KR20150042161A - The light emitting device package and the light emitting system - Google Patents

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김감곤
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a light emitting device package, which comprises: a body having a first cavity; at least one lead frame arranged in the first cavity and having a second cavity; and at least one light emitting device arranged in the second cavity of the lead frame. A side surface of the second cavity provides light emitting device packages with different inclination angles. Therefore, when forming a groove on the lead frame, it is possible to enhance the rigidity by forming a different inclination angle of each of the two side surfaces facing each other. Also, when two lead frames are formed, it is possible to reduce wire length by forming a large inclination angle of a side surface of grooves adjacent to each other.

Description

발광소자 패키지 및 조명 장치{The light emitting device package and the light emitting system}[0001] The present invention relates to a light emitting device package and a light emitting device,

본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) can be made of a compound semiconductor material such as GaAs-based, AlGaAs-based, GaN-based, InGaN-based, and InGaAlP-based.

이러한 발광 다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광소자 패키지로 이용되고 있으며, 발광소자 패키지는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is used as a light emitting device package that is packaged and emits various colors, and the light emitting device package is used as a light source in various fields such as a lighting indicator, a character indicator, and an image indicator.

실시예는 새로운 구조를 가지는 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a new structure.

실시예는 강성이 향상되는 리드 프레임을 가지는 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a lead frame with improved rigidity.

실시예는 제1 캐비티를 포함하는 몸체, 상기 제1 캐비티 내에 배치되며, 제2 캐비티를 포함하는 적어도 하나의 리드 프레임, 그리고 상기 리드 프레임의 제2 캐비티에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자를 포함하며, 상기 제2 캐비티의 측면은 서로 다른 경사각을 가지는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a body including a first cavity, at least one lead frame disposed in the first cavity, the at least one lead frame including a second cavity, and at least one light emitting element disposed in a second cavity of the lead frame And the sides of the second cavity have different inclination angles.

본 발명에 따르면, 발광소자 패키지에 있어서, 리드 프레임에 홈을 형성할 때, 마주하는 두 측면의 경사각을 서로 다르게 형성함으로써 강성을 향상할 수 있다. 또한, 2개의 리드 프레임이 형성될 때, 서로 이웃하는 홈의 측면부의 경사각을 크게 형성함으로써 와이어의 길이를 줄일 수 있다. 그리고 상기 경사각을 제어하여 리드 프레임의 면적을 줄임으로써 패키지를 소형화할 수 있다.According to the present invention, in forming the groove in the lead frame in the light emitting device package, the rigidity can be improved by forming the opposing side surfaces at different inclination angles. Further, when the two lead frames are formed, the length of the wire can be reduced by increasing the inclination angle of the side portions of the adjacent grooves. By reducing the area of the lead frame by controlling the inclination angle, the size of the package can be reduced.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 상면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 다이오드의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 상면도이다.
도 5는 도 4의 발광소자 패키지를 Ⅱ-Ⅱ'으로 절단한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 예를 나타낸 도면이다.
1 is a top view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 1 taken along line I-I '.
3 is a cross-sectional view of the light emitting diode of FIG.
4 is a top view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 4 taken along line II-II '.
6 is a view showing a display device including the light emitting device package of the present invention.
7 is a view showing an example of a lighting apparatus including the light emitting device package of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, thicknesses are enlarged in order to clearly illustrate various layers and regions, and parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification .

층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

이하에서는 도 1 내지 도 4를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 상면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 다이오드의 단면도이며, 도 4는 도 1의 경사부를 확대한 도면이다.FIG. 1 is a top view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of the light emitting device package of FIG. 1 taken along line I-I ' And Fig. 4 is an enlarged view of the inclined portion of Fig.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 상기 발광 소자 패키지(100)는 몸체(110), 상기 몸체(110) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자(120), 그리고 상기 몸체(110) 상에 배치되어, 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결되는 제1 리드 프레임(130) 및 제2 리드 프레임(140)을 포함한다.1 to 4, the light emitting device package 100 includes a body 110, at least one light emitting device 120 disposed on the body 110, and a light emitting diode 120 disposed on the body 110 And a first lead frame 130 and a second lead frame 140 electrically connected to the light emitting device 120.

또한, 상기 발광 소자 패키지는(100)는 상기 발광 소자(120)를 보호하는 수지재(170)를 포함한다.In addition, the light emitting device package 100 includes a resin material 170 for protecting the light emitting device 120.

상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 110 may be formed of at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al2O3) . Preferably, the body 110 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

상기 몸체(110)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(110)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(110)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(110)가 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(110)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 110 may be formed of a conductor having conductivity. When the body 110 is made of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 110 so that the body 110 is electrically shorted with the first lead frame and the second lead frame ≪ / RTI > The peripheral shape of the body 110 viewed from above may have various shapes such as a triangular shape, a rectangular shape, a polygonal shape, and a circular shape depending on the use and design of the light emitting device package 100.

상기 몸체(110)에는 상부(112)가 개방되도록 제1 캐비티(115)가 형성될 수 있다. 상기 제1 캐비티(115)는 예를 들어, 사출 성형에 의해 형성되거나, 에칭에 의해 형성될 수 있다.A first cavity 115 may be formed in the body 110 to open the upper portion 112. The first cavity 115 may be formed by, for example, injection molding, or may be formed by etching.

상기 제1 캐비티(115)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 내측면은 바닥면에 대하여 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다. 상기 경사진 측면은 상기 몸체(110)에 습식 식각(Wet Etching)을 실시하여 형성된 경우, 50°내지 60°의 경사를 가질 수 있다.The first cavity 115 may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the inner surface thereof may be a side surface perpendicular to the bottom surface or a side surface inclined. The inclined side surface may be inclined by 50 to 60 when the body 110 is wet etched.

또한, 상기 제1 캐비티(115)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상 일 수 있다.The shape of the first cavity 115 viewed from the top may be circular, square, polygonal, elliptical, or the like.

상기 몸체(110) 위에 상기 제1 리드 프레임(130) 및 제2 리드 프레임(140)이 형성될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(130) 및 상기 제2 리드 프레임(140)은 양극과 음극으로 전기적으로 분리되어, 상기 발광 소자(120)에 전원을 제공할 수 있다. 한편, 상기 발광 소자(120)의 설계에 따라, 상기 제1,2 리드 프레임(130,140) 외에 복수 개의 리드 프레임이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first lead frame 130 and the second lead frame 140 may be formed on the body 110. The first lead frame 130 and the second lead frame 140 may be electrically separated from the anode and the cathode to provide power to the light emitting device 120. According to the design of the light emitting device 120, a plurality of lead frames may be formed in addition to the first and second lead frames 130 and 140. However, the present invention is not limited thereto.

한편, 상기 제1, 2 리드 프레임(130,140)은 상기 제1 캐비티(115) 내에 서로 분리되며 노출되어있으며, 도 2와 같이 몸체(110)의 측면을 감싸며 배면까지 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The first and second lead frames 130 and 140 may be separated from each other in the first cavity 115 and extend to the backside of the body 110 as shown in FIG. It is not limited.

상기 제1,2 리드 프레임(130,140)은 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1,2 리드 프레임(130,140)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au)이 순차적으로 적층된 Ti/Cu/Ni/Au층 일 수 있으나, 이것에 한정하지 않는다.The first and second lead frames 130 and 140 may have a multi-layer structure. For example, the first and second lead frames 130 and 140 may be a Ti / Cu / Ni / Au layer in which titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni) , But is not limited thereto.

즉, 상기 제1,2 리드 프레임(130,140)의 최하층에는 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta)과 같이 상기 몸체와의 접착력이 우수한 재질이 적층되고, 상기 제1,2 리드 프레임(130,140)의 최상층에는 금(Au)과 같이 와이어(Wire) 등이 용이하게 부착되며, 전기 전도성이 우수한 재질이 적층되고, 상기 제1,2 리드 프레임(130,140)의 최상층과 최하층 사이에는 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등으로 형성되는 확산 방지층(diffusion barrier layer)이 적층될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.That is, a material having excellent adhesion to the body such as titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta) is laminated on the lowermost layer of the first and second lead frames 130 and 140, The uppermost layer of the frames 130 and 140 is easily attached with a wire such as gold and the like and a material having excellent electrical conductivity is stacked. The uppermost layer and the lowermost layer of the first and second lead frames 130 and 140 are platinum A diffusion barrier layer formed of platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), or the like may be stacked, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 제1,2 리드 프레임(130,140)은 전도성 연결부재인 와이어(122)가 부착되어, 상기 제1,2 리드 프레임(130,140)을 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결할 수 있다.The first and second lead frames 130 and 140 may be electrically connected to a wire 122 to electrically connect the first and second lead frames 130 and 140 to the light emitting device 120.

상기 제1 리드 프레임(130)은 상기 제1 캐비티(115)의 대부분의 면적을 차지하며, 바람직하게는 70% 이상의 면적을 차지한다.The first lead frame 130 occupies most of the area of the first cavity 115, and preferably occupies an area of 70% or more.

상기 제1 리드 프레임(130)은 상기 제1 캐비티(115) 내에 상기 몸체(110)의 바닥면을 향하여 함몰되어 있는 제2 캐비티(135)를 포함한다.The first lead frame 130 includes a second cavity 135 that is recessed toward the bottom surface of the body 110 in the first cavity 115.

상기 제2 캐비티(135)는 상기 몸체(110)의 제1 캐비티(115)의 중앙 영역에 배치될 수 있다.The second cavity 135 may be disposed in a central region of the first cavity 115 of the body 110.

상기 제1 리드 프레임(130)은 상기 제2 캐비티(135)의 바닥면을 형성하는 바닥부(131), 상기 바닥부(131)로부터 연장되며, 상기 제2 캐비티(135)의 측면을 형성하는 측면부(133), 상기 바닥부(131)와 평행하게 형성되며, 상기 측면부(133)로부터 연장되는 상면부(134)를 포함한다.The first lead frame 130 includes a bottom 131 forming a bottom surface of the second cavity 135 and a bottom 131 extending from the bottom 131 to form a side surface of the second cavity 135 And includes a side surface portion 133 and an upper surface portion 134 formed parallel to the bottom portion 131 and extending from the side surface portion 133.

상기 바닥부(131)의 배면은 상기 몸체(110)부의 바닥면으로 노출되어 패드를 형성한다.The bottom surface of the bottom part 131 is exposed to the bottom surface of the body 110 to form a pad.

상기 상면부(134)는 몸체(110)의 중앙 영역을 가로지를 수 있으며, 몸체(110) 외부로 돌출되어 단자를 형성할 수 있다.The upper surface portion 134 may cross the central region of the body 110 and protrude outside the body 110 to form a terminal.

또한 상기 상면부(134)에 상기 발광 소자(120)를 전기적으로 연결하는 와이어(122)가 연결된다.A wire 122 electrically connecting the light emitting device 120 is connected to the upper surface portion 134.

상기 측면부(133)는 상기 제2 캐비티(135)의 상부와 하부의 면적 차에 따라 경사를 가진다.The side portion 133 has an inclination depending on an area difference between the upper portion and the lower portion of the second cavity 135.

상기 와이어(122)가 지나가는 서로 마주보는 두 개의 측면부(133)에 대하여 상기 외부로 향하는 상면부(134)와 연결되는 측면부(133)의 제1 경사각(α)은 제2 리드 프레임과 근접한 측면부(133)의 제2 경사각(β)보다 작다.The first inclination angle alpha of the side surface portion 133 connected to the outwardly directed upper surface portion 134 with respect to the two side surface portions 133 passing through the wire 122 passes through the side surface portion 133 of the second inclination angle?.

이때, 각 경사각은 상기 몸체(110)의 바닥면에 대하여 상기 측면부(133)의 외각을 측정한 것이며, 제2 리드 프레임(140)을 향하는 측면부(133)가 수직에 가깝게 형성되어 있음을 의미한다.The angle of inclination means that the angle of inclination of the side part 133 is measured with respect to the bottom surface of the body 110 and the side part 133 facing the second lead frame 140 is formed to be close to vertical .

이때, 제2 경사각(β)은 제1 경사각(α)보다 크며, 90도 보다 작은 각을 유지한다.At this time, the second inclination angle? Is larger than the first inclination angle?, And the angle is smaller than 90 degrees.

이와 같이 리드홈의 경사각이 서로 다르게 형성됨으로써 리드 프레임(130)의 강성이 향상되어 고온에서 몸체를 경화하더라도 뒤틀림이 방지될 수 있다. Since the inclination angles of the lead grooves are different from each other, the rigidity of the lead frame 130 is improved, and warping can be prevented even if the body is hardened at a high temperature.

또한, 제2 리드 프레임(140)과 근접한 측면부(133)의 제2 경사각(β)이 더 크게 형성됨으로써 제2 리드 프레임과 연결되는 와이어(122)의 길이가 짧아진다. 그리고, 반대측 측면부(133)의 제1 경사각(α)이 더 작게 형성되어 와이어(122)가 상기 상면부(134) 뿐만 아니라 상기 반대측 측면부(133)에 형성될 수도 있다. In addition, since the second inclination angle beta of the side portion 133 close to the second lead frame 140 is larger, the length of the wire 122 connected to the second lead frame is shortened. The first inclination angle alpha of the opposite side surface portion 133 may be formed to be smaller so that the wire 122 may be formed on the opposite side surface portion 133 as well as the upper surface portion 134.

한편, 제2 리드 프레임(140)은 상기 제1 리드 프레임(130)과 달리 제2 캐비티(135)를 포함하지 않고, 평면형으로 형성되며, 제1 리드 프레임(130)의 상면부(134)에 대응하는 평면 상에 형성되어 와이어(122)가 접촉된다. Unlike the first lead frame 130, the second lead frame 140 does not include the second cavity 135 but is formed in a planar shape. The upper surface portion 134 of the first lead frame 130 And the wire 122 is contacted.

상기 몸체(110)의 제1 리드 프레임(130) 및 제2 리드 프레임(140) 상에는 반사층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. A reflective layer (not shown) may be formed on the first lead frame 130 and the second lead frame 140 of the body 110.

상기 발광 소자(120)는 상기 몸체(110) 상에 탑재될 수 있다. 상기 몸체(110)가 상기 제1 캐비티(115)를 포함하는 경우, 상기 발광 소자(120)는 상기 제1 캐비티(115) 내에 탑재될 수 있다. The light emitting device 120 may be mounted on the body 110. When the body 110 includes the first cavity 115, the light emitting device 120 may be mounted in the first cavity 115.

상기 발광 소자(120)는 상기 발광소자 패키지(100)의 설계에 따라 적어도 하나가 상기 몸체(110) 상에 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)가 복수 개 탑재된 경우, 복수 개의 발광소자 패키지(100)에 전원을 공급하는 복수 개의 리드 프레임 및 복수 개의 반사층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At least one light emitting device 120 may be mounted on the body 110 according to the design of the light emitting device package 100. When a plurality of the light emitting device packages 100 are mounted, a plurality of lead frames and a plurality of reflective layers for supplying power to the plurality of light emitting device packages 100 may be formed, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 소자(120)는 상기 몸체(110) 상에 직접 탑재되거나, 제1 또는 2 리드 프레임(130,140) 위에 전기적으로 접착될 수 있다.The light emitting device 120 may be directly mounted on the body 110 or may be electrically bonded to the first or second lead frames 130 and 140.

발광 소자(120)는 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식은 칩 종류 및 칩의 리드 프레임 위치에 따라 변경될 수 있다.The light emitting device 120 can be mounted by selectively using wire bonding, die bonding, and flip bonding. The bonding method can be changed depending on the chip type and the position of the lead frame of the chip.

발광 소자(120)는 III족과 V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광소자를 선택적으로 포함할 수 있다.  The light emitting device 120 may optionally include a semiconductor light emitting device manufactured using a semiconductor of a group III or V compound semiconductor such as AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, or InGaAs have.

도 2와 같이, 상기 발광 소자(120)는 제2 리드 프레임(140)에 전도성 접착제로 부착되고, 와이어(122)로 제1 리드 프레임(130)에 전기적으로 연결될 수 있다.As shown in FIG. 2, the light emitting device 120 may be attached to the second lead frame 140 with a conductive adhesive, and may be electrically connected to the first lead frame 130 with a wire 122.

이러한 발광 소자(120)는 수직형 발광소자라 명명하며, 도 3과 같이 전도성 지지기판(21), 본딩층(23), 제2 도전형 반도체층(25), 활성층(27), 및 제1 도전형 반도체층(29)을 포함한다.The light emitting device 120 is called a vertical light emitting device and includes a conductive supporting substrate 21, a bonding layer 23, a second conductive semiconductor layer 25, an active layer 27, And a conductive type semiconductor layer (29).

전도성 지지기판(21)은 금속 또는 전기 전도성 반도체 기판으로 형성될 수 있다. The conductive support substrate 21 may be formed of a metal or an electrically conductive semiconductor substrate.

기판(21) 위에는 III족-V족 질화물 반도체층이 형성되는 데, 반도체의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다.  The group III-V nitride semiconductor layer is formed on the substrate 21, and the growth equipment of the semiconductor includes an electron beam evaporator, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma laser deposition (PLD) For example, a dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and the like.

전도성 지지기판(21) 위에는 본딩층(23)이 형성될 수 있다. 본딩층(23)은 전도성 지지기판(21)과 질화물 반도체층을 접착되도록 한다. 또한, 전도성 지지기판(21)은 본딩 방식이 아닌 도금 방식으로 형성될 수도 있으며, 이 경우 본딩층(23)은 형성되지 않을 수도 있다. A bonding layer 23 may be formed on the conductive supporting substrate 21. The bonding layer 23 bonds the conductive support substrate 21 and the nitride semiconductor layer. In addition, the conductive supporting substrate 21 may be formed by a plating method instead of a bonding method. In this case, the bonding layer 23 may not be formed.

본딩층(23) 위에는 제2 도전형 반도체층(25)이 형성되며, 제2 도전형 반도체층(25)은 제1 리드 프레임(31)과 전기적으로 연결된다.  The second conductive type semiconductor layer 25 is formed on the bonding layer 23 and the second conductive type semiconductor layer 25 is electrically connected to the first lead frame 31.

제2 도전형 반도체층(25)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(25)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba를 포함한다.  The second conductivity type semiconductor layer 25 may be formed of at least one of Group III-V compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The second conductivity type semiconductor layer 25 may be doped with a second conductivity type dopant, and the second conductivity type dopant may be a p type dopant including Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

제2 도전형 반도체층(25)은 예컨대, NH3, TMGa(또는 TEGa), 및 Mg와 같은 p형 도펀트를 포함한 가스를 공급하여 소정 두께의 p형 GaN층으로 형성될 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 25 may be formed of a p-type GaN layer having a predetermined thickness by supplying a gas including a p-type dopant such as NH3, TMGa (or TEGa), and Mg.

제2 도전형 반도체층(25)은 소정 영역에 전류 확산(current spreading) 구조를 포함한다. 전류 확산 구조는 수직 방향으로의 전류 확산 속도보다 수평 방향으로의 전류 확산 속도가 높은 반도체층들을 포함한다.  The second conductivity type semiconductor layer 25 includes a current spreading structure in a predetermined region. The current diffusion structure includes semiconductor layers having a higher current diffusion speed in the horizontal direction than the current diffusion speed in the vertical direction.

전류 확산 구조는 예컨대, 도펀트의 농도 또는 전도성의 차이를 가지는 반도체층들을 포함할 수 있다.  The current diffusion structure may include, for example, semiconductor layers having a dopant concentration or a difference in conductivity.

제2 도전형 반도체층(25)은 그 위의 다른 층 예컨대, 활성층(27)에 균일한 분포로 확산된 캐리어를 공급될 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 25 can be supplied with a carrier diffused in a uniform distribution to another layer on the second conductivity type semiconductor layer 25, for example, the active layer 27.

제2 도전형 반도체층(25) 위에는 활성층(27)이 형성된다. 활성층(27)은 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물(MQW) 구조로 형성될 수 있다. 활성층(27)의 한 주기는 InGaN/GaN의 주기, AlGaN/InGaN의 주기, InGaN/InGaN의 주기, 또는 AlGaN/GaN의 주기를 선택적으로 포함할 수 있다.  An active layer 27 is formed on the second conductivity type semiconductor layer 25. The active layer 27 may be formed as a single quantum well or a multiple quantum well (MQW) structure. One period of the active layer 27 may selectively include a period of InGaN / GaN, a period of AlGaN / InGaN, a period of InGaN / InGaN, or a period of AlGaN / GaN.

제2 도전형 반도체층(25)과 활성층(27) 사이에는 제2 도전형 클래드층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 제2 도전형 클래드층은 p형 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 제2 도전형 클래드층은 우물층의 에너지 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.  A second conductive clad layer (not shown) may be formed between the second conductive semiconductor layer 25 and the active layer 27. The second conductivity type cladding layer may be formed of a p-type GaN-based semiconductor. The second conductivity type cladding layer may be formed of a material having a band gap higher than the energy band gap of the well layer.

활성층(27) 위에는 제1 도전형 반도체층(29)이 형성된다. 제1 도전형 반도체층(29)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등에서 적어도 하나를 첨가될 수 있다.  The first conductive semiconductor layer 29 is formed on the active layer 27. The first conductive semiconductor layer 29 may be an n-type semiconductor layer doped with a first conductive dopant. The n-type semiconductor layer may be made of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The first conductivity type dopant is an n-type dopant, and at least one of Si, Ge, Sn, Se, and Te can be added.

제1 도전형 반도체층(29)은 예컨대, NH3, TMGa(또는 TEGa), 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 가스를 공급하여 소정 두께의 n형 GaN층을 형성할 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 29 can be formed by supplying a gas containing an n-type dopant such as NH3, TMGa (or TEGa), and Si to an n-type GaN layer of a predetermined thickness.

또한, 제2 도전형 반도체층(25)은 p형 반도체층, 제1 도전형 반도체층(29)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 이하, 실시 예의 설명을 위해 반도체층의 최상층은 제1 도전형 반도체층(29)을 그 예로 설명하기로 한다.The second conductivity type semiconductor layer 25 may be a p-type semiconductor layer, and the first conductivity type semiconductor layer 29 may be an n-type semiconductor layer. The light emitting structure may be implemented by any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. Hereinafter, the uppermost layer of the semiconductor layer will be described as an example of the first conductivity type semiconductor layer 29 for the description of the embodiments.

제1 도전형 반도체층(29) 위에는 제1 전극 또는/및 전극층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 전극층은 산화물 또는 질화물 계열의 투광층 예컨대, ITO(indium tin oxide), ITON(indium tin oxide nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(indium zinc oxide nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, NiO의 물질 중에서 선택되어 형성될 수 있다. 전극층은 전류를 확산시켜 줄 수 있는 전류 확산층으로 기능할 수 있다. A first electrode and / or an electrode layer (not shown) may be formed on the first conductive semiconductor layer 29. The electrode layer may be formed of an oxide or nitride-based light-transmitting layer such as indium tin oxide (ITO), indium tin oxide nitride (ITON), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide nitride (IZON) (indium aluminum zinc oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrO x, RuO x, NiO. ≪ / RTI > The electrode layer can function as a current diffusion layer capable of diffusing a current.

또한, 전극층은 반사 전극층일 수 있으며, 반사 전극층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 제1 전극은 단층 또는 다층 구조의 금속층을 포함할 수 있으며, 예컨대 금속층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있다.The electrode layer may be a reflective electrode layer and the reflective electrode layer may be formed of a material consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, . For example, the metal layer may be formed of at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf or an alloy thereof. .

상기 발광 소자(120)는 복수 개가 상기 몸체(110) 상에 탑재될 수도 있다.A plurality of the light emitting devices 120 may be mounted on the body 110.

상기 제1 캐비티(115) 내에 상기 제1 캐비티(115)를 매립하는 몰딩재(170)를 포함한다.And a molding material 170 for embedding the first cavity 115 in the first cavity 115.

상기 몰딩재(170)는 투광성 물질로 형성되며, 몸체(110)의 상부까지 형성된다. The molding material 170 is formed of a light transmitting material and is formed up to the upper portion of the body 110.

상기 몰딩재(170)는 형광체를 포함할 수 있다. 예컨대, 발광 소자(120)가 청색 발광 다이오드이고, 형광체가 황색 형광체인 경우 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 소자(120)가 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, Red, Green, Blue 삼색의 형광체가 형광체 시트(180)에 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다. The molding material 170 may include a phosphor. For example, when the light emitting element 120 is a blue light emitting diode and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to generate white light. When the light emitting device 120 emits ultraviolet rays, phosphors of three colors of red, green, and blue may be added to the phosphor sheet 180 to realize white light.

이하에서는 도 4 및 도 5를 참고하여 본 발명의 다른 실시예를 설명한다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG.

도 4 및 도 5를 참고하면, 발광 소자 패키지(200)는 몸체(220), 캐비티(240)를 갖는 제1리드 프레임(230) 및 제2 리드 프레임(240), 복수의 발광 소자(220), 및 와이어들(222)을 포함한다.4 and 5, the light emitting device package 200 includes a body 220, a first lead frame 230 having a cavity 240, a second lead frame 240, a plurality of light emitting devices 220, , And wires (222).

상기 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 210 may be formed of at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al2O3) . Preferably, the body 210 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

상기 몸체(210)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(210)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(210)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(210)가 제1 리드 프레임(230), 및 제2 리드 프레임(240)와 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(210)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(200)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 210 may be formed of a conductor having conductivity. When the body 210 is made of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 210 so that the body 210 is connected to the first lead frame 230 and the second lead frame 240 And can be configured to prevent electrical shorting. The perimeter shape of the body 210 viewed from above may have various shapes such as a triangular shape, a rectangular shape, a polygonal shape, and a circular shape depending on the use and design of the light emitting device package 200.

상기 몸체(220)의 상부에는 개방 영역(215)을 포함하며, 광이 방출되는 영역이다. An upper portion of the body 220 includes an open region 215 and is a region where light is emitted.

상기 제1 리드 프레임(230)은 캐비티(235)를 포함하며, 상기 캐비티(235)는 상기 제1 리드 프레임(230)의 상면으로부터 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 캐비티(235)의 측면은 상기 캐비티(235)의 바닥면으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. The first lead frame 230 includes a cavity 235 and the cavity 235 is recessed from the upper surface of the first lead frame 230 such as a cup structure or a recess, Shape. The side surface of the cavity 235 may be inclined or bent perpendicularly from the bottom surface of the cavity 235.

상기 제2리드 프레임(240)은 캐비티(245)를 포함하며, 구성은 제1 리드 프레임(230)의 그것과 동일하다.The second lead frame 240 includes a cavity 245, the configuration of which is the same as that of the first lead frame 230.

상기 개방 영역(215)의 아래에 제1 리드 프레임(230)의 캐비티(225) 및 제2리드 프레임(240)의 캐비티(245)가 배치된다. The cavity 225 of the first lead frame 230 and the cavity 245 of the second lead frame 240 are disposed under the open area 215. [

상기 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)은 상기 캐비티(135, 145)의 바닥면을 형성하는 바닥부(231, 241), 상기 바닥부(231, 241)로부터 연장되며, 상기 캐비티(235, 245)의 측면을 형성하는 측면부(233, 243), 상기 바닥부(231, 241)와 평행하게 형성되며, 상기 측면부(233, 243)로부터 연장되는 상면부(234, 244)를 포함한다.The first and second lead frames 230 and 240 extend from bottom portions 231 and 241 forming bottom surfaces of the cavities 135 and 145 to the bottom portions 231 and 241, Side surfaces 233 and 243 forming side surfaces of the side surfaces 233 and 245 and upper surfaces 234 and 244 formed in parallel with the bottom surfaces 231 and 241 and extending from the side surfaces 233 and 243 .

상기 바닥부(231, 241)의 배면은 상기 몸체(210)부의 바닥면으로 노출되어 패드를 형성한다.The bottoms of the bottoms 231 and 241 are exposed to the bottom of the body 210 to form pads.

상기 상면부(234, 244)는 몸체(110)의 중앙 영역을 가로지를 수 있으며, 몸체(110) 외부로 돌출되어 단자를 형성할 수 있다.The upper surface portions 234 and 244 may cross the central region of the body 110 and protrude outside the body 110 to form a terminal.

또한 상기 상면부(234, 244)에 상기 발광 소자(220)를 전기적으로 연결하는 와이어(222)가 연결된다.A wire 222 electrically connecting the light emitting device 220 is connected to the top surfaces 234 and 244.

상기 측면부(233, 243)는 상기 캐비티(235, 245)의 상부와 하부의 면적 차에 따라 경사를 가진다.The side portions 233 and 243 have an inclination depending on the difference in area between the upper portion and the lower portion of the cavities 235 and 245.

이때, 각각의 리드 프레임(230, 240)에 있어서, 상기 와이어(222)가 지나가는 서로 마주보는 두 개의 측면부(233, 243)에 대하여 상기 외부로 향하는 상면부(134)와 연결되는 측면부(233, 243)의 제1 경사각(α)은 두 개의 리드 프레임(230, 240)의 중간 영역을 향하는 측면부(233, 243)의 제2 경사각(β)보다 작다.The side surfaces 233 and 243 of the lead frames 230 and 240 connected to the outward facing surface portion 134 with respect to the two side surfaces 233 and 243 facing each other through which the wire 222 passes, 243 are smaller than the second inclination angle beta of the side surface portions 233, 243 facing the middle region of the two lead frames 230, 240. [

이때, 각 경사각은 상기 몸체(210)의 바닥면에 대하여 상기 측면부(233, 243)의 외각을 측정한 것이며, 두 개의 리드 프레임(230, 240)의 중간 영역을 향하는 측면부(233, 243)가 수직에 가깝게 형성되어 있음을 의미한다.At this time, each inclination angle is an outer angle measurement of the side portions 233 and 243 with respect to the bottom surface of the body 210. Side portions 233 and 243 facing the intermediate region of the two lead frames 230 and 240 It means that it is formed close to the vertical.

이때, 제2 경사각(β)은 제1 경사각(α)보다 크며, 90도 보다 작은 각을 유지한다.At this time, the second inclination angle? Is larger than the first inclination angle?, And the angle is smaller than 90 degrees.

이와 같이 캐비티(235, 245)의 경사각이 서로 다르게 형성됨으로써 리드 프레임(230, 240)의 강성이 향상되어 고온에서 몸체를 경화하더라도 뒤틀림이 방지될 수 있다. Since the inclination angles of the cavities 235 and 245 are different from each other, the rigidity of the lead frames 230 and 240 is improved, and warping can be prevented even when the body is hardened at a high temperature.

또한, 두 개의 리드 프레임(230, 240)의 중간 영역을 향하는 측면부(233, 243)의 제2 경사각(β)이 더 크게 형성됨으로써 이웃한 리드 프레임(230, 240)과 연결되는 와이어(222)의 길이가 짧아진다. 그리고, 반대측 측면부(233, 243)의 제1 경사각(α)이 더 작게 형성되어 와이어(222)가 상기 상면부(234, 244) 뿐만 아니라 상기 반대측 측면부(233, 243)에 형성될 수도 있다. The second inclination angle beta of the side portions 233 and 243 facing the intermediate region of the two lead frames 230 and 240 is greater than the width of the wire 222 connected to the adjacent lead frames 230 and 240. [ Is shortened. The first inclination angle alpha of the opposite side surface portions 233 and 243 may be formed smaller so that the wire 222 may be formed on the opposite side surface portions 233 and 243 as well as the upper surface portions 234 and 244. [

이때, 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)의 제1 경사각(α)은 서로 동일할 수 있으며, 제2 경사각(β) 또한 서로 동일할 수 있다. At this time, the first inclination angles? Of the first and second lead frames 230 and 240 may be equal to each other, and the second inclination angle? May be equal to each other.

상기 캐비티(235, 245)에는 적어도 하나의 발광 소자(220)가 배치되며, 상기 발광 소자(220)는 상기 캐비티(240)의 바닥부(231, 241)에 부착되고, 와이어(222)로 각각 제1 및 제2 리드 프레임(230, 240)과 연결된다. 상기 발광 소자(220)는 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 동일한 피크 파장의 광을 방출하거나, 서로 다른 피크 파장의 광을 방출할 수 있다. 상기 발광 소자(220) 는 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.At least one light emitting device 220 is disposed in the cavities 235 and 245 and the light emitting device 220 is attached to the bottoms 231 and 241 of the cavity 240 and is connected And is connected to the first and second lead frames 230 and 240. The light emitting device 220 can selectively emit light in the ultraviolet band to a wavelength range of the visible light band, emit light having the same peak wavelength, or emit light having different peak wavelengths. The light emitting device 220 may include at least one of an LED chip using a Group III-V compound semiconductor such as an ultraviolet (UV) LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a white LED chip, and a red LED chip .

이와 같이, 캐비티(235, 245) 내에 발광 소자(220)을 배치하면서, 근접한 측면부(233, 243)를 수직에 가깝게 세워 형성함으로써 두 개의 리드 프레임(230, 240) 사이의 면적이 줄어들어 발광소자 패키지(200)의 크기가 소형화될 수 있다. The area between the two lead frames 230 and 240 is reduced by disposing the light emitting device 220 in the cavities 235 and 245 and the adjacent side surfaces 233 and 243 close to the vertical, (200) can be downsized.

상기 몸체(220)의 하면에는 제1 리드 프레임(230)의 하면 및 제2리드 프레임(240)의 하면이 배치되며, 상기 하면은 보드 위의 패드에 솔더와 같은 접속 부재로 연결되고, 방열 플레이트로 사용된다. A lower surface of the first lead frame 230 and a lower surface of the second lead frame 240 are disposed on the lower surface of the body 220. The lower surface of the body 220 is connected to a pad on the board by a connection member such as solder, .

개방 영역(215)를 덮으며 수지재(270)가 형성된다.The resin material 270 is formed so as to cover the open area 215.

상기 수지재(270)는 투광성 물질로 디스펜싱될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The resin material 270 may be dispensed with a light-transmitting material, but is not limited thereto.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 8에 도시된 표시 장치, 도 9에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 지시등과 같은 유닛에 적용될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting device packages are arrayed, and includes a display device shown in Fig. 8, a lighting device shown in Fig. 9, and a light unit such as an illumination lamp, a traffic light, a vehicle headlight, Can be applied.

도 6은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 6 is an exploded perspective view of a display device according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.6, a display device 1000 includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, a reflection member 1022 under the light guide plate 1041, An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, and a bottom cover 1011 for storing the light guide plate 1041, the light emitting module 1031 and the reflecting member 1022 , But is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 diffuses the light from the light emitting module 1031 to convert the light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 is disposed on at least one side of the light guide plate 1041 to provide light to at least one side of the light guide plate 1041 and ultimately to serve as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 기판은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 기판(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(100)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.The light emitting module 1031 may include at least one light source, and may provide light directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device package 100 according to the embodiment described above. The light emitting device package 100 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals. have. The substrate may be, but is not limited to, a printed circuit board. The substrate 1033 may include a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), or the like, but is not limited thereto. When the light emitting device package 100 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat radiation plate, the substrate 1033 can be removed. A part of the heat radiation plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011. Accordingly, heat generated in the light emitting device package 100 can be emitted to the bottom cover 1011 via the heat dissipation plate.

상기 복수의 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 100 may be mounted on the substrate 1033 such that the light emitting surface of the light emitting device package 100 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance. The light emitting device package 100 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and supplies the reflected light to the display panel 1061 to improve the brightness of the display panel 1061. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to a top cover (not shown), but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 transmits or blocks light provided from the light emitting module 1031 to display information. The display device 1000 can be applied to video display devices such as portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal / vertical prism sheet, a brightness enhanced sheet, and the like. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet concentrates incident light on the display panel 1061. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness I will. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 7은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.7 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.7, the lighting apparatus 1500 includes a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, a connection terminal 1520 installed in the case 1510 and supplied with power from an external power source 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 is preferably formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 100 mounted on the substrate 1532. A plurality of the light emitting device packages 100 may be arrayed in a matrix or at a predetermined interval.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 1532 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrate, and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be a coating layer such as a white color, a silver color, or the like whose surface is efficiently reflected by light.

상기 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(100)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등과 같은 가시 광선 대역의 발광 다이오드 또는 자외선(UV, Ultra Violet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 100 may be mounted on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 100 may include at least one LED (Light Emitting Diode) chip. The LED chip may include a light emitting diode in a visible light band such as red, green, blue or white, or a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 100 to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is connected to the external power source by being inserted in a socket manner, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source through wiring.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

발광소자 패키지 100, 200
발광 소자 120, 220
몸체 110, 210
리드 프레임 130, 140, 230, 240
The light emitting device packages 100 and 200
The light emitting devices 120 and 220
The body 110, 210
The lead frames 130, 140, 230, 240

Claims (12)

제1 캐비티를 포함하는 몸체,
상기 제1 캐비티 내에 배치되며, 제2 캐비티를 포함하는 적어도 하나의 리드 프레임, 그리고
상기 리드 프레임의 제2 캐비티에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자
를 포함하며,
상기 제2 캐비티의 측면은 서로 다른 경사각을 가지는 발광소자 패키지.
A body including a first cavity,
At least one lead frame disposed within the first cavity, the at least one lead frame including a second cavity, and
At least one light emitting element disposed in a second cavity of the lead frame
/ RTI >
And the sides of the second cavity have different inclination angles.
제1항에 있어서,
상기 리드 프레임은
상기 몸체의 배면에 노출되는 바닥면, 그리고
상기 바닥면으로부터 연장되어 상기 제2 캐비티의 측면을 이루는 측면부
를 포함하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
The lead frame
A bottom surface exposed on the back surface of the body, and
A side surface extending from the bottom surface and forming a side surface of the second cavity;
Emitting device package.
제2항에 있어서,
상기 제2 캐비티가 사각형의 형상을 갖도록 형성될 때,
상기 측면부는 서로 마주보는 두 쌍의 경사면을 가지는 발광소자 패키지.
3. The method of claim 2,
When the second cavity is formed to have a rectangular shape,
Wherein the side portion has two pairs of slopes facing each other.
제3항에 있어서,
상기 측면부의 서로 마주보는 경사면의 상기 경사각이 서로 다른 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
Wherein the inclined surfaces of the side portions are different from each other.
제4항에 있어서,
상기 몸체 외부를 향하는 상기 경사면의 상기 경사각은 이웃한 상기 리드 프레임을 향하는 상기 경사면의 경사각보다 작은 발광소자 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the inclination angle of the inclined surface facing the outside of the body is smaller than the inclination angle of the inclined surface facing the adjacent lead frame.
제5항에 있어서,
상기 리드 프레임과 상기 발광 소자를 전기적으로 연결하는 와이어를 포함하는 발광소자 패키지.
6. The method of claim 5,
And a wire electrically connecting the lead frame and the light emitting element.
제6항에 있어서,
상기 경사면 중 상기 와이어가 지나가면서 서로 마주보는 상기 경사면의 상기 경사각이 서로 다른 발광소자 패키지.
The method according to claim 6,
Wherein the inclination angle of the inclined plane facing each other is different from that of the inclined plane passing through the wire.
제7항에 있어서,
상기 이웃한 리드 프레임을 향하는 상기 경사면의 경사각은 90도 보다 작은
발광소자 패키지.
8. The method of claim 7,
Wherein an inclination angle of the inclined surface facing the adjacent lead frame is less than 90 degrees
A light emitting device package.
제8항에 있어서,
상기 리드 프레임은,
제3 캐비티를 가지는 제1 리드 프레임, 그리고
상기 제1 리드 프레임과 나란히 배치되며 제4 캐비티를 가지는 제2 리드 프레임을 포함하는 발광소자 패키지.
9. The method of claim 8,
The lead frame includes:
A first lead frame having a third cavity, and
And a second lead frame disposed in parallel with the first lead frame and having a fourth cavity.
제9항에 있어서,
상기 제3 캐비티 및 제4 캐비티는
상기 이웃한 리드 프레임을 향하는 제1 측면, 그리고
상기 제1 측면과 마주보며, 상기 몸체의 외부를 향하는 제2 측면을 포함하는
발광소자 패키지.
10. The method of claim 9,
The third cavity and the fourth cavity
A first side facing the neighboring lead frame, and
And a second side facing the first side and facing the outside of the body
A light emitting device package.
제10항에 있어서,
상기 제3 캐비티 및 제4 캐비티의 상기 제1 측면의 상기 경사각은 서로 동일하며, 상기 제2 측면의 상기 경사각은 서로 동일한 발광소자 패키지.
11. The method of claim 10,
Wherein the inclination angles of the first side face of the third cavity and the fourth cavity are equal to each other and the inclination angles of the second side face are equal to each other.
제10항에 있어서,
상기 와이어는 상기 제2 측면에 부착되는 발광소자 패키지.
11. The method of claim 10,
And the wire is attached to the second side surface.
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