KR20120003815A - 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제 및 다이싱·다이본딩 필름 - Google Patents

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KR20120003815A
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adhesive
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가쯔히꼬 가미야
도모까즈 다까하시
지에 기따노
미까 오까다
다께시 마쯔무라
슈헤이 무라따
히로나오 오따께
마사쯔구 고소
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닛토덴코 가부시키가이샤
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    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
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    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
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Abstract

본 발명은, 환경이나 인체에 미치는 영향이 작고, 취급이 용이하며, 활성 에너지선 조사 전후에 점착성을 크게 변화시킬 수 있고, 활성 에너지선 조사 전에는 고점착성을 발현할 수 있으며, 활성 에너지선 조사 후에는 고박리성을 발현할 수 있는 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 제공한다. 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 활성 에너지선 경화형의 중합체(P)를 포함하고, 상기 중합체(P)는 카르복실기 함유 중합체(P3)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 반응시켜서 얻어지는 중합체 또는 옥사졸린기 함유 중합체(P4)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 반응시켜서 얻어지는 중합체이다.

Description

활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제 및 다이싱·다이본딩 필름{ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE FOR RE-RELEASE AND DICING DIE-BONDING FILM}
본 발명은 예를 들면 반도체, 회로, 각종 프린트 기판, 각종 마스크, 리드 프레임 등 가공 부품의 제조시에 표면 보호나 파손 방지를 위해 사용되는 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제에 관한 것이다. 특히, 반도체 웨이퍼의 이면 연마시나 다이싱시에 사용되는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트로서 적절하게 사용되는 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제에 관한 것이다.
본 발명은 또한 다이싱·다이본딩 필름에 관한 것이다. 구체적으로는, 워크(반도체 웨이퍼 등)의 다이싱에 제공하는 필름이며, 칩상 워크(반도체 칩 등)와 전극 부재를 고착하기 위한 접착제를 다이싱 전에 이미 워크(반도체 웨이퍼 등)에 부설된 상태로 할 수 있는 다이싱·다이본딩 필름에 관한 것이다.
회로 패턴을 형성한 반도체 웨이퍼(워크)는, 필요에 따라 이면 연마에 의해 두께를 조정한 후, 반도체 칩(칩상 워크)에 다이싱된다(다이싱 공정). 다이싱 공정에서는, 일반적으로 절단층의 제거를 위해 반도체 웨이퍼를 적당한 액압(통상, 2㎏/㎠ 정도)으로 세정한다. 이어서, 상기 다이싱된 반도체 칩은, 접착제에서 리드 프레임 등의 피착체에 고착된다(마운트 공정). 계속해서, 상기 피착체에 고착된 반도체 칩에 대하여 본딩이 실시된다(본딩 공정).
상기 마운트 공정에서는, 상기 접착제는 리드 프레임이나 반도체 칩의 표면에 도포된다. 그러나, 접착제의 도포시에는 특수한 장치가 필요하다는 문제나, 작업에 장시간을 요한다는 문제가 있다. 또한, 도포라는 작업의 성격상, 접착제층의 균일화가 곤란하다는 문제가 있다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 다이싱 공정에서는 반도체 웨이퍼를 접착 유지할 수 있을 뿐 아니라, 마운트 공정에서의 피착체 고착용 접착제층을 부여할 수 있는 다이싱·다이본딩 필름이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 기재된 다이싱·다이본딩 필름은, 지지 기재 상에 접착제층을 박리 가능하게 설치하여 이루어진다. 즉, 접착제층에 의한 유지하에 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 지지 기재를 연신하고, 반도체 칩을 접착제층과 함께 박리하고, 이를 개별적으로 회수하고, 회수한 접착제층이 부착된 반도체 칩의 접착제층을 통해 리드 프레임 등의 피착체에 고착시킨다.
상기와 같은 다이싱·다이본딩 필름의 접착제층에는, 다이싱 불능이나 치수 실수 등이 발생하지 않도록, 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후의 반도체 칩을 접착제층과 일체로 지지 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성이 요망된다.
그러나, 상기의 양쪽 특성, 즉 양호한 유지력과 양호한 박리성을 균형있게 발현시키는 것은 곤란하다는 문제가 있다. 특히, 반도체 웨이퍼를 회전 원형칼 등으로 다이싱하는 방식 등과 같이 접착제층에 큰 유지력이 요구되는 경우에는, 상기의 양쪽 특성을 균형있게 발현할 수 있는 다이싱·다이본딩 필름을 얻는 것은 곤란하다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 다이싱·다이본딩 필름에 관해 다양한 개선법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
특허문헌 2에 기재된 다이싱·다이본딩 필름에서는, 지지 기재와 접착제층 사이에 자외선 경화가 가능한 점착제층이 개재되어 있다. 이 점착제층을 다이싱 후에 자외선 경화시킴으로써, 점착제층과 접착제층 사이의 접착력을 저하시킨다. 이 접착력의 저하에 의해, 점착제층과 접착제층이 박리하기 쉬워지고, 반도체 칩의 픽업이 용이해진다.
그러나, 상기의 개선법에 의해서도, 다이싱시 양호한 유지력과 그 후 양호한 박리성을 균형있게 발현할 수 있는 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 것은 곤란하다. 예를 들면, 10㎜×10㎜ 이상의 대형 반도체 칩을 얻는 경우에는, 그의 면적이 크기 때문에, 일반적인 다이 본더를 사용하여 반도체 칩을 픽업하는 것이 용이하지 않다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 다이싱·다이본딩 필름에 관해 더 다양한 개선법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 3 참조).
특허문헌 3에 기재된 다이싱·다이본딩 필름에서는, 중합체 중의 수산기와, 수산기와 반응하는 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시킨 점착제가 사용되고 있다. 이러한 점착제를 사용함으로써, 용이하게 반도체 칩을 픽업하고 있다.
그러나, 이소시아네이트기 함유 화합물과 수산기 함유 중합체와의 반응을 촉진시키기 위해서는, 주석계 촉매를 첨가하는 경우가 있어, 환경에 미치는 영향이 크다는 문제가 있다. 또한, 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은, 물과 반응하여 실활(失活)한다는 문제가 있다. 또한, 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은 휘발성이기 때문에, 환경이나 인체에 미치는 영향이 크다는 문제가 있어, 취급에는 충분한 주의가 필요하다.
또한, 실리콘, 갈륨, 비소 등을 포함하는 반도체 웨이퍼는, 대직경인 상태로 제조된 후, 이면을 연삭하고, 추가로 소자 소편으로 절단 분리(다이싱)되고, 추가로 마운트 공정으로 옮겨진다.
반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정(이면 연삭 공정)에서는, 반도체 웨이퍼의 패턴면을 보호하기 위해, 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재 상에 점착제가 도포되어 이루어지는 점착 시트가 사용되고 있다.
또한, 소자 소편화시나 마운트 공정에서는, 다이싱, 세정, 익스팬딩, 픽업, 마운팅의 각 공정이 더해진다. 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정으로부터 픽업 공정에 이르는 공정에서도, 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재 상에 점착제가 도포되어 이루어지는 점착 시트가 사용되고 있다.
이면 연삭 공정에서는, 반도체 웨이퍼의 패턴면을 보호하기 위해, 점착 시트는 박리되지 않고 충분히 반도체 웨이퍼에 접착되어 있는 것이 요구된다. 또한, 연삭 후에는 반도체 웨이퍼로부터 용이하게 박리할 수 있는 것이 요구된다.
다이싱 공정에서는, 절단 분리된 소자 소편이 점착 시트로부터 박리되지 않는 것이 요구된다. 즉, 점착 시트에는 고점착성이 요구된다. 한편, 픽업 공정에서는, 절단 분리된 소자 소편이 점착 시트로부터 용이하게 박리되어야 한다. 즉, 점착 시트에는 저점착성이 요구된다.
상기 2개의 상반된 점착성을 제어하기 위해, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제가 사용된다. 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 활성 에너지선 조사 전에는 고점착성을 갖고, 소자 소편이 점착 시트로부터 박리되지 않지만, 활성 에너지선 조사 후에는 점착제가 경화하여 저점착성이 발현되고, 소자 소편이 점착 시트로부터 용이하게 박리된다.
활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 종래예로서, 활성 에너지선에 의해 반응하는 탄소-탄소 이중 결합을 분자측쇄에 포함하는 활성 에너지선 반응형 중합체를 사용하는 예가 보고되어 있다(예를 들면, 특허문헌 4 참조). 특허문헌 4에서는, 수산기를 갖는 아크릴계 중합체에, 수산기와 반응하는 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 제조하고 있다.
그러나 상술한 바와 마찬가지로, 이소시아네이트기 함유 화합물과 수산기 함유 중합체와의 반응을 촉진시키기 위해서는, 주석계 촉매를 첨가하는 경우가 있어, 환경에 미치는 영향이 크다는 문제가 있다. 또한, 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은 물과 반응하여 실활한다는 문제가 있다. 또한, 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은 휘발성이기 때문에, 환경이나 인체에 미치는 영향이 크다는 문제가 있어, 취급에는 충분한 주의가 필요하다.
또한, 수산기를 갖는 아크릴계 중합체와, 수산기와 반응하는 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물과의 반응은, 이소시아네이트기가 물과 반응하여 불활성화되기 때문에, 수계에서는 행할 수 없다.
상기와 같은 반응을 수계에서 행하기 위한 하나의 수단으로서, 이소시아네이트기 대신에 블록 이소시아네이트기를 채용하는 것을 들 수 있다(예를 들면, 특허문헌 5 참조).
그러나, 수산기를 갖는 아크릴계 중합체와, 블록 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물과의 반응이 늦어, 취급 등에 문제가 있다.
일본 특허 공개 소60-57642호 공보 일본 특허 공개 평2-248064호 공보 일본 특허 공개 제2009-170786호 공보 일본 특허 공개 제2000-355678호 공보 일본 특허 공개 제2008-19341호 공보
본 발명의 과제는, 환경이나 인체에 미치는 영향이 작고, 취급이 용이하며, 활성 에너지선 조사 전후에 점착성을 크게 변화시킬 수 있고, 활성 에너지선 조사 전에는 고점착성을 발현할 수 있으며, 활성 에너지선 조사 후에는 고박리성을 발현할 수 있는, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 과제는, 또한 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이본딩 필름을 갖는 다이싱·다이본딩 필름으로서, (1) 반도체 웨이퍼나 반도체 칩의 크기나 두께에 관계없이, 다이싱시 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후 반도체 칩을 상기 다이본딩 필름과 일체로 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성을 균형있게 발현할 수 있으며, (2) 환경이나 인체에 미치는 영향이 작고, (3) 취급이 용이한 다이싱·다이본딩 필름을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는,
활성 에너지선 경화형의 중합체(P)를 포함하고,
상기 중합체(P)는 카르복실기 함유 중합체(P3)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 반응시켜서 얻어지는 중합체 또는 옥사졸린기 함유 중합체(P4)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 반응시켜서 얻어지는 중합체이다.
바람직한 실시 형태에서는, 상기 카르복실기 함유 중합체(P3)가, 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P1)이다.
바람직한 실시 형태에서는, 상기 옥사졸린기 함유 중합체(P4)가, 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P2)이다.
바람직한 실시 형태에서는, 상기 카르복실기 함유 단량체(m2)가 (메트)아크릴산 및 카르복시알킬(메트)아크릴레이트로부터 선택되는 적어도 1종이다.
바람직한 실시 형태에서는, 상기 옥사졸린기 함유 단량체(m3)가 2-비닐-2-옥사졸린, 4-메틸-2-비닐-2-옥사졸린, 5-메틸-2-비닐-2-옥사졸린, 2-비닐-4,4-디메틸-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 4-메틸-2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 5-메틸-2-이소프로페닐-2-옥사졸린 및 2-이소프로페닐-4,4-디메틸-2-옥사졸린으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
바람직한 실시 형태에서는, 상기 중합체(P)의 유리 전이 온도가 -70℃ 내지 -10℃이다.
바람직한 실시 형태에서는, 상기 카르복실기 함유 중합체(P3)가 수(水) 분산체이다.
바람직한 실시 형태에서는, 상기 수 분산체가 라디칼 중합성 관능기를 갖는 반응성 유화제를 사용하여 합성된다.
바람직한 실시 형태에서는, 상기 옥사졸린기 함유 중합체(P4)가 수 분산체이다.
바람직한 실시 형태에서는, 상기 수 분산체가 라디칼 중합성 관능기를 갖는 반응성 유화제를 사용하여 합성된다.
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트는, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 점착제층으로서 기재 상에 갖는다.
바람직한 실시 형태에서는, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트는 반도체 웨이퍼 가공용이다.
본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은,
기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이본딩 필름을 갖는 다이싱·다이본딩 필름이며,
상기 점착제층은 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제 또는 상기 점착제의 경화물을 포함하고,
상기 다이본딩 필름은 에폭시 수지를 포함한다.
본 발명에 따르면, 환경이나 인체에 미치는 영향이 작고, 취급이 용이하며, 활성 에너지선 조사 전후에 점착성을 크게 변화시킬 수 있고, 활성 에너지선 조사 전에는 고점착성을 발현할 수 있으며, 활성 에너지선 조사 후에는 고박리성을 발현할 수 있는 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 또한 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이본딩 필름을 갖는 다이싱·다이본딩 필름으로서, (1) 반도체 웨이퍼나 반도체 칩의 크기나 두께에 관계없이, 다이싱시 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후 반도체 칩을 상기 다이본딩 필름과 일체로 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성을 균형있게 발현할 수 있으며, (2) 환경이나 인체에 미치는 영향이 작고, (3) 취급이 용이한 다이싱·다이본딩 필름을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 형태에 의한 다이싱·다이본딩 필름의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 바람직한 실시 형태에 의한 다이싱·다이본딩 필름의 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 바람직한 실시 형태에 의한 다이싱·다이본딩 필름의 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시 형태에 의한 다이싱·다이본딩 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 공정도이다.
도 5는 본 발명의 다른 바람직한 실시 형태에 의한 다이싱·다이본딩 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 공정도이다.
본 발명에 대해서 도면을 사용하여 설명하는 경우, 상기 도면 중, 설명이 불필요한 부분은 기재를 생략한 경우가 있다. 또한, 본 발명에 대해서 도면을 사용하여 설명하는 경우, 설명을 용이하게 하기 위해 상기 도면의 일부 또는 전부를 확대 또는 축소하는 경우가 있다.
≪A. 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제≫
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 활성 에너지선 경화형의 중합체(P)를 포함한다.
활성 에너지선이란, α선, β선, γ선, 전자선, 중성자선, X선과 같은 방사선이나, 자외선 등을 의미한다.
중합체(P)는 활성 에너지선 조사에 의해 경화할 수 있다. 활성 에너지선 조사에 의해 중합체(P)를 경화시킴으로써, 가교도를 증대시켜 중합체(P)의 점착력을 저하시킬 수 있다.
중합체(P)는, 카르복실기 함유 중합체(P3)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 반응시켜서 얻어지는 중합체 또는 옥사졸린기 함유 중합체(P4)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 반응시켜서 얻어지는 중합체이다.
카르복실기 함유 중합체(P3)는, 카르복실기를 갖는 중합체이면 임의의 적절한 중합체를 채용할 수 있다. 카르복실기 함유 중합체(P3)는, 바람직하게는 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P1)이다.
옥사졸린기 함유 중합체(P4)는, 옥사졸린기를 갖는 중합체이면 임의의 적절한 중합체를 채용할 수 있다. 옥사졸린기 함유 중합체(P4)는, 바람직하게는 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P2)이다.
중합체(P)의 바람직한 형태 중 하나(형태 1)는, 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P1)와, 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 반응시켜서 얻어진다.
중합체(P)의 바람직한 형태 중 다른 하나(형태 2)는, 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P2)와, 카르복실기 함유 단량체(m2)를 반응시켜서 얻어진다.
카르복실기 함유 단량체(m2)는, 카르복실기와 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는다. 옥사졸린기 함유 단량체(m3)는, 옥사졸린기와 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는다.
중합체(P)의 유리 전이 온도는 하한값으로서, 바람직하게는 -70℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 -65℃ 이상이며, 더욱 바람직하게는 -60℃ 이상이고, 특히 바람직하게는 -55℃ 이상이며, 상한값으로서, 바람직하게는 -10℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 -20℃ 이하이며, 더욱 바람직하게는 -30℃ 이하이고, 특히 바람직하게는 -40℃ 이하이다.
중합체(P)의 유리 전이 온도가 -10℃를 초과하는 경우, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 점착제층과 다이본딩 필름 사이의 접착성이 저하되고, 다이싱시에 소위 "칩 비산"이 발생할 우려가 있다.
중합체(P)는, 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 측면에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이로 인해, 중합체(P)의 중량 평균 분자량은 하한값으로서, 바람직하게는 35만 이상이며, 보다 바람직하게는 45만 이상이고, 상한값으로서, 바람직하게는 100만 이하이며, 보다 바람직하게는 80만 이하이다.
아크릴산에스테르(m1)로는, 예를 들면 아크릴산 알킬에스테르(예를 들면, 아크릴산 메틸에스테르, 아크릴산 에틸에스테르, 아크릴산 프로필에스테르, 아크릴산 이소프로필에스테르, 아크릴산 부틸에스테르, 아크릴산 이소부틸에스테르, 아크릴산 sec-부틸에스테르, 아크릴산 t-부틸에스테르, 아크릴산 펜틸에스테르, 아크릴산 이소펜틸에스테르, 아크릴산 헥실에스테르, 아크릴산 헵틸에스테르, 아크릴산 옥틸에스테르, 아크릴산 2-에틸헥실에스테르, 아크릴산 이소옥틸에스테르, 아크릴산 노닐에스테르, 아크릴산 데실에스테르, 아크릴산 이소데실에스테르, 아크릴산 운데실에스테르, 아크릴산 도데실에스테르, 아크릴산 트리데실에스테르, 아크릴산 테트라데실에스테르, 아크릴산 헥사데실에스테르, 아크릴산 옥타데실에스테르, 아크릴산에이코실에스테르 등인, 알킬기의 탄소수가 바람직하게는 1 내지 30, 보다 바람직하게는 4 내지 18인, 직쇄상 또는 분지쇄상의 아크릴산 알킬에스테르), 아크릴산 시클로알킬에스테르(예를 들면, 아크릴산 시클로펜틸에스테르, 아크릴산 시클로헥실에스테르 등) 등을 들 수 있다.
아크릴산에스테르(m1)는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
아크릴산에스테르(m1)로는, 바람직하게는 CH2=CHCOOR(R은 알킬기 또는 시클로알킬기이다. R의 탄소수는 하한값으로서, 바람직하게는 6 이상이며, 보다 바람직하게는 8 이상이고, 상한값으로서, 바람직하게는 10 이하이며, 보다 바람직하게는 9 이하이다. R의 탄소수는, 예를 들면 바람직하게는 6 내지 10임)로 표시되는 아크릴산에스테르를 들 수 있다.
R의 탄소수가 6 미만인 경우, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 점착제층과 다이본딩 필름 사이의 박리력이 지나치게 커져, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
R의 탄소수가 10을 초과하는 경우, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 점착제층과 다이본딩 필름 사이의 접착성이 저하되고, 다이싱시에 소위 "칩 비산"이 발생할 우려가 있다.
본 발명에서 특히 바람직한 아크릴산에스테르(m1)로는, 아크릴산 2-에틸헥실에스테르, 아크릴산 이소옥틸에스테르를 들 수 있다.
중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 아크릴산에스테르(m1)의 함유 비율은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 임의의 적절한 함유 비율을 채용할 수 있다. 중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 아크릴산에스테르(m1)의 함유 비율은, 하한값으로서, 바람직하게는 40중량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 50중량％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 60중량％ 이상이고, 특히 바람직하게는 65중량％ 이상이며, 상한값으로서, 바람직하게는 97중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 95중량％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 93중량％ 이하이고, 특히 바람직하게는 91중량％ 이하이다.
중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 아크릴산에스테르(m1)의 함유 비율이 40중량％ 미만인 경우, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 점착제층과 다이본딩 필름 사이의 박리력이 지나치게 커져, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 아크릴산에스테르(m1)의 함유 비율이 97중량％를 초과하는 경우, 활성 에너지선 조사에 의한 중합체(P)의 경화성이 낮아지고, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 아크릴산에스테르(m1)의 함유 비율은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 임의의 적절한 함유 비율을 채용할 수 있다. 중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 아크릴산에스테르(m1)의 함유 비율은 하한값으로서, 바람직하게는 40중량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 50중량％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 60중량％ 이상이고, 특히 바람직하게는 65중량％ 이상이며, 상한값으로서, 바람직하게는 97중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 95중량％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 93중량％ 이하이고, 특히 바람직하게는 91중량％ 이하이다.
중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 아크릴산에스테르(m1)의 함유 비율이 40중량％ 미만인 경우, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 점착제층과 다이본딩 필름 사이의 박리력이 지나치게 커져, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 아크릴산에스테르(m1)의 함유 비율이 97중량％를 초과하는 경우, 활성 에너지선 조사에 의한 중합체(P)의 경화성이 낮아지고, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
카르복실기 함유 단량체(m2)로는, 예를 들면 (메트)아크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등을 들 수 있다. 카르복실기 함유 단량체로는, 특히 바람직하게는 (메트)아크릴산 및 카르복시알킬(메트)아크릴레이트로부터 선택되는 적어도 1종이다.
카르복실기 함유 단량체(m2)는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
옥사졸린기 함유 단량체(m3)로는, 예를 들면 2-비닐-2-옥사졸린, 4-메틸-2-비닐-2-옥사졸린, 5-메틸-2-비닐-2-옥사졸린, 2-비닐-4,4-디메틸-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 4-메틸-2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 5-메틸-2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-4,4-디메틸-2-옥사졸린 등을 들 수 있다.
옥사졸린기 함유 단량체(m3)는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 카르복실기 함유 단량체(m2)의 함유 비율은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 임의의 적절한 함유 비율을 채용할 수 있다. 중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 카르복실기 함유 단량체(m2)의 함유 비율은, 하한값으로서, 바람직하게는 3중량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 5중량％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 7중량％ 이상이고, 특히 바람직하게는 9중량％ 이상이며, 상한값으로서, 바람직하게는 20중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 18중량％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 16중량％ 이하이고, 특히 바람직하게는 15중량％ 이하이다.
중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 카르복실기 함유 단량체(m2)의 함유 비율이 3중량％ 미만인 경우, 활성 에너지선 조사에 의한 중합체(P)의 경화성이 낮아지고, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 카르복실기 함유 단량체(m2)의 함유 비율이 20중량％를 초과하는 경우, 점착제층 중 잔존 카르복실기의 양이 많아지고, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 다이본딩 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리성이 저하되고, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 옥사졸린기 함유 단량체(m3)의 함유 비율은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 임의의 적절한 함유 비율을 채용할 수 있다. 중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 옥사졸린기 함유 단량체(m3)의 함유 비율은, 하한값으로서, 바람직하게는 3중량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 5중량％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 7중량％ 이상이고, 특히 바람직하게는 9중량％ 이상이며, 상한값으로서, 바람직하게는 20중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 18중량％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 16중량％ 이하이고, 특히 바람직하게는 15중량％ 이하이다.
중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 옥사졸린기 함유 단량체(m3)의 함유 비율이 3중량％ 미만인 경우, 활성 에너지선 조사에 의한 중합체(P)의 경화성이 낮아지고, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 옥사졸린기 함유 단량체(m3)의 함유 비율이 20중량％를 초과하는 경우, 점착제 중 잔존 옥사졸린기의 양이 많아지고, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 다이본딩 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리성이 저하되고, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중에는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 상기 아크릴산에스테르(m1)와 공중합 가능한 다른 단량체를 포함할 수도 있다.
중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중에는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 상기 아크릴산에스테르(m1)와 공중합 가능한 다른 단량체를 포함할 수도 있다.
다른 단량체로는, 예를 들면 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드; 아크릴로니트릴; 등을 들 수 있다.
다른 단량체는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 다른 단량체의 함유 비율은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 임의의 적절한 함유 비율을 채용할 수 있다. 중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 다른 단량체의 함유 비율은, 하한값으로서, 바람직하게는 0중량％ 이상이고, 상한값으로서, 바람직하게는 40중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 35중량％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 30중량％ 이하이다.
중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 다른 단량체의 함유 비율이 40중량％를 초과하는 경우, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 점착제층과 다이본딩 필름 사이의 박리력이 지나치게 커져, 픽업성이 저하될 우려나, 활성 에너지선 조사에 의한 중합체(P)의 경화성이 낮아져, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 다른 단량체의 함유 비율은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 임의의 적절한 함유 비율을 채용할 수 있다. 중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 다른 단량체의 함유 비율은, 하한값으로서, 바람직하게는 0중량％ 이상이고, 상한값으로서, 바람직하게는 40중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 35중량％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 30중량％ 이하이다.
중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 다른 단량체의 함유 비율이 40중량％를 초과하는 경우, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 점착제층과 다이본딩 필름 사이의 박리력이 지나치게 커져, 픽업성이 저하될 우려나, 활성 에너지선 조사에 의한 중합체(P)의 경화성이 낮아져, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
중합체(P1)는, 바람직하게는 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어진다.
중합체(P2)는, 바람직하게는 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어진다.
중합의 방법으로는, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 중합의 방법으로는, 예를 들면 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등을 들 수 있다.
중합체(P)가, 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P1)와, 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 반응시켜서 얻어지는 경우(형태 1), 옥사졸린기 함유 단량체(m3)의 사용량은, 중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 카르복실기 함유 단량체(m2)에 대하여, 하한값으로서, 바람직하게는 80몰％ 이상이고, 보다 바람직하게는 85몰％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 90몰％ 이상이고, 상한값으로서, 바람직하게는 150몰％ 이하이고, 보다 바람직하게는 100몰％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 98몰％ 이하이다. 옥사졸린기 함유 단량체(m3)의 사용량이, 중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 카르복실기 함유 단량체(m2)에 대하여 80몰％ 미만인 경우, 점착제층 중 잔존 카르복실기의 양이 많아지고, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 다이본딩 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리성이 저하되고, 픽업성이 저하될 우려가 있다. 옥사졸린기 함유 단량체(m3)의 사용량이, 중합체(P1)를 구성하는 단량체 성분 중 카르복실기 함유 단량체(m2)에 대하여 150몰％를 초과하는 경우, 점착제층 중 잔존 옥사졸린기 함유 단량체(m3)의 양 및 그것 유래의 저분자량 물질의 양이 증가하여, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 점착제층과 다이본딩 필름 사이의 박리력이 지나치게 커져, 픽업성이 저하될 우려나, 잔존 옥사졸린기 함유 단량체(m3)의 휘발에 의해 환경이나 인체에 미치는 영향이 커질 우려가 있다.
중합체(P)가, 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P1)와, 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 반응시켜서 얻어지는 경우(형태 1), 중합체(P1)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 반응시켜서 중합체(P)를 얻는 방법으로는, 임의의 적절한 반응 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 중합체(P1)에 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 첨가하여, 임의의 적절한 반응 조건(예를 들면, 공기 중, 20 내지 70℃의 범위 내의 반응 온도, 10 내지 100시간의 반응 시간)으로 부가 반응을 행하는 방법을 들 수 있다.
중합체(P)가, 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P2)와, 카르복실기 함유 단량체(m2)를 반응시켜서 얻어지는 경우(형태 2), 카르복실기 함유 단량체(m2)의 사용량은, 중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 옥사졸린기 함유 단량체(m3)에 대하여, 하한값으로서, 바람직하게는 80몰％ 이상이고, 보다 바람직하게는 85몰％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 90몰％ 이상이고, 상한값으로서, 바람직하게는 150몰％ 이하이고, 보다 바람직하게는 100몰％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 98몰％ 이하이다. 카르복실기 함유 단량체(m2)의 사용량이, 중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 옥사졸린기 함유 단량체(m3)에 대하여 80몰％ 미만인 경우, 점착제층 중 잔존 옥사졸린기의 양이 많아지고, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 다이본딩 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리성이 저하되고, 픽업성이 저하될 우려가 있다. 카르복실기 함유 단량체(m2)의 사용량이, 중합체(P2)를 구성하는 단량체 성분 중 옥사졸린기 함유 단량체(m3)에 대하여 150몰％를 초과하는 경우, 점착제층 중 잔존 카르복실기 함유 단량체(m2)의 양 및 그것 유래의 저분자량 물질의 양이 증가되어, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 점착제층과 다이본딩 필름 사이의 박리력이 지나치게 커져, 픽업성이 저하될 우려나, 잔존 카르복실기 함유 단량체(m2)의 휘발에 의해 환경이나 인체에 미치는 영향이 커질 우려가 있다.
중합체(P)가, 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P2)와, 카르복실기 함유 단량체(m2)를 반응시켜서 얻어지는 경우(형태 2), 중합체(P2)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 반응시켜서 중합체(P)를 얻는 방법으로는, 임의의 적절한 반응 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 중합체(P2)에 카르복실기 함유 단량체(m2)를 가하여, 임의의 적절한 반응 조건(예를 들면, 공기 중, 20 내지 70℃의 범위 내의 반응 온도, 10 내지 100시간의 반응 시간)으로 부가 반응을 행하는 방법을 들 수 있다.
중합체(P)의 경화물은, 활성 에너지선 조사에 의해 중합체(P)를 가교 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
중합체(P)는, 활성 에너지선 조사에 의해 가교 반응시킴으로써, 경화물로 할 수 있다.
활성 에너지선 조사에 의해 중합체(P)를 가교 반응시키기 위해서, 바람직하게는 중합체(P)에 대하여, 임의의 적절한 가교제 및 임의의 적절한 광중합 개시제를 사용한다.
가교제로는, 예를 들면 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아질리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등을 들 수 있다.
가교제는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
가교제의 사용량은, 중합체(P)의 종류 등에 의해 임의의 적절한 양을 채용할 수 있다. 가교제의 사용량은, 예를 들면 중합체(P)에 대하여, 하한값으로서, 바람직하게는 0.01중량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.1중량％ 이상이며, 상한값으로서, 바람직하게는 20중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10중량％ 이하이다.
광중합 개시제로는, 예를 들면 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트; 등을 들 수 있다.
광중합 개시제는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
광중합 개시제의 사용량은, 중합체(P)의 종류 등에 따라 임의의 적절한 양을 채용할 수 있다. 광중합 개시제의 사용량은, 예를 들면 중합체(P)에 대하여, 하한값으로서, 바람직하게는 0.01중량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.05중량％ 이상이며, 상한값으로서, 바람직하게는 20중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10중량％ 이하이다.
점착제 중에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 다른 성분을 포함할 수도 있다.
다른 성분으로는, 예를 들면 경화하지 않은 중합체(P); 카르복실기와 반응하는 화합물; 옥사졸린기와 반응하는 화합물; 활성 에너지선 경화성 단량체; 활성 에너지선 경화성 올리고머; 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제; 등을 들 수 있다.
카르복실기와 반응하는 화합물은, 예를 들면 점착제 중에 존재하는 잔존 카르복실기의 양을 조정하기 위해서 사용할 수 있다. 카르복실기와 반응하는 화합물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 임의의 적절한 양을 사용할 수 있다.
카르복실기와 반응하는 화합물로는, 예를 들면 아미노기 함유 화합물, 에폭시기 함유 화합물, 이소시아네이트기 함유 화합물, 카르보디이미드기 함유 화합물 등을 들 수 있다.
카르복실기와 반응하는 화합물은 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
옥사졸린기와 반응하는 화합물은, 예를 들면 점착제 중에 존재하는 잔존 옥사졸린기의 양을 조정하기 위해서 사용할 수 있다. 옥사졸린기와 반응하는 화합물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 임의의 적절한 양을 사용할 수 있다.
옥사졸린기와 반응하는 화합물로는, 예를 들면 카르복실기 함유 화합물, 방향족 티올기 함유 화합물, 페놀기 함유 화합물 등을 들 수 있다.
옥사졸린기와 반응하는 화합물은 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
활성 에너지선 경화성 단량체나 활성 에너지선 경화성 올리고머는, 예를 들면 활성 에너지선 조사 전의 점착력이나 활성 에너지선 조사 후의 점착력을 조정하기 위해 사용할 수 있다.
활성 에너지선 경화성 단량체로는, 예를 들면 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스톨 모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
활성 에너지선 경화성 단량체는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
활성 에너지선 경화성 올리고머로는, 예를 들면 우레탄계 올리고머, 폴리에테르계 올리고머, 폴리에스테르계 올리고머, 폴리카르보네이트계 올리고머, 폴리부타디엔계 올리고머 등을 들 수 있다.
활성 에너지선 경화성 올리고머는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
활성 에너지선 경화성 올리고머의 분자량은, 바람직하게는 100 내지 30000이다.
활성 에너지선 경화성 단량체나 활성 에너지선 경화성 올리고머는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 임의의 적절한 양을 사용할 수 있다. 활성 에너지선 경화성 단량체나 활성 에너지선 경화성 올리고머의 사용량은, 이들의 합계가 예를 들면 중합체(P)에 대하여, 하한값으로서, 바람직하게는 5중량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상이며, 상한값으로서, 바람직하게는 500중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 150중량％ 이하이다.
점착제의 산가는, 바람직하게는 10 이하이다. 점착제의 산가가 10을 초과하면, 점착제 중 잔존 카르복실기의 양이 많아지고, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 다이싱 필름의 점착제층에 사용하여 다이싱·다이본딩 필름으로 하는 경우, 다이본딩 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리성이 저하되고, 픽업성이 저하될 우려가 있다.
점착제의 산가는, 점착제의 형성에서 사용할 수 있는 옥사졸린기 함유 화합물(B) 등 각종 화합물의 사용량의 조정 등에 의해 조절할 수 있다.
산가는 JIS K 0070-1992(전위차 적정법)에 준해서 평가를 행할 수 있다.
카르복실기 함유 중합체(P3)는 수 분산체일 수도 있다. 이에 따라, 수계의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제로 할 수 있다.
옥사졸린기 함유 중합체(P4)는 수 분산체일 수도 있다. 이에 따라, 수계의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제로 할 수 있다.
카르복실기 함유 중합체(P3)의 수 분산체는, 바람직하게는 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어진다.
옥사졸린기 함유 중합체(P4)의 수 분산체는, 바람직하게는 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어진다.
중합시에는, 단량체 성분에 대하여, 추가로 유화제, 분산제, 중합 개시제, 연쇄 이동제 등이 첨가될 수도 있다.
중합의 방법으로는, 중합체(A)의 수 분산체가 얻어지는 방법이면, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 중합의 방법으로는, 예를 들면 유화 중합, 현탁 중합 등을 들 수 있다.
중합에서의 원료의 첨가 방법으로는, 일괄 첨가, 연속 첨가, 분할 첨가 등, 임의의 적절한 첨가 방법을 채용할 수 있다.
중합 온도는 사용하는 중합 개시제 등에 따라, 바람직하게는 5℃ 내지 100℃의 범위 내에서 조정할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 중합은 웨이퍼에 대한 유기물 오염량의 감소에 특히 효과가 있는 것 등으로, 일괄 중합으로 행하는 것이 바람직하고, 또한 저온(바람직하게는 50℃ 이하, 보다 바람직하게는 30℃ 이하)에서 행하는 것이 바람직하다. 이러한 조건으로 함으로써, 고분자량체가 얻어지기 쉽고, 저분자량 성분이 적어져, 웨이퍼에 대한 유기물 오염량을 감소시키는 것이 가능해진다.
중합시에는, 유화제를 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 반도체 웨이퍼 가공용의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트에 사용하는 경우에는, 불순물 이온의 존재가 문제가 되는 경우가 있기 때문에, 불순물 이온이 제거되어 SO4 2 - 이온 농도가 100㎍/g 이하인 유화제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 음이온계인 경우, 암모늄염 유화제가 바람직하다.
불순물 이온을 제거하는 방법으로는, 예를 들면 이온 교환 수지법, 막분리법, 알코올을 사용한 불순물의 침전 여과법 등, 임의의 적절한 방법을 들 수 있다.
유화제로서, 프로페닐기, 알릴에테르기 등의 라디칼 중합성 관능기를 갖는 반응성 유화제는, 웨이퍼에 대한 유기물 오염량을 보다 감소시킬 수 있다는 점에서 바람직하다.
반응성 유화제로는, 아사히 덴까 고교(주) 제조의 "아데카 소프 SE-10N"; 다이이찌 고교 세야꾸(주) 제조의 "아쿠아론 HS-20", "아쿠아론 HS-10", "아쿠아론 HS-05"; 등을 들 수 있다.
점착 특성을 향상시키는 것 등을 위해, 유화제로서 일반적인 유화제를 사용할 수도 있다. 이러한 유화제로는, 예를 들면 라우릴황산나트륨, 라우릴황산암모늄, 도데실벤젠술폰산나트륨, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산나트륨, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르황산나트륨 등의 음이온계 유화제; 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 등의 비이온계 유화제; 등을 들 수 있다.
본 발명에서 유화제의 배합량은, 전체 단량체 성분 100중량부에 대하여, 하한값으로서, 바람직하게는 0.1중량부 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부 이상이며, 상한값으로서, 바람직하게는 7중량부 이하이고, 보다 바람직하게는 4중량부 이하이다.
유화제의 배합량이 전체 단량체 성분 100중량부에 대하여 7중량부를 초과하는 경우, 점착제의 응집력이 저하되어 피착체에 대한 오염량이 증가할 우려나, 유화제 자신에 의한 오염이 발생할 우려가 있다.
유화제의 배합량이 전체 단량체 성분 100중량부에 대하여 0.1중량부 미만인 경우, 안정된 유화를 유지할 수 없을 우려가 있다.
유화제는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
중합시에는, 분산제를 사용할 수도 있다. 분산제로는, 예를 들면 폴리비닐알코올, 폴리메타크릴아미드 등의 수용성 합성 고분자; 젤라틴, 메틸셀룰로오스, 전분 등의 천연 수용성 고분자; BaSO4, CaSO4, BaCO3, CaCO3, MgCO3, Ca3(PO4)2, Al(OH)3 등의, 물에 난용성인 무기물; 등을 들 수 있다.
분산제는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
중합시에는 중합 개시제를 사용할 수도 있다. 중합 개시제로는, 예를 들면 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스(N,N'-디메틸렌이소부틸아미딘) 등의 아조계 중합 개시제; 과황산칼륨, 과황산암모늄 등의 과황산염계 중합 개시제; 벤조일퍼옥시드, t-부틸히드로퍼옥시드 등의 과산화물계 중합 개시제; 과산화수소수와 아스코르브산, 과산화수소수와 철(II)염, 과황산염과 아황산수소나트륨 등의 산화 환원계 중합 개시제; 등을 들 수 있다.
본 발명에서는, 웨이퍼에 대한 유기물 오염량의 감소에 특히 효과가 있기 때문에, 산화 환원계 중합 개시제를 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유에 대해서는 명확하지 않지만, 산화 환원계 중합 개시제를 사용함으로써 고분자량체가 얻어지기 쉽고 저분자량 성분이 적어지는 것에 기인하고 있는 것으로 추정된다. 또한, 예를 들면 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 반도체 웨이퍼 가공용 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트에 사용하는 경우, 상기 테이프 또는 시트 중 불순물 이온의 존재가 문제가 되는 경우에는, 이온 성분을 포함하지 않는 산화 환원계 중합 개시제를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 산화 환원계 중합 개시제로는, 예를 들면 과산화수소수와 아스코르브산의 조합이 바람직하다. 또한, 산화 환원계 중합 개시제를 사용하는 경우, 중합 온도는 바람직하게는 50℃ 이하, 보다 바람직하게는 30℃ 이하이다.
본 발명에서 중합 개시제의 배합량으로는, 그의 종류나 단량체 성분의 종류에 따라 임의의 적절한 양을 채용할 수 있다. 중합 개시제의 배합량으로는, 전체 단량체 성분 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.001중량부 내지 0.1중량부의 범위이다.
중합 개시제는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
본 발명에서는, 카르복실기 함유 중합체(P3)나 옥사졸린기 함유 중합체(P4)의 분자량을 조정하기 위해서, 연쇄 이동제를 사용할 수도 있다. 연쇄 이동제로는, 임의의 적절한 연쇄 이동제를 채용할 수 있다. 연쇄 이동제로는, 예를 들면 라우릴머캅탄, 머캅토아세트산, 2-머캅토에탄올, 티오글리콜산 2-에틸헥실, 2,3-디메틸캅토-1-프로판올 등을 들 수 있다.
연쇄 이동제는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
≪B. 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트≫
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트는, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 점착제층으로서 기재 상에 갖는다.
점착제층의 두께는, 임의의 적절한 두께를 채용할 수 있다. 점착제층의 두께는, 예를 들면 하한값으로서, 바람직하게는 1 ㎛ 이상이고, 보다 바람직하게는 2 ㎛ 이상이며, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이상이고, 상한값으로서, 바람직하게는 50㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이하이다. 점착제층의 두께가 상기 범위 내에 있음으로써, 반도체 장치 제조에서의 반도체 웨이퍼 가공에 사용한 경우, 칩 절단면의 절결을 방지할 수 있을 뿐 아니라, 고점착성과 고박리성을 균형있게 발현할 수 있다.
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트에는, 대전 방지능을 갖게 할 수 있다. 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트에 대전 방지능을 갖게 함으로써, 그의 점착시 및 박리시 등에서의 정전기의 발생이나 그에 따른 워크(반도체 웨이퍼 등)의 대전으로 회로가 파괴되는 것 등을 방지할 수 있다.
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트에 대전 방지능을 부여하는 방법으로는, 기재나 점착제층에 대전 방지제나 도전성 물질을 첨가하는 방법, 전하 이동 착체나 금속막 등을 포함하는 도전층을 기재 상에 부설하는 방법 등을 들 수 있다. 이들의 방식으로는, 예를 들면 반도체 장치 제조에서의 반도체 웨이퍼 가공에 사용한 경우 반도체 웨이퍼를 변질시킬 우려가 있는 불순물 이온이 발생되기 어려운 방식이 바람직하다.
도전성의 부여, 열전도성의 향상 등을 목적으로 하여 배합되는 도전성 물질(도전 필러)로는 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 도전성 합금 등의 구 형상, 바늘 형상, 플레이크 형상의 금속 분말, 알루미나 등의 금속 산화물, 비정질 카본 블랙, 흑연 등을 들 수 있다.
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트는, 세퍼레이터에 의해 보호될 수도 있다. 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트는, 세퍼레이터에 의해 보호된 상태에서 롤 형상으로 권취할 수 있다. 세퍼레이터는, 실용에 제공하기까지 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트를 보호하는 보호재로서의 기능을 갖는다. 세퍼레이터로는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름, 종이 등을 들 수 있다.
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트는, 예를 들면 세퍼레이터에 의해 보호되지 않은 경우, 배면 처리를 행할 수도 있다. 배면 처리는, 예를 들면 실리콘계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제를 사용하여 행할 수 있다.
≪B-1. 기재≫
기재는 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트의 강도 모체가 된다.
기재는 활성 에너지선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트를 사용하여 반도체 장치를 제조할 때, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트가 갖는 점착제층에 포함되는 중합체(P)는, 반도체 칩을 픽업하기 전에 활성 에너지선 조사에 의해 경화되어 있는 것이 바람직하기 때문이다. 또한, 이 경우 활성 에너지선 조사는, 반도체 칩을 픽업하기 전 임의의 적절한 시점에서 행할 수 있다.
기재의 두께는 임의의 적절한 두께를 채용할 수 있다. 바람직하게는 5㎛ 내지 200㎛이다.
기재의 재료로는, 본 발명의 효과를 발현할 수 있는 범위 내에서, 임의의 적절한 재료를 채용할 수 있다. 기재의 재료로는, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 초고분자량 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 (랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 아이오노머 수지 등의 폴리올레핀계 수지; 폴리스티렌, ABS 수지, AS 수지, AAS 수지, ACS 수지, AES 수지, MS 수지, SMA 수지, MBS 수지 등의 스티렌계 수지; 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 등의 염소계 수지; 폴리우레탄 등의 우레탄계 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드(아라미드), 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 폴리페닐술피드 등의 엔지니어링 플라스틱; 유리; 유리 섬유; 불소 수지; 셀룰로오스계 수지; 실리콘 수지 ; 금속(박); 종이; 등을 들 수 있다. 기재의 재료로는, 또한 상기 수지 등의 가교체도 들 수 있다.
기재는 1종의 재료만으로 형성될 수도 있고, 2종 이상의 재료로 형성될 수도 있다. 또한, 기재는 단층일 수도 있고, 2종 이상의 복층일 수도 있다.
기재는 비연신된 기재를 사용할 수도 있고, 1축 연신이나 2축 연신 등의 연신 처리를 실시한 기재를 사용할 수도 있다.
연신 처리를 실시한 기재를 사용하면, 예를 들면 반도체 장치 제조에서의 반도체 웨이퍼 가공에 사용한 경우, 다이싱 후에 상기 기재를 열수축시킴으로써, 점착제층과 피착체와의 접착 면적을 저하시킬 수 있고, 반도체 칩의 회수를 용이하게 행할 수 있다.
기재의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성이나 유지성 등을 높이기 위해, 임의의 적절한 표면 처리가 실시될 수도 있다. 이러한 표면 처리로는, 예를 들면 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리; 하도제(예를 들면, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리; 등을 들 수 있다.
기재에는, 대전 방지능을 부여하기 위해서, 상기 기재 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등을 포함하는 도전성 물질의 증착층을 설치할 수 있다. 이러한 증착층의 두께는, 바람직하게는 30Å 내지 500Å이다.
≪C. 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트의 제조 방법≫
기재는 임의의 적절한 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 이러한 제막 방법으로는, 예를 들면 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다.
이어서, 기재 상에 본 발명의 점착제를 포함하는 조성물을 도포하고, 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층을 형성한다. 점착제를 포함하는 조성물을 도포하는 방식으로는, 예를 들면 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 도포는 직접 기재 상에 행할 수도 있고, 표면에 박리 처리를 행한 박리지 등에 도포한 후에 기재에 전사할 수도 있다.
≪D. 다이싱·다이본딩 필름≫
본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이본딩 필름을 갖는 다이싱·다이본딩 필름이다.
도 1은 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름의 바람직한 실시 형태의 일례의 개략 단면도이다.
도 1에서, 다이싱·다이본딩 필름 (10)은 기재(1) 상에 점착제층(2)을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층(2) 상에 설치된 다이본딩 필름(3)을 갖는다. 점착제층(2)은, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제 또는 상기 점착제의 경화물을 전체적으로 포함하고 있다.
도 2는 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름의 다른 바람직한 실시 형태의 일례의 개략 단면도이다.
도 2에서, 다이싱·다이본딩 필름 (11)은, 기재(1) 상에 점착제층(2)을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층(2) 상에 설치된 다이본딩 필름(3')을 갖는다. 도 2에서의 다이본딩 필름(3')은, 점착제층(2) 상에서 반도체 웨이퍼(4)의 부착 부분에만 형성되어 있다.
점착제층(2)은, 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화물로 이루어지는 부분(2a)과, 활성 에너지선이 조사되지 않아 경화하지 않은 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제로부터 이루어지는 부분(2b)을 포함한다.
이와 같이, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름에서는, 점착제층(2)은, 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화물을 전체적으로 포함하고 있을 필요는 없고, 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화물을 부분적으로 포함할 수도 있다.
도 3은, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름의 또 다른 바람직한 실시 형태의 일례의 개략 단면도이다. 도 3에서, 다이싱·다이본딩 필름 (11)은, 기재(1) 상에 점착제층(2)을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층(2) 상에 설치된 다이본딩 필름(3')을 갖는다. 도 3에서의 다이본딩 필름(3')은, 점착제층(2) 상에서 반도체 웨이퍼(4)의 접착 부분에만 형성되어 있다.
본 발명의 다이싱·다이본딩 필름에는, 대전 방지능을 갖게 할 수 있다. 다이싱·다이본딩 필름에 대전 방지능을 갖게 함으로써, 그의 접착시 및 박리시 등에서의 정전기의 발생이나 그에 따른 워크(반도체 웨이퍼 등)의 대전으로 회로가 파괴되는 것 등을 방지할 수 있다.
다이싱·다이본딩 필름에 대전 방지능을 부여하는 방법으로는, 기재, 점착제층, 혹은 다이본딩 필름에 대전 방지제나 도전성 물질을 첨가하는 방법, 전하 이동 착체나 금속막 등을 포함하는 도전층을 기재 상에 부설하는 방법 등을 들 수 있다. 이들의 방식으로는, 반도체 웨이퍼를 변질시킬 우려가 있는 불순물 이온이 발생하기 어려운 방식이 바람직하다.
도전성의 부여, 열전도성의 향상 등을 목적으로 하여 배합되는 도전성 물질(도전 필러)로는 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 도전성 합금 등의 구 형상, 바늘 형상, 플레이크 형상의 금속 분말, 알루미나 등의 금속 산화물, 비정질 카본 블랙, 흑연 등을 들 수 있다.
다이본딩 필름은 비도전성인 것이 전기적으로 누설하지 않도록 할 수 있다는 점에서 바람직하다.
다이본딩 필름은, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다. 세퍼레이터는, 실용에 제공하기까지 다이본딩 필름을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖는다. 또한, 세퍼레이터는 추가로 점착제층에 다이본딩 필름을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱·다이본딩 필름의 다이본딩 필름 상에 워크를 부착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름, 종이 등을 들 수 있다.
≪D-1. 기재≫
기재는 다이싱·다이본딩 필름의 강도 모체가 된다.
기재는 활성 에너지선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름이 갖는 점착제층에 포함되는 점착제는, 반도체 칩을 픽업하기 전에, 미리 활성 에너지선 조사에 의해 경화되어 있을 필요가 있기 때문이다. 또한, 이 경우 활성 에너지선 조사는, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름에 반도체 웨이퍼(워크)를 고정하기 전 임의의 적절한 시점에서 행할 수도 있고, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름에 반도체 웨이퍼(워크)를 고정시킨 후부터 반도체 칩을 픽업하기 전 사이의 임의의 적절한 시점에서 행할 수도 있다.
활성 에너지선이란, α선, β선, γ선, 전자선, 중성자선, X선과 같은 방사선이나, 자외선 등을 의미한다.
기재의 두께는 임의의 적절한 두께를 채용할 수 있다. 바람직하게는 5㎛ 내지 200㎛이다.
기재의 재료로는, 본 발명의 효과를 발현할 수 있는 범위 내에서, 임의의 적절한 재료를 채용할 수 있다. 기재의 재료로는, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 초고분자량 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 (랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 아이오노머 수지 등의 폴리올레핀계 수지; 폴리스티렌, ABS 수지, AS 수지, AAS 수지, ACS 수지, AES 수지, MS 수지, SMA 수지, MBS 수지 등의 스티렌계 수지; 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 등의 염소계 수지; 폴리우레탄 등의 우레탄계 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드(아라미드), 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 폴리페닐술피드 등의 엔지니어링 플라스틱; 유리; 유리 섬유; 불소 수지; 셀룰로오스계 수지; 실리콘 수지 ; 금속(박); 종이; 등을 들 수 있다. 기재의 재료로는, 추가로 상기 수지 등의 가교체도 들 수 있다.
기재는 1종의 재료만으로 형성될 수도 있고, 2종 이상의 재료로 형성될 수도 있다. 또한, 기재는 단층일 수도 있고, 2종 이상의 복층일 수도 있다.
기재는 비연신 기재를 사용할 수도 있고, 1축 연신이나 2축 연신 등의 연신 처리를 실시한 기재를 사용할 수도 있다.
연신 처리를 실시한 기재를 사용하면, 다이싱 후에 상기 기재를 열수축시킴으로써, 점착제층과 다이본딩 필름의 접착 면적을 저하시킬 수 있고, 반도체 칩의 회수를 용이하게 행할 수 있다.
기재의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성이나 유지성 등을 높이기 위해, 임의의 적절한 표면 처리가 실시될 수도 있다. 이러한 표면 처리로는, 예를 들면 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리; 하도제(예를 들면, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리; 등을 들 수 있다.
기재에는, 대전 방지능을 부여하기 위해, 상기 기재 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등을 포함하는 도전성 물질의 증착층을 설치할 수 있다. 이러한 증착층의 두께는 바람직하게는 30Å 내지 500Å이다.
≪D-2. 점착제층≫
점착제층은 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제 또는 상기 점착제의 경화물을 포함한다.
점착제층이 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 포함하는 경우, 활성 에너지선 조사에 의해 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 경화시킴으로써, 가교도를 증대시켜서 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 점착력을 저하시킬 수 있다.
점착제층이 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화물을 포함하는 경우, 활성 에너지선 조사에 의해 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 경화시킴으로써, 가교도를 증대시켜 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 점착력을 저하시킬 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시하는 점착제층(2)은, 반도체 웨이퍼 부착 부분에 활성 에너지선을 조사시켜 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 경화시킨 경화물로 이루어지는 부분(2a)과, 활성 에너지선이 조사되지 않아 경화하지 않은 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제로 이루어지는 부분(2b)을 포함하고, 부분(2a)과 부분(2b)의 점착력에 차가 설치되어 있다.
도 2에서는, 다이본딩 필름(3')은, 활성 에너지선을 조사하여 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제가 경화함으로써 점착력이 저하된 부분(2a)의 전부 및 활성 에너지선이 조사되지 않아 경화하지 않은 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제로 이루어지는 부분(2b)의 일부에 부착된다. 도 2에서, 점착제층(2)의 부분(2a)과 다이본딩 필름(3')과의 계면은, 부분(2a)의 점착력이 저하되어 있으므로, 픽업시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 도 2에서, 부분(2b)과 다이본딩 필름(3')의 계면은, 부분(2b)이 충분한 점착력을 갖고 있으므로, 다이본딩 필름(3')과 점착하고, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다.
도 2에 도시하는 점착제층(2)에서, 활성 에너지선이 조사되지 않아 경화하지 않은 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제로 이루어지는 부분(2b)은, 다이싱 링을 고정시킬 수 있다. 다이싱 링은, 예를 들면 스테인리스제 등의 금속을 포함하는 것이나 수지제인 것을 사용할 수 있다.
점착제층이 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 포함하는 경우, 활성 에너지선 조사는, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름에 반도체 웨이퍼(워크)를 고정시킨 후부터 반도체 칩을 픽업하기 전 사이의 임의의 적절한 시점에서 행할 수 있다.
도 3에 도시하는 점착제층(2)은, 다이싱 링을 고정시킬 수 있다. 다이싱 링은, 예를 들면 스테인리스제 등의 금속을 포함하는 것이나 수지제인 것을 사용할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 점착제층을 적절하게 설계함으로써, 다이본딩 필름을 접착성·박리성의 양면에서 균형있게 지지할 수 있다.
점착제층을 형성하는 방법으로는, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 점착제층을 형성하는 방법으로는, 예를 들면 기재 상에 직접 점착제층을 형성하는 방법이나, 세퍼레이터 상에 설치한 점착제층을 기재 상에 전사하는 방법을 들 수 있다.
점착제층이 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화물을 포함하는 경우, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화는, 다이본딩 필름을 접합하기 전에 실제로 실시할 수도 있고, 다이본딩 필름을 접합한 후에 실제로 실시할 수도 있다.
점착제층에서, 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화는, 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 일부만을 활성 에너지선 조사에 의해 경화할 수 있다(경화 부분이 부분(2a), 미경화 부분이 부분(2b)).
활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화를 부분적으로 행하는 방법으로는, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화를 부분적으로 행하는 방법으로는, 예를 들면 부분적으로 활성 에너지선을 조사하는 방법이나, 기재의 적어도 한쪽면에 활성 에너지선을 차광하는 재료를 인쇄나 증착 등으로 설치하는 방법을 들 수 있다.
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 경화시키기 위한 활성 에너지선의 조사 적산 광량은, 바람직하게는 50 내지 500mJ/㎠이다. 중합체(P)를 경화시키기 위한 활성 에너지선의 조사 적산 광량을 상기 범위 내로 함으로써, 다이싱시 소위 "칩 비산"이 발생하는 것을 억제할 수 있을만큼의 접착성을 유지할 수 있을 뿐 아니라, 픽업시에는 양호한 픽업성을 발현할 수 있다.
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제에 대한 활성 에너지선 조사시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 점착제층의 표면으로부터 산소를 차단하는 것이 바람직하다. 산소를 차단하는 방법으로는, 예를 들면 점착제층의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 등의 불활성 가스의 분위기 중에서 활성 에너지선 조사를 행하는 방법을 들 수 있다.
점착제층의 두께는 임의의 적절한 두께를 채용할 수 있다. 점착제층의 두께는, 예를 들면 하한값으로서, 바람직하게는 1 ㎛ 이상이고, 보다 바람직하게는 2 ㎛ 이상이며, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이상이고, 상한값으로서, 바람직하게는 50㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 30㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이하이다. 점착제층의 두께가 상기 범위 내에 있음으로써, 칩 절단면의 절결을 방지할 수 있을 뿐 아니라, 다이본딩 필름을 접착성·박리성의 양면에서 균형있게 지지할 수 있다.
≪D-3. 다이본딩 필름≫
본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이본딩 필름을 갖는다.
다이본딩 필름은, 예를 들면 접착제층의 단층만으로 이루어지는 구성으로 할 수도 있고, 유리 전이 온도가 상이한 열가소성 수지나 열경화 온도가 상이한 열경화성 수지 등을 적절하게 조합하여, 2층 이상의 다층 구조로 할 수도 있다.
반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에서는 절삭수를 사용하기 위해, 다이본딩 필름이 흡습하여, 보통 상태 이상의 함수율이 되는 경우가 있다. 이러한 고함수율을 갖는 다이본딩 필름을 기판 등에 접착시키면, 후경화의 단계에서 접착 계면에 수증기가 모이고, 들뜸이 발생하는 경우가 있다. 따라서, 다이 접착용 접착제로는, 투습성이 높은 코어 재료를 다이 접착제로 끼운 구성으로 함으로써, 후경화의 단계에서 수증기가 필름을 통해서 확산되기 때문에, 상기의 들뜸이 발생하는 문제를 피할 수 있다.
상기 측면에서, 다이본딩 필름은 코어 재료의 한쪽면 또는 양면에 접착제층을 형성한 다층 구조로 할 수도 있다.
상기 코어 재료로는, 예를 들면 필름(예를 들면, 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 실리콘 기판, 유리 기판 등을 들 수 있다.
다이본딩 필름은 접착제층 중에 에폭시 수지를 포함한다. 에폭시 수지는 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적다는 이점을 갖는다.
다이본딩 필름의 접착제층 중 에폭시 수지의 함유 비율은, 하한값으로, 바람직하게는 50중량％ 이상, 보다 바람직하게는 70중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 90중량％ 이상, 특히 바람직하게는 95중량％ 이상이고, 상한값은 100중량％ 이하이다.
에폭시 수지로는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이면, 임의의 적절한 에폭시 수지를 채용할 수 있다. 에폭시 수지로는, 예를 들면 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지; 히단토인형 에폭시 수지; 트리글리시딜이소시아누레이트형 에폭시 수지; 글리시딜아민형 에폭시 수지; 등을 들 수 있다.
에폭시 수지는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
에폭시 수지로는, 특히 바람직하게는 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지를 들 수 있다. 이들의 에폭시 수지는 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하다.
다이본딩 필름의 접착제층 중에는, 적절히 필요에 따라, 그 밖의 열경화성 수지나 열가소성 수지가 포함될 수도 있다. 이들의 수지는 1종만 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
열경화성 수지로는, 예를 들면 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지의 경화제로는, 페놀 수지가 바람직하다.
페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 것이고, 예를 들면 페놀노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지; 레졸형 페놀 수지; 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌; 등을 들 수 있다.
페놀 수지로는, 특히 바람직하게는 페놀노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지를 들 수 있다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 에폭시 수지 성분 중 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중 수산기가, 하한값으로서, 바람직하게는 0.5당량 이상이고, 보다 바람직하게는 0.8당량 이상이며, 상한값으로서, 바람직하게는 2.0당량 이하이고, 보다 바람직하게는 1.2당량 이하이다. 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율이 상기 범위로부터 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워질 우려가 있다.
열가소성 수지로는, 예를 들면 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로는, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으며, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다는 점에서, 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
아크릴 수지로는, 임의의 적절한 아크릴 수지를 채용할 수 있다. 아크릴 수지로는, 예를 들면 탄소수가 하한값으로, 바람직하게는 4 이상이고, 상한값으로, 바람직하게는 30 이하이고, 보다 바람직하게는 18 이하인, 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 포함하는 단량체 성분을 중합하여 얻어지는 중합체를 들 수 있다.
알킬기로는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 도데실기 등을 들 수 있다.
아크릴 수지를 형성하는 상기 단량체 성분 중에는, 임의의 적절한 다른 단량체를 포함할 수도 있다.
다른 단량체로는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 등을 들 수 있다.
다이본딩 필름의 접착제층에는, 미리 어느 정도 가교를 시켜 놓기 위해서, 제작시에 접착제층 중에 포함되는 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응할 수 있는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시킬 수도 있다. 이러한 다관능성 화합물을 첨가함으로써, 고온하에서의 접착 특성을 향상시키고, 내열성의 개선을 도모할 수 있다. 다관능성 화합물은 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
다이본딩 필름의 접착제층에는, 필요에 따라 임의의 적절한 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
다른 첨가제로는, 예를 들면 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제 등을 들 수 있다.
난연제로는, 예를 들면 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다.
실란 커플링제로는, 예를 들면 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다.
이온 트랩제로는, 예를 들면 히드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다.
다이본딩 필름의 두께로는, 임의의 적절한 두께를 채용할 수 있다. 다이본딩 필름의 두께로는, 하한값으로서, 바람직하게는 5㎛ 이상이고, 상한값으로서, 바람직하게는 100㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하이다.
≪E. 다이싱·다이본딩 필름의 제조 방법≫
점착제층이 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화물을 포함하는 경우, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름의 제조 방법(제조 형태 1)에 대해서, 다이싱·다이본딩 필름 (11)(도 2, 도 4의 (a))을 예로 들어 설명한다.
기재(1)는 임의의 적절한 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 이러한 제막 방법으로는, 예를 들면 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다.
이어서, 기재(1) 상에 점착제를 포함하는 조성물을 도포하고, 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층을 형성한다. 점착제를 포함하는 조성물을 도포하는 방식으로는, 예를 들면 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 도포는 직접 기재(1) 상에 행할 수도 있고, 표면에 박리 처리를 행한 박리지 등에 도포한 후에 기재(1)에 전사할 수도 있다. 그 후, 다이본딩 필름이 접합되는 부분보다도 약간 작은 영역에만 활성 에너지선을 조사해서 점착제를 경화시키고, 경화 부분(2a)과 미경화 부분(2b)을 포함하는 점착제층(2)으로 한다.
이어서, 다이본딩 필름(3)을 형성하기 위한 형성 재료를 박리지 상에 소정 두께가 되도록 도포하고, 추가로 소정 조건하에서 건조하여, 도포층을 형성한다. 이 도포층을 절단하고, 점착제층(2) 상에 전사함으로써, 다이본딩 필름(3)을 형성한다.
또는, 다이본딩 필름(3)을 형성하기 위한 형성 재료를 점착제층(2) 상에 직접 도포한 후, 소정 조건하에서 건조시키는 것에 의해서도 다이본딩 필름(3)을 형성할 수 있다.
이상에 의해, 제조 형태 1에 의해, 본 발명에 따른 다이싱·다이본딩 필름 (11)을 얻을 수 있다. 또한, 이 예에서는, 점착제에 대한 활성 에너지선 조사는 다이본딩 필름을 접합하기 전에 실시하고 있지만, 다이본딩 필름을 접합한 후에 실시해도 관계없다.
점착제층이 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 포함하는 경우, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름의 제조 방법(제조 형태 2)에 대해서, 다이싱·다이본딩 필름 (10)(도 1)을 예로 들어 설명한다.
기재(1)는, 임의의 적절한 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 이러한 제막 방법으로는, 예를 들면 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다.
이어서, 기재(1) 상에 점착제를 포함하는 조성물을 도포하고, 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층을 형성한다. 점착제를 포함하는 조성물을 도포하는 방식으로는, 예를 들면 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 도포는 직접 기재(1) 상에 행할 수도 있고, 표면에 박리 처리를 행한 박리지 등에 도포한 후 기재(1)에 전사할 수도 있다.
이어서, 다이본딩 필름(3)을 형성하기 위한 형성 재료를 박리지 상에 소정 두께가 되도록 도포하고, 추가로 소정 조건하에서 건조하여 도포층을 형성한다. 이 도포층을 절단하고, 점착제층(2) 상에 전사함으로써, 다이본딩 필름(3)을 형성한다.
또는, 다이본딩 필름(3)을 형성하기 위한 형성 재료를 점착제층(2) 상에 직접 도포한 후, 소정 조건하에서 건조시키는 것에 의해서도 다이본딩 필름(3)을 형성할 수 있다.
이상에 의해, 제조 형태(2)에 의해, 본 발명에 따른 다이싱·다이본딩 필름 (10)을 얻을 수 있다.
≪F. 반도체 장치의 제조 방법≫
본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 다이본딩 필름 상에 임의로 설치된 세퍼레이터를 적절하게 박리하여, 다음과 같이 사용될 수 있다. 이하에서는, 점착제층이 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화물을 포함하는 경우에 대해서는 도 4를 참조하면서, 점착제층이 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 포함하는 경우에 대해서는 도 5를 참조하면서, 다이싱·다이본딩 필름 (11)을 사용한 경우를 예로 들어, 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다.
우선, 반도체 장치의 제조 방법에 대해서, 점착제층이 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화물을 포함하는 경우에 대해서 도 4를 참조하면서 설명한다.
우선, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이본딩 필름 (11)에서의 다이본딩 필름(3') 상에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이를 접착 유지시켜서 고정시킨다(마운트 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.
이어서, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다(다이싱 공정). 다이싱에 의해, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 크기로 절단하여 개편화하고, 반도체 칩(5)을 제조한다. 다이싱은, 예를 들면 반도체 웨이퍼(4)의 회로면측으로부터 통상의 방법에 따라 행해진다. 본 공정에서는, 예를 들면 다이싱·다이본딩 필름 (11)까지 깊숙히 절단하는 풀컷팅이라 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로는, 임의의 적절한 장치를 사용할 수 있다. 반도체 웨이퍼는, 다이싱·다이본딩 필름 (11)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있을 뿐 아니라, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다.
이어서, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이본딩 필름 (11)에 접착 고정된 반도체 칩을 박리하기 위해, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다(픽업 공정). 픽업의 방법으로는, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 픽업의 방법으로는, 예를 들면 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱·다이본딩 필름 (11)측으로부터 니들에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
이어서, 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이, 픽업한 반도체 칩(5)을, 다이본딩 필름(3a)를 통해 피착체(6)에 접착 고정시킨다(다이본딩 공정). 피착체(6)는 히트 블록(9) 상에 적재되어 있다. 피착체(6)로는, 리드 프레임, TAB 필름, 기판, 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)는, 예를 들면 용이하게 변형되는 변형형 피착체일 수도 있고, 변형되는 것이 곤란한 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)일 수도 있다. 상기 기판으로는, 임의의 적절한 기판을 채용할 수 있다. 상기 리드 프레임으로는, Cu 리드 프레임이나 42 얼로이 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임, 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하는 유기 기판 등을 들 수 있다. 피착체(6)는 반도체 소자를 마운트하고, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판일 수도 있다. 다이본딩 필름(3a)이 열경화형인 경우에는, 가열 경화에 의해 반도체 칩(5)을 피착체(6)에 접착 고정시키고, 내열 강도를 향상시킨다. 또한, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)을 통해서 반도체 칩(5)이 기판 등에 접착 고정된 것은, 리플로우 공정에 제공할 수 있다.
계속해서, 도 4의 (e)에 도시한 바와 같이, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩을 행한다(본딩 공정). 그 후, 반도체 칩을 밀봉 수지(8)로 밀봉하고, 상기 밀봉 수지(8)를 후경화한다.
이상에 의해, 점착제층이 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화물을 포함하는 경우에 대해서, 반도체 장치가 제조된다.
이어서, 반도체 장치의 제조 방법에 대해서, 점착제층이 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 포함하는 경우에 대해서 도 5를 참조하면서 설명한다.
우선, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이본딩 필름 (11)에서의 다이본딩 필름(3') 상에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이를 접착 유지시켜서 고정시킨다(마운트 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.
이어서, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다(다이싱 공정). 다이싱에 의해, 반도체 웨이퍼(4)를 소정의 크기로 절단하여 개편화하고, 반도체 칩(5)을 제조한다. 다이싱은, 예를 들면 반도체 웨이퍼(4)의 회로면측으로부터 통상의 방법에 따라 행해진다. 본 공정에서는, 예를 들면 다이싱·다이본딩 필름 (11)까지 깊숙히 절단하는 풀컷팅이라 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로는, 임의의 적절한 장치를 사용할 수 있다. 반도체 웨이퍼는, 다이싱·다이본딩 필름 (11)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있을 뿐 아니라, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다.
이어서, 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이, 다이싱·다이본딩 필름 (11)에 접착 고정된 반도체 칩을 박리하기 위해, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다(픽업 공정). 픽업의 방법으로는, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 픽업의 방법으로는, 예를 들면 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱·다이본딩 필름 (11)측으로부터 니들에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
여기서, 픽업은 마운트 공정 후 임의의 적절한 시점에서 점착제층에 활성 에너지선 조사를 행한 후에 행한다.
점착제층에서, 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화는, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 모두 활성 에너지선 조사에 의해 경화할 수도 있고, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 일부만(예를 들면, 반도체 웨이퍼(4)가 고정되어 있는 부분만)을 활성 에너지선 조사에 의해 경화할 수도 있다.
활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화를 부분적으로 행하는 방법으로는, 임의의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 활성 에너지선 조사에 의한 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제의 경화를 부분적으로 행하는 방법으로는, 예를 들면 부분적으로 활성 에너지선을 조사하는 방법이나, 기재의 적어도 한쪽면에 활성 에너지선을 차광하는 재료를 인쇄나 증착 등으로 설치하는 방법을 들 수 있다.
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 경화시키기 위한 활성 에너지선의 조사 적산 광량은, 바람직하게는 50 내지 500mJ/㎠이다. 중합체(P)를 경화시키기 위한 활성 에너지선의 조사 적산 광량을 상기 범위 내로 함으로써, 예를 들면 다이싱시 소위 "칩 비산"이 발생하는 것을 억제할 수 있을만큼의 접착성을 유지하는 것이 가능해지거나, 픽업시에 양호한 픽업성을 발현할 수 있거나, 가교의 과다 진행을 억제할 수 있어 양호한 박리성을 발현할 수 있다.
이어서, 도 5의 (d)에 도시한 바와 같이, 픽업한 반도체 칩(5)을 다이본딩 필름(3a)을 통해서 피착체(6)에 접착 고정시킨다(다이본딩 공정). 피착체(6)는 히트 블록(9) 상에 적재되어 있다. 피착체(6)로는, 리드 프레임, TAB 필름, 기판, 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)는, 예를 들면 용이하게 변형되는 변형형 피착체일 수도 있고, 변형되는 것이 곤란한 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)일 수도 있다. 상기 기판으로는, 임의의 적절한 기판을 채용할 수 있다. 상기 리드 프레임으로는, Cu 리드 프레임이나 42 얼로이 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임, 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하는 유기 기판 등을 들 수 있다. 피착체(6)는 반도체 소자를 마운트하고, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판일 수도 있다. 다이본딩 필름(3a)이 열경화형인 경우에는, 가열 경화에 의해 반도체 칩(5)을 피착체(6)에 접착 고정시키고, 내열 강도를 향상시킨다. 또한, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)을 통해 반도체 칩(5)이 기판 등에 접착 고정된 것은, 리플로우 공정에 제공할 수 있다.
계속해서, 도 5의 (e)에 도시한 바와 같이, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩을 행한다(본딩 공정). 그 후, 반도체 칩을 밀봉 수지(8)로 밀봉하고, 상기 밀봉 수지(8)를 후경화한다.
이상에 의해, 점착제층이 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 포함하는 경우에 대해서, 반도체 장치가 제조된다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예로 하등 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 등에서의 시험 및 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 부는 중량부를 의미한다.
<유리 전이 온도의 측정>
레오메트릭사 제조의 동적 점탄성 측정 장치 "ARES"를 이용하여, 샘플 두께 약 1.5㎜이고, φ7.9㎜ 패러렐 플레이트의 지그를 사용하여, 주파수 1Hz, 승온 속도 5℃/분으로 측정하고, 얻어진 손실 탄성률의 피크점의 온도를 유리 전이 온도로 하였다.
<픽업성의 평가(실시예 1-1 내지 1-5, 실시예 2-1 내지 2-6, 비교예 1-1 내지 1-2, 비교예 2-1 내지 2-2에 대해서)>
각 실시예 및 비교예에서의 다이싱·다이본딩 필름을 사용하여, 이하의 요령으로 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행한 후에 픽업을 행하고, 각 다이싱·다이본딩 필름의 픽업성을 평가하였다.
반도체 웨이퍼(직경 8인치, 두께 0.6㎜)를 이면 연마 처리(연삭 장치: 디스코사 제조 "DFG-8560")하고, 두께 0.075㎜의 미러 웨이퍼를 워크로서 사용하였다.
다이싱·다이본딩 필름으로부터 세퍼레이터를 박리한 후, 그의 다이본딩 필름 상에 상기 미러 웨이퍼를 40℃에서 롤 압착하여 부착(부착 장치: 닛토 세이미쯔 기까이 가부시끼가이샤 제조 "MA-3000II", 부착 속도: 10㎜/분, 부착 압력: 0.15MPa, 부착시 스테이지 온도: 40℃)하고, 추가로 다이싱을 행하였다. 다이싱은 한 변이 10㎜인 칩 크기가 되도록 풀컷팅하였다.
다이싱 조건은, 하기와 같다.
다이싱 장치: 디스코사 제조 "DFD-6361"
다이싱 링: 2-8-1(디스코사 제조)
다이싱 속도: 80㎜/sec
다이싱 블레이드(Z1): 디스코사 제조 "2050HEDD"
다이싱 블레이드(Z2): 디스코사 제조 "2050HEBB"
다이싱 블레이드 회전수(Z1): 40000rpm
다이싱 블레이드 회전수(Z2): 40000rpm
블레이드 높이(Z1): 0.170㎜(반도체 웨이퍼의 두께에 의한(웨이퍼 두께가 75㎛인 경우, 0.170㎜))
블레이드 높이(Z2): 0.085㎜
컷팅 방식: A 모드/스텝 컷팅
웨이퍼 칩 크기: 한 변이 10.0㎜
이어서, 각 다이싱·다이본딩 필름을 연신하여, 각 칩 사이를 소정의 간격으로 하는 익스팬딩 공정을 행하였다.
또한, 각 다이싱·다이본딩 필름의 기재측으로부터 니들에 의한 밀어올림 방식으로 반도체 칩을 픽업하고, 픽업성의 평가를 행하였다.
구체적으로는, 400개의 반도체 칩을 연속하여 픽업하고, 하기 표 1에 나타내는 조건 A 및 조건 B로 행했을 때의 성공률이 모두 100％인 경우를 ◎로 하고, 조건 A로 행했을 때의 성공률이 100％이고, 조건 B로 행했을 때의 성공률이 100％가 아니었을 경우를 ○로 하고, 조건 A 및 조건 B 모두 성공률이 100％가 아니었을 경우를 ×로 하였다.
<픽업성의 평가(실시예 3-1 내지 3-6, 실시예 4-1 내지 4-6, 비교예 3-1 내지 3-2, 비교예 4-1 내지 4-2에 대해서)>
각 실시예 및 비교예에서의 다이싱·다이본딩 필름을 사용하여, 이하의 요령으로 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행한 후에 픽업을 행하고, 각 다이싱·다이본딩 필름의 픽업성을 평가하였다.
반도체 웨이퍼(직경 8인치, 두께 0.6㎜)를 이면 연마 처리(연삭 장치: 디스코사 제조 "DFG-8560")하고, 두께 0.075㎜의 미러 웨이퍼를 워크로서 사용하였다.
다이싱·다이본딩 필름으로부터 세퍼레이터를 박리한 후, 그의 다이본딩 필름 상에 상기 미러 웨이퍼를 40℃에서 롤 압착하여 부착(부착 장치: 닛토 세이미쯔 기까이 가부시끼가이샤 제조 "MA-3000II", 부착 속도: 10㎜/분, 부착 압력: 0.15MPa, 부착시 스테이지 온도: 40℃)하고, 추가로 다이싱을 행하였다. 다이싱은 한 변이 10㎜인 칩 크기가 되도록 풀컷팅하였다.
다이싱 조건은, 하기와 같다.
다이싱 장치: 디스코사 제조 "DFD-6361"
다이싱 링: 2-8-1(디스코사 제조)
다이싱 속도: 80㎜/sec
다이싱 블레이드(Z1): 디스코사 제조 "2050HEDD"
다이싱 블레이드(Z2): 디스코사 제조 "2050HEBB"
다이싱 블레이드 회전수(Z1): 40000rpm
다이싱 블레이드 회전수(Z2): 40000rpm
블레이드 높이(Z1): 0.170㎜(반도체 웨이퍼의 두께에 의한(웨이퍼 두께가 75㎛인 경우, 0.170㎜))
블레이드 높이(Z2): 0.085㎜
컷팅 방식: A 모드/스텝 컷팅
웨이퍼 칩 크기: 한 변이 10.0㎜
이어서, 각 다이싱·다이본딩 필름에 자외선을 조사하였다. 자외선 조사(자외선(UV) 조사 장치: 닛토 세이미쯔 기까이 가부시끼가이샤 제조 "UM-810", 자외선 조사 적산 광량: 300mJ/㎠)는 폴리올레핀 필름측으로부터 행하였다.
이어서, 각 다이싱·다이본딩 필름을 연신하여, 각 칩 사이를 소정의 간격으로 하는 익스팬드 공정을 행하였다.
또한, 각 다이싱·다이본딩 필름의 기재측으로부터 니들에 의한 밀어올림 방식으로 반도체 칩을 픽업하고, 픽업성의 평가를 행하였다.
구체적으로는, 400개의 반도체 칩을 연속해서 픽업하고, 표 1에 나타내는 조건 A 및 조건 B로 행했을 때의 성공률이 모두 100％인 경우를 ◎라 하고, 조건 A로 행했을 때의 성공률이 100％이고, 조건 B로 행했을 때의 성공률이 100％가 아니었을 경우를 ○라 하고, 조건 A 및 조건 B 모두 성공률이 100％가 아니었을 경우를 ×라 하였다.
Figure pat00001
<산가의 측정>
산가는, JIS K 0070-1992(전위차 적정법)에 준해서 평가를 행하였다.
구체적으로는, 건조시킨 점착제층 중 점착제 약 3g에 아세톤 100㎖를 첨가하고, 교반하여 용해시켰다. 이것에 물 25㎖를 첨가하고 교반하였다. 이 용액을 0.05mol/ℓ의 수산화칼륨 용액으로 적정을 행하였다. 시료 1g을 중화하는데 필요한 수산화칼륨의 mg수를 산가로 하였다.
<활성 에너지선 조사 전 점착력의 측정>
점착 시트(20㎜×100㎜)를 실리콘 미러 웨이퍼(신에쯔 반도체 가부시끼가이샤 제조, 상품명 "CZN<100>2.5-3.5"(4인치))의 표면에 23℃ 분위기하에서 핸드 롤러를 1회 왕복시킴으로써 압착시켰다.
23℃에서 30분간 경과한 후, 그의 박리에 요하는 힘을 측정하였다(180도 박리, 인장 속도 300㎜/분, 23℃×50％RH 분위기하).
<활성 에너지선 조사 후 점착력의 측정>
점착 시트(20㎜×100㎜)를 실리콘 미러 웨이퍼(신에쯔 반도체 가부시끼가이샤 제조, 상품명 "CZN<100>2.5-3.5"(4인치))의 표면에 23℃ 분위기하에서 핸드 롤러를 1회 왕복시킴으로써 압착시켰다.
23℃에서 30분간 경과한 후, 자외선 조사 장치(상품명 "UM-810": 닛토 세이미쯔 기까이 가부시끼가이샤 제조)를 사용하여, 자외선을 점착 시트면측으로부터 조사하고(광량: 450mJ/㎠), 그 후 샘플을 박리에 요하는 힘을 측정하였다(180도 박리, 인장 속도 300㎜/분, 23℃×50％RH 분위기하).
<웨이퍼에 대한 유기물 오염 증가량의 측정>
점착 시트편을 알루미늄 증착 웨이퍼(12원자％ 내지 13원자％)에 테이프 접합기(상품명 "DR8500-II": 닛토 세이미쯔 기까이 가부시끼가이샤 제조)로 부착하고(부착 압력: 0.25MPa, 부착 속도: 2.4m/분), 40℃에서 1일간 방치한 후, 점착 시트편을 테이프 박리기(상품명 "HR8500-II": 닛토 세이미쯔 기까이 가부시끼가이샤 제조)로, 자외선을 점착 시트면측으로부터 조사(광량: 450mJ/㎠)한 후, 점착 시트편을 박리하고(박리 속도: 8m/분, 박리 각도: 180도), 웨이퍼 상에 전사한 유기물을 ESCA(상품명 "모델 5400": 울백 파이(ulvac-phi)사 제조)를 사용하여 측정하였다.
전혀 시트를 부착하지 않은 웨이퍼도 마찬가지로 분석하고, 검출된 탄소 원자의 원자％의 증가량에 의해, 유기물의 전사량을 평가하였다.
〔실시예 1-1〕
<다이싱 필름의 제작>
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라 함) 90부, 아크릴산(이하, "AA"라 함) 10부, 과산화벤조일 0.2부 및 아세트산에틸 150부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 동안 중합 처리하고, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
이 아크릴계 중합체 A에 2-비닐-2-옥사졸린(이하, "VO"라 함) 12.8부(AA에 대하여 95mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 중합체 A'을 얻었다. 아크릴계 중합체 A'의 유리 전이 온도는 -49℃였다.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 "콜로네이트 L", 닛본 폴리우레탄(주) 제조) 4부 및 광중합 개시제(상품명 "이르가큐어 651", 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 5부를 첨가하여 점착제 용액을 제작하였다.
상기 점착제 용액을, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 가교하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.
계속해서, 점착제층의 표면에 두께 100㎛의 폴리올레핀 필름을 접합하였다.
50℃에서 24시간 동안 보존한 후, 다이본딩 필름이 접합되는 부분에 자외선을 조사하고, 다이싱 필름을 제작하였다. 자외선 조사(자외선(UV) 조사 장치: 닛토 세이미쯔 기까이 가부시끼가이샤 제조 "UM-810", 자외선 조사 적산 광량: 300mJ/㎠)는 폴리올레핀 필름측으로부터 행하였다.
<다이본딩 필름의 제작>
아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 중합체(네가미 고교(주) 제조 "파라클론 W-197CM") 100부에 대하여, 에폭시 수지 1(JER(주) 제조 "에피코트 1004") 59부, 에폭시 수지 2(JER(주) 제조 "에피코트 827") 53부, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주) 제조 "미렉스 XLC-4L") 121부, 구 형상 실리카(애드마텍스(주) 제조 "SO-25R") 222부를 첨가하고, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
얻어진 접착제 조성물 용액을 박리 라이너(세퍼레이터)로서, 실리콘 이형 처리한 두께가 38㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 따라, 두께 25㎛의 다이본딩 필름을 제작하였다.
<다이싱·다이본딩 필름의 제작>
다이본딩 필름을 다이싱 필름에서의 점착제층측에 전사하여, 다이싱·다이본딩 필름 (1-1)을 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (1-1)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
또한, 표 2 중에 기재하는 약칭의 의미는 다음과 같다.
2EHA: 아크릴산 2-에틸헥실
i-OA: 아크릴산이소옥틸
BA: 아크릴산 n-부틸
AA: 아크릴산
VO: 2-비닐-2-옥사졸린
〔실시예 1-2 내지 1-5〕
표 2에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1-1과 마찬가지로 하여 다이싱·다이본딩 필름 (1-2) 내지 (1-5)를 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (1-2) 내지 (1-5)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
〔비교예 1-1 내지 1-2〕
표 2에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1-1과 마찬가지로 하여 다이싱·다이본딩 필름 (C1-1) 내지 (C1-2)를 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (C1-1) 내지 C1-2)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
Figure pat00002
표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은 픽업성이 양호하다는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 다이싱시 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후 반도체 칩을 상기 다이본딩 필름과 일체로 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성을 균형있게 발현할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 종래의 점착제에서 사용되고 있는 주석계 촉매를 사용하지 않으므로, 환경에 악영향을 미치지 않는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름에서는, 점착제층 중에서의 휘발성 물질의 잔존을 억제할 수 있으므로, 환경이나 인체에 악영향을 미치지 않는다거나, 취급이 용이하다는 것을 알 수 있다.
〔실시예 2-1〕
<다이싱 필름의 제작>
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라 함) 87부, 2-비닐-2-옥사졸린(이하, "VO"라 함) 12부, 아크릴산 2-히드록시에틸(이하, "HEA"라 함) 1부, 과산화벤조일 0.2부 및 아세트산에틸 150부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 동안 중합 처리하고, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
이 아크릴계 중합체 A에 아크릴산(이하, "AA"라 함) 8.5부(VO에 대하여 95mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 중합체 A'을 얻었다. 아크릴계 중합체 A'의 유리 전이 온도는 -50℃였다.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 "콜로네이트 L", 닛본 폴리우레탄(주) 제조) 4부 및 광중합 개시제(상품명 "이르가큐어 651", 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 5부를 첨가하여 점착제 용액을 제작하였다.
상기 점착제 용액을 PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 가교하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.
계속해서, 점착제층의 표면에 두께 100㎛의 폴리올레핀 필름을 접합하였다.
50℃에서 24시간 동안 보존을 한 후, 다이본딩 필름이 접합되는 부분에 자외선을 조사하고, 다이싱 필름을 제작하였다. 자외선 조사(자외선(UV) 조사 장치: 닛토 세이미쯔 기까이 가부시끼가이샤 제조 "UM-810", 자외선 조사 적산 광량: 300mJ/㎠)는 폴리올레핀 필름측으로부터 행하였다.
<다이본딩 필름의 제작>
아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 중합체(네가미 고교(주) 제조 "파라클론 W-197CM") 100부에 대하여, 에폭시 수지 1(JER(주) 제조 "에피코트 1004") 59부, 에폭시 수지 2(JER(주) 제조 "에피코트 827") 53부, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주) 제조 "미렉스 XLC-4L") 121부, 구 형상 실리카(애드마텍스(주) 제조 "SO-25R") 222부를 첨가하고, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
얻어진 접착제 조성물 용액을 박리 라이너(세퍼레이터)로서, 실리콘 이형 처리한 두께가 38㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 따라, 두께 25㎛의 다이본딩 필름을 제작하였다.
<다이싱·다이본딩 필름의 제작>
다이본딩 필름을 다이싱 필름에서의 점착제층측에 전사하여, 다이싱·다이본딩 필름 (2-1)을 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (2-1)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
또한, 표 3 중에 기재하는 약칭의 의미는 다음과 같다.
2EHA: 아크릴산 2-에틸헥실
i-OA: 아크릴산이소옥틸
BA: 아크릴산 n-부틸
HEA: 아크릴산 2-히드록시에틸
AA: 아크릴산
M5600: 아크릴계 광 경화형 수지(도아 고세이사 제조 "아로닉스 M5600")
VO: 2-비닐-2-옥사졸린
〔실시예 2-2 내지 2-6〕
표 3에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 2-1과 마찬가지로 하여 다이싱·다이본딩 필름 (2-2) 내지 (2-6)을 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (2-2) 내지 (2-6)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 3에 나타내었다.
〔비교예 2-1 내지 2-2〕
표 3에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 2-1과 마찬가지로 하여 다이싱·다이본딩 필름 (C2-1) 내지 (C2-2)를 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (C2-1) 내지 (C2-2)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 3에 나타내었다.
Figure pat00003
표 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은 픽업성이 양호하다는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 다이싱시 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후 반도체 칩을 상기 다이본딩 필름과 일체로 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성을 균형있게 발현할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 종래의 점착제에서 사용되고 있는 주석계 촉매를 사용하지 않으므로, 환경에 악영향을 미치지 않는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름에서는, 점착제층 중에서의 휘발성 물질의 잔존을 억제할 수 있으므로, 환경이나 인체에 악영향을 미치지 않는다거나, 취급이 용이하다는 것을 알 수 있다.
〔실시예 3-1〕
<다이싱 필름의 제작>
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라 함) 90부, 아크릴산(이하, "AA"라 함) 10부, 과산화벤조일 0.2부 및 아세트산에틸 150부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 동안 중합 처리하고, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
이 아크릴계 중합체 A에 2-비닐-2-옥사졸린(이하, "VO"라 함) 12.8부(AA에 대하여 95mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리를 하여 아크릴계 중합체 A'을 얻었다. 아크릴계 중합체 A'의 유리 전이 온도는 -49℃였다.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 "콜로네이트 L", 닛본 폴리우레탄(주) 제조) 4부 및 광중합 개시제(상품명 "이르가큐어 651", 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 5부를 첨가하여 점착제 용액을 제작하였다.
상기 점착제 용액을, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 가교하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.
계속해서, 점착제층의 표면에 두께 100㎛의 폴리올레핀 필름을 접합하였다.
50℃에서 24시간 동안 보존하여, 다이싱 필름으로 하였다.
<다이본딩 필름의 제작>
아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 중합체(네가미 고교(주) 제조 "파라클론 W-197CM") 100부에 대하여, 에폭시 수지 1(JER(주) 제조 "에피코트 1004") 59부, 에폭시 수지 2(JER(주) 제조 "에피코트 827") 53부, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주) 제조 "미렉스 XLC-4L") 121부, 구 형상 실리카(애드마텍스(주) 제조 "SO-25R") 222부를 첨가하고, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
얻어진 접착제 조성물 용액을 박리 라이너(세퍼레이터)로서, 실리콘 이형 처리한 두께가 38㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 따라, 두께 25㎛의 다이본딩 필름을 제작하였다.
<다이싱·다이본딩 필름의 제작>
다이본딩 필름을 다이싱 필름에서의 점착제층측에 전사하여, 다이싱·다이본딩 필름 (3-1)을 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (3-1)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
또한, 표 4 중에 기재하는 약칭의 의미는 다음과 같다.
2EHA: 아크릴산 2-에틸헥실
i-OA: 아크릴산이소옥틸
BA: 아크릴산 n-부틸
AA: 아크릴산
VO: 2-비닐-2-옥사졸린
〔실시예 3-2 내지 3-5〕
표 4에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 3-1과 마찬가지로 하여 다이싱·다이본딩 필름 (3-2) 내지 (3-5)를 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (3-2) 내지 (3-5)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.
〔비교예 3-1 내지 3-2〕
표 4에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 3-1과 마찬가지로 하여 다이싱·다이본딩 필름 (C3-1) 내지 (C3-2)를 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (C3-1) 내지 (C3-2)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.
Figure pat00004
표 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 픽업성이 양호하다는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 다이싱시 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후 반도체 칩을 상기 다이본딩 필름과 일체로 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성을 균형있게 발현할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 종래의 점착제에서 사용되고 있는 주석계 촉매를 사용하지 않으므로, 환경에 악영향을 미치지 않는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름에서는, 점착제층 중에서의 휘발성 물질의 잔존을 억제할 수 있으므로, 환경이나 인체에 악영향을 미치지 않는다거나, 취급이 용이하다는 것을 알 수 있다.
〔실시예 4-1〕
<다이싱 필름의 제작>
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라 함) 87부, 2-비닐-2-옥사졸린(이하, "VO"라 함) 12부, 아크릴산 2-히드록시에틸(이하, "HEA"라 함) 1부, 과산화벤조일 0.2부 및 아세트산에틸 150부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 동안 중합 처리하고, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
이 아크릴계 중합체 A에 아크릴산(이하, "AA"라 함) 8.5부(VO에 대하여 95mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 중합체 A'을 얻었다. 아크릴계 중합체 A'의 유리 전이 온도는 -50℃였다.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 "콜로네이트 L", 닛본 폴리우레탄(주) 제조) 4부 및 광중합 개시제(상품명 "이르가큐어 651", 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 5부를 첨가하여 점착제 용액을 제작하였다.
상기 점착제 용액을 PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 가교하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.
계속해서, 점착제층의 표면에 두께 100㎛의 폴리올레핀 필름을 접합하였다.
50℃에서 24시간 동안 보존을 하여, 다이싱 필름으로 하였다.
<다이본딩 필름의 제작>
아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 중합체(네가미 고교(주) 제조 "파라클론 W-197CM") 100부에 대하여, 에폭시 수지 1(JER(주) 제조 "에피코트 1004") 59부, 에폭시 수지 2(JER(주) 제조 "에피코트 827") 53부, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주) 제조 "미렉스 XLC-4L") 121부, 구 형상 실리카(애드마텍스(주) 제조 "SO-25R") 222부를 첨가하고, 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23.6중량％의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
얻어진 접착제 조성물 용액을 박리 라이너(세퍼레이터)로서, 실리콘 이형 처리한 두께가 38㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 따라, 두께 25㎛의 다이본딩 필름을 제작하였다.
<다이싱·다이본딩 필름의 제작>
다이본딩 필름을 다이싱 필름에서의 점착제층측에 전사하여, 다이싱·다이본딩 필름 (4-1)을 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (4-1)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 하기 표 5에 나타내었다.
또한, 표 5 중에 기재하는 약칭의 의미는 다음과 같다.
2EHA: 아크릴산 2-에틸헥실
i-OA: 아크릴산이소옥틸
BA: 아크릴산 n-부틸
HEA: 아크릴산 2-히드록시에틸
AA: 아크릴산
M5600: 아크릴계 광 경화형 수지(도아 고세이사 제조 "아로닉스 M5600")
VO: 2-비닐-2-옥사졸린
〔실시예 4-2 내지 4-6〕
표 5에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 4-1과 마찬가지로 하여 다이싱·다이본딩 필름 (4-2) 내지 (4-6)을 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (4-2) 내지 (4-6)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 5에 나타내었다.
〔비교예 4-1 내지 4-2〕
표 5에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 4-1과 마찬가지로 하여 다이싱·다이본딩 필름 (C4-1) 내지 (C4-2)를 제작하였다.
얻어진 다이싱·다이본딩 필름 (C4-1) 내지 (C4-2)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 5에 나타내었다.
Figure pat00005
표 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은 픽업성이 양호하다는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 다이싱시 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후 반도체 칩을 상기 다이본딩 필름과 일체로 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성을 균형있게 발현할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 종래의 점착제에서 사용되고 있는 주석계 촉매를 사용하지 않으므로, 환경에 악영향을 미치지 않는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름에서는, 점착제층 중에서의 휘발성 물질의 잔존을 억제할 수 있으므로, 환경이나 인체에 악영향을 미치지 않는다거나, 취급이 용이하다는 것을 알 수 있다.
〔실시예 5-1〕
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라 함) 90부, 아크릴산(이하, "AA"라 함) 10부, 과산화벤조일 0.2부 및 아세트산에틸 150부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 동안 중합 처리하고, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
이 아크릴계 중합체 A에 2-비닐-2-옥사졸린(이하, "VO"라 함) 12.1부(AA에 대하여 90mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 중합체 A'을 얻었다. 아크릴계 중합체 A'의 유리 전이 온도는 -49℃였다.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 "콜로네이트 L", 닛본 폴리우레탄(주) 제조) 3부 및 광중합 개시제(상품명 "이르가큐어 651", 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 5부를 첨가하여 점착제 용액을 제작하였다.
상기 점착제 용액을, 실리콘 박리 처리를 실시한 폴리에스테르 필름(두께: 50 ㎛)의 실리콘 박리 처리를 실시한 면에, 건조 후 두께가 30㎛가 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 3분간 건조시켜 점착제층을 형성하였다.
점착제층의 점착제 표면에 코로나 방전식으로 표면 산화 처리를 실시한 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름(두께: 115㎛)을 접합하고, 점착제층을 전사시켜서 점착 시트 (5-1)을 제작하였다.
얻어진 점착 시트(5-1)에 대해서 각종 평가를 행하였다. 결과를 하기 표 6에 나타내었다.
또한, 표 6 중에 기재하는 약칭의 의미는 다음과 같다.
2EHA: 아크릴산 2-에틸헥실
EA: 아크릴산 에틸
BA: 아크릴산n-부틸
AA: 아크릴산
VO: 2-비닐-2-옥사졸린
〔실시예 5-2 내지 5-6〕
표 6에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 5-1과 마찬가지로 하여 점착 시트 (5-2) 내지 (5-6)을 제작하였다.
얻어진 점착 시트 (5-2) 내지 (5-6)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 6에 나타내었다.
〔비교예 5-1 내지 5-2〕
표 6에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 5-1과 마찬가지로 하여 점착 시트 (C5-1) 내지 (C5-2)를 제작하였다.
얻어진 점착 시트 (C5-1) 내지 (C5-2)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 6에 나타내었다.
Figure pat00006
표 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 활성 에너지선 조사 전후에 점착성을 크게 변화시킬 수 있고, 활성 에너지선 조사 전에는 고점착성을 발현할 수 있으며, 활성 에너지선 조사 후에는 고박리성을 발현할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 종래의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제로 사용되고 있는 주석계 촉매를 사용하지 않으므로, 환경에 악영향을 미치지 않는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제에서는, 점착제 중에서의 휘발성 물질의 잔존을 억제할 수 있으므로, 환경이나 인체에 악영향을 미치지 않는다거나, 취급이 용이하다는 것을 알 수 있다.
〔실시예 6-1〕
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라 함) 89부, 2-비닐-2-옥사졸린(이하, "VO"라 함) 10부, 아크릴산 2-히드록시에틸(이하, "HEA"라 함) 1부, 과산화벤조일 0.2부 및 아세트산에틸 150부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 동안 중합 처리하고, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
이 아크릴계 중합체 A에 아크릴산(이하, "AA"라 함) 7.1부(VO에 대하여 95mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 중합체 A'을 얻었다. 아크릴계 중합체 A'의 유리 전이 온도는 -53℃였다.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 "콜로네이트 L", 닛본 폴리우레탄(주) 제조) 3부 및 광중합 개시제(상품명 "이르가큐어 651", 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 5부를 첨가하여 점착제 용액을 제작하였다.
상기 점착제 용액을, 실리콘 박리 처리를 실시한 폴리에스테르 필름(두께: 50 ㎛)의 실리콘 박리 처리를 실시한 면에, 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 3분간 건조시켜 점착제층을 형성하였다.
점착제층의 점착제 표면에 코로나 방전식으로 표면 산화 처리를 실시한 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름(두께: 115㎛)을 접합하고, 점착제층을 전사시켜 점착 시트 (6-1)을 제작하였다.
얻어진 점착 시트 (6-1)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 하기 표 7에 나타내었다.
또한, 표 7 중에 기재하는 약칭의 의미는 다음과 같다.
2EHA: 아크릴산 2-에틸헥실
EA: 아크릴산에틸
BA: 아크릴산 n-부틸
AA: 아크릴산
HEA: 아크릴산 2-히드록시에틸
VO: 2-비닐-2-옥사졸린
M5600: 아크릴계 광 경화형 수지(도아 고세이사 제조 "아로닉스 M5600")
〔실시예 6-2 내지 6-7〕
표 7에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 6-1과 마찬가지로 하여 점착 시트 (6-2) 내지 (6-7)을 제작하였다.
얻어진 점착 시트 (6-2) 내지 (6-7)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 7에 나타내었다.
〔비교예 6-1 내지 6-2〕
표 7에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 6-1과 마찬가지로 하여 점착 시트 (C6-1) 내지 (C6-2)를 제작하였다.
얻어진 점착 시트 (C6-1) 내지 (C6-2)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 7에 나타내었다.
Figure pat00007
표 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 활성 에너지선 조사 전후에 점착성을 크게 변화시킬 수 있고, 활성 에너지선 조사 전에는 고점착성을 발현할 수 있으며, 활성 에너지선 조사 후에는 고박리성을 발현할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 종래의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제로 사용되고 있는 주석계 촉매를 사용하지 않으므로, 환경에 악영향을 미치지 않는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제에서는, 점착제 중에서의 휘발성 물질의 잔존을 억제할 수 있으므로, 환경이나 인체에 악영향을 미치지 않는다거나, 취급이 용이하다는 것을 알 수 있다.
〔실시예 7-1〕
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 물 200부, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라 함) 92부, 메타크릴산(이하, "MAA"라 함) 8부 및 에테르술페이트형의 반응성 음이온계 계면활성제(상품명 "아데카 소프 SE-10N", 아사히 덴까 고교 가부시끼가이샤 제조) 2부를 유화기로 유화해서 얻어지는 에멀젼 용액을 투입하고, 교반하에서 1시간 동안 질소 치환하였다.
이후, 중합 중 내욕 온도는 25℃로 제어하였다.
과산화수소수(과산화수소: 30중량％ 함유) 0.1부+아스코르브산 0.05부+물 10부를 포함하는 아스코르브산 수용액(각 성분의 양 비율은, 상기 전체 단량체 성분 100부에 대한 비율)을 제조하였다.
상기 아스코르브산 수용액의 1㎖를 상기 반응 용기에 첨가하고, 중합을 개시시켰다. 중합 개시부터 5시간 경과한 후부터, 나머지 아스코르브산 수용액을 2시간에 걸쳐 적하하고, 추가로 2시간에 걸쳐 반응을 숙성하였다.
그 후, pH가 8이 되도록 10％ 암모니아수로 중화하고, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
이 아크릴계 중합체 A 100부에 2-비닐-2-옥사졸린(이하, "VO"라 함) 8.1부(MAA에 대하여 90mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 중합체 A'을 얻었다. 아크릴계 중합체 A'의 유리 전이 온도는 -54℃였다.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 에폭시계 가교제(상품명 "테트래드 C", 미쓰비시 가스 가가꾸사 제조) 0.2부, 광중합 개시제(1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 상품명 "이르가큐어 2959", 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 2부를 첨가하여, 점착제 용액을 제작하였다.
상기 점착제 용액을, 실리콘 박리 처리를 실시한 폴리에스테르 필름(두께: 50 ㎛)의 실리콘 박리 처리를 실시한 면에, 건조 후 두께가 30㎛가 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 3분간 건조시켜 점착제층을 형성하였다.
점착제층의 점착제 표면에, 코로나 방전식으로 표면 산화 처리를 실시한 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름(두께: 115㎛)을 접합하고, 점착제층을 전사시켜 점착 시트 (7-1)을 제작하였다.
얻어진 점착 시트 (7-1)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 하기 표 8에 나타내었다.
또한, 표 8 중에 기재하는 약칭의 의미는 다음과 같다.
2EHA: 아크릴산 2-에틸헥실
EA: 아크릴산에틸
BA: 아크릴산 n-부틸
MAA: 메타크릴산
VO: 2-비닐-2-옥사졸린
SE10N: 반응성 음이온계 계면활성제(상품명 "아데카 소프 SE-10N", 아사히 덴까 고교 가부시끼가이샤 제조)
LA16: 음이온성 계면활성제(상품명 "하이테놀 LA-16", 가오 가부시끼가이샤 제조)
〔실시예 7-2 내지 7-6〕
표 8에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 7-1과 마찬가지로 하여 점착 시트 (7-2) 내지 (7-6)을 제작하였다.
얻어진 점착 시트(7-2) 내지 (7-6)에 대해서 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 8에 나타내었다.
〔비교예 7-1 내지 7-2〕
표 8에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 7-1과 마찬가지로 하여 점착 시트 (C7-1) 내지 (C7-2)를 제작하였다.
얻어진 점착 시트 (C7-1) 내지 (C7-2)에 대해서 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 8에 나타내었다.
Figure pat00008
표 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는 수계의 점착제이기 때문에, 용제계의 점착제에 비하여 환경이나 인체에 악영향을 미치지 않고, 취급이 용이하다. 그리고, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 활성 에너지선 조사 전후에 점착성을 크게 변화시킬 수 있고, 활성 에너지선 조사 전에는 고점착성을 발현할 수 있으며, 활성 에너지선 조사 후에는 고박리성을 발현할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 종래의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제로 사용되고 있는 주석계 촉매를 사용하지 않으므로, 환경에 악영향을 미치지 않는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제에서는, 점착제 중에서의 휘발성 물질의 잔존을 억제할 수 있으므로, 환경이나 인체에 악영향을 미치지 않는다거나, 취급이 용이하다는 것을 알 수 있다.
〔실시예 8-1〕
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에 물 200부, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, "2EHA"라 함) 92부, 2-비닐-2-옥사졸린(이하, "VO"라 함) 7부, 다이아세톤아크릴아미드(이하, "DAAM"이라 함) 1부 및 에테르술페이트형의 반응성 음이온계 계면활성제(상품명 "아데카 소프 SE-10N", 아사히 덴까 고교 가부시끼가이샤 제조) 2부를 유화기로 유화하여 얻어지는 에멀젼 용액을 투입하고, 교반하에서 1시간 동안 질소 치환하였다.
이후, 중합 중 내욕 온도는 25℃로 제어하였다.
과산화수소수(과산화수소: 30중량％ 함유) 0.1부+아스코르브산 0.05부+물 10부를 포함하는 아스코르브산 수용액(각 성분의 양 비율은, 상기 전체 단량체 성분 100부에 대한 비율)을 제조하였다.
상기 아스코르브산 수용액의 1㎖를 상기 반응 용기에 첨가하고, 중합을 개시시켰다. 중합 개시부터 5시간 경과한 후부터, 나머지 아스코르브산 수용액을 2시간에 걸쳐 적하하고, 추가로 2시간에 걸쳐 반응을 숙성하였다.
그 후, pH가 8이 되도록 10％ 암모니아수로 중화하고, 아크릴계 중합체 A를 얻었다.
이 아크릴계 중합체 A 100부에 아크릴산(이하, "AA"라 함) 4.7부(VO에 대하여 90mol％)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간 동안 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 중합체 A'을 얻었다. 아크릴계 중합체 A'의 유리 전이 온도는 -57℃였다.
이어서, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 아디프산디히드라지드 0.5부, 광중합 개시제(1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 상품명 "이르가큐어 2959", 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 2부를 첨가하여 점착제 용액을 제작하였다.
상기 점착제 용액을, 실리콘 박리 처리를 실시한 폴리에스테르 필름(두께: 50 ㎛)의 실리콘 박리 처리를 실시한 면에, 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도포 시공하고, 120℃에서 3분간 건조시켜 점착제층을 형성하였다.
점착제층의 점착제 표면에, 코로나 방전식으로 표면 산화 처리를 실시한 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름(두께: 115㎛)을 접합하고, 점착제층을 전사시켜 점착 시트 (8-1)을 제작하였다.
얻어진 점착 시트 (8-1)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 하기 표 9에 나타내었다.
또한, 표 9 중에 기재하는 약칭의 의미는 다음과 같다.
2EHA: 아크릴산 2-에틸헥실
EA: 아크릴산에틸
BA: 아크릴산 n-부틸
AA: 아크릴산
VO: 2-비닐-2-옥사졸린
SE10N: 반응성 음이온계 계면활성제(상품명 "아데카 소프 SE-10N", 아사히 덴까 고교 가부시끼가이샤 제조)
LA16: 음이온성 계면활성제(상품명 "하이테놀 LA-16", 가오 가부시끼가이샤 제조)
〔실시예 8-2 내지 8-6〕
표 9에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 8-1과 마찬가지로 하여 점착 시트 (8-2) 내지 (8-6)을 제작하였다.
얻어진 점착 시트 (8-2) 내지 (8-6)에 대해서 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 9에 나타내었다.
〔비교예 8-1 내지 8-2〕
표 9에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외에는, 실시예 8-1과 마찬가지로 하여 점착 시트 (C8-1) 내지 (C8-2)를 제작하였다.
얻어진 점착 시트 (C8-1) 내지 (C8-2)에 대해서, 각종 평가를 행하였다. 결과를 표 9에 나타내었다.
Figure pat00009
표 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 수계의 점착제이기 때문에, 용제계의 점착제에 비하여 환경이나 인체에 악영향을 미치지 않고, 취급이 용이하다. 그리고, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 활성 에너지선 조사 전후에 점착성을 크게 변화시킬 수 있고, 활성 에너지선 조사 전에는 고점착성을 발현할 수 있으며, 활성 에너지선 조사 후에는 고박리성을 발현할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 종래의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제로 사용되고 있는 주석계 촉매를 사용하지 않으므로, 환경에 악영향을 미치지 않는 것을 알 수 있다. 또한, 본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제에서는, 점착제 중에서의 휘발성 물질의 잔존을 억제할 수 있으므로, 환경이나 인체에 악영향을 미치지 않는다거나, 취급이 용이하다는 것을 알 수 있다.
본 발명의 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제는, 예를 들면 반도체 장치 제조시 워크(반도체 웨이퍼 등)의 다이싱에 적절하게 사용할 수 있다.
본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은, 예를 들면 반도체 장치 제조시 워크(반도체 웨이퍼 등)의 다이싱에 적절하게 사용할 수 있다.
1 : 기재
2 : 점착제층
2a : 점착제층의 경화 부분
2b : 점착제층의 미경화 부분
3 : 다이본딩 필름
3' : 다이본딩 필름
3a : 다이본딩 필름
4 : 반도체 웨이퍼
5 : 반도체 칩
6 : 피착체
7 : 본딩 와이어
8 : 밀봉 수지
9 : 히트 블록
10 : 다이싱·다이본딩 필름
11 : 다이싱·다이본딩 필름

Claims (9)

  1. 활성 에너지선 경화형 중합체(P)를 포함하고,
    상기 중합체(P)는 카르복실기 함유 중합체(P3)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 반응시켜서 얻어지는 중합체 또는 옥사졸린기 함유 중합체(P4)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 반응시켜서 얻어지는 중합체인, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제.
  2. 제1항에 있어서,　상기 카르복실기 함유 중합체(P3)가, 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 카르복실기 함유 단량체(m2)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P1)인, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제.
  3. 제1항에 있어서,　상기 옥사졸린기 함유 중합체(P4)가, 주 단량체로서의 아크릴산에스테르(m1)와 옥사졸린기 함유 단량체(m3)를 포함하는 단량체 성분으로 구성되는 중합체(P2)인, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제.
  4. 제1항에 있어서,　상기 카르복실기 함유 단량체(m2)가, (메트)아크릴산 및 카르복시알킬(메트)아크릴레이트로부터 선택되는 적어도 1종인, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제.
  5. 제1항에 있어서, 상기 옥사졸린기 함유 단량체(m3)가, 2-비닐-2-옥사졸린, 4-메틸-2-비닐-2-옥사졸린, 5-메틸-2-비닐-2-옥사졸린, 2-비닐-4,4-디메틸-2-옥사졸린, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 4-메틸-2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 5-메틸-2-이소프로페닐-2-옥사졸린 및 2-이소프로페닐-4,4-디메틸-2-옥사졸린으로부터 선택되는 적어도 1종인, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제.
  6. 제1항에 있어서,　상기 중합체(P)의 유리 전이 온도가 -70℃ 내지 -10℃인, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제.
  7. 제1항에 기재된 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제를 점착제층으로서 기재 상에 갖는, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트.
  8. 제7항에 있어서, 반도체 웨이퍼 가공용인, 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착 테이프 또는 시트.
  9. 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 배치된 다이본딩 필름을 갖는 다이싱·다이본딩 필름이며,
    상기 점착제층은 제1항에 기재된 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제 또는 상기 점착제의 경화물을 포함하고,
    상기 다이본딩 필름은 에폭시 수지를 포함하는
    다이싱·다이본딩 필름.
KR1020110065998A 2010-07-05 2011-07-04 활성 에너지선 경화형 재박리용 점착제 및 다이싱·다이본딩 필름 KR20120003815A (ko)

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