KR20180025522A - 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동방법 - Google Patents

유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동방법 Download PDF

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Abstract

본 실시예들은, 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터와, 게이트 노드로 인가되는 제1 스캔 신호에 의해 제어되며, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 게이트 노드로 인가되는 제2 스캔 신호에 의해 제어되며 구동 트랜지스터의 제2 노드와 기준 전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 게이트 노드로 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되며, 제2 트랜지스터의 게이트 노드와 제2 스캔 신호를 공급하는 제2 스캔 라인 사이에 전기적으로 연결되는 제3 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 서브픽셀 구조를 갖는 유기발광표시패널과, 이를 포함하는 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. 본 실시예들에 의하면, 유기발광다이오드의 애노드 전극과 캐소드 전극 간의 단락을 정확하게 검출할 수 있다.

Description

유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY PANEL, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND THE METHOD FOR DRIVING THE SAME}
본 실시예들은 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다.
이러한 유기발광표시장치는 유기발광다이오드가 포함된 서브픽셀을 매트릭스 형태로 배열하고 스캔 신호에 의해 선택된 서브픽셀들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다.
한편, 유기발광다이오드는 애노드 전극과 캐소드 전극으로 이루어져 있는데, 공정상의 이물 또는 출하 후에 발생한 수분, 충격 등에 의해 애노드 전극과 캐소드 전극이 단락되는 현상이 발생할 수 있다.
이러한 유기발광다이오드 단락 현상은 화상 품질을 크게 떨어뜨리거나, 심한 경우 패널 번트 현상도 발생시킬 수 있다.
하지만, 유기발광표시패널은, 서브픽셀 구조적 특징으로 인해, 유기발광다이오드 단락을 정확하게 검출할 수 없는 문제점이 있다.
본 실시예들의 목적은, 유기발광다이오드의 애노드 전극과 캐소드 전극 간의 단락을 검출할 수 있는 서브픽셀 구조를 갖는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다.
본 실시예들의 다른 목적은, 2개 이상의 서브픽셀이 1개의 센싱 라인을 공유하는 구조에서도, 각 서브픽셀 단위 별로 유기발광다이오드 단락 여부를 정확하게 구별하여 검출할 수 있는 서브픽셀 구조를 갖는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다.
일 측면에서, 본 실시예들은, 다수의 데이터 라인들과 다수의 스캔 라인들이 배치되고, 다수의 데이터 라인들과 다수의 스캔 라인들에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀들이 배열된 유기발광표시패널과, 다수의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버와, 다수의 스캔 라인들을 구동하는 스캔 드라이버를 제공할 수 있다.
이러한 유기발광표시장치에서, 각 서브픽셀은, 제1 전극, 유기발광층 및 제2 전극으로 이루어진 유기발광다이오드와, 게이트 노드에 해당하는 제1 노드와, 유기발광다이오드의 제1 전극과 전기적으로 연결된 제2 노드와, 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터와, 게이트 노드로 인가되는 제1 스캔 신호에 의해 제어되며, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 게이트 노드로 인가되는 제2 스캔 신호에 의해 제어되며, 구동 트랜지스터의 제2 노드와 기준 전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 게이트 노드로 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되며, 제2 트랜지스터의 게이트 노드와 제2 스캔 신호를 공급하는 제2 스캔 라인 사이에 전기적으로 연결되는 제3 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함할 수 있다.
다른 측면에서, 본 실시예들은, 다수의 데이터 라인들과, 다수의 스캔 라인들과, 다수의 데이터 라인들과 다수의 스캔 라인들에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀들을 포함하는 유기발광표시패널을 제공할 수 있다.
이러한 유기발광표시패널에서, 각 서브픽셀은, 제1 전극, 유기발광층 및 제2 전극으로 이루어진 유기발광다이오드와, 게이트 노드에 해당하는 제1 노드와, 유기발광다이오드의 제1 전극과 전기적으로 연결된 제2 노드와, 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터와, 게이트 노드로 인가되는 제1 스캔 신호에 의해 제어되며, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 게이트 노드로 인가되는 제2 스캔 신호에 의해 제어되며, 구동 트랜지스터의 제2 노드와 기준 전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 게이트 노드로 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되며, 제2 트랜지스터의 게이트 노드와 제2 스캔 신호를 공급하는 제2 스캔 라인 사이에 전기적으로 연결되는 제3 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함할 수 있다.
또 다른 측면에서, 본 실시예들은, 다수의 데이터 라인들과 다수의 스캔 라인들이 배치되고, 다수의 데이터 라인들과 다수의 스캔 라인들에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀들이 배열되고, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터 및 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터가 배치된 유기발광표시패널을 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법을 제공할 수 있다.
이러한 구동방법은, 유기발광다이오드의 제1 전극과 기준 전압 라인 사이에 연결된 제2 트랜지스터가 오프 상태에서, 기준전압 라인을 검출용 기준 전압으로 초기화하는 단계와, 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 단계와, 제2 트랜지스터가 턴-온 된 이후, 일정 시간이 경과하면, 센싱부와 기준 전압 라인을 연결해주는 단계와, 센싱부가 기준 전압 라인의 전압을 센싱하는 단계를 포함할 수 있다.
제2 트랜지스터는, 제1 트랜지스터의 드레인 노드 또는 소스 노드와 전기적으로 연결된 데이터 라인 상의 데이터 전압에 의해 턴-온 되거나 턴-오프 될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 유기발광다이오드의 애노드 전극과 캐소드 전극 간의 단락을 검출할 수 있는 서브픽셀 구조를 갖는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.
또한, 본 실시예들에 의하면, 2개 이상의 서브픽셀이 1개의 센싱 라인을 공유하는 구조에서도, 각 서브픽셀 단위 별로 유기발광다이오드 단락 여부를 정확하게 구별하여 검출할 수 있는 서브픽셀 구조를 갖는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시도이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 다른 예시도이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로의 예시도이다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에서 센싱 공유 구조를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광다이오드 단락 검출 회로를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광다이오드 단락 검출을 위한 타이밍도이다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 공유 구조에 따른 유기발광다이오드 단락 검출 회로를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 각 서브픽셀 단위로 유기발광다이오드 단락을 검출할 수 있는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동방법에 대한 흐름도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 스캔 라인(GL)이 배치되고, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 스캔 라인(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 배열된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 스캔 라인(GL)을 구동하는 스캔 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 스캔 드라이버(130)를 제어하는 패널 컨트롤러(140) 등을 포함한다.
패널 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 스캔 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 스캔 드라이버(130)를 제어할 수 있다.
이러한 패널 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다.
이러한 패널 컨트롤러(140)는, 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다.
이러한 패널 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터 드라이버(120)와 함께 집적회로로 구현될 수 있다.
데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다.
이러한 데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인(DL)을 구동할 수 있다.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다.
스캔 드라이버(130)는, 다수의 스캔 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 스캔 라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 스캔 드라이버(130)는 '게이트 드라이버'라고도 한다.
이러한 스캔 드라이버(130)는, 적어도 하나의 스캔 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.
각 스캔 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다.
스캔 드라이버(130)는, 패널 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 스캔 라인(GL)으로 순차적으로 공급한다.
데이터 드라이버(120)는, 스캔 드라이버(130)에 의해 특정 스캔 라인이 열리면, 패널 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급한다.
데이터 드라이버(120)는, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다.
스캔 드라이버(130)는, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다.
전술한 패널 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: DATA Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다.
패널 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 스캔 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 스캔 드라이버(130)로 출력한다.
예를 들어, 패널 컨트롤러(140)는, 스캔 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다.
여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 스캔 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 스캔 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 스캔 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 스캔 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다.
또한, 패널 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: DATA Control Signal)를 출력한다.
여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다.
한편, 데이터 드라이버(120)에 포함된 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다.
또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 유기발광표시패널(110)에 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.
스캔 드라이버(130)에 포함된 각 스캔 드라이버 집적회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다.
또한, 각 스캔 드라이버 집적회로(GDIC)는 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 대한 회로적인 연결을 위해 필요한 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB: Source Printed Circuit Board)과 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB: Control Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)에는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 직접 실장 되거나, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 필름이 연결될 수 있다.
컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 데이터 드라이버(120) 및 스캔 드라이버(130) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(140)와, 유기발광표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 스캔 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러 등이 실장 될 수 있다.
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다.
여기서, 연결 부재는 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다.
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다.
또한, 컨트롤러(140)는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 통합되어 구현될 수도 있다.
본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(SP)은, 기본적으로, 자체 발광 소자인 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.
아래에서는, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(SP)의 구조를 도 2 및 도 3을 참조하여 예시적으로 설명한다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 예시도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀(SP)은, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제1 노드(N1)로 데이터 전압을 전달해주기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cst: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(E1, 예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기발광층(EL) 및 제2전극(E2, 예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)의 제2전극(E2)에는 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다.
구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3노드(N3)를 갖는다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드에 해당하는 노드로서, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극(E1)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동 전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되고, 스캔 라인을 통해 제1 스캔 신호(SCAN1)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다.
이러한 제1 트랜지스터(T1)는 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(VDATA)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 다른 예시도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀(SP)은, 일 예로, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 스토리지 캐패시터(Cst) 이외에, 제2 트랜지스터(T2)를 더 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압(VREF: Reference Voltage)을 공급하는 기준 전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드로 제2 스캔 신호(SCAN2)를 인가 받아 제어될 수 있다.
전술한 제2 트랜지스터(T2)를 더 포함함으로써, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상태를 효과적으로 제어해줄 수 있다.
이러한 제2 트랜지스터(T2)는 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 턴-온 되어 기준 전압 라인(RVL)을 통해 공급되는 기준 전압(VREF)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 인가해준다.
또한, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다.
한편, 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)는, 서로 다른 스캔 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다.
경우에 따라서는, 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)는 동일한 스캔 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각은, n 타입 또는 p 타입으로도 구현될 수도 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다.
한편, 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT) 등의 트랜지스터와, 유기발광다이오드(OLED) 등의 회로 소자는 구동시간이 길어짐에 따라 열화(Degradation)가 진행될 수 있다.
열화 진행 시, 각 서브픽셀 내 회로 소자는 고유한 특성치가 변할 수 잇다.
회로 소자의 특성치는, 구동 트랜지스터(DRT) 등의 트랜지스터에 대한 특성치(예: 문턱전압, 이동도)를 포함할 수 있다. 회로 소자의 특성치는, 유기발광다이오드(OLED)에 대한 특성치(예: 문턱전압)를 포함할 수도 있다. 아래에서는, 회로 소자의 특성치를 서브픽셀에의 특성치라고도 기재한다.
또한, 각 서브픽셀 마다 구동 시간이 다르거나 각 서브픽셀 내 회로 소자의 특성이 다르기 때문에, 각 회로 소자마다 시간에 따른 특성치 변화의 정도도 서로 다를 수 있다.
이와 같이, 유기발광표시패널(110)에서의 트랜지스터 및/또는 유기발광다이오드(OLED)의 특성치 편차는, 유기발광표시패널(110)의 휘도 편차를 발생시켜 화상 품질을 크게 저하시킬 수 있다.
따라서, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 트랜지스터, 유기발광다이오드(OLED) 등의 회로 소자에 대한 특성치 편차를 센싱하여 이를 보상해주기 위한 보상 기능과 이를 위한 보상 회로를 가질 수 있다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로의 예시도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀에 대한 특성치를 파악하기 위하여 전압 센싱을 통해 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 센싱부(410)와, 센싱 데이터를 저장하는 메모리(420)와, 센싱 데이터를 이용하여 서브픽셀에 대한 특성치를 파악하고, 이를 토대로, 서브픽셀에 대한 특성치를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부(430) 등을 포함할 수 있다.
일 예로, 센싱부(410)는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다.
각 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)는 데이터 드라이버(120)에 포함된 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다.
보상부(430)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수도 있다.
센싱부(410)에서 출력되는 센싱 데이터는, 일 예로, LVDS (Low Voltage Differential Signaling) 데이터 포맷으로 되어 있을 수 있다.
도 4를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 기준 전압 라인(RVL)에 기준 전압(VREF)이 인가되는 여부를 제어해주는 초기화 스위치(SPRE)와, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(410) 간의 연결 여부를 제어해주는 샘플링 스위치(SAM)를 포함할 수 있다.
초기화 스위치(SPRE)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되도록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 인가 상태를 제어하기 위한 스위치이다.
초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 기준 전압(VREF)이 기준전압 라인(RVL)으로 공급되어 턴-온 되어 있는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 인가될 수 있다.
샘플링 스위치(SAM)는, 턴-온 되어, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(410)를 전기적으로 연결해준다.
샘플링 스위치(SAM)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되었을 때, 턴-온 되도록, 온-오프 타이밍이 제어된다.
샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 센싱부(410)는 연결된 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 수 있다.
센싱부(410)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 저항 성분을 무시할 수 있다면, 센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압에 해당할 수 있다.
센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압일 수 있다.
기준 전압 라인(RVL) 상에 라인 캐패시터가 존재한다면, 센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 기준 전압 라인(RVL) 상의 라인 캐패시터에 충전된 전압일 수도 있다.
일 예로, 센싱부(410)에 의해 센싱되는 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 편차(ΔVth)을 포함하는 전압 값(VDATA-Vth 또는 VDATA-ΔVth, 여기서, VDATA는 센싱 구동용 데이터 전압임)이거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다.
각 서브픽셀(SP)로 기준 전압(VREF)을 공급하는 역할과, 각 서브픽셀(SP)의 특성치 센싱을 위한 센싱 라인 역할을 하는 기준 전압 라인(RVL)은, 일 예로, 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다.
이와는 다르게, 기준 전압 라인(RVL)은, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다.
예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색(Red) 서브픽셀, 흰색(White) 서브픽셀, 녹색(Green) 서브픽셀, 청색(Blue) 서브픽셀)로 구성된 경우, 기준전압 라인(RVL)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 흰색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서 센싱 공유 구조를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 4개의 서브픽셀(SP_R, SP_W, SP_G, SP_B)은, 연결 패턴(CP)을 통해 1개의 기준 전압 라인(RVL)과 공통으로 연결된다.
즉, 4개의 서브픽셀(SP_R, SP_W, SP_G, SP_B)은, 1개의 기준 전압 라인(RVL)과 공유한다.
만약, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 4개의 서브픽셀(SP_R, SP_W, SP_G, SP_B)은 기준 전압(VREF)을 동시에 공급받는다.
만약, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 4개의 서브픽셀(SP_R, SP_W, SP_G, SP_B) 모두는 센싱부(410)와 전기적으로 연결될 수 있다.
따라서, 어느 한 시점에서는, 4개의 서브픽셀(SP_R, SP_W, SP_G, SP_B) 중 어느 하나의 서브픽셀에 대해서만 센싱 구동을 진행해야만 한다.
그렇지 않으면, 기준 전압 라인(RVL)의 전압이 2개 이상의 서브픽셀에 대한 특성치가 혼합된 형태를 보이기 때문에, 각 서브픽셀의 특성치를 정확하게 센싱할 수 없다.
한편, 각 서브픽셀의 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2)은, 공정상의 이물 또는 출하 후에 발생한 수분, 충격 등에 의해 단락이 되는 현상이 발생할 수 있다.
이러한 현상을 유기발광다이오드 단락이라고 한다.
유기발광다이오드 단락이 발생하는 경우, 해당 서브픽셀은 정상으로 발광하지 못하여 화상 품질이 크게 저하될 수 있다.
따라서, 유기발광다이오드 단락을 검출할 수 있는 방법이 필요하다.
이에, 본 실시예들은, 제2 트랜지스터(T2)를 턴-온 시켜, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)과 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)의 전압을 기준 전압 라인(RVL)을 통해 측정하여 유기발광다이오드 단락 여부를 검출할 수 있다.
하지만, 이러한 방법으로 유기발광다이오드 단락을 검출하게 되면, 도 5와 같은 센싱 공유 구조로 인해, 유기발광다이오드(OLED)의 단락이 발생하지 않은 서브픽셀에 대해서도 유기발광다이오드(OLED)가 단락이 된 것으로 검출될 수 있다.
따라서, 아래에서는, 서브픽셀 단위 별로 유기발광다이오드 단락 여부를 검출할 수 있는 방법과 그 회로를 설명한다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광다이오드 단락 검출 회로를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광다이오드 단락 검출 회로는, 유기발광다이오드 단락 검출을 가능하게 하는 서브픽셀 구조를 갖는 서브픽셀(SP)과, 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱하는 센싱부(410)와, 센싱부(410)의 센싱 결과를 이용하여 유기발광다이오드 단락 여부를 판단하는 검출부(420) 등을 포함하여 구성된다.
도 6을 참조하면, 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드 단락 검출을 가능하게 하는 서브픽셀 구조를 갖는다.
각 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3) 및 스토리지 캐패시터(Cst) 등을 포함하여 구성된다.
즉, 각 서브픽셀(SP)은, 4개의 트랜지스터(DRT, T1, T2, T3) 및 1개의 캐피시터(Cst)를 포함하는 4T1C 구조를 갖는다.
유기발광다이오드(OLED)는, 제1 전극(E1), 유기발광층(EL) 및 제2 전극(E2)으로 이루어진다.
구동 트랜지스터(DRT)는, 게이트 노드에 해당하는 제1 노드(N1)와, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)과 전기적으로 연결된 제2 노드(N2)와, 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제3 노드(N3)를 갖는다.
제1 노드(N1)는 게이트 노드이고, 제2 노드(N2)는 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있으며, 제3 노드(N3)는 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한 제1 트랜지스터(T1)는, 제1 스캔 라인(GL1)을 통해 게이트 노드로 인가되는 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 온-오프가 제어된다.
제2 트랜지스터(T2)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한 제2 트랜지스터(T2)는, 게이트 노드로 인가되는 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 제어된다.
제3 트랜지스터(T3)는, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 제2 스캔 신호(SCAN2)가 인가되는 것을 제어할 수 있는 트랜지스터로서, 제2 트랜지스터(T2)의 온-오프를 제어하는 트랜지스터이다.
이러한 제3 트랜지스터(T3)는, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드와 제2 스캔 신호(SCAN2)를 공급하는 제2 스캔 라인(GL2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한 제3 트랜지스터(T3)는, 게이트 노드로 인가되는 데이터 전압(VDATA)에 의해 온-오프가 제어된다.
만약, 제3 트랜지스터(T3)가 데이터 전압(VDATA)에 의해 턴-온 되면, 제2 스캔 신호(SCAN2)가 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가된다.
이때, 제2 스캔 신호(SCAN2)가 턴-온 레벨 전압(예: HIGH)인 경우, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온 될 수 있다.
스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6을 참조하면, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 노드는 동일한 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 노드 또는 소스 노드가 전기적으로 연결된 데이터 라인(DL)과 연결될 수 있다.
전술한 서브픽셀 구조에 따르면, 1개의 행에서 각 서브픽셀 별로 차별화되어 공급될 수 있는 데이터 전압(VDATA)을 이용하여, 유기발광다이오드(OELD)의 제1 전극(E1)과 기준 전압 라인(RVL)을 전기적으로 연결해주는 제2 트랜지스터(T2)의 온-오프를 제어함으로써, 각 서브픽셀 단위 별로 유기발광다이오드 단락 여부를 정확하게 검출할 수 있도록 하는 서브픽셀 구동이 가능해질 수 있다.
도 6을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광다이오드 단락 검출 회로는, 4T1C 구조를 갖는 서브픽셀 이외에도, 센싱부(410)와 검출부(600)를 더 포함할 수 있다.
센싱부(410)는, 샘플링 스위치(SAM)를 통해 기준 전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결되면, 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱하여 센싱 전압(VSEN)에 대응되는 센싱값을 출력할 수 있다.
센싱부(410)가 아날로그 디지털 컨버터로 구현되는 경우, 기준 전압 라인(RVL)에 대한 센싱 전압(VSEN)을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하여 출력할 수 있다.
검출부(600)는 센싱부(410)에 출력되는 센싱값 또는 센싱부(410)에서 출력되어 메모리(420)에 저장된 센싱값을 토대로, 유기발광다이오드(OLED)의 단락 여부를 검출하는 검출부(600)를 포함하는 유기발광표시장치(100).
전술한 바에 따르면, 각 서브픽셀 단위 별로 유기발광다이오드 단락 여부를 정확하게 검출할 수 있는 센싱 처리 및 검출 처리를 수행할 수 있다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광다이오드 단락 검출을 위한 타이밍도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광다이오드 단락 검출 방법은, 초기화 구간(S710)과 검출 구동 구간(S720)으로 진행될 수 있다.
초기화 구간(S710)은, 유기발광다이오드 단락 검출을 위한 실질적인 구동에 앞서서, 서브픽셀 상태를 초기화 시켜주는 구간이다.
검출 구동 구간(S720)은, 유기발광다이오드 단락 검출을 위한 실질적인 구동이 진행되는 구간이다.
도 7을 참조하면, 다수의 서브픽셀들(SP) 중 유기발광다이오드 단락 여부를 확인하고자 하는 제1 서브픽셀의 유기발광다이오드(OLED)의 단락 여부를 검출하는 구간(S710 ~ S720에서, 초기화 구간(S710) 동안, 제1 서브픽셀(SP)의 제1 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(DRT)를 턴-오프 시킨다.
즉, 초기화 구간(S710) 동안, 제1 스캔 신호(SCAN1)는 턴-오프 레벨 전압(LOW)일 수 있다.
또한, 초기화 구간(S710) 동안, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되지 않도록 제어한다.
이를 위해, 제3 트랜지스터(T3)의 온-오프와 관계 없이(즉, 데이터 전압(VDATA)의 레벨에 관계 없이), 제2 스캔 신호(SCAN2)가 턴-오프 레벨 전압(LOW)이 되도록 해주어 제2 트랜지스터(T2)를 턴-오프 시켜줄 수 있다.
다른 방안으로서, 데이터 전압(VDATA)이 턴-오프 레벨 전압(LOW)이 되도록 해주어, 제3 트랜지스터(T3)를 턴-오프 시킴으로써, 제2 트랜지스터(T2)를 턴-오프 시켜줄 수도 있다.
초기화 구간(S710) 동안, 기준 전압 라인(RVL)은 검출용 기준 전압(VREF)으로 초기화될 수 있다.
여기서, 검출용 기준 전압(VREF)은 B[V]의 전압 값으로 설정될 수 있다.
초기화 구간(S710) 동안, 제1 서브픽셀(SP)의 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극(E2)은 검출용 기저 전압(EVSS)으로 초기화된다.
여기서, 검출용 기저 전압(EVSS)은 A[V]의 전압 값으로 설정될 수 있다.
전술한 바와 같이, 초기화 구간(S710)에서, 기준 전압 라인(RVL)이 검출용 기준 전압(VREF)으로 초기화되고, 제1 서브픽셀의 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극(E2)이 검출용 기저 전압으로 초기화된 상태에서, 제2 트랜지스터(T2)를 턴-오프 시키기 위하여, 제1 서브픽셀의 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 노드에 인가되는 데이터 전압(VDATA)이 턴-오프 레벨 전압(LOW)이거나, 제2 스캔 신호(SCAN2)가 턴-오프 레벨 전압(LOW)이 되도록 해줌으로써, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)의 전압 상태가 기준 전압 라인(RVL)에 전파되는 것을 방지해줄 수 있다.
즉, 유기발광다이오드(OLED)의 단락이 있다고 하더라도, 유기발광다이오드 단락의 영향을 받지 않고, 기준 전압 라인(RVL)이 검출용 기준 전압(VREF)으로 정확하게 초기화될 수 있도록 해준다. 이를 통해, 유기발광다이오드 단락 검출이 보다 정확하게 진행될 수 있다.
한편, 초기화 구간(S710)에서, 구동 전압(EVDD)은 표시 구동 시 사용하는 높은 전압(HIGH, 대략 26V)으로 사용될 수도 있고, 구동 트랜지스터(DRT)가 동작하지 않도록 하는 낮은 전압(LOW)으로 설정될 수도 있다.
도 7을 참조하면, 다수의 서브픽셀들(SP) 중 유기발광다이오드 단락 여부를 확인하고자 하는 제1 서브픽셀의 유기발광다이오드(OLED)의 단락 여부를 검출하는 구간(S710 ~ S720)에서, 초기화 구간(S710)이 진행되다가, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되면서, 검출 구동 구간(S720)이 시작된다.
샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되기 전에 진행되는 검출 구동 구간(S720) 동안, 제1 서브픽셀(SP)의 제1 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(DRT)는 오프 상태이고, 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)은 턴-온 된 상태이다.
즉, 제1 서브픽셀(SP)의 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔 신호(SCAN1)는 턴-오프 레벨 전압(LOW)이다.
이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)은 오프 상태이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에는 데이터 전압(VDATA)이 인가되지 않아 구동 트랜지스터(DRT)도 오프 상태이다.
제1 서브픽셀(SP)의 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 노드에 인가되는 데이터 전압(VDATA)은 턴-온 레벨 전압(HIGH)이다.
제1 서브픽셀(SP)의 제3 트랜지스터(T3)의 턴-온에 따라, 턴-온 레벨 전압(HIGH)의 제2 스캔 신호(SCAN2)가 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가될 수 있다.
전술한 바와 같이, 검출 구동이 일정 시간 동안 진행 된 이후, 샘플링 스위치(SAM)를 턴-온 시켜, 센싱부(410)와 기준 전압 라인(RVL)을 연결시켜 준다.
이에 따라, 센싱부(410)는, 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱한다.
전술한 바에 따르면, 센싱부(410)는, 제1 서브픽셀(SP)의 제1 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(DRT)는 오프 상태인 상태에서, 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)가 온 상태에서, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)과 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 기준 전압 라인(RVL)을 통해 센싱할 수 있다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(DRT)의 영향성을 배제하고, 유기발광다이오드 단락 여부를 정확하게 검출할 수 있다.
검출 구동 구간(S720)에서, 구동 전압(EVDD)은 표시 구동 시 사용하는 높은 전압(HIGH)으로 사용될 수도 있고, 구동 트랜지스터(DRT)가 동작하지 않도록 하는 낮은 전압으로 설정될 수도 있다.
도 7을 참조하면, 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극(E2)에 인가되는 검출용 기저 전압(EVSS)의 전압 값(A[V])은, 초기화 구간(S170)에서 기준 전압 라인(RVL)에 인가되는 검출용 기준 전압(VREF)의 전압 값(B[V])과는 다를 수 있다.
일 예로, 검출용 기저 전압(EVSS)의 전압 값(A[V], 예: 6.5[V])은, 검출용 기준 전압(VREF)의 전압 값(B[V], 0[V])보다 높을 수 있다. 도 7은 이 경우에 해당한다.
다른 예로, 검출용 기저 전압(EVSS)의 전압 값(A[V])은, 검출용 기준 전압(VREF)의 전압 값(B[V])보다 낮을 수 있다.
또한, 검출용 기저 전압(EVSS)의 전압 값(A[V], 예: 6.5[V])은, 영상 디스플레이 구간에서의 기저 전압의 전압 값(예: 0 [V])보다 높을 수 있다.
전술한 바와 같이, 검출용 기저 전압(EVSS)을 초기화 구간(S710)에서의 검출용 기준 전압(VREF)과 다른 전압 값으로 설정함으로써, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되면, 유기발광다이오드(OLED)의 단락에 따라 기준 전압 라인(RVL)의 전압 변화가 일어날 수 있다. 이러한 전압 변화로부터 유기발광다이오드 단락 여부를 쉽고 정확하게 판별할 수 있다.
도 7을 참조하면, 검출부(600)는, 센싱부(410)에서 얻어진 센싱값을 토대로, 센싱 전압(VSEN)과 검출용 기준 전압(VREF)을 비교하여 제1 서브픽셀(SP)의 유기발광다이오드(OLED)의 단락 여부를 검출할 수 있다.
이에 따르면, 센싱 구동을 통해 얻어진 센싱 전압(VSEN)과 이미 알고 있는 검출용 기준 전압(VREF)을 단순히 비교하여 유기발광다이오드 단락 여부를 쉽고 빠르게 그리고 정확하게 알아낼 수 있다.
도 7을 참조하여 비교 과정을 통한 검출 방법을 더 구체적으로 설명한다.
만약, 검출용 기저 전압(EVSS)의 전압 값(A[V], 예: 6.5[V])이 검출용 기준 전압(VREF)의 전압 값(B[V], 0[V])보다 높게 설정한 경우, 유기발광다이오드(OLED)의 단락이 없다고 가정할 때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)과 기준 전압 라인(RVL)이 전기적으로 연결된다고 하더라도, 기준 전압 라인(RVL)은 초기화 구간(S710)에서 인가된 검출용 기준 전압(VREF)을 유지하고 있거나 전압 변화가 크지 않을 것이다.
따라서, 검출부(600)는, 전압 비교 결과, 센싱 전압(VSEN)이 검출용 기준 전압(VREF)과 동일한 전압이거나 검출용 기준 전압(VREF)을 기준으로 임계 변화량 이하로 변한 전압인 경우, 제1 서브픽셀(SP)의 유기발광다이오드(OLED)의 단락이 미 발생한 것으로 판단할 수 있다.
만약, 검출용 기저 전압(EVSS)의 전압 값(A[V], 예: 6.5[V])이 검출용 기준 전압(VREF)의 전압 값(B[V], 0[V])보다 높게 설정한 경우, 유기발광다이오드(OLED)의 단락이 있다고 가정할 때, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)은 제2 전극(E2)의 검출용 기저 전압(EVSS)과 대응되도록 변한다.
이에 따라, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)과 기준 전압 라인(RVL)이 전기적으로 연결되면, 기준 전압 라인(RVL)은 초기화 구간(S710)에서 인가된 검출용 기준 전압(VREF)을 유지하지 못하고, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)의 전압 상태와 대응되도록 변화하게 된다.
따라서, 검출부(600)는, 센싱 전압(VSEN)이 검출용 기준 전압(VREF)보다 높은 전압이거나 검출용 기준 전압(VREF)을 기준으로 임계 변화량을 초과하여 변한 전압인 경우, 제1 서브픽셀(SP)의 유기발광다이오드(OLED)의 단락이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
이에 따르면, 센싱 구동을 통해 얻어진 센싱 전압(VSEN)과 이미 알고 있는 검출용 기준 전압(VREF)을 단순히 비교하여, 비교 결과, 센싱 전압(VSEN)과 검출용 기준 전압(VREF)의 차이(전압 변화량)가 일정 수준(임계 변화량)을 초과하는 경우, 유기발광다이오드(OLED)의 단락이 있는 것으로 정확하게 판단할 수 있다.
전술한 검출부(600)는, 유기발광다이오드 단락이 검출된 서브픽셀(SP)에 대한 정보(예: 서브픽셀 식별 정보, 서브픽셀 위치 정보)를 메모리에 저장하거나 화면 등을 통해 출력할 수 있다.
이를 통해, 서브픽셀에 대한 리페어(Repair) 처리 위치를 쉽게 파악할 수 있다. 여기서, 리페어 처리는, 일 예로, 단락이 된 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)를 전기적으로 끊어주는 레이저 커팅 처리일 수 있다. 또는, 유기발광다이오드(OLED)의 제2 전극(E2)으로 기저 전압(EVSS)이 인가되지 않도록 해주는 처리일 수도 있다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 공유 구조에 따른 유기발광다이오드 단락 검출 회로를 나타낸 도면이고, 도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀(SP) 단위로 유기발광다이오드 단락을 검출할 수 있는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 2개의 서브픽셀(SP_R, SP_B)이 1개의 기준 전압 라인(RVL)을 공유하고 있다.
즉, 제1 서브픽셀(SP_R)의 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 노드 또는 소스 노드와 전기적으로 연결된 기준 전압 라인(RVL)은, 제1 서브픽셀(SP_R)과 인접한 제2 서브픽셀(SP_B)의 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 노드 또는 소스 노드와 공통으로 전기적으로 연결될 수 있다.
전술한 바와 같은 센싱 공유 구조에 따르면, 적은 개수의 기준 전압 라인(RVL)을 유기발광표시패널(1100에 배치해도 되기 때문에, 패널 개구율을 높여줄 수 있고, 기준 전압 라인(RVL)과 연결되는 스위치(SAM, SPRE) 및 센싱부(410)의 개수도 줄여줄 수 있다. 이에 따라, 스위치(SAM, SPRE) 및 센싱부(410)가 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 포함되는 경우, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 설계가 간단해지고 사이즈도 줄어들 수 있다.
이러한 센싱 공유 구조에서도, 본 실시예들에 따른 유기발광다이오드 단락 검출 회로는, 2개의 서브픽셀(SP_R, SP_B) 각각의 유기발광다이오드(OLED)의 단락 여부를 구별하여 검출할 수 있다.
이는, 제2 트랜지스터(T2)의 온-오프를 각 서브픽셀 별 데이터 전압(VDATA)을 통해 제어할 수 있기 때문이다.
즉, 유기발광다이오드 단락 여부를 확인하기 위한 서브픽셀이 제1 서브픽셀(SP_R)인 경우, 제1 서브픽셀(SP_R)로 턴-온 레벨 전압(HIGH)의 데이터 전압(VDATA_R)을 공급하여, 제3 트랜지스터(T3)을 턴-온 시키고, 이를 통해, 제2 트랜지스터(T2)를 턴-온 시켜, 제1 서브픽셀(SP_R)의 유기발광다이오드(OLED)의 단락 여부에 따라 기준 전압 라인(RVL)의 전압 상태가 변할 수 있게 해줄 수 있다.
이때, 제2 서브픽셀(SP_B)로는 턴-오프 레벨 전압(LOW)의 데이터 전압(VDATA_B)을 공급하여, 제3 트랜지스터(T3)을 턴-오프 시키고, 이를 통해, 제2 트랜지스터(T2)를 턴-오프 시켜, 제2 서브픽셀(SP_B)의 유기발광다이오드(OLED)의 단락 여부에 따라 기준 전압 라인(RVL)의 전압 상태가 영향을 받지 않게 해준다.
다시 말해, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 서브픽셀(SP_R)의 유기발광다이오드(OLED)의 단락 여부를 검출하기 위한 검출 구동 구간(S720) 동안, 제1 서브픽셀(SP)의 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 노드에 인가되는 데이터 전압(VDATA_R)은 턴-온 레벨 전압(HIGH)이고, 제1 서브픽셀(SP)의 제2 트랜지스터(T2)는 온 상태일 때, 제1 서브픽셀(SP_R)과 함께 기준 전압 라인(RVL)을 공유하는 다른 서브픽셀인 제2 서브픽셀(SP_B)의 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 노드에 인가되는 데이터 전압(VDATA_B)은 턴-오프 레벨 전압(LOW)이고, 제2 서브픽셀(SP)의 제2 트랜지스터(T2)는 오프 상태이다.
따라서, 제1 서브픽셀(SP_R)에 대한 유기발광다이오드 단락 검출을 하고자 하는 경우, 기준 전압 라인(RVL)을 공유하는 다른 서브픽셀(SP_B)의 영향 없이 정확한 검출을 할 수 있다.
이상에서 설명한 유기발광다이오드 단락 검출을 위한 유기발광표시장치(100)의 구동방법을 간략하게 다시 설명한다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법에 대한 흐름도이다.
도 10을 참조하면, 본 실시예들은, 다수의 데이터 라인들(DL)과 다수의 스캔 라인들(GL)이 배치되고, 다수의 데이터 라인들(DL)과 다수의 스캔 라인들(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀들(SP)이 배열되고, 각 서브픽셀(SP)에는 유기발광다이오드(OLED), 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT) 및 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)가 배치된 유기발광표시패널(110)을 포함하는 유기발광표시장치(100)의 구동방법을 제공할 수 있다.
이러한 구동방법은, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)과 기준 전압 라인(RVL) 사이에 연결된 제2 트랜지스터(T2)가 오프 상태에서, 기준 전압 라인(RVL)을 검출용 기준 전압(VREF)으로 초기화하는 단계(S1010)와, 제2 트랜지스터(T2)를 턴-온 시키는 단계(S1020)와, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 된 이후, 일정 시간이 경과하면, 센싱부(410)와 기준 전압 라인(RVL)을 연결해주는 단계(S1030)와, 센싱부(410)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱하는 단계(S1040) 등을 포함할 수 있다.
전술한 S1010는 초기화 구간(S710)에 포함되는 단계이다.
전술한 S1020, S1030, S1040 단계는 검출 구동 구간(S720)에 포함되는 단계들이다.
전술한 구동방법을 이용하면, 유기발광다이오드 단락 여부를 정확하게 검출할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드는 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 노드 또는 소스 노드와 전기적으로 연결된 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결될 수 있다.
이에 따라, 제2 트랜지스터(T2)는, 데이터 라인(DL) 상의 데이터 전압(VDATA)의 전압 레벨(턴-온 전압 레벨, 턴-오프 전압 레벨)에 따라 턴-온 되거나 턴-오프 될 수 있다.
이와 같이, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드가 데이터 라인(DL)과 연결됨으로써, 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(E1)과 기준 전압 라인(RVL)을 연결해주는 제2 트랜지스터(T2)의 온-오프를 각 서브픽셀 별로 공급되는 데이터 전압(VDATA)을 통해 제어할 수 있다. 이를 통해, 각 서브픽셀 단위 별로 유기발광다이오드 단락 여부를 정확하게 검출할 수 있다.
위에서 언급된 턴-온 레벨 전압은, 트랜지스터 타입에 따라 하이 레벨 전압(HIGH)일 수도 있고 로우 레벨 전압(LOW)일 수도 있다. 또한, 턴-오프 레벨 전압은 트랜지스터 타입에 따라 로우 레벨 전압(LOW)일 수도 있고, 하이 레벨 전압(HIGH)일 도 있다.
본 명세서 및 도면들에서는, 설명의 편의를 위하여, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압(HIGH)이고, 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압(LOW)인 경우로 가정하여 설명한다.
그리고, 각 트랜지스터의 턴-온 레벨 전압(HIGH)은 서로 다를 수 있다. 각 트랜지스터의 턴-오프 레벨 전압(LOW)은 서로 다를 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극 간의 단락을 검출할 수 있는 서브픽셀 구조를 갖는 유기발광표시패널(110), 유기발광표시장치(100) 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.
또한, 본 실시예들에 의하면, 2개 이상의 서브픽셀이 1개의 센싱 라인(즉, 기준 전압 라인(RVL))을 공유하는 구조에서도, 각 서브픽셀 단위 별로 유기발광다이오드 단락 여부를 정확하게 구별하여 검출할 수 있는 서브픽셀 구조를 갖는 유기발광표시패널(110), 유기발광표시장치(100) 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 드라이버
130: 스캔 드라이버
140: 컨트롤러
410: 센싱부
600: 검출부

Claims (14)

  1. 다수의 데이터 라인들과 다수의 스캔 라인들이 배치되고, 상기 다수의 데이터 라인들과 상기 다수의 스캔 라인들에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀들이 배열된 유기발광표시패널;
    상기 다수의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버; 및
    상기 다수의 스캔 라인들을 구동하는 스캔 드라이버를 포함하고,
    상기 각 서브픽셀은,
    제1 전극, 유기발광층 및 제2 전극으로 이루어진 유기발광다이오드와,
    게이트 노드에 해당하는 제1 노드와, 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 전기적으로 연결된 제2 노드와, 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터와,
    게이트 노드로 인가되는 제1 스캔 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와,
    게이트 노드로 인가되는 제2 스캔 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 기준 전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와,
    게이트 노드로 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되며, 상기 제2 트랜지스터의 게이트 노드와 상기 제2 스캔 신호를 공급하는 제2 스캔 라인 사이에 전기적으로 연결되는 제3 트랜지스터와,
    상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 유기발광표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터의 게이트 노드는,
    상기 제1 트랜지스터의 드레인 노드 또는 소스 노드가 전기적으로 연결된 상기 데이터 라인과 연결되는 유기발광표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    샘플링 스위치를 통해 상기 기준 전압 라인과 전기적으로 연결되면 상기 기준 전압 라인의 전압을 센싱하여 센싱 전압에 대응되는 센싱값을 출력하는 센싱부와,
    상기 센싱값을 토대로 상기 유기발광다이오드의 단락 여부를 검출하는 검출부를 포함하는 유기발광표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 다수의 서브픽셀들 중 제1 서브픽셀의 유기발광다이오드의 단락 여부를 검출하는 구간에서,
    상기 샘플링 스위치가 턴-온 되기 전에 진행되는 검출 구동 구간 동안,
    상기 제1 서브픽셀의 제1 트랜지스터의 게이트 노드에 인가되는 제1 스캔 신호는 턴-오프 레벨 전압이고,
    상기 제1 서브픽셀의 제3 트랜지스터의 게이트 노드에 인가되는 데이터 전압은 턴-온 레벨 전압이며,
    상기 제1 서브픽셀의 제3 트랜지스터의 턴-온에 따라, 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔 신호가 상기 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 인가되는 유기발광표시장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 검출 구동 구간 이전에 초기화 구간이 진행되고,
    상기 초기화 구간 동안,
    상기 기준 전압 라인은 검출용 기준 전압으로 초기화되고,
    상기 제1 서브픽셀의 유기발광다이오드의 제2 전극은 검출용 기저 전압으로 초기화되며,
    상기 제2 트랜지스터를 턴-오프 시키기 위하여,
    상기 제1 서브픽셀의 제3 트랜지스터의 게이트 노드에 인가되는 데이터 전압이 턴-오프 레벨 전압이거나, 상기 제2 스캔 신호가 턴-오프 레벨 전압인 유기발광표시장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 검출용 기저 전압은 상기 검출용 기준 전압과 다른 전압 값을 갖고,
    상기 검출용 기저 전압은 영상 디스플레이 구간에서의 기저 전압보다 높은 전압인 유기발광표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 검출부는,
    상기 센싱값을 토대로, 상기 센싱 전압과 상기 검출용 기준 전압을 비교하여 상기 제1 서브픽셀의 유기발광다이오드의 단락 여부를 검출하는 유기발광표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 센싱 전압이 상기 검출용 기준 전압과 동일한 전압이거나 상기 검출용 기준 전압을 기준으로 임계 변화량 이하로 변한 전압인 경우,
    상기 검출부는 상기 제1 서브픽셀의 유기발광다이오드의 단락이 미 발생한 것으로 판단하고,
    상기 센싱 전압이 상기 검출용 기준 전압보다 높은 전압이거나 상기 검출용 기준 전압을 기준으로 상기 임계 변화량을 초과하여 변한 전압인 경우,
    상기 검출부는 상기 제1 서브픽셀의 유기발광다이오드의 단락이 발생한 것으로 판단하는 유기발광표시장치.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 제1 서브픽셀의 제2 트랜지스터의 드레인 노드 또는 소스 노드와 전기적으로 연결된 상기 기준 전압 라인은,
    상기 제1 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 제2 트랜지스터의 드레인 노드 또는 소스 노드와 공통으로 전기적으로 연결되는 유기발광표시장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 서브픽셀의 유기발광다이오드의 단락 여부를 검출하기 위한 검출 구동 구간 동안,
    상기 제1 서브픽셀의 제3 트랜지스터의 게이트 노드에 인가되는 데이터 전압은 턴-온 레벨 전압이고, 상기 제1 서브픽셀의 제2 트랜지스터는 온 상태일 때,
    상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 기준 전압 라인을 공유하는 다른 서브픽셀인 상기 제2 서브픽셀의 제3 트랜지스터의 게이트 노드에 인가되는 데이터 전압은 턴-오프 레벨 전압이고, 상기 제2 서브픽셀의 제2 트랜지스터는 오프 상태인 유기발광표시장치.
  11. 다수의 데이터 라인들;
    다수의 스캔 라인들; 및
    상기 다수의 데이터 라인들과 상기 다수의 스캔 라인들에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀들을 포함하고,
    상기 각 서브픽셀은,
    제1 전극, 유기발광층 및 제2 전극으로 이루어진 유기발광다이오드와,
    게이트 노드에 해당하는 제1 노드와, 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 전기적으로 연결된 제2 노드와, 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터와,
    게이트 노드로 인가되는 제1 스캔 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와,
    게이트 노드로 인가되는 제2 스캔 신호에 의해 제어되며, 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 기준 전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와,
    게이트 노드로 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되며, 상기 제2 트랜지스터의 게이트 노드와 상기 제2 스캔 신호를 공급하는 제2 스캔 라인 사이에 전기적으로 연결되는 제3 트랜지스터와,
    상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 유기발광표시패널.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터의 게이트 노드는,
    상기 제1 트랜지스터의 드레인 노드 또는 소스 노드가 전기적으로 연결된 상기 데이터 라인과 연결되는 유기발광표시패널.
  13. 다수의 데이터 라인들과 다수의 스캔 라인들이 배치되고, 상기 다수의 데이터 라인들과 상기 다수의 스캔 라인들에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀들이 배열되고, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터가 배치된 유기발광표시패널을 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법에 있어서,
    상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 기준 전압 라인 사이에 연결된 제2 트랜지스터가 오프 상태에서, 상기 기준전압 라인을 검출용 기준 전압으로 초기화하는 단계;
    상기 제2 트랜지스터를 턴-온 시키는 단계;
    상기 제2 트랜지스터가 턴-온 된 이후, 일정 시간이 경과하면, 센싱부와 상기 기준 전압 라인을 연결해주는 단계; 및
    상기 센싱부가 상기 기준 전압 라인의 전압을 센싱하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터는,
    상기 제1 트랜지스터의 드레인 노드 또는 소스 노드와 전기적으로 연결된 데이터 라인 상의 데이터 전압에 의해 턴-온 되거나 턴-오프 되는 유기발광표시장치의 구동방법.
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