KR20130057903A - The light emitting device package - Google Patents

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KR20130057903A
KR20130057903A KR1020110123881A KR20110123881A KR20130057903A KR 20130057903 A KR20130057903 A KR 20130057903A KR 1020110123881 A KR1020110123881 A KR 1020110123881A KR 20110123881 A KR20110123881 A KR 20110123881A KR 20130057903 A KR20130057903 A KR 20130057903A
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package is provided to prevent the light absorption of a zener diode by molding a light emitting device and an adjacent zener diode. CONSTITUTION: A light emitting device(120) is arranged in a cavity. A zener diode(150) is arranged in the cavity. A light reflection molding unit covers the zener diode. A resin(170) covers the light emitting device. The cavity is filled with the resin.

Description

발광소자 패키지{The light emitting device package}Light emitting device package

본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다. A light emitting diode (LED) may form a light emitting source using compound semiconductor materials such as GaAs series, AlGaAs series, GaN series, InGaN series, and InGaAlP series.

이러한 발광 다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광소자 패키지로 이용되고 있으며, 발광소자 패키지는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is packaged and used as a light emitting device package that emits various colors, and the light emitting device package is used as a light source in various fields such as a lighting indicator, a color display, and an image display for displaying a color.

실시예는 새로운 구조를 가지는 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a new structure.

실시예는 광량이 증가하여 광효율을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of improving light efficiency by increasing light quantity.

실시예는 캐비티를 포함하는 몸체, 상기 캐비티 내에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자, 상기 캐비티 내에 배치되는 제너 다이오드, 상기 제너 다이오드를 덮는 광반사성의 제너 몰딩부, 그리고 상기 발광 소자를 덮으며 상기 캐비티를 매립하는 수지재를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a body including a cavity, at least one light emitting element disposed in the cavity, a zener diode disposed in the cavity, a light reflecting zener molding portion covering the zener diode, and the cavity covering the light emitting element. Provided is a light emitting device package including a resin material to be embedded.

본 발명에 따르면, 발광소자 패키지에 있어서, 발광 소자와 이웃한 영역에 제너 다이오드를 형성할 때, 상기 제너 다이오드를 덮어 몰딩시킴으로써 상기 제너 다이오드에서의 광흡수를 방지할 수 있다. 상기 제너 다이오드의 몰딩재를 광반사율이 높은 소재를 이용함으로써 발광소자 패키지의 출력 광 효율을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, when forming a zener diode in a region adjacent to the light emitting device, light absorption of the zener diode can be prevented by covering and molding the zener diode. By using a material having a high light reflectivity as the molding material of the zener diode, output light efficiency of the light emitting device package may be improved.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 다이오드의 단면도이다.
도 4는 도 2의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 6은 도 5의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이다.
도 7은 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 8은 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 예를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 1 taken along line II ′. FIG.
3 is a cross-sectional view of the light emitting diode of FIG. 1.
4 is an enlarged view of a region A of FIG. 2.
5 is a perspective view of a light emitting device package according to a second embodiment.
6 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of the light emitting device package of FIG. 5.
7 is a diagram illustrating a display device including a light emitting device package.
8 is a diagram illustrating an example of a lighting device including a light emitting device package.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, thicknesses are enlarged in order to clearly illustrate various layers and regions, and parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification .

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 간접(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, each layer, region, pattern, or structure is formed “on” or “under” of a substrate, each layer (film), region, pad, or pattern. When described as "on" and "under" include both "directly" or "indirectly through" another layer. In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

이하에서는 도 1 내지 도 4를 참고하여 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, the light emitting device package according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 상면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 다이오드의 단면도이고, 도 4는 도 2의 A 영역을 확대한 도면이다.1 is a top view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the light emitting device package of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting diode of FIG. 1. 4 is an enlarged view of region A of FIG. 2.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 상기 발광 소자 패키지(100)는 몸체(110), 상기 몸체(110) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자(120), 그리고 상기 몸체(110) 상에 배치되어, 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결되는 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)을 포함한다.1 to 4, the light emitting device package 100 is disposed on the body 110, at least one light emitting device 120 disposed on the body 110, and the body 110. The first electrode 131 and the second electrode 132 are electrically connected to the light emitting device 120.

또한, 상기 발광 소자 패키지는(100)는 상기 발광 소자(120)를 보호하는 수지재(170)를 포함한다.In addition, the light emitting device package 100 includes a resin material 170 for protecting the light emitting device 120.

상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 110 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), a metal material, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and a printed circuit board (PCB). It can be formed as one. Preferably, the body 110 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

상기 몸체(110)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(110)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(110)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(110)가 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(110)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 110 may be formed of a conductive material. When the body 110 is made of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 110 to prevent the body 110 from being electrically shorted with the first electrode and the second electrode. It can be configured to. The circumferential shape of the body 110 viewed from above may have various shapes such as triangle, rectangle, polygon, and circle depending on the use and design of the light emitting device package 100.

상기 몸체(110)에는 상부(112)가 개방되도록 캐비티(115)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(115)는 예를 들어, 사출 성형에 의해 형성되거나, 에칭에 의해 형성될 수 있다.A cavity 115 may be formed in the body 110 to open the upper part 112. The cavity 115 may be formed by, for example, injection molding, or may be formed by etching.

상기 캐비티(115)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 내측면은 바닥면에 대하여 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다. 상기 경사진 측면은 상기 몸체(110)에 습식 식각(Wet Etching)을 실시하여 형성된 경우, 50°내지 60°의 경사를 가질 수 있다.The cavity 115 may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and an inner side surface thereof may be a vertical side surface or an inclined side surface with respect to the bottom surface. When the inclined side is formed by performing wet etching on the body 110, the inclined side may have a slope of 50 ° to 60 °.

또한, 상기 캐비티(115)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상 일 수 있다.In addition, the shape of the cavity 115 as viewed from above may be circular, rectangular, polygonal, elliptical, or the like.

상기 몸체(110) 위에 상기 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(131) 및 상기 제2 전극(132)은 양극과 음극으로 전기적으로 분리되어, 상기 발광 소자(120)에 전원을 제공할 수 있다. 한편, 상기 발광 소자(120)의 설계에 따라, 상기 제1,2 전극(131,132) 외에 복수 개의 전극이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 131 and the second electrode 132 may be formed on the body 110. The first electrode 131 and the second electrode 132 may be electrically separated into an anode and a cathode to provide power to the light emitting device 120. Meanwhile, according to the design of the light emitting device 120, a plurality of electrodes may be formed in addition to the first and second electrodes 131 and 132, but embodiments are not limited thereto.

한편, 상기 제1, 2 전극(131,132)은 상기 캐비티(115) 내에 서로 분리되며 노출되어있으며, 도 2와 같이 몸체(110)의 측면을 감싸며 배면까지 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Meanwhile, the first and second electrodes 131 and 132 are separated from each other in the cavity 115 and are exposed to each other. The first and second electrodes 131 and 132 may be formed to surround the side surface of the body 110 and extend to the rear surface, but are not limited thereto. .

상기 제1,2전극(131,132)은 단층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, Cu, Cr, Au, Al, Ag, Sn, Ni, Pt, Pd 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1,2 전극(131,132)은 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1,2 전극(131,132)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au)이 순차적으로 적층된 Ti/Cu/Ni/Au층 일 수 있으나, 이것에 한정하지 않는다.The first and second electrodes 131 and 132 may have a single layer structure. For example, it may be formed of a metal or an alloy including at least one of Cu, Cr, Au, Al, Ag, Sn, Ni, Pt, and Pd. In addition, the first and second electrodes 131 and 132 may have a multilayer structure. For example, the first and second electrodes 131 and 132 may be a Ti / Cu / Ni / Au layer in which titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), and gold (Au) are sequentially stacked. It is not limited to this.

즉, 상기 제1,2 전극(131,132)의 최하층에는 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta)과 같이 상기 몸체와의 접착력이 우수한 재질이 적층되고, 상기 제1,2 전극(131,132)의 최상층에는 금(Au)과 같이 와이어(Wire) 등이 용이하게 부착되며, 전기 전도성이 우수한 재질이 적층되고, 상기 제1,2 전극(131,132)의 최상층과 최하층 사이에는 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등으로 형성되는 확산 방지층(diffusion barrier layer)이 적층될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.That is, a material having excellent adhesion to the body, such as titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta), is stacked on the lowermost layers of the first and second electrodes 131 and 132, and the first and second electrodes ( Wires, such as gold, are easily attached to the uppermost layers of the 131 and 132, and materials having excellent electrical conductivity are laminated, and platinum (Pt) is disposed between the uppermost and lowermost layers of the first and second electrodes 131 and 132. A diffusion barrier layer formed of nickel (Ni), copper (Cu), or the like may be stacked, but is not limited thereto.

상기 제1,2 전극(131,132)은 도금 방식, 증착 방식, 포토리소그래피 등을 이용하여 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first and second electrodes 131 and 132 may be selectively formed using a plating method, a deposition method, a photolithography, and the like, but are not limited thereto.

또한, 상기 제1,2 전극(131,132)은 전도성 연결부재인 와이어(122)가 부착되어, 상기 제1,2 전극(131,132)을 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결할 수 있다.In addition, the first and second electrodes 131 and 132 may be attached with a wire 122, which is a conductive connecting member, to electrically connect the first and second electrodes 131 and 132 to the light emitting device 120.

한편, 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 상기 제1,2 전극(131,132)의 혼동 없이 구분하기 위해, 상기 몸체(110)에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 1 and 2, a cathode mark may be formed on the body 110 to distinguish the first and second electrodes 131 and 132 without confusion. I do not.

상기 몸체(110)의 캐비티(115)의 측면에는 반사층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. A reflective layer (not shown) may be formed on the side surface of the cavity 115 of the body 110.

상기 발광 소자(120)는 상기 몸체(110) 상에 탑재될 수 있다. 상기 몸체(110)가 상기 캐비티(115)를 포함하는 경우, 상기 발광 소자(120)는 상기 캐비티(115) 내에 탑재될 수 있다. The light emitting device 120 may be mounted on the body 110. When the body 110 includes the cavity 115, the light emitting device 120 may be mounted in the cavity 115.

상기 발광 소자(120)는 상기 발광소자 패키지(100)의 설계에 따라 적어도 하나가 상기 몸체(110) 상에 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)가 복수 개 탑재된 경우, 복수 개의 발광소자 패키지(100)에 전원을 공급하는 복수 개의 전극 이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At least one light emitting device 120 may be mounted on the body 110 according to the design of the light emitting device package 100. When a plurality of light emitting device packages 100 are mounted, a plurality of electrodes for supplying power to the plurality of light emitting device packages 100 may be formed, but embodiments are not limited thereto.

상기 발광 소자(120)는 상기 몸체(110) 상에 직접 탑재되거나, 제1 또는 2 전극(131,132) 위에 전기적으로 접착될 수 있다.The light emitting device 120 may be directly mounted on the body 110 or electrically bonded to the first or second electrodes 131 and 132.

발광 소자(120)는 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식은 칩 종류 및 칩의 전극 위치에 따라 변경될 수 있다.The light emitting device 120 may be mounted using a wire bonding, die bonding, or flip bonding method, and the bonding method may be changed according to the chip type and the electrode position of the chip.

발광 소자(120)는 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광소자를 선택적으로 포함할 수 있다.  The light emitting device 120 may selectively include a semiconductor light emitting device manufactured using a compound semiconductor of a group III-V group element such as AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs, and the like. have.

도 2와 같이, 상기 발광 소자(120)는 제2 전극(132)에 전도성 접착제로 부착되고, 와이어(122)로 제1 전극(131)에 전기적으로 연결될 수 있다.As illustrated in FIG. 2, the light emitting device 120 may be attached to the second electrode 132 with a conductive adhesive, and may be electrically connected to the first electrode 131 with a wire 122.

이러한 발광 소자(120)는 수직형 발광소자라 명명하며, 도 3과 같이 전도성 지지기판(21), 본딩층(23), 제2 도전형 반도체층(25), 활성층(27), 및 제1 도전형 반도체층(29)을 포함한다.The light emitting device 120 is referred to as a vertical light emitting device, and as illustrated in FIG. 3, the conductive support substrate 21, the bonding layer 23, the second conductive semiconductor layer 25, the active layer 27, and the first layer are illustrated in FIG. 3. And a conductive semiconductor layer 29.

전도성 지지기판(21)은 금속 또는 전기 전도성 반도체 기판으로 형성될 수 있다. The conductive support substrate 21 may be formed of a metal or an electrically conductive semiconductor substrate.

기판(21) 위에는 III족-V족 질화물 반도체층이 형성되는 데, 반도체의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다.  A group III-V nitride semiconductor layer is formed on the substrate 21. The semiconductor growth equipment includes an electron beam evaporator, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma laser deposition (PLD), and dual heat. It can be formed by a dual-type thermal evaporator sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), etc., but is not limited to such equipment.

전도성 지지기판(21) 위에는 본딩층(23)이 형성될 수 있다. 본딩층(23)은 전도성 지지기판(21)과 질화물 반도체층을 접착되도록 한다. 또한, 전도성 지지기판(21)은 본딩 방식이 아닌 도금 방식으로 형성될 수도 있으며, 이 경우 본딩층(23)은 형성되지 않을 수도 있다. The bonding layer 23 may be formed on the conductive support substrate 21. The bonding layer 23 bonds the conductive support substrate 21 to the nitride semiconductor layer. In addition, the conductive support substrate 21 may be formed by a plating method rather than a bonding method, and in this case, the bonding layer 23 may not be formed.

본딩층(23) 위에는 제2 도전형 반도체층(25)이 형성되며, 제2 도전형 반도체층(25)은 제1 전극(31)과 전기적으로 연결된다.  A second conductive semiconductor layer 25 is formed on the bonding layer 23, and the second conductive semiconductor layer 25 is electrically connected to the first electrode 31.

제2 도전형 반도체층(25)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(25)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba를 포함한다.  The second conductivity-type semiconductor layer 25 may be formed of at least one of a group III-V group compound semiconductor, for example, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, or AlInN. The second conductive semiconductor layer 25 may be doped with a second conductive dopant, and the second conductive dopant may be a p-type dopant, and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

제2 도전형 반도체층(25)은 예컨대, NH3, TMGa(또는 TEGa), 및 Mg와 같은 p형 도펀트를 포함한 가스를 공급하여 소정 두께의 p형 GaN층으로 형성될 수 있다. The second conductive semiconductor layer 25 may be formed of a p-type GaN layer having a predetermined thickness by supplying a gas including a p-type dopant such as NH 3, TMGa (or TEGa), and Mg.

제2 도전형 반도체층(25)은 소정 영역에 전류 확산(current spreading) 구조를 포함한다. 전류 확산 구조는 수직 방향으로의 전류 확산 속도보다 수평 방향으로의 전류 확산 속도가 높은 반도체층들을 포함한다.  The second conductivity type semiconductor layer 25 includes a current spreading structure in a predetermined region. The current spreading structure includes semiconductor layers in which the current spreading speed in the horizontal direction is higher than the current spreading speed in the vertical direction.

전류 확산 구조는 예컨대, 도펀트의 농도 또는 전도성의 차이를 가지는 반도체층들을 포함할 수 있다.  The current spreading structure can include, for example, semiconductor layers having a difference in concentration or conductivity of the dopant.

제2 도전형 반도체층(25)은 그 위의 다른 층 예컨대, 활성층(27)에 균일한 분포로 확산된 캐리어를 공급될 수 있다. The second conductivity-type semiconductor layer 25 may supply a carrier diffused in a uniform distribution to another layer thereon, for example, the active layer 27.

제2 도전형 반도체층(25) 위에는 활성층(27)이 형성된다. 활성층(27)은 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물(MQW) 구조로 형성될 수 있다. 활성층(27)의 한 주기는 InGaN/GaN의 주기, AlGaN/InGaN의 주기, InGaN/InGaN의 주기, 또는 AlGaN/GaN의 주기를 선택적으로 포함할 수 있다.  The active layer 27 is formed on the second conductive semiconductor layer 25. The active layer 27 may be formed in a single quantum well or multiple quantum well (MQW) structure. One period of the active layer 27 may optionally include a period of InGaN / GaN, a period of AlGaN / InGaN, a period of InGaN / InGaN, or a period of AlGaN / GaN.

제2 도전형 반도체층(25)과 활성층(27) 사이에는 제2 도전형 클래드층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 제2 도전형 클래드층은 p형 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 제2 도전형 클래드층은 우물층의 에너지 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.  A second conductive cladding layer (not shown) may be formed between the second conductive semiconductor layer 25 and the active layer 27. The second conductive cladding layer may be formed of a p-type GaN-based semiconductor. The second conductivity type clad layer may be formed of a material having a band gap higher than that of the well layer.

활성층(27) 위에는 제1 도전형 반도체층(29)이 형성된다. 제1 도전형 반도체층(29)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등에서 적어도 하나를 첨가될 수 있다.  The first conductive semiconductor layer 29 is formed on the active layer 27. The first conductive semiconductor layer 29 may be implemented as an n-type semiconductor layer doped with a first conductive dopant. The n-type semiconductor layer may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, and the like. The first conductivity type dopant is an n-type dopant, and at least one of Si, Ge, Sn, Se, Te, and the like may be added.

제1 도전형 반도체층(29)은 예컨대, NH3, TMGa(또는 TEGa), 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 가스를 공급하여 소정 두께의 n형 GaN층을 형성할 수 있다. For example, the first conductive semiconductor layer 29 may supply a gas including an n-type dopant such as NH 3, TMGa (or TEGa), and Si to form an n-type GaN layer having a predetermined thickness.

또한, 제2 도전형 반도체층(25)은 p형 반도체층, 제1 도전형 반도체층(29)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 이하, 실시 예의 설명을 위해 반도체층의 최상층은 제1 도전형 반도체층(29)을 그 예로 설명하기로 한다.In addition, the second conductive semiconductor layer 25 may be a p-type semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer 29 may be implemented as an n-type semiconductor layer. The light emitting structure may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. In the following description, the first conductive semiconductor layer 29 is described as an example of the uppermost layer of the semiconductor layer.

제1 도전형 반도체층(29) 위에는 제1 전극 또는/및 전극층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 전극층은 산화물 또는 질화물 계열의 투광층 예컨대, ITO(indium tin oxide), ITON(indium tin oxide nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(indium zinc oxide nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, NiO의 물질 중에서 선택되어 형성될 수 있다. 전극층은 전류를 확산시켜 줄 수 있는 전류 확산층으로 기능할 수 있다. A first electrode or / and an electrode layer (not shown) may be formed on the first conductive semiconductor layer 29. The electrode layer may be an oxide or nitride-based light-transmitting layer such as indium tin oxide (ITO), indium tin oxide nitride (ITON), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide nitride (IZON), indium zinc tin oxide (IZTO), or IAZO. (indium aluminum zinc oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrO x , RuO x , It can be selected and formed from materials of NiO. The electrode layer may function as a current spreading layer capable of diffusing current.

또한, 전극층은 반사 전극층일 수 있으며, 반사 전극층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 제1 전극은 단층 또는 다층 구조의 금속층을 포함할 수 있으며, 예컨대 금속층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있다.In addition, the electrode layer may be a reflective electrode layer, and the reflective electrode layer may be formed from a material consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and optional combinations thereof. . The first electrode may include a metal layer of a single layer or a multilayer structure, for example, the metal layer may be formed of at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf or an alloy. Can be.

상기 발광 소자(120)는 복수 개가 상기 몸체(110) 상에 탑재될 수도 있다.A plurality of light emitting devices 120 may be mounted on the body 110.

상기 발광소자 패키지(100)의 제1 전극(131) 또는 제2 전극(132) 위에 제너 다이오드(150)가 배치되어 있다.The zener diode 150 is disposed on the first electrode 131 or the second electrode 132 of the light emitting device package 100.

상기 제너 다이오드(150)는 제1 전극(131) 또는 제2 전극(132) 위에 형성되고 타 제1 전극(131) 또는 제2 전극(132)에 와이어(151)를 통해 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 발광 소자(120)와 병렬로 연결된다.The zener diode 150 is formed on the first electrode 131 or the second electrode 132 and is electrically connected to the other first electrode 131 or the second electrode 132 through a wire 151. It is connected in parallel with the light emitting device 120.

상기 제너 다이오드(150)는 상기 발광 소자(120)로 흐르는 과전류를 흘려 발광 소자(120)를 보호한다.The zener diode 150 protects the light emitting device 120 by flowing an overcurrent flowing to the light emitting device 120.

일반적으로 제너 다이오드(150)는 상기 발광 소자(120)보다 작은 면적을 차지하나, 상기 발광 소자(120)로부터 방출되는 빛을 흡수하는 색을 가진다.In general, the zener diode 150 occupies a smaller area than the light emitting device 120, but has a color that absorbs light emitted from the light emitting device 120.

상기 제너 다이오드(150)를 덮으며 제너몰딩부(155)가 형성되어 있다. A zener molding part 155 is formed to cover the zener diode 150.

상기 제너몰딩부(155)는 제너 다이오드(150)의 형상을 따라 각을 가지며 형성될 수도 있으나, 도 4와 같이 반구의 형상을 가지며 형성될 수도 있다. The zener molding part 155 may be formed at an angle along the shape of the zener diode 150, but may be formed having a hemispherical shape as shown in FIG. 4.

상기 제너몰딩부(155)는 광반사성 물질로 형성되어 있다. 상세하게는, 상기 제너몰딩부(155)는 일반적인 수지물에 백색 물질(156)을 혼합하여 형성될 수 있다.The zener molding part 155 is formed of a light reflective material. In detail, the zener molding part 155 may be formed by mixing the white material 156 with a general resin material.

상기 백색 물질(156)은 수지물을 고정하기 위한 무기 필러로 포함될 수 있으며, TiO2 등을 포함할 수 있다. 이때, 상기 수지물은 하드 실리카(hard SiO2) 수지일 수 있다.The white material 156 may be included as an inorganic filler to fix the resin, and may include TiO 2 or the like. In this case, the resin may be a hard silica (hard SiO 2 ) resin.

상기 백색 물질(156)은 전체 제너몰딩부(155)의 10w% 이상 갖도록 혼합될 수 있다. The white material 156 may be mixed to have 10w% or more of the entire zener molding part 155.

하드 실리카 수지를 사용함으로써 접착성이 높아 흘러내림이 방지될 수 있다. By using a hard silica resin, high adhesiveness can be prevented from flowing down.

상기 제너몰딩부(155)는 상기 캐비티(115)의 깊이보다 작은 높이를 갖도록 형성될 수 있다. The zener molding part 155 may be formed to have a height smaller than the depth of the cavity 115.

상기 발광 소자(120) 및 제너몰딩부(155)를 덮으며 상기 캐비티(115) 내에 상기 캐비티(115)를 매립하는 몰딩재(170)를 포함한다.The molding member 170 covers the light emitting device 120 and the zener molding part 155 and fills the cavity 115 in the cavity 115.

상기 몰딩재(170)는 투광성 물질로 형성되며, 몸체(110)의 상부까지 형성된다. The molding material 170 is formed of a light transmissive material and is formed up to an upper portion of the body 110.

상기 몰딩재(170)는 투광성 수지 내에 형광체가 분산되어 있는 구조를 가지며, 상기 형광체는 상기 발광 소자(120)로부터 방출되는 빛의 파장을 변화하여 다른 파장의 빛으로 방출한다.The molding member 170 has a structure in which phosphors are dispersed in the light transmitting resin, and the phosphors emit light having different wavelengths by changing the wavelength of light emitted from the light emitting device 120.

예컨대, 발광 소자(120)가 청색 발광 다이오드(150)이고, 형광체가 황색 형광체인 경우 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 소자(120)가 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, Red, Green, Blue 삼색의 형광체가 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다. For example, when the light emitting device 120 is the blue light emitting diode 150 and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to generate white light. When the light emitting device 120 emits ultraviolet (UV) light, red, green, and blue phosphors may be added to realize white light.

이와 같이, 캐비티(115) 내에 상기 제너 다이오드(150)를 덮는 광 반사성의 수지코팅 위에 투광성의 몰딩재(170)가 더 형성됨으로써 상기 제너 몰딩부(155)로부터 반사되는 빛이 캐비티(115) 상면으로 방출되어 광량이 확보된다.As such, the light-transmitting molding material 170 is further formed on the light reflective resin coating covering the zener diode 150 in the cavity 115, so that the light reflected from the zener molding part 155 is upper surface of the cavity 115. The amount of light emitted is ensured.

이하에서는 도 5 및 도 6을 참고하여 다른 실시예를 설명한다.Hereinafter, another embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

도 5 및 도 6을 참고하면, 발광 소자 패키지(200)는 몸체(220), 캐비티(240)를 갖는 제1리드 프레임(231) 및 제2 리드 프레임(232), 복수의 발광 소자(220), 및 와이어들(222)을 포함한다.5 and 6, the light emitting device package 200 includes a body 220, a first lead frame 231 having a cavity 240, a second lead frame 232, and a plurality of light emitting devices 220. , And wires 222.

상기 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 210 may be formed of at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), a metal material, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3), and a printed circuit board (PCB). Can be. Preferably, the body 210 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

상기 몸체(210)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(210)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(210)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(210)가 제1 리드 프레임(231), 및 제2 리드 프레임(232)와 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(210)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(200)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 210 may be formed of a conductive material. When the body 210 is made of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 210 so that the body 210 may be formed of the first lead frame 231 and the second lead frame 232. It may be configured to prevent the electrical short. The circumferential shape of the body 210 as viewed from above may have various shapes such as triangle, rectangle, polygon, and circle depending on the use and design of the light emitting device package 200.

상기 몸체(220)의 상부에는 개방 영역(215)을 포함하며, 광이 방출되는 영역이다. The upper portion of the body 220 includes an open area 215 and is an area where light is emitted.

상기 제2리드 프레임(231)은 캐비티(240)를 포함하며, 상기 캐비티(240)는 상기 제2리드 프레임(231)의 상면으로부터 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 캐비티(240)의 측면은 상기 캐비티(240)의 바닥면으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. The second lead frame 231 includes a cavity 240, and the cavity 240 is concave from an upper surface of the second lead frame 231, for example, a cup structure or a recess. Include shape. Side surfaces of the cavity 240 may be inclined or vertically bent from the bottom surface of the cavity 240.

상기 제2리드 프레임(232)은 캐비티(240)를 포함하며, 구성은 제1 리드 프레임(231)의 그것과 동일하다.The second lead frame 232 includes a cavity 240, and the configuration is the same as that of the first lead frame 231.

상기 개방 영역(215)의 아래에 제2리드 프레임(231)의 캐비티(215) 및 제2리드 프레임(232)의 캐비티(240)가 배치된다. The cavity 215 of the second lead frame 231 and the cavity 240 of the second lead frame 232 are disposed below the open area 215.

상기 캐비티(240)에는 적어도 하나의 발광 소자(220)가 배치되며, 상기 발광 소자(220)는 상기 캐비티(240)의 바닥에 부착되고, 와이어(222)로 각각 제1 및 제2 리드 프레임(231, 232)과 연결된다. 상기 발광 소자(220)는 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 동일한 피크 파장의 광을 방출하거나, 서로 다른 피크 파장의 광을 방출할 수 있다. 상기 발광 소자(220) 는 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.At least one light emitting device 220 is disposed in the cavity 240, and the light emitting device 220 is attached to the bottom of the cavity 240, and the first and second lead frames are respectively formed of wires 222. 231, 232). The light emitting device 220 may selectively emit light in the wavelength range of the ultraviolet band to the visible light band, may emit light of the same peak wavelength, or may emit light of different peak wavelengths. The light emitting device 220 may include at least one of an LED chip using a Group III-V compound semiconductor, for example, an ultraviolet (Ultraviolet) LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a white LED chip, and a red LED chip. .

상기 몸체(220)의 하면에는 제1 리드 프레임(231)의 하면 및 제2리드 프레임(232)의 하면이 배치되며, 상기 하면은 보드 위의 패드에 솔더와 같은 접속 부재로 연결되고, 방열 플레이트로 사용된다. A lower surface of the first lead frame 231 and a lower surface of the second lead frame 232 are disposed on the lower surface of the body 220, and the lower surface is connected to a pad on a board by a connection member such as solder, and a heat dissipation plate. Used as

상기 몸체(210)의 개방 영역(215)의 측면에는 반사층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다.A reflective layer (not shown) may be formed on the side of the open area 215 of the body 210.

상기 제1 또는 제2 리드 프레임 위에 제너 다이오드(250)를 포함한다. 상기 제너 다이오드(250)는 발광 소자(220)와 병렬로 연결되도록 와이어(251)로 제1 또는 제2 리드 프레임(231, 232)과 연결되어 있다.A zener diode 250 is included on the first or second lead frame. The zener diode 250 is connected to the first or second lead frames 231 and 232 by a wire 251 so as to be connected in parallel with the light emitting device 220.

상기 제너 다이오드(250) 위에 제너 몰딩부(255)가 형성되어 있다.A zener molding part 255 is formed on the zener diode 250.

상기 제너몰딩부(255)는 광반사성 물질로 형성되어 있다. 상세하게는, 상기 제너몰딩부(255)는 일반적인 수지물에 백색 물질을 혼합하여 형성될 수 있다.The zener molding part 255 is formed of a light reflective material. In detail, the zener molding part 255 may be formed by mixing a white material with a general resin material.

상기 백색 물질은 수지물을 고정하기 위한 무기 필러로 포함될 수 있으며, TiO2 등을 포함할 수 있다. 이때, 상기 수지물은 하드 실리카(hard SiO2) 수지일 수 있다.The white material may be included as an inorganic filler for fixing a resin, and may include TiO 2 . In this case, the resin may be a hard silica (hard SiO 2 ) resin.

상기 무기 필러는 전체 제너몰딩부(255)의 10w% 이상 갖도록 혼합될 수 있다. The inorganic filler may be mixed to have 10w% or more of the entire zener molding part 255.

하드 실리카 수지를 사용함으로써 접착성이 높아 흘러내림이 방지될 수 있다. By using a hard silica resin, high adhesiveness can be prevented from flowing down.

상기 제너몰딩부(255)는 상기 개방 영역(215)의 깊이보다 작은 높이를 갖도록 형성될 수 있다.The zener molding part 255 may be formed to have a height smaller than the depth of the open area 215.

상기 캐비티(240)를 덮으며 수지재(270)가 형성된다.The resin material 270 is formed to cover the cavity 240.

상기 수지재(270)는 투광성 물질로 디스펜싱될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The resin material 270 may be dispensed with a light transmitting material, but is not limited thereto.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 7에 도시된 표시 장치, 도 8에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 지시등과 같은 유닛에 적용될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may be applied to the light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting device packages are arranged, and includes a display device shown in FIG. 7 and a lighting device shown in FIG. Can be applied.

도 7은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 7 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 7을 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 7, the display device 1000 includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 that provides light to the light guide plate 1041, a reflective member 1022 under the light guide plate 1041, and the light guide plate 1041. A bottom cover 1011 that houses an optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflective member 1022. ), But is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse the light provided from the light emitting module 1031 to make a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 is disposed on at least one side of the light guide plate 1041 to provide light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 기판은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 기판(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(100)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.The light emitting module 1031 may include at least one, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device package 100 according to the above-described embodiment, and the light emitting device package 100 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals. have. The substrate may be a printed circuit board, but is not limited thereto. In addition, the substrate 1033 may include a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto. When the light emitting device package 100 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. A part of the heat radiation plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011. Therefore, heat generated in the light emitting device package 100 may be discharged to the bottom cover 1011 via the heat dissipation plate.

상기 복수의 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 100 may be mounted on the substrate 1033 such that an emission surface on which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting device package 100 may directly or indirectly provide light to a light incident portion that is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and supplies the reflected light to the display panel 1061 to improve the brightness of the display panel 1061. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to a top cover (not shown), but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by transmitting or blocking light provided from the light emitting module 1031. The display device 1000 can be applied to video display devices such as portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal / vertical prism sheet, a brightness enhanced sheet, and the like. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet concentrates incident light on the display panel 1061. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness I will. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light emitting module 1031, but are not limited thereto.

도 8은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.8 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the lighting device 1500 may include a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, and a connection terminal installed in the case 1510 and receiving power from an external power source. 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having good heat dissipation, for example, may be formed of a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 100 according to an embodiment mounted on the substrate 1532. The plurality of light emitting device packages 100 may be arranged in a matrix form or spaced apart at predetermined intervals.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrates and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that reflects light efficiently, or a surface may be coated with a color, for example, white or silver, in which the light is efficiently reflected.

상기 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(100)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등과 같은 가시 광선 대역의 발광 다이오드 또는 자외선(UV, Ultra Violet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 100 may be mounted on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 100 may include at least one light emitting diode (LED) chip. The LED chip may include a light emitting diode in a visible light band such as red, green, blue, or white, or a UV light emitting diode emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 100 to obtain color and luminance. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

발광소자 패키지 100, 200
발광 소자 120, 220
몸체 110, 210
제너 다이오드 150, 250Light emitting device package 100, 200
Light emitting element 120, 220
Body 110, 210
Zener Diodes 150, 250

Claims (11)

캐비티를 포함하는 몸체,
상기 캐비티 내에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자,
상기 캐비티 내에 배치되는 제너 다이오드,
상기 제너 다이오드를 덮는 광반사성의 몰딩부, 그리고
상기 발광 소자를 덮으며 상기 캐비티를 매립하는 수지재
를 포함하는
발광소자 패키지.A body containing a cavity,
At least one light emitting element disposed in the cavity,
A zener diode disposed in the cavity,
A light reflective molding portion covering the zener diode, and
Resin material covering the light emitting element and filling the cavity
Containing
Light emitting device package. 제1항에 있어서,
상기 몰딩부는 수지재, 그리고,
상기 수지재 내에 분산되어 있는 광반사성의 무기 필러
를 포함하는 발광소자 패키지. The method of claim 1,
The molding part is a resin material, and
Light reflective inorganic filler dispersed in the resin material
Light emitting device package comprising a. 제2항에 있어서,
상기 무기 필러는 백색을 가지는 발광소자 패키지. The method of claim 2,
The inorganic filler has a white light emitting device package. 제3항에 있어서,
상기 무기 필러는 산화 티타늄을 포함하는 발광소자 패키지. The method of claim 3,
The inorganic filler is a light emitting device package containing titanium oxide. 제3항에 있어서,
상기 무기 필러는 상기 몰딩부의 10w% 이상인 발광소자 패키지. The method of claim 3,
The inorganic filler is a light emitting device package of more than 10w% of the molding portion. 제1항에 있어서,
상기 캐비티 내에 서로 이격하여 형성되는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하는 발광소자 패키지. The method of claim 1,
The light emitting device package further comprises a first electrode and a second electrode formed to be spaced apart from each other in the cavity. 제6항에 있어서,
상기 제너 다이오드는 제1 전극 또는 제2 전극 위에 배치되는 발광소자 패키지. The method according to claim 6,
The Zener diode is disposed on the first electrode or the second electrode light emitting device package. 제6항에 있어서,
상기 몰딩부는 반구형으로 상기 제너 다이오드를 덮는 발광소자 패키지The method according to claim 6,
The molding part hemispherical light emitting device package covering the Zener diode 제1항에 있어서,
상기 몰딩부는 상기 수지재보다 낮은 발광소자 패키지. The method of claim 1,
The molding unit is lower light emitting device package than the resin material. 제9항에 있어서,
상기 수지재는 투광성 물질인 발광소자 패키지.10. The method of claim 9,
The resin material is a light emitting device package is a light transmitting material. 제6항에 있어서,
상기 발광 소자는 상기 제1 전극 및 제2 전극 각각에 배치되며,
상기 제너 다이오드는 상기 제1 전극 또는 제2 전극 중 하나에 배치되는 발광소자 패키지. The method according to claim 6,
The light emitting device is disposed on each of the first electrode and the second electrode,
The zener diode is disposed on one of the first electrode or the second electrode.
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