode emerges. 청구항 9에 있어서,
상기 전방면은 상기 발광 다이오드의 위치를 기준으로 상기 제1 면과 가까운 하부 영역, 상기 제2 면과 가까운 상부 영역 및 양 측부 영역을 포함하고,
상기 리플렉터는 상기 상부 영역의 적어도 일부 영역에서 상기 발광 다이오드의 광의 출사 방향으로 연장되는 발광 장치. The method of claim 9,
Wherein the front surface includes a lower region close to the first surface, an upper region close to the second surface, and both side regions based on the position of the light emitting diode,
Wherein the reflector extends in at least a part of the upper region in a direction of emitting light of the light emitting diode. 청구항 9에 있어서,
상기 전방면은 상기 발광 다이오드의 위치를 기준으로 상기 제1 면과 가까운 하부 영역, 상기 제2 면과 가까운 상부 영역 및 양 측부 영역을 포함하고,
상기 리플렉터는 상기 상부 영역의 일부 및 상기 하부 영역의 일부에서 상기 발광 다이오드의 광의 출사 방향으로 연장되는 발광 장치.The method of claim 9,
Wherein the front surface includes a lower region close to the first surface, an upper region close to the second surface, and both side regions based on the position of the light emitting diode,
Wherein the reflector extends in a part of the upper region and a part of the lower region in a direction in which light of the light emitting diode emits. 청구항 9에 있어서,
상기 리플렉터는 상기 지지부와 동일한 물질로 구성되고, 동일한 공정을 통해 형성되는 발광 장치. The method of claim 9,
Wherein the reflector is formed of the same material as the support portion and is formed through the same process. 청구항 9에 있어서,
상기 발광 다이오드를 덮는 몰딩부를 더 포함하는 발광 장치.The method of claim 9,
And a molding part covering the light emitting diode. 지지부와 상기 지지부에 결합된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 베이스; 및
상기 베이스에 실장되는 발광 다이오드를 포함하고,
상기 지지부는 제1 면과 상기 제1 면에 대향하는 제2 면, 두 측면 및 전방면과 배면을 포함하고,
상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 상기 전방면에 노출되는 실장부, 상기 제1 면의 일부 영역에 위치하는 접속부 및 상기 지지부 내부에서 상기 실장부와 접속부를 연결하는 연결부를 포함하고,
상기 연결부는 상기 실장부로부터 상기 지지부의 측면을 향해 연장되고, 상기 전방면을 기준으로 기울기를 갖는 제1 연결부 및 상기 제1 연결부로부터 상기 지지부의 상기 제1 면을 향해 연장되고, 상기 접속부와 연결되는 제2 연결부를 포함하고,
상기 발광 다이오드는 질화물계 반도체 적층 및 상기 질화물계 반도체 적층과 전기적으로 연결되는 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드를 포함하고,
상기 제1 본딩 패드 및 상기 제2 본딩 패드는 각각 상기 제1 전극 제2 전극의 실장부와 전기적으로 연결되는 발광 장치.A base including a support and a first electrode and a second electrode coupled to the support; And
And a light emitting diode mounted on the base,
The support portion includes a first side and a second side opposite the first side, two sides and a front side and a back side,
Wherein the first electrode and the second electrode each include a mounting portion exposed on the front surface, a connection portion located on a partial area of the first surface, and a connection portion connecting the mounting portion and the connection portion inside the support portion,
Wherein the connection portion extends from the mounting portion toward the side surface of the support portion and has a first connection portion having a slope with respect to the front surface and a second connection portion extending from the first connection portion toward the first surface of the support portion, And a second connecting portion,
Wherein the light emitting diode includes a nitride semiconductor laminate and a first bonding pad and a second bonding pad electrically connected to the nitride semiconductor laminate,
Wherein the first bonding pad and the second bonding pad are electrically connected to the mounting portion of the first electrode second electrode, respectively. 청구항 14에 있어서,
상기 전방면은 상기 발광 다이오드의 위치를 기준으로 상기 제1 면과 가까운 하부 영역, 상기 제2 면과 가까운 상부 영역 및 양 측부 영역을 포함하고,
상기 상부 영역의 적어도 일부 영역에서 상기 발광 다이오드의 광의 출사 방향으로 연장되는 리플렉터를 더 포함하는 발광 장치. 15. The method of claim 14,
Wherein the front surface includes a lower region close to the first surface, an upper region close to the second surface, and both side regions based on the position of the light emitting diode,
And a reflector extending in a direction in which light of the light emitting diode emerges from at least a part of the upper region. 청구항 14에 있어서,
상기 전방면은 상기 발광 다이오드의 위치를 기준으로 상기 제1 면과 가까운 하부 영역, 상기 제2 면과 가까운 상부 영역 및 양 측부 영역을 포함하고,
상기 상부 영역의 일부 및 상기 하부 영역의 일부에서 상기 발광 다이오드의 광의 출사 방향으로 연장되는 리플렉터를 더 포함하는 발광 장치.15. The method of claim 14,
Wherein the front surface includes a lower region close to the first surface, an upper region close to the second surface, and both side regions based on the position of the light emitting diode,
And a reflector extending in a direction in which light of the light emitting diode is emitted in a part of the upper region and a part of the lower region.
KR1020160139450A 2016-10-25 2016-10-25 Light emitting device KR102624115B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160139450A KR102624115B1 (en) 2016-10-25 2016-10-25 Light emitting device
PCT/KR2017/011709 WO2018080117A2 (en) 2016-10-25 2017-10-23 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160139450A KR102624115B1 (en) 2016-10-25 2016-10-25 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180045402A true KR20180045402A (en) 2018-05-04
KR102624115B1 KR102624115B1 (en) 2024-01-12

Family

ID=62023862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160139450A KR102624115B1 (en) 2016-10-25 2016-10-25 Light emitting device

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102624115B1 (en)
WO (1) WO2018080117A2 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100839122B1 (en) * 2006-12-21 2008-06-20 서울반도체 주식회사 Side view type led lamp and its fabricating method and light emittid apparatus comprising the same
KR20080108564A (en) * 2006-04-12 2008-12-15 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Light emitting device and its manufacturing method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100875701B1 (en) * 2008-06-12 2008-12-23 알티전자 주식회사 Light emitting didode package
TWM401871U (en) * 2010-09-14 2011-04-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light emitting diode lead frame
KR101403247B1 (en) * 2013-01-31 2014-06-02 선순요 Led package and fabricating method
KR20160093370A (en) * 2015-01-29 2016-08-08 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package and lighting device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080108564A (en) * 2006-04-12 2008-12-15 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Light emitting device and its manufacturing method
KR100839122B1 (en) * 2006-12-21 2008-06-20 서울반도체 주식회사 Side view type led lamp and its fabricating method and light emittid apparatus comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018080117A3 (en) 2018-08-09
KR102624115B1 (en) 2024-01-12
WO2018080117A2 (en) 2018-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10559734B2 (en) Light emitting device package and light unit including the same
US9882104B2 (en) Light emitting device package having LED disposed in lead frame cavities
US9520383B2 (en) Light emitting device package and lighting system
US9246074B2 (en) Light emitting device
US9029899B2 (en) Light emitting device and light emitting device package
EP1843403B1 (en) Light emitting unit and lighting apparatus
US8748913B2 (en) Light emitting diode module
US9356200B2 (en) Light emitting device package
KR101905527B1 (en) Light unit and display device
US9035325B2 (en) Light emitting device package and lighting system
US10608153B2 (en) Light emitting device package and light emitting apparatus having the same
KR20130028288A (en) Light emitting device package, light unit, and display device
KR101923688B1 (en) Light emitting device package and light unit
KR101886073B1 (en) Light emitting device and light unit having thereof
US8395180B2 (en) Light emitting device package
KR20180045402A (en) Light emitting device
KR101865932B1 (en) The light emitting device package and the light emitting system
KR101872521B1 (en) Light emitting device package and lighting system having the same
KR101840031B1 (en) Light emitting apparatus
KR101936213B1 (en) Light emitting device and light unit having thereof
KR20130028289A (en) Light emitting device package and light unit
KR101886068B1 (en) Light emitting device package
KR20120044112A (en) Light emitting device package and lighting unit
KR20180129714A (en) Light emitting device package and light unit
KR20120134957A (en) Light unit and light emitting apparatus having thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant