CN114743502A - 像素驱动电路及控制方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开一种像素驱动电路及控制方法。像素驱动电路包括：信号驱动模块，连接扫描信号线和数据信号线，用于根据所述扫描信号线和所述数据信号线驱动所述信号驱动模块的发光二极管发光；电压检测模块，与所述信号驱动模块电性连接，用于采集所述信号驱动模块的所述发光二极管的检测电压，并将所述检测电压与参考电压进行比较，以生成控制信号；短路处理模块，与所述信号驱动模块和所述电压检测模块电性连接，用于根据所述控制信号控制所述信号驱动模块的所述发光二极管关断或通路。本申请短路处理模块根据控制信号驱动模块的发光二极管关断或通路，避免由于短路造成的电流过大导致面板损坏。

Description

像素驱动电路及控制方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路及控制方法。
背景技术
近年来，LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示器、AMOLED显示器等显示技术的不断发展和进步带来日益丰富的显示产品。自发光显示器(AMOLED显示器和Mini-LED显示器)因响应速度快，视角特性好，色域表现优异等原因日渐成为下一代新型显示技术的不二人选。但是自发光显示器因制程可能出现OLED器件短路，影响显示效果，甚至对整个面板造成损坏。
目前，现有方案中可以通过采样对OLED进行检测，但无法对其进行处理，无法避免由于短路造成的panel损失。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、制作方法及显示装置，短路处理模块根据控制信号驱动模块的发光二极管关断或通路，避免由于短路造成的电流过大导致面板损坏。
第一方面，本申请实施例提供一种像素驱动电路，包括：
信号驱动模块，连接扫描信号线和数据信号线，用于根据所述扫描信号线和所述数据信号线驱动所述信号驱动模块的发光二极管发光；
电压检测模块，与所述信号驱动模块电性连接，用于采集所述信号驱动模块的所述发光二极管的检测电压，并将所述检测电压与参考电压进行比较，以生成控制信号；
短路处理模块，与所述信号驱动模块和所述电压检测模块电性连接，用于根据所述控制信号控制所述信号驱动模块的所述发光二极管关断或通路。
在一些实施例中，所述扫描信号线包括第一扫描信号线和第二扫描信号线，所述信号驱动模块包括：
第一开关晶体管，栅极电性连接所述第一扫描信号线，源漏极中一者电性连接所述数据信号线，源漏极中另一者电性连接第一节点；
驱动晶体管，栅极电性连接所述第一节点，源漏极中一者电性连接第二节点，源漏极中另一者电性连接电源信号端；
储存电容，一端电性连接所述第一节点，另一端电性连接所述第二节点；
发光二极管，阳极电性连接于所述第二节点，阴极电性连接于接地端；
第二开关晶体管，栅极电性连接所述第二扫描信号线，源漏极中一者电性连接所述第二节点，源漏极中另一者电性连接所述电压检测模块；
所述短路处理模块串联于所述电源信号端、所述驱动晶体管、所述发光二极管及所述接地端任意相邻两者之间。
在一些实施例中，所述电压检测模块包括：
控制器，与所述短路处理模块电性连接，用于检测所述信号驱动模块的所述发光二极管的检测电压，并将所述检测电压与所述参考电压进行比较，以生成所述控制信号；
参考开关，一端电性连接第三节点，另一端电性连接所述控制器和参考电压端，所述第二开关晶体管的源漏极中另一者电性连接所述第三节点；
采样开关，一端电性连接所述第三节点，另一端电性连接所述控制器。
在一些实施例中，所述控制器包括：
模数转换器，与所述采样开关电性连接，用于当所述采样开关闭合时采集所述第三节点的检测电压；
比较器，与所述参考电压端、所述模数转换器和所述短路处理模块电性连接，用于将所述检测电压与所述参考电压进行比较，以生成所述控制信号。
在一些实施例中，所述短路处理模块包括第三开关晶体管，所述第三开关晶体管的栅极电性连接所述控制器，源漏极中一者靠近所述接地端一侧，源漏极中另一者靠近所述电源信号端一侧，所述第三开关晶体管用于根据所述控制信号断开或连通。
在一些实施例中，所述第三开关晶体管的源漏极中一者电性连接所述驱动晶体管的源漏极中另一者，源漏极中另一者电性连接所述电源信号端；或，所述第三开关晶体管的源漏极中一者电性连接所述发光二极管，源漏极中另一者电性连接所述驱动晶体管的源漏极中一者；或，所述第三开关晶体管的源漏极中一者电性连接所述接地端，源漏极中另一者电性连接所述发光二极管。
在一些实施例中，所述像素驱动电路的驱动时序包括：
初始化阶段state1，在所述初始化阶段state1，所述参考开关闭合，输入所述参考电压至所述第三节点；
检测阶段state2，在所述检测阶段state2，所述参考开关断开，所述第二扫描信号线为高电位，所述第二开关晶体管导通，所述第三节点与所述第二节点连通；
采样阶段state3，在所述采样阶段state3，所述采样开关闭合，所述控制器采集所述第三节点的所述检测电压，所述检测电压用于与所述参考电压进行比较，以生成所述控制信号。
在一些实施例中，所述短路处理模块包括设于所述控制器与第三开关晶体管的栅极之间的非门。
第二方面，本申请提供一种像素驱动电路的控制方法，应用于上述任意一项所述的像素驱动电路，包括：
获取像素驱动电路中发光二极管的检测电压；
将所述检测电压与预设的参考电压进行比较，得到控制信号；
根据所述控制信号控制所述像素驱动电路中所述发光二极管通路或断路。
在一些实施例中，所述获取像素驱动电路中发光二极管的检测电压，包括：
控制参考开关闭合，输入所述参考电压至第三节点；
第一预设时长后控制参考开关断开，输入第二扫描信号线为高电位；
第二预设时长后控制采样开关闭合，采集所述第三节点的所述检测电压。
在一些实施例中，所述根据所述控制信号控制所述像素驱动电路中所述发光二极管通路或断路，包括：
当所述控制信号显示所述检测电压与预设的参考电压相同时，判定所述发光二极管工作正常，控制所述发光二极管通路；
当所述控制信号显示所述检测电压大于预设的参考电压时，判定所述发光二极管短路，控制所述发光二极管断路。
本申请实施例提供的像素驱动电路及控制方法，电压检测模块根据参考电压和信号驱动模块的发光二极管的检测电压的比较结果判定发光二极管是否发生了短路，进而生成对应的控制信号，短路处理模块根据控制信号驱动模块的发光二极管关断或通路，在检测发光二极管没有短路时不干预发光二极管的工作，在检测发光二极管短路时及时断开发光二极管，避免由于短路造成的电流过大导致面板损坏。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本申请一实施例中像素驱动电路的连接示意图；
图2是本申请另一实施例中像素驱动电路的连接示意图；
图3是本申请另一实施例中像素驱动电路的连接示意图；
图4是本申请另一实施例中像素驱动电路的连接示意图；
图5是本申请另一实施例中像素驱动电路的驱动时序示意图；
图6是本申请一实施例中像素驱动电路的控制方法的流程示意图；
图7是本申请另一实施例中像素驱动电路的控制方法的流程示意图。
附图标号：
110、信号驱动模块；120、电压检测模块；130、短路处理模块。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1和图2，本申请实施例提供一种像素驱动电路，像素驱动电路包括信号驱动模块110、电压检测模块120以及短路处理模块130，信号驱动模块110、电压检测模块120以及短路处理模块130两两之间相互电性连接。
其中，信号驱动模块110中包含发光二极管OLED，信号驱动模块110连接扫描信号线和数据信号线Vdata，在扫描信号线的控制下输入数据信号线Vdata至信号驱动模块110中，从而控制发光二极管OLED发光。需要说明的是，信号驱动模块110可以是3T1C、4T1C、5T1C、6T1C等电路结构，本实施例不作具体限定，此外，2T1C像素结构无法实现后续的短路检测以及处理功能，因此信号驱动模块110不可以为2T1C像素结构。
电压检测模块120首先给定预设的参考电压，然后采集信号驱动模块110中的发光二极管OLED连通时的检测电压，将检测电压与参考电压进行比较，根据检测电压相对于参考电压的变化判断发光二极管OLED是否发生短路，进而生成对应的控制信号。如果检测发光二极管OLED发生短路，则需要断开发光二极管OLED的连接，反之如果检测发光二极管OLED没有发生短路，则不干预发光二极管OLED在扫描信号线和数据信号线Vdata的控制下工作。短路处理模块130通过控制信号驱动模块110的发光二极管OLED关断或通路，避免由于短路造成的电流过大导致面板损坏，从而进一步提高显示效果。
在一个实施例中，3T1C像素结构为可以实现短路检测以及处理功能的最简像素电路结构，且其它类型的像素结构也至少包含3T1C像素结构的相应元件，因此以3T1C像素结构为例进行说明。扫描信号线包括第一扫描信号线scan1和第二扫描信号线scan2，信号驱动模块110包括第一开关晶体管T1、驱动晶体管DRT、储存电容Cst、发光二极管OLED以及第二开关晶体管T2。
第一开关晶体管T1的栅极电性连接第一扫描信号线scan1，第一开关晶体管T1的源漏极中一者电性连接数据信号线Vdata，第一开关晶体管T1的源漏极中另一者电性连接第一节点N1，当第一扫描信号线scan1为高电位时，第一开关晶体管T1导通，给入数据信号线Vdata。
驱动晶体管DRT的栅极电性连接第一节点N1，即驱动晶体管DRT的栅极电性连接第一开关晶体管T1的源漏极中另一者，驱动晶体管DRT的源漏极中一者电性连接第二节点N2，驱动晶体管DRT的源漏极中另一者电性连接电源信号端EVDD。
储存电容Cst的一端电性连接第一节点N1，储存电容Cst的另一端电性连接第二节点N2，即储存电容Cst的一端电性连接驱动晶体管DRT的栅极和第一开关晶体管T1的源漏极中另一者，储存电容Cst的另一端电性连接驱动晶体管DRT的源漏极中一者。
发光二极管OLED的阳极电性连接于第二节点N2，发光二极管OLED的阴极电性连接于接地端EVSS，即发光二极管OLED的阳极电性连接驱动晶体管DRT的源漏极中一者和储存电容Cst的另一端。此外，储存电容Cst使得在像素驱动过程中第二节点N2的电压稳定，且与发光二极管OLED的阳极的电压一致。
第二开关晶体管T2的栅极电性连接第二扫描信号线scan2，第二开关晶体管T2的源漏极中一者电性连接第二节点N2，第二开关晶体管T2的源漏极中另一者电性连接电压检测模块120，即驱动晶体管DRT的源漏极中一者、储存电容Cst的另一端、发光二极管OLED的阳极以及第二开关晶体管T2的源漏极中一者电性连接于同一点，也就是上述四者相互连通。
其中，短路处理模块130用于根据控制信号驱动模块110的发光二极管OLED关断或通路，当检测发光二极管OLED发生短路，则需要通过短路处理模块130断开发光二极管OLED的连接，反之如果检测发光二极管OLED没有发生短路，短路处理模块130不干预发光二极管OLED在扫描信号线和数据信号线Vdata的控制下工作，因此短路处理模块130设置在电源信号端EVDD与接地端EVSS之间，且与发光二极管OLED和驱动晶体管DRT连通，即短路处理模块130串联于电源信号端EVDD、驱动晶体管DRT、发光二极管OLED及接地端EVSS任意相邻两者之间。
也就是说，如图3所示，短路处理模块130串联于驱动晶体管DRT的源漏极中另一者与电源信号端EVDD之间；或，如图4所示，短路处理模块130串联于驱动晶体管DRT的源漏极中一者与发光二极管OLED之间；或，短路处理模块130串联于发光二极管OLED与接地端EVSS之间。
本实施例中在发光二极管OLED和驱动晶体管DRT连通的电路中串联短路处理模块130，通过短路处理模块130的连通与断开控制发光二极管OLED的连通与断开，避免由于短路造成的电流过大导致面板损坏，从而进一步提高显示效果。
在一个实施例中，如图2、图3及图4所示，电压检测模块120包括控制器(图中未示出)、参考开关SREF以及采样开关SAM。参考开关SREF的一端电性连接第三节点N3，参考开关SREF的另一端电性连接控制器和参考电压端Vref，同时第二开关晶体管T2的源漏极中另一者电性连接第三节点N3，通过参考开关SREF的闭合将参考电压端Vref的参考电压给入到第三节点N3，控制器获取参考电压用于后续比较。采样开关SAM的一端电性连接第三节点N3，采样开关SAM的另一端电性连接控制器，通过采样开关SAM的闭合控制器采集第三节点N3的检测电压，并将检测电压与参考电压进行比较，以生成控制信号。控制器与短路处理模块130电性连接，控制器将控制信号发送到短路处理模块130，通过短路处理模块130控制信号驱动模块110的发光二极管OLED关断或通路。
此外，第三节点N3还通过线性电容Cline接地，第三节点N3可能连接其它电器元件，连接的电器元件并不影响本方案中发光二极管OLED短路检测及处理，但第三节点N3连接的其它电器元件对电路的影响可等效为线性电容Cline。
在一个实施例中，控制器包括模数转换器ADC和比较器Com。模数转换器ADC与采样开关SAM电性连接，当采样开关SAM闭合时模数转换器ADC采集第三节点N3的检测电压，模数转换器ADC用于采集信号，同时将模拟信号转换成数字信号。比较器Com与参考电压端Vref、模数转换器ADC和短路处理模块130电性连接，比较器Com通过参考电压端Vref获取预设的参考电压，通过模数转换器ADC获取采集的检测电压，然后将检测电压与参考电压进行比较，将比较得到的控制信号发送到短路处理模块130。短路处理模块130控制信号驱动模块110的发光二极管OLED关断或通路。
在一个实施例中，通过短路处理模块130实现发光二极管OLED的关断或通路，因此将短路处理模块130设置在电源信号端EVDD与接地端EVSS之间，且与发光二极管OLED和驱动晶体管DRT连通。短路处理模块130包括第三开关晶体管CRT，第三开关晶体管CRT的栅极电性连接控制器，第三开关晶体管CRT的源漏极中一者靠近接地端EVSS一侧，第三开关晶体管CRT的源漏极中另一者靠近电源信号端EVDD一侧。第三开关晶体管CRT的栅极接收控制器的控制信号，第三开关晶体管CRT根据控制信号断开或连通，进而实现发光二极管OLED的关断或通路。进一步地，第三开关晶体管CRT的栅极电性连接比较器Com，第三开关晶体管CRT的栅极接收比较器Com的控制信号。
此外，短路处理模块130还可包括多个第三开关晶体管CRT，当多个第三开关晶体管CRT相互之间并联连接时，每个第三开关晶体管CRT的连接方式相同，多个第三开关晶体管CRT的栅极均电性连接控制器，多个第三开关晶体管CRT的源漏极中一者靠近接地端EVSS一侧，多个第三开关晶体管CRT的源漏极中另一者靠近电源信号端EVDD一侧，当多个第三开关晶体管CRT相互之间串联连接时，多个第三开关晶体管CRT的栅极均电性连接控制器，对于串联之后两端各空闲一个阴角的第三开关晶体管CRT，空余源漏极中一者的第三开关晶体管CRT靠近接地端EVSS一侧，另一个第三开关晶体管CRT的源漏极中另一者靠近电源信号端EVDD一侧。
本实施例将第三开关晶体管CRT作为短路处理模块130串联在电源信号端EVDD与接地端EVSS之间，通过第三开关晶体管CRT的断开或连通控制发光二极管OLED的关断或通路，在发光二极管OLED短路之后及时切断，避免由于短路造成的电流过大导致面板损坏，从而进一步提高显示效果。
在一个实施例中，由于只需要确保发光二极管OLED的状态(断开或连通)对应第三开关晶体管CRT的状态，则将第三开关晶体管CRT设置在电源信号端EVDD与接地端EVSS之间，且与发光二极管OLED和驱动晶体管DRT连通，其具体位置并不具体限定。
因此，在一个实施例中，如图2和图3所示，第三开关晶体管CRT的源漏极中一者电性连接驱动晶体管DRT的源漏极中另一者，第三开关晶体管CRT的源漏极中另一者电性连接电源信号端EVDD。在另一个实施例中，如图4所示，第三开关晶体管CRT的源漏极中一者电性连接发光二极管OLED，第三开关晶体管CRT的源漏极中另一者电性连接驱动晶体管DRT的源漏极中一者。在另一个实施例中，第三开关晶体管CRT的源漏极中一者电性连接接地端EVSS，第三开关晶体管CRT的源漏极中另一者电性连接发光二极管OLED。
在一个实施例中，本方案需要驱动时序配合电压反转实现发光二极管OLED的自动短路检测和处理，驱动时序如图5所示，其应用于如图2、图3及图4所示的像素驱动电路，像素驱动电路的驱动时序包括：初始化阶段state1，在初始化阶段state1，参考开关SREF闭合，输入参考电压至第三节点N3。初始化阶段state1保持第一预设时长后进入检测阶段state2，在检测阶段state2，参考开关SREF断开，第二扫描信号线scan2为高电位，第二开关晶体管T2导通，第三节点N3与第二节点N2连通。检测阶段state2保持第二预设时长后采样阶段state3，在采样阶段state3，在检测阶段state2持续预设时长之后，采样开关SAM闭合，控制器采集第三节点N3的检测电压，由于此时第二开关晶体管T2导通，第三节点N3与第二节点N2连通，因此第三节点N3的检测电压与第二节点N2也就是发光二极管OLED的阳极电压一致。将检测电压与参考电压进行比较，如果发光二极管OLED没有发生短路，检测电压为图5中(No OLED short)N3对应的电压，则检测电压保持参考电压不变，即检测电压与参考电压相等，如果发光二极管OLED发生了短路，检测电压为图5中(OLED short)N3对应的电压，则检测电压在参考电压的基础上会逐渐增大，即检测电压大于参考电压。需要说明的是，参考开关SREF和采样开关SAM闭合时不需要保持整个阶段直至进入下一阶段，只需要在各自阶段保持预设时长即可，例如，在初始化阶段state1参考开关SREF闭合，参考开关SREF闭合预设时长后断开，然后再进入检测阶段state2，采样开关SAM类似，在采样阶段state3保持预设时长断开即可，参考开关SREF和采样开关SAM闭合的时长根据信号采样与输入的时间决定，本实施例不作具体说明。
其中，为了确保信号采样的稳定，像素驱动电路的驱动时序的各个阶段均保持一定时长，各个阶段保持的预设时长可以相同也可以不相同，可以根据电路情况进行自由设置，本实施例不作具体限定。
控制器基于检测电压与参考电压的比较结果生成控制信号，例如，当发光二极管OLED没有发生短路，检测电压与参考电压相等时，控制器生成高电位的控制信号控制第三开关晶体管CRT导通，发光二极管OLED正常工作。当发光二极管OLED发生了短路，检测电压大于参考电压时，控制器生成低电位的控制信号控制第三开关晶体管CRT断开，发光二极管OLED对应断开。
此外，如果控制器生成控制信号的逻辑与上述方案相反，例如，当发光二极管OLED没有发生短路，检测电压与参考电压相等时，控制器生成低电位的控制信号，当发光二极管OLED发生了短路，检测电压大于参考电压时，控制器生成高电位的控制信号。如图3和图4所示，可以在控制器与第三开关晶体管CRT的源漏极中另一者之间串联非门P进行转换，其具体设置方式本实施例不作具体限定，只需要确保当发光二极管OLED没有发生短路，检测电压与参考电压相等时控制第三开关晶体管CRT导通，当发光二极管OLED发生了短路，检测电压大于参考电压时控制第三开关晶体管CRT断开。
需要说明的是，如果检测电压小于参考电压，那可能造成此情况的原因是实际电路中，第二节点N2连接到了一个比较高的电压，也就是第二节点N2和一个高电位短路，这种在像素电路中正常是不应该出现的，如果出现说明实际像素电路本身的制程出现问题，本实施例不作具体说明。
上述以最简像素电路结构3T1C为例进行说明，而对于4T1C/5T1C/6T1C等电路结构，根据3T1C的驱动时序对进行增加在3T1C架构中TFT类似位置的多个TFT使用相同的驱动时序，即可同样实现自行检测并处理短路OLED的方案。
本实施例以Inverted-LED(OLED)技术为基础，结合3T1C驱动电路，驱动时序配合电压比较器Com设计实现自行检测并处理短路OLED的方案，可以避免由于短路造成的电流过大导致面板损坏，从而进一步提高显示效果。
请参阅图1至图7，本申请实施例提供一种像素驱动电路的控制方法，应用于上述实施例所述的像素驱动电路，该方法包括：
S10、获取像素驱动电路中发光二极管OLED的检测电压；
S20、将所述检测电压与预设的参考电压进行比较，得到控制信号；
S30、根据所述控制信号控制所述像素驱动电路中所述发光二极管OLED通路或断路。
在一个实施例中，所述S10、获取像素驱动电路中发光二极管OLED的检测电压，包括：
S11、控制参考开关SREF闭合，输入所述参考电压至第三节点N3；
S12、第一预设时长后控制参考开关SREF断开，输入第二扫描信号线scan2为高电位；
S13、第二预设时长后控制采样开关SAM闭合，采集所述第三节点N3的所述检测电压。
在一个实施例中，所述S30、根据所述控制信号控制所述像素驱动电路中所述发光二极管OLED通路或断路，包括：
S31、当所述控制信号显示所述检测电压与预设的参考电压相同时，判定所述发光二极管工作正常，控制所述发光二极管通路；
S32、当所述控制信号显示所述检测电压大于预设的参考电压时，判定所述发光二极管短路，控制所述发光二极管断路。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上对本申请实施例所提供的一种像素驱动电路及控制方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：
信号驱动模块，连接扫描信号线和数据信号线，用于根据所述扫描信号线和所述数据信号线驱动所述信号驱动模块的发光二极管发光；
电压检测模块，与所述信号驱动模块电性连接，用于采集所述信号驱动模块的所述发光二极管的检测电压，并将所述检测电压与参考电压进行比较，以生成控制信号；
短路处理模块，与所述信号驱动模块和所述电压检测模块电性连接，用于根据所述控制信号控制所述信号驱动模块的所述发光二极管关断或通路。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述扫描信号线包括第一扫描信号线和第二扫描信号线，所述信号驱动模块包括：
第一开关晶体管，栅极电性连接所述第一扫描信号线，源漏极中一者电性连接所述数据信号线，源漏极中另一者电性连接第一节点；
驱动晶体管，栅极电性连接所述第一节点，源漏极中一者电性连接第二节点，源漏极中另一者电性连接电源信号端；
储存电容，一端电性连接所述第一节点，另一端电性连接所述第二节点；
发光二极管，阳极电性连接于所述第二节点，阴极电性连接于接地端；
第二开关晶体管，栅极电性连接所述第二扫描信号线，源漏极中一者电性连接所述第二节点，源漏极中另一者电性连接所述电压检测模块；
所述短路处理模块串联于所述电源信号端、所述驱动晶体管、所述发光二极管及所述接地端任意相邻两者之间。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述电压检测模块包括：
控制器，与所述短路处理模块电性连接，用于检测所述信号驱动模块的所述发光二极管的检测电压，并将所述检测电压与所述参考电压进行比较，以生成所述控制信号；
参考开关，一端电性连接第三节点，另一端电性连接所述控制器和参考电压端，所述第二开关晶体管的源漏极中另一者电性连接所述第三节点；
采样开关，一端电性连接所述第三节点，另一端电性连接所述控制器。
4.如权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述控制器包括：
模数转换器，与所述采样开关电性连接，用于当所述采样开关闭合时采集所述第三节点的检测电压；
比较器，与所述参考电压端、所述模数转换器和所述短路处理模块电性连接，用于将所述检测电压与所述参考电压进行比较，以生成所述控制信号。
5.如权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述短路处理模块包括第三开关晶体管，所述第三开关晶体管的栅极电性连接所述控制器，源漏极中一者靠近所述接地端一侧，源漏极中另一者靠近所述电源信号端一侧，所述第三开关晶体管用于根据所述控制信号断开或连通。
6.如权利要求5所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第三开关晶体管的源漏极中一者电性连接所述驱动晶体管的源漏极中另一者，源漏极中另一者电性连接所述电源信号端；或，所述第三开关晶体管的源漏极中一者电性连接所述发光二极管，源漏极中另一者电性连接所述驱动晶体管的源漏极中一者；或，所述第三开关晶体管的源漏极中一者电性连接所述接地端，源漏极中另一者电性连接所述发光二极管。
7.如权利要求5所述的像素驱动电路，所述像素驱动电路的驱动时序包括：
初始化阶段state1，在所述初始化阶段state1，所述参考开关闭合，输入所述参考电压至所述第三节点；
检测阶段state2，在所述检测阶段state2，所述参考开关断开，所述第二扫描信号线为高电位，所述第二开关晶体管导通，所述第三节点与所述第二节点连通；
采样阶段state3，在所述采样阶段state3，所述采样开关闭合，所述控制器采集所述第三节点的所述检测电压，所述检测电压用于与所述参考电压进行比较，以生成所述控制信号。
8.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述短路处理模块包括设于所述控制器与第三开关晶体管的栅极之间的非门。
9.一种像素驱动电路的控制方法，应用于上述权利要求1-8任意一项所述的像素驱动电路，其特征在于，包括：
获取像素驱动电路中发光二极管的检测电压；
将所述检测电压与预设的参考电压进行比较，得到控制信号；
根据所述控制信号控制所述像素驱动电路中所述发光二极管通路或断路。
10.如权利要求9所述的像素驱动电路的控制方法，其特征在于，所述根据所述控制信号控制所述像素驱动电路中所述发光二极管通路或断路，包括：
当所述控制信号显示所述检测电压与预设的参考电压相同时，判定所述发光二极管工作正常，控制所述发光二极管通路；
当所述控制信号显示所述检测电压大于预设的参考电压时，判定所述发光二极管短路，控制所述发光二极管断路。
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