KR20170134185A - 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170134185A
KR20170134185A KR1020170026253A KR20170026253A KR20170134185A KR 20170134185 A KR20170134185 A KR 20170134185A KR 1020170026253 A KR1020170026253 A KR 1020170026253A KR 20170026253 A KR20170026253 A KR 20170026253A KR 20170134185 A KR20170134185 A KR 20170134185A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
electrode
glass substrate
anchoring energy
alignment film
Prior art date
Application number
KR1020170026253A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101929377B1 (ko
Inventor
츠요시 마에다
오사무 사토
조지 카와무라
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Publication of KR20170134185A publication Critical patent/KR20170134185A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101929377B1 publication Critical patent/KR101929377B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G02F2001/134372—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 액정 표시의 응답성 저하를 억제하면서 액정 표시의 밝기를 향상시키는 것이 가능한 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법을 얻는 것을 과제로 한다.
액정층을 개재하여 대향하는 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판과, 액정층의 제 1 유리 기판 측의 액정 분자를 배향시키는 제 1 배향막을 구비하고, 제 1 유리 기판에 설치한 전극에 전압을 인가하여 액정층과 평행한 전계를 생성함으로써 표시를 제어하는 액정 표시 장치로서, 제 1 배향막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지가, 제 1 배향막의 전극간의 앵커링 에너지보다 작은 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법{liquid crystal display device and method of fabricating the same}
본 발명은, 액정 패널면과 평행한 전계를 생성하여 표시를 제어하는 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 패널의 표시 방식으로서, 유리 기판에 설치된 전극에 전압을 인가하여 액정층과 평행한 전계를 생성함으로써 표시를 제어하는 IPS(In-Plane Switching) 방식이 알려져 있다. IPS 방식에서는, 액정 패널의 시야각 방향에 상관없이 액정 분자의 외관상 길이(굴절률 타원체)가 거의 일정해지기 때문에 시야각 특성이 뛰어나다.
그러나 IPS 방식에서는, 전계를 생성하기 위한 전극 바로 위의 전계 횡방향 성분이 작기 때문에 전극 바로 위의 액정 분자의 동작성이 상대적으로 낮아지고, 전극의 전압을 ON으로 했을 때(화이트(white) 표시)의 밝기가 부족하다는 과제가 있다.
이와 같은 과제를 해결하기 위해서 예를 들면 특허문헌 1에서는, 액정 분자를 배향시키는 배향막의 앵커링 에너지(Anchoring Energy)를 작게 해서 액정 분자의 배향 규제력을 약하게 하고 있다. 이로써 전계의 횡방향 성분이 작은 경우에도 전극 형성 기판 상의 액정 분자가 회전하므로, 전극 바로 위에서도 충분한 밝기를 얻을 수 있다.
특허문헌 1: 일본특허공개공보 2009-271390호
액정 패널 배향막의 앵커링 에너지는, 전극의 전압 OFF(블랙(black) 표시) 시 액정 분자의 배향 방향을 일정한 방향으로 맞추기 위한 복원력을 제공하고 있다. 그러나 특허문헌 1에서는, 배향막의 전역에서 앵커링 에너지를 모두 작게 하고 있기 때문에, 전압 OFF 시의 복원력이 약해져서 액정 표시의 응답성이 저하된다. 그 결과 액정 표시의 밝기는 향상되지만, 동화 표시에서 잔상이 발생하는 등의 과제가 있다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 액정층을 개재하여 대향하는 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판과, 액정층의 제 1 유리 기판 측의 액정 분자를 배향시키는 제 1 배향막을 구비하고, 제 1 유리 기판에 설치한 전극에 전압을 인가하여 액정층과 평행한 전계를 생성함으로써 표시를 제어하는 액정 표시 장치로서, 제 1 배향막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지가, 제 1 배향막의 전극간의 앵커링 에너지보다 작은 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은, 액정층을 개재하여 대향하는 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판과, 액정층의 제 1 유리 기판 측의 액정 분자를 배향시키는 제 1 배향막을 구비하고, 제 1 유리 기판에 설치한 전극에 전압을 인가하여 액정층과 평행한 전계를 생성함으로써 표시를 제어하는 액정 표시 장치의 제조 방법으로서, 제 1 배향막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지를, 제 1 배향막의 전극간의 앵커링 에너지보다 작게 하는 단계를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 액정 표시의 응답성 저하를 억제하면서 액정 표시의 밝기를 향상시키는 것이 가능한 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법을 얻을 수 있다.
도 1은 제 1 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 구성을 도시한 개략도이다.
도 2는 제 1 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 빛 통과 특성을 도시한 도면이다.
도 3은 제 1 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 응답 특성을 도시한 도면이다.
도 4는 제 2 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 구성을 도시한 개략도이다.
도 5는 제 2 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 빛 통과 특성을 도시한 도면이다.
도 6은 제 2 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 응답 특성을 도시한 도면이다.
도 7은 제 3 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 빛 통과 특성을 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 발명은 이하 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 벗어나지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다. 또한 이하 설명하는 도면에서, 동일한 기능을 갖는 것은 동일 부호를 부여하고, 그 설명을 생략하거나 또는 간결하게 하는 것도 있다.
<제 1 실시 형태>
이하, 제 1 실시형태에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 1 ~ 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1은, 제 1 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 구성을 도시한 개략도이다. 도 1에 도시한 액정 표시 장치는, 액정 패널(1) 및 백라이트 유닛(2)을 구비한다. 액정 패널(1)과 백라이트 유닛(2) 사이에는 광 확산 시트와 프리즘 시트 등을 배치해도 된다.
액정 패널(1)은, 액정층(11)을 개재하여 대향하는 한 쌍의 유리 기판(12a, 12b)을 구비한다. 유리 기판(12a, 12b) 중 백라이트 유닛(2) 측의 유리 기판(12a)에는 복수의 전극(10)이 설치되어 있다. 액정 표시 장치의 제어부(도시하지 않음)는, 유리 기판(12a)의 전극(10)에 전압을 인가하여 액정층(11)과 평행한 전계를 생성하고, 액정 분자를 회전시킴으로써 액정 표시 장치의 표시를 제어한다.
액정 패널(1)에는, 유리 기판(12a, 12b)을 끼워 넣도록 편광판(14a, 14b)이 외측 각각의 면에 설치되어 있다. 편광판(14a, 14b)의 편광축 방향은, 전극(10)에 전압이 인가되었을 때 백라이트 유닛(2)으로부터 조명되는 빛이 통과 또는 차단되도록 설정되어 있다. 예를 들면 도 1에 도시한 편광판(14a, 14b)의 편광축 방향은 서로 직교하고 있다.
액정 패널(1)의 유리 기판(12a, 12b)과 액정층(11) 사이에는 각각 배향막(13a, 13b)이 설치되어 있다. 또한 액정 패널(1)의 유리 기판(12b)과 배향막(13b) 사이에는 컬러필터(15)가 설치되어 있다. 배향막(13a, 13b)은, 전극(10)의 전압 OFF 시 액정층(11)의 액정 분자 배향을 일치시킨다. 또한 컬러필터(15)는, 백라이트 유닛(2)으로부터 조명되는 빛 중 R(적)/G(녹)/B(청)의 3원색 파장역의 빛을 통과시킨다.
백라이트 유닛(2)은 엣지 라이트 방식의 백라이트이고, LED 소자를 갖는 LED 광원(22)을 도광판(21) 단부에 구비하고 있다. LED 광원(22)은 액정 패널(1)을 조명하는 빛을, 도광판(21)을 통하여 공급한다.
도 1에 도시한 본 실시형태의 액정 패널(1)은 액정층(11)과 평행한 횡전계를 생성하고, 액정 분자를 액정층(11) 면 내에서 회전시켜서 표시를 제어하는 IPS 방식의 액정 표시 장치이다. 그러나 전술한 것과 같이 IPS 방식에서는, 전계를 생성하기 위한 전극(10) 바로 위의 전계 횡방향 성분이 적어, 전극(10) 바로 위의 액정 분자를 충분히 회전시킬 수 없으므로 화이트(white) 표시에서의 밝기가 부족하다.
따라서 본 실시형태에서는 도 1에 도시한 것과 같이 배향막(13a)의 전극(10) 바로 위의 앵커링 에너지를 작게 하여 배향 규제력을 약하게 하고 있다. 이로써 전계의 횡방향 성분이 작은 경우라도 전극(10) 바로 위의 액정 분자가 회전하므로, 전극(10) 바로 위에서도 충분한 밝기를 확보할 수 있다.
더욱이 본 실시형태에서는 배향막(13a)의 전극(10) 바로 위 이외의 영역에서의 앵커링 에너지는 큰 상태이므로, 전극(10)의 전압 OFF 시의 액정 분자 복원력은 거의 저하되지 않아, 액정 표시의 응답성 저하를 억제할 수 있다. 즉 액정 표시의 밝기와 응답성을 양립할 수 있다. 이하, 도 1에 도시한 본 실시형태의 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다.
우선 대향하는 한 쌍의 유리 기판(12a, 12b) 사이에, 유전율 이방성이 양(正)인 네마틱 액정 재료(유전율 이방성 Δε=10, 굴절율 이방성 Δn=0.100)를 봉입하고, 액정층(11)을 형성했다. 유리 기판(12a, 12b)의 두께는 각각 0.5(mm)로 하고, 액정층(11)의 두께는 3.4(㎛)로 했다.
유리 기판(12b)과 액정층(11) 사이에는 R(적)/G(녹)/B(청)의 3원색 파장역의 빛을 통과시키는 컬러필터(15)를 형성했다. 한편 유리 기판(12a)과 액정층(11) 사이에는, 액정층(11)과 평행한 전계를 생성하기 위한 선 형상의 전극(10)을 형성했다. 전극(10)의 폭은 3(㎛), 전극(10)의 간격은 10(㎛)으로 했다.
유리 기판(12a)과 액정층(11) 사이에는 배향막(13a)을 형성하고, 컬러필터(15)와 액정층(11) 사이에는 배향막(13b)을 형성했다. 배향막(13a)의 앵커링 에너지는, 전극(10) 바로 위에서는 10-7(J/m2)가 되도록 하고, 전극(10) 바로 위를 제외한 영역에서는 10-2(J/m2)가 되도록 했다. 한편 배향막(13b)의 앵커링 에너지는 10-2(J/m2)로 했다.
이 때, 배향막(13a)의 앵커링 에너지가 전극(10) 바로 위에서 10-7(J/m2)로 상대적으로 작아지도록 이하의 순서로 배향막(13a)을 형성했다. 우선 유리 기판(12a)에 10-2(J/m2)의 앵커링 에너지를 갖는 폴리이미드막을 형성했다. 그리고 폴리이미드막을 러빙 처리하여, 액정층(11)의 액정 분자 배향 방향이 선 형상의 전극(10)의 장축 방향에 대해서 약 20도로 균일하게 배향되도록 했다. 계속해서 마스크 노광에 의해, 전극(10) 바로 위의 폴리이미드막에만 UV광을 약 1000(mJ/m2) 조사하여, 전극(10) 바로 위의 앵커링 에너지를 10-7(J/m2)로 작게 했다.
그 후 서로 흡수축이 직교하는 편광판(14a, 14b)을, 유리 기판(12a, 12b)을 끼워 넣도록 배치했다. 이 때, 전압 OFF 시 액정층(11)의 액정 분자의 배향 방향이 편광판(14a, 14b) 중 일방의 흡수축과 평행해지고 타방의 흡수축과 직교하도록 했다. 그리고 도광판(21) 단부에 백색의 LED 광원(22)을 구비한 백라이트 유닛(2)을, 액정 패널(1)의 배면 측에 배치했다.
도 2는 제 1 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 빛 통과 특성을 도시한 도면이다. 도 2는 인접하는 전극(10) 사이에 0 ~ 10(V)의 전압 차를 인가했을 때의 액정 패널(1)의 광투과율(%)의 실측값을 도시한다. 본 실시형태의 액정 패널(1)의 빛 통과 특성(T1)은, 배향막(13a)의 전극(10) 바로 위의 앵커링 에너지만 상대적으로 작게 해서 측정했다. 한편 종래의 빛 통과 특성(T2)은, 배향막(13a)의 전역에서 앵커링 에너지를 10-2(J/m2)로 크게(강하게) 해서 측정했다. 또한 도 2에는 배향막(13a)의 전역에서 앵커링 에너지를 10- 7(J/m2)으로 작게(약하게) 해서 측정한 빛 통과 특성(T3)을 비교예로서 도시했다. 배향막(13b)의 앵커링 에너지는 모든 빛 통과 특성(T1, T2, T3) 측정에서도, 전역에서 10-2(J/m2)로 크게 했다.
도 2에 도시한 것과 같이 본 실시형태의 액정 패널(1)의 빛 통과 특성(T1)은, 종래의 액정 패널의 빛 통과 특성(T2)과 비교해서 크게 향상되었다. 이는, 본 실시형태의 액정 패널(1)에서, 전극(10) 바로 위의 배향막(13a)의 앵커링 에너지를 작게 했으므로, 전극(10) 바로 위의 액정 분자가 횡전계에 대해서 응답하기 쉬워졌기 때문이다.
배향막(13a)의 앵커링 에너지를 전역에서 작게 한 비교예의 빛 통과 특성(T3)은, 본 실시형태의 빛 통과 특성(T1)보다 더욱 향상되었다. 이는, 액정층(11)의 배향막(13a) 측의 액정 분자가 전역에서 응답하기 쉬워졌기 때문이다. 그러나 전술한 바와 같이 배향막(13a)의 앵커링 에너지를 전역에서 모두 작게 하면 전극(10)의 전압 OFF 시의 복원력이 저하되어 액정 표시의 응답성이 저하된다. 이와 같은 액정 표시의 응답 특성 측정 결과에 대하여 다음에 설명한다.
도 3은 제 1 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 응답 특성을 도시한 도면이다. 도 3은 전극(10)의 전압을 0(ms)에서 ON으로 하고, 200(ms)에서 OFF로 했을 때의 액정 패널(1)의 광투과율(%)의 시간 변화 실측값을 나타낸다. 도 3에서는 전극(10)의 전압 ON 후 정상 상태에서의 광투과율이 100(%)가 되도록 광투과율이 규격화되어 있다.
도 3으로부터 배향막(13a)의 앵커링 에너지를 전역에서 작게 한 종래의 액정 패널의 응답 특성(R3)은, 전압 OFF 시 응답성이 크게 저하되어 있다. 한편 본 실시형태의 액정 패널(1)의 응답 특성(R2)은, 종래의 액정 패널의 응답 특성(R1)과 비교해도 전압 OFF 시 응답성 저하가 억제되어 있다. 즉 본 실시형태의 액정 표시 장치에 따르면 액정 표시의 응답성 저하를 억제하면서 액정 표시의 밝기를 향상시킬 수 있다.
이상과 같이 본 실시형태의 액정 표시 장치에서는, 제 1 배향막(배향막, 13a)의 전극 바로 위의 앵커링 에너지를, 제 1 배향막의 전극간의 앵커링 에너지보다 작게 하고 있다. 이로써 액정 표시의 응답성 저하를 억제하면서 액정 표시의 밝기를 향상시키는 것이 가능한 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.
또한 전극 바로 위의 액정 분자가 응답하기 쉬워지므로, 전극간에 인가하는 전계를 더욱 작게 할 수 있고, 액정 표시 장치의 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한 제 1 배향막(배향막, 13a)의 전극 바로 위의 앵커링 에너지는, 제 2 배향막(배향막, 13b)의 앵커링 에너지에 대해서도 작은 것이 바람직하지만, 반드시 이와 같은 구성에 한정되는 것은 아니다.
앵커링 에너지를 작게 하는 배향막(13a)의 영역은 약간 위치가 어긋나는 것은 문제없고, 유리 기판(12a)에 형성된 전극(10) 바로 위의 액정 분자의 배향 규제력이 상대적으로 약해져 있으면 된다. 또한 이상의 설명에서는 복수의 전극(10)을 동일한 배선층에 형성했지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 제 2 실시형태에 도시한 것과 같이 SiNx와 SiOx 등에 의해 서로 절연된 다른 배선층에, 각각 화소 전극과 공통 전극을 따로따로 형성해도 된다.
또한 본 실시형태에서는 전극(10)의 주재료로서 85%의 높은 광투과율(T)을 갖는 IZO(indium zinc oxide)를 채용했지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 전극(10)은 높은 광투과율을 갖는 도체막이면 된다. IZO 대신에 예를 들면 ITO(indium tin oxide, T=88%), AZO(aluminum doped zinc oxide, T=92%)를 사용하는 것이 가능하다. 혹은 GZO(gallium doped zinc oxide, T=92%), ATO(antimony tin oxide, T=87%) 등을 사용해도 된다.
또한 이상의 설명에서는 전극(10) 바로 위에서만 앵커링 에너지를 상대적으로 작게 하기 위해서 배향막(13a)의 전극(10) 바로 위에 UV를 조사했지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 제 2 실시형태에 도시한 것과 같이 배향막(13a)의 전극(10) 바로 위의 영역에, 포토리소그래피법을 이용하여 앵커링 에너지가 작은 폴리머 브러시를 형성해도 된다. 또는 배향막(13a)의 전극(10) 바로 위의 영역에, 잉크젯법을 이용하여 앵커링 에너지가 작은 폴리머 브러시를 선택적으로 형성해도 된다.
<제 2 실시형태>
다음으로 제 2 실시형태에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 4 ~ 도 6을 참조하여 설명한다. 도 4는 제 2 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 구성을 도시한 개략도이다. 도 4에 도시한 액정 표시 장치는, 도 1에 도시한 제 1 실시형태의 액정 표시 장치와 비교하여 주로 전극(10)의 구조가 다르다. 기타 구성에 대해서는 제 1 실시형태와 기본적으로 동일하다. 단, 액정 패널(1)이 IPS 방식이면 기타 구성 등에 상관없이 본 발명의 효과가 얻어지는 것을 나타내기 위해 액정층(11)의 재료와 두께를 바꾸고 있다. 이하, 제 1 실시형태와 다른 부분에 대하여 설명한다.
제 1 실시형태에서는, 도 1에 도시한 것과 같이 유리 기판(12a)과 액정층(11) 사이의 배선층에 선 형상의 전극(10)을 복수 형성했다. 한편 본 실시형태에서는, 도 4에 도시한 것과 같이 유리 기판(12a)과 액정층(11) 사이의 제 1 배선층에는 선 형상의 화소 전극(10a)만 복수 형성하고, 제 1 배선층과 다른 제 2 배선층에 직사각형 형상의 공통 전극(10b)을 형성했다. 그리고 화소 전극(10a)과 공통 전극(10b) 사이에 전압을 인가하여 표시를 제어했다. 이로써 본 실시형태에서는, 도 4에 도시한 것과 같이 화소 전극(10a)에 가까울수록 공통 전극(10b)까지의 거리가 짧아지고 전계가 강해지므로, 화소 전극(10a) 부근의 액정 분자의 동작성을 더욱 향상시킬 수 있다. 이하, 도 4에 도시한 본 실시형태의 액정 표시 장치의 제조 방법에 대해서 더욱 구체적으로 설명한다.
우선 대향하는 한 쌍의 유리 기판(12a, 12b) 사이에, 유전율 이방성이 음(負)인 네마틱 액정 재료(유전율 이방성 Δε=-3, 굴절율 이방성 Δn=0.100)를 봉입하고, 액정층(11)을 형성했다. 유리 기판(12a, 12b)의 두께는 각각 0.5(mm)로 하고, 액정층(11)의 두께는 4.0(㎛)로 했다. 유전율 이방성이 음인 네마틱 액정 재료는 종류가 적기 때문에 액정 재료 선택의 자유도는 감소하지만, 유전율 이방성이 음인 네마틱 액정 재료를 사용함으로써 액정 분자 전계에 대한 액정의 동작성을 향상시킬 수 있다.
유리 기판(12b)과 액정층(11) 사이에는 R(적)/G(녹)/B(청)의 3원색 파장역의 빛을 통과시키는 컬러필터(15)를 형성했다. 한편 유리 기판(12a)과 액정층(11) 사이의 제 1 배선층에는, 선 형상의 화소 전극(10a)을 형성했다. 그리고 제 1 배선층과 다른 제 2 배선층에 직사각형 형상의 공통 전극(10b)을 형성했다. 화소 전극(10a)의 폭은 2(㎛), 화소 전극(10a)의 간격은 4(㎛)로 했다. 제 1 배선층과 제 2 배선층 사이에는 3000(Å) 두께의 SiNx막으로 이루어지는 절연층(16)을 형성했다. 화소 전극(10a)과 공통 전극(10b)은, 도 4에 도시한 것과 같이 유리 기판(12a) 면에 수직한 방향으로부터 평면을 봤을 때 중첩되는 영역이 존재하도록 했다.
유리 기판(12a)과 액정층(11) 사이에는 배향막(13a)을 형성하고, 컬러필터(15)와 액정층(11) 사이에는 배향막(13b)을 형성했다. 배향막(13a)의 앵커링 에너지는, 화소 전극(10a) 바로 위에서는 10-6(J/m2)이 되도록 하고, 화소 전극(10a) 바로 위를 제외한 영역에서는 103(J/m2)이 되도록 했다. 한편 배향막(13b)의 앵커링 에너지는 103(J/m2)으로 했다.
이 때, 배향막(13a)의 앵커링 에너지가 화소 전극(10a) 바로 위에서 10-6(J/m2)으로 상대적으로 작아지도록 이하의 순서로 배향막(13a)을 형성했다. 우선 유리 기판(12a)의 화소 전극(10a) 바로 위의 영역에, 포토리소그래피법 등을 이용하여 앵커링 에너지가 작은 폴리머 브러시를 형성했다. 다음으로 유리 기판(12a)의 화소 전극(10a) 바로 위를 제외한 영역에, 폴리머 브러시보다 앵커링 에너지가 큰 폴리이미드막을 형성했다. 이 때 화소 전극(10a) 바로 위의 폴리머 브러시 상에 폴리이미드막이 적층되지 않도록 폴리머 브러시를 튕기는 용제(예를 들면, N-메틸-2-피롤리돈)를 사용했다. 그 후 배향막(13a)의 전역을 러빙 처리하고, 액정층(11)의 액정 분자의 배향 방향이 선 형상의 화소 전극(10a)의 장축 방향에 대해서 약 83도로 균일하게 배향되도록 했다.
그 후 서로 흡수축이 직교하는 편광판(14a, 14b)을, 유리 기판(12a, 12b)을 끼워 넣도록 배치했다. 이 때, 전압 OFF 시 액정층(11)의 액정 분자의 배향 방향이 편광판(14a, 14b) 중 일방의 흡수축과 평행해지고 타방의 흡수축과 직교하도록 했다. 그리고 도광판(21) 단부에 백색의 LED 광원(22)을 구비한 백라이트 유닛(2)을, 액정 패널(1)의 배면 측에 배치했다.
도 5는 제 2 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 빛 통과 특성을 도시한 도면이다. 또한 도 6은 제 2 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 응답 특성을 도시한 도면이다. 도 5 및 도 6에 도시한 본 실시형태의 액정 표시 장치에서의 측정은, 도 2 및 도 3에 도시한 제 1 실시형태의 액정 표시 장치에서의 측정과 동일한 방법 및 동일한 조건에서 수행했다. 이하, 제 1 실시형태와 다른 부분에 대하여 설명한다.
도 5 및 도 6에 도시한 것과 같이 본 실시형태에서는, 모든 빛 통과 특성(T1, T2, T3) 및 모든 응답 특성(R1, R2, R3)이, 도 2 및 도 3에 도시한 제 1 실시형태일 때보다 향상되어 있는 것을 알 수 있다. 이는, 본 실시형태에서는 전극(10)의 구조를 개선함으로써 화소 전극(10a) 부근의 액정 분자의 동작성 및 응답성이 향상되었기 때문이다. 또한 빛 통과 특성(T1, T2, T3) 각각의 사이의 관계 및 응답 특성(R1, R2, R3) 각각의 사이의 관계는, 제 1 실시형태와 동일한 것을 알 수 있다. 즉, 본 실시형태의 액정 표시 장치에 따르면 액정 표시의 응답성 저하를 억제하면서 액정 표시의 밝기를 향상시킬 수 있다. 이와 같이 본 실시형태의 액정 표시 장치에 따르면 액정 패널(1)이 IPS 방식이면 기타 구성 등에 상관없이 제 1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이상과 같이 본 실시형태의 액정 표시 장치에서는, 제 1 유리 기판의 제 1 배선층에 설치된 선 형상의 화소 전극과, 제 1 배선층과는 다른 제 2 배선층에 설치된 직사각형 형상의 공통 전극 사이에 전압을 인가하여 표시를 제어하고 있다. 이로써 액정 표시의 응답성 저하를 억제하면서 액정 표시의 밝기를 더욱 향상시키는 것이 가능한 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.
또한 본 실시형태에서는 화소 전극(10a) 및 공통 전극(10b)의 주재료로서 88%의 높은 광투과율(T)을 갖는 ITO(indium tin oxide)를 채용했지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 화소 전극(10a) 및 공통 전극(10b)은 높은 광투과율을 갖는 도전막이면 된다. ITO 대신에 예를 들면 IZO(indium zinc oxide, T=85%), AZO(aluminum doped zinc oxide, T=92%)를 사용하는 것이 가능하다. 혹은 GZO(gallium doped zinc oxide, T=92%), ATO(antimony tin oxide, T=87%) 등을 사용해도 된다. 또한 앵커링 에너지를 작게 하는 배향막(13a)의 영역은 약간 위치가 어긋나는 것은 문제없고, 유리 기판(12a)에 형성된 화소 전극(10a) 바로 위의 액정 분자의 배향 규제력이 상대적으로 약해져 있으면 된다.
또한 이상의 설명에서는 화소 전극(10a) 바로 위에서만 앵커링 에너지를 상대적으로 작게 하기 위해서 배향막(13a)의 화소 전극(10a) 바로 위의 영역에 포토리소그래피법을 이용하여 폴리머 브러시를 형성했지만 여기에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 제 1 실시형태에 도시한 것과 같이 배향막(13a)의 화소 전극(10a) 바로 위의 앵커링 에너지를, UV 조사에 의해 작게 해도 된다. 또는 배향막(13a)의 화소 전극(10a) 바로 위의 영역에, 잉크젯법을 이용하여 앵커링 에너지가 작은 폴리머 브러시를 형성해도 된다.
<제 3 실시형태>
본 실시형태에서는 액정 패널(1)의 빛 통과 특성에 대한 전극 바로 위의 앵커링 에너지 크기의 영향에 대하여 검토한다. 본 실시형태의 액정 표시 장치의 구성은 도 4에 도시한 제 2 실시형태의 구성과 기본적으로 동일하다. 단, 액정 패널(1)이 IPS 방식이면 기타 구성 등에 상관없이 본 발명의 효과가 얻어지는 것을 나타내기 위해서 액정층(11) 재료와 두께를 바꾸고 있다. 이하, 제 2 실시형태와 다른 부분에 대하여 설명한다.
우선 대향하는 한 쌍의 유리 기판(12a, 12b) 사이에, 유전율 이방성이 양(正)인 네마틱 액정 재료(유전율 이방성 Δε=10, 굴절율 이방성 Δn=0.100)를 봉입하고, 액정층(11)을 형성했다. 유리 기판(12a, 12b)의 두께는 각각 0.5(mm)로 하고, 액정층(11) 두께는 4.4(㎛)로 했다.
유리 기판(12b)과 액정층(11) 사이에는 R(적)/G(녹)/B(청)의 3원색 파장역의 빛을 통과시키는 컬러필터(15)를 형성했다. 한편 유리 기판(12a)과 액정층(11) 사이의 제 1 배선층에는 선 형상의 화소 전극(10a)을 복수 형성했다. 그리고 제 1 배선층과는 다른 제 2 배선층에 직사각형 형상의 공통 전극(10b)을 형성했다. 화소 전극(10a)의 폭은 2(㎛), 화소 전극(10a)의 간격은 4(㎛)로 했다. 제 1 배선층과 제 2 배선층 사이에는 3000(Å) 두께의 SiNx막으로 이루어지는 절연층(16)을 형성했다. 화소 전극(10a)과 공통 전극(10b)은, 도 4에 도시한 것과 같이 유리 기판(12a) 면에 수직한 방향으로부터 평면을 봤을 때 중첩되는 영역이 존재하도록 했다.
유리 기판(12a)과 액정층(11) 사이에는 배향막(13a)을 형성하고, 컬러필터(15)와 액정층(11) 사이에는 배향막(13b)을 형성했다. 배향막(13a)의 앵커링 에너지는, 화소 전극(10a) 바로 위에서는 10-8 ~ 10-1 (J/m2)이 되도록 하고, 화소 전극(10a) 바로 위를 제외한 영역에서는 103(J/m2)이 되도록 했다. 한편 배향막(13b)의 앵커링 에너지는 103(J/m2)으로 했다.
이 때, 배향막(13a)의 앵커링 에너지가 화소 전극(10a) 바로 위에서 10-6(J/m2)으로 상대적으로 작아지도록 이하의 순서로 배향막(13a)을 형성했다. 우선 배향막(13a)의 화소 전극(10a) 바로 위의 영역에, 포토리소그래피법 등을 이용하여 앵커링 에너지가 작은 폴리머 브러시를 형성했다. 다음으로 배향막(13a)의 화소 전극(10a) 바로 위를 제외한 영역에, 폴리머 브러시보다 앵커링 에너지가 큰 폴리이미드막을 형성했다. 이 때 화소 전극(10a) 바로 위의 폴리머 브러시 상에 폴리이미드막이 적층되지 않도록 폴리머 브러시를 튕기는 용제(예를 들면 N-메틸-2-피롤리돈)를 사용했다. 그 후 배향막(13a)의 전역을 러빙 처리하고, 액정층(11)의 액정 분자의 배향 방향이 선 형상의 화소 전극(10a)의 장축 방향에 대해서 약 7도로 균일하게 배향되도록 했다.
그 후 서로 흡수축이 직교하는 편광판(14a, 14b)을, 유리 기판(12a, 12b)을 끼워 넣도록 배치했다. 이 때, 전압 OFF 시 액정층(11)의 액정 분자의 배향 방향이 편광판(14a, 14b) 중 일방의 흡수축과 평행해지고 타방의 흡수축과 직교하도록 했다. 그리고 도광판(21) 단부에 백색의 LED 광원(22)을 구비한 백라이트 유닛(2)을, 액정 패널(1)의 배면 측에 배치했다.
도 7은 제 3 실시형태에 따른 액정 표시 장치의 빛 통과 특성을 도시한 도면이다. 도 7은 화소 전극(10a)과 공통 전극(10b) 사이에 0 ~ 10(V)의 전압차를 인가했을 때의 액정 패널(1)의 광투과율(%) 실측값을 도시한다. 도 7에서는 배향막(13a)의 화소 전극(10a) 바로 위의 앵커링 에너지가 10-8, 10-7, 10-6, 10-5, 10-4, 10-3, 10-2 또는 10-1(J/m2)인 경우의 액정 패널(1)의 빛 통과 특성을 측정했다.
도 7에 도시한 것과 같이 화소 전극(10a) 바로 위의 배향막(13a)의 앵커링 에너지를 10-3(J/m2) 이상으로 했을 때 본 실시형태의 액정 표시 장치에 따른 빛 통과 특성은, 앵커링 에너지를 전역에서 크게 한 종래의 빛 통과 특성과 대체로 동일했다. 다음으로 화소 전극(10a) 바로 위의 배향막(13a)의 앵커링 에너지를 10-4 이하로 하면 앵커링 에너지를 작게 함에 따라서 광투과율은 향상되었다. 그러나 화소 전극(10a) 바로 위의 배향막(13a)의 앵커링 에너지를 10-6(J/m2) 이하로 작게 해도 광투과율은 그 이상 향상되지 않았다.
이상과 같이 본 실시형태의 액정 표시 장치에 의하면, 제 1 배향막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지를 10-6(J/m2) 이하로 함으로써 액정 표시의 밝기를 크게 향상시킬 수 있다. 또한 앵커링 에너지를 10-6(J/m2) 이하로 함으로써 빛 통과 특성에 대한 앵커링 에너지의 불균일에 의한 변화의 영향을 억제할 수 있으므로, 표시 얼룩이 발생하기 어렵고 제조 마진이 넓은 액정 표시 장치를 얻을 수 있다.
<기타 실시형태>
상술한 실시형태는 모두 본 발명을 실시하는데 있어서 구제화된 예를 나타낸 것에 불과하고, 이들에 의해 본 발명의 기술적 범위가 한정적으로 해석되면 안 되는 것이다. 즉 본 발명은 그 기술 사상 또는 그 주요 특징으로부터 벗어나지 않고 다양한 형태로 실시할 수 있다.
상술한 실시형태의 구성에서는, 배향막(13a)의 전극 바로 위의 앵커링 에너지가 상대적으로 작아져 있으므로, 전극 바로 위의 액정 분자는 회전하기 쉬워졌다. 따라서 예를 들면 액정층(11)의 전극 바로 위의 영역에서, 제 2 유리 기판(유리 기판, 12b) 측의 액정 분자를 일정 각도 β 만큼 회전시키면 제 1 유리 기판(유리 기판, 12a) 측의 액정 분자도 그에 맞춰서 회전한다. 한편 액정층(11)의 전극간 영역에서는, 유리 기판(12b) 측의 액정 분자를 일정 각도 β 만큼 회전시켜도 유리 기판(12a) 측의 액정 분자는 거의 회전하지 않는다. 따라서 본 발명의 기술적 특징인 배향막(13a)의 전극 바로 위의 앵커링 에너지가 상대적으로 작아져 있는 구성은, 예를 들면 다음과 같은 검증 방법을 이용하여 용이하게 검증할 수 있다.
제 1 단계:
액정층(11)의 전극 바로 위의 영역에서, 유리 기판(12b) 측의 액정 분자를 일정 각도 β 만큼 회전시켰을 때의 유리 기판(12a) 측의 액정 분자의 회전 각도 α1을 측정한다.
제 2 단계:
액정층(11)의 전극간 영역에서, 유리 기판(12b) 측의 액정 분자를 일정 각도 β 만큼 회전시켰을 때의 유리 기판(12a) 측의 액정 분자의 회전 각도 α2를 측정한다.
제 3 단계:
회전 각도 α1과 회전 각도 α2의 차(=α1-α2)가 소정의 문턱값을 넘은 경우, 배향막(13a)의 전극 바로 위의 앵커링 에너지가 상대적으로 작아졌다고 판정한다.
이와 같이 본 발명의 기술적 특징은 검증이 용이하기 때문에, 예를 들면 제조 후 검사 등에서 액정 표시 장치가 상술한 실시형태의 구성을 가지고 있는지의 검사 공정을 간소화하는 것이 가능하다.
1: 액정 패널 2: 백라이트 유닛
10: 전극 10a: 화소 전극
10b: 공통 전극 11: 액정층
12a, 12b: 유리 기판 13a, 13b: 배향막
14a, 14b: 편광판

Claims (12)

  1. 액정층을 개재하여 대향하는 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판과,
    상기 액정층의 상기 제 1 유리 기판 측의 액정 분자를 배향시키는 제 1 배향막을 구비하고,
    상기 제 1 유리 기판에 설치한 전극에 전압을 인가하여 상기 액정층과 평행한 전계를 생성함으로써 표시를 제어하는 액정 표시 장치로서,
    상기 제 1 배향막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지가, 상기 제 1 배향막의 전극간의 앵커링 에너지보다 작은 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 액정층의 상기 제 2 유리 기판 측의 액정 분자를 배향시키는 제 2 배향막을 더욱 구비하고,
    상기 제 1 배향막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지가, 상기 제 2 배향막의 앵커링 에너지보다 작은 액정 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 배향막의 전극간의 앵커링 에너지가, 상기 제 2 배향막의 앵커링 에너지와 동일한 액정 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 배향막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지가 10-6(J/m2) 이하인 액정 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극은, 상기 제 1 유리 기판의 제 1 배선층에 설치된 선 형상의 화소 전극으로서,
    상기 제 1 배선층과는 다른 제 2 배선층에 설치된 직사각형 형상의 공통 전극과 상기 화소 전극과의 사이에 전압을 인가함으로써 표시를 제어하는 액정 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 평면을 봤을 때(平面視)에 있어서 중첩되는 영역을 갖는 액정 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극은 ITO, IZO, AZO, GZO, ATO 중 어느 것을 주재료로 하는 액정 표시 장치.
  8. 액정층을 개재하여 대향하는 제 1 유리 기판 및 제 2 유리 기판과,
    상기 액정층의 상기 제 1 유리 기판 측의 액정 분자를 배향시키는 제 1 배향막을 구비하고,
    상기 제 1 유리 기판에 설치한 전극에 전압을 인가하여 상기 액정층과 평행한 전계를 생성함으로써 표시를 제어하는 액정 표시 장치의 제조 방법으로서,
    상기 제 1 배향막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지를, 상기 제 1 배향막의 전극간의 앵커링 에너지보다 작게 하는 배향 단계를 갖는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 배향 단계는,
    상기 제 1 유리 기판에 폴리이미드막을 형성하는 제 1 단계와,
    상기 폴리이미드막을 러빙 처리하는 제 2 단계와,
    상기 폴리이미드막의 전극 바로 위의 영역에 UV 조사하여, 상기 폴리이미드막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지를, 상기 폴리이미드막의 전극간의 앵커링 에너지보다 작게 하는 제 3 단계를 갖는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 배향 단계는,
    상기 제 1 유리 기판의 전극 바로 위의 영역에, 포토리소그래피법을 이용하여 폴리머 브러시를 형성하는 제 1 단계와,
    상기 제 1 유리 기판의 전극 바로 위를 제외한 영역에, 상기 폴리머 브러시보다 큰 앵커링 에너지를 갖는 폴리이미드막을 형성하는 제 2 단계와,
    상기 폴리머 브러시 및 상기 폴리이미드막을 러빙 처리하는 제 3 단계를 갖는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 배향 단계는,
    상기 제 1 유리 기판에 폴리이미드막을 형성하는 제 1 단계와,
    상기 폴리이미드막을 러빙 처리하는 제 2 단계와,
    상기 폴리이미드막의 전극 바로 위의 영역에 잉크젯법에 의해, 선택적으로 폴리머 브러시를 형성하는 제 3 단계를 갖는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재한 액정 표시 장치에서, 상기 제 1 배향막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지가 상대적으로 작아진 것을 검증하는 방법으로서,
    상기 액정층의 전극 바로 위의 영역에서, 상기 제 2 유리 기판 측의 액정 분자를 일정 각도 β 만큼 회전시켰을 때의 상기 제 1 유리 기판 측의 액정 분자의 회전 각도 α1을 측정하는 제 1 단계와,
    상기 액정층의 전극간의 영역에서, 상기 제 2 유리 기판 측의 액정 분자를 상기 각도 β 만큼 회전시켰을 때의 상기 제 1 유리 기판 측의 액정 분자의 회전 각도 α2를 측정하는 제 2 단계와,
    상기 회전 각도 α1과 상기 회전 각도 α2의 차(=α1- α2)가 소정의 문턱값을 넘은 경우, 상기 제 1 배향막의 전극 바로 위의 앵커링 에너지가 상대적으로 작아졌다고 판정하는 판정 단계를 갖는 검증 방법.
KR1020170026253A 2016-05-27 2017-02-28 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법 KR101929377B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-105919 2016-05-27
JP2016105919A JP6858495B2 (ja) 2016-05-27 2016-05-27 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170134185A true KR20170134185A (ko) 2017-12-06
KR101929377B1 KR101929377B1 (ko) 2018-12-14

Family

ID=60475552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170026253A KR101929377B1 (ko) 2016-05-27 2017-02-28 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6858495B2 (ko)
KR (1) KR101929377B1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6824658B2 (ja) * 2016-08-09 2021-02-03 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
JP2019119807A (ja) 2018-01-05 2019-07-22 Jnc株式会社 硬化性組成物
CN112292633A (zh) 2018-06-18 2021-01-29 日产化学株式会社 零面锚定膜的制造方法及液晶显示元件
US10768490B2 (en) 2018-06-27 2020-09-08 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with patterned alignment layer for improved brightness
WO2020036230A1 (ja) * 2018-08-17 2020-02-20 国立大学法人京都大学 光学素子及び光学素子のリフレッシュ駆動方法
WO2021125327A1 (ja) 2019-12-18 2021-06-24 日産化学株式会社 パターン化された液晶表示素子の製造方法
WO2022030602A1 (ja) 2020-08-06 2022-02-10 日産化学株式会社 液晶組成物、液晶表示素子の製造方法、及び液晶表示素子
KR20230095990A (ko) 2020-10-27 2023-06-29 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 라디칼 발생막 형성 조성물, 라디칼 발생막, 액정 표시 소자의 제조 방법, 및 액정 표시 소자
CN116507968A (zh) 2020-10-27 2023-07-28 日产化学株式会社 自由基产生膜形成组合物、自由基产生膜、液晶显示元件的制造方法及液晶显示元件

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100200436B1 (en) * 1994-08-26 1999-06-15 Fujitsu Ltd An lcd apparatus and manufacturing method of the same
KR100554405B1 (ko) 2003-08-23 2006-02-22 김재창 쌍안정 카이랄 스플레이 네마틱 액정 표시 장치
JP5190818B2 (ja) 2006-03-30 2013-04-24 学校法人東京理科大学 液晶素子および液晶素子の製造方法
JP2009271390A (ja) * 2008-05-09 2009-11-19 Seiko Epson Corp 液晶表示装置及び電子機器
WO2013035810A1 (ja) 2011-09-07 2013-03-14 大日本印刷株式会社 液晶表示素子
JP6516962B2 (ja) 2013-12-26 2019-05-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド ゼロ面アンカリング状態を活用した液晶表示素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6858495B2 (ja) 2021-04-14
KR101929377B1 (ko) 2018-12-14
JP2017211566A (ja) 2017-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101929377B1 (ko) 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법
US9417486B2 (en) Liquid crystal display device
US9897872B2 (en) Liquid crystal display panel with switchable viewing angle and driving method thereof
WO2012013291A1 (en) Liquid crystal display and method for preparation thereof
US9891466B2 (en) Liquid crystal display panel and fabrication method thereof
JP7177617B2 (ja) ランプユニット、車両用灯具システム
US10386662B2 (en) Liquid crystal panel, liquid crystal display device and method for improving liquid crystal rotation obstacle
KR101358328B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JPH11271810A (ja) 液晶表示パネルおよび液晶表示装置
JP4337854B2 (ja) 液晶表示装置
JP2010250025A (ja) 偏光素子とその製造方法および液晶表示装置
KR102073957B1 (ko) 액정표시패널 및 그 제조방법
JP2012027150A (ja) 高分子分散型液晶表示素子の製造方法及びその素子
WO2016015425A1 (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
KR20100003565A (ko) 액정 표시 장치의 제조 방법
JP6924588B2 (ja) 液晶表示装置及び液晶表装置の製造方法
US10895766B2 (en) Display device and repair method thereof
JP6991723B2 (ja) 液晶表示装置及びその制御方法
JP6824658B2 (ja) 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
KR101993342B1 (ko) 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법
US20160085010A1 (en) Optical alignment method and patterned retarder manufacturing method using polarized pulse uv
US9995969B2 (en) Liquid crystal display device
WO2007144998A1 (ja) 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
CN114144723B (zh) 液晶显示装置的制造方法以及液晶显示装置
US20220091464A1 (en) Display device and method for manufacturing display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant