KR101830950B1 - Light emitting device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 112
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 10
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002708 Au–Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
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Abstract
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 오믹층; 상기 오믹층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층; 상기 오믹층과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층; 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층 상에 AlGaInP 계열 활성층; 및 상기 AlGaInP 계열 활성층 상에 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층;을 포함한다.Embodiments relate to a light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.
A light emitting device according to an embodiment includes an ohmic layer; A first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer on the ohmic layer; A GaP light-transmitting ohmic layer doped with Be between the ohmic layer and the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer; A first conductive AlGaInP series semiconductor layer on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer; An AlGaInP-based active layer on the first conductive AlGaInP-based semiconductor layer; And a second conductive AlGaInP-based semiconductor layer on the AlGaInP-based active layer.
Description
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 소자로이며, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다. Light Emitting Device is a device in which electric energy is converted into light energy, and various colors can be realized by controlling composition ratio of compound semiconductor.
적색 내지 황녹색의 가시광을 발하는 발광다이오드로서, 예를 들어 AlGaInP계열 활성층을 구비한 화합물 반도체 발광 다이오드가 알려져 있다. BACKGROUND ART As a light emitting diode emitting visible light of red to yellow green, for example, a compound semiconductor light emitting diode having an AlGaInP-based active layer is known.
한편, AlGaInP계열 활성층을 구비한 발광소자는 III-V족 화합물층 등과 격자 정합하는 GaAs으로 이루어지는 단결정 기판 상에 형성된다.On the other hand, a light-emitting element having an AlGaInP-based active layer is formed on a single crystal substrate made of GaAs lattice-matched with a III-V group compound layer or the like.
그런데, AlGaInP 계열 활성층으로부터 출사되는 광은 GaAs에 흡수되어 버리기 때문에, 광학적으로 투명한 재료로 이루어지는 p형 GaP 투광성 반도체층을 발광부 또는 소자 구조부에 다시 접합시켜, 휘도가 높은 투명재료 접합형의 화합물 반도체 LED를 구성하는 기술이 개시되어 있다.Since the light emitted from the AlGaInP-based active layer is absorbed by the GaAs, the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer made of an optically transparent material is bonded again to the light emitting portion or the device structure portion to form a transparent compound junction compound semiconductor A technique for constructing an LED is disclosed.
한편, 종래기술에 의하면 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 개재하여 전극층이 본딩된다.On the other hand, according to the prior art, the electrode layer is bonded to the p-type GaP transparent semiconductor layer via the ohmic layer.
도 1은 종래기술에 있어서, p형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 도트(dot)(D)를 형성한 사진이다.1 is a photograph showing AuBe dot (D) formed on a p-type GaP light-transmitting semiconductor layer in the prior art.
종래기술에 의하면 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 형성하기 전에 AuBe 도트(dot)를 형성하여 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층의 오믹컨택(ohmic contact)을 증진시킨다.According to the prior art, AuBe dots are formed before the ohmic layer is formed on the p-type GaP light transmitting semiconductor layer to improve the ohmic contact between the p-type GaP light transmitting semiconductor layer and the ohmic contact layer.
그런데, 종래기술에 의하면 AuBe 도트(Dot) 형성 시 AuBe층을 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 전체적으로 형성 후 습식식각(wet etching)을 진행하여 AuBe 도트(Dot)를 형성하고, 그 이후 합금화 열처리 공정을 진행한다.According to the prior art, AuBe layer is formed entirely on the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer during AuBe dot formation, wet etching is performed to form AuBe dots, .
그런데, 종래기술에 의하면 도 1과 같이, AuBe 도트(Dot)를 형성을 위한 습식식각 시 AuBe 에지(edge)부가 들뜰 수 있으며 이에 따라 광추출 효율이 감소될 수 있다.However, according to the related art, as shown in FIG. 1, AuBe edge portions may be exposed during wet etching for forming AuBe dots, and accordingly light extraction efficiency may be reduced.
또한, 종래기술에 의하면 잔존하는 AuBe 도트(Dot)(D)에 의해 광흡수가 발생하여 광추출 효율이 감소하는 문제가 있다.Further, according to the related art, there is a problem that light absorption occurs due to the remaining AuBe dot (D) and the light extraction efficiency is reduced.
한편, 최근 기존 대비 고효율의 LED 칩(chip) 개발이 시장에서 필요하게 되는데, 종래기술에 의하면 p형 GaP 투광성 반도체층의 전류확산(current spreading) 기능이 약하여 광효율이 저하되는 문제가 있어 고효율의 발광소자를 제공하지 못하는 문제가 있다.In the meantime, the development of highly efficient LED chips compared with the conventional one is required in the market. According to the conventional technology, the current spreading function of the p-type GaP light transmitting semiconductor layer is weak and the light efficiency is lowered. There is a problem that the device can not be provided.
실시예는 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.
또한, 실시예는 수율을 향상시킬 수 있는 발광소자의 제조방법을 제공하고자 한다.Further, the embodiment is intended to provide a method of manufacturing a light emitting device capable of improving the yield.
실시예에 따른 발광소자는 오믹층; 상기 오믹층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층; 상기 오믹층과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층; 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층 상에 AlGaInP 계열 활성층; 및 상기 AlGaInP 계열 활성층 상에 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층;을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes an ohmic layer; A first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer on the ohmic layer; A GaP light-transmitting ohmic layer doped with Be between the ohmic layer and the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer; A first conductive AlGaInP series semiconductor layer on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer; An AlGaInP-based active layer on the first conductive AlGaInP-based semiconductor layer; And a second conductive AlGaInP-based semiconductor layer on the AlGaInP-based active layer.
또한, 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 AlGaInP 계열 반도체층을 형성하는 단계; 상기 AlGaInP 계열 반도체층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층의 합금화 공정을 진행하는 단계; 상기 AuBe 층을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 노출시키는 단계; 및 상기 노출된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계;를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device, including: forming an AlGaInP semiconductor layer; Forming a first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer on the AlGaInP-based semiconductor layer; Forming an AuBe layer on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer; Conducting an alloying process of the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer and the AuBe layer; Exposing the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer by removing the AuBe layer; And forming an ohmic layer on the exposed first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer.
실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In the embodiment, AuBe dots are removed between the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize light absorbed by AuBe dots, thereby providing a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, System can be provided.
또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.
또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a current spreading pattern below the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current diffusion function, thereby providing a highly efficient light emitting device.
도 1은 종래기술에 있어서, p형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 도트(dot)(D)를 형성한 사진.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 4 내지 도 12는 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 공정단면도.
도 13은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 14는 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도.
도 15는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도.1 is a photograph showing AuBe dots (D) formed on a p-type GaP transparent semiconductor layer in the prior art.
2 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the first embodiment;
3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment.
4 to 12 are process sectional views of a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment.
13 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
14 is a perspective view of a lighting unit according to an embodiment;
15 is a perspective view of a backlight unit according to an embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.
(실시예)(Example)
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자(100)의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the
실시예에 따른 발광소자(100)는 오믹층(152)과, 상기 오믹층(152) 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과, 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)과, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)과, 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126) 상에 AlGaInP 계열 활성층(124) 및 상기 AlGaInP 계열 활성층(124) 상에 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)을 포함할 수 있다.The
실시예는 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.Embodiments provide a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing a light emitting device, a light emitting device package, and an illumination system.
이를 위해, 제1 실시예는 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)을 구비하고, 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 오믹층(152) 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.For this, the first embodiment includes a GaP light-transmitting
실시예에서 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)은 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이며, GaP에 Be이 확산되었다고 하여 전체 성분 측면에서 3원계 화합물 반도체인 GaBeP가 되는 것이 아니다.In the embodiment, since the Be-doped GaP light-transmitting
실시예에 의하면 Ga 대비 Be의 양은 극소량이며, Ga의 경우 결정 구조에서 약 1.0E 25개/㎥이나 Be의 경우 동일 구조에서 약 1.0E 19개/㎥를 차지할 수 있다.According to the embodiment, the amount of Be relative to Ga is very small. In the case of Ga, the crystal structure is about 1.0E 25 / m 3, whereas in case of Be, about 1.0E 19 / m 3 is obtained in the same structure.
이에 따라 Ga 대비 Be의 수가 백만개분의 1로 실질적으로 GaBeP층으로 변하는 것은 아닌 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이다.As a result, Be is doped GaP binary compound semiconductors whose number of Be is one millionth that of Ga, which does not substantially change into a GaBeP layer.
실시예에 의하면 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 오믹층(152) 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율 반도체를 구현함과 아울러, 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)을 구비하여 오믹 컨택을 구현함으로써 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.According to the embodiment, AuBe dots are removed between the first conductive GaP light-transmitting
또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광소자(102)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the
제2 실시예는 제1 실시예의 기술적인 특징을 채용할 수 있다.The second embodiment can employ the technical features of the first embodiment.
제2 실시예는 상기 오믹층(152)과 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 전류확산 패턴(current spreading pattern)(147)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.The second embodiment differs from the first embodiment in that a
상기 전류확산 패턴(147)은 산화막, 질화막 등의 절연막 패턴일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In the embodiment, AuBe dots are removed between the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize light absorbed by AuBe dots, thereby providing a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, System can be provided.
또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.
또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a current spreading pattern below the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current diffusion function, thereby providing a highly efficient light emitting device.
도 2 및 도 3에 도시된 도면 부호 중 미설명 도면 부호는 이하 제조방법의 설명에서 설명하기로 한다.2 and 3 will be described below in the description of the manufacturing method.
이하, 도 4 내지 도 12를 참조하여,실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 설명하면서 실시예의 기술적인 특징을 상술한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 12, and technical features of the embodiments will be described in detail.
우선, 도 4와 같이, 기판(105) 상에 AlGaInP 계열 반도체층(120)을 형성한다.First, as shown in FIG. 4, an AlGaInP-based
상기 기판(105)은 GaAs 단결정 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이후, 상기 기판(105) 상에 버퍼층(미도시), 분리층(107)을 순차적으로 형성한다.The
상기 버퍼층은 n형 GaAs 버퍼층일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 분리층(107)은 AlAs을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The buffer layer may be an n-type GaAs buffer layer, but is not limited thereto. The
상기 AlGaInP 계열 반도체층(120)은 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122), 상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122) 상에 AlGaInP 계열 활성층(124) 및 상기 AlGaInP 계열 활성층(124) 상에 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The AlGaInP-based
실시예의 설명에 있어 제2 도전형은 n 형, 제1 도전형은 p형을 예로 들고 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.In the description of the embodiment, the second conductivity type is n-type, and the first conductivity type is p-type, but the embodiment is not limited thereto.
상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)은 n형 AlGaInP 계열 반도체층일 수 있으며, 상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)은 후술하는 AlGaInP 계열 활성층(124)을 이루는 (AlxGa1 -x)YIn1 -yP(0≤x≤1, 0<y≤1)보다도 밴드 갭(band gap)이 넓을 수 있다.The second conductivity type AlGaInP-based
상기 AlGaInP 계열 활성층(124)은 (AlxGa1 -x)YIn1 -yP(0≤x≤1, 0<y≤1)을 포함할 수 있고, 상기 AlGaInP 계열 활성층(124)은 단색성이 우수한 발광을 얻기 위해, 단일 양자 웰 구조 또는 다중 양자 웰 구조로 형성될 수 있다.The AlGaInP-based
상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)은 p형 AlGaInP 계열 반도체층일 수 있으며, 상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)은 후술하는 AlGaInP 계열 활성층(124)을 이루는 (AlxGa1 -x)YIn1 -yP(0≤x≤1, 0<y≤1)보다도 밴드 갭(band gap)이 넓을 수 있다.The first conductivity type AlGaInP-based
상기 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(126)과 상기 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층(122)은 상기 AlGaInP 계열 활성층(124) 보다 굴절률이 더 큰 반도체층을 형성될 수 있다.The first conductive AlGaInP-based
이후, 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120) 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)을 형성한다.Thereafter, a first conductive GaP light-transmitting
예를 들어, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)은 p형 GaP 투광성 반도체층일 수 있으며, 상기 p형 GaP 투광성 반도체층은 MOVPE법에 의해 에피택셜로 성장될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the first conductive GaP light-transmitting
다음으로, 도 5와 같이 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120)으로부터 상기 기판(105)을 제거한다. 예를 들어, 상기 분리층(107)을 습식식각 용액으로 선택 에칭하여 기판(105)을 박리하는 형태로 제거할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Next, the
다음으로, 도 6과 같이 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상에 AuBe 층(142)을 형성한다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 전면 상에 AuBe 층(142)을 형성한다.Next, an
다음으로, 도 7과 같이 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 상기 AuBe 층(142)의 합금화 공정을 약 300℃~350℃에서 진행할 수 있다. 합금화 공정온도가 350℃온도 범위를 초과하는 경우 발광구조물에 열적인 영향을 미칠 수 있다.Next, as shown in FIG. 7, the alloying process of the first conductive GaP light-transmitting
이를 통해 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 상기 AuBe 층(142) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)이 형성할 수 있다.A GaP light-transmitting
실시예에서 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)은 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이며, GaP에 Be이 확산되었다고 하여 전체 성분 측면에서 3원계 화합물 반도체인 GaBeP가 되는 것이 아니다.In the embodiment, since the Be-doped GaP light-transmitting
예를 들어, Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)에서 Ga 대비 Be의 수가 백만개분의 1로 실질적으로 GaBeP층으로 변하는 것은 아닌 Be이 확산(diffusion)된 GaP 2원계 화합물 반도체이다.For example, Be is a diffused GaP binary compound semiconductor in which Be is doped GaP light transmitting
실시예에 의하면 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 오믹층(152) 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율 반도체를 구현할 수 있다.According to the embodiment, AuBe dots are eliminated between the first conductive GaP light-transmitting
또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.
또한, 실시예는 이후 형성되는 오믹층(152)과 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)을 구비하여 오믹 컨택을 구현함으로써 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.The embodiment further includes a GaP light-transmitting
다음으로, 도 8과 같이 상기 AuBe 층(142)을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)을 노출시킨다. Next, as shown in FIG. 8, the
실시예에서 상기 AuBe 층(142)을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)을 노출시키는 단계에서, 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상의 상기 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)이 노출될 수 있다.In the embodiment, the
실시예에 의하면 종래기술과 달리 AuBe 층(142)을 제거하기 전에, 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)과 AuBe 층(142) 사이에 합금화 공정을 통해 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)이 형성할 수 있고, 상기 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145)은 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130)의 상부 전면에 형성되어 오믹컨택을 증진시킬 수 있다.According to the embodiment, before the
다음으로, 도 9와 같이 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층(145) 상에 전류확산 패턴(current spreading pattern)(147)을 형성할 수 있다. 이를 통해, 이후 형성되는 오믹층(152)과 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 사이에 전류확산 패턴(current spreading pattern)(147)이 구비되어 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.Next, a current spreading
상기 전류확산 패턴(147)은 산화막, 질화막 등의 절연막 패턴일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 상에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.The embodiment provides a current spreading pattern on the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer to enhance the current diffusion function, thereby providing a highly efficient light emitting device.
다음으로, 도 10과 같이 상기 전류확산 패턴(147)이 구비된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층(130) 상에 오믹층(152)을 형성할 수 있다. Next, as shown in FIG. 10, the
상기 오믹층(152)은 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 혹은 금속합금, 금속산화물 등을 다중으로 적층하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 오믹층(152)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The
이후, 상기 오믹층(152) 상에 본딩층(154), 본딩 기판(156), 솔더층(158) 등을 순차적으로 형성할 수 있다.A
상기 본딩층(154)은 니켈(Ni), 금(Au) 등을 이용할 수 있고, 상기 본딩 기판(156)은 구리(Cu), 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있으며, 상기 솔더층(158)은 Au-Ti, Au-Sn 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The
다음으로, 도 11과 같이 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120)을 일부 식각하여 발광구조물 영역을 설정할 수 있다. 실시예는 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120) 상면에 소정의 식각 공정 등에 의해 광추출 패턴(P)을 형성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 11, the AlGaInP-based
다음으로, 도 12와 같이 상기 AlGaInP 계열 반도체층(120) 상의 패드 전극영역에 제2 전류확산층(172), 제2 오믹층(174), 배리어층(176),패드 전극(178)을 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.12, a second
예를 들어 상기 제2 전류확산층(172)은 GaP을 포함하고, 상기 제2 오믹층(174)은 GaAs을 포함하고, 상기 배리어층(176)은 AuGe/Ni/Au를 포함하고, 상기 패드 전극(178)은 Ti/Au를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the second current spreading
실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In the embodiment, AuBe dots are removed between the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize light absorbed by AuBe dots, thereby providing a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, System can be provided.
또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.
또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a current spreading pattern below the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current diffusion function, thereby providing a highly efficient light emitting device.
도 13은 실시예들에 따른 발광소자가 설치된 발광소자 패키지(200)를 설명하는 도면이다.FIG. 13 is a view illustrating a light emitting
실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205)에 설치되어 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(240)가 포함된다.The light emitting
상기 패키지 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The
상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The
상기 발광 소자(100)는 도 2에 예시된 수직형 타입의 발광 소자가 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 도 3에 예시된 제2 실시예의 발광소자(102)도 적용될 수 있고, 나아가 수평형 발광소자도 적용될 수 있다.The
상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체부(205) 상에 설치되거나 상기 제3 전극층(213) 또는 제4 전극층(214) 상에 설치될 수 있다.The
상기 발광 소자(100)는 상기 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제3 전극층(213)과 와이어(230)를 통해 전기적으로 연결되고 상기 제4 전극층(214)과 직접 접촉하여 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있다.The
상기 몰딩부재(240)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(240)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The
실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다. A light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, a fluorescent sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on a path of light emitted from the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit or function as a lighting unit. For example, the lighting system may include a backlight unit, a lighting unit, a pointing device, a lamp, and a streetlight.
도 14는 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도(1100)이다. 다만, 도 14의 조명 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.14 is a
실시예에서 상기 조명 유닛(1100)은 케이스몸체(1110)와, 상기 케이스몸체(1110)에 설치된 발광모듈부(1130)과, 상기 케이스몸체(1110)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1120)를 포함할 수 있다.The
상기 케이스몸체(1110)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The
상기 발광모듈부(1130)은 기판(1132)과, 상기 기판(1132)에 탑재되는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.The light emitting
상기 기판(1132)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The
또한, 상기 기판(1132)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.Further, the
상기 기판(1132) 상에는 상기 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The at least one light emitting
상기 발광모듈부(1130)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting
상기 연결 단자(1120)는 상기 발광모듈부(1130)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 실시예에서 상기 연결 단자(1120)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1120)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The
도 15는 실시예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도(1200)이다. 다만, 도 15의 백라이트 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.15 is an exploded
실시예에 따른 백라이트 유닛(1200)은 도광판(1210)과, 상기 도광판(1210)에 빛을 제공하는 발광모듈부(1240)와, 상기 도광판(1210) 아래에 반사 부재(1220)와, 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220)를 수납하는 바텀 커버(1230)를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
상기 도광판(1210)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1210)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 상기 백라이트 유닛이 설치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting
상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는). 구체적으로는, 상기 발광모듈부(1240)은 기판(1242)과, 상기 기판(1242)에 탑재된 다수의 발광소자 패키지(200)를 포함하는데, 상기 기판(1242)이 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The
상기 기판(1242)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1242)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1242) 상에 빛이 방출되는 발광면이 상기 도광판(1210)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.The plurality of light emitting device packages 200 may be mounted on the
상기 도광판(1210) 아래에는 상기 반사 부재(1220)가 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 상기 도광판(1210)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1230)는 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1230)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1230)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.The
실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층과 오믹층 사이에 AuBe 도트(dot)를 없애 AuBe 도트(dot)에 의해 흡수되는 빛을 최소화하여 고효율의 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공할 수 있다.In the embodiment, AuBe dots are removed between the p-type GaP light-transmissive semiconductor layer and the ohmic layer to minimize light absorbed by AuBe dots, thereby providing a highly efficient light emitting device, a method of manufacturing the light emitting device, System can be provided.
또한, 실시예는 종래기술에서 AuBe 도트(dot)를 형성하기 위해 진행된 습식식각(wet etching) 공정을 생략에 의해 AuBe 에지(edge)부가 들뜨는 등의 불량문제를 방지하여 광효율이 증가되고, 공정 시간이 단축되어 불량률이 약 30% 이상 감소됨으로써 수율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, in the embodiment, the wet etching process for forming AuBe dots is omitted in the prior art, thereby preventing defects such as lifting of the AuBe edge, And the defective rate is reduced by about 30% or more, so that the yield can be remarkably improved.
또한, 실시예는 p형 GaP 투광성 반도체층 하측에 전류확산 패턴(current spreading pattern)을 구비하여 전류확산 기능을 강화함으로써 고효율의 발광소자를 제공할 수 있다.In addition, the embodiment provides a current spreading pattern below the p-type GaP light-transmitting semiconductor layer to enhance the current diffusion function, thereby providing a highly efficient light emitting device.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.
100: 발광소자
120: AlGaInP 계열 반도체층
122: 제1 도전형 AlGaInP 계열 반도체층
124: AlGaInP 계열 활성층
126: 제2 도전형 AlGaInP 계열 반도체층
130: 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층
145: Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층
152: 오믹층100: Light emitting element
120: AlGaInP-based semiconductor layer
122: a first conductive type AlGaInP-based semiconductor layer
124: AlGaInP-based active layer
126: second conductive type AlGaInP-based semiconductor layer
130: first conductivity type GaP transparent semiconductor layer
145: Be doped GaP light transmitting ohmic layer
152: Ohmic layer
Claims (6)
상기 AlGaInP 계열 반도체층 상에 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 AuBe 층을 형성하는 단계;
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층의 합금화 공정을 진행하는 단계;
상기 AuBe 층을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 노출시키는 단계; 및
상기 노출된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 오믹층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.Forming an AlGaInP-based semiconductor layer;
Forming a first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer on the AlGaInP-based semiconductor layer;
Forming an AuBe layer on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer;
Conducting an alloying process of the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer and the AuBe layer;
Exposing the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer by removing the AuBe layer; And
And forming an ohmic layer on the exposed first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer.
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층의 합금화 공정을 진행하는 단계에 의해,
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층과 상기 AuBe 층 사이에 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층이 형성되는 발광소자의 제조방법.The method of claim 3,
The step of alloying the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer and the AuBe layer,
And a GaP light-transmitting ohmic layer doped with Be is formed between the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer and the AuBe layer.
상기 AuBe 층을 제거하여 상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층을 노출시키는 단계에서,
상기 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상의 상기 Be이 도핑된 GaP 투광성 오믹층이 노출되는 발광소자의 제조방법.5. The method of claim 4,
In the step of removing the AuBe layer to expose the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer,
Wherein the Be-doped GaP light-transmitting ohmic layer on the first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer is exposed.
상기 오믹층을 형성하는 단계 전에,
상기 노출된 제1 도전형 GaP 투광성 반도체층 상에 전류확산 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법.The method of claim 3,
Before forming the ohmic layer,
And forming a current diffusion pattern on the exposed first conductive GaP light-transmitting semiconductor layer.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101830950B1 (en) |
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| JP2010192701A (en) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Showa Denko Kk | Light emitting diode, light emitting diode lamp, and method of manufacturing the light emitting diode |
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- 2011-09-08 KR KR1020110091388A patent/KR101830950B1/en active IP Right Grant
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|---|---|
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