KR20180129714A - Light emitting device package and light unit - Google Patents

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KR20180129714A
KR20180129714A KR1020180146429A KR20180146429A KR20180129714A KR 20180129714 A KR20180129714 A KR 20180129714A KR 1020180146429 A KR1020180146429 A KR 1020180146429A KR 20180146429 A KR20180146429 A KR 20180146429A KR 20180129714 A KR20180129714 A KR 20180129714A
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강경모
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

A light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes: a body provided with a first recess; a first lead frame and a second lead frame disposed in the first recess of the body; a second recess provided on a lateral side of the first recess; a light emitting device electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; and a Zener diode arranged on a partial region in the second recess and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame. Accordingly, the present invention can secure a mounting area and light emission uniformity.

Description

발광소자 패키지 및 라이트 유닛 {Light emitting device package and light unit}[0001] Light emitting device package and light unit [0002]

실시 예는 발광소자 패키지 및 라이트 유닛에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package and a light unit.

발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 소자이다. 발광소자는 LED(Light Emitting Diode), LD(Laser Diode)를 포함한다. 예를 들어, 발광소자는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device is a device in which electric energy is converted into light energy. The light emitting device includes a light emitting diode (LED) and a laser diode (LD). For example, the light emitting device can be implemented in various colors by controlling the composition ratio of the compound semiconductor.

발광소자는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구현할 수 있다. As the light emitting device, a compound semiconductor material such as GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, and InGaAlP may be used to realize a light emitting source.

이러한 발광소자는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광소자 패키지로 구현될 수 있으며, 발광소자 패키지는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 적용되고 있다.Such a light emitting device can be implemented as a light emitting device package that is packaged and emits various colors, and the light emitting device package is applied to various fields such as a lighting indicator, a character indicator, and an image indicator.

실시 예는 발광소자의 실장 면적 및 발광 균일성을 확보할 수 있는 발광소자 패키지 및 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a light unit capable of ensuring a mounting area and light emission uniformity of the light emitting device.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 리세스가 제공된 몸체; 상기 몸체의 제1 리세스 내에 배치된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임; 상기 제1 리세스의 측면에 제공된 제2 리세스; 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자; 상기 제2 리세스 내에 일부 영역이 배치되며, 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 제너 다이오드; 를 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes: a body provided with a first recess; A first lead frame and a second lead frame disposed in a first recess of the body; A second recess provided on a side of the first recess; A light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; A zener diode disposed in the second recess and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; .

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광소자 패키지; 상기 발광소자 패키지로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재; 를 포함하고, 상기 발광소자 패키지는, 제1 리세스가 제공된 몸체; 상기 몸체의 제1 리세스 내에 배치된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임; 상기 제1 리세스의 측면에 제공된 제2 리세스; 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자; 상기 제2 리세스 내에 일부 영역이 배치되며, 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 제너 다이오드; 를 포함한다.A light unit according to an embodiment includes a substrate; A light emitting device package disposed on the substrate; An optical member through which the light provided from the light emitting device package passes; The light emitting device package comprising: a body provided with a first recess; A first lead frame and a second lead frame disposed in a first recess of the body; A second recess provided on a side of the first recess; A light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; A zener diode disposed in the second recess and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; .

실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 라이트 유닛은 발광소자의 실장 면적 및 발광 균일성을 확보할 수 있는 장점이 있다.The light emitting device package and the light unit according to the embodiment have an advantage that the mounting area and uniformity of the light emitting device can be secured.

도 1 및 도 2는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 3은 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 제공된 발광소자를 설명하는 도면이다.
도 4 및 도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 6 및 도 7은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 9는 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸 도면이다.1 and 2 are views showing a light emitting device package according to an embodiment.
3 is a view illustrating a light emitting device provided in a light emitting device package according to an embodiment.
4 and 5 are views showing another example of the light emitting device package according to the embodiment.
6 and 7 are views showing still another example of the light emitting device package according to the embodiment.
8 is a view showing a display device according to the embodiment.
9 is a view showing another example of the display device according to the embodiment.
10 is a view showing a lighting apparatus according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 1 및 도 2는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.1 and 2 are views showing a light emitting device package according to an embodiment.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 몸체(10), 제1 리드 프레임(21), 제2 리드 프레임(22), 발광소자(30), 제너 다이오드(40)를 포함할 수 있다.1 and 2, the light emitting device package according to the embodiment includes a body 10, a first lead frame 21, a second lead frame 22, a light emitting element 30, a zener diode 40 ).

상기 몸체(10)에 제1 리세스(81)가 제공될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(21) 및 상기 제2 리드 프레임(22)는 상기 제1 리세스(81) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리드 프레임(21) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리드 프레임(21) 및 상기 제2 리드 프레임(22)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광소자(30)는 와이어 본딩, 플립칩 본딩, 다이 본딩 등에 의하여 상기 제1 리드 프레임(11) 또는 상기 제2 리드 프레임(13)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리드 프레임(21)에 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 등으로 연결될 수 있으며, 상기 제2 리드 프레임(22)에 제1 와이어(61)를 통하여 연결될 수 있다.A first recess (81) may be provided in the body (10). The first lead frame 21 and the second lead frame 22 may be disposed in the first recess 81. The light emitting device 30 may be disposed on the first lead frame 21. The light emitting device 30 may be electrically connected to the first lead frame 21 and the second lead frame 22. The light emitting device 30 may be electrically connected to the first lead frame 11 or the second lead frame 13 by wire bonding, flip chip bonding, die bonding or the like. For example, the light emitting device 30 may be connected to the first lead frame 21 by flip-chip bonding or die bonding, and may be connected to the second lead frame 22 through a first wire 61 .

상기 제너 다이오드(40)는 상기 제1 리드 프레임(21) 및 상기 제2 리드 프레임(22)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 제너 다이오드(40)는 상기 제2 리드 프레임(22)에 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 등으로 연결될 수 있으며, 상기 제1 리드 프레임(21)에 제2 와이어(62)를 통하여 연결될 수 있다. The Zener diode 40 may be electrically connected to the first lead frame 21 and the second lead frame 22. For example, the Zener diode 40 may be connected to the second lead frame 22 by flip-chip bonding or die bonding, and may be connected to the first lead frame 21 through a second wire 62 .

상기 몸체(10)에 제2 리세스(82)가 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(82)는 상기 몸체(10)의 측면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(82)는 상기 몸체(10)를 이루는 단변에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(81)는 상기 몸체(10)를 따라 제공된 장변 및 단변을 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스(82)는 상기 제1 리세스(81)의 단변에 제공될 수 있다. 상기 제너 다이오드(40)의 일부 영역은 상기 제2 리세스(82) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 제너 다이오드(40)의 반 이상의 영역이 상기 제2 리세스(82) 내에 배치될 수 있다.A second recess (82) may be provided on the body (10). The second recess 82 may be provided on a side surface of the body 10. The second recess 82 may be provided on the short side of the body 10. The first recess 81 may include a long side and a short side provided along the body 10. The second recess 82 may be provided at the short side of the first recess 81. A portion of the zener diode (40) may be disposed within the second recess (82). For example, half or more of the zener diodes 40 may be disposed in the second recess 82.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 단자(51)와 제2 단자(52)를 포함할 수 있다. 상기 제1 단자(51)는 상기 제1 리드 프레임(21)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 단자(52)는 상기 제2 리드 프레임(22)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 단자(51) 및 상기 제2 단자(52)는 외부 전원에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 단자(51) 및 상기 제2 단자(52)는 상기 몸체(10)의 장변에 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 단자(51) 및 상기 제2 단자(52)가 바닥면에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 발광소자 패키지는 측면 발광형으로 구현될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a first terminal 51 and a second terminal 52. The first terminal (51) may be electrically connected to the first lead frame (21). The second terminal 52 may be electrically connected to the second lead frame 22. The first terminal 51 and the second terminal 52 may be electrically connected to an external power source. The first terminal 51 and the second terminal 52 may be provided on the long side of the body 10. [ For example, the first terminal 51 and the second terminal 52 may be disposed on the bottom surface, so that the light emitting device package may be realized as a side light emitting type.

측면 발광형 발광소자 패키지의 경우 상부 발광형 발광소자 패키지에 비하여 단변의 길이가 짧게 제공된다. 또한 ESD(electrostatic discharge)로부터 상기 발광소자(30)를 보호하기 위하여 ESD 보호소자로서 상기 제너 다이오드(40)가 적용될 수 있다. 이때, 종래 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제너 다이오드(40)의 배치 공간을 확보하기 위하여 상기 발광소자(30)가 상기 몸체(10)의 중앙 영역에 배치되지 못하고 일측으로 치우쳐서 배치되게 된다. 이에 따라, 상기 발광소자(30)로부터 발광되는 빛이 외부로 방출됨에 있어 균일하게 제공되지 못하는 현상이 발생된다.In the case of the side-emitting type light-emitting device package, the short side is provided shorter than the top-emitting type light-emitting device package. Also, the zener diode 40 may be applied as an ESD protection device in order to protect the light emitting device 30 from electrostatic discharge (ESD). According to the conventional light emitting device package, the light emitting devices 30 are not arranged in the central region of the body 10 in order to secure the arrangement space of the zener diodes 40, and are disposed to be shifted to one side. As a result, light emitted from the light emitting device 30 is emitted to the outside and is not uniformly provided.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 발광소자(30)가 상기 몸체(10)의 중앙 영역에 배치될 수 있는 방안을 제공한다. 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리세스(81)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 상기 제너 다이오드(40)의 일부 영역이 상기 제2 리세스(82) 내에 배치됨으로써, 상기 발광소자(30)가 상기 제1 리세스(81)의 중앙 영역에 배치될 수 있게 된다. 예컨대, 상기 제너 다이오드(40)의 반 이상의 영역이 상기 제2 리세스(82) 내에 배치되도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(30)가 상기 몸체(10)의 중앙 영역에 배치될 수 있게 되며, 상기 발광소자(30)로부터 발광되는 빛과 상기 몸체(10)에서 반사되는 빛이 균일하게 외부로 제공될 수 있게 된다.The light emitting device package according to the embodiment provides a means by which the light emitting device 30 can be disposed in the central region of the body 10. [ The light emitting device 30 may be disposed in a central region of the first recess 81. A part of the zener diode 40 is disposed in the second recess 82 so that the light emitting device 30 can be disposed in the central region of the first recess 81. [ For example, half or more of the zener diode 40 may be arranged in the second recess 82. Accordingly, the light emitting device 30 can be disposed in the central region of the body 10, and the light emitted from the light emitting device 30 and the light reflected from the body 10 can be uniformly emitted to the outside .

상기 몸체(10)는 실리콘 재료, 세라믹 재료, 수지 재료 중에서 어느 하나로 구현될 수 있다. 상기 몸체(10)는, 예컨대, 실리콘(silicon), 실리콘 카바이드(silicon carbide: SiC), 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN), 폴리프탈아마이드(polyphthalamide: PPA), 고분자액정(Liquid Crystal Polymer: LCP) 중 적어도 한 재질로 구현될 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.The body 10 may be formed of any one of a silicon material, a ceramic material, and a resin material. The body 10 may be formed of a material such as silicon, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP) , But the present invention is not limited thereto.

또한, 몸체(10)는 단층 또는 다층 기판의 구조물로 형성되거나, 사출 성형될 수 있으며, 이러한 몸체(10)의 형상이나 구조물에 대해 한정하지는 않는다.Further, the body 10 may be formed as a single layer or multi-layer substrate structure, or may be injection molded, and the shape or structure of the body 10 is not limited thereto.

상기 몸체(10)의 제1 리세스(81) 내에 몰드부(70)가 제공될 수 있다. 상기 몰드부(70)는 상기 발광소자(30) 둘레에 제공되어 상기 발광소자(30)를 보호할 수 있다. 상기 몰드부(70)는 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 상기 발광소자(30)로부터 제공되는 제1 파장대역의 빛을 입사 받고, 변환된 제2 파장대역의 빛을 발광할 수 있다. 상기 몰드부(70)는 예컨대 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지 재료로 구현될 수 있다. 또한, 상기 몰드부(70)의 표면은 편평하게 제공될 수도 있으며, 오목하거나 볼록한 형상으로 제공될 수도 있다. 상기 몰드부(70)에는 적어도 한 종류의 형광체가 첨가될 수도 있다. 예컨대, 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride 또는 Oxynitride계 형광체일 수 있다.The mold part 70 may be provided in the first recess 81 of the body 10. [ The mold part 70 may be provided around the light emitting device 30 to protect the light emitting device 30. FIG. The mold part 70 may include a phosphor. The phosphor may receive light of a first wavelength band provided from the light emitting device 30 and emit light of a second wavelength band. The mold part 70 may be formed of a transparent resin material such as silicon or epoxy. Further, the surface of the mold part 70 may be provided flat, or may be provided in a concave or convex shape. At least one kind of phosphor may be added to the mold part 70. For example, the phosphor may be a YAG, TAG, Silicate, Nitride or Oxynitride-based phosphor.

도 3은 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 제공된 발광소자를 설명하는 도면이다.3 is a view illustrating a light emitting device provided in a light emitting device package according to an embodiment.

실시 예에 따른 상기 발광소자(100)는 전극층(102), 제2 도전형 반도체층(104), 활성층(106), 제1 도전형 반도체층(108)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전극층(102)은 오믹층, 반사전극, 결합층, 전도성 기판 등을 포함할 수 있다. The light emitting device 100 may include an electrode layer 102, a second conductive semiconductor layer 104, an active layer 106, and a first conductive semiconductor layer 108, but the present invention is not limited thereto . The electrode layer 102 may include an ohmic layer, a reflective electrode, a bonding layer, and a conductive substrate.

예를 들어, 상기 오믹층은 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 오믹층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.For example, the ohmic layer may be formed by laminating a single metal, a metal alloy, a metal oxide, or the like so as to efficiently perform carrier injection. For example, the ohmic layer may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO) tin oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZO nitride, AGZO (IGZO), ZnO, , RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Hf, and is not limited to such a material.

또한, 상기 반사전극은 Al, Ag, 혹은 Al이나 Ag를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.In addition, the reflective electrode may be formed of a metal layer including Al, Ag, or an alloy including Al or Ag. Aluminum, silver, and the like can effectively reflect the light generated in the active layer and greatly improve the light extraction efficiency of the light emitting device.

또한, 상기 결합층은 니켈(Ni), 금(Au) 등을 이용하여 형성될 수 있다.The bonding layer may be formed of Ni, Au, or the like.

또한, 상기 전도성 기판은 효율적으로 캐리어을 주입할 수 있도록 전기 전도성이 우수한 금속, 금속합금, 혹은 전도성 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 기판은 구리(Cu), 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.In addition, the conductive substrate may be made of a metal, a metal alloy, or a conductive semiconductor material having excellent electrical conductivity so that the carrier can be efficiently injected. For example, the conductive substrate may be formed of a material selected from the group consisting of copper (Cu), gold (Au), copper alloy, nickel-nickel, copper- Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, etc.).

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(108)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(108)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductive semiconductor layer 108 may be formed of a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant. The first conductive semiconductor layer 108 may be an N-type semiconductor layer, In this case, the first conductive dopant is an N-type dopant and may include but is not limited to Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 제1 도전형 반도체층(108)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다.The first conductive semiconductor layer 108 includes a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) .

상기 제1 도전형 반도체층(108)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 108 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

상기 활성층(106)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(106)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 106 may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, the active layer 106 may be formed of a multiple quantum well structure by implanting trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) But is not limited thereto.

상기 활성층(106)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN , GaAs,/AlGaAs(InGaAs), GaP/AlGaP(InGaP) 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer / barrier layer of the active layer 106 is formed of any one or more pairs of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs, / AlGaAs (InGaAs), and GaP / AlGaP But is not limited to. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.

상기 활성층(106)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(106)의 밴드 갭보다는 높은 밴드 갭을 갖을 수 있다.A conductive clad layer may be formed on and / or below the active layer 106. The conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor and may have a band gap higher than that of the active layer 106.

상기 제2 도전형 반도체층(104)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3-족-5족 화합물 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(104)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 104 may include a Group 3-Group-5 compound semiconductor doped with a second conductive dopant, such as In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? , 0? X + y? 1). When the second conductive semiconductor layer 104 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a P-type dopant.

실시 예에서 상기 제1 도전형 반도체층(108)은 N형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(104)은 P형 반도체층으로 구현할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(104) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 갖는 반도체 예컨대 N형 반도체층을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.In an embodiment, the first conductive semiconductor layer 108 may be an N-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 104 may be a P-type semiconductor layer. Also, on the second conductive semiconductor layer 104, a semiconductor, for example, an N-type semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type may be formed. Accordingly, the light emitting structure can be implemented by any one of an N-P junction structure, a P-N junction structure, an N-P-N junction structure, and a P-N-P junction structure.

도 4 및 도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 4 및 도 5에 도시된 발광소자 패키지를 설명함에 있어서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.4 and 5 are views showing another example of the light emitting device package according to the embodiment. In the following description of the light emitting device package shown in FIGS. 4 and 5, the overlapping parts with those described with reference to FIGS. 1 and 2 will not be described.

상기 몸체(10)에 제1 리세스(81)가 제공될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(21) 및 상기 제2 리드 프레임(22)는 상기 제1 리세스(81) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리드 프레임(21) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리드 프레임(21) 및 상기 제2 리드 프레임(22)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광소자(30)는 와이어 본딩, 플립칩 본딩, 다이 본딩 등에 의하여 상기 제1 리드 프레임(11) 또는 상기 제2 리드 프레임(13)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리드 프레임(21)에 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 등으로 연결될 수 있으며, 상기 제2 리드 프레임(22)에 제1 와이어(61)를 통하여 연결될 수 있다.A first recess (81) may be provided in the body (10). The first lead frame 21 and the second lead frame 22 may be disposed in the first recess 81. The light emitting device 30 may be disposed on the first lead frame 21. The light emitting device 30 may be electrically connected to the first lead frame 21 and the second lead frame 22. The light emitting device 30 may be electrically connected to the first lead frame 11 or the second lead frame 13 by wire bonding, flip chip bonding, die bonding or the like. For example, the light emitting device 30 may be connected to the first lead frame 21 by flip-chip bonding or die bonding, and may be connected to the second lead frame 22 through a first wire 61 .

상기 제너 다이오드(40)는 상기 제1 리드 프레임(21) 및 상기 제2 리드 프레임(22)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 제너 다이오드(40)는 상기 제2 리드 프레임(22)에 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 등으로 연결될 수 있으며, 상기 제1 리드 프레임(21)에 제2 와이어(62)를 통하여 연결될 수 있다. The Zener diode 40 may be electrically connected to the first lead frame 21 and the second lead frame 22. For example, the Zener diode 40 may be connected to the second lead frame 22 by flip-chip bonding or die bonding, and may be connected to the first lead frame 21 through a second wire 62 .

상기 몸체(10)에 제2 리세스(82)가 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(82)는 상기 몸체(10)의 측면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(82)는 상기 몸체(10)를 이루는 단변에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(81)는 상기 몸체(10)를 따라 제공된 장변 및 단변을 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스(82)는 상기 제1 리세스(81)의 단변에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(82) 내에 상기 제너 다이오드(40) 전체가 배치될 수 있다. A second recess (82) may be provided on the body (10). The second recess 82 may be provided on a side surface of the body 10. The second recess 82 may be provided on the short side of the body 10. The first recess 81 may include a long side and a short side provided along the body 10. The second recess 82 may be provided at the short side of the first recess 81. The entire zener diode (40) may be disposed in the second recess (82).

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 발광소자(30)가 상기 몸체(10)의 중앙 영역에 배치될 수 있는 방안을 제공한다. 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리세스(81)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 상기 제너 다이오드(40)의 전체 영역이 상기 제2 리세스(82) 내에 배치됨으로써, 상기 발광소자(30)가 상기 제1 리세스(81)의 중앙 영역에 배치될 수 있게 된다. 예컨대, 상기 제너 다이오드(40)의 전체 영역이 상기 제2 리세스(82) 내에 배치되도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(30)가 상기 몸체(10)의 중앙 영역에 배치될 수 있도록 충분한 공간을 확보할 수 있게 되며, 상기 발광소자(30)로부터 발광되는 빛과 상기 몸체(10)에서 반사되는 빛이 균일하게 외부로 제공될 수 있게 된다.The light emitting device package according to the embodiment provides a means by which the light emitting device 30 can be disposed in the central region of the body 10. [ The light emitting device 30 may be disposed in a central region of the first recess 81. The entire area of the Zener diode 40 is disposed in the second recess 82 so that the light emitting device 30 can be disposed in the central region of the first recess 81. [ For example, the entire area of the Zener diode 40 may be arranged in the second recess 82. Accordingly, it is possible to secure a sufficient space for the light emitting element 30 to be disposed in the central region of the body 10, and the light emitted from the light emitting element 30 and the light reflected from the body 10 So that the light can be uniformly supplied to the outside.

도 6 및 도 7은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 6 및 도 7에 도시된 발광소자 패키지를 설명함에 있어서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.6 and 7 are views showing another example of the light emitting device package according to the embodiment. 6 and FIG. 7 will not be described in detail with respect to portions overlapping with those described with reference to FIGS. 1 and 2 in describing the light emitting device package shown in FIGS.

상기 몸체(10)에 제1 리세스(81)가 제공될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(21) 및 상기 제2 리드 프레임(22)는 상기 제1 리세스(81) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리드 프레임(21) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리드 프레임(21) 및 상기 제2 리드 프레임(22)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광소자(30)는 와이어 본딩, 플립칩 본딩, 다이 본딩 등에 의하여 상기 제1 리드 프레임(11) 또는 상기 제2 리드 프레임(13)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리드 프레임(21)에 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 등으로 연결될 수 있으며, 상기 제2 리드 프레임(22)에 제1 와이어(61)를 통하여 연결될 수 있다.A first recess (81) may be provided in the body (10). The first lead frame 21 and the second lead frame 22 may be disposed in the first recess 81. The light emitting device 30 may be disposed on the first lead frame 21. The light emitting device 30 may be electrically connected to the first lead frame 21 and the second lead frame 22. The light emitting device 30 may be electrically connected to the first lead frame 11 or the second lead frame 13 by wire bonding, flip chip bonding, die bonding or the like. For example, the light emitting device 30 may be connected to the first lead frame 21 by flip-chip bonding or die bonding, and may be connected to the second lead frame 22 through a first wire 61 .

상기 제너 다이오드(40)는 상기 제1 리드 프레임(21) 및 상기 제2 리드 프레임(22)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 상기 제너 다이오드(40)는 상기 제2 리드 프레임(22)에 플립칩 본딩 또는 다이 본딩 등으로 연결될 수 있으며, 상기 제1 리드 프레임(21)에 제2 와이어(62)를 통하여 연결될 수 있다. The Zener diode 40 may be electrically connected to the first lead frame 21 and the second lead frame 22. For example, the Zener diode 40 may be connected to the second lead frame 22 by flip-chip bonding or die bonding, and may be connected to the first lead frame 21 through a second wire 62 .

실시 예에 의하면, 상기 제1 리드 프레임(21)의 끝단과 상기 제1 리드 프레임(21)의 끝단에 접한 상기 제2 리드 프레임(22)의 끝단이 각각 사선으로 제공될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 와이어(61)를 통하여 상기 발광소자(30)와 상기 제2 리드 프레임(22)을 연결하고, 상기 제2 와이어(62)를 통하여 상기 제너 다이오드(40)와 상기 제1 리드 프레임(21)을 연결함에 있어 공간을 효율적으로 이용할 수 있게 된다.According to the embodiment, the end of the first lead frame 21 and the end of the second lead frame 22 contacting the end of the first lead frame 21 may be provided as oblique lines, respectively. The light emitting element 30 is connected to the second lead frame 22 through the first wire 61 and the Zener diode 40 and the first lead 62 are connected to each other through the second wire 62. [ The space can be efficiently utilized in connecting the frame 21.

상기 몸체(10)에 제2 리세스(82)가 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(82)는 상기 몸체(10)의 측면에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(82)는 상기 몸체(10)를 이루는 단변에 제공될 수 있다. 상기 제1 리세스(81)는 상기 몸체(10)를 따라 제공된 장변 및 단변을 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스(82)는 상기 제1 리세스(81)의 단변에 제공될 수 있다. 상기 제2 리세스(82) 내에 상기 제너 다이오드(40)의 일부 영역이 배치될 수 있다. A second recess (82) may be provided on the body (10). The second recess 82 may be provided on a side surface of the body 10. The second recess 82 may be provided on the short side of the body 10. The first recess 81 may include a long side and a short side provided along the body 10. The second recess 82 may be provided at the short side of the first recess 81. A portion of the Zener diode (40) may be disposed in the second recess (82).

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 발광소자(30)가 상기 몸체(10)의 중앙 영역에 배치될 수 있는 방안을 제공한다. 상기 발광소자(30)는 상기 제1 리세스(81)의 중앙 영역에 배치될 수 있다. 상기 제너 다이오드(40)의 일부 영역이 상기 제2 리세스(82) 내에 배치됨으로써, 상기 발광소자(30)가 상기 제1 리세스(81)의 중앙 영역에 배치될 수 있게 된다. 예컨대, 상기 제너 다이오드(40)의 반 이상의 영역이 상기 제2 리세스(82) 내에 배치되도록 구현될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(30)가 상기 몸체(10)의 중앙 영역에 배치될 수 있도록 충분한 공간을 확보할 수 있게 되며, 상기 발광소자(30)로부터 발광되는 빛과 상기 몸체(10)에서 반사되는 빛이 균일하게 외부로 제공될 수 있게 된다.The light emitting device package according to the embodiment provides a means by which the light emitting device 30 can be disposed in the central region of the body 10. [ The light emitting device 30 may be disposed in a central region of the first recess 81. A part of the zener diode 40 is disposed in the second recess 82 so that the light emitting device 30 can be disposed in the central region of the first recess 81. [ For example, half or more of the zener diode 40 may be arranged in the second recess 82. Accordingly, it is possible to secure a sufficient space for the light emitting element 30 to be disposed in the central region of the body 10, and the light emitted from the light emitting element 30 and the light reflected from the body 10 So that the light can be uniformly supplied to the outside.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 8 및 도 9에 도시된 표시 장치, 도 10에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다. The light emitting device package according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and may include the display apparatus shown in Figs. 8 and 9, and the illumination apparatus shown in Fig.

도 8을 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.8, a display device 1000 according to an embodiment includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, and a reflection member 1022 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflection member 1022 But is not limited to, a bottom cover 1011.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light emitting module 1031 may be provided, and light may be provided directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device package 200 according to the embodiment described above. The light emitting device package 200 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals.

상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)가 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern. However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like. When the light emitting device package 200 is provided on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat radiating plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 200 may be mounted such that the light emitting surface of the light emitting device package 200 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance, but the present invention is not limited thereto. The light emitting device package 200 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 9는 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다. 9 is a view showing another example of the display device according to the embodiment.

도 9를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자 패키지(200)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 9, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the above-described light emitting device package 200 is arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155 .

상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. The substrate 1020 and the light emitting device package 200 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, the at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit.

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methy methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, and light condensation of the light emitted from the light emitting module 1060.

도 10은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.10 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 10을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.10, the lighting apparatus 1500 includes a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, a connection terminal (not shown) installed in the case 1510 and supplied with power from an external power source 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having a good heat dissipation property, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 제공되는 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 복수 개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격 되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 200 according to an embodiment provided on the substrate 1532. A plurality of the light emitting device packages 200 may be arrayed in a matrix or spaced apart at a predetermined interval.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 1532 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrate, and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be a coating layer such as a white color, a silver color, or the like whose surface is efficiently reflected by light.

상기 기판(1532)에는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 LED(Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 200 may be disposed on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting diode (LED) chip. The LED chip may include a colored light emitting diode that emits red, green, blue, or white colored light, and a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 200 to obtain colors and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is coupled to an external power source through a socket, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source through wiring.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

10: 몸체 21: 제1 리드 프레임
22: 제2 리드 프레임 30: 발광소자
40: 제너 다이오드 51: 제1 단자
52: 제2 단자 61: 제1 와이어
62: 제2 와이어 70: 몰드부
81: 제1 리세스 82: 제2 리세스10: body 21: first lead frame
22: second lead frame 30: light emitting element
40: Zener diode 51: First terminal
52: second terminal 61: first wire
62: second wire 70: mold part
81: first recess 82: second recess

Claims (1)

경사면이 제공된 제1리세스를 포함하는 몸체;
상기 제1리세스의 경사면에 배치되는 제2리세스;
상기 제1리세스 내에 배치된 몰드부;
상기 몸체의 제1 리세스 내에 배치되며 전기적으로 분리되는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임;
상기 제1리세스 내에 배치되며 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자; 및
상기 제2 리세스 내에 일부 영역이 배치되며, 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 제너 다이오드를 포함하고,
상기 제2리세스는 상기 몸체의 경사면 일부가 제거되어 형성되고,
상기 제2리세스는 상기 몸체의 내측면 및 상기 제2리드 프레임의 상면에 의해 형성되며,
상기 발광소자는 상기 제1 리드 프레임 상에 배치되고 제1와이어를 통하여 상기 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되며,
상기 제너 다이오드는 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되고 제2와이어를 통하여 상기 제1 리드 프레임과 전기적으로 연결되며,
상기 몸체의 일부는 상기 제1리세스 내에서 상기 몰드부 방향으로 상기 제1 리드 프레임의 상면과 상기 제2리드 프레임의 상면보다 높게 돌출되어 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임을 전기적으로 이격시키는 발광소자 패키지.
A body including a first recess provided with an inclined surface;
A second recess disposed on an inclined surface of the first recess;
A mold part disposed in the first recess;
A first lead frame and a second lead frame disposed in a first recess of the body and electrically separated;
A light emitting element disposed in the first recess and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; And
And a zener diode electrically connected to the first lead frame and the second lead frame,
Wherein the second recess is formed by removing a part of an inclined surface of the body,
The second recess being formed by an inner surface of the body and an upper surface of the second lead frame,
Wherein the light emitting element is disposed on the first lead frame and electrically connected to the second lead frame through a first wire,
The zener diode is disposed on the second lead frame and electrically connected to the first lead frame through a second wire,
A part of the body protrudes from the upper surface of the first lead frame and the upper surface of the second lead frame in the first recess toward the mold part to electrically connect the first lead frame and the second lead frame Emitting device package.
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