KR20180035149A - 다이싱 다이 본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

다이싱 다이 본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 개시는, 접착제층을 고정밀도로 분단할 수 있는 다이싱 다이 본딩 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시는, 세퍼레이터와, 접착제층 및 기재층을 포함하는 필름을 포함하는 다이싱 다이 본딩 테이프에 관한 것이다. 접착제층은, 세퍼레이터와 기재층 사이에 위치한다. 기재층의 양면은, 접착제층과 접한 제1 주면과, 제2 주면으로 정의된다. 필름의 웨이퍼 고정 영역에서, 접착제층 및 기재층에 있어서의 23℃의 90도 박리력은 0.02N/20mm 내지 0.5N/20mm이다. 웨이퍼 고정 영역에서, 접착제층 및 기재층에 있어서의 -15℃의 90도 박리력은 0.1N/20mm 이상이다. 웨이퍼 고정 영역에 대하여 기재층에 있어서의 제1 주면의 표면 자유 에너지는 32 내지 39mN/m이다.

Description

다이싱 다이 본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법{DICING DIE BONDING TAPE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 개시는, 다이싱 다이 본딩 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 분할 예정 라인에 레이저광을 조사하여, 반도체 웨이퍼를 파단하여, 개개의 반도체 칩을 얻는 방법(이하 「스텔스 다이싱(등록 상표)」이라고 하는 경우가 있다.)이나, 반도체 웨이퍼의 표면(겉면)에 홈을 형성 후에 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행함으로써, 개개의 반도체 칩을 형성하는 방법(이하, 「DBG(Dicing Before Grinding)법」이라고 한다.)이 있다.
스텔스 다이싱이나 DBG법에서는, 그 과정에서 다이싱 다이 본딩 테이프가 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본딩 테이프에는, 기재층과 접착제층과 세퍼레이터를 갖고, 접착제층이 기재층과 세퍼레이터 사이에 위치하는 구조의 것이 있다. 기재층과 점착제층과 접착제층과 세퍼레이터를 갖는 다이싱 다이 본딩 테이프도 있다. 전자의 다이싱 다이 본딩 테이프는, 후자의 다이싱 다이 본딩 테이프에 비하여 저렴하게 제조할 수 있다.
스텔스 다이싱이나 DBG법에서는, 저온 하에서 접착제층을 분단하는 경우가 있다.
일본 특허 공개 제2004-250572호 공보 일본 특허 제5305501호
본 개시는, 접착제층을 고정밀도로 분단할 수 있는 다이싱 다이 본딩 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 개시는, 접착제층을 고정밀도로 분단할 수 있는, 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시는, 세퍼레이터와, 접착제층 및 기재층을 포함하는 필름을 포함하는 다이싱 다이 본딩 테이프에 관한 것이다. 접착제층은, 세퍼레이터와 기재층 사이에 위치한다. 기재층의 양면은, 접착제층과 접한 제1 주면과, 제2 주면으로 정의된다. 필름의 웨이퍼 고정 영역에서, 접착제층 및 기재층에 있어서의 23℃의 90도 박리력은 0.02N/20mm 내지 0.5N/20mm이다. 웨이퍼 고정 영역에서, 접착제층 및 기재층에 있어서의 -15℃의 90도 박리력은 0.1N/20mm 이상이다. 웨이퍼 고정 영역에 대하여 기재층에 있어서의 제1 주면의 표면 자유 에너지는 32 내지 39mN/m이다.
접착제층 및 기재층에 있어서의 23℃의 90도 박리력이 0.02N/20mm 이상이므로, 반도체 웨이퍼의 고정부터 반도체 칩의 픽업까지의 과정에서, 반도체 웨이퍼·반도체 칩이 접착제층으로부터 박리되기 어렵다. 접착제층 및 기재층에 있어서의 -15℃의 90도 박리력이 0.1N/20mm 이상이므로, 접착제층을 고정밀도로 분단할 수 있다. 접착제층에 힘이 효과적으로 전해지기 때문이라고 생각된다. 23℃의 90도 박리력이 0.5N/20mm 이하이므로, 반도체 웨이퍼를 분단 후에, 접착제층이 구비된 반도체 칩을 곤란 없이 박리할 수 있다. 기재층에 있어서의 제1 주면의 표면 자유 에너지 E1이 32mN/ｍ 이상이므로, 기재층이, 접착제층에 양호한 습윤성을 나타낸다.
본 개시는, 다이싱 다이 본딩 테이프로부터 세퍼레이터를 제거하고, 필름의 접착제층에 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정과, 필름에 인장 응력을 가하여, 분단 후 접착제층이 구비된 반도체 칩을 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 실시 형태 1에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프의 개략 평면도이다.
도 2는 실시 형태 1에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프의 일부의 개략 단면도이다.
도 3은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 사시도이다.
도 4는 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 5는 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 6은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 7은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 8은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 9는 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 10은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 11은 실시 형태 1에 있어서의 반도체 장치 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 12는 변형예 8에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프의 일부의 개략 단면도이다.
도 13은 변형예 9에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프의 일부의 개략 단면도이다.
도 14는 변형예 10에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프의 일부의 개략 단면도이다.
이하에 실시 형태를 기술하여, 본 개시를 상세하게 설명하지만, 본 개시는 이들 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다.
실시 형태 1
도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)는, 세퍼레이터(11)와 다이싱 다이 본딩 필름(12a, 12b, 12c, ……, 12m)(이하, 「다이싱 다이 본딩 필름(12)」이라고 총칭함)을 포함한다. 다이싱 다이 본딩 테이프(1)는 롤 형상을 이룰 수 있다. 세퍼레이터(11)는 테이프 형상을 이룬다. 세퍼레이터(11)는 예를 들어 박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등이다. 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 세퍼레이터(11) 상에 위치하고 있다. 다이싱 다이 본딩 필름(12a)과 다이싱 다이 본딩 필름(12b) 간의 거리, 다이싱 다이 본딩 필름(12b)과 다이싱 다이 본딩 필름(12c) 간의 거리, …… 다이싱 다이 본딩 필름(12l)과 다이싱 다이 본딩 필름(12m) 간의 거리는 일정하다. 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 원반 형상을 이룬다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 웨이퍼 고정 영역(12A)과 다이싱 링 고정 영역(12B)을 포함한다. 웨이퍼 고정 영역(12A)은 예를 들어 원반 형상을 이룰 수 있다. 다이싱 링 고정 영역(12B)은 웨이퍼 고정 영역(12A)의 주변에 위치한다. 다이싱 링 고정 영역(12B)은 예를 들어 도넛판 형상을 이룰 수 있다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)은 접착제층(121)을 포함한다. 접착제층(121)은 원반 형상을 이룬다. 접착제층(121)의 두께는, 예를 들어 2㎛ 이상, 바람직하게는 5㎛ 이상이다. 접착제층(121)의 두께는, 예를 들어 200㎛ 이하, 바람직하게는 150㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 접착제층(121)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 접착제층(121)의 제1 주면은 세퍼레이터(11)와 접하고 있다. 접착제층(121)은 웨이퍼 고정 영역(12A)에 적어도 종속되는 접착제층 제1부(121A)를 포함한다. 접착제층(121)은 다이싱 링 고정 영역(12B)에 적어도 종속되는 접착제층 제2부(121B)를 포함한다. 접착제층(121)은 접착제층 제1부(121A)와 접착제층 제2부(121B) 사이에 위치하는 접착제층 제3부(121C)를 포함한다. 접착제층 제3부(121C)는 접착제층 제1부(121A)와 접착제층 제2부(121B)를 접속하고 있다. 접착제층 제3부(121C)는 예를 들어 도넛판 형상을 이룰 수 있다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)은 기재층(122)을 포함한다. 기재층(122)은 원반 형상을 이룬다. 기재층(122)의 두께는, 예를 들어 50㎛ 이상, 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 기재층(122)의 두께는, 예를 들어 200㎛ 이하, 바람직하게는 170㎛ 이하이다. 기재층(122)의 양면은, 접착제층(121)과 접한 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 기재층(122)의 제1 주면은, 웨이퍼 고정 영역(12A)에 제1 영역(122A)을 포함한다. 제1 영역(122A)은 전처리되어 있지 않은 영역이다. 전처리는, 코로나 방전 처리, 플라스마 처리, 하도제의 도포, 박리 처리, 엠보싱, 자외선 처리, 가열 처리 등이다. 박리 처리를 위한 박리제는, 예를 들어 실리콘계 박리제, 불소계 박리제를 들 수 있다. 기재층(122)의 제1 주면은, 다이싱 링 고정 영역(12B)에 제2 영역(122B)을 포함한다. 제2 영역(122B)은 코로나 방전 처리된 영역이다.
웨이퍼 고정 영역(12A)에 관한 기재층(122)에 있어서의 제1 주면의 표면 자유 에너지 E1은 32mN/ｍ 이상이다. 32mN/ｍ 이상이므로, 기재층(122)이 접착제층(121)에 양호한 습윤성을 나타낸다. E1의 상한은, 예를 들어 39mN/m, 바람직하게는 36mN/m이다. 39mN/m 이하이면, 기재층(122)의 접착제층(121)에 대한 밀착성이 너무 높지 않으므로, 반도체 웨이퍼를 분단 후에, 접착제층이 구비된 반도체 칩을 곤란 없이 박리할 수 있다.
웨이퍼 고정 영역(12A)에 관한 접착제층(121)에 있어서의 제2 주면의 표면 자유 에너지 E2는, 바람직하게는 33mN/ｍ 이상, 바람직하게는 34mN/ｍ 이상이다. E2의 상한은, 예를 들어 50mN/m, 바람직하게는 45mN/m이다.
웨이퍼 고정 영역(12A)에 관한 접착제층(121)에 있어서의 제1 주면의 표면 자유 에너지는, 바람직하게는 33mN/ｍ 이상, 바람직하게는 34mN/ｍ 이상이다. 33mN/m 이상이면 접착제층(121)을 세퍼레이터(11)로부터 곤란 없이 박리할 수 있다. 접착제층(121)에 있어서의 제1 주면의 표면 자유 에너지의 상한은, 예를 들어 50mN/m, 바람직하게는 45mN/m이다. 50mN/m 이하이면, 접착제층(121)을 제작하기 위한 액을 세퍼레이터(11)에 곤란 없이 도포 시공할 수 있다.
E2와 E1의 차는, 바람직하게는 15mN/m 이하, 보다 바람직하게는 13mN/m 이하이다. E2와 E1의 차는, 바람직하게는 1mN/ｍ 이상이다. 1mN/m 미만일 때, 또는 15mN/m을 초과할 때는, 접착제층(121) 및 기재층(122)에 있어서의 23℃의 90도 박리력이 너무 높아지는 경향이 있다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)의 웨이퍼 고정 영역(12A)에 있어서, 접착제층(121) 및 기재층(122)에 있어서의 23℃의 90도 박리력은 0.02N/20mm 이상이다. 0.02N/20mm 이상이므로, 반도체 웨이퍼의 고정부터 반도체 칩의 픽업까지의 과정에서, 반도체 웨이퍼·반도체 칩이 접착제층(121)으로부터 박리되기 어렵다. 23℃의 90도 박리력이 0.1N/20mm 이상이면, 세퍼레이터(11)를 다이싱 다이 본딩 필름(12)으로부터 제거할 때에, 접착제층(121)이 세퍼레이터(11)를 따라가는 것을 방지할 수 있다. 23℃의 90도 박리력의 상한은, 0.5N/20mm이며, 바람직하게는 0.3N/20mm이다. 0.5N/20mm 이하이므로, 반도체 웨이퍼를 분단 후에, 접착제층이 구비된 반도체 칩을 곤란 없이 박리할 수 있다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)의 웨이퍼 고정 영역(12A)에 있어서, 접착제층(121) 및 기재층(122)에 있어서의 -15℃의 90도 박리력은 0.1N/20mm 이상이며, 바람직하게는 0.3N/20mm 이상이다. 0.1N/20mm 이상이므로, 접착제층을 고정밀도로 분단할 수 있다. 접착제층에 힘이 효과적으로 전해지기 때문이라고 생각된다. -15℃의 90도 박리력의 상한은, 예를 들어 10N/20mm이다.
기재층(122)은 예를 들어 폴리에테르에테르케톤 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리아릴레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름(EVA 필름), 아이오노머 수지 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름 및 폴리카르보네이트 필름 등의 플라스틱 필름 등으로부터 선택하는 것이 가능하다. 기재층(122)은 어느 정도의 신축성을 갖는 것이 바람직하기 때문에, 바람직하게는 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름이다.
접착제층(121)에 있어서의 23℃의 저장 탄성률은, 바람직하게는 10GPa 이하, 보다 바람직하게는 5GPa 이하이다. 10GPa 이하이면, 기재층(122)과의 밀착성이 높고, 분단 후에 접착제층(121)과 기재층(122) 사이에 박리가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 23℃에서의 저장 탄성률의 하한은, 예를 들어 1MPa이다.
접착제층(121)은 수지 성분을 포함한다. 수지 성분으로서는, 열가소성 수지, 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어 아크릴 수지를 들 수 있다.
아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한, 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.
아크릴 수지 중에서도 중량 평균 분자량이 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만 내지 300만인 것이 보다 바람직하고, 50만 내지 200만인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 수치 범위 내이면, 접착성 및 내열성이 우수하기 때문이다. 또한, 중량 평균 분자량은 GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값이다.
아크릴 수지는 관능기를 포함하는 것이 바람직하다. 관능기는, 예를 들어 히드록실기, 카르복시기, 니트릴기 등이다. 히드록실기, 카르복시기가 바람직하다.
수지 성분 100중량％ 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상이다. 10중량％ 이상이면 가요성이 양호하다. 수지 성분 100중량％ 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 80중량％ 이하, 보다 바람직하게는 70중량％ 이하이다.
열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하여, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 100g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 120g/eq. 이상이다. 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 1000g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 500g/eq. 이하이다.
또한, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, JIS K 7236-2009에 규정된 방법으로 측정할 수 있다.
페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 150g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 200g/eq. 이상이다. 페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 500g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 300g/eq. 이하이다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은, 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 이러한 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
수지 성분 100중량％ 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 20중량％ 이상, 보다 바람직하게는 30중량％ 이상이다. 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 90중량％ 이하, 보다 바람직하게는 80중량％ 이하이다.
접착제층(121)은 무기 충전제를 포함할 수 있다. 무기 충전제로서는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납, 카본 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 실리카, 알루미나, 은 등이 바람직하고, 실리카가 보다 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 바람직하게는 0.001㎛ 내지 1㎛이다. 필러의 평균 입경은 다음 방법으로 측정할 수 있다. 접착제층(121)을 도가니에 넣고, 대기 분위기 하에서, 700℃에서 2시간 강열하여 회화시켜, 얻어진 회분을 순수 중에 분산시켜서 10분간 초음파 처리하고, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(베크만 콜터사 제조, 「LS 13 320」; 습식법)를 사용하여 평균 입경을 구한다.
접착제층(121) 중의 무기 충전제의 함유량은, 바람직하게는 0중량％ 이상, 보다 바람직하게는 1중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 3중량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 20중량％ 이상이다. 접착제층(121) 중의 무기 충전제의 함유량은, 바람직하게는 85중량％ 이하, 보다 바람직하게는 20중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 15중량％ 이하이다.
접착제층(121)은 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들어 실란 커플링제, 경화 촉진제, 가교제 등을 적절히 함유해도 된다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)의 제작 방법은, 예를 들어 기재층(122)의 제2 영역(122B)에 코로나 방전 처리하는 공정과, 기재층(122) 상에 접착제층(121)을 형성하는 공정을 포함한다. 코로나 처리는, 플라스틱 필름, 종이, 금속박 등의 기재 표면을 코로나 방전 조사에 의해 개질하는 표면 처리 기술이다. 금속 전극의 사이에 유전체를 삽입하고, 고주파 고전압을 인가하면, 전극 간에 스트리머 코로나라고 불리는, 필라멘트 형상의 플라스마가 시간적, 공간적으로 랜덤하게 형성된다. 고에너지의 전자는, 대향 전극측을 통과하는 고분자 필름의 표면층에 도달하고, 고분자 결합의 주쇄나 측쇄를 분리한다. 절단된 고분자 표층은 라디칼한 상태가 되고, 기상 중의 산소 라디칼이나 오존층이 주쇄나 측쇄와 재결합함으로써, 수산기, 카르보닐기 등의 극성 관능기가 도입된다. 기재 표면에 친수성이 부여되기 때문에, 소수성 고분자에 대한 밀착성(습윤성)이 향상되어, 접착력이 높아진다. 도입된 관능기와 접착제층(121)이 화학적으로 결합하면, 접착력이 더욱 높아진다. 코로나 방전 처리 후에 있어서의 기재층(122)의 표면 에너지는, 예를 들어 30dyne/㎝ 이상, 바람직하게는 35dyne/㎝ 이상이다.
코로나 처리를 부분적으로 행하기 위한 주된 방법으로서, 두가지 방법을 들 수 있다. 첫번째는, 기재층(122)의 일부를, 코로나 처리되지 않도록 마스크(차폐물)로 보호하는 방법이다. 기재층(122)과 방전 전극의 사이에 마스크를 배치함으로써, 기재층(122)의 일부를 마스크로 차폐한다. 마스크는, 예를 들어 비도전 재료를 포함한다. 마스크를 복수 갖는 롤 형상의 물체, 마스크를 복수 갖는 긴 형상의 비접착성 필름, 마스크를 복수 갖는 약점착의 테이프는, 반복 사용할 수 있다. 두번째는, 방전 전극과 요철을 갖는 유전체 롤의 사이에 기재층(122)을 통과시키는 방법이다. 이 방법으로는, 볼록부만을 개질할 수 있다. 유전체 롤은, 예를 들어 금속 코어과, 금속 코어에 둘러 감긴 유전체층을 포함한다. 유전체층이 요철을 갖는다. 오목부와 전극 사이의 거리는, 바람직하게는 2㎜ 이상이다. 유전체층은, 예를 들어 절연성과 도전성과 코로나 방전 내성을 가질 수 있다. 유전체층은, 예를 들어 염소계 고무, PET 고무, 실리콘 고무, 세라믹 등을 포함한다. 두번째 방법은, 첫번째 방법보다 간단하다. 그러나, 두번째 방법은, 코로나 처리부와 미처리부 사이의 경계가 첫번째의 방법보다도 애매해지는 경향이 있다.
다이싱 다이 본딩 테이프(1)는, 반도체 장치를 제조하기 위해 사용할 수 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)의 내부에 집광점을 맞추고, 격자 상의 분할 예정 라인(4L)을 따라서 레이저광(100)을 조사하고, 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)에 개질 영역(41)을 형성하여, 반도체 웨이퍼(4)를 얻는다. 조사 전 반도체 웨이퍼(4P)로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.
레이저광(100)의 조사 조건은, 예를 들어, 이하의 조건의 범위 내에서 적절히 조정할 수 있다.
(A) 레이저광(100)
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저
파장 1064nm
레이저광 스폿 단면적 3.14×10- 8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100kHz 이하
펄스폭 1μs 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 조사 전 반도체 웨이퍼가 적재되는 적재대의 이동 속도 280mm/초 이하
도 4에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)는 개질 영역(41)을 포함한다. 개질 영역(41)은 그 밖의 영역과 비교하여 취성이다. 반도체 웨이퍼(4)는 반도체 칩(5A, 5B, 5C, ……, 5F)을 더 포함한다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)로부터 세퍼레이터(11)를 제거하고, 다이싱 링(31)과 가열 테이블에 의해 데워진 반도체 웨이퍼(4)를 롤로 다이싱 다이 본딩 필름(12)에 고정한다. 반도체 웨이퍼(4)는 웨이퍼 고정 영역(12A)에 고정된다. 반도체 웨이퍼(4)의 고정은, 예를 들어 40℃ 이상, 바람직하게는 45℃ 이상, 보다 바람직하게는 50℃ 이상, 더욱 바람직하게는 55℃ 이상에서 행한다. 반도체 웨이퍼(4)를 고정은, 예를 들어 100℃ 이하, 바람직하게는 90℃ 이하에서 행한다. 반도체 웨이퍼(4)의 고정 압력은, 예를 들어 1×105Pa 내지 1×107Pa이다. 롤 속도는, 예를 들어 10mm/sec이다. 다이싱 링(31)은 다이싱 링 고정 영역(12B)에 고정된다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(12)의 하방에 위치하는 밀어올림 수단(33)으로 다이싱 다이 본딩 필름(12)을 밀어올려서, 다이싱 다이 본딩 필름(12)을 확장한다. 확장의 온도는, 바람직하게는 10℃ 이하, 보다 바람직하게는 0℃ 이하이다. 온도의 하한은 예를 들어 -20℃이다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)의 확장에 의해, 개질 영역(41)을 기점으로 반도체 웨이퍼(4)가 분단됨과 함께, 접착제층(121)도 분단된다. 이 결과, 분단 후 접착제층(121A)이 구비된 반도체 칩(5A)이 기재층(122) 상에 형성된다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 밀어올림 수단(33)을 하강시킨다. 이 결과, 다이싱 다이 본딩 필름(12)에 늘어짐이 발생한다. 늘어짐은 웨이퍼 고정 영역(12A)의 주변에 발생한다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(12)의 하방에 위치하는 흡착 테이블(32)로 다이싱 다이 본딩 필름(12)을 밀어올려 확장하고, 확장을 유지하면서 흡착 테이블(32)에 다이싱 다이 본딩 필름(12)을 흡인 고정한다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 흡착 테이블(32)에 다이싱 다이 본딩 필름(12)을 흡인 고정한 채, 흡착 테이블(32)을 하강시킨다.
흡착 테이블(32)에 다이싱 다이 본딩 필름(12)을 흡인 고정한 채, 다이싱 다이 본딩 필름(12)의 늘어짐에 열풍을 쏘아서, 늘어짐을 제거한다. 열풍의 온도는, 바람직하게는 170℃ 이상, 보다 바람직하게는 180℃ 이상이다. 열풍 온도의 상한은, 예를 들어 240℃, 바람직하게는 220℃이다.
분단 후 접착제층(121A)이 구비된 반도체 칩(5A)을 기재층(122)으로부터 박리한다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 분단 후 접착제층(121A)이 구비된 반도체 칩(5A)을 피착체(6)에 압착한다. 압착은, 예를 들어 80℃ 이상, 바람직하게는 90℃ 이상에서 압착을 행한다. 예를 들어 150℃ 이하, 바람직하게는 130℃ 이하에서 행한다. 피착체(6)는 예를 들어 리드 프레임, 인터포저, TAB 필름, 반도체 칩 등이다. 피착체(6)는 단자부를 갖는다.
반도체 칩(5A)이 구비된 피착체(6)를 가압 분위기 하에서 가열함으로써 분단 후 접착제층(121)을 경화시킨다. 가압 분위기는, 예를 들어 0.5kg/㎠(4.9×10-2MPa) 이상, 바람직하게는 1kg/㎠(9.8×10-2MPa) 이상, 보다 바람직하게는 5kg/㎠(4.9×10-1MPa) 이상이다. 예를 들어 120℃ 이상, 바람직하게는 150℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상에서 가열을 행한다. 상한은, 예를 들어 260℃, 200℃, 180℃ 등이다.
도 11에 도시하는 바와 같이, 반도체 칩(5A)의 전극 패드와 피착체(6)의 단자부를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하고, 밀봉 수지(8)로 반도체 칩(5A)을 밀봉한다.
이상의 방법에 의해 얻어진 반도체 장치는, 반도체 칩(5A)과 피착체(6)와 다이싱 후 접착제층(121)을 포함한다. 다이싱 후 접착제층(121)은 반도체 칩(5A)과 피착체(6)를 접착하고 있다. 반도체 장치는, 반도체 칩(5A)을 덮는 밀봉 수지(8)를 더 포함한다.
이상과 같이, 반도체 장치의 제조 방법은, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)로부터 세퍼레이터(11)를 제거하고, 다이싱 다이 본딩 필름(12)의 접착제층(121)에 반도체 웨이퍼(4)를 고정하는 공정과, 다이싱 다이 본딩 필름(12)에 인장 응력을 가하고, 분단 후 접착제층(121A)이 구비된 반도체 칩(5A)을 형성하는 공정을 포함한다.
변형예 1
제2 영역(122B)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다.
하도제와 기재층(122)은 화학적으로 결합되어 있는 것이 바람직하다. 하도제는, 기재층(122)과 화학적으로 결합 가능하고, 접착제층 제2부(121B)에 대하여 강한 접착력을 나타낼 수 있는 것이 적합하다. 하도제는, 예를 들어 가교제와 중합체를 포함한다. 하도제의 가교제는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제 등이다. 저온에서 단시간에 반응할 수 있다는 관점에서, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제가 바람직하다. 하도제의 중합체는, 가교제와 반응 가능한 관능기를 가질 수 있다. 관능기는, 예를 들어 수산기 등이다. 하도제의 두께는 예를 들어 1㎛이다.
변형예 2
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리된 영역이다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)의 제작 방법은, 예를 들어 기재층(122)에 코로나 방전 처리하는 공정과, 기재층(122) 상에 접착제층(121)을 형성하는 공정을 포함한다. 기재층(122)에 코로나 방전 처리하는 공정에서는, 제1 영역(122A)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도를, 제2 영역(122B)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도보다 낮게 할 수 있다. 제1 영역(122A)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도는, 제2 영역(122B)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도와 같을 수도 있다. 이 경우에는, 접착제층 제1부(121A)는 이형제를 포함하는 것이 바람직하다. 이형제로서는, 불소계, 실리콘계, 오일계 이형제 등을 들 수 있다. 한편, 접착제층 제2부(121B)는, 이러한 이형제를 포함하지 않는 것이 바람직하다.
변형예 3
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다.
하도제의 극성과 접착제층 제1부(121A)의 극성 사이의 양자는, 크게 상이한 것이 바람직하다. 하도제의 표면 에너지는, 예를 들어 5dyne/㎝ 이상 30dyne/㎝ 미만이다. 접착제층 제1부(121A)의 표면 에너지는, 예를 들어 30dyne/㎝를 초과하고 50dyne/㎝ 이하이다. 하도제의 탄성률이 낮으면, 접착제층 제1부(121A)와 기재층(122) 사이의 박리력이 너무 높아지는 경우가 있기 때문에, 실온에서의 하도제의 적합한 탄성률은, 예를 들어 100㎫ 이상이다. 하도제의 적합한 예는, 변형예 1을 준용한다.
제1 영역(122A)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도는, 제2 영역(122B)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도와 같을 수 있다. 양자는 상이해도 된다.
변형예 4
기재층(122)의 제1 주면은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 면이다.
제1 영역(122A)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도는, 제2 영역(122B)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도와 같을 수 있다. 양자는 상이해도 된다. 하도제의 적합한 예는 변형예 1을 준용한다.
변형예 5
제1 영역(122A)은 엠보스 가공된 영역이다.
변형예 6
제2 영역(122B)은 엠보스 가공된 영역이다.
변형예 7
기재층(122)의 제1 주면은 엠보스 가공된 면이다.
변형예 8
도 12에 도시하는 바와 같이, 접착제층(121)은 접착제층 제1부(121A)와 접착제층 제2부(121B)를 포함하고, 접착제층 제3부(121C)를 포함하지 않는다. 접착제층 제1부(121A)는, 예를 들어 원반 형상을 이룬다. 접착제층 제2부(121B)는, 예를 들어 도넛판 형상을 이룬다. 접착제층 제2부(121B)는, 접착제층 제1부(121A)와 접하고 있지 않다.
접착제층 제2부(121B)의 조성·물성은, 접착제층 제1부(121A)의 조성·물성과 상이할 수 있다. 접착제층 제1부(121A)의 조성·물성의 적합한 예는, 실시예 1을 준용한다. 접착제층 제2부(121B)는, 점착성을 갖는 것이 바람직하다. 접착제층 제2부(121B)를 구성하는 점착제에는, 예를 들어 아크릴계, 고무계, 비닐알킬에테르계, 실리콘계, 폴리에스테르계, 폴리아미드계, 우레탄계, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 등의 공지된 점착제를 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
접착제층 제2부(121B)는, 코로나 방전 처리된 제2 영역(122B)에 있어서의 수산기, 카르복실산기 등의 관능기와 반응할 수 있는 가교제와, 수지 성분을 포함하는 것이 바람직하다.
수지 성분은, 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 접착제층 제2부(121B)와 기재층(122)을 화학적으로 결합할 수 있기 때문이다. 열가소성 수지의 관능기는, 예를 들어 수산기, 카르복실산기, 에폭시기, 아민기, 티올기, 페놀기 등이다. 열가소성 수지로서는, 관능기의 조정 등의 관점에서 아크릴계 중합체가 바람직하다. 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸 등의 (메트)아크릴산 C1-C20 알킬에스테르 등의 (메트)아크릴산 알킬에스테르의 단독 또는 공중합체; (메트)아크릴산 알킬에스테르와, 다른 공중합성 단량체-예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 푸마르산, 무수 말레산 등의 카르복실기 또는 산 무수물기 함유 단량체; (메트)아크릴산2-히드록시에틸 등의 히드록실기 함유 단량체; (메트)아크릴산 모르포릴 등의 아미노기 함유 단량체; (메트)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 단량체; (메트)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 단량체; (메트)아크릴산 이소보르닐 등의 지환식 탄화수소기를 갖는(메트)아크릴산에스테르 등-와의 공중합체 등을 들 수 있다. 접착제층 제2부(121B) 중의 수지 성분의 함유량은, 예를 들어 94중량％ 이상, 바람직하게는 95중량％ 이상이다. 접착제층 제2부(121B) 중의 수지 성분의 함유량은, 예를 들어 99.99중량％ 이하, 바람직하게는 99.97중량％ 이하이다.
가교제는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 과산화물 등이다. 가교제는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합할 수 있다. 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제가 바람직하다. 이소시아네이트계 가교제는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 크실렌디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 이소시아네이트 등이다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 부틸렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류, 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 폴리메틸렌폴리페닐이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트류, 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 코로네이트 L), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 코로네이트 HL), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 코로네이트 HX) 등의 이소시아네이트 부가물, 크실릴렌디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 부가물(미쓰이 가가쿠사 제조, 상품명 D110N), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 부가물(미쓰이 가가쿠사 제조, 상품명 D160N); 폴리에테르폴리이소시아네이트, 폴리에스테르폴리이소시아네이트, 및 이것들과 각종 폴리올과의 부가물, 이소시아누레이트 결합, 뷰렛 결합, 알로파네이트 결합 등으로 다관능화된 폴리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들 중, 지방족 이소시아네이트를 사용하는 것이, 반응 속도가 빠르기 때문에 바람직하다. 이소시아네이트계 가교제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 접착제층 제2부(121B) 중의 이소시아네이트계 가교제의 함유량은, 예를 들어 수지 성분 100중량부에 대하여 0.01 내지 5중량부, 바람직하게는 0.03 내지 4중량부이다. 응집력, 내구성 시험에서의 박리의 저지 등을 고려하여 적절히 함유시키는 것이 가능하다.
접착제층(121)은 스크린 인쇄, 로터리 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄, 롤 투 롤 등으로 제작할 수 있다. 생산성의 관점에서 로터리 스크린 인쇄가 바람직하다. 이들 도포 시공 방법은 1종류만을 사용할 수 있고, 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 방법에서는, 도포 시공 중에 바니시가 공기 중에 노출되는 경우가 있다. 도포 시공 중의 바니시 농도의 변화를 억제할 수 있는 저휘발성의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 용제는, 예를 들어 MIBK, 아세트산 부틸, 시클로헥사논, γ부티로락톤, 이소포론, 카르비톨아세테이트, DMSO, DMAc, NMP 등이다.
변형예 8.1
제2 영역(122B)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 8.1은, 변형예 8과 변형예 1의 조합이다. 변형예 8.1의 적합한 예는 변형예 1을 준용한다.
변형예 8.2
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리된 영역이다. 변형예 8.2는 변형예 8과 변형예 2의 조합이다. 변형예 8.2의 적합한 예는 변형예 2를 준용한다.
변형예 8.3
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 8.3은 변형예 8과 변형예 3의 조합이다. 변형예 8.3의 적합한 예는 변형예 3을 준용한다.
변형예 8.4
기재층(122)의 제1 주면은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 면이다. 변형예 8.4는 변형예 8과 변형예 4의 조합이다. 변형예 8.4의 적합한 예는 변형예 4를 준용한다.
변형예 8.5
제1 영역(122A)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 8.5는 변형예 8과 변형예 5의 조합이다.
변형예 8.6
제2 영역(122B)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 8.6은 변형예 8과 변형예 6의 조합이다.
변형예 8.7
기재층(122)의 제1 주면은 엠보스 가공된 면이다. 변형예 8.7은 변형예 8과 변형예 7의 조합이다.
변형예 9
도 13에 도시하는 바와 같이, 접착제층(121)은 제1층(1211)과 제2층(1212)을 포함한다. 제1층(1211)은 원반 형상을 이룬다. 제1층(1211)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 제1층(1211)의 제1 주면은 세퍼레이터(11)와 접하고 있다. 제1층(1211)의 제2 주면은 제2층(1212)과 접하고 있다. 제2층(1212)은 원반 형상을 이룬다. 제2층(1212)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 제2층(1212)의 제1 주면은 제1층(1211)과 접하고 있다. 제2층(1212)의 제2 주면은 기재층(122)과 접하고 있다.
변형예 9.1
제2 영역(122B)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 9.1은 변형예 9와 변형예 1의 조합이다. 변형예 9.1의 적합한 예는 변형예 1을 준용한다.
변형예 9.2
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리된 영역이다. 변형예 9.2는 변형예 9와 변형예 2의 조합이다. 변형예 9.2의 적합한 예는 변형예 2를 준용한다.
변형예 9.3
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 9.3은 변형예 9와 변형예 3의 조합이다. 변형예 9.3의 적합한 예는 변형예 3을 준용한다.
변형예 9.4
기재층(122)의 제1 주면은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 면이다. 변형예 9.4는 변형예 9와 변형예 4의 조합이다. 변형예 9.4의 적합한 예는 변형예 4를 준용한다.
변형예 9.5
제1 영역(122A)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 9.5는 변형예 9와 변형예 5의 조합이다.
변형예 9.6
제2 영역(122B)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 9.6은 변형예 9와 변형예 6의 조합이다.
변형예 9.7
기재층(122)의 제1 주면은 엠보스 가공된 면이다. 변형예 9.7은 변형예 9와 변형예 7의 조합이다.
변형예 10
도 14에 도시하는 바와 같이, 접착제층(121)은 제1층(1211)과 제2층(1212)을 포함한다. 제1층(1211)은 도넛판 형상을 이룬다. 제1층(1211)은 다이싱 링 고정 영역(12B)에 위치한다. 제1층(1211)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 제1층(1211)의 제1 주면은 세퍼레이터(11)와 접하고 있다. 제1층(1211)의 제2 주면은, 제2층(1212)과 접하고 있다. 제1층(1211)은 점착성을 가질 수 있다. 제2층(1212)은 원반 형상을 이룬다. 제2층(1212)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 제2층(1212)의 제1 주면은 다이싱 링 고정 영역(12B)에서 제1층(1211)과 접하고 있다. 제2층(1212)의 제2 주면은 기재층(122)과 접하고 있다.
변형예 10.1
제2 영역(122B)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 10.1은, 변형예 10과 변형예 1의 조합이다. 변형예 10.1의 적합한 예는 변형예 1을 준용한다.
변형예 10.2
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리된 영역이다. 변형예 10.2는 변형예 10과 변형예 2의 조합이다. 변형예 10.2의 적합한 예는 변형예 2를 준용한다.
변형예 10.3
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 10.3은 변형예 10과 변형예 3의 조합이다. 변형예 10.3의 적합한 예는 변형예 3을 준용한다.
변형예 10.4
기재층(122)의 제1 주면은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 면이다. 변형예 10.4는 변형예 10과 변형예 4의 조합이다. 변형예 10.4의 적합한 예는 변형예 4를 준용한다.
변형예 10.5
제1 영역(122A)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 10.5는 변형예 10과 변형예 5의 조합이다.
변형예 10.6
제2 영역(122B)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 10.6은 변형예 10과 변형예 6의 조합이다.
변형예 10.7
기재층(122)의 제1 주면은 엠보스 가공된 면이다. 변형예 10.7은 변형예 10과 변형예 7의 조합이다.
변형예 11
변형예 11에서는, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)를 DBG법에 사용한다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼의 표면(앞면)에 홈이 설치된 반도체 웨이퍼를 백그라인드 필름에 고정하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 행하는 공정과, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)로부터 세퍼레이터(11)를 제거하고, 다이싱 다이 본딩 필름(12)의 접착제층(121)에 연삭 후의 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정과, 다이싱 다이 본딩 필름(12)에 인장 응력을 가하고, 분단 후 접착제층이 구비된 반도체 칩을 형성하는 공정을 포함한다.
이들의 변형예는, 다른 변형예와 조합할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 개시에 관해 실시예를 사용하여 상세하게 설명하지만, 본 개시는 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 내지 4· 비교예 2 내지 3에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
아크릴 중합체·실리카 필러·고형 에폭시 수지·고형 페놀 수지를 표 1에 따라서 메틸에틸케톤에 용해 내지 분산시키고, PET 세퍼레이터에 도포 시공하고, 130℃·2분으로 메틸에틸케톤을 날려서, 두께 10㎛의 접착 필름을 얻었다. 구라시키 보세키사 제조의 두께 130㎛의 EVA 필름에, 코로나 처리기(PILLAR TECHNOLOGIES사 제조의 500 시리즈)를 사용하여 표 1에 나타내는 조건으로 코로나 방전 처리를 행하였다. 코로나 처리 후의 EVA 필름에 접착 필름을, 60℃, 10mm/sec, 0.15MPa로 적층하여, 실시예 1 내지 4·비교예 2 내지 3의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다. 각 다이싱 다이 본딩 필름은, EVA 필름과, EVA 필름 상에 위치하는 접착 필름을 갖는다. EVA 필름의 양면은, 접착 필름과 접한 제1 주면과, 제1 주면에 대향하는 제2 주면으로 정의된다. 접착 필름의 양면은, 제1 주면과, EVA 필름과 접한 제2 주면으로 정의된다. 각 다이싱 다이 본딩 필름은 원반 형상을 이룬다. 각 다이싱 다이 본딩 필름에서는, 웨이퍼 고정 영역의 주변에, 다이싱 링 고정 영역이 위치한다.
코로나 처리량
코로나 처리량은 하기의 식으로 표시된다.
방전 처리량(W·min/㎡)=방전 전극의 전압(W)÷전극 폭(m)÷속도(m/min)
비교예 1에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
EVA 필름에 코로나 방전 처리를 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 수순으로 다이싱 다이 본딩 필름을 제작하였다.
접착 필름과 EVA 필름의 90도 박리력
다이싱 다이 본딩 필름의 접착 필름에 배접 테이프(닛토덴코사 제조의 BT-315)를 실온 23℃에서 붙이고, 길이 120mm×폭 50mm의 다이싱 다이 본딩 필름 시험편을 잘라냈다. 오토그래프 AGS-J(시마즈 세이사쿠쇼 제조)의 챔버를 23℃ 또는 -15℃로 조정하고, 떼어내기 각도 90도, 떼어내기 속도 300mm/min으로 T 박리 시험을 하였다. 박리력의 평균값을 표 1에 나타내었다.
표면 자유 에너지
다이싱 다이 본딩 필름의 접착 필름에 배접 테이프(닛토덴코사 제조의 BT-315)를 실온 23℃·50±10％RH에서 붙이고, 접착 필름을 EVA 필름으로부터 박리하였다. JIS K 6768:1999에 따라 조제한 단계적으로 증가하는 표면 장력을 갖는 일련의 시험용 혼합액을, EVA 필름의 제1 주면과 접착 필름의 제2 주면에 박리 후 5분 이내에 적하하고, 10mm폭의 주걱으로 펼침으로써 길이 5cm 정도의 액막을 형성하고, 2초 후에 액막을 관찰하고, 액막의 형상을 정확하게 2초간 유지하는 시험용 혼합액을 선택하였다. 선택된 시험용 혼합액의 표면 장력을 표 1에 나타내었다.
분단성 · 픽업성
DISCO사 제조 다이싱 장치(DFD6361)를 사용하여, 12인치의 베어 웨이퍼에 8mm×12mm에, 폭 20 내지 25㎛, 깊이 50㎛의 절입을 넣었다. 절입면에 백그라인드 테이프(닛토덴코사 제조의 UB-3083D)를 부착하고, DISCO사 제조의 백그라인드 장치(DGP8760)로 베어 웨이퍼 두께가 20㎛가 될 때까지 연삭을 행하였다. 연삭 후 웨이퍼를, 다이싱 다이 본딩 필름의 접착 필름에 60℃, 0.15MPa, 10mm/sec에서 라미네이터로 접합하였다. 다이싱 다이 본딩 필름의 접착 필름에 60℃, 0.15MPa, 10mm/sec에서 라미네이터로 다이싱 링을 고정하였다. 백그라인드 테이프를 연삭 후 웨이퍼로부터 박리하고, 쿨 익스팬더(DISCO사 제조의 DDS3200)를 사용하여, 냉각 온도 -15℃, 속도 1mm/sec, 늘이기량 11mm로 연삭 후 웨이퍼를 분단하고, 온도 80℃, 속도 1mm/sec, 늘이기량 7mm로 가온 테이블에서 늘이기를 행하고, 200℃에서 열수축(히트 슈링크)시켰다. 이상의 수단으로, 분단 후 접착 필름 구비 칩을 형성하였다. 분단 후 접착 필름이 분단 라인을 따라서 끊어져 있는지를 확인하기 위해서, 분단 후 접착 필름 구비 칩을 각 예에서 30개 관찰하였다. 분단율을 다음 식으로 구하고, 분단율이 80％ 이상을 ○로 하고, 80％ 미만을 ×로 하고, 판정 결과를 표 1에 나타내었다.
분단율
=분단 라인을 따라서 끊어져 있는 분단 후 접착 필름을 갖는 칩의 수/30
픽업성
분단 후 접착 필름 구비 칩을 10개, 신카와사 제조의 다이 본더 SPA300으로 픽업하고, 성공수가 8개 이상인 경우를 ○로 하고, 8개 미만인 경우를 ×로 하였다.
Figure pat00001

Claims (5)

  1. 세퍼레이터와,
    접착제층 및 기재층을 포함하는 필름을 포함하고,
    상기 접착제층은, 상기 세퍼레이터 및 상기 기재층의 사이에 위치하고,
    상기 필름의 웨이퍼 고정 영역에서, 상기 접착제층 및 상기 기재층에 있어서의 23℃의 90도 박리력이 0.02N/20mm 내지 0.5N/20mm이며,
    상기 웨이퍼 고정 영역에서, 상기 접착제층 및 상기 기재층에 있어서의 -15℃의 90도 박리력이 0.1N/20mm 이상이며,
    상기 기재층의 양면은, 상기 접착제층과 접한 제1 주면과, 제2 주면으로 정의되고,
    상기 웨이퍼 고정 영역에 대하여 상기 기재층에 있어서의 상기 제1 주면의 표면 자유 에너지가 32 내지 39mN/m인,
    다이싱 다이 본딩 테이프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접착제층의 양면은, 상기 세퍼레이터와 접한 제1 주면과, 상기 기재층과 접한 제2 주면으로 정의되고,
    상기 웨이퍼 고정 영역에 대하여 상기 접착제층에 있어서의 상기 제2 주면의 표면 자유 에너지를 E2로 하고,
    상기 웨이퍼 고정 영역에 대하여 상기 기재층에 있어서의 상기 제1 주면의 표면 자유 에너지를 E1로 했을 때,
    E2와 E1의 차가 15mN/m 이하인,
    다이싱 다이 본딩 테이프.
  3. 제1항에 있어서, 상기 접착제층의 양면은, 상기 세퍼레이터와 접한 제1 주면과, 상기 기재층과 접한 제2 주면으로 정의되고,
    상기 웨이퍼 고정 영역에 대하여 상기 접착제층에 있어서의 상기 제2 주면의 표면 자유 에너지가 34 내지 50mN/m인,
    다이싱 다이 본딩 테이프.
  4. 제1항에 있어서, 상기 접착제층에 있어서의 23℃의 저장 탄성률이 10GPa 이하인, 다이싱 다이 본딩 테이프.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 다이 본딩 테이프로부터 상기 세퍼레이터를 제거하고, 상기 필름의 상기 접착제층에 반도체 웨이퍼를 고정하는 공정과,
    상기 필름에 인장 응력을 가하고, 분단 후 접착제층이 구비된 반도체 칩을 형성하는 공정을 포함하는
    반도체 장치의 제조 방법.
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