KR20170121064A - 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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KR20170121064A
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유타 기무라
나오히데 다카모토
겐지 오니시
유이치로 시시도
신이치 이노우에
히토시 모리타
마코토 츠네카와
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 어떤 형태는, 칩핑의 발생과 칩 깨짐의 발생을 억제 가능한 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 어떤 형태는, 세퍼레이터와, 필름을 포함하는 테이프에 관한 것이다. 필름은, 접착제층과 기재층을 포함한다. 접착제층은, 세퍼레이터와 기재층의 사이에 위치한다. 필름의 웨이퍼 고정부에 있어서, 접착제층 및 기재층의 90도 박리력은 0.015N/20㎜ 내지 0.4N/20㎜일 수 있다. 필름의 다이싱 링 고정부에 있어서, 접착제층 및 기재층의 180도 박리력은 0.5N/20㎜ 이상일 수 있다.

Description

테이프 및 반도체 장치의 제조 방법{TAPE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
기재층과, 기재층 상에 위치하는 점착제층과, 점착제층 상에 위치하는 접착제층과, 접착제층에 접한 세퍼레이터를 갖는 반도체 장치를 제조하기 위한 테이프(이하, 「3층 테이프」라고 함)가 있다.
기재층과, 기재층 상에 위치하는 접착제층과, 접착제층에 접한 세퍼레이터를 갖는 테이프(이하, 「2층 테이프」라고 하는 경우가 있음)도 있다. 2층 테이프는 3층 테이프와 비교하여 저렴하게 제조할 수 있다.
일본 특허 공개 제2004-281561호 공보 일본 특허 공개 제2014-185285호 공보 일본 특허 제4284922호
2층 테이프는 3층 테이프와 비교하여, 다이싱 시의 칩 절결(이하, 「칩핑」이라고 함)의 발생을 억제하는 것이 어렵다. 2층 테이프는 3층 테이프와 비교하여, 픽업 시의 칩 깨짐의 발생을 억제하는 것도 어렵다. 3층 테이프에서는, 점착제층의 두께나 점착제층의 탄성률을 조정함으로써 다이싱 시의 칩의 진동을 억제할 수 있지만, 2층 테이프는, 기재층과 접착제층을 접속하는 점착제층을 갖지 않는다.
본 발명의 어떤 형태는, 칩핑의 발생과 칩 깨짐의 발생을 억제 가능한 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 어떤 형태는, 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 어떤 형태는, 세퍼레이터와, 필름을 포함하는 테이프에 관한 것이다. 필름은 접착제층과 기재층을 포함한다. 접착제층은 세퍼레이터와 기재층의 사이에 위치한다. 필름의 웨이퍼 고정부에 있어서, 접착제층 및 기재층의 90도 박리력은 0.015N/20㎜ 내지 0.4N/20㎜일 수 있다. 필름의 다이싱 링 고정부에 있어서, 접착제층 및 기재층의 180도 박리력은 0.5N/20㎜ 이상일 수 있다.
웨이퍼 고정부의 90도 박리력이 0.015N/20㎜ 이상이며, 또한 다이싱 링 고정부의 180도 박리력이 0.5N/20㎜ 이상이면, 다이싱 시에 있어서의 반도체 칩의 진동을 억제 가능하고, 칩핑의 발생을 억제할 수 있다. 웨이퍼 고정부의 90도 박리력이 0.4N/20㎜ 이하이면, 픽업 시에 반도체 칩의 깨짐이 발생하기 어려운 경향이 있다.
기재층의 양면은, 접착제층과 접한 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의할 수 있다. 기재층의 제1 주면은, 전처리된 영역을 포함할 수 있다. 기재층의 제1 주면이 전처리된 영역을 포함하지 않을 때, 칩 깨짐은 발생하기 어렵기는 하지만, 다이싱 링에 점착제 잔여가 발생하기 쉬운 경우가 있다. 기재층의 극성은 일반적으로 낮기 때문에, 기재층과 접착제층 사이의 접착력이 낮은 경우가 있기 때문이다. 전처리는 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 하도제의 도포, 박리 처리, 엠보싱, 자외선 처리, 가열 처리 등일 수 있다. 롤 투 롤에 적용할 수 있다는 관점에서는, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 하도제의 도포가 바람직하다. 엠보싱에서는, 요철이 있는 롤 등을 사용할 수 있다. 엠보싱된 영역의 표면 요철은, 예를 들어 0.1㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 일반적으로, 접착제층이 단단할수록, 기재층의 표면 요철에 대하여 점접촉이 되기 때문에, 박리력이 낮아지는 경향이 있다. 한편, 접착제층이 부드러울수록, 접착제층이 표면 요철을 추종하기 때문에, 박리력이 높아지는 경향이 있다.
본 발명의 어떤 형태에서는, 다양한 용도에 테이프를 사용할 수 있다. 예를 들어, 다이싱 다이 본딩을 위해 테이프를 사용할 수 있다. 이때, 접착제층은, 칩 및 피착체를 접착하는 역할 등을 담당할 수 있다. 필름은 웨이퍼 이면 보호 필름, 언더필 필름, 밀봉 필름으로서도 사용할 수 있다.
본 발명의 어떤 형태는 또한, 반도체 칩 및 다이싱 후 접착제층을 포함하는 다이싱 후 칩을 형성하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 다이싱 후 칩을 형성하는 공정은, 적층체를 형성하는 스텝을 포함한다. 적층체는 필름과, 웨이퍼 고정부에 고정된 반도체 웨이퍼와 다이싱 링 고정부에 고정된 다이싱 링을 포함한다. 적층체를 형성하는 스텝은, 테이프로부터 세퍼레이터를 제거하는 단계를 포함한다.
도 1은 다이싱 다이 본딩 테이프의 개략 평면도이다.
도 2는 다이싱 다이 본딩 테이프의 일부의 개략 단면도이다.
도 3은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 4는 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 5는 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 6은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 7은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 8은 변형예 8에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프의 일부의 개략 단면도이다.
도 9는 변형예 9에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프의 일부의 개략 단면도이다.
도 10은 변형예 10에 있어서의 다이싱 다이 본딩 테이프의 일부의 개략 단면도이다.
도 11은 실시예 1 등에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 개략 단면도이다.
도 12는 실시예 5에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 개략 단면도이다.
도 13은 실시예 6에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 개략 단면도이다.
도 14는 실시예 7에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 개략 단면도이다.
도 15는 실시예 8에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 개략 단면도이다.
도 16은 실시예 9에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 개략 단면도이다.
도 17은 비교예 4에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 개략 단면도이다.
이하에 실시 형태를 예로 들어 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다.
실시 형태 1
도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)는, 세퍼레이터(11)와 다이싱 다이 본딩 필름(12a, 12b, 12c, ……, 12m)(이하, 「다이싱 다이 본딩 필름(12)」이라고 총칭함)을 포함한다. 다이싱 다이 본딩 테이프(1)는 롤 형상을 이룰 수 있다. 세퍼레이터(11)는 테이프 형상을 이룬다. 세퍼레이터(11)는 예를 들어 박리 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등이다. 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 세퍼레이터(11) 상에 위치하고 있다. 다이싱 다이 본딩 필름(12a)과 다이싱 다이 본딩 필름(12b) 간의 거리, 다이싱 다이 본딩 필름(12b)과 다이싱 다이 본딩 필름(12c) 간의 거리, …… 다이싱 다이 본딩 필름(12l)과 다이싱 다이 본딩 필름(12m) 간의 거리는 일정하다. 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 원반 형상을 이룬다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(12)은 웨이퍼 고정부(12A)와 다이싱 링 고정부(12B)를 포함한다. 웨이퍼 고정부(12A)는, 예를 들어 원반 형상을 이룰 수 있다. 다이싱 링 고정부(12B)는, 웨이퍼 고정부(12A)의 주변에 위치한다. 다이싱 링 고정부(12B)는, 예를 들어 도넛판 형상을 이룰 수 있다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)은 접착제층(121)을 포함한다. 접착제층(121)은 원반 형상을 이룬다. 접착제층(121)의 두께는, 예를 들어 2㎛ 이상, 바람직하게는 10㎛ 이상이다. 접착제층(121)의 두께는, 예를 들어 200㎛ 이하, 바람직하게는 150㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하이다. 접착제층(121)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 접착제층(121)의 제1 주면은 세퍼레이터(11)와 접하고 있다. 접착제층(121)은 웨이퍼 고정부(12A)에 적어도 종속되는 접착제층 제1부(121A)를 포함한다. 접착제층(121)은 다이싱 링 고정부(12B)에 적어도 종속되는 접착제층 제2부(121B)를 포함한다. 접착제층(121)은 접착제층 제1부(121A)와 접착제층 제2부(121B)의 사이에 위치하는 접착제층 제3부(121C)를 포함한다. 접착제층 제3부(121C)는, 접착제층 제1부(121A)와 접착제층 제2부(121B)를 접속하고 있다. 접착제층 제3부(121C)는, 예를 들어 도넛판 형상을 이룰 수 있다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)은 기재층(122)을 포함한다. 기재층(122)은 원반 형상을 이룬다. 기재층(122)의 두께는, 예를 들어 50㎛ 내지 150㎛이다. 기재층(122)의 양면은, 접착제층(121)과 접한 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 기재층(122)의 제1 주면은, 웨이퍼 고정부(12A)에 제1 영역(122A)을 포함한다. 제1 영역(122A)은, 전처리되어 있지 않은 영역이다. 전처리는, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 하도제의 도포, 박리 처리, 엠보싱, 자외선 처리, 가열 처리 등이다. 박리 처리를 위한 박리제는, 예를 들어 실리콘계 박리제, 불소계 박리제를 들 수 있다. 기재층(122)의 제1 주면은, 다이싱 링 고정부(12B)에 제2 영역(122B)을 포함한다. 제2 영역(122B)은 코로나 방전 처리된 영역이다.
웨이퍼 고정부(12A)에 있어서, 접착제층(121) 및 기재층(122)의 90도 박리력은 0.015N/20㎜ 내지 0.4N/20㎜이다. 다이싱 링 고정부(12B)에 있어서, 접착제층(121) 및 기재층(122)의 180도 박리력은 0.5N/20㎜ 이상이다. 웨이퍼 고정부(12A)의 90도 박리력이 0.015N/20㎜ 이상이며, 또한 다이싱 링 고정부(12B)의 180도 박리력이 0.5N/20㎜ 이상이므로, 다이싱 시에 있어서의 반도체 칩의 진동을 억제 가능하여, 칩핑의 발생을 억제할 수 있다. 다이싱 링 고정부(12B)의 180도 박리력이 0.5N/20㎜ 이상이므로, 다이싱 링의 접착제 잔류를 억제할 수 있다. 웨이퍼 고정부(12A)의 90도 박리력이 0.4N/20㎜ 이하이므로, 픽업 시에 반도체 칩의 깨짐이 발생하기 어려운 경향이 있다.
기재층(122)은 예를 들어 폴리에테르에테르케톤 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리아릴레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름 및 폴리카르보네이트 필름 등의 플라스틱 필름 등으로부터 선택하는 것이 가능하다. 기재층(122)은 어느 정도의 신축성을 갖는 것이 바람직하기 때문에, 바람직하게는 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름이다.
접착제층(121)은 수지 성분을 포함한다. 수지 성분으로서는, 열가소성 수지, 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어 아크릴 수지를 들 수 있다.
아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한, 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.
아크릴 수지 중에서도 중량 평균 분자량이 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만 내지 300만인 것이 보다 바람직하고, 50만 내지 200만인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 수치 범위 내이면, 접착성 및 내열성이 우수하기 때문이다. 또한, 중량 평균 분자량은 GPC(겔·투과·크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값이다.
아크릴 수지는 관능기를 포함하는 것이 바람직하다. 관능기는, 예를 들어 히드록실기, 카르복시기, 니트릴기 등이다. 히드록실기, 카르복시기가 바람직하다.
수지 성분 100중량％ 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상이다. 10중량％ 이상이면 가요성이 양호하다. 수지 성분 100중량％ 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 80중량％ 이하, 보다 바람직하게는 70중량％ 이하이다.
열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하여, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 100g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 120g/eq. 이상이다. 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 1000g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 500g/eq. 이하이다.
또한, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, JIS K 7236-2009에 규정된 방법으로 측정할 수 있다.
페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 150g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 200g/eq. 이상이다. 페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 500g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 300g/eq. 이하이다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은, 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 이러한 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
수지 성분 100중량％ 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 20중량％ 이상, 보다 바람직하게는 30중량％ 이상이다. 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 90중량％ 이하, 보다 바람직하게는 80중량％ 이하이다.
접착제층(121)은 무기 충전제를 포함할 수 있다. 무기 충전제로서는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납, 카본 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 실리카, 알루미나, 은 등이 바람직하고, 실리카가 보다 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 바람직하게는 0.001㎛ 내지 1㎛이다. 필러의 평균 입경은 다음 방법으로 측정할 수 있다. 접착제층(121)을 도가니에 넣고, 대기 분위기 하에서, 700℃에서 2시간 강열하여 회화시켜, 얻어진 회분을 순수 중에 분산시켜서 10분간 초음파 처리하고, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(베크만 콜터사 제조, 「LS 13 320」; 습식법)를 사용하여 평균 입경을 구한다.
접착제층(121) 중의 무기 충전제의 함유량은, 바람직하게는 0중량％ 이상, 보다 바람직하게는 1중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 3중량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 20중량％ 이상이다. 접착제층(121) 중의 무기 충전제의 함유량은, 바람직하게는 85중량％ 이하, 보다 바람직하게는 20중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 15중량％ 이하이다.
접착제층(121)은 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들어 실란 커플링제, 경화 촉진제, 가교제 등을 적절히 함유해도 된다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)의 제작 방법은, 예를 들어 기재층(122)의 제2 영역(122B)에 코로나 방전 처리하는 공정과, 기재층(122) 상에 접착제층(121)을 형성하는 공정을 포함한다. 코로나 처리는, 플라스틱 필름, 종이, 금속박 등의 기재 표면을 코로나 방전 조사에 의해 개질하는 표면 처리 기술이다. 금속 전극의 사이에 유전체를 삽입하고, 고주파 고전압을 인가하면, 전극 간에 스트리머 코로나라고 불리는, 필라멘트 형상의 플라즈마가 시간적, 공간적으로 랜덤하게 형성된다. 고에너지의 전자는, 대향 전극측을 통과하는 고분자 필름의 표면층에 도달하고, 고분자 결합의 주쇄나 측쇄를 분리한다. 절단된 고분자 표층은 라디칼한 상태가 되고, 기상 중의 산소 라디칼이나 오존층이 주쇄나 측쇄와 재결합함으로써, 수산기, 카르보닐기 등의 극성 관능기가 도입된다. 기재 표면에 친수성이 부여되기 때문에, 소수성 고분자에 대한 밀착성(습윤성)이 향상되어, 접착력이 높아진다. 도입된 관능기와 접착제층(121)이 화학적으로 결합하면, 접착력이 더욱 높아진다. 코로나 방전 처리 후에 있어서의 기재층(122)의 표면 에너지는, 예를 들어 30dyne/㎝ 이상, 바람직하게는 35dyne/㎝ 이상이다.
코로나 처리를 부분적으로 행하기 위한 주된 방법으로서, 두가지 방법을 들 수 있다. 첫번째는, 기재층(122)의 일부를, 코로나 처리되지 않도록 마스크(차폐물)로 보호하는 방법이다. 기재층(122)과 방전 전극의 사이에 마스크를 배치함으로써, 기재층(122)의 일부를 마스크로 차폐한다. 마스크는, 예를 들어 비도전 재료를 포함한다. 마스크를 복수 갖는 롤 형상의 물체, 마스크를 복수 갖는 긴 형상의 비접착성 필름, 마스크를 복수 갖는 약점착의 테이프는, 반복 사용할 수 있다. 두번째는, 방전 전극과 요철을 갖는 유전체 롤의 사이에 기재층(122)을 통과시키는 방법이다. 이 방법으로는, 볼록부만을 개질할 수 있다. 유전체 롤은, 예를 들어 금속 코어과, 금속 코어에 둘러 감긴 유전체층을 포함한다. 유전체층이 요철을 갖는다. 오목부와 전극 사이의 거리는, 바람직하게는 2㎜ 이상이다. 유전체층은, 예를 들어 절연성과 도전성과 코로나 방전 내성을 가질 수 있다. 유전체층은, 예를 들어 염소계 고무, PET 고무, 실리콘 고무, 세라믹 등을 포함한다. 두번째 방법은, 첫번째 방법보다 간단하다. 그러나, 두번째 방법은, 코로나 처리부와 미처리부 사이의 경계가 첫번째의 방법보다도 애매해지는 경향이 있다.
다이싱 다이 본딩 테이프(1)는, 반도체 장치를 제조하기 위해 사용할 수 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)로부터 세퍼레이터(11)를 제거하고, 다이싱 링(91)과 가열 테이블(92)에 의해 데워진 반도체 웨이퍼(4)를 롤(93)로 다이싱 다이 본딩 필름(12)에 고정한다. 예를 들어 40℃ 이상, 바람직하게는 45℃도 이상, 보다 바람직하게는 50℃ 이상, 더욱 바람직하게는 55℃ 이상에서 반도체 웨이퍼(4)를 고정한다. 예를 들어 100℃ 이하, 바람직하게는 90℃ 이하에서 반도체 웨이퍼(4)를 고정한다. 압력은, 예를 들어 1×105㎩ 내지 1×107㎩이다. 롤 속도는, 예를 들어 10㎜/sec이다. 반도체 웨이퍼(4)로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 적층체(2)는 다이싱 다이 본딩 필름(12)과, 웨이퍼 고정부(12A)에 고정된 반도체 웨이퍼(4)와, 다이싱 링 고정부(12B)에 고정된 다이싱 링(91)을 포함한다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)에 물을 뿜으면서 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱 블레이드로 절단한다. 다이싱 블레이드는 기재층(122)에 도달한다. 다이싱 후 칩(5)은 반도체 칩(41)과, 반도체 칩(41) 상에 위치하는 다이싱 후 접착제층(121)을 포함한다. 반도체 칩(41)은 전극 패드를 갖는다.
다이싱 후 칩(5)을 니들로 밀어올리고, 다이싱 후 칩(5)을 픽업한다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 다이싱 후 칩(5)을 피착체(6)에 압착한다. 예를 들어 80℃ 이상, 바람직하게는 90℃ 이상에서 압착을 행한다. 예를 들어 150℃ 이하, 바람직하게는 130℃ 이하에서 압착을 행한다. 피착체(6)는, 예를 들어 리드 프레임, 인터포저, TAB 필름, 반도체 칩 등이다. 피착체(6)는 단자부를 갖는다.
다이싱 후 칩(5)이 구비된 피착체(6)를 가압 분위기 하에서 가열함으로써 다이싱 후 접착제층(121)을 경화시킨다. 가압 분위기는, 예를 들어 0.5㎏/㎠(4.9×10-2㎫) 이상, 바람직하게는 1㎏/㎠(9.8×10-2㎫) 이상, 보다 바람직하게는 5㎏/㎠(4.9×10-1㎫) 이상이다. 예를 들어 120℃ 이상, 바람직하게는 150℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상에서 가열을 행한다. 상한은, 예를 들어 260℃, 200℃, 180℃ 등이다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 반도체 칩(41)의 전극 패드와 피착체(6)의 단자 부를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하고, 밀봉 수지(8)로 반도체 칩(41)을 밀봉한다.
이상의 방법에 의해 얻어진 반도체 장치는, 반도체 칩(41)과 피착체(6)와 다이싱 후 접착제층(121)을 포함한다. 다이싱 후 접착제층(121)은 반도체 칩(41)과 피착체(6)를 접속하고 있다. 반도체 장치는, 반도체 칩(41)을 덮는 밀봉 수지(8)를 더 포함한다.
이상과 같이, 반도체 장치의 제조 방법은, 다이싱 후 칩(5)을 형성하는 공정을 포함한다. 반도체 장치의 제조 방법은, 다이싱 후 칩(5)을 피착체(6)에 압착하는 공정을 더 포함한다.
다이싱 후 칩(5)을 형성하는 공정은, 적층체(2)를 형성하는 스텝을 포함한다. 다이싱 후 칩(5)을 형성하는 공정은, 웨이퍼 고정부(12A)에 고정된 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱하는 스텝을 더 포함한다.
적층체(2)를 형성하는 스텝은, 다이싱 다이 본딩 테이프(1)로부터 세퍼레이터(11)를 제거한 단계를 포함한다. 적층체(2)를 형성하는 스텝은, 반도체 웨이퍼(4) 및 다이싱 링(91)을 접착제층(121)에 고정하는 단계를 더 포함한다.
변형예 1
제2 영역(122B)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다.
하도제와 기재층(122)은 화학적으로 결합되어 있는 것이 바람직하다. 하도제는, 기재층(122)과 화학적으로 결합 가능하고, 접착제층 제2부(121B)에 대하여 강한 접착력을 나타낼 수 있는 것이 적합하다. 하도제는, 예를 들어 가교제와 중합체를 포함한다. 하도제의 가교제는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제 등이다. 저온에서 단시간에 반응할 수 있다는 관점에서, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제가 바람직하다. 하도제의 중합체는, 가교제와 반응 가능한 관능기를 가질 수 있다. 관능기는, 예를 들어 수산기 등이다. 하도제의 두께는 예를 들어 1㎛이다.
변형예 2
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리된 영역이다.
다이싱 다이 본딩 필름(12)의 제작 방법은, 예를 들어 기재층(122)에 코로나 방전 처리하는 공정과, 기재층(122) 상에 접착제층(121)을 형성하는 공정을 포함한다. 기재층(122)에 코로나 방전 처리하는 공정에서는, 제1 영역(122A)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도를, 제2 영역(122B)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도보다 낮게 할 수 있다. 제1 영역(122A)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도는, 제2 영역(122B)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도와 같을 수도 있다. 이 경우에는, 접착제층 제1부(121A)는 이형제를 포함하는 것이 바람직하다. 이형제로서는, 불소계, 실리콘계, 오일계 이형제 등을 들 수 있다. 한편, 접착제층 제2부(121B)는, 이러한 이형제를 포함하지 않는 것이 바람직하다.
변형예 3
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다.
하도제의 극성과 접착제층 제1부(121A)의 극성 사이의 양자는, 크게 상이한 것이 바람직하다. 하도제의 표면 에너지는, 예를 들어 5dyne/㎝ 이상 30dyne/㎝ 미만이다. 접착제층 제1부(121A)의 표면 에너지는, 예를 들어 30dyne/㎝를 초과하고 50dyne/㎝ 이하이다. 하도제의 탄성률이 낮으면, 접착제층 제1부(121A)와 기재층(122) 사이의 박리력이 너무 높아지는 경우가 있기 때문에, 실온에서의 하도제의 적합한 탄성률은, 예를 들어 100㎫ 이상이다. 하도제의 적합한 예는, 변형예 1을 준용한다.
제1 영역(122A)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도는, 제2 영역(122B)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도와 같을 수 있다. 양자는 상이해도 된다.
변형예 4
기재층(122)의 제1 주면은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 면이다.
제1 영역(122A)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도는, 제2 영역(122B)에 있어서의 코로나 방전 처리의 강도와 같을 수 있다. 양자는 상이해도 된다. 하도제의 적합한 예는 변형예 1을 준용한다.
변형예 5
제1 영역(122A)은 엠보스 가공된 영역이다.
변형예 6
제2 영역(122B)은 엠보스 가공된 영역이다.
변형예 7
기재층(122)의 제1 주면은 엠보스 가공된 면이다.
변형예 8
도 8에 도시하는 바와 같이, 접착제층(121)은 접착제층 제1부(121A)와 접착제층 제2부(121B)를 포함하고, 접착제층 제3부(121C)를 포함하지 않는다. 접착제층 제1부(121A)는, 예를 들어 원반 형상을 이룬다. 접착제층 제2부(121B)는, 예를 들어 도넛판 형상을 이룬다. 접착제층 제2부(121B)는, 접착제층 제1부(121A)와 접하고 있지 않다.
접착제층 제2부(121B)의 조성·물성은, 접착제층 제1부(121A)의 조성·물성과 상이할 수 있다. 접착제층 제1부(121A)의 조성·물성의 적합한 예는, 실시예 1을 준용한다. 접착제층 제2부(121B)는, 점착성을 갖는 것이 바람직하다. 접착제층 제2부(121B)를 구성하는 점착제에는, 예를 들어 아크릴계, 고무계, 비닐알킬에테르계, 실리콘계, 폴리에스테르계, 폴리아미드계, 우레탄계, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 등의 공지된 점착제를 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
접착제층 제2부(121B)는, 코로나 방전 처리된 제2 영역(122B)에 있어서의 수산기, 카르복실산기 등의 관능기와 반응할 수 있는 가교제와, 수지 성분을 포함하는 것이 바람직하다.
수지 성분은, 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 접착제층 제2부(121B)와 기재층(122)을 화학적으로 결합할 수 있기 때문이다. 열가소성 수지의 관능기는, 예를 들어 수산기, 카르복실산기, 에폭시기, 아민기, 티올기, 페놀기 등이다. 열가소성 수지로서는, 관능기의 조정 등의 관점에서 아크릴계 중합체가 바람직하다. 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸 등의 (메트)아크릴산 C1-C20 알킬에스테르 등의 (메트)아크릴산 알킬에스테르의 단독 또는 공중합체; (메트)아크릴산 알킬에스테르와, 다른 공중합성 단량체-예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 푸마르산, 무수 말레산 등의 카르복실기 또는 산 무수물기 함유 단량체; (메트)아크릴산2-히드록시에틸 등의 히드록실기 함유 단량체; (메트)아크릴산 모르포릴 등의 아미노기 함유 단량체; (메트)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 단량체; (메트)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 단량체; (메트)아크릴산 이소보르닐 등의 지환식 탄화수소기를 갖는(메트)아크릴산에스테르 등-와의 공중합체 등을 들 수 있다. 접착제층 제2부(121B) 중의 수지 성분의 함유량은, 예를 들어 94중량％ 이상, 바람직하게는 95중량％ 이상이다. 접착제층 제2부(121B) 중의 수지 성분의 함유량은, 예를 들어 99.99중량％ 이하, 바람직하게는 99.97중량％ 이하이다.
가교제는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 과산화물 등이다. 가교제는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합할 수 있다. 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제가 바람직하다. 이소시아네이트계 가교제는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 크실렌디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 이소시아네이트 등이다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 부틸렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류, 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 폴리메틸렌폴리페닐이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트류, 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 코로네이트 L), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 코로네이트 HL), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 코로네이트 HX) 등의 이소시아네이트 부가물, 크실릴렌디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 부가물(미쓰이 가가쿠사 제조, 상품명 D110N), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 부가물(미쓰이 가가쿠사 제조, 상품명 D160N); 폴리에테르폴리이소시아네이트, 폴리에스테르폴리이소시아네이트, 및 이것들과 각종 폴리올과의 부가물, 이소시아누레이트 결합, 뷰렛 결합, 알로파네이트 결합 등으로 다관능화된 폴리이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들 중, 지방족 이소시아네이트를 사용하는 것이, 반응 속도가 빠르기 때문에 바람직하다. 이소시아네이트계 가교제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 접착제층 제2부(121B) 중의 이소시아네이트계 가교제의 함유량은, 예를 들어 수지 성분 100중량부에 대하여 0.01 내지 5중량부, 바람직하게는 0.03 내지 4중량부이다. 응집력, 내구성 시험에서의 박리의 저지 등을 고려하여 적절히 함유시키는 것이 가능하다.
접착제층(121)은 스크린 인쇄, 로터리 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄, 롤 투 롤 등으로 제작할 수 있다. 생산성의 관점에서 로터리 스크린 인쇄가 바람직하다. 이들 도포 시공 방법은 1종류만을 사용할 수 있고, 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 방법에서는, 도포 시공 중에 바니시가 공기 중에 노출되는 경우가 있다. 도포 시공 중의 바니시 농도의 변화를 억제할 수 있는 저휘발성의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 용제는, 예를 들어 MIBK, 아세트산 부틸, 시클로헥사논, γ부티로락톤, 이소포론, 카르비톨아세테이트, DMSO, DMAc, NMP 등이다.
변형예 8.1
제2 영역(122B)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 8.1은, 변형예 8과 변형예 1의 조합이다. 변형예 8.1의 적합한 예는 변형예 1을 준용한다.
변형예 8.2
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리된 영역이다. 변형예 8.2는 변형예 8과 변형예 2의 조합이다. 변형예 8.2의 적합한 예는 변형예 2를 준용한다.
변형예 8.3
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 8.3은 변형예 8과 변형예 3의 조합이다. 변형예 8.3의 적합한 예는 변형예 3을 준용한다.
변형예 8.4
기재층(122)의 제1 주면은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 면이다. 변형예 8.4는 변형예 8과 변형예 4의 조합이다. 변형예 8.4의 적합한 예는 변형예 4를 준용한다.
변형예 8.5
제1 영역(122A)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 8.5는 변형예 8과 변형예 5의 조합이다.
변형예 8.6
제2 영역(122B)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 8.6은 변형예 8과 변형예 6의 조합이다.
변형예 8.7
기재층(122)의 제1 주면은 엠보스 가공된 면이다. 변형예 8.7은 변형예 8과 변형예 7의 조합이다.
변형예 9
도 9에 도시하는 바와 같이, 접착제층(121)은 제1층(1211)과 제2층(1212)을 포함한다. 제1층(1211)은 원반 형상을 이룬다. 제1층(1211)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 제1층(1211)의 제1 주면은 세퍼레이터(11)와 접하고 있다. 제1층(1211)의 제2 주면은 제2층(1212)과 접하고 있다. 제2층(1212)은 원반 형상을 이룬다. 제2층(1212)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 제2층(1212)의 제1 주면은 제1층(1211)과 접하고 있다. 제2층(1212)의 제2 주면은 기재층(122)과 접하고 있다.
변형예 9.1
제2 영역(122B)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 9.1은 변형예 9와 변형예 1의 조합이다. 변형예 9.1의 적합한 예는 변형예 1을 준용한다.
변형예 9.2
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리된 영역이다. 변형예 9.2는 변형예 9와 변형예 2의 조합이다. 변형예 9.2의 적합한 예는 변형예 2를 준용한다.
변형예 9.3
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 9.3은 변형예 9와 변형예 3의 조합이다. 변형예 9.3의 적합한 예는 변형예 3을 준용한다.
변형예 9.4
기재층(122)의 제1 주면은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 면이다. 변형예 9.4는 변형예 9와 변형예 4의 조합이다. 변형예 9.4의 적합한 예는 변형예 4를 준용한다.
변형예 9.5
제1 영역(122A)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 9.5는 변형예 9와 변형예 5의 조합이다.
변형예 9.6
제2 영역(122B)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 9.6은 변형예 9와 변형예 6의 조합이다.
변형예 9.7
기재층(122)의 제1 주면은 엠보스 가공된 면이다. 변형예 9.7은 변형예 9와 변형예 7의 조합이다.
변형예 10
도 10에 도시하는 바와 같이, 접착제층(121)은 제1층(1211)과 제2층(1212)을 포함한다. 제1층(1211)은 도넛판 형상을 이룬다. 제1층(1211)은 다이싱 링 고정부(12B)에 위치한다. 제1층(1211)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 제1층(1211)의 제1 주면은 세퍼레이터(11)와 접하고 있다. 제1층(1211)의 제2 주면은, 제2층(1212)과 접하고 있다. 제1층(1211)은 점착성을 가질 수 있다. 제2층(1212)은 원반 형상을 이룬다. 제2층(1212)의 양면은, 제1 주면과 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 정의된다. 제2층(1212)의 제1 주면은 다이싱 링 고정부(12B)에서 제1층(1211)과 접하고 있다. 제2층(1212)의 제2 주면은 기재층(122)과 접하고 있다.
변형예 10.1
제2 영역(122B)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 10.1은, 변형예 10과 변형예 1의 조합이다. 변형예 10.1의 적합한 예는 변형예 1을 준용한다.
변형예 10. 2
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리된 영역이다. 변형예 10.2는 변형예 10과 변형예 2의 조합이다. 변형예 10.2의 적합한 예는 변형예 2를 준용한다.
변형예 10. 3
제1 영역(122A)은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 영역이다. 변형예 10.3은 변형예 10과 변형예 3의 조합이다. 변형예 10.3의 적합한 예는 변형예 3을 준용한다.
변형예 10.4
기재층(122)의 제1 주면은 코로나 방전 처리 후에 하도제를 칠한 면이다. 변형예 10.4는 변형예 10과 변형예 4의 조합이다. 변형예 10.4의 적합한 예는 변형예 4를 준용한다.
변형예 10.5
제1 영역(122A)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 10.5는 변형예 10과 변형예 5의 조합이다.
변형예 10.6
제2 영역(122B)은 엠보스 가공된 영역이다. 변형예 10.6은 변형예 10과 변형예 6의 조합이다.
변형예 10.7
기재층(122)의 제1 주면은 엠보스 가공된 면이다. 변형예 10.7은 변형예 10과 변형예 7의 조합이다.
[실시예]
이하, 본 발명에 관해 실시예를 사용하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
기재·코로나 처리기
기재 필름 A 구라시키 보세키사 제조의 필름(막 두께 130㎛, 코로나 처리 없고, 박리 처리 없는 EVA 필름)
기재 필름 B 미쓰비시 쥬시 가가쿠사 제조의 MRA38(실리콘 박리 처리된 막 두께 38㎛의 PET 필름)
코로나 처리기 PILLAR TECHNOLOGIES사 제조의 500시리즈
코로나 처리량
코로나 처리량은 하기의 식으로 표시된다.
방전 처리량(W·min/㎡)=방전 전극의 전압(W)÷전극 폭(m)÷속도(m/min)
접착제층 A의 제작
아크릴 고무 54중량부(나가세 켐텍스사 제조의 SG-708-6)와, 에폭시 수지 3중량부(DIC사 제조의 HP-4700)와, 페놀 수지 3중량부(메이와 가세이사 제조의 MEH-7851H)와, 실리카 필러 40중량부(애드마텍스사 제조의 SO-E2)를 시클로헥사논 용제에 용해함으로써, 15wt％의 접착제층 A액을 얻었다. 접착제층 A액을 세퍼레이터에 도포 시공하여, 접착제층 A를 얻었다.
접착제층 B의 제작
열가소성 수지 96중량부(네가미 고교사 제조의 파라크론 SN-50, 단량체 BA, Tg-43℃, 수산기가 8.5KOH㎎/g, 중량 평균 분자량 8만)와, 이소시아네이트계 가교제 4중량부(코로네이트 L, 도소 가부시키가이샤 제조)를 시클로헥사논에 용해하고, 15wt％의 접착제층 B액을 얻었다. 접착제층 B액을 세퍼레이터에 도포 시공하여, 접착제층 B를 얻었다.
하도액의 제작
2-EHA와 HEA의 공중합에 의해 아크릴 중합체(수산기가 55.6㎎KOH/g(계산값), 분자량 849,000(GPC 측정값), Tg-65.1℃)를 얻었다. 아크릴 중합체 82중량부와, 이소시아네이트계 가교제 18중량부(도소사 제조의 코로네이트 L)를 MEK에 용해하고, 15wt％ 하도액을 얻었다.
실시예 1 내지 4· 비교예 1 내지 2에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
마스크용 필름(닛토덴코사 제조의 E-MASK RP207)을 기재 필름 A에 붙이고, 표 1에 나타내는 코로나 조사량으로 코로나 처리를 행하였다. 60℃, 10㎜/sec, 0.15㎫에서, 코로나 처리 후의 기재 필름 A에 접착제층 A를 적층하였다. 이에 의해, 실시예 1 내지 4·비교예 1 내지 2의 다이싱 다이 본딩 필름(이하, 「다이싱 다이 본딩 필름(71)」이라고 하는 경우가 있음)을 얻었다. 도 11에 도시하는 바와 같이, 각 다이싱 다이 본딩 필름(71)은 기재 필름 A(712)를 갖는다. 기재 필름 A(712)는 코로나 처리되어 있지 않은 직경 320㎜의 원반 형상부(712a)를 갖는다. 기재 필름 A(712)는 원반 형상부(712a)의 주변에, 코로나 처리로 개질된 개질부(712b)를 갖는다. 각 다이싱 다이 본딩 필름(71)은 기재 필름 A(712) 상에 위치하는 두께 20㎛의 접착제층 A(711)를 더 갖는다.
실시예 5에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
마스크용 필름(닛토덴코사 제조의 E-MASK RP207)을 기재 필름 A에 붙이고, 표 1에 나타내는 코로나 조사량으로 코로나 처리를 행하였다. 60℃, 10㎜/sec, 0.15㎫에서, 기재 필름 A에 있어서의 코로나 처리되어 있지 않은 부분에, 원반 형상의 접착제층 A를 적층하였다. 60℃, 10㎜/sec, 0.15㎫에서, 기재 필름 A에 있어서의 코로나 처리된 부분에, 도넛 판상의 접착제층 B를 적층하였다. 오븐에서 50℃, 24시간에 숙성(에이징)하였다. 이에 의해, 실시예 5의 다이싱 다이 본딩 필름(이하, 「다이싱 다이 본딩 필름(72)」이라고 하는 경우가 있음)을 얻었다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(72)은 기재 필름 A(722)를 갖는다. 기재 필름 A(722)는 코로나 처리되어 있지 않은 직경 320㎜의 원반 형상부(722a)를 갖는다. 기재 필름 A(722)는 원반 형상부(722a)의 주변에, 코로나 처리로 개질된 개질부(722b)를 갖는다. 다이싱 다이 본딩 필름(72)은 원반 형상부(722a) 상에 위치하는 두께 20㎛, 직경 330㎜의 원반 형상의 접착제층 A(7211)를 더 갖는다. 다이싱 다이 본딩 필름(72)은 개질부(722b) 상에 위치하는 두께 20㎛의 도넛 판상의 접착제층 B(7212)를 더 갖는다.
실시예 6에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
표 1에 나타내는 코로나 조사량으로 기재 필름 A에 코로나 처리를 행하고, 코로나 처리 후의 기재 필름 A에 하도액을 도포 시공하여, 50℃에서 10분 건조하고, 오븐에서 50℃, 24시간에 숙성(에이징)하였다. 60℃, 10㎜/sec, 0.15㎫에서, 숙성 후의 기재 필름 A에 원반 형상의 접착제층 A를 적층하였다. 60℃, 10㎜/sec, 0.15㎫에서, 도넛 판상의 접착제층 B를 기재 필름 A에 적층하였다. 오븐에서 50℃, 24시간에 숙성(에이징)하였다. 이에 의해, 실시예 6의 다이싱 다이 본딩 필름(이하, 「다이싱 다이 본딩 필름(73)」이라고 하는 경우가 있음)을 얻었다. 도 13에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(73)은 기재 필름 A(732)를 갖는다. 다이싱 다이 본딩 필름(73)은 기재 필름 A(732) 상에 위치하는, 두께 20㎛, 직경 330㎜의 원반 형상의 접착제층 A(7311)를 더 갖는다. 다이싱 다이 본딩 필름(73)은 기재 필름 A(732) 상에 위치하는 두께 20㎛의 도넛 판상의 접착제층 B(7312)를 더 갖는다.
실시예 7에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
표 1에 나타내는 코로나 조사량으로 기재 필름 A의 코로나 처리를 행하였다. 60℃, 10㎜/sec, 0.15㎫에서, 코로나 처리 후의 기재 필름 A에 접착제층 A를 적층하였다. 이에 의해, 실시예 7의 다이싱 다이 본딩 필름(이하, 「다이싱 다이 본딩 필름(74)」이라고 하는 경우가 있음)을 얻었다. 도 14에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(74)은 기재 필름 A(742)를 갖는다. 기재 필름 A(742)는 55W·min/㎡로 개질된 직경 320㎜의 원반 형상부(742a)를 갖는다. 기재 필름 A(742)는 원반 형상부(742a)의 주변에, 165W·min/㎡로 개질된 개질부(742b)를 갖는다. 다이싱 다이 본딩 필름(74)은 기재 필름 A(742) 상에 위치하는 두께 20㎛의 접착제층 A(741)를 더 갖는다.
실시예 8에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
표 1에 나타내는 코로나 조사량으로 기재 필름 A의 코로나 처리를 행하였다. 60℃, 10㎜/sec, 0.15㎫에서, 기재 필름 A에 있어서의 55W·min/㎡로 개질된 부분에, 원반 형상의 접착제층 A를 적층하였다. 60℃, 10㎜/sec, 0.15㎫에서, 기재 필름 A에 있어서의 165W·min/㎡로 개질된 부분에, 도넛 판상의 접착제층 B를 적층하였다. 오븐에서 50℃, 24시간에 숙성(에이징)하였다. 이에 의해, 실시예 8의 다이싱 다이 본딩 필름(이하, 「다이싱 다이 본딩 필름」이라고 하는 경우가 있음)을 얻었다. 도 15에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(75)은 기재 필름 A(752)를 갖는다. 기재 필름 A(752)는 55W·min/㎡로 개질된 직경 320㎜의 원반 형상부(752a)를 갖는다. 기재 필름 A(752)는 원반 형상부(752a)의 주변에, 165W·min/㎡로 개질된 개질부(752b)를 갖는다. 다이싱 다이 본딩 필름(75)은 원반 형상부(752a) 상에 위치하는 두께 20㎛, 직경 330㎜의 원반 형상의 접착제층 A(7511)를 더 갖는다. 다이싱 다이 본딩 필름은 개질부(752b) 상에 위치하는 두께 20㎛의 도넛 판상의 접착제층 B(7512)를 더 갖는다.
실시예 9에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
표 1에 나타내는 코로나 조사량으로 기재 필름 A에 코로나 처리를 행하고, 코로나 처리 후의 기재 필름 A의 일부에 하도액을 도포 시공하고, 진공 상태에서 50℃에서 10분 건조하고, 오븐에서 진공 상태에서 50℃, 24시간에 숙성(에이징)하였다. 60℃, 10㎜/sec, 0.15㎫에서, 숙성 후의 기재 필름 A에 접착제층 A를 적층하였다. 이에 의해, 실시예 9의 다이싱 다이 본딩 필름(이하, 「다이싱 다이 본딩 필름(76)」이라고 하는 경우가 있음)을 얻었다. 도 16에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(76)은 기재 필름 A(762)를 갖는다. 기재 필름 A(762)는 하도 처리되어 있지 않은 직경 320㎜의 원반 형상부(762a)를 갖는다. 기재 필름 A(762)는 원반 형상부(762a)의 주변에, 하도 처리된 개질부(762b)를 갖는다. 다이싱 다이 본딩 필름(76)은 기재 필름 A(762) 상에 위치하는 두께 20㎛의 접착제층 A(761)를 더 갖는다.
비교예 3에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
기재 필름 A에 접착제층 A를 적층하였다. 이에 의해, 비교예 3의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다. 다이싱 다이 본딩 필름은, 기재 필름 A를 갖는다. 다이싱 다이 본딩 필름은, 기재 필름 A 상에 위치하는 두께 20㎛의 접착제층 A를 더 갖는다.
비교예 4에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
기재 필름 B의 일부에 있어서, 실리콘 박리제를, 톨루엔을 배어들게 한 와이퍼(벰코트(등록 상표))로 닦아냈다. 기재 필름 B에 접착제층 A를 적층하였다.
이에 의해, 비교예 4의 다이싱 다이 본딩 필름(이하, 「다이싱 다이 본딩 필름(78)」이라고 하는 경우가 있음)을 얻었다. 도 17에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 필름(78)은 기재 필름 B(782)를 갖는다. 기재 필름 B(782)는 실리콘 박리제를 갖지 않는 직경 320㎜의 원반 형상부(782a)를 갖는다. 기재 필름 B(782)는 원반 형상부(782a)의 주변에, 실리콘 박리제를 갖는 개질부(782b)를 갖는다. 다이싱 다이 본딩 필름(78)은 기재 필름 B(782) 상에 위치하는 두께 20㎛의 접착제층 A(781)를 더 갖는다.
비교예 5에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
표 1에 나타내는 코로나 조사량으로 기재 필름 A의 코로나 처리를 행한 것 이외에는, 실시예 8과 동일한 방법으로, 비교예 5의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다.
비교예 6에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
표 1에 나타내는 코로나 조사량으로 기재 필름 A의 코로나 처리를 행한 것 이외에는, 실시예 5와 동일한 방법으로 비교예 6의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다.
비교예 7에 있어서의 다이싱 다이 본딩 필름의 제작
표 1에 나타내는 코로나 조사량으로 기재 필름 A의 코로나 처리를 행한 것 이외에는, 실시예 8과 동일한 방법으로 비교예 7의 다이싱 다이 본딩 필름을 얻었다.
정의
기재 필름 A와 기재 필름 B를 「기재 필름」이라고 총칭한다. 접착제층 A와 접착제층 B를 「접착제층」이라고 총칭한다.
웨이퍼 고정부(71a, 72a, 73a, 74a, 75a, 76a, 77a, 78a)는 웨이퍼를 고정하기 위한 부분을 가리킨다. 다이싱 링 고정부(71b, 72b, 73b, 74b, 75b, 76b, 77b, 78b)는 다이싱 링을 고정하기 위한 부분을 가리킨다.
웨이퍼 고정부에 있어서의 , 접착제층과 기재 필름 사이의 박리력
다이싱 다이 본딩 필름의 접착제층에 배접 테이프(닛토덴코사 제조의 BT-315)를 실온에서 붙이고, 웨이퍼 고정부로부터 70㎜×10㎜의 다이싱 다이 본딩 필름 시험편을 잘라냈다. 오토그래프 AGS-J(시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여, 떼어내기 각도 90도, 떼어내기 속도 300㎜/min으로 T 박리 시험을 하였다. 박리력의 평균값을 표 1에 나타낸다.
다이싱 링 고정부에 있어서의 , 접착제층과 기재 필름 사이의 박리력
다이싱 다이 본딩 필름의 접착제층에 배접 테이프(닛토덴코사 제조의 BT-315)를 실온에서 붙이고, 다이싱 링 고정부로부터 70㎜×10㎜의 다이싱 다이 본딩 필름 시험편을 잘라냈다. 오토그래프 AGS-J(시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여, 떼어내기 각도 180도, 떼어내기 속도 300㎜/min으로 박리 시험을 하였다. 박리력의 평균값을 표 1에 나타낸다.
SUS판과 접착제층 사이의 박리력
SUS판(SUS304, 400㎛) 표면의 오염을 제거하기 위해, 톨루엔을 배어들게 한와이퍼(아사히 가세이사 제조의 벰코트(등록 상표) TR-7F)로 닦고, 메탄올을 배어들게 한 와이퍼로 닦고, 와이퍼 벰코트로 마른 걸레질을 하였다. 다이싱 다이 본딩 필름의 웨이퍼 고정부로부터 폭 10㎜×길이 60㎜의 웨이퍼 고정부 시험편을 잘라냈다. 기포가 들어가지 않도록, 웨이퍼 고정부 시험편을 SUS판에 2㎏ 롤러로 붙였다. 떼어내기 각도 180도, 떼어내기 속도 300㎜/min으로 박리 시험을 하였다. 박리 시험에서 접착제층과 기재 필름 사이의 박리가 발생했을 때에는, 기재 필름을 제거하고, 접착제층에 배접 테이프(닛토덴코사 제조의 BT-315)를 실온에서 붙이고, 이 결과물로 박리 시험을 하였다. 박리력의 평균값을 표 1에 나타낸다.
다이싱
두께 100㎛의 웨이퍼와 다이싱 링에 다이싱 다이 본딩 필름을 마운터 장치(닛토 세이키사 제조의 MA-3000II)로 60℃에서 붙였다. 다이싱 장치(디스코사 제조의 DFD6361)로, 회전수 40000rpm, 이송 속도 30㎜/초로 칩 사이즈 10㎜×10㎜로 다이싱을 행하였다.
픽업
다이싱 후, 다이 본딩 장치(신카와사 제조의 SPA-300)를 사용하여, 접착제층을 구비한 칩을 픽업하였다. 모든 칩에서 칩 깨짐이 발생하지 않았을 때에는 ○로 판정하였다. 적어도 하나의 칩에서 칩 깨짐이 발생했을 때는 ×로 판정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
칩핑 (칩 절결 )
각 예에 대해 칩 20개의 측면을 관찰하고, 칩 뒷면에 있어서의 칩 절결의 깊이(이하, 「칩핑 거리」라고 함)를 측정하여, 평균값을 구하였다. 평균값이 5㎛ 미만일 때에는 ○로 판정하였다. 평균값이 5㎛ 이상일 때에는 ×로 판정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
점착제 잔여
웨이퍼 마운트 장치(닛토 세이키사 제조의 MA-3000II)로, 10㎜/sec, 60℃에서 SUS 다이싱 링에 다이싱 다이 본딩 필름을 붙이고, 실온에서 1주일 방치하고, SUS 다이싱 링으로부터 다이싱 다이 본딩 필름을 박리하였다. 접착제가 SUS 다이싱 링에 남아있지 않은지 여부를 확인하였다. 각 예에 대해 10개의 다이싱 다이 본딩 필름에서 접착제 나머지를 확인하였다. 모든 다이싱 다이 본딩 필름에서 접착제가 남지 않았을 때에는 ○로 판정하였다. 적어도 하나의 다이싱 다이 본딩 필름에서 접착제가 남았을 때에는 ×로 판정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001

Claims (4)

  1. 세퍼레이터와,
    접착제층 및 기재층을 포함하는 필름을 포함하고,
    상기 접착제층은, 상기 세퍼레이터 및 상기 기재층의 사이에 위치하고,
    상기 필름의 웨이퍼 고정부에 있어서, 상기 접착제층 및 상기 기재층의 90도 박리력이 0.015N/20㎜ 내지 0.4N/20㎜이며,
    상기 필름의 다이싱 링 고정부에 있어서, 상기 접착제층 및 상기 기재층의 180도 박리력이 0.5N/20㎜ 이상인,
    테이프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착제층은 상기 세퍼레이터와 접하고 있는, 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접착제층은 열경화성 수지를 포함하는, 테이프.
  4. 반도체 칩 및 다이싱 후 접착제층을 포함하는 다이싱 후 칩을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 다이싱 후 칩을 형성하는 공정은, 상기 필름, 상기 웨이퍼 고정부에 고정된 반도체 웨이퍼 및 상기 다이싱 링 고정부에 고정된 다이싱 링을 포함하는 적층체를 형성하는 스텝을 포함하고,
    상기 적층체를 형성하는 스텝은, 제1항에 기재된 테이프로부터 상기 세퍼레이터를 제거하는 단계를 포함하는,
    반도체 장치의 제조 방법.
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