KR20170135985A - 팽윤성 필름 형성 조성물 및 그것을 사용한 나노임프린트 리소그래피의 방법 - Google Patents

팽윤성 필름 형성 조성물 및 그것을 사용한 나노임프린트 리소그래피의 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170135985A
KR20170135985A KR1020177034212A KR20177034212A KR20170135985A KR 20170135985 A KR20170135985 A KR 20170135985A KR 1020177034212 A KR1020177034212 A KR 1020177034212A KR 20177034212 A KR20177034212 A KR 20177034212A KR 20170135985 A KR20170135985 A KR 20170135985A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
water
mono
weight
swellable acrylic
Prior art date
Application number
KR1020177034212A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101907337B1 (ko
Inventor
존 티 스트랜드
데이비드 비 올슨
Original Assignee
쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 filed Critical 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니
Publication of KR20170135985A publication Critical patent/KR20170135985A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101907337B1 publication Critical patent/KR101907337B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/285—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing a polyether chain in the alcohol moiety
    • C08F220/286—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing a polyether chain in the alcohol moiety and containing polyethylene oxide in the alcohol moiety, e.g. methoxy polyethylene glycol (meth)acrylate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/28—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by transfer from the surfaces of elements carrying the liquid or other fluent material, e.g. brushes, pads, rollers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/007—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B05D3/061—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
    • B05D3/065—After-treatment
    • B05D3/067—Curing or cross-linking the coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C41/00—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor
    • B29C41/003—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor characterised by the choice of material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12—Chemical modification
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2009/00—Layered products
    • B29L2009/005—Layered products coated
    • B29L2009/008—Layered products coated metalized, galvanized
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2333/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2333/04—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters
    • C08J2333/14—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Derivatives of such polymers esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

기재 상에 캐스팅 및 경화되어 미세복제된 패턴을 형성할 수 있고, 추가로, 물에 노출 시에 팽윤되어 그 기재로부터 방출되도록 할 수 있는 조성물. 이러한 조성물로부터 형성된 수팽윤성 아크릴 중합체, 및 나노임프린트 리소그래피에서 그것을 사용하는 방법이 또한 개시된다.

Description

팽윤성 필름 형성 조성물 및 그것을 사용한 나노임프린트 리소그래피의 방법
본 발명은 용매, 편리하게는 물의 적용에 의해 팽윤될 수 있는 필름 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 이러한 조성물을 사용하여 표면을 패턴화하는 방법을 추가로 제공한다.
나노임프린트 리소그래피는 기재(substrate) 상에 나노미터 규모 특징부들을 제조하는 방법을 포함한다. 알려진 방법들은 특징부들이 엠보싱 처리되는 것들, 및 특징부들이 미세복제되는(micro replicated) 것들을 포함한다. 미세-복제가 시도되는 경우에는, 기재 상에 패턴화된 전도성 트레이스들을 형성하기 위하여 UV 경화성 액체 레지스트를 사용하는 것으로 알려져 있다. 다음 단계에서는, 레지스트로부터 형성된 리세스된(recessed) 특징부들의 바닥에 있는 재료를 에칭 제거하여 기재를 노출시킨다. 후속으로, 이어서, 금속 층을 침착시키는데, 금속 층은 리세스되지 않은 패턴화된 특징부들의 상부뿐만 아니라 노출된 기재도 덮는다. 금속이 적용된 후에는, 기재 상에 남아 있는 불필요한 레지스트 및 금속 오버레이를 제거(리프트-오프(lift-off))할 필요성이 있다. 이러한 재료는 전형적으로 선택적인 에칭, 또는 유기 용매 중에서의 세척에 의해 제거된다.
본 발명은 특유의 UV 경화성 아크릴 수지 조성물을 제공하며, 본 조성물은 캐스팅 및 경화 기법을 사용하여, 예를 들어 폴리에스테르 기재 상에 코팅되어, 미세복제된 아크릴 필름을 생성할 수 있다. 이러한 미세복제된 필름은 에칭되고 금속화되어 패턴화된 필름을 제공할 수 있으며, 마지막으로, 후속으로 비-금속화된 과량의 아크릴 필름 및 오버 코팅된 금속이 단지 고온수 세척을 사용하여 기재로부터 제거되어, 나노 규모 패턴화된 필름을 남게 할 수 있다.
따라서, 일 태양에서, 본 발명은 조성물을 제공하며, 본 조성물은 UV 경화성 중합체 전구체를 포함하며, UV 경화성 중합체 전구체는 약 30 내지 95 중량부의 모노-알콕시 폴리알킬렌 글리콜 모노아크릴레이트를 포함하고, 나머지는 다양한 조성의 모노-, 다이-, 또는 트라이-아크릴레이트 단량체 종이다. 그러한 모노-, 다이-, 또는 트라이-아크릴레이트 단량체의 한 예는 폴리알킬렌 글리콜 다이아크릴레이트 단량체, 예컨대 폴리에틸렌 글리콜 400 다이아크릴레이트일 것이며, 다른 예는 하이드록시 알킬 모노 아크릴레이트, 예컨대 하이드록시 에틸 아크릴레이트일 것이며, 또 다른 예는 에톡실화 비스페놀 A 다이아크릴레이트일 것이다. 이들 조성물은 편리한 기재 상에 용이하게 캐스팅 및 경화되고, 여전히 중합된 필름은, 필요한 경우, 단순한 물 세척에 의해 그러한 기재로부터 팽윤 및 리프트 오프될 것이다.
일부 실시 형태에서, 모노-알콕시 폴리알킬렌 글리콜 모노아크릴레이트는 분자량이 500 달톤을 초과한다.
다른 태양에서, 본 발명은 방금 기재된 조성물의 UV 중합에 의해 형성된 수팽윤성 아크릴 중합체를 제공한다.
다른 실시 형태에서, 본 발명은 기재 상에 미리 결정된 금속화된 패턴을 형성하는 방법을 제공하며, 본 방법은 중합성 전구체를 상기 기재의 제1 면 내로 캐스팅하고 경화시켜 상기 기재 상에 수팽윤성 아크릴 층을 형성하도록 하는 단계로서, 상기 수팽윤성 아크릴 층은 두꺼운 부분들 및 얇은 부분들을 갖되, 상기 얇은 부분들이 상기 미리 결정된 패턴에 상응하도록 하는, 단계; 상기 수팽윤성 아크릴 층을 에칭하여 상기 얇은 부분들이 제거되고 상기 기재가 부분적으로 노출되도록 하는 단계; 상기 제1 면을 금속화하여 상기 기재의 노출된 부분들 상에 그리고 상기 수팽윤성 아크릴 층의 두꺼운 부분들 상에 금속을 침착시키도록 하는 단계; 및 상기 수팽윤성 아크릴 층을 물에 노출시키고, 상기 기재로부터 상기 수팽윤성 아크릴 층을 방출시키고, 상기 금속화된 패턴을 남게 하는 단계를 포함한다. 리프트-오프에 대한 최상의 결과는 수팽윤성 아크릴 층이 너무 얇지 않을 때 달성되는 것으로 밝혀졌으며, 적어도 약 0.3 마이크로미터의 두께가 적합한 것으로 고려되며, 또는 심지어는 1 마이크로미터, 또는 심지어는 3 마이크로미터이다.
본 발명의 예시적인 실시 형태의 다양한 태양 및 이점을 요약하였다. 상기의 발명의 내용은 본 발명의 각각의 예시된 실시 형태 또는 모든 구현 형태를 설명하고자 하는 것은 아니다. 추가의 특징 및 이점이 하기의 실시 형태에서 개시된다. "도면" 및 하기의 "발명을 실시하기 위한 구체적인 내용"은 본 명세서에 개시된 원리를 사용하는 소정 실시 형태를 더 구체적으로 예시한다.
본 발명은 첨부 도면과 함께 본 발명의 다양한 실시 형태의 하기의 상세한 설명을 고찰함으로써 더욱 완전히 이해될 수 있다.
도 1은 팽윤성 아크릴 조성물의 패턴화된 코팅을 받아들일 준비가 된 예시적인 기재의 측면도이다.
도 2는 팽윤성 아크릴 조성물의 패턴화된 코팅이 한쪽 면 상에 배치된 도 1의 기재의 측면도이다.
도 3은 에칭 공정을 수행하여 패턴화된 코팅의 얇은 부분들을 제거한 후의 도 2의 기재의 측면도이다.
도 4는 금속화 공정을 수행한 후의 도 3의 기재의 측면도이다.
도 5는 물 세척을 사용하여 패턴화된 코팅의 나머지 부분들을 제거한 후의 도 4의 기재의 측면도이다.
일정한 축척으로 작성되지 않을 수 있는 전술된 도면이 본 발명의 다양한 실시 형태를 개시하지만, "발명을 실시하기 위한 구체적인 내용"에 언급된 바와 같이, 다른 실시 형태가 또한 고려된다. 모든 경우에, 이러한 개시 내용은 명백한 제한에 의해서가 아니라 예시적인 실시 형태의 표현으로서 현재 개시되는 발명을 기술한다. 본 발명의 범주 및 사상에 속하는 많은 다른 변형 및 실시 형태가 당업자에 의해 고안될 수 있음이 이해되어야 한다.
본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 종점에 의한 수치 범위의 언급은 그 범위 내에 포함되는 모든 수를 포함한다(예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.8, 4 및 5 등을 포함함).
달리 지시되지 않는 한, 본 명세서 및 실시 형태에 사용되는, 성분의 양, 특성의 측정치 등을 표현하는 모든 수는 모든 경우에 용어 "약"에 의해 수식되는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 반대로 지시되지 않는 한, 전술한 명세서 및 첨부된 실시 형태의 목록에 기재된 수치 파라미터는 본 발명의 교시 내용을 이용하여 당업자가 얻고자 하는 원하는 특성에 따라 달라질 수 있다. 최소한으로, 그리고 청구된 실시 형태의 범주에 대한 균등론의 적용을 제한하려는 시도로서가 아니라, 각각의 수치 파라미터는 보고된 유효숫자의 개수의 관점에서 그리고 보통의 반올림 기법을 적용함으로써 적어도 해석되어야 한다.
하기에 정의된 용어들에 대해, 하기의 용어 해설에서 이용된 용어의 수정에 대한 구체적인 언급에 기초하여 청구범위 또는 명세서의 다른 어디에서든 상이한 정의가 제공되지 않는 한, 이러한 정의가 청구범위를 포함하여, 전체 명세서에 적용된다:
용어 설명
단수 형태 용어는 하나 이상의 요소들을 설명한다는 것을 의미하기 위해 "적어도 하나"와 상호교환 가능하게 사용된다.
용어 "층"은 기재 상의 또는 그 위에 놓인 임의의 재료 또는 재료들의 조합을 지칭한다.
용어 "아크릴"은 아크릴 또는 메타크릴 모이어티(moiety)를 갖는 조성물을 지칭한다.
용어 "광개시제"는 방사선의 인가에 반응하여 중합 반응을 개시할 수 있는 단일종 또는 종들의 블렌드를 지칭한다.
다양한 층의 위치를 기술하기 위한 "위에", "상에", "덮는", "맨 위에", "위에 놓인", 및 "아래에 놓인" 등과 같은 배향을 나타내는 단어는, 수평방향으로 배치된, 상향으로 향하는 기재에 대하여 소정 층의 상대 위치를 지칭한다. 기재, 층 또는 기재 및 층을 에워싸는 물품은 제조 동안 또는 제조 후에 공간에서 임의의 특정 배향을 가져야 하는 것으로 의도되지 않는다.
다른 층 및 기재, 또는 2개의 다른 층에 대한 소정 층의 위치를 기술하기 위한 용어 "~에 의해 분리된"은, 기술되는 층이 다른 층(들) 및/또는 기재 사이에 있는 것(그러나, 반드시 그것과 인접할 필요는 없음)을 의미한다.
용어 "(공)중합체" 또는 "(공)중합체성"은 단일중합체 및 공중합체뿐만 아니라, 예를 들어 공압출에 의해 또는, 예를 들어 에스테르 교환 반응을 비롯한 반응에 의해 혼화성 블렌드로 형성될 수 있는 단일중합체 또는 공중합체를 포함한다. 용어 "공중합체"는 랜덤, 블록, 그래프트, 및 성상(star) 공중합체를 포함한다.
이제 도 1을 참조하면, 예시적인 기재(20)의 측면도가 도시되어 있다. 기재(20)는 제1 면(22) 및 제2 면(24)을 갖는다. 예시된 실시 형태는 단지 제1 면(22) 상에서만 코팅을 나타내고 있지만, 하기에 논의된 캐스팅 기법은, 필요하다면, 양쪽 면 상에 패턴화된 실시 형태를 생성하는 데 적합할 수 있다. 팽윤성 아크릴 조성물을 경화시키는 데 사용되는 파장을 통과시킬 수 있다면, 다수의 기재가 본 발명과 함께 사용하기에 적합하며, 폴리에스테르, 예컨대 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 및 환형 폴리올레핀(COP)이 편리한 것으로 고려된다. 기재는 프라이밍되거나 프라이밍되지 않을 수 있다.
이제 도 2를 참조하면, 팽윤성 아크릴 조성물의 패턴화된 코팅(30)이 제1 면(22) 상에 배치된 도 1의 기재(20)의 측면도가 도시되어 있다. 패턴화된 코팅(30)은 두꺼운 섹션들(32) 및 얇은 섹션들(34)을 포함한다는 것을 알 수 있을 것이다. 그러한 패턴화된 코팅을 제공하는 데 적합한 캐스팅 및 경화 기법은 미국 특허 제7,165,959호(흄리섹(Humlicek) 등); 제7,165,959호; 제7,224,529호; 제7,417,798호; 및 제7,804,649호에 개시되어 있으며, 이들의 전체 내용은 마치 다시 기재되어 있는 것처럼 참고로 포함된다. 코팅 동안의 편의성을 위하여, 중합성 전구체의 점도는 5000 센티푸아즈 미만, 또는 심지어는 1000 cP 미만, 또는 심지어는 500 cP 미만일 수 있다.
이제 도 3을 참조하면, 에칭 공정을 수행하여 패턴화된 코팅(30)의 얇은 부분들(34)을 제거한 후의 도 2의 기재의 측면도가 예시되어 있다. 얇은 부분들(34)이 기재(20)의 제1 면(22)으로 완전히 아래에 이르기까지 완전히 제거되도록 충분한 에칭을 수행하였다.
얇은 부분들(34)의 에칭은 반응성 이온 에칭(RIE)을 사용하여 편리하게 달성된다. 산소 이온이 적합한 것으로 고려되며, 60 내지 80 mTorr에서 약 20 내지 60초에서 200 와트의 RF 전력에서 대략 0.5 표준 리터/분의 산소 유량으로부터 편리하게 생성된 것이다. 플루오로카본 이온 에칭이 또한 적합한 것으로 고려된다.
이제 도 4를 참조하면, 금속화 공정을 수행한 후의 도 3의 기재의 측면도가 예시되어 있다. 금속 층(40)이, 제1 면(22) 상에 직접 배치된 부분들(40a), 및 패턴화된 코팅(30)의 나머지 두꺼운 부분들(32) 상에 배치된 부분들(40b)로 나누어져서 침착되었음을 알 수 있을 것이다.
금속화는 스퍼터 침착 또는 증착에 의해 편리하게 달성된다. 다양한 금속이 사용될 수 있으며, 이에는 구리, 은, 금, 및 알루미늄, 및 이들의 합금이 포함된다.
이제 도 5를 참조하면, 물 세척을 사용하여 패턴화된 코팅(30)의 나머지 부분들을 제거한 후의 도 4의 기재의 측면도이다. 상기 논의된 조성물은 물 세척 동안 팽윤되어, 제1 표면(22)에 대한 그의 부착으로부터 그것을 느슨하게 한다. 이것이 팽윤되어 탈착되는 경우, 이것은 부분들(40b)을 가져가 버려서, 패턴화된 코팅(30)의 얇은 섹션들(34)에 의해 원래 한정된 패턴으로 기재(20)와 단단히 부착된 상태로 단지 부분들(40a)만을 남게 한다. 약 120 내지 200℉의 온도에서 물 세척을 수행하는 것이 편리한 것으로 밝혀졌다.
하기는 다양한 비제한적인 예시적인 실시 형태 및 실시 형태들의 조합이다:
실시 형태 A. 기재 상에 미리 결정된 금속화된 패턴을 형성하는 방법으로서,
중합성 전구체를 상기 기재의 제1 면 내로 캐스팅하고 경화시켜 상기 기재 상에 수팽윤성 아크릴 층을 형성하도록 하는 단계로서, 상기 수팽윤성 아크릴 층은 두꺼운 부분들 및 얇은 부분들을 갖되, 상기 얇은 부분들이 상기 미리 결정된 패턴에 상응하도록 하는, 단계;
상기 수팽윤성 아크릴 층을 에칭하여 상기 얇은 부분들이 제거되고 상기 기재가 부분적으로 노출되도록 하는 단계;
상기 제1 면을 금속화하여 상기 기재의 노출된 부분들 상에 그리고 상기 수팽윤성 아크릴 층의 두꺼운 부분들 상에 금속을 침착시키도록 하는 단계; 및
상기 수팽윤성 아크릴 층을 물에 노출시키고, 상기 기재로부터 상기 수팽윤성 아크릴 층 및 그의 금속 오버-코트를 방출시키고, 상기 미리 결정된 금속화된 패턴을 갖는 상기 기재를 남게 하는 단계
를 포함하는, 방법.
실시 형태 B. 실시 형태 A에 있어서, 상기 수팽윤성 아크릴 층은 두께가 적어도 약 300 마이크로미터인, 방법.
실시 형태 C. 실시 형태 A 또는 실시 형태 B에 있어서, 상기 중합성 전구체 내에 약 30 내지 95 중량부의 모노-알콕시 폴리알킬렌 글리콜 아크릴레이트, 약 5 내지 65 중량부의 모노-, 다이-, 또는 트라이-아크릴레이트, 및 약 0.1 내지 2.5 중량부의 광개시제를 포함하는 방법.
실시 형태 D. 실시 형태 A에 있어서, 상기 중합성 전구체는 액체 단량체성 아크릴 수지를 포함하는, 방법.
실시 형태 E. 실시 형태 A 내지 실시 형태 D 중 어느 하나에 있어서, 상기 중합성 전구체의 점도는 5000 cP 미만인, 방법.
실시 형태 F.
UV 경화성 중합체 전구체를 포함하며, 상기 UV 경화성 중합체 전구체는
약 30 내지 95 중량부의 모노-알콕시 폴리알킬렌 글리콜 아크릴레이트,
약 5 내지 65 중량부의 모노-, 다이-, 또는 트라이-아크릴레이트, 및
약 0.1 내지 2.5 중량부의 광개시제
를 포함하는, 조성물.
실시 형태 G. 실시 형태 F에 있어서, 상기 모노-, 다이-, 또는 트라이-아크릴레이트는 폴리알킬렌 글리콜 다이아크릴레이트 단량체, 하이드록시 알킬 모노 아크릴레이트, 및 에톡실화 비스페놀 A 다이아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는, 조성물.
실시 형태 H. 실시 형태 F 또는 실시 형태 G에 있어서, 상기 폴리알킬렌 글리콜 다이아크릴레이트 단량체는 폴리에틸렌 글리콜 400 다이아크릴레이트인, 조성물.
실시 형태 I. 실시 형태 G에 있어서, 상기 하이드록시 알킬 모노 아크릴레이트는 하이드록시 에틸 아크릴레이트인, 조성물.
실시 형태 J. 실시 형태 F 내지 실시 형태 I 중 어느 하나에 있어서, 상기 모노-알콕시 폴리에틸렌 글리콜 모노아크릴레이트는 분자량이 500 달톤 초과인, 조성물.
실시 형태 K. 실시 형태 F 내지 실시 형태 J 중 어느 하나의 조성물의 UV 중합에 의해 형성된 수팽윤성 아크릴 중합체.
본 발명의 예시적인 실시 형태가 위에서 기술되었고 하기의 실시예를 통해 아래에서 추가로 설명되었으며, 이 실시예는 어떤 방식으로든 본 발명의 범주에 제한을 가하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 이와는 반대로, 본 명세서의 설명을 읽은 후에, 본 발명의 사상 및/또는 첨부된 청구범위의 범주로부터 벗어남이 없이 당업자에게 연상될 수 있는 다양한 다른 실시 형태, 변경 및 그의 등가물이 사용될 수 있음이 명백히 이해되어야 한다.
실시예
하기 실시예는 본 발명의 범주 내의 예시적인 실시 형태를 예시하고자 하는 것이다. 본 발명의 넓은 범주를 기술하는 수치 범위 및 파라미터가 근사치임에도 불구하고, 특정 실시예에 기재되는 수치 값은 가능한 한 정확하게 보고된다. 그러나, 임의의 수치는 본래, 그의 각각의 시험 측정에서 발견되는 표준 편차로 인해 필연적으로 생기는 특정 오차를 포함한다. 최소한으로, 그리고 청구범위의 범주에 대한 균등론의 적용을 제한하려는 시도로서가 아니라, 각각의 수치 파라미터는 적어도 보고된 유효숫자의 개수의 관점에서 그리고 보통의 반올림 기법을 적용함으로써 해석되어야 한다.
실시예 1 내지 실시예 3과 C1 내지 C6 - 후보 수지의 스크리닝
하기 표 1에 기재된 바와 같이 후보 UV 경화성 아크릴 수지를 제조하였다. 모든 샘플은 총 100 g이었으며, 독일 루트비히스하펜 소재의 바스프로부터 루시린(LUCIRIN) TPO로 구매가능한 0.5 g(0.5%)의 다이페닐 (2,4,6-트라이메틸벤조일) 포스핀 옥사이드(TPO) 광개시제를 첨가하였다. 샘플을 롤러 상에 놓고 온화하게 가열하여 이것을 균질화하였다. 후보 수지를 메이어 로드 코터(Mayer Rod coater)를 사용하여 미국 버지니아주 체스터 소재의 듀폰 테이진 필름즈(DuPont Teijin Films)로부터 멜리넥스(MELINEX) 618로서 구매가능한 5 밀(mil)(0.012 mm) 두께의 PET 필름 상에 코팅하여 4 밀(0.10 mm) 두께의 코팅을 제공하였다. 이들 코팅된 필름을 미국 메릴랜드주 게이더스버그 소재의 헤라우스 노블라이트 퓨젼 유브이 인코퍼레이티드(Heraeus Noblelight Fusion UV Inc.)로부터 라이트해머(LIGHTHAMMER) 6로서 구매가능한 500 와트 UV 조사 스테이션에 통과시켰다. 장치를 25 ft/min(7.62 m/min)의 선속도로 질소 퍼지 하에서 실온에서 100% 출력으로 D 전구를 사용하여 작동시켰다.
[표 1]
Figure pct00001
비교 샘플 C5 내지 C7은 균질하지 않고, 기재에 대한 접착이 거의 또는 전혀 없는 혼탁한 외관의 필름을 생성하였다. 샘플 1 및 샘플 2와 샘플 C1 내지 C4는 우수한 외관의 투명 필름을 생성하였다. 이들 각각의 샘플을 크로스-해치 접착 시험에 적용시켰으며, 모두 아크릴 필름의 손실이 거의 또는 전혀 없었는데, 이는 기재 PET 필름에 대한 우수한 접착을 나타낸다.
다음으로, 샘플 1 내지 샘플 3과 샘플 C1 내지 C4를 고온의 흐르는 수돗물의 스트림 아래에 놓았다. 1분 미만의 노출에서, 샘플 1 및 2의 아크릴 부분은 팽윤되었고 PET 기재를 완전히 세척 제거할 수 있었다. 샘플 C1 내지 C4는 동일한 방식으로 팽윤하는 경향을 나타내지 않았다.
실시예 3, 실시예 4, C8 - 기재 상에의 캐스팅 수지의 생성
미국 특허 제7,165,959호에 대체로 기재된 바와 같은 장치를 하기의 파라미터를 사용하여 셋업하였다. 하기의 공정 파라미터를 사용하여 코팅 시험을 실시하였다:
툴 온도 100℉(37.8℃)
닙(nip) 압력 40 psi(0.28 MPa)
웨브 기재: 5 밀(0.012 mm) 두께의 프라이밍된 PET
UV LED 30 와트, 고강도
웨브 선속도: 20 피트/분(6.1 m/min)
미세복제 툴 롤은 금속화하려는 패드들 사이에 좁은 갭들을 갖는 시험 패턴(challenge pattern)을 함유하였다.
3개의 수지 제형을 생성하였으며, 3, 4, 및 C8로 지정하였다. 모두는 50 g의 모노메틸 에테르 PEG 모노 아크릴레이트, 30 g의 사토머 SR 602, 10 g의 사토머 SR 306, 10 g의 하이드록시 에틸 아크릴레이트, 및 TPO 광개시제를 가졌다. 더 구체적으로는, 샘플 3 및 샘플 4 내의 모노메틸 에테르 PEG 모노 아크릴레이트는 사토머 CD 553이었다. 샘플 C8 내의 모노메틸 에테르 PEG 모노 아크릴레이트는 알드리치 카탈로그 454990이었다. 샘플 3 및 샘플 C8은 0.1% TPO를 사용하였지만, 샘플 4는 0.25% TPO를 사용하였다. 모든 제형들을 호박색 자르(amber jar) 내에서 혼합하고, 온화하게 가열하여 광개시제를 완전히 균질화하고 용해시켰다.
기재를 장치 상에 끼우고, 샘플 3, 샘플 4, 및 샘플 C8을 기재 상에 캐스팅하고 경화시켜, 기재 상에 대략 4 마이크로미터 두께의 미세복제된 경화된 아크릴 패턴화된 필름을 형성하였다. 이들 캐스팅된 필름 전부는 어려움 없이 툴로부터 떨어져 나왔으며, 모두는 기재에 대한 적절한 접착력을 가졌다.
샘플 3은 흐르는 고온수에 노출될 때 기재로부터의 아크릴 필름의 신속하고 완전한 리프트-오프를 보여주었다. 샘플 4는 흐르는 고온수에 노출될 때 기재로부터의 아크릴 필름의 약간의 리프트-오프를 보여주었다. 샘플 C8은 흐르는 고온수에 노출될 때 기재로부터의 아크릴 필름의 리프트-오프를 전혀 보여주지 않았다.
실시예 3A - 에칭 및 금속화
실시예 3에서 생성된 캐스팅 필름을 갖는 기재를 반응성 이온 에칭에 노출시켜 캐스팅 수지의 얇은 부분들을 제거하였다. 더 구체적으로는, 200 와트의 RF 전력에 의해 0.5 표준 리터/분의 산소 유량으로부터 산소 이온을 발생시켰다. 기재를 60 내지 80 mTorr에서 80초 동안 노출시켰다. 이 계획은 캐스팅 수지의 두꺼운 부분들을 남아 있게 하면서 얇은 부분들을 에칭 제거하였다. 다음으로, 알루미늄 금속의 층을 수지의 두꺼운 부분들 및 에칭에 의해 노출된 기재의 표면 위로 내려놓았다. 이것을 40 mA에서 3분 동안 알루미늄 타깃으로부터의 스퍼터 침착에 의해 달성하였다. 이어서, 금속 층을 가압 스프레이로부터의 고온수로 세척하여, 경화된 수지의 두꺼운 부분들 및 그의 노출된 표면에 접착된 금속을 제거하였다. 미세복제 툴 상의 패턴에 대해 우수한 신뢰성을 보여주는, 패턴화된 금속 층이 기재 상에 남게 하였다.
실시예 5 - 에톡실화 트라이메틸올프로판 트라이아크릴레이트의 사용
수지 제형이 90 부의 사토머 CD 553, 사토머 602로 구매가능한 10 부의 에톡실화 트라이메틸올프로판 트라이아크릴레이트(미국 펜실베이니아주 엑스톤 소재의 사토머로부터 입수됨), 및 광개시제로서의 0.10 부의 TPO를 포함한 것을 제외하고는, 대체로 실시예 3에 기재된 바와 같이 샘플을 제조하였다. 샘플은 고온수 분무에 노출될 때 우수한 팽윤 및 리프트 오프를 보여주었다.
본 명세서가 소정의 예시적인 실시 형태를 상세히 기재하고 있지만, 당업자라면 전술한 내용을 이해할 때 이들 실시 형태에 대한 변경, 변형 및 등가물을 용이하게 안출할 수 있다는 것을 잘 알 것이다. 따라서, 본 발명이 상기에 기술된 예시적인 실시 형태로 부당하게 제한되어서는 안 된다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 본 명세서에 인용된 모든 간행물, 공개 특허 출원 및 등록된 특허는, 각각의 개별 간행물 또는 특허가 명확하게 그리고 개별적으로 참고로 포함되는 것으로 나타내어지는 경우와 동일한 정도로 전체적으로 참고로 포함된다. 다양한 예시적인 실시 형태를 기재하였다. 이들 및 다른 실시 형태는 개시된 실시 형태의 하기 목록의 범주 내에 있다.

Claims (11)

  1. 기재(substrate) 상에 미리 결정된 금속화된 패턴을 형성하는 방법으로서,
    중합성 전구체를 상기 기재의 제1 면 내로 캐스팅하고 경화시켜 상기 기재 상에 수팽윤성 아크릴 층을 형성하도록 하는 단계로서, 상기 수팽윤성 아크릴 층은 두꺼운 부분들 및 얇은 부분들을 갖되, 상기 얇은 부분들이 상기 미리 결정된 패턴에 상응하도록 하는, 단계;
    상기 수팽윤성 아크릴 층을 에칭하여 상기 얇은 부분들이 제거되고 상기 기재가 부분적으로 노출되도록 하는 단계;
    상기 제1 면을 금속화하여 상기 기재의 노출된 부분들 상에 그리고 상기 수팽윤성 아크릴 층의 두꺼운 부분들 상에 금속을 침착시키도록 하는 단계; 및
    상기 수팽윤성 아크릴 층을 물에 노출시키고, 상기 기재로부터 상기 수팽윤성 아크릴 층 및 그의 금속 오버-코트를 방출시키고, 상기 미리 결정된 금속화된 패턴을 갖는 상기 기재를 남게 하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수팽윤성 아크릴 층은 두께가 적어도 약 0.3 마이크로미터인, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 중합성 전구체 내에 약 30 내지 95 중량부의 모노-알콕시 폴리알킬렌 글리콜 아크릴레이트, 약 5 내지 65 중량부의 모노-, 다이-, 또는 트라이-아크릴레이트, 및 약 0.1 내지 2.5 중량부의 광개시제를 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 중합성 전구체는 액체 단량체성 아크릴 수지를 포함하는, 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 중합성 전구체의 점도는 5000 센티푸아즈 미만인, 방법.
  6. UV 경화성 중합체 전구체를 포함하는 조성물로서,
    상기 UV 경화성 중합체 전구체는
    약 30 내지 95 중량부의 모노-알콕시 폴리알킬렌 글리콜 아크릴레이트,
    약 5 내지 65 중량부의 모노-, 다이-, 또는 트라이-아크릴레이트, 및
    약 0.1 내지 2.5 중량부의 광개시제
    를 포함하는, 조성물.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 모노-, 다이-, 또는 트라이-아크릴레이트는 폴리알킬렌 글리콜 다이아크릴레이트 단량체, 하이드록시 알킬 모노 아크릴레이트, 및 에톡실화 비스페놀 A 다이아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는, 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 폴리알킬렌 글리콜 다이아크릴레이트 단량체는 폴리에틸렌 글리콜 400 다이아크릴레이트인, 조성물.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 하이드록시 알킬 모노 아크릴레이트는 하이드록시 에틸 아크릴레이트인, 조성물.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 모노-알콕시 폴리알킬렌 글리콜 아크릴레이트는 분자량이 500 달톤 초과인, 조성물.
  11. 제6항의 조성물의 UV 중합에 의해 형성된 수팽윤성 아크릴 중합체.
KR1020177034212A 2015-04-29 2016-04-25 팽윤성 필름 형성 조성물 및 그것을 사용한 나노임프린트 리소그래피의 방법 KR101907337B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562154333P 2015-04-29 2015-04-29
US62/154,333 2015-04-29
PCT/US2016/029101 WO2016176129A1 (en) 2015-04-29 2016-04-25 Swellable film forming compositions and methods of nanoimprint lithography employing same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170135985A true KR20170135985A (ko) 2017-12-08
KR101907337B1 KR101907337B1 (ko) 2018-10-11

Family

ID=57199380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177034212A KR101907337B1 (ko) 2015-04-29 2016-04-25 팽윤성 필름 형성 조성물 및 그것을 사용한 나노임프린트 리소그래피의 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10167546B2 (ko)
EP (1) EP3289604B1 (ko)
JP (1) JP6640245B2 (ko)
KR (1) KR101907337B1 (ko)
CN (1) CN107533286B (ko)
SG (1) SG11201708789VA (ko)
WO (1) WO2016176129A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR112017024689B1 (pt) 2015-06-17 2022-04-12 Clariant International Ltd Polímeros hidrossolúveis ou incháveis em água, seu processo de produção, seu uso, processo de cimentação de perfurações profundas utilizando uma lama de cimento e mistura polimérica
BR112019011780B1 (pt) 2016-12-12 2023-03-07 Clariant International Ltd Polímero compreendendo carbono de material biológico, seu processo de obtenção e seu uso
EP3551163B1 (en) 2016-12-12 2021-02-17 Clariant International Ltd Use of bio-based polymer in a cosmetic, dermatological or pharmaceutical composition
WO2018108663A1 (en) 2016-12-15 2018-06-21 Clariant International Ltd Water-soluble and/or water-swellable hybrid polymer
US11306170B2 (en) 2016-12-15 2022-04-19 Clariant International Ltd. Water-soluble and/or water-swellable hybrid polymer
EP3554644A1 (en) 2016-12-15 2019-10-23 Clariant International Ltd Water-soluble and/or water-swellable hybrid polymer
US11339241B2 (en) 2016-12-15 2022-05-24 Clariant International Ltd. Water-soluble and/or water-swellable hybrid polymer
CN112969671A (zh) * 2018-11-14 2021-06-15 法国圣戈班玻璃厂 在玻璃基材上选择性蚀刻层或叠层的方法
JP2022509862A (ja) * 2018-11-29 2022-01-24 シャークレット テクノロジーズ インコーポレイテッド 可溶性テンプレートおよびその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040024529A (ko) * 2001-08-10 2004-03-20 후지쯔 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 팽윤화 재료 및 이를 이용한 패턴화 방법
KR20040071228A (ko) * 2001-12-27 2004-08-11 트랜지션즈 옵티칼 인코포레이티드 광변색성 광학 제품
KR20110028600A (ko) * 2008-06-03 2011-03-21 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 폴리알킬 질소 또는 인 오늄 플루오로알킬 설포닐 염을 포함하는 미세구조체
KR20140139074A (ko) * 2012-03-26 2014-12-04 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 나노구조화된 재료 및 그의 제조방법

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539222A (en) * 1983-11-30 1985-09-03 International Business Machines Corporation Process for forming metal patterns wherein metal is deposited on a thermally depolymerizable polymer and selectively removed
US4828964A (en) * 1985-08-20 1989-05-09 International Business Machines Corporation Polyimide formulation for forming a patterned film on a substrate
GB8910961D0 (en) * 1989-05-12 1989-06-28 Am Int Method of forming a pattern on a surface
DE4014648A1 (de) * 1990-05-08 1991-11-14 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindiches gemisch und strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer die belichtung mit duv-strahlung
US5626994A (en) * 1994-12-15 1997-05-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Process for forming a black matrix of a color filter
GB9620246D0 (en) * 1996-09-26 1996-11-13 Courtaulds Plc Improvements in or relating to coating substrates
JP3473931B2 (ja) * 1996-11-11 2003-12-08 東京応化工業株式会社 リフトオフ用ポジ型感光性組成物およびパターン形成方法
JP4256481B2 (ja) * 1997-02-14 2009-04-22 リンテック株式会社 粘着剤組成物およびその利用方法
JP3269827B2 (ja) * 1997-04-04 2002-04-02 ユニバーシティ・オブ・サザン・カリフォルニア 電気化学製造のための物品、方法、および装置
US7527357B2 (en) * 1997-07-15 2009-05-05 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet nozzle array with individual feed channel for each nozzle
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
US7262063B2 (en) * 2001-06-21 2007-08-28 Bio Array Solutions, Ltd. Directed assembly of functional heterostructures
WO2003081204A2 (en) * 2002-03-20 2003-10-02 Purdue Research Foundation Microscale sensor element and related device and method of manufacture
AU2003251874A1 (en) * 2002-07-12 2004-02-02 Dirk R. Albrecht Three dimensional cell patterned bioploymer scaffolds and method of making the same
US7442515B2 (en) * 2002-07-30 2008-10-28 University Of Washington Apparatus and methods for binding molecules and cells
JP2004093832A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Renesas Technology Corp 微細パターン形成材料、微細パターン形成方法および半導体装置の製造方法
KR100497251B1 (ko) * 2003-08-20 2005-06-23 삼성에스디아이 주식회사 리튬 설퍼 전지용 음극 보호막 조성물 및 이를 사용하여제조된 리튬 설퍼 전지
EP1510861A1 (en) * 2003-08-26 2005-03-02 Sony International (Europe) GmbH Method for patterning organic materials or combinations of organic and inorganic materials
US7804649B2 (en) 2003-09-09 2010-09-28 3M Innovative Properties Company Microreplicated achromatic lens
US7165959B2 (en) 2003-09-09 2007-01-23 3M Innovative Properties Company Apparatus and method for producing two-sided patterned webs in registration
US7224529B2 (en) 2003-09-09 2007-05-29 3M Innovative Properties Company Microreplicated article
JP3908213B2 (ja) 2003-09-30 2007-04-25 富士通株式会社 レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
JP2005166105A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Tdk Corp 凹凸パターン転写用原盤及び情報記録媒体製造用スタンパの製造方法
US9307648B2 (en) * 2004-01-21 2016-04-05 Microcontinuum, Inc. Roll-to-roll patterning of transparent and metallic layers
JP2008522226A (ja) * 2004-11-30 2008-06-26 アグーラ テクノロジーズ インコーポレイテッド 大規模ワイヤ・グリッド偏光子の応用および作製技術
JP2008218867A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
US8163188B2 (en) * 2007-04-03 2012-04-24 The University Of Massachusetts Article with PHEMA lift-off layer and method therefor
JP5264113B2 (ja) * 2007-07-13 2013-08-14 旭化成イーマテリアルズ株式会社 光硬化性樹脂組成物及び、成型体及び、成型体の製造方法
EP2218724B1 (en) 2007-11-07 2015-01-07 Showa Denko K.K. Epoxy group-containing organosiloxane compound, curable composition for transfer material, and fine pattern forming method using the composition
JP2011067950A (ja) * 2008-01-25 2011-04-07 Kyowa Hakko Chemical Co Ltd 金属膜のパターン形成方法
JP2010185128A (ja) * 2008-04-23 2010-08-26 Fujifilm Corp めっき用感光性樹脂組成物、積層体、それを用いた表面金属膜材料の作製方法、表面金属膜材料、金属パターン材料の作製方法、金属パターン材料、及び配線基板
JP5611519B2 (ja) * 2008-10-29 2014-10-22 富士フイルム株式会社 ナノインプリント用組成物、パターンおよびその形成方法
US8696917B2 (en) * 2009-02-09 2014-04-15 Edwards Lifesciences Corporation Analyte sensor and fabrication methods
US9375873B2 (en) * 2010-10-25 2016-06-28 The Johns Hopkins University Curved and flexible microfluidics
WO2012129162A2 (en) * 2011-03-18 2012-09-27 Cornell University Methods of making patterned structures of materials, patterned structures of materials, and methods of using same
KR101266652B1 (ko) * 2011-10-19 2013-05-22 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 하이드로젤을 이용한 세포 패터닝 및 전달 방법 및 이를 이용한 세포 기반 바이오센서
US9541837B2 (en) * 2013-06-20 2017-01-10 Veeco Precision Surface Processing Llc Apparatus and method for removing challenging polymer films and structures from semiconductor wafers
US20150079523A1 (en) * 2013-09-13 2015-03-19 Minggan LI Polymer sheet patterning and its assembly using slit channel lithography

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040024529A (ko) * 2001-08-10 2004-03-20 후지쯔 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 팽윤화 재료 및 이를 이용한 패턴화 방법
KR20040071228A (ko) * 2001-12-27 2004-08-11 트랜지션즈 옵티칼 인코포레이티드 광변색성 광학 제품
KR20110028600A (ko) * 2008-06-03 2011-03-21 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 폴리알킬 질소 또는 인 오늄 플루오로알킬 설포닐 염을 포함하는 미세구조체
KR20140139074A (ko) * 2012-03-26 2014-12-04 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 나노구조화된 재료 및 그의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016176129A1 (en) 2016-11-03
EP3289604B1 (en) 2022-07-13
SG11201708789VA (en) 2017-11-29
EP3289604A4 (en) 2018-12-19
KR101907337B1 (ko) 2018-10-11
CN107533286A (zh) 2018-01-02
EP3289604A1 (en) 2018-03-07
US20180080119A1 (en) 2018-03-22
JP6640245B2 (ja) 2020-02-05
CN107533286B (zh) 2022-02-08
US10167546B2 (en) 2019-01-01
JP2018517583A (ja) 2018-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101907337B1 (ko) 팽윤성 필름 형성 조성물 및 그것을 사용한 나노임프린트 리소그래피의 방법
US9744715B2 (en) Method for producing patterned materials
TWI432892B (zh) 供壓印微影術用之使用一黏著底層的方法
KR101735228B1 (ko) 임프린트 방법 및 임프린트용 경화성 조성물
Vitale et al. Photopolymerization of a perfluoropolyether oligomer and photolithographic processes for the fabrication of microfluidic devices
TWI600671B (zh) 壓印用光硬化性樹脂組成物、壓印用模具之製造方法，以及壓印用模具
EP1633545A2 (en) Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
JP2000042402A (ja) 液体輸送デバイス及びその製造方法
US20200070467A1 (en) Laminate comprising a relief structure forming layer and a manufacturing method for same
JP2013074257A (ja) ナノインプリント用のモールドおよびその製造方法並びにナノインプリント方法
KR20110090808A (ko) 수지형, 성형체 및 성형체의 제조 방법
JP2000248076A (ja) 微小ケミカルデバイスの製造方法
JP6845570B2 (ja) ナノリンクルシート材の製造方法
JP4616416B1 (ja) 撥水性及び親水性の領域を有するパターン化膜、及びその製造方法
WO2024014152A1 (ja) パターン基材の製造方法、硬化性組成物、及び部品の製造方法
Donie et al. Roll‐to‐Roll Compatible Topochemical Wetting Control for Metamaterial Printing
KR101050892B1 (ko) 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물, 그 조성물을이용하여 코팅하는 방법 및 그 코팅방법에 의해 제조된탄성체 몰드
JP2004331795A (ja) ハードコート層積層フィルムおよびそれを用いた表示素子用基板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant