CN110580876B - 发光器件控制电路及其驱动方法、阵列基板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光器件控制电路及其驱动方法、阵列基板以及显示装置，电路包括：发光器件；驱动电路，驱动电路包括驱动开关单元，驱动开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，驱动开关单元被配置为在导通时驱动发光器件发光；检测电路，检测电路的一端与驱动开关单元的控制端连接，检测电路的另一端与发光器件的阳极连接，检测电路被配置为在发光器件控制电路的检测阶段，检测发光器件是否短路；若发光器件短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元断开；若发光器件未短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元导通。本发明能避免发光器件短路导致的烧坏背板现象，从而可以极大提高应用发光器件的显示装置的显示良率。

Description

发光器件控制电路及其驱动方法、阵列基板以及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种发光器件控制电路、一种阵列基板、一种显示装置以及一种发光器件控制电路的驱动方法。

背景技术

由于Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)器件具有效率高和抗水氧能力强的特性，有望成为下一代主流显示技术。

目前，在应用Micro LED器件的显示装置中，Micro LED器件生长的基板与显示装置中的基板并非同一个基板，Micro LED器件需要从生长的基板转印到显示装置中的基板上，之后Micro LED器件与显示装置的背板进行电性连接。对于倒装型Micro LED器件，现有技术采用阴阳极点银胶工艺来使Micro LED器件与背板电性连接，该阴阳极点银胶工艺过程中易发生阴极和阳极银胶短路即Micro LED器件短路。在垂直型Micro LED器件中，转印工艺之后，Micro LED器件的阳极或阴极与背板进行电性连接，并需要在背板上制做整面的阴极或整面的阳极，如果出现Micro LED器件转印丢失的情况，很容易发生Micro LED器件的阴极和阳极短路问题。Micro LED器件的短路会使背板产生大电流，进而烧坏背板，导致应用Micro LED器件的显示装置显示良率很低。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种发光器件控制电路、一种阵列基板、一种显示装置以及一种发光器件控制电路的驱动方法，以解决现有显示装置中MicroLED器件短路烧坏背板，导致应用Micro LED器件的显示装置显示良率低的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种发光器件控制电路，包括：

发光器件；

驱动电路，所述驱动电路包括驱动开关单元，所述驱动开关单元的第一端与所述发光器件的阳极连接，所述驱动开关单元被配置为在导通时驱动所述发光器件发光；

检测电路，所述检测电路的一端与所述驱动开关单元的控制端连接，所述检测电路的另一端与所述发光器件的阳极连接，所述检测电路被配置为在所述发光器件控制电路的检测阶段，检测所述发光器件是否短路；若所述发光器件短路，在所述发光器件控制电路的发光阶段，控制所述驱动开关单元断开；若所述发光器件未短路，在所述发光器件控制电路的发光阶段，控制所述驱动开关单元导通。

可选地，所述检测电路包括：

第一开关器件，所述第一开关器件的第一端与所述驱动开关单元的控制端连接，所述第一开关器件的第二端与测试电压提供端连接；所述测试电压提供端提供的测试电压与所述驱动开关单元的第二端电压之差大于所述驱动开关单元的导通电压；所述第一开关器件，被配置为若所述发光器件短路，在所述检测阶段时导通；若所述发光器件未短路，在所述检测阶段时断开；

第二开关器件，所述第二开关器件的第一端与所述第一开关器件的控制端连接，所述第二开关器件的控制端接收检测控制信号，所述第二开关器件的第二端与所述发光器件的阳极连接；所述第二开关器件被配置为在所述检测阶段，响应所述检测控制信号导通；在所述发光阶段，响应所述检测控制信号断开。

可选地，所述第一开关器件为P型TFT晶体管，所述第二开关器件为N型TFT晶体管。

可选地，所述驱动电路还包括：

数据写入开关单元，所述数据写入开关单元的第一端与数据电压提供端连接，所述数据写入开关单元的控制端接收栅极控制信号，所述数据写入开关单元的第二端与所述驱动开关单元的控制端连接，所述数据写入开关单元被配置为在所述发光器件控制电路的数据写入阶段，响应所述栅极控制信号导通；在所述检测阶段和所述发光阶段，响应所述栅极控制信号断开；

发光控制开关单元，所述发光控制开关单元的第一端与电源连接，所述发光控制开关单元的控制端接收发光控制信号，所述发光控制开关单元的第二端与所述驱动开关单元的第二端连接，所述发光控制开关单元被配置为在所述数据写入阶段和所述检测阶段，响应所述发光控制信号断开；在所述发光阶段，响应所述发光控制信号导通；

电容，所述电容的一端分别与所述数据写入开关单元的第二端和所述驱动开关单元的控制端连接，所述电容的另一端分别与所述发光控制开关单元的第二端和所述驱动开关单元的第二端连接。

可选地，所述驱动开关单元为第三开关器件，所述数据写入开关单元为第四开关器件，所述发光控制开关单元为第五开关器件；所述第三开关器件、所述第四开关器件以及所述第五开关器件为P型TFT晶体管。

可选地，所述第一开关器件的阈值电压范围为：

VSS-Vtest<Vth1<VSS+Vled-Vtest

其中，VSS为所述发光器件的阴极电位，Vtest为所述测试电压，Vth1为所述第一开关器件的阈值电压，Vled为所述发光器件的导通电压。

可选地，所述第三开关器件的阈值电压范围为：

VData-VDD<Vth3<Vtest-VDD

其中，VData为所述数据电压提供端提供的数据电压，VDD为电源电压，Vth3为所述第三开关器件的阈值电压，Vtest为所述测试电压。

为了解决上述问题，本发明实施例还公开了一种阵列基板，包括：阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括所述的发光器件控制电路。

为了解决上述问题，本发明实施例还公开了一种显示装置，包括所述的阵列基板。

为了解决上述问题，本发明实施例还公开了一种所述的发光器件控制电路的驱动方法，包括数据写入阶段、检测阶段以及发光阶段，其中，

在所述数据写入阶段，断开所述驱动开关单元和所述检测电路，通过所述驱动电路施加数据电压在所述驱动开关单元的控制端和所述驱动开关单元的第二端之间；

在所述检测阶段，断开所述驱动电路，通过所述检测电路检测所述发光器件是否短路；

在所述发光阶段，若所述发光器件短路，通过所述检测电路控制所述驱动开关单元断开，若所述发光器件未短路，通过所述检测电路控制所述驱动开关单元导通，以使所述驱动开关单元驱动所述发光器件发光。

本发明实施例包括以下优点：发光器件控制电路设置在背板上，设置发光器件控制电路包括：发光器件；驱动电路，驱动电路包括驱动开关单元，驱动开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，驱动开关单元被配置为在导通时驱动发光器件发光；检测电路，检测电路的一端与驱动开关单元的控制端连接，检测电路的另一端与发光器件的阳极连接，检测电路被配置为在发光器件控制电路的检测阶段，检测发光器件是否短路；若发光器件短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元断开，以避免由于发光器件短路而烧坏背板；若发光器件未短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元导通，确保未短路的发光器件可以在发光阶段正常发光。这样，本发明能够确保未短路的发光器件正常发光，同时避免发光器件短路导致的烧坏背板现象，从而可以极大提高应用发光器件的显示装置的显示良率。

附图说明

图1是本发明的一种发光器件控制电路实施例的结构框图；

图2是本发明的一种发光器件控制电路实施例的结构示意图；

图3是图2所示的发光器件控制电路对应的驱动时序示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参照图1，其示出了本发明的一种发光器件控制电路实施例的结构框图，该发光器件控制电路可以包括：发光器件1；驱动电路2，驱动电路2包括驱动开关单元21，驱动开关单元21的第一端与发光器件1的阳极连接，驱动开关单元21被配置为在导通时驱动发光器件1发光；检测电路3，检测电路3的一端与驱动开关单元21的控制端连接，检测电路3的另一端与发光器件1的阳极连接，检测电路3被配置为在发光器件控制电路的检测阶段，检测发光器件1是否短路；若发光器件1短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元21断开；若发光器件1未短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元21导通。

其中，若发光器件1短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元21断开，可以避免由于发光器件1短路而烧坏背板；若发光器件1未短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元21导通，可以确保未短路的发光器件1在发光阶段正常发光。这样，本发明能够确保未短路的发光器件1正常发光，同时避免发光器件1短路导致的烧坏背板现象，从而可以极大提高应用发光器件1的显示装置的显示良率。

可选地，发光器件1可以为LED器件、Micro LED器件、电致发光器件等。

可选地，驱动电路2可以为现有技术中任意可以驱动发光器件1发光并应用于阵列基板的驱动电路，本发明对此不作限制。

本发明实施例的发光器件控制电路设置在显示装置的背板上。

可选地，在本发明的一个实施例中，参照图2，检测电路3可以包括：第一开关器件，第一开关器件的第一端与驱动开关单元21的控制端连接，第一开关器件的第二端与测试电压提供端连接，第一开关器件的第一端与驱动开关单元21的控制端之间具有第一节点A；测试电压提供端提供的测试电压Vtest与驱动开关单元21的第二端电压之差大于驱动开关单元21的导通电压；第一开关器件，被配置为若发光器件1短路，在检测阶段时导通；若发光器件1未短路，在检测阶段时断开；第二开关器件，第二开关器件的第一端与第一开关器件的控制端连接，第二开关器件的控制端接收检测控制信号Test，第二开关器件的第二端与发光器件1的阳极连接，第二开关器件的第二端与发光器件1的阳极之间具有第二节点C；第二开关器件被配置为在检测阶段，响应检测控制信号Test导通；在发光阶段，响应检测控制信号Test断开。

可选地，第一开关器件可以为P型晶体管，第二开关器件可以为N型晶体管。可选地，在本发明的一个实施例中，参照图2，第一开关器件为第一P型TFT晶体管P1，第二开关器件为第一N型TFT晶体管N1。图2中，第一P型TFT晶体管P1的漏极作为第一开关器件的第一端，第一P型TFT晶体管P1的源极作为第一开关器件的第二端，第一P型TFT晶体管P1的栅极作为第一开关器件的控制端；第一N型TFT晶体管N1的漏极作为第二开关器件的第一端，第一N型TFT晶体管N1的源极作为第二开关器件的第二端，第一N型TFT晶体管N1的栅极作为第二开关器件的控制端。图2中，发光器件1的阴极接地。

可选地，在本发明的一个实施例中，参照图2，驱动电路2还可以包括：数据写入开关单元22，数据写入开关单元22的第一端与数据电压提供端连接，数据写入开关单元22的控制端接收栅极控制信号Gate，数据写入开关单元22的第二端与驱动开关单元21的控制端连接，数据写入开关单元22被配置为在发光器件控制电路的数据写入阶段，响应栅极控制信号Gate导通，数据电压提供端提供的数据电压VData通过数据写入开关单元22写入电容C1内；在检测阶段和发光阶段，响应栅极控制信号Gate断开；发光控制开关单元23，发光控制开关单元23的第一端与电源连接，发光控制开关单元23的控制端接收发光控制信号EM，发光控制开关单元23的第二端与驱动开关单元21的第二端连接，发光控制开关单元23的第二端与驱动开关单元21的第二端之间具有第三节点B，发光控制开关单元23被配置为在数据写入阶段和检测阶段，响应发光控制信号EM断开，驱动开关单元21不导通，发光器件1不发光；在发光阶段，响应发光控制信号EM导通，若发光器件1短路，驱动开关单元21断开，发光器件1不发光，若发光器件1未短路，驱动开关单元21导通，发光器件1发光；电容C1，电容C1的一端分别与数据写入开关单元22的第二端和驱动开关单元21的控制端连接，电容C1的另一端分别与发光控制开关单元23的第二端和驱动开关单元21的第二端连接。

可选地，在本发明的一个实施例中，驱动开关单元21可以为第三开关器件，数据写入开关单元22可以为第四开关器件，发光控制开关单元23可为第五开关器件。可选地，在本发明的一个实施例中，第三开关器件、第四开关器件以及第五开关器件可以为P型晶体管。可选地，在本发明的一个实施例中，参照图2，第三开关器件可以为第二P型TFT晶体管P2、第四开关器件可以为第三P型TFT晶体管P3以及第五开关器件可以为第四P型TFT晶体管P4。

可选地，在本发明的一个实施例中，第一开关器件的阈值电压范围可以为：

VSS-Vtest<Vth1<VSS+Vled-Vtest

其中，VSS为发光器件1的阴极电位，Vtest为测试电压，Vth1为第一开关器件的阈值电压，Vled为发光器件1的导通电压。

可选地，在本发明的一个实施例中，第三开关器件的阈值电压范围可以为：

VData-VDD<Vth3<Vtest-VDD

其中，VData为数据电压提供端提供的数据电压，VDD为电源电压，Vth3为第三开关器件的阈值电压，Vtest为测试电压。

在本发明的一个实施例中，图2所示的发光器件控制电路对应的驱动时序如图3所示，该驱动时序可以包括数据写入阶段T1、检测阶段T2以及发光阶段T3，其中，

在数据写入阶段T1，栅极控制信号Gate为低电平信号，检测控制信号Test为低电平信号，发光控制信号EM为高电平信号，第三P型TFT晶体管P3导通，第一N型TFT晶体管N1截止，第四P型TFT晶体管P4截止，数据电压提供端提供的数据电压VData信号通过数据写入开关单元22写入电容C1内，A点电压为VData。

在检测阶段T2，栅极控制信号Gate为高电平信号，检测控制信号Test为高电平信号，发光控制信号EM为高电平信号。若发光器件1短路，由于C点电压为VSS(地电位)，第一N型TFT晶体管N1导通，此时第一P型TFT晶体管P1的栅极电压为VSS，第一P型TFT晶体管P1的栅极和源极之间的电压差Vgs1＝VSS-Vtest<Vth1，第一P型TFT晶体管P1导通，A点电压为Vtest。若发光器件1未短路，C点电压为VSS+Vled，第一N型TFT晶体管N1导通，此时第一P型TFT晶体管P1的栅极电压为VSS+Vled，第一P型TFT晶体管P1的栅极和源极之间的电压差Vgs1＝VSS+Vled-Vtest>Vth1，第一P型TFT晶体管P1截止，A点电压为VData。

在发光阶段T3，栅极控制信号Gate为高电平信号，检测控制信号Test为低电平信号，发光控制信号EM为低电平信号。若发光器件1短路，由于A点电压为Vtest，B点电压为VDD，第二P型TFT晶体管P2栅极和源极之间的电压差Vgs2＝Vtest-VDD>Vth3，第二P型TFT晶体管P2截止，发光器件1不发光；若发光器件1未短路，由于第一P型TFT晶体管P1截止，A点电压为VData，B点电压为VDD，第二P型TFT晶体管P2栅极和源极之间的电压差Vgs2＝VData-VDD<Vth3，第二P型TFT晶体管P2导通，发光器件1正常发光。

本发明实施例的发光器件控制电路包括以下优点：发光器件控制电路设置在背板上，设置发光器件控制电路包括：发光器件；驱动电路，驱动电路包括驱动开关单元，驱动开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，驱动开关单元被配置为在导通时驱动发光器件发光；检测电路，检测电路的一端与驱动开关单元的控制端连接，检测电路的另一端与发光器件的阳极连接，检测电路被配置为在发光器件控制电路的检测阶段，检测发光器件是否短路；若发光器件短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元断开，以避免由于发光器件短路而烧坏背板；若发光器件未短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元导通，确保未短路的发光器件可以在发光阶段正常发光。这样，本发明能够确保未短路的发光器件正常发光，同时避免发光器件短路导致的烧坏背板现象，从而可以极大提高应用发光器件的显示装置的显示良率。

本发明实施例还公开了一种阵列基板，包括：阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括上述的发光器件控制电路。

本发明实施例的阵列基板包括以下优点：发光器件控制电路设置在背板上，设置发光器件控制电路包括：发光器件；驱动电路，驱动电路包括驱动开关单元，驱动开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，驱动开关单元被配置为在导通时驱动发光器件发光；检测电路，检测电路的一端与驱动开关单元的控制端连接，检测电路的另一端与发光器件的阳极连接，检测电路被配置为在发光器件控制电路的检测阶段，检测发光器件是否短路；若发光器件短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元断开，以避免由于发光器件短路而烧坏背板；若发光器件未短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元导通，确保未短路的发光器件可以在发光阶段正常发光。这样，本发明能够确保未短路的发光器件正常发光，同时避免发光器件短路导致的烧坏背板现象，从而可以极大提高应用发光器件的显示装置的显示良率。

本发明实施例还公开了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明实施例的显示装置包括以下优点：发光器件控制电路设置在背板(阵列基板)上，设置发光器件控制电路包括：发光器件；驱动电路，驱动电路包括驱动开关单元，驱动开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，驱动开关单元被配置为在导通时驱动发光器件发光；检测电路，检测电路的一端与驱动开关单元的控制端连接，检测电路的另一端与发光器件的阳极连接，检测电路被配置为在发光器件控制电路的检测阶段，检测发光器件是否短路；若发光器件短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元断开，以避免由于发光器件短路而烧坏背板；若发光器件未短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元导通，确保未短路的发光器件可以在发光阶段正常发光。这样，本发明能够确保未短路的发光器件正常发光，同时避免发光器件短路导致的烧坏背板现象，从而可以极大提高应用发光器件的显示装置的显示良率。

本发明实施例还公开了一种上述发光器件控制电路的驱动方法，该发光器件控制电路的驱动方法可以包括数据写入阶段、检测阶段以及发光阶段，其中，

在数据写入阶段，断开驱动开关单元21和检测电路3，通过驱动电路2施加数据电压VData在驱动开关单元21的控制端和驱动开关单元21的第二端之间。

在检测阶段，断开驱动电路2，通过检测电路3检测发光器件1是否短路，其中，若发光器件1短路，驱动开关单元21的控制端电压为检测电路3的一端电压；若发光器件1未短路，驱动开关单元21的控制端电压为数据电压VData。

在发光阶段，若发光器件1短路，由于驱动开关单元21的控制端电压为检测电路3的一端电压，通过检测电路3控制驱动开关单元21断开，发光器件1不发光；若发光器件1未短路，驱动开关单元21的控制端电压为数据电压VData，通过检测电路3控制驱动开关单元21导通，以使驱动开关单元21驱动发光器件1发光。

在本发明的一个实施例中，发光器件控制电路如图2所示，如图3所示，图2所示发光器件控制电路的驱动方法可以包括以下三个阶段(数据写入阶段T1、检测阶段T2、发光阶段T3)：

在数据写入阶段T1，栅极控制信号Gate为低电平信号，检测控制信号Test为低电平信号，发光控制信号EM为高电平信号，第三P型TFT晶体管P3导通，第一N型TFT晶体管N1截止，第四P型TFT晶体管P4截止，数据电压提供端提供的数据电压VData信号通过数据写入开关单元22写入电容C1内，A点电压为VData。

在检测阶段T2，栅极控制信号Gate为高电平信号，检测控制信号Test为高电平信号，发光控制信号EM为高电平信号。若发光器件1短路，由于C点电压为VSS(地电位)，第一N型TFT晶体管N1导通，此时第一P型TFT晶体管P1的栅极电压为VSS，第一P型TFT晶体管P1的栅极和源极之间的电压差Vgs1＝VSS-Vtest<Vth1，第一P型TFT晶体管P1导通，A点电压为Vtest。若发光器件1未短路，C点电压为VSS+Vled，第一N型TFT晶体管N1导通，此时第一P型TFT晶体管P1的栅极电压为VSS+Vled，第一P型TFT晶体管P1的栅极和源极之间的电压差Vgs1＝VSS+Vled-Vtest>Vth1，第一P型TFT晶体管P1截止，A点电压为VData。

在发光阶段T3，栅极控制信号Gate为高电平信号，检测控制信号Test为低电平信号，发光控制信号EM为低电平信号。若发光器件1短路，由于A点电压为Vtest，B点电压为VDD，第二P型TFT晶体管P2栅极和源极之间的电压差Vgs2＝Vtest-VDD>Vth3，第二P型TFT晶体管P2截止，发光器件1不发光；若发光器件1未短路，由于第一P型TFT晶体管P1截止，A点电压为VData，B点电压为VDD，第二P型TFT晶体管P2栅极和源极之间的电压差Vgs2＝VData-VDD<Vth3，第二P型TFT晶体管P2导通，发光器件1正常发光。

本发明实施例包括以下优点：发光器件控制电路设置在背板上，设置发光器件控制电路包括：发光器件；驱动电路，驱动电路包括驱动开关单元，驱动开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，驱动开关单元被配置为在导通时驱动发光器件发光；检测电路，检测电路的一端与驱动开关单元的控制端连接，检测电路的另一端与发光器件的阳极连接，检测电路被配置为在发光器件控制电路的检测阶段，检测发光器件是否短路；若发光器件短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元断开，以避免由于发光器件短路而烧坏背板；若发光器件未短路，在发光器件控制电路的发光阶段，控制驱动开关单元导通，确保未短路的发光器件可以在发光阶段正常发光。这样，本发明能够确保未短路的发光器件正常发光，同时避免发光器件短路导致的烧坏背板现象，从而可以极大提高应用发光器件的显示装置的显示良率。

对于阵列基板和显示装置实施例而言，由于其包括发光器件控制电路，所以描述的比较简单，相关之处参见发光器件控制电路实施例的部分说明即可。对于发光器件控制电路的驱动方法实施例而言，发光器件控制电路的相关之处参见发光器件控制电路实施例的部分说明即可。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种发光器件控制电路、一种阵列基板、一种显示装置以及一种发光器件控制电路的驱动方法，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (9)

1.一种发光器件控制电路，其特征在于，包括：

发光器件；

驱动电路，所述驱动电路包括驱动开关单元，所述驱动开关单元的第一端与所述发光器件的阳极连接，所述驱动开关单元被配置为在导通时驱动所述发光器件发光；

检测电路，所述检测电路的一端与所述驱动开关单元的控制端连接，所述检测电路的另一端与所述发光器件的阳极连接，所述检测电路被配置为在所述发光器件控制电路的检测阶段，检测所述发光器件是否短路；若所述发光器件短路，在所述发光器件控制电路的发光阶段，控制所述驱动开关单元断开；若所述发光器件未短路，在所述发光器件控制电路的发光阶段，控制所述驱动开关单元导通；

所述检测电路还包括：

第一开关器件，所述第一开关器件的第一端与所述驱动开关单元的控制端连接，所述第一开关器件的第二端与测试电压提供端连接；所述测试电压提供端提供的测试电压与所述驱动开关单元的第二端电压之差大于所述驱动开关单元的导通电压；所述第一开关器件，被配置为若所述发光器件短路，在所述检测阶段时导通；若所述发光器件未短路，在所述检测阶段时断开；

第二开关器件，所述第二开关器件的第一端与所述第一开关器件的控制端连接，所述第二开关器件的控制端接收检测控制信号，所述第二开关器件的第二端与所述发光器件的阳极连接；所述第二开关器件被配置为在所述检测阶段，响应所述检测控制信号导通；在所述发光阶段，响应所述检测控制信号断开。

2.根据权利要求1所述的发光器件控制电路，其特征在于，所述第一开关器件为P型TFT晶体管，所述第二开关器件为N型TFT晶体管。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件控制电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：

数据写入开关单元，所述数据写入开关单元的第一端与数据电压提供端连接，所述数据写入开关单元的控制端接收栅极控制信号，所述数据写入开关单元的第二端与所述驱动开关单元的控制端连接，所述数据写入开关单元被配置为在所述发光器件控制电路的数据写入阶段，响应所述栅极控制信号导通；在所述检测阶段和所述发光阶段，响应所述栅极控制信号断开；

发光控制开关单元，所述发光控制开关单元的第一端与电源连接，所述发光控制开关单元的控制端接收发光控制信号，所述发光控制开关单元的第二端与所述驱动开关单元的第二端连接，所述发光控制开关单元被配置为在所述数据写入阶段和所述检测阶段，响应所述发光控制信号断开；在所述发光阶段，响应所述发光控制信号导通；

电容，所述电容的一端分别与所述数据写入开关单元的第二端和所述驱动开关单元的控制端连接，所述电容的另一端分别与所述发光控制开关单元的第二端和所述驱动开关单元的第二端连接。

4.根据权利要求3所述的发光器件控制电路，其特征在于，所述驱动开关单元为第三开关器件，所述数据写入开关单元为第四开关器件，所述发光控制开关单元为第五开关器件；所述第三开关器件、所述第四开关器件以及所述第五开关器件为P型TFT晶体管。

5.根据权利要求1或2所述的发光器件控制电路，其特征在于，所述第一开关器件的阈值电压范围为：

VSS-Vtest<Vth1<VSS+Vled-Vtest

其中，VSS为所述发光器件的阴极电位，Vtest为所述测试电压，Vth1为所述第一开关器件的阈值电压，Vled为所述发光器件的导通电压。

6.根据权利要求5所述的发光器件控制电路，其特征在于，所述第三开关器件的阈值电压范围为：

VData-VDD<Vth3<Vtest-VDD

其中，VData为所述数据电压提供端提供的数据电压，VDD为电源电压，Vth3为所述第三开关器件的阈值电压，Vtest为所述测试电压。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括：阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括权利要求1至6中任一项所述的发光器件控制电路。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板。

9.一种根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件控制电路的驱动方法，包括数据写入阶段、检测阶段以及发光阶段，其中，

在所述数据写入阶段，断开所述驱动开关单元和所述检测电路，通过所述驱动电路施加数据电压在所述驱动开关单元的控制端和所述驱动开关单元的第二端之间；

在所述检测阶段，断开所述驱动电路，通过所述检测电路检测所述发光器件是否短路；

在所述发光阶段，若所述发光器件短路，通过所述检测电路控制所述驱动开关单元断开，若所述发光器件未短路，通过所述检测电路控制所述驱动开关单元导通，以使所述驱动开关单元驱动所述发光器件发光。

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