KR20160093370A - Light emitting device package and lighting device - Google Patents

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KR20160093370A
KR20160093370A KR1020150014273A KR20150014273A KR20160093370A KR 20160093370 A KR20160093370 A KR 20160093370A KR 1020150014273 A KR1020150014273 A KR 1020150014273A KR 20150014273 A KR20150014273 A KR 20150014273A KR 20160093370 A KR20160093370 A KR 20160093370A
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light emitting
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light
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진보람
이은선
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

An embodiment of the present invention relates to a light emitting device package and a lighting apparatus. The light emitting device package of the embodiment includes: a light emitting device; a body including a receiving groove in which the light emitting device is mounted; and a junction layer located in the receiving groove. The junction layer can be interposed between the receiving groove and the light emitting device.

Description

발광 소자 패키지 및 조명 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING DEVICE [0002]

실시 예는 발광 소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package and a lighting apparatus.

발광 소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.Light Emitting Device is a pn junction diode whose electrical energy is converted into light energy. It can be produced from compound semiconductor such as group III and group V on the periodic table and by controlling the composition ratio of compound semiconductor, It is possible.

GaN 계열의 발광 소자(LED)는 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다. 최근, 고효율 백색 LED의 발광 효율(luminous efficiency)은 통상의 형광램프의 효율보다 우수하여 일반 조명 분야에서도 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있다.GaN-based light emitting devices (LEDs) are used in various applications such as color LED display devices, LED traffic signals, and white LEDs. In recent years, the luminous efficiency of a high efficiency white LED is superior to the efficiency of a conventional fluorescent lamp, and is expected to replace a fluorescent lamp in a general illumination field.

종래의 발광 소자는 기판 상에 발광 소자가 실장되고, 외부의 정전기와 같은 고전압에 전극들 가장자리에 집중되는 전류 밀집 현상에 의해 전극이 파손되는 문제가 있었다. 특히, 종래의 발광 소자는 높은 구동전압을 이용하는 자외선 발광 소자에서 전류 밀집 현상에 의해 전극의 가장자리가 파손되는 문제가 있었다.The conventional light emitting device has a problem that the light emitting device is mounted on the substrate and the electrode is broken due to the current concentration phenomenon concentrated at the edges of the electrodes at a high voltage such as an external static electricity. In particular, the conventional light emitting device has a problem that the edge of the electrode is damaged by the current densification phenomenon in the ultraviolet light emitting device using a high driving voltage.

실시 예는 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package and a lighting device capable of improving light efficiency.

실시 예는 방열이 우수한 발광 소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting apparatus having excellent heat dissipation.

실시 예에 의한 발광 소자는 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층의 상에 위치한 활성층, 및 활성층 상에 위치한 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치한 제1 전극 패드; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 위치한 제2 전극 패드; 및 상기 제1 전극 패드 및 상기 제2 전극 패드 중 적어도 하나의 가장자리와 중첩되는 전류 차단 패턴을 포함할 수 있다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer disposed on the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer disposed on the active layer; A first electrode pad disposed on the first conductive semiconductor layer; A second electrode pad disposed on the second conductive semiconductor layer; And a current blocking pattern overlapping the edge of at least one of the first electrode pad and the second electrode pad.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 상기 발광 소자를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include the light emitting device.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 광을 흡수하는 발광 소자의 지지부재 및 제2 전극 패드가 몸체의 수용홈에 수용되므로 광 손실을 최소화할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 광 효율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.In the light emitting device package according to the embodiment, since the support member and the second electrode pad, which absorb light, are accommodated in the receiving groove of the body, the light loss can be minimized. Therefore, the light emitting device package according to the embodiment has an advantage of improving the light efficiency.

또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 소자로부터 발생된 열이 접합층과 수용홈을 통해서 몸체에 직접 전도되므로 방열이 우수한 장점을 갖는다. In addition, since the heat generated from the light emitting device is directly conducted to the body through the bonding layer and the receiving groove, the light emitting device package according to the embodiment has an advantage of excellent heat dissipation.

더욱이 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 소자의 지지부재 및 제2 전극 패드가 상기 수용홈에 수용되고, 상기 수용홈과 지지부재 및 제2 전극 패드 사이에 접합층이 개재되어 일반적인 발광 소자 패키지 보다 발광 소자와 본체의 넓은 접촉 면적으로 방열이 우수한 장점을 갖는다.Further, in the light emitting device package according to the embodiment, the supporting member and the second electrode pad of the light emitting element are accommodated in the receiving groove, and the bonding layer is interposed between the receiving groove and the supporting member and the second electrode pad, The light emitting element has a wide contact area with the main body and has excellent heat dissipation.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 3은 실시 예에 따른 도 1의 발광 소자를 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 6은 실시 예의 발광 소자 패키지를 포함하는 에지 방식의 백라이트 유닛을 갖는 표시장치를 도시한 사시도이다.
도 7은 실시 예의 발광 소자 패키지를 포함하는 직하 방식의 백라이트 유닛을 갖는 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package cut along the line I-I 'of FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating the light emitting device of FIG. 1 according to an embodiment.
4 and 5 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.
6 is a perspective view showing a display device having an edge type backlight unit including the light emitting device package of the embodiment.
7 is a cross-sectional view showing a display device having a backlight unit of a direct-type type including the light emitting device package of the embodiment.
8 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 대해서 상세하게 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
Hereinafter, a light emitting device and a light emitting device package according to embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " include both being formed" directly "or" indirectly " Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이고, 도 3은 실시 예에 따른 도 1의 발광 소자를 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package cut along a line I-I 'of FIG. 1, Sectional view showing the light emitting element.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 몸체(230) 및 발광 소자(100)를 포함한다.Referring to FIGS. 1 to 3, a light emitting device package 200 according to an embodiment includes a body 230 and a light emitting device 100.

상기 몸체(230)는 상부가 개방된 캐비티(231)를 포함하고, 상기 캐비티(231)의 바닥면에 수용홈(233)을 포함한다. 상기 몸체(230)는 복수의 절연층의 적층 구조로 형성될 수 있다. 상기 몸체(230)의 재질은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, 또는 AlN일 수 있으고, 복수의 세라믹 층의 적층 구조를 포함할 수 있다.The body 230 includes a cavity 231 having an open top and a receiving groove 233 on the bottom surface of the cavity 231. The body 230 may have a laminated structure of a plurality of insulating layers. The material of the body 230 may be SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , or AlN, . ≪ / RTI >

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 몸체(230)가 전기 전도성 재질로 형성된 경우, 상기 몸체(230)는 표면에 절연층을 포함할 수 있다. 상기 절연층은 발광 소자(100)의 상이한 전극 사이의 쇼트(Short)를 방지할 수 있다.Although not shown in the drawings, when the body 230 is formed of an electrically conductive material, the body 230 may include an insulating layer on its surface. The insulating layer can prevent a short between the different electrodes of the light emitting device 100.

상기 몸체(230)는 복수의 리드 전극(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 리드 전극은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au) 등을 적어도 하나 포함하는 금속으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 복수의 리드 전극은 도금 방식, 증착 방식, 포토리소그래피 등을 이용하여 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 230 may include a plurality of lead electrodes (not shown). The lead electrode may be formed of a metal containing at least one of titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au) The plurality of lead electrodes may be selectively formed using a plating method, a deposition method, a photolithography method, or the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(230)의 캐비티(231)에는 몰딩부(240)를 포함하고, 몰딩부(240)는 상기 발광 소자(100) 상에 위치하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 상기 몰딩부(240)는 형광체가 포함하고, 상기 형광체는 상기 발광 구조체(20)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The cavity 231 of the body 230 may include a molding part 240 and the molding part 240 may be positioned on the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. The molding part 240 may include a phosphor, and the phosphor may change the wavelength of the light emitted from the light emitting structure 20.

상기 수용홈(233)은 상기 발광 소자(100)를 수용할 수 있다. 상기 수용홈(233)과 상기 발광 소자(100) 사이에는 접합층(250)을 포함한다. 상기 수용홈(233)은 리드 전극이 노출될 수 있고, 상기 노출된 리드 전극 상에 발광 소자(100)가 실장될 수 있다.The receiving groove 233 can receive the light emitting device 100. A bonding layer 250 is formed between the receiving groove 233 and the light emitting device 100. The lead electrode may be exposed in the receiving groove 233, and the light emitting device 100 may be mounted on the exposed lead electrode.

상기 수용홈(233)의 깊이(D)는 상기 발광 소자(100)의 높이의 70% 이상일 수 있다.The depth D of the receiving groove 233 may be 70% or more of the height of the light emitting device 100.

상기 접합층(250)은 실버 페이스트(Ag paste)와 같은 열 전도성이 높은 페이스트를 이용하여 상기 몸체(230)와 상기 발광 소자(100)를 접합할 수 있다.The bonding layer 250 may bond the body 230 to the light emitting device 100 using a paste having high thermal conductivity such as silver paste.

상기 수용홈(233)과 상기 발광 소자(100) 사이의 간격은 5~30일 수 있다. 즉, 상기 접합층(250)은 5~30의 두께를 가질 수 있다.The distance between the receiving groove 233 and the light emitting device 100 may be 5 to 30 mm. That is, the bonding layer 250 may have a thickness of 5 to 30.

상기 접합층(250)의 일면은 상기 발광 소자(100)와 직접 접촉될 수 있고, 상기 접합층(250)의 타면은 상기 수용홈(233)을 통해 몸체(230)와 직접 접촉될 수 있다.One side of the bonding layer 250 may be in direct contact with the light emitting device 100 and the other side of the bonding layer 250 may be in direct contact with the body 230 through the receiving groove 233. [

상기 발광 소자(100)는 발광 구조체(20)와, 상기 발광 구조체(20) 상에 위치한 제1 전극 패드(51), 상기 발광 구조체(20) 아래에 위치한 제2 전극 패드(53), 상기 발광 구조체(20)와 제2 전극 패드(53) 사이에 위치하고, 제1 전극 패드(51)와 수직 방향으로 대응된 전류 차단층(40), 및 지지부재(60)를 포함한다.The light emitting device 100 includes a light emitting structure 20, a first electrode pad 51 located on the light emitting structure 20, a second electrode pad 53 located below the light emitting structure 20, A current blocking layer 40 located between the structure 20 and the second electrode pad 53 and corresponding to the first electrode pad 51 in the vertical direction and a support member 60.

상기 발광 구조체(20)는 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 포함한다.The light emitting structure 20 includes a first conductive semiconductor layer 21, an active layer 22, and a second conductive semiconductor layer 23.

상기 제1 도전형 반도체층(21)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(21)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체일 수 있다. 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The first conductive semiconductor layer 21 may be formed as a single layer or a multilayer. When the first conductive semiconductor layer 21 is an n-type semiconductor layer, the first conductive semiconductor layer 21 may be a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant. The first conductive type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(21)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. The first conductive semiconductor layer 21 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? .

상기 제1 도전형 반도체층(21)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 21 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

상기 활성층(22)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 어느 하나일 수 있다. 상기 활성층(22)은 질화갈륨계 반도체층으로 형성된 우물층 및 장벽층을 포함할 수 있다. The active layer 22 may be a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. The active layer 22 may include a well layer and a barrier layer formed of a gallium nitride-based semiconductor layer.

예를 들어, 상기 활성층(22)은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaInP/AlGaInP, GaP/AlGaP, InGaP/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.For example, the active layer 22 may include one or more of a pair of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs / AlGaAs, InGaAs / AlGaAs, GaInP / AlGaInP, GaP / AlGaP, But the present invention is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.

상기 활성층(22)의 장벽층 및 우물층은 활성층의 결정 품질을 향상시키기 위해 불순물이 도핑되지 않은 언도프트층으로 형성될 수 있으나, 순방향 전압을 낮추기 위해 일부 또는 전체 활성 영역 내에 불순물이 도핑될 수도 있다.The barrier layer and the well layer of the active layer 22 may be formed of undoped undoped layers to improve the crystal quality of the active layer, but impurities may be doped in some or all of the active regions to lower the forward voltage have.

상기 제2 도전형 반도체층(23)은 상기 활성층(22) 아래에 위치하고, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(23)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체일 수 있다. The second conductive semiconductor layer 23 is located under the active layer 22 and may be formed as a single layer or a multilayer. When the second conductivity type semiconductor layer 23 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity type semiconductor layer 23 may be a Group III-V compound semiconductor doped with a second conductivity type dopant.

상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 상기 제2 도전형 반도체층(23)은 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The second conductive dopant may include, but is not limited to, Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant. The second conductive semiconductor layer 23 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and GaP.

상기 제2 전극 패드(53)는 발광 구조체(20)의 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 위치하는 접촉층(55), 반사층(56), 및 본딩층(57)을 포함할 수 있다. The second electrode pad 53 may include a contact layer 55, a reflective layer 56, and a bonding layer 57 positioned under the second conductive semiconductor layer 23 of the light emitting structure 20 .

상기 접촉층(55)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)의 하부면에 접촉되며, 일부는 상기 전류 차단층(40)의 하부면으로 연장될 수 있다. 상기 접촉층(55)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다.The contact layer 55 may be in contact with the lower surface of the second conductive type semiconductor layer 23 and may extend to the lower surface of the current blocking layer 40. The contact layer 55 may be a conductive material such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO, or may be a metal of Ni or Ag.

상기 접촉층(55) 아래에 반사층(56)이 형성될 수 있으며, 상기 반사층(56)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 또는 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(56)은 상기 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 접촉될 수 있으며, 금속으로 오믹 접촉하거나 ITO와 같은 전도 물질로 오믹 접촉할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A reflective layer 56 may be formed under the contact layer 55. The reflective layer 56 may be formed of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, And at least one layer made of a material selected from the group consisting of silicon nitride and silicon nitride. The reflective layer 56 may be in contact with the second conductive semiconductor layer 23 and may be in ohmic contact with a metal or ohmic contact with a conductive material such as ITO.

상기 반사층(56) 아래에는 본딩층(57)이 형성될 수 있으며, 상기 본딩층(57)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. A bonding layer 57 may be formed under the reflective layer 56 and the bonding layer 57 may be used as a barrier metal or a bonding metal. Examples of the material include Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, and Ta and an optional alloy.

상기 발광 구조체(20) 아래에는 채널층(70)이 배치될 수 있다. 상기 채널층(70)은 상기 제2 도전형 반도체층(23)의 하부면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. A channel layer 70 may be disposed under the light emitting structure 20. The channel layer 70 is formed along the lower surface of the second conductive semiconductor layer 23, and may be formed in a ring shape, a loop shape, or a frame shape.

상기 채널층(70)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(70)의 내측부는 상기 제2 도전형 반도체층(23) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조체(20)의 측면보다 더 외측에 위치할 수 있다. 상기 채널층(70)은 상기 수용홈(233)으로부터 외부에 노출될 수 있다.The channel layer 70 is an ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4, Al 2 O 3, TiO at least one of the 2 . The inner portion of the channel layer 70 may be disposed below the second conductive semiconductor layer 23 and the outer portion may be located further outward than the side surface of the light emitting structure 20. [ The channel layer 70 may be exposed to the outside from the receiving groove 233. [

상기 본딩층(57) 아래에는 지지 부재(60)가 형성되며, 상기 지지 부재(60)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. A supporting member 60 is formed below the bonding layer 57. The supporting member 60 may be formed of a conductive material such as copper-copper, gold-gold, nickel (Ni-nickel), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), and carrier wafers (e.g., Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC and the like).

상기 지지부재(60)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다. 상기 제2 전극 패드(53)는 상기 지지부재(60)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극 패드(53)의 층들 중 적어도 하나 또는 복수의 층은 상기 지지부재(60)와 동일한 너비로 형성될 수 있다. As another example, the support member 60 may be embodied as a conductive sheet. The second electrode pad 53 may include the support member 60 and at least one or a plurality of layers of the second electrode pad 53 may be formed to have the same width as the support member 60 .

상기 제1 도전형 반도체층(21)의 상부면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있다. 상기 제1 전극 패드(51)는 상기 제1 도전형 반도체층(21)의 상면 중 평탄한 면 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A light extraction structure such as a roughness may be formed on the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 21. The first electrode pad 51 may be disposed on a flat surface of the upper surface of the first conductive semiconductor layer 21, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 구조체(20)의 측면 및 상면에는 절연층(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An insulating layer (not shown) may be further formed on side surfaces and top surfaces of the light emitting structure 20, but the present invention is not limited thereto.

상기 전류 차단층(40)은 제1 전극 패드(51)와 오버랩되고, 상기 제2 전극 패드(53)의 하부에 전류가 집중되는 것을 방지하는 기능을 갖는다. The current blocking layer 40 overlaps with the first electrode pad 51 and has a function of preventing current from concentrating on a lower portion of the second electrode pad 53.

상기 전류 차단층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물등의 절연물질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류 차단층(40)은 SixOy, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또는, 상기 전류 차단층(40)은 굴절률이 서로 상이한 층들을 교대로 적층한 분포 브래그 반사기(DBR: Distributed Bragg Reflector)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The current blocking layer 40 may be formed of an insulating material such as oxide or nitride. For example, the current blocking layer 40 may be formed of at least one selected from the group consisting of Si x O y , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , and AlN But is not limited thereto. Alternatively, the current blocking layer 40 may include, but is not limited to, a distributed Bragg reflector (DBR) in which layers having different refractive indices are alternately laminated.

상기 접합층(250)은 상기 수용홈(233)과 상기 발광 소자(100) 사이에 개재될 수 있다. The bonding layer 250 may be interposed between the receiving groove 233 and the light emitting device 100.

상기 접합층(250)은 상기 지지 부재(60)의 외측면 및 하부면과 직접 접촉될 수 있고, 상기 제2 전극 패드(53)의 외측면과 직접 접촉될 수 있다.The bonding layer 250 may directly contact the outer surface and the lower surface of the support member 60 and may directly contact the outer surface of the second electrode pad 53.

상기 접합층(250)은 상기 채널층(70)과 접촉되지 않거나, 상기 채널층(70)의 외측면 일부와 접촉될 수 있다. The bonding layer 250 may not contact the channel layer 70 or may contact a part of the outer surface of the channel layer 70.

상기 접합층(250)은 발광 소자(100)의 구동시에 발생하는 열에 의해 유동성을 가질 수 있다. 따라서, 상기 접합층(250)은 상기 발광 구조체(20)와 접하지 않도록 상기 채널층(70) 보다 아래에 위치하는 것이 바람직하다.The bonding layer 250 may have fluidity due to heat generated when the light emitting device 100 is driven. Therefore, it is preferable that the bonding layer 250 is positioned below the channel layer 70 so as not to contact the light emitting structure 20.

상기 제2 전극 패드(53)의 외측면들 전체는 상기 수용홈(233) 내에 수용될 수 있고, 상기 접합층(250)과 직접 접촉될 수 있다.The entire outer surface of the second electrode pad 53 may be received in the receiving groove 233 and may be in direct contact with the bonding layer 250.

상기 접합층(250)의 일면은 상기 제2 전극 패드(53)의 외측면들, 상기 지지부재(60)의 하부면 및 외측면들과 직접 접촉될 수 있다.One side of the bonding layer 250 may be in direct contact with the outer surfaces of the second electrode pad 53, the lower surface and the outer surfaces of the supporting member 60.

상기 접합층(250)의 타면은 상기 수용홈(233)과 직접 접촉될 수 있다.The other surface of the bonding layer 250 may be in direct contact with the receiving groove 233.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 광을 흡수하는 상기 발광 소자(100)의 지지부재(60) 및 제2 전극 패드(53)가 상기 몸체(230)의 수용홈(233)에 수용되므로 광 손실을 최소화할 수 있다. The supporting member 60 and the second electrode pad 53 of the light emitting device 100 for absorbing light are accommodated in the receiving groove 233 of the body 230 in the light emitting device package 200 according to the embodiment The optical loss can be minimized.

따라서, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 지지부재(60) 및 제2 전극 패드(53)으로 흠수되는 광 손실을 최소화하므로 광 효율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.Therefore, the light emitting device package 200 according to the embodiment has an advantage of improving the light efficiency by minimizing the loss of light flawed into the support member 60 and the second electrode pad 53.

또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 발광 소자(100)로부터의 열이 접합층(250)과 수용홈(233)을 통해서 몸체(230)에 직접 전도되므로 방열이 우수한 장점을 갖는다. The light emitting device package 200 according to the embodiment has an advantage of heat dissipation because the heat from the light emitting device 100 is conducted directly to the body 230 through the bonding layer 250 and the receiving recess 233.

더욱이 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 발광 소자(100)의 지지부재(60) 및 제2 전극 패드(53)가 상기 수용홈(233)에 수용되고, 상기 수용홈(233)과 지지부재(60) 및 제2 전극 패드(53) 사이에 접합층(250)이 개재되어 일반적인 발광 소자 패키지 보다 발광 소자(100)와 본체(230)의 넓은 접촉 면적으로 방열이 우수한 장점을 갖는다.The supporting member 60 and the second electrode pad 53 of the light emitting device 100 are received in the receiving groove 233 and the receiving groove 233 and the supporting member 60 The bonding layer 250 is interposed between the first electrode pad 60 and the second electrode pad 53 to provide a superior heat dissipation over a wide contact area between the light emitting device 100 and the main body 230 over a general light emitting device package.

도 4 및 도 5는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 도시한 도면이다.4 and 5 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.

도 4를 참조하면, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 몸체(230)의 수용홈(233)에 전도성 물질의 접합층(250)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, a light emitting device package 200 according to an embodiment may include a bonding layer 250 of a conductive material in a receiving groove 233 of a body 230.

상기 접합층(250)은 실버 페이스트(Ag paste)와 같은 열 전도성이 높은 페이스트일 수 있으나, 이에 한정하되는 것은 아니다. 예컨대 상기 페이스트는 도팅(dotting), 스템핑(stamping), 또는 디스펜싱 툴(dispensing tool)을 이용하여 상기 수용홈(233) 내에 형성될 수 있다.The bonding layer 250 may be a paste having high thermal conductivity such as silver paste, but is not limited thereto. For example, the paste may be formed in the receiving groove 233 by using a dotting, a stamping, or a dispensing tool.

상기 발광 소자 패키지(200)는 상기 접합층(250) 상에 발광 소자(100)가 정렬되고, 상기 발광 소자(100)가 수용홈(233) 내에 수용되면서 상기 발광 소자(100)의 외측면과 상기 수용홈(233)의 내벽면 사이에 상기 접합층(250)이 개재될 수 있다. 상기 접합층(250)의 일면은 상기 발광 소자(100)의 외측면들과 직접 접촉될 수 있고, 상기 접합층(250)의 타면은 상기 수용홈(233)의 내벽면과 직접 접촉될 수 있다.In the light emitting device package 200, the light emitting device 100 is aligned on the bonding layer 250, and the light emitting device 100 is received in the receiving groove 233, The bonding layer 250 may be interposed between the inner wall surfaces of the receiving groove 233. One side of the bonding layer 250 may directly contact the outer surfaces of the light emitting device 100 and the other side of the bonding layer 250 may directly contact the inner wall surface of the receiving groove 233. [ .

상기 접합층(250)은 열 압착 및 경화공정을 통해서 상기 발광 소자(100)와 상기 몸체(230)를 접합시킨다.The bonding layer 250 bonds the light emitting device 100 and the body 230 through a thermal compression bonding process and a curing process.

도면에는 도시되지 않았지만, 상기 발광 소자(100)는 와이어 본딩 공정을 수행할 수 있다.Although not shown in the drawing, the light emitting device 100 may perform a wire bonding process.

도 5를 참조하면, 상기 발광 소자(100)와 몸체(230)가 접합되면, 상기 몸체(230)의 캐비티(231)에 외부 환경으로부터 발광 소자(100)를 보호하는 몰딩부(240)를 형성하는 몰딩 공정을 수행한다. 상기 몰딩부(240)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질일 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬수 있도록 형광체를 포함시킬 수 있다.5, when the light emitting device 100 and the body 230 are bonded to each other, a molding part 240 for protecting the light emitting device 100 from the external environment is formed in the cavity 231 of the body 230 The molding process is performed. The molding part 240 may be a colorless transparent polymer resin material such as epoxy or silicon, and may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 광을 흡수하는 상기 발광 소자(100)가 몸체(230)의 수용홈(233)에 수용되어 광 손실을 최소화하므로 광 효율을 향상시킬 수 있는 장점을 갖는다.The light emitting device package 200 according to the embodiment has an advantage that light efficiency can be improved because the light emitting device 100 that absorbs light is accommodated in the receiving groove 233 of the body 230 to minimize light loss .

또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 발광 소자(100)로부터의 열이 접합층(250)과 수용홈(233)을 통해서 몸체(230)에 직접 전도되므로 방열이 우수한 장점을 갖는다.The light emitting device package 200 according to the embodiment has an advantage of heat dissipation because the heat from the light emitting device 100 is conducted directly to the body 230 through the bonding layer 250 and the receiving recess 233.

도 6은 실시 예의 발광 소자 패키지를 포함하는 에지 방식의 백라이트 유닛을 갖는 표시장치를 도시한 사시도이고, 도 7은 실시 예의 발광 소자 패키지를 포함하는 직하 방식의 백라이트 유닛을 갖는 표시장치를 도시한 단면도이고, 도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 도시한 사시도이다.FIG. 6 is a perspective view showing a display device having an edge type backlight unit including the light emitting device package of the embodiment, and FIG. 7 is a sectional view showing a display device having a backlight unit of a direct- And FIG. 8 is a perspective view illustrating a lighting device including the light emitting device package according to the embodiment.

도 6을 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.6, a display device 1000 according to an embodiment includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, and a reflection member 1022 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflection member 1022 But is not limited to, a bottom cover 1011.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)에 포함될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be included in the light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과, 도 1 내지 도 5의 실시 예에 따른 발광 소자(100) 및 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 상에서 일정 간격을 두고 어레이될 수 있다. At least one light emitting module 1031 may be provided in the bottom cover 1011 and may provide light directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and the light emitting device 100 and the light emitting device package 200 according to the embodiment of FIGS. The light emitting device package 200 may be arrayed on the substrate 1033 at regular intervals.

상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern. However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like. When the light emitting device package 200 is provided on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat radiating plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011.

상기 발광 소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 일정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package 200 may be mounted such that the light emitting surface of the light emitting device package 200 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a certain distance. The light emitting device package 200 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041) 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 7을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 상기 기판(1020)과 상기 발광 소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.7, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the above-described light emitting device 100 is arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155. The substrate 1020 and the light emitting device package 200 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methy methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, and light condensation of the light emitted from the light emitting module 1060.

도 8을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.8, the lighting apparatus according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a heat discharger 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800 . Further, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device package according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat discharging body 2400. The cover 2100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for sufficiently diffusing and diffusing the light from the light source module 2200 and emitting it to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed by blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one side of the heat discharging body 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat discharger 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat discharging body 2400 and has guide grooves 2310 through which the plurality of light source portions 2210 and the connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate of the light source unit 2210 and the connector 2250.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 2100 toward the cover 2100 in the direction toward the light source module 2200. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 2400 and the connecting plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to prevent an electrical short circuit between the connection plate 2230 and the heat discharging body 2400. The heat discharger 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to dissipate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다. The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 housed in the insulating portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides the electrical signal to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is housed in the receiving groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500. The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide 2630, a base 2650, and an extension 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide portion 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 2650. The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power supplied from an external power source into DC power, a driving chip for controlling driving of the light source module 2200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension portion 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension portion 2670 is inserted into the connection portion 2750 of the inner case 2700 and receives an external electrical signal. For example, the extension portion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the extension portion 2670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 2800 .

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

100: 발광 소자 200: 발광 소자 패키지
230: 수용홈 231: 캐비티
233: 수용홈 250: 접합층100: light emitting element 200: light emitting element package
230: receiving groove 231: cavity
233: receiving groove 250: bonding layer

Claims (11)

발광 소자;
상기 발광 소자가 실장되는 수용홈을 포함하는 몸체; 및
상기 수용홈에 위치한 접합층을 포함하고,
상기 접합층은 상기 수용홈과 상기 발광 소자 사이에 개재된 발광 다이오드 패키지.A light emitting element;
A body including a receiving groove on which the light emitting device is mounted; And
And a bonding layer located in the receiving groove,
And the bonding layer is interposed between the receiving groove and the light emitting element. 제1 항에 있어서,
상기 발광 소자는,
지지부재;
상기 지지부재 상에 위치한 제2 전극 패드;
상기 제2 전극 패드 상에 위치하고, 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 및
상기 발광 구조체 상에 위치한 제1 전극 패드를 포함하는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The light-
A support member;
A second electrode pad positioned on the support member;
A light emitting structure disposed on the second electrode pad and including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; And
And a first electrode pad disposed on the light emitting structure. 제2 항에 있어서,
상기 접합층은 상기 지지부재의 하부면 및 외측면들과 직접 접촉되고, 상기 제2 전극 패드의 외측면들과 직접 접촉되는 발광 다이오드 패키지.3. The method of claim 2,
Wherein the bonding layer is in direct contact with the lower surface and the outer surfaces of the support member and is in direct contact with the outer surfaces of the second electrode pad. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
상기 지지부재는 전도성 물질을 포함하는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 2 or 3,
Wherein the support member comprises a conductive material. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
상기 제2 전극 패드는 상기 제2 도전형 반도체층의 하부에 위치한 접촉층, 반사층 및 본딩층을 포함하는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 2 or 3,
And the second electrode pad includes a contact layer, a reflective layer, and a bonding layer disposed under the second conductive type semiconductor layer. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층 가장자리 하부에 위치한 채널층을 더 포함하고, 상기 채널층은 상기 접촉층 상에 위치한 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 2 or 3,
And a channel layer disposed below the edge of the second conductive semiconductor layer, wherein the channel layer is disposed on the contact layer. 제6 항에 있어서,
상기 채널층은 상기 수용홈으로부터 외부에 노출된 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 6,
And the channel layer is exposed to the outside from the receiving groove. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
상기 제2 전극 패드의 외측면들 전체는 상기 수용홈 내에 수용되고, 상기 접합층과 직접 접촉되는 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 2 or 3,
Wherein the entire outer surface of the second electrode pad is received in the receiving groove and is in direct contact with the bonding layer. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
상기 접합층의 일면은 상기 제2 전극 패드의 외측면들, 상기 지지부재의 하부면 및 외측면들과 직접 접촉되고, 상기 접합층의 타면은 상기 수용홈과 직접 접촉된 발광 다이오드 패키지.The method according to claim 2 or 3,
Wherein one surface of the bonding layer is in direct contact with the outer surfaces of the second electrode pad, the lower surface and the outer surfaces of the supporting member, and the other surface of the bonding layer is in direct contact with the receiving groove. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 발광 소자는 수직 타입 발광 소자인 발광 다이오드 패키지.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the light emitting device is a vertical type light emitting device. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 하나의 발광 소자를 포함하는 조명 장치.A lighting device comprising the light-emitting element according to any one of claims 1 to 3.
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