KR20170136443A - 리소그래피 방법, 결정 방법, 정보 처리 장치, 기억 매체, 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

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KR20170136443A KR1020170067358A KR20170067358A KR20170136443A KR 20170136443 A KR20170136443 A KR 20170136443A KR 1020170067358 A KR1020170067358 A KR 1020170067358A KR 20170067358 A KR20170067358 A KR 20170067358A KR 20170136443 A KR20170136443 A KR 20170136443A
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Abstract

본 발명은, 주사 노광을 포함하는 공정에서의 제1 층을 형성하는 제1 처리 및 제2 층을 형성하는 제2 처리에 의해, 제1 크기를 각각 가지는 제1 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 제1 층, 및 서로 중첩시키고자 하는 2개 이상의 제1 샷 영역을 포함하는 크기에 상응하는 제2 크기를 각각 가지는 제2 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 제2 층을 기판 상에 형성하는 방법을 제공하고, 그러한 방법은, 제1 처리에서 제2 샷 영역 내에 포함되는 2개 이상의 제1 샷 영역 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 제2 샷 영역의 적어도 일부에서 동일하도록, 제1 샷 영역의 각각에 대해서, 제1 처리에서 제1 샷 영역에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향을 결정하는 단계를 포함한다.

Description

리소그래피 방법, 결정 방법, 정보 처리 장치, 기억 매체, 및 물품의 제조 방법{LITHOGRAPHY METHOD, DETERMINATION METHOD, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, STORAGE MEDIUM, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 리소그래피 방법, 결정 방법, 정보 처리 장치, 기억 매체, 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
국제 공개 제99/36949호 및 일본 특허공개 제2009-212471호는 상이한 리소그래피 장치들 사이의 중첩 정확도(믹스 및 매치(Mix & Match))에 관한 기술을 제시한다. 국제 공개 제99/36949호는 장치의 특성(결상 특성의 보정의 용이성)을 고려함으로써, 노광 장치 즉, 주사기 및 스텝퍼의 유형에 따라 중첩 정확도를 개선하는 노광 방법을 개시한다. 이러한 노광 방법에서, 복수의 노광 장치를 이용하여 서로 중첩되는 복수의 층(패턴)을 기판 상에 형성할 때, 복수의 노광 장치 중에서, 임의의 층을 형성하기 위한 노광 장치의 결상 특성이 다른 층을 형성하기 위한 노광 장치의 화상 왜곡 보정 특성을 고려하여 조정된다.
일본 특허공개 제2009-212471호는 하부층 패턴에 대해서, 샷 영역의 형상을 제어하기 어려운 임프린트 장치를 이용하는 것, 그리고 하부층 패턴 상에 중첩하기 위한 패턴에 대해서 노광 장치를 이용하는 것에 의해서, 샷 영역들 사이의 왜곡을 감소시키는 방법이 개시되어 있다.
최근, 반도체 소자에 대해서, 2-차원적인 소형화뿐만 아니라 3-차원적인 다층 구조에 의해서, 메모리의 용량을 증가시키고 또한 메모리의 크기를 감소시키기 위한 다양한 기술이 개발되었다. 이러한 기술의 진행과 함께, 반도체 소자를 제조하기 위해서 이용되는 리소그래피 장치의 유형이 다양화되었다. 또한, 반도체 소자의 3-차원적인 다층 구조가 층의 수를 증가시키기 때문에, 각각의 층에서 하부층 패턴과의 높은 중첩 정확도가 요구되는 경향이 있다. 예를 들어, 스텝퍼 또는 주사기와의 중첩 정확도, 통상의 화각(작은 화각)을 가지는 노광 장치와 큰 화각을 가지는 노광 장치 사이의 중첩 정확도, 임프린트 장치와 노광 장치 사이의 중첩 정확도, 및 기타가 높은 수준이 될 것이 요구되고 있다.
특히, 통상의 화각을 가지는 노광 장치와 큰 화각을 가지는 임프린트 장치 사이에서, 몰드가 가압되는 큰 화각의 샷 영역(임프린트 영역) 내에 포함되는 통상의 화각의 샷 영역(노광 영역)의 경향은 일반적으로 각각의 큰 화각마다 상이하다. 예를 들어, 큰 화각의 샷 영역 내에 포함된 통상의 화각의 샷 영역 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합이 변경될 가능성이 높다. 그에 따라, 이러한 장치들 사이의 샷 영역의 합치를 제어하는 것이 어렵고, 그에 따라 명확한 중첩 오류를 유발한다.
본 발명은 제1 및 제2 층을 서로 중첩되도록 기판 상에 형성할 때, 중첩 오류를 감소시키는데 있어서 유리한 리소그래피 방법을 제공한다.
본 발명의 하나의 양태에 따라서, 주사 노광을 포함하는 공정에서의 제1 층을 형성하는 제1 처리 및 제2 층을 형성하는 제2 처리에 의해, 제1 크기를 각각 가지는 복수의 제1 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 제1 층, 및 서로 중첩시키고자 하는 2개 이상의 제1 샷 영역을 포함하는 크기에 상응하는 제2 크기를 각각 가지는 복수의 제2 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 제2 층을 기판 상에 형성하는 리소그래피 방법이 제공되고, 그러한 방법은 제1 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제1 레이아웃 정보, 및 제2 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제2 레이아웃 정보를 취득하는 단계, 및 제1 레이아웃 정보 및 제2 레이아웃 정보를 기초로, 제1 샷 영역의 각각에 대해서, 제1 처리에서 제1 샷 영역에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향을 결정하는 단계를 포함하고, 그러한 결정 단계에서, 제1 처리에서 제2 샷 영역 내에 포함되는 2개 이상의 제1 샷 영역 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 제2 샷 영역의 적어도 일부에서 동일하도록, 주사 방향이 결정된다.
첨부된 도면을 참조한 예시적인 실시예에 관한 이하의 설명으로부터 본 발명의 추가적인 특징이 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 하나의 양태에 따른 리소그래피 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 2a 및 도 2b는 제1 샷 영역의 레이아웃의 예 및 제2 샷 영역의 레이아웃의 예를 각각 도시하는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 통상적인 기술에 따라 제1 및 제2 층이 서로 중첩되는 경우를 설명하는 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 실시예에 따라 제1 및 제2 층이 서로 중첩되는 경우를 설명하는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 제1 샷 영역의 레이아웃의 예 및 제2 샷 영역의 레이아웃의 예를 각각 도시하는 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 통상적인 기술에 따라 제1 및 제2 층이 서로 중첩되는 경우를 설명하는 도면이다.
도 7a 내지 도 7d는 실시예에 따라 제1 및 제2 층이 서로 중첩되는 경우를 설명하는 도면이다.
도 8은 각각의 제2 샷 영역 내에 포함된 4개의 제1 샷 영역의 주사 방향에 따른 노광 오류의 예를 도시한 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 노광 오류를 보정하기 위한 보정 표의 예를 도시한 도면이다.
도 10은 각각의 제2 샷 영역 내에 포함된 제1 샷 영역의 수를 설명하기 위한 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 각각의 제2 샷 영역 내에 포함된 제1 샷 영역의 수를 설명하기 위한 도면이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 이하에서 설명할 것이다. 도면 전반을 통해서 동일한 참조 번호가 동일한 부재를 나타내고, 그에 관한 반복적인 설명을 하지 않을 것임을 주목하여야 한다.
도 1은 본 발명의 하나의 양태에 따른 리소그래피 방법을 설명하는 흐름도이다. 이러한 리소그래피 방법에서, 주사 노광을 포함하는 공정에서 제1 층(예를 들어, N 번째 층)을 형성하는 제1 처리 및 제2 층(예를 들어, (N+1) 번째 층 또는 (N-1) 번째 층)을 형성하는 제2 처리에 의해, 제1 및 제2 층이 서로 중첩되도록 기판 상에 형성된다. 제1 층은 제1 크기를 각각 가지는 복수의 제1 샷 영역의 레이아웃을 포함하고, 제2 층은 2개 이상의 제1 샷 영역을 포함하는 크기에 상응하는 제2 크기를 각각 가지는 복수의 제2 샷 영역의 레이아웃을 포함한다. 제1 및 제2 공정에서, 상이한 리소그래피 장치들(상이한 유형들의 리소그래피 장치들)이 이용된다. 이러한 실시예에서, 마스크(레티클) 및 기판을 주사 방향으로 주사하면서 기판에 대한 노광(주사 노광)을 실시하기 위한 주사 노광 장치(주사기로 지칭되는 노광 장치, 또는 기타)가 제1 처리에서 이용되고, 몰드를 기판 상의 임프린트재와 접촉시키는 것에 의해서 패턴을 형성하기 위한 임프린트 장치가 제2 처리에서 이용된다. 그에 따라, 노광 장치는 작은 화각을 가지는 리소그래피 장치로서 이용되고(제1 샷 영역이 제1 크기를 갖는다), 임프린트 장치는 큰 화각을 가지는 리소그래피 장치로서 이용된다(제2 샷 영역이 제2 크기를 갖는다).
단계(S102)에서, 노광 장치에 의해서 형성된 제1 층 내의 제1 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제1 레이아웃 정보가 취득된다. 노광 장치(그 기억 유닛)는 제1 층을 형성하기 위한 레시피(recipe)를 기억한다. 레시피는 기판(샷 영역의 각각)에 대한 주사 노광을 실시할 때 노광 조건뿐만 아니라 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 레이아웃 정보를 포함한다. 그에 따라, 노광 장치에 기억된 레시피를 참조하여 제1 레이아웃 정보를 취득할 수 있다. 노광 조건은, 예를 들어, 각각의 샷 영역에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향 및 주사 속도, 각각의 샷 영역의 노광 순서, 노광량, 및 샷 영역들 사이의 기판의 이동 경로를 포함한다.
단계(S104)에서, 임프린트 장치에 의해서 형성된 제2 층 내의 제2 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제2 레이아웃 정보가 얻어진다. 임프린트 장치(그 기억 유닛)는 제2 층을 형성하기 위한 레시피를 기억한다. 레시피는 기판에 대한 임프린트 공정을 실시할 때 임프린트 조건뿐만 아니라 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 레이아웃 정보를 포함한다. 그에 따라, 임프린트 장치에 기억된 레시피를 참조하여 제2 레이아웃 정보를 취득할 수 있다. 임프린트 조건은 기판 상에 형성하고자 하는 임프린트재의 잔여 층 두께, 임프린트재로 몰드를 충진하는 시간, 및 몰드의 가압력을 포함한다. 잔여 층 두께는 기판의 표면과 경화된 임프린트재에 의해서 형성되는 패턴의 오목한 부분의 표면(하단부 표면) 사이의 임프린트재의 두께를 나타낸다는 것을 주목하여야 한다.
단계(S106)에서, 제1 및 제2 샷 영역들 사이의 중첩 조건이 균일한지의 여부, 즉, 제1 처리에서 각각의 제2 샷 영역 내에 포함되는 2개 이상의 제1 샷 영역 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 동일한지의 여부가 결정된다. 이러한 예에서, 주사 방향 및 2개 이상의 제1 샷 영역을 각각 포함하는 조합들이 동일하다는 사실은, 그러한 조합들이 제2 샷 영역의 적어도 일부(미리 결정된 수 이상)에서 동일하다는 것을 나타낸다. 만약 제1 및 제2 샷 영역들 사이의 중첩 조건이 비균일하다면, 공정은 단계(S108)로 진행된다. 다른 한편으로, 만약 제1 및 제2 샷 영역들 사이의 중첩 조건이 균일하다면, 공정은 단계(S112)로 진행된다.
단계(S108)에서, 제1 샷 영역의 각각에 대해서, 제1 처리에서 제1 샷 영역에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향은, 제1 및 제2 샷 영역들 사이의 중첩 조건이 균일하도록, 결정된다. 이러한 예에서, 제1 처리에서 제2 샷 영역 내에 포함된 2개 이상의 제1 샷 영역은 단계(S102)에서 취득된 제1 레이아웃 정보 및 단계(S104)에서 취득된 제2 레이아웃 정보를 기초로 특정된다. 이어서, 제1 샷 영역의 각각의 주사 방향은, 제2 샷 영역 내에 포함되는 2개 이상의 제1 샷 영역 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 제2 샷 영역의 적어도 일부 내에서 동일하도록, 결정된다. 이때, 그러한 조합들은 바람직하게 모든 제2 샷 영역에서 동일하다.
단계(S110)에서, 제1 층을 형성하기 위한 레시피 즉, 노광 장치 내에 기억된 레시피가 단계(S108)에서 결정된 주사 방향을 기초로 변경된다(갱신된다). 예를 들어, 노광 장치 내에 기억된 레시피에 포함된 제1 샷 영역의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 결정된 주사 방향으로 변경된다. 또한, 노광 장치에 기억된 레시피에 포함된, 제1 샷 영역들이 주사 노광되는 노광 순서는, 제1 샷 영역의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 결정된 주사 방향으로 변경되도록, 변경될 수 있다. 또한, 노광 장치에 기억된 레시피에 포함된 제1 샷 영역들 사이의 기판의 이동 경로는, 제1 샷 영역의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 결정된 주사 방향으로 변경되도록, 변경될 수 있다.
단계(S112)에서, 제1 및 제2 공정이 실행되어, 서로 중첩시키고자 하는 제1 및 제2 층이 기판 상에 형성된다. 전술한 바와 같이, 제1 처리에서, 노광 장치에 기억된 레시피에 따라서 기판에 대한 주사 노광을 실시하는 것에 의해서, 제1 층이 형성되고, 그리고 제2 처리에서, 임프린트 장치에 기억된 레시피에 따라서 임프린트 공정을 실시하는 것에 의해 제2 층이 형성된다.
이러한 실시예에서, 각각의 제2 샷 영역 내에 포함되는 2개 이상의 제1 샷 영역 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 제2 샷 영역의 적어도 일부 내에서 동일하도록, 제1 처리가 실시된다. 이는 제2 처리에서 제2 샷 영역에 대해서 임프린트 공정을 실시할 때 2개 이상의 제1 샷 영역과 제2 샷 영역 사이의 합치의 제어를 돕는다(이는 합치를 보다 정확하게 제어할 수 있게 한다). 그에 따라, 이러한 실시예는 서로 중첩시키기 위한 제1 및 제2 층을 기판 상에 형성할 때 중첩 오류(즉, 상이한 리소그래피 장치들 사이의 중첩 오류)를 감소시키는데 있어서 유리하다.
본 실시예에 따른 리소그래피 방법의 실제적인 예를 이하에서 설명할 것이다.
<예 1>
도 2a는 제1 층 내의 복수의 제1 샷 영역(SR1)의 레이아웃의 예를 도시한 도면이다. 도 2a에서, 제1 샷 영역(SR1)의 각각에 대해서 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 화살표로 표시되어 있다. 도 2b는 제2 층 내의 복수의 제2 샷 영역(SR2)의 레이아웃의 예를 도시한 도면이다. 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 제1 샷 영역(SR1)의 크기는 제2 샷 영역(SR2)의 크기와 상이하고, 제2 샷 영역(SR2)은 4개의 제1 샷 영역(SR1)을 포함하는 크기에 상응하는 크기를 갖는다.
도 3a는 통상적인 기술에 따라, 제1 샷 영역(SR1)의 레이아웃을 나타내는 제1 레이아웃 정보 및 제2 샷 영역(SR2)의 레이아웃을 나타내는 제2 레이아웃 정보를 고려하지 않고, 제1 층(도 2a) 및 제2 층(도 2b)이 서로 중첩되는 상태를 도시하는 도면이다. 이러한 경우에, 도 3b 및 도 3c에 도시된 바와 같이, 각각의 제2 샷 영역(SR2) 내에 포함된 4개의 제1 샷 영역(SR1) 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 상이하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
도 4a는 본 실시예에 따라 제1 층(도 2a) 및 제2 층(도 2b)이 서로 중첩된 상태를 도시하는 도면이다. 이러한 실시예에서, 전술한 바와 같이, 제1 샷 영역(SR1)의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향은 제1 레이아웃 정보 및 제2 레이아웃 정보를 기초로 결정된다. 그에 따라, 도 4b 및 도 4c에 도시된 바와 같이, 각각의 제2 샷 영역(SR2) 내에 포함되는 적어도 4개의 제1 샷 영역(SR1) 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합이 동일하다.
전술한 바와 같이, 이러한 실시예에서, 제1 샷 영역(SR1)과 제2 샷 영역(SR2) 사이의 중첩(제1 레이아웃 정보 및 제2 레이아웃 정보)이 미리 취득되고, 제1 샷 영역(SR1)의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 결정된다. 결과적으로, 주사 방향 및 제1 샷 영역(SR1)을 각각 포함하는 조합들이 모든 제2 샷 영역(SR2)에서 동일할 수 있다.
<예 2>
도 5a는 제1 층 내의 복수의 제1 샷 영역(SR1)의 레이아웃의 예를 도시한 도면이다. 도 5a에서, 제1 샷 영역(SR1)의 각각에 대해서 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 화살표로 표시되어 있다. 도 5b는 제2 층 내의 복수의 제2 샷 영역(SR2)의 레이아웃의 예를 도시한 도면이다. 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 제1 샷 영역(SR1)의 크기는 제2 샷 영역(SR2)의 크기와 상이하고, 제2 샷 영역(SR2)은 2개의 제1 샷 영역(SR1)을 포함하는 크기에 상응하는 크기를 갖는다.
도 6b는 도 6a에 도시된 노광 순서로 제1 샷 영역(SR1)에 대해서 주사 노광을 실시할 때 제1 층(도 5a) 및 제2 층(도 5b)이 서로 중첩되는 상태를 도시하는 도면이다. 기판의 각각의 샷 영역에 대한 주사 노광을 실시할 때, 노광 순서는 도 6a에 도시된 바와 같이, 구불구불한 형상을 형성하도록 기판의 단부에 위치되는 샷 영역으로부터 일반적으로 설정된다. 이러한 경우에, 도 6c 및 도 6d에 도시된 바와 같이, 각각의 제2 샷 영역(SR2) 내에 포함된 2개의 제1 샷 영역(SR1) 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합 중 일부가 상이하다.
도 7b는 도 7a에 도시된 노광 순서로 제1 샷 영역(SR1)에 대해서 주사 노광을 실시할 때 제1 층(도 5a) 및 제2 층(도 5b)이 서로 중첩되는 상태를 도시하는 도면이다. 이러한 실시예에서, 전술한 바와 같이, 제1 샷 영역(SR1)의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향은, 제1 레이아웃 정보 및 제2 레이아웃 정보를 기초로 결정된다. 이어서, 제1 샷 영역(SR1)이 주사 노광되는 노광 순서는, 제1 샷 영역(SR1)의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 결정된 주사 방향으로 설정되도록, 변경된다. 보다 구체적으로, 도 7a에 도시된 바와 같이, 도 7a에서 점선으로 표시된 제1 샷 영역(SR1)의 노광 순서수(exposure ordinal number)는 도 6a에 도시된 노광 순서로부터 변경되었다. 그에 따라, 도 7c 및 도 7d에 도시된 바와 같이, 각각의 제2 샷 영역(SR2) 내에 포함되는 2개의 제1 샷 영역(SR1) 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 동일하다.
전술한 바와 같이, 이러한 실시예에서, 제1 샷 영역(SR1)과 제2 샷 영역(SR2) 사이의 중첩(제1 레이아웃 정보 및 제2 레이아웃 정보)이 미리 취득되고, 제1 샷 영역(SR1)의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 결정된다. 이어서, 제1 샷 영역(SR1)의 노광 순서는, 제1 샷 영역(SR1)의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 결정된 주사 방향으로 설정되도록, 변경된다. 결과적으로, 주사 방향 및 제1 샷 영역(SR1)을 각각 포함하는 조합들이 모든 제2 샷 영역(SR2)에서 동일할 수 있다.
<예 3>
제1 처리에서 제1 샷 영역(SR1)에 대한 주사 노광을 실시할 때, 샷 영역의 주사 방향에 따른 노광 오류를 보정하기 위한 보정 표(RSP)가 이러한 실시예에서 결정된 주사 방향에 따라 선택된다. 제1 처리에서, 선택된 보정 표를 이용하여, 제1 샷 영역(SR1)에 대해서 주사 노광이 실시된다.
도 8은 제2 샷 영역(SR2) 내에 포함된 4개의 제1 샷 영역(SR1a, SR1b, SR1c, 및 SR1d)의 주사 방향에 따른 노광 오류의 예를 도시한 도면이다. 이러한 경우에, 제1 샷 영역(SR1a)에 대한 주사 노광을 실시할 때, 도 9에 도시된 보정 표(CTa)가 선택되고, 제1 처리에서 보정 표(CTa)를 이용하여 제1 샷 영역(SR1a)에 대해서 주사 노광이 실시된다. 또한, 제1 샷 영역(SR1b)에 대한 주사 노광을 실시할 때, 도 9에 도시된 보정 표(CTb)가 선택되고, 제1 처리에서 보정 표(CTb)를 이용하여 제1 샷 영역(SR1b)에 대해서 주사 노광이 실시된다. 유사하게, 제1 샷 영역(SR1c 및 SR1d)의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때, 도 9에 도시된 보정 표(CTc 또는 CTd)가 선택되고, 제1 처리에서 보정 표(CTc 또는 CTd)를 이용하여 제1 샷 영역(SR1c 및 SR1d)의 각각에 대해서 주사 노광이 실시된다.
전술한 바와 같이, 제1 샷 영역(SR1a 내지 SR1d)의 각각에 대해서, 이러한 실시예에서 결정된 주사 방향에 따라 보정 표(CTa 내지 CTd) 사이에서 제1 처리에서 이용하기 위한 보정 표를 변경시키는 것에 의해서, 주사 방향에 따른 노광 오류를 보정할 수 있다.
<예 4>
샷 레이아웃에서, 도 10에 도시된 바와 같이, 각각의 제2 샷 영역(SR2) 내에 포함되는 제1 샷 영역(SR1)의 수는 제2 샷 영역(SR2)의 위치에 따라서 달라질 수 있다. 예를 들어, 기판의 중앙 부분 내의 제2 샷 영역(SR2a)은 4개의 제1 샷 영역(SR1)을 포함하나, 기판의 주변 부분 내의 제2 샷 영역(SR2b)은 단지 2개의 제1 샷 영역(SR1)을 포함한다. 또한, 기판의 주변 부분 내의 제2 샷 영역(SR2c)은 단지 하나의 제1 샷 영역(SR1)을 포함한다. 임프린트 공정이 제2 샷 영역(SR2a)(완전한 샷 영역)에 대해서 실시되는 경우와 달리, 제2 샷 영역(SR2b 및 SR2c)(부분적인 샷 영역)의 각각에 대한 임프린트 공정을 실시할 때, 특정 왜곡이 발생된다. 그러한 특정 왜곡에 대처하기 위해서, 제1 샷 영역(SR1)의 각각에 대해서 주사 노광을 실시할 때, 이러한 실시예에서 결정된 주사 방향뿐만 아니라 제2 샷 영역(SR2) 내에 포함된 제1 샷 영역(SR1)의 수에 따라서, 보정 표가 선택된다. 다시 말해서, 제1 샷 영역(SR1)에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 동일한 경우에도, 제2 샷 영역(SR2) 내에 포함된 제1 샷 영역(SR1)의 수에 따라서, 제2 처리에서 이용하기 위한 보정 표가 바람직하게 변경된다. 이는, 제1 샷 영역(SR1)에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향에 따른 노광 오류를 더 정확하게 보정할 수 있다.
<예 5>
샷 레이아웃에서, 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 각각의 제2 샷 영역(SR2) 내에 포함되는 제1 샷 영역(SR1)의 수는 제2 샷 영역(SR2)의 위치에 따라서 달라질 수 있다. 예를 들어, 도 11b에 도시된 바와 같이, 기판의 주변 부분 내의 각각의 제2 샷 영역(SR2d)(부분적인 샷 영역)은 단지 1개 내지 3개의 제1 샷 영역(SR1)을 포함한다. 도 11a에 도시된 바와 같이, 제2 샷 영역(SR2a)(도 10 참조)의 샷 레이아웃과 동일한 샷 레이아웃을 취득하기 위해서 주사 방향들을 합치시키는 것에 의해서, 주사 노광이 제2 샷 영역(SR2d)에 대해서 일반적으로 실시된다. 그러나, 제2 샷 영역(SR2d)에 대한 것과 같이, 제2 크기를 가지는 제2 샷 영역(SR2)에 대해서 임프린트 공정을 실시할 때의 특성을 고려하여, 다른 샷 영역의 주사 방향과 상이한 주사 방향이 설정될 수 있다. 예를 들어, 제2 샷 영역(SR2d) 내에서 임프린트재에 대해서 몰드를 가압할 때, 다른 샷 영역에 대한 방법과 상이한, 힘을 인가하는 방법 또는 임프린트재를 경화시키는 방법이 임프린트재의 돌출을 고려하여 채택될 수 있다. 그에 따라, 도 11b에 도시된 바와 같이, 특정 샷 영역 내에서, 즉 제2 샷 영역(SR2d) 내에서, 다른 샷 영역의 주사 방향과 다른 주사 방향을 설정하는 것에 의해서 주사 노광이 실시될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라 물품을 제조하는 방법은 반도체 소자 또는 액정 디스플레이 요소와 같은 물품을 제조하기에 적합하다. 제조 방법은 전술한 리소그래피 방법을 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계, 및 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함한다. 이러한 제조 방법은 전술한 형성 단계에 이어서 다른 주지의 단계(예를 들어, 산화, 침착, 증착, 도핑, 평탄화, 식각, 레지스트 제거, 다이싱(dicing), 결합, 및 패키징)를 더 포함할 수 있다. 실시예에 따른 물품 제조 방법은, 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 통상적인 방법 보다 우수하다.
또한, 기판 상에 서로 중첩되는 제1 및 제2 층의 형성시 제1 샷 영역의 각각에 대해서 주사 노광을 실시할 때 주사 방향을 결정하는 결정 방법, 및 그러한 결정 방법을 실행하기 위한 정보 처리 장치가 또한 본 발명의 하나의 양태를 구성한다.
다른 실시예
본 발명의 실시예(들)는, 전술한 실시예(들)의 1개 이상의 기능을 수행하기 위해서 기억 매체('비일시적인 컴퓨터 판독 가능 기억 매체'로서 더 넓게 언급될 수 있다)에 기록된 컴퓨터 실행 가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독하고 실행하는 그리고/또는 전술한 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 수행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 반도체(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해서, 그리고 예를 들어, 전술한 실시예(들)의 하나 이상의 기능을 수행하기 위해서 기억 매체로부터 컴퓨터 실행 가능 명령어를 판독하고 실행함으로써, 그리고/또는 전술한 실시예(들) 중 하나 이상의 기능을 수행하기 위해서 하나 이상의 회로를 제어하는 것에 의해서, 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 수행되는 방법에 의해 또한 구현될 수 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 처리기(예를 들어, 중앙처리장치(CPU), 마이크로 처리장치(MPU))를 포함할 수 있고, 컴퓨터 실행 가능 명령어를 판독하고 실행하기 위한 별개의 컴퓨터들 또는 별개의 컴퓨터 프로세서들의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행 가능 명령어는, 예를 들어, 네트워크 또는 기억 매체로부터 컴퓨터로 제공될 수 있다. 기억 매체는 예를 들어, 하드디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 기억부, 광 디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD), 또는 블루레이 디스크(BD)TM 등), 플래시 메모리 소자, 메모리 카드, 및 기타 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어,ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
예시적인 실시예를 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 개시된 예시적 실시예로 제한되지 않는다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이하의 청구항의 범위는, 모든 수정 및 균등한 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석을 따를 것이다.

Claims (13)

  1. 주사 노광을 포함하는 공정에서의 제1 층을 형성하는 제1 처리 및 제2 층을 형성하는 제2 처리에 의해, 제1 크기를 각각 가지는 복수의 제1 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 상기 제1 층, 및 서로 중첩시키고자 하는 2개 이상의 제1 샷 영역을 포함하는 크기에 상응하는 제2 크기를 각각 가지는 복수의 제2 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 상기 제2 층을 기판 상에 형성하는 리소그래피 방법이며:
    상기 제1 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제1 레이아웃 정보, 및 상기 제2 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제2 레이아웃 정보를 취득하는 단계; 및
    상기 제1 레이아웃 정보 및 상기 제2 레이아웃 정보를 기초로, 상기 제1 샷 영역의 각각에 대해서, 상기 제1 처리에서 상기 제1 샷 영역에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향을 결정하는 단계를 포함하고,
    상기 결정하는 단계에서, 상기 제1 처리에서 상기 제2 샷 영역 내에 포함되는 2개 이상의 제1 샷 영역 및 상기 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 상기 제2 샷 영역의 적어도 일부에서 동일하도록, 상기 주사 방향이 결정되는, 리소그래피 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 결정하는 단계에서, 상기 제1 처리에서의 조합들이 모든 상기 제2 샷 영역 내에서 동일하도록, 상기 주사 방향이 결정되는, 리소그래피 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 층을 형성하기 위한 레시피 내에 포함된 상기 제1 샷 영역의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향을, 상기 결정하는 단계에서 결정된 주사 방향으로 변경하는 단계를 더 포함하는, 리소그래피 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 샷 영역의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 상기 결정하는 단계에서 결정된 주사 방향으로 설정되도록, 상기 제1 층을 형성하기 위한 레시피 내에 포함된, 상기 제1 샷 영역들이 주사 노광되는 노광 순서를 변경하는 단계를 더 포함하는, 리소그래피 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 샷 영역의 각각에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향이 상기 결정하는 단계에서 결정된 주사 방향으로 설정되도록, 상기 제1 층을 형성하기 위한 레시피 내에 포함된 상기 제1 샷 영역들 사이의 기판의 이동 경로를 변경하는 단계를 더 포함하는, 리소그래피 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 샷 영역의 각각에 대해, 상기 결정하는 단계에서 결정된 주사 방향에 따라, 상기 제1 샷 영역에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향에 따른 노광 오류를 보정하기 위한 보정 표를 선택하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 처리에서, 상기 선택하는 단계에서 선택된 보정 표를 이용하여, 상기 제1 샷 영역에 대한 주사 노광이 실시되는, 리소그래피 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 선택하는 단계에서, 상기 보정 표는, 상기 결정하는 단계에서 결정된 주사 방향에 더하여, 상기 제2 샷 영역 내에 포함된 제1 샷 영역의 수에 따라 선택되는, 리소그래피 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상이한 리소그래피 장치들이 상기 제1 처리 및 상기 제2 처리에서 이용되는, 리소그래피 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 처리에서, 몰드를 상기 기판 상의 임프린트재와 접촉시키는 것에 의해 패턴을 형성하기 위한 임프린트 장치가 상기 제2 층을 형성하는, 리소그래피 방법.
  10. 주사 노광을 포함하는 공정에서의 제1 층을 형성하는 제1 처리 및 제2 층을 형성하는 제2 처리에 의해, 제1 크기를 각각 가지는 복수의 제1 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 상기 제1 층 및 서로 중첩시키고자 하는 2개 이상의 제1 샷 영역을 포함하는 크기에 상응하는 제2 크기를 각각 가지는 복수의 제2 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 상기 제2 층을, 기판 상에 형성시, 상기 복수의 제1 샷 영역의 각각에 대해서 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향을 결정하는 결정 방법이며,
    상기 제1 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제1 레이아웃 정보, 및 상기 제2 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제2 레이아웃 정보를 취득하는 단계; 및
    상기 제1 레이아웃 정보 및 상기 제2 레이아웃 정보를 기초로, 상기 제1 샷 영역의 각각에 대해서, 상기 제1 처리에서 상기 제1 샷 영역에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향을 결정하는 단계를 포함하고,
    상기 결정하는 단계에서, 상기 제1 처리에서 상기 제2 샷 영역 내에 포함되는 2개 이상의 제1 샷 영역 및 상기 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 상기 제2 샷 영역의 적어도 일부에서 동일하도록, 상기 주사 방향이 결정되는, 결정 방법.
  11. 정보 처리 장치이며,
    주사 노광을 포함하는 공정에서의 제1 층을 형성하는 제1 처리 및 제2 층을 형성하는 제2 처리에 의해, 제1 크기를 각각 가지는 복수의 제1 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 상기 제1 층 및 서로 중첩시키고자 하는 2개 이상의 제1 샷 영역을 포함하는 크기에 상응하는 제2 크기를 각각 가지는 복수의 제2 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 상기 제2 층을, 기판 상에 형성시, 상기 복수의 제1 샷 영역의 각각에 대해서 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향을 결정하는 결정 방법을 실행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은,
    상기 제1 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제1 레이아웃 정보, 및 상기 제2 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제2 레이아웃 정보를 취득하는 단계, 및
    상기 제1 레이아웃 정보 및 상기 제2 레이아웃 정보를 기초로, 상기 제1 샷 영역의 각각에 대해서, 상기 제1 처리에서 상기 제1 샷 영역에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향을 결정하는 단계를 실행하고,
    상기 결정하는 단계에서, 상기 제1 처리에서 상기 제2 샷 영역 내에 포함되는 2개 이상의 제1 샷 영역 및 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 상기 제2 샷 영역의 적어도 일부에서 동일하도록, 상기 주사 방향이 결정되는, 정보 처리 장치.
  12. 주사 노광을 포함하는 공정에서의 제1 층을 형성하는 제1 처리 및 제2 층을 형성하는 제2 처리에 의해, 제1 크기를 각각 가지는 복수의 제1 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 상기 제1 층 및 서로 중첩시키고자 하는 2개 이상의 제1 샷 영역을 포함하는 크기에 상응하는 제2 크기를 각각 가지는 복수의 제2 샷 영역의 레이아웃을 포함하는 상기 제2 층을, 기판 상에 형성하는 시간에, 복수의 제1 샷 영역의 각각에 대해서 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향을 결정하는 결정 방법을 정보 처리 장치가 실행하게 하기 위한 프로그램을 기억하는 기억 매체이며,
    상기 프로그램은, 상기 정보 처리 장치가,
    상기 제1 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제1 레이아웃 정보, 및 상기 제2 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 제2 레이아웃 정보를 취득하는 단계; 및
    상기 제1 레이아웃 정보 및 상기 제2 레이아웃 정보를 기초로, 상기 제1 샷 영역의 각각에 대해서, 상기 제1 처리에서 상기 제1 샷 영역에 대한 주사 노광을 실시할 때의 주사 방향을 결정하는 단계를 실행하게 하며,
    상기 결정하는 단계에서, 상기 제1 처리에서 상기 제2 샷 영역 내에 포함되는 2개 이상의 제1 샷 영역 및 상기 주사 방향을 각각 포함하는 조합들이 상기 제2 샷 영역의 적어도 일부에서 동일하도록, 상기 주사 방향이 결정되는, 기억 매체.
  13. 물품 제조 방법이며
    제1항에 따른 리소그래피 방법을 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함하는, 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7222623B2 (ja) * 2018-07-23 2023-02-15 キヤノン株式会社 パターン形成方法および物品製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010001056A1 (en) * 1995-04-28 2001-05-10 Nikon Corporation Scanning exposure method and circuit element producing method employing the same
US6238851B1 (en) * 1995-05-29 2001-05-29 Nikon Corporation Exposure method
US6333776B1 (en) * 1994-03-29 2001-12-25 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US20110255066A1 (en) * 2008-06-11 2011-10-20 Asml Netherlands B.V. Apparatus and Method for Inspecting a Substrate
US20150008605A1 (en) * 2013-07-02 2015-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Pattern formation method, lithography apparatus, lithography system, and article manufacturing method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11135413A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Canon Inc 描画方法
JP3245556B2 (ja) * 1997-11-18 2002-01-15 日本電気株式会社 ミックスアンドマッチ露光方法
JP2000228344A (ja) * 1999-02-04 2000-08-15 Canon Inc 走査露光装置およびデバイス製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6333776B1 (en) * 1994-03-29 2001-12-25 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US20010001056A1 (en) * 1995-04-28 2001-05-10 Nikon Corporation Scanning exposure method and circuit element producing method employing the same
US6238851B1 (en) * 1995-05-29 2001-05-29 Nikon Corporation Exposure method
US20110255066A1 (en) * 2008-06-11 2011-10-20 Asml Netherlands B.V. Apparatus and Method for Inspecting a Substrate
US20150008605A1 (en) * 2013-07-02 2015-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Pattern formation method, lithography apparatus, lithography system, and article manufacturing method

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