KR20170113271A - Expansion device - Google Patents

Expansion device Download PDF

Info

Publication number
KR20170113271A
KR20170113271A KR1020170038331A KR20170038331A KR20170113271A KR 20170113271 A KR20170113271 A KR 20170113271A KR 1020170038331 A KR1020170038331 A KR 1020170038331A KR 20170038331 A KR20170038331 A KR 20170038331A KR 20170113271 A KR20170113271 A KR 20170113271A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
holding
wafer
adhesive tape
frame
roller
Prior art date
Application number
KR1020170038331A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102168715B1 (en
Inventor
아츠시 핫토리
아츠시 우에키
사카에 무토
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20170113271A publication Critical patent/KR20170113271A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102168715B1 publication Critical patent/KR102168715B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D7/00—Details of apparatus for cutting, cutting-out, stamping-out, punching, perforating, or severing by means other than cutting
    • B26D7/01—Means for holding or positioning work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
    • B26F3/00—Severing by means other than cutting; Apparatus therefor
    • B26F3/06—Severing by using heat
    • B26F3/16—Severing by using heat by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Abstract

본 발명은 점착 테이프를 균일하게 수축시키는 것을 과제로 한다.
프레임 유지 수단(32)과, 프레임(100)에 장착되는 점착 테이프(110)의 웨이퍼(10)가 접착되는 웨이퍼 유지 영역(111)을 흡인 유지하는 유지면(332a)을 갖는 유지 테이블(33)과, 프레임 유지 수단(32)과 유지 테이블(33)을 기준 위치와 확장 위치의 사이에서 상대적으로 이동시키는 진퇴 수단(34)과, 진퇴 수단(34)에 의해 웨이퍼 유지 영역(111)과 프레임(100)의 사이에서 확장되는 점착 테이프(110)를 수축시키는 가열 수단(35)을 구비하고, 유지 테이블(33)은, 유지면(332a)의 외주에, 웨이퍼 유지 영역(111)과 프레임(100) 사이의 점착 테이프(110)에 작용하는 확장 보조 롤러(334)를 가지며, 확장 보조 롤러(334)는, 유지면(332a)의 직경 방향으로 확장될 때의 점착 테이프(110)의 이동 방향을 따르는 방향으로만 회전하는 원웨이 롤러이다. The present invention aims to uniformly shrink the adhesive tape.
A holding table 33 having a holding surface 332a for sucking and holding the wafer holding area 111 to which the wafer 10 of the adhesive tape 110 mounted on the frame 100 is adhered, Retracting means 34 for relatively moving the frame holding means 32 and the holding table 33 between the reference position and the extended position and a retracting means 34 for retracting the wafer holding region 111 and the frame The holding table 33 is provided on the outer periphery of the holding surface 332a to hold the wafer holding region 111 and the frame 100 The extension aiding roller 334 has an extension aiding roller 334 which acts on the adhesive tape 110 between the holding surface 332a and the holding surface 332a so that the moving direction of the adhesive tape 110 when extending in the radial direction of the holding surface 332a is Way roller that rotates only in the following direction.

Description

확장 장치{EXPANSION DEVICE}Expansion device {EXPANSION DEVICE}

본 발명은 확장 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an expansion device.

반도체 웨이퍼에 레이저 광선을 조사하여 형성한 개질층을 기점으로, 개개의 디바이스로 분할할 때나, 반도체 웨이퍼에 접착된 DAF(Die Attach Film) 테이프라고 불리는 점착 테이프를 개개의 디바이스에 맞춰 파단할 때에 이용되는 확장 장치가 알려져 있다(예컨대 특허문헌 1, 특허문헌 2 참조). 확장 장치는, 웨이퍼 유지 영역을 프레임 유지 수단으로부터 돌출되는 방향으로 이동시켜 확장 위치에 위치 부여하고, 점착 테이프를 확장한다. 그 후, 돌출을 복귀시켜 기준 위치에 위치 부여하고, 웨이퍼의 주위에서 이완된 점착 테이프를 가열하고 수축시켜, 웨이퍼 유지 영역만 점착 테이프가 확장된 상태로 한다. When a modified layer formed by irradiating a semiconductor wafer with a laser beam is used as a starting point and is divided into individual devices, or when an adhesive tape called a DAF (Die Attach Film) tape adhered to a semiconductor wafer is used to be broken in accordance with individual devices (See, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). The expanding device moves the wafer holding area in the direction in which the wafer holding area protrudes from the frame holding device, and positions the wafer holding area in the extended position to extend the adhesive tape. Thereafter, the protrusion is returned to the reference position, the adhesive tape loosened around the wafer is heated and shrunk to make the adhesive tape extended only in the wafer holding area.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2007-123658호 공보Patent Document 1: JP-A-2007-123658 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2013-118326호 공보Patent Document 2: JP-A-2013-118326

그런데, 돌출을 복귀시켜 확장 위치로부터 기준 위치로 이동할 때, 확장 보조 롤러는 확장시와 역방향으로 회전하기 때문에, 확장된 점착 테이프가 웨이퍼의 방향으로 이동하는 것을 보조해 버린다. 이에 따라, 확장 보조 롤러와 유지면 사이에 점착 테이프가 감겨 들어가, 가열 수단의 가열 효과가 미치기 어렵게 되어 버리는 경우가 있다. 그 결과, 점착 테이프의 감긴 부분은 수축되지 않아, 이완된 상태가 해소되지 않게 된다. 이 상태에서, 유지 테이블로부터 웨이퍼를 이탈시키면, 점착 테이프가 수축되지 않은 부분에 기인하여 웨이퍼 유지 영역이 수축되거나, 점착 테이프가 이완되어 디바이스끼리 마찰되거나 하기 때문에, 디바이스가 파손될 우려가 있다. However, when the protrusion is returned to the reference position from the extended position, the extension auxiliary roller rotates in the direction opposite to that at the time of expansion, thereby assisting the extended adhesive tape to move in the direction of the wafer. As a result, the pressure-sensitive adhesive tape is wound between the extension assist roller and the holding surface, and the heating effect of the heating means becomes difficult to be exerted. As a result, the wound portion of the adhesive tape is not shrunk, and the relaxed state is not eliminated. In this state, if the wafer is detached from the holding table, the wafer holding area shrinks due to the portion where the adhesive tape is not contracted, or the adhesive tape is loosened and the devices are rubbed together.

본 발명은, 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 점착 테이프를 균일하게 수축시킬 수 있는 확장 장치를 제공하는 것에 있다. The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide an expansion device capable of uniformly shrinking the adhesive tape.

전술한 과제를 해결하여 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 확장 장치는, 고리형의 프레임의 개구부를 덮도록 장착되며 웨이퍼가 접착되는 열수축성 및 익스팬드성을 갖는 점착 테이프를 확장시키는 확장 장치에 있어서, 상기 프레임을 유지하는 프레임 유지 수단과, 상기 프레임 유지 수단에 유지되는 상기 프레임에 장착되는 점착 테이프의 상기 웨이퍼가 접착되는 웨이퍼 유지 영역을 흡인 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과, 상기 유지면과 직교하는 축방향으로 상기 프레임 유지 수단과 상기 유지 테이블을 기준 위치와 상기 유지면이 상기 프레임 유지 수단으로부터 돌출되는 확장 위치의 사이에서 상대적으로 이동시키는 진퇴 수단과, 상기 진퇴 수단에 의해 상기 웨이퍼 유지 영역과 상기 프레임의 사이에서 확장되는 상기 점착 테이프를 수축시키는 가열 수단을 구비하고, 상기 유지 테이블은, 상기 유지면의 외주에, 상기 웨이퍼 유지 영역과 상기 프레임 사이의 상기 점착 테이프에 작용하는 확장 보조 롤러를 가지며, 상기 확장 보조 롤러는, 상기 유지면의 직경 방향으로 확장될 때의 상기 점착 테이프의 이동 방향을 따르는 방향으로만 회전하는 원웨이 롤러인 것을 특징으로 한다. In order to solve the above-described problems and to achieve the object, an expansion device of the present invention is an extension device for expanding an adhesive tape which is mounted so as to cover an opening of an annular frame and has heat shrinkable and expandable properties to which a wafer is adhered A holding table having a holding surface for sucking and holding a wafer holding area to which the wafer of the adhesive tape to be attached to the frame held by the frame holding means is adhered; Retracting means for moving said frame holding means and said holding table relative to each other between a reference position and an extended position where said holding surface protrudes from said frame holding means in an axial direction orthogonal to said wafer holding means, The adhesive tape extending between the area and the frame is shrunk Wherein the holding table has an extending auxiliary roller on the outer periphery of the holding surface and acting on the adhesive tape between the wafer holding area and the frame, And is a one-way roller that rotates only in a direction along the moving direction of the adhesive tape when it is extended in the radial direction.

본원발명의 확장 장치에 의하면, 점착 테이프를 균일하게 수축시킬 수 있다. According to the expansion device of the present invention, the adhesive tape can be shrunk uniformly.

도 1은, 본 실시형태에 관한 확장 장치에 의해 확장되는 웨이퍼를 나타내는 사시도이다.
도 2는, 도 1에 나타내는 웨이퍼에 개질층을 형성할 때에 이용하는 레이저 가공 장치를 나타내는 사시도이다.
도 3은, 레이저 가공 장치에 의해 웨이퍼에 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 설명하는 설명도이다.
도 4는, 레이저 가공 장치에 의해 웨이퍼에 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 설명하는 설명도이다.
도 5는, 레이저 가공 장치에 의해 웨이퍼에 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 설명하는 설명도이다.
도 6은, 개질층 형성 공정에서 개질층이 형성된 웨이퍼를 접착 테이프의 표면에 접착한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 7은, 본 실시형태에 관한 확장 장치의 분해 사시도이다.
도 8은, 본 실시형태에 관한 확장 장치의 유지 테이블이 기준 위치에 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 9는, 본 실시형태에 관한 확장 장치의 유지 테이블이 확장 위치에 있는 상태를 나타내는 단면도이다.
도 10은, 본 실시형태에 관한 확장 장치의 유지 테이블이 확장 위치로부터 기준 위치로 복귀된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 11은, 본 실시형태에 관한 확장 장치에 의해 접착 테이프를 수축시키는 상태를 나타내는 단면도이다. 1 is a perspective view showing a wafer expanded by an expansion device according to the embodiment.
Fig. 2 is a perspective view showing a laser machining apparatus used for forming a modified layer on the wafer shown in Fig. 1. Fig.
3 is an explanatory view for explaining a modified layer forming step of forming a modified layer on a wafer by a laser machining apparatus.
4 is an explanatory view for explaining a modified layer forming step of forming a modified layer on a wafer by a laser machining apparatus.
5 is an explanatory view for explaining a modified layer forming step of forming a modified layer on a wafer by a laser processing apparatus.
6 is a perspective view showing a state in which the wafer having the modified layer formed thereon is adhered to the surface of the adhesive tape in the modified layer forming step.
7 is an exploded perspective view of the expansion device according to the present embodiment.
8 is a cross-sectional view showing a state in which the holding table of the expansion device according to the present embodiment is at the reference position.
9 is a cross-sectional view showing a state in which the holding table of the expansion device according to the present embodiment is in the extended position.
10 is a cross-sectional view showing a state in which the holding table of the expansion device according to the present embodiment is returned from the extended position to the reference position.
11 is a cross-sectional view showing a state in which the adhesive tape is shrunk by the expansion device according to the present embodiment.

이하, 본 발명에 관한 실시형태에 관해, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러가지 생략, 치환 또는 변경을 할 수 있다. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments. The constituent elements described below include those which can be readily devised by those skilled in the art and substantially the same. Further, the structures described below can be suitably combined. In addition, various omissions, substitutions or modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

도 1은, 본 실시형태에 관한 확장 장치에 의해 확장되는 웨이퍼를 나타내는 사시도이다. 웨이퍼(10)는, 실리콘, 사파이어, 갈륨 등을 모재로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼(10)는, 이면(10b)이 고리형의 프레임(100)에 장착되는 점착 테이프(110)의 표면에 접착된다. 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는, 복수의 분할 예정 라인(11)으로 구획된 영역에 복수의 디바이스(12)가 형성된다. 웨이퍼(10)는, 레이저 가공 장치(20)에 의해 가공되어 개질층(13)이 형성되는 것에 의해, 개개의 디바이스(12)로 분할된다. 1 is a perspective view showing a wafer expanded by an expansion device according to the embodiment. The wafer 10 is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device wafer made of silicon, sapphire, gallium or the like as a base material. The back surface 10b of the wafer 10 is bonded to the surface of the adhesive tape 110 mounted on the annular frame 100. [ On the surface 10a of the wafer 10, a plurality of devices 12 are formed in an area defined by a plurality of lines 11 to be divided. The wafer 10 is divided into the individual devices 12 by being processed by the laser processing apparatus 20 to form the modified layer 13. [

우선, 확장 장치에 의해 확장되는 웨이퍼(10)에 개질층(13)을 형성하는 개질층 형성 공정에 관해 설명한다. 개질층 형성 공정에서는 레이저 가공 장치(20)를 이용한다. 도 2는, 도 1에 나타내는 웨이퍼에 개질층을 형성할 때에 이용하는 레이저 가공 장치를 나타내는 사시도이다. First, the modified layer forming step of forming the modified layer 13 on the wafer 10 expanded by the expansion apparatus will be described. In the reforming layer forming step, the laser processing apparatus 20 is used. Fig. 2 is a perspective view showing a laser machining apparatus used for forming a modified layer on the wafer shown in Fig. 1. Fig.

레이저 가공 장치(20)는, 웨이퍼(10)를 유지하는 척 테이블(21)과, 척 테이블(21) 상에 유지되는 웨이퍼(10)에 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(22)과, 실질적으로 수평으로 배치된 원통형상의 케이싱(23)과, 집광기(24)와, 촬상 수단(25)을 구비한다. 척 테이블(21)은 웨이퍼(10)를 흡인 유지한다. 척 테이블(21)은, Z축 둘레로 XY 평면에서 회전 가능하다. 척 테이블(21)은, 도시하지 않은 가공 이송 수단에 의해 X축 방향으로 가공 이송된다. 척 테이블(21)은, 도시하지 않은 인덱싱 이송 수단에 의해 Y축 방향으로 인덱싱 이송된다. 케이싱(23)의 선단부에는, 집광 렌즈를 수용한 집광기(24)가 배치된다. 집광기(24)는, 발진된 펄스 레이저 광선을 집광한다. 레이저 광선 조사 수단(22)은, 집광 렌즈 등을 포함하는 광학계 유닛의 조정 수단에 의해 집광 위치를 Z축 방향으로 조정 가능하게 설치된다. 촬상 수단(25)은, 케이싱(23)의 선단부에 배치된다. 촬상 수단(25)은, 척 테이블(21) 상에 유지되는 웨이퍼(10)를 촬상하고, 집광기(24)로부터 조사되는 펄스 레이저 광선에 의해 가공해야 할 가공 영역을 촬영한다. 촬상 수단(25)은, 가시광 외에 적외광을 이용하여 웨이퍼(10)의 이면(10b)으로부터 표면(10a)의 디바이스(12)나 분할 예정 라인(11)을 촬상한다. The laser processing apparatus 20 includes a chuck table 21 for holding a wafer 10 and a laser beam irradiation device for irradiating the wafer 10 held on the chuck table 21 with a pulsed laser beam having a wavelength (22), a cylindrical casing (23) arranged substantially horizontally, a condenser (24), and an image pickup means (25). The chuck table 21 holds the wafer 10 by suction. The chuck table 21 is rotatable in the XY plane around the Z axis. The chuck table 21 is processed and transported in the X-axis direction by a not-shown processing transfer means. The chuck table 21 is indexed and transported in the Y-axis direction by an indexing feeding means (not shown). At the front end of the casing 23, a condenser 24 containing a condenser lens is disposed. The condenser 24 condenses the oscillated pulsed laser beam. The laser beam irradiating means 22 is provided so as to be capable of adjusting the converging position in the Z-axis direction by the adjusting means of the optical system unit including the converging lens or the like. The imaging means 25 is disposed at the distal end of the casing 23. [ The image pickup means 25 images the wafer 10 held on the chuck table 21 and picks up a machining area to be machined by the pulse laser beam irradiated from the concentrator 24. [ The imaging means 25 picks up the device 12 of the surface 10a and the line to be divided 11 from the rear surface 10b of the wafer 10 using infrared light in addition to visible light.

이와 같이 구성되는 레이저 가공 장치(20)를 이용하는 개질층 형성 공정에 관해, 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다. 도 3은, 레이저 가공 장치에 의해 웨이퍼에 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 설명하는 설명도이다. 도 4는, 레이저 가공 장치에 의해 웨이퍼에 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 설명하는 설명도이다. 도 5는, 레이저 가공 장치에 의해 웨이퍼에 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 설명하는 설명도이다. The modified layer forming step using the laser processing apparatus 20 constructed as described above will be described with reference to Figs. 2 to 5. Fig. 3 is an explanatory view for explaining a modified layer forming step of forming a modified layer on a wafer by a laser machining apparatus. 4 is an explanatory view for explaining a modified layer forming step of forming a modified layer on a wafer by a laser machining apparatus. 5 is an explanatory view for explaining a modified layer forming step of forming a modified layer on a wafer by a laser processing apparatus.

우선, 도 2에 도시한 바와 같이, 척 테이블(21) 상에 웨이퍼(10)의 이면(10b)측을 위로 하여 배치하고, 척 테이블(21) 상에 웨이퍼(10)를 흡인 유지한다. 웨이퍼(10)를 흡인 유지한 척 테이블(21)은, 가공 이송 수단이나 인덱싱 이송 수단에 의해 촬상 수단(25)의 바로 아래에 위치 부여된다. First, as shown in Fig. 2, the wafer 10 is placed on the chuck table 21 with the backside 10b side up, and the wafer 10 is sucked and held on the chuck table 21. The chuck table 21 holding the wafer 10 sucked is positioned directly below the imaging means 25 by the processing transfer means or the indexing transfer means.

척 테이블(21)이 촬상 수단(25)의 바로 아래에 위치 부여되면, 촬상 수단(25) 및 도시하지 않은 제어 수단에 의해 웨이퍼(10)의 레이저 가공해야 할 가공 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실행한다. 보다 자세하게는, 촬상 수단(25) 및 제어 수단은, 웨이퍼(10)의 소정 방향으로 형성되는 분할 예정 라인(11)과, 분할 예정 라인(11)을 따라서 펄스 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(22)의 집광기(24)의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트를 수행한다. 마찬가지로, 웨이퍼(10)의 소정 방향에 대하여 직교하는 방향으로 형성되는 분할 예정 라인(11)에 대해서도, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트를 수행한다. When the chuck table 21 is positioned immediately below the image pickup means 25, an alignment operation for detecting the machining area of the wafer 10 to be laser-processed is executed by the image pickup means 25 and control means do. More specifically, the imaging means 25 and the control means are provided with a dividing line 11 formed in a predetermined direction of the wafer 10 and a laser beam irradiating means 11 for irradiating a pulsed laser beam along the line 11 to be divided, And image matching such as pattern matching for aligning the condenser 24 of the laser beam 22 is performed to perform alignment of the laser beam irradiation position. Similarly, alignment of the laser beam irradiation position is performed also on the line 11 to be divided, which is formed in a direction orthogonal to the predetermined direction of the wafer 10. [

레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트를 수행한 후, 도 3에 도시한 바와 같이, 척 테이블(21)을, 가공 이송 수단이나 인덱싱 이송 수단에 의해, 집광기(24)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시켜, 소정의 분할 예정 라인(11)의 일단(도 3에 있어서는 좌단)을 집광기(24)의 바로 아래에 위치 부여한다. 그리고, 집광기(24)에 의해, 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 분할 예정 라인(11)에 대한 영역의 내부에 위치 부여하여 조사하면서, 가공 이송 수단에 의해, 척 테이블(21)을 화살표(X1)로 나타내는 방향으로 소정의 가공 이송 속도로 이동시킨다. After the alignment of the laser beam irradiation position is performed, the chuck table 21 is moved to the laser beam irradiation area where the condenser 24 is positioned by the processing transfer means or the indexing transfer means, as shown in Fig. 3 , One end (left end in Fig. 3) of the predetermined line to be divided 11 is positioned directly below the condenser 24. [ Then, the chuck table 21 is moved by the processing and conveying means to the chuck table 21 while the condenser 24 positions the light-converging point P of the pulsed laser beam inside the area for the line to be divided 11, (X1) at a predetermined machining feed rate.

도 4에 도시한 바와 같이, 집광기(24)의 레이저 광선 조사 위치가 분할 예정 라인(11)의 타단(도 4에서의 우단)에 도달하면, 레이저 광선 조사 수단(22)에 의한 펄스 레이저 광선의 조사를 정지하고, 척 테이블(21)의 이동을 정지한다. 4, when the laser beam irradiation position of the condenser 24 reaches the other end (the right end in Fig. 4) of the line to be divided 11, the pulse laser beam emitted from the laser beam irradiation means 22 The irradiation is stopped and the movement of the chuck table 21 is stopped.

그리고, 척 테이블(21)을 인덱싱 이송 수단에 의해 이동시키고, 다음으로 펄스 레이저 광선을 조사할 분할 예정 라인(11)의 일단을 집광기(24)의 바로 아래에 위치 부여한다. 그리고, 마찬가지로, 집광기(24)의 레이저 광선 조사 위치가 분할 예정 라인(11)의 타단에 도달할 때까지 펄스 레이저 광선을 조사하면서, 척 테이블(21)을 이동시킨다. Then, the chuck table 21 is moved by the indexing and conveying means, and one end of the line to be divided 11 to be irradiated with the pulsed laser beam is positioned immediately below the condenser 24. Likewise, the chuck table 21 is moved while irradiating the pulsed laser beam until the laser beam irradiation position of the condenser 24 reaches the other end of the line to be divided 11.

웨이퍼(10)의 모든 분할 예정 라인(11)에 관해, 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(11)에 대한 영역의 내부에 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 위치 부여하여 조사하는 것을 반복하여, 웨이퍼(10)의 모든 분할 예정 라인(11)에 대한 영역의 내부에 개질층(13)을 형성한다. The irradiation with the pulse condensing point P of the pulsed laser beam is positioned and irradiated to the inside of the area of the wafer 10 to be divided line 11 with respect to all the lines 11 to be divided of the wafer 10 , The modified layer 13 is formed in the region of the wafer 10 with respect to all the lines 11 to be divided.

여기서, 본 실시형태의 개질층 형성 공정에 사용하는 레이저 가공 장치(20)의 가공조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다. Here, the processing conditions of the laser processing apparatus 20 used in the modified layer forming step of the present embodiment are set as follows, for example.

광원 : YAG 펄스 레이저Light source: YAG pulsed laser

파장 : 1064 nm Wavelength: 1064 nm

펄스 출력 : 0.8 W Pulse output: 0.8 W

집광 스폿 직경 : φ 1.5 ㎛ Condensing spot diameter:? 1.5 占 퐉

반복 주파수 : 60 kHz Repetition frequency: 60 kHz

가공 이송 속도 : 600 mm/sFeeding speed: 600 mm / s

도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(10)의 두께가 두꺼운 경우에는, 집광점(P)을 웨이퍼(10)의 두께 방향으로 단계적으로 바꿔, 집광기(24)로부터 펄스 레이저 광선을 조사하고, 척 테이블(21)을 이동시키는 것을 복수회 실행하여, 복수의 개질층(13)을 형성해도 좋다. 5, when the thickness of the wafer 10 is large, the condensing point P is changed stepwise in the thickness direction of the wafer 10, the pulsed laser beam is irradiated from the condenser 24, The plurality of modified layers 13 may be formed by moving the table 21 a plurality of times.

다음으로, 개질층 형성 공정에서 개질층(13)이 형성된 웨이퍼(10)를 프레임(100)으로 지지시키는 프레임 지지 공정에 관해 설명한다. Next, a frame supporting step of supporting the wafer 10 on which the modified layer 13 is formed by the frame 100 in the modified layer forming step will be described.

도 6은, 개질층 형성 공정에서 개질층이 형성된 웨이퍼를 접착 테이프의 표면에 접착한 상태를 나타내는 사시도이다. 열수축성 점착 테이프(이하, 「점착 테이프」라고 함)(110)는 열수축성 및 익스팬드성을 갖는다. 점착 테이프(110)는, 소정 온도 이상으로 가열되면 수축하는 성질을 갖는다. 점착 테이프(110)는, 프레임(100)의 내측 개구를 덮도록 외주부가 프레임(100)에 장착된다. 점착 테이프(110)의 표면에, 웨이퍼(10)의 표면(10a)을 위로 하여, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 접착한다. 점착 테이프(110)는, 웨이퍼(10)가 접착되는 웨이퍼 유지 영역(111)과, 웨이퍼 유지 영역(111)과 프레임(100) 사이의 수축 영역(112)을 포함한다. 6 is a perspective view showing a state in which the wafer having the modified layer formed thereon is adhered to the surface of the adhesive tape in the modified layer forming step. The heat-shrinkable pressure-sensitive adhesive tape (hereinafter referred to as "pressure-sensitive adhesive tape") 110 has heat shrinkability and extensibility. The adhesive tape 110 has a property of shrinking when heated to a predetermined temperature or higher. The outer peripheral portion of the adhesive tape 110 is mounted on the frame 100 so as to cover the inner opening of the frame 100. The back surface 10b of the wafer 10 is bonded to the surface of the adhesive tape 110 with the front surface 10a of the wafer 10 facing upward. The adhesive tape 110 includes a wafer holding area 111 to which the wafer 10 is adhered and a shrinkage area 112 between the wafer holding area 111 and the frame 100. [

프레임 지지 공정은, 개질층 형성 공정을 실시하기 전에 행해도 좋다. 이 경우, 점착 테이프(110)의 표면에, 웨이퍼(10)의 표면(10a)을 위로 하여 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 접착한다. 점착 테이프(110)에 웨이퍼(10)를 접착한 후, 개질층 형성 공정에서 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 접착되어 있던 보호 테이프(120)를 박리한다. The frame supporting step may be performed before the reforming layer forming step is performed. In this case, the back surface 10b of the wafer 10 is bonded to the surface of the adhesive tape 110 with the front surface 10a of the wafer 10 facing upward. After adhering the wafer 10 to the adhesive tape 110, the protective tape 120 adhered to the surface 10a of the wafer 10 in the modified layer forming step is peeled off.

다음으로, 개질층 형성 공정과 프레임 지지 공정의 실시후, 확장 장치(30)에 의해, 프레임(100)에 장착된 점착 테이프(110)를 확장시키고, 점착 테이프(110)에 접착되어 있는 웨이퍼(10)를 개질층(13)이 형성된 분할 예정 라인(11)을 따라서 개개의 디바이스(12)로 분할하는 웨이퍼 분할 공정에 관해 설명한다. 웨이퍼 분할 공정은, 프레임 유지 공정과 테이프 확장 공정과 테이프 흡인 유지 공정과 기준 위치 복귀 공정과 테이프 수축 공정을 포함한다. Next, after the modified layer forming process and the frame supporting process are performed, the adhesive tape 110 mounted on the frame 100 is extended by the expansion device 30, and the wafer (not shown) bonded to the adhesive tape 110 10 is divided into individual devices 12 along the line 11 to be divided where the reforming layer 13 is formed will be described. The wafer dividing step includes a frame holding step, a tape expanding step, a tape suction holding step, a reference position returning step, and a tape shrinking step.

여기서, 도 7을 이용하여 확장 장치(30)에 관해 설명한다. 도 7은, 본 실시형태에 관한 확장 장치의 분해 사시도이다. 확장 장치(30)는, 프레임(100)의 개구부를 덮도록 장착되며 웨이퍼(10)가 접착되는 점착 테이프(110)를 확장시킨다. 확장 장치(30)는, 직사각형의 베이스(31)와, 프레임 유지 수단(32)과, 유지 테이블(33)과, 진퇴 수단(34)과, 가열 수단(35)을 구비한다. Here, the expansion device 30 will be described with reference to FIG. 7 is an exploded perspective view of the expansion device according to the present embodiment. The expansion device 30 is mounted so as to cover the opening of the frame 100 and expands the adhesive tape 110 to which the wafer 10 is adhered. The expansion device 30 is provided with a rectangular base 31, a frame holding means 32, a holding table 33, a advancing and retreating means 34 and a heating means 35.

프레임 유지 수단(32)은 프레임(100)을 유지한다. 프레임 유지 수단(32)은, 원통형의 프레임 유지 부재(321)와, 그 외주부에 설치되는 복수의 클램프 기구(322)를 갖는다. 프레임 유지 부재(321)는, 상면에 프레임(100)을 배치하기 위한 배치면(321a)을 갖는다. 클램프 기구(322)는, 배치면(321a)에 배치되는 프레임(100)을 프레임 유지 부재(321)에 고정한다. 본 실시형태에서는, 클램프 기구(322)는, 둘레 방향으로 등간격으로 4개 배치되어 있다. The frame holding means 32 holds the frame 100. The frame holding means 32 has a cylindrical frame holding member 321 and a plurality of clamp mechanisms 322 provided on the outer periphery thereof. The frame holding member 321 has a placement surface 321a for placing the frame 100 on the upper surface. The clamp mechanism 322 fixes the frame 100 disposed on the placement surface 321a to the frame holding member 321. [ In the present embodiment, the clamp mechanisms 322 are arranged at equal intervals in the circumferential direction.

유지 테이블(33)은 프레임 유지 부재(321)의 내측에 설치된다. 유지 테이블(33)은, 원반형의 본체(331)와, 본체(331)의 상면에 설치되며 통기성을 갖는 흡착 척(332)과, 접속관(333)(도 8 참조)과, 확장 보조 롤러(334)를 갖는다. 본체(331)의 상면에는 원형의 감합 오목부(331a)(도 8 참조)가 형성된다. 감합 오목부(331a)에는 흡착 척(332)이 배치된다. 본체(331)에는, 감합 오목부(331a)로 개구되는 통로(331b)(도 8 참조)가 설치된다. 이와 같이 형성되는 본체(331)는, 하면이 접속관(333)의 상단에 접속된다. 이에 따라, 본체(331)에 형성되는 통로(331b)와 접속관(333)의 통로(333a)(도 8 참조)가 연통한다. The holding table 33 is provided inside the frame holding member 321. The holding table 33 includes a disc-shaped main body 331, a suction chuck 332 provided on the upper surface of the main body 331 and having air permeability, a connecting pipe 333 (see Fig. 8) 334). A circular fitting recessed portion 331a (see Fig. 8) is formed on the upper surface of the main body 331. Fig. A suction chuck 332 is disposed in the fitting concave portion 331a. The main body 331 is provided with a passage 331b (see Fig. 8) opened to the fitting concave portion 331a. The lower surface of the body 331 thus formed is connected to the upper end of the connection pipe 333. [ Thus, the passageway 331b formed in the main body 331 communicates with the passageway 333a (see Fig. 8) of the connection pipe 333.

흡착 척(332)의 상면에는, 프레임 유지 수단(32)에 유지되는 프레임(100)에 장착되는 점착 테이프(110)의 웨이퍼 유지 영역(111)을 흡인 유지하는 유지면(332a)이 설치된다. A holding surface 332a for sucking and holding the wafer holding region 111 of the adhesive tape 110 mounted on the frame 100 held by the frame holding means 32 is provided on the upper surface of the chucking chuck 332. [

확장 보조 롤러(334)는, 웨이퍼 유지 영역(111)과 프레임(100) 사이의 점착 테이프(110)에 작용한다. 다시 말해서, 확장 보조 롤러(334)는, 프레임(100)에 장착된 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)에 작용한다. 확장 보조 롤러(334)는, 유지면(332a)의 직경 방향으로 확장할 때의 점착 테이프(110)의 이동 방향을 따르는 방향으로만 회전하는 원웨이 롤러이다. 보다 자세하게는, 확장 보조 롤러(334)는, 상측으로 노출되는 면에서, 직경 방향의 내측으로부터 외측으로 향하는 방향으로 회전하고, 외측으로부터 내측으로 향하는 방향으로의 회전이 규제되어 있다. 이와 같이, 확장 보조 롤러(334)는, 점착 테이프(110)가 확장될 때에, 점착 테이프(110)의 확장을 보조한다. 또한, 확장 보조 롤러(334)는, 점착 테이프(110)가 확장될 때의 이동 방향과 반대 방향의 회전이 규제되어 있다. 확장 보조 롤러(334)는, 원하는 외경을 갖는 원통형의 도시하지 않은 커버 롤러와, 커버 롤러의 내측에 감합되는 도시하지 않은 원웨이 클러치를 구비한 것이어도 좋다. 확장 보조 롤러(334)는, 유지면(332a)의 외주에 복수로 배치된다. The extension aiding roller 334 acts on the adhesive tape 110 between the wafer holding area 111 and the frame 100. In other words, the extension aiding roller 334 acts on the shrinkage area 112 of the adhesive tape 110 mounted on the frame 100. The extension assist roller 334 is a one-way roller that rotates only in the direction along the moving direction of the adhesive tape 110 when it extends in the radial direction of the holding surface 332a. More specifically, the expansion assist roller 334 rotates in the direction from the inner side to the outer side in the radial direction on the surface exposed upward, and rotation in the direction from the outer side to the inner side is restricted. Thus, the expansion assist roller 334 assists in expanding the adhesive tape 110 when the adhesive tape 110 is extended. The extension auxiliary roller 334 is restricted from rotating in the direction opposite to the moving direction when the adhesive tape 110 is extended. The extension aiding roller 334 may be provided with a cylindrical roller (not shown) having a desired outer diameter and a one-way clutch (not shown) fitted to the inside of the cover roller. A plurality of extension aiding rollers 334 are arranged on the outer periphery of the holding surface 332a.

진퇴 수단(34)은, 유지 테이블(33)의 유지면(332a)과 직교하는 Z축 방향으로, 프레임 유지 수단(32)과 유지 테이블(33)을 상대적으로 이동시킨다. 보다 자세하게는, 진퇴 수단(34)은 유지 테이블(33)을, 도 8에 나타내는 기준 위치와, 도 9에 나타내는 유지면(332a)이 프레임 유지 수단(32)으로부터 상측으로 돌출된 확장 위치의 사이에서 이동시킨다. 도 8은, 본 실시형태에 관한 확장 장치의 유지 테이블이 기준 위치에 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 도 9는, 본 실시형태에 관한 확장 장치의 유지 테이블이 확장 위치에 있는 상태를 나타내는 단면도이다. 진퇴 수단(34)에 의해 유지 테이블(33)의 유지면(332a)이 기준 위치에 위치 부여된 상태에서는, 프레임 유지 수단(32)의 배치면(321a)과 유지 테이블(33)의 유지면(332a)이 동일 평면 상에 위치한다. 진퇴 수단(34)에 의해 유지 테이블(33)의 유지면(332a)이 확장 위치에 위치 부여된 상태에서는, 프레임 유지 수단(32)의 배치면(321a)보다 유지 테이블(33)의 유지면(332a)이 상측에 위치한다. 진퇴 수단(34)은, 피스톤 로드(341)를 포함하는 에어 실린더 기구를 갖는다. 피스톤 로드(341)의 상단에는 유지 테이블(33)이 배치된다. 유지 테이블(33) 및 피스톤 로드(341)의 중심에는 도시하지 않은 흡인 통로가 형성되고, 도시하지 않은 흡인 수단에 연통된다. The retracting means 34 relatively moves the frame holding means 32 and the holding table 33 in the Z axis direction orthogonal to the holding surface 332a of the holding table 33. [ More specifically, the advancing / retracting means 34 moves the holding table 33 between the reference position shown in Fig. 8 and the extending position where the holding surface 332a shown in Fig. 9 protrudes upward from the frame holding means 32 . 8 is a cross-sectional view showing a state in which the holding table of the expansion device according to the present embodiment is at the reference position. 9 is a cross-sectional view showing a state in which the holding table of the expansion device according to the present embodiment is in the extended position. The holding surface 332a of the holding table 33 is positioned at the reference position by the advancing / retreating means 34. The holding surface 332a of the holding table 33 332a are located on the same plane. The holding surface 332a of the holding table 33 is positioned more than the holding surface 321a of the frame holding means 32 in the state where the holding surface 332a of the holding table 33 is positioned at the extended position by the advancing / 332a are located on the upper side. The advancing / retracting means (34) has an air cylinder mechanism including a piston rod (341). At the upper end of the piston rod 341, a holding table 33 is disposed. A suction passage (not shown) is formed at the center of the holding table 33 and the piston rod 341, and communicates with suction means (not shown).

가열 수단(35)은, 웨이퍼 유지 영역(111)과 프레임(100) 사이에서 확장된 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)을 수축시킨다. 가열 수단(35)은, 적외선 히터(351)와, 적외선 히터(351)를 지지하는 지지 로드(352)와, 지지 로드(352)를 회동시키는 회동 수단(353)을 갖는다. 적외선 히터(351)는 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)과 대응하는 크기의 고리형으로 형성된다. 회동 수단(353)은, 적외선 히터(351)를, 도 7에 나타내는 후퇴 위치와, 프레임(100)이 프레임 유지 수단(32)에 유지된 상태에서, 프레임(100)에 장착된 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)의 상측인 가열 위치에 위치 부여한다. 적외선 히터(351)는, 점착 테이프(110)를, 예컨대 열원 온도 100∼300도, 예컨대 가열 시간 30∼120초로 가열하여 수축시킨다. 가열 수단(35)은, 열풍 등 다른 수단을 이용해도 좋다. The heating means 35 shrinks the shrinkage region 112 of the adhesive tape 110 extending between the wafer holding region 111 and the frame 100. [ The heating means 35 has an infrared heater 351, a support rod 352 for supporting the infrared heater 351 and a rotation means 353 for rotating the support rod 352. The infrared heaters 351 are formed in an annular shape having a size corresponding to the shrinkage area 112 of the adhesive tape 110. The rotating means 353 rotates the infrared ray heater 351 relative to the retreating position shown in Fig. 7 and the adhesive tape 110 (see Fig. 7) mounted on the frame 100 while the frame 100 is held by the frame holding means 32 The shrinkage area 112 is located at the heating position. The infrared ray heater 351 shrinks the adhesive tape 110 by heating at a heat source temperature of 100 to 300 degrees, for example, a heating time of 30 to 120 seconds. As the heating means 35, other means such as hot air may be used.

이와 같이 구성되는 확장 장치(30)를 이용하는 웨이퍼 분할 공정에 관해, 도 8 내지 도 10을 참조하여 설명한다. The wafer dividing step using the expanding device 30 constructed as above will be described with reference to Figs. 8 to 10. Fig.

우선, 도 8에 도시한 바와 같이, 개질층(13)이 형성되어 있는 웨이퍼(10)를 점착 테이프(110)를 통해 지지한 프레임(100)을, 프레임 유지 부재(321)의 배치면(321a) 상에 배치하고, 클램프 기구(322)로 고정한다(프레임 유지 공정). 이 때, 프레임 유지 부재(321)는 기준 위치에 위치 부여된다. 8, the frame 100 supporting the wafer 10 on which the modified layer 13 is formed via the adhesive tape 110 is placed on the arrangement surface 321a of the frame holding member 321 , And fixed by the clamp mechanism 322 (frame holding step). At this time, the frame holding member 321 is positioned at the reference position.

다음으로, 도 9에 도시한 바와 같이, 진퇴 수단(34)에 의해 유지 테이블(33)을 확장 위치로 상승시킨다(테이프 확장 공정). 이에 따라, 프레임 유지 부재(321)의 배치면(321a) 상에 고정되어 있는 프레임(100)에 대하여, 유지 테이블(33)과 함께 웨이퍼(10) 및 점착 테이프(110)의 웨이퍼 유지 영역(111)이 상승한다. 이에 따라, 웨이퍼(10)에 접착된 점착 테이프(110)는, 확장 보조 롤러(334)의 상단 가장자리에 접촉하여 화살표 FA로 나타내는 외력을 받아 확장된다. 웨이퍼(10)는, 개질층 형성 공정에서, 분할 예정 라인(11)을 따라서 다수의 개질층(13)이 형성되고 강도가 저하되었다. 이 때문에, 웨이퍼(10)에는, 외측으로 퍼지는 방향의 인장력이 외력으로서 작용하고, 웨이퍼(10)는, 개질층(13)이 형성되어 있는 분할 예정 라인(11)을 기점으로 파단되어, 개개의 디바이스(12)로 분할된다. 그리고, 각 디바이스(12) 사이에는 간격(간극)이 형성된다. 이 때, 디바이스(12)는, 점착 테이프(110) 상에 접착되어 있기 때문에, 개개로 분할되더라도 비산하는 것이 억제된다. 분할된 개개의 디바이스(12)는, 웨이퍼 분할 공정의 종료후, 점착 테이프(110)로부터 픽업된다. Next, as shown in Fig. 9, the retention means 34 raises the holding table 33 to the extended position (tape exposing step). The wafer holding region 111 of the wafer 10 and the adhesive tape 110 together with the holding table 33 is fixed to the frame 100 fixed on the placing surface 321a of the frame holding member 321 ). Thus, the adhesive tape 110 adhered to the wafer 10 comes into contact with the upper edge of the extension aiding roller 334 and is expanded by receiving an external force indicated by arrow FA. In the wafer 10, a plurality of modified layers 13 are formed along the line 11 to be divided in the modified layer forming step and the strength is lowered. Therefore, the tensile force in the outward spreading direction acts on the wafer 10 as an external force, and the wafer 10 is broken at the starting point of the dividing line 11 on which the modified layer 13 is formed, Device 12 as shown in FIG. A space (gap) is formed between the devices 12. At this time, since the device 12 is bonded on the adhesive tape 110, scattering of the device 12 even if it is divided individually is suppressed. The divided individual devices 12 are picked up from the adhesive tape 110 after the end of the wafer dividing step.

다음으로, 점착 테이프(110)가 확장되어, 개개의 디바이스(12) 사이가 확대된 상태에서, 흡인 수단에 의해 유지 테이블(33)의 흡착 척(332)에 부압을 작용시킨다(테이프 흡인 유지 공정). 이에 따라, 개개의 디바이스(12)로 분할된 웨이퍼(10)가 접착되어 있는 웨이퍼 유지 영역(111)이 유지면(332a)에 흡인 유지되어, 디바이스(12) 사이가 확대된 확장 상태가 유지된다. Next, the adhesive tape 110 is expanded and a negative pressure is applied to the adsorption chuck 332 of the holding table 33 by the suction means in a state in which the space between the individual devices 12 is enlarged (the tape suction holding step ). Thereby, the wafer holding area 111 to which the wafer 10 divided by the individual devices 12 are adhered is held by the holding surface 332a so that the expanded state between the devices 12 is maintained .

다음으로, 도 10에 도시한 바와 같이, 진퇴 수단(34)에 의해 유지 테이블(33)을 기준 위치로 하강시킨다(기준 위치 복귀 공정). 도 10은, 본 실시형태에 관한 확장 장치의 유지 테이블이 확장 위치로부터 기준 위치로 복귀된 상태를 나타내는 단면도이다. 이에 따라, 점착 테이프(110)에는 수축 영역(112)에 이완이 생긴다. 테이프 수축 공정에 있어서, 확장 보조 롤러(334)는, 점착 테이프(110)가 확장될 때의 이동 방향과 반대 방향의 회전이 규제되어 회전하지 않는다. 다시 말해서, 확장 보조 롤러(334)가 회전하지 않기 때문에, 점착 테이프(110)가, 확장 보조 롤러(334)와 유지 테이블(33)의 유지면(332a) 사이에 감겨 들어가, 예각으로 절곡되는 것이 억제된다. Next, as shown in Fig. 10, the retention means 34 lowers the holding table 33 to the reference position (reference position returning step). 10 is a cross-sectional view showing a state in which the holding table of the expansion device according to the present embodiment is returned from the extended position to the reference position. As a result, the shrinkage area 112 is relaxed on the adhesive tape 110. [ In the tape shrinking process, the extension aiding roller 334 is not rotated in the direction opposite to the moving direction when the adhesive tape 110 is extended, and is not rotated. In other words, since the extension auxiliary roller 334 does not rotate, the adhesive tape 110 is wound between the extension auxiliary roller 334 and the holding surface 332a of the holding table 33 and bent at an acute angle .

다음으로, 도 11에 도시한 바와 같이 가열 수단(35)의 적외선 히터(351)를 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)의 상측인 가열 위치에 위치 부여하여, 적외선 히터(351)에 의해 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)을 가열한다(테이프 수축 공정). 도 11은, 본 실시형태에 관한 확장 장치에 의해 접착 테이프를 수축시키는 상태를 나타내는 단면도이다. 이에 따라, 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)은, 적외선 히터(351)에 의해 조사되는 적외선으로 가열되어 수축된다. 점착 테이프(110)가 확장 보조 롤러(334)와 유지 테이블(33)의 유지면(332a) 사이에 감겨 들어가지 않았기 때문에, 점착 테이프(110)는, 이완이 생긴 수축 영역(112)이 적외선 히터(351)에 의해 균일하게 수축된다. 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)이 균일하게 수축되는 것에 의해, 웨이퍼 분할 공정의 종료후, 유지 테이블(33)로부터 웨이퍼(10)를 이탈시키더라도, 테이프 확장 공정에 있어서 각 디바이스(12) 사이에 형성된 간격은 균일한 채로 유지된다. 이에 따라, 개개의 디바이스(12)끼리 접촉하는 것이 억제된다. 11, the infrared heater 351 of the heating means 35 is positioned at the heating position above the shrinkage area 112 of the adhesive tape 110, and the infrared heater 351 is heated by the infrared heater 351 The shrinkage area 112 of the adhesive tape 110 is heated (tape shrinking step). 11 is a cross-sectional view showing a state in which the adhesive tape is shrunk by the expansion device according to the present embodiment. As a result, the shrinkage area 112 of the adhesive tape 110 is heated by the infrared ray irradiated by the infrared heater 351 and contracted. Since the adhesive tape 110 is not wound between the extension assist roller 334 and the holding surface 332a of the holding table 33, the adhesive tape 110 can be prevented from being damaged by the shrinkage area 112, (351). Even if the wafer 10 is detached from the holding table 33 after the end of the wafer dividing step due to the uniform shrinkage of the shrinkage area 112 of the adhesive tape 110, ) Is kept uniform. As a result, contact between the individual devices 12 is suppressed.

이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 유지 테이블(33)에 배치되는 확장 보조 롤러(334)가 유지면(332a)의 직경 방향으로 확장될 때의 점착 테이프(110)의 이동 방향을 따르는 방향으로만 회전하는 원웨이 롤러이다. 이 때문에, 본 실시형태는, 테이프 수축 공정에 있어서, 확장 보조 롤러(334)가 회전하지 않기 때문에, 확장된 점착 테이프(110)가, 확장 보조 롤러(334)와 유지 테이블(33)의 유지면(332a) 사이에 감겨 들어가, 예각으로 절곡되는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 본 실시형태는, 이완이 생긴 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)을 적외선 히터(351)에 의해 균일하게 가열하여 수축시킬 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태는, 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)을 균일하고 고르게 수축시킬 수 있다. As described above, according to the present embodiment, in the direction along the moving direction of the adhesive tape 110 when the extension assist roller 334 disposed on the holding table 33 is extended in the radial direction of the holding surface 332a It is a one-way roller that rotates only. Therefore, in the present embodiment, since the extension auxiliary roller 334 does not rotate in the tape shrinking process, the expanded adhesive tape 110 is held between the extension auxiliary roller 334 and the holding surface 33 of the holding table 33 It can be suppressed from being folded at an acute angle. Accordingly, in the present embodiment, the shrinkage area 112 of the adhesive tape 110 in which the relaxation occurs can be uniformly heated and shrunk by the infrared heater 351. [ As described above, in the present embodiment, the shrinkage area 112 of the adhesive tape 110 can be shrunk uniformly and evenly.

이것에 대하여, 유지 테이블에 배치되는 확장 보조 롤러가 본 실시형태와 같은 원웨이 롤러가 아닌 경우, 테이프 수축 공정에 있어서, 확장 보조 롤러는, 점착 테이프(110)가 확장될 때의 이동 방향과 반대 방향으로 회전한다. 이에 따라, 확장된 점착 테이프(110)가 확장 보조 롤러의 회전으로, 확장 보조 롤러와 유지 테이블(33)의 유지면(332a) 사이에 감겨 들어가, 예각으로 절곡되어 버린다. 수축 영역(112)의 감겨 들어가 절곡된 부분은, 적외선 히터(351)와의 거리가 커졌기 때문에, 적외선 히터(351)로 가열하더라도 충분히 가열되지 않을 우려가 있다. 이와 같이, 수축 영역(112)에 충분히 가열되지 않은 부분이 생기면, 점착 테이프(110)는 수축 영역(112)이 균일하게 수축되지 않는다. 이 상태에서, 웨이퍼 분할 공정의 종료후, 유지 테이블(33)로부터 웨이퍼(10)를 이탈시키면, 테이프 확장 공정에 있어서 확장된 각 디바이스(12) 사이의 간격이 좁아지거나 점착 테이프(110)가 휘어지거나 하여, 개개의 디바이스(12)끼리 접촉하거나 할 우려가 있다. On the other hand, when the extension assist roller disposed on the holding table is not the one-way roller as in the present embodiment, in the tape shrinking step, the extension auxiliary roller is moved in the direction opposite to the moving direction when the adhesive tape 110 is extended Direction. Thus, the expanded adhesive tape 110 is wound between the extension assist roller and the holding surface 332a of the holding table 33 by the rotation of the extension assist roller, and is bent at an acute angle. The curled portion of the shrinkage region 112 may not be sufficiently heated even when heated by the infrared heater 351 because the distance from the infrared heater 351 is increased. As described above, when the shrinkage area 112 is not sufficiently heated, the shrinkage area 112 of the adhesive tape 110 is not uniformly shrunk. In this state, if the wafer 10 is detached from the holding table 33 after the end of the wafer dividing step, the gap between the extended devices 12 in the tape exposing process becomes narrow, or the adhesive tape 110 is bent There is a possibility that the individual devices 12 are brought into contact with each other.

본 실시형태는, 점착 테이프(110)의 수축 영역(112)이 균일하게 수축되는 것에 의해, 테이프 확장 공정에 있어서 각 디바이스(12) 사이에 형성된 간격을 균일하게 유지할 수 있다. 이에 따라, 본 실시형태는, 유지 테이블(33)로부터 웨이퍼(10)를 이탈시켰을 때 등에, 개개의 디바이스(12)끼리 접촉하는 것을 억제할 수 있다. 이와 같이, 본 실시형태는, 반송시 등에 있어서 디바이스(12)끼리 접촉하는 것에 의한 손상을 방지할 수 있다. In the present embodiment, the shrinkage area 112 of the adhesive tape 110 is uniformly contracted, so that the interval formed between the devices 12 in the tape expansion process can be uniformly maintained. Thus, the present embodiment can suppress the contact of the individual devices 12 when the wafer 10 is removed from the holding table 33, for example. As described above, the present embodiment can prevent damage due to contact between the devices 12 during transportation or the like.

또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다. 예컨대, 유지면(332a)의 외주에 배치되는 확장 보조 롤러(334)는, 전부가 원웨이 롤러가 아니어도 좋으며, 적어도 1개, 바람직하게는 둘레 방향으로 등간격으로 3개 이상 배치되면 된다. The present invention is not limited to the above embodiment. In other words, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, all of the extension assist rollers 334 disposed on the outer periphery of the holding surface 332a may not be all the one-way rollers, and they may be disposed at least one, preferably three or more at equal intervals in the circumferential direction.

10 : 웨이퍼 12 : 디바이스
13 : 개질층 100 : 프레임
110 : 점착 테이프 111 : 웨이퍼 유지 영역
112 : 수축 영역 20 : 레이저 가공 장치
30 : 확장 장치 32 : 프레임 유지 수단
321 : 프레임 유지 부재 321a : 배치면
322 : 클램프 기구 33 : 유지 테이블
332 : 흡착 척 332a : 유지면
334 : 확장 보조 롤러 34 : 진퇴 수단
35 : 가열 수단 351 : 적외선 히터10: Wafer 12: Device
13: reforming layer 100: frame
110: adhesive tape 111: wafer holding area
112: shrinkage area 20: laser processing device
30: Extension device 32: Frame holding means
321: frame holding member 321a:
322: clamping mechanism 33: retaining table
332: absorption chuck 332a: holding surface
334: Extension assisting roller 34: Retraction means
35: Heating means 351: Infrared heater

Claims (4)

고리형의 프레임의 개구부를 덮도록 장착되며 웨이퍼가 접착되는 열수축성 및 익스팬드성을 갖는 점착 테이프를 확장시키는 확장 장치에 있어서,
상기 프레임을 유지하는 프레임 유지 수단과,
상기 프레임 유지 수단에 유지되는 상기 프레임에 장착되는 점착 테이프의 상기 웨이퍼가 접착되는 웨이퍼 유지 영역을 흡인 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과,
상기 유지면과 직교하는 축방향으로 상기 프레임 유지 수단과 상기 유지 테이블을 기준 위치와 상기 유지면이 상기 프레임 유지 수단으로부터 돌출되는 확장 위치의 사이에서 상대적으로 이동시키는 진퇴 수단과,
상기 진퇴 수단에 의해 상기 웨이퍼 유지 영역과 상기 프레임의 사이에서 확장되는 상기 점착 테이프를 수축시키는 가열 수단을 구비하고,
상기 유지 테이블은, 상기 유지면의 외주에, 상기 웨이퍼 유지 영역과 상기 프레임 사이의 상기 점착 테이프에 작용하는 확장 보조 롤러를 가지며,
상기 확장 보조 롤러는, 상기 유지면의 직경 방향으로 확장될 때의 상기 점착 테이프의 이동 방향을 따르는 방향으로만 회전하는 원웨이 롤러인 것을 특징으로 하는 확장 장치. An expansion device for expanding an adhesive tape which is mounted so as to cover an opening of an annular frame and has heat shrinkable and expandable properties to which a wafer is adhered,
Frame holding means for holding the frame;
A holding table having a holding surface for sucking and holding a wafer holding region to which the wafer of the adhesive tape mounted on the frame held by the frame holding means is adhered,
Retracting means for relatively moving the frame holding means and the holding table between a reference position and an extended position in which the holding surface protrudes from the frame holding means in an axial direction orthogonal to the holding surface,
And heating means for contracting the adhesive tape extending between the wafer holding region and the frame by the advancing / retreating means,
Wherein the holding table has an extension auxiliary roller which acts on the adhesive tape between the wafer holding area and the frame on the outer periphery of the holding surface,
Wherein the extension assisting roller is a one-way roller that rotates only in a direction along a moving direction of the adhesive tape when it is extended in the radial direction of the holding surface. 제 1항에 있어서,
상기 유지면이 복수의 상기 확장 보조 롤러로 둘러싸이는 것인, 확장 장치. The method according to claim 1,
And the holding surface is surrounded by a plurality of the extension auxiliary rollers. 제 2항에 있어서,
복수의 상기 확장 보조 롤러는, 적어도 하나가 상기 원웨이 롤러인 것인, 확장 장치. 3. The method of claim 2,
Wherein at least one of the plurality of extension auxiliary rollers is the one-way roller. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 원웨이 롤러는, 원하는 외경을 갖는 원통형의 커버 롤러와, 상기 커버 롤러의 내측에 감합되는 원웨이 클러치를 구비하고, 일 방향으로만 회전하는 것인, 확장 장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the one-way roller includes a cylindrical cover roller having a desired outer diameter and a one-way clutch engaged with the inside of the cover roller, and rotates only in one direction.
KR1020170038331A 2016-04-01 2017-03-27 Expansion device KR102168715B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016074261A JP6618412B2 (en) 2016-04-01 2016-04-01 Expansion unit
JPJP-P-2016-074261 2016-04-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170113271A true KR20170113271A (en) 2017-10-12
KR102168715B1 KR102168715B1 (en) 2020-10-21

Family

ID=60045001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170038331A KR102168715B1 (en) 2016-04-01 2017-03-27 Expansion device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6618412B2 (en)
KR (1) KR102168715B1 (en)
CN (1) CN107275256B (en)
TW (1) TWI718262B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190064440A (en) * 2017-11-30 2019-06-10 가부시기가이샤 디스코 Wafer dividing method and wafer dividing apparatus

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019117896A (en) * 2017-12-27 2019-07-18 株式会社ディスコ Method and device for dividing workpiece
TW202119521A (en) * 2019-11-12 2021-05-16 力成科技股份有限公司 Wafer expanding device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0212944A (en) * 1988-06-30 1990-01-17 Nec Corp Sheet enlarging apparatus for manufacture of semiconductor device
JP2007123658A (en) 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd Expansion apparatus of adhesive tape
JP2013118326A (en) 2011-12-05 2013-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd Dividing device
KR101322579B1 (en) * 2012-05-25 2013-10-28 세메스 주식회사 Module for expanding a mounting tape and apparatus for picking up semiconductor devices having the same
KR20140009033A (en) * 2012-07-12 2014-01-22 가부시기가이샤 디스코 Tape expanding apparatus
KR20150118530A (en) * 2014-04-14 2015-10-22 가부시기가이샤 디스코 Method for maintaining spaces between chips

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0251248A (en) * 1988-08-15 1990-02-21 Nitto Denko Corp Apparatus for automatic adhesion of semiconductor wafer
JPH07122583A (en) * 1993-10-26 1995-05-12 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus
JP4390503B2 (en) * 2003-08-27 2009-12-24 パナソニック株式会社 Component mounting apparatus and component mounting method
JP2006173269A (en) * 2004-12-14 2006-06-29 Hamamatsu Photonics Kk Method for machining substrate and device for extending film
JP4851795B2 (en) * 2006-01-13 2012-01-11 株式会社ディスコ Wafer divider
JP2009272503A (en) * 2008-05-09 2009-11-19 Disco Abrasive Syst Ltd Breaking device and breaking method for filmy adhesive
JP5885033B2 (en) * 2012-09-24 2016-03-15 株式会社東京精密 Work dividing apparatus and work dividing method
JP6282155B2 (en) * 2014-03-28 2018-02-21 キヤノン株式会社 One-way clutch and sheet conveying roller

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0212944A (en) * 1988-06-30 1990-01-17 Nec Corp Sheet enlarging apparatus for manufacture of semiconductor device
JP2007123658A (en) 2005-10-31 2007-05-17 Disco Abrasive Syst Ltd Expansion apparatus of adhesive tape
JP2013118326A (en) 2011-12-05 2013-06-13 Disco Abrasive Syst Ltd Dividing device
KR101322579B1 (en) * 2012-05-25 2013-10-28 세메스 주식회사 Module for expanding a mounting tape and apparatus for picking up semiconductor devices having the same
KR20140009033A (en) * 2012-07-12 2014-01-22 가부시기가이샤 디스코 Tape expanding apparatus
KR20150118530A (en) * 2014-04-14 2015-10-22 가부시기가이샤 디스코 Method for maintaining spaces between chips

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190064440A (en) * 2017-11-30 2019-06-10 가부시기가이샤 디스코 Wafer dividing method and wafer dividing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN107275256A (en) 2017-10-20
CN107275256B (en) 2022-02-22
TWI718262B (en) 2021-02-11
KR102168715B1 (en) 2020-10-21
JP2017188498A (en) 2017-10-12
TW201737391A (en) 2017-10-16
JP6618412B2 (en) 2019-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5307384B2 (en) Wafer division method
TWI469206B (en) Adhesive tape expansion method
JP2007123658A (en) Expansion apparatus of adhesive tape
KR20170113271A (en) Expansion device
JP6034219B2 (en) Wafer processing method
KR20170034316A (en) Wafer processing method
US20160240424A1 (en) Chuck table of processing apparatus
JP2002334852A (en) Method of dividing work and apparatus for expanding space between chips used for the same
KR20160146537A (en) Processing method of wafer
JP2014229702A (en) Laser processing device
JP2003051465A (en) Division treatment method of work to be machined, and chip interval expansion apparatus used for the division treatment method
CN111192852B (en) Method for processing laminated body
JP6741529B2 (en) Tip spacing maintenance method
TWI815909B (en) Film expansion device
JP7241580B2 (en) Wafer processing method
JP2013033801A (en) Method of cutting workpiece
JP6537414B2 (en) Wafer processing method
JP5426314B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
US11600513B2 (en) Processing method of wafer
TW202232591A (en) DAF division confirmation method including a dividing step, a DAF dividing step, a shrinking step, a dicing tape peeling off step, and a DAF division confirmation step
JP2024044603A (en) Wafer processing method
JP2024060889A (en) How to extend
KR20160030363A (en) Method of coating protective film

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant