KR101403247B1 - Led package and fabricating method - Google Patents

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KR101403247B1
KR101403247B1 KR1020130011400A KR20130011400A KR101403247B1 KR 101403247 B1 KR101403247 B1 KR 101403247B1 KR 1020130011400 A KR1020130011400 A KR 1020130011400A KR 20130011400 A KR20130011400 A KR 20130011400A KR 101403247 B1 KR101403247 B1 KR 101403247B1
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선순요
김미숙
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Abstract

The present invention relates to a light emitting diode package and, specifically, provides a light emitting diode package, where a reflection part laminated on an upper surface of a base part on which a light emitting diode chip is mounted is formed in one body with the base part and the reflection part and the base part are made up of metal, and a fabricating method thereof. The light emitting diode package according to the present invention comprises: the metallic base part forming a mounting part in which the light emitting diode chip is mounted; the metallic reflection part forming a penetrated hole in a center part, bending an end of one side which is in a state of being connected to an end of one side of the base part and being laminated on the upper surface of the base part; a terminal part arranged in parallel to the base part and spaced apart at regular intervals from the base part and the reflection part; and an insulator inserted between the base part and the terminal part, and between the reflection part and the terminal part for insulating and fixing the base part, the reflection part and the terminal part.

Description

발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법{LED PACKAGE AND FABRICATING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting diode package,

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 방열효과가 우수한, 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same.

종래 PN타입의 발광다이오드(LED : Light Emitting diode)는 수명이 반영구적, 환경 친화적이며, 전통적인 광원에 비하여 효율이 우수하다. 따라서, 액정표시장치의 백라이트(backlight), 경관, 자동차의 라이트 및 일반 조명 등이, 발광다이오드로 급속하게 대체되고 있다. Conventional PN type light emitting diodes (LEDs) have a semi-permanent and environmentally friendly lifetime and are more efficient than conventional light sources. Therefore, a backlight of a liquid crystal display, a landscape, a light of an automobile, and general illumination are rapidly being replaced by light emitting diodes.

현재, 상용화된 대부분의 PN타입의 종래 발광다이오드 패키지를 이루는 구성을 살펴보면, 종래 발광다이오드 패키지는 리드프레임을 에노드와 캐소드로 분리시키고, 분리된 리드프레임에 사출성형용 수지를 이용한 절연체 몰딩을 결합하게 된다.Now, a conventional light emitting diode package of a PN type, which is commercialized, will be described. In the conventional LED package, a lead frame is divided into a node and a cathode, and an insulator molding using resin for injection molding is coupled to the lead frame. .

이 경우, 절연체 몰딩은 리드프레임의 분극들을 절연함과 동시에 발광다이오드에서 발생하는 광을 반사시키는 리플렉터의 역할을 수행하게 된다.In this case, the insulator molding functions as a reflector that insulates the polarization of the lead frame and reflects light generated in the light emitting diode.

이후, 몰딩된 리드프레임에는 발광다이오드 칩의 에노드와 캐소드를 리드프레임의 각각의 분극 와이어와 본딩시킨 상태로 실장시키고, 발광다이오드 칩이 실장된 절연체 몰딩에는 실리콘 몰딩을 진행한 이후 렌즈를 부착하게 된다.Thereafter, the node and the cathode of the light emitting diode chip are bonded to the respective lead wires of the lead frame, and the insulator molding having the light emitting diode chip mounted thereon is subjected to silicon molding, do.

이러한 종래 발광다이오드는 공급된 전력의 70~80%가 열로 방출되며, 이러한 동작 중 발생한 열의 방출이 원활하지 않을 경우 효율 및 수명의 급격한 감소를 가져오게 된다.In the conventional light emitting diode, 70 to 80% of the supplied electric power is discharged as heat, and if the heat generated during the operation is not smoothly discharged, the efficiency and life span are drastically reduced.

따라서, 종래 발광다이오드의 설계시 가장 고려되고 있는 요인은 바로 고출력 조명을 위하여 낮은 열저항을 갖는 발광다이오드 패키지의 개발이다.Therefore, the most important consideration in designing a conventional light emitting diode is the development of a light emitting diode package having a low thermal resistance for high power illumination.

하지만, 현재, 종래 발광다이오드는 리드프레임의 분극을 분리하는 절연체 몰딩이 리플렉터 역할을 수행하기 때문에, 발광다이오드의 구동 시 온도 증가에 따른 절연체 몰딩의 플라스틱(plastic) 열화로 인한 박리 현상, 리플렉터 역할을 하는 절연체 몰딩의 변색에 따른 휘도 저하 및, 절연체 몰딩을 세락믹으로 구성하는 경우에 고비용의 제조 단가를 요구하게 되는등의 문제점들을 야기하고 있다.However, since the insulator molding for separating the polarization of the lead frame functions as a reflector, the conventional LED has a role of a peeling phenomenon due to deterioration of the plastic of the insulator molding due to an increase in temperature at the time of driving the LED, The luminance is lowered due to the discoloration of the insulating molding and the cost of the manufacturing cost is increased when the insulating molding is composed of a ceramic material.

한편, 리드프레임의 열전도도를 향상시킴으로써 방열성능을 높이기 위한 종래 발광다이오드의 경우에는 열전도도가 높은 구리(Cu)나 알루미늄(Al)과 같은 금속을 사용함으로써, 발광다이오드 패키지의 방열 특성을 극대화하게 된다.On the other hand, in the case of a conventional light emitting diode for improving the heat radiation performance by improving the thermal conductivity of the lead frame, metal such as copper (Cu) or aluminum (Al) having high thermal conductivity is used to maximize the heat radiation characteristic of the light emitting diode package do.

이러한 종래 발광다이오드 패키지의 일 예로써, 대한민국 공개 특허 번호 10-2009-0046316호의 종래 기술에서는 금속 분말을 유기 바인더와 혼합하여 사출한 후, 바인더를 제거하고 소결시킨 상태로 발광다이오드 패키지를 제고하게 되는데, 이 경우, 단순한 사출성형만으로는 매끄러운 외관이 나오지 않아 2차 가공으로 외관의 치수 등을 다시 조절하는 문제에 의해 제조 비용이 많이 소요되는 문제점과, 금속성형물 내에 불순물이 남아있어 열 전달 특성의 저하를 가져오는 문제점 및, 전극으로 사용되는 리드프레임과, 상기 리드프레임을 감싸는 하우징부를 별도로 제작해야하는 문제점들을 야기시키고 있다.
As an example of such a conventional light emitting diode package, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2009-0046316 discloses a conventional art in which metal powder is mixed with an organic binder and injected, then the binder is removed and sintered to improve the light emitting diode package In this case, since a smooth appearance is not obtained only by simple injection molding, the manufacturing cost is increased due to the problem that the dimensions of the outer tube are regulated by the secondary processing, and the impurities are left in the metal molding, A lead frame used as an electrode, and a housing part surrounding the lead frame must be manufactured separately.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 발광다이오드 칩이 실장되는 베이스부의 상단면에 적층되는 반사부가, 상기 베이스부와 일체로 형성되어 있으며, 상기 반사부와 상기 베이스부가 금속으로 형성되어 있는, 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a light emitting device, a light emitting diode chip, A light emitting diode package, and a method of manufacturing the same.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는, 발광다이오드 칩이 실장되는 실장부가 형성되어 있는 금속재질의 베이스부; 중심부분에는 관통홀이 형성되어 있으며, 일측끝단이 상기 베이스부의 일측끝단과 연결된 상태로 절곡되어, 상기 베이스부의 상단면에 적층되는 금속재질의 반사부; 상기 베이스부와 나란하게 배치되어 있으며, 상기 베이스부 및 상기 반사부와 일정간격으로 이격되어 있는 단자부; 및 상기 베이스부와 상기 단자부 사이, 및 상기 반사부와 상기 단자부 사이에 삽입되어, 상기 베이스부, 상기 반사부와 상기 단자부를 절연 및 고정시키는 절연체를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including: a base portion of a metal material having a mounting portion on which a light emitting diode chip is mounted; A reflective portion of a metal material having a through hole formed at a central portion thereof and having one end thereof folded in a state connected to one end of the base portion and stacked on an upper surface of the base portion; A terminal portion disposed in parallel to the base portion and spaced apart from the base portion and the reflection portion at a predetermined interval; And an insulator inserted between the base portion and the terminal portion and between the reflection portion and the terminal portion to insulate and fix the base portion and the reflection portion and the terminal portion.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법은, 금속판재를 스트립하여, 제1지지부에 의해 상기 금속판재에 연결되어 있는 하우징과, 상기 하우징에 이격된 상태에서 제2지지부에 의해 상기 금속판재에 연결되어 있는 단자부를 형성하는 단계; 상기 하우징의 일측을 절곡하여, 하부에는 발광다이오드 칩이 실장되는 베이스부를 형성하고, 상기 베이스부의 상부에는 관통홀이 형성되어 있는 반사부를 적층하는 단계; 및 상기 베이스와, 상기 반사부와 상기 단자부를 절연체로 몰딩하여, 상기 베이스와, 상기 반사부와, 상기 단자부를 일체로 형성하는 단계를 포함한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a light emitting diode package, including: a step of stripping a metal plate, a housing coupled to the metal plate by a first support, Forming a terminal portion connected to the metal plate member by a metal plate; A step of bending one side of the housing and forming a base portion on which a light emitting diode chip is mounted and a reflection portion having a through hole formed on the base portion; And molding the base, the reflective portion, and the terminal portion with an insulator to integrally form the base, the reflective portion, and the terminal portion.

본 발명은 다음과 같은 효과를 가지고 있다.The present invention has the following effects.

첫째, 발광다이오드 칩을 수용하는 베이스부와 반사부가, Cu 또는 Al 등의 금속재질로 연결되어 있기 때문에, 베이스부와 반사부가 일체로 형성된 대면적 방열 하우징을 통한 열 방출이 우수하며, 장시간 사용 시에도 반사부가 변형 및 열화되지 않는다. First, since the base portion for receiving the light emitting diode chip and the reflecting portion are connected by a metal material such as Cu or Al, the heat dissipation through the large-area heat dissipation housing formed integrally with the base portion and the reflection portion is excellent. The reflection portion is not deformed or deteriorated.

둘째, 반사판의 기능을 수행하는 반사부의 표면에, 가시광 및 자외선 영역에서도 빛 반사율이 좋은 Al을 도금하거나, 또는, 가시광 영역에서 빛 반사율이 우수한 Ag 등을 도금함으로써, 외부로의 빛 방출 효율을 증대시킬 수 있다. 특히, 하우징을 형성하는 베이스부와 반사부가 Al으로 형성된 경우, 하우징 가공시 경면 가공을 통하여 무도금 사용이 가능하다.Secondly, the light emitting efficiency to the outside is increased by plating Al on the surface of the reflecting portion which performs the function of the reflecting plate, which has good light reflectance even in the visible light and ultraviolet region, or by plating Ag or the like having excellent light reflectance in the visible light region . Particularly, in the case where the base portion forming the housing and the reflection portion are formed of Al, it is possible to use a non-plating through mirror-surface processing when processing the housing.

셋째, 스탬플링(stamping) 및 벤딩(bending) 공정을 이용하여, 베이스부와 반사부가 일체형으로 제작될 수 있기 때문에, 프레스 공정 수가 줄어들 수 있다. 즉, 본 발명에서는, 베이스부와 반사부가 하나의 금속판재에 형성된 후, 벤딩(Bending) 접합을 통하여 한 공정에서 동시에 형성될 수 있기 때문에 제조공정 수가 줄어들 수 있다. Third, since the base portion and the reflecting portion can be integrally formed by using the stamping and bending processes, the number of pressing processes can be reduced. That is, in the present invention, the number of manufacturing processes can be reduced because the base portion and the reflection portion can be formed on one metal plate and then formed simultaneously in one process through bending bonding.

넷째, 종래에 플라스틱(Plastic)으로 이루어진 반사판(Reflector)이 금속재질의 반사부로 형성되기 때문에, 내구성과 강도가 향상될 수 있다. Fourth, since a reflector made of plastic is formed as a reflective part made of a metal, durability and strength can be improved.

다섯째, 베이스부와 반사부를 형성하는 하우징이, 단자부와 하나의 금속판재에서 서로 이격된 상태로 형성된 후, 절연체에 의해 일체로 형성될 수 있기 때문에 제조 공정이 단순화될 수 있다.
Fifth, since the housing forming the base portion and the reflection portion is formed in a state where the terminal portion and the metal plate are spaced apart from each other, the housing can be formed integrally with the insulator, so that the manufacturing process can be simplified.

도 1은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 상단부 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 발광다이오드 패키지의 하단부 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법에 따라 발광다이오드 패키지가 가공되는 상태가 순차적으로 표시되어 있는 예시도.
도 4는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 하우징 및 단자부를 형성하는 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 5는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 관통홀을 형성하는 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 6은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 절연체삽입면을 형성하는 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 7은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 하우징의 일측 끝단을 굽히는 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 8은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 하우징을 절곡시키는 상태를 설명하기 위한 예시도.
도 9는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 하우징을 절곡시켜 반사부를 베이스부의 상단면에 적층시키는 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 10은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 베이스부 및 반사부의 표면을 도금하는 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 11은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 베이스부와 단자부 사이 및 반사부와 단자부 사이를 절연시키는 방법을 설명하기 위한 예시도.
도 12는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법에 따라 제조된 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에 발광다이오드 칩이 장착되어 있는 상태를 나타낸 예시도.
도 13 및 도 14는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법에 따라 제조된 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지를 형성하는 관통홀의 다양한 형태를 나타낸 예시도.
도 15는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 또 다른 일실시예를 나타낸 다양한 사시도.1 is a top perspective view of a light emitting diode package according to the present invention.
FIG. 2 is a bottom perspective view of the LED package shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a view illustrating a state in which a light emitting diode package is processed according to a method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 4 is an exemplary view for explaining a method of forming a housing and a terminal portion in a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention; FIG.
FIG. 5 is an exemplary view for explaining a method of forming a through hole in a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention; FIG.
FIG. 6 is an exemplary view for explaining a method of forming an insulator insertion surface in a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention; FIG.
FIG. 7 is an exemplary view for explaining a method of bending one end of a housing in a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention; FIG.
FIG. 8 is an exemplary view for explaining a state in which a housing is bent in a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention; FIG.
9 is a view for explaining a method of bending a housing of a light emitting diode package manufacturing method according to the present invention and stacking the reflecting portion on the upper surface of the base portion.
10 is an exemplary view for explaining a method of plating a surface of a base portion and a reflection portion of a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention.
FIG. 11 is an exemplary view for explaining a method of isolating a base portion and a terminal portion and a reflective portion and a terminal portion from each other in a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention. FIG.
12 is a view illustrating a state in which a light emitting diode chip is mounted on a light emitting diode package according to the present invention manufactured according to the method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention.
FIG. 13 and FIG. 14 are views showing various forms of through holes forming the light emitting diode package according to the present invention manufactured according to the method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention.
FIG. 15 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 설명에서는 다양한 실시예에 대해 설명하는 경우, 동일한 구성에 대해서는 동일 도면부호로 도시하기로 하며, 이에 대한 중복적인 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, when the various embodiments are described, the same reference numerals are used for the same components, and a duplicate description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 상단부 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 발광다이오드 패키지의 하단부 사시도이다. FIG. 1 is a top perspective view of a light emitting diode package according to the present invention, and FIG. 2 is a bottom perspective view of the light emitting diode package shown in FIG.

본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 발광다이오드 칩이 실장되는 실장부(110)가 형성되어 있는 베이스부(100), 중심부분에는 관통홀(210)이 형성되어 있으며, 일측끝단이 상기 베이스부(100)의 일측끝단과 연결된 상태로 절곡되어, 상기 베이스부(100)의 상단면에 적층되는 반사부(200), 상기 베이스부(100)와 나란하게 배치되어 있으며, 상기 베이스부(100) 및 상기 반사부와 일정간격으로 이격되어 있는 단자부(300) 및 상기 베이스부(100)와 상기 단자부(300) 사이 및 상기 반사부(200)와 상기 단자부(300) 사이에 삽입되어, 상기 베이스부(100), 상기 반사부(200)와 상기 단자부(300)를 절연 및 고정시키는 절연체(400)를 포함한다.
1 and 2, a light emitting diode package according to the present invention includes a base portion 100 having a mounting portion 110 on which a light emitting diode chip is mounted, a through hole 210 at a center portion thereof, A reflector 200 having one end bent in a state connected to one end of the base 100 and stacked on the top surface of the base 100, And the terminal part 300 is spaced apart from the base part 100 and the reflective part at a predetermined distance and between the base part 100 and the terminal part 300 and between the reflection part 200 and the terminal part 300. [ 300 for inserting and fixing the base portion 100 and the reflective portion 200 and the terminal portion 300. [

우선, 상기 베이스부(100)는 상기 반사부(200)에는 발광다이오드 칩이 실장되는 실장부(110)가 형성되어 있다.First, in the base unit 100, a mounting unit 110 is mounted on the reflector 200 to mount a light emitting diode chip.

상기 베이스부(100)는, 상기 발광다이오드 칩의 제1전극과 와이어를 통해 연결된다. 즉, 상기 베이스부(100)는 금속으로 형성되어 있기 때문에, 상기 발광다이오드 칩의 제1전극과 연결되어, 상기 발광다이오드 칩으로 전원을 공급할 수 있다.The base portion 100 is connected to the first electrode of the light emitting diode chip through a wire. That is, since the base unit 100 is formed of metal, the base unit 100 can be connected to the first electrode of the light emitting diode chip to supply power to the light emitting diode chip.

상기 베이스부(100)에는 외부의 전원공급단자와 상기 베이스부(100)가 간단히 접속될 수 있도록, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 베이스부(100)의 측면으로부터 돌출되어 있는 베이스외부단자(120)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 베이스부(100)는 금속으로 형성되어 있기 때문에, 상기 베이스부(100) 중 어떠한 부분이라도 외부의 전원공급단자와 연결될 수 있으나, 특히, 상기 베이스외부단자(120)를 통해 연결될 수 있다.1 and 2, a base portion 100 is provided with a base portion 100 protruding from the side surface of the base portion 100 so that an external power supply terminal and the base portion 100 can be simply connected to each other. External terminals 120 may be formed. That is, since the base portion 100 is formed of metal, any portion of the base portion 100 can be connected to an external power supply terminal, but may be connected to the base external terminal 120 .

또한, 상기 베이스부(100)는 금속으로 형성되어 있기 때문에, 상기 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 열을 외부로 방출하는 기능을 수행할 수 있다. In addition, since the base unit 100 is formed of metal, it can perform the function of emitting heat generated from the light emitting diode chip to the outside.

상기 베이스부(100)는, 도 1 및 도 2에서 사각형의 판형상으로 도시되어 있으나, 상기 베이스부(100)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다.
1 and 2, the shape of the base part 100 may be variously modified.

다음, 상기 반사부(200)는 상기 베이스부(100)와 일체로 형성된 상태에서, 상기 베이스부(100)의 상단으로 절곡되어 상기 베이스부(100)의 상단면에 적층된다.The reflector 200 is folded toward the upper end of the base 100 and is stacked on the upper surface of the base 100 in a state where the reflector 200 is integrally formed with the base 100.

상기 반사부(200)의 중심에는 관통홀(210)이 형성되어 있다. 상기 관통홀(210)은, 상기 반사부(200)가 상기 베이스부(100)의 상단면에 적층된 상태에서, 상기 베이스부(100)에 형성된 상기 실장부(100)에 실장되는 발광다이오드 칩을 둘러싸고 있는 형태로 형성된다. A through hole 210 is formed in the center of the reflective portion 200. The through hole 210 is formed in the mounting portion 100 of the base portion 100 in a state where the reflection portion 200 is laminated on the upper surface of the base portion 100. [ As shown in FIG.

상기 관통홀(210)의 내경은, 상기 반사부(200)와 상기 베이스부(100)가 맞닿는 접촉면으로부터 멀어지는 방향으로 갈수록, 커지도록 형성되어 있다. 즉, 도 1에서, 상기 관통홀(210)의 내경은, 상기 반사부(200)와 상기 베이스부(100)가 맞닿는 접촉면에서 최소이며, 상단부로 갈수록 커지도록 형성되어 있다. 여기서, 상기 관통홀(210)은 원뿐만 아니라, 도 1에 도시된 바와 같은 4각형을 포함한 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 상기 내경이란, 상기 다각형의 내부 지름 또는 상기 다각형의 중심점을 기준으로 서로 마주보고 있는 내부면들 간의 간격을 말하는 것이다.The inner diameter of the through hole 210 is formed so as to become larger toward a direction away from a contact surface where the reflection portion 200 abuts against the base portion 100. 1, the inner diameter of the through hole 210 is minimum at the contact surface between the reflective portion 200 and the base portion 100, and is increased toward the upper end. Here, the through-hole 210 may be formed in various shapes including not only a circle but also a quadrangle as shown in FIG. 1, and the inner diameter refers to the inner diameter of the polygon or the center of the polygon It is the spacing between facing inner faces.

상기한 바와 같은 내경으로 형성된 경사면(220)에 의해, 상기 발광다이오드 칩으로부터 방출된 광은, 상단방향으로 효율적으로 반사될 수 있다.The light emitted from the light emitting diode chip can be efficiently reflected in the upper direction by the inclined surface 220 formed with the inner diameter as described above.

또한, 상기 반사부(200)는 금속으로 형성되어 있기 때문에, 상기 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 열을 외부로 방출하는 기능을 수행할 수 있다.
In addition, since the reflector 200 is formed of metal, it can perform the function of emitting heat generated from the light emitting diode chip to the outside.

다음, 상기 단자부(300)는, 상기 베이스부(100) 및 상기 반사부(200)와 일정한 간격으로 이격되어 있다. Next, the terminal unit 300 is spaced apart from the base unit 100 and the reflective unit 200 at regular intervals.

상기 단자부(300)는 상기 발광다이오드 칩의 제2전극과 와이어를 통해 연결된다. 즉, 상기 단자부(300)는 베이스부(100)와 마찬가지로 금속으로 형성되어 있기 때문에, 상기 발광다이오드 칩의 제2전극과 연결되어, 상기 발광다이오드 칩으로 전원을 공급할 수 있다.The terminal unit 300 is connected to the second electrode of the light emitting diode chip through a wire. That is, since the terminal unit 300 is formed of metal in the same manner as the base unit 100, the terminal unit 300 can be connected to the second electrode of the light emitting diode chip to supply power to the light emitting diode chip.

상기 단자부(300)에는 외부의 전원공급단자와 상기 단자부(300)가 간단히 접속될 수 있도록, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 단자부(300)의 측면으로부터 돌출되어 있는 단자부외부단자(310)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 단자부(300)는 금속으로 형성되어 있기 때문에, 상기 단자부(300) 중 어떠한 부분이라도 외부의 전원공급단자와 연결될 수 있으나, 특히, 상기 단자부외부단자(310)를 통해 연결될 수 있다.1 and 2, a terminal external terminal (not shown) protruding from the side surface of the terminal unit 300 is formed on the terminal unit 300 so that the external power supply terminal and the terminal unit 300 can be easily connected. 310 may be formed. That is, since the terminal unit 300 is formed of metal, any part of the terminal unit 300 may be connected to an external power supply terminal, but may be connected through the terminal unit external terminal 310 in particular.

또한, 상기 단자부(300)는 금속으로 형성되어 있기 때문에, 상기 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 열을 외부로 방출하는 기능을 수행할 수 있다.
In addition, since the terminal unit 300 is formed of a metal, the terminal unit 300 can function to discharge heat generated from the LED chip to the outside.

상기 베이스부(100), 상기 반사부(200) 및 상기 단자부(300)는, 열전도성이 강한 구리, 알루미늄, 아연 및 니켈 등과 같은 금속들 중에서 선택될 수 있다. The base portion 100, the reflective portion 200, and the terminal portion 300 may be selected from metals such as copper, aluminum, zinc, and nickel having high thermal conductivity.

특히, 상기 베이스부(100), 상기 반사부(200) 및 상기 단자부(300)는, 하나의 금속판재로부터 가공된 것이기 때문에, 상기 구성들은 동일한 금속으로 형성되어 있다. Particularly, since the base portion 100, the reflection portion 200, and the terminal portion 300 are processed from one metal plate, the structures are formed of the same metal.

상기 금속판재는, 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 그 합금 등과 같이, 전도성이 있는 모든 종류의 금속으로 형성될 수 있다.
The metal plate material may be formed of any kind of conductive metal such as copper (Cu), aluminum (Al), or an alloy thereof.

다음, 상기 절연체(400)는, 상기 베이스부(100)와 상기 단자부(300) 사이 및 상기 반사부(200)와 상기 단자부(300) 사이에 삽입되어, 상기 베이스부(100), 상기 반사부(200)와 상기 단자부(300)를 절연 및 고정시키는 기능을 수행한다.The insulator 400 is inserted between the base part 100 and the terminal part 300 and between the reflection part 200 and the terminal part 300 so that the base part 100, And insulates and fixes the terminal unit 200 and the terminal unit 300.

즉, 상기 절연체(400)는, 발광다이오드 칩의 제1전극과 연결되는 베이스부(100) 및 상기 베이스부(100)와 일체로 형성되어 있는 상기 반사부(200)를, 상기 발광다이오드 칩의 제2전극과 연결되는 상기 단자부(300)와 절연시키는 기능을 수행하는 한편, 상기 구성들의 결합력을 향상시켜, 상기 구성들이 일체로 결합되도록 하는 기능을 수행한다. 이를 위해, 상기 절연체(400)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 베이스부(100), 상기 반사부(200) 및 상기 단자부(300)의 외곽을 따라 형성될 수 있다. That is, the insulator 400 includes a base portion 100 connected to the first electrode of the light emitting diode chip, and the reflector 200 integrally formed with the base portion 100, And the terminal unit 300 connected to the second electrode, while enhancing the bonding force of the structures to perform the function of integrally combining the structures. For this, the insulator 400 may be formed along the outline of the base 100, the reflector 200, and the terminal 300, as shown in FIGS.

상기 절연체(400)의 재질은, LCP, PCT, PA(나일론)와 같은 열가소성 수지와, 실리콘과 에폭시와 같은 열경화성 수지로 이루어질 수 있다. 이외에도, 상기 절연체(400)는 글래스 프릿(Glass frit)으로 형성될 수도 있다.The material of the insulator 400 may be a thermoplastic resin such as LCP, PCT, PA (nylon), or a thermosetting resin such as silicone and epoxy. In addition, the insulator 400 may be formed of glass frit.

또한, 절연체(400)를 상기 베이스부(100), 상기 반사부(200) 및 상기 단자부(300)에 결합시키는 몰딩 방법으로는, 상기한 바와 같은 재질을 인서트(insert) 몰딩 방식으로 코팅하는 방법, 또는, 상기한 바와 같은 재질을 디스펜싱(Dispensing)하는 방법 등이 적용될 수 있다.
As a molding method for bonding the insulator 400 to the base 100, the reflector 200 and the terminal 300, there is a method of coating the above materials by an insert molding method Or a method of dispensing the material as described above, or the like can be applied.

상기한 바와 같은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는, 금속으로 형성된 상기 베이스부(100)에 금속으로 형성된 상기 반사부(200)가 적층된다. In the light emitting diode package according to the present invention as described above, the reflective portion 200 formed of a metal is laminated on the base portion 100 formed of a metal.

따라서, 발광다이오드 칩에 가장 가깝게 배열되는 모든 구성들이, 열전도성이 있는 금속으로 배치되기 때문에, 발광다이오드 칩으로부터 발생된 열을 방출시키는 면적이 최대화되므로, 종래의 발광다이오드 패키지보다 방열성능이 대폭으로 향상될 수 있다. Therefore, since all the arrangements closest to the light emitting diode chip are arranged as the thermally conductive metal, the area for emitting the heat generated from the light emitting diode chip is maximized, so that the heat dissipation performance is significantly larger than that of the conventional light emitting diode package Can be improved.

이로 인해, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는, 방열성능이 극대화되어, 발광다이오드 칩의 열화 등을 방지함으로서, 발광다이오드 칩의 수명을 연장시킬 수 있다. Accordingly, the light emitting diode package according to the present invention maximizes the heat dissipation performance and prevents deterioration of the light emitting diode chip, thereby prolonging the lifetime of the light emitting diode chip.

이에 반하여, 종래의 발광다이오드 패키지는 발광다이오드 칩이 안착되는 부분만을 금속으로 형성하고, 발광다이오드 칩의 측면부근에는 플라스틱 재질의 사출성형물이 있기 때문에, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지보다 방열효율이 저조할 수밖에 없다.
On the other hand, in the conventional light emitting diode package, only the portion where the light emitting diode chip is seated is formed of metal, and the injection molding of the plastic material is located near the side of the light emitting diode chip. Have no choice but to.

마지막으로, 상기 베이스부(100)의 표면과 상기 반사부(200)의 표면, 특히, 상기 경사면(220)에는 도금층이 형성될 수 있다. 또한, 상기 단자부(300)의 표면에도 도금층이 형성될 수 있다. Lastly, a plating layer may be formed on the surface of the base part 100 and the surface of the reflection part 200, in particular, the inclined surface 220. A plating layer may also be formed on the surface of the terminal portion 300.

상기 도금층은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 아연(Zn) 등과 같은 금속들 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 베이스부(100)의 표면에 실장되는 발광다이오드 칩에서 발생되는 광이, 상기 베이스부(100), 상기 반사부(200) 및 상기 단자부(300)에서 반사되는 효율이 증가하여, 상기 반사부(200)의 상단부로 유도되는 광의 양이 증가될 수 있다. The plating layer may be formed of any one of metals such as aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), nickel (Ni), zinc (Zn) As a result, light emitted from the light emitting diode chip mounted on the surface of the base unit 100 increases in efficiency of being reflected by the base unit 100, the reflection unit 200, and the terminal unit 300, The amount of light guided to the upper end of the reflective portion 200 can be increased.

특히, 상기 도금층은 금속 표면에 형성되므로, 발광다이오드 칩에서 발생하는 열에 의해서도 변형이나 열화되지 않게 된다. 종래의 발광다이오드 패키지에서는, 플라스틱 하우징에 도금층이 형성되므로, 발광다이오드 칩에서 발생되는 열에 의해 도금층이 쉽게 열화 된다.
In particular, since the plating layer is formed on the metal surface, it is not deformed or deteriorated by heat generated in the light emitting diode chip. In the conventional light emitting diode package, since the plating layer is formed on the plastic housing, the plating layer is easily deteriorated by the heat generated in the light emitting diode chip.

이하에서는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법이 설명된다. 이하의 설명 중, 상기 발광다이오드 패키지에 대한 설명과 중복되는 내용은, 생략되거나 또는 간단히 설명된다. Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention will be described. In the following description, the description overlapping with the description of the light emitting diode package is omitted or briefly described.

도 3은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법에 따라 발광다이오드 패키지가 가공되는 상태가 순차적으로 표시되어 있는 예시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 하우징 및 단자부를 형성하는 방법을 설명하기 위한 예시도이고, 도 5는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 관통홀을 형성하는 방법을 설명하기 위한 예시도이고, 도 6은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 절연체삽입면을 형성하는 방법을 설명하기 위한 예시도이고, 도 7은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 하우징의 일측 끝단을 굽히는 방법을 설명하기 위한 예시도이고, 도 8은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 하우징을 절곡시키는 상태를 설명하기 위한 예시도이고, 도 9는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 하우징을 절곡시켜 반사부를 베이스부의 상단면에 적층시키는 방법을 설명하기 위한 예시도이고, 도 10은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 베이스부 및 반사부의 표면을 도금하는 방법을 설명하기 위한 예시도이고, 도 11은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법 중 베이스부와 단자부 사이 및 반사부와 단자부 사이를 절연시키는 방법을 설명하기 위한 예시도이고, 도 12는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법에 따라 제조된 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에 발광다이오드 칩이 장착되어 있는 상태를 나타낸 예시도이며, 도 13 및 도 14는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법에 따라 제조된 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지를 형성하는 관통홀의 다양한 형태를 나타낸 예시도이다.
FIG. 3 is a view illustrating a state in which a light emitting diode package is processed according to a method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross- FIG. 5 is a view for explaining a method of forming a through hole in a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention, and FIG. 6 is a view illustrating a method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a view for explaining a method of bending one end of a housing in a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention, and FIG. 8 is an explanatory view FIG. 9 is an explanatory view for explaining a state in which the housing is bent in the diode package manufacturing method, FIG. 10 is a view illustrating a method of laminating the reflector on the upper surface of the base by bending the housing in the method of manufacturing the LED package according to the present invention. 11 is a view for explaining a method of insulating the base portion and the terminal portion and the reflective portion and the terminal portion in the method of manufacturing the LED package according to the present invention, FIGS. 13 and 14 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. FIG. Of the through-holes forming the LED package according to the present invention manufactured according to < RTI ID = 0.0 > An exemplary view showing the shape.

본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법은, 금속판재(900)를 스트립하여, 제1지지부(130)에 의해 상기 금속판재(900)에 연결되어 있는 하우징(910)과, 상기 하우징(910)에 이격된 상태에서 제2지지부(140)에 의해 상기 금속판재(900)에 연결되어 있는 단자부(300)를 형성하는 단계(S702 내지 S708), 상기 하우징(910)의 측단을 절곡하여, 하부에는 발광다이오드 칩이 실장되는 베이스부(100)를 형성하고, 상기 베이스부(100)의 상부에는 관통홀(210)이 형성되어 있는 반사부(200)를 적층하는 단계(S710, S712) 및 상기 베이스(100)와, 상기 반사부(200)와 상기 단자부(300)를 절연체(400)로 몰딩하여, 상기 베이스(100)와, 상기 반사부(200)와, 상기 단자부(300)를 일체로 형성하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention includes a housing 910 stripped of a metal plate 900 and connected to the metal plate 900 by a first support 130, (S702 to S708) of forming a terminal portion 300 connected to the metal plate 900 by the second support portion 140 in a state where the second support portion 140 is spaced apart from the second support portion 140. The lower end of the housing portion 910 is bent, (S710, S712) of forming a base part (100) on which a diode chip is mounted and a reflection part (200) having a through hole (210) formed on the base part (100) And the terminal unit 300 are integrally formed by molding the reflector 200 and the terminal unit 300 with the insulator 400 so that the base 100, the reflector 200, .

여기서, 도 3은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법에 따라 발광다이오드 패키지가 가공되는 상태가 순차적으로 표시되어 있는 예시도로서, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는, 도 3에 도시된 바와 같은 금속판재(900)의 가공에 의해 형성될 수 있다. 상기 금속판재(900)는 상기한 바와 같은 다양한 금속으로 형성될 수 있다.
3 is a view illustrating a state in which a light emitting diode package is processed according to a method of manufacturing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, wherein the light emitting diode package according to the present invention includes: And may be formed by processing the plate material 900. The metal plate 900 may be formed of various metals as described above.

우선, 상기 금속판재(900)를 스트립하여, 제1지지부(130)에 의해 상기 금속판재(900)에 연결되어 있는 하우징(910)과, 상기 하우징(910)에 이격된 상태에서 제2지지부(140)에 의해 상기 금속판재(900)에 연결되어 있는 단자부(300)를 형성하는 단계(S702 내지 S708)는, 다음과 같은 세부 단계들을 포함할 수 있다.First, the metal plate 900 is stripped, and a housing 910 connected to the metal plate 900 by the first supporting part 130 and a second supporting part 910 separated from the housing 910 (S702 to S708) of forming the terminal portion 300 connected to the metal plate 900 by means of the metal plate 140 may include the following detailed steps.

첫째, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 금속판재(900)에 하우징(910) 및 단자부(300)를 형성하는 단계(S702)에서는, 상기 금속판재(900)를 스트립하는 것에 의해, 하우징(910) 및 단자부(300)가 형성된다. 이 경우, 상기 하우징(910)은 제1지지부(130)에 의해 상기 금속판재(900)에 연결되어 있으며, 상기 단자부(300)는 제2지지부(140)에 의해 상기 금속판재(900)에 연결되어 있다. 4, in step S702 of forming the housing 910 and the terminal unit 300 on the metal plate 900, the metal plate 900 is stripped to form the housing 910 And a terminal portion 300 are formed. In this case, the housing 910 is connected to the metal plate 900 by the first support portion 130, and the terminal portion 300 is connected to the metal plate 900 by the second support portion 140 .

즉, 상기 하우징(910)과 상기 단자부(300)를 스트립하는 경우에, 상기 하우징(910)과 상기 단자부(300)는 상기 금속판재(900)에서 완전히 떨어지지 않고 일부분이 지지되는 형태로 스트립될 수 있다. That is, when the housing 910 and the terminal unit 300 are stripped, the housing 910 and the terminal unit 300 may be stripped in such a form that the metal plate 900 is not completely separated from the metal plate 900, have.

이 경우, 스트립방법으로는, 프레스 금형을 이용하여 스탬핑하는 판금가공이나, 또는, 절삭 가공이 적용될 수 있다. In this case, as the stripping method, sheet metal processing or stamping processing by stamping using a press die may be applied.

한편, 상기 스트립 공정에 의해, 상기 하우징(910)과 상기 단자부(300)는 완전히 분리된 상태로 상기 금속판재(900)에 형성된다.Meanwhile, the housing 910 and the terminal unit 300 are formed on the metal plate 900 in a completely separated state by the strip process.

둘째, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 하우징(910)에 관통홀(210)을 형성하는 단계(S704)에서는, 상기 하우징(910) 중 상기 제1지지부(130)에 연결되어 있지 않은 일측부에 상기 관통홀(210)이 형성된다.5, in step S704 of forming the through-hole 210 in the housing 910, a portion of the housing 910, which is not connected to the first support portion 130, The through hole 210 is formed.

상기 관통홀(210)의 내경은, 상기에서 설명된 바와 같이, 상기 반사부(200)와 상기 베이스부(100)가 맞닿는 접촉면으로부터 멀어지는 방향으로 갈수록, 커지도록 형성될 수 있다. As described above, the inner diameter of the through hole 210 may be increased toward a direction away from a contact surface between the reflection portion 200 and the base portion 100.

또한, 상기 관통홀(210)은 도 1 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 사각형 형태로 형성될 수도 있으나, 도 13에 도시된 바와 같이 원형으로 형성될 수 있고, 도 14에 도시된 바와 같이 육각형 형태로 형성될 수도 있으며, 이 외에도 다양한 형태로 형성될 수 있다. The through hole 210 may be formed in a rectangular shape as shown in FIG. 1 to FIG. 12, but may be formed in a circular shape as shown in FIG. 13. As shown in FIG. 14, Or may be formed in various other forms.

셋째, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 관통홀을 형성하는 면들 중 어느 하나를 가공하여 절연체삽입면(230)을 형성하는 단계(S706)에서는, 상기 관통홀을 감싸고 있는 테두리들 중, 상기 하우징(900)의 측단을 절곡하는 단계에서 상기 단자부와 마주하게 되는 절연체삽입면(230)이 상기 단자부(300)와 접촉되지 않도록, 상기 절연체삽입면(230)의 두께를 감소시키는 공정이 수행된다. 상기 공정은, 절삭방법 또는 프레스방법 등에 의해 수행될 수 있다. 6, in the step S706 of forming the insulator insertion face 230 by processing any one of the faces forming the through-hole, out of the rims surrounding the through-hole, A process of reducing the thickness of the insulator insertion face 230 is performed so that the insulator insertion face 230 facing the terminal portion in the step of bending the side of the insulator insertion face 900 is not brought into contact with the terminal portion 300. The above process can be performed by a cutting method, a pressing method or the like.

넷째, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 하우징(910)의 일측 끝단(240)을 굽히는 단계(S708)에서는, 상기 하우징(910)의 절곡에 의해 형성되는 상기 반사부(200)와 상기 베이스부(100)의 밀착성을 높이기 위해, 상기 하우징(910)의 일측 끝단(240)을 굽히는 공정이 수행된다. 즉, 상기 일측 끝단(240)은 상기 절곡 단계를 통해 형성되는 상기 반사부(200)의 끝단으로서, 상기 일측 끝단(240)은 상기 베이스부(100)와 접하게 된다.
Fourth, as shown in Figure 7, in the step (S708) of bending the one end 240 of the housing 910, the housing 910, the reflecting portion 200 and the base portion formed by the bending of the A process of bending one end 240 of the housing 910 is performed in order to improve the adhesion of the housing 100. That is, the one end 240 is an end of the reflector 200 formed through the bending step, and the one end 240 is in contact with the base 100.

다음, 상기 하우징(900)의 측단을 절곡하여, 하부에는 발광다이오드 칩이 실장되는 베이스부(100)를 형성하고, 상기 베이스부(100)의 상부에는 관통홀(210)이 형성되어 있는 반사부(200)를 적층하는 단계(S710, S712)는, 다음과 같은 세부 단계들을 포함할 수 있다.Next, a base portion 100 on which a light emitting diode chip is mounted is formed at the lower end of the housing 900, and a through hole 210 is formed at an upper portion of the base portion 100. [ (S710, S712) of stacking the substrate 200 may include the following detailed steps.

첫째, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 하우징(910) 중 상기 제1지지부(130)에 연결되어 있지 않은 일측을 절곡시키는 공정이 수행된다. 상기 절곡 공정에는, 스탬핑공정 또는 밴딩공정 등이 적용될 수 있다.First, as shown in FIG. 8, a process of bending one side of the housing 910, which is not connected to the first support 130, is performed. For the bending process, a stamping process or a bending process may be applied.

둘째, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 하우징(910) 중 상기 공정을 통해 절곡된 상기 반사부(200)를 상기 베이스부(100)의 상단면에 밀착시키는 공정이 수행된다.As shown in FIG. 9, the reflector 200, which has been bent through the above process, is closely contacted with the upper surface of the base 100.

상기한 바와 같은 절곡 공정은 프레기 방법에 의해 수행될 수 있다.
The bending process as described above can be performed by a press method.

마지막으로, 상기 베이스(100)와, 상기 반사부(200)와 상기 단자부(300)를 절연체(400)로 몰딩하여, 상기 베이스(100)와, 상기 반사부(200)와, 상기 단자부(300)를 일체로 형성하는 단계는, 다음과 같은 세부 단계들을 포함할 수 있다.Finally, the base 100, the reflective portion 200, and the terminal portion 300 are molded with an insulator 400, and the base 100, the reflective portion 200, the terminal portion 300 ) May include the following detailed steps.

첫째, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 반사부(200)가 절곡되어 상기 베이스(100)의 상단면에 적층된 상태에서, 상기 베이스부(100), 상기 반사부(200) 및 상기 단자부(300)의 표면에 도금층(500)을 형성하는 공정이 수행될 수 있다. 10, the reflector 200 is folded and stacked on the upper surface of the base 100, and the base 100, the reflector 200, and the terminal portion (not shown) 300 may be performed on the surface of the plating layer 500.

상기 도금층(500)은, 상기한 바와 같이, 알루미늄, 금 또는 은 등과 같은 금속을 이용하여 형성될 수 있으며, 전해도금, 스퍼터링 증착, 진공증착 및 스프레이증착 중 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 이러한 도금층(500) 형성 과정은, 상기 베이스부(100), 상기 반사부(200) 및 상기 단자부(300)의 표면에 광의 반사율이 좋은 도금층(500)을 형성함으로써, 광의 방출성능을 극대화시키기 위한 목적으로 수행된다. 종래에는, 플라스틱 하우징이 사용되므로, 본 발명과 같이 반사율이 좋은 금속면이 형성될 수 없다. As described above, the plating layer 500 may be formed using a metal such as aluminum, gold, silver, or the like, and may be formed using at least one of electrolytic plating, sputter deposition, vacuum deposition, and spray deposition . The plating layer 500 may be formed by forming a plating layer 500 having a high reflectivity on the surface of the base 100, the reflective portion 200, and the terminal portion 300 to maximize light emission performance. . Conventionally, since a plastic housing is used, a metal surface with good reflectance can not be formed as in the present invention.

둘째, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 베이스부(100)와 상기 단자부(300) 사이 및 상기 반사부(200)와 상기 단자부(300) 사이를 절연체로 절연 및 접합시키는 공정이 수행된다. 11, a process of insulating and bonding the base portion 100 and the terminal portion 300 and between the reflection portion 200 and the terminal portion 300 with an insulator is performed.

상기 절연체(400)는, 상기 베이스부와 상기 단자부 사이(410), 상기 반사부(200)와 상기 단자부 사이(300) 및 기타 상기 베이스부와 상기 단자부와 상기 반사부의 외곽면(430)에 형성될 수 있다. The insulator 400 is formed on the outer surface 430 of the base portion, the terminal portion, and the reflection portion between the base portion and the terminal portion 410, between the reflection portion 200 and the terminal portion 300, .

상기 절연체를 형성하는 몰딩단계, 상기 베이스부(100), 상기 반사부(200) 및 상기 단자부(300)를 절연시키는 기능 이외에도, 상기 구성들을 일체로 형성하는 단계이다. 여기서, 몰딩방법은 전술하였으므로, 중복해서 설명하지 않기로 한다.
A molding step for forming the insulator, and a function for insulating the base part 100, the reflection part 200, and the terminal part 300, in addition to the above-described steps. Here, since the molding method has been described above, it will not be repeatedly described.

상기한 바와 같은 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법은, 절연체(400)를 제외한 모든 구성들이 금속으로 형성되어 있기 때문에, 방열성능이 극대화될 수 있다. In the method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention as described above, since all the structures except for the insulator 400 are formed of metal, the heat radiation performance can be maximized.

또한, 종래에는 방열 성능을 극대화시키기 위하여 별도의 금속을 적층하거나 라믹 하우징을 형성하였으나, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법에서는, 고순도의 금속을 절곡하는 방법이 이용되므로, 고방열을 요구하는 발광다이오드의 제조시 제조비용이 획기적으로 절감될 수 있다. In addition, in order to maximize the heat dissipation performance, conventionally, a separate metal is laminated or a ceramic housing is formed. However, in the method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention, a method of bending a metal of high purity is used. The manufacturing cost can be drastically reduced in manufacturing the diode.

또한, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 제조 방법에서는, 하우징(910)의 일측단을 형성하는 상기 반사부(200)가 절곡되어, 상기 베이스부(100)의 상단면에 적층하는 형태로 구현되므로, 종래의 경우보다 프레스 공정이 줄어들게 되어, 제조비용이 절감될 수 있다.
In addition, in the method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention, the reflector 200 forming one end of the housing 910 is folded and laminated on the upper surface of the base 100, The pressing process can be reduced and the manufacturing cost can be reduced as compared with the conventional case.

한편, 도 12는 상기한 바와 같은 발광다이오드 패키지 제조 방법에 의해 제조된 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에, 발광다이오드 칩(800)이 장착되어 있는 상태를 나타내고 있다.12 shows a state in which the light emitting diode chip 800 is mounted on the light emitting diode package according to the present invention manufactured by the method of manufacturing the light emitting diode package as described above.

상기한 바와 같이, 상기 발광다이오드 칩(800)의 제1전극은 상기 베이스부(100)에 제1와이어(810)를 통해 연결될 수 있고, 제2전극은 상기 단자부(300)에 제2와이어(820)를 통해 연결될 수 있으며, 상기 베이스부(100)와 상기 단자부(300)는 외부의 전원공급단자와 연결되어 상기 제1전극 및 제2전극으로 전원을 공급하는 기능을 수행한다.
The first electrode of the light emitting diode chip 800 may be connected to the base unit 100 through a first wire 810 and the second electrode may be connected to the terminal unit 300 through a second wire The base unit 100 and the terminal unit 300 may be connected to an external power supply terminal to supply power to the first electrode and the second electrode.

도 15는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 또 다른 일실시예를 나타낸 다양한 사시도이다. 이 중, (a)와 (b)는 또 다른 형태의 발광다이오드 패키지를 나타낸 것으로서, (a)는 절연체가 형성되기 전의 상태를 나타낸 것이며, (b)는 절연체가 형성되어 있는 상태를 나타낸 것이다. 또한, (c) 및 (d) 역시 또 다른 형태의 발광다이오드 패키지를 나타낸 것으로서, (c)는 절연체가 형성되기 전의 상태를 나타낸 것이며, (d)는 절연체가 형성되어 있는 상태를 나타낸 것이다.15 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. (A) and (b) illustrate yet another type of light emitting diode package, in which (a) shows a state before an insulator is formed, and (b) shows a state in which an insulator is formed. (C) and (d) illustrate yet another type of light emitting diode package. (C) shows a state before an insulator is formed, and (d) shows a state in which an insulator is formed.

한편, 도 15에 도시된 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 구성은, 상기에서 설명된 본 발명에 다른 발광다이오드 패키지의 구성과 대부분 일치하며, 상기에서 설명된 발광다이오드 패키지 제조 방법에 의해 제조될 수 있다. 따라서, 이하에서는, 상기에서 설명된 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법과 다른 구성 및 방법에 대하여만 설명된다.
The structure of the light emitting diode package according to the present invention shown in FIG. 15 is almost the same as the structure of the light emitting diode package according to the present invention described above, and can be manufactured by the above- have. Therefore, only the configuration and the method different from the above-described LED package and its manufacturing method will be described.

첫째, 도 1 내지 도 14를 참조하여 설명된 발광다이오드 패키지에서는, 베이스외부단자(120)가, 상기 발광다이오드 칩(800)이 실장되는 실장부(110)를 기준으로, 단자부외부단자(130)와 수직한 방향에 형성되어 있으나, 도 15에 도시된 발광다이오드 패키지는, 베이스부외부단자(120)가, 단자부외부단자(130)와 마주보고 있는 형태로 형성되어 있다. 1 to 14, the base external terminal 120 is electrically connected to the terminal external terminal 130 on the basis of the mounting portion 110 on which the LED chip 800 is mounted. The light emitting diode package shown in FIG. 15 is formed such that the external terminal 120 of the base unit faces the external terminal 130 of the terminal unit.

따라서, 상기 베이스부외부단자(120)는, 금속판재(900) 상에서 상기 제2지지부(140)와 마주보고 있는 제1지지부(130)에 연결되어 있다. Therefore, the base unit external terminal 120 is connected to the first support portion 130 facing the second support portion 140 on the metal plate 900.

또한, 도 15의 (a) 및 (b)에 도시된 발광다이오드 패키지에 적용되는 베이스외부단자(120) 및 단자부외부단자(310)의 형태는, 상기에서 설명된 형태와 다르게 박스 형태로 형성되어 있다. 본 발명에 적용되는 베이스외부단자(120) 및 단자부외부단자(310)는, 도 1 및 도 15의 (a) 및 (b)에 도시된 형태 이외에도 다양한 형태로 구성될 수 있다. The shapes of the base external terminal 120 and the terminal external terminal 310 applied to the LED package shown in FIGS. 15A and 15B are formed in a box shape different from the shape described above have. The base external terminal 120 and the terminal external terminal 310 applied to the present invention may be configured in various forms in addition to those shown in Figs. 1 and 15 (a) and 15 (b).

한편, 도 15에 도시된 발광다이오드 패키지에서는, 상기 베이스부외부단자(120) 및 상기 제1지지부(130)가, 상기 단자부외부단자(310) 및 상기 제2지지부(140)와 마주보고 있는 형태로 형성되어 있기 때문에, 상기 반사부(200)가 도 8과 같은 형태로 절곡될 수 없다.15, the base portion external terminal 120 and the first support portion 130 are formed in a shape that faces the terminal portion external terminal 310 and the second support portion 140 The reflector 200 can not be bent in the shape shown in FIG.

그 대신, 도 15에 도시된 발광다이오드 패키지에서는, 상기 반사부(200)가, 상기 베이스부외부단자(120) 및 상기 단자부외부단자(310)가 이루는 직선의 수직한 방향으로 절곡된다.
15, the reflective portion 200 is bent in a direction perpendicular to the straight line formed by the base portion external terminal 120 and the terminal portion external terminal 310. In addition, in the LED package shown in FIG.

상기한 바와 같은 본 발명을 정리하면 다음과 같다. The present invention as described above can be summarized as follows.

본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는, 종래의 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier) 패키지의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 고효율, 고강성의 메탈 하우징(베이스부 및 반사부)이 플라스틱(plastic)으로 절연되어 있는 구성으로 형성되어 있다. A light emitting diode package according to the present invention is for solving the problem of a conventional PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) package, in which a metal housing (base portion and reflection portion) of high efficiency and high rigidity is insulated with plastic As shown in Fig.

본 발명에 따른 발광다이오드 제조 방법은, Cu 또는 Al 등의 금속판재와 스탬핑(stamping) 벤딩 접합 공정을 이용하는 것으로서, 고온 신뢰성이 우수한, 즉, 방열 특성이 우수한 고 신뢰성 패키지를 제조 제조하는 방법에 관한 것이다.A method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention uses a stamping and bending bonding process with a metal plate such as Cu or Al and is a method of manufacturing a high reliability package having excellent high temperature reliability, will be.

즉, 본 발명은 금속소재를, 스탬핑(Stamping) 성형법을 이용해 성형하여, 발광다이오드 칩이 실장되는 베이스부(100)와, 반사판의 기능을 수행하는 반사부(200)를 일체로 제조할 수 있다. 예를 들어, 베이부와 반사부가 형성될 하우징(910)을 연장하여 반사부(Reflector)(200)를 성형한 후, 반사부(200)를 굽혀 베이스부(100)와 접합시켜, 베이스부 상단면에, 플라스틱 반사판(Plastic Reflector) 대신 금속으로 형성된 반사부(200)가 형성된다.That is, according to the present invention, a base material 100 on which a light emitting diode chip is mounted and a reflector 200 functioning as a reflector can be integrally formed by molding a metal material using a stamping molding method . For example, after the reflector 200 is formed by extending the housing 910 in which the bay portion and the reflecting portion are to be formed, the reflecting portion 200 is bent and bonded to the base portion 100, A reflector 200 formed of a metal instead of a plastic reflector is formed on the surface.

본 발명에서는, 금속으로 형성된 상기 반사부(200)와 상기 베이스부(100)가 일체로 되어있기 때문에, 금속 방열부의 단면적이 최대화될 수 있고, 상기 반사부(200)는 열에 취약한 플라스틱 대신 금속으로 보강되어 있기 때문에, 열에 의한 변형 문제가 해결될 수 있다. In the present invention, since the reflector 200 formed of a metal and the base 100 are integrated, the cross-sectional area of the heat dissipation unit can be maximized, and the reflector 200 can be made of metal The problem of deformation due to heat can be solved.

즉, 본 발명에 의하면, 제조 비용이 획기적으로 감소될 수 있으며, 고순도 재료의 사용이 가능함으로써, 열 방출 효과가 극대화될 수 있다.
That is, according to the present invention, the manufacturing cost can be drastically reduced, and the use of the high-purity material makes it possible to maximize the heat radiation effect.

본 발명의 특징을 정리하면, 다음과 같이 크게 세 가지로 구분될 수 있다.The characteristics of the present invention are summarized as follows.

첫째, 본 발명에서는, 유기발광다이오드 패키지의 사면을 메탈이 둘러싸고 있기 때문에, 발광다이오드 칩이 장착되어 사용되는 경우, 온도 증가에 따른 컵 형상의 변형이 근본적으로 방지될 수 있다(종래의 발광다이오드 패키지는 플라스틱으로 되어 있어 온도 증가 시 변형이 일어남). 또한, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 패키지는, 동일 두께의 금속판재(900)를 이용하여 제작되기 때문에, 열전도성이 좋은 메탈의 면적을 극대화하여 열방출 특성이 향상될 수 있다. First, in the present invention, since the metal surrounds the slope of the organic light emitting diode package, when the light emitting diode chip is mounted and used, deformation of the cup shape due to an increase in temperature can be fundamentally prevented (the conventional light emitting diode package Is made of plastic and deformed when temperature increases). In addition, since the organic light emitting diode package according to the present invention is manufactured using the metal plate 900 having the same thickness, the area of the metal having a good thermal conductivity can be maximized and the heat emission characteristics can be improved.

둘째, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 패키지에서, 상기 베이스부(100)와 상기 반사부(200)가 일체로 형성되어 있다. 즉, 상기 반사부(200)와 상기 베이스부(100)가 일체로 연결되어 있으며, 그 사이를 절곡시킴으로써, 상기 반사부(200)가 분리 없이 일체로 상기 베이스부(100)의 상단면에 적층될 수 있다. Second, in the organic light emitting diode package according to the present invention, the base portion 100 and the reflection portion 200 are integrally formed. That is, the reflective portion 200 and the base portion 100 are integrally connected to each other. By bending the reflective portion 200, the reflective portion 200 can be integrally laminated on the upper surface of the base portion 100, .

또한, 상기 반사부(200)의 깊이, 즉, 두께는, 발광다이오드 칩의 형태에 따라 조절이 가능하다. 즉, 상기 반사부(200)와 상기 베이스부(100)는 일체로 형성되어 있으나, 상기 반사부(200) 만을 프레스 가공 또는 절삭 가공 등을 통해 가공함으로써, 상기 반사부(200)의 두께는 상기 베이스부(100)의 두께가 다르게 형성될 수도 있다. In addition, the depth, i.e., the thickness, of the reflective portion 200 can be adjusted according to the shape of the light emitting diode chip. In other words, although the reflector 200 and the base 100 are integrally formed, only the reflector 200 is processed by press working, cutting, or the like, The thickness of the base portion 100 may be different.

또한, 상기 베이스부와 상기 반사부는, 동일한 금속 재료로 연결되어 일체를 이루고 있으며, 1번 이상 절곡되어 접합될 수 있다. In addition, the base portion and the reflection portion may be integrally connected by the same metal material, and they may be folded one or more times to be joined.

또한, 상기 반사부(200)에 형성되는 관통홀(210)의 형상은, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형, 12각형 등의 다각형, 또는 원형 또는 타원형 등으로 형성될 수 있다. The shape of the through hole 210 formed in the reflector 200 may be a polygon such as a triangle, a rectangle, a pentagon, a hexagon, an octagon, a hexagon, or a circle or an ellipse.

또한, 상기 베이스부(100)와 상기 단자부(300)는 절연체(400)에 의해 분리되어 있다. The base portion 100 and the terminal portion 300 are separated from each other by an insulator 400.

또한, PCB에 납땜을 하기 위하여, 상기 단자부(300)는, 상기 관통홀 내부에서 상기 베이스부(100)와 이격되게 형성될 수도 있으며, 또는 상기 관통홀 외부로 연장되어 형성된 단자부외부단자(310)를 포함할 수도 있다. In order to solder the PCB, the terminal portion 300 may be spaced apart from the base portion 100 in the through-hole, or may include a terminal portion external terminal 310 formed to extend outside the through- . ≪ / RTI >

또한, 상기 베이스부(100)의 크기는 실장되는 발광다이오드 칩(800)의 수에 따라 변경될 수 있기 때문에, Single Chip 부터 Multi Chip 까지 모든 형태의 발광다이오드 칩의 적용이 가능하다. In addition, since the size of the base unit 100 can be changed according to the number of mounted LED chips 800, it is possible to apply all types of LED chips from a single chip to a multi chip.

또한, 상기 반사부(200)와 상기 단자부(300) 사이 및, 상기 베이스부(100)와 상기 단자부(300) 사이에는 상기 절연체(400)가 삽입될 수 있는 공간이 형성되어 있다. A space through which the insulator 400 can be inserted is formed between the reflective portion 200 and the terminal portion 300 and between the base portion 100 and the terminal portion 300.

셋째, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 제조 방법은, 프레스 금형을 이용하여 금속판재(900)에서 상기 베이스부(100)와 상기 반사부(200)를 연결하여 동시에 형성한 후, 상기 반사부(200)를 구부려 상기 베이스부(100)의 상단면에 적층하고 있으며, 상기 단자부(300) 역시, 상기 금속판재(900)에서 상기 베이스부(100) 및 상기 반사부(200)와 함께 형성할 수 있다. The method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention is a method of manufacturing an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention in which a base plate 100 and a reflector 200 are connected to each other in a metal plate 900 using a press mold, The terminal part 300 may be formed together with the base part 100 and the reflection part 200 in the metal plate material 900. For example, .

또한, 금형을 이용하여, 상기 반사부의 접합과 구부리는 형태 및, 상기 반사부의 경사면의 각도는 자유롭게 조정될 수 있다. Further, by using the mold, the shape of bending and joining of the reflecting portion and the angle of the inclined surface of the reflecting portion can be freely adjusted.

또한, 상기 금속판재(900)의 재료로는, 기계적 성질이 우수하고 열전도율이 우수한 Cu, Al, Mg 또는 그들의 화합물 및 모든 금속제들이 적용될 수 있다.As the material of the metal plate 900, Cu, Al, Mg or their compounds having excellent mechanical properties and excellent thermal conductivity and all metal materials can be applied.

또한, 상기 베이스부(100), 상기 반사부(200) 및 상기 단자부(300)의 표면에는 Al, Ag, Au 등을 소정 두께 도금하여 빛 방출효과를 증대시킬 수 있으며, 도금방법으로는 전해도금, 스퍼터링, 진공증착, 스프레이법 등이 적용될 수 있다. The surface of the base portion 100, the reflective portion 200, and the terminal portion 300 may be plated with a predetermined thickness of Al, Ag, Au or the like to increase the light emission effect. As the plating method, , Sputtering, vacuum deposition, spraying, or the like can be applied.

또한, 상기 절연체(400)로는 LCP, PCT, PA 등의 열가소성 모든 수지와, 실리콘, 에폭시 등의 모든 열경화성 수지, 또는 Glass frit 등의 이용될 수 있으며, 상기 절연체(400)는 insert 몰딩 방식으로 코팅하는 방법. 상기 절연물을 dispensing하는 방법 등을 통해 상기 베이스부(100)와 상기 단자부(300) 사이 및, 상기 반사부(200)와 상기 단자부(300) 등에 주입될 수 있다.
As the insulator 400, all thermoplastic resins such as LCP, PCT, and PA, and all thermosetting resins such as silicon and epoxy, or glass frit may be used. The insulator 400 may be formed by an insert molding method How to. And may be injected between the base part 100 and the terminal part 300 and between the reflection part 200 and the terminal part 300 through a method of dispensing the insulator.

이와 같이 설명된 본 발명은 예시적인 것에 불과하다. 그러므로, 본발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 즉, 본 발명의 기술적 보호 범위는 상기한실시예에 기술된 구성요소들의 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
The invention thus described is merely illustrative. It is therefore to be understood that the invention is not limited to the form set forth in the foregoing description. Accordingly, the technical scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. That is, the technical scope of protection of the present invention should be construed as including modifications, equivalents, and substitutions of the elements described in the above embodiments.

100 : 베이스부 200 : 반사부
300 : 단자부 400 : 절연체
500 : 도금층 800 : 발광다이오드 칩
900 : 금속판재100: base portion 200: reflective portion
300: terminal portion 400: insulator
500: Plated layer 800: Light emitting diode chip
900: Metal plate

Claims (10)

발광다이오드 칩이 실장되는 실장부가 형성되어 있는 금속재질의 베이스부;
중심부분에는 관통홀이 형성되어 있으며, 일측끝단이 상기 베이스부의 일측끝단과 연결된 상태로 절곡되어, 상기 베이스부의 상단면에 적층되는 금속재질의 반사부;
상기 베이스부와 나란하게 배치되어 있으며, 상기 베이스부 및 상기 반사부와 일정간격으로 이격되어 있는 단자부; 및
상기 베이스부와 상기 단자부 사이, 및 상기 반사부와 상기 단자부 사이에 삽입되어, 상기 베이스부, 상기 반사부와 상기 단자부를 절연 및 고정시키는 절연체를 포함하는 발광다이오드 패키지.A metal base portion having a mounting portion on which the light emitting diode chip is mounted;
A reflective portion of a metal material having a through hole formed at a central portion thereof and having one end thereof folded in a state connected to one end of the base portion and stacked on an upper surface of the base portion;
A terminal portion disposed in parallel to the base portion and spaced apart from the base portion and the reflection portion at a predetermined interval; And
And an insulator inserted between the base portion and the terminal portion and between the reflection portion and the terminal portion to insulate and fix the base portion and the reflection portion and the terminal portion. 제 1 항에 있어서,
상기 베이스부는 상기 발광다이오드 칩의 제1전극과 연결되며,
상기 단자부는 상기 발광다이오드 칩의 제2전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1,
The base portion is connected to the first electrode of the light emitting diode chip,
And the terminal portion is connected to the second electrode of the light emitting diode chip. 제 1 항에 있어서,
상기 베이스부의 표면과 상기 반사부의 표면에는 도금층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The method according to claim 1,
And a plating layer is formed on the surface of the base portion and the surface of the reflective portion. 제 1 항에 있어서,
상기 반사부가 상기 베이스부의 상단면에 적층된 상태에서, 상기 관통홀은 상기 실장부를 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the through-hole surrounds the mounting portion in a state in which the reflection portion is laminated on the upper surface of the base portion. 제 1 항에 있어서,
상기 관통홀의 내경은, 상기 반사부와 상기 베이스부가 맞닿는 접촉면으로부터 멀어지는 방향으로 갈수록, 커지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The method according to claim 1,
Wherein an inner diameter of the through hole is increased toward a direction away from a contact surface where the reflection portion and the base portion are in contact with each other. 금속판재를 스트립하여, 제1지지부에 의해 상기 금속판재에 연결되어 있는 하우징과, 상기 하우징에 이격된 상태에서 제2지지부에 의해 상기 금속판재에 연결되어 있는 단자부를 형성하는 단계;
상기 하우징의 일측을 절곡하여, 하부에는 발광다이오드 칩이 실장되는 베이스부를 형성하고, 상기 베이스부의 상부에는 관통홀이 형성되어 있는 반사부를 적층하는 단계; 및
상기 베이스와, 상기 반사부와 상기 단자부를 절연체로 몰딩하여, 상기 베이스와, 상기 반사부와, 상기 단자부를 일체로 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조 방법. A step of stripping a metal plate to form a terminal connected to the metal plate by a first support part and a terminal part connected to the metal plate by a second support part in a state of being separated from the housing;
A step of bending one side of the housing and forming a base portion on which a light emitting diode chip is mounted and a reflection portion having a through hole formed on the base portion; And
And molding the base, the reflective portion, and the terminal portion with an insulator to integrally form the base, the reflective portion, and the terminal portion. 제 6 항에 있어서,
상기 하우징과 상기 단자부를 형성하는 단계는,
상기 하우징 중, 상기 제1지지부에 연결되어 있지 않은 일측에, 상기 관통홀이 형성되어 있는 상기 반사부를 형성하며,
상기 관통홀의 내경은, 상기 반사부와 상기 베이스부가 맞닿는 접촉면으로부터 멀어지는 방향으로 갈수록, 커지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법. The method according to claim 6,
Wherein the step of forming the housing and the terminal portion comprises:
The reflection portion having the through-hole is formed on one side of the housing that is not connected to the first support portion,
Wherein the inner diameter of the through hole is increased toward a direction away from a contact surface where the reflective portion and the base portion abut. 제 6 항에 있어서,
상기 하우징과 상기 단자부를 형성하는 단계는,
상기 관통홀을 감싸고 있는 테두리들 중, 상기 하우징(900)의 일측 절곡시 상기 단자부와 마주하게 되는 절연체삽입면이, 상기 단자부와 접촉되지 않도록, 절연체삽입면의 두께를 감소시키는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.The method according to claim 6,
Wherein the step of forming the housing and the terminal portion comprises:
Wherein a thickness of the insulator insertion surface is reduced so that the insulator insertion face, which faces the terminal portion when one side of the housing 900 is bent, among the rims surrounding the through hole does not contact the terminal portion A method of fabricating a diode package. 제 6 항에 있어서,
상기 하우징을 절곡하는 단계 이후에, 상기 베이스부의 표면과 상기 반사부의 표면에 도금층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.The method according to claim 6,
And forming a plating layer on a surface of the base portion and a surface of the reflective portion after the step of bending the housing. 제 6 항에 있어서,
상기 절연체로 몰딩하는 단계는,
상기 절연체를, 상기 베이스부와 상기 단자부 사이 및, 상기 반사부와 상기 단자부 사이에 삽입시켜, 상기 베이스부, 상기 반사부와 상기 단자부를 절연 및 고정시키는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.The method according to claim 6,
The step of molding with the insulator comprises:
Wherein the insulator is inserted between the base part and the terminal part and between the reflection part and the terminal part to insulate and fix the base part and the reflection part and the terminal part.
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