KR20180026756A - 정보 처리 장치, 디바이스, 정보 처리 시스템, 정보 처리 방법 및 정보 처리 프로그램 - Google Patents

정보 처리 장치, 디바이스, 정보 처리 시스템, 정보 처리 방법 및 정보 처리 프로그램 Download PDF

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KR20180026756A
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노리오 우찌다
도루 야마다
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닛본 덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

디바이스의 전지 수명을 연장시키고 종래의 기술과 비교할 때 디바이스의 전지 교환 수고를 저감하기 위해, 정보 처리 장치는 디바이스가 취득한 정보와 디바이스의 전지 잔량을 나타내는 잔량 정보를 포함하는 디바이스 정보를 디바이스로부터 수신하는 수신 수단과, 수신 수단이 디바이스 정보를 수신한 경우에, 디바이스 정보에 포함된 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단을 포함한다. 대안적으로, 정보 처리 장치는, 취득 정보를 송신 신호로 변환하고 송신 신호를 송신하는 디바이스로부터, 송신 신호를 수신하는 수신 수단, 송신 신호에 기초하여, 디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 산출하는 전지 잔량 산출 수단, 및 전지의 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단을 포함한다.

Description

정보 처리 장치, 디바이스, 정보 처리 시스템, 정보 처리 방법 및 정보 처리 프로그램
관련 출원들과의 상호 참조
이 출원은, 2015년 7월 8일자로 출원된 일본 특허 출원 제2015-137349호의 이익을 주장하고, 이는 그 전체가 본원에 참조로 포함된다.
기술 분야
본 발명은 정보 처리 장치, 디바이스, 정보 처리 시스템, 정보 처리 방법 및 정보 처리 프로그램에 관한 것이다.
기술 분야에 있어서, 특허문헌1에는, 애플리케이션에 의해 요구되는 센서 데이터를, 디바이스를 사용해서 취득하는 기술이 개시되고 있다. 특허문헌1은 또한, 복수의 디바이스에 의해 취득된 센서 데이터를 복수의 M2M 게이트웨이에 일시적으로 집약하고, 최종적으로 각 M2M 게이트웨이로부터 모든 센서 데이터를 M2M 서버에 집약하는 기술을 개시한다.
일본 특허 공개 공보 제2014-068285호
그러나, 특허문헌에 기재된 기술에서는, 디바이스는 센서 데이터만을 M2M 게이트웨이에 송신한다. 따라서, 디바이스의 전지가 고갈되는 경우, M2M 게이트웨이가 센서 데이터를 취득할 수 없다. 또한, 매 일정한 기간마다 디바이스가 M2M 게이트웨이에 센서 데이터를 송신하기 때문에, 항상 일정한 비율로 전지가 소모되므로, 디바이스의 전지 수명을 연장시킬 수 없다. 또한, 디바이스의 전지 교환에 대한 수고가 요구된다.
본 발명은, 상술한 과제를 해결하는 기술을 제공하는 것을 가능하게 한다.
본 발명의 일 예시적인 양태는 정보 처리 장치를 제공하고, 이 장치는 다음을 포함한다.
디바이스가 취득한 정보와, 디바이스의 전지 잔량을 나타내는 잔량 정보를 포함하는 디바이스 정보를 디바이스로부터 수신하는 수신 수단; 및
수신 수단이 디바이스 정보를 수신한 경우에, 디바이스 정보에 포함되는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단.
본 발명의 다른 예시적인 양태는 정보 처리 장치를 제공하고, 이 장치는 다음을 포함한다:
취득 정보를 송신 신호로 변환하고 송신 신호를 송신하는 디바이스로부터, 송신 신호를 수신하는 수신 수단;
수신 수단이 수신한 송신 신호에 기초하여, 디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 산출하는 전지 잔량 산출 수단; 및
전지의 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단.
본 발명의 또 다른 예시적인 양태는 정보 처리 장치에 송신 신호를 송신하는 디바이스를 제공하고, 이 디바이스는:
소정의 정보를 취득 정보로서 취득하는 정보 취득 수단;
취득 정보를 포함하는 송신 정보를 송신 신호로 변환하고 송신 신호를 송신하는 송신 수단; 및
정보 취득 수단 및 송신 수단을 구동하기 위한 전지 잔량을 검출하는 검출 수단을 포함하고,
송신 수단은,
취득 정보를 포함하는 송신 정보를 송신 신호로서 디바이스로부터 수신하는 수신 수단,
취득 정보를 일시적으로 기억하는 일시 기억 수단,
수신 수단이 수신한 송신 정보 및 송신 신호 중 적어도 하나에 기초하여, 전지의 잔량을 인식하는 전지 잔량 인식 수단, 및
전지의 잔량에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단을 포함한다.
본 발명의 또 다른 예시적인 양태는 정보 처리 방법을 제공하고, 이 방법은 다음을 포함한다:
디바이스가 취득한 정보를 포함하는 송신 정보를 디바이스로부터 수신하는 단계;
취득 정보를 일시 기억 장치에 일시적으로 기억하는 단계;
디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 인식하는 단계; 및
전지의 잔량에 기초하여, 일시 기억 장치에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계.
본 발명의 또 다른 예시적인 양태는 정보 처리 방법을 제공하고, 이 방법은 다음을 포함한다:
취득 정보를 송신 신호로 변환하고 송신 신호를 송신하는 디바이스로부터 송신 신호를 수신하는 단계;
송신 신호에 기초하여, 디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 산출하는 단계; 및
전지의 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계.
본 발명의 또 다른 예시적인 양태는 컴퓨터로 하여금 방법을 실행하게 하는 정보 처리 프로그램을 제공하고, 이 방법은 다음을 포함한다:
디바이스가 취득한 정보를 포함하는 송신 정보를 디바이스로부터 수신하는 단계;
취득 정보를 일시 기억 장치에 일시적으로 기억하는 단계;
디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 인식하는 단계; 및
전지의 잔량에 기초하여, 일시 기억 장치에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계.
본 발명의 또 다른 예시적인 양태는 컴퓨터로 하여금 방법을 실행하게 하는 정보 처리 프로그램을 제공하고, 이 방법은 다음을 포함한다:
취득 정보를 송신 신호로 변환하고 송신 신호를 송신하는 디바이스로부터 송신 신호를 수신하는 단계;
송신 신호에 기초하여, 디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 산출하는 단계; 및
전지의 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계.
본 발명에 따르면, 디바이스의 전지 수명을 연장시킬 수 있으므로, 종래의 기술과 비교할 때 디바이스의 전지 교환 수고를 저감할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 제1 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 장치의 구성을 도시하는 블록도이다;
도 1b는 본 발명의 제1 예시적인 실시 형태에 따른 다른 정보 처리 장치의 구성을 도시하는 블록도이다;
도 2는 본 발명의 제2 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 3은 본 발명의 제2 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 장치의 하드웨어 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 4는 본 발명의 제2 예시적인 실시 형태에 따른 캐시 데이터의 구성을 설명하기 위한 도면이다;
도 5는 본 발명의 제2 예시적인 실시 형태에 따른 전지 잔량과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 나타내는 테이블이다;
도 6은 본 발명의 제2 예시적인 실시 형태에 따른 전지 잔량과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 나타내는 그래프이다;
도 7은 본 발명의 제2 예시적인 실시 형태에 따른 디바이스의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 8은 본 발명의 제2 예시적인 실시 형태에 따른 디바이스의 하드웨어 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 9는 본 발명의 제2 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 장치의 처리 수순을 설명하기 위한 흐름도이다;
도 10은 본 발명의 제2 예시적인 실시 형태에 따른 애플리케이션 서버에 의한 정보 취득 요구와 디바이스에 의한 정보 취득과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 설명하기 위한 도면이다;
도 11은 본 발명의 제3 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 12는 본 발명의 제3 예시적인 실시 형태에 따른 수신 신호 강도와 전지 잔량 사이의 대응 관계를 나타내는 정보를 설명하는 그래프이다;
도 13a는 본 발명의 제3 예시적인 실시 형태에 따른 디바이스의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 13b는 본 발명의 제3 예시적인 실시 형태에 따른 다른 시스템 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 14는 본 발명의 제4 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 15는 본 발명의 제4 예시적인 실시 형태에 따른 기억부가 유지하는 정보를 설명하기 위한 도면이다;
도 16은 본 발명의 제5 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 17은 본 발명의 제5 예시적인 실시 형태에 따른 디바이스의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 18은 본 발명의 제6 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다;
도 19는 본 발명의 제7 예시적인 실시 형태에 따른 잔존 방전 용량과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 각각 나타내는 테이블들을 도시하는 도면이다;
도 20은 본 발명의 제7 예시적인 실시 형태에 따른 전압값과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 각각 나타내는 테이블들을 도시하는 도면이다;
도 21은 본 발명의 제7 예시적인 실시 형태에 따른 나머지 구동 시간과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 각각 나타내는 테이블들을 도시하는 도면이다; 및
도 22는 본 발명의 제7 예시적인 실시 형태에 따른 송신 가능 횟수와 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 각각 나타내는 테이블들을 도시하는 도면이다.
이제, 본 발명의 예시적인 실시 형태들이 도면들을 참조하여 상세히 설명될 것이다. 이 예시적인 실시 형태들에 기재되고 있는, 컴포넌트들의 상대적 구성, 수치 표현들 및 수치 값들은 그것이 달리 구체적으로 언급되지 않는 한, 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니라는 점을 유의해야 한다.
[제1 예시적인 실시 형태]
본 발명의 제1 예시적인 실시 형태에 따른 2종류의 정보 처리 장치에 대해서, 도 1a 및 도 1b를 참조하여 설명할 것이다.
도 1a에 도시된 정보 처리 장치(102)는, 디바이스(101)가 취득한 취득 정보(113)와, 디바이스(101)의 전지(111)의 잔량을 나타내는 잔량 정보(112)를 포함하는 디바이스 정보(114)를 디바이스(101)로부터 수신하는 수신부(121)를 포함한다. 정보 처리 장치(102)는, 수신부(121)가 디바이스 정보(114)를 수신한 경우에, 디바이스 정보(114)에 포함되는 잔량 정보(112)에 기초하여, 일시 기억부에 있어서의 취득 정보(113)의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정부(122)를 포함한다.
한편, 도 1b에 도시된 디바이스(151)는, 디바이스(151)가 취득한 취득 정보(163)를 송신 신호(162)로 변환하고 그것을 송신한다. 정보 처리 장치(152)는, 디바이스(151)로부터 송신 신호(162)를 수신하는 수신부(171)를 포함한다. 정보 처리 장치(152)는 또한 수신부(171)가 수신한 송신 신호(162)에 기초하여, 디바이스(151)를 구동하는 전지(161)의 잔량을 산출하는 전지 잔량 산출부(172)를 포함한다. 또한, 정보 처리 장치(152)는, 전지(161)의 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억부에 있어서의 취득 정보(163)의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정부(173)를 포함한다.
상술한 정보 처리 장치(102 또는 152)는, 디바이스로부터 수신한 취득 정보를 일시 기억할 때의 일시 기억 기간으로서, 디바이스의 전지 잔량을 고려한 값을 설정할 수 있다. 이에 의해, 디바이스의 전지 수명을 연장시킬 수 있고, 종래의 기술과 비교할 때 디바이스의 전지 교환 수고를 저감할 수 있다.
[제2 예시적인 실시 형태]
본 발명의 제2 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템에 대해서, 도 2 내지 도 10을 참조하여 설명할 것이다.
《기술적 전제》
한편, M2M으로 사용되는 디바이스는 종종 전원에 전지를 사용하고, 설치 장소 및 기기의 구조상, 전지 교환이 종종 곤란하다. 이 경우, 디바이스의 전력 소비를 저감함으로써, 유지 보수 비용을 저감할 수 있거나, 또는 디바이스의 운용 연한을 연장할 수 있다.
M2M 통신에 있어서, 온도, 습도 등을 계측하는 다양한 디바이스들 각각으로부터 측정 데이터를 정보로서 취득하는 경우, 많은 경우에 일시 기억 장치에 정보를 일시 기억한다. 이 일시 기억 장치는 애플리케이션 서버와 디바이스 사이에 설치되는 공통 서비스 플랫폼 또는 게이트웨이 장치에 제공된다.
이 구성에서는, 디바이스가 취득한 정보를 애플리케이션 서버가 요구한 경우, 게이트웨이 장치 또는 공통 서비스 플랫폼은, 자체의 일시 기억 장치에 일시 기억되는 정보가 있는지에 따라 처리를 변경한다. 즉, 일시 기억 장치에 일시 기억된 정보가 있으면, 게이트웨이 장치 또는 공통 서비스 플랫폼은, 디바이스로부터 측정 데이터를 취득하는 것은 하지 않고서, 일시 기억된 정보를 애플리케이션 서버에 반환한다. 이에 의해, 디바이스의 전력 소비량과 통신량을 삭감할 수 있다.
일반적으로, 일시 기억 장치에 일시 기억된 정보에 대해 일시 기억 기간이 설정된다. 애플리케이션 서버로부터 정보 취득 요구를 수신한 경우, 게이트웨이 장치 또는 공통 서비스 플랫폼은, 일시 기억된 정보의 일시 기억 기간을 확인하고, 일시 기억 기간 내라면 일시 기억된 정보를 애플리케이션 서버에 송신한다. 일시 기억 기간을 경과하면, 게이트웨이 장치 또는 공통 서비스 플랫폼은 디바이스로부터 정보를 취득하고, 일시 기억 장치 내의 정보를 갱신함과 함께, 이 취득 정보를 애플리케이션 서버에 송신한다. 일시 기억 장치의 일시 기억 기간은, 정보량이나 애플리케이션 특성에 따라 상이한 최적값을 갖지만, 일반적으로는 고정값이다.
일시 기억 장치의 일시 기억 기간을 짧게 설정할수록, 디바이스로부터 게이트웨이 장치 또는 공통 서비스 플랫폼으로의 정보 송신이 더 빈번해지고, 이에 의해 디바이스의 전지 수명, 즉 디바이스의 운용 연한이 짧아진다. 한편, 일시 기억 장치의 일시 기억 기간을 너무 길게 설정하면, 애플리케이션 서버로부터의 정보 취득 요구에 응답하여 최대 일시 기억 기간의 길이에 대해 과거에 취득한 데이터가 반환된다. 이는 서비스 운용을 방해할 수 있다.
따라서, 게이트웨이 장치 및 공통 서비스 플랫폼의 설치자 또는 운영자는, 디바이스의 전지 용량과 필요한 운용 연한 및 가정되는 정보 취득 요구들의 빈도를 고려하여, 일시 기억 장치의 일시 기억 기간을 결정할 필요가 있다. 그러나, 전지 수명은, 온도 및 기타의 환경 요인들에 의해 쉽게 영향을 받기 때문에, 원래의 계획보다도 빨리 전압 저하와 같은 열화의 증상이 발견될 수 있다. 디바이스의 설치자와 애플리케이션 서버의 운영자가 상이한 경우, 특히 복수의 애플리케이션 서버가 하나의 디바이스의 정보를 취득하는 경우, 애플리케이션 서버들로부터 송신되는 정보 취득 요구의 빈도를 미리 추정하는 것은 곤란하다.
《제2 예시적인 실시 형태의 설명》
도 2는, 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 도 2를 참조하면, 정보 처리 시스템(200)은, 정보 처리 장치(201), 3개의 애플리케이션 서버들(221 내지 223), 네트워크(230), 및 3개의 디바이스(241 내지 243)를 포함한다.
정보 처리 장치(201)는, 공통 서비스 플랫폼을 형성하고, 애플리케이션 서버들(221 내지 223)에 접속되고, 또한 네트워크(230)를 개재해서 디바이스들(241 내지 243)에 접속된다.
정보 처리 장치(201)는, 정보 요구 제어부(211), 일시 기억부(212), 정보 요구부(213), 수신부(214), 전지 잔량 인식부(215), 일시 기억 기간 설정부(216) 및 기억부(217)를 포함한다.
정보 요구 제어부(211)는, 애플리케이션 서버들(221 내지 223)로/로부터 정보 송수신을 가능하게 하는 네트워크 인터페이스 또는 API(Application Programming Interface)를 포함한다. 정보 요구 제어부(211)는, 예를 들어 정보 처리 장치(201)에 내장된 전자 회로 또는 연산 장치 상에서 동작하는 프로그램에 의해 형성된다. 정보 요구 제어부(211)는, 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각으로부터 정보 취득 요구를 수신할 시, 일시 기억부(212)를 참조하고, 일시 기억부(212)에 일시 기억 기간 내의 정보가 존재하면, 그 정보를 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각에 반환한다. 일시 기억부(212)에 일시 기억 기간 내의 정보가 없으면, 정보 요구 제어부(211)는, 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각으로부터 요구된 정보를 취득하도록 정보 요구부(213)에 요구한다. 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각으로부터 요구된 정보를 수신부(214)로부터 수신할 시, 정보 요구 제어부(211)는 이 정보를 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각에 송신한다.
일시 기억부(212)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 취득한 정보를, 그 일시 기억 기간의 정보와 함께 기억할 수 있는 기억 장치이다. 예를 들어, 일시 기억부(212)는, 정보 처리 장치(201)에 내장된 메모리, HDD(hard Disk Drive), 또는 SSD(Solid State Drive)이다. 디바이스들(241 내지 243) 각각이 취득한 정보(이하, 취득 정보로서 지칭함)에 그 일시 기억 기간의 정보를 추가하는 것에 의해 획득되고 일시 기억부(212)에 저장되는 정보는 이후에, 일시 기억 데이터로서 지칭될 것이라는 점을 유의한다.
정보 요구부(213)는, 디바이스들(241 내지 243)로/로부터의 정보 송수신을 가능하게 하는 네트워크 인터페이스를 포함하고, 예를 들어 정보 처리 장치(201)에 내장된 전자 회로 또는 연산 장치 상에서 동작하는 프로그램에 의해 형성된다. 정보 요구부(213)는, 정보 요구 제어부(211)로부터의 명령에 따라, 디바이스들(241 내지 243) 각각에 정보 취득 요구를 송신한다.
수신부(214)는, 디바이스들(241 내지 243)로/로부터의 정보 송수신을 가능하게 하는 네트워크 인터페이스를 포함하고, 예를 들어 정보 처리 장치(201)에 내장된 전자 회로 또는 연산 장치 상에서 동작하는 프로그램에 의해 형성된다. 수신부(214)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각이 송신한 송신 정보를 수신한다. 디바이스들(241 내지 243) 각각이 송신하는 디바이스 정보는, 디바이스들(241 내지 243) 각각이 취득한 정보와 전지 잔량 정보를 포함한다. 수신부(214)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터, 중계 장치를 개재해서 디바이스 정보를 수신할 수 있다.
전지 잔량 인식부(215)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 수신한 정보에 포함되는 전지 잔량 정보에 기초하여, 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전지 잔량을 인식하고, 이 전지 잔량의 정보를 일시 기억 기간 설정부(216)에 통지한다. 전지 잔량은, 전지의 나머지 전기량을 나타낸다. 그러나, 전기량은 직접 측정할 수 없기 때문에, 예를 들어 전압을 확인하는 것에 의해 나머지 전기량을 추측한다. 추측 알고리즘은, 전지의 특성에 따라 상이하고, 예를 들어 리튬 전지 각각에 대해서도 메이커에 따라 상이하다.
일시 기억 기간 설정부(216)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 수신한 전지 잔량 정보와, 기억부(217)에 기억되고 전지 잔량과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 나타내는 정보에 기초하여, 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정한다.
수신부(214)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 수신한 취득 정보를, 일시 기억 기간 설정부(216)가 설정한 일시 기억 기간의 정보와 함께 일시 기억부(212)에 저장한다. 동시에, 수신부(214)는 정보 요구 제어부(211)에 취득 정보를 전송한다.
기억부(217)는, 전지 잔량과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 나타내는 정보를 기억할 수 있는 기억 장치이고, 예를 들어 정보 처리 장치(201)에 내장된 메모리, 하드디스크 드라이브, 또는 고체 상태 드라이브이다.
디바이스들(241 내지 243) 각각은, 예를 들어 온습도 센서, 스틸 카메라, 동화상 카메라, 또는 진동 센서 등의 디바이스이며, 온습도 정보, 화상 정보, 동화상 정보, 또는 진동 정보 등의 정보를 취득하고, 이 정보를 취득 정보로서 송신한다. 디바이스들(241 내지 243) 각각은, 정보 처리 장치(201)로/로부터의 정보 송수신을 가능하게 하는 네트워크 인터페이스를 포함한다.
《정보 처리 장치의 하드웨어 구성의 설명》
도 3은 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 장치(201)의 하드웨어 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 정보 처리 장치(201)는, CPU(Central Processing Unit)(301), ROM(Read Only Memory)(302), 네트워크 인터페이스(303), RAM(Random Access Memory)(312) 및 스토리지(예를 들어, HDD(Hard Disk Drive) 또는 SSD(Solid State Drive))(317)를 포함한다.
CPU(301)는 중앙 처리부이며, 여러가지 프로그램을 실행함으로써 정보 처리 장치(201) 전체를 제어한다.
ROM(302)은, CPU(301)가 최초에 실행해야 할 부팅 프로그램뿐만 아니라 다양한 파라미터들을 기억한다.
네트워크 인터페이스(303)는, 디바이스들(241 내지 243)과의 네트워크(230)를 개재한 통신과, 애플리케이션 서버들(221 내지 223)과의 통신을 제어한다.
RAM(312)은, 정보 처리 프로그램 실행 영역(341)을 갖는다.
스토리지(317)는, 전지 잔량과 일시 기억 기간 사이의 관계 정보(351), 정보 요구 제어 모듈(352), 정보 요구 모듈(353) 및 수신 모듈(354)을 갖는다. 또한, 기억부(317)는, 전지 잔량 인식 모듈(355), 일시 기억 기간 설정 모듈(356) 및 일시 기억 모듈(357)을 갖는다. 스토리지(317)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 수신한 취득 정보를 그 일시 기억 기간의 정보와 연관시킨 정보를, 디바이스들(241 내지 243) 각각마다, 일시 기억 데이터(358)로서 일시 기억한다.
CPU(301)가 정보 요구 제어 모듈(352)을 실행함으로써 정보 요구 제어부(211)로서 기능한다. CPU(301)가 수신 모듈(354)을 실행함으로써 수신부(214)로서 기능한다. CPU(301)가 전지 잔량 인식 모듈(355)을 실행함으로써 전지 잔량 인식부(215)로서 기능한다. CPU(301)가 일시 기억 기간 설정 모듈(356)을 실행함으로써 일시 기억 기간 설정부(216)로서 기능한다.
도 4는, 일시 기억 데이터(358)의 내용을 설명하기 위한 도면이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 일시 기억 데이터(358)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 수신한 취득 정보(401)를 그 일시 기억 기간의 정보(402)와 연관시킨 정보이다.
도 5는, 기억부(217)에 저장되고 전지 잔량과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 나타내는 정보, 즉 전지 잔량과 일시 기억 기간 사이의 관계 정보(351)를 설명하기 위한 테이블이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 전지 잔량과 일시 기억 기간 사이의 관계 정보(351)는, 전지 잔량(%)(501)과 일시 기억 기간(분)(502)을 연관시킨 테이블에 의해 표현된다. 본 예시적인 실시 형태에서, 전지 잔량(501)이 0%(제외) 내지 20%(포함)의 범위 내에 속하는 경우, 일시 기억 기간(502)은 60분으로 설정된다. 전지 잔량(501)이 20%(제외) 내지 50%(포함)의 범위 내에 속하는 경우, 일시 기억 기간(502)은 10분으로 설정된다. 또한, 전지 잔량(501)이 50%(제외) 내지 100%(포함)의 범위 내에 속하는 경우, 일시 기억 기간(502)은 3분으로 설정된다.
전지 잔량과 일시 기억 기간 사이의 관계 정보(351)에 대해서는, 반드시 표 형식의 정보일 필요는 없고, 도 6에 도시된 그래프에 의해 표현되는 연속적인 대응 관계의 정보일 수 있다는 점을 유의한다. 또한, 도 5에 도시된 전지 잔량(501)은 3단계로 분할된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 단계들의 수는 4 이상 또는 2 이하일 수 있고, 역치가 또한 임의로 결정될 수 있다. 일시 기억 기간은 전지 잔량을 파라미터로서 갖는 수식에 의해 획득될 수 있다.
《디바이스의 기능 구성의 설명》
도 7은 디바이스들(241 내지 243) 각각의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 디바이스들(241 내지 243) 각각은, 전지(701), 정보 취득부(702), 전지 잔량 검출부(703) 및 송수신부(704)를 포함한다.
전지(701)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각을 구동하는 전력을 공급한다.
정보 취득부(702)는, 송수신부(704)로부터 정보 취득 지시를 수신할 시, 소정의 정보를 취득하고 그 정보를 송수신부(704)에 출력한다. 예를 들어, 정보 취득부(702)는, 온습도 센서, 스틸 카메라, 동화상 카메라, 진동 센서 등이며, 온습도 정보, 화상 정보, 동화상 정보, 또는 진동 정보 등의 정보를 취득한다.
전지 잔량 검출부(703)는, 송수신부(704)로부터 전지 잔량 검출 지시를 수신할 시, 전지(701)의 잔량을 검출하고, 전지 잔량 정보를 송수신부(704)에 출력한다. 본 예시적인 실시 형태에서, 전지 잔량 검출부(703)는 만충전 용량에 대한 전지의 잔량의 백분율을 나타내는 정보를 전지 잔량 정보로서 획득한다.
전지 잔량(%) 대신에, 전압값, 나머지 구동 시간, 송신 가능 횟수 또는 잔존 방전 용량(mAh)이 전지 잔량 정보로서 사용될 수 있다는 점을 유의한다.
디바이스들(241 내지 243) 각각은, 검출한 전압값, 나머지 구동 시간 또는 잔존 방전 용량(mAh)을 정보 처리 장치(201)에 송신 정보로서 전송하는 경우, 정보 처리 장치(201)는, 도 5의 전지 잔량(%)을 전압값, 나머지 구동 시간 또는 잔존 방전 용량(mAh)으로 재기입하는 것에 의해 획득된 표를 유지한다는 점을 유의한다. 동작은 전지 잔량(%)이 사용되는 경우의 동작과 동일하다.
또한, 디바이스들(241 내지 243) 각각이, 전압값에 기초하여, 소정 시간(예를 들어, 3시간) 이내에 송신 가능한 횟수를 산출하고, 이 횟수를 정보 처리 장치(201)에 송신할 수 있다. 정보 처리 장치(201)는, 도 5의 전지 잔량(%)을 송신 가능 횟수로 재기입하는 것에 의해 획득된 표를 유지한다. 동작은 전지 잔량(%)이 사용되는 경우의 동작과 동일하다.
송신 정보가 전압값인 경우, 그리고 다른 종류의 전지를 사용하는 디바이스가 있는 경우, 정보 처리 장치(201)가 전지의 특성에 따른 변환 알고리즘(전압값에 기초하여 전지 잔량(%) 등을 산출함)을 가질 필요가 있다.
송수신부(704)는, 정보 처리 장치(201)로부터 정보 취득 요구를 수신할 시, 정보 취득부(702)에 정보 취득 지시를 통지함과 함께 전지 잔량 검출부(703)에 전지 잔량 검출 지시를 통지한다. 또한, 송수신부(704)는 정보 취득부(702)와 전지 잔량 검출부(703)에 지시들을 통지한 후, 정보 취득부(702)로부터 수취한 취득 정보와 전지 잔량 검출부(703)로부터 수취한 전지 잔량 정보를 정보 처리 장치(201)에 송신한다.
《디바이스의 하드웨어 구성의 설명》
도 8은 디바이스들(241 내지 243) 각각의 하드웨어 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 디바이스들(241 내지 243) 각각은, CPU(801), ROM(802), 네트워크 인터페이스(803), 전지(701), 정보 취득부(702), 전지 잔량 검출 인터페이스(806), RAM(807) 및 기억부(808)를 포함한다.
CPU(801)는 중앙 처리부이며, 소정의 프로그램을 실행함으로써 전체 디바이스들(241 내지 243) 각각을 제어한다. ROM(802)은, CPU(801)가 최초에 실행해야 할 부팅 프로그램뿐만 아니라 다양한 파라미터들을 기억한다. 네트워크 인터페이스(803)는, 정보 처리 장치(201)와의 통신을 제어한다.
RAM(807)은, 프로그램 로드 영역(871), 취득 정보 기억 영역(872) 및 전지 잔량 기억 영역(873)을 갖는다.
기억부(808)는, 전지 잔량 검출 모듈(881) 및 송수신 제어 모듈(882)을 포함한다. CPU(801)가 전지 잔량 검출 모듈(881)을 실행함으로써 전지 잔량 검출부(703)로서 기능하고, 전지 잔량 검출 인터페이스(806)를 개재해서 전지(701)의 잔량을 검출한다. CPU(801)가 송수신 제어 모듈(882)을 실행함으로써 네트워크 인터페이스(803)와 함께 송수신부(704)로서 기능한다.
《동작의 설명》
다음으로, 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 장치(201)의 동작이 도 9를 참조하여 설명될 것이다. 도 9는 정보 처리 장치(201)의 처리 수순을 설명하기 위한 흐름도이다.
단계 S901에 있어서, 정보 처리 장치(201)가, 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각으로부터 정보 요구를 수취하면, 단계 S903에 있어서, 정보 요구 제어부(211)가 일시 기억부(212)에 기억되는 일시 기억 데이터와 그 일시 기억 기간을 확인한다.
단계 S903에서의 확인 결과로서, 일시 기억 기간이 경과하지 않은 경우, 단계 S905에 있어서, 정보 요구 제어부(211)는 일시 기억 데이터에 포함되는 취득 정보를 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각에 송신하고, 그 후 단계 S901의 처리로 이행한다.
단계 S903에서의 확인 결과로서, 일시 기억 기간이 경과한 경우, 단계 S907에 있어서, 정보 요구 제어부(211)는 정보 요구부(213)를 통해서, 디바이스들(241 내지 243) 각각에 정보를 요구한다. 단계 S909에 있어서, 정보 요구부(213)는, 애플리케이션 서버로부터 요구된 정보와 함께 전지 잔량 정보를 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 취득한다.
디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 정보를 수취할 시, 수신부(214)는, 전지 잔량 인식부(215)가 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전지 잔량을 인식하게 하고, 그 전지 잔량을 일시 기억 기간 설정부(216)에 통지한다. 단계 S913에 있어서, 일시 기억 기간 설정부(216)는, 기억부(217)에 미리 저장되고, 전지 잔량과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 나타내는 정보에 기초하여, 전지 잔량에 따른 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정한다.
단계 S915에 있어서, 수신부(214)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 수취한 취득 정보를 정보 요구 제어부(211)와 일시 기억부(212)에 통지한다. 동시에, 수신부(214)는 일시 기억부(212)에, 일시 기억 기간 설정부(216)가 결정한 일시 기억 기간을 통지한다. 또한, 단계 S917에 있어서, 일시 기억부(212)는, 수신부(214)로부터 수취한 취득 정보를 그 일시 기억 기간의 정보와 함께, 일시 기억 데이터로 해서 기억한다. 단계 S919에 있어서, 정보 요구 제어부(211)는, 수신부(214)로부터 수취한 취득 정보를 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각에 송신하고, 그 후 단계 S901에서의 처리로 이행한다.
도 10은 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각에 의한 정보 취득 요구와, 디바이스들(241 내지 243) 각각에 의한 정보 취득과, 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 설명하기 위한 도면이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각으로부터의 정보 취득 요구에 응답하여 정보 처리 장치(201)가 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 정보를 취득한 시각이 일시 기억 기간이 개시하는 시각이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 전지 잔량에 따라서 설정되는 일시 기억 기간을 변화시킨다. 이 예에서, 도 5에 도시된 테이블을 따라서 제어가 수행된 경우가 타이밍 차트에 의해 표현된다. 보다 구체적으로, 전지 잔량이 90%인 단계에서는, 일시 기억 기간을 3분으로 설정한다. 전지 잔량이 30%까지 감소하면, 일시 기억 기간을 10분으로 설정한다. 그 후, 전지 잔량이 10%보다 작아지면, 일시 기억 기간을 60분으로 설정한다.
정보 처리 장치(201)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전지(701)의 잔량에 관한 정보를 취득할 수 있고, 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 수신한 취득 정보를 일시 기억할 때의 일시 기억 기간으로서, 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전지 잔량을 고려한 최적값을 미리 설정할 수 있다. 따라서, 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전력 소비량과 통신량을 삭감할 수 있고, 이에 의해 디바이스들(241 내지 243) 각각의 운용 연한을 연장시킬 수 있다. 이는 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전지 수명을 연장시킬 수 있고, 이에 의해 종래의 기술과 비교할 때 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전지 교환 수고를 저감할 수 있다.
정보 처리 장치(201)는, 예를 들어 M2M플랫폼이며, 머신 투 머신(Machine-to-Machine) 서비스들을 표준화시키는 oneM2M에 의해 정의된 M2M 서비스 인프라스트럭처(Service Infrastructure)일 수 있다는 점을 유의해야 한다. M2M 서비스 인프라스트럭처는, oneM2M 아키텍처에 있어서의 IN(Infrastructure Node)에 대응한다. M2M 서비스 인프라스트럭처는, oneM2M에 의해 정의된 CSF(Common Services Function)들을 제공하는 CSE(Common Services Entity)를 포함한다. 정보 처리 장치(201)는, 복수의 CSE를 포함하는 장치일 수 있다. IN(Infrastructure Node)의 CSE는 또한 IN-CSE라고 불린다는 점을 유의한다.
네트워크(230)는, 예를 들어 통신 사업자에 의해 제공되는 이동 통신망이며, oneM2M에 의해 정의된 기반 네트워크(Underlying Network)일 수 있다.
또한, 디바이스들(241 내지 243) 각각은, 예를 들어 센서 디바이스이며, oneM2M에 의해 정의된 M2M 디바이스일 수 있다. M2M 디바이스는, oneM2M 아키텍처에 있어서의 ASN(Application Service Node) 또는 ADN(Application Dedicated Node)에 대응하고, ASN은 CSE를 포함한다. ASN내의 CSE는 또한 ASN-CSE라고 불린다는 점을 유의한다.
애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각은, 예를 들어 특정한 업무를 처리하는 서버이며, oneM2M에 의해 정의된 M2M 애플리케이션 인프라스트럭처(Application Infrastructure)일 수 있다. 애플리케이션 서버들(221 내지 223) 각각은, oneM2M 아키텍처에 있어서의 AE(Application Entity)를 포함할 수 있다. oneM2M에 의해 정의된 인프라스트럭처 도메인(Infrastructure Domain)에 있고, IN-CSE에 접속되는 AE는 또한 IN(Infrastructure Node)-AE라고 불린다는 점을 유의한다.
정보 처리 장치(201)는, 예를 들어 모바일 라우터이고, 이 경우 oneM2M에 의해 정의된 M2M 게이트웨이(게이트웨이 장치)일 수 있다. M2M 게이트웨이는, oneM2M 아키텍처에 있어서의 MN(Middle Node)에 대응하고, CSE를 포함한다. MN 내의 CSE는 또한 MN-CSE라고 불린다는 점을 유의한다.
[제3 예시적인 실시 형태]
다음으로, 본 발명의 제3 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템에 대해서, 도 11 내지 도 13을 참조하여 설명할 것이다. 도 11은, 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템(1100)의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템은, 정보 처리 장치(1101)와 디바이스들(1141 내지 1143)이 직접 접속된다는 점에서 제2 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템과 상이하다. 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템은, 무선 통신 제어부(1118)를 개재해서 각각의 디바이스와 무선 통신하는 정보 요구부(1113)와 수신부(1114)가 제공된다는 점에서 제2 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템과 또한 상이하다. 또한, 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템은, 신호 강도 검출부(1117)의 검출 결과에 기초하여 전지 잔량을 인식하는 전지 잔량 인식부(1115)를 포함한다. 나머지 구성들 및 동작들은, 제2 예시적인 실시 형태에서의 그것들과 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호들은 동일한 구성들 및 동작들을 나타내고, 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
본 예시적인 실시 형태에 있어서는, 정보 처리 장치(1101)와 디바이스들(1141 내지 1143)이 무선 통신 제어부(1118)를 개재해서 무선으로 직접 접속되고, 신호 중계기들도 증폭 장치들도 정보 처리 장치(1101)와 디바이스들(1141 내지 1143) 사이에 배치되지 않는다.
신호 강도 검출부(1117)는, 무선 통신 제어부(1118) 및 수신부(1114)를 개재해서 디바이스들(1141 내지 1143) 각각으로부터 수신한 신호의 강도를 검출하고, 그 강도를 전지 잔량 인식부(1115)에 통지한다.
전지 잔량 인식부(1115)는, 디바이스들(1141 내지 1143) 각각으로부터 수신한 신호의 강도와 디바이스들(1141 내지 1143) 각각의 전지 잔량 사이의 대응 관계를 나타내는 정보를 기억한다. 이 정보와 신호 강도 검출부(1117)로부터 전송된 신호 강도에 기초하여, 전지 잔량 인식부(1115)는 전지의 잔량을 인식한다. 디바이스들(1141 내지 1143) 각각으로부터 수신한 신호의 강도와 디바이스들(1141 내지 1143) 각각의 전지 잔량 사이의 대응 관계의 정보는, 예를 들어 도 12에 도시된 그래프에 의해 표현된다.
도 13a는 본 예시적인 실시 형태에 있어서의 디바이스들(1141 내지 1143) 각각의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 본 예시적인 실시 형태에 따른 디바이스들(1141 내지 1143) 각각은, 전지(1334), 정보 취득부(1332) 및 송수신부(1333)를 포함한다. 송수신부(1333) 및 정보 취득부(1332)는 전지(1334)의 전력에 의해 구동된다. 송수신부(1333)는 정보 처리 장치(1101)로부터 정보 요구 지시를 수신할 시, 정보 취득부(1332)에 의해 취득한 정보를 정보 처리 장치(1101)에 송신한다.
《정보 처리 장치의 동작의 설명》
본 예시적인 실시 형태에서는, 디바이스들(1141 내지 1143) 각각은 그 전지 잔량을 정보 처리 장치(1101)에 송신하지 않는다. 대신에, 정보 처리 장치(1101)의 전지 잔량 인식부(1115)는, 디바이스들(1141 내지 1143) 각각으로부터 취득 정보를 수신할 시의 신호 강도에 기초하여, 디바이스들(1141 내지 1143) 각각의 전지 잔량을 인식한다.
도 13b에 도시된 바와 같이, 정보 처리 장치(1101)와 디바이스들(1141 내지 1143) 사이에 중계기들(1301 내지 1303) 또는 게이트웨이 장치들이 배치되는 경우에, 신호 강도 검출부들(1311 내지 1331)이 디바이스들(1141 내지 1143)에 직접 접속되는 중계기들(1301 내지 1303) 또는 게이트웨이 장치들에 각각 배치될 수 있다는 점을 유의한다. 대안적으로, 정보 처리 장치(1101)와 디바이스들(1141 내지 1143)이 통신 제어부(1318)를 개재해서 무선 통신을 사용하여 직접 접속될 수 있거나, 또는 유선 통신을 사용하여 직접 접속될 수 있다.
본 예시적인 실시 형태에 따르면, 제2 예시적인 실시 형태와 동일한 효과를 또한 얻을 수 있다. 본 예시적인 실시 형태에서는, 신호 강도가 사용되는 경우를 예로 들어 설명한다는 점을 유의한다. 신호 강도 대신에, 수신 신호의 부호 오류율 또는 전송 레이트가 사용될 수 있다. 이는 신호 강도의 저하에 따라 부호 오류율이 상승하고, 부호 오류율의 상승에 따라 전송 레이트가 저하되기 때문이다.
[제4 예시적인 실시 형태]
본 발명의 제4 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템에 대해서, 도 14를 참조하여 설명할 것이다. 도 14는, 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템(1400)의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템(1400)은, 기억부(1417)에 기억되는 디바이스에 관한 정보에 기초하여 일시 기억 기간을 설정하는 일시 기억 기간 설정부(1416)가 제공된다는 점에서 제2 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템과 상이하다. 나머지 구성들 및 동작들은, 제2 예시적인 실시 형태에서의 그것들과 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호들은 동일한 구성들 및 동작들을 나타내고, 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
본 예시적인 실시 형태에서, 기억부(1417)는, 도 15에 도시된 것과 같은 디바이스들(241 내지 243)과 연관된 미리 설정된 운용 연한들, 운용 개시 일시들, 및 정보 취득 일시 이력들에 관한 정보들(1501 내지 1503)을 기억한다.
일시 기억 기간 설정부(1416)는, 기억부(1417)에 기억되는 정보들(1501 내지 1503)을 참조하여, 디바이스들(241 내지 243)과 연관된 운용 연한들, 운용 개시 일시들 및 정보 취득 일시 이력들에 관한 정보들을 취득한다. 또한, 일시 기억 기간 설정부(1416)는, 운용 개시 이후의 경과된 일수, 정보 취득 일시 이력들 및 디바이스들(241 내지 243)의 전지 잔량들을 확인하는 것에 의해, 허용 가능한 정보 취득 횟수들을 계산한다. 일시 기억 기간 설정부(1416)는, 계산된 정보 취득 횟수들 각각에 기초하여, 일시 기억 데이터의 일시 기억 기간을 산출하고 그 일시 기억 기간을 설정한다.
즉, 일시 기억 기간 설정부(1416)는 정보를 송신할 수 있는 최저한의 전지 잔량에 대해, 전지(701)의 잔량의 백분율(r)을 인식하고, 그것을 사용 가능한 전지 잔량으로 설정한다. 또한, 일시 기억 기간 설정부(1416)는, 정보 취득 일시 이력에 기초하여 운용 개시 이후 정보를 취득한 횟수(t)를 인식하고, 횟수(t)와 현재의 전지 잔량에 기초하여 1회의 정보 취득 동작에 요구되는, 만충전 용량에 대한 전지 잔량의 백분율(u)을 산출한다. 그 후, 일시 기억 기간 설정부(1416)는, 운용 연한의 종료까지의 나머지 일수(v)를 산출하고, r/u의 값을 운용 연한의 종료 전에 정보를 취득할 수 있는 횟수로서 산출하고, v/(u/r)의 값을 일시 기억 데이터의 일시 기억 기간으로서 설정한다.
본 예시적인 실시 형태에 따르면, 정보 처리 장치(1401)는, 디바이스들(241 내지 243) 각각으로부터 수신한 취득 정보를 일시 기억할 때의 일시 기억 기간으로서, 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전지 잔량을 고려한 최적값을 미리 설정할 수 있다. 따라서, 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전력 소비량과 통신량을 삭감할 수 있다. 이는 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전지 수명을 연장시킬 수 있고, 이에 의해 종래의 기술과 비교할 때 디바이스들(241 내지 243) 각각의 전지 교환 수고를 저감할 수 있다.
[제5 예시적인 실시 형태]
본 발명의 제5 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템에 대해서, 도 16 및 도 17을 참조하여 설명할 것이다. 도 16은, 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템(1600)의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템(1600)은, 디바이스들(1641 내지 1643) 각각으로부터 일시 기억 기간 동안 정보를 취득하는 정보 처리 장치(1601)가 제공된다는 점에서 제2 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템과 상이하다. 나머지 구성들 및 동작들은, 제2 예시적인 실시 형태에서의 그것들과 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호들은 동일한 구성들 및 동작들을 나타내고, 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
정보 처리 장치(1601)는, 정보 요구 제어부(211), 일시 기억부(212), 정보 요구부(213) 및 수신부(1614)를 포함한다.
수신부(1614)는, 디바이스들(1641 내지 1643) 각각으로부터 일시 기억 기간의 정보가 추가된 취득 정보를 수신하고, 그 취득 정보를 일시 기억부(212)에 기억한다.
도 17은 본 예시적인 실시 형태에 따른 디바이스들(1641 내지 1643) 각각의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 디바이스들(1641 내지 1643) 각각은 전지(1701), 정보 취득부(1702), 전지 잔량 검출부(1703), 송수신부(1704), 일시 기억 기간 설정부(1705) 및 기억부(1706)를 포함한다.
전지 잔량 검출부(1703)는, 송수신부(1704)로부터 전지 잔량 검출 지시를 수신할 시, 전지(1701)의 잔량을 검출하고, 전지 잔량의 정보를 일시 기억 기간 설정부(1705)에 출력한다.
일시 기억 기간 설정부(1705)는, 전지 잔량 검출부(1703)로부터 수취한 전지 잔량의 정보, 및 기억부(1706)에 기억되고 전지 잔량과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 나타내는 정보에 기초하여, 정보 취득부(1702)가 취득한 정보의 일시 기억 기간을 설정한다.
기억부(1706)는, 전지 잔량과 취득 정보의 일시 기억 기간 사이의 관계를 나타내는 정보를 기억하는 스토리지이다.
본 예시적인 실시 형태에 따르면, 디바이스들(1641 내지 1643) 각각이, 취득 정보를 일시 기억할 때의 일시 기억 기간으로서, 디바이스들(1641 내지 1643) 각각의 전지 잔량을 고려한 최적값을 미리 설정할 수 있다. 따라서, 디바이스들(1641 내지 1643) 각각의 전력 소비량과 통신량을 삭감할 수 있다. 이는 디바이스들(1641 내지 1643) 각각의 전지 수명을 연장시킬 수 있고, 이에 의해 종래의 기술과 비교할 때 디바이스들(1641 내지 1643) 각각의 전지 교환 수고를 저감할 수 있다.
[제6 예시적인 실시 형태]
본 발명의 제6 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템에 대해서, 도 18을 참조하여 설명할 것이다. 도 18은, 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템(1800)의 기능 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템(1800)은, 일시 기억 장치(1812)가 정보 처리 장치(1801)의 외부에 제공되고, 정보 처리 장치(1801)가 일시 기억 기간이 지정된 취득 데이터를 일시 기억 장치(1812)에 전송한다는 점에서 제2 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템과 상이하다. 나머지 구성들 및 동작들은, 제2 예시적인 실시 형태에서의 그것들과 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호들은 동일한 구성들 및 동작들을 나타내고, 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
상술한 예시적인 실시 형태와 유사하게, 일시 기억 기간 설정부(216)에 의해 설정된 일시 기억 기간이 추가된 취득 정보는, 송신부(1819)를 개재해서 일시 기억 장치(1812)에 전송된다. 일시 기억 장치(1812)는, 수취한 취득 정보를, 그 취득 정보에 추가된 일시 기억 기간 동안 유지한다.
상술한 바와 같이, 디바이스로부터 취득한 정보를 외부의 일시 기억 장치(1812)에 기억하는 경우에, 일시 기억 기간을 상술한 제1 내지 제5 예시적인 실시 형태에서와 같이 제어함으로써, 또한 디바이스의 전지 수명을 연장시키고, 디바이스의 전지 교환 수고를 저감할 수 있다.
[제7 예시적인 실시 형태]
다음으로 본 발명의 제7 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템에 대해서, 도 19 내지 도 22를 참조하여 설명할 것이다. 도 19는, 본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템에서 사용하는 테이블들을 도시하는 도면이며, 전지 잔량 정보와 일시 기억 기간 사이의 관계를 도시한다.
본 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템은, 복수의 종류의 송신 정보(전지 잔량(%)에 추가하여, 전압값, 나머지 구동 시간, 송신 가능 횟수, 잔존 방전 용량(mAh) 등)가 디바이스들로부터 수취된다는 점에서 제2 예시적인 실시 형태에 따른 정보 처리 시스템과 상이하다. 예를 들어, 이하의 디바이스들이 혼재되는 것으로 가정한다.
(1) 전압값만 송신할 수 있는 디바이스
(2) 값을 전지 잔량(%)으로 변환하고 그 전지 잔량을 송신할 수 있는 디바이스
(3) 잔존 방전 용량(mAh)만 송신할 수 있는 디바이스
(4) 나머지 구동 시간만 송신할 수 있는 디바이스
(5) 송신 가능 횟수만 송신할 수 있는 디바이스
이 경우, 도 5에 도시된 테이블에 추가하여, 도 19 내지 도 22에 도시되는 다양한 테이블들을 사용해서 송신 정보 각각을 일시 기억 기간으로 변환한다.
각각의 전지가 상이한 특성을 갖기 때문에, 상이한 전지들을 사용하는 디바이스들이 있는 경우, 각각의 전지들마다 테이블들이 유지된다.
나머지 구성들 및 동작들은, 제2 예시적인 실시 형태에서의 그것들과 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호들은 동일한 구성들 및 동작들을 나타내고, 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
본 예시적인 실시 형태에 따르면, 다양한 디바이스들이 혼재되는 경우에도, 각각의 디바이스로부터 취득한 정보의 일시 기억 기간을 적절하게 제어하는 거서에 의해 각각의 디바이스의 전지 수명을 연장시킴으로써, 디바이스의 전지 교환 수고를 저감할 수 있다.
[다른 예시적인 실시 형태]
그 예시적인 실시 형태들을 참조하여 본 발명이 특히 도시되고 설명되지만, 본 발명은 이러한 예시적인 실시 형태들에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에서는 다양한 형태 및 상세의 변경이 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 청구항에 의해 정의된 바와 같이 행해질 수 있다는 것을 본 기술분야의 통상의 기술자라면 이해할 것이다.
또한, 제5 예시적인 실시 형태에 따른 기억부(1706)가, 디바이스의 운용 연한과 운용 개시일과 정보 취득 일시 이력을 정보로서 유지할 수 있고, 제4 예시적인 실시 형태와 유사하게, 일시 기억 기간 설정부(1705)가 일시 기억 기간을 산출하고 설정할 수 있다.
본 발명은 복수의 기기를 포함하는 시스템, 또는 단일 장치에 적용된다. 본 발명은 예시적인 실시 형태들의 기능들을 구현하는 정보 처리 프로그램이, 시스템 또는 장치에 직접 또는 원격 사이트로부터 공급되는 경우에도 또한 적용 가능하다. 따라서, 본 발명은 본 발명의 기능들을 컴퓨터에 의해 구현하기 위해 컴퓨터에 인스톨되는 프로그램, 그 프로그램을 저장한 매체, 및 사용자로 하여금 그 프로그램을 다운로딩하게 하는 WWW(World Wide Web) 서버를 또한 포함한다. 특히, 본 발명은 적어도, 상술한 예시적인 실시 형태들에 포함되는 처리 단계들을 컴퓨터로 하여금 실행하게 하는 프로그램을 저장한 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체(non-transitory computer readable medium)를 포함한다.
[예시적인 실시 형태들의 다른 표현들]
상술한 예시적인 실시 형태들의 일부 또는 전부는, 이하의 부기에서와 같이 또한 기재될 수 있지만, 이하에 한정되는 것은 아니다.
(부기 1)
정보 처리 장치가 제공되고, 이 장치는 다음을 포함한다:
디바이스가 취득한 정보와, 디바이스의 전지 잔량을 나타내는 잔량 정보를 포함하는 디바이스 정보를 디바이스로부터 수신하는 수신 수단; 및
수신 수단이 디바이스 정보를 수신한 경우에, 디바이스 정보에 포함되는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단.
(부기 2)
정보 처리 장치가 제공되고, 이 장치는 다음을 포함한다:
취득 정보를 송신 신호로 변환하고 송신 신호를 송신하는 디바이스로부터, 송신 신호를 수신하는 수신 수단;
수신 수단이 수신한 송신 신호에 기초하여, 디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 산출하는 전지 잔량 산출 수단; 및
전지의 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단.
(부기 3)
부기 1 또는 2에 따른 정보 처리 장치가 제공되고, 기간 설정 수단은, 잔량 정보와 일시 기억 기간 사이의 관계를 나타내는 정보를 유지하고, 이 정보에 기초하여, 일시 기억 기간을 설정한다.
(부기 4)
부기 2에 따른 정보 처리 장치가 제공되고,
디바이스는 정보 처리 장치에 직접 접속되고,
정보 처리 장치의 전지 잔량 인식 수단은, 수신 수단이 수신한 송신 신호의 강도에 기초하여, 전지의 잔량을 인식한다.
(부기 5)
부기들 1 내지 4 중 어느 하나에 따른 정보 처리 장치가 제공되고, 기간 설정 수단은, 디바이스의 운용 연한과 운용 개시일과 정보 취득 일시 이력을 디바이스 정보로서 유지하고, 운용 개시일 이후의 경과된 일수와 전지의 잔량에 기초하여, 허용 가능한 정보 취득 횟수를 계산하면서 운용 연한의 종료까지의 나머지 일수를 계산하고, 정보 취득 횟수와 나머지 일수를 사용하여 일시 기억 기간을 산출하고 설정한다.
(부기 6)
부기들 1 내지 5 중 어느 하나에 따른 정보 처리 장치가 제공되고, 일시 기억 수단은, 취득 정보와 함께 취득 정보의 일시 기억 기간의 정보를 기억한다.
(부기 7)
부기들 1 내지 6 중 어느 하나에 따른 정보 처리 장치가 제공되고, 일시 기억 수단은, 일시 기억 기간이 경과된 취득 정보를 소거한다.
(부기 8)
정보 처리 장치에 대해 송신 신호를 송신하는 디바이스가 제공되고, 이 디바이스는:
소정의 정보를 취득 정보로서 취득하는 정보 취득 수단;
취득 정보를 포함하는 송신 정보를 송신 신호로 변환하고 송신 신호를 송신하는 송신 수단; 및
정보 취득 수단 및 송신 수단을 구동하기 위한 전지 잔량을 검출하는 검출 수단을 포함하고,
송신 수단은,
취득 정보를 포함하는 송신 정보를 송신 신호로서 디바이스로부터 수신하는 수신 수단,
취득 정보를 일시적으로 기억하는 일시 기억 수단,
수신 수단이 수신한 송신 정보 및 송신 신호 중 적어도 하나에 기초하여, 전지의 잔량을 인식하는 전지 잔량 인식 수단, 및
전지의 잔량에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단을 포함한다.
(부기 9)
정보 처리 방법이 제공되고, 이 방법은 다음을 포함한다:
디바이스가 취득한 정보와, 디바이스의 전지 잔량을 나타내는 잔량 정보를 포함하는 디바이스 정보를 디바이스로부터 수신하는 단계; 및
디바이스 정보를 수신한 경우에, 디바이스 정보에 포함되는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계.
(부기 10)
정보 처리 방법이 제공되고, 이 방법은 다음을 포함한다:
취득 정보를 송신 신호로 변환하고 송신 신호를 송신하는 디바이스로부터 송신 신호를 수신하는 단계;
송신 신호에 기초하여, 디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 산출하는 단계; 및
전지의 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계.
(부기 11)
컴퓨터로 하여금 방법을 실행하게 하는 정보 처리 프로그램이 제공되고, 이 방법은 다음을 포함한다:
디바이스가 취득한 정보와, 디바이스의 전지 잔량을 나타내는 잔량 정보를 포함하는 디바이스 정보를 디바이스로부터 수신하는 단계; 및
디바이스 정보를 수신한 경우에, 디바이스 정보에 포함되는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계.
(부기 12)
컴퓨터로 하여금 방법을 실행하게 하는 정보 처리 프로그램이 제공되고, 이 방법은 다음을 포함한다:
취득 정보를 송신 신호로 변환하고 송신 신호를 송신하는 디바이스로부터 송신 신호를 수신하는 단계;
송신 신호에 기초하여, 디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 산출하는 단계; 및
전지의 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계.
(부기 13)
전지에 의해 구동되는 디바이스와 정보 처리 장치를 포함하는 정보 처리 시스템이 제공되고,
디바이스는,
소정의 정보를 취득 정보로서 취득하는 정보 취득 수단; 및
취득 정보를 포함하는 송신 정보를 송신 신호로 변환하고 송신 신호를 정보 처리 장치에 송신하는 송신 수단을 포함하고,
정보 처리 장치는,
취득 정보를 포함하는 송신 정보를 송신 신호로서 디바이스로부터 수신하는 수신 수단,
취득 정보를 일시적으로 기억하는 일시 기억 수단,
수신 수단이 수신한 송신 정보 및 송신 신호 중 적어도 하나에 기초하여, 전지의 잔량을 인식하는 전지 잔량 인식 수단, 및
전지의 잔량에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단을 포함한다.

Claims (10)

  1. 정보 처리 장치로서,
    디바이스가 취득한 정보와, 상기 디바이스의 전지 잔량을 나타내는 잔량 정보를 포함하는 디바이스 정보를 상기 디바이스로부터 수신하는 수신 수단; 및
    상기 수신 수단이 상기 디바이스 정보를 수신한 경우에, 상기 디바이스 정보에 포함되는 상기 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 상기 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단
    을 포함하는, 정보 처리 장치.
  2. 정보 처리 장치로서,
    취득 정보를 송신 신호로 변환하고 상기 송신 신호를 송신하는 디바이스로부터, 상기 송신 신호를 수신하는 수신 수단;
    상기 수신 수단이 수신한 상기 송신 신호에 기초하여, 상기 디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 산출하는 전지 잔량 산출 수단; 및
    상기 전지의 상기 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 상기 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단
    을 포함하는, 정보 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기간 설정 수단은, 상기 잔량 정보와 상기 일시 기억 기간 사이의 관계를 나타내는 정보를 유지하고, 상기 정보에 기초하여, 상기 일시 기억 기간을 설정하는, 정보 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 디바이스는 상기 정보 처리 장치에 직접 접속되고,
    상기 정보 처리 장치의 전지 잔량 인식 수단은, 상기 수신 수단이 수신한 상기 송신 신호의 강도에 기초하여, 상기 전지의 상기 잔량을 인식하는, 정보 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기간 설정 수단은, 상기 디바이스의 운용 연한과 운용 개시일과 정보 취득 일시 이력을 디바이스 정보로서 유지하고, 상기 운용 개시일 이후의 경과된 일수와 상기 전지의 상기 잔량에 기초하여, 허용 가능한 정보 취득 횟수를 계산하면서 상기 운용 연한의 종료까지의 나머지 일수를 계산하고, 상기 정보 취득 횟수와 상기 나머지 일수를 사용하여 상기 일시 기억 기간을 산출하고 설정하는, 정보 처리 장치.
  6. 정보 처리 장치에 송신 신호를 송신하는 디바이스로서,
    소정의 정보를 취득 정보로서 취득하는 정보 취득 수단;
    상기 취득 정보를 포함하는 송신 정보를 송신 신호로 변환하고 상기 송신 신호를 송신하는 송신 수단; 및
    상기 정보 취득 수단 및 상기 송신 수단을 구동하기 위한 전지 잔량을 검출하는 검출 수단
    을 포함하고,
    상기 송신 수단은,
    상기 취득 정보를 포함하는 상기 송신 정보를 상기 송신 신호로서 상기 디바이스로부터 수신하는 수신 수단,
    상기 취득 정보를 일시적으로 기억하는 일시 기억 수단,
    상기 수신 수단이 수신한 상기 송신 정보 및 상기 송신 신호 중 적어도 하나에 기초하여, 상기 전지의 상기 잔량을 인식하는 전지 잔량 인식 수단, 및
    상기 전지의 상기 잔량에 기초하여, 상기 일시 기억 수단에 있어서의 상기 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 기간 설정 수단을 포함하는, 디바이스.
  7. 정보 처리 방법으로서,
    디바이스가 취득한 정보와, 상기 디바이스의 전지 잔량을 나타내는 잔량 정보를 포함하는 디바이스 정보를 상기 디바이스로부터 수신하는 단계; 및
    상기 디바이스 정보를 수신한 경우에, 상기 디바이스 정보에 포함되는 상기 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 상기 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계
    를 포함하는, 정보 처리 방법.
  8. 정보 처리 방법으로서,
    취득 정보를 송신 신호로 변환하고 상기 송신 신호를 송신하는 디바이스로부터 상기 송신 신호를 수신하는 단계;
    상기 송신 신호에 기초하여, 상기 디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 산출하는 단계; 및
    상기 전지의 상기 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 상기 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계
    를 포함하는, 정보 처리 방법.
  9. 컴퓨터로 하여금 방법을 실행하게 하는 정보 처리 프로그램으로서,
    상기 방법은,
    디바이스가 취득한 정보와, 상기 디바이스의 전지 잔량을 나타내는 잔량 정보를 포함하는 디바이스 정보를 상기 디바이스로부터 수신하는 단계; 및
    상기 디바이스 정보를 수신한 경우에, 상기 디바이스 정보에 포함되는 상기 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 상기 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계를 포함하는, 정보 처리 프로그램.
  10. 컴퓨터로 하여금 방법을 실행하게 하는 정보 처리 프로그램으로서,
    상기 방법은,
    취득 정보를 송신 신호로 변환하고 상기 송신 신호를 송신하는 디바이스로부터 상기 송신 신호를 수신하는 단계;
    상기 송신 신호에 기초하여, 상기 디바이스를 구동하는 전지의 잔량을 산출하는 단계; 및
    상기 전지의 상기 잔량을 나타내는 잔량 정보에 기초하여, 일시 기억 수단에 있어서의 상기 취득 정보의 일시 기억 기간을 설정하는 단계를 포함하는, 정보 처리 프로그램.
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