KR101902515B1 - The light emitting device package and the light emitting system - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광소자 패키지에 대한 것으로, 이 장치는 캐비티를 포함하는 몸체, 상기 캐비티 내에 서로 분리되어 있는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 캐비티 내에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자, 상기 발광 소자를 덮으며 상기 캐비티를 매립하는 수지재, 그리고 상기 몸체와 상기 제1 및 제2 전극의 경계 영역에 형성되는 흡습 부재를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다. 따라서, 몸체와 리드 프레임의 경계 영역에 흡습부재를 형성함으로써 외부로부터 침투하는 수분이 발광소자에 근접하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 흡습부재를 가역성이 있는 다공성의 흡습제를 사용하여 형성함으로써, 온도에 따라 보유하는 수분을 다시 외부로 방출함으로써 영구적으로 사용 가능하다.The present invention relates to a light emitting device package comprising a body including a cavity, a first electrode and a second electrode separated from each other in the cavity, a second electrode disposed within the cavity, electrically connected to the first and second electrodes, And a moisture absorbing member formed in a boundary region between the body and the first and second electrodes, wherein at least one of the light emitting device, the resin member, and the light emitting device covers the light emitting device, . Therefore, by forming the moisture absorbing member in the boundary region between the body and the lead frame, it is possible to prevent the water penetrating from the outside from approaching the light emitting element. Further, by forming the moisture absorbing member using a reversible porous moisture absorbent, the moisture retained in accordance with the temperature can be discharged to the outside again, which can be used permanently.

Description

발광소자 패키지 및 조명 장치{The light emitting device package and the light emitting system}[0001] The present invention relates to a light emitting device package and a light emitting device,

본 발명은 발광소자 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) can be made of a compound semiconductor material such as GaAs-based, AlGaAs-based, GaN-based, InGaN-based, and InGaAlP-based.

이러한 발광 다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광소자 패키지로 이용되고 있으며, 발광소자 패키지는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is used as a light emitting device package that is packaged and emits various colors, and the light emitting device package is used as a light source in various fields such as a lighting indicator, a character indicator, and an image indicator.

실시예는 새로운 구조를 가지는 발광소자 패키지 및 발광 모듈을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package and a light emitting module having a novel structure.

실시예는 외부로부터의 수분 침투를 방지할 수 있는 발광소자 패키지 및 발광 모듈을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package and a light emitting module capable of preventing moisture from penetrating from the outside.

실시예는 캐비티를 포함하는 몸체, 상기 캐비티 내에 서로 분리되어 있는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 캐비티 내에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자, 상기 발광 소자를 덮으며 상기 캐비티를 매립하는 수지재, 그리고 상기 몸체와 상기 제1 및 제2 전극의 경계 영역에 형성되는 흡습 부재를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a body including a cavity, a first electrode and a second electrode separated from each other in the cavity, at least one light emitting element disposed in the cavity and electrically connected to the first and second electrodes, A resin material covering the device and filling the cavity, and a moisture absorption member formed in a boundary region between the body and the first and second electrodes.

한편, 실시예는 모듈 기판, 상기 모듈 기판 위에 분리되어 배열되어 있는 복수의 발광소자 패키지, 그리고 상기 복수의 발광소자 패키지 이외의 영역에 형성되는 흡습 부재를 포함하는 조명 장치를 제공한다. Meanwhile, the embodiment provides a lighting device including a module substrate, a plurality of light emitting device packages arranged separately on the module substrate, and a moisture absorbing member formed in a region other than the plurality of light emitting device packages.

실시예에 따르면, 몸체와 리드 프레임의 경계 영역에 흡습부재를 형성함으로써 외부로부터 침투하는 수분이 발광소자에 근접하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 흡습부재를 가역성이 있는 다공성의 흡습제를 사용하여 형성함으로써, 온도에 따라 보유하는 수분을 다시 외부로 방출함으로써 영구적으로 사용 가능하다.According to the embodiment, by forming the moisture absorbing member in the boundary region between the body and the lead frame, it is possible to prevent the moisture penetrating from the outside from approaching the light emitting element. Further, by forming the moisture absorbing member using a reversible porous moisture absorbent, the moisture retained in accordance with the temperature can be discharged to the outside again, which can be used permanently.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 다이오드의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 5는 도 4의 표시 장치를 I-I'으로 절단한 단면도이다.
도 6은 도 4의 발광 모듈을 나타내는 도면이다.
도 7는 도 6의 발광 모듈을 Ⅱ-Ⅱ'으로 절단한 단면도이다.
도 8은 도 4의 발광 모듈의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 예를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 1 taken along line I-I '.
3 is a cross-sectional view of the light emitting diode of FIG.
4 is an exploded perspective view of the display device of the present invention.
5 is a cross-sectional view of the display device of FIG. 4 taken along line I-I '.
FIG. 6 is a view showing the light emitting module of FIG. 4;
7 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 6 taken along line II-II '.
8 is a view showing another embodiment of the light emitting module of FIG.
9 is a view showing an example of a lighting device including the light emitting device package of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, thicknesses are enlarged in order to clearly illustrate various layers and regions, and parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification .

실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " include both being formed" directly "or" indirectly " Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

이하에서는 도 1 내지 도 3을 참고하여 실시예의 발광소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, the light emitting device package of the embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 상면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지를 Ⅰ-Ⅰ'로 절단한 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자의 단면도이다.FIG. 1 is a top view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line I-I 'of FIG. 1, to be.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 발광 소자 패키지(100)는 몸체(110), 상기 몸체(110) 상에 배치되는 적어도 하나의 발광 소자(120), 그리고 상기 몸체(110) 상에 배치되어, 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결되는 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)을 포함한다.1 to 3, the light emitting device package 100 includes a body 110, at least one light emitting device 120 disposed on the body 110, and a light emitting diode 120 disposed on the body 110 And a first electrode 131 and a second electrode 132 electrically connected to the light emitting device 120.

또한, 상기 발광 소자 패키지는(100)는 상기 발광 소자(120)를 보호하는 수지재(170)를 포함한다.In addition, the light emitting device package 100 includes a resin material 170 for protecting the light emitting device 120.

상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 110 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al 2 O 3 ), a printed circuit board Can be formed. Preferably, the body 110 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

상기 몸체(110)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(110)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(110)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(110)가 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(110)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 110 may be formed of a conductor having conductivity. When the body 110 is made of an electrically conductive material, an insulating film (not shown) is formed on the surface of the body 110 to prevent the body 110 from being electrically short-circuited with the first electrode and the second electrode. . The peripheral shape of the body 110 viewed from above may have various shapes such as a triangular shape, a rectangular shape, a polygonal shape, and a circular shape depending on the use and design of the light emitting device package 100.

상기 몸체(110)에는 상부(112)가 개방되도록 캐비티(115)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(115)는 예를 들어, 사출 성형에 의해 형성되거나, 에칭에 의해 형성될 수 있다.A cavity 115 may be formed in the body 110 to open the upper portion 112. The cavity 115 may be formed by, for example, injection molding, or may be formed by etching.

상기 캐비티(115)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 내측면은 바닥면에 대하여 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다. 상기 경사진 측면은 상기 몸체(110)에 습식 식각(Wet Etching)을 실시하여 형성된 경우, 50°내지 60°의 경사를 가질 수 있다.The cavity 115 may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the inner surface thereof may be a side surface perpendicular to the bottom surface or a side surface inclined. The inclined side surface may be inclined by 50 to 60 when the body 110 is wet etched.

또한, 상기 캐비티(115)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상 일 수 있다.The shape of the cavity 115 viewed from the top may be circular, square, polygonal, elliptical, or the like.

상기 몸체(110) 위에 상기 제1 전극(131) 및 제2 전극(132)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(131) 및 상기 제2 전극(132)은 양극과 음극으로 전기적으로 분리되어, 상기 발광 소자(120)에 전원을 제공할 수 있다. 한편, 상기 발광 소자(120)의 설계에 따라, 상기 제1,2 전극(131,132) 외에 복수 개의 전극이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 131 and the second electrode 132 may be formed on the body 110. The first electrode 131 and the second electrode 132 may be electrically separated from an anode and a cathode to provide power to the light emitting device 120. According to the design of the light emitting device 120, a plurality of electrodes may be formed in addition to the first and second electrodes 131 and 132, but the present invention is not limited thereto.

한편, 상기 제1, 2 전극(131,132)은 상기 캐비티(115) 내에 서로 분리되며 노출되어있으며, 도 2와 같이 몸체(110)의 측면을 감싸며 배면까지 연장되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The first and second electrodes 131 and 132 may be separated from each other in the cavity 115 and extend to the backside of the body 110 as shown in FIG. .

상기 제1,2전극(131,132)은 단층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, Cu, Cr, Au, Al, Ag, Sn, Ni, Pt, Pd 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1,2 전극(131,132)은 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1,2 전극(131,132)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au)이 순차적으로 적층된 Ti/Cu/Ni/Au층 일 수 있으나, 이것에 한정하지 않는다.The first and second electrodes 131 and 132 may have a single-layer structure. For example, it may be formed of a metal or an alloy including at least one of Cu, Cr, Au, Al, Ag, Sn, Ni, Pt and Pd. The first and second electrodes 131 and 132 may have a multi-layer structure. For example, the first and second electrodes 131 and 132 may be a Ti / Cu / Ni / Au layer in which titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni) It is not limited thereto.

즉, 상기 제1,2 전극(131,132)의 최하층에는 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta)과 같이 상기 몸체와의 접착력이 우수한 재질이 적층되고, 상기 제1,2 전극(131,132)의 최상층에는 금(Au)과 같이 와이어(Wire) 등이 용이하게 부착되며, 전기 전도성이 우수한 재질이 적층되고, 상기 제1,2 전극(131,132)의 최상층과 최하층 사이에는 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu) 등으로 형성되는 확산 방지층(diffusion barrier layer)이 적층될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.That is, materials having excellent adhesion to the body such as titanium (Ti), chromium (Cr), and tantalum (Ta) are laminated on the lowest layers of the first and second electrodes 131 and 132, Platinum (Pt) is deposited between the uppermost layer and the lowermost layer of the first and second electrodes 131 and 132, and wires and the like are easily attached to the uppermost layer of the first and second electrodes 131 and 132, , Nickel (Ni), copper (Cu), or the like may be stacked, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1,2 전극(131,132)은 도금 방식, 증착 방식, 포토리소그래피 등을 이용하여 선택적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first and second electrodes 131 and 132 may be selectively formed using a plating method, a deposition method, a photolithography method, or the like, but are not limited thereto.

또한, 상기 제1,2 전극(131,132)은 전도성 연결부재인 와이어(122)가 부착되어, 상기 제1,2 전극(131,132)을 상기 발광 소자(120)와 전기적으로 연결할 수 있다.The first and second electrodes 131 and 132 may be electrically connected to a wire 122 to electrically connect the first and second electrodes 131 and 132 to the light emitting device 120.

한편, 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 상기 제1,2 전극(131,132)의 혼동 없이 구분하기 위해, 상기 몸체(110)에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 1 and 2, a cathode mark may be formed on the body 110 in order to distinguish the first and second electrodes 131 and 132 from each other without confusion. I do not.

상기 발광 소자(120)는 상기 몸체(110) 상에 탑재될 수 있다. 상기 몸체(110)가 상기 캐비티(115)를 포함하는 경우, 상기 발광 소자(120)는 상기 캐비티(115) 내에 탑재될 수 있다. The light emitting device 120 may be mounted on the body 110. When the body 110 includes the cavity 115, the light emitting device 120 may be mounted in the cavity 115.

상기 발광 소자(120)는 상기 발광소자 패키지(100)의 설계에 따라 적어도 하나가 상기 몸체(110) 상에 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)가 복수 개 탑재된 경우, 복수 개의 발광소자 패키지(100)에 전원을 공급하는 복수 개의 전극 이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At least one light emitting device 120 may be mounted on the body 110 according to the design of the light emitting device package 100. When a plurality of the light emitting device packages 100 are mounted, a plurality of electrodes for supplying power to the plurality of light emitting device packages 100 may be formed. However, the present invention is not limited thereto.

상기 발광 소자(120)는 상기 몸체(110) 상에 직접 탑재되거나, 제1 또는 2 전극(131,132) 위에 전기적으로 접착될 수 있다.The light emitting device 120 may be directly mounted on the body 110 or may be electrically connected to the first or second electrodes 131 and 132.

발광 소자(120)는 와이어 본딩, 다이 본딩, 플립 본딩 방식을 선택적으로 이용하여 탑재할 수 있으며, 이러한 본딩 방식은 칩 종류 및 칩의 전극 위치에 따라 변경될 수 있다.The light emitting device 120 can be mounted by selectively using wire bonding, die bonding, and flip bonding. The bonding method can be changed depending on the chip type and the electrode position of the chip.

발광 소자(120)는 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광소자를 선택적으로 포함할 수 있다.  The light emitting device 120 may selectively include a semiconductor light emitting device manufactured using a semiconductor of a group III-V element compound semiconductor such as AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, or InGaAs have.

도 2와 같이, 상기 발광 소자(120)는 제2 전극(132)에 전도성 접착제로 부착되고, 와이어(122)로 제1 전극(131)에 전기적으로 연결될 수 있다.As shown in FIG. 2, the light emitting device 120 may be attached to the second electrode 132 with a conductive adhesive, and may be electrically connected to the first electrode 131 with a wire 122.

이러한 발광 소자(120)는 수직형 발광소자라 명명하며, 도 3과 같이 전도성 지지기판(121), 본딩층(123), 제2 도전형 반도체층(125), 활성층(127), 및 제1 도전형 반도체층(129)을 포함한다.The light emitting device 120 is called a vertical light emitting device and includes a conductive supporting substrate 121, a bonding layer 123, a second conductive semiconductor layer 125, an active layer 127, And a conductive semiconductor layer 129.

전도성 지지기판(121)은 금속 또는 전기 전도성 반도체 기판으로 형성될 수 있다. The conductive support substrate 121 may be formed of a metal or an electrically conductive semiconductor substrate.

기판(121) 위에는 III족-V족 질화물 반도체층이 형성되는 데, 반도체의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다.  A group III-V nitride semiconductor layer is formed on the substrate 121. The growth equipment of the semiconductor includes an electron beam evaporator, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma laser deposition (PLD) For example, a dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and the like.

전도성 지지기판(121) 위에는 본딩층(123)이 형성될 수 있다. 본딩층(123)은 전도성 지지기판(121)과 질화물 반도체층을 접착되도록 한다. 또한, 전도성 지지기판(121)은 본딩 방식이 아닌 도금 방식으로 형성될 수도 있으며, 이 경우 본딩층(123)은 형성되지 않을 수도 있다. A bonding layer 123 may be formed on the conductive supporting substrate 121. The bonding layer 123 bonds the conductive supporting substrate 121 and the nitride semiconductor layer. In addition, the conductive supporting substrate 121 may be formed by a plating method instead of a bonding method. In this case, the bonding layer 123 may not be formed.

본딩층(123) 위에는 제2 도전형 반도체층(125)이 형성되며, 제2 도전형 반도체층(125)은 제1 전극(31)과 전기적으로 연결된다.  The second conductivity type semiconductor layer 125 is formed on the bonding layer 123 and the second conductivity type semiconductor layer 125 is electrically connected to the first electrode 31.

제2 도전형 반도체층(125)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(125)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba를 포함한다.  The second conductive semiconductor layer 125 may be formed of at least one of Group III-V compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The second conductivity type semiconductor layer 125 may be doped with a second conductivity type dopant, and the second conductivity type dopant may be a p type dopant including Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

제2 도전형 반도체층(125)은 예컨대, NH3, TMGa(또는 TEGa), 및 Mg와 같은 p형 도펀트를 포함한 가스를 공급하여 소정 두께의 p형 GaN층으로 형성될 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 125 may be formed of a p-type GaN layer having a predetermined thickness by supplying a gas including a p-type dopant such as NH3, TMGa (or TEGa), and Mg.

제2 도전형 반도체층(125)은 소정 영역에 전류 확산(current spreading) 구조를 포함한다. 전류 확산 구조는 수직 방향으로의 전류 확산 속도보다 수평 방향으로의 전류 확산 속도가 높은 반도체층들을 포함한다.  The second conductivity type semiconductor layer 125 includes a current spreading structure in a predetermined region. The current diffusion structure includes semiconductor layers having a higher current diffusion speed in the horizontal direction than the current diffusion speed in the vertical direction.

전류 확산 구조는 예컨대, 도펀트의 농도 또는 전도성의 차이를 가지는 반도체층들을 포함할 수 있다.  The current diffusion structure may include, for example, semiconductor layers having a dopant concentration or a difference in conductivity.

제2 도전형 반도체층(125)은 그 위의 다른 층 예컨대, 활성층(127)에 균일한 분포로 확산된 캐리어를 공급될 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 125 can be supplied with a carrier diffused in a uniform distribution to another layer on the second conductivity type semiconductor layer 125, for example, the active layer 127.

제2 도전형 반도체층(125) 위에는 활성층(127)이 형성된다. 활성층(127)은 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물(MQW) 구조로 형성될 수 있다. 활성층(127)의 한 주기는 InGaN/GaN의 주기, AlGaN/InGaN의 주기, InGaN/InGaN의 주기, 또는 AlGaN/GaN의 주기를 선택적으로 포함할 수 있다.  The active layer 127 is formed on the second conductive semiconductor layer 125. The active layer 127 may be formed of a single quantum well or a multiple quantum well (MQW) structure. One period of the active layer 127 may selectively include a period of InGaN / GaN, a period of AlGaN / InGaN, a period of InGaN / InGaN, or a period of AlGaN / GaN.

제2 도전형 반도체층(125)과 활성층(127) 사이에는 제2 도전형 클래드층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 제2 도전형 클래드층은 p형 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 제2 도전형 클래드층은 우물층의 에너지 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.  A second conductive type clad layer (not shown) may be formed between the second conductive type semiconductor layer 125 and the active layer 127. The second conductivity type cladding layer may be formed of a p-type GaN-based semiconductor. The second conductivity type cladding layer may be formed of a material having a band gap higher than the energy band gap of the well layer.

활성층(127) 위에는 제1 도전형 반도체층(129)이 형성된다. 제1 도전형 반도체층(129)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등에서 적어도 하나를 첨가될 수 있다.  A first conductive semiconductor layer 129 is formed on the active layer 127. The first conductive semiconductor layer 129 may be an n-type semiconductor layer doped with the first conductive dopant. The n-type semiconductor layer may be made of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The first conductivity type dopant is an n-type dopant, and at least one of Si, Ge, Sn, Se, and Te can be added.

제1 도전형 반도체층(129)은 예컨대, NH3, TMGa(또는 TEGa), 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 가스를 공급하여 소정 두께의 n형 GaN층을 형성할 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 129 may be formed of an n-type GaN layer having a predetermined thickness by supplying a gas containing an n-type dopant such as NH3, TMGa (or TEGa), and Si.

또한, 제2 도전형 반도체층(125)은 p형 반도체층, 제1 도전형 반도체층(129)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 이하, 실시 예의 설명을 위해 반도체층의 최상층은 제1 도전형 반도체층(129)을 그 예로 설명하기로 한다.The second conductive semiconductor layer 125 may be a p-type semiconductor layer and the first conductive semiconductor layer 129 may be an n-type semiconductor layer. The light emitting structure may be implemented by any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. Hereinafter, for the sake of explanation of the embodiments, the uppermost layer of the semiconductor layer will be described as the first conductive type semiconductor layer 129 as an example thereof.

제1 도전형 반도체층(129) 위에는 제1 전극 또는/및 전극층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 전극층은 산화물 또는 질화물 계열의 투광층 예컨대, ITO(indium tin oxide), ITON(indium tin oxide nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(indium zinc oxide nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, NiO의 물질 중에서 선택되어 형성될 수 있다. 전극층은 전류를 확산시켜 줄 수 있는 전류 확산층으로 기능할 수 있다. A first electrode and / or an electrode layer (not shown) may be formed on the first conductive semiconductor layer 129. The electrode layer may be formed of an oxide or nitride-based light-transmitting layer such as indium tin oxide (ITO), indium tin oxide nitride (ITON), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide nitride (IZON) (indium aluminum zinc oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrO x, RuO x, NiO. ≪ / RTI > The electrode layer can function as a current diffusion layer capable of diffusing a current.

또한, 전극층은 반사 전극층일 수 있으며, 반사 전극층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 제1 전극은 단층 또는 다층 구조의 금속층을 포함할 수 있으며, 예컨대 금속층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있다.The electrode layer may be a reflective electrode layer and the reflective electrode layer may be formed of a material consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, . For example, the metal layer may be formed of at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf or an alloy thereof. .

상기 발광 소자(120)는 복수 개가 상기 몸체(110) 상에 탑재될 수도 있다.A plurality of the light emitting devices 120 may be mounted on the body 110.

상기 캐비티(115) 내에 상기 캐비티(115)를 매립하는 몰딩재(170)를 포함한다.And a molding material 170 for filling the cavity 115 in the cavity 115.

상기 몰딩재(170)는 투광성 물질로 형성되며, 몸체(110)의 상부까지 형성된다. The molding material 170 is formed of a light transmitting material and is formed up to the upper portion of the body 110.

상기 몰딩재(170)는 투광성 수지 내에 형광체가 분산되어 있는 구조를 가지며, 상기 형광체는 상기 발광 소자(120)로부터 방출되는 빛의 파장을 변화하여 다른 파장의 빛으로 방출한다.The molding material 170 has a structure in which phosphors are dispersed in a translucent resin. The phosphors vary the wavelength of light emitted from the light emitting device 120 and emit light of different wavelengths.

예컨대, 발광 소자(120)가 청색 발광 다이오드이고, 형광체가 황색 형광체인 경우 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 소자(120)가 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, Red, Green, Blue 삼색의 형광체가 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다. For example, when the light emitting element 120 is a blue light emitting diode and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to generate white light. When the light emitting device 120 emits ultraviolet rays (UV), phosphors of three colors of red, green, and blue are added to realize white light.

이때, 상기 몸체(110)와 제1 및 제2 전극(131, 132) 사이의 경계 영역에 복수의 흡습 부재(180)가 형성되어 있다.At this time, a plurality of moisture absorption members 180 are formed in the boundary region between the body 110 and the first and second electrodes 131 and 132.

제1 흡습 부재(180)는 제1 및 제2 전극(131, 132)의 상부에 상기 몸체(110)의 측면을 따라 형성되어 있다.The first moisture absorption member 180 is formed on the upper surface of the first and second electrodes 131 and 132 along the side surface of the body 110.

상기 제1 흡습 부재(180)는 도 1과 같이 상기 몸체(110)의 측면을 따라 스트라이프 형태를 가지며 형성될 수 있으며, 이와 달리 복수개의 분리된 제1 흡습 부재(180)를 포함할 수 있다.1, the first moisture absorption member 180 may have a stripe shape along the side surface of the body 110. Alternatively, the first moisture absorption member 180 may include a plurality of first moisture absorption members 180 separated from each other.

또한, 제2 흡습 부재(181)는 몸체(110)의 바닥면으로부터 제1 및 제2 전극(131, 132)의 하부까지 연결되어 있다. 상기 제2 흡습 부재(180)는 서로 분리되어 있는 복수개의 흡습편으로 형성될 수 있으며, 각 흡습편은 몸체(110)의 바닥면에 노출되는 폭이 제1 및 제2 전극(131, 132)의 하부에 근접하는 영역의 폭보다 크도록 형성될 수 있다.The second moisture absorption member 181 is connected to the bottom of the first and second electrodes 131 and 132 from the bottom surface of the body 110. The second moisture absorbing member 180 may be formed of a plurality of moisture absorbing members separated from each other. The width of the moisture absorbing member exposed on the bottom surface of the body 110 may be a width of the first and second electrodes 131 and 132, The width of the region closer to the lower portion of the substrate 100 may be larger than the width of the region.

상기 제1 및 제2 흡습 부재(180, 181)는 다공성의 흡습제로 형성되어 있으며, 실리카겔, 염화칼슘 또는 활성 알루미나와 같이 온도에 따라 가역성의 성질을 가지는 물질로 형성될 수 있다.The first and second moisture absorbing members 180 and 181 are formed of a porous moisture absorbent and may be formed of a material having a reversible nature such as silica gel, calcium chloride, or activated alumina.

제1 및 제2 흡습 부재(180, 181)가 외부로부터 전극(131, 132)과 접하는 부분에 형성됨으로써 전극(131, 132)의 경계에서 캐비티(115) 내부로 침투하는 수분을 흡수하여 발광 소자(120)에 수분이 닿는 것을 방지할 수 있다.The first and second moisture absorption members 180 and 181 are formed at a portion in contact with the electrodes 131 and 132 from the outside to absorb moisture penetrating into the cavity 115 at the boundaries of the electrodes 131 and 132, It is possible to prevent moisture from reaching the surface 120.

또한, 제1 및 제2 흡습 부재(180, 181)가 가역성을 가지므로, 소정 온도를 가하여 흡수하고 있는 수분을 외부로 배출함으로써 영구적으로 사용 가능하다. In addition, since the first and second moisture absorption members 180 and 181 are reversible, they can be used permanently by discharging water absorbed by applying a predetermined temperature to the outside.

이하에서는 상기 흡습 부재가 적용된 다양한 실시예를 설명한다.Hereinafter, various embodiments to which the moisture absorbing member is applied will be described.

도 4는 본 발명의 표시 장치의 분해 사시도이고, 도 5는 도 4의 표시 장치를 I-I'로 절단한 단면도이고, 도 6은 도 4의 발광 모듈을 나타내는 도면이고, 도 7는 도 6의 발광 모듈을 Ⅱ-Ⅱ'로 절단한 단면도이며, 도 8은 도 4의 발광 모듈의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.4 is an exploded perspective view of the display device of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view of the display device of FIG. 4 taken along line I-I ', FIG. 6 is a view of the light emitting module of FIG. Sectional view taken along line II-II 'of the light emitting module of FIG. 4, and FIG. 8 is a view showing another embodiment of the light emitting module of FIG.

상기 표시 장치는 백라이트 유닛과, 백라이트 유닛으로부터 빛을 제공받아 영상을 디스플레이하는 표시 패널을 포함한다. 따라서, 이하에서는 표시 장치를 설명함으로써 백라이트 유닛도 함께 설명하도록 한다. The display device includes a backlight unit and a display panel that receives light from the backlight unit and displays an image. Therefore, in the following description, the backlight unit will also be described together with the display device.

도 4 내지 도 7을 참고하면, 표시 장치는 바텀 프레임(10), 바텀 프레임(10) 내에 형성되는 발광 모듈(20), 반사 시트(25) 및 도광판(30)을 포함한다.4 to 7, the display device includes a bottom frame 10, a light emitting module 20 formed in the bottom frame 10, a reflective sheet 25, and a light guide plate 30.

이러한 표시 장치는 발광 모듈(20), 반사 시트(25) 및 반사 시트(25) 위에 도광판(30)이 형성되어 발광부를 이루며, 도광판(30) 위에 광학 시트(40), 광학 시트(40) 위에 표시 패널(60)과 표시 패널(60) 위에 탑 프레임(70)이 형성된다.Such a display device has a light guide plate 30 formed on a light emitting module 20, a reflective sheet 25 and a reflective sheet 25 to form a light emitting portion. The light guide plate 30 includes an optical sheet 40, A top frame 70 is formed on the display panel 60 and the display panel 60.

바텀 프레임(10)은 서로 마주보는 두 개의 장변 및 장변과 수직하며 서로 마주보는 두 개의 단변을 갖는 직사각형 형태의 평면 형상을 가지는 바닥면과 바닥면으로부터 수직으로 연장된 4부분의 측면을 포함한다. The bottom frame 10 includes a bottom surface having a rectangular planar shape having two long sides opposite to each other and a long side having two short sides facing each other, and four side portions extending vertically from the bottom surface.

이러한 바텀 프레임(10)은 광학 시트(40) 위에 형성되는 지지 부재(50)와 결합하여 바텀 프레임(10) 내에 발광 모듈(20), 반사 시트(25), 도광판(30) 및 광학 시트(40)를 수납한다.The bottom frame 10 includes a light emitting module 20, a reflection sheet 25, a light guide plate 30, and an optical sheet 40 (not shown) in the bottom frame 10 in combination with a support member 50 formed on the optical sheet 40. [ ).

바텀 프레임(10)은 예를 들어, 금속 재질로 형성될 수도 있으며, 강성을 강화하기 위하여 바닥면에 복수의 볼록부(도시하지 않음)를 형성할 수 있다.The bottom frame 10 may be formed of, for example, a metal material, and a plurality of convex portions (not shown) may be formed on the bottom surface to enhance rigidity.

이러한 바텀 프레임(10)의 바닥면 위에는 반사 시트(25)가 형성된다.On the bottom surface of the bottom frame 10, a reflective sheet 25 is formed.

한편, 반사 시트(25)는 반사재, 반사 금속판 등으로 구성되어 도광판(30)으로부터 누설되는 광을 재반사한다. On the other hand, the reflective sheet 25 is composed of a reflective material, a reflective metal plate, and the like, and reflects light leaked from the light guide plate 30.

표시 장치는 복수의 발광 모듈(20) 및 복수의 반사 시트(25) 위로 발광 모듈(20)로부터 방출되는 빛을 확산 및 반사하여 면 광원으로 표시 패널(60)에 조사하는 도광판(30)이 형성되어 있다.The display device includes a light guide plate 30 for diffusing and reflecting light emitted from the light emitting module 20 onto a plurality of light emitting modules 20 and a plurality of reflective sheets 25 to irradiate the display panel 60 with a surface light source .

도광판(30)은 표시 패널(60)이 정의하는 한 화면에 대응하는 일체(one-body)형으로 형성되어 있다.The light guide plate 30 is formed in a one-body shape corresponding to a screen defined by the display panel 60. [

이러한 일체형의 도광판(30)은 상면 및 하면을 포함하며, 면 광원이 발생되는 상면은 평평하다.The integrated light guide plate 30 includes upper and lower surfaces, and the upper surface on which the surface light source is generated is flat.

상기 도광판(30)은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 하부에 반사 패턴이 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴은 각 코너를 기준으로 동심원 형상 또는 요철 형상의 패턴으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light guide plate 30 may be made of PC material or PMMA (Poly methyl methacrylate), and a reflection pattern may be formed on the lower part. The reflection pattern may be formed in a concentric or concave-convex pattern with respect to each corner, but the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(30)은 형광체를 혼합하여 제조되거나, 상면에 형광체가 코팅될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light guide plate 30 may be fabricated by mixing phosphors, or may be coated with phosphors on the upper surface, but the present invention is not limited thereto.

상기 도광판(30)은 한 화면에 대응하도록 다각형의 형상을 가지며, 화면의 형상에 따라 사각형, 바람직하게는 직사각형의 형상을 가질 수 있다.The light guide plate 30 has a polygonal shape corresponding to one screen, and may have a rectangular shape, preferably a rectangular shape, depending on the shape of the screen.

상기 도광판(30)의 일 측에 발광 모듈(20)이 배치된다.A light emitting module (20) is disposed on one side of the light guide plate (30).

상기 발광 모듈(20)은 도광판(30)의 한 측면을 따라 연장되는 바(bar) 타입일 수 있다.The light emitting module 20 may be of a bar type extending along one side of the light guide plate 30.

도 6 및 도 7을 참고하면, 상기 발광 모듈(20)은 기판(21) 위에 형성되는 복수의 발광소자 패키지(23)를 포함한다.Referring to FIGS. 6 and 7, the light emitting module 20 includes a plurality of light emitting device packages 23 formed on a substrate 21.

상기 기판(21)은 상기 발광소자 패키지(23)를 구동하는 패턴이 형성되어 있는 모듈 기판(21)으로, 금속기판 등일 수 있다.The substrate 21 is a module substrate 21 having a pattern for driving the light emitting device package 23, and may be a metal substrate or the like.

상기 발광소자 패키지(23)는 도 3과 같이 소정의 거리를 갖도록 이격되어 배치될 수 있으며, 상기 모듈 기판(21)에 대하여 상면으로 빛을 방출하는 상면 발광 타입(top view)으로 도광판(30)의 측면으로 빛을 방출한다.The light emitting device package 23 may be spaced apart from the module substrate 21 by a predetermined distance as shown in FIG. 3. The light emitting device package 23 may be a top view type that emits light to the upper surface of the module substrate 21, To emit light to the side of the light source.

상기 모듈 기판(21)은 방열기판(210), 상기 방열기판(210) 상부에 절연층(211), 상기 절연층(211) 상부에 회로패턴(212)을 포함한다.The module substrate 21 includes a radiator plate 210, an insulation layer 211 on the radiator plate 210, and a circuit pattern 212 on the insulation layer 211.

상기 방열기판(210)은 금속 기판이거나 알루미늄, 구리 등의 열전도도가 높은 금속을 포함하는 합금 기판일 수 있으며, 이와 달리 열전도도가 높은 질화물 기판일 수 있다.The radiator plate 210 may be a metal substrate or an alloy substrate including a metal having a high thermal conductivity such as aluminum or copper. Alternatively, the radiator plate 210 may be a nitride substrate having high thermal conductivity.

상기 방열기판(210) 상부에 절연층(211)을 포함한다.And an insulating layer 211 is formed on the radiator plate 210.

상기 절연층(211)은 상기 방열기판(210)이 질화물과 같이 비전도성의 물질인 경우에는 생략 가능하다.The insulating layer 211 may be omitted if the radiator plate 210 is made of a nonconductive material such as nitride.

상기 방열기판(210)이 금속기판인 경우, 상기 절연층(211)은 상기 금속 기판의 산화물 또는 질화물일 수 있으며, 이와 달리 수지재로 형성될 수 있다.When the radiator plate 210 is a metal substrate, the insulating layer 211 may be an oxide or a nitride of the metal substrate, or may be formed of a resin material.

상기 절연층(211) 상부에 회로패턴(212)이 형성되어 있다.A circuit pattern 212 is formed on the insulating layer 211.

상기 회로패턴(212)은 발광소자 패키지(23) 및 외부의 전원(도시하지 않음)과 연결되는 패드를 포함한다.The circuit pattern 212 includes pads connected to the light emitting device package 23 and an external power source (not shown).

상기 패드는 솔더 레지스트(213)에 의해 노출되어 있으며, 패드를 제외한 회로패턴(212)은 솔더 레지스트(213)에 의해 덮여있다.The pads are exposed by the solder resist 213, and the circuit patterns 212 except the pads are covered with the solder resist 213.

상기 패드는 복수의 발광소자 패키지(23)와 솔더(도시하지 않음)를 통해 물리적으로 접착된다.The pad is physically bonded to the plurality of light emitting device packages 23 through a solder (not shown).

이때, 이웃한 발광소자 패키지(23) 사이의 이격 공간에 흡습 부재(25)가 형성되어 있다.At this time, a moisture absorbing member 25 is formed in a space between the neighboring light emitting device packages 23.

즉, 도 6과 같이 이웃한 발광소자 패키지(23) 사이의 이격 공간에 상기 모듈 기판(21)의 단변을 가로지르며 흡습 부재(25)가 형성된다. That is, as shown in FIG. 6, the moisture absorbing member 25 is formed across the short side of the module substrate 21 in the space between the neighboring light emitting device packages 23.

상기 흡습 부재(25)는 도 7과 같이 솔더 레지스트(213)의 두께와 동일한 두께를 갖도록 형성될 수 있으며, 이와 달리 솔더 레지스트(213) 위에 돌출되도록 형성될 수 있다. The moisture absorbing member 25 may be formed to have a thickness equal to the thickness of the solder resist 213 as shown in FIG. 7, or may be formed to protrude above the solder resist 213.

상기 흡습 부재(25)는 이격 공간의 중앙에 형성된다.The moisture absorbing member 25 is formed at the center of the spacing space.

이때, 상기 흡습 부재(25)는 도 1의 발광소자 패키지(100)에서 설명한 것과 같이 온도에 따라 가역성을 가지는 다공성의 흡습제로 형성되어 있으며, 실리카겔, 염화칼슘 또는 활성 알루미나일 수 있으며 이에 한정되지 않는다.The moisture absorbing member 25 is formed of a porous moisture absorbent having a reversible property according to temperature as described in the light emitting device package 100 of FIG. 1, and may be silica gel, calcium chloride, or activated alumina, but is not limited thereto.

한편, 상기 흡습 부재(25)는 도 8과 같이 발광소자 패키지(23)를 둘러싸며 형성될 수도 있으며, 흡습 부재(25)의 형성은 이에 한정되지 않는다.  Meanwhile, the moisture absorbing member 25 may be formed to surround the light emitting device package 23 as shown in FIG. 8, and the formation of the moisture absorbing member 25 is not limited thereto.

상기 표시 패널(60)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(60)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(60)은 상기 발광 모듈(20)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 60 includes, for example, an LCD panel, first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 60, but the present invention is not limited thereto. The display panel 60 transmits or blocks light provided from the light emitting module 20 to display information. Such a display device can be applied to various kinds of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and video display devices such as televisions.

상기 광학 시트(40)는 상기 표시 패널(60)과 상기 도광판(30) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(40)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(60)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(60) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 40 is disposed between the display panel 60 and the light guide plate 30 and includes at least one light transmitting sheet. The optical sheet 40 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal / vertical prism sheet, and a brightness enhanced sheet. The diffusion sheet diffuses the incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet concentrates the incident light on the display panel 60. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness I will. A protective sheet may be disposed on the display panel 60, but the present invention is not limited thereto.

도 9는 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.9 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 9를 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.9, the lighting apparatus 1500 includes a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, a connection terminal (not shown) installed in the case 1510 and supplied with power from an external power source 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 is preferably formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 100 mounted on the substrate 1532. A plurality of the light emitting device packages 100 may be arrayed in a matrix or at a predetermined interval.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 1532 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrate, and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be a coating layer such as a white color, a silver color, or the like whose surface is efficiently reflected by light.

상기 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(100)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등과 같은 가시 광선 대역의 발광 다이오드 또는 자외선(UV, Ultra Violet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 100 may be mounted on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 100 may include at least one LED (Light Emitting Diode) chip. The LED chip may include a light emitting diode in a visible light band such as red, green, blue or white, or a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 100 to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is connected to the external power source by being inserted in a socket manner, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source through wiring.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

발광소자 패키지 100
발광 소자 120
몸체 110
흡습 부재 180, 181, 25The light emitting device package 100
The light emitting element 120
The body 110
The moisture absorption members 180, 181, 25

Claims (8)

캐비티를 포함하는 몸체;
상기 캐비티 내에 서로 분리되어 배치되는 제1 전극 및 제2 전극;
상기 캐비티 내에 배치되며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광 소자;
상기 발광 소자를 덮으며 상기 캐비티를 매립하는 수지재;
상기 몸체와 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 경계 영역에 형성되는 복수의 제1흡습 부재; 및
상기 몸체의 바닥면으로부터 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 하부까지 연결된 복수의 제2흡습 부재를 포함하고,
상기 제1흡습 부재는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 상부에서 상기 몸체의 측면을 따라 형성되며,
상기 제2흡습 부재는 상기 몸체의 바닥면과 동일평면에 배치되고,
상기 제2흡습 부재의 하면은 상기 몸체의 바닥면에서 노출되고,
상기 제2흡습 부재의 하면 폭은 상기 제2흡습 부재가 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 하면과 접촉하는 영역의 폭보다 큰 발광소자 패키지.A body including a cavity;
A first electrode and a second electrode separately disposed in the cavity;
At least one light emitting element disposed in the cavity and electrically connected to the first electrode and the second electrode;
A resin material covering the light emitting device and filling the cavity;
A plurality of first moisture absorption members formed in a boundary region between the body and the first electrode and the second electrode; And
And a plurality of second moisture absorption members connected to a bottom of the first electrode and a second electrode from a bottom surface of the body,
The first moisture absorption member is formed along a side surface of the body at an upper portion of the first electrode and the second electrode,
The second moisture absorption member is disposed on the same plane as the bottom surface of the body,
The lower surface of the second moisture absorption member is exposed on the bottom surface of the body,
And a bottom width of the second moisture absorption member is larger than a width of a region where the second moisture absorption member is in contact with the lower surface of the first electrode and the second electrode. 제1항에 있어서,
상기 제2흡습 부재의 상면은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 하면과 접촉하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the upper surface of the second moisture absorption member is in contact with the lower surface of the first electrode and the second electrode. 제2항에 있어서,
상기 제1흡습 부재의 하면은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 상면과 접촉하는 발광소자 패키지. 3. The method of claim 2,
And a lower surface of the first moisture absorption member is in contact with an upper surface of the first electrode and the second electrode. 제3항에 있어서,
상기 제1흡습 부재 및 상기 제2흡습 부재는 다공성의 흡습제로 형성되며 실리카겔, 염화칼슘 또는 활성 알루미나를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 3,
Wherein the first moisture absorption member and the second moisture absorption member are formed of a porous moisture absorbent and include silica gel, calcium chloride, or activated alumina. 제4항에 있어서,
상기 제2흡습 부재는 상기 몸체의 바닥면으로부터 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극까지 상기 몸체를 관통하는 발광소자 패키지.
5. The method of claim 4,
And the second moisture absorption member passes through the body from the bottom surface of the body to the first electrode and the second electrode.
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