KR20170137645A - Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip - Google Patents

Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip Download PDF

Info

Publication number
KR20170137645A
KR20170137645A KR1020170068417A KR20170068417A KR20170137645A KR 20170137645 A KR20170137645 A KR 20170137645A KR 1020170068417 A KR1020170068417 A KR 1020170068417A KR 20170068417 A KR20170068417 A KR 20170068417A KR 20170137645 A KR20170137645 A KR 20170137645A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
wafer
transparent substrate
diode chip
Prior art date
Application number
KR1020170068417A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102225477B1 (en
Inventor
다카시 오카무라
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20170137645A publication Critical patent/KR20170137645A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102225477B1 publication Critical patent/KR102225477B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H01L33/005—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L33/02—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H01L2933/0033—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a light emitting diode chip capable of obtaining sufficient brightness and the light emitting diode chip. The method for manufacturing a light emitting diode chip comprises: a wafer preparation step of preparing a wafer having a stack layer where a plurality of semiconductor layers including a light emitting layer are formed on a transparent substrate for crystal growth, wherein in each of the regions partitioned by a plurality of appointed split lines intersecting on the surface of the stack layer, an LED circuit is formed; a transparent substrate processing step of forming a plurality of grooves on the surface of the transparent substrate corresponding to the respective LED circuits of the wafer; an integration step of forming an integrated wafer by bonding the surface of the transparent substrate to a back surface of the wafer after performing the transparent substrate processing step; and a split step of splitting the integrated wafer into individual light emitting diode chips by cutting the wafer together with the transparent substrate along the appointed split lines.

Description

발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩{METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP AND A LIGHT EMITTING DIODE CHIP}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting diode chip,

본 발명은, 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip.

사파이어 기판, GaN 기판, SiC 기판 등의 결정 성장용 기판의 표면에 n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층이 복수 적층된 적층체층이 형성되고, 이 적층체층과 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 복수의 LED(Light Emitting Diode) 등의 발광 디바이스가 형성된 웨이퍼는, 분할 예정 라인을 따라 절단되어 개개의 발광 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 발광 디바이스 칩은 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터, 조명기기 등의 각종 전기기기에 널리 이용되고 있다.A laminate layer in which a plurality of n-type semiconductor layers, a light-emitting layer, and a p-type semiconductor layer are laminated is formed on the surface of a crystal growth substrate such as a sapphire substrate, a GaN substrate or a SiC substrate, and a plurality of lines to be divided A wafer on which a light emitting device such as a plurality of LEDs (Light Emitting Diode) is formed in an area partitioned by the dividing line is cut along the line to be divided and divided into individual light emitting device chips, and the divided light emitting device chips are mounted on mobile phones, And is widely used in various electric appliances such as lighting equipment.

발광 디바이스 칩의 발광층으로부터 출사되는 광은 등방성을 갖고 있기 때문에, 결정 성장용 기판의 내부에도 조사되어 기판의 이면 및 측면으로부터도 광이 출사된다. 그러나, 기판의 내부에 조사된 광 중 공기층과의 계면에서의 입사각이 임계각 이상의 광은 계면에서 전반사되어 기판 내부에 가둬지고, 기판으로부터 외부로 출사되는 일이 없기 때문에 발광 디바이스 칩의 휘도의 저하를 초래한다고 하는 문제가 있다.Since the light emitted from the light emitting layer of the light emitting device chip is isotropic, light is also emitted from the back surface and the side surface of the substrate irradiated to the interior of the crystal growth substrate. However, among the light irradiated to the inside of the substrate, light having a critical angle of incidence at the interface with the air layer is totally reflected at the interface, is trapped inside the substrate, and is not emitted from the substrate to the outside. There is a problem that it causes.

이 문제를 해결하기 위해, 발광층으로부터 출사된 광이 기판의 내부에 가둬지는 것을 억제하기 위해서, 기판의 이면에 투명 부재를 첩착(貼着)시켜 휘도의 향상을 도모하도록 한 발광 다이오드(LED)가 일본 특허 공개 제2014-175354호 공보에 기재되어 있다.In order to solve this problem, a light emitting diode (LED) is proposed in which a transparent member is adhered (adhered) to the back surface of a substrate so as to improve brightness by suppressing the light emitted from the light emitting layer from being trapped inside the substrate And is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-175354.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2014-175354호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-175354

그러나, 특허문헌 1에 개시된 발광 다이오드에서는, 기판의 이면에 투명 부재를 첩착시킴으로써 휘도가 약간 향상되었지만 충분한 휘도를 얻을 수 없다고 하는 문제가 있다.However, in the light emitting diode disclosed in Patent Document 1, there is a problem that although the brightness is slightly improved by attaching the transparent member to the back surface of the substrate, sufficient brightness can not be obtained.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 충분한 휘도를 얻을 수 있는 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip capable of obtaining a sufficient luminance.

청구항 1에 기재된 발명에 따르면, 발광 다이오드 칩의 제조 방법으로서, 결정 성장용의 투명 기판 상에 발광층을 포함하는 복수의 반도체층이 형성된 적층체층을 가지며, 상기 적층체층의 표면에 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 각각 LED 회로가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 공정과, 투명 기판의 표면에 상기 웨이퍼의 각 LED 회로에 대응하여 복수의 홈을 형성하는 투명 기판 가공 공정과, 상기 투명 기판 가공 공정을 실시한 후, 상기 웨이퍼의 이면에 상기 투명 기판의 표면을 첩착시켜 일체화 웨이퍼를 형성하는 일체화 공정과, 상기 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 상기 투명 기판과 함께 절단하여 상기 일체화 웨이퍼를 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정을 포함한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩의 제조 방법이 제공된다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting diode chip, comprising: forming a plurality of semiconductor layers including a light emitting layer on a transparent substrate for crystal growth, A transparent substrate processing step of forming a plurality of grooves on the surface of the transparent substrate in correspondence with the respective LED circuits of the wafer; An integrated process for forming an integrated wafer by adhering a surface of the transparent substrate to a back surface of the wafer after the transparent substrate processing step is performed; and a step of cutting the wafer along the line to be divided along with the transparent substrate, A light emitting diode chip, and a light emitting diode chip. The manufacturing method of the LED chip is provided.

바람직하게는, 투명 기판 가공 공정에서 형성되는 홈의 단면 형상은, 삼각 형상, 사각 형상, 또는 반원 형상 중 어느 하나이다. 바람직하게는, 투명 기판 가공 공정에서 형성되는 홈은, 절삭 블레이드, 에칭, 샌드 블라스트, 레이저 중 어느 하나로 형성된다.Preferably, the cross-sectional shape of the groove formed in the transparent substrate processing step is any one of a triangular shape, a rectangular shape, or a semicircular shape. Preferably, the grooves to be formed in the transparent substrate processing step are formed by any one of cutting blades, etching, sandblasting, and laser.

바람직하게는, 상기 투명 기판은, 투명 세라믹스, 광학 유리, 사파이어, 투명 수지 중 어느 하나로 형성되고, 상기 일체화 공정에 있어서 상기 투명 기판은 투명 접착제로 웨이퍼에 접착된다.Preferably, the transparent substrate is formed of any one of transparent ceramics, optical glass, sapphire, and transparent resin, and the transparent substrate is bonded to the wafer with a transparent adhesive in the integrating step.

청구항 5에 기재된 발명에 따르면, 발광 다이오드 칩으로서, 표면에 LED 회로가 형성된 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드의 이면에 첩착된 투명 부재를 구비하고, 상기 투명 부재의 상기 발광 다이오드와의 첩착면에는 홈이 형성되어 있는 발광 다이오드 칩이 제공된다.According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode chip comprising: a light emitting diode having an LED circuit formed on its surface; and a transparent member adhered to a back surface of the light emitting diode, Emitting diode chip is provided.

본 발명의 발광 다이오드 칩은, LED의 이면에 첩착된 투명 부재의 표면에 홈이 형성되어 있기 때문에, 투명 부재의 표면적이 증대하는 것에 덧붙여, LED의 발광층으로부터 조사되어 투명 부재에 입사되는 광이 홈 부분에서 복잡하게 굴절되기 때문에, 투명 부재로부터 출사될 때에 투명 부재와 공기층과의 계면에서의 입사각이 임계각 이상인 광의 비율이 감소하고, 투명 부재로부터 출사되는 광의 양이 증대하여 발광 다이오드 칩의 휘도가 향상된다.In the light emitting diode chip of the present invention, since the groove is formed on the surface of the transparent member adhered to the back surface of the LED, in addition to the surface area of the transparent member, the light irradiated from the light emitting layer of the LED, The ratio of the light having the incident angle at the interface between the transparent member and the air layer at the time of emergence from the transparent member is reduced to a critical angle or more and the amount of light emitted from the transparent member is increased to improve the brightness of the light emitting diode chip do.

도 1은 광 디바이스 웨이퍼의 표면측 사시도이다.
도 2의 (A)는 투명 기판 가공 공정을 도시한 사시도, 도 2의 (B)~도 2의 (D)는 형성된 홈 형상을 도시한 단면도이다.
도 3의 (A)는 표면에 제1 방향으로 신장되는 복수의 홈을 갖는 투명 기판을 웨이퍼의 이면에 첩착시켜 일체화하는 일체화 공정을 도시한 사시도, 도 3의 (B)는 일체화 웨이퍼의 사시도이다.
도 4는 제1 방향 및 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 복수의 홈을 표면에 갖는 투명 기판을 웨이퍼의 이면을 첩착시켜 일체화하는 일체화 공정을 도시한 사시도이다.
도 5는 일체화 웨이퍼를 다이싱 테이프를 통해 환형 프레임으로 지지하는 지지 공정을 도시한 사시도이다.
도 6은 일체화 웨이퍼를 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정을 도시한 사시도이다.
도 7은 분할 공정 종료 후의 일체화 웨이퍼의 사시도이다.
도 8의 (A)~도 8의 (C)는 본 발명 실시형태에 따른 발광 다이오드 칩의 사시도이다.1 is a front side perspective view of an optical device wafer.
FIG. 2A is a perspective view showing a transparent substrate processing step, and FIGS. 2B to 2D are sectional views showing grooves formed. FIG.
FIG. 3 (A) is a perspective view showing an integrated process of integrating a transparent substrate having a plurality of grooves extending in a first direction on a surface thereof to a back surface of the wafer, and FIG. 3 (B) is a perspective view of the integrated wafer .
Fig. 4 is a perspective view showing an integration step of integrating the back surface of a wafer with a transparent substrate having a plurality of grooves extending in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction on the surface thereof, thereby integrating the wafer.
5 is a perspective view showing a supporting process of supporting the integrated wafer to the annular frame through the dicing tape.
6 is a perspective view showing a dividing step of dividing the integrated wafer into light emitting diode chips.
7 is a perspective view of the integrated wafer after the dividing process is completed.
8A to 8C are perspective views of a light emitting diode chip according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 광 디바이스 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 약칭하는 경우가 있음)(11)의 표면측 사시도가 도시되어 있다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to Fig. 1, there is shown a front side perspective view of an optical device wafer (hereinafter sometimes simply referred to as a wafer) 11.

광 디바이스 웨이퍼(11)는, 사파이어 기판(13) 상에 질화갈륨(GaN) 등의 에피택셜층(적층체층)(15)이 적층되어 구성되어 있다. 광 디바이스 웨이퍼(11)는, 에피택셜층(15)이 적층된 표면(11a)과, 사파이어 기판(13)이 노출된 이면(11b)을 갖고 있다.The optical device wafer 11 is constituted by stacking an epitaxial layer (laminate layer) 15 such as gallium nitride (GaN) on a sapphire substrate 13. The optical device wafer 11 has a surface 11a on which the epitaxial layer 15 is laminated and a back surface 11b on which the sapphire substrate 13 is exposed.

여기서, 본 실시형태의 광 디바이스 웨이퍼(11)에서는, 결정 성장용 기판으로서 사파이어 기판(13)을 채용하고 있지만, 사파이어 기판(13) 대신에 GaN 기판 또는 SiC 기판 등을 채용하도록 하여도 좋다.Here, in the optical device wafer 11 of the present embodiment, the sapphire substrate 13 is used as the substrate for crystal growth, but a GaN substrate or a SiC substrate may be employed in place of the sapphire substrate 13. [

적층체층(에피택셜층)(15)은, 전자가 다수 캐리어가 되는 n형 반도체층(예컨대, n형 GaN층), 발광층이 되는 반도체층(예컨대, InGaN층), 정공이 다수 캐리어가 되는 p형 반도체층(예컨대, p형 GaN층)을 차례로 에피택셜 성장시킴으로써 형성된다.The stacked layer (epitaxial layer) 15 includes an n-type semiconductor layer (for example, n-type GaN layer) in which electrons become majority carriers, a semiconductor layer (for example, InGaN layer) Type semiconductor layer (for example, a p-type GaN layer) in this order.

사파이어 기판(13)은 예컨대 100 ㎛의 두께를 갖고 있고, 적층체층(15)은 예컨대 5 ㎛의 두께를 갖고 있다. 적층체층(15)에 복수의 LED 회로(19)가 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(17)에 의해 구획되어 형성되어 있다. 웨이퍼(11)는, LED 회로(19)가 형성된 표면(11a)과, 사파이어 기판(13)이 노출된 이면(11b)을 갖고 있다.The sapphire substrate 13 has a thickness of, for example, 100 mu m, and the laminate layer 15 has a thickness of, for example, 5 mu m. The laminated body layer 15 is formed by being partitioned by a plurality of lines 17 to be divided in which a plurality of LED circuits 19 are formed in a lattice form. The wafer 11 has a surface 11a on which the LED circuit 19 is formed and a back surface 11b on which the sapphire substrate 13 is exposed.

본 발명 실시형태의 발광 다이오드 칩의 제조 방법에 따르면, 우선 도 1에 도시된 바와 같은 광 디바이스 웨이퍼(11)를 준비하는 웨이퍼 준비 공정을 실시한다. 또한, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 첩착하는 투명 기판(21)의 표면(21a)에 LED 회로(19)에 대응하여 복수의 홈을 형성하는 투명 기판 가공 공정을 실시한다.According to the method for manufacturing a light emitting diode chip of the embodiment of the present invention, first, a wafer preparation step for preparing the optical device wafer 11 as shown in Fig. A transparent substrate processing step of forming a plurality of grooves corresponding to the LED circuit 19 on the surface 21a of the transparent substrate 21 attached to the back surface 11b of the wafer 11 is performed.

이 투명 기판 가공 공정은, 예컨대 잘 알려져 있던 절삭 장치를 이용하여 실시한다. 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 절삭 장치의 절삭 유닛(10)은, 스핀들 하우징(12)과, 스핀들 하우징(12) 중에 회전 가능하게 삽입된 도시하지 않은 스핀들과, 스핀들의 선단에 장착된 절삭 블레이드(14)를 포함하고 있다.This transparent substrate processing step is performed using, for example, a well-known cutting apparatus. 2 (A), the cutting unit 10 of the cutting apparatus includes a spindle housing 12, a spindle (not shown) rotatably inserted in the spindle housing 12, And a cutting blade 14 mounted thereon.

절삭 블레이드(14)의 절삭날은, 예컨대 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 고정시킨 전주(電鑄) 지석으로 형성되어 있고, 그 선단 형상은 삼각 형상, 사각 형상, 또는 반원 형상을 하고 있다.The cutting edge of the cutting blade 14 is formed, for example, of a diamond grindstone in which diamond abrasive grains are fixed by nickel plating, and has a triangular shape, a quadrangular shape, or a semicircular shape.

절삭 블레이드(14)의 대략 상반부는 블레이드 커버(휠 커버)(16)로 덮여 있고, 블레이드 커버(16)에는 절삭 블레이드(14)의 깊이측 및 전방측에 수평으로 신장되는 한 쌍의(1개만 도시) 쿨러 노즐(18)이 배치되어 있다.A substantially upper half portion of the cutting blade 14 is covered with a blade cover 16 and a pair of (1) pieces extending horizontally on the depth side and the front side of the cutting blade 14 are provided on the blade cover 16 City) cooler nozzles 18 are disposed.

투명 기판(21)의 표면(21a)에 복수의 홈(23)을 형성하는 투명 기판 가공 공정에서는, 투명 기판(21)을 도시하지 않은 절삭 장치의 척 테이블로 흡인 유지한다. 그리고, 절삭 블레이드(14)를 화살표(R) 방향으로 고속 회전시키면서 투명 기판(21)의 표면(21a)에 소정 깊이 절입하여, 도시하지 않은 척 테이블에 유지된 투명 기판(21)을 화살표(X1) 방향으로 가공 이송함으로써, 제1 방향으로 신장되는 홈(23)을 절삭에 의해 형성한다.In the transparent substrate processing step of forming a plurality of grooves 23 on the surface 21a of the transparent substrate 21, the transparent substrate 21 is sucked and held by a chuck table of a cutting device (not shown). The cutting blade 14 is rotated at a high speed in the direction of the arrow R while being inserted into the surface 21a of the transparent substrate 21 by a predetermined depth so that the transparent substrate 21 held on the chuck table ) To form a groove 23 extending in the first direction by cutting.

투명 기판(21)을 화살표(X1) 방향에 직교하는 방향으로 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(17)의 피치씩 인덱싱 이송하면서, 투명 기판(21)의 표면(21a)을 절삭하여, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 방향으로 신장되는 복수의 홈(23)을 차례차례로 형성한다.The surface 21a of the transparent substrate 21 is cut while the transparent substrate 21 is indexed by the pitch of the dividing line 17 of the wafer 11 in the direction orthogonal to the direction of the arrow X1, A plurality of grooves 23 extending in the first direction are formed in order, as shown in Fig.

도 3의 (A)에 도시된 바와 같이, 투명 기판(21)의 표면(21a)에 형성하는 복수의 홈(23)은 한 방향으로만 신장되는 형태라도 좋고, 혹은 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 방향 및 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 복수의 홈(23)을 투명 기판(21)의 표면(21a)에 형성하도록 하여도 좋다.The plurality of grooves 23 formed on the surface 21a of the transparent substrate 21 may be elongated only in one direction as shown in Fig. A plurality of grooves 23 extending in the first direction and in the second direction orthogonal to the first direction may be formed on the surface 21a of the transparent substrate 21. [

투명 기판(21)의 표면(21a)에 형성하는 홈은, 도 2의 (B)에 도시된 바와 같은 단면 삼각 형상의 홈(23), 또는 도 2의 (C)에 도시된 바와 같은 단면 사각 형상의 홈(23A), 또는 도 2의 (D)에 도시된 바와 같은 단면 반원 형상의 홈(23B) 중 어느 하나여도 좋다.The grooves formed on the surface 21a of the transparent substrate 21 are formed in the grooves 23 having a triangular cross section as shown in Fig.2B or the cross- Shaped groove 23A, or a half-circle-shaped groove 23B as shown in Fig. 2 (D).

투명 기판(21)은, 투명 수지, 광학 유리, 사파이어, 투명 세라믹스 중 어느 하나로 형성된다. 본 실시형태에서는, 광학 유리에 비하여 내구성이 있는 폴리카보네이트, 아크릴 등의 투명 수지로 투명 기판(21)을 형성하였다. 또한, 홈을 형성하는 방법으로서, 샌드 블라스트, 에칭, 레이저를 이용하여도 좋다.The transparent substrate 21 is formed of any one of transparent resin, optical glass, sapphire, and transparent ceramics. In the present embodiment, the transparent substrate 21 is formed of a transparent resin such as polycarbonate or acrylic which is durable as compared with the optical glass. As a method of forming the grooves, sandblast, etching, and laser may be used.

투명 기판(21)의 표면(21a)에 복수의 홈(23, 23A, 23B)을 형성하는 투명 기판 가공 공정을 실시한 후, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 투명 기판(21)을 첩착시켜 일체화 웨이퍼(25)를 형성하는 일체화 공정을 실시한다.The transparent substrate 21 is adhered to the back surface 11b of the wafer 11 after a transparent substrate processing step of forming a plurality of grooves 23, 23A and 23B on the surface 21a of the transparent substrate 21 An integrated process for forming the integrated wafer 25 is performed.

이 일체화 공정에서는, 도 3의 (A)에 도시된 바와 같이, 표면(21a)에 제1 방향으로 신장되는 복수의 홈(23)이 형성된 투명 기판(21)의 표면에, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 투명 접착제에 의해 접착하여, 도 3의 (B)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(11)와 투명 기판(21)을 일체화하여 일체화 웨이퍼(25)를 형성한다.In this integration step, as shown in Fig. 3A, on the surface of the transparent substrate 21 on which the plurality of grooves 23 extending in the first direction are formed on the surface 21a, The back surface 11b is adhered with a transparent adhesive so that the wafer 11 and the transparent substrate 21 are integrated with each other to form an integrated wafer 25 as shown in FIG.

대체 실시형태로서, 투명 기판(21)의 표면(21a)에 제1 방향 및 이 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 복수의 홈(23)을 갖는 투명 기판(21)의 표면(21a)에, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 투명 접착제에 의해 접착하여, 웨이퍼(11)와 투명 기판(21)을 일체화하도록 하여도 좋다. 여기서, 투명 기판(21)의 표면(21a)에 형성한 홈(23)의 피치는 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(17)의 피치에 대응한다.The surface 21a of the transparent substrate 21 having the plurality of grooves 23 extending in the first direction and the second direction orthogonal to the first direction is formed on the surface 21a of the transparent substrate 21 as an alternative embodiment, The back surface 11b of the wafer 11 may be bonded to the transparent substrate 21 by a transparent adhesive so that the wafer 11 and the transparent substrate 21 are integrated. Here, the pitch of the grooves 23 formed on the surface 21a of the transparent substrate 21 corresponds to the pitch of the lines 11 of the wafers 11 to be divided.

일체화 공정을 실시한 후, 도 5에 도시된 바와 같이, 일체화 웨이퍼(25)의 투명 기판(21)을 외주부가 환형 프레임(F)에 첩착된 다이싱 테이프(T)에 첩착시켜 프레임 유닛을 형성하고, 일체화 웨이퍼(25)를 다이싱 테이프(T)를 통해 환형 프레임(F)으로 지지하는 지지 공정을 실시한다.The transparent substrate 21 of the integrated wafer 25 is adhered to the dicing tape T adhered to the annular frame F to form the frame unit 21 as shown in Fig. , The supporting step of supporting the integrated wafer 25 with the annular frame F through the dicing tape T is performed.

지지 공정을 실시한 후, 프레임 유닛을 절삭 장치에 투입하고, 절삭 장치로 일체화 웨이퍼(25)를 절삭하여 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 단계를 실시한다. 이 분할 단계에 대해서, 도 6을 참조하여 설명한다.After the supporting process is performed, the frame unit is put into the cutting device, and the integrated wafer 25 is cut by the cutting device and divided into individual LED chips. This division step will be described with reference to Fig.

분할 단계에서는, 일체화 웨이퍼(25)를 프레임 유닛의 다이싱 테이프(T)를 통해 절삭 장치의 척 테이블(20)로 흡인 유지하고, 환형 프레임(F)은 도시하지 않은 클램프로 클램프하여 고정한다.In the dividing step, the integrated wafer 25 is sucked and held by the chuck table 20 of the cutting device through the dicing tape T of the frame unit, and the annular frame F is fixed by clamping with a clamp (not shown).

그리고, 절삭 블레이드(14)를 화살표(R) 방향으로 고속 회전시키면서 절삭 블레이드(14)의 선단이 다이싱 테이프(T)에 닿을 때까지 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(17)에 절입하고, 쿨러 노즐(18)로부터 절삭 블레이드(14) 및 웨이퍼(11)의 가공점을 향해 절삭액을 공급하면서, 일체화 웨이퍼(25)를 화살표(X1) 방향으로 가공 이송함으로써, 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(17)을 따라 웨이퍼(11) 및 투명 기판(21)을 절단하는 절단홈(27)을 형성한다.The cutting blade 14 is rotated at a high speed in the direction of the arrow R and the cutting blade 14 is inserted into the line 17 to be divided of the wafer 11 until the tip of the cutting blade 14 touches the dicing tape T, The integrated wafer 25 is processed and transferred in the direction of the arrow X1 while the cutting liquid is supplied from the cooler nozzle 18 toward the cutting point of the cutting blade 14 and the wafer 11, A cutting groove 27 for cutting the wafer 11 and the transparent substrate 21 along the line 17 is formed.

절삭 유닛(10)을 Y축 방향으로 인덱싱 이송하면서, 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(17)을 따라 동일한 절단홈(27)을 차례차례로 형성한다. 계속해서, 척 테이블(20)을 90° 회전하고 나서, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(17)을 따라 동일한 절단홈(27)을 형성하여, 도 7에 도시된 상태로 함으로써, 일체화 웨이퍼(25)를 도 8의 (A)에 도시된 바와 같은 발광 다이오드 칩(31)으로 분할한다.The same cutting grooves 27 are formed in order along the line to be divided 17 extending in the first direction while the cutting unit 10 is being indexed and transferred in the Y-axis direction. Subsequently, after the chuck table 20 is rotated by 90 degrees, the same cutting grooves 27 are formed along all the lines 17 to be divided extending in the second direction orthogonal to the first direction, The integrated wafer 25 is divided into the light emitting diode chips 31 as shown in Fig. 8 (A).

전술한 실시형태에서는, 일체화 웨이퍼(25)를 개개의 발광 다이오드 칩(31)으로 분할하는 데 절삭 장치를 사용하고 있지만, 웨이퍼(11) 및 투명 기판(21)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 분할 예정 라인(13)을 따라 웨이퍼(11)에 조사하여, 웨이퍼(11) 및 투명 기판(21)의 내부에 두께 방향으로 복수층의 개질층을 형성하고, 계속해서 일체화 웨이퍼(25)에 외력을 부여하여, 개질층을 분할 기점으로 일체화 웨이퍼(25)를 개개의 발광 다이오드 칩(31)으로 분할하도록 하여도 좋다.The cutting device is used to divide the integrated wafer 25 into the individual light emitting diode chips 31 in the above-described embodiment. However, it is also possible to use a laser beam of a wavelength having a transmittance to the wafer 11 and the transparent substrate 21 A plurality of modified layers in the thickness direction are formed in the wafers 11 and the transparent substrate 21 by the irradiation of the wafers 11 along the line to be divided 13, An external force may be applied to divide the integrated wafer 25 into individual light emitting diode chips 31 using the modified layer as a dividing point.

도 8의 (A)에 도시된 발광 다이오드 칩(31)은, 표면에 LED 회로(19)를 갖는 LED(13A)의 이면에 투명 부재(21A)가 첩착되어 있다. 또한, 투명 부재(21A)의 표면에 홈(23)이 형성되어 있다.A light emitting diode chip 31 shown in Fig. 8A has a transparent member 21A attached to the back surface of an LED 13A having an LED circuit 19 on its surface. In addition, a groove 23 is formed on the surface of the transparent member 21A.

따라서, 도 8의 (A)에 도시된 발광 다이오드 칩(31)에서는, 투명 부재(21A)의 표면에 홈(23)이 형성되어 있기 때문에, 투명 부재(21A)의 표면적이 증대된다. 또한, 발광 다이오드 칩(31)의 LED 회로(19)로부터 출사되어 투명 부재(21A)에 입사되는 광의 일부는 홈(23) 부분에서 굴절되고 나서 투명 부재(21A) 내로 진입한다.Therefore, in the light emitting diode chip 31 shown in Fig. 8A, since the groove 23 is formed on the surface of the transparent member 21A, the surface area of the transparent member 21A is increased. A part of the light emitted from the LED circuit 19 of the light emitting diode chip 31 and incident on the transparent member 21A is refracted in the groove 23 and enters the transparent member 21A.

따라서, 투명 부재(21A)로부터 외부로 굴절되어 출사될 때, 투명 부재(21A)와 공기층과의 계면에서의 입사각이 임계각 이상이 되는 광의 비율이 감소되고, 투명 부재(21A)로부터 출사되는 광의 양이 증대되어, 발광 다이오드 칩(31)의 휘도가 향상된다.Therefore, when the light is refracted outward from the transparent member 21A and exiting, the ratio of light whose incident angle at the interface between the transparent member 21A and the air layer becomes a critical angle or more decreases, and the amount of light emitted from the transparent member 21A And the brightness of the light emitting diode chip 31 is improved.

도 8의 (B)에 도시된 발광 다이오드 칩(31A)에서는, LED(13A)의 이면에, 표면에 단면 사각 형상의 홈(23A)을 갖는 투명 부재(21A)가 투명한 접착제에 의해 첩착되어 있다. 본 실시형태의 발광 다이오드 칩(31A)에서도, 도 8의 (A)에 도시된 발광 다이오드 칩(31)과 마찬가지로, LED 회로(19)로부터 출사되어 투명 부재(21A)에 입사되는 광의 일부는, 단면 사각형의 홈(23A) 부분에서 굴절되고 나서 투명 부재(21A) 내로 진입한다.In the light emitting diode chip 31A shown in Fig. 8B, a transparent member 21A having a square groove 23A in cross section on the surface is attached to the back of the LED 13A by a transparent adhesive . In the light emitting diode chip 31A of the present embodiment as well as the light emitting diode chip 31 shown in Fig. 8A, part of the light emitted from the LED circuit 19 and incident on the transparent member 21A, Is refracted at the groove 23A of the square section, and then enters the transparent member 21A.

따라서, 투명 부재(21A) 내로부터 외부로 출사될 때, 투명 부재(21A)와 공기층과의 계면에서의 입사각이 임계각 이상이 되는 광의 비율이 감소하고, 투명 부재(21A)로부터 출사되는 광의 양이 증대되어, 발광 다이오드 칩(31A)의 휘도가 향상된다.Therefore, when the light is emitted from the inside of the transparent member 21A to the outside, the ratio of light whose incident angle at the interface between the transparent member 21A and the air layer becomes a critical angle or more decreases and the amount of light emitted from the transparent member 21A becomes And the brightness of the light emitting diode chip 31A is improved.

도 8의 (C)를 참조하면, 다른 실시형태의 발광 다이오드 칩(31B)의 사시도가 더 도시되어 있다. 본 실시형태의 발광 다이오드 칩(31B)에서는, 투명 부재(21A)의 표면에 단면 사각 형태의 홈(23A)이 서로 직교하는 방향으로 형성되어 있기 때문에, LED 회로(19)로부터 출사되어 투명 부재(21A)에 입사되는 광 중, 홈(23A) 내에서 굴절되어 입사되는 광의 양이 증대된다.Referring to Fig. 8 (C), a perspective view of the light emitting diode chip 31B of another embodiment is further shown. The light emitting diode chip 31B of the present embodiment is formed in such a manner that grooves 23A having a rectangular cross section are formed perpendicular to each other on the surface of the transparent member 21A, The amount of light refracted and incident in the groove 23A is increased in the light incident on the light guide plate 21A.

따라서, 투명 부재(21A)와 공기층과의 계면에서의 입사각이 임계각 이상이 되는 광의 양이 감소되기 때문에, 투명 부재(21A)로부터 외부로 출사되는 광의 양이 증대되어, 발광 다이오드 칩(31B)의 휘도가 향상된다.The amount of light emitted from the transparent member 21A to the outside is increased because the amount of light at which the incident angle at the interface between the transparent member 21A and the air layer is greater than the critical angle is reduced, Brightness is improved.

도 8의 (A)~도 8의 (C)에 도시된 실시형태에서는, 투명 부재(21A)는 단면 삼각 형상의 홈(23) 또는 단면 사각 형상의 홈(23A)을 갖고 있지만, 투명 부재(21A)가 도 2의 (D)에 도시된 단면 반원 형상의 홈(23B)을 갖는 경우에 대해서도 동일한 효과가 있다.In the embodiment shown in Figs. 8A to 8C, the transparent member 21A has the triangular groove 23 or the groove 23A having a rectangular cross section, but the transparent member 21A 21A have a semi-circular groove 23B having a half section shown in Fig. 2 (D).

10 : 절삭 유닛 11 : 광 디바이스 웨이퍼(웨이퍼)
13 : 사파이어 기판 14 : 절삭 블레이드
15 : 적층체층 17 : 분할 예정 라인
19 : LED 회로 21 : 투명 기판
21A : 투명 부재 23, 23A, 23B : 홈
25 : 일체화 웨이퍼 27 : 절단홈
31, 31A, 31B : 발광 다이오드 칩10: cutting unit 11: optical device wafer (wafer)
13: sapphire substrate 14: cutting blade
15: laminate layer 17: line to be divided
19: LED circuit 21: transparent substrate
21A: transparent member 23, 23A, 23B: groove
25: integrated wafer 27: cutting groove
31, 31A, 31B: light emitting diode chips

Claims (5)

발광 다이오드 칩의 제조 방법으로서,
결정 성장용의 투명 기판 상에 발광층을 포함하는 복수의 반도체층이 형성된 적층체층을 가지며, 상기 적층체층의 표면에 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 각각 LED 회로가 형성된 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 공정과,
투명 기판의 표면에 상기 웨이퍼의 각 LED 회로에 대응하여 복수의 홈을 형성하는 투명 기판 가공 공정과,
상기 투명 기판 가공 공정을 실시한 후, 상기 웨이퍼의 이면에 상기 투명 기판의 표면을 첩착시켜 일체화 웨이퍼를 형성하는 일체화 공정과,
상기 웨이퍼를 상기 분할 예정 라인을 따라 상기 투명 기판과 함께 절단하여 상기 일체화 웨이퍼를 개개의 발광 다이오드 칩으로 분할하는 분할 공정
을 포함한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩의 제조 방법.A method of manufacturing a light emitting diode chip,
1. A semiconductor device comprising: a semiconductor substrate having a plurality of semiconductor layers including a light emitting layer formed on a transparent substrate for crystal growth, each semiconductor substrate having a plurality of semiconductor layers formed thereon, A wafer preparation step of preparing a wafer,
A transparent substrate processing step of forming a plurality of grooves on the surface of the transparent substrate in correspondence with the respective LED circuits of the wafer;
An integrating step of forming an integrated wafer by adhering the surface of the transparent substrate to the back surface of the wafer after the transparent substrate processing step,
A dividing step of dividing the integrated wafer into individual light emitting diode chips by cutting the wafer together with the transparent substrate along the line to be divided
And forming a light emitting diode chip on the light emitting diode chip. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판 가공 공정에서 형성되는 상기 홈의 단면 형상은 삼각 형상, 사각 형상, 반원 형상 중 어느 하나인 것인 발광 다이오드 칩의 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting diode chip according to claim 1, wherein a cross-sectional shape of the groove formed in the transparent substrate processing step is one of a triangular shape, a quadrangular shape, and a semicircular shape. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판 가공 공정에 있어서, 상기 홈은 절삭 블레이드, 에칭, 샌드 블라스트, 레이저 중 어느 하나로 형성되는 것인 발광 다이오드 칩의 제조 방법.The manufacturing method of a light emitting diode chip according to claim 1, wherein in the transparent substrate processing step, the groove is formed by any one of a cutting blade, etching, sandblasting, and laser. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판은, 투명 세라믹스, 광학 유리, 사파이어, 투명 수지 중 어느 하나로 형성되고, 상기 일체화 공정에 있어서 상기 투명 기판은 투명 접착제를 사용하여 상기 웨이퍼에 첩착되는 것인 발광 다이오드 칩의 제조 방법.The light emitting diode according to claim 1, wherein the transparent substrate is formed of any one of transparent ceramics, optical glass, sapphire, and transparent resin, and the transparent substrate is attached to the wafer using a transparent adhesive in the integrating process / RTI > 발광 다이오드 칩으로서,
표면에 LED 회로가 형성된 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드의 이면에 첩착된 투명 부재를 구비하고,
상기 투명 부재의 상기 발광 다이오드와의 첩착면에는 홈이 형성되어 있는 것인 발광 다이오드 칩.As a light emitting diode chip,
A light emitting diode having a surface on which an LED circuit is formed, and a transparent member adhered to a back surface of the light emitting diode,
And a groove is formed in a surface of the transparent member which is joined to the light emitting diode.
KR1020170068417A 2016-06-03 2017-06-01 Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip KR102225477B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016111539A JP2017220475A (en) 2016-06-03 2016-06-03 Method for manufacturing light-emitting diode chip and light-emitting diode chip
JPJP-P-2016-111539 2016-06-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170137645A true KR20170137645A (en) 2017-12-13
KR102225477B1 KR102225477B1 (en) 2021-03-08

Family

ID=60546141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170068417A KR102225477B1 (en) 2016-06-03 2017-06-01 Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2017220475A (en)
KR (1) KR102225477B1 (en)
CN (1) CN107464872B (en)
TW (1) TWI717506B (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070000323A (en) * 2005-06-27 2007-01-02 주식회사 엘지화학 Light emitting diode device having enhanced heat dissipation and preparation method thereof
JP2009016748A (en) * 2007-07-09 2009-01-22 Toshiba Discrete Technology Kk Semiconductor light-emitting device and its manufacturing method
KR20090030704A (en) * 2007-09-20 2009-03-25 삼성모바일디스플레이주식회사 A method of cutting an organic electroluminescent display cell and an organic electroluminescent display thereby
KR20120130495A (en) * 2011-05-23 2012-12-03 엘지이노텍 주식회사 Support element for semiconductor
KR101426433B1 (en) * 2013-04-30 2014-08-06 주식회사 세미콘라이트 Manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2014175354A (en) 2013-03-06 2014-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd Light-emitting diode

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278751A (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Mitsubishi Cable Ind Ltd Garium nitride-based semiconductor light emitting element
JP2011009305A (en) * 2009-06-23 2011-01-13 Koito Mfg Co Ltd Light-emitting module
KR101843501B1 (en) * 2011-03-30 2018-03-29 서울반도체 주식회사 Lighting apparatus
CN102832294A (en) * 2011-06-13 2012-12-19 中山市世耀光电科技有限公司 Method for packaging LED light source and LED light source
WO2013114480A1 (en) * 2012-02-01 2013-08-08 パナソニック株式会社 Semiconductor light-emitting element, method for manufacturing same, and light source device
US9577164B2 (en) * 2013-08-30 2017-02-21 Asahi Kasei E-Materials Corporation Semiconductor light emitting device and optical film
TW201614870A (en) * 2014-10-08 2016-04-16 Toshiba Kk Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
CN104993029A (en) * 2015-07-09 2015-10-21 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 Semiconductor light-emitting chip scale package

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070000323A (en) * 2005-06-27 2007-01-02 주식회사 엘지화학 Light emitting diode device having enhanced heat dissipation and preparation method thereof
JP2009016748A (en) * 2007-07-09 2009-01-22 Toshiba Discrete Technology Kk Semiconductor light-emitting device and its manufacturing method
KR20090030704A (en) * 2007-09-20 2009-03-25 삼성모바일디스플레이주식회사 A method of cutting an organic electroluminescent display cell and an organic electroluminescent display thereby
KR20120130495A (en) * 2011-05-23 2012-12-03 엘지이노텍 주식회사 Support element for semiconductor
JP2014175354A (en) 2013-03-06 2014-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd Light-emitting diode
KR101426433B1 (en) * 2013-04-30 2014-08-06 주식회사 세미콘라이트 Manufacturing method of semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
TW201812895A (en) 2018-04-01
CN107464872A (en) 2017-12-12
KR102225477B1 (en) 2021-03-08
JP2017220475A (en) 2017-12-14
TWI717506B (en) 2021-02-01
CN107464872B (en) 2022-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180038379A (en) Method for manufacturing a light emitting diode chip and the light emitting diode chip
KR102304244B1 (en) Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip
KR102327105B1 (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
KR102270092B1 (en) Method for manufacturing light emitting diode chip
KR20180102008A (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
KR20180016945A (en) Method for manufacturing light-emitting diode chip and light-emitting diode chip
KR20180016944A (en) Method for manufacturing light-emitting diode chip and light-emitting diode chip
KR102315305B1 (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
KR20180006848A (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
KR102225477B1 (en) Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip
KR102228498B1 (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
KR102314054B1 (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
KR102270094B1 (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
KR102311576B1 (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
KR102304248B1 (en) Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip
KR102311574B1 (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
JP2018182165A (en) Method for manufacturing light-emitting diode chip and light-emitting diode chip
KR102212255B1 (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
KR102166197B1 (en) Method for manufacturing a light emitting diode chip and the light emitting diode chip
KR102164309B1 (en) Method for manufacturing a light emitting diode chip and the light emitting diode chip
KR20180091747A (en) Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip
KR20170137647A (en) Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip
KR20180016943A (en) Method for manufacturing light-emitting diode chip and light-emitting diode chip
KR20180037107A (en) Method for manufacturing light emitting diode chip and light emitting diode chip
KR20180083796A (en) Method for manufacturing a light emitting diode chip and a light emitting diode chip

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20170601

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20190603

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20170601

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20200724

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20201203

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20210303

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20210303

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240219

Start annual number: 4

End annual number: 4