KR20130029544A - Light emitting device package and lighting system - Google Patents
Light emitting device package and lighting system Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130029544A KR20130029544A KR1020110092864A KR20110092864A KR20130029544A KR 20130029544 A KR20130029544 A KR 20130029544A KR 1020110092864 A KR1020110092864 A KR 1020110092864A KR 20110092864 A KR20110092864 A KR 20110092864A KR 20130029544 A KR20130029544 A KR 20130029544A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- device package
- layer
- light
- Prior art date
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 42
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- -1 indium-aluminum-zinc Chemical compound 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
실시 예는 발광소자 패키지 및 조명 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package and an illumination system.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 소자이다. 발광소자는 LED(Light Emitting Diode), LD(Laser Diode)를 포함한다. 예를 들어, 발광소자는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.A light emitting device is a device in which electrical energy is converted into light energy. The light emitting device includes a light emitting diode (LED) and a laser diode (LD). For example, the light emitting device can implement various colors by adjusting the composition ratio of the compound semiconductor.
발광소자는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구현할 수 있다. The light emitting device may implement a light emitting source using compound semiconductor materials such as GaAs-based, AlGaAs-based, GaN-based, InGaN-based, and InGaAlP-based.
이러한 발광소자는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광소자 패키지로 구현될 수 있으며, 발광소자 패키지는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 적용되고 있다.Such a light emitting device may be packaged and implemented as a light emitting device package emitting a variety of colors, and the light emitting device package is applied to various fields such as a lighting indicator for displaying a color, a character display, and an image display.
실시 예는 수지 넘침 현상을 방지하고 표면이 평탄한 몰딩부를 제공할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명 시스템을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting system that can prevent a resin overflow and provide a molding with a flat surface.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티에 배치된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극 위에 배치된 발광소자; 상기 캐비티에 배치되며 상기 발광소자를 덮는 몰딩부; 상기 몸체의 상부면에 배치되며, 무기물 필러를 포함하고 상기 몰딩부를 이루는 수지의 넘침을 방지하는 수지 넘침 방지막; 을 포함한다.The light emitting device package according to the embodiment includes a body including a cavity; A first electrode and a second electrode disposed in the cavity; A light emitting element disposed on the first electrode; A molding part disposed in the cavity and covering the light emitting device; A resin overflow preventing film disposed on an upper surface of the body and including an inorganic filler and preventing overflow of the resin forming the molding part; .
실시 예에 따른 조명 시스템은, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광소자 패키지; 상기 발광소자 패키지로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재; 를 포함하고, 상기 발광소자 패키지는, 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티에 배치된 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극 위에 배치된 발광소자; 상기 캐비티에 배치되며 상기 발광소자를 덮는 몰딩부; 상기 몸체의 상부면에 배치되며, 무기물 필러를 포함하고 상기 몰딩부를 이루는 수지의 넘침을 방지하는 수지 넘침 방지막; 을 포함한다.Lighting system according to the embodiment, the substrate; A light emitting device package disposed on the substrate; An optical member through which the light provided from the light emitting device package passes; The light emitting device package includes a body including a cavity; A first electrode and a second electrode disposed in the cavity; A light emitting element disposed on the first electrode; A molding part disposed in the cavity and covering the light emitting device; A resin overflow preventing film disposed on an upper surface of the body and including an inorganic filler and preventing overflow of the resin forming the molding part; .
실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 조명 시스템은 수지 넘침 현상을 방지하고 표면이 평탄한 몰딩부를 제공할 수 있는 장점이 있다.The light emitting device package and the lighting system according to the embodiment have an advantage of preventing the resin overflow and providing a molding with a flat surface.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 제공된 발광소자를 설명하는 도면이다.
도 3은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 6은 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a view illustrating a light emitting device provided in a light emitting device package according to an embodiment.
3 is a view showing another example of a light emitting device package according to the embodiment.
4 is a view showing another example of a light emitting device package according to the embodiment.
5 is a diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
6 is a diagram illustrating another example of a display device according to an exemplary embodiment.
7 is a view showing a lighting apparatus according to an embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지, 라이트 유닛 및 표시장치에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device package, a light unit, and a display device according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a light emitting device package according to an embodiment.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 전극(211), 제2 전극(213), 발광소자(230), 몸체(240), 몰딩부(260), 수지 넘침 방지막(280)을 포함할 수 있다.In the light emitting device package according to the embodiment, as shown in FIG. 1, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 전극(211)과 제2 전극(213)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(230)는 상기 제1 전극(211) 상면에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(230)는 와이어(270)를 통하여 상기 제2 전극(213)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서 상기 발광소자(230)는 수직형 발광소자로 구현될 수도 있으며, 수평형 발광소자로 구현될 수도 있다. 상기 발광소자(230)는 상기 제1 전극(211) 및 상기 제2 전극(213)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광소자(230)는 와이어 본딩, 플립칩 본딩, 다이 본딩 등에 의하여 상기 제1 전극(211) 또는 상기 제2 전극(213)에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
상기 몸체(240)는 상기 제1 전극(211) 및 상기 제2 전극(213) 위에 제공될 수 있다. 상기 몸체(240)는 상기 발광소자(230) 둘레에 경사면을 갖는 측면을 제공할 수 있다. 상기 몸체(240)는 상기 측면에 의하여 형성된 캐비티(220)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(230)는 상기 캐비티(220) 내에 배치되어 상기 제1 전극(211) 위에 배치될 수 있다.The
상기 몸체(240)는 실리콘 재료, 세라믹 재료, 수지 재료 중에서 어느 하나로 구현될 수 있다. 상기 몸체(240)는, 예컨대, 실리콘(silicon), 실리콘 카바이드(silicon carbide: SiC), 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN), 폴리프탈아마이드(polyphthalamide: PPA), 고분자액정(Liquid Crystal Polymer: LCP) 중 적어도 한 재질로 구현될 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.The
또한, 상기 몸체(240)는 단층 또는 다층 기판의 구조물로 형성되거나, 사출 성형될 수 있으며, 이러한 몸체(240)의 형상이나 구조물에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the
상기 몸체(240)의 상기 캐비티(220) 내에 몰딩부(260)가 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(260)는 상기 캐비티(220)에 배치되며 상기 발광소자(230)의 측면과 상부면을 덮을 수 있다. 상기 와이어(270)는 상기 발광소자(230)와 상기 제2 전극(213)을 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 와이어(270)는 상기 몰딩부(260)에 의하여 보호될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(260)의 상면은 평탄하게 형성될 수 있다.A
상기 몰딩부(260)는 상기 발광소자(230) 상부에 제공되어 상기 발광소자(230)를 보호할 수 있다. 상기 몰딩부(260)는 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 상기 발광소자(230)로부터 제공되는 제1 파장대역의 빛을 입사 받고, 변환된 제2 파장대역의 빛을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(260)는 예컨대 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지 재료로 구현될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(260)의 표면은 편평하게 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(260)에는 적어도 한 종류의 형광체가 첨가될 수도 있다. 예컨대, 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride 또는 Oxynitride계 형광체일 수 있다. The
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 수지 넘침 방지막(280)을 포함할 수 있다. 상기 수지 넘침 방지막(280)은 상기 몸체(240)의 상부면에 배치될 수 있다. 상기 수지 넘침 방지막(280)은 무기물 필러를 포함할 수 있다. 상기 수지 넘침 방지막(280)은 상기 몰딩부(260)를 이루는 수지의 넘침을 방지할 수 있다. 상기 수지 넘침 방지막(280)은 상기 몸체(240)의 형상에 맞추어 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 수지 넘침 방지막(280)은 링 형상으로 형성될 수도 있으며, 사각 형상으로 형성될 수도 있다. 상기 수지 넘침 방지막(280)은 일체로 형성될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include the resin
상기 수지 넘침 방지막(280)은 세라믹 필러를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 수지 넘침 방지막(280)은 AlN과 SiO2를 포함할 수 있다. 상기 SiO2는 5% 내지 10%의 함량으로 포함될 수 있다. 또한 상기 수지 넘침 방지막(280)은 Al2O3와 SiO2를 포함할 수 있다. 상기 SiO2는 5% 내지 10%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 몸체(240)의 재질과 상기 수지 넘침 방지막(280)의 재질은 서로 상이하게 구현될 수 있다.The resin
상기 수지 넘침 방지막(280)에 의하여 상기 몰딩부(260)를 형성함에 있어, 상기 몰딩부(260)를 이루는 수지가 넘치는 것을 방지할 수 있게 된다. 상기 수지 넘침 방지막(280)에 의하여 응력이 발생되고 표면장력에 의하여 수지 넘침 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 수지 넘침 방지막(280)에 의하여 상기 몰딩부(260)의 상면이 평면으로 형성될 수 있게 된다. 실시 예에 의하면 종래 발광소자 패키지에서 몰딩부 형성 시에 상부면이 오목한 형상으로 형성되는 것을 방지할 수 있게 된다. 이에 따라 상기 발광소자(230)로부터 발광되는 빛이 외부로 균일하게 추출될 수 있게 된다.In forming the
한편, 하나의 예로서 도 2에 도시된 발광소자가 도 1을 참조하여 설명된 발광소자 패키지에 적용될 수 있다. 도 2는 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.Meanwhile, as an example, the light emitting device shown in FIG. 2 may be applied to the light emitting device package described with reference to FIG. 1. 2 is a view showing a light emitting device according to an embodiment.
실시 예에 따른 발광소자(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 발광구조물(10), 전극(20), 반사전극(50)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the
상기 발광구조물(10)은 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부 표면에 요철(17)이 제공될 수 있다. The
예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다. For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant as a first conductivity type dopant, and the second conductivity
상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 11 is a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) Can be implemented. The first conductive semiconductor layer 11 may be selected from among GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, An n-type dopant such as Se or Te can be doped.
상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 활성층(12)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 양자 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.The
상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second
한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer, and the second
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.Also, a first conductive InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductive semiconductor layer 11 and the
상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부 표면에 상기 요철(17)이 제공될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 GaN층인 경우, 성장 방향 및 식각 방향을 고려할 때, 상기 요철(17)이 형성된 면은 N면(N-face) 일 수 있다.The
상기 발광구조물(10) 아래에 오믹접촉층(40)과 상기 반사전극(50)이 배치될 수 있다. 상기 발광구조물(10) 위에 상기 전극(20)이 배치될 수 있다. 상기 전극(20)과 상기 반사전극(50)은 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 또한 상기 반사전극(50)은 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.An
상기 오믹접촉층(40)은 예컨대 투명 도전성 산화막층으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.The
상기 반사전극(50)은 고 반사율을 갖는 금속 재질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사전극(50)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사전극(50)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 반사전극(50)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The reflective electrode 50 may be formed of a metal material having a high reflectance. For example, the reflective electrode 50 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, and Hf. In addition, the reflective electrode 50 may be formed of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc-tin-oxide (IZTO), and indium-aluminum-zinc (AZO). Transmissive conductive materials such as -Oxide, Indium-Gallium-Zinc-Oxide, IGTO, Indium-Gallium-Tin-Oxide, AZO, Aluminum-Zinc-Oxide, and ATO It can be formed in a multi-layer. For example, in the exemplary embodiment, the reflective electrode 50 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, or Ag-Cu alloy.
상기 발광구조물(10)과 상기 오믹접촉층(40) 사이에 전류차단층(CBL: Current Blocking Layer)(30)이 배치될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은 상기 전극(20)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되는 영역에 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 전극(20)과 상기 반사전극(40) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.A current blocking layer (CBL) 30 may be disposed between the
상기 전류차단층(30)은 전기 절연성을 갖거나, 상기 발광구조물(10)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은 산화물, 질화물 또는 금속으로 형성될 수 있다. 상기 전류차단층(30)은, 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 , TiOx, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 전류차단층(30)은 상기 발광구조물(10) 아래의 제1 영역에 배치될 수 있으며, 상기 오믹접촉층(40)은 상기 발광구조물(10) 아래의 제2 영역 및 상기 전류차단층(30) 아래에 배치될 수 있다. 상기 오믹접촉층(40)은 상기 발광구조물(10)과 상기 반사전극(50) 사이에 배치될 수 있다. 또한 상기 오믹접촉층(40)은 상기 전류차단층(30)과 상기 반사전극(50) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 발광구조물(10)과 상기 오믹접촉층(40) 사이에 아이솔레이션층(80)이 더 배치될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 상기 발광구조물(10)의 하부 둘레 및 상기 오믹접촉층(40) 위에 배치될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 예를 들어, 전기 절연성을 갖는 재질 또는 상기 발광 구조물(10)에 비해 낮은 전기 전도성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 아이솔레이션층(80)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 상기 전류차단층(30)과 같은 물질로 형성될 수 있으며, 또한 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다. 상기 아이솔레이션층(80)은 채널층으로 지칭될 수도 있다.An
상기 반사전극(50) 아래에 확산장벽층(55), 본딩층(60), 지지부재(70)가 배치될 수 있다. A diffusion barrier layer 55, a
상기 확산장벽층(55)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 반사전극(50) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 확산장벽층(55)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사전극(50) 등에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 상기 확산장벽층(55)은 Cu, Ni, Ti-W, W, Pt 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The diffusion barrier layer 55 may function to prevent the material included in the
상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광 소자를 지지하며, 외부 전극과 전기적으로 연결되어 상기 발광구조물(10)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한 상기 지지부재(70)는 절연물질로 형성될 수도 있다.The
상기 발광구조물(10) 위에는 보호층(90)이 더 배치될 수 있다. 상기 보호층(90)은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 상기 보호층(90)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 와 같이 투광성 및 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 보호층(90)은 상기 발광구조물(10)의 측면에 제공될 수 있다. 또한 상기 보호층(90)은 상기 발광구조물(10)의 측면뿐만 아니라 상부에도 제공될 수 있다.The
이상의 설명에서는 상기 발광구조물(10)의 상부에 전극(20)이 배치되고 상기 발광구조물(10)의 하부에 반사전극(50)이 배치된 수직형 구조의 발광 소자를 기준으로 설명하였다. 그러나, 본 실시 예에 따른 발광소자는 상기 발광구조물(10)을 이루는 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결된 제1전극 및 상기 발광구조물(10)을 이루는 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결된 제2전극의 위치 및 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 본 실시 예에 따른 발광 소자는 제1전극 및 제2전극이 동일 방향으로 노출된 수평형 구조의 발광소자에도 적용될 수 있다. In the above description, the
도 3은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 3을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하도록 한다.3 is a view showing another example of a light emitting device package according to the embodiment. In the description of the light emitting device package according to the exemplary embodiment with reference to FIG. 3, the description of parts overlapping with those described with reference to FIG. 1 will be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 몸체(240) 위에 렌즈(290)를 더 포함할 수 있다. 상기 렌즈(290)에 의하여 상기 발광소자 패키지에서 발광되는 빛의 지향각을 조절할 수 있게 된다. 상기 수지 넘침 방지막(280)은 상기 렌즈(290) 둘레에 배치되어 상기 렌즈(290)의 위치를 안정적으로 가이드할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may further include a
도 4는 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 4를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하도록 한다.4 is a view showing another example of a light emitting device package according to the embodiment. In the description of the light emitting device package according to the exemplary embodiment with reference to FIG. 4, the description of parts overlapping with those described with reference to FIG. 1 will be omitted.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자(230), 몸체(240), 반사부(245), 몰딩부(260), 수지 넘침 방지막(280)을 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a
실시 예에 의하면, 상기 몰딩부(260)와 상기 몸체(240) 사이에 상기 반사부(245)가 배치될 수 있다. 예로서, 상기 반사부(245)는 반사물질이 코팅되어 형성될 수 있다. 상기 반사부(245)에 의하여 상기 발광소자(230)로부터 발광되는 빛이 외부로 효율적으로 추출될 수 있게 된다.According to an embodiment, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 5 및 도 6에 도시된 표시 장치, 도 7에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다. 표시 장치와 조명 장치를 포함하여 조명 시스템이라고 칭할 수도 있다.The light emitting device package according to the embodiment may be applied to the light unit. The light unit may include a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged, and may include the display device illustrated in FIGS. 5 and 6 and the illumination device illustrated in FIG. 7. It may also be called a lighting system including a display device and a lighting device.
도 5를 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 5, the
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light emitting
상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The
그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light emitting device packages 200 may be mounted such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the
도 6은 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다. 6 is a diagram illustrating another example of a display device according to an exemplary embodiment.
도 6을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자 패키지(200)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 6, the
상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. The
상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The
도 7은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.7 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.
도 7을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the
상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The
상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 제공되는 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 복수 개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격 되어 어레이될 수 있다. The
상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrates and the like.
또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that reflects light efficiently, or a surface may be coated with a color, for example, white or silver, in which the light is efficiently reflected.
상기 기판(1532)에는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 LED(Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting
상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The
상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiments, which are merely exemplary and are not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated above in the range without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
211: 제1 전극 213: 제2 전극
220: 캐비티 230: 발광소자
240: 몸체 245: 반사부
260: 몰딩부 270: 와이어
280: 수지 넘침 방지막 290: 렌즈211: first electrode 213: second electrode
220: cavity 230: light emitting element
240: body 245: reflecting unit
260: molding part 270: wire
280: resin overflow prevention film 290: lens
Claims (13)
상기 캐비티에 배치된 제1 전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극 위에 배치된 발광소자;
상기 캐비티에 배치되며 상기 발광소자를 덮는 몰딩부;
상기 몸체의 상부면에 배치되며, 무기물 필러를 포함하고 상기 몰딩부를 이루는 수지의 넘침을 방지하는 수지 넘침 방지막;
을 포함하는 발광소자 패키지.A body including a cavity;
A first electrode and a second electrode disposed in the cavity;
A light emitting element disposed on the first electrode;
A molding part disposed in the cavity and covering the light emitting device;
A resin overflow preventing film disposed on an upper surface of the body and including an inorganic filler and preventing overflow of the resin forming the molding part;
Emitting device package.
상기 몸체의 재질과 상기 수지 넘침 방지막의 재질이 상이한 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device package of which the material of the body and the material of the resin overflow prevention film is different.
상기 수지 넘침 방지막은 세라믹 필러를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The resin overflow prevention film is a light emitting device package comprising a ceramic filler.
상기 수지 넘침 방지막은 AlN과 SiO2를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The resin overflow prevention film is a light emitting device package containing AlN and SiO 2 .
상기 SiO2는 5% 내지 10%의 함량으로 포함된 발광소자 패키지.5. The method of claim 4,
The SiO 2 is a light emitting device package containing a content of 5% to 10%.
상기 수지 넘침 방지막은 Al2O3와 SiO2를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The resin overflow prevention film is a light emitting device package including Al 2 O 3 And SiO 2 .
상기 SiO2는 5% 내지 10%의 함량으로 포함된 발광소자 패키지.The method according to claim 6,
The SiO 2 is a light emitting device package containing a content of 5% to 10%.
상기 수지 넘침 방지막은 링 형상인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The resin overflow prevention film is a ring-shaped light emitting device package.
상기 수지 넘침 방지막은 일체로 형성된 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The resin overflow preventing film is formed integrally with the light emitting device package.
상기 몰딩부의 상면이 평면으로 형성된 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device package is formed in the upper surface of the molding portion.
상기 몰딩부는 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The molded part light emitting device package including a phosphor.
상기 몰딩부와 상기 몸체 사이에 반사부를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device package including a reflecting portion between the molding portion and the body.
상기 기판 위에 배치되며, 제1항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 의한 발광소자 패키지;
상기 발광소자 패키지로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재;
를 포함하는 조명 시스템.Board;
A light emitting device package disposed on the substrate and according to any one of claims 1 to 12;
An optical member through which the light provided from the light emitting device package passes;
Lighting system comprising a.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110092864A KR20130029544A (en) | 2011-09-15 | 2011-09-15 | Light emitting device package and lighting system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110092864A KR20130029544A (en) | 2011-09-15 | 2011-09-15 | Light emitting device package and lighting system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130029544A true KR20130029544A (en) | 2013-03-25 |
Family
ID=48179409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110092864A KR20130029544A (en) | 2011-09-15 | 2011-09-15 | Light emitting device package and lighting system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20130029544A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101470383B1 (en) * | 2013-04-03 | 2014-12-09 | 한국광기술원 | Led package with overflow protection structure of encapsulant |
-
2011
- 2011-09-15 KR KR1020110092864A patent/KR20130029544A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101470383B1 (en) * | 2013-04-03 | 2014-12-09 | 한국광기술원 | Led package with overflow protection structure of encapsulant |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20130023668A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR20130021300A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR20120137181A (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
KR101929873B1 (en) | Light emitting device package, light unit, and display device | |
KR20130027275A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR20130021296A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR101843420B1 (en) | Light emitting device, method for fabricating the same, and light emitting device package | |
KR102075151B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR20130009040A (en) | Light emitting device, method of fabricating light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR101923688B1 (en) | Light emitting device package and light unit | |
KR20130065327A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR20130057903A (en) | The light emitting device package | |
KR101865923B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR20130021302A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR20130029544A (en) | Light emitting device package and lighting system | |
KR20120137180A (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
KR20130078987A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR20130005589A (en) | Light emitting device, light emitting device package, light unit, and method of fabricating light emitting device | |
KR20130038061A (en) | Light emitting device, method of fabricating light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR101852566B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR102099314B1 (en) | Light emitting device and light emitting apparatus including the same | |
KR101869553B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR20130028289A (en) | Light emitting device package and light unit | |
KR20130039187A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
KR101926479B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |