KR101905527B1 - Light unit and display device - Google Patents

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KR101905527B1 KR1020110087408A KR20110087408A KR101905527B1 KR 101905527 B1 KR101905527 B1 KR 101905527B1 KR 1020110087408 A KR1020110087408 A KR 1020110087408A KR 20110087408 A KR20110087408 A KR 20110087408A KR 101905527 B1 KR101905527 B1 KR 101905527B1
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박성호
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Abstract

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 도광판; 상기 도광판의 측면에 배치된 발광모듈; 상기 도광판에 결합 되고, 상기 발광모듈로부터 제1 파장 대역의 빛을 입사 받아 상기 도광판에 제2 파장 대역의 빛을 제공하는 양자점 필름; 을 포함한다.
실시 예에 따른 표시장치는, 도광판, 상기 도광판의 측면에 배치된 발광모듈, 상기 도광판에 결합 되고 상기 발광모듈로부터 제1 파장 대역의 빛을 입사 받아 상기 도광판에 제2 파장 대역의 빛을 제공하는 양자점 필름을 포함하는 라이트 유닛; 상기 라이트 유닛 위에 표시패널; 을 포함한다.
A light unit according to an embodiment includes a light guide plate; A light emitting module disposed on a side surface of the light guide plate; A quantum dot film which is coupled to the light guide plate and receives light of a first wavelength band from the light emitting module and provides the light of the second wavelength band to the light guide plate; .
A display device according to an embodiment of the present invention includes a light guide plate, a light emitting module disposed on a side surface of the light guide plate, a light emitting module coupled to the light guide plate and receiving light of a first wavelength band from the light emitting module, A light unit including a quantum dot film; A display panel on the light unit; .

Description

라이트 유닛 및 표시장치 {Light unit and display device}[0001] Light unit and display device [0002]

실시 예는 라이트 유닛 및 표시장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light unit and a display device.

발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 소자이다. 발광소자는 LED(Light Emitting Diode), LD(Laser Diode)를 포함한다. 예를 들어, 발광소자는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device is a device in which electric energy is converted into light energy. The light emitting device includes a light emitting diode (LED) and a laser diode (LD). For example, the light emitting device can be implemented in various colors by controlling the composition ratio of the compound semiconductor.

발광소자는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구현할 수 있다. As the light emitting device, a compound semiconductor material such as GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, and InGaAlP may be used to realize a light emitting source.

이러한 발광소자는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광소자 패키지로 구현될 수 있으며, 발광소자 패키지는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 표시장치에 적용되고 있다.Such a light emitting device can be implemented as a light emitting device package that is packaged and emits various colors, and the light emitting device package is applied to various display devices such as a lighting indicator, a character indicator, and an image indicator.

실시 예는 색 재현율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 라이트 유닛 및 표시장치를 제공한다.The embodiment provides a light unit and a display device capable of improving color reproduction rate and reliability.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 측면에 홈을 포함하는 도광판; 상기 도광판의 측면에 대응되어 배치된 발광모듈; 상기 도광판의 홈에 슬라이딩 구조로 결합 되고, 상기 발광모듈로부터 제1 파장 대역의 빛을 입사 받아 상기 도광판에 제2 파장 대역의 빛을 제공하는 양자점 필름을 포함하고, 상기 발광모듈은 기판과 상기 기판 상에 소정 간격으로 어레이되는 복수의 발광소자 패키지를 포함하고, 상기 양자점 필름은 상기 발광모듈과 이격되어 배치되며, 상기 발광소자 패키지의 광 출사면은 상기 양자점 필름에 대응될 수 있다.A light unit according to an embodiment includes: a light guide plate including a groove on a side surface; A light emitting module disposed corresponding to a side surface of the light guide plate; And a quantum dot film that is coupled to the groove of the light guide plate in a sliding structure and receives light of a first wavelength band from the light emitting module and provides light of a second wavelength band to the light guide plate, And the quantum dot film may be spaced apart from the light emitting module, and the light emitting surface of the light emitting device package may correspond to the quantum dot film.

실시 예에 따른 표시장치는, 도광판, 상기 도광판의 측면에 배치된 발광모듈, 상기 도광판에 결합 되고 상기 발광모듈로부터 제1 파장 대역의 빛을 입사 받아 상기 도광판에 제2 파장 대역의 빛을 제공하는 양자점 필름을 포함하는 라이트 유닛; 상기 라이트 유닛 위에 표시패널; 을 포함한다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a light guide plate, a light emitting module disposed on a side surface of the light guide plate, a light emitting module coupled to the light guide plate and receiving light of a first wavelength band from the light emitting module, A light unit including a quantum dot film; A display panel on the light unit; .

실시 예에 따른 라이트 유닛 및 표시장치는 색 재현율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The light unit and the display device according to the embodiment have an advantage that the color reproduction rate and reliability can be improved.

도 1은 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 라이트 유닛을 나타낸 도면이다.
도 3은 실시 예에 따른 라이트 유닛의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 실시 예에 따른 라이트 유닛에 적용되는 발광소자 패키지의 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용되는 발광소자를 설명하는 도면이다.
1 is a view showing a display device according to an embodiment.
2 is a view showing a light unit according to the embodiment.
3 is a view showing another example of the light unit according to the embodiment.
4 is a view showing an example of a light emitting device package applied to the light unit according to the embodiment.
5 is a view illustrating a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 1은 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 실시 예에 따른 표시장치에 적용되는 라이트 유닛의 예를 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a view showing a display device according to an embodiment, and FIG. 2 is a view showing an example of a light unit applied to a display device according to an embodiment.

실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)의 측면에 배치되어 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.A display device 1000 according to an embodiment of the present invention includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 disposed on a side surface of the light guide plate 1041 to provide light, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, and a display panel 1061 on the optical sheet 1051. The bottom cover 1011 may include the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, and the reflective member 1022. However, the present invention is not limited thereto.

실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 양자점(Quantum Dot) 필름(1045)을 포함할 수 있다. 상기 양자점 필름(1045)은 상기 도광판(1041)에 결합될 수 있다. 상기 반사시트(1022), 상기 도광판(1041), 상기 양자점 필름(1045), 상기 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The display device 1000 according to the embodiment may include a quantum dot film 1045. The quantum dot film 1045 may be coupled to the light guide plate 1041. The reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, the quantum dot film 1045 and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 양자점 필름(1045)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공되는 제1 파장 대역의 빛을 입사 받을 수 있다. 상기 양자점 필름(1045)은 상기 제1 파장 대역의 빛을 입사 받아 상기 도광판(1041)에 제2 파장 대역의 빛을 제공할 수 있다. 예컨대 상기 제1 파장 대역의 빛은 청색광일 수 있으며, 상기 제2 파장 대역의 빛은 백색광일 수 있다. 상기 제2 파장 대역의 빛은 복수의 파장 대역 빛을 포함할 수 있으며, 복수의 파장 대역이 혼합되어 백색광을 제공할 수도 있다. The quantum dot film 1045 may receive light of a first wavelength band provided from the light emitting module 1031. The quantum dot film 1045 may receive the light of the first wavelength band and may provide the light of the second wavelength band to the light guide plate 1041. For example, the light of the first wavelength band may be blue light, and the light of the second wavelength band may be white light. The light of the second wavelength band may include a plurality of wavelength band lights, and a plurality of wavelength bands may be mixed to provide white light.

상기 양자점 필름(1045)은 상기 도광판(1041)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 양자점 필름(1045)은 상기 도광판(1041)의 측면에 제공된 홈에 삽입되어 고정될 수 있다. 상기 양자점 필름(1045)은 상기 도광판(1041)의 홈에 슬라이딩 구조로 결합될 수 있다. 상기 양자점 필름(1045)은 상기 도광판(1041)에 접착될 수도 있다. 상기 양자점 필름(1045)은 상기 발광모듈(1031)과 이격되어 배치될 수 있다. 이와 같이, 실시 예에 따른 양자점 필름(1045)은 상기 도광판(1041)에 삽입되어 형성됨으로써 결합이 용이하고, 상기 발광모듈(1031)과 이격되어 배치됨으로써 상기 발광모듈(1031)과 상기 양자점 필름(1045) 사이에 접착제가 제공될 필요가 없다. 기존 발광모듈에 양자점 필름을 적용하는 경우, 발광모듈과 양자점 필름 사이에 접착제가 제공되고 발광모듈과 양자점 필름이 서로 결합됨에 따라 양자점 필름이 열화 되는 문제점이 발생 된다. 하지만, 실시 예에 의하면 상기 발광모듈(1031)과 상기 양자점 필름(1045)이 상호 이격되어 배치됨에 따라 상기 양자점 필름(1045)이 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한 실시 예에 의하면 상기 양자점 필름(1045)의 적용을 통하여 색재현율을 향상시킬 수 있게 된다.The quantum dot film 1045 may be disposed on a side surface of the light guide plate 1041. The quantum dot film 1045 may be inserted and fixed in a groove provided in a side surface of the light guide plate 1041. The quantum dot film 1045 may be coupled to the groove of the light guide plate 1041 in a sliding manner. The quantum dot film 1045 may be adhered to the light guide plate 1041. The quantum dot film 1045 may be spaced apart from the light emitting module 1031. As described above, the quantum dot film 1045 according to the embodiment is inserted into the light guide plate 1041 to be easily coupled, and is disposed apart from the light emitting module 1031, so that the light emitting module 1031 and the quantum dot film 1045 need not be provided. When a quantum dot film is applied to an existing light emitting module, an adhesive is provided between the light emitting module and the quantum dot film, and the quantum dot film is deteriorated as the light emitting module and the quantum dot film are bonded to each other. However, according to the embodiment, since the light emitting module 1031 and the quantum dot film 1045 are spaced apart from each other, the quantum dot film 1045 can be prevented from being deteriorated. In addition, according to the embodiment, the color reproduction ratio can be improved through application of the quantum dot film 1045.

상기 양자점 필름(1045)은 예컨대 500 마이크로 미터 내지 700 마이크로 미터의 두께로 구현될 수 있다. 또한 상기 양자점 필름(1045)은 복수의 양자점과 수지물을 포함할 수 있다. 상기 수지물은 에폭시, 실리콘 등을 포함할 수 있다. 상기 양자점 필름(1045)은 서로 다른 파장 대역의 빛을 방출하는 복수의 양자점을 포함할 수 있다. 이에 따라 상기 양자점 필름(1045)은 상기 발광모듈(1031)로부터 제공되는 제1 파장 대역의 빛을 입사 받고, 가시광선 대역의 다양한 파장 대역의 빛을 발광할 수 있게 된다. 이에 따라 상기 양자점 필름(1045)은 상기 도광판(1041)에 백색광을 제공할 수 있게 된다.The quantum dot film 1045 may be implemented with a thickness of, for example, 500 micrometers to 700 micrometers. The quantum dot film 1045 may include a plurality of quantum dots and a resin material. The resin material may include epoxy, silicone, and the like. The quantum dot film 1045 may include a plurality of quantum dots emitting light of different wavelength bands. Accordingly, the quantum dot film 1045 receives the light of the first wavelength band provided from the light emitting module 1031, and emits light of various wavelength bands in the visible light band. Accordingly, the quantum dot film 1045 can provide white light to the light guide plate 1041.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다. 상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device. At least one light emitting module 1031 may be provided. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device package 200. The light emitting device package 200 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals.

상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern. However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like. When the light emitting device package 200 is provided on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat radiating plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 양자점 필름에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 200 may be mounted such that the light emitting surface of the light emitting device package 200 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance, but the present invention is not limited thereto. The light emitting device package 200 may directly or indirectly provide light to the quantum dot film, but the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041) 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 3은 실시 예에 따른 라이트 유닛의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 3을 참조하여 실시 예에 따른 라이트 유닛을 설명함에 있어서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 것과 중복되는 부분은 설명을 생략하기로 한다.3 is a view showing another example of the light unit according to the embodiment. Referring to FIG. 3, in the description of the light unit according to the embodiment, the overlapping parts with those described with reference to FIGS. 1 and 2 will not be described.

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 도 3에 나타낸 바와 같이, 도광판(1041a)과 복수의 발광모듈(1031a)을 포함할 수 있다. 상기 각각의 발광모듈(1031a)은 기판(1033a)과 발광소자 패키지(200a)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광모듈(1031a)은 상기 도광판(1041a)의 모서리 영역에 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광모듈(1031a)은 상기 도광판(1041a)의 네 모서리 영역에 배치될 수 있다.The light unit according to the embodiment may include a light guide plate 1041a and a plurality of light emitting modules 1031a as shown in Fig. Each of the light emitting modules 1031a may include a substrate 1033a and a light emitting device package 200a. The plurality of light emitting modules 1031a may be disposed in an edge area of the light guide plate 1041a. The plurality of light emitting modules 1031a may be disposed at four corners of the light guide plate 1041a.

상기 도광판(1041a)의 모서리 영역에는 양자점 필름(1045a)이 배치될 수 있다. 상기 양자점 필름(1045a)은 상기 발광 모듈(1031a)로부터 제공되는 제1 파장 대역의 빛을 입사 받을 수 있다. 상기 양자점 필름(1045a)은 상기 제1 파장 대역의 빛을 입사 받아 상기 도광판(1041a)에 제2 파장 대역의 빛을 제공할 수 있다. 예컨대 상기 제1 파장 대역의 빛은 청색광일 수 있으며, 상기 제2 파장 대역의 빛은 백색광일 수 있다. 상기 제2 파장 대역의 빛은 복수의 파장 대역 빛을 포함할 수 있으며, 복수의 파장 대역이 혼합되어 백색광을 제공할 수도 있다. The quantum dot film 1045a may be disposed in an edge area of the light guide plate 1041a. The quantum dot film 1045a may receive light of a first wavelength band provided from the light emitting module 1031a. The quantum dot film 1045a may receive the light of the first wavelength band and may provide the light of the second wavelength band to the light guide plate 1041a. For example, the light of the first wavelength band may be blue light, and the light of the second wavelength band may be white light. The light of the second wavelength band may include a plurality of wavelength band lights, and a plurality of wavelength bands may be mixed to provide white light.

상기 양자점 필름(1045a)은 상기 도광판(1041a)의 모서리 영역에 배치될 수 있다. 상기 양자점 필름(1045a)은 상기 도광판(1041a)의 모서리 영역에 제공된 홈에 삽입되어 고정될 수 있다. 상기 양자점 필름(1045a)은 상기 도광판(1041a)의 홈에 슬라이딩 구조로 결합될 수 있다. 상기 양자점 필름(1045a)은 상기 도광판(1041a)에 접착될 수도 있다. 상기 양자점 필름(1045a)은 상기 발광모듈(1031a)과 이격되어 배치될 수 있다. 이와 같이, 실시 예에 따른 양자점 필름(1045a)은 상기 도광판(1041a)에 삽입되어 형성됨으로써 결합이 용이하고, 상기 발광모듈(1031a)과 이격되어 배치됨으로써 상기 발광모듈(1031a)과 상기 양자점 필름(1045a) 사이에 접착제가 제공될 필요가 없다. 기존 발광모듈에 양자점 필름을 적용하는 경우, 발광모듈과 양자점 필름 사이에 접착제가 제공되고 발광모듈과 양자점 필름이 서로 결합됨에 따라 양자점 필름이 열화 되는 문제점이 발생 된다. 하지만, 실시 예에 의하면 상기 발광모듈(1031a)과 상기 양자점 필름(1045a)이 상호 이격되어 배치됨에 따라 상기 양자점 필름(1045a)이 열화되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한 실시 예에 의하면 상기 양자점 필름(1045a)의 적용을 통하여 색재현율을 향상시킬 수 있게 된다.The quantum dot film 1045a may be disposed in an edge area of the light guide plate 1041a. The quantum dot film 1045a may be inserted and fixed in a groove provided in an edge region of the light guide plate 1041a. The quantum dot film 1045a may be coupled to the groove of the light guide plate 1041a in a sliding manner. The quantum dot film 1045a may be adhered to the light guide plate 1041a. The quantum dot film 1045a may be spaced apart from the light emitting module 1031a. As described above, the quantum dot film 1045a according to the embodiment is inserted into the light guide plate 1041a to be easily coupled and spaced apart from the light emitting module 1031a, so that the light emitting module 1031a and the quantum dot film 0.0 > 1045a. ≪ / RTI > When a quantum dot film is applied to an existing light emitting module, an adhesive is provided between the light emitting module and the quantum dot film, and the quantum dot film is deteriorated as the light emitting module and the quantum dot film are bonded to each other. However, according to the embodiment, since the light emitting module 1031a and the quantum dot film 1045a are disposed apart from each other, the quantum dot film 1045a can be prevented from being deteriorated. In addition, according to the embodiment, the color reproduction rate can be improved through application of the quantum dot film 1045a.

상기 양자점 필름(1045a)은 예컨대 500 마이크로 미터 내지 700 마이크로 미터의 두께로 구현될 수 있다. 또한 상기 양자점 필름(1045a)은 복수의 양자점과 수지물을 포함할 수 있다. 상기 수지물은 에폭시, 실리콘 등을 포함할 수 있다. 상기 양자점 필름(1045a)은 서로 다른 파장 대역의 빛을 방출하는 복수의 양자점을 포함할 수 있다. 이에 따라 상기 양자점 필름(1045a)은 상기 발광모듈(1031a)로부터 제공되는 제1 파장 대역의 빛을 입사 받고, 가시광선 대역의 다양한 파장 대역의 빛을 발광할 수 있게 된다. 이에 따라 상기 양자점 필름(1045a)은 상기 도광판(1041a)에 백색광을 제공할 수 있게 된다.The quantum dot film 1045a may be implemented with a thickness of, for example, 500 micrometers to 700 micrometers. The quantum dot film 1045a may include a plurality of quantum dots and a resin material. The resin material may include epoxy, silicone, and the like. The quantum dot film 1045a may include a plurality of quantum dots emitting light of different wavelength bands. Accordingly, the quantum dot film 1045a receives the light of the first wavelength band provided from the light emitting module 1031a, and emits light of various wavelength bands in the visible light band. Thus, the quantum dot film 1045a can provide white light to the light guide plate 1041a.

도 4는 실시 예에 따른 라이트 유닛에 적용되는 발광소자 패키지의 예를 나타낸 도면이다.4 is a view showing an example of a light emitting device package applied to the light unit according to the embodiment.

도 4를 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결된 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함한다.Referring to FIG. 4, a light emitting device package according to an embodiment includes a body 120, first and second lead electrodes 131 and 132 disposed on the body 120, And a molding member 140 surrounding the light emitting device 100. The light emitting device 100 includes a first lead electrode 131 and a second lead electrode 132. The light emitting device 100 is electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132,

상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 120 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and the inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 are electrically separated from each other to provide power to the light emitting device 100. The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100 and the heat generated from the light emitting device 100 To the outside.

상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the body 120 or may be disposed on the first lead electrode 131 or the second lead electrode 132.

상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 by a wire, flip chip or die bonding method.

상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 140 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 140 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 제공된 발광소자를 설명하는 도면이다.5 is a view illustrating a light emitting device provided in a light emitting device package according to an embodiment.

실시 예에 따른 상기 발광소자(100)는 전극층(102), 제2 도전형 반도체층(104), 활성층(106), 제1 도전형 반도체층(108)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전극층(102)은 오믹층, 반사전극, 결합층, 전도성 기판 등을 포함할 수 있다. The light emitting device 100 may include an electrode layer 102, a second conductive semiconductor layer 104, an active layer 106, and a first conductive semiconductor layer 108, but the present invention is not limited thereto . The electrode layer 102 may include an ohmic layer, a reflective electrode, a bonding layer, and a conductive substrate.

예를 들어, 상기 오믹층은 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 오믹층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.For example, the ohmic layer may be formed by laminating a single metal, a metal alloy, a metal oxide, or the like so as to efficiently perform carrier injection. For example, the ohmic layer may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO) tin oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZO nitride, AGZO (IGZO), ZnO, , RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Hf, and is not limited to such a material.

또한, 상기 반사전극은 Al, Ag, 혹은 Al이나 Ag를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.In addition, the reflective electrode may be formed of a metal layer including Al, Ag, or an alloy including Al or Ag. Aluminum, silver, and the like can effectively reflect the light generated in the active layer and greatly improve the light extraction efficiency of the light emitting device.

또한, 상기 결합층은 니켈(Ni), 금(Au) 등을 이용하여 형성될 수 있다.The bonding layer may be formed of Ni, Au, or the like.

또한, 상기 전도성 기판은 효율적으로 캐리어을 주입할 수 있도록 전기 전도성이 우수한 금속, 금속합금, 혹은 전도성 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 기판은 구리(Cu), 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.In addition, the conductive substrate may be made of a metal, a metal alloy, or a conductive semiconductor material having excellent electrical conductivity so that the carrier can be efficiently injected. For example, the conductive substrate may be formed of a material selected from the group consisting of copper (Cu), gold (Au), copper alloy, nickel-nickel, copper- Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, etc.).

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(108)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(108)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductive semiconductor layer 108 may be formed of a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant. The first conductive semiconductor layer 108 may be an N-type semiconductor layer, In this case, the first conductive dopant is an N-type dopant and may include but is not limited to Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 제1 도전형 반도체층(108)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다.The first conductive semiconductor layer 108 may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + .

상기 제1 도전형 반도체층(108)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 108 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

상기 활성층(106)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(106)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 106 may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, the active layer 106 may be formed of a multiple quantum well structure by implanting trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) But is not limited thereto.

상기 활성층(106)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN , GaAs,/AlGaAs(InGaAs), GaP/AlGaP(InGaP) 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer / barrier layer of the active layer 106 is formed of any one or more pairs of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs, / AlGaAs (InGaAs), and GaP / AlGaP But is not limited to. The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.

상기 활성층(106)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(106)의 밴드 갭보다는 높은 밴드 갭을 갖을 수 있다.A conductive clad layer may be formed on and / or below the active layer 106. The conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor and may have a band gap higher than that of the active layer 106.

상기 제2 도전형 반도체층(104)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3-족-5족 화합물 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(104)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 104 may be a Group III-V compound semiconductor doped with a second conductive dopant, such as In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y 1, 0? X + y? 1). When the second conductive semiconductor layer 104 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a P-type dopant.

실시 예에서 상기 제1 도전형 반도체층(108)은 N형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(104)은 P형 반도체층으로 구현할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(104) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 갖는 반도체 예컨대 N형 반도체층을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.In an embodiment, the first conductive semiconductor layer 108 may be an N-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 104 may be a P-type semiconductor layer. Also, on the second conductive semiconductor layer 104, a semiconductor, for example, an N-type semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type may be formed. Accordingly, the light emitting structure can be implemented by any one of an N-P junction structure, a P-N junction structure, an N-P-N junction structure, and a P-N-P junction structure.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

100: 발광소자 200: 발광소자 패키지
1000: 표시장치 1031: 발광모듈
1033: 기판 1041: 도광판
1045: 양자점 필름 1050: 라이트 유닛
1051: 광학시트 1061: 표시패널
100: light emitting element 200: light emitting element package
1000: display device 1031: light emitting module
1033: substrate 1041: light guide plate
1045: Quantum dot film 1050: Light unit
1051: Optical sheet 1061: Display panel

Claims (11)

측면에 홈을 포함하는 도광판;
상기 도광판의 측면에 대응되어 배치된 발광모듈;
상기 도광판의 홈에 슬라이딩 구조로 결합 되고, 상기 발광모듈로부터 제1 파장 대역의 빛을 입사 받아 상기 도광판에 제2 파장 대역의 빛을 제공하는 양자점 필름을 포함하고,
상기 발광모듈은 기판과 상기 기판 상에 소정 간격으로 어레이되는 복수의 발광소자 패키지를 포함하고,
상기 양자점 필름은 상기 발광모듈과 이격되어 배치되며,
상기 발광소자 패키지의 광 출사면은 상기 양자점 필름에 대응되는 라이트 유닛.
A light guide plate including a groove on a side surface thereof;
A light emitting module disposed corresponding to a side surface of the light guide plate;
And a quantum dot film which is coupled to the groove of the light guide plate in a sliding structure and receives light of a first wavelength band from the light emitting module and provides light of a second wavelength band to the light guide plate,
Wherein the light emitting module includes a substrate and a plurality of light emitting device packages arrayed at a predetermined interval on the substrate,
The quantum dot film is spaced apart from the light emitting module,
And the light exit surface of the light emitting device package corresponds to the quantum dot film.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 양자점 필름은 상기 도광판에 접착된 라이트 유닛.The light unit according to claim 1, wherein the quantum dot film is attached to the light guide plate. 제1항에 있어서, 상기 발광모듈은 청색광을 제공하며, 상기 양자점 필름은 백색광을 상기 도광판에 제공하고,
상기 양자점 필름은 500 마이크로 미터 내지 700 마이크로 미터의 두께인 라이트 유닛.
The light emitting module of claim 1, wherein the light emitting module provides blue light, the quantum dot film provides white light to the light guide plate,
Wherein the quantum dot film has a thickness of 500 micrometers to 700 micrometers.
제4항에 있어서, 상기 양자점 필름은 상기 도광판의 모서리 영역에 배치되고,
상기 양자점 필름은 서로 다른 파장 대역의 빛을 방출하는 복수의 양자점을 포함하며,
상기 양자점 필름은 수지물을 포함하는 라이트 유닛.
The method of claim 4, wherein the quantum dot film is disposed in a corner area of the light guide plate,
The quantum dot film includes a plurality of quantum dots emitting light of different wavelength bands,
Wherein the quantum dot film comprises a resin material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104820311B (en) * 2015-05-21 2018-02-27 武汉华星光电技术有限公司 Backlight module and liquid crystal display
CN105090823B (en) * 2015-08-04 2018-10-23 武汉华星光电技术有限公司 The preparation method of backlight module and backlight module
CN105717704B (en) * 2016-04-22 2018-10-23 深圳市华星光电技术有限公司 A kind of two-sided display screen and its LED light bar
CN107065299A (en) * 2016-12-31 2017-08-18 惠科股份有限公司 The manufacture method of backlight module

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008053236A (en) * 2006-08-25 2008-03-06 Philips Lumileds Lightng Co Llc Backlight using corner light-emitting diode of high output
WO2009107270A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 シャープ株式会社 Backlight device, display device and television receiver

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008053236A (en) * 2006-08-25 2008-03-06 Philips Lumileds Lightng Co Llc Backlight using corner light-emitting diode of high output
WO2009107270A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 シャープ株式会社 Backlight device, display device and television receiver

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