KR101886068B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체의 서로 다른 영역에 상부가 개방된 제1개방 영역 및 제2개방 영역; 상기 제1개방 영역에 일부가 배치된 제1리드 프레임; 상기 제2개방 영역에 일부가 배치된 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광 소자; 및 상기 제1리드 프레임으로부터 상기 제2리드 프레임과 상기 몸체의 제1측면 사이의 영역으로 돌출된 제1리브를 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body; A first opening area and a second opening area opened at upper portions in different areas of the body; A first lead frame partly disposed in the first open area; A second lead frame partly disposed in the second open area; A light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; And a first rib protruding from the first lead frame to a region between the second lead frame and the first side of the body.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

본 발명은 발광 소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART A light emitting device, for example, a light emitting device (Light Emitting Device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been widely recognized as a next generation light source in place of existing fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode. The light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps used outside the room, a lighting device such as a liquid crystal display device, an electric signboard, and a streetlight.

실시 예는 몸체 내에서 복수의 캐비티 사이를 보강할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package capable of reinforcing between a plurality of cavities in a body.

실시 예는 적어도 하나의 리드 프레임과 상기 적어도 하나의 리드 프레임으로부터 다른 리드 프레임과 몸체의 일 측면 사이의 영역으로 돌출된 리브를 포함한 발광 소자 패키지를 제공한다. Embodiments provide a light emitting device package including at least one lead frame and a rib protruding from the at least one lead frame to another lead frame and one side of the body.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체의 서로 다른 영역에 상부가 개방된 제1개방 영역 및 제2개방 영역; 상기 제1개방 영역에 일부가 배치된 제1리드 프레임; 상기 제2개방 영역에 일부가 배치된 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광 소자; 및 상기 제1리드 프레임으로부터 상기 제2리드 프레임과 상기 몸체의 제1측면 사이의 영역으로 돌출된 제1리브를 포함한다. A light emitting device package according to an embodiment includes a body; A first opening area and a second opening area opened at upper portions in different areas of the body; A first lead frame partly disposed in the first open area; A second lead frame partly disposed in the second open area; A light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; And a first rib protruding from the first lead frame to a region between the second lead frame and the first side of the body.

실시 예는 복수의 캐비티를 갖는 발광 소자 패키지에서 리드 프레임 사이의 영역을 보강할 수 있는 효과가 있다. The embodiment has the effect of reinforcing the area between the lead frames in the light emitting device package having a plurality of cavities.

실시 예는 발광 소자 패키지에서 몸체의 변색을 방지할 수 있는 효과가 있다.The embodiment has an effect of preventing discoloration of the body in the light emitting device package.

실시 예는 발광 소자 패키지와 이를 구비한 라이트 유닛의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the reliability of the light emitting device package and the light unit having the light emitting device package.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 리드 프레임과 발광 소자의 연결 예를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 1의 발광 소자 패키지의 저면도이다.
도 5는 도 2의 발광 소자 패키지의 A-A 측 단면도이다.
도 6은 도 2의 발광 소자 패키지의 B-B 측 단면도이다.
도 7은 도 2의 발광 소자 패키지의 C-C 측 단면도이다.
도 8은 도 1의 발광 소자 패키지의 리드 프레임을 나타낸 도면이다.
도 9는 도 1의 발광 소자 패키지의 발광 소자의 회로 구성도이다.
도 10은 도 1의 발광 소자 패키지의 다른 예로서, 복수의 리드 프레임 사이에 본딩부를 배치한 구조이다.
도 11은 도 1의 발광 소자 패키지의 다른 예로서, 복수의 리드 프레임에 복수의 발광 소자를 직렬로 연결한 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 도 1의 발광 소자 패키지의 발광 소자의 예를 나타낸 사시도이다.
도 13은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 예를 나타낸 도면이다. 1 is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a plan view of the light emitting device package shown in FIG.
3 is a view illustrating an example of connection between a lead frame and a light emitting device of the light emitting device package shown in FIG.
4 is a bottom view of the light emitting device package of Fig.
5 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2 taken along the line AA.
6 is a cross-sectional side view of the light emitting device package of Fig. 2 on the BB side.
7 is a cross-sectional side view of the light emitting device package of Fig.
8 is a view showing a lead frame of the light emitting device package of FIG.
9 is a circuit configuration diagram of a light emitting device of the light emitting device package of FIG.
FIG. 10 is another example of the light emitting device package of FIG. 1, in which a bonding portion is disposed between a plurality of lead frames.
FIG. 11 is a view showing another example of the light emitting device package of FIG. 1, in which a plurality of light emitting devices are connected in series to a plurality of lead frames.
12 is a perspective view illustrating an example of a light emitting device of the light emitting device package of FIG.
13 is a view illustrating a display device including a light emitting device package according to an embodiment.
14 is a view showing another example of a display device including the light emitting device package according to the embodiment.
15 is a view illustrating an example of a lighting apparatus including a light emitting device package according to an embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure is formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " encompass both being formed" directly "or" indirectly " In addition, the criteria for above or below each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 평면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 리드 프레임과 발광 소자의 연결 예를 나타낸 도면이며, 도 4는 도 1의 발광 소자 패키지의 저면도이고, 도 5는 도 2의 발광 소자 패키지의 A-A 측 단면도이며, 도 6은 도 2의 발광 소자 패키지의 B-B 측 단면도이며, 도 7은 도 2의 발광 소자 패키지의 C-C 측 단면도이다. 도 8은 도 1의 발광 소자 패키지의 리드 프레임을 나타낸 도면이며, 도 9는 도 1의 발광 소자 패키지의 발광 소자의 회로 구성도이다. FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device package 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the light emitting device package shown in FIG. 1. FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2 taken along the line AA, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. Sectional view of the light emitting device package of Fig. 2, and Fig. FIG. 8 is a view showing a lead frame of the light emitting device package of FIG. 1, and FIG. 9 is a circuit diagram of the light emitting device of the light emitting device package of FIG.

도 1 내지 도 8을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 몸체(110), 제1 캐비티(125)를 갖는 제1리드 프레임(121), 제2 캐비티(135)를 갖는 제2 리드 프레임(131), 제1 발광 소자(151) 제2 발광 소자(152), 및 와이어들(155 내지 158)을 포함한다.1 to 8, a light emitting device package 100 includes a body 110, a first lead frame 121 having a first cavity 125, a second lead frame 121 having a second cavity 135, 131, a first light emitting device 151, a second light emitting device 152, and wires 155 to 158.

상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 바람직하게 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The body 110 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al 2 O 3 ), a printed circuit board Can be formed. Preferably, the body 110 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA).

상기 몸체(110)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(110)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(110)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(110)가 제1 리드 프레임(121), 및 제2 리드 프레임(131)와 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 위에서 바라본 몸체(110)의 둘레 형상은 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The body 110 may be formed of a conductor having conductivity. When the body 110 is made of an electrically conductive material, an insulating layer (not shown) is formed on the surface of the body 110 so that the body 110 is electrically connected to the first lead frame 121 and the second lead frame 131 And can be configured to prevent electrical shorting. The peripheral shape of the body 110 viewed from above may have various shapes such as a triangular shape, a rectangular shape, a polygonal shape, and a circular shape depending on the use and design of the light emitting device package 100.

상기 몸체(110)는 복수의 측면(111~114)을 포함하며, 상기 복수의 측면(111~114) 중 적어도 하나는 상기 몸체(110)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)의 측면은 제1 내지 제4측면(111~114)을 그 예로 설명하며, 제1측면(111)과 제2측면(112)은 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면(113)과 상기 제4측면(114)은 서로 반대측 면이다. 상기 제1측면(111) 및 제2측면(112)의 너비 또는 길이는 제3측면(113) 및 제4측면(114)은 너비 또는 길이와 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면(111)과 상기 제2측면(112)의 길이는 상기 제3측면(113) 및 상기 제4측면(114)의 길이보다 더 작을 수 있다. 상기 몸체(110)의 외형은 다면체로서, 예컨대 육면체를 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 110 includes a plurality of side surfaces 111 to 114 and at least one of the side surfaces 111 to 114 may be disposed perpendicular or inclined with respect to a lower surface of the body 110. The first side surface 111 and the second side surface 112 are opposite to each other and the third side surface 113 And the fourth side surface 114 are opposite to each other. The width or length of the first side surface 111 and the second side surface 112 may be different from the width or length of the third side surface 113 and the fourth side surface 114. For example, The length of the second side 112 may be less than the length of the third side 113 and the fourth side 114. The outer shape of the body 110 is a polyhedron including, for example, a hexahedron, but is not limited thereto.

상기 몸체(110)의 상부(116)에는 제1개방 영역(116A)과 제2개방 영역(116B)을 포함하며, 상기 제1개방 영역(116A)과 제2개방 영역(116B)은 상기 몸체(110)의 상부(116)에서 서로 이격되게 배치되며, 광이 방출되는 영역이다.
The upper portion 116 of the body 110 includes a first open area 116A and a second open area 116B and the first open area 116A and the second open area 116B are formed in the body 110 are spaced apart from one another in the upper portion 116 and are regions where light is emitted.

도 1 및 도 3과 같이, 상기 제1리드 프레임(121)은 제1캐비티(125) 및 제1리브(120)를 포함하며, 상기 제1캐비티(125)는 상기 제1리드 프레임(121)의 상면(23)으로부터 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제1캐비티(125)의 측면(22)은 상기 제1캐비티(125)의 바닥면(21)으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제1캐비티(125)의 측면(22) 중에서 대향되는 두 측면(22A,22B)은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. 상기 제1리브(120)는 상기 제1리드 프레임(121)의 일단부로부터 상기 제2리드 프레임(131)과 상기 몸체(110)의 제3측면(113) 사이의 영역으로 돌출되며, 그 단부는 상기 제1캐비티(120) 또는 상기 제1오픈 영역(116A) 보다 상기 제2캐비티(130) 또는 상기 제2오픈 영역(116B)에 더 가깝게 배치될 수 있다.
1 and 3, the first lead frame 121 includes a first cavity 125 and a first rib 120, and the first cavity 125 includes the first lead frame 121, For example, a cup structure or a recessed shape, from the upper surface 23 of the base plate 20. The side surface 22 of the first cavity 125 may be inclined or vertically bent from the bottom surface 21 of the first cavity 125. The two opposing sides 22A and 22B of the side surface 22 of the first cavity 125 may be inclined at the same angle or may be inclined at different angles. The first rib 120 protrudes from one end of the first lead frame 121 to a region between the second lead frame 131 and the third side 113 of the body 110, May be disposed closer to the second cavity 130 or the second open region 116B than the first cavity 120 or the first open region 116A.

상기 제2리드 프레임(131)은 제2캐비티(135) 및 제2리브(130)를 포함하며, 상기 제2캐비티(135)는 상기 제2리드 프레임(131)의 상면(33)으로부터 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(135)의 측면(32)은 상기 제2캐비티(135)의 바닥면(31)으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제2캐비티(135)의 측면(32) 중에서 대향되는 두 측면(32A,32B)은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. 상기 제2리브(130)는 상기 제2리드 프레임(131)의 타단부로부터 상기 제1리드 프레임(121)과 상기 몸체(110)의 제4측면(114) 사이의 영역으로 돌출되며, 그 단부는 상기 제2캐비티(130) 또는 상기 제2오픈 영역(116B)보다 상기 제1캐비티(120) 또는 상기 제1오픈 영역(116A)에 더 가깝게 배치될 수 있다.
The second lead frame 131 includes a second cavity 135 and a second rib 130. The second cavity 135 has a concave shape from the upper surface 33 of the second lead frame 131 For example, a cup structure or a recess shape. The side surface 32 of the second cavity 135 may be inclined or vertically bent from the bottom surface 31 of the second cavity 135. The two opposing side surfaces 32A and 32B of the side surface 32 of the second cavity 135 may be inclined at the same angle or inclined at different angles. The second rib 130 protrudes from the other end of the second lead frame 131 to a region between the first lead frame 121 and the fourth side 114 of the body 110, May be disposed closer to the first cavity (120) or the first open area (116A) than the second cavity (130) or the second open area (116B).

상기 제1개방 영역(116A)의 아래에는 제1리드 프레임(121)의 제1캐비티(125)가 배치되고, 상기 제2개방 영역(116B)의 아래에는 제2리드 프레임(131)의 제2캐비티(135)가 배치된다. 상기 제1개방 영역(116A)은 상기 제1캐비티(125)의 영역보다 더 클 수 있으며, 상기 제2개방 영역(116B)은 상기 제2캐비티(135)의 영역보다 더 클 수 있다.A first cavity 125 of the first lead frame 121 is disposed under the first open area 116A and a second cavity 125 of the second lead frame 131 is disposed below the second open area 116B. A cavity 135 is disposed. The first open area 116A may be larger than the area of the first cavity 125 and the second open area 116B may be larger than the area of the second cavity 135. [

도 2와 같이, 상기 제1개방 영역(116A)은 상기 제1리드 프레임(121)의 제1캐비티(125)의 둘레와 소정 간격(T1)으로 이격될 수 있으며, 상기 제2개방 영역(116B)은 상기 제2리드 프레임(131)의 제2캐비티(135)의 둘레와 소정 간격(T1)으로 이격될 수 있다. 이러한 간격(T1)은 각 개방 영역(116A,116B)이 상기 제1캐비티(125) 및 제2캐비티(135)로부터 방출된 광의 지향각 분포에 영향을 주지 않을 수 있도록 이격된다.
2, the first open area 116A may be spaced apart from the first cavity 125 of the first lead frame 121 by a predetermined distance T1, and the second open area 116B May be spaced apart from the periphery of the second cavity 135 of the second lead frame 131 by a predetermined distance T1. This interval T1 is spaced such that each open area 116A and 116B does not affect the directivity angle distribution of light emitted from the first cavity 125 and the second cavity 135. [

상기 제1캐비티(125)에는 적어도 하나의 제1발광 소자(151)가 배치되며, 상기 제1발광 소자(151)는 상기 제1캐비티(125)의 바닥에 부착되고, 제1본딩부(122) 및 제4본딩부(133)와 와이어(155,156)로 각각 연결된다. 상기 제2캐비티(135)에는 적어도 하나의 제2발광 소자(152)가 배치되며, 상기 제2발광 소자(152)는 상기 제2캐비티(135)의 바닥에 부착되고, 제3본딩부(132) 및 제2본딩부(123)와 와이어(157,158)로 각각 연결된다. 상기 각 와이어(155,156,157,158)의 일 단부가 상기 제1캐비티(125) 및 제2캐비티(135)의 외측에서 본딩됨으로써, 상기 제1캐비티(125) 및 상기 제2캐비티(135)의 너비는 와이어가 본딩되는 공간을 줄일 수 있으며, 발광 소자(151,152)는 각 캐비티(125,135)의 중심부에 배치될 수 있다.At least one first light emitting device 151 is disposed in the first cavity 125 and the first light emitting device 151 is attached to the bottom of the first cavity 125. The first bonding part 122 And the fourth bonding portion 133 and the wires 155 and 156, respectively. At least one second light emitting device 152 is disposed in the second cavity 135 and the second light emitting device 152 is attached to the bottom of the second cavity 135 and the third bonding portion 132 And the second bonding portion 123 and the wires 157 and 158, respectively. One end of each of the wires 155, 156, 157 and 158 is bonded to the outside of the first cavity 125 and the second cavity 135 such that the width of the first cavity 125 and the second cavity 135 is And the light emitting devices 151 and 152 may be disposed at the center of each of the cavities 125 and 135.

상기 제1발광 소자(151) 및 제2발광 소자(152)는 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 동일한 피크 파장의 광을 방출하거나, 서로 다른 피크 파장의 광을 방출할 수 있다. 상기 제1발광 소자(151) 및 제2발광 소자(152)는 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
The first light emitting device 151 and the second light emitting device 152 can selectively emit light in a wavelength range from the ultraviolet band to the visible light band and emit light of the same peak wavelength or light of different peak wavelength Can be released. The first light emitting device 151 and the second light emitting device 152 may include an LED chip such as a UV (Ultraviolet) LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a white LED chip, And LED chips.

상기 제1리드 프레임(121)의 제1리브(120)는 상기 제1리드 프레임(121)으로부터 상기 몸체(110)의 상면과 하면 사이를 통해 상기 몸체(110)의 센터 영역을 거쳐 상기 제2리드 프레임(131)의 제2캐비티(135)와 상기 몸체(110)의 제3측면(113) 사이의 영역으로 돌출된다. 상기 제2리드 프레임(122)의 제2리브(130)는 상기 제2리드 프레임(131)으로부터 상기 몸체(110)의 상면과 하면 사이를 통해 상기 몸체(110)의 센터 영역을 거쳐 상기 제1리드 프레임(121)의 제1캐비티(125)와 상기 몸체(110)의 제4측면(114) 사이의 영역으로 돌출된다. 상기 제1리브(120) 및 상기 제2리브(130)는 상기 몸체(110)의 센터 영역에 대해 서로 반대측 방향으로 돌출되고, 그 형상은 바(Bar) 형상이나 굴곡진 형상을 포함할 수 있다. 상기 제1리브(120) 및 제2리브(130)는 상기 몸체(110)의 상면과 하면으로부터 이격되게 배치될 수 있다. The first rib 120 of the first lead frame 121 extends from the first lead frame 121 through the center region of the body 110 through the space between the upper surface and the lower surface of the body 110, And protrudes into a region between the second cavity 135 of the lead frame 131 and the third side 113 of the body 110. The second rib 130 of the second lead frame 122 extends from the second lead frame 131 through the center region of the body 110 between the upper surface and the lower surface of the body 110, And protrudes into a region between the first cavity 125 of the lead frame 121 and the fourth side 114 of the body 110. The first rib 120 and the second rib 130 may protrude in opposite directions with respect to a center region of the body 110 and may have a bar shape or a curved shape . The first rib 120 and the second rib 130 may be spaced apart from the upper surface and the lower surface of the body 110.

상기 제2리드 프레임(131)의 제2리브(130)와 상기 제1리드 프레임(121)의 제1리브(120)는 상기 몸체(110)의 내부를 통해 연장됨으로써, 상기 몸체(110)의 센터 영역을 지지하는 보강부재로 기능하게 된다. 상기 몸체(110)의 센터 영역은 상기 제1캐비티(125)와 제2캐비티(135) 사이의 경계로서, 제1리브(120) 및 제2리브(130)와 같은 보강부재를 상기 몸체(110)의 센터 영역에 배치하지 않는 경우, 상기 몸체(110)의 센터 영역이 외부 충격에 의해 쉽게 부러지는 문제가 있다. The second rib 130 of the second lead frame 131 and the first rib 120 of the first lead frame 121 extend through the interior of the body 110, And functions as a reinforcing member for supporting the center area. The center region of the body 110 is a boundary between the first cavity 125 and the second cavity 135 and a reinforcing member such as the first rib 120 and the second rib 130 is provided on the body 110 The center region of the body 110 is easily broken by an external impact.

상기 제1리브(120)는 상기 제1리드 프레임(121)으로부터 분리시켜 배치할 수 있으나, 상기 제2본딩부(123)와 제1리드 프레임(121)의 전기적인 연결을 위해 상기 제1리드 프레임(121)로부터 돌출된 예로 설명하기로 하며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 제2리브(130)는 상기 제2리드 프레임(131)으로부터 분리시켜 배치할 수 있으나, 상기 제4본딩부(133)와 제2리드 프레임(131)의 전기적인 연결을 위해 상기 제2리드 프레임(131)로부터 돌출된 예로 설명하기로 하며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The first rib 120 may be disposed separately from the first lead frame 121. The first rib 120 may be disposed separately from the first lead frame 121. For electrical connection between the second bonding portion 123 and the first lead frame 121, But the present invention is not limited thereto. The second rib 130 may be disposed separately from the second lead frame 131. The second rib 130 may be disposed separately from the second lead frame 131. For electrical connection between the fourth bonding portion 133 and the second lead frame 131, The lead frame 131 will be described as an example protruding from the lead frame 131, but the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(110)의 상부(116)에는 본딩을 위한 제3 내지 제6 개방영역(117,117A,118,118A)이 더 형성된다. 상기 제3 개방 영역(117)에는 제4본딩부(133)가 배치되고, 상기 제4 개방 영역(117A)에는 제1본딩부(122)가 배치되며, 상기 제5개방 영역(118)에는 제3본딩부(132)가 배치되고, 상기 제6개방 영역(118A)에는 제2본딩부(123)가 배치된다. 상기 제4개방 영역(117A)은 상기 제1개방 영역(116A)의 일부에 형성되거나 분리된 영역일 수 있으며, 상기 제5개방 영역(118)은 상기 제2개방 영역(116B)의 일부에 형성되거나 분리된 영역일 수 있다.
The upper portion 116 of the body 110 further includes third to sixth open regions 117, 117A, 118 and 118A for bonding. A fourth bonding section 133 is disposed in the third open area 117 and a first bonding section 122 is disposed in the fourth open area 117A. And a second bonding portion 123 is disposed in the sixth open region 118A. The fourth open area 117A may be formed in a part of the first open area 116A or may be a separate area and the fifth open area 118 may be formed in a part of the second open area 116B. Or may be a separate region.

상기 제1본딩부(122) 및 제2본딩부(123)는 제1리드 프레임(121)의 영역이며, 상기 제3본딩부(132) 및 제4본딩부(133)는 제2리드 프레임(131)의 영역이다. 상기 제1 리드 프레임(121)의 중심은 상기 제2 리드 프레임(131)의 중심과 동일 선상에 정렬될 수 있다. The first bonding portion 122 and the second bonding portion 123 are regions of the first lead frame 121 and the third bonding portion 132 and the fourth bonding portion 133 are regions of the second lead frame 121 131). The center of the first lead frame 121 may be aligned with the center of the second lead frame 131.

상기 제1본딩부(122)는 상기 제1캐비티(125)의 제2측면(22B)으로부터 절곡된 상면 상에 배치되거나, 상기 제1캐비티(125)와 상기 몸체(110)의 제3측면(113) 사이의 영역에 형성될 수 있다. 상기 제3본딩부(132)는 상기 제2캐비티(135)의 제1측면(3A)으로부터 절곡된 상면 상에 배치되거나, 상기 제2캐비티(135)와 상기 몸체(110)의 제4측면(114) 사이의 영역에 형성될 수 있다. 상기 제1캐비티(125)의 제2측면(22B)과 상기 제2캐비티(135)의 제1측면(32A)은 서로 반대측 면일 수 있다.The first bonding part 122 may be disposed on the upper surface bent from the second side surface 22B of the first cavity 125 or may be disposed on the third side surface of the first cavity 125 113). ≪ / RTI > The third bonding portion 132 may be disposed on the upper surface bent from the first side 3A of the second cavity 135 or may be disposed on the fourth side of the body 110 114). ≪ / RTI > The second side 22B of the first cavity 125 and the first side 32A of the second cavity 135 may be opposite sides.

상기 제1본딩부(122)와 상기 제4본딩부(133)는 상기 제1캐비티(125)를 중심으로 서로 반대측에 배치되며, 상기 제2본딩부(123)와 상기 제3본딩부(132)는 상기 제2캐비티(135)의 중심으로 서로 반대측에 배치될 수 있다. The first bonding portion 122 and the fourth bonding portion 133 are disposed on opposite sides of the first cavity 125 and the second bonding portion 123 and the third bonding portion 132 May be disposed on opposite sides of the center of the second cavity 135.

상기 제2본딩부(123)는 상기 제1리드 프레임(121)의 제1리브(120)의 일부 영역이며, 상기 제1캐비티(125)보다 상기 제2캐비티(135)에 더 가깝게 위치하게 된다. 즉, 상기 제2본딩부(123)는 상기 제2캐비티(135)의 측면 영역과 대응되는 영역에 배치된다. 이에 따라 상기 제2발광 소자(152)는 상기 제2캐비티(135)의 양 외측에 배치된 제2본딩부(118) 및 제3본딩부(132)와 와이어(157,158)로 연결된다.The second bonding part 123 is a part of the first rib 120 of the first lead frame 121 and is located closer to the second cavity 135 than the first cavity 125 . That is, the second bonding portion 123 is disposed in a region corresponding to the side region of the second cavity 135. The second light emitting device 152 is connected to the second bonding portion 118 and the third bonding portion 132 disposed on both sides of the second cavity 135 with wires 157 and 158.

상기 제4본딩부(133)는 상기 제2리드 프레임(131)의 제2리브(130)의 일부 영역이며, 상기 제2캐비티(135)보다 상기 제1캐비티(125)에 더 가깝게 위치하게 된다. 즉, 상기 제4본딩부(133)는 상기 제1캐비티(125)의 측면 영역과 대응되는 영역에 배치된다. 이에 따라 상기 제1발광 소자(151)는 상기 제1캐비티(125)의 양 외측에 배치된 제1본딩부(122) 및 제4본딩부(133)와 와이어(156,155)로 연결된다. 상기 와이어(155-158)의 길이는 캐비티 간을 연결하는 길이보다는 짧을 수 있다.
The fourth bonding part 133 is a part of the second rib 130 of the second lead frame 131 and is located closer to the first cavity 125 than the second cavity 135 . That is, the fourth bonding portion 133 is disposed in a region corresponding to a side region of the first cavity 125. The first light emitting device 151 is connected to the first bonding part 122 and the fourth bonding part 133 disposed on both sides of the first cavity 125 with the wires 156 and 155. The length of the wires 155-158 may be shorter than the length connecting the cavities.

도 1 및 도 4와 같이, 상기 몸체(110)의 하면(115)에는 제1리드 프레임(121)의 하면(126) 및 제2리드 프레임(131)의 하면(136)이 배치되며, 상기 하면(126,136)은 보드 위의 패드에 솔더와 같은 접속 부재로 연결되고, 방열 플레이트로 사용된다. 상기 제1리드 프레임(121)의 하면(126) 및 제2리드 프레임(131)의 하면(136)은 상기 몸체(110)의 하면(115)과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1리드 프레임(121)의 하면(126)은 상기 제1캐비티(125)의 크기에 대응되며, 상기 제2리드 프레임(131)의 하면(136)은 상기 제2캐비티(135)의 크기에 대응될 수 있다. 상기 제1캐비티(125) 및 제2캐비티(135)의 바닥면에 와이어가 본딩되지 않기 때문에, 상기 제1 및 제2캐비티(125,135)의 바닥면은 와이어 본딩 공간만큼 줄어들 수 있으며, 상기 제1리드 프레임(121)의 하면(126) 및 제2리드 프레임(131)의 하면(136) 면적 또한 줄어들게 된다. 이에 따라 상기 발광 소자 패키지가 보드에 솔더로 솔더링될 때, 가스나 오염 물질이 상기 몸체(110)와 상기 리드 프레임(121,131) 사이의 계면을 통해 유입되는 것을 줄여줄 수 있으며, 몸체(110)의 변색도 방지할 수 있다.
1 and 4, the lower surface 126 of the first lead frame 121 and the lower surface 136 of the second lead frame 131 are disposed on the lower surface 115 of the body 110, (126, 136) are connected to a pad on the board by a connecting member such as solder, and used as a heat radiating plate. The lower surface 126 of the first lead frame 121 and the lower surface 136 of the second lead frame 131 may be disposed on the same plane as the lower surface 115 of the body 110. The lower surface 126 of the first lead frame 121 corresponds to the size of the first cavity 125 and the lower surface 136 of the second lead frame 131 corresponds to the size of the second cavity 135. [ As shown in FIG. Since the wires are not bonded to the bottom surfaces of the first cavity 125 and the second cavity 135, the bottom surfaces of the first and second cavities 125 and 135 may be reduced by the wire bonding space, The lower surface 126 of the lead frame 121 and the lower surface 136 of the second lead frame 131 are also reduced. Accordingly, when the light emitting device package is soldered to the board, gas or contaminants can be prevented from flowing through the interface between the body 110 and the lead frames 121 and 131, Discoloration can be prevented.

도 5 내지 도 7과 같이, 제1캐비티(125)에는 제1몰딩 부재(161) 및 제2캐비티(135)에는 제2몰딩 부재(162)가 형성될 수 있다. 상기 제1몰딩 부재(161) 및 제2몰딩 부재(162)는 동일한 투광성 물질로 디스펜싱될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2몰딩 부재(161,162)는 상기 몸체(110)의 상부 영역까지 형성될 수 있다. 상기 제1몰딩 부재(161) 및 상기 제2몰딩 부재(162)에는 제1 발광 소자(151) 및 제2 발광 소자(152)에서 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 소자들(151,152)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 5 to 7, a first molding member 161 may be formed in the first cavity 125 and a second molding member 162 may be formed in the second cavity 135. Referring to FIGS. The first molding member 161 and the second molding member 162 may be dispensed with the same light transmitting material, but the present invention is not limited thereto. The first and second molding members 161 and 162 may extend to the upper region of the body 110. The first molding member 161 and the second molding member 162 may include phosphors for changing the wavelength of light emitted from the first light emitting device 151 and the second light emitting device 152, The phosphor excites a part of light emitted from the light emitting elements 151 and 152 to emit light of a different wavelength.

예컨대, 발광 소자들(151,152)이 청색 발광 다이오드이고, 형광체가 황색 형광체인 경우 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 백색의 빛을 생성할 수 있다. 발광 소자들(151,152)이 자외선(UV)을 방출하는 경우에는, Red, Green, Blue 삼색의 형광체가 각 몰딩 부재(161,162)에 첨가되어 백색광을 구현할 수도 있다. 상기 제1몰딩 부재(161)과 상기 제2몰딩 부재(162) 내에 첨가된 형광체는 서로 동일한 종류이거나 다른 종류일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.For example, when the light emitting elements 151 and 152 are blue light emitting diodes and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to generate white light. When the light emitting elements 151 and 152 emit ultraviolet rays, phosphors of three colors of red, green, and blue may be added to the molding members 161 and 162 to realize white light. The phosphors added in the first molding member 161 and the second molding member 162 may be the same kind or different kinds, but the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(110)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 소자 패키지(100)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.
A lens may be further formed on the body 110, and the lens may include a concave or convex lens structure. The light distribution of the light emitted from the light emitting device package 100 may be Can be adjusted.

도 4, 도 5 및 도 8과 같이, 상기 제1리드 프레임(121) 및 상기 제1리브(120)의 일 측단부는 상기 몸체(110)의 하 방향으로 절곡된 제1돌기(124)를 포함하며, 상기 제1돌기(124)는 상기 제1리브(120)와 더블어, 상기 몸체(110)의 센터 영역을 더 보강시켜 줄 수 있다. 상기 제1돌기(124)는 상기 제1리드 프레임(121)의 상면(23)으로부터 90° 이하로 절곡될 수 있다. 상기 제1돌기(124)는 상기 제1리브(120) 및 상기 제1리드 프레임(121)에 형성되어, 상기 제1리브(120)의 길이보다 더 길게 형성될 수 있다.4, 5 and 8, one end of the first lead frame 121 and the first rib 120 may have a first protrusion 124 bent in a downward direction of the body 110 The first protrusion 124 may join the first rib 120 to reinforce the center region of the body 110. The first protrusion 124 may be bent at 90 degrees or less from the upper surface 23 of the first lead frame 121. The first protrusion 124 may be formed on the first rib 120 and the first lead frame 121 to be longer than the length of the first rib 120.

상기 제2리드 프레임(131) 및 상기 제2리브(130)의 타 단부는 상기 몸체(110)의 하 방향으로 절곡된 제2돌기(134)를 포함하며, 상기 제2돌기(134)는 상기 제2리브(120)와 더블어, 상기 몸체(110)의 센터 영역을 더 보강시켜 줄 수 있다. 상기 제2돌기(134)는 상기 제2리드 프레임(131)의 상면(33)으로부터 90° 이하로 절곡될 수 있다. 상기 제2돌기(134)는 상기 제2리브(130) 및 상기 제2리드 프레임(131)에 형성되어, 상기 제2리브(130)의 길이보다 더 길게 형성될 수 있다.The other end of the second lead frame 131 and the second rib 130 may include a second protrusion 134 bent in a downward direction of the body 110, The center region of the body 110 can be further reinforced by joining with the second rib 120. The second protrusion 134 may be bent at 90 degrees or less from the upper surface 33 of the second lead frame 131. The second protrusion 134 may be formed on the second rib 130 and the second lead frame 131 to be longer than the length of the second rib 130.

상기 제1돌기(124) 및 제2돌기(134)는 다른 예로서, 상기 제1리브(120) 및 제2리브(130)의 측면부로부터 상기 몸체(110)의 상면 방향 및 하면 방향 중 적어도 한 방향으로 절곡될 수 있다.As another example, the first protrusion 124 and the second protrusion 134 may be formed of at least one of a top surface direction and a bottom surface direction of the body 110 from the side portions of the first rib 120 and the second rib 130 Lt; / RTI >

도 1 및 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제1리브(120)의 길이(L1)는 상기 제1리드 프레임(121)으로부터 상기 몸체(110)의 센터 영역 즉, 상기 리드 프레임들(121,131) 사이의 간격보다 더 길게 형성될 수 있다. 1 and 8, the length L1 of the first rib 120 is smaller than the center area of the body 110, that is, the lead frames 121 and 131, from the first lead frame 121, As shown in Fig.

상기 제2리브(130)의 길이(L2)는 상기 제2리드 프레임(131)으로부터 상기 몸체(110)의 센터 영역 즉, 상기 리드 프레임들(121,131) 사이의 간격보다 더 길게 형성될 수 있다. 상기 길이 L1과 길이 L2는 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 제1리브(120)의 길이 L1는 제2캐비티(135)의 중심 보다 더 길게 형성될 수 있으며, 상기 제2리브(130)의 길이 L2는 상기 제1캐비티(125)의 중심 보다 더 길게 형성될 수 있다.
The length L2 of the second rib 130 may be longer than the distance between the second lead frame 131 and the center region of the body 110, that is, the lead frames 121 and 131. The length L1 and the length L2 may be the same or different, but are not limited thereto. The length L1 of the first rib 120 may be longer than the center of the second cavity 135 and the length L2 of the second rib 130 may be longer than the center of the first cavity 125. [ It can be formed long.

상기 제1리브(120)는 상기 제2리드 프레임(131)과 제1간격(G1)으로 이격되어 전기적인 간섭을 주지 않게 된다. 상기 제2리브(130)는 상기 제1리드 프레임(121)과 제2간격(G2)으로 이격되어 전기적인 간섭을 주지 않게 된다. The first rib 120 may be spaced apart from the second lead frame 131 by a first gap G1 to prevent electrical interference. The second rib 130 is spaced apart from the first lead frame 121 by a second gap G2 to prevent electrical interference.

상기 제1리드 프레임(121)의 상면(23)에서 제1본딩부(122)가 형성되는 상면 너비(D1)는 반대측 상면 너비(D2)보다 더 넓을 수 있으며, 상기 제2리드 프레임(131)의 상면(33)에서 제3본딩부(132)가 형성되는 상면 너비(D1)은 반대측 상면 너비(D2)보다 더 넓을 수 있다. 상기 너비 D1을 갖는 상면 영역은 본딩부와 리브를 위해 더 넓게 형성될 수 있다.The top surface width D1 at which the first bonding portion 122 is formed on the upper surface 23 of the first lead frame 121 may be wider than the opposite top surface width D2, The upper surface width D1 at which the third bonding portion 132 is formed on the upper surface 33 of the second substrate 32 may be wider than the opposite side surface width D2. An upper surface area having the width D1 may be formed wider for the bonding part and the rib.

여기서, 상기 제1리드 프레임(121)의 상면(23)과 상기 제2리드 프레임(131)의 상면(33) 중 적어도 하나에는 구멍이 형성될 수 있으며, 상기 구멍에 몸체(110)의 재질이 채워짐으로써, 상기 몸체(110)와 리드 프레임(121,131)과의 결합력을 더 강화시켜 줄 수 있다.
Here, a hole may be formed in at least one of the upper surface 23 of the first lead frame 121 and the upper surface 33 of the second lead frame 131, and the material of the body 110 The coupling strength between the body 110 and the lead frames 121 and 131 can be further enhanced.

상기 제4본딩부(133)는 상기 제1캐비티(125)와의 간격(D2+G2)이 상기 제2캐비티(135)보다 더 가깝게 형성될 수 있으며, 상기 제2본딩부(123)는 상기 제2캐비티(135)와의 간격(D2+G1)이 상기 제1캐비티(125)보다 더 가깝게 형성될 수 있다. 상기 제1캐비티(125)와 상기 제2캐비티(135)를 물리적으로 분리하여 배치함으로써, 각 발광 소자(151,152)로부터 방출된 열에 의한 간섭을 줄여줄 수 있다. The fourth bonding portion 133 may be formed so that the distance D2 + G2 to the first cavity 125 is closer to the second cavity 135 than the second cavity 135, The distance D2 + G1 between the first cavity 125 and the second cavity 135 may be formed closer to the first cavity 125. [ By physically separating and arranging the first cavity 125 and the second cavity 135, it is possible to reduce the interference caused by heat emitted from the light emitting devices 151 and 152.

상기 제1 리드 프레임(121) 및 상기 제2리드 프레임(131)의 두께는 0.15mm ~ 0.3mm일 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(121)와 제2 리드 프레임(131)이 상기 몸체(110)의 중심부를 중심으로 서로 대칭적으로 배치되기 때문에, 몸체(110) 내에 배치되는 제1 캐비티(125) 및 제2 캐비티(135)이 안정적이고, 균형 있게 배치될 수 있다. 또한 상기 제1캐비티(125) 및 제2캐비티(135)의 내부에서 발생된 열에 의한 뒤틀림 현상을 줄여줄 수 있다.The thicknesses of the first lead frame 121 and the second lead frame 131 may be 0.15 mm to 0.3 mm. Since the first lead frame 121 and the second lead frame 131 are disposed symmetrically with respect to the center of the body 110, the first cavity 125 and the second cavity 125, which are disposed in the body 110, 2 cavity 135 can be arranged in a stable and balanced manner. Also, it is possible to reduce the distortion caused by heat generated in the first cavity 125 and the second cavity 135.

상기 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(131)는 전도성 재질로서, 금속 재질 예컨대, 은, 금, 또는 구리와 같은 금속 재질 또는 합금을 선택적으로 포함할 수 있다.The first lead frame 121 and the second lead frame 131 may be made of a conductive material, and may include a metal material such as silver, gold, or copper, or an alloy.

도 1 및 도 9를 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 제1발광 소자(151)과 제2발광 소자(152)가 병렬로 연결되며, 제1리드 프레임(121)이 발광 소자(151,152)의 애노드(A)가 되고 제2리드 프레임(131)이 발광 소자(151,152)의 캐소드(C)가 되어, 전원을 공급하게 된다.
1 and 9, the light emitting device package 100 includes a first light emitting device 151 and a second light emitting device 152 connected in parallel, a first lead frame 121 is connected to the light emitting devices 151 and 152, And the second lead frame 131 becomes the cathode C of the light emitting elements 151 and 152 to supply power.

도 10은 도 1의 발광 소자 패키지의 변형 예로서, 복수의 리드 프레임과 제5본딩부의 배치를 나타낸 도면이다. 도 10은 도 3의 도면 및 설명을 참조하기로 하며, 동일한 부분에 대해서는 도 1 및 도 3을 참조하기로 한다.Fig. 10 is a modification of the light emitting device package of Fig. 1, showing the arrangement of a plurality of lead frames and a fifth bonding portion. FIG. 10 will be referred to with reference to the drawings and description of FIG. 3, with reference to FIGS. 1 and 3 for the same parts.

도 10을 참조하면, 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(131) 사이에 몸체 상부가 개방된 제5본딩부(171)를 포함한다. 상기 제5본딩부(171)는 제1발광 소자(151)과 제2발광 소자(152)가 직렬로 연결된다. 이에 따라 상기 제1발광 소자(151)과 상기 제2발광 소자(152)는 직렬로 연결될 수 있다.
Referring to FIG. 10, a fifth bonding portion 171 having an upper portion opened between the first lead frame 121 and the second lead frame 131 is included. In the fifth bonding portion 171, the first light emitting device 151 and the second light emitting device 152 are connected in series. Accordingly, the first light emitting device 151 and the second light emitting device 152 may be connected in series.

도 11는 도 1의 발광 소자 패키지의 변형 예로서, 복수의 리드 프레임에 의한 복수의 발광 소자의 직렬 연결 예를 나타낸 도면이다. 도 11은 도 3의 도면 및 설명을 참조하기로 하며, 동일한 부분에 대해서는 도 1 및 도 3을 참조하기로 한다.FIG. 11 is a modification of the light emitting device package of FIG. 1, showing a series connection of a plurality of light emitting devices by a plurality of lead frames. Fig. 11 will be referred to the drawings and description of Fig. 3, and the same parts will be referred to Fig. 1 and Fig.

도 11을 참조하면, 제1발광 소자(151)는 제4본딩부(133)에 와이어(155)로 연결되고, 제2발광 소자(152)와 와이어(156)로 직접 연결된다. 상기 제2발광 소자(152)는 제2본딩부(123)에 와이어(157)로 연결된다. 이러한 실시 예는 3개의 와이어(155,156,157)를 이용하여 복수의 발광 소자(151,152)를 직렬로 연결시켜 줄 수 있다.
11, the first light emitting device 151 is connected to the fourth bonding part 133 by a wire 155, and is directly connected to the second light emitting device 152 by a wire 156. The second light emitting device 152 is connected to the second bonding part 123 by a wire 157. In this embodiment, a plurality of light emitting devices 151 and 152 may be connected in series by using three wires 155, 156, and 157.

도 12는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 발광 소자의 예를 나타낸 도면이다.12 is a view illustrating an example of a light emitting device of a light emitting device package according to an embodiment.

도 12를 참조하면, 발광소자는 기판(211), 버퍼층(213), 제1도전형 반도체층(215), 활성층(217), 제2도전형 반도체층(219), 전극층(231), 제1전극 패드(241), 및 제2전극 패드(251)를 포함한다.12, the light emitting device includes a substrate 211, a buffer layer 213, a first conductive semiconductor layer 215, an active layer 217, a second conductive semiconductor layer 219, an electrode layer 231, One electrode pad 241, and a second electrode pad 251.

상기 기판(211)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(211)의 상면에는 복수의 돌출부가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부는 상기 기판(211)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 기판(211)의 두께는 30㎛~300㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 211 may be made of a light-transmitting, insulating or conductive substrate. For example, the substrate 211 may be made of a material such as sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 , At least one of LiGaO 3 may be used. A plurality of protrusions may be formed on the upper surface of the substrate 211. The plurality of protrusions may be formed through etching of the substrate 211 or may be formed with a light extracting structure such as a separate roughness. The protrusions may include a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The thickness of the substrate 211 may be in the range of 30 탆 to 300 탆, but is not limited thereto.

상기 기판(211) 위에는 버퍼층(213)이 형성되며, 상기 버퍼층(213)은 2족 내지 6족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(213)은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층(213)은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다.A buffer layer 213 is formed on the substrate 211. The buffer layer 213 may be formed of at least one layer using a Group 2 or Group 6 compound semiconductor. The buffer layer 213 includes a semiconductor layer using a Group III-V compound semiconductor, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? + y? 1), and includes at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The buffer layer 213 may be formed in a superlattice structure by alternately arranging different semiconductor layers.

상기 버퍼층(213)은 상기 기판(211)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층(213)은 상기 기판(211)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(213)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 버퍼층(213)은 30~500nm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The buffer layer 213 may be formed to mitigate the difference in lattice constant between the substrate 211 and the nitride-based semiconductor layer, and may be defined as a defect control layer. The buffer layer 213 may have a value between lattice constants between the substrate 211 and the nitride semiconductor layer. The buffer layer 213 may be formed of an oxide such as a ZnO layer, but is not limited thereto. The buffer layer 213 may have a thickness ranging from about 30 nm to about 500 nm.

상기 버퍼층(213) 위에는 저 전도층이 형성되며, 상기 저 전도층은 언도프드 반도체층으로서, 제1도전형 반도체층의 전도성 보다 낮은 전도성을 가진다. 상기 저 전도층은 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 GaN계 반도체로 구현될 수 있으며, 이러한 언도프드 반도체층은 의도적으로 도전형 도펀트를 도핑하지 않더라도 제1도전형 특성을 가지게 된다. 상기 언도프드 반도체층은 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A low conductivity layer is formed on the buffer layer 213. The low conductivity layer is an undoped semiconductor layer and has conductivity lower than that of the first conductivity type semiconductor layer. The low conduction layer may be formed of a GaN-based semiconductor using a Group 3-V compound semiconductor, and the undoped semiconductor layer may have a first conductivity type property without intentionally doping the conduction type dopant. The undoped semiconductor layer may not be formed, but the present invention is not limited thereto.

상기 버퍼층(213) 위에는 제1도전형 반도체층(215)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(215)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(215)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. A first conductive semiconductor layer 215 may be formed on the buffer layer 213. The first conductive semiconductor layer 215 may be formed of a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? X + y? 1). When the first conductive semiconductor layer 215 is an N-type semiconductor layer, the first conductive type dopant is an N-type dopant including Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 버퍼층(213)과 상기 제1도전형 반도체층(215) 사이에는 반도체층이 형성되며, 상기 반도체층은 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층과 제2층의 두께는 수 A 이상으로 형성될 수 있다.A semiconductor layer may be formed between the buffer layer 213 and the first conductive semiconductor layer 215. The semiconductor layer may have a superlattice structure in which first and second layers are alternately arranged. , The thicknesses of the first layer and the second layer may be formed to be several A or more.

상기 제1도전형 반도체층(215)과 상기 활성층(217) 사이에는 제1도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(217)의 장벽층의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1도전형 클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first conductive clad layer (not shown) may be formed between the first conductive semiconductor layer 215 and the active layer 217. The first conductive clad layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and the bandgap thereof may be formed to be equal to or larger than a bandgap of the barrier layer of the active layer 217. The first conductive type cladding layer serves to constrain the carrier.

상기 제1도전형 반도체층(215) 위에는 활성층(217)이 형성된다. 상기 활성층(217)은 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(217)은 우물층/장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN의 적층 구조를 이용하여 2~30주기로 형성될 수 있다. An active layer 217 is formed on the first conductive semiconductor layer 215. The active layer 217 may be formed of at least one of a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire, and a quantum dot structure. The active layer 217 is formed by alternately arranging well layers / barrier layers, and the period of the well layer / barrier layer is set to 2 (nm) using a laminated structure of InGaN / GaN, AlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, and InGaN / InGaN, To 30 cycles.

상기 활성층(217) 위에는 제2도전형 클래드층이 형성되며, 상기 제2도전형 클래드층은 상기 활성층(217)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다.A second conductive clad layer is formed on the active layer 217. The second conductive clad layer has a higher bandgap than the bandgap of the barrier layer of the active layer 217 and the Group III- For example, a GaN-based semiconductor.

상기 제2도전형 클래드층 위에는 제2도전형 반도체층(219)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(219)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(219)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(219)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. A second conductive type semiconductor layer 219 is formed on the second conductive type clad layer and a second conductive type dopant is formed on the second conductive type semiconductor layer 219. The second conductive semiconductor layer 219 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. When the second conductive semiconductor layer 219 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a P-type dopant.

발광 구조물(220) 내에서 상기 제1도전형과 상기 제2도전형의 전도성 타입은 상기의 구조와 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층(219)은 N형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(215)은 P형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(219) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 N형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 발광소자(200)는 상기 제1도전형 반도체층(215), 활성층(217) 및 상기 제2도전형 반도체층(219)을 발광 구조물(220)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물(220)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 상기 N-P 및 P-N 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, N-P-N 접합 또는 P-N-P 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.In the light emitting structure 220, the first conductive type and the second conductive type may be formed in a manner opposite to the above structure. For example, the second conductive type semiconductor layer 219 may include an N-type semiconductor layer, The first conductive semiconductor layer 215 may be a P-type semiconductor layer. Also, an N-type semiconductor layer may be further formed on the second conductive semiconductor layer 219, which is a third conductive semiconductor layer having a polarity opposite to the polarity of the second conductive type. The light emitting device 200 may be defined as the light emitting structure 220 of the first conductivity type semiconductor layer 215, the active layer 217 and the second conductivity type semiconductor layer 219, May be implemented by any one of an NP junction structure, a PN junction structure, an NPN junction structure, and a PNP junction structure. In the N-P and P-N junctions, an active layer is disposed between two layers, and an N-P-N junction or a P-N-P junction includes at least one active layer between three layers.

상기 제1도전형 반도체층(215) 위에 제1전극 패드(241)가 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(219) 위에 전극층(231) 및 제2전극 패드(251)가 형성된다. A first electrode pad 241 is formed on the first conductive semiconductor layer 215 and an electrode layer 231 and a second electrode pad 251 are formed on the second conductive semiconductor layer 219.

상기 전극층(231)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(231)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. The electrode layer 231 may be formed of a material having permeability and electrical conductivity as a current diffusion layer. The electrode layer 231 may have a refractive index lower than that of the compound semiconductor layer.

상기 전극층(231)은 상기 제2도전형 반도체층(219)의 상면에 형성되며, 그 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(231)은 다른 예로서, 반사 전극층으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir와 같은 금속 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The electrode layer 231 is formed on the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 219. The material of the electrode layer 231 is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO) aluminum zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO And may be formed of at least one layer. As another example, the electrode layer 231 may be formed of a reflective electrode layer, and the material may be selectively formed from a metal material such as Al, Ag, Pd, Rh, Pt, or Ir.

상기 제1전극 패드(241)와 상기 제2전극 패드(251)는 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.The first electrode pad 241 and the second electrode pad 251 may be formed of a metal such as Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, May be selected from these optional alloys.

상기 발광 소자의 표면에 절연층이 더 형성될 수 있으며, 상기 절연층은 발광 구조물(220)의 층간 쇼트(short)를 방지하고, 습기 침투를 방지할 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광 소자의 표면에 형광체층이 더 배치될 수 있으며, 상기 형광체층은 발광 소자의 활성층으로부터 방출된 빛의 파장을 변환시켜 줄 수 있다.
An insulating layer may further be formed on the surface of the light emitting device, and the insulating layer may prevent a short between layers of the light emitting structure 220 and prevent moisture penetration. As another example, a phosphor layer may be further disposed on the surface of the light emitting device, and the phosphor layer may convert the wavelength of light emitted from the active layer of the light emitting device.

상기 제2전극패드(251)는 상기 제2도전형 반도체층(219) 및/또는 상기 전극층(231) 위에 형성될 수 있으며, 제2전극 패턴(253)을 포함할 수 있다. The second electrode pad 251 may be formed on the second conductive semiconductor layer 219 and / or the electrode layer 231 and may include a second electrode pattern 253.

상기 제2전극 패턴(253)은 상기 제2전극 패드(251)로부터 분기된 암(arm) 구조 또는 핑거(finger) 구조로 형성될 수 있다. 상기 제2전극 패드(251)는 오믹 접촉, 접착층, 본딩층의 특성을 갖는 금속층들을 포함하며, 비 투광성으로 이루어질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second electrode pattern 253 may have an arm structure or a finger structure that is branched from the second electrode pad 251. The second electrode pad 251 may include a metal layer having characteristics of an ohmic contact, an adhesive layer, and a bonding layer. The second electrode pad 251 may be non-transparent.

상기 제2전극 패드(251)는 발광 칩 위에서 볼 때, 상기 제1전극 패드(241)와 발광칩의 어느 한 변 너비의 1/2 이상 이격되며, 상기 제2전극 패턴(253)은 상기 전극층(231) 위에 상기 발광 칩의 어느 한 변 너비의 1/2 이상의 길이로 형성될 수 있다. The second electrode pad 251 is spaced apart from the light emitting chip by at least one half of the width of the first electrode pad 241 and the light emitting chip, The light emitting chip may have a length of at least one half of the width of one side of the light emitting chip.

상기 제2전극 패드(251) 및 상기 제2전극 패턴(253) 중 적어도 하나의 일부는 상기 제2도전형 반도체층(219)의 상면에 오믹 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.At least part of at least one of the second electrode pad 251 and the second electrode pattern 253 may be in ohmic contact with the upper surface of the second conductive type semiconductor layer 219, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1전극 패드(241)는 상기 제1도전형 반도체층(215)의 상면 중에서 제1영역(A1)에 형성되며, 상기 제1영역(A1)은 상기 제1도전형 반도체층(215)의 일부 영역으로서, 상기 제2도전형 반도체층(219) 및 상기 활성층(217)의 일부가 에칭되고 상기 제1도전형 반도체층(215)의 상면 일부가 노출되는 영역이다. 여기서, 상기 제1도전형 반도체층(215)의 상면은 상기 활성층(217)의 측면으로부터 단차진 영역이며, 상기 활성층(217)의 하면보다 낮은 위치에 형성된다.The first electrode pad 241 is formed on the first region A1 of the upper surface of the first conductive semiconductor layer 215 and the first region A1 is formed on the first conductive semiconductor layer 215, A part of the second conductivity type semiconductor layer 219 and a part of the active layer 217 are etched and a part of the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 215 is exposed. Here, the upper surface of the first conductive semiconductor layer 215 is a stepped region from the side of the active layer 217, and is formed at a position lower than the lower surface of the active layer 217.

상기 발광 구조물(220)에는 홈(225)이 형성되며, 상기 홈(225)은 상기 발광 구조물(220)의 상면으로부터 상기 제1도전형 반도체층(215)이 노출되는 깊이로 형성된다. 상기 제1도전형 반도체층(215)의 제1영역(A1)과 상기 홈(225)의 깊이는 상기 발광 구조물(220)의 상면으로부터 동일한 깊이이거나 서로 다른 깊이로 형성될 수 있다. 상기 홈(225)은 형성하지 않을 수 있다.A groove 225 is formed in the light emitting structure 220 and the groove 225 is formed at a depth where the first conductivity type semiconductor layer 215 is exposed from the upper surface of the light emitting structure 220. The depths of the first region A1 and the trench 225 of the first conductivity type semiconductor layer 215 may be the same or different from the top surface of the light emitting structure 220. [ The grooves 225 may not be formed.

상기 제1전극 패드(241)에는 제1전극 패턴이 연결될 수 있으며, 상기 제1전극 패턴은 상기 제1전극 패드(241)에 적어도 하나가 연결되며, 발광 칩 위에서 볼 때 상기 제2전극 패턴(253)의 일측 또는 상기 제2전극 패턴(253) 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1전극 패턴은 상기 발광 구조물(220)의 홈(225) 내에 배치되며, 상기 제1도전형 반도체층(215)의 상면과 접촉된다. 상기 제1전극 패턴은 상기 제1전극 패드(241)로부터 상기 제2전극 패드(251)에 더 가깝게 연장되며, 상기 제2전극 패턴은 상기 제2전극 패드(251)로부터 상기 제1전극 패드(241)에 더 가깝게 연장될 수 있다.
A first electrode pattern may be connected to the first electrode pad 241. At least one of the first electrode patterns 241 may be connected to the first electrode pad 241, 253, or between the second electrode patterns 253. The first electrode pattern is disposed in the groove 225 of the light emitting structure 220 and is in contact with the upper surface of the first conductive semiconductor layer 215. The first electrode pattern extends from the first electrode pad 241 closer to the second electrode pad 251 and the second electrode pattern extends from the second electrode pad 251 to the first electrode pad 251. [ 241. < / RTI >

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 13 및 도 14에 도시된 표시 장치, 도 15에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 지시등과 같은 유닛에 적용될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting device packages are arrayed, and includes a display device shown in Figs. 13 and 14, a lighting device shown in Fig. 15, and includes an illumination lamp, a traffic light, a vehicle headlight, Can be applied to the same unit.

도 13은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 13 is an exploded perspective view of a display device according to an embodiment.

도 13을 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.13, the display apparatus 1000 includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, a reflection member 1022 under the light guide plate 1041, An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, and a bottom cover 1011 for storing the light guide plate 1041, the light emitting module 1031 and the reflecting member 1022 , But is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 diffuses the light from the light emitting module 1031 to convert the light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 is disposed on at least one side of the light guide plate 1041 to provide light to at least one side of the light guide plate 1041 and ultimately to serve as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 기판은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 기판(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자 패키지(100)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.The light emitting module 1031 may include at least one light source, and may provide light directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device package 100 according to the embodiment described above. The light emitting device package 100 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals. have. The substrate may be, but is not limited to, a printed circuit board. The substrate 1033 may include a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), or the like, but is not limited thereto. When the light emitting device package 100 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat radiation plate, the substrate 1033 can be removed. A part of the heat radiation plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011. Therefore, heat generated in the light emitting device package 100 can be emitted to the bottom cover 1011 via the heat dissipation plate.

상기 복수의 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 100 may be mounted on the substrate 1033 such that the light emitting surface of the light emitting device package 100 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance. The light emitting device package 100 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and supplies the reflected light to the display panel 1061 to improve the brightness of the display panel 1061. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to a top cover (not shown), but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 transmits or blocks light provided from the light emitting module 1031 to display information. The display device 1000 can be applied to video display devices such as portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal / vertical prism sheet, a brightness enhanced sheet, and the like. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet concentrates incident light on the display panel 1061. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness I will. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 14는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 14 is a view illustrating a display device having a light emitting device package according to an embodiment.

도 14를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자 패키지(100)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 14, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the above-described light emitting device package 100 is arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155 .

상기 기판(1120)과 상기 발광 소자 패키지(100)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(미도시)으로 정의될 수 있다. The substrate 1120 and the light emitting device package 100 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, the at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit (not shown).

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto.

상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1155)으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. The optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methy methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses the incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense the incident light onto the display panel 1155. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness .

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, and light condensation of the light emitted from the light emitting module 1060.

도 15는 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.15 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 15를 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.15, the lighting apparatus 1500 includes a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, a connection terminal (not shown) installed in the case 1510 and supplied with power from an external power source 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 is preferably formed of a material having a good heat dissipation property, and may be formed of, for example, a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 100 mounted on the substrate 1532. A plurality of the light emitting device packages 100 may be arrayed in a matrix or at a predetermined interval.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator. For example, the substrate 1532 may be a printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, FR-4 substrate, and the like.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be a coating layer such as a white color, a silver color, or the like whose surface is efficiently reflected by light.

상기 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(100)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(100) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색 등과 같은 가시 광선 대역의 발광 다이오드 또는 자외선(UV, Ultra Violet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 100 may be mounted on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 100 may include at least one LED (Light Emitting Diode) chip. The LED chip may include a light emitting diode in a visible light band such as red, green, blue or white, or a UV light emitting diode that emits ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(100)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 100 to obtain color and brightness. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be arranged in combination in order to secure a high color rendering index (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is connected to the external power source by being inserted in a socket manner, but the present invention is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source or may be connected to an external power source through wiring.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 발광 소자 패키지 110: 몸체
125,135: 캐비티 121,131: 리드 프레임
120,130: 리브 151,161: 발광 소자100: light emitting device package 110: body
125, 135: cavity 121, 131: lead frame
120, 130: ribs 151, 161:

Claims (13)

몸체;
상기 몸체의 중심부를 중심으로 서로 대칭적으로 배치되며 다른 영역에 상부가 개방된 제1개방 영역 및 제2개방 영역;
상기 제1개방 영역에 일부가 배치되며 컵 형상을 가지고 제1캐비티를 포함하는 제1리드 프레임;
상기 제2개방 영역에 일부가 배치되며 컵 형상을 가지고 제2캐비티를 포함하는 제2리드 프레임; 및
상기 제1캐비티에 배치되며 상기 제1리드 프레임과 전기적으로 연결되는 제1발광소자와 상기 제2캐비티에 배치되며 상기 제2리드 프레임과 전기적으로 연결되는 제2발광 소자를 포함하고,
상기 제1캐비티에 배치된 상기 제1리드 프레임의 저면은 상기 몸체의 저면으로 노출되고,
상기 제2캐비티에 배치된 상기 제2리드 프레임의 저면은 상기 몸체의 저면으로 노출되며,
상기 제1리드 프레임은 상기 제1리드 프레임으로부터 상기 몸체의 제2측면으로 연장되는 제2본딩부를 포함하고,
상기 제2리드 프레임은 상기 제2리드 프레임으로부터 상기 몸체의 제2측면의 반대측면인 상기 몸체의 제1측면으로 연장되는 제4본딩부를 포함하며,
제1본딩부는 상기 제1리드 프레임의 일부 영역이며,
제3본딩부는 상기 제2리드 프레임의 일부 영역이고,
상기 제2발광소자는 복수의 제1와이어에 의해 상기 제2본딩부 및 상기 제3본딩부와 전기적으로 연결되며,
상기 제2본딩부와 상기 제3본딩부는 상기 제2캐비티를 중심으로 서로 반대측에 배치되며,
상기 제1본딩부와 상기 제4본딩부는 상기 제1캐비티를 중심으로 서로 반대측에 배치되는 발광 소자 패키지.Body;
A first open area and a second open area symmetrically arranged with respect to a center of the body,
A first lead frame partly disposed in the first open area and having a cup shape and including a first cavity;
A second lead frame partly disposed in the second open area and having a cup shape and including a second cavity; And
A first light emitting device disposed in the first cavity and electrically connected to the first lead frame, and a second light emitting device disposed in the second cavity and electrically connected to the second lead frame,
The bottom surface of the first lead frame disposed in the first cavity is exposed to the bottom surface of the body,
The bottom surface of the second lead frame disposed in the second cavity is exposed to the bottom surface of the body,
Wherein the first lead frame includes a second bonding portion extending from the first lead frame to a second side of the body,
The second leadframe includes a fourth bonding portion extending from the second leadframe to a first side of the body that is the opposite side of the second side of the body,
The first bonding portion is a portion of the first lead frame,
The third bonding portion is a part of the second lead frame,
The second light emitting device is electrically connected to the second bonding portion and the third bonding portion by a plurality of first wires,
Wherein the second bonding portion and the third bonding portion are disposed on opposite sides of the second cavity,
Wherein the first bonding portion and the fourth bonding portion are disposed on opposite sides of the first cavity. 제1항에 있어서,
상기 제1리드 프레임의 일단부에서 연장되어 상기 제2리드 프레임과 상기 몸체의 제3측면 사이의 영역으로 돌출된 제1리브를 포함하고,
상기 제2리드 프레임의 타단부에서 연장되어 상기 제1리드 프레임과 상기 몸체의 제3측면의 반대측인 상기 몸체의 제4측면 사이의 영역으로 돌출되는 제2리브를 포함하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And a first rib extending from one end of the first lead frame and projecting into an area between the second lead frame and a third side of the body,
And a second rib extending from the other end of the second lead frame and protruding into a region between the first lead frame and a fourth side of the body opposite to the third side of the body. 제2항에 있어서,
상기 제1리브는 상기 제3측면에 배치된 상기 제2리드 프레임의 가장자리 영역까지 연장되고,
상기 제2리브는 상기 제4측면에 배치된 상기 제1리드 프레임의 가장자리 영역까지 연장되며,상기 제2본딩부는 상기 제1리브의 일부 영역이며 상기 제4본딩부는 상기 제2리브의 일부 영역인 발광 소자 패키지.3. The method of claim 2,
The first rib extends to an edge region of the second lead frame disposed on the third side,
The second rib extends to an edge area of the first lead frame disposed on the fourth side and the second bonding part is a part of the first rib and the fourth bonding part is a part of the second rib A light emitting device package. 제3항에 있어서, 상기 제1리브와 상기 제2리브는 상기 몸체의 상면과 하면 사이의 영역에 배치되는 발광 소자 패키지.The light emitting device package according to claim 3, wherein the first rib and the second rib are disposed in a region between an upper surface and a lower surface of the body. 제4항에 있어서,
상기 제1리브와 상기 제2리브는 상기 몸체의 내부를 통해 연장되고,
상기 제1리브는 상기 제2발광 소자와 수평으로 중첩되고,
상기 제2리브는 상기 제1발광 소자와 수평으로 중첩되는 발광 소자 패키지.5. The method of claim 4,
The first rib and the second rib extending through the interior of the body,
Wherein the first rib is horizontally overlapped with the second light emitting element,
And the second ribs are horizontally overlapped with the first light emitting element. 삭제delete 몸체;
상기 몸체의 중심부를 중심으로 서로 대칭적으로 배치되며 다른 영역에 상부가 개방된 제1개방 영역 및 제2개방 영역;
상기 제1개방 영역에 일부가 배치되며 컵 형상을 가지고 제1캐비티를 포함하는 제1리드 프레임;
상기 제2개방 영역에 일부가 배치되며 컵 형상을 가지고 제2캐비티를 포함하는 제2리드 프레임; 및
상기 제1캐비티에 배치되며 상기 제1리드 프레임과 전기적으로 연결되는 제1발광소자와 상기 제2캐비티에 배치되며 상기 제2리드 프레임과 전기적으로 연결되는 제2발광 소자를 포함하고,
상기 제1캐비티에 배치된 상기 제1리드 프레임의 저면은 상기 몸체의 저면으로 노출되고,
상기 제2캐비티에 배치된 상기 제2리드 프레임의 저면은 상기 몸체의 저면으로 노출되며,
상기 제1리드 프레임은 상기 제1리드 프레임으로부터 상기 몸체의 제2측면으로 연장되는 제2본딩부를 포함하고,
상기 제2리드 프레임은 상기 제2리드 프레임으로부터 상기 몸체의 제2측면의 반대측면인 상기 몸체의 제1측면으로 연장되는 제4본딩부를 포함하며,
상기 제1리드 프레임의 일단부에서 연장되어 상기 제2리드 프레임과 상기 몸체의 제3측면 사이의 영역으로 돌출된 제1리브를 포함하고,
상기 제2리드 프레임의 타단부에서 연장되어 상기 제1리드 프레임과 상기 몸체의 제3측면의 반대측인 상기 몸체의 제4측면 사이의 영역으로 돌출되는 제2리브를 포함하며,
상기 제1리브 및 상기 제2리브 중 적어도 하나는 상기 몸체의 상면 및 하면 방향 중 적어도 한 방향으로 절곡된 돌기를 포함하는 발광 소자 패키지.Body;
A first open area and a second open area symmetrically arranged with respect to a center of the body,
A first lead frame partly disposed in the first open area and having a cup shape and including a first cavity;
A second lead frame partly disposed in the second open area and having a cup shape and including a second cavity; And
A first light emitting device disposed in the first cavity and electrically connected to the first lead frame, and a second light emitting device disposed in the second cavity and electrically connected to the second lead frame,
The bottom surface of the first lead frame disposed in the first cavity is exposed to the bottom surface of the body,
The bottom surface of the second lead frame disposed in the second cavity is exposed to the bottom surface of the body,
Wherein the first lead frame includes a second bonding portion extending from the first lead frame to a second side of the body,
The second leadframe includes a fourth bonding portion extending from the second leadframe to a first side of the body that is the opposite side of the second side of the body,
And a first rib extending from one end of the first lead frame and projecting into an area between the second lead frame and a third side of the body,
And a second rib extending from the other end of the second lead frame to protrude into a region between the first lead frame and a fourth side of the body opposite to the third side of the body,
Wherein at least one of the first rib and the second rib includes protrusions bent in at least one of an upper surface and a lower surface direction of the body. 제7항에 있어서,
상기 몸체의 제1측면과 상기 제1측면의 반대측인 제2측면까지의 상기 돌기의 길이는 상기 제1리브 및 제2리브 중 하나의 길이 중 적어도 하나의 길이보다 긴 발광 소자 패키지.8. The method of claim 7,
Wherein a length of the protrusion from a first side of the body to a second side opposite to the first side is longer than at least one length of one of the first rib and the second rib. 몸체;
상기 몸체의 중심부를 중심으로 서로 대칭적으로 배치되며 다른 영역에 상부가 개방된 제1개방 영역 및 제2개방 영역;
상기 제1개방 영역에 일부가 배치되며 컵 형상을 가지고 제1캐비티를 포함하는 제1리드 프레임;
상기 제2개방 영역에 일부가 배치되며 컵 형상을 가지고 제2캐비티를 포함하는 제2리드 프레임; 및
상기 제1캐비티에 배치되며 상기 제1리드 프레임과 전기적으로 연결되는 제1발광소자와 상기 제2캐비티에 배치되며 상기 제2리드 프레임과 전기적으로 연결되는 제2발광 소자를 포함하고,
상기 제1캐비티에 배치된 상기 제1리드 프레임의 저면은 상기 몸체의 저면으로 노출되고,
상기 제2캐비티에 배치된 상기 제2리드 프레임의 저면은 상기 몸체의 저면으로 노출되며,
상기 제1리드 프레임은 상기 제1리드 프레임으로부터 상기 몸체의 제2측면으로 연장되는 제2본딩부를 포함하고,
상기 제2리드 프레임은 상기 제2리드 프레임으로부터 상기 몸체의 제2측면의 반대측면인 상기 몸체의 제1측면으로 연장되는 제4본딩부를 포함하며,
제1본딩부는 상기 제1리드 프레임의 일부 영역이며,
제3본딩부는 상기 제2리드 프레임의 일부 영역이고,
상기 제2발광소자는 복수의 제1와이어에 의해 상기 제2본딩부 및 상기 제3본딩부와 전기적으로 연결되며,
상기 제1개방 영역과 이격되어 배치되며 상기 몸체의 상부가 개방된 제3개방 영역과 제4개방 영역을 포함하고,
상기 제3개방 영역에는 상기 제4본딩부가 배치되며 상기 제4개방 영역에는 상기 제1본딩부가 배치되고,상기 제2개방 영역과 이격되어 배치되며 상기 몸체의 상부가 개방된 제5개방 영역과 제6개방 영역을 포함하며,
상기 제5개방 영역에는 상기 제3본딩부가 배치되며 상기 제6개방 영역에는 상기 제2본딩부가 배치되는 발광 소자 패키지.Body;
A first open area and a second open area symmetrically arranged with respect to a center of the body,
A first lead frame partly disposed in the first open area and having a cup shape and including a first cavity;
A second lead frame partly disposed in the second open area and having a cup shape and including a second cavity; And
A first light emitting device disposed in the first cavity and electrically connected to the first lead frame, and a second light emitting device disposed in the second cavity and electrically connected to the second lead frame,
The bottom surface of the first lead frame disposed in the first cavity is exposed to the bottom surface of the body,
The bottom surface of the second lead frame disposed in the second cavity is exposed to the bottom surface of the body,
Wherein the first lead frame includes a second bonding portion extending from the first lead frame to a second side of the body,
The second leadframe includes a fourth bonding portion extending from the second leadframe to a first side of the body that is the opposite side of the second side of the body,
The first bonding portion is a portion of the first lead frame,
The third bonding portion is a part of the second lead frame,
The second light emitting device is electrically connected to the second bonding portion and the third bonding portion by a plurality of first wires,
A third open region and a fourth open region that are disposed apart from the first open region and in which an upper portion of the body is opened,
The fourth bonding region is disposed in the third open region, the first bonding region is disposed in the fourth open region, the fifth open region is disposed apart from the second open region and the upper portion of the body is opened, 6 open area,
Wherein the third bonding portion is disposed in the fifth open region and the second bonding portion is disposed in the sixth open region. 제1항 또는 제9항에 있어서,
복수의 제2와이어에 의해 상기 제1본딩부와 상기 제4본딩부는 상기 제1발광 소자와 전기적으로 연결되는 발광 소자 패키지.10. The method of claim 1 or 9,
Wherein the first bonding portion and the fourth bonding portion are electrically connected to the first light emitting element by a plurality of second wires. 제1항, 제7항, 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임 사이에 상기 몸체의 상부가 개방된 제5본딩부를 포함하고,
상기 제5본딩부는 와이어에 의해 상기 제1발광 소자 및 상기 제2발광 소자와 전기적으로 연결되는 발광 소자 패키지.10. A method according to any one of claims 1, 7, and 9,
And a fifth bonding part between the first lead frame and the second lead frame, the upper part of the body being opened,
Wherein the fifth bonding portion is electrically connected to the first light emitting device and the second light emitting device by a wire. 제1항, 제7항, 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 상면 중 적어도 하나에 구멍이 배치되는 발광 소자 패키지. 10. A method according to any one of claims 1, 7, and 9,
And a hole is disposed in at least one of the upper surface of the first lead frame and the upper surface of the second lead frame. 삭제delete
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